JP2006086500A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成し、導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成し、レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてシリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成し、、酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をHおよびNを含むプロセスガスで加工して導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成し、大気中に曝す前に、Cを含むプロセスガス、Hを含むプロセスガスまたはOを含むプロセスガスのプラズマ処理を施し、さらに前記各パターンをマスクとして配線材料膜を選択的にエッチング除去する。
【選択図】 図7
Description
前記導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する工程と、
前記レジスト膜をリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して前記有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をHおよびNを含むプロセスガスで加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成した後で大気中に曝す前に、Cを含むプロセスガス、Hを含むプロセスガスまたはOを含むプロセスガスのプラズマで処理する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を選択的にエッチング除去して配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
前記導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する工程と、
前記レジスト膜をリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して前記有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンを有する半導体基板を平行平板型プラズマエッチング処理装置の真空チャンバ内の一方の平板電極に設置し、同チャンバ内にOを含むプロセスガスを導入すると共に、同チャンバ内の圧力を1Pa以下にし、他方の平板電極に100MHzの高周波電力を印加することにより同チャンバ内に酸素プラズマを発生させ、前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして露出する前記有機材料膜を選択的にエッチング加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を選択的にエッチング除去して配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
この第1実施形態を以下の第1工程〜第4工程に従って説明する。
半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成する。つづいて、この配線材料膜の最上層の導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する。
ナフトキシノンジアジドとノボラック樹脂からなるレジスト(JSR社製商品名:IX770)等を用いることができる。
前記レジスト膜を例えばKrFステッパまたはArFステッパを用いるリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面に所望のレジストパターンを形成する。つづいて、このレジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともFを含むプロセスガスで加工して有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する。
前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をHおよびNを含むプロセスガス、またはH、NおよびOを含むプロセスガスで加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成する。この後で大気中に曝す前に、前記有機材料膜パターンを有する半導体基板をCを含むプロセスガス、Hを含むプロセスガスまたはOを含むプロセスガスのプラズマで処理する。
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を例えばRIE法により選択的にエッチング除去して配線を形成する。
この第2実施形態を以下の第1工程〜第4工程に従って説明する。
半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成する。つづいて、この配線材料膜の最上層の導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する。
前記レジスト膜を例えばKrFステッパまたはArFステッパを用いるリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面に所望のレジストパターンを形成する。つづいて、このレジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともFを含むプロセスガスで加工して有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する。
前記酸化シリコン膜パターンを有する半導体基板を平行平板型のプラズマエッチング処理装置(例えば平行平板型のRIE装置)の真空チャンバ内の一方の平板電極に設置する。つづいて、同チャンバ内のガスを真空排気し、同チャンバ内にOを含むプロセスガスを導入してチャンバ内の圧力を1Pa以下にする。同チャンバ内の他方の平板電極に13.56MHzより高い高周波電力、例えば100MHzの高周波電力を印加することにより、同チャンバ内の平行平板電極間の領域に酸素プラズマを発生させ、前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をリアクティブイオンエッチング(RIE)により選択的にエッチング加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成する。
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を例えばRIE法により選択的にエッチング除去して配線を形成する。
図1に示すように半導体基板であるシリコン基板1表面にCVD法によりSiO2からなる層間絶縁膜2を堆積した。この層間絶縁膜2表面にスパッタリング法によりそれぞれ厚さ10nmのチタン/窒化チタンのバリア膜3、厚さ220nmのAl−Cu合金膜(Al合金膜)4およびそれぞれ厚さ10nm、30nmのチタン/窒化チタンのバリア膜5をこの順序で成膜して三層構造(実質5層構造)の配線材料膜6を形成した。つづいて、この配線材料膜6のバリア膜5表面にスピンコート法により有機材料膜である厚さ300nmのノボラック樹脂膜(JSR社製商品名:PER IX370G)7および厚さ80nmのSOG膜8をこの順序で被覆し、さらにこのSOG膜8表面に化学増幅型レジスト(JSR社製商品名:M60G)塗布し、乾燥して厚さ200nmのレジスト膜9を被覆した。
平行平板型のRIE装置によりSOG膜パターンをマスクとして塗布型カーボン膜を選択的にRIEで除去してノボラック樹脂膜パターンを形成した後、CH4のプラズマ処理を施さずに、前記RIE装置のチャンバから大気に取り出し、ICP型のRIE装置におけるチャンバ内の下部電極に搬送し、配線材料膜の選択的なRIEの除去を行った以外、実施例1と同様な方法より配線を形成して半導体装置を製造した。
実施例1と同様に平行平板型のRIE装置のチャンバ内でSOG膜パターンをマスクとして塗布型カーボン膜を選択的にRIEで除去してノボラック樹脂膜パターンを形成した後、同RIE装置のチャンバ内のプロセスガスを真空排気しながら、プロセスガスであるH2を200sccmの流量でチャンバ内に供給し、真空度を4Paとし、13.56MHz,500WのRF出力を下部平板電極に6秒間印加することにより、ノボラック樹脂膜パターンから露出するバリア膜表面部分にH2のプラズマ処理を施し以外、実施例1と同様な方法により配線を形成し、半導体装置を製造した。
図9は、この実施例3の有機材料膜パターン(ノボラック樹脂膜パターン)を形成するために用いられる平行平板型のRIE装置を示す概略断面図である。
Claims (3)
- 半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成する工程と、
前記導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する工程と、
前記レジスト膜をリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して前記有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜をHおよびNを含むプロセスガスで加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成した後で大気中に曝す前に、Cを含むプロセスガス、Hを含むプロセスガスまたはOを含むプロセスガスのプラズマで処理する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を選択的にエッチング除去して配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化シリコン膜パターンをマスクとする有機材料膜の加工に用いられるプロセスガスは、H、NおよびOを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に導電性バリア膜、アルミニウムもしくはアルミニウム合金の膜および導電性バリア膜をこの順序で堆積して積層構造の配線材料膜を形成する工程と、
前記導電性バリア膜表面に有機材料膜、シリコン酸化膜およびレジスト膜をこの順序で形成する工程と、
前記レジスト膜をリソグラフィーによりパターニングしてシリコン酸化膜表面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記シリコン酸化膜を少なくともフッ素を含むプロセスガスで加工して前記有機材料膜表面に酸化シリコン膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンを有する半導体基板を平行平板型プラズマエッチング処理装置の真空チャンバ内の一方の平板電極に設置し、同チャンバ内にOを含むプロセスガスを導入すると共に、同チャンバ内の圧力を1Pa以下にし、他方の平板電極に高周波電力を印加することにより同チャンバ内に酸素プラズマを発生させ、前記酸化シリコン膜パターンをマスクとして有機材料膜を選択的にエッチング加工して前記導電性バリア膜表面に有機材料膜パターンを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜パターンおよび有機材料膜パターンをマスクとして前記配線材料膜を選択的にエッチング除去して配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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