DE3727688A1

DE3727688A1 - Halbleiterspeichersystem

Info

Publication number: DE3727688A1
Application number: DE19873727688
Authority: DE
Inventors: Yasuo Itoh; Fumio Horiguchi; Shigeyoshi Watanabe; Kazunori Ohuchi; Mitsugi Ogura
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-08-19
Filing date: 1987-08-19
Publication date: 1988-02-25
Anticipated expiration: 2007-08-20
Also published as: KR900007227B1; US4800530A; KR880003331A; DE3727688C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterspeichersystem und insbesondere ein solches, das einen dynamischen wahlfreien Zugriff erlaubt.

Von den Halbleiterspeichersystemen des MOS-Typs hat das dRAM (dynamischer Schreib- und Lesespeicher) seine Kapazität um eine Rate von 400% alle drei Jahre erhöht. Ein dRAM mit einer Kapazität von 1 M Bit wurde bereits in die Praxis eingeführt. Auf der ISSCC (International) Solid State Circuit Conference = Internationale Tagung für Festkörperschaltungen), die 1986 stattfand, wurden verschiedene dRAMs mit einer Kapazität von 4 M Bit gezeigt.

Mit dem Anstieg der Speicherkapazität des dRAM wurden große Verbesserungen bei den Funktionen des Speichersystems erzielt, zum Beispiel die Verwendung eines Mehrfach-Bit-Systems für die Eingabe/Ausgabe und für die Diversifizierung der Operationsmodi. Insbesondere im Seitenmodus, Nibbelmodus und statischen Kolonnenmodus ist eine Hochgeschwindigkeits-Lese-/Schreib-Operation für eine Vielzahl von Speiherzellen, die mit einer ausgewählten Wortleitung verbunden sind, möglich. Daher kann in diesem Modi das dRAM-System einen Hochgeschwindigkeits-Zugriff ebenso schnell durchführen wie ein statisches RAM-System. In solchen Hochgeschwindigkeits-Operationsmodi kann die Ausführung eines Rechners verbessert werden, da die Daten seriell ein- und ausgegeben werden können. Falls ein derartiges Speichersystem für einen Bildspeicher verwendet wird, kann die Bildqualität verbessert werden.

Zur Erhöhung der Datenübertragungsgeschwindigkeit zwischen einem Hauptspeichersystem und einer zentralen Verarbeitungsstation (CPU) in einem Rechner-System wird häufig ein Cache-System zwischen diesen Einheiten angeordnet, wobei die Datenübertragung für jeden Datenblock einer festgelegten Länge durchgeführt wird. Außerdem werden zur Steigerung des Durchsatzes des Speichers die Speicherkartengruppen, welche den Hauptspeicher bilden, in Speicherbanken angeordnet. Die Adressen werden nacheinander auf diese Speicherbanken verteilt. Die Daten in diesen Speicherbanken werden parallel verarbeitet (verschachteltes System). Auf diese Weise wird die mittlere Speicherzykluszeit reduziert. Gegenwärtig wird der Nibbelmodus oft angewendet als ein Operationsmodus zur Verwirklichung der Verringerung der Zykluszeit. Im Nibbelmodus wird ein Zeilenadreßimpulssignal (nachfolgend RAS-Takt genannt) von "1" (H)-Pegel auf "0" (L)-Pegel gepulst, so daß die Speicherzellen aktiviert werden. Dann wird das Kolonnenadressimpulssignal (nachfolgend CAS-Takt genannt) von "H" auf "L" gepulst und eine Speicherzelle wird ausgewählt. Anschließend wird der CAS-Takt zurückgestellt und wieder auf "L" gehalten, während der RAS-Takt auf "L" gehalten wird. Diese zyklische Operation, in welcher der CAS-Takt zurückgestellt und wieder auf "L" gehalten wird, wird als ein Wechseln (Kippen) eines CAS-Taktes bezeichnet. Diese zyklische Operation wird wiederholt, so daß auf Kolonnenadressen aufeinanderfolgend zugegriffen wird ohne Anlegen von Kolonnenadreßsignalen von außen.

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 wird die Operation nach dem Stand der Technik im Nibbelmodus beschrieben. Wenn der RAS-Takt von "H" auf "L" gepulst wird, wird ein Zug von Aktivierungssignalen erzeugt. Zuerst werden Zeilenadreßsignale an zehn Zeilenadreßpuffer angelegt (zehn Puffer für ein 1-M-Bit-dRAM und elf für ein 4-M-Bit-dRAM). Ein Zeilenadreßbinärkode in einem MOS-Pegel wird durch jeden der Zeilenadreßpuffer erzeugt. Die Zeilenadreßbinärkodes, die durch die Zeilenadreßpuffer gebildet werden, werden an Zeilendekodierer übermittelt, um die Auswahl oder Nicht-Auswahl von Zeilendekodierern durchzuführen. Als ein Ergebnis der Ermittlung der Auswahl oder Nicht-Auswahl der Zeilendekodierer wird ein Wortleitungstreibertakt erzeugt. Eine Wortleitung WL, welche entsprechend dem Wortleigungstreibertakt vorgesehen wird, wird dann ausgewählt. Daten in Speicherzellen M 1, M 2, M 3 und M 4, welche mit der ausgewählten Wortleitung WL verbunden sind, werden an die zugehörigen Bitleitungen übermittelt. Die übermittelten Daten werden durch jeweilige Bitleitungsabtastverstärker SA 1 bis AS 4 verstärkt. Dann wird der CAS-Takt eingegeben und Kolonnenadreßsignale werden an die zehn Kolonnenadreßpuffer angelegt. Kolonnenadreßbinärkodes AOc bis Ancim MOS-Pegel werden durch Kolonnenadreßpuffer erzeugt. Von diesen Kolonnenadreßbinärkodes werden acht Kodes zur Auswahl oder Nicht-Auswahl der Kolonnendekodierer benutzt. Die übrigen zwei Kodes werden an einen Dekodierer zur Auswahl von vier Eingangs-/Ausgangs-Leitungen (E/A-Leitungen) DQ 1 bis DQ 4 angelegt. Zum Beispiel erhalten die 256 Kolonnendekodierer (N = 1 bis 256) acht Kolonnenadreßbinärkodes (AOc-Anc: n = 8) und ein Kolonnendekodierer (N) wird ausgewählt. Der ausgewählte Kolonnendekodierer N bewirkt einen Anstieg des Kolonnenauswahlsignals CSL. Dann werden Übermittlungsgatter oder Kolonnenauswahlgatter Q₈₀₁ bis Q₈₀₄ angeschaltet. Die Daten von vier Paaren von Bitleitungen werden jeweils an vier Paare von E/A-Leitungen DO₁ bis DQ₄ übermittelt. In Fig. 1 ist das Bitleitungspaar vereinfacht als eine einzige Leitung dargestellt. Die Daten, welche an die E/A-Leitungen DQ₁ bis DQ₄ übermittelt werden, werden durch vier Ausgangsdatenverstärker S 1 bis S 4 verstärkt, welche durch Steuersignale QSE aktiviert werden. Datenauslesegatter Q₈₀₅ bis Q₈₀₈, die durch Steuersignale QSE gleichzeitig mit der Signalverstärkung gesteuert werden, werden angeschaltet. Die Daten auf den E/A-Leitungen DQ₁ bis DQ₄ werden an die Datenausgangsleitungen RD₁ bis RD₄ übermittelt. Die Daten in den Datenausgangsleitungen RD₁ bis RD₄ werden in Datenausgangsverriegelungsschaltungen L 1 bis L 4 gespeichert, die jede durch ein Flip-Flop gebildet sind. Die gespeicherten Daten werden durch ein Schieberegister von der parallelen Form in eine serielle Form konvertiert. Die Ausgangsdaten D _aus werden vom Datenausgabeterminal seriell ausgegeben, wenn der Dateneingangspuffer aktiviert ist. Eine Anzeigesteuervorrichtung ist im Ausgangsdatenschieberegister enthalten, um zu entscheiden, welche Daten von den Datenverriegelungsschaltungen L 1 bis L 4 zuerst ausgegeben werden sollen. Schreibdaten D _ein (oder Eingabedaten), die von einem nicht dargestellten Eingangsdatenterminal über einen Eingangsdatenpuffer eingegeben werden, werden an ein Eingangsdatenschieberegister übermittelt. Die Daten werden sequentiell an Eingangsdatenverriegelungsschaltungen L 1′ bis L 4′ synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes geliefert. Wenn die Eingangsdaten an die Verriegelungsschaltungen L 1′ bis L 4′ geliefert werden, werden Schreibgatter Q₈₀₉ bis Q₈₁₂ durch Schreibsteuersignale WG angeschaltet gehalten.

Als frühere dRAMs sind solche mit Schieberegisterlängen von 4 Bit, 8 Bit und 1024 Bit für die Schieberegisterlänge im Nibbelmodus verwendet worden. Die Operation des dRAM erfolgte bei Verwendung eines Schieberegisters von 4 Bit Länge gewöhnlich im Nibbelmodus. Das Zeitdiagramm mit der Darstellung der Operation im Nibbelmodus ist in Fig. 3 gezeigt. Der Operationsmodus bei Verwendung eines Schieberegisters von 8 Bit Länge wird als ein Byte-Modus bezeichnet und ist in Fig. 4 dargestellt. Der Operationsmodus bei Verwendung eines Schieberegisters von 1.024 Bit Länge wird als ein erweiterter Nibbelmodus bezeichnet und ist in Fig. 5 dargestellt. Die Bit-Länge beim erweiterten Nibbelmodus unterscheidet sich von der Länge der Kolonne des Speicherzellenfeldes. Sie kann z. B. die Werte von 512 Bit, 2048 Bit oder 4096 Bit annehmen.

In den Lese-/Schreib-Operationen in diesem Nibbelmodus können die Daten mit einer höheren Geschwindigkeit ein- und ausgegeben werden als im normalen herkömmlichen Modus. Wenn Daten in einem normalen Zyklus sequentiell ausgelesen werden, ist es, wie Fig. 6 zeigt, notwendig, zuerst beide RAS- und CAS-Takte in ihren logischen Zustand von "L" auf "H" zurückzustellen, das heißt, die Takte in einen vorgeladenen Zustand zurückzustellen, und dann die Zeilenadreßsignale Xi und Kolonnenadreßsignale Yi einzugeben, die zur Adressierung eines gewünschten Speicherplatzes dienen. Das Vorhandensein einer Vorladeperiode verlängert die Lese-/Schreib-Zeit.

Der Nibbelmodus, der Byte-Modus und der erweiterte Nibbelmodus enthalten in bezug auf die Hochgeschwindigkeitsoperation das folgende Problem. Im herkömmlichen Nibbelmodus hat das Schieberegister eine Länge von 4 Bit. Die Daten von 4 seriellen Bit können synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes gelesen und geschrieben werden. Wenn jedoch, wie Fig. 7 zeigt, Daten von 5 oder mehr seriellen Bit beispielsweise für das Auslesen bearbeitet werden, werden die Ausgangsdaten R 1 bis R 4 von 4 Bit zuerst ausgelesen und dann wird die Vorladung durchgeführt, um den RAS-Takt und den CAS-Takt auf "H"-Pegel zurückzustellen. Danach wird durch den RAS/CAS-Zyklus die Operation zum Auslesen der nächsten 4-Bit-Ausgangsdaten R 5 bis R 8 notwendig. Daher ist es klar, daß die mittlere Zykluszeit länger ist als der Wechsel der CAS-Taktes. Wie Fig. 8 zeigt, verursacht der Byte-Modus das gleiche Problem wie das in Fig. 7 erläuterte, wenn 9 oder mehr aufeinanderfolgende Bit-Ausgangsdaten ausgelesen werden. Das gleiche gilt für die Datenschreiboperation. Im herkömmlichen erweiterten Nibbelmodus können Daten sequentiell gelesen und geschrieben werden durch die mittlere Zykluszeit, die annähernd der Zykluszeit des Wechsels des CAS-Taktes entspricht. Um jedoch den erweiterten Nibbelmodus zu verwirklichen, sind 1024 Schieberegister erforderlich. Auch die Anzahl der E/A-Leitungen für die Übermittlung der Ausgaben der Richtungsverstärker an die Datenausgangspuffer und für die Übermittlung der Daten vom Dateneingangspuffer an die Speicherzellen muß vergrößert werden. Als Folge hiervon wachsen die Chipfläche und somit die Herstellkosten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterspeichersystem mit dynamischen Schreib-/Lesespeicherzellen zu schaffen, welche Multibitdaten sequentiell lesen und schreiben, eine verhältnismäßig einfache Gestaltung der Schaltung zulassen und mit verhältnismäßig geringen Kosten herstellbar sind.

Zur Lösung dieser Aufgabe umfaßt ein Halbleiterspeichersystem mit dynamischen Schreib-/Lesespeicherzellen, welche in ein Halbleitersubstrat integriert sind, erfindungsgemäß erste und zweite Speicherbanken, wobei eine Vielzahl von Speicherzellen mit einer Wortleitung verbunden und in jeder der Speicherbanken angeordnet ist, sowie eine Lese-/Schreibvorrichtung zum Lesen von Ausgangsdaten und Schreiben von Eingangsdaten von den Speicherzellen und in diese Speicherzellen, wobei in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen verriegelte Ausgangsdaten von den Speicherzellen der ersten Speicherbank synchron zu einem Kolonnenadressenimpulssignal aufeinanderfolgend ausgelesen werden, Ausgangsdaten von den Speicherzellen der zweiten Speicherbank an Eingangs-/Ausgangsleitungen übermittelt werden und in die Speicherzellen der ersten Speicherbank einzuschreibende Eingangsdaten synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal in Eingangsdatenverriegelungsschaltungen verriegelt werden, wobei ferner Ausgangsdaten von den Speicherzellen der ersten Speicherbank an die Eingangs-/Ausgangsleitungen übermittelt und in die Speicherzellen der zweiten Speicherbank einzuschreibende Eingangsdaten synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal aufeinanderfolgend in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen verriegelt werden, während in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen verriegelte Ausgangsdaten von den Speicherzellen der zweiten Speicherbank synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal aufeinanderfolgend ausgelesen werden, und wobei außerdem die Lese-/Schreiboperationen für die ersten und zweiten Speicherbanken wechselweise wiederholt werden.

Im dRAM ist erfindungsgemäß die erste Gruppe von Speicherzellen mit einer Wortleitung verbunden und in der ersten Speicherbank angeordnet. Die zweite Gruppe von Speicherzellen ist in der zweiten Speicherbank angeordnet. Die Lese-/Schreib-Operation für die Daten wird zwischen jeder Speicherbank und Eingangs-/Ausgangsleitungen in einer Zeitaufteilung durchgeführt. Die Erfindung ermöglicht es, im Speichersystem ein Schieberegister von einer Länge von 4 Bit zu verwenden, um in einem Modus betriebsfähig zu sein, der im wesentlichen dem erweiterten Nibbelmodus entspricht.

Einige Ausführungsformen der Erfindung und deren Vorteile werden im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher beschrieben und erläutert. Darin zeigen

Fig. 1 ein Schaltschema eines Teils eines herkömmlichen, nach dem Nibbelmodus arbeitenden Schreib- und Lesespeicher-Systems,

Fig. 2 ein Zeitdiagramm des Funktionsablaufs in einem Speichersystems gemäß Fig. 1,

Fig. 3 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Funktionsablaufs des herkömmlichen Nibbelmodus,

Fig. 4 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Funktionsablaufs des herkömmlichen Byte-Modus,

Fig. 5 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Funktionsablaufs des herkömmlichen erweiterten Nibbelmodus,

Fig. 6 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des zu lösenden Problems beim herkömmlichen Nibbelmodus,

Fig. 7 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des zu lösenden Problems beim herkömmlichen Byte-Modus,

Fig. 8 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des zu lösenden Problems beim herkömmlichen erweiterten Nibbelmodus,

Fig. 9 ein Schaltschema eines Teils einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Schreib- und Lesespeicher-Systems,

Fig. 10 ein Zeitdiagramm des Funktionsablaufs in der Ausführungsform gemäß Fig. 9,

Fig. 11A bis 11C, 12, 13 und 14 zusammen ein Schaltschema der Erzeugerschaltung zur Erzeugung von Kolonnenauswahlsignalen für erste und zweite Speicherbanken von Fig. 9,

Fig. 15 ein Zeitdiagramm der Signale in Fig. 11A bis 11C, 12, 13 und 14,

Fig. 16A und 16B jeweils ein Schaltschema eines Teiles einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Schreib- und Lesespeicher-Systems,

Fig. 17 und 18 Zeitdiagramme für die zweite Ausführungsform gemäß Fig. 16,

Fig. 19 bis 22 zusammen ein Schaltschema einer Schaltung zur Erzeugung eines Kolonnenauswahlsignals für erste und zweite Speicherbanken von Fig. 16,

Fig. 23A ein Schaltschema einer Erzeugerschaltung zur Erzeugung von Steuerschaltung für Schreibsteuergatter von Fig. 16,

Fig. 23B ein Schaltschema einer Erzeugerschaltung zur Erzeugung von Steuersignalen für Lesesteuergatter und Aktivierungssignale für Ausgangsdatenabtastverstärker von Fig. 16,

Fig. 24 ein Wellenformdiagramm mit der Darstellung von Wellenformen von verschiedenen Steuersignalen der zweiten Ausführungsform (Fig. 16),

Fig. 25 ein Schaltschema eines Teils einer dritten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schreib- und Lesespeicher-Systems,

Fig. 26 und 27 Zeitdiagramme zur Erläuterung des Funktionsablaufs der dritten Ausführungsform gemäß Fig. 25,

Fig. 28 ein Schaltschema einer Erzeugerschaltung zur Erzeugung von Steuersignalen für Schreibsteuergatter, von Steuersignalen für Lesesteuergatter und Aktivierungssignale für die Ausgangsdatenabtastverstärker von Fig. 25,

Fig. 29 ein Operationszeitdiagramm eines herkömmlichen dRAM,

Fig. 30 ein Schaltschema einer vierten Ausführungsform des dRAM gemäß der Erfindung,

Fig. 31 ein Schaltschema einer Erzeugerschaltung zum Erzeugen verschiedener Signale in Fig. 30,

Fig. 32 im Detail ein Schaltschema von Verzögerungsauswahlschaltungen gemäß Fig. 31, und

Fig. 33 ein Operationszeitdiagramm des dRAM gemäß Fig. 30.

Fig. 9 zeigt ein Schaltschema eines Teils einer ersten Ausführungsform eines dRAM (eines dynamischen Schreib- und Lesespeichers) nach der Erfindung, nämlich des Teils der Ausführungsform, der durch eine bestimmte Wortleitung WL getrieben wird. Eine Vielzahl von Speicherzellen, die mit der Wortleitung WL verbunden sind, ist in eine erste Speicherbank 1₁ und eine zweite Speicherbank 1₂ gegliedert. Vier Speicherzellen M 1 bis M 4 beispielsweise der ersten Speicherbank 1₁ sind über Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und Übertragungsgatter (Kolonnenauswahlgatter) 4₁ mit E/A-Leitungen 3 verbunden. Vier Speicherzellen M 5 bis M 8 beispielsweise der zweiten Speicherbank 1₂ sind über Bitleitungsabtastverstärker 2₂ und Übertragungsgatter (Kolonnenauswahlgatter) 4₂ mit E/A-Leitungen 3 verbunden. Die Datenübertragungen zwischen der ersten Speicherbank 1₁ und den E/A-Leitungen 3 wird durch erste Speicherbankauswahlsignale CSLA (CSLA₁, CSLA₂, . . .) gesteuert. Die Datenübertragung zwischen der zweiten Speicherbank 1₂ und den E/A-Leitungen 3 wird durch zweite Speicherbankauswahlsignale CSLB (CSLB₁, CSLB₂, . . .) gesteuert. Vier E/A-Leitungen DQ₁ bis DQ₄ sind für vier E/A-Leitungen 3 dargestellt. Jede E/A-Leitung umfaßt ein Paar von Leitungen. Die E/A-Leitungen 3 sind mit Ausgangsdatenabtastverstärker 5 und Lesesteuergatter 6 verbunden. Die Ausgangsdatenabtastverstärker 5 werden durch die Steuersignale QSE an- und abgeschaltet. Das parallele Datenauslesen über die Lesesteuergatter 6 wird in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt. Die verriegelten Daten werden durch das Ausgangsdatenschieberegister 8 in serielle Daten konvertiert. Die seriellen Daten werden vom Ausgangsdatenpuffer 9 als D _aus ausgelesen. Das Bezugszeichen 13 bezeichnet einen Eingangsdatenpuffer. Die Seriendaten D _ein, welche vom Eingangsdatenpuffer 13 in das Eingangsdatenschieberegister 12 einzugeben sind, werden in parallele Daten konvertiert. Die parallelen Daten werden über Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 und Schreibsteuergatter 10 an die E/A-Leitugnen übermittelt.

Der Funktionsablauf des in Fig. 9 im erweiterten Nibbelmodus gezeigten dRAM wird unter Bezugnahme auf Fig. 10 bis 15 nachfolgend beschrieben. In Fig. 10 geht der RAS-Takt von "H" auf "L", die Spannung der Wortleitung WL steigt an und eine Wortleitung WL wird ausgewählt. Der Funktionsablauf dieses dRAM ist bis zu diesem Punkt der gleiche wie bei einem herkömmlichen dRAM. Nachdem die Wortleitung WL ausgewählt ist, werden die Übermittlungsgatter (oder Kolonnenauswahlgatter) 4₁ durch ein Kolonnenauswahlsignal CSLA₁ für die erste Speicherbank 1₁ angeschaltet. Dann werden die Ausgangsdaten von 4 Bits in Speicherzellen M 1 bis M 4 der ersten Speicherbank 1₁ von den Bitleitungen parallel an die E/A-Leitungen 3 übermittelt. Nachdem die Ausgangsdaten übertragen sind, werden die Datenverstärker 5 aktiviert und gleichzeitig die Lesesteuergatter 6 angeschaltet, beides durch ein Steuersignal QSE. Die Ausgangsdaten auf den E/A-Leitungen 3 werden parallel an die Datenausgangsleitungen RD₁ bis RD₄ ausgelesen. Dann werden die Ausgangsdaten in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt. Wenn sie verriegelt sind, geht das Steuersignal QSE wieder auf "L" und die E/A-Leitungen 3 werden von den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 elektrisch abgekoppelt. Die verriegelten 4-Bit-Ausgangsdaten werden durch das Ausgangsdatenschieberegister 8 synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes in serielle Daten konvertiert. Diese Seriendaten werden vom Ausgangsdatenpuffer 9 als Ausgangsdaten R 1 bis R 4 ausgeben. Wenn die Ausgangsdaten R 1 bis R 4 ausgegeben sind, werden die Schreibdaten W 1 bis W 4, die in die Speicherzellen M 1 bis M 4 einzuschreiben sind, von denen die Daten ausgelesen worden sind, vom Eingangsdatenpuffer 13 an das Eingangsdatenschieberegister 12 synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes geliefert; dort werden die Daten in parallele Daten umgewandelt. Die parallelen Daten werden in die Datenverriegelungsschaltungen 11 eingegeben. Zu dem Zeitpunkt, zu dem die Daten verriegelt sind, ist das Schreibsteuersignal WG auf "L". Deshalb sind die Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 und die E/A-Leitungen 3 elektrisch voneinander getrennt. In den Perioden der Wechsel 1 bis 4 des CAS-Taktes geht das Kolonnensteuersignal CSLA₁ der ersten Speicherbank 1₁ von "H" nach "L" und die Bitleitungen der ersten Speicherbank und der E/A-Leitungen 3 werden elektrisch voneinander getrennt. Die E/A-Leitungen 3 sind dann vorgeladen.

Danach geht das Kolonnenauswahlsignal CSLB₁ der zweiten Speicherbank 1₂ auf "H" und die Ausgangsdaten in den Speicherzellen M 5 bis M 8 der zweiten sp 1₂ werden über die Übertragungsgatter 4₂ an die E/A-Leitungen übermittelt. Die übermittelten Daten werden in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 über Ausgangsdatenverstärker 5 und Lesesteuergatter 6 verriegelt. Die verriegelten Daten werden durch das Ausgangsdatenschieberegister 8 synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes in serielle Daten konvertiert. Die seriellen Daten werden vom Ausgangsdatenpuffer 9 als D _aus herausgenommen.

Wenn die Ausgangsdaten in den Speicherzellen M₅ bis M₈ der zweiten Speicherbank 1₂ in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt sind, kehrt das Steuersignal QSE nach "L" zurück und die E/A-Leitungen 3 und die Datenausgangsleitungen RD₁ bis RD₄ werden elektrisch voneinander getrennt. Die E/A-Leitungen 3 werden dann unverzüglich vorgeladen. Nach der Vorladung geht das Schreibsteuersignal WG auf "H" und die Daten, die in die Speicherzellen M 5 bis M 8 der zweiten Speicherbank 1₂ einzuschreiben sind und in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 verriegelt worden sind, werden über die Schreibsteuergatter 10 an die E/A-Leitungen 3 übermittelt. Zu dieser Zeit werden die in die erste Speicherbank 1₁ zu schreibenden Schreibdaten W 1 bis W 4 in die Speicherzellen M 1 bis M 4 eingeschrieben, da das Kolonnenauswahlsignal CSLA₁ der ersten Speicherbank 1₁ wieder nach "H" geht. Wenn die Schreibdaten W 1 bis W 4 in die Speicherzellen M 1 bis M 4 eingeschrieben sind, werden die Schreibsteuerregister 10 unwirksam gemacht. Die Schreibdaten W 5 bis W 8, die als nächste in die zweite Speicherbank 1₂ zu schreiben sind, werden in Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 eingegeben und dort gehalten.

Die Folge des Lesens von Ausgangsdaten von der ersten Speicherbank 1₁ und zweiten Speicherbank 1₂ und des Schreibens von Eingangsdaten in die Speicherzellen, von welchen Daten ausgelesen worden sind, wird wiederholt. Auf diese Weise können Daten von beispielsweise 1024 Bit aufeinanderfolgend von allen Speicherzellen ausgelesen und in alle Speicherzellen eingeschrieben werden, die mit der ausgewählten einzelnen Wortleitung WL verbunden sind.

Die Kolonnensteuersignale CSLA₁, CSLA₂, . . . für die erste Speicherbank 1₁ und die Kolonnensteuersignale CSLB₁, CSLB₂, . . . für die zweite Speicherbank 1₂ werden unter Verwendung eines Zählers generiert, der den Kolonnenadressenbinärkode zählt, welcher vom Kolonnenadressenpuffer synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes erhalten wird. Im einzelnen ist die Schaltungskonfiguration der Generiervorrichtung in Fig. 11A bis 11C und in Fig. 12 bis 14 gezeigt. Die Operationszeitabläufe sind in Fig. 15 gezeigt. Die Kolonnenauswahlsignale CSLA und CSLB für die ersten und zweiten Speicherbanken 1₁ und 1₂ enthalten gemäß Fig. 15 Schreibimpulse W und Leseimpulse R. Jede in ersten und zweiten Speicherbanken generiert die Impulszüge mit den Impulsen W und R alle acht Wechsel des CAS-Taktes. Diese Speicherbanken generieren als ganzes den Impulszug alle vier Wechsel.

In Fig. 11A bezeichnen die Bezugszeichen 21 und 22 Pegel-konvertierende Schaltungen zum Konvertieren des Referenzpegels des RAS-Taktes und des CAS-Taktes von TTL-Pegel auf MOS-Pegel. Der CAS-Takt im MOS-Pegel ist CASM. Das FF (Flip-Flop) 24 wird durch das Signal CASM gesetzt. Das FF 24 wird durch den RAS-Takt in MOS-Pegel zurückgestellt, der um eine vorbestimmte Zeit τ in einer Verzögerungsschaltung 23 verzögert wird. Der Takt CLO wird durch Verzögerung des Ausgangs des FF 24 durch die Verzögerungsschaltung 25 um eine vorbestimmte Zeit τ erhalten. Der Takt CLO wird in eine Gruppe von acht FFs vom D-Typ eingegeben. Die Takte CLXO, CL′ und CLYO, die um eine vorbestimmte Zeit hinter dem Takt CLO verzögert sind, werden jeweils von den zweiten, vierten und achten FFs erhalten. Die Takte CLXO und CLYO werden jeweils in Gruppen 27 und 28 von D-FFs eingegeben, welche jeweils aus 4 Reihen-FFs gebildet sind (Fig. 11B und 11C). In jeder der FF-Gruppen 27 und 28 ist der Ausgang des vierten FF rückgekoppelt zum ersten FF. Die FF-Gruppen 26, 27 und 28 arbeiten synchron zu den Wechseln des Signals CASM oder des CAS-Taktes. Der Takt CLX′ wird erhalten als Summe der Takte CLX und CLO. Der Takt CLY′ wird erhalten als Summe der Takte CLY und CLO.

Der Takt CLX′ wird durch einen 8-Bit-Binärzähler gezählt, wie in Fig. 12 dargestellt ist. Wie daraus ersichtlich ist, sind die Bit-Ausgänge dieses Binärzählers A _0x, A _0x überstrichen, A _1x, A _1x überstrichen, . . . Der Takt CLY′ wird durch einen 8-Bit-Binärzähler gezählt, wie in Fig. 13 dargestellt ist. Die Bit-Ausgänge dieses Binärzählers sind A _0y, A _0y überstrichen, A _1y, A _1y überstrichen, . . .

Wie in Fig. 14 dargestellt ist, sind die Summen von A _0x und A _0y, A _0x überstrichen und A _0y überstrichen, . . . A _7x und A _7y, und A _7x überstrichen und A _7y überstrichen jeweils mit A _0c, A _0c überstrichen, . . . A _7c und A _7c überstrichen bezeichnet. Diese Summen sind Ausgänge an einen Kolonnendekodierer 16. Die Ausgänge des Kolonnendekodierers 16 werden als Kolonnenauswahlsignale CSLA₁, CLSB₁, CSLA₂ und CSLB₂ für die ersten und zweiten Speicherbanken 1₁ und 1₂ verwendet. Diese Signale enthalten den Leseimpuls R und den Schreibimpuls W und sind um eine vorbestimmte Zeit verzögert.

Während bei der Ausführungsform gemäß Fig. 9 die in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 78 verriegelten Ausgangsdaten R 1 bis R 4 der ersten Speicherbank 1₁ synchron zu den Wechseln des Kolonnenadressenimpulssignals (CAS) ausgelesen werden, werden die Ausgangsdaten R 5 bis R 8 von der zweiten Speicherbank 1₂ an die E/A-Leitungen 3 übermittelt. Die Ausgangsdaten W 1 bis W 4, die in die Speicherzellen der ersten Speicherbank 1₁ einzuschreiben sind, von welcher die Daten R 1 bis R 4 ausgelesen werden, werden in den Dateneingangsverriegelungsschaltungen 11 synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal CAS sequentiell verriegelt. Ebenso werden - während die in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelten Ausgangsdaten R 5 bis R 8 der zweiten Speicherbank 1₂ synchron zu den Wechseln des Kolonnenadressenimpulssignals CAS sequentiell ausgelesen werden - die Ausgangsdaten R 9 bis R 12 von der ersten Speicherbank 1₁ an die E/A-Leitungen 3 übermittelt. Die Ausgangsdaten W 5 bis W 8, die in die Speicherzellen der zweiten Speicherbank 1₂ einzuschreiben sind, von welcher die Daten R 9 bis R 12 ausgelesen werden, werden in den Dateneingangsverriegelungsschaltungen 11 synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal CAS sequentiell verriegelt. Das Schieberegister hat eine Länge von 4 Bit. Dabei soll davon ausgegangen werden, daß die Bitlänge des Schieberegisters nicht auf eine solche Konfiguration beschränkt ist, sondern auch auf eine 8-Bit- oder 16-Bit-Länge eingerichtet sein kann, und daß die Daten alle 8 Bit oder 16 Bit gelesen und geschrieben werden. Mit anderen Worten: die Operation nach dem erweiterten Nibbelmodus kann verwirklicht werden.

Wie aus der vorangehenden Beschreibung hervorgeht, kann die Erfindung die Betriebsweise nach dem erweiterten Nibbelmodus verwirklichen, welche Daten mit hoher Geschwindigkeit liest und schreibt, nämlich durch den mittleren Zugriffszyklus entsprechend dem Wechsel des CAS-Signals, mit einer geringeren Anzahl von E/A-Leitungen und einer kürzeren Bitlänge des Schieberegisters, verglichen mit den Erfordernissen zur Operation nach dem herkömmlichen Nibbelmodus. Die Erfindung erfordert die gleiche Anzahl von Eingangs-/Ausgangs-Pins im Speichersystem wie in vorbekannten Systemen und erlaubt das gleiche Layout für jene Pins wie in vorbekannten Systemen. Zusätzlich ist das dRAM gemäß der Erfindung mit dem früheren dRAM kompatibel. Diese Fakten bewirken, daß die Erfindung das im erweiterten Nibbelmodus anwendbare Speichersystem bei einer hohen Geschwindigkeit und mit großen Anwendungsmöglichkeiten vorsehen kann, läßt aber einen kleineren Chipbereich für die IC-Herstellung zu.

Nachfolgend wird eine zweite Ausführungsform der Erfindung beschrieben. In dieser zweiten Ausführungsform sind E/A-Leitungen vorgesehen, der ersten Speicherbank gewidmet sind, und E/A-Leitungen, die der zweiten Speicherbank gewidmet sind. Deshalb ist es möglich, die Ausgangsdaten der zweiten Speicherbank an die E/A-Leitungen für die zweite Speicherbank zu übertragen, wenn die Ausgangsdaten der ersten Speicherbank an die E/A-Leitungen für die erste Speicherbank ausgelesen werden. Ebenso können die Ausgangsdaten der zweiten Speicherbank über die E/A-Leitungen für die zweite Speicherbank ausgegeben werden, wenn die Eingangsdaten an die erste Speicherbank in die Zellen der ersten Speicherbank über die E/A-Leitungen für die erste Speicherbank eingeschrieben werden. Bei dieser Ausführungsform ist ein Schreibsteuergatter zwischen jeder Eingangsdatenverriegelungsschaltung und der zugehörigen E/A-Leitung verbunden, so daß die Daten in jeder Eingangsdatenverriegelungsschaltung unabhängig von der E/A-Leitung übermittelt werden können. Deshalb kann die Operation nach dem erweiterten Nibbelmodus für jedes Bit geändert werden, was bedeutet, daß die Datenlänge in geeigneter Weise gewählt werden kann.

Die Konfiguration der zweiten Ausführungsform wird anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Fig. 16A und 16B zeigen gemeinsam den Teil der Ausführungsform, der durch eine bestimmte Wortleitung WL getrieben wird. Eine Vielzahl von Speicherzellen, z. B. M 1 bis M 16, die mit der gleichen Wortleitung WL verbunden sind, ist in eine erste Speicherbank 1₁ und eine zweite Speicherbank 1₂ gegliedert.

Speicherzellen M 1 bis M 4 und M 9 bis M 12 der ersten Speicherbank 1₁ der ersten Speicherbank 1₁ sind über Bitleitungsabtastsverstärker 2₁ (SA 1 bis SA 4, SA 9 bis SA 12) und Übertragungsgatter 4₁ (MOS-Transistoren Q₁₀₁ bis Q₁₀₄ und Q₁₀₅ bis Q₁₀₈) mit den zugeordneten E/A-Leitungen 3₁ (DQA 1 bis DQA 4) verbunden. Speicherzellen M 5 bis M 8 und M 13 bis M 14 der zweiten Speicherbank 1₂ sind über Bitleitungsabtastverstärker 2₂ (SA 5 bis SA 8, SA 13 bis SA 16) und Übertragungsgatter 4₂ (MOS-Transistoren Q₁₀₉ bis Q₁₁₂ und Q₁₁₃ bis Q₁₁₆) mit den zugeordneten E/A-Leitungen 3₂ (DQB 1 bis DQB 4) verbunden. Die Steuerung des Dateneingang/-ausgangs zwischen den Speicherzellen der ersten Speicherbank 1₁ und den E/A-Leitungen 3₁ wird durch Kolonnenauswahlsignale CLSA₁, CLSA₂, . . . der ersten Speicherbank 1₁ durchgeführt. Der Dateneingang/-ausgang zwischen den Speicherzellen der zweiten Speicherbank 1₂ und den E/A-Leitungen 3₂ wird durch Kolonnenauswahlsignale CSLB₁, CSLB₂, . . . der zweiten Speicherbank 1₂ gesteuert. Die E/A-Leitungen DQA₁ bis DQA₄ und DQB 1 bis DQB 4 werden jeweils durch eine Leitung dargestellt, enthalten aber tatsächlich ein Paar von Leitungen.

Die E/A-Leitungen 3₁ sind sequentiell mit Ausgangsdatenabtastverstärkern 5₁ (S 1 bis S 4) verbunden, die durch Steuersignale QSEA₁ bis QSA₄ gesteuert werden sowie durch Lesesteuergatter 6₁ (MOS-Transistoren Q₁₂₅ bis Q₁₂₈), welche durch die Steuersignale wirksam geschaltet werden. Die E/A-Leitungen 3₂ sind jeweils mit den Ausgangsdatenverstärkern 5₂ (S 1′ bis S 4′) verbunden, die durch die Lesesteuersignale QSEB₁ bis QSB₄ und Lesesteuergatter 6₂ (MOS-Transistoren Q₁₂₉ bis Q₁₃₂), die durch die Lesesteuersignale wirksam geschaltet werden, aktiviert werden. Die parallelen Daten des 4-Bit-Auslesens über die Lesesteuergatter 6₁ und 6₂ werden je in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 gespeichert. Die verriegelten parallelen Daten werden durch das Ausgangsdatenschieberegister 8 in serielle Daten konvertiert. Die seriellen Daten werden von Ausgangsdatenpuffer 9 ausgelesen. Andererseits werden die in die Speicherzellen einzuschreibenden Eingangsdaten vom Eingangsdatenpuffer 13 seriell an das Eingangsdatenschieberegister 12 geliefert, wo die seriellen Daten in parallele Daten konvertiert werden. Die parallelen Daten werden in die Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 geladen und in ihnen verriegelt. Die in den Verriegelungsschaltungen 11 verriegelten Daten werden an die E/A-Leitungen 3₁ über Schreibsteuergatter 10₁ (MOS-Transistoren Q₁₁₇ bis Q₁₂₀) oder an die E/A-Leitungen 3₂ über Schreibsteuergatter 10₂ (MOS-Transistoren Q₁₂₁ bis Q₁₂₄) übermittelt. Die Steuerelektroden der Schreibsteuergatter 10₁ und 10₂ werden jeweils gesteuert, so daß 4-Bit-Daten von der Eingangsverriegelungsschaltung 11 mit unterschiedlichen Zeitabläufen an die zugehörigen E/A-Leitungen übermittelt werden.

Die Betriebsart der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 16 im erweiterten Nibbelmodus wird anhand der Fig. 17 und 18 nachfolgend näher beschrieben.

Die gleiche Operation wie bei herkömmlichen Systemen findet statt, bis der RAS-Takt von "H" auf "L" geht um die Spannung der ausgewählten Wortleitung WL ansteigt. Nachdem die Wortleitung ausgewählt ist, werden die MOS-Transistoren Q₁₀₁ bis Q₁₀₄ des Übertragungsgatters 4₁ durch das Kolonnenauswahlsignal CSLA₁ der ersten Speicherbank 1₁, das durch den Kolonnenadressenzähler generiert wird, angeschaltet wird. Die 4-Bit-Ausgangsdaten von den Speicherzellen M 1 bis M 4 der ersten Speicherbank 1₁ werden über die Bitleitungen und die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ an die E/A-Leitungen 3₁ übermittelt. Wenn die 4-Bit-Ausgangsdaten übermittelt sind, steigen die Aktivierungssignale QSEA₁ bis QSAE₄ gleichzeitig an. Dann werden die Datenverstärker 5₁ aktiviert, während zur gleichen Zeit die Lesesteuergatter 6₁ angeschaltet werden. Die Ausgangsdaten der E/A-Leitungen 3₁ werden an die Datenausgangsleitungen RD₁ bis RD₄ ausgelesen. Die ausgelesenen Ausgangsdaten werden in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt. Der Grund, weshalb die Aktivierungssignale QSEA₁ bis QSAE₄ gleichzeitig ansteigen, ist darin zu sehen, damit die Hinweisdaten mit einer großen Geschwindigkeit ausgelesen werden. Die Aktivierungssignale QSEA₁ bis QSAE₄ werden gleichzeitig zur Zeit des ersten Wechsels 1 generiert. Bei den verbleibenden Wechseln steigen die Aktivierungssignale QSEA₁ bis QSAE₄ und QSEB₁ bis QSEB₄ mit unterschiedlichen Zeitverläufen synchron zu den Wechseln an. Die 4-Bit-Ausgangsdaten, die in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt sind, werden durch die Datenausgangsschieberegister 8 synchron zu den Wechseln 1, 2, 3 und 4 des CAS-Taktes in serielle Daten konvertiert. Die konvertierten Daten stellen den Ausgang vom Datenpuffer 9 als serielle Daten R 1 bis R 4 dar.

Die Eingangsdaten W 1 bis W 4 werden in die Speicherzellen M 1 bis M 4 der ersten Speicherbank 1₁ auf folgendem Weg eingeschrieben. Die Eingangsdaten W 1 bis W 4 werden vom Eingangspuffer 13 an das Eingangsdatenschieberegister 12 synchron mit den Wechseln 1, 2, 3 und 4 des CAS-Taktes geliefert und in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 sq verriegelt. Die Eingangsdaten W 1 bis W 4 werden in den E/A-Leitungen 3₁ geleitet, da jedesmal, wenn diese Datenstücke verriegelt sind, die MOS-Transistoren Q₁₁₇ bis Q₁₂₀ der Schreibsteuergatter 10₁ synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes sq eingeschaltet werden. Während der Übertragung sind die MOS-Transistoren Q₁₀₁ bis Q₁₀₄ durch Kolonnenauswahlsignale CSLA₁ der ersten Speicherbank 1₁ angeschaltet. Daher werden die Eingangsdaten, wie sie an die E/A-Leitungen 3₁ übermittelt werden, in die Speicherzellen M 1 bis M 4 der ersten Speicherbank 1₁ eingeschrieben. Nach dem Einschreiben der Daten geht das Kolonnenauswahlsignal CSLA₁ auf "L".

Wie oben beschrieben, werden die Ausgangsdaten R 5 bis R 8 von den Speicherzellen M 5 bis M 8 der zweiten Speicherbank 1₁ an die E/A-Leitungen 3₂ übermittelt, da das Kolonnenauswahlsignal CSLB₁ auf "H" geht, wenn das Lesen der Ausgangsdaten von den Speicherzellen der ersten Speicherbank 1₁ und das Schreiben der Eingangsdaten in diese Speicherzellen synchron zu den Wechseln 1 bis 4 des CAS-Taktes durchgeführt wird. Die an die E/A-Leitungen 3₂ übermittelten Ausgangsdaten R 5 bis R 8 werden in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen 7 verriegelt, da die Aktivierungssignale QSEB₁ bis QSEB₄ synchron, da die Aktivierungssignale QSEB₁ bis QSEB₄ synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes sq ansteigen. Die verriegelten Ausgangsdaten von den Speicherzellen M 5 bis M 8 werden synchron zu den Wechseln 5, 6, 7 und 8 des CAS-Taktes in serielle Daten konvertiert. Die konvertierten Daten sind der Ausgang vom Ausgangsdatenpuffer 9 als serielle Ausgangsdaten R 5 bis R 8.

Die in die Speicherzellen M 5 bis M 8 einzuschreibenden Eingangsdaten W 5 bis W 8 der zweiten Speicherbank 1₂ werden vom Eingangsdatenpuffer 13 an das Eingangsdatenschieberegister 12 synchron mit den Wechseln 5, 6, 7 und 8 des CAS-Taktes geliefert und dann in die Eingangsdatenverriegelungsschaltungen 11 sq gespeichert. Die verriegelten Eingangsdaten W 5 bis W 8 werden zu den E/A-Leitungen 3₂ geleitet, da die MOS-Transistoren Q₁₂₁ bis Q₁₂₄ der Schreibsteuergatter 10₂ synchron zu den Wechseln 5 bis 8 des CAS-Taktes sq eingeschaltet werden, jedesmal wenn die Daten W 5 bis W 8 verriegelt sind. Die übermittelten Daten W 5 bis W 8 werden in die Speicherzellen M 5 bis M 8 der zweiten Speicherbank 1₂ eingeschrieben, da das Kolonnensteuersignal CSLB₁ der zweiten Speicherbank 1₂ während des Datenübertrags auf "H"-Pegel gehalten wird. Wenn die Schreiboperation beendet ist, geht das Kolonnensteuersignal CSLB₁ auf "L".

Danach werden die Ausgangsdaten von den ersten und zweiten Speicherbanken 1₁ und 1₂ ausgelesen, da die durch den Kolonnenadressenzähler erzeugten Kolonnensteuersignale CSLA₂, CSLB₂, . . . sq auf "H" gehen. Die Eingangsdaten werden in diese Speicherbanken geschrieben. Diese Folge von Lese-/Schreib-Operationen wird wiederholt. Wie Fig. 17 zeigt, ist nur während des ersten anfänglichen Ausgangsdaten-Auslesens und des Eingangsdaten-Schreibens die Zeitlänge des Kolonnenauswahlsignals, z. B. CSLA₁, gleich vier Wechseln. Die anderen Kolonnenauswahlsignale CSLB₁, CSLA₂, CSLB₂, . . . sind in der Zeitlänge 6 Wechseln gleich. Diese Kolonnenauswahlsignale werden sq erzeugt, wobei jede um die Zeit entsprechend 4 Wechseln hinter dem vorangehenden verzögert ist. Auf diese Weise werden die Daten, z. B. von 1024 Bit, in allen an eine Notleitung angeschlossenen Speicherzellen sq ausgelesen und eingeschrieben.

Die zweite Ausführungsform stimmt mit der ersten Ausführungsform darin überein, daß die Kolonnenauswahlsignale CSLA₁, CSLA₂, . . . für die erste Speicherbank 1₁ und die Adressensignale für die zweite Speicherbank 1₂ durch Verwendung eines Zählers erzeugt werden können, der synchron zu den Wechseln des CAS-Taktes die Kolonnenadressenbinärkodes zählt, welche vom Kolonnenadressenpuffer erhalten werden. Die spezifische Konfiguration der Erzeugervorrichtung ist in Fig. 11A bis 11C (für die erste Ausführungsform) und in Fig. 19, 20, 21, 22, 23A und 23B dargestellt. Die Zeitabläufe für die Operationen sind in Fig. 24 dargestellt. Wie Fig. 24 zeigt, enthalten die die Kolonnenauswahlsignale CSLA (CSLA₁, CSLA₂, . . .) und CSLB (CSLB₁, CSLB₂, . . .) der ersten und zweiten Speicherbanken Impulse, die durch "R-W" dargestellt sind. Während der Anstiegesperiode des "R-W"-Impulses werden das Lesen und Schreiben der Daten ausgeführt.

Die Beschreibung von Fig. 11A bis 11C wurde bereits für die erste Ausführungsform gemäß Fig. 9 gegeben. Deshalb wird die Beschreibung hier weggelassen.

Wie Fig. 19 zeigt, wird der Takt CLX (Fig. 11B) in das CLXA-Impulssignal des ungeradzahligen Impulszuges und in das CLXB-Impulssignal des geradzahligen Impulszuges aufgeteilt. In ähnlicher Weise wird der Takt CLY (Fig. 11C) in das CLVA-Impulssignal des ungeradzahligen Impulszuges und in das CLVB-Impulssignal des geradzahligen Impulszuges aufgeteilt. Ein A-Takt steigt am führenden Rand des Taktes CLXA an, während er am nachlaufenden Rand des Taktes CLXA abfällt. Ein B-Takt steigt am führenden Rand des Taktes CLXB an, während er am nachlaufenden Rand des Taktes CLXB abfällt.

Der A-Takt wird durch einen 8-Bit-Binärzähler gezählt, wie Fig. 20 zeigt. Die Bit-Ausgänge dieses Zählers sind jeweils benannt mit A _0x, A _0x überstrichen, A _1x, A _1x überstrichen, . . . In ähnlicher Weise wird der B-Takt wird durch einen 8-Bit-Binärzähler gezählt, wie Fig. 21 zeigt. Die Bit-Ausgänge dieses Zählers sind jeweils benannt mit A _0y, A _0y überstrichen, A _1y, A _1y überstrichen, . . .

Wie Fig. 22 zeigt, sind die Paare A _0x und A _y, A _0x überstrichen und A _0y überstrichen, . . . A _7x und A _7y, und A _7x überstrichen und A _7y überstrichen jeweils Eingangssignal für unterschiedliche Kolonnendekodierer. Die Ausgänge dieser Kolonnendekodierer werden benutzt als erste und zweite Kolonnenauswahlsignale CSLA₁, CSLB₁, CSLB₁, CSLA₂ und CSLB₂, . . ., von denen jedes um eine vorbestimmte Zeit hinter dem vorangehenden Signal verzögert ist.

Treibersignal WGAj und WGBj (j = 1 bis 4) für die Schreibsteuergatter 10₁ und 10₂ in Fig. 16 werden durch D-Typ-FF-Gruppen 29 erzeugt, wie Fig. 23A zeigt. Der Takt CLO (Fig. 11A) ist Eingangssignal für die FF-Gruppe 29, die aus acht FFs besteht. Die Summe des Ausgangssignals des achten FF und des Taktes CLO ist das Schreibsteuersignal WGA 1. Der Ausgang des zweiten FF ist das Schreibsteuersignal WGA 2. Ähnlich werden die Steuersignale WGA 3, WGA 4, WGB 1, . . . WGB 4 erhalten.

Die Aktivierungssignale QSEAj und QSEBj (j = 1 bis 4), die an die Lesesteuergatter 6₁ und 6₂ (Fig. 16) und die Ausgangssdatenverstärker 5₁ und 5₂ zu liefern sind, werden durch die Verwendung der Gruppe von acht FFs erzeugt. Fig. 23B zeigt, weil QSEA₁ bis QSEA₄ herausgeführt werden, und deshalb entfällt eine weitere Beschreibung.

Fig. 25 zeigt ein Schaltschema einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 16 in folgender Hinsicht. Bei der dritten Ausführungsform werden die Ausgangsdatenverstärker 5₁ und 5₂, die jeweils mit E/A-Leitungen 3₁ und 3₂ verbunden sind, mit 4 Bit in Parallel aktiviert und die Lesesteuergatter 6₁ und 6₂ sind 4-Bit in Parallel gesteuert. Mit anderen Worten, die Aktivierungssignale QSEA und QSEB werden jeweils an erste und zweite Speicherbaken 1₁ und 1₂ geliefert. Fig. 26 und 27 zeigen Operationszeitabläufe der dritten Ausführungsform. Die grundlegende Operation der dritten Ausführungsform ist die gleiche wie die der zweiten Ausführungsform (Fig. 16). Deshalb kann eine detaillierte Beschreibung entfallen. Die Konfiguration der Schaltungen zur Erzeugung verschiedener Typen von Signalen einschließlich der Kolonnenauswahlsignale CSLA₁, CSLA₂, . . ., CSLB₁ und CSLB ist ebenfalls die gleiche wie bei der zweiten Ausführungsform. Die Aktivierungssignale QSEA und QSEB können durch eine einfachere Schaltung als in der zweiten Ausführungsform erzeugt werden. Bei der zweiten Ausführungsform werden die Aktivierungssignale QSEA und QSEB sowie die Steuersignale WGA und WGB für die Schreibsteuergatter 10₁ und 10₂ durch unterschiedliche FF-Gruppen erzeugt, wie Fig. 23A und 23B zeigen. Bei der dritten Ausführungsform kann die FF-Gruppe zur Erzeugung der Schreibsteuersignale WGA und WGB als eine Generatorschaltung zur Erzeugung der Aktivierungssignale QSEA und QSEB verwendet werden, wie Fig. 28 zeigt.

In der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 16 und in der dritten Ausführungsform gemäß Fig. 25 das Schieberegister eine Länge von 4 Bit und die Datenlese- und -schreib-Operationen werden wie bei der ersten Ausführungsform 4-Bit-weise pro Zeitoperation ausgeführt. Jedoch kann die Operation nach dem erweiterten Nibbelmodus 8 Bit oder 16 Bit für die Dateneinheit einer jeden Zeitoperation vorsehen. Bei der zweiten und dritten Ausführungsform gemäß Fig. 16 bzw. 25 kann die Operation nach der erweiterten Nibbelmodus mit einem großen zeitlichen Rand verwirklicht werden, da beide Ausführungsformen E/A-Leitungen enthalten, die jeweils den ersten und zweiten Speicherbanken zugewiesen sind. Ferner kann in der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 16 die Operation nach dem erweiterten Nibbelmodus bitweise geändert werden, da die parallel angeordneten Schreibsteuergatter 10₁ und 10₂ mit gestaffelten Zeitabläufen gesteuert werden. Dies bedeutet, daß die Eingangsdaten, auf die seriell zugegriffen werden können soll, Bit für Bit geändert werden können, was dem Benutzer sehr entgegenkommt.

In der ersten Ausführungsform sind beispielsweise die Aktivierungszeiten für die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und 2₂ nicht angegeben. Das Rauschen, das in die nicht dargestellte Energieversorgungsleitung Vcc und in die ebenfalls nicht dargestellte Masseleitung Vss induziert wird, kann unterdrückt werden, falls unterschiedliche Aktivierungszeiten für die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und 2₂ angesetzt werden. Eine vierte Ausführungsform mit einer Rauschunterdrückungsvorrichtung zum Unterdrücken von Rauschen wird nachfolgend anhand von Fig. 30 bis 33 beschrieben.

Fig. 29 zeigt ein Zeitablaufdiagramm der Operation eines früheren dRAM im Nibbelmodus. In der herkömmlichen Nibbelmodus-Operation gemäß Fig. 29 geht der RAS-Takt (Zeilenadressenimpulssignal) von "1" (H) nach "0" (L) und die Speicherzellen werden aktiviert. Dann geht der CAS-Takt (Kolonnenadressenimpulssignal) von "H" nach "L" und eine (bestimmte) Wortleitung wird ausgewählt. Anschließend wird der Zyklus (Wechsel), der schon bei der ersten Ausführungsform beschrieben wurde, wiederholt. Das bedeutet, daß im Zyklus der CAS-Takt zurückgestellt wird und wieder "L" annimmt, während der RAS-Takt auf "L" gehalten wird. auf diesem Weg wird auf die Kolonnenadressen aufeinanderfolgend zugegriffen.

Im Nibbelmodus wird das Rauschen, das aufgrund der Energiequelle vom dRAM kommt, in einer der folgenden Situationen erzeugt: (1) Wenn der TAS-Takt seinen logischen Status von "H" nach "L" ändert, um einen Zug von Aktivierungssignalen zu erzeugen, und die Schaltungen durch die Aktivierungssignale aktiviert sind; und (2) wenn der Strom in den Schaltungen zu einer Zeit des Vorladens der Bitleitungen abrupt sich ändert. Genauer gesagt, falls der Strom sich in den Schaltungen mit di/dt abrupt ändert, wird schnell vorübergehend eine Spannung, aufgedrückt durch Ldi/dt in den Schaltungen induziert. Die Induktivität L besteht in den Leitungen bei Vcc (Energiepotential), bei Vss (Massepotentialleitung), in den Stromführungsdrähten, Lötstellen und Verbindungen des Speicherchip. Da die Speicherkapazität des dRAM größer ist, sind die L-Komponenten auch größer. Dies führt zu einer Verringerung des Vcc-Potentials und/oder zu einem Anstieg des Vss-Potentials. Fig. 29 zeigt eine Situtation, in welcher das Potential des Vss-Leitung ansteigt, wenn der RAS-Takt abfällt und dann der CAS-Takt abfällt, um eine Wortleitung WL auszuwählen und die Bitleitungen BL und Bl überstrichen zu aktivieren. Ein derartiges Rauschen kann eine fehlerhafte Operation der Schaltung bewirken. Es sei angenommen, daß im Eingangsbereich das Vss-Potential um 1 V auf 2 V ansteigt. Selbst wenn das Eingangspotential auf TTL-Pegel von 2,4 oder mehr ist und auf "H"-Pegel steht, wird in diesem Fall dieser "H"-Pegel als "L"-Pegel behandelt. Obwohl der Ausgang auf "L"-Pegel sein sollte, wird er auch im Ausgangsbereich als "H"-Pegel detektiert, falls das Vss-Potential nach der Darstellung von Fig. 29 ansteigt. Die gleiche fehlerhafte Operation kann auftreten, wenn das Vcc-Potential aufgrund des Rauschens niedriger wird. Ein derartiges dRAM-Rauschen nimmt mit der Steigerung der Bit-Zahl des dRAM zu, so z. B. bei der Steigerung von 1 M Bit auf 4 M Bit.

Das oben beschriebene Rauschunterdrückungsverfahren basiert auf der Überlagerung, das Maß di/dt der arupten Stromänderung zu minimieren. Dieser Lösungsansatz ist jedoch gegensätzlich zu der Forderung nach Hochgeschwindigkeits-Operation des dRAM.

Zur Lösung dieses Problems hat das dRAM einer vierten Ausführungsform der Erfindung die folgende Schaltungskonfiguration. Bei dieser Ausführungsform wird eine Vielzahl von Speicherzellen, welcher durch die gleiche Zeilenadresse ausgewählt werden, in erste und zweite Speicherbanken 1₁ und 1₂ eingeordnet, so daß eine fortwährende Ausführung der Operation im Nibbelmodus möglich ist. Das Aktivierungs-Timing für die Bitleitungsabtastverstärker, die mit der zweiten Speicherbank 1₂ verbunden sind, ist gestaffelt in bezug auf die Bitleitungsabtastverstärker, die mit der ersten Speicherbank 1₁ verbunden sind, um dadurch den Wert von di/dt zu verringern. Alternativ hierzu kann das Aktivierungs-Timing der mit den ersten und zweiten Speicherbanken verbundenen Wortleitungen gestaffelt werden.

Gemäß Fig. 30 werden die Wortleitungen WL 1 und WL 2 durch die gleiche Zeilenadresse selektiert. Die ersten und zweiten Speicherbanken 1₁ und 1₂, die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und 2₂, Übertragungsgatter oder Kolonnenauswahlgatter 4₁ und 4₂, sowie die E/A-Leitungen 3₁ und 3₂ wurden bereits in Verbindung mit Fig. 11 beschrieben. Die Speicherzellen für vier Bit, welche in der ersten Speicherbank 1₁ angeordnet und mit der Wortleitung WL₁ verbunden sind, sind über die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und Übertragungsgatter 4₁ an die E/A-Leitung 3₁ angeschlossen. Die Speicherzellen für 4 Bit, welche in der zweiten Speicherbank 1₂ angeordnet und mit der Wortleitung WL₂ verbunden sind, sind über die Bitleitungsabtastverstärker 2₂ und Übertragungsgatter 4₂ an die E/A-Leitung 3₂ angeschlossen S₁ und S₂ bezeichnen Aktivierungssignalleitungen für die Bitleitungsabtastverstärker 2₁ und 2₂. C₁ und C₂ bezeichnen Steuersignalleitungen für die Übertragungsgatter 4₁ und 4₂. Das 4-Bit-Datenauslesen in die E/A-Leitungen 3₁ und 3₂ wird durch die Abtastverstärker 5₁ und 5₂ verstärkt und über die Lesesteuergatter 6₁ und 6₂ in den Verriegelungsschaltungen 7₁ und 7₂ verriegelt. Die verriegelten Daten werden ausgelesen und an die Schieberegister 8₁ und 8₂ weitergegeben. Diese Schieberegister konvertieren die parallelen Daten in serielle Daten. Schließlich bilden die seriellen Daten den Ausgang von Ausgangsdatenpuffer 9. Steuer- und Aktivierungssignale Φ₁ und Φ₂ steuern die Lesesteuergatter 6₁ und 6₂ und aktivieren die Abtastverstärker 5₁ und 5₂.

In der vierten Ausführungsform wird das Auswahl-Timing für die Wortleitung WL₂ um τ hinter dem Auswahl-Timing für die Wortleitung WL₁ verzögert (Fig. 33). Das Auswahl-Timing für die Aktivierungssteuersignalleitung S₂ ist um τ hinter dem Auswahl-Timing für die Aktivierungssteuersignalleitung S₁ verzögert. Das Pegelverhältnis zwischen den Bitleitungen BL₁ und BL₂ der ersten und zweiten Speicherbanken ist in Fig. 33 gezeigt.

Fig. 31 zeigt eine Schaltung zur Erzeugung der Treibersignale zum Treiben der Steuerleitungen. RAS- und CAS-Takte stellen den Eingang dar für die Verzögerungsschaltung, die in Reihe miteinander verbundene CMOS-Inverter enthält. Die Zellen- und Kolonnenadressensignale A _R und A _C werden durch Zeilen- und Kolonnendekodierer 35 und 37 dekodiert. Wort- und Kolonnenleitungsauswahlschaltungen 36 und 38 selektieren jeweils eine (bestimmte) Wortleitung und eine (bestimmte) Kolonne. Verzögerungsauswahlschaltungen 40₁ bis 40₄ dienen zur Bildung gestaffelter Steuersignale zur Verwendung in den ersten und zweiten Speicherbanken.

Die Verzögerungsauswahlschaltungen 40₁ bis 40₄ sind gemäß Fig. 32 konfiguriert. Eine Reihenschaltung enthält Inverter 41₁ und 41₂ (Elemente zur Signalverzögerung) und Übertragungsgatter Q₁ und erzeugt ein Ausgangssignal A₂ in Abhängigkeit vom Eingangssignal A₁. Ein Übertragungsgatter Q₂ ist mit der Serienschaltung querverbunden. Eine weitere Serienschaltung enthält die Inverter 41₁ und 41₂ sowie das Übertragungsgatter Q₄ und empfängt ein Eingangssignal B₁ und erzeugt ein Ausgangssignal B₂. Ein Übertragungsgatter Q₃ ist mit dieser Serienschaltung querverbunden. Die Übertragungsgatterpaare Q₁ und Q₃ sowie Q₂ und Q₄ werden durch Adressensignale ARi bzw. ARi überstrichen gesteuert. Wenn die Adressensignale ARi bzw. ARi überstrichen auf "H"-Pegel und "L"-Pegel sind, gibt es keine Verzögerung zwischen den Signalen B₁ und B₂, während eine feste Verzögerung zwischen den Signalen A₁ und A₂ auftritt. Wenn die Adressensiganle ARi bzw. ARi überstrichen auf "L"-Pegel und "H"-Pegel sind, gibt es keine Verzögerung zwischen den Signalen A₁ und A₂, während eine feste Verzögerung zwischen den Signalen B₁ und B₂ auftritt.

Die Arbeitsweise der Ausführungsform gemäß Fig. 30 wird anhand von Fig. 33 nachfolgend beschrieben. Bei dieser Ausführungsform sind die Bitleitungen vorgeladen auf das Potential von 1/2 Vcc. Wenn der RAS-Takt auf niedrig (L) geht, selektiert der Zeilendekodierer 35 die Zeilenadresse und das Potential einer gegebenen Wortleitung steigt an. Das Potential der Wortleitung WL₁ der Speicherbank 1₁ steigt ohne Verzögerung an. Das Potential der Wortleitung WL₂ der zweiten Speicherbank 1₂ steigt an mit einer Verzögerung um die vorbestimmte Zeit τ, z. B. 10 nsec, nach dem Potentialanstieg der Wortleitung WL₁. Die Bitleitungsabtastverstärker sind nicht aktiviert, bis die Daten von den Speicherzellen in die Bitleitungen ausgelesen werden. Nach der Aktivierung dieser Verstärker werden die Bitleitungen auf "1" oder "0" entsprechend den ausgelesenen Daten gehalten. Bei dieser Ausführungsform wird eine Verzögerungszeit τ benutzt zwischen den Auswahl-Timing-Vorgängen für die Aktivierungssteuersignalleitungen S₁ und S₂, die mit dem Abtastverstärkern 2₁ und 2₂ verbunden sind. Die so gestaltete Ausführungsform kann die Operation im erweiterten Nibbelmodus verwirklichen. Insbesondere werden die Daten alternativ von den ersten und zweiten Speicherbanken parallel ausgelesen in die E/A-Leitungen 3₁ und 3₂. In diesem Fall werden die Daten mit 4 Bit zu einer Zeit ausgelesen. Die ausgelesenen Daten werden über die Abtastverstärker 5₁ und 5₂ in die Verriegelungsschaltungen 7₁ und 7₂ geladen. Die Schieberegister 8₁ und 8₁ konvertieren die Daten von parallel nach seriell. Die seriellen Daten werden vom Puffer 9 entnommen. Die Folge der Operation wird wiederholt. Die Daten können selbstverständlich von allen Speicherzellen ausgelesen werden, die zu einer Wortleitung gehören. Im Anschluß an das Auslesen von Daten von den Speicherzellen einer Wortleitung können die Daten von den Speicherzellen einer anderen Wortleitung ausgelesen werden. Auf diese Weise können die Daten von allen Speicherzellen des gesamten Speicherfeldes (Array) ausgelesen werden. Dies gilt für die eingeschriebenen Daten. Mit einer Zeitverzögerung von etwa 10 nsec zwischen den Aktivierungs-Timings für die ersten und zweiten Speicherbanken erscheint das Rauschen in der zweiten Speicherbank, wenn das Rauschen in der ersten Speicherbank verschwindet. Dies vermindert den Spitzenwert des Rauschens auf die Hälfte des Wertes herkömmlicher Systeme.

Im obigen Fall ist die Zeitdifferenz gegeben zwischen den Anstiegs-Timings des Potentials in den Wortleitungen WL₁ und WL₂, die durch die gleiche Zeilenadresse selektiert werden. Alternativ kann sie gegeben sein zwischen den aktiven Timings für die Abtastverstärker 2₁ und 2₂.

Claims

1. Halbleiterspeichersystem mit dynamischen Schreib- und Lesespeicherzellen, welche in ein Halbleitersubstrat integriert sind, gekennzeichnet durch

(a) erste und zweite Speicherbanken (1₁, 1₂), wobei eine Vielzahl von Speicherzellen mit einer Wortleitung (WL) verbunden und in jeder der Speicherbanken angeordnet ist,
(b) eine Lese-/Schreibvorrichtung zum Lesen von Ausgangsdaten und Schreiben von Eingangsdaten von den Speicherzellen und in diese Speicherzellen, wobei
- - in Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) verriegelte Ausgangsdaten (R 1 bis R 4) von den Speicherzellen der ersten Speicherbank (1₁) synchron zu einem Kolonnenadressenimpulssignal (CAS) aufeinanderfolgend ausgelesen werden, Ausgangsdaten (R 5 bis R 8) von den Speicherzellen der zweiten Speicherbank (1₂) an Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) übermittelt werden und in die Speicherzellen der ersten Speicherbank (1₁) einzuschreibende Eingangsdaten (W 1 bis W 4) synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal (CAS) in Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) verriegelt werden.
- Ausgangsdaten (R 9 bis R 12) von den Speicherzellen der ersten Speicherbank (1₁) an die Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) übermittelt und in die Speicherzellen der zweiten Speicherbank (1₂) einzuschreibende Eingangsdaten (W 5 bis W 8) synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal (CAS) aufeinanderfolgend in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) verriegelt werden, während in den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) verriegelte Ausgangsdaten (R 5 bis R 8) von den Speicherzellen der zweiten Speicherbank (1₂) synchron zum Kolonnenadressenimpulssignal (CAS) aufeiannderfolgend ausgelesen werden, und
- - die Lese-/Schreiboperationen für die ersten und zweiten Speicherbanken (1₁, 1₂) wechselweise wiederholt werden.

2. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lese-/Schreibvorrichtung umfaßt:

(a) erste Kolonnenauswahlgattermittel (4₁), die zwischen den Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁) und den Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) angeordnet sind zur Selektion der Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁),
(b) zweite Kolonnenauswahlgattermittel (4₂), die zwischen den Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂) und den Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) angeordnet sind zur Selektion der Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂).
(c) Ausgangsdatenlesegattermittel (6), die zwischen den Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) und den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) angeordnet sind zum wechselweisen Auslesen von Ausgangsdaten von den Speicherzellen der ersten und zweiten Speicherbanken (1₁, 1₂),
(d) ein Ausgangsdatenschieberegister (8), das zwischen den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) und einer Ausgangsdatenpufferschaltung (9) angeordnet ist zum Konvertieren paralleler Daten von den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) in serielle Daten und zum Senden der seriellen Daten an die Ausgangsdatenpufferschaltung (9),
(e) Eingangsdatenschreibgattermittel (10), die zwischen den Eingangs-/Ausgangsleitungen (3) und Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) angeordnet sind zum Schreiben von Eingangsdaten in die Speicherzellen der ersten und zweiten Speicherbanken (1₁, 1₂) und
(f) ein Eingangsdatenschieberegister (12), das zwischen den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) und einer Eingangsdatenpufferschaltung (13) angeordnet ist zum Konvertieren von seriellen Daten von der Eingangsdatenpufferschaltung (13) in parallele Daten, die in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) zu verriegeln sind.

3. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lese-/Schreibvorrichtung umfaßt:

(a) erste Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₁) für die Speicherzellen der ersten Speicherbank (1₂),
(b) zweite Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₂) für die Speicherzellen der zweiten Speicherbank (1₂),
(c) erste Kolonnenauswahlgattermittel (4₁), die zwischen den Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁) und den ersten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₁) angeordnet sind zur Selektion der Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁),
(d) zweite Kolonnenauswahlgattermittel (4₂), die zwischen den Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂) und den zweiten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₂) angeordnet sind zur Selektion der Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂),
(e) erste Ausgangsdatenlesegattermittel (6₁), die zwischen den ersten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₁) und den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) angeordnet sind zum Auslesen von Ausgangsdaten von den Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁),
(f) zweite Ausgangsdatenlesegattermittel (6₂), die zwischen den zweiten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₂) und den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) angeordnet sind zum Auslesen von Ausgangsdaten von den Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂),
(g) ein Ausgangsdatenschieberegister (8), das zwischen den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) und einer Ausgangsdatenpufferschaltung (9) angeordnet ist zum Konvertieren paralleler Daten von den Ausgangsdatenverriegelungsschaltungen (7) in serielle Daten und zum Senden der seriellen Daten an die Ausgangsdatenpufferschaltung (9),
(h) erste Eingangsdatenschreibgattermittel (10₁), die zwischen den ersten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₁) und Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) angeordnet sind zum Schreiben von Eingangsdaten in die Speicherzellen der ersten Speicherbank (1₁),
(i) zweite Eingangsdatenschreibgattermittel (10₂), die zwischen den zweiten Eingangs-/Ausgangsleitungen (3₂) und Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) angeordnet sind zum Schreiben von Eingangsdaten in die Speicherzellen der zweiten Speicherbank (1₂) und
(j) ein Eingangsdatenschieberegister (12), das zwischen den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) und einer Eingangsdatenpufferschaltung (13) angeordnet ist zum Konvertieren von seriellen Daten von der Eingangsdatenpufferschaltung (13) in parallele Daten, die in den Eingangsdatenverriegelungsschaltungen (11) zu verriegeln sind.

4. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Ausgangsdatenlesegattermittel (6₁), zweiten Ausgangsdatenlesegattermittel (6₂), ersten Eingangsdatenschreibgattermittel (10₁) und zweiten Eingangsdatenschreibgattermittel (10₂) jeweils vier Gatter umfassen, die aufeinanderfolgend in unterschiedlichem Timing synchron zu Wechseln des Kolonnenadressenimpulssignals (CAS) gesteuert werden.

5. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Eingangsdatenschreibgattermittel (10₁) und zweiten Eingangsdatenschreibgattermittel (10₂) jeweils vier Gatter umfassen, die aufeinanderfolgend in unterschiedlichem Timing synchron zu Wechseln des Kolonnenadressenimpulssignals (CAS) gesteuert werden, und daß die ersten Ausgangsdatenlesegattermittel (6₁) vier Gattermittel umfassen, die von einem ersten Signal (QSEA) gleichzeitig gesteuert werden, und die zweiten Ausgangsdatenlesegattermittel (6₂) vier Gattermittel umfassen, die von einem zweiten Signal (QSEB) gleichzeitig gesteuert werden.

6. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine erste Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₁) zwischen Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁) und den ersten Kolonnenauswahlgattermitteln (4₁) und durch eine zweite Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₂) zwischen Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂) und den zweiten Kolonnenauswahlgattermitteln (4₂), wobei die erste Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₁) und die zweite Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₂) in unterschiedlichem Timing aktiviert werden zur Unterdrückung von Rauschen, das in einer Spannungsversorgungsleitung (Vcc) und einer an Massepotential liegenden Leitung (Vss) erzeugt wird.

7. Halbleiterspeichersystem nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine erste Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₁) zwischen Speicherzellen (M 1 bis M 4) der ersten Speicherbank (1₁) und den ersten Kolonnenauswahlgattermitteln (4₁) und durch eine zweite Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₂) zwischen Speicherzellen (M 5 bis M 8) der zweiten Speicherbank (1₂) und den zweiten Kolonnenauswahlgattermitteln (4₂), wobei die erste Gruppe von Bitleitungsgabetastverstärkern (2₁) und die zweite Gruppe von Bitleitungsabtastverstärkern (2₂) in unterschiedlichem Timing aktiviert werden zur Unterdrückung von Rauschen, das in einer Spannungsversorgungsleitung (Vcc) und einer an Massenpotential liegenden Leitung (Vss) erzeugt wird.