DE2914619A1 - Lichtempfindliches material - Google Patents
Lichtempfindliches materialInfo
- Publication number
- DE2914619A1 DE2914619A1 DE19792914619 DE2914619A DE2914619A1 DE 2914619 A1 DE2914619 A1 DE 2914619A1 DE 19792914619 DE19792914619 DE 19792914619 DE 2914619 A DE2914619 A DE 2914619A DE 2914619 A1 DE2914619 A1 DE 2914619A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photosensitive material
- material according
- group
- iii
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/28—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
- C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
- C08G73/1025—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines polymerised by radiations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/14—Polyamide-imides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
29H619
Lichtempfindliches Material
Die Erfindung betrifft eine lichtempfindliche Masse, die
äußerst wärmebeständige Reliefstrukturen ergeben kann.
Es besteht ein wachsender Bedarf an photochemisch vernetzbaren Polymeren, die als Isolier-, Passivier- oder Schutzüberzüge
auf Halbleitereinrichtungen funktionieren. Solche Filmbilder müssen widerstandsfähig gegen Hitze und Alterung
sein, während sie andererseits stark isolieren müssen. Häufig
ist eine Kurzzeittemperaturbeständigkeit von bis zu 450 C und eine Beständigkeit gegenüber Betriebstemperaturen von bis
zu 200° C erforderlich. Diesem Erfordernis genügen derzeit bekannte Photoresistzusammensetzungen nicht.
Es gibt eine Reihe löslicher Vorläufer, die in äußerst hitzebeständige
Endprodukte durch thermische Ringschlußreaktionen umgewandelt werden können. Die bekannten Beispiele solcher
beständiger Polymere sind die aromatischen Polyimide, die von duPont entwickelt wurden und die jahrelang als Lacke und Filme
in der Elektroindustrie und elektronischen Industrie verwendet wurden.
Einige Methoden ergeben bekannterweise Reliefbilder oder
-muster aus stark hitzebeständigen Polymeren.
Analog zu einer Metallsubstratatzmethode produzierten Epifano
und Jordan Bilder oder Muster löslicher Polyimidvorläufer nach einer Phototechnik mit herkömmlichen positiven Resisten.
Die Reliefbilder wurden anschließend durch Hitzehärtung in Polyimid umgewandelt, siehe die DE-AS 1 764 977. Auf ähnlichem
9098 4370813
Weg erhielten Jones und Agnihotri Polyimidfilmbilder mit Hilfe
einer Phototechnik durch Ätzen von Polyimidschichten mit Hydrazin bzw. Äthylendiamin, siehe J.I. Jones, J. Polymer Sei.,
Teil C (22), Seite 773 (1969) und R.K. Agnihotri, Proc. SPE
Regional Techn. Conf. Ellenville, New York, 13. bis 15. Oktober,
Seite 74 (1976).
Die Methode der indirekten Produktion von Filmbildern, die oben erwähnt wurde, wird durch die zusätzlich erforderlichen Stufen
der Erzeugung und Entfernung des Photoresistüberzuges kompliziert. Gut definierte Grenzen zwischen löslichen und unlöslichen
Bereichen können innerhalb der Schicht des Polyimidvorläufers nicht erzeugt werden.
Lichtempfindliche Polyimidvorläufer sind auch bekannt. Sie gestatten
eine direkte Erzeugung von Filmbildern aus hitzebeständigen Polymeren mit photochemischen Mitteln.
Kerwin und Goldrich photosensibilisierten Polyimidvorläufer durch Zugabe von Dichromat, siehe Polymer Engineering and
Science 11, Seite 426 (1971). Ihre Anwendung als negativer Photoresist, der nach dem Belichten und Entwickeln zur Herstellung
äußerst hitzebeständiger Reliefbilder erhitzt wird, ist jedoch auf die Tatsache beschränkt, daß die Lösung und Filme
der photosensibilisierten Polyaminocarbcnsauren sehr instabil sind und daher unmittelbar nach der He^ -ellung verarbeitet
werden müssen. Außerdem haben die äußerst hitzebeständigen, aus den sensibilisierten Substanzen hergestellten Polyimide
einen wesentlichen Gehalt an anorganischen Salzen, die ihre möglichen Anwendungen, besonders als Dielektrika in der
elektronischen Industrie beschränken.
909843/0813
291A619
Es ist weiterhin bekannt, daß Polyamidcarbonsäuren durch Einarbeitung
lichtempfindlicher organischer Reste R , die an Carbonsäuregruppen
nach Art eines Esters gebunden sind, photosensibilisiert werden können, siehe US-PS 3 957 512 und US-PS
4 040 831. Diese lichtempfindlichen Polyamidcarbonsäuren arbeiten
ebenfalls negativ. Ein typisches Beispiel dieser lichtempfindlichen
Polyamidcarbonsäuren wird aus den folgenden Stufen erzeugt:
1. Stufe: Herstellung von Diallylester von Pyromellitsäure
(X.) aus Pyromellitsauredianhydrid.
2. Stufe: Herstellung von Diallylester von Pyromellitsäuredi-
chlorid (X2) aus x-i unc^ Thionylchlorid.
3. Stufe: Herstellung eines Polyimidvorläufers (Xo) aus X2
und Diaminodiphenyläther.
4. Stufe: Herstellung einer lichtempfindlichen Polymidvorläu-
ferlösung aus X.,, Lösungsmittel und Photo initiator.
In der dritten Stufe wird das lichtempfindliche Polymer X3
durch Ausfällung gereinigt. Als ein Ergebnis dieser Ausfällungsreinigung kann das lichtempfindliche Vorpolymer X_ in
einem festen Zustand gelagert werden und hat gute Lagerbeständigkeit.
Die Methode nach diesen Patentschriften zur Herstellung lichtempfindlicher Polyamidcarbonsäurelösungen ist jedoch
kompliziert. Die Herstellungskosten der lichtempfindlichen
Zusammensetzungen werden durch diese komplizierte Methode stark gesteigert.
Aufgabe der Erfindung war es, ein neues und in der Praxis brauchbareres lichtempfindliches Material zu bekommen, das
nach dem Belichten und Entwickeln zu stark hitzebeständigen Reliefstrukturen erhitzt werden kann.
909843/08^3
29H613
Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Material, das
a) ein Polymer, welches sich wiederholende Einheiten
/COR., CONH-R2-NH/
(COOR3)n
(COOR3)n
enthält und
b) eine organische Verbindung mit einer photodimerisierbaren oder photopolymerisierbaren olefinischen Doppelbindung sowie
einem Aminorest oder einer quaternären Ammoniumgruppe umfaßt.
Bei bevorzugten Ausführungsformen können relativ kleine Mengen
(allgemein weniger als 5 Gewichts-% des Gesamtsystems) eines Photosensibilisierungsmaterials zu der Zusammensetzung zugesetzt
werden.
Die Zusammensetzungen nach der Erfindung sind brauchbar zur Gewinnung von Überzügen, die photovernetzbar sind, indem man
sie mit aktinischem Licht belichtet, wobei sich eine vernetzte Schicht bildet, die mit einem Entwickler unter Bildung eines
Bildes oder Musters mit klaren Umrissen entwickelt wird. Das Bild oder Muster zeigt nach dem Erhitzen ausgezeichnete
Isolatoreigenschaften, Wärmebeständigkeit und gute chemische
und mechanische Eigenschaften.
Die Erfindung liefert eine lichtempfindliche Zusammensetzung, die
a) ein Polymer (I), welches eine sich wiederholende Einheit (II) der Formel
/COR1CONH-R2-NH/
(COOR3)n
(COOR3)n
enhält, und
909843/0813
b) eine organische Verbindung ill mit einer photodimerisierbaren.
oder photopolymerisierbaren olefinischen Doppelbindung und einem Aminorest oder einer quaternären Ammoniumsalzgruppe
"umfaßt.
Die lichtempfindliche Zusammensetzung kann einen Photoinitiator und/oder Sensibilisator enthalten, um die Lichtempfindlichkeit
zu verbessern. Die Zusammensetzung kann außerdem zum gleichen Zweck lichtempfindliche Comonomere enthalten, die zur Copolymerisation
mit der Verbindung (III) in der Lage sind.
Das Polymer (I) ist -entweder ein Homo- oder Copolymer, das
sich nur von den sich wiederholenden Einheiten (II) der obigen Formel herleitet, .oder es ist ein Copolymer aus sich wiederholenden
Einheiten (II) und anderen sich wiederholenden Einheiten (IV). Um das Ziel der Erfindung zu erreichen, müssen im
letzteren Fall die sich wiederholenden Einheiten (II) so ausgewählt sein, daß sie die Hitzebeständigkeit des Polymers, das
sich von dem Polymer (I) durch Hitzehärtung herleitet, nicht verschlechtern. Beispiele der sich wiederholenden Einheiten (IV)
sind in "Journal of the Japan Petroleum Institute", 17, Seiten 110 bis 120.(1974) gezeigt.
Ein Beispiel von Copolymeren, das aus sich wiederholenden Einheiten
(II) und sich wiederholenden Einheiten -(IV) besteht, ist folgendes:
ji-CONH-^' ^-NHj-j OC-j-^N-CONH- (CH2) 3~Si-O-Si- (CH2) ^NH^
'-COOH J I HOOC-1^sJJ-COOH CH-, CH- /
sich wiederholen- sich wiederholende Einheit (IV) de Einheit (II)
29U619
R ist ein aromatischer Rest, für den ein bevorzugtes Beispiel
ein Phenylenrest, ein Naphthylenrest oder ein Rest einer
Biphenylverbindung der allgemeinen Formel
ist, worin M 0, SO3, CH2 oder CO bedeutet und ζ 0 oder 1 ist.
Ein besonders bevorzugtes Beispiel für R. ist der Phenylen-
oder Benzophenonrest.
R2 ist auch ein aromatischer Rest, für den ein bevorzugtes
Beispiel ein Phenylenrest, ein Rest einer Biphenylverbindung der allgemeinen Formel
worin M 0, SO3, CH2 oder CO bedeutet und ζ 0 oder 1 ist, oder
ein Rest einer Polyviny!verbindung der allgemeinen Formel
worin Y ^_N) oder (^-+]—S0„ —fl·^] bedeutet. Der Benzolring
von R2 kann durch einen organischen Rest, wie NH„, CONH„,
COOH oder SO3H, substituiert sein. Ein besonders bevorzugtes
Beispiel für R3 ist C3>-O-<f3 oder
R ist ein Wasserstoffatom, ein Alkalimetallion oder ein sub
stituiertes oder unsubstituiertes quaternär s Ammoniumion.
Wasserstoff ist am meisten bevorzugt für die Verwendung in Halbleitereinrichtungen, die keine Alkalimetallverunreinigun
gen mögen.
909843/08*3
--.11 -
29H619
Ein besonders bevorzugtes Beispiel für das Polymer (I) ist
eine Polyamidsäure oder eine Polyaniidainidsäure, von denen
einige die folgende Struktur haben:
CONH-O-O-TV NH A
—f_ 7- O—\ V-NH
COOH
Die organische Verbindung (III) hat sowohl eine photodimerisierbare
oder photopolymerisierbare olefinische Doppelbindung als auch eine Aminogruppe oder eine quaternäre Ammoniumsalzgruppe.
Beispiele der organischen Verbindung (III) "sind folgende:
XCH=G^ .R
^cooRcir
Kg V-.
worin R. ein Wasserstoff atom oder ein Phenylrest ist, R1- ein
Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe bedeutet, Rg eine Alkylengruppe
bedeutet und jede der Gruppen R7 und Rq eine Alkylgruppe
bedeutet;
worin Rg eine Alkylgruppe bedeutet; oder
909843/0 813
CH2=C-CHNH2
worin R1n ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe bedeutet;
sowie quaternäre Salze dieser Verbindungen.
Bevorzugte Beispiele der organischen Verbindungen (III) sind Diäthylaminoäthylmethacrylat, Diäthylaitiinoäthylacrylat, Dimethylaminoäthylmethacrylat,
Dimethylaminoäthylacrylat, 2-Vinylpyridin,
2-Methy1-5-vinylpyridin, Allylamin und Methallylamin.
Vom Standpunkt der Lichtempfindlichkeit sind Acrylester oder Methacrylester besonders bevorzugt.
Im Falle einer Verbindung (III) mit einer Aminogruppe und einer olefinischen Doppelbindung ist es erwünscht, die Verbindung
(III) mit einem Polymer (I) zu kombinieren, worin R_ der sich wiederholenden Einheit (II) ein Wasserstoffatom ist. Im
Fall einer Verbindung (III) mit einer quaternären Ammoniumsalzgruppe und einer olefinischen Doppelbindung ist es bevorzugt,
die Verbindung (III) mit einem Polymer (I) zu kombinieren, worin R., der sich wiederholenden Einheit (II) ein Alkalimetallion
oder ein Ammoniumion ist. Im letzteren Fall kann ein Alkalichlorid, wie Natriumchlorid oder Kaliumchlorid, in der Lösung
der lichtempfindlichen Zusammensetzung ausfallen. Es ist erwünscht, einen solchen ausgefallenen Stoff durch Filtration
oder andere Methoden zu entfernen.
Das Verhältnis der Verbindung (III) zu dem Polymer (I) muß den folgenden Bedingungen gehorchen:
1. Das Molverhältnis der Verbindung (III) zu den sich wiederholenden
Einheiten des Polymers (I) einschließlich der sich wiederholenden Einheiten (II) und der sich wiederholenden
909843/0813
29H619
Einheiten (IV) ist gleich oder größer als 0,05 und vorzugsweise
gleich oder größer als 0,3.
2. Das Molverhältnis der Verbindung (III) zu COOR3 in dem Polymer
(I) ist gleich oder kleiner als 2,0.
Die Zusammensetzung, die diesen Bedingungen gehorcht, hat gute Lichtempfindlichkeit und geringere Einschränkung bezüglich
der Entwicklung.
Die lichtempfindliche Zusammensetzung nach der Erfindung wird
gewöhnlich zunächst als eine Lösung hergestellt. Vom Standpunkt der Löslichkeit sind die bevorzugt verwendeten Lösungsmittel
zur Herstellung der Lösungen der Zusammensetzung polare Lösungsmittel,
wobei typische Beispiele N-Methy1-2-pyrrolidon, N,N-Dimethylformamid,
N,N-Dimethylacetamid, Dimethylsulfoxid und
Hexamethylphosphoramid sind.
Die Photoinitiatoren und/oder Sensibilisatoren, die für die Erfindung
verwendet werden können, um die Lichtempfindlichkeit zu verbessern, können aus jenen ausgewählt werden, die in
"Light Sensitive Systems" von J. Kosar, John Wiley & sons, Inc., New York, 1965, Seiten 143 bis 146 und Seiten 160 bis 188 aufgeführt
sind. Äußerst geeignete Sensibilisatoren und Initiatoren sind beispielsweise Michler's Keton, Benzoinäther, 2-Tertiärbutyl-9,10-anthrachinon,
1,2-Benz-9,10-anthrachinon und 4,4'-Bis-(diäthylamino)-benzophenon.
Bevorzugte Beispiele des lichtempfindlichen Comonomers, das
zur Copolymerisation mit der Verbindung (III) in der Lage ist, sind Maleimide, wie N-Phenylmaleimid, Diphenylmethandimaleimid
und Diphenylatherdimaleimid.
909843/0813
-· 14 -
29U619
Die lichtempfindliche Zusammensetzung nach der Erfindung kann zu einem äußerst hitzebeständigen Reliefmuster oder Reliefbild
nach bekannten Photoresist-Bilderzeugungstechniken verarbeitet werden. Eine Lösung der lichtempfindlichen Zusammensetzung kann
als Überzug auf einem Substrat zu einem gleichmäßigen Film mit ausgezeichneten mechanischen Eigenschaften und in den meisten
Fällen mit guter Haftung aufgebracht werden. Dieser Film kann aktinischem Licht, wie Ultraviolettlicht, durch eine Negativphotomaske
ausgesetzt werden und dann unter Verwendung eines Entwicklers, welcher die unbelichteten Teile löst, zu einem
Reliefbild entwickelt werden. Die so erhaltenen Reliefbilder, die einen Vorläufer eines hitzebeständigen Polymers darstellen,
können durch Hitzehärtung zu einem äußerst hitzebeständigen Polymerbild mit hitzebeständiger Imid- oder anderer Ringstruktur
umgewande1t werden.
Ein Beispiel der Entwickler ist ein Gemisch eines Lösungsmittels der lichtempfindlichen Zusammensetzung nach der Erfindung,
wie N,N-Dimethy1formamid, Dimethylsulfoxid, Ν,Ν-Dimethylacetamid,
N-Methyl-2-pyrrolidon oder Hexamethylphosphoramid, und
eines Nichtlosungsmittels der Zusammensetzung, wie Methanol oder Äthanol. Ein anderes Beispiel der Entwickler ist eine alkalische
wäßrige Lösung, wie eine wäßrige Lösung von Ammoniak, Natriumhydroxid oder Kaliumhydroxid. Ein wei'°res Beispiel für
die Entwickler ist das oben erwähnte Lösung ttel der Zusammensetzung
selbst.
Die Haftung der erzeugten Reliefbilder der Verbindung nach der Erfindung auf verschiedenen Substraten kann durch übliche Haftungspromotoren
verbessert werden, wie beispielsweise durch
909843/0813
29H619
j'-Aminopropyltrimethoxysilan, y-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
Aluminiumacetylacetonat, Titanacetylacetonat oder Zirkonacetylacetonat.
Die Reliefbilder der Zusammensetzung nach der Erfindung, die man
nach der oben erwähnten Methode erhält, haben gute Kantenschärfe, hohe Temperaturbeständigkeit, ausgezeichnete Isoliereigenschaften,
chemische Eigenschaften und mechanische Eigenschaften. Es ist leichter, ein Bild frei von Alkalimetallionen, wie
Natriumionen und Kaliumionen, zu erhalten, welche einen nachteiligen
Effekt für Halbleiter ergeben.
So kann die lichtempfindliche Zusammensetzung nach der Erfindung für die Herstellung von passivierenden Schichten oder
isolierenden Schichten auf Hableitereinrichtungen, von Lötmittelschutzschichten,
von Miniaturschaltungen, von gedruckten Schaltungen elektrisch abgeschiedener Leiter, von Masken für
Ioneneinpflanzung oder Abscheidung von Metallen oder anorganischen
Verbindungen im Dampfzustand, welche eine Hochtemperaturverdampfung
erfordern, oder von abhebbaren Bildschichten
sowie von Ätzresisten oder Plattierresisten, vorzugsweise ohne
anschließendes Erhitzen, verwendet werden.
Die folgenden Beispiele dienen der weitere Erläuterung der Erfindung.
110 g 4,4I-Diaminodiphenyläther wurden in 27 8 g N-Methyl-2-pyrrolidon
(Aminlösung) gelöst. 120 g Pyromellitsäuredianhydrid wurden in einem Gemisch von 308 g Dimethylacetamid und N-Methyl-2-pyrrolidon
(Säurelösung) aufgelöst. Die Aminlösung wurde
9098 4 3/0813
29U619
zu der Säurelösung unter Rühren zugesetzt, und sodann wurde das Rühren 3 Stunden bei 60 C fortgesetzt. Es wurde eine
Polymerlösung (A) von 60 Poise (bei 30° C) erhalten.
50 g der Polymerlösung (A), 1,15 g Michler's Keton, gelöst in
30 g Dimethylacetamid und 10,2 g Diathylaminoäthylmethacrylat,
gelöst in 10 g Dimethy!acetamid wurden miteinander vermischt
und filtriert.
Die so erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde als überzug
auf einer Aluminiumfolie mit Hilfe einer Spinneinrichtung aufgebracht. Der als Überzug aufgebrachte Film wurde bei 100 C
5 Minuten getrocknet. Der Film war nach dem Verdampfen des Lösungsmittel 3 ,u dick und besaß ausgezeichnete mechanische
Eigenschaften mit hervorragender Haftung auf dem Substrat. Der Film wurde mit einer 500 Watt-Hochdruckquecksilberlampe in
einem Abstand von 23 cm durch eine Maske mit einem Streifenbild während 10 Minuten betrahlt, sodann mit einem Entwickler
aus einem Gemisch von Dimethylformamid und Methanol (5 : 2) entwickelt. Man erhielt ein Reliefmuster mit guter Kantenschärfe.
Das Reliefmuster wurde 5 Minuten bei 350° C gehärtet, woman
bei/ein hitzebeständiges Reliefmuster erhielt. Das hitzebeständige
Reliefmuster behielt seine Kantenschärfe und sein Gewicht nach der Hitzebehandlung bei 200° C während einer Stunde.
Die lichtempfindliche Lösung behielt ihre Lichtempfindlich-
keit bei sechsmonatiger Lagerung bei 0° C.
Die Metallgehalte in der lichtempfindlichen Lösung waren folgende :
909843/0813
Na 0,5 ppm
K <0,5 ppm
Fe 0,9 ppm
Ca 0,4 ppm
Mg 0,1 ppm
Cu (0,1 ppm
50 g der Polymerlösung (A), die im Beispiel 1 erhalten wurde, 1,15 g Michler's Keton, gelöst in 30 g Dirnethylacetamid,
10,2 g Diäthylaminoäthylmethacrylat, gelöst in 10 g Dimethylacetamid,
und 1,15 g Phenylmaleimid wurden gemischt und dann . filtriert.
Die so erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde nach der gleichen Methode,wie in Beispiel 1 beschrieben, in ein Reliefbild
umgewande1t.
Das Reliefbild hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
50 g der gemäß Beispiel 1 erhaltenen Polymerlösung (A), 1,15 g Michler's Keton, gelöst in 30 g Dimethylacetamid, 10,2 g Diäthylaminoäthylmethacrylat
in 10 g Dimethylacetamid, und 1,15 g Phenylmaleimid wurden vermischt und dann filtriert.
Die erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde nach der gleichen Methode, wie in Beispiel 1 beschrieben, in ein Reliefmuster
umgewandelt mit der Ausnahme, daß anstelle des Gemisches von Dimethylformamid und Methanol als Entwickler N-Methyl-2-pyrrolidon
verwendet wurde. Das Reliefbild hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
909843/0813
29H619
50 g der in Beispiel 1 erhaltenen Polymerlösung (A), 1,15 g
Michler's Keton, gelöst in 30 g Dimethylacetamid, 7,9 g Dime-
thylaminoäthylacrylat, gelöst in 10 g Dimethylacetamid, und
1,15 Phenylmaleimid wurden miteinander vermischt und dann
filtriert.
Die erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde nach der gleichen Methode wie im Beispiel 1 in ein Reliefbild umgewandelt, mit
Ausnahme einer Verwendung eines Gemisches von Dimethylacetamid und Methanol (8 : 2) als Entwickler anstelle des Gemisches von
Dimethylformamid und Methanol. Das erhaltene Reliefbild hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
53,6 g Diaminodiphenyläther wurden in einem Lösungsmittelgemisch von 445 g Dimethylacetamid und 445 g N-Methy1-2-pyrrolidon
gelöst. 31,1 g Propylenoxid wurden zu dieser Lösung zugesetzt. 56,4 g Trimellithsaureanhydridchlorid wurden portionsweise
zu der auf -10° C gekühlten Lösung zugesetzt. Nach der Zugabe wurde das Reaktionsgemisch weitere 3 Stunden bei Raumtemperatur
gerührt. Eine Polymerlösung (B) von 10 Poise (bei 30° C) wurde erhalten.
50 g der Polymerlösung (B), 0,55 g Michler's ^eton, gelöst in
11g Dimethylacetamid, 2,7 g Diäthylaminoäthyxmethacrylat und
0,55 g Phenylmaleimid wurden miteinander vermischt und dann filtriert.
Die so erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde nach der in Beispiel 1 beschriebenen Methode in ein Reliefbild umgewandelt
909843/0813
29U619
mit der Ausnahme, daß ein Gemisch von Dimethylacetamid und Methanol (8 : 2) anstelle des Gemisches von Dimethylformamid
und Methanol (5 : 2) verwendet wurde.
Das erhaltene Reliefbild hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
110 g 4,4"-Diaminodiphenylather wurden in einem Lösungsmittelgemisch
von 500 g N-Methyl-2-pyrrolidon und 500 g Dimethylacetamid gelöst. 120 g Pyromellitsäuredianhydrid wurden portionsweise
unter Rühren zugesetzt, ohne daß man die Reaktionsgemischtemperatur über 30 C ansteigen ließ. Nach der Zugabe
des Reaktionsgemisches wurde 3 Stunden bei 20° C weiter gerührt, und dann wurde mit einem Lösungsmittelgemisch von
421 g N-Methyl-2-pyrrolidon und 421 g Dimethylacetamid verdünnt. Es wurde eine Polymerlösung (C) von 20 Poise (bei 30° C) erhalten.
50 g der Lösung (C), 2,77 g 2-Vinylpyridin, 0,55 g Phenylmaleimid
und 0,55 Michler's Keton, gelöst in 6 g Dimethylacetamid,
wurden miteinander vermischt und filtriert.
Die so erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde als Überzug
auf einer Aluminiumfolie mit einer Spinneinrichtung aufgebracht, um einen gleichmäßigen Film zu bekommen. Der Film war
nach dem Trocknen während 2 Minuten bei 100° C 5,um dick. Der Film wurde unter den gleichen Bedingungen, wie in Beispiel 1
beschrieben, bestrahlt und mit einem Entwickler aus einer 1,4-prozentigen wäßrigen Ammoniaklösung entwickelt.
909843/0813
29H619
Die erhaltene Probe wurde 10 Minuten bei 200° C und sodann
5 Minuten bei 350 C gehärtet- Das so erhaltene Reliefbild
hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
50 g der gemäß Beispiel 6 erhaltenen Lösung (C), 0,55 g Michler1s
Keton, gelöst in 6 g Dimethylacetamid, und 4,62 g Trimethy1-(ß-methacryloyläthyl)-ammoniumchlorid,
gelöst in 10 g eines Lösungsmittelgemisches von Methanol und Dimethylacetamid (1 : 1) wurden miteinander vermischt und filtriert.
Die so erhaltene lichtempfindliche Lösung wurde, wie in Beispiel 6 beschrieben, zu einem Reliefbild verarbeitet mit Ausnahme
der Tatsache, daß eine 0,14-prozentige wäßrige Ammoniaklösung anstelle der 1,4-prozentigen wäßrigen Ammoniaklösung
als Entwickler verwendet wurde. Das Reliefbild hatte gute Kantenschärfe und Hitzebeständigkeit.
50 g der in Beispiel 6 erhaltenen Lösung (C), 2,56 g Allylamin,
gelöst in 9 g eines Gemisches von destilliertem Wasser und Dimethylacetamid (4 : 5), 0,55 g Phenylmaleimid und 0,55 g
Michler's Keton, beide gelöst in 6 g Dimethylacetamid, wurden miteinander vermischt und filtriert.
Die lichtempfindliche Lösung wurde auf einer Aluminiumfolie als Überzug aufgebracht und wie in Beispiel 6 bestrahlt. Der
bestrahlte Film wurde mit N-Methyl-2-pyrrolidon entwickelt.
Das erhaltene Reliefbild wurde während 10 Minuten bei 200° C und dann während 5 Minuten während 350° C gehärtet.
9 0 9 8 4 3/0 -" 1 3
29H619
100,1 g 4,4'-Diaminodiphenylather wurden in 1480 g N-Methyl-2-pyrrolidon
gelöst. 161,1 g 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid
wurden portionsweise zu einer auf 10 C gekühlten Lösung zugesetzt. Nach der Zugabe wurde das Reaktionsgemisch
2 Stunden bei 55° C weiter gerührt und dann auf 30 C gekühlt. 157,3 g Dimethylaminoäthylmethacrylat und 13,1 g Michler1s
Keton, beide gelöst in 463 g N-Methyl-2-pyrrolidon, wurden
zu der Lösung zugesetzt. Die erhaltene lichtempfindliche Lösung
hatte eine Viskosität von 11. Poise bei 30° C.
Eine 0,5-prozentige Lösung von Γ-Aminopropyltrimethoxysilan
wurde als überzug auf einem Silicium-Plättchen mit oxidierter
Oberfläche mit einer Spinneinrichtung aufgebracht. Das Silicium-Plättchen trocknete während 30 Minuten bei 150 C. Die lichtempfindliche
Lösung wurde auf dem Silicium-Plättchen mit einer
Spinneinrichtung unter Ausbildung eines gleichmäßigen Filmes als überzug aufgebracht. Nach dem Verdampfen des Lösungsmittels
war der Film 4 ,um dick. Der Film wurde mit einer 500 Watt-Hochdruckquecksilber
lampe in einem Abstand von 23 cm durch eine Maske mit einem Streifenbild während 10 Minuten bestrahlt, dann
mit einem Entwickler aus einem Lösungsmittelgemisch von Dimethy lacetamid. Methanol und Isopropanol (5 : 3 : 2) entwickelt.
Das erhaltene Reliefbild wurde jeweils wähl ad 30 Minuten bei
150° C, 300° C und 350° C nacheinander gehäa.Let. Nach dem Härten
hatte das Reliefbild eine gute Kantenschärfe. Es hatte
auch eine bessere Haftung als im Falle ohne tV-Aminopropyltrimethoxysilan
als Adhäsionspromotor.
909843/08Λ3
Claims (14)
- Dr. Hans-Heinrich WiUratb fDr. Dieter Weber DipL-Phys. Klaus SeiffertPATENTANWÄLTED - 6200 'WIESBADEN 1 9.4.1979 Postfadi 6145
Guiur-ftcyag^xAjs Dr.We/WhW^OiI 21) 373720 Tdcgnmmadrase: VILLPATENTTekx:4-"T9i4619TD-79006Toray Industries, Inc., 2, Nihonbashi-Muromachif 2-chome, Chuo-Ku, Tokyo, 103 JapanLichtempfindliches MaterialPriorität: Japanische Patentanmeldung Nr. 43288/1978 vom 14. April 1978Patentansprüche1/. Lichtempfindli-ches Material, dadurch gekennzeichnet, daß es a) ein Polymer (I), das sich wiederholende Einheiten (II) der allgemeinen Formel/COR^eONH-R2-NH/909843/0813enthält, worin R1 und R2 jeweils carbozyklische und/oder
heterozyklische Kerne, R- ein Wasserstoffatom, ein Alkalimetall oder ein Ammoniumion bedeuten, η 1 oder 2 ist und
COOR, sich in ortho- oder peri-Stellung zu der Amidbindung befindet, undb) eine organische Verbindung (III) mit einer photodimerisierbaren oder photopolymerisierbaren olefinischen Doppelbindung und einer Aminogruppe oder einer quaternären Ammoniumsalzgruppe umfaßt. - 2. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich einen Photoinitiator und/oder
einen Photosensibxlisator enthält. - 3. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß sein Polymer (I) zwei oder mehr verschiedene sich wiederholende Einheiten enthält. - 4. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sein Polymer (I) ein Polyimidvorläufer ist.
- 5. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß R1 eine Phenylengruppe oder Benzophenongruppe bedeutet.
- 6. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß R2 eine Phenylen-, Diphenyläther-, Diphenylmethan- oder Diphenylsulfongruppe bedeutet-
- 7. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß seine organische Verbindung (III) die allgemeine Formel909843/0813^CH=C /R76 \R8besitzt, worin R4 ein Wasserstoffatom oder einen Phenylrest, R5 ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, R, einen unsubstituierten oder substituierten Kohlenwasserstoffrest und R7 und Rn jeweils Alkylgruppen bedeuten.
- 8. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß seine organische Verbindung (III) die allgemeine FormelCH=CH2besitzt, worin Rn eine Alkylgruppe bedeutet.
- 9. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß seine organische Verbindung (III) die allgemeine FormelR10
CH2=C-CH2NH2besitzt, worin R1n ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe bedeutet. - 10. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß sein Photoinitiator und/oder Photosensibilisator Michler's Keton, Benzoinäther und/oder 2-Tertiärbutyl-9,10-anthrachinon ist.
- 11. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß R_ eine Dxphenylathergruppe bedeutet.909843/0813
- 12. Lichtempfindliches Matrial nach Anspruch 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß seine organische Verbindung (III) die allgemeine FormelC 2besitzt, worin R10 ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe und R11 eine Methylgruppe oder Äthylgruppe bedeutet.
- 13. Lichtempfindliches Material nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß sein Photoinitiator Michler's Keton ist.
- 909843/0813
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53043288A JPS5952822B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 耐熱性感光材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2914619A1 true DE2914619A1 (de) | 1979-10-25 |
DE2914619C2 DE2914619C2 (de) | 1986-01-30 |
Family
ID=12659609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2914619A Expired DE2914619C2 (de) | 1978-04-14 | 1979-04-11 | Lichtempfindliches Gemisch |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4243743A (de) |
JP (1) | JPS5952822B2 (de) |
DE (1) | DE2914619C2 (de) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0065352A2 (de) * | 1981-04-13 | 1982-11-24 | Hitachi, Ltd. | Lichtempfindliche Polymerzusammensetzung |
EP0103225A2 (de) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | MERCK PATENT GmbH | Fotolacke zur Ausbildung von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren |
EP0202705A1 (de) * | 1985-05-08 | 1986-11-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Polyimidbildschicht, lichtempfindliche Polyimidsäurederivat und elektrophoretische Anzeigezelle |
EP0254230A2 (de) * | 1986-07-22 | 1988-01-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Wärmebeständiger Photolackfilm |
EP0348063A1 (de) * | 1988-06-10 | 1989-12-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermoplastisches Elastomer und darauf basierende lichtempfindliche Harzzusammensetzung und Druckplattenvorläufer, der die Zusammensetzung enthält |
EP0379377A2 (de) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Chisso Corporation | Verfahren zur Herstellung eines photoempfindlichen wärmebeständigen Polymers |
EP0418870A2 (de) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | Toray Industries, Inc. | Strahlungsempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
EP0430221A2 (de) * | 1989-11-30 | 1991-06-05 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Fotoempfindliche Harzzusammensetzung |
EP0453237A2 (de) * | 1990-04-16 | 1991-10-23 | Fujitsu Limited | Photoempfindliche hitzebeständige Harzzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern |
EP0531019A1 (de) * | 1991-08-20 | 1993-03-10 | Toray Industries, Inc. | Photoempfindliche Zusammensetzungen mit Polyimidvorstufen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0538716A1 (de) * | 1991-10-25 | 1993-04-28 | International Business Machines Corporation | Photoempfindliche Polyimidvorläufer-Zubereitung |
EP0547555A2 (de) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Occidental Chemical Corporation | Photovernetzbare Polyimidammoniumsalze |
US6013419A (en) * | 1990-04-16 | 2000-01-11 | Fujitsu Limited | Process for using photosensitive, heat-resistant resin composition to form patterns |
Families Citing this family (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57211146A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photopolymerizable composition |
JPS57170929A (en) * | 1982-03-19 | 1982-10-21 | Hitachi Ltd | Photosensitive polymeric composition |
JPS58223149A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Toray Ind Inc | 感光性ポリイミド用現像液 |
JPS5915449A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-26 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPS5968332A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPS5968331A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US4481340A (en) * | 1982-12-03 | 1984-11-06 | Lourens Minnema | Photosensitive polyamic acid derivative, compound used in manufacture of derivative, method of manufacturing substrate having polyimide layer, and semiconductor device made from said method |
DE3246403A1 (de) * | 1982-12-15 | 1984-06-20 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Verfahren zur entwicklung von reliefstrukturen auf der basis von strahlungsvernetzten polymervorstufen hochwaermebestaendiger polymere |
JPH0658534B2 (ja) * | 1983-03-03 | 1994-08-03 | 東レ株式会社 | 化学線感応性重合体組成物 |
EP0119719B1 (de) * | 1983-03-03 | 1987-05-06 | Toray Industries, Inc. | Strahlungsempfindliche Polymermasse |
JPS6042425A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-06 | Toray Ind Inc | 化学線感応性重合体組成物 |
JPS60134236A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ン形成法 |
EP0200680A3 (de) * | 1985-04-11 | 1988-10-05 | Ciba-Geigy Ag | Beschichtetes Material und dessen Verwendung |
JPS62143929A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体薄膜 |
CA1290490C (en) * | 1985-11-20 | 1991-10-08 | Masakazu Uekita | Amphiphilic high polymer and process for producing the same |
EP0237017B1 (de) * | 1986-03-11 | 1995-09-06 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Elektrische oder elektronische Anordnung mit einer dünnen Schicht aus Polyimid |
CA1294731C (en) * | 1986-04-25 | 1992-01-21 | Masakazu Uekita | Copolymeric and amphiphilic polyimide precursor, process for preparing the same and thin film |
US4943471A (en) * | 1986-05-20 | 1990-07-24 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Patterned thin film and process for preparing the same |
CA1302675C (en) * | 1986-05-20 | 1992-06-09 | Masakazu Uekita | Thin film and device having the same |
US4830953A (en) * | 1986-08-18 | 1989-05-16 | Ciba-Geigy Corporation | Radiation-sensitive coating composition with polyazide and polyimide and process of photo-crosslinking the coating |
DE3786628T2 (de) * | 1986-09-04 | 1994-03-24 | Kanegafuchi Chemical Ind | Hoch molekulare, amphiphile, photoempfindliche Photopolymere und Herstellungsverfahren. |
JPS63317553A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリアミド酸系感光性組成物 |
JPH01172454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 放射線感応組成物 |
US4883744A (en) * | 1988-05-17 | 1989-11-28 | International Business Machines Corporation | Forming a polymide pattern on a substrate |
US4908096A (en) * | 1988-06-24 | 1990-03-13 | Allied-Signal Inc. | Photodefinable interlevel dielectrics |
CA2010169A1 (en) * | 1989-02-21 | 1990-08-21 | Masakazu Uekita | Multi-layer resist |
JP2906637B2 (ja) | 1989-10-27 | 1999-06-21 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 |
JP2890213B2 (ja) * | 1991-02-25 | 1999-05-10 | チッソ株式会社 | 感光性重合体組成物及びパターンの形成方法 |
US5851736A (en) * | 1991-03-05 | 1998-12-22 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
US5399460A (en) * | 1991-12-04 | 1995-03-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Negative photoresists containing aminoacrylate salts |
DE4217688A1 (de) * | 1992-05-29 | 1993-12-02 | Basf Lacke & Farben | Durch Einwirkung von Strahlung vernetzendes Gemisch und dessen Verwendung zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Reliefstrukturen |
JP3211108B2 (ja) * | 1992-06-25 | 2001-09-25 | チッソ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP2787531B2 (ja) * | 1993-02-17 | 1998-08-20 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
JP3227892B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2001-11-12 | チッソ株式会社 | シリコン含有ポリアミド酸誘導体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
JPH06308730A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Chisso Corp | 感光性ポリイミド前駆体組成物 |
JP3687988B2 (ja) | 1993-09-03 | 2005-08-24 | 日立化成工業株式会社 | i線ステッパ用感光性樹脂組成物 |
JP3722155B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-11-30 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP3675368B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-07-27 | 日立化成工業株式会社 | レリーフパターン、半導体用バッファコート膜及び多層配線板の層間絶縁膜の製造法 |
US5573886A (en) * | 1994-01-21 | 1996-11-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor and method for making a polyimide film pattern from the same |
JP3004583U (ja) * | 1994-02-15 | 1994-11-22 | 相云 李 | 石材研磨機 |
JP3709997B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2005-10-26 | 日東電工株式会社 | 耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法 |
US5777068A (en) * | 1994-09-13 | 1998-07-07 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Photosensitive polyimide resin composition |
JP3170174B2 (ja) | 1995-04-18 | 2001-05-28 | 日本ゼオン株式会社 | ポリイミド系樹脂組成物 |
US5886136A (en) * | 1995-09-12 | 1999-03-23 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Pattern forming process |
US6160081A (en) * | 1997-10-31 | 2000-12-12 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Photosensitive polyimide resin composition |
TW442688B (en) | 1998-07-15 | 2001-06-23 | Hitachi Ltd | Reflective liquid crystal display device and its manufacture |
EP1219662B1 (de) | 1999-01-21 | 2004-08-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Polyamidsäureester |
KR100414697B1 (ko) | 1999-01-25 | 2004-01-13 | 리카가쿠 겐큐쇼 | 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 반도체장치 |
JP4529252B2 (ja) | 1999-09-28 | 2010-08-25 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
CN1208683C (zh) | 1999-11-30 | 2005-06-29 | 日产化学工业株式会社 | 正型感光性聚酰亚胺树脂组合物 |
KR100422971B1 (ko) | 1999-12-29 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 나프톨 구조를 가진 이온형 광산발생제 및 이를 이용한감광성 폴리이미드 조성물 |
JP4390028B2 (ja) | 2000-10-04 | 2009-12-24 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 |
JP3773845B2 (ja) | 2000-12-29 | 2006-05-10 | 三星電子株式会社 | ポジティブ型感光性ポリイミド前駆体およびこれを含む組成物 |
WO2003038526A1 (fr) | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Kaneka Corporation | Composition de resine photosensible et films et stratifies photosensibles ainsi obtenus |
KR100532590B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-12-01 | 삼성전자주식회사 | 감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및, 이를포함하는 감광성 폴리이드 전구체 조성물 |
US20060199920A1 (en) * | 2003-04-15 | 2006-09-07 | Koji Okada | Photosensitive resin composition capable of being developed with aqueous developer and photosensitive dry film resist, and use thereof |
US7582485B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-09-01 | Kimberly-Clark Worldride, Inc. | Method and device for detecting ammonia odors and helicobacter pylori urease infection |
US7220490B2 (en) * | 2003-12-30 | 2007-05-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide based adhesive compositions useful in flexible circuit applications, and compositions and methods relating thereto |
JP4256806B2 (ja) | 2004-03-17 | 2009-04-22 | 日東電工株式会社 | 感光性樹脂組成物とその利用 |
EP2469337B1 (de) | 2004-05-07 | 2014-01-22 | Hitachi Chemical DuPont MicroSystems Ltd. | Positive lichtempfindliche Harzzusammensetzung, Verfahren zum Bilden eines Musters und elektronische Komponente |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
JP3995253B2 (ja) | 2004-09-28 | 2007-10-24 | Tdk株式会社 | 感光性ポリイミドパターンの形成方法及び該パターンを有する電子素子 |
JP4530284B2 (ja) | 2004-10-07 | 2010-08-25 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP4771412B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂及びその製造方法 |
KR100981830B1 (ko) | 2005-09-22 | 2010-09-13 | 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성방법 및전자부품 |
US20090186295A1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-07-23 | Maw Soe Win | Photosensitive Ink Composition for Screen Printing and Method of Forming Positive Relief Pattern with Use Thereof |
KR20080104308A (ko) * | 2006-03-16 | 2008-12-02 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 함불소 방향족계 수지 조성물 |
JP2008077057A (ja) | 2006-08-21 | 2008-04-03 | Jsr Corp | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品 |
JP4386454B2 (ja) | 2006-08-22 | 2009-12-16 | 信越化学工業株式会社 | アルカリ水溶液に可溶な感光性ポリイミド樹脂、該樹脂を含む組成物、及び該組成物から得られる膜 |
KR101378692B1 (ko) | 2006-08-29 | 2014-03-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는회로 기판 |
JP4336999B2 (ja) | 2007-01-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
KR100833706B1 (ko) * | 2007-02-01 | 2008-05-29 | 삼성전자주식회사 | 감광성 폴리이미드 조성물, 폴리이미드 필름 및 이를 이용한 반도체 소자 |
EP2133743B1 (de) | 2007-03-12 | 2018-01-24 | Hitachi Chemical DuPont Microsystems, Ltd. | Lichtempfindliche harzzusammensetzung, prozess zur herstellung eines strukturierten gehärteten films unter deren verwendung und elektronisches bauteil |
JP5316417B2 (ja) | 2007-10-29 | 2013-10-16 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
US8071273B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Polyimide precursor, resin composition comprising the polyimide precursor, pattern forming method using the resin composition, and articles produced by using the resin composition |
KR101552371B1 (ko) | 2008-03-31 | 2015-09-10 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 염기 발생제, 감광성 수지 조성물, 당해 감광성 수지 조성물을 포함하는 패턴 형성용 재료, 당해 감광성 수지 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 물품 |
KR101187613B1 (ko) * | 2008-06-09 | 2012-10-05 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 폴리아미드 수지, 감광성 수지 조성물, 경화 릴리프 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치 |
JP5333452B2 (ja) | 2008-10-02 | 2013-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 感光性樹脂組成物、およびこれを用いた物品、及びネガ型パターン形成方法 |
JP5381517B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-01-08 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物およびその硬化物 |
WO2010050357A1 (ja) | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Jsr株式会社 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 |
TW201026513A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-16 | Univ Nat Cheng Kung | Imprinting process of polyimide |
JP5585065B2 (ja) | 2009-01-30 | 2014-09-10 | Jsr株式会社 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 |
WO2010095385A1 (ja) | 2009-02-20 | 2010-08-26 | サンアプロ株式会社 | スルホニウム塩,光酸発生剤及び感光性樹脂組成物 |
JP5206977B2 (ja) | 2009-03-12 | 2013-06-12 | 信越化学工業株式会社 | 新規ポリイミドシリコーン及びこれを含有する感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法 |
CN102365341B (zh) | 2009-03-31 | 2014-12-31 | 大日本印刷株式会社 | 碱产生剂、感光性树脂组合物、含有该感光性树脂组合物的图案形成用材料、使用该感光性树脂组合物的图案形成方法以及物品 |
TWI516527B (zh) | 2009-12-10 | 2016-01-11 | 信越化學工業股份有限公司 | 光固化性樹脂組成物,圖案形成法和基板保護膜,以及使用該組成物之膜狀黏著劑及黏著片 |
CN113994257A (zh) | 2019-06-06 | 2022-01-28 | 合肥汉之和新材料科技有限公司 | 感光性聚酰亚胺树脂组合物 |
US11294281B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-04-05 | Hutchinson Technology Incorporated | Chain extenders and formulations thereof for improving elongation in photosensitive polyimide |
JP2023001636A (ja) | 2021-06-21 | 2023-01-06 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 感光性ポリイミド樹脂組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2437348B2 (de) * | 1974-08-02 | 1976-10-07 | Ausscheidung in: 24 62 105 | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
DE2437369B2 (de) * | 1974-08-02 | 1977-05-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL177718C (nl) * | 1973-02-22 | 1985-11-01 | Siemens Ag | Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren. |
DE2326314C2 (de) * | 1973-05-23 | 1983-10-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
JPS5944615B2 (ja) * | 1976-02-16 | 1984-10-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた金属画像形成材料 |
-
1978
- 1978-04-14 JP JP53043288A patent/JPS5952822B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-04-11 DE DE2914619A patent/DE2914619C2/de not_active Expired
- 1979-04-11 US US06/029,154 patent/US4243743A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2437348B2 (de) * | 1974-08-02 | 1976-10-07 | Ausscheidung in: 24 62 105 | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
DE2437369B2 (de) * | 1974-08-02 | 1977-05-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: Polym. Eng. Sci., Vol. 11, No. 5, S. 426-430, September 1971 * |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0065352A2 (de) * | 1981-04-13 | 1982-11-24 | Hitachi, Ltd. | Lichtempfindliche Polymerzusammensetzung |
EP0065352A3 (en) * | 1981-04-13 | 1983-07-20 | Hitachi, Ltd. | Light-sensitive polymer composition |
EP0103225A2 (de) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | MERCK PATENT GmbH | Fotolacke zur Ausbildung von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polymeren |
EP0103225A3 (en) * | 1982-09-13 | 1985-01-16 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Photoresist for creating relief structures on high-temperature resistant polymers |
US4741988A (en) * | 1985-05-08 | 1988-05-03 | U.S. Philips Corp. | Patterned polyimide film, a photosensitive polyamide acid derivative and an electrophoretic image-display cell |
EP0202705A1 (de) * | 1985-05-08 | 1986-11-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Polyimidbildschicht, lichtempfindliche Polyimidsäurederivat und elektrophoretische Anzeigezelle |
EP0254230A2 (de) * | 1986-07-22 | 1988-01-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Wärmebeständiger Photolackfilm |
EP0254230A3 (de) * | 1986-07-22 | 1988-11-23 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Wärmebeständiger Photolackfilm |
US5053316A (en) * | 1988-06-10 | 1991-10-01 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermoplastic elastomer and photosensitive resin composition based thereon, and printing plate precursor comprising the composition |
EP0348063A1 (de) * | 1988-06-10 | 1989-12-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermoplastisches Elastomer und darauf basierende lichtempfindliche Harzzusammensetzung und Druckplattenvorläufer, der die Zusammensetzung enthält |
EP0379377A2 (de) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Chisso Corporation | Verfahren zur Herstellung eines photoempfindlichen wärmebeständigen Polymers |
EP0379377A3 (de) * | 1989-01-18 | 1992-02-26 | Chisso Corporation | Verfahren zur Herstellung eines photoempfindlichen wärmebeständigen Polymers |
EP0418870A2 (de) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | Toray Industries, Inc. | Strahlungsempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
EP0418870A3 (en) * | 1989-09-19 | 1991-08-28 | Toray Industries, Inc. | Radiation sensitive polymer composition |
EP0430221A3 (en) * | 1989-11-30 | 1991-08-21 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition |
EP0430221A2 (de) * | 1989-11-30 | 1991-06-05 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Fotoempfindliche Harzzusammensetzung |
US5238784A (en) * | 1989-11-30 | 1993-08-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer |
EP0453237A2 (de) * | 1990-04-16 | 1991-10-23 | Fujitsu Limited | Photoempfindliche hitzebeständige Harzzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern |
EP0453237A3 (en) * | 1990-04-16 | 1992-09-30 | Fujitsu Limited | Photosensitive, heat-resistant resin composition and pattern formation process |
US6013419A (en) * | 1990-04-16 | 2000-01-11 | Fujitsu Limited | Process for using photosensitive, heat-resistant resin composition to form patterns |
US6045975A (en) * | 1990-04-16 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Photosensitive, heat-resistant resin composition for forming patterns |
EP0531019A1 (de) * | 1991-08-20 | 1993-03-10 | Toray Industries, Inc. | Photoempfindliche Zusammensetzungen mit Polyimidvorstufen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0538716A1 (de) * | 1991-10-25 | 1993-04-28 | International Business Machines Corporation | Photoempfindliche Polyimidvorläufer-Zubereitung |
EP0547555A2 (de) * | 1991-12-16 | 1993-06-23 | Occidental Chemical Corporation | Photovernetzbare Polyimidammoniumsalze |
EP0547555A3 (en) * | 1991-12-16 | 1993-12-01 | Occidental Chem Co | Photocrosslinkable polyimide ammonia salts |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54145794A (en) | 1979-11-14 |
DE2914619C2 (de) | 1986-01-30 |
JPS5952822B2 (ja) | 1984-12-21 |
US4243743A (en) | 1981-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2914619A1 (de) | Lichtempfindliches material | |
DE69704294T2 (de) | Positiv arbeitende, fotoempfindliche Harzzusammensetzung und Halbleiteranordnung mit dieser Zusammensetzung | |
DE69231563T2 (de) | Photoempfindliche Zusammensetzungen mit Polyimidvorstufen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0138768B1 (de) | Strahlungsempfindliche Polykondensate, Verfahren zu deren Herstellung, beschichtetes Material und dessen Verwendung | |
DE3139909C3 (de) | Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches und eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials zur Bildung einer Lötmaske | |
EP0026820B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
DE2437348A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen | |
EP0339306B2 (de) | Verwendung eines lichtempfindlichen Gemischs mit Carboxylgruppen enthaltenden Bindemitteln zur Bildaufzeichnung | |
DE60032943T2 (de) | Imid-benzoxazolpolykondensat sowie verfahren zur herstellung | |
EP0450189A2 (de) | Hochwärmebeständige Negativresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen | |
EP0048219B1 (de) | Verwendung von flexiblem Basismaterial zur Herstellung von gedruckten Schaltungen | |
EP0157930B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Polyimid- und Polyisoindolochinazolindion-Reliefstrukturen | |
DE69922155T2 (de) | Vorläufer einer photoempfindlichen harzzusammensetzung und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69504115T2 (de) | Hitzebeständige, negativ-arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat und Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters | |
EP0333655A2 (de) | Negativ-Fotoresists vom Polyimid-Typ mit 1,2-Disulfonen | |
EP0041678B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
DE69414787T2 (de) | Photoempfindliche Harzzusammensetzung | |
EP0026821B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
EP0143380B1 (de) | Fotoresist-Zusammensetzungen | |
DE3411714A1 (de) | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen | |
EP0026299B1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen, danach hergestellte Reliefstrukturen und deren Verwendung | |
EP0188205A2 (de) | Polyamidester-Fotoresist-Formulierungen gesteigerter Empfindlichkeit | |
DE2457882C3 (de) | ||
CH617950A5 (de) | ||
DE3906684A1 (de) | Hitzebestaendige und photoempfindliche, aromatische polyamidharze und verfahren zu ihrer herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |