DE2618246A1 - Verfahren zur herstellung hochmolekularer organosiliciumverbindungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung hochmolekularer organosiliciumverbindungenInfo
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Description
TD„ Bf Γ* Patentanwälte:
IEDTKE - DÜHLING " IVlNNE - CIRUPE Dipl.-Ing.Tiedtke
Dipl.-Chem. Bühling Dipl.-Ing. Kinne
8000 Manchen2, Postfach202403
Bavariaring 4
Tel.: (0 89)53 96 53-56
Telex: 5 24845 tipat
cable. Germaniapatent München
26. April 1976 B 7321
case 50-50,223
THE RESEARCH INSTITUTE FOR IROtJ7 STEEL AND OTHER
METALS OF THE TOHOKU UNIVERSITY
Sendai City, Japan
METALS OF THE TOHOKU UNIVERSITY
Sendai City, Japan
Verfahren zur Herstellung hochmolekularer Organosiliciumverbindungen
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung hochmolekularer Organosiliciumverbindungen, welche Silicium und
Kohlenstoff als Bestandteile des Grundgerüstes aufweisen, aus Organosiliciumverbindungen
mit einem Polysilanhauptgerüst und den hochmolekularen Organosiliciumverbindungen.
Es ist bekannt; daß hochmolekulare Organosiliciumverbindungen
mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes aus Organosiliciumverbindunqen mit einem Polysilanhauptgerüst
hergestellt werden.
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Ferner ist es bekannt, daß Organosiliciumpolymere mit Silicium
und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes aus Monosilanen
durch thermische Zersetzung hergestellt werden, jedoch ist es niemals versucht worden, Siliciumcarbid durch Wärmebehandlung
dieser Organisiliciumpolymeren herzustellen.
Es wurde nun gefunden, daß bisher nicht verwendete ausgewählte Ausgangsmaterialien durch thermische Polykondensationsreaktion
in ein Gemisch von linearen Polycarbosilanen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes, cyclischen
Polycarbosilanen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan
und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander gebunden sind,
übergeführt werden können.
Die so erhaltenen Polycarbosilangemische können als Ausgangsmaterial
zur Herstellung von Siliciumcarbxdfasern mit höherer Zugfestigkeit als Klavierdraht und Siliciumcarbxdformlxngen mit
einer bemerkenswert hohen Zugfestigkeit verwendet werden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen Organosiliciumverbindungen mit Silicium und
Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes, wobei mindestens eine der Organosiliciumverbindungen mit einem Polysilanhauptgerüst,
ggf. unter Zugabe von weniger als 10 % eines Radikalinitiators, unter mindestens einer Atmosphäre eines Inertgases und Wasserstoff
gas oder unter Vakuum, ggf. unter Druck, erhitzt wird.
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Die Erfindung wird nachstehend im einzelnen erläutert:
Gemäß der Erfindung kann mindestens eine der nachstehend aufgeführten Organosiliciumverbindungen mit einem Polysilanhauptgerüst
als Ausgangsmaterial verwendet werden.
Als Organosiliciumverbindungen kommen folgende in Betracht :
Cyclische Polysilane der allgemeinen Formel:
(R1 * R2 * Si)n, n>4,
worin R1 und R2 Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe,
eine Silylgruppe oder Halogen bedeuten.
eine Silylgruppe oder Halogen bedeuten.
Lineare Polysilane der allgemeinen Formel:
Si -- R, η > 2
/ι =
worin R1, R~ , R-, und R. Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe,
eine Sinylgruppe oder Halogen bedeuten.
In den gemäß der Erfindung verwendeten cyclischen PoIysilanen
ist η ^ 4, da die Herstellung der cyclischen Polysilane,
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in denen η 3 ist, schwierig ist, während die cyclischen Polysilane, worin η 6 ist
und R. und R- Methy!gruppen sind, sich technisch leicht herstellen
lassen und die Polysilane, mit η = 5 und R1 und R2 gleich Arylgruppen
ebenfalls technisch leicht herstellbar sind. Jedoch sind gemäß der Erfindung als Ausgangsmaterial die cyclischen Polysilane,
in denen R und R2 jeweils Wasserstoff oder eine Alkylgruppe, oder
eine Arylgruppe oder .eine Silylgruppe sind, bevorzugt. Es kann auch
ein Gemisch aus verschiedenen cyclischen, Polysilanen verwendet werden.
In den gemäß der Erfindung verwendeten linearen Polysilanen bedeuten R , R-, R., und R. Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine
Arylgruppe, eine Silylgruppe und/oder ein Halogenatom und ist η >
2. Die linearen Polysilane, in denen R. bis R4 Methylgruppen
sind, lassen sich am leichtesten herstellen.
Ferner kann das jemäß der Erfindung verwendete Ausgangs- *
material ein Gemisch aus dem vorstehend beschriebenen cyclischen Polysilan und linearen Polysilan sein.
Durch das Verfahren der Erfindung wird ein Gemisch aus a) linearen Polycarbosilanen, b) cyclischen Polycarbosilanen und c)
Polycarbosilanen, worin das lineare Carbosilan und das cyclische
Carbosilan chemisch miteinander verbunden sind, hergestellt. Die linearen Polycarbosilane besitzen folgende Strukturformel:
R1 R2
I I
Si-C
Si-C
,δ09846/%903
iC4 R3
worin R1 bis R. die vorstehend angegebene Bedeutung besitzen.
Einige Ausführungsformen für die Strukturformel der cyclischen Polycarbosilane sind nachstehend aufgeführt:
CH
CH
CH2 CH2
CH3 - Si
CH, CIU
CH.
CH3 - .Si
CH.
CH-, XH.
/
Si
Si
CH3 CH2 CH3
(III)
ΓΗ
CH
Si - CH,
CH
3/\
CH.
CH
CII)
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CH
(IV)
Die Polysilane, in denen das lineare Carbosilan und das cyclische Carbosilan chemisch miteinander gebunden sind, können
beispielsweise wie folgt dargestellt werden:
CH.
CH.
CH--Si
Si
CH,
CH.
CH.
CH.
CH
Si-CH7-Si-CH9-Si-CH9-Si-CH,
2I ·2Ι 2I
CH
CH
CH
CV)
CH.
Si
CH.
CH.
CH.
CH,
3 |"3 Si-CH2-Si-CH2-Si-CH3
CH3 CH
rvr;
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Gemäß der Erfindung können nötigenfalls weniger als 10 %
eines Radikalinitiators zu dem vorstehend beschriebenen Ausgangsmaterial hinzugegeben werden. Als Radikalinitiator können Benzoylperoxid,
ditert.-Butylperoxyoxalat, ditert.-Butylperoxid, Azoisobutyronitril
u.dgl. verwendet werden. Gemäß der Erfindung ist der. Radikalinitiator nicht unbedingt erforderlich, jedoch kann die Verwendung
des Radikalinitiators die Reaktionsstarttemperatur in der Erhitzungsstufe herabsetzen oder das durchschnittliche Molekulargewicht
des Polykondensationsproduktes erhöhen.
Die Reaktion der Erfindung benötigt nicht unbedingt Druck, da sich über der thermischen Polykondensationsreaktion naturgemäß
Druck ausbildet; wenn jedoch absichtlich ein Druck angelegt wird, wird das Ausgangsmaterial in einen Druckkessel gegeben und die
Reaktion unter einem Druck von 1 bis 100 Atmosphären bei einer Temperatur von etwa 300 bis 700°C, vorzugsweise 350 bis 500°C,
ausgeführt.
Unter den beschriebenen Reaktionsbedingungen spaltet sich in den linearen Polysilanen und cyclischen Polysilanen die
·£ Si- Sij^- Bindung auf, und es bildet sich ein freies Siliciumradikal,
wodurch die Reaktion gestartet wird. Das gebildete freie Siliciumradikal zieht Wasserstoff aus der Methylgruppe ab unter Bildung
eines freien Kohlenstoffradikals, und es wird eine Si-an Si-Bindung
auf das gebildete freie Kohlenstoffradikal übertragen, und zwischen
den beiden Si-Atomen tritt das -CHp- Radikal unter Bildung des
Carbosilangruhdgerüstes ein, und die verbleibenden -Fsi-Sij
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— ft —
Bindungen spalten sich nacheinander ab, wobei schließlich die vorstehend
beschriebenen hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gebildet werden. Dieser Reaktionsmechanismus kann wie folgt dargestellt
werden:
CH.
--Si-Si-Si--
--Si— +
CH-
3I
• Si-Si--
(D
•Si·
CH.
+ --Si-Sx-Si--
•CH.
-Si-H + --Si-Si-Si--
(2)
CH.
-SiJ-Si-SiI-i 11 ι
-Si-CH2-Si-Si
(3)
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Die vorstehend gegebene Erklärung ist anhand des Reaktionsmechanismus für das lineare Polysilan gegeben, jedoch findet der
Reaktionsmechanismus in dem cyclischen Polysilan in gleicher Weise statt.
In Fig. 1 ist die Relation von Erhitzungstemperatur zur Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen dargestellt, wenn Dodecamethylcyclohexasilan
(Me„Si), unter Argonatmosphäre und einem Druck von
etwa 40 Atmosphären 48 Stunden lang erhitzt wird. Aus Fig. 1 ist ersichtlich, daß die hochmolekularen Organosxlxciumverbindungen in
der höchsten Ausbeute innerhalb des Temperaturbereiches von 350 bis 500°C erhalten werden können. Nachdem die Reaktion vollständig beendet
ist, worauf der Reaktionsbehälter geöffnet wird, werden die als Nebenprodukte gebildeten flüchtigen Verbindungen verdampft. Die
genannten flüchtigen Verbindungen bestehen aus Wasserstoff, niedrig—molekularen
Kohlenwasserstoffen und niedrig—molekularen Organosiliciumverbindunge.
Das nicht verdampfte verbleibende Reaktionsprodukt besteht hauptsächlich aus den hochmolekularen Organosxliciiriverbindungen
mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hatratgerüstes.
Die hochmolekularer« Organosiliciumverbindungen gemäß der
Erfindung mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Haupfegerüstes
können kontinuierlich hergestellt werden e indem mindestens
ein Strom aus den beschriebenen cyclischen und linearen Polysilane^
susammen mit mindestens einer Atmosphäre eines Inertgases und Wasserstoff
in eins geheist®.Esaktionskolonns geleitet wird, _ um die
Polysilane ^u erhitzen und iüdsa öie gebildeten hochmolekularen
Verbindungen aus der Reaktionskolonne entnommen werden. In diesem
Fall werden die als Nebenprodukte gebildeten niedrig—molekularen
Verbindungen in die Reaktionskolonne im Kreislauf zurückgeführt, wobei die thermische Polykondensationsreaktion nochmalig unter Gewinnung
der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gemäß der Erfindung durchgeführt wird.
Eine Ausfuhrungsform der Vorrichtung zur Herstellung der
hochmolekularen Organosiliciumverbindungen wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert. In Fig. 2 wird das Ausgangsmaterial in eine
geheizte Reaktionskolonne 2 durch ein Ventil 1 eingeführt und bei einer Temperatur von 300 bis 2000°C, vorzugsweise 500 bis 12000C
erhitzt, worauf ein Teil der gebildeten hochmolekularen Organosiliciumverbindungen
in dem Reaktionsprodukt aus der Reaktionskolonne durch ein Ventil 3 entnommen und ein größerer Teil der gebildeten
hochmolekularen Organosiliciumverbindungen und die in der Reaktionskolonne 2 gebildeten niedrig—molekularen Verbindungen in
eine Trennkolonne 5 durch ein Ventil 4 geleitet werden, worin destilliert wird, um Gas von den hochmolekularen Verbindungen zu
trennen, worauf das abgetrennte- Gas aus der Trennkolonne durch ein
Ventil 6 und die abgetrennten hochmolekularen Verbindungen aus der Trennkolonne durch ein Ventil 7 entnommen werden» Die in Kolonne
abgetrennten niedrig-molekularen Verbindungen werden in die geheizte Reaktionskolonne 2 durch ein Ventil 8 im Kreislauf geführt.
Die Molakularstruktur dsr so gebildeter- hochmolekularen
Grgs.nC'Silici'omvsrbindungsri ;-;urds äurch kernmagnetisches Resonanz-3Ütζ:rptL2nsspsktxum
unci Ulirirotabserj^ionsspektrum bestimmt und es
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wurde gefunden, daß ein größerer Teil von-£si-Sij Bindungen verschwindet
und die Anwesenheit von -[-Si-Cj Bindungen festzustellen
war. Außerdem wurde die Struktur der gebildeten Polycarbosilane
durch Röntgenstrahlenbeugung bestimmt. Als Ergebnis zeigte das. Röntgenbeugungsmuster einer durch Spinnen des Polycarbosilans er-·
haltenen Paser, daß das Polycarbosilan eine amorphe hochmolekulare
Verbindung ist, wie die Fig. 3 zeigt.
Das durchschnittliche Molekulargewicht der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen wurde mit Hilfe einer Molekulargewichtsmeßapj.
aratur bestimmt. Das durchschnittliche Molekulargewicht variiert in Abhängigkeit von dem Ausgangsmaterial·, der Erhitzungstemperatur und der Erhitzungszeit und liegt verteilt zwischen 300
und 50 000. Die Molekulargewichtsverteilung von beispielsweise Polycarbosilan, das durch Erhitzen von Dimethylpolysilan bei 46O°C
während 14 Stunden in einem Autoklaven und anschließende Konzentration des Reäktionsproduktes bis zu 200°C unter Vakuum erhalten
wurde, ist in Fig. 4 gezeigt. Diese Darstellung zeigt, daß die hauptsächliche Verteilung des Molekulargewichtes des Polycarbosilans
zwischen 200 und 4 000 liegt. Diese Molekulargewichtsverteilung variiert in Abhängigkeit von Temperatur und Zeit bei der
Herstellung der Polycarbosilans. .
Die Molekulargewichtsverteilung der vorstehend beschrie-,
benen Polycarbosilane, hergestellt bei einer Temperatur von 47O°C während 16 Stunden und durch Konzentration bis zu 200°C unter
• Vakuum ist in Fig. 5 gezeigt. In diesem Fall ist das Molekulargewicht in einem weiten Bereich verteilt zwischen 2000 und 50 000,
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und die Ausbeute eines anorganischen Produktes, erhalten durch Erhitzen
von Polycarbosilan dieses Molekulargewichts, erreicht 75 %.
Die grundmolare Viskosität der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen
beträgt 0,005 bis 1,50.
Selbst wenn·die Menge von zugegebenem Radikalinitiator,
falls erforderlich, im Falle der Erfindung 10 % überschreitet, ist der zusätzliche Effekt nicht besonders erhöht, so daß eine solche
Zugabe nicht wirtschaftlich ist; vielmehr ist die am meisten bevorzugte Menge 0,01 bis 1 %.
Wenn Sauerstoff in der thermischen Polykondensationsreaktion vorhanden ist, tritt die Radikalpolymerisationsreaktion infolge
des Sauerstoffes nicht ein, oder, falls die Polymerisationsreaktion eintritt, stoppt sie im Verlaufe der Reaktion, so daß die
Polykondensationsreaktion unter mindestens einer Atmosphäre eines'
Inertgases und Wasserstoffgas oder unter Vakuum durchgeführt werden
muß.
Das durchschnittliche Molekulargewicht der nach dem Verfahren der Erfindung erhaltenen Produkte ist verteilt zwischen 300
und 50 000, wie vorstehend beschrieben, worin die niedrig molekularen Verbindungen enthalten sind. Wenn es beabsichtigt ist, SiIiciumcarbidfasern
aus den Polycarbosilanen herzustellen, müssen die niedrig molekularen Verbindungen entfernt werden.
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Wenn das Verfahren der Erfindung unter Druck oder in einem versiegelten Gefäß durchgeführt wird, sind die als Nebenprodukte
gebildeten niedrig-molekularen Verbindungen in dem gebildeten Produkt enthalten, jedoch die Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen
erhöht. Während die Menge an in den Produkten enthaltenen niedrig""itiolekularen Verbindungen klein wird, wenn die Polykondensationsreaktion
unter der Bedingung durchgeführt wird, daß die als Nebenprodukte gebildeten niedrig molekularen Verbindungen verdampfen
können, sinkt jedoch die Ausbeute an hochmolekularen Verbindungen ab·
Nachstehend wird die Erfindung kurz beispielsweise unter Bezugnahme auf einen Fall erläutert, in welchem Siliciumcarbidfasern
aus den hochmolekularen Organosiliciumverbindungen, die durch, das Verfahren der Erfindung erhalten wurden, hergestellt wurden«
Die niedrig molekularen Verbindungen, die in den genannter,
hochmolekularen Organosiliciumverbindungen enthalten sind, weräen mit einem Lösungsmittel, in welchem die niedrig-molekularen Verbindungen löslich sind, extrahiert, die rückständigen hochmolekularen
Verbindungen werden in einem Lösungsmittel gelöst oder erhitzt und unter Bildung einer Spinnlösung geschmolzen, wobei die
Spinnlösung in für das Spinnen synthetischer Harze zu Fäden üblicher
Weise versponnen wird. Danach werden die gesponnenen Fäden unter Vakuum erhitzt, um die rückgebliebenen niedrig-molekularen Verbindungen zu verdampfen und dann bei einer höheren Temperatur unter
Vakuum oder unter einer Atmosphäre eines Inertgases, CO-Gases und Wasserstoffgases unter Bildung von Siliciumcarbidfasern gebrannt.
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Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachstehend auf die Zeichnungen Bezug benommen.
Fig. 1 zeigt die Beziehung der Ausbeute der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen zu der Temperatur bei der thermischen
Polykondensation, wenn Dodecamethylcyclohexasilan als Ausgang
smate rial verwendet wurde.
Fig. 2 zeigt eine Ausfuhrungsform einer Vorrichtung zur
Herstellung der hochmolekularen Organosiliciumverbindungen.
Fig. 3 zeigt ein Röntgenstrahlenbeugungsmuster von PoIycarbosilan# nachdeirt
es zu Fäden versponnen wurde.
Fig. 4 und 5 zeigen die Molekulargewichtsverteilungen der jeweiligen Polycarbosilane.
Die Erfindung wird im einzelnen anhand der folgenden Beispiele näher erläutert.
10 g Dodecamethylcyclohexasilan £ (Me3Si) gJiurden in einen
Autoklaven eingeführt, worauf Luft in dem Autoklaven mit Argongas aufgespult wurde. Dann wurde die thermische Polykondensation bei
43O°c 48 stunden lang unter etwa 40 Atmosphären Druck ausgeführt,
wobei die hochmolekularen Grg&ncsilioiunr/erbindungen erhalten wurden.
Das resultierende Produkt wurds bei Raumtemperatur abkühlen
609846/0903 :· #}V
gelassen und mit Äther versetze» Die gebildete Ätherlösung wurde
aus dem Autoklaven entnommen. Äther wurde verdampft, wobei 6,6 g
eines Feststoffes erhalten wurden. Das durchschnittliche Molekulargewicht des Produktes betrug mehr als 1500« Dieser Feststoff wurde
in Benzol gelöst, und die resultierende Benzollösung konnte zu Fäden versponnen werden.
10g linearen Polydimethylsilans,. das aus Dimethyldichlorsilan
synthetisiert worden war, wurden in einen Autoklaven gegeben und bei 42O°C 48 Stunden lang unter einem Druck von etwa
30 Atmosphären unter Argongas erhitzt, wobei die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen erhalten wurden. Das Reäktionsprodukt
wurde in Äther gelöst, und der unlösliche Anteil wurde entfernt, während Äther aus der Ätherlösung verdampft wurde. Hierbei wurden
4,3 g eines Feststoffes erhalten. Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 5000 bis 15 000. Dieses Produkt
wurde in Benzol gelöst, und die resultierende Lösung konnte in einem Trockenverfahren zu Fäden versponnen werden.
Zu 10 g Octaphenylcyclotetrasilan wurden zu 0,1 g Benzoylperoxid
gegeben, und das Gemisch wurde in einen Autoklaven gegeben und bei 37O°C 24 Stunden lang unter einem Druck von etwa 35 Atmosphären
unter Argongas erhitzt. Nach Beendigung der Reaktion wurde das resultierende Produkt in Hexan gelöst, und die Lösung wurde
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aus dem Autoklaven entnommen und filtriert, worauf Hexan verdampft
wurde. Hierbei wurden 7,1 g einer festen hochmolekularen Verbindung erhalten. Das . urclischnittliehe Molekulargewicht dieses Produktes
lag über 8 000. Diese feste hochmolekulare Verbindung wurde in Benzol gelöst, und die Lösung konnte in einem Trockenverfahren zu
Fäden versponnen werden. Die gebildeten Fasern waren bis zu 45O°C bei der Hitzebehandlung unter Argonatmosphäre stabil.
10 g eines Gemisches von cyclischen Dimethylpolysilanen (Me?Si)c und (Me^Si)fi und 0,5 g Azoisobutyronitril wurden in einen
Autoklaven gegeben und bei 400°C 12 Stunden lang unter einem Druck von etwa 80 Atmosphären unter Argongas erhitzt. Nach Beendigung
der Reaktion wurde das Reaktionsprodukt in Benzol gelöst und die resultierende Benzollösung wurde aus dem Autoklaven entnommen und
filtriert. Die Benzollösung wurde unter reduziertem Druck zur Verdampfung von Benzol destilliert, wobei 4,8 g einer festen hochmolekularen
Verbindung erhalten wurden. Das durchschnittliche Molekulargewicht des reduzierenden Produktes betrug 7000 bis 8000, und eine
Lösung dieses Produktes in Benzol konnte in einem Trockenverfahren zu Fäden versponnen werden.
10 g eines Gemisches von cyclischen Diphenyleilanen (Ph3Si)4
und (Ph3Si)5 und linearem Polydiphenylsilan wurden in einen Autoklaven
gegeben und die Luft in dem Autoklaven mit Argongas ausgespült. Dann wurde die Polykondensation bei 380 C 50 Stunden lang
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unter einem Druck von etwa 60 Atmosphären durchgeführt. Nach Beendigung
der Reaktion wurde Benzol in den Autoklaven hinzugegeben, um das Reaktionsprodukt aufzulösen. Die resultierende Benzollösung
wurde aus dem Autoklaven entnommen und unter reduziertem Druck konzentriert, wobei 6,9 g eines festen Produktes erhalten wurden.
Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 1500 bis 3000. Dieses feste Produkt wurde in Benzol gelöst, und
die Benzollösung konnte zu Fäden versponnen werden. Die gebildeten Fäden waren bis zu 450 C bei der Hitzebehandlung unter Vakuum
stabil.
Die hochmolekularen Organosiliciumverbindungen gemäß der
Erfindung wurde aus Hexamethyldisilan unter atmosphärischem Druck hergestellt, wobei die in Fig. 2 gezeigte Vorrichtung verwendet
wurde. Es wurde ein Hexamethyldisilanstrom zusammen mit Argongas bei einer Zufuhrgeschwindigkeit von 1 l/h in eine auf 85O°C erhitzte
Reaktionskolonne eingeführt. Das eingeführte Hexamethyldisilan wurde einer Zersetzungsreaktion und einer Polykondensationsreaktion
in der erhitzten Reiaktionskolonne unterworfen, um die
hochmolekularen Verbindungen zusammen mit niedrig—molekularen Verbindungen
herzustellen. Ein Teil der gebildeten hochmolekularen Verbindungen wurden aus der Reaktionskolonne entnommen und ein größerer
Teil der hochmolekularen Verbindungen wurde in eine Trennkolonne zusammen mit den niedrig molekularen Verbindungen in der Kolonne
eingeführt, worin das Gas und die niedrig—molekularen Verbindungen
aus den hochmolekularen Verbindungen abgetrennt wurden. Die abge-
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trennten niedrig—molekularen Verbindungen wurden im Kreislauf in
die erhitzte Reaktionskclonne zurückgeführt. Nach Durchführung
dieser Arbeitsweise während 10 Stunden wurden 5,4 kg der hochmolekularen
Verbindungen erhalten. Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Produktes betrug 3500. Dieses Produkt konnte durch Erhitzen
bei 68 C versponnen werden.
100 g lineares Polysilan wurden in ein Quarzreaktionsgefäß eingeführt und unter Erhitzung bei 35OCC während 5 Stunden zirkuliert
und dann allmählich auf 470 C erhitzt, während die verdampfte Fraktion entfi. rnt wurde. Danach wurde gekühlt. Das Reaktionsprodukt
wurde in η-Hexan gelöst, und die resultierende Lösung wurde aus dem Reaktionsgefäß entnommen und filtriert und dann mittels einer
Saugvorrichtung konzentriert um η-Hexan zu entfernen. Dann wurde
weiter mit einer Vakuumpumpe konzentriert, um η-Hexan vollständig zu entfernen, wobei 43g der hochmolekularen Verbindungen erhalten
wurden. Das durchschnittliche Molekulargewicht des Produktes betrug 980 und die grundmolare Viskosität war 0,17. Wenn dieses Produkt
bis zu 1300°C bei einer Temperatursteigungsgeschwindigkeit von 250 C/h unter Vakuum gebrannt wurde, wurde eine Ausbeute von 61%
SiC erhalten.
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Claims (5)
- PateritansprücheVerfahren zur Herstellung von hochmolekularen Organosiliciumverbindungen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes, bestehend aus einem Gemisch von linearen Polycarbosilanen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes, cyclischen Polycarbosilanen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander gebunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens eine Organosilicxumverbindung mit einem Polysilangrundgerüst durch Erhitzen bei einer Temperatur von 300 bis 2000°C unter mindestens einer Atmosphäre eines Inertgases und Wasserstoffgas oder unter Vakuum thermisch zersetzt und polykondensiert, wobei als Organosiliciumverbindung ein oder mehrere cyclische Polysilane der Formel(R1** Si)n,worin R- und R„ ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Silylgruppe oder ein Halogenatom bedeuten, und/oder ein oder mehrere lineare Polysilane der Formelι1Si R,η > 2609846/0903worin R , R^ / R3 und R4 ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgiuppe, eine'Silylgruppe oder ein Halogenatom bedeuten, einsetzt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zu der als Ausgangsverbindung eingesetzten Organosiliciumverbindung weniger als 10 % eines Radikalinitiators hinzugegeben werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Radikalinitiator Benzoylperoxid, ditert.-Butylperoxyoxalat, ditert.-Butylperoxid oder Azoisobutyronitril verwendet werden.
- 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Zersetzungs-und PoIykondensationsreaktion unter einem Druck von 1-100 Atmosphären bei einer Temperatur von 300 bis 700°C durchgeführt wird.
- 5. Hochmolekulare Organosiliciumverbindungen, bestehend aus einem Gemisch von linearen Polycarbosilanen, mit Silicium und Kohlen stoff als Bestandteile des Hauptgerüstes, cyclischen Polycarbosilanen mit Silicium und Kohlenstoff als Bestandteile des Hauptgerüstes und Polycarbosilanen, in denen lineares Carbosilan und cyclisches Carbosilan chemisch miteinander gebunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungen im amorphen Zustand vorliegen und ein durchschnittliches Molekulargewicht von 300 bis 50 000 sowie eine grundmolare Viskosität von 0,005 bis 1,50 besitzen.609846/0903
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2846529A1 (de) * | 1977-10-26 | 1979-05-03 | Res Inst For Special Inorganic | Polycarbosilan, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung als material zur herstellung von siliciumcarbid |
DE2903492A1 (de) * | 1978-01-31 | 1979-08-02 | Res Inst For Special Inorganic | Verfahren zur herstellung von hitzebestaendigen, keramischen sinterkoerpern |
DE3444306A1 (de) * | 1983-12-05 | 1985-06-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Borsiliciumorganisches polymeres und herstellungsverfahren dafuer |
DE4302211A1 (de) * | 1992-12-22 | 1997-09-04 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von im wesentlichen polykristallinen Siliciumcarbidfasern |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54101525A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-10 | Tokai Konetsu Kogyo Kk | Method of making heater of silicon carbide |
CA1121971A (en) * | 1978-05-30 | 1982-04-20 | Dow Corning Corporation | Method for preparing silicon carbide |
JPS554040A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Hitachi Ltd | Photoconductive material |
US4310651A (en) * | 1979-03-26 | 1982-01-12 | Dow Corning Corporation | Method for preparing silicon carbide |
JPS5671642U (de) * | 1979-11-02 | 1981-06-12 | ||
DE3070473D1 (en) * | 1979-11-21 | 1985-05-15 | Ube Industries | Polymetallocarbosilane, process for its production and shaped articles of inorganic carbide derived therefrom |
JPS5674127A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Production of organosilicon polymer |
US4260780A (en) * | 1979-11-27 | 1981-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation |
JPS56147827A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-17 | Seishi Yajima | Organometallic polymer and its preparation |
US4298558A (en) * | 1980-07-23 | 1981-11-03 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
US4310481A (en) * | 1980-07-23 | 1982-01-12 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
USRE31447E (en) * | 1980-07-23 | 1983-11-22 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
US4310482A (en) * | 1980-07-23 | 1982-01-12 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-polymers |
US4298559A (en) * | 1980-07-23 | 1981-11-03 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide from alkylated or arylated pre-ceramic polymers |
US4314956A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-09 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
US4291167A (en) * | 1980-07-28 | 1981-09-22 | Nalco Chemical Company | Preparation of tetramethyldisilane from 1,2-tetramethyldichlorodisilane |
JPS6046131B2 (ja) * | 1980-11-11 | 1985-10-14 | 宇部興産株式会社 | ポリカルボシランの製造法 |
US4414403A (en) * | 1980-11-21 | 1983-11-08 | Union Carbide Corporation | Branched polycarbosilanes and their use in the production of silicon carbide |
CA1167216A (en) * | 1980-12-18 | 1984-05-15 | Kiyohito Okamura | Continuous inorganic fibers and process for production thereof |
US4324901A (en) * | 1981-04-29 | 1982-04-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Soluble polysilastyrene and method for preparation |
US4590253A (en) * | 1981-08-26 | 1986-05-20 | Kurosaki Refractoris Co., Ltd. | Organosilicon polymer and process for production thereof |
DE3136786A1 (de) * | 1981-09-16 | 1983-04-07 | Kurosaki Refractories Co., Ltd., Kitakyushu, Fukuoka | "siliciumorganisches polymeres und verfahren zu dessen herstellung" |
US4497787A (en) * | 1982-03-23 | 1985-02-05 | Union Carbide Corporation | Branched polycarbosilanes and their use in the production of silicon carbide |
JPS59174575A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-03 | 日本曹達株式会社 | 炭化ケイ素成形体の製造方法 |
US4472591A (en) * | 1983-03-28 | 1984-09-18 | Union Carbide Corporation | Hydrosilyl-modified polycarbosilane precursors for silicon carbide |
US4608242A (en) * | 1983-03-28 | 1986-08-26 | Union Carbide Corporation | Hydrosilyl-modified polycarbosilane precursors for silicon carbide |
US4783516A (en) * | 1983-03-31 | 1988-11-08 | Union Carbide Corporation | Polysilane precursors containing olefinic groups for silicon carbide |
US4537942A (en) * | 1984-02-10 | 1985-08-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers |
US4588801A (en) * | 1984-04-05 | 1986-05-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Polysilane positive photoresist materials and methods for their use |
US4587205A (en) * | 1984-04-05 | 1986-05-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of using polysilane positive photoresist materials |
US4631179A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-23 | Ethyl Corporation | Process for the production of silicon carbide by the pyrolysis of a polycarbosilane polymer |
EP0212485A3 (de) * | 1985-08-16 | 1988-06-15 | Teijin Limited | Verfahren zur Herstellung von geformten Siliziumkarbidgegenständen |
GB2198446B (en) * | 1986-03-11 | 1990-05-30 | Foundation Res Inst | Organopolyarysilane, process for its production, and fibers prepared therefrom |
US4737552A (en) * | 1986-06-30 | 1988-04-12 | Dow Corning Corporation | Ceramic materials from polycarbosilanes |
US4820788A (en) * | 1986-10-31 | 1989-04-11 | John M. Zeigler | Poly(silyl silane)homo and copolymers |
US5039593A (en) * | 1986-10-31 | 1991-08-13 | Zeigler John K | Poly(silyl silane) homo and copolymers |
GB8629593D0 (en) * | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dow Corning Ltd | Polysilanes |
US4847027A (en) * | 1987-07-06 | 1989-07-11 | Dow Corning Corporation | Infusible preceramic polymers via nitric oxide treatment |
FR2617854B1 (fr) * | 1987-07-10 | 1989-10-27 | Rhone Poulenc Chimie | Composition a base d'un nouveau polycarbosilane, sa preparation et son application a la fabrication de produits et articles ceramiques a base de carbure de silicium |
US4761458A (en) * | 1987-08-17 | 1988-08-02 | Dow Corning Corporation | Preceramic polycarbosilane derivatives |
US4800221A (en) * | 1987-08-25 | 1989-01-24 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide preceramic polymers |
US4942011A (en) * | 1988-05-03 | 1990-07-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing silicon carbide fibers |
US4897229A (en) * | 1988-10-12 | 1990-01-30 | Teijin Limited | Process for producing a shaped silicon carbide-based ceramic article |
US5013609A (en) * | 1989-02-06 | 1991-05-07 | Ethyl Corporation | Ceramic products derived from polycarbosilanes and boroxines |
US4873353A (en) * | 1989-02-06 | 1989-10-10 | Ethyl Corporation | Preceramic compositions and ceramic products |
US5247028A (en) * | 1989-06-01 | 1993-09-21 | Kali-Chemie Ag | Halogenated polycarbosilanes and processes for preparing them |
US5223461A (en) * | 1989-06-05 | 1993-06-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Ceramic silicon-boron-carhon fibers from organic silicon-boron-polymers |
US5071600A (en) * | 1990-01-16 | 1991-12-10 | Dow Corning Corporation | Preparation of substantially crystalline silicon carbide fibers from polycarbosilane |
US5051215A (en) * | 1990-03-21 | 1991-09-24 | Dow Corning Corporation | Curing preceramic polymers by exposure to nitrogen dioxide |
US5292830A (en) * | 1991-06-20 | 1994-03-08 | Tonen Corporation | Thermosetting copolymers, silicon carbide-based fiber and processes for producing same |
US5863848A (en) * | 1991-09-27 | 1999-01-26 | Dow Corning Corporation | Preparation of substantially crystalline silicon carbide fibers from borosilazanes |
US5171722A (en) * | 1991-10-09 | 1992-12-15 | University Of Florida | SiC fibers having low oxygen content and methods of preparation |
JP2725535B2 (ja) * | 1992-07-30 | 1998-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 両末端ヒドロポリシランの製造方法 |
DE4405603A1 (de) * | 1994-02-22 | 1995-08-24 | Solvay Deutschland | Verfahren zur Herstellung von sauerstofffreien bzw. sauerstoffarmen hochtemperaturbeständigen Siliciumcarbidformkörpern |
US6146559A (en) | 1994-07-28 | 2000-11-14 | Dow Corning Corporation | Preparation of high density titanium diboride ceramics with preceramic polymer binders |
US5449646A (en) | 1994-07-29 | 1995-09-12 | Dow Corning Corporation | Preparation of high density zirconium diboride ceramics with preceramic polymer binders |
CA2154216A1 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-02 | Gregg Alan Zank | Preparation of high density zirconium carbide ceramics with preceramic polymer binders |
US5811564A (en) * | 1997-12-17 | 1998-09-22 | Dow Corning Corporation | Polycarbosilane hydroxides and methods for their preparation |
US6162743A (en) * | 1998-02-10 | 2000-12-19 | Chu; Cheng-Jye | Low dielectric constant film and method thereof |
US20060004169A1 (en) * | 2003-01-10 | 2006-01-05 | Sherwood Walter J Jr | Ceramic-forming polymer material |
KR100515239B1 (ko) * | 2003-05-22 | 2005-09-21 | 주식회사 데크 | 제올라이트를 촉매로 사용한 폴리카보실란의 제조 방법 |
US7879696B2 (en) * | 2003-07-08 | 2011-02-01 | Kovio, Inc. | Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom |
US7498015B1 (en) | 2004-02-27 | 2009-03-03 | Kovio, Inc. | Method of making silane compositions |
US7476791B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-01-13 | Rohrbacher Technologies, Llc | Organosilane surface treated musical instrument strings and method for making the same |
US7485691B1 (en) | 2004-10-08 | 2009-02-03 | Kovio, Inc | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom |
JP2006152063A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Jsr Corp | 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法 |
KR100776251B1 (ko) | 2006-02-23 | 2007-11-13 | 요업기술원 | 다단계 반응공정을 이용한 폴리페닐카보실란의 제조 방법및 그에 의해 제조되는 폴리페닐카보실란 |
WO2007144453A1 (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-21 | Braggone Oy | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings |
WO2008045327A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Kovio, Inc. | Silicon polymers, methods of polymerizing silicon compounds, and methods of forming thin films from such silicon polymers |
WO2009067230A1 (en) * | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Dow Corning Corporation | Article and method of manufacturing same |
CN101978008A (zh) * | 2008-04-02 | 2011-02-16 | Jsr株式会社 | 含有含硅聚合物的组合物及其固化物 |
KR100968803B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2010-07-08 | 주식회사 티씨케이 | 폴리카르보실란 및 그 제조방법 |
JP2012501290A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ダウ コーニング コーポレーション | ナノ粒子を含む繊維およびナノ粒子を製造する方法 |
TW201016909A (en) * | 2008-08-29 | 2010-05-01 | Dow Corning | Article formed from electrospinning a dispersion |
JP5555702B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-07-23 | ダウ コーニング コーポレーション | 分散体から形成される金属化粒子 |
CN102388057B (zh) * | 2009-04-13 | 2015-04-29 | 日本曹达株式会社 | 环状硅烷化合物和/或环状碳硅烷化合物的制备方法 |
KR101489552B1 (ko) | 2009-05-22 | 2015-02-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 |
WO2011038229A2 (en) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Ferrotec (Usa) Corporation | High strength bonding and coating mixture |
US8431189B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-04-30 | Korea University Research And Business Foundation | Carbon nanotube-nanofiber composite structure |
DE102010007780A1 (de) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 | Spritzgießverfahren für Kondensationsharze und Vorrichtung für das Verfahren |
TWI552883B (zh) | 2011-07-25 | 2016-10-11 | Lintec Corp | Gas barrier film laminates and electronic components |
WO2013065812A1 (ja) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム及びその製造方法、ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、並びに電子デバイス |
JP6304712B2 (ja) | 2012-03-22 | 2018-04-04 | リンテック株式会社 | 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール |
DE102012221669A1 (de) * | 2012-11-27 | 2014-05-28 | Evonik Industries Ag | Verfahren zum Herstellen kohlenstoffhaltiger Hydridosilane |
JP2019034993A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポリカルボシランを含んでなるシリコンカーバイド質膜形成組成物、およびそれを用いたシリコンカーバイド質膜の製造方法 |
JP7122833B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2022-08-22 | 株式会社Ihiエアロスペース | 炭化ケイ素繊維の製造方法 |
WO2020138206A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体 |
SG11202109359RA (en) * | 2019-04-08 | 2021-10-28 | Merck Patent Gmbh | Composition comprising block copolymer, and method for producing siliceous film using the same |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2850514A (en) * | 1955-10-25 | 1958-09-02 | Du Pont | Organometalloids |
US3422039A (en) * | 1965-06-16 | 1969-01-14 | Inst Neftechimicheskogo Sintez | Method for producing silylmethylene polymer(elastomer) |
-
1975
- 1975-04-26 JP JP50050223A patent/JPS51126300A/ja active Granted
-
1976
- 1976-04-19 US US05/677,959 patent/US4052430A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-04-21 GB GB16070/76A patent/GB1551952A/en not_active Expired
- 1976-04-21 CA CA250,621A patent/CA1077512A/en not_active Expired
- 1976-04-23 SU SU762353454A patent/SU639457A3/ru active
- 1976-04-23 SE SE7604700A patent/SE427561B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-04-23 IT IT49151/76A patent/IT1058205B/it active
- 1976-04-23 FR FR7612181A patent/FR2308650A1/fr active Granted
- 1976-04-26 DE DE2618246A patent/DE2618246C3/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS ERMITTELT * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2846529A1 (de) * | 1977-10-26 | 1979-05-03 | Res Inst For Special Inorganic | Polycarbosilan, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung als material zur herstellung von siliciumcarbid |
DE2858374C2 (de) * | 1977-10-26 | 1992-07-30 | The Foundation: The Research Institute For Special Inorganic Materials, Asahi, Ibaraki, Jp | |
DE2903492A1 (de) * | 1978-01-31 | 1979-08-02 | Res Inst For Special Inorganic | Verfahren zur herstellung von hitzebestaendigen, keramischen sinterkoerpern |
DE3444306A1 (de) * | 1983-12-05 | 1985-06-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Borsiliciumorganisches polymeres und herstellungsverfahren dafuer |
DE4302211A1 (de) * | 1992-12-22 | 1997-09-04 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von im wesentlichen polykristallinen Siliciumcarbidfasern |
DE4302211C2 (de) * | 1992-12-22 | 2001-10-04 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von im wesentlichen polykristallinen Siliciumcarbidfasern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1077512A (en) | 1980-05-13 |
GB1551952A (en) | 1979-09-05 |
DE2618246B2 (de) | 1981-02-19 |
SU639457A3 (ru) | 1978-12-25 |
JPS5726527B2 (de) | 1982-06-04 |
US4052430A (en) | 1977-10-04 |
FR2308650B1 (de) | 1979-04-20 |
SE427561B (sv) | 1983-04-18 |
FR2308650A1 (fr) | 1976-11-19 |
SE7604700L (sv) | 1976-10-27 |
DE2618246C3 (de) | 1981-10-15 |
JPS51126300A (en) | 1976-11-04 |
IT1058205B (it) | 1982-04-10 |
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---|---|---|
DE2618246A1 (de) | Verfahren zur herstellung hochmolekularer organosiliciumverbindungen | |
DE3447411C2 (de) | ||
DE2660016C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbidfasern | |
DE1954233C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer hydrolysebeständigen Bindung zwischen Glas und Polytetrafluorethylen | |
DE2708635C2 (de) | ||
DE2628342B2 (de) | Siliciumcarbidsinterkörper und Verfahren zu deren Herstellung | |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |