DE19929733B4 - Bildsensor und Einheitspixel eines CMOS-Bildsensors mit selbstjustierender Silizidschicht - Google Patents
Bildsensor und Einheitspixel eines CMOS-Bildsensors mit selbstjustierender Silizidschicht Download PDFInfo
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- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000004222 uncontrolled growth Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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Abstract
einen Photoerfassungsbereich (319, 419), in welchem eine vergrabene Photodiode (BPD) ausgebildet ist, um Licht von einem Gegenstand zu erfassen;
eine Vielzahl von Transistoren (102, 104, 106, 108), welche mit der vergrabenen Photodiode (BPD) elektrisch verbunden sind;
Silizidschichten (325, 425), welche auf Gates und stark dotierten Bereichen ausgebildet sind, wobei der Photoerfassungsbereich (319, 419) davon ausgeschlossen ist; und
eine Vielzahl von Isolierschichtmustern, welche durch Strukturieren einer Isolierschicht (321, 421) ausgebildet sind, wobei die Isolierschichtmuster umfassen:
isolierende Spacer (321b, 421b), welche auf Seitenwänden der Gates ausgebildet und jeweils für die Vielzahl von Transistoren vorgesehen sind; und
eine Passivierungsschicht (321a, 421a), welche auf dem Photoerfassungsbereich (319, 419) und auf einer Seitenwand eines benachbarten Gates ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Bildsensor, und insbesondere einen CMOS-Bildsensor (CMOS: Komplementär-Metalloxid-Halbleiter) mit einer selbstjustierenden Silizidschicht.
- Generell ist ein CMOS-Bildsensor eine Vorrichtung zum Umwandeln eines optischen Bildes in ein elektrisches Signal und verwendet MOS-Transistoren (MOS: Metalloxid-Halbleiter). Ein CCD-Bildsensor (CCD: Ladungsgekoppelte Vorrichtung) als eine Art von Bildsensor ist wohlbekannt. Verglichen mit dem CCD-Bildsensor kann der CMOS-Bildsensor bei Realisieren verschiedener Abtastanordnungen einfach betrieben und mit einer Signalverarbeitungsschaltung auf einem einzigen Chip integriert werden. Daher kann der CMOS-Bildsensor dessen Größe miniaturisieren und die Herstellkosten senken, wobei dies durch Verwenden einer kompatiblen CMOS-Technologie erfolgt, sowie die Leistungsaufnahme senken.
- In
1 besteht ein herkömmliches Einheitspixel eines CMOS-Bildsensors aus einer vergrabenen Photodiode (BPD) und vier NMOS-Transistoren. Die vier NMOS-Transistoren umfassen einen Übertragungstransistor102 zum Übertragen photoelektrischer Ladungen, welche in der vergrabenen Photodiode erzeugt werden, zu einem Erfassungsknoten, einen Rücksetztransistor104 zum Rücksetzen der Erfassungsknoten, um ein nächstes Signal zu erfassen, einen Steuertransistor106 , welcher als Source-Folgerstufe arbeitet, und einen Auswahltransistor108 zum Ausgeben von Daten an einen Ausgangsanschluss in Reaktion auf ein Adresssignal. - Der Rücksetztransistor
104 und der Übertragungstransistor102 sind gebildet aus einem nativen NMOS-Transistor, so dass der Wirkungsgrad einer Ladungsübertragung verbessert ist. Der native NMOS-Transistor mit einer negativen Schwellenspannung kann eine Erzeugung von Elektronenverlusten durch einen Spannungsabfall infolge einer positiven Schwellenspannung verhindern und somit zu einer Verbesserung des Wirkungsgrades einer Ladungsübertragung beitragen. - In
2 umfasst das herkömmliche Einheitspixel des CMOS-Bildsensors ein P+-Siliziumsubstrat201 , eine P-epi-Schicht (epi: Epitaxie)202 , einen P-Wannen-Bereich203 , Feldoxidschichten204 , eine Gate-Oxidschicht205 , Gate-Elektroden206 , einen N–-Diffusionsbereich207 , einen P0-Diffusionsbereich208 , N+-Diffusionsbereiche209 und Oxidschicht-Abstandshalter210 . Eine vergrabene Photodiode (BPD) weist eine PNP-Übergang-Struktur auf, wobei die P-epi-Schicht202 , der N–Diffusionsbereich207 und der P0-Diffusionsbereich208 gestapelt sind. - Da der Übertragungstransistor mit dem Übertragungs-Gate Tx aus einem nativen Transistor gebildet ist, kann ein Ionenimplantationsverfahren zum Einstellen von Transistoreigenschaften (Schwellenspannungs- und Durchschlags-Eigenschaften) bei der P-epi-Schicht
211 ausgelassen werden, welche als ein Kanal unterhalb eines Übertragungs-Gate Tx dient. Dementsprechend kann der NMOS-Transistor (native Transistor) mit einer negativen Schwellenspannung den Wirkungsgrad einer Ladungsübertragung maximieren. Die N+-Diffusionsschicht209 (der Erfassungsknoten) ist aus einem hochdotiertem N+-Bereich zwischen dem Übertragungs-Gate Tx und dem Rücksetz-Gate Rx gebildet, wodurch ein Potential des Erfassungsknotens entsprechend einer Menge von übertragenen Ladungen verstarkt wird. - Dieser herkömmliche CMOS-Bildsensor erfasst elektrische Signale entsprechend photoelektrischen Ladungen durch eine CDS (Korrelierte Doppelabtastung). Eine Silizidschicht wird dazu verwendet, eine Polyzid-Gate-Struktur bei dem herkömmlichen CMOS-Bildsensor auszubilden. Jedoch weist die Polyzid-Gate-Struktur möglicherweise nicht die gewünschte Arbeitsgeschwindigkeit bei dem herkömmlichen CMOS-Bildsensor auf, da die Silizidschicht an jedem Transistor-Gate, jedoch nicht auf dem Übergangsbereich (dem N+-Diffusionsbereich) ausgebildet ist. Ferner existiert dann, wenn ein Selbstausrichtungs-Silizidverfahren auf den herkömmlichen CMOS-Bildsensor angewandt wird, das Problem, dass die Silizidschicht auf dem P0-Diffusionsbereich der vergrabenen Photodiode ausgebildet ist, wodurch eine Photoerfassungsfunktion beeinträchtigt wird.
- Dementsprechend ist es für den CMOS-Bildsensor erforderlich, die Silizidschicht auf jedem Transistor-Gate und dem Übergangsbereich auszubilden, wobei der P0-Diffusionsbereich der vergrabenen Photodiode davon ausgeschlossen ist, so dass die gewünschte Arbeitsgeschwindigkeit erhalten werden kann.
- Aus der europäischen Offenlegungsschrift
EP 0 738 010 A2 ist ein aktiver Pixelsensor bekannt, in den eine sogenannte Pinned Photodiode (PPD) integriert ist. Die Ladung, die von der PPD erzeugt wird, wird zu einem ladungsdetektierenden Knoten mittels eines Transfergates Tx übertragen. Weiterhin ist ein Rücksetzgate und ein N-Wannen-PMOS-Transistor vorgesehen, um ein einzelnes Pixel adressieren zu können. Der sensitive Bereich der PPD ist von einer dünnen Schicht thermisch gewachsenen Gateoxids bedeckt. - Aus der
US-amerikanischen Patentschrift 5633187 A ist ein Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen für Nur-Lesespeicher (ROM) bekannt. Um den elektrischen Widerstand der Bitleitung zu vermindern, sind die jeweiligen Bitleitungen mit Silizidschichten versehen, die mittels eines selbstjustierenden Prozesses hergestellt werden. Um unkontrolliertes Wachstum der Silizidschichten zu verhindern, sind auf den Polysiliziumleiterbahnen sogenannte Sidewalloxide, also Seitenwandoxidschichten, vorgesehen. - Die
WO 94/22 173 A1 EP 0 642 179 B1 ) offenbart einen Dünnfilmtransistor, der auf nicht einkristallinem Silizium gebildet ist, wobei das sogenannte TEOS-Verfahren, bei welchem Tetraethoxysilan als Ausgangssubstanz dient, fur die Abscheidung einer Siliziumdioxidschicht verwendet wird. - Schließlich ist aus der europäischen Offenlegungsschrift
EP 0 809 300 A2 ein aktiver Pixelsensor bekannt, der verschiedene Rücksetzanschlüsse aufweist. Dabei ist ein Übertragungsgate mit einem schwebenden Diffusionsbereich verbunden. - Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht darin, einen CMOS-Bildsensor anzugeben, der eine verbesserte Arbeitsgeschwindigkeit bei gleichzeitig möglichst hoher Empfindlichkeit aufweist. Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Weitere Aufgaben und Aspekte der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung deutlich hervor, wobei:
-
1 ein Schaltbild eines Einheitspixels eines herkömmlichen CMOS-Bildsensors ist; -
2 eine Querschnittsansicht einer Struktur des Einheitspixels in1 ist; -
3 eine Querschnittsansicht eines Einheitspixels eines CMOS-Bildsensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist; und -
4A bis4F Querschnittsansichten des Einheitspixels in3 sind. - Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung genau beschrieben.
- In
3 ist eine P-epi-Schicht (P-Epitaxieschicht)312 auf ein Siliziumsubstrat311 aufgebracht, und die vergrabene Photodiode ist innerhalb der P-epi-Schicht312 ausgebildet, um Licht von einem Gegenstand zu erfassen und photoelektrische Ladungen zu erzeugen. Ein schwebender N+-Bereich324a ist in der P-epi-Schicht312 ausgebildet, um die photoelektrischen Ladungen von der vergrabenen Photodiode aufzunehmen und zu speichern. - Ein Übertragungs-Gate Tx ist auf der P-epi-Schicht
312 zwischen dem schwebenden N+-Bereich324a und der vergrabenen Photodiode ausgebildet, und ein N+-Drain-Übergang324b ist in der P-epi-Schicht312 zwischen einem Rücksetz-Gate Rx und einem Steuer-Gate MD ausgebildet. Das Rücksetz-Gate Rx ist auf der P-epi-Schicht312 zwischen dem schwebenden N+-Bereich324a und dem N+-Drain-Übergang324b ausgebildet. Source/Drain-N–-Diffusionsbereiche324c sind in einer P-Wanne313 ausgebildet, und das Steuer-Gate MD des Steuertransistors ist elektrisch mit dem schwebenden N+-Bereich324a verbunden. Ein Auswahltransistor weist in der P-Wanne313 ausgebildete Source/Drain-N+-Diffusionsbereiche324c auf. - Die Silizidschichten
325 sind auf dem Übertragungs-Gate Tx, dem Rücksetz-Gate Rx, dem Auswahl-Gate Sx, dem Steuer-Gate MD, dem schwebenden N+-Bereich324a , dem N+-Drain-Übergang324b und den Source/Drain-N+-Diffusionsbereichen324c ausgebildet. - Die Silizidschicht
325 ist nicht auf der vergrabenen Photodiode ausgebildet, und eine TEOS-Oxidschicht321a (TEOS: Tetraethoxysilan) als Passivierungsschicht ist auf der vergrabenen Photodiode anstelle der Silizidschicht ausgebildet. Die strukturierte Passivierungsschicht ist das gleiche Material wie ein Abstandshalter321b an Seitenwanden des Übertragungs-, Rücksetz-, Steuer- und des Auswahl-Gate Tx, Rx, MD und Sx. - Die
4A bis4F sind Querschnittsansichten des Einheitspixels in3 . - Wie in den
4A bis4F dargestellt, bildet ein selbstjustierendes Silizidverfahren die Silizidschicht auf jedem Transistor-Gate und Übergangsbereich derart aus, dass die Arbeitsgeschwindigkeit des CMOS-Bildsensors verbessert wird. - In
4A wird unter der Bedingung, dass eine Energie etwa 50–100 keV beträgt und eine Konzentration von 7E12–9E12/cm2 vorliegt, eine P-Wanne413 in einer P-epi-Schicht412 durch eine Borionenimplantation ausgebildet, und die P-epi-Schicht412 wird auf einem Siliziumsubstrat411 als Epitaxieschicht aufgebracht. Die P-epi-Schicht412 weist einen Widerstand von etwa 10–100 Ωm auf. Anschließend werden Feldoxidschichten414 , Gate-Oxidschichten415 und Gate-Elektroden416 in dieser Reihenfolge ausgebildet. - Die Gate-Elektroden
416 sind aus dotierten Polysiliziumschichten gebildet. Ein Übertragungs-Gate Tx und ein Rücksetz-Gate Rx unter den Gate-Elektroden416 werden derart strukturiert, dass sie eine Kanallänge von mehr als etwa 1 μm aufweisen. Ferner werden ein Steuer-Gate MD und ein Auswahl-Gate Sx derart strukturiert, dass sie eine Kanallänge von weniger als etwa 0,5 μm aufweisen. Der Grund, weswegen die Kanallänge des Übertragungs- und des Rücksetz-Gate Tx und Rx größer ist als die des Steuer- und des Auswahl-Gate MD und Sx, liegt in einer Verbesserung der Durchschlagsspannungs-Eigenschaften des Übertragungs- und des Rücksetz-Gate Tx und Rx, das heißt, in einer Verbesserung einer Photoempfindlichkeit, durch Erhöhen eines Spannungsbereichs von 0 V auf eine vorbestimmte Pinningspannung. Typischerweise beträgt die vorbestimmte Pinningspannung 2,5 V bei einer Betriebsspannung von 3,3 V. - In
4B wird die vergrabene Photodiode durch Maskier- und Ionenimplantationsverfahren ausgebildet: das heißt, dass unter der Bedingung, dass eine Energie etwa 150–200 keV beträgt und eine Konzentration von 1E12–3E12/cm2 vorliegt, ein N–-Diffusionsbereich418 durch eine Phosphorionenimplantation ausgebildet wird. Ferner wird unter der Bedingung, dass eine Energie etwa 20–40 keV beträgt und eine Konzentration von 1E13–3E13/cm2 vorliegt, ein P0-Diffusionsbereich419 durch eine BF2-Ionenimplantation ausgebildet. - In
4C wird eine Maske420 zum Öffnen der P-Wanne413 ausgebildet. Anschließend werden unter der Bedingung, dass eine Energie etwa 20–60 keV beträgt und eine Konzentration von 1E13–5E13/cm2 vorliegt, schwach dotierte N–-Bereiche426 für eine LDD-Struktur (LDD: schwach dotierter Drain) durch eine Phosphorionenimplantation zwischen dem Steuer- und dem Auswahl-Gate MD und Sx ausgebildet. - In
4D wird nach Entfernen der Maske420 eine TEOS-Schicht421 (TEOS: Tetraethoxysilan) von etwa 2.000–2.500 Å auf der resultierenden Struktur durch das LPCVD-Verfahren (LPCVD: Niederdruck-Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren) ausgebildet, und eine Maske wird strukturiert. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Kante des geöffneten Abschnitts der Maske422 an einer Kante des Übertragungs-Gate Tx neben der vergrabenen Photodiode ausgerichtet. Obwohl ein Ausrichtungsfehler innerhalb etwa 0,1 μm bei einem Ausbilden der Maske422 auftreten kann, wird die vergrabene Photodiode bei einem anschließenden Ätzverfahren, welches ein anisotropes Plasmaatzverfahren auf die TEOS-Schicht421 ist, nicht freigelegt. Der Grund hierfür ist, dass eine Dicke der TEOS-Schicht421 etwa 0,2–0,25 μm betragt und die TEOS-Schicht421 , welche auf der Seitenwand der Gate-Elektrode416 des Übertragungs-Gate Tx ausgebildet ist, den Ausrichtungsfehler von 0,1 μm abdecken kann. - In
4E werden durch Anwenden eines anisotropen Plasmaatzverfahrens auf die TEOS-Schicht421 Abstandshalter421b auf den Seitenwänden der Gate-Elektroden416 ausgebildet, wobei eine Seitenwand des Übertragungs-Gate Tx davon ausgeschlossen ist. Anschließend wird ein Muster421a der TEOS-Schicht421 ausgebildet, wobei die vergrabene Photodiode und die Feldoxidschichten414 bedeckt werden. Eine derartige Struktur421a dient als Passivierungsschicht, so dass Silizid nicht auf der vergrabenen Photodiode ausgebildet wird. - Unter der Bedingung, dass eine Energie etwa 60–90 keV beträgt und eine Konzentration von 1E15–9E15/cm2 vorliegt, werden ein schwebender N+-Bereich
424a , ein N+-Drain-Übergang424b und N+-Diffusionsbereiche424c für Source/Drain-Bereiche des Steuer- und des Auswahl-Transistors durch eine As-Ionenimplantation ausgebildet. - In
4F wird die Maske422 entfernt, und anschließend werden Titansilizidschichten (TiSi2)425 auf den freigelegten Gate-Elektroden416 und den N+-Diffusionsbereichen424a ,424b und424c ausgebildet. Das heißt, dass nach Entfernen der Maske422 eine Titanschicht von etwa 300–500 Å auf die resultierende Struktur aufgebracht wird, und eine erste schnelle Wärmebehandlung wird auf die aufgebrachte Titanschicht bei einer Temperatur von etwa 700–750°C angewandt. Anschließend reagiert jede Siliziumkomponente der Polysilizium-Gate-Elektrode und N+-Diffusionsbereiche424a ,424b und424c auf die Titanschicht derart, dass die Titansilizidschichten425 ausgebildet werden. Die Titanschichten (Ti-Schichten), welche nicht mit den TEOS-Schichten421a und421b reagieren, werden durch eine chemische Lösung, welche NH4OH enthält, entfernt. Ferner werden die Titansilizidschichten425 , welche auf den freigelegten Gate-Elektroden416 und den N+-Diffusionsbereichen424a ,424b und424c ausgebildet sind, einer zweiten schnellen Wärmebehandlung von etwa 820–870 °C unterzogen. Wie Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt, kann die Titanschicht durch andere höchstschmelzende Metallschichten, wie Titansilizid, ersetzt werden. Wie aus obiger Ausführung ersichtlich, werden aufgrund der Tatsache, dass die vorliegende Erfindung die Silizidschicht auf den Gate-Elektroden und stark dotierten Bereichen ohne Beschädigung der vergrabenen Photodiode ausbildet, Hochgeschwindigkeitstransistoren realisiert, welche eine schnelle Bilddatenverarbeitung gewährleisten.
Claims (5)
- CMOS-Bildsensor, umfassend: einen Photoerfassungsbereich (
319 ,419 ), in welchem eine vergrabene Photodiode (BPD) ausgebildet ist, um Licht von einem Gegenstand zu erfassen; eine Vielzahl von Transistoren (102 ,104 ,106 ,108 ), welche mit der vergrabenen Photodiode (BPD) elektrisch verbunden sind; Silizidschichten (325 ,425 ), welche auf Gates und stark dotierten Bereichen ausgebildet sind, wobei der Photoerfassungsbereich (319 ,419 ) davon ausgeschlossen ist; und eine Vielzahl von Isolierschichtmustern, welche durch Strukturieren einer Isolierschicht (321 ,421 ) ausgebildet sind, wobei die Isolierschichtmuster umfassen: isolierende Spacer (321b ,421b ), welche auf Seitenwänden der Gates ausgebildet und jeweils für die Vielzahl von Transistoren vorgesehen sind; und eine Passivierungsschicht (321a ,421a ), welche auf dem Photoerfassungsbereich (319 ,419 ) und auf einer Seitenwand eines benachbarten Gates ausgebildet ist. - CMOS-Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (
321 ,421 ) eine nach einem TEOS-Verfahren aus Tetraethoxysilan hergestellte Oxid-Schicht ist. - Einheitspixel in einem CMOS-Bildsensor, umfassend: eine Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps; eine vergrabene Photodiode (BPD) mit einem Photoerfassungsbereich (
319 ,419 ), welche in der ersten Halbleiterschicht ausgebildet ist und Licht von einem Gegenstand erfasst und photoelektrische Ladungen erzeugt; einen schwebenden Bereich (324a ,424a ) eines zweiten Leitungstyps, welcher in der Halbleiterschicht ausgebildet ist und die photoelektrischen Ladungen von der vergrabenen Photodiode (BPD) aufnimmt und speichert; ein Übertragungsgate (Tx), welches auf der Halbleiterschicht zwischen dem schwebenden Bereich (324a ,424a ) und der vergrabenen Photodiode (BPD) ausgebildet ist; einen Drainbereich (324b ,424b ) des zweiten Leitungstyps, welcher in der Halbleiterschicht ausgebildet ist; ein Rücksetzgate (Rx), welches auf der Halbleiterschicht zwischen dem schwebenden Bereich (324a ,424a ) und dem Drainbereich (324b ,424b ) ausgebildet ist; einen Wannenbereich (313 ,413 ) des ersten Leitungstyps, welcher in der Halbleiterschicht ausgebildet ist; ein Steuergate (MD) und ein Auswahl-Gate (Sx), welche in dem Wannenbereich (313 ,413 ) mit Source/Drain-Übergängen ausgebildet sind; Silizidschichten (325 ,425 ), welche auf dem schwebenden Bereich (324a ,424a ), dem Übertragungsgate (Tx), dem Drainbereich (424b ), dem Rücksetzgate (Rx), dem Auswahlgate (Sx) und den Source/Drain-Übergängen des Steuergates (MD) und des Auswahlgates (Sx) ausgebildet sind; und eine Vielzahl von Isolierschichtmustern, welche durch Strukturieren einer Isolierschicht (321 ,421 ) ausgebildet sind, wobei die Isolierschichtmuster umfassen: isolierende Spacer (321b ,421b ), weiche auf Seitenwänden des Übertragungs-, Rücksetz-, Steuer- und des Auswahlgates ausgebildet sind; und eine Passivierungsschicht (321a ,421a ), welche auf dem Photoerfassungsbereich (319 ,419 ) und auf einer Seitenwand des Übertragungsgates (Tx) ausgebildet ist. - Einheitspixel nach Anspruch 3, wobei das Übertragungs- und das Rücksetzgate eine Kanallänge von mehr als etwa 1 μm aufweisen und das Steuer- und das Auswahlgate eine Kanallänge von weniger als etwa 0,5 μm aufweisen.
- Einheitspixel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht eine nach einem TEOS-Verfahren aus Tetraethoxysilan hergestellte Oxid-Schicht ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR98-24648 | 1998-06-29 | ||
KR1019980024648A KR100291179B1 (ko) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 자기정렬된실리사이드층을갖는씨모스이미지센서및그제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE19929733A1 DE19929733A1 (de) | 2000-01-05 |
DE19929733B4 true DE19929733B4 (de) | 2013-07-25 |
Family
ID=19541173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19929733A Expired - Lifetime DE19929733B4 (de) | 1998-06-29 | 1999-06-29 | Bildsensor und Einheitspixel eines CMOS-Bildsensors mit selbstjustierender Silizidschicht |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6040593A (de) |
JP (2) | JP4164611B2 (de) |
KR (1) | KR100291179B1 (de) |
DE (1) | DE19929733B4 (de) |
TW (1) | TW416155B (de) |
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---|---|
KR20000003406A (ko) | 2000-01-15 |
JP2000031449A (ja) | 2000-01-28 |
JP4164611B2 (ja) | 2008-10-15 |
US6040593A (en) | 2000-03-21 |
KR100291179B1 (ko) | 2001-07-12 |
DE19929733A1 (de) | 2000-01-05 |
TW416155B (en) | 2000-12-21 |
JP5318459B2 (ja) | 2013-10-16 |
JP2008252111A (ja) | 2008-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, DEL., US |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCHAFT Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INTELLECTUAL VENTURES LL LLC, ( N. D. GES. D. , US Free format text: FORMER OWNER: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, DEL., US Effective date: 20111223 Owner name: INTELLECTUAL VENTURES ASSETS 11 LLC, WILMINGTO, US Free format text: FORMER OWNER: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, DEL., US Effective date: 20111223 Owner name: SK HYNIX INC., ICHEON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, DEL., US Effective date: 20111223 Owner name: INTELLECTUAL VENTURES LL LLC, ( N. D. GES. D. , US Free format text: FORMER OWNER: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, US Effective date: 20111223 |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOSCH JEHLE PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE Effective date: 20111223 Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE Effective date: 20111223 |
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R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20131026 |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE |
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R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INTELLECTUAL VENTURES ASSETS 11 LLC, WILMINGTO, US Free format text: FORMER OWNER: INTELLECTUAL VENTURES LL LLC, ( N. D. GES. D. STAATES DELAWARE), BELLEVUE, WASH., US Effective date: 20150203 Owner name: SK HYNIX INC., ICHEON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: INTELLECTUAL VENTURES LL LLC, ( N. D. GES. D. STAATES DELAWARE), BELLEVUE, WASH., US Effective date: 20150203 |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE Effective date: 20150203 Representative=s name: BOSCH JEHLE PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE Effective date: 20150203 |
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R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SK HYNIX INC., ICHEON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: INTELLECTUAL VENTURES ASSETS 11 LLC, WILMINGTON, DEL., US |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOSCH JEHLE PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE |
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R071 | Expiry of right |