TW416155B - Image sensor having self-aligned silicide layer - Google Patents

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Description

416155 五、發明說明（1) 發明範疇 本發明與影像偵測器有關；尤其是與具有自行對正矽化 物層的CMOS (互補型金屬氧化半導體）影像偵測器有 關。 先前技藝說明 一般來說，CMOS影像偵測器是一種將光影像轉換為電 子訊號，並運用M0S (金屬氧化半導體）電晶體的裝置。 CCD (電子耦合裝置）影像偵測器（也是一種影像偵測器） 已經廣為人知，與CCD影像偵測器比較起來，CMOS影像 偵測器比較容易運用許多掃描方式驅動，並且容易與訊號 處理電路整合於一塊晶片上。因此，CMOS 影像偵測器可 縮小其尺寸，並利用相容的CMOS 技術和較低的耗電量來 降低製作成本。 請參閱圖1，傳統的CMOS影像偵測器單元像素是由一 個隱藏式光電二極體（BPD)以及四個NM0S電晶體所構 成。四個NM0S電晶體包含一個用來將隱藏式光電二極體 内產生的光電荷傳送至偵測節點的傳送電晶體1 02、一個 用於重設偵測節點以便偵測下一個訊號的重設電晶體 1 0 4、一個用來充當為訊源追隨器的驅動電晶體10 6，以 及一個用於將資料輸出至輸出端以回應位址訊號的選擇電 晶體10 8。 重設電晶體104和傳送電晶體102由天然NM0S電晶 體所製成，所以對於電荷傳送效能有所改善。具有負極臨 限電壓的天然NM0S 電晶體可避免因正極臨限電壓導致的
416155 五、發明說明（2) 壓降所產生之電子流失1然後改善電荷傳送效能。 請參閱圖2，傳統CMOS影像偵測器的單元像素包含一 個P ’石夕化物基材、一個P - e p i (延伸）層2 0 2、一個P 丼區域2 0 3、場氧化層2 0 4、一個閘氧化層2 0 5、閘電極 206、一個N-擴散區207、一個po擴散區2 0 8、一個 N+擴散區2 0 9以及一個氧化層隔間2 1 0。隱藏式光電二 極體（BPD)在P-epi層2 0 2内具有PNP接面結構，N-擴散區2 0 7和PG擴散區2 0 8 則堆疊在一起。 因為具有傳送閘Tx的傳送電晶體是由天然電晶體.所製 成，所以在用來當成傳送閘Τχ 下通道的P-epi層211 内就可省去調整電晶體特性（臨限電壓和擊穿特性）的離 子注入處理。因此，具有負極臨限電壓的NM0S 電晶體 (天然電晶體）可將電荷傳送效能發揮至最大。N+擴散區 2 0 9 (偵測節點）由傳送閘Tx與重設閘Rx之間的高塗 佈N+區所製成，藉以根據傳送的電荷量來放大偵測節點 的電動勢。 此傳統的CMOS 影像偵測器透過CDS (關連雙取樣）來 偵測對應至光電荷的電子訊號，矽化物層則用來在傳統 CMOS影像偵測器内形成polycide閘結構，但是因為矽化 物層是形成於每個電晶體閘上，而不是形成於接面區（N-擴散區）上，所以polycide閘結構無法在傳統CMOS影像 偵測器内獲得預期的操作速度。另外，如果自行對正矽化 物層處理應用至傳統CMOS影像偵測器，則會有在隱藏式 光電二極體的PQ擴散區上形成矽化物層之問題，藉以遮
416155 五、發明說明¢3) 斷光感應功能* 因此，CMOS 影像偵測器必須在每個電晶體閘，以及在 隱藏式光電二極體的P11擴散區以外之接面區上形成矽化 物層，如此才能獲得預期的操作速度。 發明總結 因此，本發明的目的就是提供一種高速CMOS 影像偵測 哭 。 σσ 本發明的其他目的是提供一種使用自行對正矽化物處理 的高速CMOS影像偵測器。 依照本發明的領域，其提供一種CMOS (互補型金屬氧 化半導體）影像偵測器，包含：一個内含隱藏式光電二極 體，用於偵測發自一物體的光線之光敏區、許多耦合至光 電二極體的電晶體、形成於閘上並佈滿光敏區以外區域的 矽化物層，以及藉由製作絕緣層所提供的許多絕緣圖樣， 其中絕緣層圖樣包含：個別提供給許多電晶體使用，形成 於閘側壁上的絕緣隔間，以及形成於光敏區和閘門隔壁側 壁上的鈍化層。 依照本發明的其他領域，其提供CMOS (互補型金屬氧 化半導體）影像偵測器内的單元像素，包含：第一導電類 形的半導體層、形成於半導體層内的隱藏式光電二極體， 用於感應發自一物體的光線並產生光電荷、形成於半導體 層内第二導電類型的浮動接面、形成於浮動接面與隱藏式 光電二極體之間半導體層上的傳送閘、形成於半導體層内 第二導電類型的汲極接面、形成於浮動接面與汲極接面之
Bill1
416155 五、發明說明（4) 間半導體層上的重設閘、形成於侧壁上具有源極/汲極接 面的驅動和選擇閘、形成於浮動接面、傳送閘、汲極接 面、重設閘、選擇閘和驅動與選擇閘的源極/汲極接面上 之矽化物層，以及藉由製作絕緣層所提供的許多絕緣圖 樣，其中絕緣層圖樣包含：形成於傳送、重設、驅動與選 擇閘侧壁上的絕緣隔間，以及形成於光敏區和傳送閘侧壁 上的純化層。 圖式簡單說明 由下列具體實施例的說明並參考附圖可明確了解本發明 的其他目的和領域’圖式有， 圖1為說明傳統CMOS影像偵測器的單元像素之電路 圖； 圖2 為說明圖1内單元像素結構的剖面圖； 圖3 說明依照本發明具體實施例的CMOS影像偵測器 單元像素之剖面圖； 圖4A至4F 為說明圖3内單元像素的剖面圖。 發明之詳細說明 以下將會以參照附圖方式詳細說明本發明。 請參閱圖3，P-epi (延伸）層312生長在矽基材31 1 ； 上，而隱藏式光電二極體則隱藏在P-epi層312内，以 偵、測發自一物體的光線並產生光電荷。一 N+浮動接面 3 24a形成於Ρ-epi層312内，用於接收和儲存來自隱 藏式光電二極體的光電何。 傳送閘Tx形成於浮動接面324a與隱藏式光電二
416155 五 '發明說明（5) 極體之間的P-epi層312 上，而N4 汲極接面324b 則 形成於重設閘Rx 與驅動閘MD 之間的P-epi層312 内，重設閘Rx 形成於浮動接面324a 與N+汲極接 面3 2 4 b 之間的P - e p i層3 1 2 上，源極/汲極N+擴散 區3 2 4c 形成於P 電位阱313内，而具有驅動閘MD的 驅動電晶體則以電路耦合至N—浮動接面324a，具有源 極/汲極N—擴散區324c 的選擇電晶體則形成於P 電位 阱3 1 3 内。 矽化物層3 2 5形成於傳送閘Tx、重設閘Rx、選擇閘 SX、驅動閘MD、N+浮動接面3 2 4 a、汲極接面3 2 4b 以及源極/汲極N+擴散區324c 上。 矽化物層3 2 5 並未形成於隱藏式光電二極體表面，而 用來當成鈍化層的TEOS (四乙氧基矽化烷）氧化層圖樣 3 2 1 a則形成於隱藏式光電二極體之上來代替矽化物層。 具有圖樣的鈍化層與傳送、重設、驅動和選擇閘Tx、
Rx、MD 和Sx 的侧壁上之隔間32 1 b 具有相同的材質。 圖4A 至4F 為說明圖3内單元像素的剖面圖。 如圖4A 至4F 内所示，自行對正的石夕化物處理會在每 個電晶體閘和接面區上形成矽化物層，如此可改善CMOS 影像偵測器的操作速度。 請參閱圖4 A，在大約5 0 - 1 0 0 K eV 的能量以及濃度 7E12-9E12/cm2的條件下，藉由注入硼離子在P-epi層 412内形成P 電位阱313，而P-epi層412則生長於 矽基材411 上當成延伸層，P-epi層412 具有大約
416155 五、發明說明（6) 閘氧化 1 〇 - 1 Ο Ο Ω m的阻抗。然後依序形成場氧化層44 層4 1 5 和閘電極4 1 6。 閘電極4 1 6由佈滿的多矽層所製成。傳送 設閘Rx沿著閘電極41 6製成’所以具有=二X和重 通道長度。另外也製成驅動閘M D和選摆 ：# m的 〜伟閘Sx，所以目 有小於0. 5 // m的通道長度。為何傳送和重設 ”
Rx的通道長度要大於驅動和選擇閘MD知《Γ f X和 个 b X 之片田 是，要改善傳送和重設閘Tx和RX的墼 u
+牙電壓特神，P 是’欲藉由將0V電壓漂移增加至預定的針電壓， ρ 光敏特性。一般說來’在3. 3V操作電壓沾此 χ ° 的針電壓大約是2, 5 V。 识疋 请參閱圖4Β，错由遮蔽和；i入離子處田 光電二極體。而在大約1 5 0 - 2 0 0 KeV的^/θ形成P急藏式 〜砲夏以及澧疳 lE12-3E12/cm2的條件下，藉由注入罐齙 ^ m千可形成N-撼 散區418。另外，在大約20-40KeV的、 月&量以及，，麄 ώ lE13-3E13/cm2的條件下，藉由注入bf蝕2 ^又 擴散區419。 匕離子可形成P〇 請參閱圖4C ’在此形成一個開啟ρ φ 罩420, ‘然後在大約20-60 KeV的能量\位^4丨3的遮 lE13-5E13/cm2的條件下’在驅動與選擇開^ 間注入硼離子’可形成用於L D D (塗佈鲂节 、Χ之 + μ权溥汲極）的塗佈 較薄 Ν·區 42 6。 ^ 7 w 藉由LPCVD (低壓 厚度大約是 請參間圖4D，在拆除遮罩420後， 化學蒸氣沈積）處理在最終結構上形成
第10頁 416155 五、發明說明（7) _ 2,〇00-2,50〇A並且具有遮罩圖樣的T£〇s ( 化院）I 421。此時，遮罩422開1份的 於I5急藏式光電二極體的傳送閘Tx邊緣對正。會”相鄰 遮罩422時可能發生〇· 1 # m内的對 /雖然在形成 來的蝕刻處理（至TE〇S層421的各向異 $接下
理）時隱藏式光電二極體並未露出來。盾田漿蝕刻處 層421的厚度大約是〇. 2 —0. 25 ,並且疋因為TE0S
Tx閘電極416側壁上的TE0S層4?i a ’成於傳送閘 的對正誤差。 ^會涵蓋〇·1 請參閱圖4E，藉由將各向異性電漿蝕 te〇s層421，除了傳送閘—個側壁以外：；電η 側壁上會形成間隔421b。然後形成TE〇s層42ι的6 = 421a，涵蓋隱藏式光電二極體以及場氣化層μα田， J 421a用來當成鈍化層，如此隱 “ 就口 會形成矽化物^ a ^不 =大約…90 KeV的能量以及濃度—9Ei5/cm2的 下，藉由注入As離子可形成驅動和選擇電晶體源極 /汲極區的N+浮動接面424a、N+汲極接面42让和n+ 擴散區42 4 c。 請參閱圖4F，拆除遮罩4 2 2然後在暴露上來的間電極 416和N..擴散區424a、424b以及424C上形成鈦矽化 物層（TiSi2 ) 42 5 ’也就是在拆除遮罩422後，在最終 結構上會沈積厚度大約是3 〇 〇 — 5 〇 〇〆的鈦層，並且以大約 7 0 0 - 7 5 0 C的溫度將第一快速熱處理應用至沈積的鈦層
416155_ 五、發明說明（8) 上。然後多石夕閘電極和N+擴散區424a、424b和424c 的每個石夕組件會在鈦層上起反應，如此形成鈦矽化物層 425。而藉由内含ΝΗ40Η的化學溶液來清除不會與TEOS 層421a和421b起反應的鈦層（Ti)。另外，形成於暴 露出來的閘電極416和N+擴散區424a、42 4b和424c 上之鈦矽化物層42 5進行大約8 2 0-870 t 的第二快速熱 處理。對於精通此技藝的人士而言，可使用其他像是鈦石夕 化物這類耐溶的金屬層來代替鈦層。由上述可明顯得知， 因為本發明在閘電極上形成石夕化物層並且在不損壞光電二 極體的情況下有很厚的塗佈區域，建置高速電晶體，確保 快速的影像資料處理° 雖然本發明公佈的較佳具體實施例僅供說明之用，但是 精通此技藝的人士還是明確知道，在不悖離本發明公佈的 申請專利範圍之精神和領域内’還是可以有許多的修改、 增補和代用品。
第12頁

Claims (1)

  1. da 1 1：G 8S 4161W_ 六、申請專利範圍 1 . 一種C Μ 0 S (互補型金屬氧化半導體）影像偵測器， 包含： 一光敏區，其中形成一隱藏式光電二極體，用來偵測發 自一物體的光線； 複數個電耦合至該隱藏式光電二極體的電晶體； 形成於閘上並且經重度摻雜而於光敏區以外區域的矽化 物層；以及 藉由製作絕緣層所提供的許多絕緣圖樣，其中絕緣層圖 樣包含： 形成於該等閘側壁上的絕緣間隔，其各自用於該等電晶 體；以及 形成於光敏區和臨近於閘之侧壁的鈍化層。 2. 如申請專利範圍苐1項之CMOS影像偵測器，其中 絕緣層為TE0S (四乙基氧化矽化烷）層。 3. —種CMOS (互補型金屬氧化半導體）影像偵測器内 的單元像素，包含： 一第一導電類型的半導體層； —形成於該半導體成内的隱藏式光電二極體，用於偵測 發自一物體的光線並產生光電荷； 一第二導電類型的浮動接面，形成於該半導體層内，用 於接收和儲存來自隱藏式光電二極體的光電荷； 一傳送閘，形成於該浮動接面與該隱藏式光電二極體之 間的半導體層上； 一第二導電類型的汲極接面，形成於該半導體層内；
    第13頁 416155_ 六、申請專利範圍 一重設閘，形成於該浮動接面與汲極接面之間的半導體 層上； 一第一導電類型的井區，形成於該半導體層内； 驅動和選擇閘，形成於包含源極/汲極接面的井區上； 矽化物層，形成於浮動接面、傳送閘、汲極接面、重設 閘、選擇閘和驅動與選擇閘的源極/汲極接面上；以及 藉由圖樣化絕緣層而形成許多絕緣圖樣，其中絕緣層圖 樣包含： 形成於該傳送、重設、驅動和選擇閘側壁上的絕緣間 隔；以及 形成於光敏區和傳送閘側壁上的鈍化層。 4. 如申請專利範圍第3項之單元像素，其中該傳送和 重設閘具有超過1 μ m 的通道長度，而驅動和選擇閘具有 少於0.5ym 的通道長度。 5. 如申請專利範圍第3項之單元像素，其中絕緣層為 TEOS (四乙基氧化矽化烷）層。
    第14頁
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Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0928103A3 (en) * 1997-12-31 2000-08-02 Texas Instruments Incorporated CMOS imaging sensors
KR100278285B1 (ko) * 1998-02-28 2001-01-15 김영환 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법
US6532040B1 (en) * 1998-09-09 2003-03-11 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset
US6587142B1 (en) * 1998-09-09 2003-07-01 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset
US6218719B1 (en) * 1998-09-18 2001-04-17 Capella Microsystems, Inc. Photodetector and device employing the photodetector for converting an optical signal into an electrical signal
US6740915B1 (en) * 1998-11-12 2004-05-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager cell having a buried contact
JP3703643B2 (ja) * 1998-12-25 2005-10-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
AU3511400A (en) * 1999-03-01 2000-09-21 Photobit Corporation Active pixel sensor with fully-depleted buried photoreceptor
US6724426B1 (en) * 1999-03-08 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Multi junction APS with dual simultaneous integration
JP3624140B2 (ja) * 1999-08-05 2005-03-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
US6150189A (en) * 1999-09-08 2000-11-21 United Microelectronics Corp. Method for forming a photo diode and a CMOS transistor simultaneously
US6090639A (en) * 1999-09-08 2000-07-18 United Microelectronics Corp. Method for forming a photo diode and a CMOS transistor simultaneously
TW483127B (en) * 2000-01-07 2002-04-11 Innotech Corp Solid state imaging device and driving method thereof
US6194258B1 (en) * 2000-01-18 2001-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of forming an image sensor cell and a CMOS logic circuit device
DE10008032B4 (de) * 2000-02-15 2004-03-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines CMOS-kompatiblen Photosensors
JP3782297B2 (ja) 2000-03-28 2006-06-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
JP3664939B2 (ja) * 2000-04-14 2005-06-29 富士通株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
US6514785B1 (en) * 2000-06-09 2003-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company CMOS image sensor n-type pin-diode structure
TW449939B (en) * 2000-07-03 2001-08-11 United Microelectronics Corp Photodiode structure
US6518085B1 (en) 2000-08-09 2003-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for making spectrally efficient photodiode structures for CMOS color imagers
KR100345669B1 (ko) * 2000-08-18 2002-07-24 주식회사 하이닉스반도체 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 측벽에 비대칭 절연막스페이서를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100381025B1 (ko) * 2000-08-31 2003-04-23 주식회사 하이닉스반도체 이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100464949B1 (ko) * 2000-08-31 2005-01-05 매그나칩 반도체 유한회사 포토다이오드의 표면 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법
JP2002083949A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Nec Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
KR100377130B1 (ko) * 2000-11-22 2003-03-19 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20020045450A (ko) * 2000-12-11 2002-06-19 박종섭 씨모스이미지센서 및 그 제조방법
US6504195B2 (en) * 2000-12-29 2003-01-07 Eastman Kodak Company Alternate method for photodiode formation in CMOS image sensors
KR100388473B1 (ko) * 2000-12-31 2003-06-25 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서의 제조 방법
JP2002314063A (ja) * 2001-02-06 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
JP3759435B2 (ja) 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
US6541329B1 (en) * 2001-09-07 2003-04-01 United Microelectronics Corp. Method for making an active pixel sensor
WO2003026007A2 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 Smal Camera Technologies Cmos pixel design for minimization of defect-induced leakage current
KR100736524B1 (ko) * 2001-12-14 2007-07-06 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서
KR100562669B1 (ko) * 2001-12-31 2006-03-20 매그나칩 반도체 유한회사 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서 제조 방법
US6743652B2 (en) * 2002-02-01 2004-06-01 Stmicroelectronics, Inc. Method for making an integrated circuit device including photodiodes
TW554493B (en) * 2002-03-15 2003-09-21 Taiwan Semiconductor Mfg Layout of CMOS image sensor device
JP3722367B2 (ja) * 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
KR100811427B1 (ko) * 2002-05-03 2008-03-10 린나이코리아 주식회사 가스조리기의 디스플레이 유니트 조립구조
CN100392858C (zh) * 2002-05-14 2008-06-04 索尼株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法及其电子设备
KR100861281B1 (ko) * 2002-05-18 2008-10-01 매그나칩 반도체 유한회사 씨아이에스 소자의 게이트 전극 형성 방법
KR100876859B1 (ko) * 2002-05-30 2008-12-31 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서 소자의 실리사이드 형성 방법
IL156497A (en) * 2002-06-20 2007-08-19 Samsung Electronics Co Ltd Image sensor and method of fabricating the same
JP4412903B2 (ja) * 2002-06-24 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
KR100864844B1 (ko) * 2002-06-28 2008-10-23 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지센서 제조방법
US6642076B1 (en) * 2002-10-22 2003-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor
KR100479208B1 (ko) * 2002-10-23 2005-03-28 매그나칩 반도체 유한회사 살리사이드 공정을 이용한 이미지센서의 제조 방법
US6974715B2 (en) * 2002-12-27 2005-12-13 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film
EP1465258A1 (en) * 2003-02-21 2004-10-06 STMicroelectronics Limited CMOS image sensors
US6897504B2 (en) * 2003-03-31 2005-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Salicided MOS device and one-sided salicided MOS device, and simultaneous fabrication method thereof
KR100955735B1 (ko) * 2003-04-30 2010-04-30 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 씨모스 이미지 센서의 단위화소
US7253392B2 (en) * 2003-09-08 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Image sensor with photo diode gate
JP3865728B2 (ja) * 2003-12-05 2007-01-10 シャープ株式会社 閾値電圧変調方式のｍｏｓ型固体撮像素子およびその製造方法
US7095066B2 (en) * 2004-01-08 2006-08-22 Eastman Kodak Company Process for making a CMOS image sensor
KR100595875B1 (ko) * 2004-05-06 2006-07-03 매그나칩 반도체 유한회사 식각데미지를 감소시킨 시모스 이미지센서 제조방법
KR100660324B1 (ko) * 2004-07-01 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100606937B1 (ko) * 2004-11-19 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
JP4486043B2 (ja) * 2004-12-30 2010-06-23 東部エレクトロニクス株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法
KR101199100B1 (ko) * 2004-12-30 2012-11-08 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 소스 팔로워에서 비대칭적인 웰의 배치를 갖는 씨모스이미지센서
US20060183268A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Omnivision Technologies, Inc. Salicide process for image sensor
TWI302754B (en) * 2005-02-28 2008-11-01 Magnachip Semiconductor Ltd Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and method for fabricating the same
US8049293B2 (en) * 2005-03-07 2011-11-01 Sony Corporation Solid-state image pickup device, electronic apparatus using such solid-state image pickup device and method of manufacturing solid-state image pickup device
KR100698090B1 (ko) * 2005-06-07 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
CN100389498C (zh) * 2005-06-07 2008-05-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 制备cmos图像传感器-混合硅化物的方法
US8018015B2 (en) * 2005-06-29 2011-09-13 Micron Technology, Inc. Buried conductor for imagers
KR100660549B1 (ko) * 2005-07-13 2006-12-22 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7719040B2 (en) * 2005-08-03 2010-05-18 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
US7344910B2 (en) * 2005-09-27 2008-03-18 Omnivision Technologies, Inc. Self-aligned photodiode for CMOS image sensor and method of making
KR100724255B1 (ko) 2005-12-27 2007-05-31 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지 센서
CN1992215A (zh) * 2005-12-29 2007-07-04 东部电子股份有限公司 制造cmos图像传感器的方法
KR100703987B1 (ko) * 2006-05-17 2007-04-09 삼성전자주식회사 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서
KR100784873B1 (ko) * 2006-08-14 2007-12-14 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법
KR100735477B1 (ko) * 2006-08-16 2007-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서 제조 방법
KR100792343B1 (ko) * 2006-08-29 2008-01-07 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
US20080258188A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 United Microelectronics Corp. Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same
US20090065820A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Lu-Yang Kao Method and structure for simultaneously fabricating selective film and spacer
DE102007045448A1 (de) * 2007-09-24 2009-04-02 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Bildsensor
JP5271104B2 (ja) * 2009-02-13 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 リニアイメージセンサ
JP5091886B2 (ja) 2009-02-13 2012-12-05 浜松ホトニクス株式会社 イメージセンサ
JP2011155168A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Sony Corp 半導体素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置
JP5991739B2 (ja) * 2012-06-15 2016-09-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ
JP6119454B2 (ja) * 2013-06-24 2017-04-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置を測定する方法
CN204603374U (zh) 2013-12-19 2015-09-02 米沃奇电动工具公司 孔加工总成和可调节的孔加工系统
CN105514130B (zh) * 2014-10-14 2019-04-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器的制造方法
KR102617389B1 (ko) * 2016-10-06 2023-12-26 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574293A (en) * 1993-03-23 1996-11-12 Tdk Corp. Solid state imaging device using disilane
US5625210A (en) * 1995-04-13 1997-04-29 Eastman Kodak Company Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode
US5633187A (en) * 1995-09-22 1997-05-27 United Microelectronics Corporation Process for fabricating read-only memory cells
JP3624042B2 (ja) * 1996-01-19 2005-02-23 キヤノン株式会社 光電変換装置
US5881184A (en) * 1996-05-22 1999-03-09 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with single pixel reset
US5892540A (en) * 1996-06-13 1999-04-06 Rockwell International Corporation Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager
US5880495A (en) * 1998-01-08 1999-03-09 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel with a pinned photodiode

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