DE102018111376B4 - Integrierte Schaltungsvorrichtungen - Google Patents

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Abstract

Integrierte Schaltungsvorrichtung, aufweisend:ein Paar von Leitungsstrukturen (LT), umfassendein Paar von leitfähigen Leitungen (BL), die sich über ein Substrat (110) in einer ersten horizontalen Richtung (Y) erstrecken, undein Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), die jeweils das Paar von leitfähigen Leitungen (BL) bedecken;einen leitfähigen Kontaktstopfen (199), der zwischen dem Paar von Leitungsstrukturen (BL) und zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) positioniert ist, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) eine erste Breite (W11) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) aufweist, und eine zweite Breite (W12) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), wobei die erste Breite (W11) und die zweite Breite (W12) in einer zweiten horizontalen Richtung (X) verlaufen, die senkrecht zu der ersten horizontalen Richtung (Y) ist, und die zweite Breite (W12) größer ist als die erste Breite (W11); undeinen Metallsilicidfilm (172), der eine Oberseite des leitfähigen Kontaktstopfens (199) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) kontaktiert, undwobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) umfasst:einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen (150) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL), wobei der untere leitfähige Kontaktstopfen (150) eine von einem direktem Kontakt mit dem Metallsilicidfilm (172) beabstandete Oberseite (150T) aufweist, undeinen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen (154) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), wobei der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen (154)eine Unterseite (154B) aufweist, die die Oberseite (150T) des unteren leitfähigen Kontaktstopfens (150) kontaktiert, undeine Oberseite (154T), die den Metallsilicidfilm (172) kontaktiert.

Description

  • HINTEGRUND DER ERFINDUNG
  • Die erfindungsgemäßen Konzepte betreffen integrierte Schaltungsvorrichtung, und insbesondere integrierte Schaltungsvorrichtungen, die eine Mehrzahl von zueinander benachbarten leitfähigen Mustern umfassen.
  • In jüngster Zeit werden durch die schnelle Verkleinerung von integrierten Schaltungsvorrichtungen Abstände zwischen einer Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen verringert. Da eine Fläche, die von einer Mehrzahl von Kontaktstopfen eingenommen wird, welche zwischen der Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen angeordnet ist (wobei eine solche Fläche hier als eine „Kontaktfläche“ bezeichnet wird), allmählich verringert wird, ist es schwierig sicherzustellen, dass eine integrierte Schaltungsvorrichtung eine ausreichende Kontaktfläche umfasst.
  • Aus der Druckschrift US 2017/0200821 A1 sind Kontaktstrukturen, FinFET-Bauelemente und Verfahren zum Ausbilden derselben bekannt. Eine der Kontaktstrukturen umfasst einen Source/Drain-Bereich, eine Maskenschicht, einen Verbinder und ein Abschirmungsmuster. Der Source/Drain-Bereich liegt zwischen zwei Gatestapeln. Eine Maskenschicht befindet sich über den Gatestapeln und weist eine Öffnung entsprechend dem Source/Drain-Gebiet auf. Der Verbinder ist elektrisch mit dem Source/Drain-Gebiet verbunden, durchdringt die Öffnung der Maskenschicht und ragt über und unter die Maskenschicht. Das Abschirmungsmuster befindet sich zwischen der Maskenschicht und dem Verbinder und befindet sich in physischem Kontakt mit der Maskenschicht.
  • Aus der Druckschrift US 2007/0018329 A1 ist eine Verbindung mit einer mehrschichtigen Deckschicht und ein Verfahren zum Ausbilden derselben bekannt. Die Verbindung enthält eine dielektrische Zwischenschicht mit einer darin ausgebildeten Rille, eine in der Rille gebildete Metallschicht, eine Metallverbindungsschicht auf der Metallschicht, eine erste Sperrschicht auf der dielektrischen Zwischenschicht und eine zweite Sperrschicht auf sowohl der Metallverbindungsschicht und der ersten Sperrschicht.
  • Aus der Druckschrift US 2014/0231892 A1 ist eine Halbleitervorrichtung bekannt, in der an beiden Seiten von Gatestrukturen erste Dotierstoffgebiete und zweite Dotierstoffgebiete vorgesehen sind. Leitfähige Leitungen kreuzen die Gatestrukturen und sind mit den ersten Dotierstoffgebieten verbunden. Jede der leitfähigen Leitungen weist ein leitfähiges Muster und ein Abdeckmuster auf, das auf dem leitfähigen Muster angeordnet ist. Zwischen den Leiterbahnen sind Kontaktstrukturen vorgesehen und mit den zweiten Dotierstoffgebieten verbunden. Jede der Kontaktstrukturen weist ein unteres Kontaktmuster auf, das auf dem zweiten Dotierstoffbereich angeordnet ist, und ein oberes Kontaktmuster, das auf dem unteren Kontaktmuster angeordnet ist. Eine untere Fläche des oberen Kontaktmusters ist niedriger als eine obere Fläche des leitfähigen Musters.
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Einige Ausführungsbeispiele schaffen integrierte Schaltungsvorrichtungen mit einer Struktur, die eine ausreichende Kontaktfläche zum Tragen einer Mehrzahl von Kontaktstopfen, die zwischen einer Mehrzahl von Verdrahtungsleitungen angeordnet ist, sicherstellt.
  • Die erfindungsgemäßen Konzepte schaffen eine integrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Struktur, die einen Kontaktwiderstand verringert, indem Kontaktflächen von Kontaktstopfen so weit wie möglich vergrößert werden, wobei die Kontaktstopfen innerhalb einer beschränkten Fläche in einer integrierten Schaltungsvorrichtung ausgebildet werden, die aufgrund der Verkleinerung der integrierten Schaltungsvorrichtung eine kleinere Einheitszellengröße aufweist.
  • Eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß den erfinderischen Konzepten ist durch die Ansprüche 1 und 15 definiert. Weiterentwicklungen der integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß den erfinderischen Konzepten sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Figurenliste
  • Die Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Konzepte werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen leichter verständlich, in denen:
    • 1 ein schematisches ebenes Layout ist, das Hauptkonfigurationen eines Speicherzellenarraybereichs einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt;
    • 2A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 2B und 2C jeweils Draufsichten von Teilbereichen 2A sind;
    • 3A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 3B eine Draufsicht eines Teilbereichs 3A ist;
    • 4A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 4B eine Draufsicht eines Teilbereichs 4A ist;
    • 5A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 5B eine Draufsicht eines Teilbereichs 5A ist;
    • 6A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 6B eine Draufsicht eines Teilbereichs 6A ist;
    • 7A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 7B und 7C jeweils Draufsichten von Teilbereichen 7A sind;
    • 8 eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt;
    • 9A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 9B eine Draufsicht eines Teilbereichs 9A ist;
    • 10A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 10B eine Draufsicht eines Teilbereichs 10A ist;
    • 11A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 11B eine Draufsicht eines Teilbereichs 11A ist;
    • 12A eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts ist, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 12B eine Draufsicht eines Teilbereichs 12A ist;
    • 13A bis 13M Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 14A bis 14C Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Beispiels eines Verfahrens zum Ausbilden einer Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern bei einem Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 15A eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs ist, der in einer Draufsicht (c) 13K durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie A-A', und 15B eine teilweise Querschnittsansicht des Bereichs ist, der in der Draufsicht (c) 13K durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie KC-KC';
    • 16A eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs ist, der in einer Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie A-A', und 16B eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs ist, der in der Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie LC-LC';
    • 17 eine teilweise Querschnittsansicht ist, die ein Beispiel einer Struktur darstellt, die durch ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte erhalten werden kann;
    • 18A und 18B Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 19A bis 19G Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 20A bis 20C Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines weiteren Beispiels eines Verfahrens zum Ausbilden einer Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern bei einem Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 21A eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs ist, der in einer Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigt ist, entlang einer Linie A-A', und 21B ist eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs, der in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigt ist, entlang einer Linie FC-FC';
    • 22A und 22B teilweise Querschnittsansichten sind, die ein Beispiel einer Struktur darstellen, die durch ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte erhalten werden kann;
    • 23A und 23B Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen;
    • 24A und 24B Querschnittsansichten sind, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen; und
    • 25 eine Querschnittsansicht ist, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachstehend werden Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Konzepte mit Bezug auf die zugehörige Zeichnung detailliert beschrieben. Gleiche Komponenten werden in der gesamten Spezifikation durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • 1 ist ein schematisches ebenes Layout, das Hauptkonfigurationen eines Speicherzellenarraybereichs einer integrierten Schaltungsvorrichtung 10 gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt.
  • Mit Bezug auf 1 können in der integrierten Schaltungsvorrichtung 10 eine Mehrzahl von Aktivbereichen ACT so angeordnet sein, dass sie sich horizontal in einer schrägen Richtung in Bezug auf eine X-Richtung und eine Y-Richtung auf einer Ebene erstrecken. Eine Mehrzahl von Wortleitungen WL kann sich parallel zueinander entlang der X-Richtung über die Mehrzahl von Aktivbereichen ACT erstrecken. Auf der Mehrzahl von Wortleitungen WL kann sich eine Mehrzahl von Bitleitungen BL parallel zueinander in der die X-Richtung kreuzenden Y-Richtung erstrecken. Die Mehrzahl von Bitleitungen BL kann mittels Direktkontakten DC mit der Mehrzahl von Aktivbereichen ACT verbunden sein.
  • Eine Mehrzahl von vergrabenen Kontakten BC kann zwischen zwei zueinander benachbarten Bitleitungen BL unter der Mehrzahl von Bitleitungen BL ausgebildet sein. Eine Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP kann auf der Mehrzahl von vergrabenen Kontakten BC ausgebildet sein. Die Mehrzahl von vergrabenen Kontakten BC und die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP können untere Elektroden (nicht gezeigt) von Kondensatoren, die über der Mehrzahl von Bitleitungen BL ausgebildet sind, mit den Aktivbereichen ACT verbinden. Jeder der Mehrzahl von Anschlussflecken LP kann so angeordnet sein, dass er einen vergrabenen Kontakt BC zumindest teilweise überlappt.
  • 2A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 100A gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, 2B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie IIB-IIB' 2A, und 2C ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie IIC-IIC' 2A. Die in 2A bis 2C gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100A kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen.
  • Mit Bezug auf 2A bis 2C umfasst die integrierte Schaltungsvorrichtung 100A eine Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136, und eine Mehrzahl von Kontaktstrukturen 150, 154 und 172, die in einer Linie entlang der Y-Richtung zwischen einem Paar von benachbarten Leitungsstrukturen BL und 136 unter der Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136 angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136 eine Mehrzahl von Bitleitungen BL umfasst, die sich entlang einer Richtung (Y-Richtung in 2A bis 2C) horizontal über ein Substrat 110 erstreckt und eine Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136, die die Mehrzahl von Bitleitungen BL bedeckt. Eine Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 (z. B. zumindest ein Paar von isolierenden Abgrenzungselementen 144) kann zwischen dem Paar von benachbarten Leitungsstrukturen BL und 136 angeordnet sein, und kann außerdem einzeln (z. B. sequentiell in einem alternierenden Muster, etc.) zwischen separaten, benachbarten Kontaktstrukturen der Mehrzahl von Kontaktstrukturen 150, 154, und 172 angeordnet sein. Wie zumindest in 2B gezeigt ist, kann ein Paar von isolierenden Abgrenzungselementen 144 jeweils separate, gegenüberliegende Seitenwände von einer ersten Seitenwand 150S1 und einer zweiten Seitenwand 150S2 unter Seitenwänden eines leitfähigen Kontaktstopfens 199 kontaktieren. Anders ausgedrückt, kann der leitfähige Kontaktstopfen 199 zwei Seitenwände 150S1 und 150S2 umfassen, die zwei benachbarte isolierende Abgrenzungselemente 144 von der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kontaktieren, und jede Seitenwand der zwei Seitenwände 150S1 und 150S2 kann sich flach von einem Bereich zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL zu einem Bereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 erstrecken.
  • Wie zumindest in 2C gezeigt ist, kontaktiert (z. B. Direktkontakt) ein Paar von isolierenden Abgrenzungselementen 144 den leitfähigen Kontaktstopfen 199 in zumindest einem Teilbereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 nicht (z. B. in einer sich mit der Querschnittsansichtslinie IIC-IIC' erstreckenden Ebene). Die Mehrzahl von Kontaktstrukturen 150, 154, und 172, die in einer Linie entlang der Y-Richtung angeordnet sind, kann durch die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 voneinander isoliert sein. Wie in dieser Beschreibung erwähnt wird, kann jede Bitleitung BL als eine „leitfähige Leitung“ bezeichnet werden. Wie in 2A-2C gezeigt ist, kann eine integrierte Schaltungsvorrichtung ein Paar von leitfähigen Leitungen BL und ein Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 umfassen, die jeweils das Paar von leitfähigen Leitungen BL bedecken. Jede separate leitfähige Leitung BL mit darauf befindlichem isolierenden Abdeckmuster 136 kann gemeinschaftlich als eine „Leitungsstruktur“ LT bezeichnet werden. Auf diese Weise kann die integrierte Schaltungsvorrichtung 100A, wie in 2A-2C gezeigt ist, ein Paar von „Leitungsstrukturen“ LT umfassen, bei denen jede separate Leitungsstruktur LT eine separate leitfähige Leitung BL eines Paars von leitfähigen Leitungen BL, und ein separates isolierendes Abdeckmuster 136 eines Paars von isolierenden Abdeckmustern umfasst, die jeweils das Paar von leitfähigen Leitungen BL bedecken. Wie in 2A-2C gezeigt ist, kann sich das Paar von leitfähigen Leitungen BL in einer ersten horizontalen Richtung über ein Substrat 110 erstrecken. Bei einigen Ausführungsbeispielen, einschließlich den in 2A-2C gezeigten Ausführungsbeispielen, kann der obere isolierende Abstandhalter 152 einen Abschnitt zwischen der Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 und jedem isolierenden Abgrenzungselement 144 umfassen.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat 110 Silizium, beispielweise einkristallines Silizium, polykristallines Silizium, oder amorphes Silizium umfassen. Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat 110 zumindest eines ausgewählt aus Ge, SiGe, SiC, GaAs, InAs, und InP umfassen. Das Substrat 110 kann einen leitfähigen Bereich, beispielsweise eine verunreinigungsdotierte Wanne oder eine verunreinigungsdotierte Struktur, umfassen.
  • Ein erster Isolierfilm 122 und ein zweiter Isolierfilm 124 werden in der angegebenen Reihenfolge auf dem Substrat 110 ausgebildet. Sowohl der erste Isolierfilm 122 als auch der zweite Isolierfilm 124 können Siliziumoxid, Siliziumnitrid, oder Kombinationen hiervon umfassen.
  • Die Mehrzahl von Bitleitungen BL kann sich parallel zueinander in der Y-Richtung auf dem zweiten Isolierfilm 124 erstrecken. Jede der Mehrzahl von Bitleitungen BL kann leitfähiges Polysilizium, TiN, TiSiN, W, Wolframsilicid, oder Kombinationen hiervon umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Jede Kontaktstruktur der Mehrzahl von Kontaktstrukturen 150, 154, und 172 kann einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150, einen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154, und einen Metallsilizidfilm 172 umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge auf dem Substrat 110 gestapelt werden. Wie in 2A gezeigt ist, können der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 und der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 gemeinschaftlich als der „leitfähige Kontaktstopfen“ 199 bezeichnet werden. Wie in 2A-2C gezeigt ist, kann der leitfähige Kontaktstopfen 199 eine erste Breite W11 (z. B. entlang der in 2A gezeigten Querschnittsansichtslinie IIB-IIB') zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL aufweisen, und eine zweite Breite W12 (z. B. entlang der in 2A gezeigten Querschnittsansichtslinie IIC-IIC') zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136. Beispielsweise kann der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 die erste Breite aufweisen und der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 kann die zweite Breite aufweisen. Wie in 2A-2C gezeigt ist, können die erste Breite und die zweite Breite, wie vorstehend bereits erwähnt, in einer zweiten horizontalen Richtung verlaufen, die senkrecht zu der ersten horizontalen Richtung ist. Wie ferner in 2A-2C gezeigt ist, kann die zweite Breite größer sein als die erste Breite. Wie ferner in zumindest 2A gezeigt ist, kann der Metallsilizidfilm 172 eine Oberseite 199T des leitfähigen Kontaktstopfens 199 zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 kontaktieren. Wie gezeigt ist, kann die Oberseite 199T des leitfähigen Kontaktstopfens 199 eine Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 sein.
  • Wie in 2B-2C gezeigt ist, kann der leitfähige Kontaktstopfen 199 eine dritte Breite W13 zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL, und eine vierte Breite W14 zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 aufweisen, wobei die dritte Breite W13 und die vierte Breite W14 in der ersten horizontalen Richtung verlaufen, und die vierte Breite W14 kleiner („geringer“) ist als die dritte Breite W13.
  • Wie in 2A-2C gezeigt ist, kann der leitfähige Kontaktstopfen 199 einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL umfassen, wobei der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 eine Oberseite 150T aufweist, die von direktem Kontakt mit dem Metallsilizidfilm 172 isoliert ist (von diesem beabstandet ist). Der leitfähige Kontaktstopfen 199 kann ferner einen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 umfassen, wobei der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 eine Unterseite 154B aufweist, die eine Oberseite des unteren leitfähigen Kontaktstopfens kontaktiert (z. B. direkt kontaktiert), und eine Oberseite 154T, die den Metallsilizidfilm 172 kontaktiert.
  • Wie in 2A gezeigt ist, kann eine Breite einer Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 in einer zweiten horizontalen Richtung (z. B. der X-Richtung) größer sein als eine Breite einer Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der zweiten horizontalen Richtung.
  • Jeder der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 kann den ersten Isolierfilm 122 und den zweiten Isolierfilm 124 durchdringen und sich auf ein niedrigeres Niveau als eine Oberseite des Substrats 110 erstrecken. Jeder der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 kann eine Unterseite 150B auf einem niedrigeren Niveau als die Oberseite des Substrats 110 haben, und eine Oberseite 150T auf einem höheren Niveau als die Oberseiten der Mehrzahl von Bitleitungen BL. Die Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 ist von dem Metallsilizidfilm 172 beabstandet. Ein Abschnitt des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 zwischen einem Paar von benachbarten Bitleitungen BL, beispielsweise ein Abschnitt davon an einer Querschnittsansichtslinie IIB-IIB', kann eine erste Breite W11 in der zu der Y-Richtung senkrechten X-Richtung aufweisen.
  • Eine Unterseite 154B des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kann die Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 kontaktieren, und eine Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kann den Metallsilizidfilm 172 kontaktieren.
  • Der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 ist zu einem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 hin auf beiden Seiten davon in der X-Richtung vergrößert, und eine Breite der Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 ist größer als eine Breite von dessen Unterseite 154B. Somit kann die Breite der Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 größer sein als eine Breite der Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der X-Richtung. Ein Abschnitt des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustem 136, beispielsweise ein Abschnitt davon an einer Querschnittsansichtslinie IIC-IIC', kann eine zweite Breite W12 aufweisen, die größer ist als die erste Breite W11 in der X-Richtung. Sowohl der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 als auch der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 können dotiertes Polysilizium umfassen.
  • Der Metallsilizidfilm 172 kann Kobaltsilicid, Nickelsilizid, oder Mangansilizid umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein.
  • Wie in 2A-2C gezeigt ist, kann der leitfähige Kontaktstopfen 199 jeweilige erste und zweite Seitenwände 199S1 und 199S2 haben, die einander gegenüberliegen und sich in der vorgenannten ersten horizontalen Richtung (die erste horizontale Richtung kann beispielsweise die Y-Richtung sein) erstrecken. Wie in 2A gezeigt ist, kann sich jede Seitenwand von der ersten und zweiten Seitenwand 199S1 und 199S2 ohne Stufe von einem Bereich zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL (z. B. an dem Punkt der Querschnittsansichtslinie IIB-IIB') zu einem Bereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 (z. B. einem Bereich des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154, der über der Unterseite 154B ist) erstrecken.
  • Ein isolierender Abstandhalter SPC1 ist zwischen einer Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 (und somit zwischen jeder leitfähigen Leitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 199), und zwischen der Bitleitung BL und einem isolierenden Abgrenzungselement 144 angeordnet, und ein oberer isolierender Abstandhalter 152 ist zwischen jedem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 (und somit zwischen jedem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem leitfähigen Kontaktstopfen 199) angeordnet. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalter SPC1, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist, kann einen unteren isolierenden Abstandhalter 140L darstellen. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 152 ist geringer als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalters 140L in der X-Richtung (z. B. der vorgenannten zweiten horizontalen Richtung). Wie zumindest in 2B-2C gezeigt ist, kann der untere isolierende Abstandhalter 140L eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite (z. B. parallel) mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt, und der obere isolierende Abstandhalter 152 kann eine Ringform aufweisen, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 umgibt (z. B. so konfiguriert ist, dass sie diesen umgibt). Die Unterseite 154B des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kann sich auf einem niedrigeren Niveau befinden als eine Oberseite des unteren isolierenden Abstandhalters 140L. Somit kann sich eine Schnittstelle zwischen dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 auf einem niedrigeren Niveau befinden als eine Oberseite des unteren isolierenden Abstandhalters 140L.
  • Der isolierende Abstandhalter SPC1 kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die eine isolierende Auskleidung 140A umfasst. Bei einigen Ausführungsformen kann der isolierende Abstandhalter SPC1 die isolierende Auskleidung 140A und zumindest einen Isolierfilm umfassen, der die isolierende Auskleidung 140A bedeckt, wobei die isolierende Auskleidung 140A und der zumindest eine Isolierfilm in der angegebenen Reihenfolge an einer Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Der zumindest eine Isolierfilm kann einen Oxidfilm, einen Nitridfilm, einen Luftabstandhalter, oder Kombinationen hiervon umfassen. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC1 befindet sich, wie in 2C gezeigt ist, gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in einem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154. Der obere isolierende Abstandhalter 152 kann zwischen der isolierenden Auskleidung 140A und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 angeordnet sein. Der obere isolierende Abstandhalter 152 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen. In der gesamten Spezifikation kann ein Luftabstandhalter atmosphärische oder andere Gase umfassen, die während des Herstellungsprozesses vorhanden sind.
  • Wie in 2B gezeigt ist, kann jeder der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 auf dem ersten Niveau beide einander in der Y-Richtung gegenüberliegende Seitenwände unter den Seitenwänden der unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 kontaktieren. Andererseits kontaktiert jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144, wie in 2C gezeigt ist, Abschnitte von beiden einander in der Y-Richtung gegenüberliegenden Seitenwänden unter den Seitenwänden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 gegebenenfalls nicht, da der obere isolierende Abstandhalter 152 eine Ringform aufweist, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 umgibt. Wie untenstehend mit Bezug auf 16B beschrieben wird, können beide einander in der Y-Richtung gegenüberliegenden Seitenwände unter Seitenwänden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 Abschnitte umfassen, die jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 umfassen.
  • In einem Kontaktraum, der durch zwei benachbarte isolierende Abgrenzungselemente 144 in einem Bereich zwischen zwei benachbarten isolierenden Abdeckmuster 136 definiert wird, kann der Metallsilizidfilm 172 so ausgebildet sein, dass er die Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154, der eine relativ große Oberfläche aufweist, kontaktiert. Auf diese Weise kann ein Kontaktwiderstand verringert werden.
  • Ein Raum über dem Metallsilizidfilm 172 kann mit einem leitfähigen Anschlussfleck 190 gefüllt werden. Der leitfähige Anschlussfleck 190 kann mittels dem Metallsilizidfilm 172 mit dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 verbunden sein. Der leitfähige Anschlussfleck 190 kann einen in 1 gezeigten leitfähigen Anschlussfleck LP darstellen.
  • Obwohl 2A ein Beispiel darstellt, bei dem der leitfähige Anschlussfleck 190 eine Struktur aufweist, die den Bereich zwischen den zwei benachbarten isolierten Abdeckmustern 136 füllt, sind die erfindungsgemäßen Konzepte nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann der leitfähige Anschlussfleck 190 eine Struktur aufweisen, die den Bereich zwischen den zwei benachbarten isolierenden Abdeckmustern 136 füllt und sich gleichzeitig so über eine Oberseite des isolierenden Abdeckmusters 136 erstreckt, dass sie einen Abschnitt von jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL vertikal überlappt. Der leitfähige Anschlussfleck 190 umfasst einen leitfähigen Barrierefilm und eine leitfähige Schicht. Die leitfähige Schicht kann auf dem leitfähigen Barrierefilm angeordnet sein, um einen Raum zwischen den isolierenden Abdeckmustern 136 zu füllen. Der leitfähige Barrierefilm kann eine gestapelte Ti/TiN-Struktur umfassen. Die leitfähige Schicht kann dotiertes Polysilizium, ein Metall, ein Metallsilicid, ein leitfähiges Metallnitrid, oder Kombinationen hiervon umfassen. Die leitfähige Schicht kann beispielsweise Wolfram (W) umfassen. Der leitfähige Anschlussfleck 190 kann in einer Draufsicht eine Musterform einer Insel aufweisen.
  • 3A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts einer integrierten Schaltungsvorrichtung 100B gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte, und 3B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie IIIB-IIIB' 3A. Die in 3A und 3B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100B kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 3A und 3B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 2C jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 3A und 3B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 100B eine im Wesentlichen identische Konfiguration auf wie die in 2A bis 2C gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100A. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC2 mit einer dreischichtigen Struktur zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 144 angeordnet. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC2, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist, kann einen unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 152 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC2 in der X-Richtung. Der isolierende Abstandhalter SPC2 weist eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen in der Y-Richtung (z. B. so konfiguriert ist, dass sie sich erstreckt) erstreckt.
  • Der isolierende Abstandhalter SPC2 kann die isolierende Auskleidung 140A, einen ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und einen zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC2 befindet sich, ähnlich wie in 2C, gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154. Sowohl die isolierende Auskleidung 140A als auch der zweite isolierende Abstandhalter 140C können einen Siliziumnitridfilm umfassen, und der erste isolierende Abstandhalter 140B kann einen Siliziumoxidfilm umfassen.
  • 4A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 100C gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 4B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie IVB-IVB' 4A. Die in 4A und 4B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100C kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 4A und 4B kennzeichnen gleiche Bezugszeichen wie in 2A bis 3B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 4A und 4B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 100C eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 3A bis 3B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100B auf. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC3, der einen unteren Luftabstandhalter 140AS umfasst, zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 144 angeordnet. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC3, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 152 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC3 in der X-Richtung. Der isolierende Abstandhalter SPC3 weist eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Der isolierende Abstandhalter SPC3 kann die isolierende Auskleidung 140A, den unteren Luftabstandhalter 140AS, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC3 befindet sich, wie in 2C, gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154.
  • 5A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 100D gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 5B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an der Querschnittsansichtslinie VB-VB' 5A. Die in 5A und 5B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100D kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 5A und 5B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 3B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 5A und 5B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 100D eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 3A bis 3B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100B. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC4 mit einer dreischichtigen Struktur zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 144 angeordnet, und ein oberer isolierender Abstandhalter 162 mit einer zweischichtigen Struktur ist zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 angeordnet.
  • Ähnlich wie der in 3A und 3B gezeigte isolierende Abstandhalter SPC2, kann der isolierende Abstandhalter SPC4 die isolierende Auskleidung 140A, den ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalter SPC4, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 162 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC4 in der X-Richtung. Der isolierende Abstandhalter SPC4 weist eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Der obere isolierende Abstandhalter 162 weist eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie der in 2A und 2C gezeigte obere isolierende Abstandhalter 152 auf. Jedoch umfasst der obere isolierende Abstandhalter 162 einen Oxidabstandhalter 162A und einen Nitridabstandhalter 162B, die eine Seitenwand des isolierenden Abdeckmusters 136 in der angegebenen Reihenfolge bedecken. Der Oxidabstandhalter 162A kann Siliziumoxid umfassen, und der Nitridabstandhalter 162B kann Siliziumnitrid umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • 6A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 100E gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 6B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie VIB-VIB' 6A. Die in 6A und 6B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100E kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. in 6A und 6B kennzeichnen gleiche Bezugszeichen wie in 2A bis 5B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 6A und 6B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 100E eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 5A bis 5B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100D auf. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC5, der den in 4A und 4B gezeigten unteren Luftabstandhalter 140AS umfasst, zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 144 angeordnet. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC5, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Ein oberer isolierender Abstandhalter 162Y mit einer zweischichtigen Struktur, die einen oberen Luftabstandhalter 162AS umfasst, ist zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 angeordnet.
  • Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 162Y ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC5 in der X-Richtung. Der isolierende Abstandhalter SPC5 weist eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt. Der isolierende Abstandhalter SPC5 kann die isolierende Auskleidung 140A, den unteren isolierenden Abstandhalter 140AS, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC5 befindet sich, wie in 5B gezeigt ist, gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154.
  • Die obere isolierende Auskleidung 162Y kann den oberen Luftabstandhalter 162AS und den Nitridabstandhalter 162B umfassen, die die Seitenwand des isolierenden Abdeckmusters 136 in der angegebenen Reihenfolge bedecken.
  • Der obere Luftabstandhalter 162AS kann mit dem unteren Luftabstandhalter 140AS kommunizieren. Anders ausgedrückt, können der obere Luftabstandhalter 162AS und der untere Luftabstandhalter 140AS einen einzigen, kontinuierlichen Luftabstandhalter darstellen. Eine Breite des oberen Luftabstandhalters 162AS kann geringer sein als eine Breite des unteren Luftabstandhalters 140AS in der X-Richtung. Rückbezüglich auf 4B kann der untere Luftabstandhalter 140AS eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite (z. B. parallel) mit der Bitleitung BL in der Y-Richtung erstreckt, und der obere Luftabstandhalter 162AS kann eine Ringform aufweisen, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 (z. B. wie in 6B gezeigt) umgibt, und somit einen leitfähigen Kontaktstopfen 199 umgibt, der den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 umfasst.
  • 7A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200A gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, 7B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie VIIB-VIIB' 7A, und 7C ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an einer Querschnittsansichtslinie VIIC-VIIC' 7A. Die in 7A bis 7C gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200A kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 7A bis 7C kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 6B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 7A bis 7C umfasst die integrierte Schaltungsvorrichtung 200A die Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136, und eine Mehrzahl von Kontaktstrukturen 250 und 172, die in einer Linie entlang der Y-Richtung zwischen dem Paar von benachbarten Leitungsstrukturen BL und 136 unter der Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136 angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Leitungsstrukturen BL und 136 die Mehrzahl von Bitleitungen BL und die Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 umfasst, die die Mehrzahl von Bitleitungen BL bedeckt. Jede der Mehrzahl von Kontaktstrukturen 250 und 172 kann einen leitfähigen Kontaktstopfen 250 und den Metallsilizidfilm 172 umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge auf dem Substrat 110 gestapelt sind. Der leitfähige Kontaktstopfen 250 kann dem leitfähigen Kontaktstopfen 199 ähneln, mit dem Unterschied, dass der leitfähige Kontaktstopfen 250 ein einzelnes, kontinuierliches Kontaktstopfenelement umfasst, statt einer Kombination von separaten, kontaktierenden Elementen des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 und des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154, wie es zumindest in 2A gezeigt ist. Auf diese Weise kann die Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250, wie zumindest in 7A gezeigt ist, den Metallsilizidfilm 172 kontaktieren, und der leitfähige Kontaktstopfen 250 kann sich integral (z. B. kontinuierlich und ohne Schnittstelle zwischen separaten Elementen des leitfähigen Kontaktstopfens) von eine Raum zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen BL (z. B. entlang der Querschnittsansichtslinie VIIB-VIIB') zu einem Raum zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 (z. B. entlang der Querschnittsansichtslinie VIIC-VIIC') erstrecken.
  • Jeder der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 kann eine Unterseite 250B auf einem niedrigeren Niveau als die Oberseite des Substrats 110 aufweisen, und eine Oberseite 250T auf einem höheren Niveau als die Oberseite der Mehrzahl von Bitleitungen BL. Die Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250 kontaktiert den Metallsilizidfilm 172. Ein Bereich des leitfähigen Kontaktstopfens 250 zwischen dem Paar von benachbarten Bitleitungen BL, beispielsweise ein Bereich davon an der Querschnittsansichtslinie VIIB-VIIB', kann eine erste Breite W21 in der X-Richtung aufweisen. Ein Abschnitt des leitfähigen Kontaktstopfens 250 zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern 136 kann einen vergrößerten oberen Abschnitt 250E mit einer größeren Breite als der ersten Breite W21 zumindest teilweise umfassen. Beispielsweise kann ein Abschnitt des leitfähigen Kontaktstopfens 250 an der Querschnittsansichtslinie VIIC-VIIC' eine zweite Breite W22 aufweisen, die größer ist als die erste Breite W21 in der X-Richtung. Somit kann ein Abschnitt des leitfähigen Kontaktstopfens 250 über der Oberseite des Substrats 110 eine in etwa T-ähnliche Querschnittsform entlang der X-Richtung aufweisen. Der leitfähige Kontaktstopfen 250 kann eine Struktur aufweisen, die sich integral von einem Raum zwischen einem Paar von Bitleitungen BL zu der Oberseite 250T erstreckt, die den Metallsilizidfilm 172 kontaktiert. Der leitfähige Kontaktstopfen 250 kann dotiertes Polysilizium umfassen.
  • Ein isolierender Abstandhalter SPC6 ist zwischen der Bitleitung BL und einem unteren Abschnitt des leitfähigen Kontaktstopfens 250 angeordnet, der eine relativ geringe Breite aufweist, und zwischen der Bitleitung BL und einem isolierenden Abgrenzungselement 244, und ein oberer isolierender Abstandhalter 252 ist zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 angeordnet, und zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem isolierenden Abgrenzungselement 244. Der isolierende Abstandhalter SPC6 kann eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie der in 3A und 3B gezeigte isolierende Abstandhalter SPC2 haben. Der isolierende Abstandhalter SPC6 kann die isolierende Auskleidung 140A, den ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC6, der zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 252 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC6 in der X-Richtung. Sowohl der isolierende Abstandhalter SPC6 als auch der obere isolierende Abstandhalter 252 können eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite (z. B. parallel) mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC6 kann sich, wie in 7C gezeigt ist, gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in einem Bereich zwischen dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 und dem isolierenden Abdeckmuster 136 befinden. Der obere isolierende Abstandhalter 252 kann zwischen dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 und der isolierenden Auskleidung 140A angeordnet sein. Der obere isolierende Abstandhalter 252 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Wie in 7B und 7C an der Querschnittsansichtslinie VIIB-VIIB' und der Querschnittsansichtslinie VIIC-VIIC' gezeigt ist, kann jedes einer Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 beide einander in der Y-Richtung gegenüberliegenden Seitenwände unter den Seitenwänden der leitfähigen Kontaktstopfen 250 kontaktieren. Somit kann jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 ebenso den vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 kontaktieren.
  • In einem Kontaktraum, der durch zwei benachbarte isolierende Abgrenzungselemente 244 in dem Bereich zwischen zwei benachbarten isolierenden Abdeckmustern 136 definiert wird, kann der Metallsilizidfilm 172 so ausgebildet sein, dass er die Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250 mit einer relativ großen Oberfläche kontaktiert. Auf diese Weise kann ein Kontaktwiderstand verringert werden.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200B gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt. In 8 kennzeichnen gleiche Bezugszeichen wie in 2A bis 7C jeweils gleiche Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 8 weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 200B eine im Wesentlichen identische Konfiguration auf wie die in 7A und 7B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200A. Eine ebene Konfiguration der integrierten Schaltungsvorrichtung 200B an der Querschnittsansichtslinie VIIC-VIIC' 8 kann im Wesentlichen identisch mit der in 7C gezeigten sein. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC7, der den unteren Luftabstandhalter 140AS umfasst, zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet (siehe 7B). Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC7, der zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Die Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 252 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC7 in der X-Richtung. Der isolierende Abstandhalter SPC7 weist eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl der Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Der isolierende Abstandhalter SPC7 kann die isolierende Auskleidung 140A, den unteren Luftabstandhalter 140AS, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC7 kann sich gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in einem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 befinden.
  • 9A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200C gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 9B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an der Querschnittsansichtslinie IXB-IXB' 9A. Die in 9A und 9B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200C kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 9A und 9B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 8 jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 9A und 9B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 200C eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 7A bis 7C gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200A auf. Zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 ist ein isolierender Abstandhalter SPC8 angeordnet. Ähnlich wie der in 7A und 7B gezeigte isolierende Abstandhalter SPC6 kann der isolierende Abstandhalter SPC8 die isolierende Auskleidung 140A, den ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC8, der zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Jedoch ist bei der integrierten Schaltungsvorrichtung 200C, anders als bei der in 7A bis 7C gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200A, ein oberer isolierenden Abstandhalter 262 mit einer zweischichtigen Struktur zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250, und zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 262 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalter SPC8 in der X-Richtung. Sowohl der isolierende Abstandhalter SPC8 als auch der obere isolierende Abstandhalter 262 weisen eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Der obere isolierende Abstandhalter 262 umfasst einen Oxid-Abstandhalter 262A und einen Nitrid-Abstandhalter 262B, die die Seitenwand des isolierenden Abdeckmusters 136 in der angegebenen Reihenfolge bedecken. Der Oxid-Abstandhalter 262A kann Siliziumoxid umfassen, und der Nitridabstandhalter 262B kann Siliziumnitrid enthalten, ohne hierauf beschränkt zu sein.
  • 10A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200D gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 10B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an der Querschnittsansichtslinie XB-XB' 10A. Die in 10A und 10B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200D kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 10A und 10B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 9B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 10A und 10B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 200D eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 9A und 9B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung auf. Jedoch ist ein isolierenden Abstandhalter SPC9, der den unteren Luftabstandhalter 140AS umfasst, zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 244. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC9, der zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Ein oberer isolierender Abstandhalter 262Y einer zweischichtigen Struktur, die einen oberen Luftabstandhalter 262AS umfasst, ist zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250, und zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet. Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 262Y ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC9 in der X-Richtung. Sowohl der isolierende Abstandhalter SPC9 als auch der obere isolierende Abstandhalter 262Y weisen eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Der isolierende Abstandhalter SPC9 kann die isolierende Auskleidung 140A, den unteren Luftabstandhalter 140AS, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung angeordnet sind. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC9 kann sich gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 befinden.
  • Der obere isolierende Abstandhalter 262Y kann einen oberen Luftabstandhalter 262AS und den Nitridabstandhalter 262B umfassen, die die Seitenwand des isolierenden Abdeckmusters 136 in der angegebenen Reihenfolge bedecken. Der obere Luftabstandhalter 262AS kann mit dem unteren Luftabstandhalter 140AS kommunizieren. Eine Breite des oberen Luftabstandhalter 262AS kann geringer sein als die Breite des unteren Luftabstandhalters 140AS in der X-Richtung. Wie in 10B gezeigt ist, und ferner mit Rückbezug auf 4B, können sowohl der untere Luftabstandhalter 140AS als auch der obere Luftabstandhalter 262AS eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite mit der Bitleitung BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • 11A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200E gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 11B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an der Querschnittsansichtslinie XIB-XIB' 11A. Die in 11A und 11B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200E kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 11A und 11B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 10B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 11A und 11B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 200E eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 9A und 9B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200C auf. Jedoch ist ein isolierender Abstandhalter SPC10 mit einer vierschichtigen Struktur zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet. Ein oberer isolierender Abstandhalter 240DS ist zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 angeordnet.
  • Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC10, der zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Der isolierende Abstandhalter SPC 10 kann eine isolierende Auskleidung 240A, einen ersten isolierenden Abstandhalter 240B, einen zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und einen dritten isolierenden Abstandhalter 240D1 umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung angeordnet sind. Wie in einem Bereich gezeigt ist, der in 11A durch „SPE“ angezeigt ist, umfasst der dritte isolierende Abstandhalter 240D 1 einen unteren Abschnitt 240DB an einem zu der Bitleitung BL benachbarten unteren Ende davon, wobei sich der untere Abschnitt 240DB horizontal so erstreckt, dass er die isolierende Auskleidung 240A kontaktiert, während er einen Raum zwischen Unterseiten des ersten isolierenden Abstandhalters 240B und des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C und einer Oberseite des zweiten Isolierfilms 124 füllt. Somit kann der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 eine in etwa L-ähnliche Querschnittsform entlang der X-Richtung aufweisen, und die Unterseite von sowohl dem ersten isolierenden Abstandhalter 240B als auch dem zweiten isolierenden Abstandhalter 240C kann den unteren Abschnitt 240DB des dritten isolierenden Abstandhalters 240D1 kontaktieren. Bei dem isolierenden Abstandhalters SPC10 kann sich gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 240A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 befinden. Detailliertere Konfigurationen der isolierenden Auskleidung 240A, des ersten isolierenden Abstandhalters 240B, und des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C sind im Wesentlichen identisch mit denen der isolierenden Auskleidung 140A, des ersten isolierenden Abstandhalters 140B, und des zweiten isolierenden Abstandhalters 140C, die mit Bezug auf 7A bis 7C beschrieben wurden. Der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 kann das gleiche Material umfassen wie der obere isolierende Abstandhalter 240D2. Bei einigen Ausführungsformen können der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 und der obere isolierende Abstandhalter 240D2 einen Siliziumnitridfilm umfassen. Eine detailliertere Konfiguration des oberen isolierenden Abstandhalters 240D2 ist im Wesentlichen identisch mit jener des oberen isolierenden Abstandhalters 252, der mit Bezug auf 7A bis 7C beschrieben wurde.
  • Eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 240D2 ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC10 in der X-Richtung. Sowohl der isolierende Abstandhalter SPC10 als auch der obere isolierende Abstandhalter 240D2 weisen eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • 12A ist eine Querschnittsansicht eines Hauptabschnitts, die eine integrierte Schaltungsvorrichtung 200F gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt, und 12B ist eine Draufsicht eines Teilbereichs an der Querschnittsansichtslinie XIIB-XIIB' 12A. Die in 12A und 12B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200F kann einen Abschnitt der in 1 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 10 darstellen. In 12A und 12B kennzeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in 2A bis 11B jeweils die gleichen Elemente, und von wiederholten Beschreibungen von diesen wird abgesehen.
  • Mit Bezug auf 12A und 12B weist die integrierte Schaltungsvorrichtung 200F eine im Wesentlichen identische Konfiguration wie die in 11A und 11B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200E auf. Jedoch ist, wie zumindest in 12A gezeigt ist, ein isolierender Abstandhalter SPC11, der einen unteren Luftabstandhalter 240AS umfasst, in einem Raum zwischen der Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250, und zwischen der Bitleitung BL und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet. Ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC11, der zwischen den Bitleitung BL und dem leitfähigen Kontaktstopfen 250 angeordnet ist, kann den unteren isolierenden Abstandhalter darstellen. Der isolierende Abstandhalter SPC11 kann die isolierende Auskleidung 240A, den unteren Luftabstandhalter 240AS, den zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und den dritten isolierenden Abstandhalter 240D1 umfassen, die in der angegebenen Reihenfolge an der Seitenwand der Bitleitung BL angeordnet sind (z. B. sequentiell an der Seitenwand der Bitleitung BL positioniert sind). Wie in einem Bereich gezeigt ist, der in 12A durch „SPF“ angezeigt ist, umfasst der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 den unteren Abschnitt 240DB, der sich horizontal so zu der isolierenden Auskleidung 240A erstreckt, dass er ein Ende des unteren Luftabstandhalters 240AS schließt, während er einen Raum zwischen der Unterseite des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C und der Oberseite des zweiten Isolierfilms 124 füllt. Anders ausgedrückt, und wie in 12A gezeigt, kann der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 einen unteren Abschnitt 240DB umfassen, der sich horizontal so erstreckt, dass er die isolierende Auskleidung 240A in einer Nähe einer Unterseite von jeder leitfähigen Leitung BL kontaktiert. Somit kann der dritte isolierende Abstandhalter 240D1 eine in etwa L-ähnliche Querschnittsform entlang der X-Richtung aufweisen, und das Ende des unteren Luftabstandhalters 240AS kann durch die isolierende Auskleidung 240A, den zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und den unteren Abschnitt 240DB des dritten isolierenden Abstandhalters 240D1 definiert werden. Anders ausgedrückt, kann ein Ende des unteren Luftabstandhalters 240AS in einer Nähe der Unterseite von jeder leitfähigen Leitung BL von der isolierenden Auskleidung 240A, dem zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und dem unteren Abschnitt 240DB des dritten isolierenden Abstandhalters 240D1 umgeben sein.
  • Ähnlich wie bei der in 10A und 10B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200D ist der obere isolierende Abstandhalter 262Y mit einer zweischichtigen Struktur, die den oberen Luftabstandhalter 262AS umfasst, zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250, und zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem isolierenden Abgrenzungselement 244 angeordnet.
  • Die Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 262Y ist geringer als eine Breite des isolierenden Abstandhalters SPC 11 in der X-Richtung. Sowohl der isolierende Abstandhalter SPC11 als auch der obere isolierende Abstandhalter 262Y weisen eine Linienform auf, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt. Bei dem isolierenden Abstandhalter SPC 11 kann sich gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 240A in dem Bereich zwischen dem isolierenden Abdeckmuster 136 und dem vergrößerten oberen Abschnitt 250E des leitfähigen Kontaktstopfens 250 befinden. Der obere Luftabstandhalter 262AS kann mit dem unteren Luftabstandhalter 240AS kommunizieren. Die Breite des oberen Luftabstandhalters 262AS kann geringer sein als eine Breite des unteren Luftabstandhalters 240AS in der X-Richtung. Sowohl der untere Luftabstandhalter 240AS als auch der obere Luftabstandhalter 262AS können eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite mit der Bitleitung BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • 13A bis 13M sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte zeigen. In 13A bis 13M stellt jede durch (a) angezeigte Querschnittsansicht Hauptkonfigurationen eines Bereichs dar, der einem Querschnitt entlang der Linie A-A' 1 gemäß einer Prozessreihenfolge entspricht, und jede durch (b) angezeigte Querschnittsansicht stellt Hauptkonfigurationen eines Bereichs dar, der einem Querschnitt entlang der Linie B-B' 1 gemäß einer Prozessreihenfolge entspricht. In 13G bis 13L stellt jede durch (c) angezeigte Draufsicht eine ebene Konfiguration einiger Komponenten eines resultierenden Produkts dar, das in einem entsprechenden Prozess erhalten wird.
  • Mit Bezug auf 13A ist ein Vorrichtungs-Isoliergraben T1 in dem Substrat 110 ausgebildet, und ein Vorrichtungs-Isolierfilm 112 ist in dem Vorrichtungs-Isoliergraben T1 ausgebildet.
  • In dem Substrat 110 kann ein Aktivbereich ACT durch den Vorrichtungs-Isolierfilm 112 definiert sein. Der Vorrichtungs-Isolierfilm 112 kann einen Oxidfilm, einen Nitridfilm, oder Kombinationen hiervon umfassen. Der Vorrichtungs-Isolierfilm 112 kann eine einzelne Schicht mit einem Isolierfilm umfassen, zwei Schichten mit zwei Isolierfilmen aus unterschiedlichen Materialien, und mehrere Schichten mit Kombinationen von zumindest drei Isolierfilmen.
  • Eine Mehrzahl von Wortleitungsgräben T2 kann in dem Substrat 110 ausgebildet sein. Die Mehrzahl von Wortleitungsgräben T2 erstreckt sich parallel zueinander in der X-Richtung. und kann Linienformen aufweisen, die den Aktivbereich ACT kreuzen. Wie in der Querschnittsansicht, die in 13A durch (b) angezeigt ist, gezeigt ist, können der Vorrichtungs-Isolierfilm 112 und das Substrat 110 zum Ausbilden der Mehrzahl von Wortleitungsgräben T2, die an ihrer Unterseite jeweils eine Stufe aufweisen, jeweils durch separate Ätzprozesse geätzt werden, und somit unterschiedliche Ätztiefen aufweisen. Ein resultierendes Produkt, in dem die Mehrzahl von Wortleitungsgräben T2 ausgebildet ist, kann gesäubert werden, gefolgt von dem Ausbilden eines dielektrischen Gate-Films 116, einer Wortleitung 118, und eines vergrabenen Isolierfilms 120 in jedem der Wortleitungsgräben T2 in der angegebenen Reihenfolge. Bei einigen Ausführungsformen kann eine Mehrzahl von Wortleitungen 118 ausgebildet werden, gefolgt von dem Implantieren von Verunreinigungsionen in das Substrat 110 auf beiden Seiten von jeder der Mehrzahl von Wortleitungen 118, wodurch eine Mehrzahl von Source-/Drain-Bereichen in oberen Abschnitten der Mehrzahl von Aktivbereichen ACT ausgebildet wird. Bei anderen Ausführungsformen kann ein Implantationsprozess von Verunreinigungsionen zum Ausbilden der Mehrzahl von Source-/Drain-Bereichen ausgeführt werden, bevor die Mehrzahl von Wortleitungen 118 ausgebildet werden.
  • Der dielektrische Gate-Film 116 kann zumindest eines ausgewählt aus einem Siliziumoxidfilm, einem Siliziumnitridfilm, einem Siliziumoxidnitridfilm, Oxid/Nitrid/Oxid (ONO), und einem dielektrischen Film mit hohem K mit einer höheren Dielektrizitätskonstante als ein Siliziumoxidfilm umfassen. Der dielektrische Gate-Film 116 kann beispielsweise eine Dielektrizitätskonstante von etwa 10 bis etwa 25 aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann der dielektrische Gate-Film 116 HfO2, Al2O3, HfAlO3, Ta2O3, TiO2, oder Kombinationen hiervon umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Jede der Mehrzahl von Wortleitungen 118 kann Ti, TiN, Ta, TaN, W, WN, TiSiN, WSiN, oder Kombinationen hiervon umfassen.
  • Oberseiten einer Mehrzahl von vergrabenen Isolierfilmen 120 können sich auf einem im Wesentlichen identischen Niveau befinden wie die Oberseite des Substrats 110. Jeder der Mehrzahl von vergrabenen Isolierfilmen 120 kann einen Siliziumoxidfilm, einen Siliziumnitridfilm, einen Siliziumoxidnitridfilm, oder Kombinationen hiervon umfassen. Ein erster Isolierfilm 122 und ein zweiter Isolierfilm 124 können in der angegebenen Reihenfolge auf der Mehrzahl von vergrabenen Isolierfilmen 120 und dem Substrat 110 ausgebildet sein. Der erste Isolierfilm 122 und der zweite Isolierfilm 124 können Oberseiten der Mehrzahl von Aktivbereichen ACT, eine Oberseite des Vorrichtungs-Isolierfilms 112, und die Oberseiten der Mehrzahl von vergrabenen Isolierfilmen 120 bedecken. Bei einigen Ausführungsformen kann der erste Isolierfilm 122 einen Siliziumoxidfilm umfassen, und der zweite Isolierfilm 124 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Mit Bezug auf 13B wird eine erste leitfähige Schicht 130 auf dem zweiten Isolierfilm 124 ausgebildet. Die erste leitfähige Schicht 130 kann dotiertes Polysilizium umfassen.
  • Mit Bezug auf 13C wird ein Maskenmuster MP1 auf der ersten leitfähigen Schicht 130 ausgebildet, gefolgt von dem Ätzen der ersten leitfähigen Schicht 130, die durch eine Öffnung MH des Maskenmusters MP1 freigelegt ist, und anschließend werden ein Abschnitt des Substrats 110 und ein Abschnitt des Vorrichtungs-Isolierfilms 112, die infolgedessen freigelegt werden, geätzt, wodurch ein Direktkontaktloch DCH ausgebildet wird, das den Aktivbereich ACT des Substrats 110 freilegt.
  • Das Maskenmuster MP1 kann einen Oxidfilm umfassen, einen Nitridfilm, oder Kombinationen hiervon. Zum Ausbilden des Maskenmusters MP1 kann ein Photolithographie-Verfahren verwendet werden.
  • Mit Bezug auf 13D wird das Maskenmuster MP1 (siehe 13C) entfernt, gefolgt von dem Ausbilden eines Direktkontakts DC in dem Direktkontaktloch DCH.
  • Bei einem Beispiel eines Verfahrens zum Ausbilden des Direktkontakts DC, kann eine zweite leitfähige Schicht, die eine ausreichende Dicke aufweist, um das Direktkontaktloch DCH zu füllen, in dem Direktkontaktloch DCH und auf der ersten leitfähigen Schicht 130 ausgebildet werden, gefolgt von dem Ausführen eines Rückätzens der zweiten leitfähigen Schicht, so dass die zweite leitfähige Schicht nur in dem Direktkontaktloch DCH verbleibt. Die zweite leitfähige Schicht kann dotiertes Polysilizium umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein.
  • Mit Bezug auf 13E werden eine dritte leitfähige Schicht 132, eine vierte leitfähige Schicht 134, und eine Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 auf der ersten leitfähigen Schicht 130 und dem Direktkontakt DC ausgebildet.
  • Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 kann ein Leitungsmuster umfassen, das sich entlang der Y-Richtung erstreckt. Sowohl die dritte leitfähige Schicht 132 als auch die vierte leitfähige Schicht 134 können TiN, TiSiN, W, Wolframsilicid, oder Kombinationen hiervon umfassen. Bei einigen Ausführungsformen kann die dritte leitfähige Schicht 132 TiSiN umfassen, und die vierte leitfähige Schicht 134 kann W umfassen. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Mit Bezug auf 13F werden alle von der vierten leitfähigen Schicht 134, der dritten leitfähigen Schicht 132, der ersten leitfähigen Schicht 130, und dem Direktkontakt DC unter den isolierenden Abdeckmustern 136 unter Verwendung der isolierenden Abdeckmuster 136 teilweise geätzt, wodurch die Mehrzahl von Bitleitungen BL über dem Substrat 110 ausgebildet wird. Die Mehrzahl von Bitleitungen BL kann verbleibende Abschnitte der ersten leitfähigen Schicht 130, der dritten leitfähigen Schicht 132, und der vierten leitfähigen Schicht 134 umfassen. Nachdem die Mehrzahl von Bitleitungen BL ausgebildet worden ist, kann das Direktkontaktloch DCH um den Direktkontakt DC wieder teilweise freigelegt werden.
  • Mit Bezug auf 13G wird eine Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 ausgebildet, um Seitenwände der Mehrzahl von Bitleitungen BL, Seitenwände der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136, und Seitenwände einer Mehrzahl von Direktkontakten DC zu bedecken. Die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 kann so ausgebildet werden, dass sie Leerräume von einer Mehrzahl von Direktkontaktlöchern DCH füllt.
  • Die Draufsicht (c) 13G stellt eine ebene Konfiguration einiger Komponenten eines resultierenden Produkts dar, das nach dem Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 erhalten wird. In 13G kann die Querschnittsansicht (a) einer Querschnittskonfiguration entlang einer Linie A-A' der Draufsicht (c) entsprechen, und die Querschnittsansicht (b) kann einer Querschnittskonfiguration entlang einer Linie B-B' der Draufsicht (c) entsprechen. In der Draufsicht (c) 13G ist die Mehrzahl von Wortleitungen 118 zum besseren Verständnis durch gestrichelte Linien gekennzeichnet.
  • Die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 kann sich länglich parallel zu der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstrecken, so dass sie beide Seitenwände der Mehrzahl von Bitleitungen BL bedecken. Jeder der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 kann einen Oxidfilm, einen Nitridfilm, einen Luftabstandhalter, oder Kombinationen hiervon umfassen.
  • 14A bis 14C sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Beispiels eines Verfahrens zum Ausbilden der Mehrzahl von in 13G gezeigten isolierenden Abstandhaltern SPC1 darstellen. In 14A bis 14C wird ein Bereich entsprechend einem Bereich einer gepunkteten und gestrichelten Linie, der in 13G durch „SP1“ gekennzeichnet ist, vergrößert dargestellt.
  • Mit Bezug auf 14A wird eine Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A ausgebildet, um die Seitenwände der Mehrzahl von Bitleitungen BL, die Seitenwände der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136, und die Seitenwände der Mehrzahl von Direktkontakten DC in einem resultierenden Produkt 13F zu bedecken. Jede der Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A kann einen Nitridfilm umfassen. Bei einigen Ausführungsformen kann zum Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A eine Nitridauskleidung auf einer Gesamtfläche des resultierenden Produkts 13F ausgebildet werden, gefolgt von dem Ausführen eines Rückätzens der Nitridauskleidung, wodurch die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A zurückbleiben können.
  • Mit Bezug auf 14B wird eine Mehrzahl von ersten isolierenden Abstandhaltern 140B auf der Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A ausgebildet, um die Seitenwände der Mehrzahl von Bitleitungen BL, die Seitenwände der Mehrzahl von Abdeckmustem 136, und die Seitenwände der Mehrzahl von Direktkontakten DC zu bedecken. Jeder der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 140B kann einen Siliziumoxidfilm umfassen. Um die Mehrzahl von ersten isolierenden Abstandhaltern 140B auszubilden, kann ein Siliziumoxidfilm auf einer Gesamtfläche eines resultierenden Produkts 14A ausgebildet werden, gefolgt von dem Ausführen eines Rückätzens des Siliziumoxidfilms, wodurch die Mehrzahl von ersten isolierenden Abstandhaltern 140B zurückbleiben kann.
  • Mit Bezug auf 14C wird durch einen ähnlichen Prozess wie der Prozess zum Ausbilden der Mehrzahl von ersten isolierenden Abstandhaltern 140B, wie mit Bezug auf 14B beschrieben ist, eine Mehrzahl von zweiten isolierenden Abstandhaltern 140C auf der Mehrzahl von ersten isolierenden Abstandhaltern 140B ausgebildet. Jeder der Mehrzahl von zweiten isolierenden Abstandhaltern 140C kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Mit erneutem Bezug auf 13G, kann nach dem Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 jeder Leitungsraum LS, der sich länglich entlang der Y-Richtung erstreckt, zwischen einer Mehrzahl von Leitungsstrukturen, die die Mehrzahl von Bitleitungen BL und die Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 auf dem zweiten Isolierfilm 124 umfassen, definiert werden.
  • Mit Bezug auf 13H werden die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 zum Abtrennen jedes Leitungsraums LS zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL in eine Mehrzahl von Kontakträumen CS ausgebildet. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kann eine Form eines isolierenden Kontaktstopfens über der Wortleitung 118 aufweisen, wobei der isolierende Kontaktstopfen die Wortleitung 118 vertikal überlappt. Auf diese Wiese kann ein Leitungsraum LS durch die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144, die in dem einen Leitungsraum LS ausgebildet sind, in die Mehrzahl von Kontakträumen CS mit Säulenformen unterteilt werden. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen. Bei einigen Ausführungsformen können Teilbereiche der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 beansprucht werden, wenn Teilbereiche der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136, die zu der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 benachbart sind, in Verbindung mit dem Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 einer Ätzprozessatmosphäre ausgesetzt werden, während die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 ausgebildet wird, und infolgedessen können sich Höhen der Teilbereiche der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 verringern.
  • Im Anschluss werden Strukturen, die durch die Mehrzahl von Kontakträumen CS freigelegt sind, teilweise entfernt, wodurch eine Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 ausgebildet wird, die jeweilige Aktivbereiche ACT zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL freilegen.
  • Um die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 auszubilden, kann anisotropes Ätzen, isotropes Ätzen, oder eine Kombination hiervon verwendet werden. Beispielsweise kann ein anisotroper Ätzprozess ausgeführt werden, um den zweiten Isolierfilm 124 und den ersten Isolierfilm 122 unter den durch die Kontakträume CS freiliegenden Strukturen jeweils zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen in der angegebenen Reihenfolge zu ätzen, und der Aktivbereich ACT des Substrats 110, der in Folge des Ätzens des ersten Isolierfilms 122 freigelegt wird, kann durch einen isotropen Ätzprozess teilweise entfernt werden, wodurch die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 ausgebildet wird. Jeder der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 kann mit einem Kontaktraum CS kommunizieren. Der Aktivbereich ACT des Substrats 110 kann durch die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 freigelegt sein.
  • Mit Bezug auf 13I wird die Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 ausgebildet, wobei die Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 den Kontaktraum CS zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL jeweils teilweise füllt und gleichzeitig die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 jeweils zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL füllt.
  • Ein vertikaler Abstand von der Oberseite des Substrats 110 zu einer Oberseite von jedem der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 kann größer sein als ein vertikaler Abstand von der Oberseite des Substrats 110 zu einer Oberseite von jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL. Um die Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 auszubilden, kann eine leitfähige Schicht ausgebildet werden, die Oberseiten der Mehrzahl von Abdeckmustern 136 und Oberseiten der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 bedeckt, während sie die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 und die Mehrzahl von Kontakträumen CS in einem resultierenden Produkt 13H füllt, gefolgt von dem Entfernen eines oberen Abschnitts der leitfähigen Schicht durch Rückätzen, wodurch die Oberseiten der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 und die Oberseiten der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 freigelegt werden können, und ein oberer Raum an einer Eingangsseite von jedem der Mehrzahl von Kontakträumen CS kann wieder geleert werden. Verbleibende Abschnitte der leitfähigen Schicht können die Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 bilden, ohne entfernt zu werden. Jeder der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 kann dotiertes Polysilizium umfassen.
  • Mit Bezug auf 13J wird die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1, die jeweils durch die oberen Räume an Eingangsseiten der Mehrzahl von Kontakträumen CS (siehe 13I) freigelegt sind, zumindest teilweise entfernt, wodurch eine Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS ausgebildet wird, die durch Vergrößern von Breiten der Mehrzahl von Kontakträumen CS zwischen der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 in beiden lateralen Richtungen entlang einer Längsrichtung der Wortleitung 118 in der Breite vergrößert werden. Die Breite von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS kann größer sein als eine Breite des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der X-Richtung.
  • Um die Mehrzahl der oberen Kontakträume UCS auszubilden, kann die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 zumindest teilweise nassgeätzt werden. Beispielsweise können der erste isolierende Abstandhalter 140B und der zweite isolierende Abstandhalter 140C von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abstandhalter SPC1, die in 14C gezeigt sind, und über dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 freiliegen, durch Nassätzen entfernt werden, wodurch die isolierende Auskleidung 140A in jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS freigelegt wird. Unter inneren Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS kann ein Paar von isolierenden Auskleidungen 140A an einem Paar von inneren Seitenwänden, die einander in der X-Richtung gegenüberliegen, freigelegt sein, und ein Paar von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kann an einem Paar von inneren Seitenwänden, die einander in der Y-Richtung gegenüberliegen, freigelegt sein.
  • Nach dem Ausbilden der Mehrzahl von oberen Kontakträumen CS kann in jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS gegebenenfalls nur die isolierende Auskleidung 140A, die ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC1 ist, an beiden Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 verbleiben, und der isolierende Abstandhalter SPC1 kann verbleiben, da er sich an beiden Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 in der X-Richtung, und an beiden Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 in der X-Richtung befindet. Ein Abschnitt von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1, der nach dem Ausbilden eines oberen Kontaktraums UCS verbleibt, und beide Seitenwände von jedem der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 bedeckt, kann den unteren isolierenden Abstandhalter 140L darstellen.
  • Mit Bezug auf 13K wird eine Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 152 ausgebildet, wobei die Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 152 Seitenwände der Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A und Seitenwände der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 bedeckt, die an den inneren Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS freiliegen.
  • Um die Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 152 auszubilden, kann der Isolierfilm so ausgebildet werden, dass er eine Gesamtfläche eines resultierenden Produkts 13I konform bedeckt, und dann einem Rückätzen unterzogen wird. Wenn ein Rückätzprozess des Isolierfilms ausgeführt wird, können Oberseiten der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 einer Atmosphäre des Rückätzprozesses ausgesetzt werden, und infolgedessen kann die Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 ausgehend von Oberseiten davon genauso viel wie eine gewisse Dicke beansprucht werden, und somit in der Höhe verringert werden. Jeder der oberen isolierenden Abstandhalter 152 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • 15A ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs, der in der Querschnittsansicht (a) 13K durch „D1“ angezeigt ist, und ist ebenso eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs, der in der Draufsicht (c) 13K durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie A-A', und 15B ist eine teilweise Querschnittsansicht des Bereichs, der in der Draufsicht (c) 13K durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie KC-KC'.
  • Mit Bezug auf 13K, 15A und 15B, ist eine Breite W1 des oberen isolierenden Abstandhalters 152 geringer als eine Breite W2 des unteren isolierenden Abstandhalters 140L in der X-Richtung, das heißt, einer zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung. Zudem ist eine Summe (W1 + W3) der Breite W1 des oberen isolierenden Abstandhalters 152 und einer Breite W3 der isolierenden Auskleidung 140A geringer als eine Breite W2 des unteren isolierenden Abstandhalters 140L. Somit ist die Breite des oberen Kontaktraums UCS, die durch den oberen isolierenden Abstandhalter 152 definiert wird, größer als die Breite des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der X-Richtung, das heißt, der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung.
  • Wie in 15B gezeigt ist, können der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 und der obere isolierende Abstandhalter 152 voneinander beabstandet sein, und kontaktieren einander gegebenenfalls nicht. Somit kann der obere Kontaktraum UCS, bei Betrachtung von einem Querschnitt in der Y-Richtung einen engen Raum NS umfassen, der zwischen der Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 und einer Unterseite des oberen isolierenden Abstandhalters 152 definiert wird.
  • Mit Bezug auf 13L wird der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 ausgebildet, wobei der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 in jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS bedeckt. Die Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 weist eine größere Oberfläche auf als die Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150. Der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 kann eine in etwa T-ähnliche Querschnittsform in der X-Richtung, das heißt, in der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung, aufweisen. Somit kann, wenn eine obere leitfähige Schicht, beispielsweise der in 13M gezeigte Metallsilizidfilm 172, in jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS ausgebildet wird, in dem Fall, in dem die obere leitfähige Schicht die Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kontaktiert, eine größere Kontaktfläche sichergestellt werden als in dem Fall, in dem die obere leitfähige Schicht die Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 ohne den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 kontaktiert.
  • Bei einem Beispiel eines Prozesses zum Ausbilden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kann eine leitfähige Schicht mit einer ausreichenden Dicke zum Füllen von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS auf dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 ausgebildet werden, gefolgt von dem teilweisen Entfernen der leitfähigen Schicht durch Rückätzen, wodurch der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 zurückbleibt, der nur einen Abschnitt von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS füllt. Der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 kann dotiertes Polysilizium umfassen.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann sowohl der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 als auch der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 ein identisches leitfähiges Material, wie dotiertes Polysilizium, umfassen. Bei einigen anderen Ausführungsformen können der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 und der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 jeweils dotiertes Polysilizium mit zueinander unterschiedlichen Dotierungskonzentrationen umfassen. Bei einem Beispiel kann die Dotierungskonzentration des dotierten Polysiliziums, das den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 darstellt, größer sein als die Dotierungskonzentration des dotierten Polysiliziums, das den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 darstellt. Bei einem weiteren Beispiel kann die Dotierungskonzentration des dotierten Polysiliziums, das den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 darstellt, geringer sein als die Dotierungskonzentration des dotierten Polysiliziums, das den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 darstellt.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann die dotierte Polysiliziumschicht zum Ausbilden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 auf dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 direkt nach dem Ausbilden einer dotierten Polysiliziumschicht mit einer ausreichenden Dicke zum Füllen von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträume UCS, getempert werden, wodurch eine Filmqualität des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154, der ausgebildet werden soll, gegebenenfalls verbessert wird. Das Tempern kann bei einer Temperatur von etwa 600°C bis etwa 1200°C ausgeführt werden. Für das Tempern kann Wärme, Plasma oder ein Laser verwendet werden. Eine Schnittstelle zwischen einer dotierten Polysiliziumschicht, die den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 darstellt, und einer dotierten Polysiliziumschicht, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 darstellt, kann in Abhängigkeit von der Tempertemperatur zurückbleiben oder nicht zurückbleiben. Bei einigen Ausführungsformen ist die Schnittstelle zwischen dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 gegebenenfalls nicht vorhanden, wenn die dotierte Polysiliziumschicht zum Ausbilden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 direkt nach deren Ausbilden mit einer Temperatur von etwa 1000°C oder mehr getempert wird, da ein Aufschmelzen der dotierten Polysiliziumschicht, die den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 darstellt, und der dotierten Polysiliziumschicht, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 darstellt, induziert wird, und der untere leitfähige Kontaktstopfen 150 und der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 somit eine integral verbundene Struktur aufweisen können. Bei einigen anderen Ausführungsformen kann die dotierte Polysiliziumschicht zum Ausbilden des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 direkt nach deren Ausbilden mit einer niedrigeren Temperatur als die etwa 1000°C, beispielsweise von etwa 600°C bis etwa 900°C, getempert werden, wodurch die Schnittstelle zwischen dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 und dem vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 erhalten werden kann.
  • 16A ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs, der in der Querschnittsansicht (a) 13L durch „D1“ angezeigt ist, und ist ebenso eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs, der in der Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie A-A', und 16B ist eine teilweise Querschnittsansicht des Bereichs, der in der Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist, entlang einer Linie LC-LC'.
  • Mit Bezug auf 13L, 16A, und 16B, kann der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 eine in etwa T-ähnliche Querschnittsform entlang der X-Richtung, das heißt, der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung, aufweisen, wohingegen der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 eine in etwa einem umgekehrten T ähnelnde Querschnittsform entlang der Y-Richtung, das heißt einer zu der Bitleitung BL parallelen Richtung, aufweisen kann. Wie in 16B gezeigt ist, kann der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 einen lateralen Vorsprung 154P umfassen, der den engen Raum NS (siehe 15B) zwischen der Oberseite 150T des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 und der Unterseite des oberen isolierenden Abstandhalters 152 füllt. Der laterale Vorsprung 154P des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 kann eine Form aufweisen, die entlang der Y-Richtung bidirektional an einer Unterseite des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 zu einem Paar von benachbarten isolierenden Abgrenzungselementen 144 hin vorspringt. Der laterale Vorsprung 154P kann eine Seitenwand von jedem der separaten isolierenden Abgrenzungselemente 144 kontaktierten, so dass der laterale Vorsprung 154P das Paar von isolierenden Abgrenzungselementen 144 kontaktiert. Durch den lateralen Vorsprung 154P kann die Breite der Unterseite 154B des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154 größer sein als die Breite von dessen Oberseite 154T in der Y-Richtung, das heißt, in der zu der Bitleitung BL parallelen Richtung. Der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 kann eine Oberseite 154T haben, die eine schmalere Breite als der laterale Vorsprung 154P in einer ersten horizontalen Richtung (z. B. der Y-Richtung) aufweist, und den Metallsilizidfilm 172 kontaktiert.
  • Mit Bezug auf 13M wird der Metallsilizidfilm 172 auf jedem der Mehrzahl von vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 ausgebildet, die durch die Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS (siehe 13L) freiliegen, und die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP wird jeweils auf den Metallsilizidfilmen 172 ausgebildet, die mittels der Metallsilizidfilme 172 mit den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 verbunden werden sollen, während sie die Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS über den Metallsilizidfilmen 172 füllen.
  • Der untere leitfähige Kontaktstopfen 150, der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154, und der Metallsilizidfilm 172 können zumindest einen Abschnitt des in 1 gezeigten vergrabenen Kontakts BC darstellen. Da der Metallsilizidfilm 172 auf der Oberseite 154T (siehe 13L) der vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 ausgebildet wird, die eine relativ große Oberfläche bieten, kann ein Prozess des Ausbildens der Metallsilizidfilme 172 relativ erleichtert werden, und eine Oberfläche des Metallsilizidfilms 172 kann relativ deutlich erweitert werden, was dazu beiträgt, den Kontaktwiderstand des vergrabenen Kontakts BC zu verringern.
  • Die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP kann sich so über den isolierenden Abdeckmustern 136 erstrecken, dass sie die Mehrzahl von Bitleitungen BL teilweise überlappt, während sie die Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS über den Metallsilizidfilmen 172 füllt. Jeder der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP kann einen leifähigen Barrierefilm 174 und eine leitfähige Schicht 176 auf dem leitfähigen Barrierefilm 174 umfassen, wobei sich die leitfähige Schicht 176 oberhalb jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL erstreckt, während sie einen verbleibenden Raum des oberen Kontaktraums UCS über dem leitfähigen Barrierefilm 174 füllt. Der leitfähige Barrierefilm 174 kann eine gestapelte Ti/TiN-Struktur umfassen. Die leitfähige Schicht 176 kann ein Metall, ein Metallnitrid, leitfähiges Polysilizium, oder Kombinationen hiervon umfassen. Die leitfähige Schicht 176 kann beispielsweise Wolfram (W) umfassen.
  • Ein Maskenmuster (nicht gezeigt), das die leitfähige Schicht 176 teilweise freilegt, kann auf der leitfähigen Schicht 176 ausgebildet werden, gefolgt von dem Ätzen des leitfähigen Barrierefilms 174, der leitfähigen Schicht 176, und der isolierenden Filme darum herum unter Verwendung des Maskenmusters als Ätzmaske, wodurch die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP ausgebildet werden, die verbleibende Abschnitte des leitfähigen Barrierefilms 174 und der leitfähigen Schicht 176 umfassen. Das Maskenmuster kann einen Siliziumnitridfilm umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP können jeweils eine Mehrzahl von Inselmustern umfassen. Abschnitte der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP, die sich außerhalb der oberen Kontakträume UCS erstrecken, können die in 1 gezeigte Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP darstellen. Durch eine Ätzprozessatmosphäre in Zusammenhang mit dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP können Teilbereiche von jeder der Mehrzahl von Abdeckmustern 136 und der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1, die die Seitenwände der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 bedecken ebenfalls entfernt werden, wobei die Teilbereiche um die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP befindlich sein können, wodurch die Teilbereich von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 und der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 in ihrer Höhe verringert werden können.
  • Ein Isolierfilm 180 kann Räume um die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP füllen, wodurch die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP elektrisch voneinander isoliert werden. Anschließend kann eine Mehrzahl von unteren Kondensatorelektroden, die elektrisch mit der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP verbunden werden können, auf dem Isolierfilm 180 ausgebildet werden.
  • Zum Herstellen der in 2A bis 2C gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 100A kann das mit Bezug auf 13A bis 13M beschriebene Verfahren verwendet werden. Obwohl mit Bezug auf 13M ein Beispiel beschrieben worden ist, bei dem die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP Formen aufweisen, die sich oberhalb der Mehrzahl von Bitleitungen BL erstrecken, während sie verbleibende Räume der oberen Kontakträume UCS füllen, sind die erfindungsgemäßen Konzepte nicht hierauf beschränkt. Anstelle der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP kann der leitfähige Anschlussfleck 190 ausgebildet werden, der sich nicht außerhalb des oberen Kontaktraums UCS erstreckt, obwohl der den oberen Kontaktraum UCS füllt, wie es in 2A gezeigt ist.
  • Gemäß dem Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte, wird, wie mit Bezug auf 13A bis 13M beschrieben wurde, durch das Ausbilden des vergrabenen Kontakts BC, der eine mit jedem Aktivbereich ACT des Substrats 110 verbundene Kontaktstruktur ist, zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen, jeder Leitungsraum LS in die Mehrzahl von Kontakträumen CS unterteilt, indem die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 in jedem Leitungsraums LS zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL ausgebildet wird, gefolgt von dem Ausbilden der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS durch das Vergrößern einer oberen Breite von jedem der Mehrzahl von Kontakträumen CS in beiden lateralen Richtungen entlang der Längsrichtung der Wortleitung 118. Anschließend wird der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 mit der Oberseite 154T mit einer relativ großen Oberfläche, die in jeder von der Mehrzahl der oberen Kontakträume UCS positioniert ist, ausgebildet, gefolgt von dem Ausbilden des Metallsilizidfilms 172 auf der Oberseite 154T des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens 154. Auf diese Weise kann der Prozess des Ausbildens der Metallsilizidfilme 172 relativ erleichtert werden, und die Oberfläche des Metallsilizidfilms 172 kann relativ deutlich erweitert werden, was dazu beiträgt, den Kontaktwiderstand der Kontaktstruktur, die den Metallsilizidfilm 172 umfasst, zu verringern.
  • 17 ist eine teilweise Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Struktur darstellt, die erhalten werden kann, nachdem die Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 152 wie mit Bezug auf 13K beschrieben ausgebildet worden sind, wenn der isolierende Abstandhalter SPC2, der die isolierende Auskleidung 140A, den ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfasst, auf ähnliche Weise wie der in 14C gezeigte isolierende Abstandhalter SPC1 ausgebildet wird.
  • Mit Bezug auf 17 ist die Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 152, ähnlich wie bei der Beschreibung mit Bezug auf 15A, geringer als eine Breite eines Abschnitts des isolierenden Abstandhalters SPC2, der beide Seitenwände des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der X-Richtung, das heißt, in der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung, bedeckt. Ein Abschnitt des ersten isolierenden Abstandhalters 140B des isolierenden Abstandhalters SPC2, der beide Seitenwände des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 bedeckt, kann so angeordnet sein, dass er den oberen isolierenden Abstandhalter 152 vertikal überlappt. Die in 3A und 3B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100B kann durch Bezugnahme auf die Beschreibung mit Bezug auf 17 hergestellt werden.
  • Bei einigen anderen Ausführungsformen kann bei den mit Bezug auf 13M beschriebenen Prozessen nach dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP und vor dem Füllen der Räum darum herum mit dem Isolierfilm 180 der erste isolierende Abstandhalter 140B, der ein Abschnitt des in 17 gezeigten isolierenden Abstandhalters SPC2 ist, durch einen Nassätzprozess entfernt werden, wodurch eine Struktur ausgebildet wird, die den unteren Luftabstandhalter 140AS umfasst, wie bei der in 4A und 4B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 100C.
  • 18A und 18B sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen. Ein Verfahren zum Herstellen der in 5A und 5B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 100D wird nachfolgend mit Bezug auf 18A und 18B beschrieben. 18A ist eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs entsprechend einem Querschnitt entlang der Linie A-A' für den Bereich, der in der Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist, und 18B ist eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs entsprechend einem Querschnitt entlang der Linie LC-LC' für den Bereich, der in der Draufsicht (c) 13L durch „D2“ angezeigt ist.
  • Das Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung, das mit Bezug auf 18A und 18B beschrieben ist, ist im Wesentlichen identisch mit dem Verfahren, das mit Bezug auf 13A bis 13M beschrieben wurde. Jedoch wird anstelle des mit Bezug auf 13K beschriebenen oberen isolierenden Abstandhalters 152 der obere isolierende Abstandhalter 162 ausgebildet, der zwei Schichten umfasst.
  • Für detailliertere Beschreibungen mit Bezug auf 18A und 18B wird nach dem Ausführen der mit Bezug auf 13A bis 13J beschriebenen Prozesse eine Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 162 ausgebildet, wobei die Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 162 die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A und die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 bedeckt, die an den inneren Seitenwänden von jedem der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS freiliegen. Jeder der Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 162 kann den Oxidabstandhalter 162A und den Nitridabstandhalter 162B umfassen.
  • In der X-Richtung, das heißt, in der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung, ist eine Summe einer Breite des Oxidabstandhalters 162A und einer Breite des Nitridabstandhalters 162B geringer als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalters, der ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC4 ist, der zwischen der Bitleitung BL und dem unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 angeordnet ist. Zudem ist eine Summe einer Breite der isolierenden Auskleidung 140A, der Breite des Oxidabstandhalters 162A, und der Breite des Nitridabstandhalters 162B geringer als die Breite des unteren isolierenden Abstandhalters. Somit ist die Breite des durch den oberen isolierenden Abstandhalter 162 definierten oberen Kontaktraums UCS größer als die Breite des unteren leitfähigen Kontaktstopfens 150 in der X-Richtung, das heißt, in der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung.
  • Im Anschluss kann auf ähnliche Weise wie sie mit Bezug auf 13L beschrieben ist, der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen 154 ausgebildet werden, der den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 in jeder der Mehrzahl von oberen Kontakträumen UCS bedeckt. Als Nächstes können ähnliche Prozesse wie jene, die mit Bezug auf 13M beschrieben wurden ausgeführt werden, wodurch die integrierte Schaltungsvorrichtung 100D hergestellt wird, die den in 5A gezeigten oberen isolierenden Abstandhalter 162 mit einer zweischichtigen Struktur umfasst statt des oberen isolierenden Abstandhalters 152, obwohl sie eine ähnliche Struktur aufweist wie die in 13M gezeigte Struktur. Der obere isolierende Abstandhalter 162 kann eine ebene Struktur einer Ringform aufweisen, die den vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen 154 umgibt, wie es in 5B gezeigt ist.
  • Um die in 6A und 6B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 100E herzustellen, kann nach dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP, wie bei den mit Bezug auf 13M gezeigten Prozessen beschrieben, und vor dem Füllen der Räume darum herum mit dem Isolierfilm 180, der Oxidabstandhalter 162A, der ein Abschnitt des in 18A und 18B gezeigten oberen isolierenden Abstandhalters 162 ist, und der erste isolierende Abstandhalter 140B, der ein Abschnitt des isolierenden Abstandhalters SPC4 ist, durch einen Nassätzprozess entfernt werden, wodurch der untere Luftabstandhalter 140AS und der obere Luftabstandhalter 162AS ausgebildet werden.
  • 19A bis 19G sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen. In 19A bis 19G stellt jede durch (a) angezeigte Querschnittsansicht Hauptkonfigurationen eines Bereichs entsprechend dem Querschnitt entlang der Linie A-A' 1 gemäß einer Prozessreihenfolge dar, und jede durch (b) angezeigte Querschnittsansicht stellt Hauptkonfigurationen eines Bereichs entsprechend dem Querschnitt entlang der Linie B-B' 1 gemäß einer Prozessreihenfolge dar. Zudem stellt in 19A bis 19F jede durch (c) angezeigte Draufsicht eine ebene Konfiguration einiger Komponenten eines resultierenden Produkts dar, das in einem entsprechenden Prozess erhalten wird.
  • Mit Bezug auf 19A wird auf die gleiche Weise wie mit Hinblick auf das Verfahren zum Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern SPC1 mit Bezug auf 13A bis 13G beschrieben wurde, eine Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 so ausgebildet, dass sie Seitenwände von jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL, der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmuster 136, und der Mehrzahl von Direktkontakten DC bedeckt.
  • Bei einigen Ausführungsform kann die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 durch das in 14A bis 14C gezeigte Verfahren ausgebildet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 durch ein anderes Verfahren als das in 14A bis 14C gezeigte Verfahren ausgebildet werden.
  • 20A bis 20C sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Beispiels eines Verfahrens zum Ausbilden der in 19A gezeigten Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 darstellen. In 20A bis 20C wird ein Bereich entsprechend einem Bereich einer gepunkteten und gestrichelten Linie, der in 19A durch „SP2“ angezeigt ist, vergrößert dargestellt.
  • Mit Bezug auf 20A wird die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 240A so ausgebildet, dass sie die Seitenwände von jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL, der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136, und der Mehrzahl von Direktkontakten DC bedeckt. Detaillierte Konfigurationen der Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 240A sind gleich wie im Hinblick auf die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 140A mit Bezug auf 14A beschrieben. Als Nächstes wird eine Oxidauskleidung 240BL so ausgebildet, dass sie eine Gesamtfläche eines resultierenden Produkts, bei dem die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 240A ausgebildet ist, konform bedeckt.
  • Mit Bezug auf 20B wird eine Nitridauskleidung auf der Oxidauskleidung 240BL ausgebildet, gefolgt von dem Ausbilden des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C durch Ausführen eines Rückätzens der Nitridauskleidung. In diesem Fall kann die Oxidauskleidung 240BL, die in Folge des Rückätzens der Nitridauskleidung ebenfalls einer Rückätzung unterzogen werden, wodurch der zweite Isolierfilm 124 an einer Unterseite des Leitungsraums LS freigelegt werden kann, und eine Oberseite von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 kann freigelegt werden. Infolgedessen kann die Oxidauskleidung 240BL zwischen der isolierenden Auskleidung 240A und dem zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und zwischen der Unterseite des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C und der Oberseite des zweiten Isolierfilms 124 in dem Leitungsraum LS verbleiben.
  • Mit Bezug auf 20C wird ein Abschnitt der Oxidauskleidung 240BL, der in der Nähe von sowohl einem Boden als auch einem Eingang des Leitungsraums LS freiliegt, durch einen Nassätzprozess entfernt, wodurch der erste isolierende Abstandhalter 240B ausgebildet wird, der einen verbleibenden Abschnitt der Oxidauskleidung 240BL umfasst, und die isolierende Auskleidung 240A in der Nähe des Bodens des Leitungsraums LS freigelegt wird. In diesem Fall kann der zweite isolierende Abstandhalter 240C, da der Abschnitt der Oxidauskleidung 240BL in der Nähe von sowohl dem Boden aus auch dem Eingang des Leitungsraums LS entfernt wird, Abschnitte umfassen, die über die Oxidauskleidung 240BL vorstehen, und die Abschnitte des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C, die über die Oxidauskleidung 240BL vorstehen, können aufgrund eines dreidimensionalen Ätzeffekts bei Exposition gegenüber einer Nassätzatmosphäre teilweise abgenutzt werden. Infolgedessen kann der zweite isolierende Abstandhalter 240C beim Ätzen der Oxidauskleidung 240BL ebenfalls in seiner Höhe verringert werden. Bei einigen Ausführungsformen kann zum Entfernen des Abschnitts der Oxidauskleidung 240BL durch einen Nassätzprozess Fluorwasserstoffsäure (HF) verwendet werden.
  • Mit erneutem Bezug auf 19A kann jeder Leitungsraum LS, der sich länglich entlang der Y-Richtung erstreckt, nach dem Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 zwischen der Mehrzahl von Leitungsstrukturen, die die Mehrzahl von Bitleitungen BL und die Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 auf dem zweiten Isolierfilm 124 umfasst, definiert werden. Bei dem Prozess des Ausbildens der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 können beispielsweise nach einem mit Bezug auf 20B beschriebenen Prozess zum Ausbilden des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C Strukturen, die an der Unterseite des Leitungsraums LS freiliegen, teilweise entfernt werden, wodurch eine Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 ausgebildet wird, wobei jeder den Aktivbereich ACT des Substrats 110 zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL freilegt. Detaillierte Prozesse zum Ausbilden der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 sind im Wesentlichen ähnlich wie jener, der im Hinblick auf das Ausbilden der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R1 mit Bezug auf 13H beschrieben wurde. Bei diesem Beispiel kann jedoch jeder der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 eine Linienform aufweisen, die sich länglich entlang der Y-Richtung, das heißt, einer Längsrichtung einer Mehrzahl von Leitungsräumen LS erstreckt. Während des Ausbildens der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 kann auch eine Oberseite des vergrabenen Isolierfilms 120, die durch die Mehrzahl von Leitungsräumen LS freigelegt ist, teilweise abgenutzt werden, wodurch eine Mehrzahl von Aufnahmeleitungen 120R auf dem vergrabenen Isolierfilm 120 ausgebildet werden kann. Jeder der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 kann mit einem entsprechenden Leitungsraum LS kommunizieren. Die Aktivbereiche ACT des Substrats 110 können durch die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 freigelegt sein.
  • Die Draufsicht (c) 19A stellt eine ebene Konfiguration einiger Komponenten eines resultierenden Produkts dar, das nach dem Ausbilden der Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 und der Mehrzahl von Aufnahmeleitungen 120R erhalten wird. In der Draufsicht (c) 19A ist die Mehrzahl von Wortleitungen 118 zum besseren Verständnis durch gestrichelte Linien markiert.
  • Mit Bezug auf 19B wird eine Mehrzahl von Formteilen 242 ausgebildet, wobei die Mehrzahl von Formteilen 242 die jeweiligen Leitungsräume LS zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL teilweise füllen, und gleichzeitig die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 jeweils zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL füllen.
  • Eine Oberseite von jedem der Mehrzahl von Formteilen 242 kann sich auf einem höheren Niveau befinden als die Oberseite von jeder der Mehrzahl von Bitleitungen BL. Um die Mehrzahl von Formteilen 242 auszubilden, kann bei dem Resultierenden Produkt 19A eine Formschicht ausgebildet werden, um die Oberseiten der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 zu bedecken und gleichzeitig die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 und die Mehrzahl von Leitungsräumen LS zu füllen, gefolgt von dem Entfernen eines oberen Abschnitts der Formschicht durch Rückätzen, wodurch die Oberseiten der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 freigelegt werden, und ebenso ein oberer Raum an einer Eingangsseite von jedem der Mehrzahl von Leitungsräumen LS wieder geleert wird. Jedes der Mehrzahl von Formteilen 242 kann einen kohlenstoffhaltigen Film oder eine Polysiliziumschicht umfassen. Bei einigen Ausführungsformen kann der kohlenstoffhaltige Film einen Spin-on-Hartmasken-(SOH)-Film umfassen. Der SOH-Film kann eine organische Verbindung mit Kohlenstoff in einem relativ hohen Gehalt von etwa 85% Gewichtsprozent (Gew.-%) bis etwa 99 Gew.-% basierend auf einem Gesamtgewicht davon umfassen. Die organische Verbindung kann eine Kohlenwasserstoff-Verbindung mit einem aromatischen Ring wie einer Phenylgruppe, Benzol, oder Naphtalin, oder einem Derivat davon umfassen.
  • Mit Bezug auf 19C wird jeder der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240, die durch den oberen Raum an der Eingangsseite von jedem der Mehrzahl von Leitungsräumen LS freigelegt werden, zumindest teilweise entfernt, wodurch eine Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS ausgebildet wird, die durch Vergrößern von oberen Räumen an Eingangsseiten der Mehrzahl von Leitungsräumen LS jeweils zwischen der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 in beiden lateralen Richtung entlang der X-Richtung, das heißt, der Längsrichtung der Wortleitung 118, in ihrer Breite vergrößert werden. Eine Breite von jedem der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS ist größer als eine Breite eines Formteils 242 in der X-Richtung.
  • Um die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS auszubilden kann die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 zumindest teilweise nassgeätzt werden. Bei einigen Ausführungsformen können, in dem Fall, in dem die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 durch das mit Bezug auf 14A bis 14C beschriebene Verfahren ausgebildet wird, der erste isolierende Abstandhalter 140B und der zweite isolierende Abstandhalter 140C von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240, die über dem Formteil 242 freiliegen, zum Ausbilden der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS durch Nassätzen auf ähnliche Weise wie jene, die mit Bezug auf 13J beschrieben wurde, entfernt werden, wodurch die isolierende Auskleidung 140A in jedem der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS freigelegt wird. Bei einigen anderen Ausführungsformen können, in dem Fall, in dem die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240 durch das mit Bezug auf 20A bis 20C beschriebene Verfahren ausgebildet wird, der erste isolierende Abstandhalter 240B und der zweite isolierende Abstandhalter 240, die in 20C gezeigt sind, und die in jedem der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240, die über dem Formteil 242 freiliegen, umfasst sind, zum Ausbilden der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS durch Nassätzen entfernt werden, wodurch die isolierende Auskleidung 240A in jedem der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen freigelegt wird. Ein Paar von isolierenden Auskleidungen 240A kann an einem Paar von einander in der X-Richtung gegenüberliegenden inneren Seitenwänden unter den inneren Seitenwänden der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS freiliegen.
  • Mit Bezug auf 19D wird, auf ähnliche Weise wie bei dem Verfahren zum Ausbilden des oberen isolierenden Abstandhalters 152 mit Bezug auf 13K beschrieben ist, eine Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 252 ausgebildet, um die Mehrzahl von isolierenden Auskleidungen 240A, die an den inneren Seitenwänden der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS freiliegt, zu bedecken. Jedoch kann der obere isolierende Abstandhalter 252 eine Linienform aufweisen, die sich Seite an Seite mit der Mehrzahl von Bitleitungen BL in der Y-Richtung erstreckt.
  • Wie bei der Beschreibung im Hinblick auf den unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 mit Bezug auf 13K, kann das Formteil 242 gegebenenfalls während des Ausbildens der Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern 252 genauso viel wie eine gewisse Dicke ausgehend von einer Oberseite davon konsumiert werden, und sich somit in der Höhe verringern.
  • Mit Bezug auf 19E wird das Formteil 242 von einem Resultierenden Produkt 19D entfernt, gefolgt von dem Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL auf ähnliche Weise wie im Hinblick auf den Prozess zum Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 144 mit Bezug auf 13H beschrieben wurde.
  • Ein Abschnitt von jedem der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244, die jeden der Mehrzahl von oberen Leitungsräume ULS füllen, kann eine größere Breite aufweisen als ein Abschnitt darunter. Jedes der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 kann einen Siliziumnitridfilm umfassen. Die Mehrzahl von Leitungsräumen LS und die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS können durch die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 in eine Mehrzahl von Kontakträumen CS2 unterteilt sein.
  • Mit Bezug auf 19F wird die Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 auf eine ähnliche Weise wie die im Hinblick auf den Prozess zum Ausbilden der Mehrzahl von unteren leitfähigen Kontaktstopfen 150 mit Bezug auf 13I beschriebene ausgebildet, um die Kontakträume CS2 zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL teilweise zu füllen, und gleichzeitig die Mehrzahl von Aufnahmeräumen R2 zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL zu füllen. Die Oberseite 250T von jedem der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 kann sich auf einem höheren Niveau befinden als eine Unterseite von jedem der oberen isolierenden Abstandhaltern 252. Ein oberer Abschnitt von jedem der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 füllt jeden der Mehrzahl von Kontakträumen CS2 (siehe 19E), die durch die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 in der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS (siehe 19D) getrennt sind, teilweise aus. Auf diese Weise kann der obere Abschnitt von jedem der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 eine größere Breite aufweisen als ein unterer Abschnitt davon. Jeder der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 auf dem Substrat 110 kann eine in etwa T-ähnliche Querschnittsform entlang der X-Richtung aufweisen.
  • 21A ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs, der in der Querschnittsansicht (a) 19F durch „D21“ gekennzeichnet ist, und ist ebenso eine teilweise Querschnittsansicht eines Bereichs, der in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ gekennzeichnet ist, entlang einer Linie A-A', und 21B ist eine teilweise Querschnittsansicht des Bereichs, der in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ gekennzeichnet ist, entlang einer Linie FC-FC'.
  • Mit Bezug auf 19F, 21A, und 21B, kann die Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250 eine größere Breite aufweisen als der untere Abschnitt des leitfähigen Kontaktstopfens 250 in der X-Richtung, das heißt, der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung. Somit kann der leitfähige Kontaktstopfen 250 auf dem Substrat 110 eine in etwa T-ähnliche Querschnittsform aufweisen.
  • Demgegenüber können sich, wie in 21B gezeigt ist, in einem Querschnitt entlang der Y-Richtung, das heißt, der zu der Bitleitung BL parallelen Richtung, beide einander gegenüberliegende Seitenwände unter Seitenwänden des leitfähigen Kontaktstopfens 250 flach ohne Stufe von einem Abschnitt davon, der benachbart ist zu der Bitleitung BL, zu einem Abschnitt davon, der benachbart ist zu dem isolierenden Abdeckmuster 136, entlang einer Höhenrichtung eines Kontaktraums CS2 erstrecken. Somit kann der leitfähige Kontaktstopfen 250 eine flache Seitenwand haben, die das isolierende Abgrenzungselement 244 kontaktiert. Bei einigen Ausführungsformen kann der leitfähige Kontaktstopfen 250 eine konstante Breite entlang der Höhenrichtung des Kontaktraums CS2 haben. Zudem sind unter Seitenwänden des isolierenden Abgrenzungselements 244 beide einander in der Y-Richtung, das heißt, in der zu der Bitleitung BL parallelen Richtung, gegenüberliegende Seitenwände gegebenenfalls nicht durch den oberen isolierenden Abstandhalter 252 bedeckt. Somit kann bei der Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250 eine relativ große Kontaktfläche sichergestellt werden.
  • Mit Bezug auf 19G wird der Metallsilizidfilm 172 auf eine ähnliche Weise wie die mit Bezug auf 13M beschriebene auf jedem der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 ausgebildet, die durch die Mehrzahl von Kontakträumen CS2 freigelegt sind, und jeder der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP wird auf dem Metallsilizidfilm 172 ausgebildet. Der leitfähige Kontaktstopfen 250 und der Metallsilizidfilm 172 können zumindest einen Abschnitt des in 1 gezeigten vergrabenen Kontakts BC darstellen. Der Isolierfilm 180 kann die Räume um die Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP füllen. Als Nächstes kann die Mehrzahl von unteren Kondensatorelektroden, die elektrisch mit der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP verbunden werden kann, auf dem Isolierfilm 180 ausgebildet werden.
  • Gemäß dem Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte, wird, wie mit Bezug auf 19A bis 19G beschrieben ist, durch Ausbilden des vergrabenen Kontakts BC, der eine mit jedem Aktivbereich ACT des Substrats 110 verbundene Kontaktstruktur ist, zwischen der Mehrzahl von Bitleitungen BL, die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS durch Vergrößern einer oberen Breite von jedem Leitungsräum LS in beide laterale Richtungen entlang der X-Richtung, das heißt, der Längsrichtung der Wortleitung 118, ausgebildet, und anschließend wird die Mehrzahl von Leitungsräumen LS und die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS durch die Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 in eine Mehrzahl von Kontakträumen SC2 unterteilt, gefolgt von dem Ausbilden des leitfähigen Kontaktstopfens 250 mit der Oberseite von einer relativ großen Oberfläche, der in jedem der Mehrzahl von Kontakträumen CS2 positioniert ist, und dem anschließenden Ausbilden des Metallsilizidfilms 172 auf der Oberseite 250T des leitfähigen Kontaktstopfens 250. Auf diese Weise kann der Prozess des Ausbildens des Metallsilizidfilms 172 deutlich erleichtert werden, und die Oberfläche des Metallsilizidfilms 172 kann deutlich vergrößert werden, was zur Verringerung des Kontaktwiderstands der Kontaktstruktur, die den Metallsilizidfilm 172 umfasst, beiträgt.
  • 22A und 22B sind teilweise Querschnittsansichten, die ein Beispiel einer Struktur darstellen, die erhalten werden kann, nachdem der leitfähige Kontaktstopfen 250 gemäß dem Prozess 19F bei dem Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung, das mit Bezug auf 19A bis 19B beschrieben wurde, ausgebildet worden ist, wenn die Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240, die jeweils die isolierende Auskleidung 140A den ersten isolierenden Abstandhalter 140B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 140C umfassen, wie in dem in 14C gezeigten Beispiel ausgebildet werden.
  • 22A ist eine teilweise Querschnittsansicht des vorliegenden Beispiels entsprechend einem Querschnittsbereich entlang der Linie A-A' für den in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigten Bereich, und 22B ist eine teilweise Querschnittsansicht des vorliegenden Beispiels entsprechend einem Querschnittsbereich entlang der Linie FC-FC' für den in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigten Bereich.
  • Mit Bezug auf 22A und 22B ist die Breite des oberen isolierenden Abstandhalters 252 geringer als eine Breite eines isolierenden Abstandhalters 240 in der X-Richtung, das heißt, der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung. Der obere isolierende Abstandhalter 252 kann so angeordnet sein, dass er den ersten isolierenden Abstandhalter 140B des isolierenden Abstandhalters 240 vertikal überlappt. Die integrierte Schaltungsvorrichtung 200A, die den in 7A bis 7C gezeigten isolierenden Abstandhalter SPC6 mit einer dreischichtigen Struktur umfasst, kann wie durch Bezugnahme auf die mit Bezug auf 22A und 22B gemachte Beschreibung gemäß dem Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung, das mit Bezug auf 19A bis 19G beschrieben worden ist, hergestellt werden.
  • Zum Herstellen der in 8 gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200B kann das mit Bezug auf 22A und 22B beschriebene Verfahren verwendet werden. Jedoch kann bei den Prozessen zum Ausbilden der Struktur 19G das Verfahren nach dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP, und vor dem Füllen der Räume darum herum mit dem Isolierfilm 180 ferner einen Prozess zum Ausbilden des unteren Luftabstandhalters 140AS durch Entfernen des in 22A gezeigten ersten isolierenden Abstandhalters 140B umfassen. Infolgedessen können der isolierende Abstandhalter SPC7, der die isolierende Auskleidung 140A umfasst, der unteren Luftabstandhalter 140AS, und der zweite isolierende Abstandhalter 140C in einem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS verbleiben.
  • 23A und 23B sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen. 23A ist eine teilweise Querschnittsansicht des vorliegenden Beispiels entsprechend einem Querschnittsbereich entlang der Linie A-A' für den in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigten Bereich, und 23B ist eine teilweise Querschnittsansicht des vorliegenden Beispiels entsprechend einem Querschnittsbereich entlang der Linie FC-FC' für den in der Draufsicht (c) 19F durch „D22“ angezeigten Bereich. Ein Verfahren zum Herstellen der in 9A gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200C wird nachfolgend mit Bezug auf 23A und 23B beschrieben.
  • Mit Bezug auf 23A ist das in 9A gezeigte Verfahren zum Herstellen der integrierten Schaltungsvorrichtung 200C im Wesentlichen identisch mit den mit Bezug auf 19A bis 19G und 22A und 22B beschriebenen Verfahren. Jedoch wird anstelle des mit Bezug auf 19D beschriebenen oberen isolierenden Abstandhalters 252 der obere isolierende Abstandhalter 262 mit zwei Schichten ausgebildet. Genauer gesagt, kann zum Ausbilden des oberen isolierenden Abstandhalters 262 Bezug genommen werden auf das Verfahren zum Ausbilden des oberen isolierenden Abstandhalters 162, das mit Bezug auf 18A und 18B beschrieben worden ist. Jedoch kann der obere isolierende Abstandhalter 262 eine Form aufweisen, die sich linear länglich entlang einer Erstreckungsrichtung der Bitleitung BL erstreckt.
  • Der obere isolierende Abstandhalter 262 kann den Oxidabstandhalter 262A umfassen, der die isolierende Auskleidung 140A umfasst, und den Nitridabstandhalter 262B auf dem Oxidabstandhalter 262A, wobei der Nitridabstandhalter 262B die isolierende Auskleidung 140A bedeckt. Sowohl der Oxidabstandhalter 262A als auch der Nitridabstandhalter 262B können eine Form aufweisen, die sich linear länglich entlang der Erstreckungsrichtung der Bitleitung BL erstreckt. Der in 23A gezeigte isolierende Abstandhalter 240 kann den in 9A gezeigten isolierenden Abstandhalter SPC8 darstellen.
  • Zum Herstellen der in 10A und 10B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200D kann das mit Bezug auf 23A und 23B beschriebene Verfahren verwendet werden. Jedoch kann das Verfahren bei den Prozessen zum Ausbilden der Struktur 19G nach dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP und vor dem Füllen der Räume darum herum mit dem Isolierfilm 180 ferner einen Prozess zum Ausbilden des unteren Luftabstandhalters 140AS und des oberen Luftabstandhalters 262AS durch Entfernen des ersten isolierenden Abstandhalters 140B und des Oxidabstandhalters 262A, die in 23A gezeigt sind, umfassen. Der untere Luftabstandhalter 140AS und der obere Luftabstandhalter 262AS können miteinander kommunizieren. Die Breite des oberen Luftabstandhalters 262AS ist geringer als die Breite des unteren Luftabstandhalters 140AS in der X-Richtung, das heißt, in der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung. Somit kann der obere Luftabstandhalter 262AS relativ leicht geschlossen werden, da der Isolierfilm 180 den oberen Luftabstandhalter 262AS, der einen relativ engen Eingang aufweist, bedeckt, wenn der Isolierfilm 180 in einem nachfolgenden Prozess ausgebildet wird. Daher kann die integrierte Schaltungsvorrichtung 200D, die den unteren Luftabstandhalter 140AS und den oberen Luftabstandhalter 262AS umfasst, die sich länglich entlang der Erstreckungsrichtung der Bitleitung BL erstrecken, leicht hergestellt werden.
  • 24A und 24B sind Querschnittsansichten, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellen. Ein Verfahren zum Herstellen der in 11A und 11B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200E wird nachfolgend mit Bezug auf 24A und 24B beschrieben.
  • Mit Bezug auf 24A werden ähnliche Prozesse wie jene, die mit Bezug auf 19A bis 19C beschrieben wurden, ausgeführt, wodurch jeder der Mehrzahl von isolierenden Abstandhaltern 240, die durch den oberen Raum an der Eingangsseite von jedem Leitungsräum LS (siehe 19A) freiliegen, zumindest teilweise entfernt wird, und die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS, die in beiden lateralen Richtungen entlang der X-Richtung in der Breite vergrößert sind, werden jeweils zwischen der Mehrzahl von isolierenden Abdeckmustern 136 ausgebildet. Jedoch wird bei dem vorliegenden Beispiel, anders als bei der Beschreibung mit Bezug auf 19A, ein nachfolgender Prozess ausgeführt während die Oberseite des zweiten Isolierfilms 124 durch den Leitungsräum LS (siehe 19A) über dem vergrabenen Isolierfilm 120 freigelegt wird, ohne das Ausbilden der Mehrzahl von Aufnahmeleitungen 120R auf der Oberseite des vergrabenen Isolierfilms 120, auf dem der isolierende Abstandhalter 240 ausgebildet ist.
  • Nach dem Ausbilden der Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS wird die Mehrzahl von Formteilen 242 entfernt, wodurch eine Seitenwand des isolierenden Abstandhalters 240 in einem unteren Abschnitt von jedem der Mehrzahl von Leitungsräumen LS (siehe 19B) freigelegt wird. In diesem Fall kann der isolierende Abstandhalter 240 die isolierende Auskleidung 240A, den ersten isolierenden Abstandhalter 240B, und den zweiten isolierenden Abstandhalter 240C umfassen, die in 20C gezeigt sind, und eine Seitenwand des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C kann nach dem Entfernen der Mehrzahl von Formteilen 242 in jedem der Mehrzahl von Leitungsräumen LS freiliegen.
  • Eine Nitridauskleidung 240DL wird auf einem Resultierenden Produkt, bei dem die Mehrzahl von Formteilen 242 entfernt wurden, ausgebildet, wobei die Nitridauskleidung 240DL den isolierenden Abstandhalter 240, der in dem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS freiliegt, und die isolierende Auskleidung 240A, die in einem oberen Abschnitt des Leitungsraums LS freiliegt, konform bedeckt. Die Nitridauskleidung 240DL kann so ausgebildet werden, dass sie die isolierende Auskleidung 240A kontaktiert, und gleichzeitig den Raum zwischen den Unterseiten des ersten isolierenden Abstandhalters 240B und des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C und der Oberseite des zweiten Isolierfilms 124 in einem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS füllt. Somit können die Unterseite des ersten isolierenden Abstandhalters 240B und des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C die Nitridauskleidung 240DL kontaktieren.
  • Mit Bezug auf 24B wird die Nitridauskleidung 240DL durch Rückätzen teilweise entfernt, wodurch aus verbleibenden Abschnitten der Nitridauskleidung 240DL der dritte isolierende Abstandhalter 240D 1, der die Seitenwand des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C bedeckt, in dem unteren Bereich des Leitungsraums LS ausgebildet wird, und der obere isolierende Abstandhalter 240D2, der die isolierende Auskleidung 240A bedeckt, in dem oberen Abschnitt des Leitungsraums LS ausgebildet wird. Infolgedessen verbleibt ein isolierender Abstandhalter 240X einer vierschichtigen Struktur, die die isolierende Auskleidung 240A, den ersten isolierenden Abstandhalter 240B, den zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und den dritten isolierenden Abstandhalter 240D1 umfasst, in dem unteren Bereich des Leitungsraums LS. Bei dem isolierenden Abstandhalter 240X kann sich der untere Abschnitt 240DB des dritten isolierenden Abstandhalters 240D1 bei dem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS horizontal so erstrecken, dass er die isolierende Auskleidung 240A kontaktiert. Zudem kann die Unterseite von sowohl dem ersten isolierenden Abstandhalter 240B als auch dem zweiten isolierenden Abstandhalter 240C den unteren Abschnitt 240DB des dritten isolierenden Abstandhalters 240D1 kontaktieren. Der isolierende Abstandhalter 240X kann den in 11A und 11B gezeigten isolierenden Abstandhalter SPC10 darstellen. Bei einigen Ausführungsformen können der dritte isolierende Abstandhalter 240D 1 und der obere isolierende Abstandhalter 240D2 einen Siliziumnitridfilm umfassen.
  • Als Nächstes wird die Mehrzahl von Leitungsräumen LS und die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS auf die gleiche Weise wie mit Bezug auf 19E bis 19G beschrieben ist, durch Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 in die Mehrzahl von Kontakträumen CS2 unterteilt, gefolgt von dem jeweiligen Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 in der Mehrzahl von Kontakträumen CS2 auf die gleiche Weise wie mit Bezug auf 19F beschrieben ist. Im Anschluss können die mit Bezug auf 19G beschriebenen Prozesse ausgeführt werden, wodurch die in 11A und 11B gezeigte integrierte Schaltungsvorrichtung 200E hergestellt wird.
  • 25 ist eine Querschnittsansicht, die sequentielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung gemäß einigen Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Konzepte darstellt. Ein Verfahren zum Herstellen der in den 12A und 12B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtung 200F wird nachfolgend mit Bezug auf 25 beschrieben.
  • Mit Bezug auf 25 werden ähnliche Prozesse wie jene, die mit Bezug auf 24A und 24B beschrieben wurden, ausgeführt. Jedoch wird vor dem Ausbilden der mit Bezug auf 24A beschriebenen Nitridauskleidung 240DL der Oxidabstandhalter 262A, der die isolierende Auskleidung 240A bedeckt, in dem oberen Abschnitt des Leitungsraums LS ausgebildet. Anschließend wird die Nitridauskleidung 240DL auf einem Resultierenden Produkt, bei dem der Oxidabstandhalter 262 ausgebildet ist, auf ähnliche Weise bei dem Prozess 24A ausgebildet, gefolgt von dem Ausführen eines Rückätzens der Nitridauskleidung 240DL auf ähnliche Weise wie die mit Bezug auf 24B beschriebene, wodurch aus verbleibenden Abschnitten der Nitridauskleidung 240DL, der dritte isolierende Abstandhalter 240D1, der die Seitenwand des zweiten isolierenden Abstandhalters 240C bedeckt, in dem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS ausgebildet werden kann, und der Nitridabstandhalter 262B, der den Oxidabstandhalter 262A bedeckt, in dem oberen Abschnitt des Leitungsraums LS ausgebildet werden kann.
  • Als Nächstes wird die Mehrzahl von Leitungsräumen LS und die Mehrzahl von oberen Leitungsräumen ULS auf die gleiche Weise wie mit Bezug auf 19E bis 19G beschrieben ist, durch Ausbilden der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen 244 in die Mehrzahl von Kontakträumen CS2 unterteilt, gefolgt von dem jeweiligen Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Kontaktstopfen 250 in der Mehrzahl von Kontakträumen CS2 auf die gleiche Weise wie mit Bezug auf 19F beschrieben ist. Als Nächstes können die mit Bezug auf 19G beschriebenen Prozesse ausgeführt werden. In diesem Fall können der in 25 gezeigte erste isolierende Abstandhalter 240B und der Oxidabstandhalter 262A nach dem Ausbilden der Mehrzahl von leitfähigen Anschlussflecken LP und vor dem Füllen der Räume darum herum mit dem Isolierfilm 180 entfernt werden, wodurch der in 12B gezeigte untere Luftabstandhalter 240AS und der obere Luftabstandhalter 262AS, der mit dem unteren Luftabstandhalter 240AS kommuniziert, ausgebildet werden. Infolgedessen können der isolierende Abstandhalter SPC 11 mit einer vierschichtigen Struktur, die die isolierende Auskleidung 240A, den unteren Luftabstandhalter 240AS, den zweiten isolierenden Abstandhalter 240C, und den dritten Luftabstandhalter 240D1 umfasst, in dem unteren Abschnitt des Leitungsraums LS verbleiben. Zudem können der obere isolierende Abstandhalter 262Y, der die isolierende Auskleidung 240A, den oberen Luftabstandhalter 262AS, und den Nitridabstandhalter 262B umfasst, in dem oberen Abschnitt des Leitungsraums LS verbleiben.
  • Die Breite des oberen Luftabstandhalters 262AS ist geringer als die Breite des unteren Luftabstandhalters 240AS in der X-Richtung, das heißt, der zu der Wortleitung 118 parallelen Richtung. Somit kann der obere Luftabstandhalter 262AS relativ leicht geschlossen werden, da der Isolierfilm 180 den oberen Luftabstandhalter 262AS, der einen relativ engen Eingang aufweist, bedeckt, wenn der Isolierfilm 180 in einem nachfolgenden Prozess ausgebildet wird. Daher kann die integrierte Schaltungsvorrichtung 200F, die den unteren Luftabstandhalter 240AS und den oberen Luftabstandhalter 262AS umfasst, die sich, wie in 12A und 12B gezeigt ist, länglich entlang der Erstreckungsrichtung der Bitleitung BL erstrecken, leicht hergestellt werden.
  • Obwohl bislang die Verfahren zum Herstellen der in 2A bis 12B gezeigten integrierten Schaltungsvorrichtungen mit Bezug auf 13A bis 25 beschrieben worden sind, versteht der Fachmann, dass anhand der Beschreibungen mit Bezug auf 13A bis 25 integrierte Schaltungsvorrichtungen nach verschiedenen modifizierten und veränderten Strukturen durch Vornehmen verschiedener Modifikationen und Veränderungen hergestellt werden können, ohne dass vom Grundgedanken der erfindungsgemäßen Konzepte abgewichen wird.

Claims (23)

  1. Integrierte Schaltungsvorrichtung, aufweisend: ein Paar von Leitungsstrukturen (LT), umfassend ein Paar von leitfähigen Leitungen (BL), die sich über ein Substrat (110) in einer ersten horizontalen Richtung (Y) erstrecken, und ein Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), die jeweils das Paar von leitfähigen Leitungen (BL) bedecken; einen leitfähigen Kontaktstopfen (199), der zwischen dem Paar von Leitungsstrukturen (BL) und zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) positioniert ist, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) eine erste Breite (W11) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) aufweist, und eine zweite Breite (W12) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), wobei die erste Breite (W11) und die zweite Breite (W12) in einer zweiten horizontalen Richtung (X) verlaufen, die senkrecht zu der ersten horizontalen Richtung (Y) ist, und die zweite Breite (W12) größer ist als die erste Breite (W11); und einen Metallsilicidfilm (172), der eine Oberseite des leitfähigen Kontaktstopfens (199) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) kontaktiert, und wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) umfasst: einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen (150) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL), wobei der untere leitfähige Kontaktstopfen (150) eine von einem direktem Kontakt mit dem Metallsilicidfilm (172) beabstandete Oberseite (150T) aufweist, und einen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen (154) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), wobei der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen (154) eine Unterseite (154B) aufweist, die die Oberseite (150T) des unteren leitfähigen Kontaktstopfens (150) kontaktiert, und eine Oberseite (154T), die den Metallsilicidfilm (172) kontaktiert.
  2. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) eine dritte Breite (W13) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) aufweist, und eine vierte Breite (W14) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), wobei die dritte Breite (W13) und die vierte Breite (W14) in der ersten horizontalen Richtung (Y) verlaufen, und wobei die vierte Breite (W14) kleiner ist als die dritte Breite (W13).
  3. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei von Seitenwänden des leitfähigen Kontaktstopfens (199) sowohl eine erste Seitenwand (150S1) als auch eine zweite Seitenwand (150S2), die zwei einander in der ersten horizontalen Richtung (Y) gegenüberliegende Seitenwände sind, sich flach ohne Stufe von einem Bereich zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) zu einem Bereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) erstrecken.
  4. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Oberseite (199T) des leitfähigen Kontaktstopfens (199) den Metallsilicidfilm (172) kontaktiert, und der leitfähige Kontaktstopfen (199) sich integral von einem Raum zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) zu einem Raum zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) erstreckt.
  5. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner aufweisend: einen unteren isolierenden Abstandhalter (140L) zwischen jeder leitfähigen Leitung (BL) und dem leitfähigen Kontaktstopfen (199); und einen oberen isolierenden Abstandhalter (152) zwischen jedem isolierenden Abdeckmuster (136) und dem leitfähigen Kontaktstopfen (199), wobei eine Breite des oberen isolierenden Abstandhalters (152) in der zweiten horizontalen Richtung (X) kleiner ist als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalter (140L) in der zweiten horizontalen Richtung (Y).
  6. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei der untere isolierende Abstandhalter (140L) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) in der ersten horizontalen Richtung (Y) erstreckt, und der obere isolierende Abstandhalter (152) eine Ringform aufweist, die den leitfähigen Kontaktstopfen (199) umgibt.
  7. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei sowohl der untere isolierende Abstandhalter (140L) als auch der obere isolierende Abstandhalter (152) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) in der ersten horizontalen Richtung (Y) erstreckt.
  8. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei der untere isolierende Abstandhalter einen unteren Luftabstandhalter (140AS) umfasst, der obere isolierende Abstandhalter (162Y; 262Y) einen oberen Luftabstandhalter (162AS; 262AS) umfasst, der mit dem unteren Luftabstandhalter (140AS) kommuniziert, und eine Breite des oberen Luftabstandhalters (162AS; 262AS) in der zweiten horizontalen Richtung (X) kleiner ist als eine Breite des unteren Luftabstandhalters (140AS) in der zweiten horizontalen Richtung (X).
  9. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei der untere Luftabstandhalter (140AS) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) in der ersten horizontalen Richtung (Y) erstreckt, und der obere Luftabstandhalter (162AS) eine Ringform aufweist, die den leitfähigen Kontaktstopfen umgibt.
  10. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei sowohl der untere Luftabstandhalter (140AS) als auch der obere Luftabstandhalter (262AS) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) in der ersten horizontalen Richtung (X) erstreckt.
  11. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner aufweisend: ein Paar von isolierenden Abgrenzungselementen (144) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL), wobei das Paar von isolierenden Abgrenzungselementen (144) jeweils eine erste Seitenwand (150S1) und eine zweite Seitenwand (150S2), die einander in der ersten horizontalen Richtung (Y) gegenüberliegen, von den Seitenwänden (150S1, 150S2, 199S1, 199S2) des leitfähigen Kontaktstopfens (199) kontaktieren.
  12. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei das Paar von isolierenden Abgrenzungselementen (144) den leitfähigen Kontaktstopfen (199) zumindest in einem Teilbereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) nicht kontaktiert.
  13. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) umfasst: einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen (150) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL), und einen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen (154) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), und der vergrößerte leitfähige Kontaktstopfen (154) umfasst: einen lateralen Vorsprung (154P) an einer Unterseite des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens (154), wobei der laterale Vorsprung (154P) zu dem Paar von isolierenden Abgrenzungselementen (144) entlang der ersten horizontalen Richtung (Y) so vorsteht, dass er das Paar von isolierenden Abgrenzungselementen (144) kontaktiert, und eine Oberseite (154T) eine kleinere Breite (W14) als der laterale Vorsprung (154P) in der ersten horizontalen Richtung (Y) aufweist, und den Metallsilizidfilm (172) kontaktiert.
  14. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 13, ferner aufweisend: einen unteren isolierenden Abstandhalter (140L) zwischen jeder leitfähigen Leitung (BL) und dem leitfähigen Kontaktstopfen (199); und einen oberen isolierenden Abstandhalter (152) zwischen jedem isolierenden Abdeckmuster (136) und dem leitfähigen Kontaktstopfen (199), wobei der obere isolierende Abstandhalter (152) eine Breite aufweist, die kleiner ist als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalters (140L) in der zweiten horizontalen Richtung (X), wobei der obere isolierende Abstandhalter (152) einen Abschnitt zwischen der Oberseite des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens (154) und jedem isolierenden Abgrenzungselement (144) umfasst.
  15. Integrierte Schaltungsvorrichtung, aufweisend: ein Paar von Leitungsstrukturen (LT) mit einem Paar von leitfähigen Leitungen (BL), die sich über ein Substrat (110) in einer ersten horizontalen Richtung (Y) erstrecken, und einem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136), die jeweils das Paar von leitfähigen Leitungen (BL) bedecken; eine Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199, 172), die in einer Linie zwischen dem Paar von Leitungsstrukturen (BL) angeordnet sind; und eine Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen (144), die sequentiell zwischen benachbarten Kontaktstrukturen (199, 172) der Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199, 172) zwischen dem Paar von Leitungsstrukturen (BL) angeordnet sind, wobei jede Kontaktstruktur (199, 172) der Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199, 172) umfasst: einen leitfähigen Kontaktstopfen (199), der eine erste Breite (W11) zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) in einer zweiten horizontalen Richtung (X) aufweist, und eine zweite Breite (W12) zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) in der zweiten horizontalen Richtung (X), wobei die zweite horizontale Richtung (X) senkrecht zu der ersten horizontalen Richtung (Y) ist, und die zweite Breite (W12) größer ist als die erste Breite (W11); und einen Metallsilicidfilm (172), der eine Oberseite (199T) des leitfähigen Kontaktstopfens (199) kontaktiert, und wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) umfasst: einen unteren leitfähigen Kontaktstopfen (150), der von einem direktem Kontakt mit dem Metallsilicidfilm (172) beabstandet ist, und einen vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfen (154), der den Metallsilicidfilm (172) kontaktiert und eine größere Breite aufweist als eine Breite des unteren leitfähigen Kontaktstopfens (150) in der zweiten horizontalen Richtung (Y).
  16. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 15, wobei eine Breite einer Oberseite (154T) des vergrößerten leitfähigen Kontaktstopfens (154) in der zweiten horizontalen Richtung (X) größer ist als eine Breite einer Oberseite (150T) des unteren leitfähigen Kontaktstopfens (150) in der zweiten horizontalen Richtung (X).
  17. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 16, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) zwei Seitenwände (150S1, 150S2) umfasst, die zwei benachbarte isolierende Abgrenzungselemente (144) unter der Mehrzahl von isolierenden Abgrenzungselementen (144) kontaktieren, und jede Seitenwand der zwei Seitenwände (150S1, 150S2) sich flach von einem Bereich zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) zu einem Bereich zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) erstreckt.
  18. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 15, wobei der leitfähige Kontaktstopfen (199) sich integral von einem Raum zwischen dem Paar von leitfähigen Leitungen (BL) zu einem Raum zwischen dem Paar von isolierenden Abdeckmustern (136) erstreckt.
  19. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, ferner aufweisend: einen unteren isolierenden Abstandhalter (140B, 140C) zwischen jeder leitfähigen Leitung (BL) und jeder der Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199), wobei der untere isolierende Abstandhalter (140B, 140C) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt; und eine Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern (162A, 162B), wobei jeder obere isolierende Abstandhalter der Mehrzahl von oberen isolierenden Abstandhaltern (162A, 162B) eine Ringform aufweist, die so konfiguriert ist, dass sie den leitfähigen Kontaktstopfen (199) von jeder Kontaktstruktur (199, 172) der Mehrzahl von Kontaktstrukturen umgibt, und eine Breite aufweist, die kleiner ist als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalters (140A, 140B) in der zweiten horizontalen Richtung (X).
  20. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, ferner aufweisend: einen unteren isolierenden Abstandhalter (140A, 140AS, 140C; 240A, 240AS, 240C, 240D1) zwischen jeder leitfähigen Leitung (BL) und jeder Kontaktstruktur (199, 172) der Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199, 172), wobei der untere isolierende Abstandhalter (140A, 140AS, 140C; 240A, 240AS, 240C, 240D1) eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt; und einen oberen isolierenden Abstandhalter (140A, 162AS, 162B; 240A, 262B, 262AS) zwischen jedem isolierenden Abdeckmuster (136) und jeder Kontaktstruktur (199, 172) der Mehrzahl von Kontaktstrukturen (199, 172), wobei der obere isolierende Abstandhalter (140A, 162AS, 162B; 240A, 262B, 262AS) eine Linienform aufweist, die so konfiguriert ist, dass sie sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt, und eine kleinere Breite aufweist als eine Breite des unteren isolierenden Abstandhalters (140A, 140AS, 140C; 240A, 240AS, 240C, 240D1) in der zweiten horizontalen Richtung (X).
  21. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 20, wobei der untere isolierende Abstandhalter (240A, 240AS, 240C, 240D1) eine isolierende Auskleidung (240A), einen Luftabstandhalter (240AS), einen zweiten isolierenden Abstandhalter (240C) und einen dritten isolierenden Abstandhalter (240D1) umfasst, wobei die isolierende Auskleidung (240A), der Luftabstandhalter (240AS), der zweite isolierende Abstandhalter (240C), und der dritte isolierende Abstandhalter (240D1) sequentiell in einem Raum zwischen einer Seitenwand von jeder leitfähigen Leitung (BL) und dem leitfähigen Kontaktstopfen (199) entlang der zweiten horizontalen Richtung (X) positioniert sind, wobei der dritte isolierende Abstandhalter (240D1) einen unteren Abschnitt (240DB) umfasst, der sich horizontal so erstreckt, dass er die isolierende Auskleidung (240A) in einer Nähe einer Unterseite von jeder leitfähigen Leitung (BL) kontaktiert, und ein Ende des Luftabstandhalters (240AS) in einer Nähe der Unterseite von jeder leitfähigen Leitung (BL) von der isolierenden Auskleidung (240A), dem zweiten isolierenden Abstandhalter (240C), und dem unteren Abschnitt (240DB) des dritten isolierenden Abstandhalters (240D1) umgeben ist.
  22. Integrierte Schaltungsvorrichtung gemäß Anspruch 20, wobei der untere isolierende Abstandhalter (140A, 140AS, 140C) einen unteren Luftabstandhalter (140AS) umfasst, der eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt, der obere isolierende Abstandhalter (140A, 162AS, 162B) einen oberen Luftabstandhalter (162AS) umfasst, der eine Ringform aufweist, die so konfiguriert ist, dass er den leitfähigen Kontaktstopfen (199) umgibt, und mit dem unteren Luftabstandhalter (140AS) kommuniziert, und eine Breite des oberen Luftabstandhalters (162AS) in der zweiten horizontalen Richtung (X) kleiner ist als eine Breite des unteren Luftabstandhalters (140AS) in der zweiten horizontalen Richtung.
  23. Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 20, wobei der untere isolierende Abstandhalter (140AS, 140C) einen unteren Luftabstandhalter (140AS) umfasst, der eine Linienform aufweist, die sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt, der obere isolierende Abstandhalter (262Y) einen oberen Luftabstandhalter (262AS) umfasst, der eine Linienform aufweist, die so konfiguriert ist, dass sie sich Seite an Seite mit jeder leitfähigen Leitung (BL) erstreckt, und der mit dem unteren Luftabstandhalter (140AS) kommuniziert, und eine Breite des oberen Luftabstandhalter (262AS) in der zweiten horizontalen Richtung (X) kleiner ist als eine Breite des unteren Luftabstandhalters (140AS) in der zweiten horizontalen Richtung (X).
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