DD159764A5 - Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung Download PDF

Info

Publication number
DD159764A5
DD159764A5 DD81230953A DD23095381A DD159764A5 DD 159764 A5 DD159764 A5 DD 159764A5 DD 81230953 A DD81230953 A DD 81230953A DD 23095381 A DD23095381 A DD 23095381A DD 159764 A5 DD159764 A5 DD 159764A5
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
silicon
carbon
fluidized bed
quartz sand
sand grains
Prior art date
Application number
DD81230953A
Other languages
English (en)
Inventor
Gert-Wilhelm Lask
Original Assignee
Int Minerals & Chem Luxembourg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Int Minerals & Chem Luxembourg filed Critical Int Minerals & Chem Luxembourg
Publication of DD159764A5 publication Critical patent/DD159764A5/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/956Silicon carbide
    • C01B32/963Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/97Preparation from SiO or SiO2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Glanulating (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumdioxid und Kohlenstoff enthaltenden Vorproduktes fuer die Silicium- und/oder Siliciumcarbiderzeugung. Die Erfindung bezweckt eine einfachere und wirtschaftlichere Herstellung eines Vorproduktes fuer die Silicium- und/oder Siliciumcarbiderzeugung sowie eine Erhoehung der Reinheit des Endproduktes. Aus Quarzsandkoernern wird mit Hilfe von Wasserdampf und Gasen ein fluidisiertes Bett erzeugt und aufrechterhalten, dessen Temperatur im Bereich von 500 bis 700 Grad C liegt, wobei in dieses ueber 250 Grad C heisse fluessige Kohlenwasserstoffe eingeduest und staendig frische oder auch schon kohlenstoffbelegte Quarzsandkoerner mit einer Temperatur von 600 bis 800 Grad C eingeblasen werden. Auf diesen Quarzsandkoernern kracken die Kohlenwasserstoffe so, dass eine Oelkoksschicht entsteht oder die vorhandene verdickt wird, und zwar bis die Kohlenstoffmenge der Oelkoksschichten zumindest der stoechiometrisch fuer die Umsetzung der umhuellten Quarzsandkoerner zu Silicium und/oder Siliciumcarbid erforderlichen Kohlenstoffmenge entspricht. Die schwerer gewordenen abgesunkenen Teilchen werden unten aus dem fluidisierten Bett abgezogen.

Description

230953 6
AP C 01 B/230 953/6 59 360 27
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumdioxid und Kohlenstoff enthaltenden Vorproduktes für die Silicium- und/oder Siliciumcarbiderzeugung
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumdioxid and Kohlenstoff enthaltenden Vorproduktes für die Silicium- und/oder Siliciumcarbider-'zeugung. " . .
Der Ausgangsstoff ist dabei Quarzsand oder Quarzmehl, Im folgenden wird aus terminologischen Gründen stets der Ausdruck Quarzsand verwandt. Das Körnungsband des eingeh setzten Quarzsandes soll möglichst eng sein, obwohl mit unterschiedlichen Körnungen gearbeitet werden kann. Silicium meint elementares Silicium hoher Reinheit,,
Es wird für die verschiedensten Zwecke benötigt, beispielsweise zur Herstellung von Ferrosilicium und Calciumsilicide Reines Silicium wird aber insbesondere auch in der Halbleitertechnik eingesetzt. Siliciumcarbid besteht aus Silicium und Kohlenstoff und hat die chemische Formel SiC. Es ist gegen die meisten chemischen Einflüsse s.ehr widerstandsfähig und besitzt neben Borcarbid und Diamanten die größte Härte«.
Siliciumcarbid wird in der Schleifmittelindustrie- zu Schleife pulvern und Schleifpasten, Schleifscheiben und dergleichen verarbeitet, Siliciumcarbid-Schleifmittel lassen sich gleichermaßen für harte Stoffe, wie Sinterhartmetalle, Stahl-
230953 6
.-..·.- -2- AP C 01 B/230 953/6
• 59 360 27
goß, als auch für'duktiles Material, -wie Aluminium, Messing und Kupfer einsetzen; aber .auch Gummi, Leder und Holz können bearbeitet werden. Wegen des ausgezeichneten Wärmeleitvermögens und der chemischen Widerstandsfähigkeit bei hohen Temperaturen ist Siliciumcarbid ein geeignetes Material zur Herstellung von feuerfesten Ausrüstungen für Industrieöfen, die besonderen Anforderungen, wie schnelle Abführung der Reaktionswärme, gute Beheizbarkeit von außen, eventuell verbunden mit großer Verschleißfestigkeit und korrosiver Widerstandsfähigkeit, gerecht werden müssen.
Die Zinkindustrie verwendet z. B. Siliciumcarbid-Muffeln · und gemauerte Kondenser zur Verarbeitung der Erze. Wegen der guten elektrischen Leitfähigkeit und Beständigkeit gegen Sauerstoff bei höheren Temperaturen werden aus Siliciumcarbid und geeigneten Bindemitteln Heizelemente für elektrische Widerstandsöfen hergestellt, die Dauerbeanspruchung bis zu 1.500 0C aushalten. Auch Infrarotheizöfen kann man mit derartigen Elementen ausstatten. Zur Spannungsbegrenzung in der Stark- und Schwachstromtechnik werden aus Siliciumcarbid Bauelemente gefertigt, die einen spannungsabhängigen elektrischen Widerstand zeigen. Hierfür wie auch für Hochtemperaturtransistoren und Hochtemperaturdioden wird ein speziell hergestelltes, besonders reines und dotiertes Siliciumcarbid verwendet. Neben der Anwendung, bei der die Eigenschaften .des kristallinen Siliciumcarbids ausgenutzt werden, läßt sich Siliciumcarbid auch in Faserform oder als Schaum erhalten. Die Fasern werden in Kombination mit anderen Materialien zu feuerfesten Geweben, der'Schaum zu korrosionsfesten und temperaturbeständigen Isolierstoffen weiterverarbeitet.
230953 S
-3- AP C 01 B/230 953/6
59 360 /27
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Trotz der erheblichen technischen Bedeutung von Siliciumcarbid hat die Technologie der Herstellung in den letzten Jahrzehnten keine beachtlichen Fortschritte aufzuweisen Sie erfolgt seit Acheson (1891) durch Erhitzen von hauptsächlich Siliciumdioxid in Form von Quarzsand und Kokspulver. Die Herstellung ist aufwendig und macht Siliciumcarbid sowie Produkte aus Siliciumcarbid teuer.
Für den technischen Prozeß der Herstellung von Siliciumcarbid werden folgende Rohstoffe verwendet:
Siliciumdioxid in Form von Quarzsand oder feingebrochenem Quarz von möglichst großer Reinheit,
Kohlenstoff in Form von Hütten-, Pech-, Petrolkoks oder Anthrazit, · .
Natriumchlorid,
Sägemehl. . ,
Quarz und Kohle kommen in annähernd stöchiometrischen Verhältnissen zur Anwendung, wobei ein geringer Überschuß an Kohle erwünscht ist» Sägemehl wird beigegeben, um das Reaktionsgemisch aufzulockern. Das Natriumchlorid dient dazu, die in den Rohstoffen vornehmlich enthaltenen Alüminiura- und Eisensauerstoffverbindungen, welche die Ausbildung der Kristalle verhindern und auch- für eine katalytische Zersetzung des- gebildeten Siliciumcarbids verantwortlich gemacht werden, als Chloride durch Verdampfen zu entfernen. - Die
230953 6
AP C ΟΙ Β/230 953/6 . 59 360 27
technische Herstellung des Siliciumcarbids erfolgt wegen der hohen Eeaktionstemperatur (2.000 0C) im allgemeinen in elektrischen Widerstandsöfen« Eeaktionsverlauf und Ausbeute hängen wesentlich von der homogenen Durchmischung der Rohstoffe, bei genauer Körnungseins tellung der Quarzsandkörner einerseits, des Kokspulvers andererseits abo
Ziel der Erfindung ·
Das Ziel der Erfindung besteht in der einfacheren und wirtschaftlicheren Herstellung eines Vorprodukts für die Silicium- und/oder Siliciumcarbiderzeugung sowie in. der Erhöhung der Eeinheit 'des Endproduktes.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Vorprodukt zu schaffen, aus dem Silicium und/oder Siliciumcarbid hergestellt werden können, ohne daß es der Mischung von Quarzsand und Kokspulver bedarf,
Erfindungsgemäß ist nunmehr vorgesehen, daß aus Quarzsandkörnern mit Hilfe Von Wasserdampf und Gasen ein fluidisiertes Bett erzeugt und aufrechterhalten wird, dessen Temperatur im Bereich von 500 bis 700 0C liegt, daß in das 'fluidisierte Bett über' 250 0C heiße flüssige Kohlenwasserstoffe eingedüst werden und daß in das fluidisierte Bett ständig frische oder auch schon kohlenstoffbelegte Quarzsandkörner mit einer Temperatur von 600 bis 800 °C eingeblasen werden, auf denen die Kohlenwasserstoffe so kracken, daß eine ölkoksschicht entsteht oder die vorhandene verdickt wird, und zwar bis die Kohlenstoffmenge der ölkoksschichten zumindest der stöchiometrisch für die Umsetzung
230953 6
-5- " AP C 01 B/230 953/6 59 360 27
der umhüllten Quarzsandkörner zu Silicium und/oder Siliciumcarbid erforderlichen Kohlenstoffmenge entspricht, und daß die dadurch schwerer gewordenen, abgesunkenen Teilchen unten aus dem fluidisieren Bett abgezogen werden. Mit anderen Worten ist also nach der Erfindung vorgesehen, in einem fluidisieren Bett aus Quarzsandkörnern bei geeigneter Temperatur und Kohlenstoff auf die Quarzsandkörner gleichsam als eine Umhüllung aufzukracken0 Der überwiegende Energiebedarf für den Krackprozeß kann durch die .fühlbare Wärme der Quarzsandkörner und der bereits mit Kohlenstoff überzogenen Quarzsandkörner aufgebracht werden, die auf die ,notwendige Temperatur durch das partielle Abbrennen des Kohlenstoffs in einem gesonderten Vorerhitzer oder durch Wärmeabgabe heißer Abgase aufgeheizt wird. Man kann aber die Temperatur des fluidisieren Bettes auch oder außerdem durch partielle Verbrennung der Kohlenwasserstoffe aufrechterhalten, . · ,. '
Wirbelschichtverfahren zum Verkoken von Kohlenwasserstoffen sind grundsätzlich bekannt, wobei auch bereits mit festen Wärmeträgern .in Form von Sand gearbeitet wurde. Hier werden jedoch auf den Wärmeträgern keine Koksschichten erzeugt und entsprechende Produkte nicht abgezogen.
Arbeitet man nach dem erfindungsgemäßen Verfahren, so hängt die Menge des ölkokses, der sich auf den einzelnen Quarzsandkörnern ablagert, einerseits von den th'ermodynamischen Bedingungen und außerdem von der statischen Aufenthaltszeit. der Quarz s and körner im fluidisierimBett ab. Gemäß der Erfindung kann also bei der beschriebenen Verfahrensweise auf den Quarzsandkörnern eine stöchiometrische oder überstöchiometri-sche ölkoksmenge abgelagert werden, wie sie für die Weiterverarbeitung der .Vorprodukte erforderlich ist. Das .
230953
-6- AP C 01 B/230 953/6 59 360 27
erfindungsgemäße Verfahren wird im allgemeinen kontinuier- · lieh geführt, und zwar so, daß das schon kohlenstoffüberzogene Produkt, das nach Erreichen des, thermischen GIeichgewichtes im Überschuß vorhanden ist, nach.dem Ausschleusen aus dem fluidisierten Bett vor Erreichen des Vorerhitzers abgezogen w ird.
Zweckmäßig werden frische Quarzsandkörner in den Vorerhitzer eingeführt und dort mit dem heißen Material gemischt und zusammen mit diesem auf maximal 800 0C aufgeheizt»
Im Rahmen der Erfindung liegt es, mit ölkoks bereits beladenen Quarzsand im Kreislauf, zu führen, um dadurch die Menge der ölkoksablagerung auf den einzelnen Quarzsandkörnern zu beeinflussen. Aus dem fluidisierten Bett werden kopfseitig gasförmige und kondensierbare Kohlenwasserstoffe abgezogen.
Im Rahmen der Erfindung können die verschiedensten Kohlenwasserstoffe für die Bildung des ölkokses auf den Quarzsandkörnern eingesetzt werden. Nach bevorzugter Ausführungsform werden als Einsatzstoffe schwere Erdölfraktionen und Steinkohlenteere und -teerpeche eingesetzte
Die erreichten Vorteile sind darin zu sehen, daß nachdem erfindungsgemäßen Verfahren ein Vorprodukt gewonnen wird, welches ohne weiteres für die Herstellung von Silicium und/ oder Siliciumcarbid eingesetzt werden kann, und zwar dort, wo bisher eine aufwendige und sorgfältige Mischung von Quarzsand einerseits und Kokspulver andererseits erforderlich war. Im Ergebnis kann die Herstellung von Silicium bzw. Siliciumcarbid selbst durch Verwendung des erfindungsgemäßen Vorproduktes vereinfacht werden. Insbesondere lassen sich aus dem erfindungsgemäßen Vorprodukt sehr reine End-
230953
-7- ' AP C 01 B/230 953/6
59 360 27
produkte Silicium bzw. Siliciumcarbid herstellen, reine Ausgangsstoffe vorausgesetzt. .
Zur Herstellung von Silicium wird das gleichsam Mikropellets darstellende Vorprodukt in einen üblichen Elektroofen eingebracht, der beispielsweise saine üblichen drei Elektroden aufweist. In diesem Elektroofen reagieren dann Silicium und Kohlenstoff nach der Formel SiO2 + 2C—> Si + 2CO
zu Silicium«, In einem Blektrodenofen-kann die Eeaktion zu Siliciumcarbid nicht geführt werden, weil das Siliciumcarbid fest ist, gleichsam an die Elektroden anwächst und folglich nicht ohne.weiteres aus dem Ofen entnommen werden kann. Die Herstellung von Siliciumcarbid erfolgt nach der Formel .
SiO2 + 3C— * SiC + 2CO.
Diese Eeaktion.wird im allgemeinen, auf einem horizontalen Herd durchgeführt, der eine Schüttung·der Reaktionspartner, im vorliegenden Falle also der Mikropellets erhält. Durch die aufgebrachte Schicht wird elektrische Energie hindurchgeschickt, wobei die Reaktion wie angegeben abläuft. Allerdings ist es erforderlich, eine Abdeckung mit Kohlenstoff vorzunehmen, um den Luftsaüerstoff von der Reaktion fernzuhalten. Entsprechend könnte man auch im Vakuum arbeiten. Bei dieser Verfahrensweise entsteht gleichsam ein Stab oder Strang von weitgehend kristallinem Siliciumcarbid.
Aus fuhr ungs b e is p ie 1 . .
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden,- · '
230953
-8- AP C 01 B/230 953/6 59 360 27
Die dazugehörige Zeichnung zeigt einen Reaktor mit Vorerhitzer, in dem das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden kann. · .
In den Reaktor 1 werden zunächst Quarzsandkörner 2 mit einer Temperatur von 600 bis 800 0C eingeblasen. Mit Hilfe von Wasserdampf 3 u^<3 Gasen 4 wird aus diesen ein fluidisiertes f. Bett/5 erzeugt und aufrechterhalten, dessen Temperatur im Bereich von 500 bis 700 0C liegt. In dieses fluidisiertes Bett 5 werden über 250 0C heiße flüssige Kohlenwasserstoffe eingedüst. Die Kohlenwasserstoffe kracken dabei auf die Quarzsandkörner auf und bilden eine ölkoksschicht, und zwar in zumindest stöchiometrischer -ode'r in überstöchiometrischer Menge» Die dadurch schwerer gewordenen Teilchen sinken nach unten ab und werden am unteren Ende 7 des Reaktors aus diesem abgezogen. Der überwiegende Energiebedarf -für den Krackprozeß wird dabei durch die fühlbare Wärme der Quarzsandkörner 2 aufgebracht,-Vor dem Einführen in den Reaktor werden diese über einen Vorerhitzer 8 geführt. Hierzu wird ein Teil der aus dem Reaktor abgezogenen Produkte dem Vorerhitzer zugeführt, und in diesem erfolgt ein partielles Abbrennen des Kohlenstoffes auf den Quarzsandkörnern 2. Die Aufheizung der Quarzsandkörner kann auch durch heiße Abgase herbeigeführt werden. Über den. Vorerhitzer 8 werden ferner frische Quarzsandkörner 2 aufgegeben. Die von Kohlenstoff überzogenen Produkte werden nach dem Ausschleusen aus dem' fluid isierten Bett 5 vor Erreichen des Vorerhitzers 8 zumindest teilweise abgezogen,. Über die Leitung 9 werden oberhalb des -fluidisierten Bettes gasförmige und kondensierbare Kohlenwasserstoffe abgezogen. Als Kohlenwasserstoffe"6 finden schwere Erdölfraktionen und Steinkohlenteere bzw, Steinkohlenteerpeche Verwendung, als Gase für das fluidisierte Bett neben Wasserdampf, Stickstoff sowie in bezug auf die Reaktion neutrale und/oder aus-

Claims (6)

c οι Β/230 953/6 59 360 27 Erfindungsansprach ·
1# Verfahren zur Herstellung eines' Siliciumdioxid und Kohlenstoff enthaltenden Vorproduktes für die Silicium- und/oder Siliciumcarbiderzeugung, gekennzeichnet dadurch, daß aus Quarzsandkörnern mit Hilfe von Wasserdampf und Gasen-ein fluidisiertes Bett erzeugt und aufrechterhalten wird, dessen Temperatur im Bereich von 500 bis 7Ό0 0C liegt, daß in das fluidisierte Bett über 250 0C heiße flüssige Kohlenwasserstoffe eingedüst·werden und daß in das fluidisierte Bett ständig .frische oder auch schon kohlenstoffbelegte Quarzsandkörner mit einer Temperatur von 600 bis 800 0C eingeblasen werden, auf denen die Kohlenwasserstoffe so kracken, daß eine ölkoksschicht entsteht oder die. vorhandene verdickt . wird, und zwar bis die Kohlenstoffmenge der ölkoksschichten zumindest der stöchiometrisch für die Umsetzung der umhüllten Quarzsandkörner zu Silicium und/oder Siliciumcarbid erforderlichen Kohlenstoffmenge entspricht, und daß die dadurch schwerer gewordenen, abgesunkenen Teilchen unten aus dem fluidisierten Bett abgezogen werden.· . .
2« Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der überwiegende Energiebedarf für den Krackprozeß durch die fühlbare Wärme der Quarzsandkörner und der bereits mit Kohlenstoff überzogenen Quarzsandkörner aufgebracht wird, die auf die notwendige Temperatur durch das partielle Abbrennen des Kohlenstoffes in einem gesonderten Vorerhitzer oder durch Wärmeabgabe heißer Abgase aufgeheizt wird· . * ... .
230953
-10- AP C 01 B/230 953/6
59 360 27
3. Verfahren nach einem der Punkte 1 oder'2, gekennzeichnet dadurch, daß das schon kohlenstoffüberzogene Produkt, das nach Erreichen des thermischen-Gleichgewichtes im Überschuß vorhanden ist, nach dem Ausschleusen "aus dem fluidisieren Bett vor Erreichen, des Vorerhitzers abgezogen wird, .
4. Verfahren nach einem der Punkte 1 bis 3» gekennzeichnet dadurch, .daß frische Quarzsandkörner in den Vorerhitzer eingeführt und dort mit dem heißen Material gemischt und zusammen mit diesem auf maximal 800 0C aufgeheizt werden.
5· Verfahren nach einem der Punkte 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß aus dem fluidisierten Bett kopfseitig gas-. förmige und kondensierbare Kohlenwasserstoffe abgezogen werden. .
6. Verfahren nach einem der Punkte 1 bis 5> gekennzeichnet dadurch, daß als Einsatzstoffe schwere Erdölfraktionen und Steinkohlenteere und -teerpeche eingesetzt werden.
- Hierzu 1 Seite· Zeichnung -
DD81230953A 1980-06-21 1981-06-19 Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung DD159764A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3023297A DE3023297C2 (de) 1980-06-21 1980-06-21 Verfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für die Erzeugung von Siliziumcarbid

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD159764A5 true DD159764A5 (de) 1983-04-06

Family

ID=6105145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD81230953A DD159764A5 (de) 1980-06-21 1981-06-19 Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung

Country Status (30)

Country Link
US (1) US4364974A (de)
JP (1) JPS5917046B2 (de)
AR (1) AR228156A1 (de)
AT (1) AT382356B (de)
AU (1) AU543665B2 (de)
BE (1) BE889300A (de)
BR (1) BR8103881A (de)
CA (1) CA1156520A (de)
CH (1) CH646926A5 (de)
CS (1) CS225844B2 (de)
DD (1) DD159764A5 (de)
DE (1) DE3023297C2 (de)
DK (1) DK155589C (de)
ES (1) ES8203947A1 (de)
FI (1) FI67569C (de)
FR (1) FR2484988B1 (de)
GB (1) GB2078698B (de)
IE (1) IE51313B1 (de)
IS (1) IS1121B6 (de)
IT (1) IT1137188B (de)
LU (1) LU83442A1 (de)
MX (1) MX157622A (de)
NL (1) NL187061C (de)
NO (1) NO155838C (de)
PL (1) PL133607B1 (de)
PT (1) PT73163B (de)
SE (1) SE441275B (de)
SU (1) SU1080740A3 (de)
YU (1) YU43497B (de)
ZA (1) ZA813980B (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1982004248A1 (en) * 1981-05-29 1982-12-09 Alsop John Ernest Making silicon carbide bodies
DE3381007D1 (de) * 1982-06-01 1990-02-01 Mitsui Toatsu Chemicals Herstellungsverfahren von metallkarbiden und deren vorprodukte.
DE3346870A1 (de) * 1983-12-23 1985-07-11 Metallgesellschaft Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum erzeugen koksummantelter quarzkoerner
IT1176955B (it) * 1984-10-12 1987-08-26 Samin Abrasivi Spa Procedimento di produzione di silicio metallico adatto per essere impiegato nell'industria fotovoltaica
DE3541125A1 (de) * 1985-05-21 1986-11-27 International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. Verfahren zur herstellung von silicium oder ferrosilicium in einem elektronierderschachtofen und fuer das verfahren geeignete rohstoff-formlinge
US4981668A (en) * 1986-04-29 1991-01-01 Dow Corning Corporation Silicon carbide as a raw material for silicon production
DE3724541A1 (de) * 1987-07-24 1989-02-02 Applied Ind Materials Verfahren und anlage zur herstellung von rohstoff-briketts fuer die erzeugung von silicium oder von siliciumcarbid oder von ferrosilicium
WO1989008609A2 (en) * 1988-03-11 1989-09-21 Deere & Company Production of silicon carbide, manganese carbide and ferrous alloys
DE3923446C1 (de) * 1989-07-15 1990-07-26 Applied Industrial Materials Corp. Aimcor, Deerfield, Ill., Us
US5176893A (en) * 1989-10-02 1993-01-05 Phillips Petroleum Company Silicon nitride products and method for their production
US5165916A (en) * 1989-10-02 1992-11-24 Phillips Petroleum Company Method for producing carbide products
US5108729A (en) * 1989-10-02 1992-04-28 Phillips Petroleum Company Production of carbide products
DE59202442D1 (de) * 1991-08-08 1995-07-13 Applied Ind Materials Verfahren zur Erzeugung von Silicium im Elektroniederschachtofen und Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens.
EP1007308B1 (de) 1997-02-24 2003-11-12 Superior Micropowders LLC Aerosolverfahren und -gerät, teilchenförmige produkte, und daraus hergestellte elektronische geräte
RU2160705C2 (ru) * 1999-02-11 2000-12-20 Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Композит" Способ получения металлического кремния
GB0014584D0 (en) * 2000-06-14 2000-08-09 Bp Chem Int Ltd Apparatus and process
JP4683195B2 (ja) * 2005-03-18 2011-05-11 戸田工業株式会社 炭化ケイ素粉末の製造法
DE102007034912A1 (de) * 2006-08-03 2008-02-07 General Electric Co. Verfahren zur Erzeugung solartauglichen Siliziums
US20080314445A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 General Electric Company Method for the preparation of high purity silicon
CN102229209B (zh) * 2010-09-16 2014-07-23 蒙特集团(香港)有限公司 碳化硅砂料制作过程中产生的非标砂料在太阳能硅片切割砂浆中的使用方法
JP6037823B2 (ja) * 2012-12-27 2016-12-07 太平洋セメント株式会社 高純度の炭化ケイ素の製造方法
WO2021228370A1 (de) * 2020-05-12 2021-11-18 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von technischem silicium

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1072587B (de) * 1960-01-07
US2378531A (en) * 1941-09-30 1945-06-19 Standard Oil Co Catalytic conversion of residual hydrocarbon oils
US2700017A (en) * 1951-06-05 1955-01-18 Standard Oil Dev Co Method of coking residual hydrocarbons
US2768095A (en) * 1952-05-30 1956-10-23 Shell Dev Process of coating finely divided solid material
DE1188056B (de) * 1962-08-07 1965-03-04 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zur Herstellung eines fuer die Erzeugung von Siliciumcarbid geeigneten Ausgangsmaterials
US3759676A (en) * 1971-01-22 1973-09-18 Exxon Research Engineering Co Integrated fluid coking gasification process
US3842163A (en) * 1971-09-07 1974-10-15 Aluminum Co Of America Production of aluminum chloride

Also Published As

Publication number Publication date
CA1156520A (en) 1983-11-08
IS2649A7 (is) 1981-08-07
BR8103881A (pt) 1982-03-09
PL133607B1 (en) 1985-06-29
NO155838B (no) 1987-03-02
NL187061C (nl) 1991-05-16
IE811385L (en) 1981-12-21
ES503174A0 (es) 1982-05-01
DE3023297A1 (de) 1982-01-14
DE3023297C2 (de) 1988-05-05
IT1137188B (it) 1986-09-03
PL231789A1 (de) 1982-02-15
MX157622A (es) 1988-12-07
IE51313B1 (en) 1986-11-26
JPS5734010A (en) 1982-02-24
JPS5917046B2 (ja) 1984-04-19
FR2484988A1 (fr) 1981-12-24
US4364974A (en) 1982-12-21
GB2078698B (en) 1983-12-21
AU543665B2 (en) 1985-04-26
AT382356B (de) 1987-02-25
YU153381A (en) 1983-09-30
CH646926A5 (de) 1984-12-28
LU83442A1 (de) 1981-10-29
SE441275B (sv) 1985-09-23
AR228156A1 (es) 1983-01-31
NO812028L (no) 1981-12-22
BE889300A (fr) 1981-10-16
PT73163A (en) 1981-07-01
DK155589C (da) 1989-09-18
IS1121B6 (is) 1983-07-08
SU1080740A3 (ru) 1984-03-15
FR2484988B1 (fr) 1986-11-07
ZA813980B (en) 1982-06-30
IT8122489A0 (it) 1981-06-22
YU43497B (en) 1989-08-31
AU7197981A (en) 1982-01-07
FI67569B (fi) 1984-12-31
GB2078698A (en) 1982-01-13
NL8102976A (nl) 1982-01-18
ATA271181A (de) 1986-07-15
DK270981A (da) 1981-12-22
NO155838C (no) 1987-06-10
FI67569C (fi) 1985-04-10
PT73163B (en) 1982-07-16
FI811899L (fi) 1981-12-22
CS225844B2 (en) 1984-02-13
SE8103794L (sv) 1981-12-22
ES8203947A1 (es) 1982-05-01
DK155589B (da) 1989-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DD159764A5 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung
DE60224394T2 (de) Metallurgisches silizium mittlererer reinheit und verfahren zu seiner herstellung
DE2642554C3 (de) Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid
DE2722866A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hauptsaechlich aus beta-kristall bestehendem siliziumkarbid
DE2922468C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium oder Ferrosilizium
DE2909104A1 (de) Sinternde siliziumkarbidpulver und verfahren zu deren herstellung
DE2611667A1 (de) Verfahren zur gewinnung von chlor und eisenoxid aus verunreinigten eisen(ii)-chloridhaltigen chloridgemischen, welche bei der chlorierung titanhaltiger rohstoffe anfallen
DE602004010538T2 (de) Dauerhafte Graphitkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2314391A1 (de) Verfahren zum brennen oder graphitieren von kohlenstofformkoerpern
AT215959B (de) Verfahren zur Gewinnung von Siliziumtetrafluorid und/oder Kohlenstofffluoriden sowie gegegenenfalls Fluorwasserstoff oder Aluminium- und Natriumfluorid bzw. Natriumsilikofluorid aus Fluormineralien, insbesondere Flußspat
DE2461821A1 (de) Verfahren zur herstellung von hexagonalem bornitrid
DE925345C (de) Verfahren zum Entfernen von anorganischen Verunreinigungen, ins-besondere von Eisen-, Silicium- und Titanverbindungen, aus Stoffen mit hohem Kohlenstoffgehalt, wie Koks oder Anthrazit
EP0527353B1 (de) Verfahren zur Erzeugung von Silicium im Elektroniederschachtofen und Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens
DE688436C (de) Verfahren zur Erhitzung des Reaktionsgemisches auf die fuer die Reaktion erforderlichen Temperaturen bei der Gewinnung von Magnesium
DE1258850B (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Siliciumcarbid
DE2145912C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Aluminium
DE1036827B (de) Verfahren zur Gewinnung von Fluorverbindungen aus fluorhaltigen Rohstoffen, insbesondere aus Fluormineralien
DE397673C (de) Verfahren zur Herstellung von Aluminiumchlorid durch Reduktion von Tonerde bei Gegenwart von Chlor und einem reduzierenden Mittel
DE628369C (de) Thermische Gewinnung von elementarem Phosphor aus Rohphosphaten durch Reduktion mit Kohle in Gegenwart von Kieselsaeure im Geblaeseschachtofen
AT36719B (de) Verfahren zur Herstellung von Karbiden oder Cyanamid von Kalzium im elektrischen Ofen.
DE1144014B (de) Verfahren zur Reduktion von Aluminiumoxyd mit Kohlenstoff im Lichtbogenofen
DE4126254C2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Silicium durch Reduktion von Quarz im Elektroniederschachtofen
AT205754B (de) Verfahren zur Herstellung von kohlenstoffhaltigen Aluminium-Silizium-Eisen-Legierungen
DE1186447B (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid
DE4126255C2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Silicium durch Reduktion von Quarz im Elektroniederschachtofen

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee