FI67569B - Foerfarande foer framstaellning av en mellanprodukt foer produktion av kisel och/eller kiselkarbid - Google Patents
Foerfarande foer framstaellning av en mellanprodukt foer produktion av kisel och/eller kiselkarbid Download PDFInfo
- Publication number
- FI67569B FI67569B FI811899A FI811899A FI67569B FI 67569 B FI67569 B FI 67569B FI 811899 A FI811899 A FI 811899A FI 811899 A FI811899 A FI 811899A FI 67569 B FI67569 B FI 67569B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- quartz sand
- fluidized bed
- silicon carbide
- temperature
- carbon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
1 67569
Menetelmä välituotteen valmistamiseksi piin ja/tai piikarbidin tuottamista varten - Förfarande för framställning av en mellanprodukt för produktion av kisel och/eller kiselkarbid 5 Keksinnön kohteena on menetelmä piidioksidia ja hiiltä sisältävän välituotteen valmistamiseksi piin ja/tai piikarbidin tuottamista varten. On selvää, että lähtöaineena on tällöin toisaalta kvartsihiekka tai kvartsi jauhe. Seuraavassa käytetään terminologisista syistä 10 aina nimitystä kvartsihiekka. Käytetyn kvartsihiekan rakeisuusvälin tulee olla mahdollisimman kapea vaikkakin voidaan työskennellä eri rakeisuuksia käyttäen.
- Pii tarkoittaa alkuainepiitä, joka on erittäin puhdasta. Sitä tarvitaan mitä erilaisimpiin tarkoituksiin, 15 esimerkiksi ferropiin tai kalsiumsilisidin valmistamiseksi. Puhdasta piitä käytetään kuitenkin etenkin myös puolijohdetekniikassa. Piikarbidi koostuu piistä ja hiilestä ja sen kemiallinen kaava on SiC. Se on useimpia kemiallisia vaikutuksia vastaan kestävä ja sillä 20 on boorikarbidien ja timanttien lisäksi suurin lujuus.
Piikarbidia käsitellään hioma-aineteollisuudessa hioma-jauheiksi ja hiomapastoiksi, hiomakiekoiksi ja vastaaviksi. Piikarbidihioma-aineita voidaan käyttää samoin koviin aineisiin, kuten sintrauskovametalleihin, valu-25 teräkseen että myös plastisiin materiaaleihin, kuten alumiiniin, messinkiin ja kupariin. Mutta myös kumia, nahkaa ja puuta voidaan käsitellä. Erinomaisen lämmön-johtokyvyn ja kemiallisen kestävyyden ansiosta korkeissa lämpötiloissa piikarbidi on sopiva materiaali tulenkes-30 tävien materiaalien valmistamiseksi teollisuusuuneja varten, joille on asetettu erityiset vaatimukset, kuten reaktiolämmön nopea poistaminen, hyvä lämmitettävyys 2 67569 r ulkoapäin, johon mahdollisesti liittyy korkea kulutuskestävyys ja korroosionkestävyys. Sinkkiteollisuus käyttää esimerkiksi piikarbidimuhveleita ja muurattuja lauhduttimia malmien käsittelyyn. Hyvän sähköisen joh-5 tavuuden ja kestävyyden ansiosta happea vastaan korkeammissa lämpötiloissa valmistetaan piikarbidista ja sopivista sideaineista lämmityselementtejä sähkövastus-uuneja varten, jotka kestävät kestorasitusta jopa 1500°C:n lämpötilaan asti. Myös infrapunauuneja voidaan 10 varustaa tällaisilla elementeillä. Jännitteen rajoittamiseksi vahva- ja heikkovirtatekniikassa valmistetaan piikarbidista rakenne-elementtejä, joissa on jännitteestä riippuvainen sähköresistanssi. Tätä varten kuten myös suurlämpötilatransistoreja ja suurlämpötila-15 diodeja varten käytetään erityisesti valmistettua, erittäin puhdasta ja seostettua piikarbidia. Kiteisen piikarbidin ominaisuuksia hyväksi käyttävän käytön lisäksi voidaan piikarbidia valmistaa myös kuitumuodossa tai vaahtona. Kuidut käsitellään yhdistettynä muihin 20 materiaaleihin tulenkestäviksi kudoksiksi, vaahto- korroosio- ja lämpötilankestäviksi eristysaineiksi. Huolimatta piikarbidin tästä huomattavasta teknisestä merkityksestä ei sen valmistusteknologialla ole ollut osoittaa viime vuosikymmeninä mitään huomattavia edis-25 tysaskeleita. Se tapahtuu Acheson'in ajoista (1891) lähtien kuumentamalla pääasiassa piidioksidia kvartsi-hiekan ja koksijauheen muodossa. Valmistus on kallista, mikä tekee siten piikarbidin ja piikarbidista valmistetut tuotteet kalliiksi.
30 Piikarbidin valmistuksen teknistä prosessia varten tarvitaan seuraavia raaka-aineita: - piidioksidia kvartsihiekan ja hienoksi murskatun kvartsin muodossa, joka on mahdollisimman puhdasta, 3 67569 - hiiltä sulatto-, piki-, petrolikoksin tai antrasiitin muodossa, - natriumkloridia, - sahajauhoa.
5 Kvartsia ja hiiltä käytetään lähes stökiometrisissa suhteissa, jolloin hiilen pieni ylimäärä on toivottavaa. Sahajauhoa lisätään reaktioseoksen kuohkeuttamiseksi. Natriumkloridia käytetään raaka-aineisiin etupäässä sisältyvien alumiini- ja rautahappiyhdisteiden poista-10 miseksi klorideina haihduttamalla , koska nämä yhdisteet estävät kiteiden muodostusta ja myös aiheuttavat muodostuneen piikarbidin katalyyttisen hajoamisen. - Piikar-bidin tekninen valmistus tapahtuu korkean reaktiolämpö-tilan (2000°C) johdosta yleensä sähkövastusuuneissa.
15 Reaktionkulku ja saanto riippuvat olennaisesti raaka- aineiden homogeenisesta sekoittumisesta, jolloin toisaalta kvartsihiekkarakeiden, toisaalta koksijauheen rakeisuuden säädön on oltava tarkka.
Keksinnön tehtävänä on nyt saada aikaan välituote, josta '20 voidaan valmistaa piitä ja/tai piikarbidia, ilman että tarvitaan kvartsihiekan ja koksijauheen seosta.
Tämä tehtävä ratkaistaan keksinnön mukaisesti siten, että kvartsihiekkarakeista muodostetaan ja ylläpidetään vesihöyryn ja kaasujen avulla leijukerros, jonka lämpö-25 tila on 500 - 700°C, leijukerrokseen suihkutetaan yli 250°C:n lämpötilassa olevia kuumia nestemäisiä hiilivetyjä ja leijukerrokseen puhalletaan jatkuvasti tuoreita tai myösjo hiilipäällysteisiä 600 - 800°C:n lämpötilassa olevia kvartsihiekkarakeita, joilla hiilivedyt 30 krakkautuvat siten, että muodostuu öljykoksikerros tai jo olemassa oleva tehdään paksummaksi ja nimenomaan 67569 Γ kunnes öljykoksikerrosten hiilimäärä vastaa ainakin stökiometrisesti päällystettyjen kvartsirakeiden piiksi ja/tai piikarbidiksi tapahtuvaa reaktiota varten tarvittavaa hiilimäärää, ja että siten raskaammaksi 5 tulleet, laskeutuneet hiukkaset poistetaan alhaalla leijukerroksesta. Toisin sanoen keksinnön mukaisesti krakataan kvartsihiekkarakeiden leijukerroksessa sopivassa lämpötilassa hiili kvartsihiekkarakeiden päälle tavallaan päällysteeksi. Krakkausprosessin suurin 10 energiantarve voidaan saada aikaan kvartsihiekkarakeiden ja jo hiilellä päällystettyjen kvartsihiekkarakeiden ominaislämmöllä, jotka kuumennetaan tarvittavaan lämpötilaan polttamalla hiili osittain erityisessä esikuumentimessa tai kuumien poistokaasujen luovuttaman 15 lämmön avulla. Leijukerroksen lämpötila voidaan kuitenkin ylläpitää myös tai lisäksi hiilivetyjen osittaisen palamisen avulla. - Pyörrekerrosprosessit hiilivetyjen koksaamiseksi ovat periaatteessa tunnettuja, jolloin on myös käytetty hiekanmuodossa olevia kiinteitä lämmön-20 kantoaineita. Tässä ei kuitenkaan tuoteta koksikerrok-sia lämmönkantoaineiden päälle eikä vastaavia tuotteita poisteta.
Jos työskennellään keksinnön menetelmän mukaisesti, niin öljykoksimäärä, joka seostuu yksittäisten kvartsihiek-25 karakeiden päälle, riippuu toisaalta lämpödynaamisista olosuhteista ja tämän lisäksi kvartsihiekkarakeiden staattisesta oloajasta leijukerroksessa. Keksinnön mukaisesti on havaittu, että esitetyssä menetelmässä voidaan seostaa kvartsihiekkarakeiden päälle stökiometrinen 30 tai ylistökittmetrinen öljykoksimäärä, kuten se tarvitaan välituotteiden edelleenkäsittelyä varten. Keksinnön mukainen menetelmä suoritetaan yleensä yhtäjaksoisesti, ja nimenomaan niin, että jo hiilellä päällystetty tuote, 5 67569 joka on läsnä termisen tasapainon saavuttamisen jälkeen ylimääränä, poistetaan sen jälkeen, kun se on poistettu leijukerroksesta, ennen sen saapumista esikuumenti-meen. Tarkoituksenmukaisesti johdetaan tuoreita kvart-5 sihiekkarakeita esikuumentimeen ja sekoitetaan siellä kuumaan materiaaliin ja kuumennetaan yhdessä tämän kanssa korkeintaa 800°C:n lämpötilaan. Keksinnön puitteisiin kuuluu syöttää öljykoksilla jo päällystettyä kvartsihiekkaa kiertokulkuun, jotta siten vaikutettai-10 siin öljykoksikerrostuman määrään yksittäisten kvartsi- hiekkarakeiden päällä. On selvää, että leijukerrok-sesta poistetaan yläpäästä kaasumaisia ja kondensoita-via hiilivetyjä.
• Keksinnön puitteissa voidaan käyttää mitä erilaisimpia 15 hiilivetyjä öljykoksin muodostamiseksi kvartsihiekka- rakeiden päälle. Erään edullisen suoritusmuodon mukaisesti syöttöaineina käytetään raskaita maaöljylajikkei-ta ja kivihiilitervaa ja kivihiilitervan pikeä.
Saavutetut edut voidaan nähdä siinä, että keksinnön 20 menetelmän mukaisesti valmistetaan välituote, jota voidaan ilman muuta käyttää piin ja/tai piikarbidin valmistamiseksi, ja nimenomaan silloin, missä on tähän mennessä tarvittu toisaalta kvartsihiekan ja toisaalta koksijauheen kallista ja huolellista sekoitusta.
25 Tuloksena voidaan yksinkertaistaa itse piin tai vast.
piikarbidin valmistusta käyttämällä keksinnön mukaista välituotetta. Etenkin voidaan keksinnön mukaisesta välituotteesta valmistaa erittäin puhtaat lopputuotteet pii tai vast, piikarbidi edellyttäen, että lähtöaineet 30 ovat puhtaat.
Piin valmistamiseksi sijoitetaan tavallaan mikropellet- 6 τ~ 67569 tejä oleva välituote tavanomaiseen sähköuuniin, jossa on esimerkiksi tavanomaiset kolme elektrodia. Tässä sähköuunissa reagoivat sitten pii ja hiili kaavan SiC>2 + 2C —> Si + 2C0 mukaisesti piiksi. Elektrodi-5 uunissa ei voida suorittaa reaktiota piikarbidin valmistamiseksi, koska piikarbidi on kiinteää, se kasvaa tavallaan kiinni elektrodeihin ja siten sitä ei voida ilman muuta poistaa uunista. Piikarbidin valmistus tapahtuu kaavan Si02 + 3C —> SiC + 2C0 mukaisesti.
10 Tämä reaktio suoritetaan yleensä vaakasuoralla arinalla, johon sijoitetaan reagoivien aineiden, tässä tapauksessa siis mikropellettien kasa. Muodostetun kerroksen läpi syötetään sähköenergiaa, jolloin reaktio tapahtuu edellä esitetyllä tavalla. On kuitenkin suoritettava 15 hiilipäällystys ilman hapen pitämiseksi pois reaktiosta. Vastaavasti voitaisiin työskennellä myös tyhjiössä.
Tässä menetelmässä syntyy tavallaan pitkälti kiteisen piikarbidin tanko tai lanka.
Seuraavassa keksintö selitetään lähemmin piirustusten 20 avulla, jossa on esitetty laitteisto keksinnön mukaisen menetelmän suorittamiseksi.
Kuviossa on esitetty reaktori, jossa on esikuumennin, jossa keksinnön mukainen menetelmä voidaan suorittaa. Reaktoriin 1 puhalletaan ensin kvartsihiekkarakeita 2, 25 joiden lämpötila on 600 - 800°C. Vesihöyryn 3 ja kaasujen 4 avulla näistä tuotetaan ja ylläpidetään leiju-kerros 5, jonka lämpötila on 500 - 700°C. Tähän leiju-kerrokseen 5 suihkutetaan yli 250°C:n lämpötilassa olevia kuumia nestemäisiä hiilivetyjä. Hiilivedyt krakkau-30 tuvat tällöin kvartsihiekkarakeiden päälle ja ne muodostavat öljykerroksen, ja nimenomaan lähes stökiometri-senä tai ylistökiometrisenä määränä. Tämän johdosta 67569 raskaammaksi tulevat hiukkaset laskeutuvat alas ja ne poistetaan reaktorin alapäästä 7. Krakkausprosessin suurin energiantarve saadaan tällöin aikaan kvartsihiek-karakeiden 2 ominaislämmön avulla. Ennen näiden johta-5 mistä reaktoriin ne johdetaan esikuumentimen 8 kautta. Tätä varten syötetään osa reaktorista 1 poistetuista tuotteista esikuumentimeen ja tässä tapahtuu hiilen osittainen polttaminen kvartsihiekkarakeiden 2 päälle. Kvartsihiekkarakeiden kuumentaminen voidaan saada aikaan 10 myös kuumien poistokaasujen avulla. Esikuumentimen 3 kautta lisätään edelleen tuoreita kvartsihiekkarakeita 2. Hiilen päällystämät tuotteet poistetaan ainakin osittainniiden leijukerroksesta 5 tapahtuvan poiston jälkeen ennen niiden saapumista esikuumentimeen. Putken 15 9 kautta poistetaan leijukerroksen 5 yläpuolelta kaasu maisia ja kondensoitavia hiilivetyjä. Hiilivetyinä 6 käytetään raskaita maaöljylajikkeita ja kivihiilitervaa tai vast, kivihiilitervan pikeä, leijukerroksen kaasuina käytetään vesihöyryn lisäksi typpeä sekä reaktion suh-20 teen neutraaleja ja/tai reagoituneita kaasuja.
Claims (4)
1. Leijukerros-koksausmenetelmä jonka mukaan kvartsi-hiekkarakeista tuotetaan vesihöyryn ja kaasujen avulla lei-jukerros jonka lämpötila on 500 - 700°C, jonka menetelmän 5 mukaan leijukerrokseen johdetaan yli 250°C:n lämpötilassa olevia nestemäisiä hiilivetyjä, kuten raskaita maaöljyfrakti-oita ja kivihiilitervaa tai asfalttipikeä, sekä 600-800°C:n lämpötilassa olevia tuoreita tai kierrätettyjä ja siten jo öljykoksikerroksella päällystettyjä kvartsihiekkarakeita, 10 joiden päälle hiilivedyt krakkautuvat, jolloin yläpäästä poistetaan kaasumaisia ja kondensoituvia hiilivetyjä ja alhaalta öljykoksikerroksesta raskaammiksi tulleita kvartsihiekkarakeita, tunnettu siitä, että välituote valmistetaan piikarbidin tuottamista varten ja lisäksi että 15 öljykerroksen hiilimäärä on siten säädetty, että se vastaa vähintään stökiömetrisesti kvartsihiekkarakeiden piikarbi-diksi tapahtuvaa reaktiota varten tarvittavaa hiilimäärää.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että krakkausprosessin suurin energiatarve 20 saadaan kvartsihiekkarakeiden ja jo öljykoksilla päällystettyjen kvartsihiekkarakeiden ominaislämmön avulla, jotka kuumennetaan tarpeelliseen lämpötilaan polttamalla hiili osittain erillisessä esikuumentimessa tai kuumien poistokaasujen luovuttaman lämmön avulla. 25
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että jo hiilipäällysteinen tuote, jota esiintyy ylimääränä termisen tasapainon saavuttamisen jälkeen, poistetaan leijukerroksesta tapahtuvan poiston jälkeen ennen sen saapumista esikuumentimeen. 30
4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tuoreita kvartsihiekkarakeita johdetaan esikuumentimeen ja sekoitetaan siellä kuumaan materiaaliin ja kuumennetaan yhdessä tämän kanssa korkeintaan 800°C:n lämpötilaan. Il
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3023297 | 1980-06-21 | ||
DE3023297A DE3023297C2 (de) | 1980-06-21 | 1980-06-21 | Verfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für die Erzeugung von Siliziumcarbid |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI811899L FI811899L (fi) | 1981-12-22 |
FI67569B true FI67569B (fi) | 1984-12-31 |
FI67569C FI67569C (fi) | 1985-04-10 |
Family
ID=6105145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI811899A FI67569C (fi) | 1980-06-21 | 1981-06-17 | Foerfarande foer framstaellning av en mellanprodukt foer produktion av kisel och/eller kiselkarbid |
Country Status (30)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4364974A (fi) |
JP (1) | JPS5917046B2 (fi) |
AR (1) | AR228156A1 (fi) |
AT (1) | AT382356B (fi) |
AU (1) | AU543665B2 (fi) |
BE (1) | BE889300A (fi) |
BR (1) | BR8103881A (fi) |
CA (1) | CA1156520A (fi) |
CH (1) | CH646926A5 (fi) |
CS (1) | CS225844B2 (fi) |
DD (1) | DD159764A5 (fi) |
DE (1) | DE3023297C2 (fi) |
DK (1) | DK155589C (fi) |
ES (1) | ES503174A0 (fi) |
FI (1) | FI67569C (fi) |
FR (1) | FR2484988B1 (fi) |
GB (1) | GB2078698B (fi) |
IE (1) | IE51313B1 (fi) |
IS (1) | IS1121B6 (fi) |
IT (1) | IT1137188B (fi) |
LU (1) | LU83442A1 (fi) |
MX (1) | MX157622A (fi) |
NL (1) | NL187061C (fi) |
NO (1) | NO155838C (fi) |
PL (1) | PL133607B1 (fi) |
PT (1) | PT73163B (fi) |
SE (1) | SE441275B (fi) |
SU (1) | SU1080740A3 (fi) |
YU (1) | YU43497B (fi) |
ZA (1) | ZA813980B (fi) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3262765D1 (en) * | 1981-05-29 | 1985-05-02 | Morganite Special Carbons | Making silicon carbide bodies |
US4752456A (en) * | 1982-06-01 | 1988-06-21 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for preparing metal carbides and precursors thereof |
DE3346870A1 (de) * | 1983-12-23 | 1985-07-11 | Metallgesellschaft Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zum erzeugen koksummantelter quarzkoerner |
IT1176955B (it) * | 1984-10-12 | 1987-08-26 | Samin Abrasivi Spa | Procedimento di produzione di silicio metallico adatto per essere impiegato nell'industria fotovoltaica |
DE3541125A1 (de) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. | Verfahren zur herstellung von silicium oder ferrosilicium in einem elektronierderschachtofen und fuer das verfahren geeignete rohstoff-formlinge |
US4981668A (en) * | 1986-04-29 | 1991-01-01 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide as a raw material for silicon production |
DE3724541A1 (de) * | 1987-07-24 | 1989-02-02 | Applied Ind Materials | Verfahren und anlage zur herstellung von rohstoff-briketts fuer die erzeugung von silicium oder von siliciumcarbid oder von ferrosilicium |
EP0409853B1 (en) * | 1988-03-11 | 1994-12-07 | Deere & Company | Production of manganese carbide and ferrous alloys |
DE3923446C1 (fi) * | 1989-07-15 | 1990-07-26 | Applied Industrial Materials Corp. Aimcor, Deerfield, Ill., Us | |
US5165916A (en) * | 1989-10-02 | 1992-11-24 | Phillips Petroleum Company | Method for producing carbide products |
US5176893A (en) * | 1989-10-02 | 1993-01-05 | Phillips Petroleum Company | Silicon nitride products and method for their production |
US5108729A (en) * | 1989-10-02 | 1992-04-28 | Phillips Petroleum Company | Production of carbide products |
DE59202442D1 (de) * | 1991-08-08 | 1995-07-13 | Applied Ind Materials | Verfahren zur Erzeugung von Silicium im Elektroniederschachtofen und Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens. |
US6165247A (en) | 1997-02-24 | 2000-12-26 | Superior Micropowders, Llc | Methods for producing platinum powders |
RU2160705C2 (ru) * | 1999-02-11 | 2000-12-20 | Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Композит" | Способ получения металлического кремния |
GB0014584D0 (en) * | 2000-06-14 | 2000-08-09 | Bp Chem Int Ltd | Apparatus and process |
JP4683195B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-05-11 | 戸田工業株式会社 | 炭化ケイ素粉末の製造法 |
DE102007034912A1 (de) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | General Electric Co. | Verfahren zur Erzeugung solartauglichen Siliziums |
US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
CN102229209B (zh) * | 2010-09-16 | 2014-07-23 | 蒙特集团(香港)有限公司 | 碳化硅砂料制作过程中产生的非标砂料在太阳能硅片切割砂浆中的使用方法 |
JP6037823B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-12-07 | 太平洋セメント株式会社 | 高純度の炭化ケイ素の製造方法 |
WO2021228370A1 (de) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von technischem silicium |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1072587B (fi) * | 1960-01-07 | |||
US2378531A (en) * | 1941-09-30 | 1945-06-19 | Standard Oil Co | Catalytic conversion of residual hydrocarbon oils |
US2700017A (en) * | 1951-06-05 | 1955-01-18 | Standard Oil Dev Co | Method of coking residual hydrocarbons |
US2768095A (en) * | 1952-05-30 | 1956-10-23 | Shell Dev | Process of coating finely divided solid material |
DE1188056B (de) * | 1962-08-07 | 1965-03-04 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur Herstellung eines fuer die Erzeugung von Siliciumcarbid geeigneten Ausgangsmaterials |
US3759676A (en) * | 1971-01-22 | 1973-09-18 | Exxon Research Engineering Co | Integrated fluid coking gasification process |
US3842163A (en) * | 1971-09-07 | 1974-10-15 | Aluminum Co Of America | Production of aluminum chloride |
-
1980
- 1980-06-21 DE DE3023297A patent/DE3023297C2/de not_active Expired
-
1981
- 1981-06-01 CH CH356381A patent/CH646926A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-06-09 PT PT73163A patent/PT73163B/pt not_active IP Right Cessation
- 1981-06-12 ZA ZA813980A patent/ZA813980B/xx unknown
- 1981-06-12 GB GB8118145A patent/GB2078698B/en not_active Expired
- 1981-06-12 AR AR285708A patent/AR228156A1/es active
- 1981-06-15 FR FR8111718A patent/FR2484988B1/fr not_active Expired
- 1981-06-16 NO NO812028A patent/NO155838C/no unknown
- 1981-06-17 AT AT0271181A patent/AT382356B/de not_active IP Right Cessation
- 1981-06-17 FI FI811899A patent/FI67569C/fi not_active IP Right Cessation
- 1981-06-17 SE SE8103794A patent/SE441275B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-06-17 YU YU1533/81A patent/YU43497B/xx unknown
- 1981-06-17 ES ES503174A patent/ES503174A0/es active Granted
- 1981-06-18 MX MX187866A patent/MX157622A/es unknown
- 1981-06-19 NL NLAANVRAGE8102976,A patent/NL187061C/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-06-19 JP JP56094103A patent/JPS5917046B2/ja not_active Expired
- 1981-06-19 DK DK270981A patent/DK155589C/da active
- 1981-06-19 IS IS2649A patent/IS1121B6/is unknown
- 1981-06-19 LU LU83442A patent/LU83442A1/de unknown
- 1981-06-19 US US06/275,159 patent/US4364974A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-06-19 BE BE2/59228A patent/BE889300A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-06-19 AU AU71979/81A patent/AU543665B2/en not_active Ceased
- 1981-06-19 BR BR8103881A patent/BR8103881A/pt not_active IP Right Cessation
- 1981-06-19 CA CA000380221A patent/CA1156520A/en not_active Expired
- 1981-06-19 SU SU813368377A patent/SU1080740A3/ru active
- 1981-06-19 DD DD81230953A patent/DD159764A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-06-20 PL PL1981231789A patent/PL133607B1/pl unknown
- 1981-06-22 IE IE1385/81A patent/IE51313B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-06-22 IT IT22489/81A patent/IT1137188B/it active
- 1981-06-22 CS CS814708A patent/CS225844B2/cs unknown
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI67569B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av en mellanprodukt foer produktion av kisel och/eller kiselkarbid | |
US4504453A (en) | Method of manufacturing crystalline silicon carbide | |
US3754076A (en) | Production of silicon carbide from rice hulls | |
US6022515A (en) | Process for producing silicon carbide | |
US20110150741A1 (en) | Production of silicon by reacting silicon oxide and silicon carbide, optionally in the presence of a second carbon source | |
CA1175238A (en) | Method and apparatus for the thermal production of metal carbides and metals | |
US4525335A (en) | Method of manufacturing crystalline silicon nitride and method of separation thereof | |
DK168003B1 (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af silicium | |
SE465619B (sv) | Foerfarande och anlaeggning foer framstaellning av raamaterialbriketter foer tillverkning av kisel, kiselkarbid eller ferrokisel i en elektroschaktugn samt enligt foerfarandet framstaellda briketter | |
US2657118A (en) | Method of purifying carbonaceous material | |
CN1042830C (zh) | 用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及β-SiC细粉和β-SiC晶须的方法 | |
EP0158387B1 (en) | A process for calcining green coke | |
SU1309915A3 (ru) | Способ получени алюмини | |
EP0409015A3 (en) | Method for the production of raw material moulded bodies and raw material moulded bodies so produced | |
JPS6217012A (ja) | 四塩化ケイ素の製造方法 | |
US3141737A (en) | Method for the preparation of aluminum nitride refractory material | |
RU2779960C1 (ru) | Способ получения карбида кремния | |
JPH03187998A (ja) | 窒化アルミニウムウィスカーの製造方法 | |
SU753834A1 (ru) | Шихта дл изготовлени огнеупорных изделий | |
GB191517447A (en) | Method of Producing Corrosion Resisting Refractory Materials and the Product thereof. | |
PL76765B2 (fi) | ||
JPS61146706A (ja) | 炭化けい素の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: APPLIED INDUSTRIAL MATERIALS CORPORATION |