DE4126254C2 - Verfahren zur Erzeugung von Silicium durch Reduktion von Quarz im Elektroniederschachtofen - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung von Silicium durch Reduktion von Quarz im ElektroniederschachtofenInfo
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- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Sili
cium durch Reduktion von Quarz im Elektroniederschachtofen,
wobei der Elektroniederschachtofen mit einem Möller aus Roh
stoff-Formlingen, die feinkörnigen Quarz sowie einen feinkör
nigen Kohlenstoffträger aufweisen, und aus stückigem Quarz be
schickt sowie derart betrieben wird, daß die Reduktion haupt
sächlich zweistufig erfolgt, und zwar in einer ersten Ver
fahrensstufe im oberen Bereich des Elektroniederschachtofens
so, daß in den Rohstoff-Formlingen unter Bildung einer koksar
tigen Struktur mit offenen Poren eine Reduktion von feinteili
gem Quarz zu Siliciumcarbid erfolgt, sowie in einer zweiten
Verfahrensstufe im unteren Bereich des Elektroniederschacht
ofens so, daß mit dem Siliciumcarbid eine Reduktion des stückig
eingesetzten, geschmolzenen Quarzes zu Silicium erfolgt und
außerdem gasförmiges Siliciumoxid gebildet wird, welches in
dem Möller aufsteigt. Siliciumoxid bezeichnet im Rahmen der
Erfindung Siliciummonoxid. Der stückig eingesetzte Quarz ist
bei der Reduktion mit dem Siliciumcarbid flüssig.
Bei dem bekannten Verfahren, von dem die Erfindung ausgeht (DE
35 41 125-C2), verläuft die Reaktion in der ersten Verfahrens
stufe nach der summarischen Formel
SiO2 + 3C = SiC + 2CO,
bei einer Temperatur von unter 1600°C. Die Reaktion in der
zweiten Stufe verläuft nach den Summenformeln
SiO2 + 2SiC = 3SiO + 2CO,
SiO2 + C = SiO + CO,
SiO2 + C = SiO + CO,
und zwar bei einer Temperatur von 1800 bis 2000°C (vgl. auch
DE-PS 20 55 564, DE 30 32 720-C2). Die Rohstoff-Formlinge müssen in
chemischer Hinsicht eine entsprechende Zusammensetzung auf
weisen, im allgemeinen mit einem stöchiometrischen Überschuß
an Kohlenstoff in bezug auf die Reaktionen, die sich in den
Rohstoff-Formlingen abspielen. Die Rohstoff-Formlinge müssen
außerdem im physikalischer Hinsicht den Beanspruchungen genü
gen, die sie auf ihrem Weg von der Herstellung bis zur Be
schickung des Elektroniederschachtofens und auf ihrer Reise
durch den Elektroniederschachtofen, bis zum Schmelzen des
Quarzes, aufzunehmen haben. Zur Herstellung solcher Rohstoff-
Formlinge, die in chemischer und physikalischer Hinsicht allen
Anforderungen genügen, stehen verschiedene Verfahren zur Ver
fügung (vgl. DE 37 24 541-C2, DE 30 09 808-C2, DE-34 25 716-C2, DE 39
39 018-C1). Insbesondere ist es bekannt, daß die porige, koksar
tige Struktur, die aus Kohlenstoff und Siliciumcarbid besteht,
und sich in der ersten Verfahrensstufe einstellt, die Sili
ciumausbeute fördert, weil das in der zweiten Verfahrensstufe
gasförmig freiwerdende Siliciumoxid von der koksartigen Struk
tur gleichsam schwammartig aufgenommen wird und zunächst kon
densiert sowie auf der weiteren Reise der in der ersten Ver
fahrensstufe entstandenen Rohstoff-Formlinge mit ihrer pori
gen, koksartigen Struktur durch den Elektroniederschachtofen
zu Silicium weiter reduziert wird. Nichtsdestoweniger ist die
Siliciumausbeute des eingangs beschriebenen Verfahrens ver
besserungsfähig. Es geht Siliciumoxid und dann Silicium ver
loren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei dem eingangs be
schriebenen Verfahren die Siliciumausbeute zu verbessern. Der
Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, Rohstoff-Form
linge anzugeben, die für das erfindungsgemäße Verfahren be
sonders geeignet sind.
Zur Lösung dieser Aufgabe lehrt die Erfindung, das eingangs
beschriebene Verfahren so zu führen, daß die Rohstoff-Form
linge einen Zusatz eines Carbidbildners in Form eines Magne
sium- und/oder Calcium- und/oder Aluminiumsilikates aufweisen,
daß in den Rohstoff-Formlingen die Umsetzung des Silikates
bzw. der Silikate mit Kohlenstoff zu dem Carbid unterhalb der
Schmelztemperatur des Silikates bzw. der Silikate durchgeführt
wird und daß durch das Carbid Siliciumoxid zu Silicium unter
Bildung von Kohlenoxid reduziert wird. Die Menge des Zusatzes
wird so gewählt, daß die Siliciumausbeute gegenüber dem Be
trieb mit Rohstoff-Formlingen ohne den Zusatz beachtlich er
höht wird. Nach bevorzugter Ausführungsform der Erfindung wird
die Menge des Zusatzes so gewählt, daß die Siliciumausbeute
gegenüber dem Betrieb ohne den Zusatz um zumindest 5 Gew.-%,
vorzugsweise um 10 bis 20 Gew.-%, erhöht wird. - Die Carbid
bildner werden, anders ausgedrückt, so bemessen, daß sie im
Rohstoff-Formling, bezogen auf den Metallgehalt, 0,1 bis 1,0
Gew.-% ausmachen.
Die Erfindung nutzt die überraschende, bisher unbekannte Tat
sache, daß bei dem eingangs beschriebenen Verfahren der erfin
dungsgemäße Zusatz die Siliciumausbeute beachtlich erhöht. Der
Effekt stellt sich ein, wenn das eingangs beschriebene Ver
fahren im Rahmen der bekannten Technologie mit der üblichen
Ofenführung durchgeführt wird. Zu einer besonders ausgeprägten
Erhöhung der Siliciumausbeute kommt man, wenn nach bevorzugter
Ausführungsform der Erfindung der Elektroniederschachtofen so
betrieben wird, daß im oberen Bereich das Carbid gebildet wird
und an diesen entstehendes Siliciumoxid reduziert wird. Diese
Verfahrensweisen verlangen eine Ofenführung, die sich leicht
durch Versuche ermitteln läßt, und zwar in bezug auf Größe der
Rohstoff-Formlinge, Größe des stückig eingesetzten Quarzes,
Energiezuführung über die Elektroden und Durchsatzgeschwindig
keit. Insoweit beruht die Erfindung auf der Erkenntnis, daß in
den Rohstoff-Formlingen im Elektroniederschachtofen besondere
Phänomene ablaufen, die bisher unbeobachtet geblieben und
nicht ausgenutzt worden sind. Zum Verständnis der beschrie
benen Effekte tragen die folgenden summarisch zu betrachtenden
Reaktionen bei, denen die Thermodynamik der Zusammenhänge im
Elektroniederschachtofen nicht entgegensteht. Dabei wird zur
Vereinfachung lediglich beispielsweise auf Magnesiumsilikat
abgestellt. Zuerst wird aus dem Magnesiumsilikat das entspre
chende Magnesiumcarbid erzeugt, und zwar im wesentlichen nach
der Summenformel
MgSiO3 + 4C = MgC2 + SiO + 2CO.
Das gasförmige Siliciumoxid ist ohne weiteres in der Lage, das
Magnesiumcarbid anzugreifen, und zwar gleich dort, wo es sich
gebildet hat:
MgC2 + 2SiO = Mg + 2Si + 2CO.
Das flüssige Silicium wird sehr schnell in sein Carbid über
führt:
2Si + 2C = 2SiC.
Das zwischenzeitlich auftretende Magnesium ist gasförmig und
kann sich zwanglos mit Kohlenstoff erneut zu Magnesiumcarbid
umsetzen:
Mg + 2C = MgC2.
Im Ergebnis ist festzustellen, daß das Magnesiumsilikat über
das in den Rohstoff-Formlingen gebildete Magnesiumcarbid als
Siliciumoxid-Fänger funktioniert. Damit wird der sonst ver
lustreiche Vorgang der Siliciumoxid-Bildung unterdrückt und
die Bildung von Siliciumcarbid erleichtert. Es ist davon aus
zugehen und durch die Ofenführung erreichbar, daß die wesent
lichen Reaktanten, Siliciumoxid, Silicium und Magnesium, zum
richtigen Zeitpunkt in nichtfester Form vorliegen. Während
Quarzsand und fester Kohlenstoff über Diffusion bis rund 1700°C
miteinander reagieren müssen und bei der Reaktion sich
selbst auf einen reaktionshemmenden Abstand bringen, weil die
Kontaktzonen, in denen die Reaktion stattfinden kann, immer
schlechter werden, steigt die Siliciumoxid-Bildung an, weil
eine Verarmung an Kohlenstoff in Nähe des Sandkornes eintritt.
In diese Zusammenhänge greift das Magnesium über die beschrie
bene Bildung von Magnesiumcarbid vorteilhaft ein. Der zuneh
mende Anfall an Siliciumoxid wird in der sich bildenden koks
artigen Struktur aufgefangen und umgesetzt, wobei sich das
Magnesiumcarbid neu bildet. Darauf beruht das Ansteigen der
Siliciumausbeute. Das Magnesiumcarbid steht bis zum Ende des
Reduktionsprozesses zur Verfügung, solange die eingesetzten
Rohstoff-Formlinge ihre Form behalten. In die sich aufgewei
teten Poren dringt mehr und mehr Siliciumoxid von außen auch
bei Temperaturen über 1700°C ein, wobei es in der koksartigen
Struktur mit offenen Poren reduziert wird. Der fortschreitende
Kohlenstoffverbrauch in den Rohstoff-Formlingen führt später
zu einem Zerfall der Rohstoff-Formlinge -, und das gebildete
Siliciumcarbid setzt sich mit dem geschmolzenen Quarz, wie
eingangs beschrieben, um. Danach gelangt das Magnesium in das
freie Volumen der Chargierung, wo es ein letztes Mal die
Chance hat, Siliciumoxid zu reduzieren. Als Magnesiumoxid im
Abgas strömt es in die Gasreinigung, wo es mit anderem Staub
niedergeschlagen wird.
Gegenstand der Erfindung sind auch Rohstoff-Formlinge für die
Durchführung des Verfahrens, und zwar wie in den Ansprüchen 3
und 4 angegeben.
Claims (4)
1. Verfahren zur Erzeugung von Silicium durch Reduktion von
Quarz im Elektroniederschachtofen, wobei der Elektronieder
schachtofen mit einem Möller aus Rohstoff-Formlingen, die
feinkörnigen Quarz sowie einen feinkörnigen Kohlenstoffträger
aufweisen, und aus stückigem Quarz beschickt sowie derart be
trieben wird, daß die Reduktion hauptsächlich zweistufig er
folgt, und zwar in einer ersten Verfahrensstufe im oberen Be
reich des Elektroniederschachtofens so, daß in den Roh
stoff-Formlingen unter Bildung einer koksartigen Struktur mit
offenen Poren eine Reduktion von feinteiligem Quarz zu Sili
ciumcarbid erfolgt, sowie in einer zweiten Verfahrensstufe im
unteren Bereich des Elektroniederschachtofens so, daß mit dem
Siliciumcarbid eine Reduktion des stückig eingesetzten, ge
schmolzenen Quarzes zu Silicium erfolgt und außerdem gasför
miges Siliciumoxid gebildet wird, welches in dem Möller auf
steigt, dadurch gekennzeichnet, daß die
Rohstoff-Formlinge einen Zusatz eines Carbidbildners in Form
eines Magnesium- und/oder Calcium- und/oder Aluminiumsilikates
aufweisen, daß in den Rohstoff-Formlingen die Umsetzung des
Silikates bzw. der Silikate mit Kohlenstoff zu dem Carbid
unterhalb der Schmelztemperatur des Silikates bzw. der Sili
kate durchgeführt wird, und daß durch das Carbid Siliciumoxid
zu Silicium unter Bildung von Kohlenoxid reduziert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im
oberen Bereich des Elektroniederschachtofens das Carbid gebil
det und an diesem aufsteigendes Siliciumoxid reduziert wird.
3. Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens
nach einem der Ansprüche 1 oder 2, die aus einer innigen Roh
stoffmischung aus feinkörnigem Quarzsand und einem fein
körnigen nichtbackenden Kohlenstoffträger, vorzugsweise Pe
trolkoks, bestehen, wobei die Rohstoffmischung mit einem bitu
minösen Bindemittel zu den Rohstoff-Formlingen brikettiert
ist und wobei der Kohlenstoffgehalt insgesamt größer ist, als
es für den Ablauf der in den Rohstoff-Formlingen stattfinden
den Reaktionen stöchiometrisch erforderlich ist, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Rohstoffmischung einen Zusatz eines
feinteiligen Carbidbildners in Form eines Magnesium- und/oder
Calcium- und/oder Aluminiumsilikates aufweist.
4. Rohstoff-Formlinge nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich
net, daß als bituminöses Bindemittel eine Pech/Kohle-Legierung
eingesetzt ist.
Priority Applications (9)
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DE59202442T DE59202442D1 (de) | 1991-08-08 | 1992-07-17 | Verfahren zur Erzeugung von Silicium im Elektroniederschachtofen und Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens. |
ES92112203T ES2073217T3 (es) | 1991-08-08 | 1992-07-17 | Procedimiento para la obtencion de silicio en bajos hornos electricos y ladrillos de materia prima para la ejecucion del procedimiento. |
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CA002075466A CA2075466C (en) | 1991-08-08 | 1992-08-06 | Method of producing silicon and an electric-arc low-shaft furnace and briquette for carrying out the process |
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DE3541125A1 (de) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. | Verfahren zur herstellung von silicium oder ferrosilicium in einem elektronierderschachtofen und fuer das verfahren geeignete rohstoff-formlinge |
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1991
- 1991-08-08 DE DE19914126254 patent/DE4126254C2/de not_active Expired - Fee Related
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