CN1806326A - 切割用芯片粘贴薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜，在进行切割时，其可作为切割用胶带使用，从而在进行取出时，半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离，且接着剂层在作为粘晶材料时，具有足够的接着性。前述粘合剂层包含：分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A)，和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含：环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。

Description

切割用芯片粘贴薄膜
技术领域
本发明涉及一种切割用芯片粘贴薄膜，其适用于将半导体晶片切割分离成半导体元件的切割工序以及将前述半导体元件接着到支撑组件的粘晶工序中。
背景技术
将以大直径状态制造的半导体晶片切割分离(dicing)成半导体元件(半导体芯片)，且将各个半导体元件与导线架及有机基板等支撑组件进行接着(芯片粘贴，粘晶，die bond)的工序中，近年来多采用晶片背面贴附的方式进行。
依照此种背面贴附方式，使用膜状接着剂制造半导体装置时，如图3所示，首先，(1)在半导体晶片10的背面贴上膜状接着剂11；(2)膜状接着剂的另一面与切割用胶带14贴合，而切割用胶带是在基底膜13上设置粘合剂层12而形成的；(3)对前述半导体晶片进行切割，而使其单片化为半导体元件；(4)将单片化且贴附有膜状接着剂的半导体元件取出，并将其与支撑组件进行接合(粘晶)、附设金导线15并进行加热硬化等工序而得到半导体装置16。
除此之外，还有膜单片贴附的方式。在膜单片贴附的方式中，(1)将膜状接着剂单独进行单片化；(2)将单片化的膜状接着剂贴附到支撑组件；(3)将切割成单片状的半导体元件接合(粘晶)到贴附于支撑组件的膜状接着剂上、附设金导线并进行加热硬化等工程而得到半导体装置。
上述的晶片背面贴附方式中，为了将半导体晶片与膜状接着剂同时单片化，并将贴附有膜状接着剂的半导体元件与支撑组件进行接合，将膜状接着剂分别地进行单片化而贴附到支撑组件上的装置是必要的。一直以来，都是直接使用利用银胶的装配装置，或者是使用附加热盘等部分改装后的装置。因此，使用晶片背面贴附的方式，在使用膜状接着剂的装配方法中，作为能将制造成本有效地抑制在较低水平的方法而持续地受到注目。
然而，晶片背面贴附的方法是使用膜状接着剂的方法，在前述切割工序之前，因为有两个必要的贴附工序，即膜状接着剂与切割用胶带进行贴附，以及再与半导体晶片背面进行贴附，所以进一步地要求操作过程简单化。已经提出一种解决此问题的膜，是将粘着层与接着剂层做成同一层的膜(例如，参照特开平2——32181号公报及特开平8——53655号公报)。
除此之外，我们想出一种预先将膜状接着剂贴附在切割用胶带上，作成一体化的薄膜(以下，将此种薄膜称作切割用芯片粘贴薄膜)，再将此薄膜贴附到晶片上的方法。然而，将膜状接着剂贴附在切割用胶带上所作成的一体化切割用芯片粘贴薄膜，从制造到使用的期间，膜状接着剂的接着剂层与切割用胶带的粘合剂层接触的时间必然是相当长的，使用粘合在一起的两层膜，在对已经单片化且贴附有膜状接着剂的半导体元件进行取出的工序中，再膜状接着剂与切割用胶带之间，存在着无法有效地进行剥离的问题。
发明内容
因此，本发明的目的就是在提供一种切割用芯片粘贴薄膜，其贴合到半导体晶片上，在进行切割时，可作为切割用胶带使用，从而在进行取出时，半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离，且接着剂层在作为粘晶材料时，具有足够的接着性。
本发明提出一种切割用芯片粘贴薄膜，其为，在基底膜上依序形成粘合剂层和接着剂层的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：前述粘合剂层包含：分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化性碳-碳双键的化合物(A)，和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)；前述接着剂层包含：环氧树脂(a)、羟基的当量为大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯基共聚物(c)、填充剂(d)以及硬化促进剂(e)。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中化合物(A)的玻璃转变点为-70～0℃。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中化合物(A)的羟基值为5～100。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中化合物(A)的酸值为0.5～30。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中化合物(A)的羟基值为5～100，且酸值为0.5～30。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中以环氧树脂(a)及酚醛树脂(b)的总重量为X，以含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)的重量为Y，X/Y的比率为0.24～1。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中酚醛树脂(b)的一般式(I)如下：
Figure A20058000051100061
其中，每一个R1可以相同也可不同，为氢原子、碳数为1～10个的直链或支链烷基、环烷基、芳烷基、烯基、羟基、芳香基或卤素原子，n为1～3的整数，m为0～50的整数。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中填充剂(d)的平均粒径为0.005μm～0.1μm。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中填充剂(d)包括二氧化硅填充剂。
关于本发明所述的切割用芯片粘贴薄膜，其中硬化促进剂(e)包括咪唑类。
本申请书中的所记载的内容，与2004年3月15日提出申请的日本专利申请第2004——72525号所记载的主题相关，其所记载的内容在此被引用。
附图说明
图1是给示本发明的切割用芯片粘贴薄膜的断面模式图。
图2是显示本发明的切割用芯片粘贴薄膜的使用方法示例的断面模式图。
图3是显示以往半导体装置的制造方法的断面模式图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的切割用芯片粘贴薄膜1的结构为，在基底膜4上，依序形成粘合剂层3和接着剂层2，每一层也可以利用工序及装置同时切割为预定形成的形状(预切割)。此外，为了保护接着剂层及粘合剂层，也可以设置图中未显示的一层顶盖层。另外，本发明的切割用芯片粘贴薄膜，可以切割成一块半导体晶片的样子，也可以在长度方向卷成卷状。接下来，对本发明所提出的切割用芯片粘贴薄膜的结构依序进行说明。
粘着材料层：
在本发明的切割用芯片粘贴薄膜中，粘合剂层由丙烯酸系粘合剂构成，后者含有，在分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化性碳-碳双键的化合物(A)，和选择自聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中的至少一化合物的化合物(B)。而且，此处所指的放射线是紫外线等光线或电子束等电离性放射线。
首先，对粘合剂层的主要成分之一为化合物(A)进行说明。在本发明中，化合物(A)的放射线硬化性碳-碳双键的导入量，例如是碘值为0.5～20，优选为0.8～10。当碘值大于等于0.5，可以得到在放射线照射后粘着力减少的效果。如果碘值小于等于20，在放射线照射后粘合剂具有充分的流动性，可以充分地得到延伸后的元件间隙，从而抑制进行取出时各元件影像辨认困难的问题。而且，化合物(A)具有稳定性且制造容易。
上述化合物(A)，其玻璃转化点优选为-70～0℃，更加优选为-66～-28℃。玻璃转化点(以下简称为Tg)若在-70℃或以上，对于由放射线照射所伴随而来的热能具有足够的耐热性，若在0℃或以下，对于表面状态粗糙的晶片进行切割后，防止元件飞散的效果非常好。
上述化合物(A)可以以各种方法来制造，例如是将具有丙烯酸共聚物或甲基丙烯酸共聚物等的具有放射线硬化性碳-碳双键且具有官能基的化合物((1))，与具有能与这个官能基反应的官能基的化合物((2))进行反应所得到的化合物。
其中，上述具有放射线硬化性碳-碳双键及官能基的化合物((1))，例如是具有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等的具有放射线硬化性碳-碳双键的单体((1)-1)，与具有官能基的单体((1)-2)进行共聚合而得。
单体((1)-1)，例如是碳数6～12的己基丙烯酸酯、n-辛基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、葵基丙烯酸酯，或是碳数5以下的单体，如戊基丙烯酸酯、n-丁基丙烯酸酯、异丁基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，或是为与上述列举化合物相同的甲基丙烯酸酯等。
单体((1)-1)，使用单体的含碳数越多，玻璃转化移点越低，因此可以制作出所需要的玻璃转化点的化合物。在玻璃转化点的目的之外，为提升相溶性及各种性能，还要与乙烯基醋酸、苯乙烯、丙烯酯等具有碳-碳双键的低分子化合物进行混合，这些低分子化合物占单体((1)-1)的总重量的5重量％或以下。
单体((1)-2)所具有的官能基，例如是羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等。单体((1)-2)，例如是丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、苯二甲酸、2-丙烯酸羟烷基酯类、2-甲基丙烯酸羟烷基酯类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、丙烯醇、N-烷基氨基乙基丙烯酸酯类、N-烷基氨基甲基丙烯酸酯类、丙烯酸酰胺类、甲基丙烯酸酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、苯二甲酸酐、去水甘油基丙烯酸酯、去水甘油基甲基丙烯酸酯、丙烯基去水甘油基酯、聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分羟基或羧基以及具有放射线硬化性碳-碳双键的单体进行了氨基甲酸乙酯化的产物。
当化合物((1))，也就是单体((1)-2)所具有的官能基为羧基或环状酸酐时，化合物((2))所使用的官能基，例如可以是羟基、环氧基、异氰酸酯基等；当为羟基时，例如可以是环状酸酐、异氰酸酯基等；当为氨时，例如可以是环氧基、异氰酸酯基等；当为环氧基时，例如可以是羧基、环状酸酐、氨基等。具体而言，单体((1)-2)可为与所列举的范围相同的化合物。
在化合物((1))与化合物((2))的反应中，通过残留未反应的官能基，可以制作出本发明所规定的与酸值或羟基值等的特性有关的化合物。
上述化合物(A)的合成，在以溶液聚合法进行的反应中所使用的有机溶剂，例如是酮系、酯系、醇系、芳香族系的有机溶剂，如甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯、甲氧基乙醇醚、乙氧基乙醇醚、丙酮、甲基乙基酮等的有机溶剂，一般以丙烯基系聚合物为适合的溶剂，优选沸点在60～120℃的溶剂。聚合起始剂，通常使用α，α’-偶氮二异丁基腈等偶氮二(azobis)系，与过氧化苯甲酰等有机过氧化物等自由基产生剂。此时，根据需要可以将触媒和聚合停止剂共同使用，并通过调整聚合温度和聚合时间，得到所希望分子量的化合物(A)。此外关于调整分子量，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。另外，上述反应并不限定在溶液聚合作用的方法，使用总体聚合法(bulkpolymerization)或悬浮聚合法等别的方法并不妨碍反应的进行。
依照上述方法，可以得到化合物(A)，在本发明中，化合物(A)的分子量，优选是30万～100万。分子量小于30万，放射线照射的凝聚力会变小，当对晶片进行切割时，元件易于产生偏差，而出现影像辨认困难的问题。为了尽量防止元件的偏差，分子量更加优选为大于等于40万。此外，如果分子量超过100万，在合成时或涂布时就可能产生胶化的现象。另外，在本发明中的分子量，是以聚苯乙烯换算的重均分子量。
此外，化合物(A)优选具有羟基值为5～100的OH基，可减少经放射线照射后的粘着力，从而降低因取出过程失误所造成的危险性。另外，化合物(A)优选具有酸值为0.5～30的COOH基。
在此，化合物(A)的羟基值过低时，在经放射线照射后粘着力的减低效果不充分，在羟基值过高时，将会对经放射线照射后的粘合剂的流动性有损害。此外，酸值过低时，对于胶带的回复性的改善效果不充分，酸值过高时，将会对经放射线照射后的粘合剂的流动性造成损害。
接着，对粘合剂层的另一主成分，即化合物(B)进行说明。化合物(B)，例如是选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中的至少一种的化合物，可单独使用或两种或以上组合使用。化合物(B)作为交联剂使用，与化合物(A)或基底膜反应的结果会形成交联结构，而使得在粘合剂涂布后，可增加以化合物(A)及化合物(B)作为主成分的粘合剂的凝聚力。
聚异氰酸酯类，并没有特别的限制，例如是4，4’-二苯甲烷二异氰酸酯、甲苯撑二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、4，4’-二苯基醚二异氰酸酯、4，4’-[2，2-二(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等的芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异二丁烯甲酮二异氰酸酯、4，4’-双环已基甲烷二异氰酸酯、2，4’-双环已基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等。具体来说，可使用如コロネ一トL(商品名)等市售品。
此外，三聚氰胺甲醛树脂，具体来说，可使用如ニカテツクMX-45(商品名，ケミカル社制)、メテン(日立化成工业株式会社制)等市售品。再者，环氧树脂可使用如TETRAD-X(注册商标，三菱化学株式会社制)等。在本发明中优选使用聚异氰酸酯类。
化合物(B)的添加量，相对于化合物(A)的100重量份，优选0.1～10重量份，更加优选0.4～3重量份。化合物(B)的添加量在不足0.1重量份时，则提高凝聚力的效果不佳的倾向，在超过10重量份时，在粘合剂的混合及涂布过程中会急速进行硬化反应，由于形成交联结构，会损害其可利用性的倾向。
此外，在本发明中，粘合剂层优选含有光聚合起始剂(C)。粘合剂层中所含有的光聚合起始剂(C)并无特别的限制，可以使用已知技术中光聚合的起始剂，例如是二苯基酮、4，4’-二甲基氨基二苯基酮、4，4’-二乙基氨基二苯基酮、4，4’-二氯二苯基酮等的二苯基酮类；苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等的苯乙酮类；2-乙基蒽醌、t-丁基蒽醌等的蒽醌类；2-氯噻酮、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、二苯基乙二酮、2，4，5-三苯基咪唑二聚物(洛芬二聚物)、吖啶系化合物等，这些化合物可单独使用或是两种或以上组合使用。
化合物(C)的添加量，相对于化合物(A)的100重量份，优选0.01～5重量份，更加优选0.01～4重量份。
在本发明中所使用具有放射线硬性的粘合剂，必要时可视情况与粘着赋予剂、粘着调整剂、界面活性剂等、或其它改性剂和惯用的成分进行混合。然而，对于粘合剂层的厚度并没有特别的限制，通常是在2～50μm。
接着剂层：
在本发明的切割用芯片粘贴薄膜中，接着剂层包括环氧树脂(a)、羟基的当量为大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的、含有环氧基的丙烯共聚物(c)、填充剂(d)以及硬化促进剂(e)。以下对每一成分进行说明。
本发明所使用的环氧树脂(a)，只要能够进行硬化并呈现出接着作用即可，并没有特别的限制，具有二个以上官能基，且优选其分子量小于5000，更优选小于3000。此外，所使用的环氧树脂，优选其分子量在大于等于500，更加优选大于等于800。
环氧树脂(a)，例如是双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、含磷酚醛树脂型环氧树脂、甲酚环氧型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚的二氧化丙烯醚化合物、荼二酚的二氧化丙烯醚化合物、及这些的烷类替换品、卤化物、氢原子添加物等的二官能基环氧树脂、酚醛型环氧树脂。此外，可使用一般已知技术中常用的化合物，如多官能基环氧树脂及含有杂环的环氧树脂等。此外，这些化合物可单独使用或是两个或以上组合使用。再者，在不损害特性的范围内，也可以含有环氧树脂以外成分的杂质。
更具体地说，可以使用市售的环氧树脂，例如，エピコ一ト807、エピコ一ト815、エピコ一ト825、エピコ一ト827、エピコ一ト828、エピコ一ト834、エピコ一ト1001、エピコ一ト1002、エピコ一ト1003、エピコ一ト1055、エピコ一ト1004、エピコ一ト1004AF、エピコ一ト1007、エピコ一ト1009、エピコ一ト1003F、エピコ一ト1004F(以上为商品名，ジヤパンエポキシレジン株式会社制)、DER-330、DER-301、DER-361、DER-661、DER-662、DER-663U、DER-664、DER-664U、DER-667、DER-642U、DER-672U、DER-673MF、DER-668、DER-669(以上为商品名，ダウケミカル社制)、YD8125、YD8170(以上为商品名，东都化成株式会社制)等的双酚A型环氧树脂、YDF-2001(商品名，东都化成株式会社制)等的双酚F型环氧树脂、エピコ一ト152、エピコ一ト154(以上为商品名，日本化学株式会社制)DEN-438(商品名ダウケミカル社制)等的含磷酚醛树脂型环氧树脂、エピコ一ト180S65(商品名，ジヤパンエポキシレジン株式会社制)、アラルダイトECN1273、アラルダイトECN1280、アラルダイトECN1299(以上为商品名，テパスペシヤリテイ一ケミカルズ社制)YDCN-701、YDCN-702、YDCN-703、YDCN-704(以上为商品名，东都化成株式会社制)、EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1020、EOCN-1025、EOCN-1027(以上为商品名，日本化学株式会社制)、ESCN-195X、ESCN-200L、ESCN-220(以上为商品名，住友化学工业株式会社制)等的甲酚环氧型环氧树脂、エポン1031S、エピコ一ト1032H60、エピコ一ト157S70(商品名，ジヤパンエポキシレジン株式会社制)、アラルダイト0163(商品名，チバスペシヤリテイ一ケミカルズ社制)、デナコ一ルEX-611、デナコ一ルEX-614、デナコ一ルEX-614B、デナコ一ルEX-622、デナコ一ルEX-512、デナコ一ルEX-521、デナコ一ルEX-421、デナコ一ルEX-411、デナコ一ルEX-321(以上为商品名，ナガセ化成株式会社制)、EPPN501H、EPPN502H、(以上为商品名，日本化药株式会社制)等的多官能基环氧树脂、エピコ一ト604(商品名，ジヤパンエポキシレジン株式会社制)、YH-434(商品名，东都化成株式会社制)、TETRAD-X、TETRAD-C(以上为商品名，三菱ガス化学株式会社制)、ELM-120(商品名，住友化学工业株式会社制)等的胺型环氧树脂、アラルダイトPT810(商品名，チバスペシヤリテイ一ケミカルズ株式会社制)等的含有杂环的环氧树脂、ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206(以上为商品名，UCC社制)等的脂环式环氧树脂，这些化合物可单独使用或是二种或以上组合使用。
此外，在本发明中，就耐热性的观点而言，优选使用在室温下为固体，且以环球法进行测定的软化点在50℃以上的环氧树脂。具有上述特征的环氧树脂的使用量，优选占环氧树脂(a)整体的20重量％或以上，更加优选40重量％或以上，特别优选60重量％或以上。举例来说，如市售的YDCN-703、YDCN-704(以上为商品名，东都化成株式会社制))、エピコ一ト1004、エピコ一ト107(以上为商品名，チバスペシヤリテイ一ケミカルズ社制)等。
环氧树脂，优选使用分子量大于等于600且软化点在50℃或以上的环氧树脂，因为其与后文将提到的含有环氧基的丙烯基共聚物(c)的极性相差甚大而难以相溶。
此外，在本发明中，优选环氧树脂(a)的环氧基当量为100～2000g/eg，更加优选150～1000g/eg，特别优选是150～300g/eg。在环氧树脂当量小于100g/eg时，硬化物较脆且具有接着性较差的倾向，在当量超过2000g/eg时，Tg变低且耐热性会有恶化的倾向。
接着，酚醛树脂(b)，其羟基的当量为150g/eq以上，并无特别的限制，但是为了在吸湿时的耐电腐蚀性的能力优良，优选使用酚醛清漆型或甲阶酚醛型(resol type)的树脂。羟基当量，优选为150～400g/eg，更加优选为180～300g/eg，特别优选为180～250g/eg。在羟基当量小于150g/eg时，其吸水率会增大且抗回流性会有恶化的倾向，在超过400g/eg时，Tg变低且耐热性会有恶化的倾向。
此种酚醛树脂的具体范例，可以是下述一般式(I)所示的酚醛树脂。
Figure A20058000051100131
其中，每一个R1可以相同或不同，为氢原子、碳数为1～10个的直链或支链的烷基、环烷基、芳烷基、烯基、羟基、芳香基或卤素原子，n为1～3的整数，m为0～50的整数。
就耐热性的观点而言，上述酚醛树脂(b)优选使用在85℃、85％RH的恒温湿槽中，投入48小时后的吸水率小于等于2重量％的酚醛树脂。此外，优选使用以热重分析计(TGA)进行测定，在350℃的加热重量减少率(升温速度：5℃/分，环境气体：氮气)小于5重量％的酚醛树脂，由于其可在加热加工等过程中抑制挥发物的产生，耐热性、耐湿性等各种特性的可靠度提高，此外，在加热加工等过程中，可减少挥发物对于机器的污染。
如式(I)所示，本发明的酚醛树脂，例如是酚化合物与具有2价连接基的二甲苯基化合物，在无触媒存在下或在酸触媒下进行反应所得到的化合物。此外，市售的商品，例如是ミレツタスXLC-ミレ一ズ，同XLミリ一ズ等(以上商品名，三井化学株式会社制)。
上述酚醛树脂(b)与环氧树脂(a)的混合量，每一羟基当量与环氧基的当量比优选为0.70/0.30～0.30/0.70，更加优选为0.65/0.35～0.35/0.65，特别优选为0.60/0.40～0.40/0.60，进一步优选为0.55/0.45～0.45/0.55。混合比若是超过上述范围，在形成接着剂时，可能会发生硬化性变差的情况。
在制作式(I)的酚醛树脂时，所使用的苯酚化合物例如是苯酚、邻-甲酚、间-甲酚、对-甲酚、邻-乙基苯酚、对-乙基苯酚、邻-n-丙基苯酚、间-n-丙基苯酚、对-n-丙基苯酚、邻-异丙基苯酚、间-异丙基苯酚、对-异丙基苯酚、邻-n-丁基苯酚、间-n-丁基苯酚、对-n-丁基苯酚、邻-异丁基苯酚、间-异丁基苯酚、对-异丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚、2，4-二甲苯酚、2，6-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、2，4，6-三甲苯酚、间苯二酚、邻苯二酚、对苯二酚、4-甲氧基苯酚、邻-苯基苯酚、间-苯基苯酚、对-苯基苯酚、对-环已基苯酚、邻-烯丙基苯酚、对-烯丙基苯酚、邻-苄基苯酚、对-苄基苯酚、邻-氯酚、对-氯酚、邻-溴酚、对-溴酚、邻-碘酚、对-碘酚、邻-氟酚、间-氟酚、对-氟酚等。
这些苯酚化合物，可单独使用或是二种或以上组合使用。其中，优选苯酚、邻-甲酚、间-甲酚、对-甲酚。
在制作式(I)的酚醛树脂时，所使用含有2价连接基的二甲苯化合物，可使用如下所示的二甲苯二卤化物、二甲苯二乙二醇及衍生物。即，α，α’-二氯-对-二甲苯、α，α’-二氯-间-二甲苯、α，α’-二氯-邻-二甲苯、α，α’-二溴-对-二甲苯、α，α’-二溴-间-二甲苯、α，α’-二溴-邻-二甲苯、α，α’-二碘-对-二甲苯、α，α’-二碘-间-二甲苯、α，α’-二碘-邻-二甲苯、α，α’-二羟基-对-二甲苯、α，α’-二羟基-间-二甲苯、α，α’-二羟基-邻-二甲苯、α，α’-二甲氧基-对-二甲苯、α，α’-二甲氧基-间-二甲苯、α，α’-二甲氧基-邻-二甲苯、α，α’-二乙氧基-对-二甲苯、α，α’-二乙氧基-间-二甲苯、α，α’-二乙氧基-邻-二甲苯、α，α’-二-n-丙氧基-对-二甲苯、α，α’-二-n-丙氧基-间-二甲苯、α，α’-二-n-丙氧基-邻-二甲苯、α，α’-二异丙氧基-对-二甲苯、α，α’-二异丙氧基-间-二甲苯、α，α’-二异丙氧基-邻-二甲苯、α，α’-n-丁氧基-对-二甲苯、α，α’-n-丁氧基-间-二甲苯、α，α’-n-丁氧基-邻-二甲苯、α，α’-二异丁氧基-对-二甲苯、α，α’-二异丁氧基-间-二甲苯、α，α’-二异丁氧基-邻-二甲苯、α，α’-叔-丁氧基-对-二甲苯、α，α’-叔-丁氧基-间-二甲苯、α，α’-叔-丁氧基-邻-二甲苯等。其中，优选α，α’-二氯-对-二甲苯、α，α’-二氯-间-二甲苯、α，α’-二氯-邻-二甲苯、α，α’-二羟基-对-二甲苯、α，α’-二羟基-间-二甲苯、α，α’-二羟基-邻-二甲苯、α，α’-二甲氧基-对-二甲苯、α，α’-二甲氧基-间-二甲苯、α，α’-二甲氧基-邻-二甲苯，这些化合物可单独使用或是二种或以上组合使用。
上述的苯酚化合物与二甲苯化合物进行反应时，使用盐酸、硫酸、磷酸、多磷酸等无机酸；二甲基硫酸、二乙基硫酸、对甲苯亚磺酸、甲烷璜酸、乙烷磺酸等的有机羧酸；三氟甲烷磺酸等的超强酸类；同时使用如烷烃磺酸型离子交换树脂的强酸性离子交换树脂类、如全氟烷烃磺酸型离子交换树脂的强酸型离子交换树脂类(商品名：ナフイオン，Nafion，Du Pont制)、天然及合成的沸石类、活性粘土(酸性粘土)类等的酸性触媒，在50～250℃时，作为原料的二甲苯化合物大致上会消失，且会反应至反应组成为一定量为止。反应时间根据原料及反应温度而定，一般来说在1小时～15小时，实际上可以使用GPC(gel permeation chromatography，凝胶渗透色谱仪)等仪器对反应组成进行追踪来决定反应时间。
此外，另外的状况如使用α，α’-二氯-对-二甲苯的卤素二甲苯衍生物时，因为在无触媒下进行反应，会产生对应的卤化氢气体，所以不需要酸触媒。在其它状况，在酸触媒存在下进行发应，会对应产生水或醇类。
另外，苯酚化合物与二甲苯的反应摩尔比，通常苯酚化合物会使用过剩，反应后，要对未反应的苯酚化合物进行回收。此时，根据苯酚化合物的量来决定平均分子量，苯酚化合物过剩越多，得到的酚醛树脂的平均分子量越低。此外，具有烯丙基的部分苯酚化合物，可以是由例如把制造出未烯丙基化的酚醛树脂，与烯丙基卤化物反应，经过烯丙基醚，根据克莱来森(Claisen)转移，再根据烯丙基化的方法来获得。
在本发明中，含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)，含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯。为了得到较高的接着力，优选在大于等于0.5％，而且如果在小于等于6％可抑制胶化。上述含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)的玻璃转化点(Tg)，优选在-50℃或以上且在30℃或以下，更加优选在-10℃或以上且在30℃或以下。
官能基单体，是共聚物比为0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯。换句话说，本发明中含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)，是以丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯作为材料所得到的共聚物，其中，丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的使用量为所得共聚物的0.5～6重量％。共聚物(c)余量部分可使用含有甲基丙烯酸酯、甲基甲基丙烯酸酯等含有碳数1～8的烷基的烷基丙烯酸酯、烷基甲基丙烯酸酯及苯乙烯与丙烯酸酯等的混合物。其中，优选乙基(甲基)丙烯酸酯及丁基(甲基)丙烯酸酯。混合比率要根据共聚物的Tg来进行调整。在Tg不到-10℃时，B阶(B-stage)状态的接着层或切割用芯片粘贴薄膜的接着性会有增大的倾向，而使得实用性恶化。至于聚合方法并无特别的限制，例如是悬浮聚合法、溶液聚合法等，并根据这些方法得到共聚物。这种含有环氧基的丙烯酸共聚物，例如是HTR-860P-3(商品名，ナガセケムテツクス公司制)。
含有环氧基的丙烯基共聚物的平均分子量在10万或以上，在此范围内其接着性及耐热性高，优选30万～300万，更加优选50万～200万。分子量在300万或以下，因为流动性降低，在贴附半导体元件的支撑组件中，能够减少所需对应形成的配线电路的充填性降低的可能性。此外，重均分子量，是以凝胶渗透色谱法(GPC)，使用标准聚苯乙烯标准曲线的聚苯乙烯换算值。
上述含有环氧基的丙烯酸共聚物(C)的添加量，为了能够抑制弹性模量降低和形成时的流动性，以环氧树脂(a)及该酚醛树脂(b)的总重量为X，含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)的重量为Y，那么X/Y的比率优选为0.24～1。混合比率在0.24以上，在高温时的弹性模量在0.5Mpa以上，耐热性增加，且可得到在成形时的流动性抑制效果等。另一方面，混合比率在1以下，具有在高温时的使用性优良。
在本发明中，要进一步添加填充剂(d)及硬化促进剂(e)。具体来说，填充剂(d)例如可以是无机填充物或有机填充物，而为了提高使用性、增加热传导性、溶融粘度的调整及赋予触变性(thixotropy)等目的，优选使用无机填充物。
无机填充物并无特别的限制，例如是氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。这些化合物可单独使用或是二种或以上组合使用。为了增加热传导性，优选氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶二氧化硅和非晶二氧化硅等。就特性的平衡观点来看，优选硅。
填充剂(d)的平均粒径，优选为0.005μm～0.1μm，更加优选为0.008μm～0.05μm，特别优选为0.01μm～0.03μm。填充剂的平均粒径小于0.005μm时，会有粘着物的可润湿性降低、接着性降低的倾向，超过0.1μm时，会有添加填充物的增强效果变小、耐热性降低的倾向。此外，在本发明中，平均粒径是以透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)等测定100个填充物的粒径，再求取平均值而得。
上述填充剂具体的范例，以二氧化硅为例，例如是市场上所贩售由シ一アイ化成株式会社所制造，商品名为ナノテツクSiO2(接触角43度，平均粒径0.012μm)的二氧化硅，或是由日本アエロジル株式会社所制造，商品名为アエロジルR972(平均粒径0.016μm)的二氧化硅。以氧化铝为例，例如是市场上所贩售由シ一アイ化成株式会社所制造，商品名为ナノテツクAl2O3(接触角55度，平均粒径0.033μm)的氧化铝。三氧化二锑是市售的，由日本精鉱株式会社所制造的，商品名为PATOX-U(接触角43度，平均粒径0.02μm)。
此外，相对于环氧树脂(a)和酚醛树脂(b)的总重量，填充剂(d)的混合量优选3～50重量％，更优选的是10～40重量％，特别优选是15～30重量％。填充剂的混合重量在小于3重量％时，会有添加填充物的增强效果变小、耐热性降低的倾向，在超过50重量％时，会有粘着物的可润湿性降低、接着性降低的倾向。
在本发明的接着剂中，所使用的硬化促进剂(e)并没有特别的限制，例如可使用三级胺、咪唑类及四级胺等。在本发明中，优选使用咪唑类，例如是2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰甲基-2-苯基咪唑、1-氰甲基-2-苯基咪唑偏苯三甲酸酯等，这些化合物可单独使用或是二种或以上组合使用。咪唑类，例如是市售的由四国化成工业(株)所制造，商品名为2E4MZ、2PZ-CN、2PZ-CNS的产品。
相对于环氧树脂(a)和酚醛树脂(b)的总重量，硬化促进剂(e)混合量优选为0.01～5重量％，更加优选是0.05～3重量％，特别优选是0.2～3重量％。硬化促进剂的混合量小于0.01重量％时，环氧树脂的交联不充分，会有耐热性降低的倾向，超过5重量％时，会有保存稳定性低、使用期限过短的倾向。
另外，在本发明中，该接着剂的硬化物在温度为240℃的环境下，所测定的拉伸弹性模量优选为1～20MPa。当拉伸弹性模量超过20MPa时，应力缓和性降低，容易发生弯曲等现象。另一方面，当拉伸弹性模量不足1MPa时，容易发生回流裂纹。
此外，在温度为240℃的环境下，对拉伸弹性模量进行第二次测定。首先，起始长度为20mm(L)且厚为50μm的接着剂组成物在170℃的环境下硬化1小时，而形成硬化膜。此硬化膜在负载一定负重1～10kg(W)的状态下，投入240℃的恒温槽中。投入后，在硬化膜的温度达到240℃后，可得到硬化膜的伸长量(ΔL)及剖面面积(S)，以下列公式计算出拉伸弹性模量(E’)。
E’＝L·W/(ΔL·S)
此外，本发明的接着剂组成物，为了让不同材料间的界面接合良好，还可添加各种偶合剂。偶合剂，例如是硅烷系、钛系及铝系等，优选是硅烷系偶合剂。其中，偶合剂的添加量，基于界面接合良好的效果、耐热性及成本的考虑，相对于树脂的合计重量为100重量份，优选是0～10重量份。
如上所述，本发明中的接着剂层由包括环氧树脂(a)、酚醛树脂(b)、含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)及硬化促进剂(e)的组成物所组成，在硬化阶段的硬化物的面，优选是将成分分成二相。这里所说的二相，指的是硬化物具有海/岛构造。本发明中的海/岛构造是指，对接着剂组成物在硬化状态的面进行研磨，并且使用扫描电子显微镜进行观察的情况下，观察到的例如是共立出版社出版的刊物《高分子新素材one pointポリマ一アロイ》中第16页所记载的观察像，其为具有连续相(称为“海”)和分散相(称为“岛”)所组成的不均匀的结构。
在本发明中，切割芯片粘贴薄膜的接着剂层，使用羟基的当量为大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)，可具有优良的耐吸湿性，而使用含有环氧基的丙烯酸共聚物可以得到优良的硬力缓和性。而且，添加无机填充剂可以得到具有较高的高温弹性模量、高温剥落的强度变高、产生防止回流裂纹的效果、且抗回流裂纹的特性优良接着剂组合物。
基材膜：
接下来，对本发明的切割用芯片粘贴薄膜所使用的基材膜进行说明。基材膜，优选具有放射线穿透性。具体来说，通常优选使用塑料及橡胶等，而对于放射线穿透的限定并没有特别的限制，只要是在以紫外线照射能使放射线硬化性粘合剂产生硬化的情况下，可选择光穿透性良好的材料作为基材。
上述的基材，可以选择的聚合物，例如是聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯基共聚物、乙烯-丙烯酸乙基共聚物、乙烯-丙烯酸甲基共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、多离子聚合物等的α-烯烃的单聚合物或共聚物或其混合物、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸、聚甲基甲基丙烯酸酯等的工程塑料、聚胺甲酸乙酯、苯乙烯-乙烯-丙烯或戊烯系共聚物、聚胺-聚醇共聚物等的热可塑性橡胶及其混合物。
此外，为了使元件间隙较大，极力减少使用会产生颈缩现象(necking)(基材膜放射性延伸时，发生因应力传播不良所发生的部分延伸现象)的化合物，例如可使用聚胺甲酸乙酯、限定分子量及苯乙烯含有量的苯乙烯-乙烯-丙烯或戊烯系共聚物，使用交联的基材膜对于防止切割时的伸展及弯曲现象是有效的。基材薄膜的厚度，基于高伸展特性及放射线穿透性的考虑，通常是以30～300μm较为适当。另外，在基材膜涂布放射线硬化性粘合剂层的一侧的另一侧表面，进行压纹加工或涂布润滑剂时，具有防止阻塞、减少粘着胶带在放射性延伸时的粘着胶带与夹具的摩擦及防止基材膜的颈缩现象等效果，因而可以优选采用。
切割用芯片粘贴膜的制造方法：
在本发明中，切割用芯片粘贴薄膜是在基材膜上依序形成粘合剂及接着剂层而形成。其中，对基材膜上粘合剂层及接着剂层的叠层方法并没有特别的限定，依照已知技术的方法，优选是在基材膜上形成粘合剂层，再于粘合剂层上形成接着剂层。
粘合剂层，例如是在上述基材膜上，直接进行接着剂层的涂布及干燥而形成。在后叙在支撑体膜中形成接着剂层时，同样可使用涂布及干燥的方法。
接着，在粘合剂层上形成接着剂层的方法，例如可以是，将预先形成有接着剂层的伪支撑体膜(以下，称作接着膜)与已形成有粘合剂层的基材膜(以下，称作接着薄膜)，在粘合剂层的表面与接着剂层的表面进行叠层处理。之后，将伪支撑体膜剥离。其中，叠层的条件，优选在10～100℃的环境下，施加1～100kgf/cm的线压。
上述接着剂层的制作方法是，将上述接着基层中含有的材料在溶剂中溶解或分散作成清漆，涂布在聚四氟乙烯、表面进行脱膜处理的聚乙烯对苯二甲酸等的支撑体膜上，再进行加热及干燥，在除去溶剂后，就可以得到形成于支撑体膜上的接着剂层。其中，优选的加热条件例如是在80～250℃的环境中，加热10～20分钟。
上述的支撑体膜，可使用聚四氟乙烯膜、聚乙烯对苯二甲酸膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜及聚亚胺等的塑料膜，也可使用表面进行脱膜处理塑料膜。
支撑体膜，可在剥离之后只使用接着剂层，也可以与支撑体膜同时使用，然后再除去。
支撑体膜的清漆的涂布方法，可使用已知技术中常用的方法，例如是气刀涂布法(knife coating)、轮涂法(roll coating)、喷涂法(spray coating)、凹板涂布法(gravure coating)、柱状涂布法(bar coating)及淋涂法(curtain coating)等。
对接着剂层的厚度并没有特别的限制，优选是3μm～300μm，更加优选是5μm～250μm，特别优选是10μm～200μm，最为优选是20μm～100μm。其中，厚度比3μm薄时，应力缓和效果有较差的倾向，厚度比300μm厚时，没有经济性。
对上述清漆的溶剂，并没有特别的限制，考虑到膜制作时的挥发性等因素，优选使用甲基乙基酮、丙酮、甲基异丙基酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、二甲苯、乙二醇丁醚、甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇等沸点比较低的溶剂。此外，为了增加涂膜性，可添加二甲基丙酮胺、二甲基甲胺、N-二甲基酮、环已酮等高沸点的溶剂。
在本发明中，特别要考虑填充剂(d)的分散性，优选使用研磨机、三轮研磨机、球磨机及珠状磨械(bead mill)等，也可以使用上述机器的组合。另外，填充物与低分子化合物预先混合以后，再与高分子化合物调合，可缩短混合的时间。此外，在完成清漆之后，最好利用真空脱气等方法除去清漆中的气泡。在本发明中，所采用的接着剂组成物制造方法，优选是将环氧树脂(a)、酚醛树脂(b)及填充剂(d)混合之后，再在混合物中混入含有环氧机的丙烯酸共聚物(c)及硬化促进剂(e)。此外，本发明的接着层，为了得到所希望的厚度，可以贴合两片以上的接着层。在此一情况下，所进行的贴合不会发生接着剂层之间出现剥离的情形。
本发明切割用芯片粘贴薄膜的使用方法，如图2所示，首先在半导体晶片5的背面，切割用芯片粘贴薄膜1的接着剂层2以接合的方式进行叠层(1)。接着，进行切割分离成为元件(2)。此时，在切割前或切割后进行光照射均可，可以根据接着剂层3的特性来做适当的选择。然后，在取出装置6中取出，而得到粘附有接着剂层的元件(3)。之后，元件进行与支撑组件接合(粘晶)、设置金属导线、加热硬化等工序，得到半导体装置。
本发明的切割用芯片粘贴薄膜，在与半导体晶片贴合并进行切割时，可以当作切割用胶带来使用，而在进行取出时，半导体元件与接着剂层可以容易地从粘合剂层剥离，且接着剂层与粘晶材料具有足够接着性，从而使得半导体元件能够进行直接粘晶。
实施例
根据实施例对本发明进行详细说明，但是本发明并不限定于下列实施例。
如下表1及表2所述，调制实施例1～6及比较例1～3的放射线硬化性粘合剂，涂布在后述的乙烯-醋酸乙烯基共聚物膜上，制作出粘着胶带。接着，将预先形成后述的接着膜贴合到粘着胶带的粘合剂层上，制作出切割用芯片粘贴薄膜。
对如此制造方法所制作的切割用芯片粘贴薄膜，进行特性的评价试验。各特性所进行试验评价，如下所述。
1)剥离力
以拉伸接着膜与粘着胶带间剥离的容易程度作为调查的指标。紫外线照射前，为了保持经过切割过程的晶片与晶片的状态，剥离力大于等于0.8N/25mm为合格，紫外线照射后，剥离力小于等于0.5N/25mm为合格。
切割用芯片粘贴薄膜在80℃的热垫上进行加热，在10秒内贴合到直径为5英寸的硅晶片上。根据JIS-0237对紫外线照射前后的剥离力进行测定(90℃剥离，剥离速度50mm/min)。
2)取出成功率
切割用芯片粘贴薄膜在80℃、1小时的条件下加热贴合到晶片后，切割成10mm×10mm的尺寸。在这之后，对粘合剂层利用空冷式高压水银灯(80W/cm，照射距离10公分)以200mJ/cm2照射后，在粘晶装置(商品名为CPS-100FM，NECマシナリ一制)中，进行取出试验，而求得取出100个的取出成功率。此时，所取出的元件中，从粘合剂层剥离，且保持有接着剂层的元件称为成功取出的元件。
粘合剂组成物1～6、11～12的制造：
在溶剂为400的甲苯中，适当地调整滴入量，滴入n-丁基丙烯酸酯128g、2-乙基已基丙烯酸酯307g、甲基甲基丙烯酸酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作为聚合开始剂的过氧化苯甲酰的混合液，并调整反应温度及反应时间，而得到具有官能基化合物((2))的溶液。
接着，在此聚合物溶液中，作为具有放射线硬化性碳-碳双键及官能基的化合物((1))，分别加入由甲基丙烯酸与乙二醇合成的2-羟乙基甲基丙烯酸酯2.5g、作为聚合物停止剂的对苯二酚，并调整滴入量，并调整反应温度及反应时间，从而得到具有如表1中所示的碘值、分子量、玻璃转化点的含有碳-碳双键的化合物(A)的溶液。然后，在化合物(A)中加入相对于化合物(A)的100重量份，如表1中重量份的聚异氰酸酯(B)，其为日本ポリウレタン社所制造的コロネ一トL(商品名)；加入0.5重量份的光聚合开始剂，其为由日本テパガイギ一社所制造的イルガキコア一184(商品名)；加入作为溶剂的乙酸乙酯150重量份于化合物(A)中并混合，调制成放射线硬化性的粘合剂组成物1～6及粘合剂组成物11、12。
粘合剂组成物13的制造：
在制造粘合剂组成物1～6、11～12时使用的化合物(A)，而在化合物(A)制作时所使用的材料不发生反应，添加化合物(B)来调整制成粘合剂组成物13。
还有，碘值是在40℃、24小时反应条件下根据Das法所算出，分子量是将四氢呋喃溶解后所的的1％溶液，以凝胶渗透色谱仪(商品名为150-CALC/GPC，由ウオ一タ一ス社制造)进行测定所得到的测定值，算出以聚苯乙烯换算的重均分子量。此外，羟基值是由FT-IR法所算出，酸值是以JIS K5407)的11.1为标准所算出。
以下的粘合剂组成物，在比较例中也以相同的方法算出。
粘着胶带的制造：
在厚度为100μm的乙烯-乙烯乙酯共聚物膜上，涂布干燥膜厚为10μm的粘合剂组成物1～6及粘着物组成物11～13的组成物，在100℃中干燥3分钟，制成粘着胶带1～6及粘着胶带11～13。
接着膜1的制造：
由55重量份的YDCN-703(商品名，由东都化成(株)所制造，甲酚环氧树脂型的环氧树脂，环氧当量为210，分子量为1200，软化点为80℃)的环氧树脂、45重量份的ミレツクスXLC-LL(商品名，由三井化学(株)所制造，如式(I)所示的酚醛树脂，羟基当量为175，吸水率1.8％，于350℃中加热重量减少率为4％)的酚醛树脂、1.7重量份的NUCA-189(商品名，由日本ユニカ一(株)所制造，γ-丙基三甲氧基硅烷)及3.2重量份的NUCA-1160(商品名，由日本ユニカ一(株)所制造，γ-脲基丙基三乙氧基硅烷)的硅烷偶合剂，32重量份的アエロジルR972(商品名，由日本コニカ一(株)所制造，二氧化硅表面覆盖有二甲基二氯硅烷，在400℃的反应器中加水分解，而于表面含有甲基等的有机基的填充物，二氧化硅平均粒径为0.016μm)的填充物所组成的组成物，加入环已烷进行搅拌混合，再以珠状研磨机混合90分钟。
其中，加入含3重量％丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的丙烯酸橡胶HTR-860P-3(商品名，由ナガセケムテツクス(株)所制造，重均分子量为80万)280重量份及キコア一ル2PZ-CN(商品名，四国化成(株)所制造，1-氰乙基-2-苯基咪唑)的硬化促进剂0.5重量份，搅拌混合并进行真空脱气，可得到清漆。
将清漆涂布在厚度为35μm的、进行了脱膜处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜上，在140℃下加热干燥5分钟，形成膜厚度为10μm的B阶状态涂膜，从而制造出具有有输送膜(carier film)的接着膜1。此外，以环氧树脂(a)及该酚醛树脂(b)的总重量为X，以含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)的重量为Y，X/Y的比率为0.375，在240℃下的拉伸弹性模量为2.5MPa。
实施例1～6
将接着膜1贴合到上述粘着胶带，对如表1所示的实施例1～6及比较例1～3所制造的切割用芯片粘贴薄膜，进行特性评价。
在实施例1～6中，将接着膜1贴合到使用粘合剂组成物1～6的粘着胶带上，从而制造出切割用芯片粘贴薄膜，在进行切割后，以放射线照射，粘合剂层的剥离力非常低，而在取出元件时，会在粘合剂层与接着剂层之间剥离，取出成功率良好。此外，此切割用芯片粘贴薄膜，即使在进行切割后，以放射线照射全部切割用芯片粘贴薄膜，在切割用芯片粘贴薄膜进行放射状延伸时，也可具有足够的元件间隙，使得在进行取出时，各元件的影像容易识别。
比较例1～3
另一方面，如比较例1～3所示，将接着膜1贴合到使用粘合剂组成物11～13的粘着胶带，从而制造出切割用芯片粘贴薄膜，在进行切割后，以放射线照射，粘合剂层的剥离力并不是非常低，还出现接着剂层无法从粘合剂层上剥离的情况，元件的取出成功率显著降低。
表1
  实施例
  1   2   3   4   5   6
  粘合剂组成物   1   2   3   4   5   6
  化合物(A)   碘值   1   1   0.8   2   4   1
  分子量   50万   70万   46万   90万   60万   40万
  羟基值   40   35   56   23   0   120
  酸值   10   6   6   5   40   0
  Tg(℃)   -60   -65   -20   -64   -30   -53
化合物(B)   名称   B1   B1   B1   B1   B1   B1
  混合量(重量份)   1   1   2   2   2   3
  接着膜   1   1   1   1   1   1
  粘合剂层/接着剂层间剥离力(N/25mm)   紫外线照射前   1.0   1.3   1.5   1.2   1.5   1.4
  80℃加热到紫外线照射后1小时   0.08   0.09   0.11   0.10   0.12   0.13
  取出成功率(％)   100   100   100   100   100   100
B1：コロネ一トL(商品名)
表2
  比较例
  1   2  3
  粘合剂组成物   11   12  13
  化合物(A)   碘值   0.1   0.1  使用化合物替换实施例1的化合物(A)，使用混合物
  分子量   50   0.5
  羟基值   0   35
  酸值   0   6
  Tg(℃)   -60   -65
化合物(B)   名称   B1   B1  B1
  混合量(重量份)   1   1  1
  接着膜   1   1  1
  粘合剂层/接着剂层间剥离力(N/25mm)   紫外线照射前   1.4   2.0  2.1
  80℃加热到紫外线照射后1小时   2.0   0.8  20以上，无法剥离
  取出成功率(％)   0   10  0
B1：コロネ一トL(商品名)

Claims (10)

1.一种切割用芯片粘贴薄膜，其为在基底膜上依序形成粘合剂层和接着剂层而形成的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：
所述粘合剂层，包括：
化合物(A)，为分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化型碳-碳双键的化合物；以及
化合物(B)，为选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中的至少一化合物；
所述接着剂层，包括：
环氧树脂(a)；
酚醛树脂(b)，其羟基的当量为大于等于150g/eq；
含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)，其重均分子量在10万以上，含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯；
填充剂(d)；以及
硬化促进剂(e)。
2.根据权利要求1所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述化合物(A)的玻璃转化点为-70～0℃。
3.根据权利要求1或2所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述化合物(A)的羟基值为5～100。
4.根据权利要求1至3所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述化合物(A)的酸值为0.5～30。
5.根据权利要求1至4所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述化合物(A)的羟基值为5～100，且酸值为0.5～30。
6.根据权利要求1至5任何一项所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：以所述环氧树脂(a)和所述酚醛树脂(b)的总重量为X，以所述含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)的重量为Y，则X/Y的比率为0.24～1。
7.根据权利要求1至6任何一项所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述酚醛树脂(b)由如下一般式(I)所表示：
Figure A2005800005110003C1
其中，每一个R1可以相同或不同，为氢原子、碳数为1～10个的直链或支链的烷基、环烷基、芳烷基、烯基、羟基、芳香基或卤素原子，n为1～3的整数，m为0～50的整数。
8.根据权利要求1至7任何一项所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述填充剂(d)的平均粒径为0.005μm～0.1μm。
9.根据权利要求1至8任何一项所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述填充剂(d)为二氧化硅填充剂。
10.根据权利要求1至9任何一项所述的切割用芯片粘贴薄膜，其特征在于：所述硬化促进剂(e)为咪唑类。
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