CN102099431A - 多层紫外线可固化粘合膜 - Google Patents

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Abstract

本发明是粘合膜,其包括(a)顶层,其基本上是紫外线可固化并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。另外的实施方式包括:堆叠晶片层压膜、粘着有多层粘合膜的半导体晶片、将半导体管芯粘附到基片上的方法以及防止单独切割的管芯彼此粘连的方法。

Description

多层紫外线可固化粘合膜
发明背景
本发明涉及用于半导体封装件的多层粘合膜(adhesive film)、使用这些膜的方法以及组装有这些膜的半导体封装件。本发明的膜在堆叠晶片背面层压(bundled wafer backside lamination)过程中使用时不会引起切割后单独管芯粘连在一起。
粘合膜经常用于半导体封装件的制造,例如,用于将硅半导体管芯粘附到基片(substrate)上。一般而言,这些膜是施用到载体(carrier)上的组合物,然后经B阶段处理(B-staged)来将所述组合物部分固化或干燥成膜形式。膜可以随后被施用到切割胶带(dicing tape)上,移开载体,并且将膜的暴露面施用到半导体晶片的背面,从而使粘合膜夹在晶片背面和切割胶带之间。这使晶片能够被切割成具有粘合膜粘附的单独管芯(individual die),管芯和膜——包括多层膜——的组合下文称为管芯结构。管芯结构然后被从切割胶带上取下并放于基片上,其中粘合膜邻近基片。当通常通过施用热进行固化时,粘合膜将管芯粘接到基片上。出于操作上的考虑,在将晶片切割成单独管芯和拾取(pick up)管芯粘接到基片上之间可能需要一段时间的延迟。在这些情况下,已经观察到,单独管芯背面上的粘合膜有时会与邻近管芯背面上的粘合膜粘连,致使不止一个管芯被从载体或切割胶带上移开。这是有问题的并且优选在切割后和管芯粘附前不会引起管芯粘连在一起的粘合膜。
发明内容
本发明是粘合膜,包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的,并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
在另一个实施方式中,本发明是层压于载带(support tape)上的粘合膜,其中粘合膜包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的,并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
在进一步的实施方式中,本发明是粘附到粘合膜的半导体晶片,其中粘合膜包括:(a)顶层,其粘着到半导体晶片,基本上是紫外线可固化的,并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
在另一个实施方式中,本发明是用于将半导体管芯粘附到基片的方法,其包括以下步骤:
1.提供粘合膜,其包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的,并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的;
2.提供载带,其具有背面和粘合面;
3.通过使粘合膜的底层与载带的粘合面接触,将粘合膜粘附到载带上,从而使粘合膜的顶层暴露,并从而形成堆叠晶片背面层压膜;
4.提供半导体晶片,其具有活性面和非活性面;
5.通过使粘合膜的顶层与半导体晶片的非活性面接触,使堆叠晶片背面层压膜粘附到半导体晶片上;
6.促发(advancing)顶层;
7.将半导体晶片和粘附的多层粘合膜切割成多个单独管芯结构;
8.拾取所选的单独管芯结构;
9.提供基片;
10.将所选的单独管芯结构放置于基片上,以便将粘合膜布置在管芯背面和基片之间;和
11.使用热将单独管芯结构粘附到基片上。
在另一个实施方式中,本发明是防止单独切割的管芯相互粘着的方法。该方法包括以下步骤:
1.提供粘合膜,其包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的,并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的;
2.提供载带,其具有背面和粘合面;
3.通过使粘合膜的底层与载带的粘合面接触,将粘合膜粘附到载带上,从而使粘合膜的顶层暴露,并从而形成堆叠晶片背面层压膜;
4.提供半导体晶片,其具有活性面和非活性面;
5.通过使粘合膜的顶层与半导体晶片的非活性面接触,使堆叠晶片背面层压膜粘附到半导体晶片上;
6.促发顶层;
7.切割半导体晶片,并将多层粘合膜粘附到多个单独管芯结构里;和
8.拾取所选的单独管芯结构。
附图说明
通过参照所附附图阅读以下详细说明,可以更充分地理解本发明,其中:
图1是本发明多层膜的横截面图;
图2是半导体晶片的横截面图,其中本发明多层粘合膜被粘附到该半导体晶片;
图3是本发明堆叠晶片层压膜的横截面图;
图4是半导体晶片的横截面图,其中本发明堆叠晶片层压膜被粘附到该半导体晶片;
图5是根据本发明切割成单独管芯结构的晶片的横截面图;
图6是根据本发明粘附于基片上的半导体管芯的横截面图;和
图7现有技术描述了现有技术粘合膜遇到的重新粘附问题的横截面图。
定义
术语“烷基”指1-24个碳原子的支链或非支链饱和烃基团,例如:甲基(“Me”)、乙基(“Et”)、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、辛基、癸基以及类似物。
术语“促发(advancing)”意为固化或部分固化。
术语化合物、产物或组合物的“有效量”意为所述化合物、产物或组合物足以提供期望结果的量。取决于使用的具体化合物、产物或组合物、其施用方式等,所需的准确量根据封装而变化。因此,并不总是有可能指定准确的量;然而,本领域的普通技术人员仅仅利用常规试验可以确定有效量。
术语“适合的(Suitable)”指为了指定目的与本文所提供的化合物、产物或组合物相容的部分。指定目的的适合性可以由本领域普通技术人员仅仅通过常规试验确定。
术语“取代的”通常用于指氢原子或其它原子被移除并替换为另外部分的碳或适合的杂原子。此外,“取代的”意图指不改变本发明下列化合物、产物或组合物的基本效用和新效用的取代。
术语“B阶段处理(B-staging)”(以及其变形)用于指通过热或照射处理材料,这样如果材料溶于或分散于溶剂中,溶剂被蒸发掉而部分固化材料或没有部分固化材料,或者如果材料不掺有溶剂,材料被部分固化成粘性的或更硬的状态。如果材料是可流动的粘合剂,B阶段处理将提供极低的流动性而不充分固化,这样在使用粘合剂将一个制品与另一个制品连接后可以进行另外的固化。流动性的降低可以通过蒸发溶剂、部分促发或固化树脂或聚合物、或两者来完成。
术语“固化剂”用于指引发、增进(propagate)或加速组合物固化的任何材料或材料的组合,其包括但不限于加速剂、催化剂、引发剂和硬化剂。
术语“紫外线可固化的(UV-curable)”用于指通过应用紫外线照射而聚合和/或交联的任何树脂。
术语“Tg”或“玻璃化转变温度”用于指材料从玻璃状态转变为橡胶状态的温度。
具体实施方式
现在通过参考附图——其图解了本发明的各种实施方式,将对本发明进行更加详细的描述。附图是图解性的,其显示了本发明的特征及其与其它特征和结构的关系,并且不是按比例绘制的。为了提高显示的清楚性,在图解本发明实施方式的附图(FIGS)中,与其它附图中显示的元件对应的元件并没有全部被具体重新标记,尽管它们在所有的附图中都是可容易识别的。
在一个实施方式中,本发明是多层粘合膜。该膜至少具有顶层和底层。图1是本发明膜的一个实施方式的横截面图,其仅有顶层和底层。任选地,如果需要赋予粘合膜另外的期望的性能,在顶层和底层之间可以存在另外的层(未显示)。顶层具有50℃或更低的玻璃化转变温度,并且基本上是紫外线可固化的。底层基本上不是紫外线可固化的。
图2显示了本发明一个实施方式的横截面图,其中上述多层粘合膜已被粘附到半导体晶片的背面。半导体晶片具有活性面和与活性面相对的背面。在图2图解的实施方式中,多层粘合膜被施用到半导体晶片上,以便膜的顶层与半导体晶片的背面直接接触。在另一个实施方式(未显示)中,多层粘合膜被施用到半导体晶片的前面或活性面上。
在另一个实施方式中,本发明是层压于载带上的上述多层粘合膜。该实施方式的一个例子,堆叠晶片层压(BWL)膜,图解在图3中。在该实施方式中,载带是切割胶带,并且上述多层粘合膜粘附于该切割胶带上,以便膜的底层与切割胶带的粘合面直接接触。BWL膜然后可以粘附到半导体晶片上,形成本发明的另一个实施方式,如图4所示。在该实施方式中,多层粘合膜夹在半导体晶片和切割胶带中间,以便膜的顶层与半导体晶片的非活性面或背面接触并且膜的底层与切割胶带接触。在该实施方式中,BWL膜可以称为堆叠晶片背面层压(BWBL)膜。在另一实施方式(未显示)中,多层粘合膜夹在半导体晶片和切割胶带之间,以便膜的顶层与半导体晶片的活性面接触并且膜的底层与切割胶带接触。
本发明的另一个实施方式是将半导体管芯粘附到基片上的方法。首先,形成BWBL膜,其将多层粘合膜粘附到切割胶带上,如上所述。接着,将BWBL膜粘附到半导体晶片上,以便膜的顶层与晶片的背面直接接触。然后,通过应用紫外线照射促发多层粘合膜的顶层。只要固化的量足以防止管芯拾取过程中管芯的粘着,顶层的促发可以包括部分固化或完全固化。接着,半导体晶片随同粘附到其上的多层粘合膜一起被切割,形成多个单独管芯结构,如图5所示。所选的单独管芯结构然后被拾取并放置到基片上,以便将粘合膜布置在管芯和基片之间。最后,通过应用热固化多层粘合膜的底层,使管芯粘附到基片上。图6显示了用该方法粘附到基片上的管芯的横截面图。
多层粘合膜的顶层具有50℃或更低的玻璃化转变温度(Tg),并且基本上是紫外线可固化的。在一个实施方式中,顶层包括:(i)紫外线可固化树脂,和(ii)光引发剂。在膜已经形成后(即在组合物已经被B阶段处理或干燥形成膜以后),但在该膜的任何紫外线固化之前,测量Tg。低的Tg使膜能够充分地流动,以在相对低的温度下粘附到半导体晶片上。在一个实施方式中,顶层的Tg小于20℃。在另一个实施方式中,顶层的Tg在0和20℃之间。紫外线可固化树脂和光引发剂使顶层在粘附到半导体晶片上之后能够被促发,以防止切割后邻近管芯的粘着。通常使用热方法如层压,将膜施用于半导体晶片上。一般期望具有低于80℃的层压温度,有时需要低于65℃。要求低层压温度有两个原因。首先,高温层压易于促发(部分固化)粘合膜中的树脂。这能够限制膜的使用寿命,并且也能够抑制流动性,干扰随后管芯与基片的粘接。其次,高温层压能引起半导体晶片翘曲。随着半导体工业转向更薄的晶片——其固有地更易受翘曲问题影响,这尤其是有问题的。遗憾的是,顶层低Tg——其使顶层能够在低温下进行层压——也使膜能够在室温下轻微地流动。因此,在膜被层压到晶片上并被切割成单独管芯后,如果管芯没有被立即拾取并放置到基片上,就有邻近管芯上的粘合膜流动足以相互接触的趋势。因为顶层所用的树脂常常是粘性的以便促进层压到晶片上,这种流动能引起管芯粘着在一起或者“再粘附”,该问题图解于图7中,其显示了现有技术粘合膜在切割后流动,导致再粘附。在本发明中,需要紫外线可固化树脂和光引发剂,以便在膜被层压到晶片上以后,膜的顶层可以基本上被促发或固化。这增加了顶层的分子量,并因而增加其熔融粘度,有助于防止粘合剂在周围条件,如储存过程中经历的那些条件下流动。这缓解了粘着或再粘附问题。
多层粘合膜顶层中的紫外线可固化树脂可以是任何可以在紫外光存在的情况下反应、促发、交联或聚合的树脂。尽管可以使用任何紫外线可固化树脂,但适合的紫外线可固化树脂的非限制性例子包括:马来酰亚胺、丙烯酸酯、乙烯醚和苯乙烯。紫外线可固化树脂以通常在顶层组合物的5至100wt%之间的有效量——不包括填料含量——存在。
在一个实施方式中,紫外线可固化树脂是固体芳香双马来酰亚胺(BMI)树脂。适合的固体BMI树脂是那些具有通式结构
Figure BPA00001251345500051
的固体BMI树脂,其中,X是芳香基团;示例性芳香基团包括:
Figure BPA00001251345500052
Figure BPA00001251345500061
其中,n为1-3;
Figure BPA00001251345500063
具有这些X桥连基团的双马来酰亚胺树脂可商业获得,并且可以例如从Sartomer(USA)或HOS-Technic GmbH(Austria)获得。
在另一个实施方式中,紫外线可固化树脂是马来酰亚胺树脂,其具有通式结构
Figure BPA00001251345500065
其中n为1-3,并且X1是脂族基团或芳香基团。示例性X1实体包括:聚(丁二烯)、聚(碳酸酯)、聚(氨酯)、聚(醚)、聚(酯)、简单烃,以及含有诸如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、尿素或醚的官能团的简单烃。这些类型的树脂可商业获得,并且可以例如从National Starch and Chemical Company和Dainippon Ink and Chemical,Inc获得。
在一个实施方式中,紫外线可固化树脂是酚醛聚酰亚胺(phenol novolac polyimide):
Figure BPA00001251345500066
在另一个实施方式中,紫外线可固化树脂是3-马来酰亚胺基丙酸/二甲基辛醇加合物。
在进一步的实施方式中,紫外线可固化树脂是选自下列的马来酰亚胺树脂:
Figure BPA00001251345500071
其中,C36表示36个碳原子的直连或支链(有或没有环状部分);
Figure BPA00001251345500072
在一个实施方式中,紫外线可固化树脂是马来酰亚胺2,5-呋喃二酮与苯胺-1,4-双(氯甲基)苯聚合物的反应产物。
适合的丙烯酸酯树脂的例子包括那些具有通式结构
Figure BPA00001251345500073
的丙烯酸酯树脂,其中n为1-6,R1是-H或-CH3,并且X2是芳香基团或脂族基团。示例性X2实体包括但不限于:聚(丁二烯)、聚(碳酸酯)、聚(氨酯)、聚(醚)、聚(酯)、简单烃,和含有诸如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、尿素或醚的官能团的简单烃。商业上可获得的材料包括:(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正硬脂酰基酯、(甲基)-丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙基酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬基酚聚丙氧基化物(甲基)丙烯酸酯和聚戊氧基化物四氢糠基丙烯酸酯,可从Kyoeisha Chemical Co.,LTD获得;聚丁二烯氨基甲酸酯二甲基丙烯酸酯(CN302,NTX6513)和聚丁二烯二甲基丙烯酸酯(CN301,NTX6039,PRO6270),可从Sartomer Company,Inc获得;聚碳酸酯氨基甲酸酯二丙烯酸酯(ArtResin UN9200A),可从Negami Chemical Industries Co.,LTD获得;丙烯酸酯化脂肪族氨基甲酸酯低聚物(Ebecryl 230,264,265,270,284,4830,4833,4834,4835,4866,4881,4883,8402,8800-20R,8803,8804),可从Radcure Specialities,Inc获得;聚酯丙烯酸酯低聚物(Ebecryl 657,770,810,830,1657,1810,1830),可从Radcure Specialities,Inc.获得;和环氧丙烯酸酯树脂(CN104,111,112,115,116,117,118,119,120,124,136),可从Sartomer Company,Inc获得。在一个实施方式中,丙烯酸酯树脂选自:丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、具有丙烯酸酯官能团的聚(丁二烯)和具有甲基丙烯酸酯官能团的聚(丁二烯)。
在一个实施方式中,紫外线可固化树脂选自:丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、具有丙烯酸酯官能团的聚(丁二烯)和具有甲基丙烯酸酯官能团的聚(丁二烯)。
适合的乙烯醚树脂的例子包括那些具有通式结构
Figure BPA00001251345500081
的乙烯醚树脂,其中n为1-6并且X3是芳香基团或脂族基团。示例性X3实体包括但不限于:聚(丁二烯)、聚(碳酸酯)、聚(氨酯)、聚(醚)、聚(酯)、简单烃和含有诸如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、尿素或醚的官能团的简单烃。商业上可获得的乙烯醚树脂包括:环己烷-二甲醇二乙烯醚、十二烷基乙烯醚、环己基乙烯醚、2-乙基己基乙烯醚、一缩二丙二醇二乙烯基醚、己二醇二乙烯醚、十八烷基乙烯醚、丁二醇二乙烯醚,可从International Specialty Products(ISP)获得;Vectomer 4010、4020、4030、4040、4051、4210、4220、4230、4060和5015,可从Sigma-Aldrich,Inc.获得。
适合的苯乙烯树脂包括那些具有通式结构
Figure BPA00001251345500082
的树脂,其中n为1或更大,R4是-H或-CH3,和X6是脂族基团。示例性X6实体包括但不限于:聚(丁二烯)、聚(碳酸酯)、聚(氨酯)、聚(醚)、聚(酯)、简单烃和含有诸如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、尿素或醚的官能团的简单烃。这些树脂可商业获得,并且可以例如从National Starch and Chemical Company或Sigma-Aldrich Co.获得。
多层粘合膜顶层中的光引发剂可以是在暴露于紫外线照射后引发、促进或增进紫外线可固化树脂固化的任意光引发剂。光引发剂将以通常B阶段处理前顶层组合物的0.1-10wt%的有效量——不包括溶剂含量——存在。适合的光引发剂包括但不限于:1-羟基-环己基苯基酮、2-苯甲基-2-(二甲氨基)-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮、(2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-乙-1-酮)、2-羟基-2-甲氧基-1-苯基-丙-1-酮、1-羟基-环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦、1-羟基-环己基苯基酮和1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲氧基-1-丙-1-酮、以及它们的掺合物(blend),可从Ciba Specialty Chemicals获得;安息香正丁基醚的混合物、4-(二甲基氨基)苯甲酸乙酯、异丙基噻吨酮、苯甲基二甲基缩酮、寡聚(2-羟基-2-甲基-1-4(1-甲基乙烯基)苯基丙烷、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙烷、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、及它们的掺合物,可从Sartomer Company获得。
除了一种或多种紫外线可固化树脂外,顶层可以包含一种或多种另外的树脂,它们基本上不是紫外线可固化的,即它们在暴露于紫外光后基本上没有被促发、交联或聚合。顶层中任何另外的树脂将以通常在顶层组合物的5至95wt%之间的有效量——不包括填料含量——存在。应当选择另外的树脂的量和类型,以确保用紫外线照射进行促发时其不干扰顶层变成无粘性的能力。
多层粘合膜的顶层可以是特定半导体封装件所需要的任意厚度并且通常在5-60μm之间。在一个实施方式中,顶层是5-30μm厚。顶层可以与底层的厚度相同,或者其可以是不同的厚度。
粘附到晶片后,当暴露于紫外线照射时,膜的顶层基本上被固化;相反,当暴露于紫外线照射时,底层基本上没有固化。这使底层的树脂能够流动并浸湿大部分基片的粗糙表面,然后在管芯粘附过程中在应用热后而固化。因此,在拾取和放置后多层粘合膜可以通过热固化操作将管芯粘接到基片上。底层的Tg可以是给出期望流动和在管芯粘附过程中期望浸湿的任意温度。在一个实施方式中,底层的Tg在-30℃至90℃之间。在另一个实施方式中,底层的Tg在0℃至20℃之间。如果底层的Tg低于室温,构成底层的树脂不应当有粘性。那样,如果相邻管芯上粘合膜的底层彼此接触,它们不会粘着并且不会引起粘连或再粘附发生。应当注意,与顶层的树脂相比,任何用于底层的树脂通常没有粘性,原因是其并不需要稳固地粘着到切割胶带上。
在一个实施方式中,多层粘合膜的底层包括一种或多种树脂,它们基本上不是紫外线可固化的,即它们在暴露于紫外光后基本上没有被促发、交联或聚合。
在另一个实施方式中,多层粘合膜的底层包括一种或多种树脂,它们在光引发剂存在的情况下是紫外线可固化的。在该实施方式中,光引发剂没有存在于底层中,因而底层不是紫外线可固化的并且在暴露于紫外光后基本上不促发或固化。当底层包括一种或多种紫外线可固化树脂(但不包含紫外线引发剂)时,优选粘合膜不要与紫外线可固化切割胶带结合使用,因为与切割胶带中的引发剂接触在暴露于紫外线照射后能引发粘合膜底层的固化,导致其过强地粘着到切割胶带上并且潜在地导致管芯拾取问题。
底层可以只包含一种树脂,或多种树脂的组合。任何使用的树脂在室温下可以是固体或液体,并且如果使用的树脂超过一种,它们可以是液体和固体的任意组合。在一个实施方式中,底层包含至少一种环氧树脂。
底层可以是具体半导体封装件所需要的任意厚度并且通常是20-150μm厚。底层可以与顶层一样厚或者其可以是不同的厚度。
基本上不是紫外线可固化的并且适于包含在粘合膜的顶层或底层的树脂的例子包括:环氧树脂、聚酯、聚(丁二烯)、聚酰亚胺、苯并环丁烯、硅化烯烃、有机硅树脂、氰酸酯树脂、热塑性橡胶、聚烯烃、硅氧烷或二苯基氧低聚物。
适合的环氧树脂包括:双酚、萘和脂族型环氧树脂。商业上可获得的材料包括:双酚型环氧树脂(Epiclon 830LVP,830CRP,835LV,850CRP),可从Dainippon Ink & Chemicals,Inc.获得;萘型环氧树脂(Epiclon HP4032),可从Dainippon Ink & Chemicals,Inc.获得;脂族环氧树脂(Araldite CY179,184,192,175,179),可从Ciba Specialty Chemicals获得,(Epoxy 1234,249,206),可从Union Carbide Corporation 获得,以及(EHPE-3150),可从Daicel Chemical Industries,Ltd.获得。其它适合的环氧树脂包括:脂环族环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛环氧树脂、二苯基型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯-苯酚型环氧树脂、甲酚醛环氧树脂、环氧活性稀释剂及其混合物。在一个实施方式中,环氧树脂是由双环戊二烯和苯酚的聚合加成化合物衍生的多官能环氧树脂。在一个实施方式中,环氧树脂是橡胶化环氧树脂。
通过有机硅和二乙烯材料的选择性硅氢化反应来获得适合的硅化烯烃树脂,其具有通式结构
Figure BPA00001251345500101
其中,n1为2或更大,n2为1或更大,并且n1>n2。这些材料可商业获得并且可以例如从National Starch and Chemical Company获得。
适合的有机硅树脂包括活性有机硅树脂,其具有通式结构
Figure BPA00001251345500102
其中,n为0或任意整数,X4和X5是氢、甲基、胺、环氧、羧基、羟基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、巯基、苯酚或乙烯基官能团,R2和R3可以是-H、-CH3、乙烯基、苯基或任意具有多于两个碳的烃结构。商业上可获得的材料包括KF8012、KF8002、KF8003、KF-1001、X-22-3710、KF6001、X-22-164C、KF2001、X-22-170DX、X-22-173DX、X-22-174DX X-22-176DX、KF-857、KF862、KF8001、X-22-3367和X-22-3939A,可从Shin-Etsu Silicone International Trading(Shanghai)Co.,Ltd.获得。
适合的氰酸酯树脂包括那些具有通式结构
Figure BPA00001251345500111
的氰酸酯树脂,其中,n为1或更大,并且X7是烃基。示例性X7实体包括:双酚、苯酚或甲酚线型酚醛清漆、二环戊二烯、聚丁二烯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚醚或聚酯。商业上可获得的材料包括:AroCy L-10、AroCy XU366、AroCy XU371、AroCy XU378、XU71787.02L和XU 71787.07L,可从Huntsman LLC获得;Primaset PT30、Primaset PT30 S75、Primaset PT60、Primaset PT60S、Primaset BADCY、Primaset DA230S、Primaset MethylCy和Primaset LECY,可从Lonza Group Limited获得;2-烯丙基苯酚氰酸酯、4-甲氧基苯酚氰酸酯、2,2-双(4-氰酰苯酚)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、双酚A氰酸酯、二烯丙基双酚A氰酸酯、4-苯基苯酚氰酸酯、1,1,1-三(4-氰酰苯基)乙烷、4-枯烯基苯酚氰酸酯、1,1-双(4-氰酰苯基)乙烷、2,2,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟辛二醇二氰酸酯和4,4’-双酚氰酸酯,可从Oakwood Products,Inc.获得。
适合的热塑性橡胶的例子包括:端羧基丁腈(CTBN)橡胶、端羧基丁腈(CTBN)/环氧树脂加合物、丙烯酸酯橡胶、端乙烯基丁二烯橡胶和丁腈橡胶(NBR)。在一个实施方式中,CTBN环氧树脂加合物由大约20-80wt%的CTBN和大约20-80wt%的双酚A二缩水甘油醚:双酚A环氧树脂(DGEBA)组成。各种CTBN材料可从Noveon Inc.获得,以及各种双酚A环氧树脂材料可向Dainippon Ink and Chemicals,Inc.和Shell Chemicals获得。NBR橡胶可从Zeon Corporation获得。
适合的聚(丁二烯)聚合物包括:聚(丁二烯)、环氧化聚(丁二烯)、马来酸酐化聚(丁二烯)、丙烯酸酯化聚(丁二烯)、丁二烯-苯乙烯共聚物、丁腈橡胶(NBR)和丁二烯-丙烯腈共聚物,如端羧基丁二烯-丙烯腈(CTBN)橡胶。商业上可获得的材料包括:丁二烯均聚物(Ricon130、131、134、142、150、152、153、154、156、157、P30D),可从Sartomer Company,Inc.获得;丁二烯和苯乙烯的无规共聚物(Ricon 100,181,184),可从Sartomer Company Inc.获得;马来酸酐化聚(丁二烯)(Ricon 130MA8、130MA13、130MA20、131MA5、131MA10、131MA17、131MA20、156MA17),可从Sartomer Company,Inc.获得;丙烯酸酯化聚(丁二烯)(CN302、NTX6513、CN301、NTX6039、PRO6270、Ricacryl 3100、Ricacryl 3500),可从Sartomer Inc.获得;环氧化聚(丁二烯)(Polybd 600,605),可从Sartomer Company.Inc.获得,和Epolead PB3600,可从Daicel Chemical Industries,Ltd.获得;以及丙烯腈和丁二烯共聚物(Hycar CTBN系列、ATBN系列、VTBN系列和ETBN系列),可从Hanse Chemical获得。
在一个实施方式中,多层粘合膜的顶层包含橡胶共聚物,如丁二烯、丙烯腈和丙烯酸的共聚物(CTBN)。适合的橡胶共聚物包括,例如NIPOL
Figure BPA00001251345500121
 1072,可从Zeon Chemicals L.P获得。橡胶共聚物有助于为晶片提供层压所需的低Tg以及挠性。
粘合膜的底层包含热固化剂。粘合膜的顶层可以任选地包括热固化剂——如果其组分中包含热固化树脂。热固化树脂可以与顶层中的紫外线可固化树脂相同,或者其可以是不同的树脂。例如,双马来酰亚胺树脂能够通过紫外方法或热方法而引发。当双马来酰亚胺树脂在光引发剂和热引发剂同时存在的情况下被使用时,它将主要在紫外暴露过程中固化(在层压到半导体晶片上之后)。然而,在该固化步骤之后,在树脂中可能仍然有一些不饱和键。除紫外引发剂外还包括热引发剂,使得在工序下游(通常在管芯粘附固化过程中)应用热后树脂能够更完全地固化。底层中热引发剂的存在使底层能够固化并能够在加热后粘附到基片上。
热固化剂将以通常多达B阶段处理之前底层组分的10wt%的有效量——不包括溶剂含量——存在。如果应用于顶层中,热固化剂将以通常多达B阶段处理之前顶层组合物的10wt%的有效量——不包括溶剂含量——存在。根据每一层使用的具体树脂,热固化剂可以是离子的或自由基的。适合的离子固化剂的例子包括:芳香胺、脂环胺、脂族胺、叔膦、三嗪、金属盐、芳香羟基化合物、双氰胺、己二酸二酰肼、三氟化硼-胺络合物、胺盐;咪唑,如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-苯甲基-2-甲基咪唑、1-丙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-胍胺乙基(guanaminoethyl)-2-甲基咪唑、咪唑和偏苯三酸的加成产物和改性的咪唑化合物;胺和叔胺,如N,N-二甲基苄胺、N,N-二甲基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺、N,N-二甲基-对氨基苯甲醚、对卤代-N,N-二甲基苯胺、2-N-乙基苯胺基乙醇、三正丁胺、吡啶、喹啉、N-甲基吗啉、三乙醇胺、三亚乙基二胺、N,N,N′,N′-四甲基丁二胺、N-甲基哌啶和4,4’-二氨基二苯砜;酚,如苯酚、甲酚、二甲苯酚、间苯二酚和间苯三酚;有机金属盐,如环烷酸铅、硬脂酸铅、环烷酸锌、辛酸锌(zinc octolate)、油酸锡、马来酸二丁基锡、环烷酸锰、环烷酸钴和乙酰丙酮铁;无机金属盐,如氯化锡、氯化锌和氯化铝;二叔丁基二过邻苯二甲酸酯(di-t-butyl diperphthalate);酸酐,如羧酸酐、马来酸酐、酞酐、月桂酸酐、均苯四甲酸酐、偏苯三甲酸酐、六氢酞酐;六氢均苯四甲酸酐和六氢偏苯三甲酸酐。适合的自由基固化剂的例子包括:过氧化物和偶氮化合物,如过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化叔丁基、过氧化辛酰、过氧化乙酰、过氧化对氯苯甲酰、过辛酸丁基酯、过氧化二枯基、偶氮异丁腈、2,2′-偶氮二丙烷、2,2’-偶氮双(2-甲基-丙腈)、2,2’-偶氮双(2-甲基丁腈)、m,m′-氧化偶氮苯乙烯和腙。
固化剂也可以是固化加速剂,如用于环氧固化剂的那些,并且可以选自:三苯基膦、烷基取代的咪唑、咪唑
Figure BPA00001251345500131
盐、
Figure BPA00001251345500132
盐、季磷
Figure BPA00001251345500133
化合物、硼酸
Figure BPA00001251345500134
盐、金属螯合物和1,8-二氮杂环[5.4.0]十一碳-7-烯。
金属化合物也能用作氰酸酯树脂体系的固化剂或加速剂,并且包括但不限于:环烷酸金属盐、乙酰丙酮金属盐(螯合物)、辛酸金属盐、乙酸金属盐、金属卤化物、金属咪唑络合物和金属胺络合物。
可以使用任何用于制备多层膜的适合方法。在一个实施方式中,顶层和底层被单独形成,然后一起层压形成多层粘合膜。适合的层压温度根据具体膜的Tg而变化,以及通常的范围是50至100℃。层压压力一般为5至60psi。
为了调整膜性质以适应特定半导体封装或制造过程,实施者也可以选择或在多层粘合膜的顶层或在多层粘合膜的底层包含另外的组分。这些组分的种类和量是本领域已知的,其包括但不限于:填料、偶联剂、助粘剂、表面活性剂、润湿剂、流动调节剂、脱泡剂、增粘性树脂和溶剂。
在多层粘合膜的顶层和/或底层中可以包含一种或更多种填料以调节众多的性质,其包括但不限于:流变学、应力、热膨胀系数、导电性和/或导热性和模量。填料的具体种类对本发明不是关键的,并且可以由本领域的技术人员进行选择以适应特定最终用途的需要。填料可以是导电的或非导电的。适合的导电填料的非限制性例子包括:碳黑、石墨、金、银、铜、铂、钯、镍、铝、碳化硅、氮化硼、金刚石和氧化铝。适合的非导电填料的非限制性例子包括:氧化铝、氢氧化铝、硅石、蛭石、云母、硅灰石、碳酸钙、二氧化钛、沙、玻璃、硫酸钡、锆、碳黑、有机填料和卤化乙烯聚合物,如四氟乙烯、三氟乙烯、偏二氟乙烯、氟乙烯、偏二氯乙烯和氯乙烯。填料粒子可以是从纳米大小至几密耳范围内的任意适当大小。为任何特定的封装结构(package configuration)选择填料粒子大小在本领域技术人员的专业技能内。填料可以以B阶段处理前膜层的0至95wt%的量——不包括溶剂含量——存在。
在一个实施方式中,在多层粘合膜的顶层和/或底层中可以包含偶联剂或助粘剂。助粘剂的选择取决于应用要求和采用的具体树脂的化学性质。如果使用助粘剂的话,以通常多达B阶段处理前膜层的5wt%的有效量——不包括溶剂含量——使用。适合的助粘剂的例子包括:环氧型硅烷偶联剂、胺型硅烷偶联剂、巯基型硅烷偶联剂;γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷;缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷;Z6040环氧硅烷、Z6030甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷或Z6020胺硅烷,可从Dow Corning获得;A186硅烷、A187硅烷、A174硅烷或A1289,可从OSI Silquest获得;有机硅烷SI264,可从Degussa获得;Johoku Chemical CBT-1羰基苯并三唑(Carbobenzotriazole),可从Johoku Chemical获得;官能性苯并三唑(functional benzotriazole);噻唑;钛酸盐;和锆酸盐。
在进一步的实施方式中,表面活性剂可以添加到多层粘合膜的顶层和/或底层。适合的表面活性剂包括:有机硅、聚乙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物、乙二胺基聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物、多元醇基聚氧化烯、脂肪醇基聚氧化烯和脂肪醇聚氧化烯烷基醚。如果使用表面活性剂的话,以下列有效量使用:通常的有效量是多达B阶段处理前膜层的5wt%的量——不包括溶剂含量。
在另一个实施方式中,在多层粘合膜的顶层和/或底层中可以包含润湿剂。润湿剂的选择取决于应用要求和采用的具体树脂的化学性质。如果使用润湿剂的话,以下列有效量使用:通常的有效量多达B阶段处理前膜层的5wt%——不包括溶剂含量。适合的润湿剂的例子包括:Fluorad FC-4430含氟表面活性剂,可从3M获得;Clariant Fluowet OTN、BYK W-990、Surfynol 104表面活性剂、Crompton Silwet L-7280、Triton X100,可从Rhom and Haas获得;具有优选Mw大于240的丙二醇;γ-丁内酯;蓖麻油;甘油或其他脂肪酸和硅烷。
在进一步的实施方式中,流动调节剂可以包含在多层粘合膜的顶层和/或底层中。流动调节剂的选择取决于应用要求和采用的具体树脂的化学性质。如果使用流动调节剂的话,其以下列有效量存在:有效量是多达B阶段处理前膜层的20wt%的量——不包括溶剂含量。适合的流动调节剂的例子包括:Cab-O-Sil TS720,可从Cabot获得;Aerosil R202或R972,可从Degussa获得;热解硅石、热解氧化铝或热解金属氧化物。
在进一步的实施方式中,脱泡剂(消泡剂,defoamer)可以包含在多层粘合膜的顶层和/或底层中。脱泡剂的选择取决于应用要求和采用的具体树脂的化学性质。如果使用脱泡剂的话,以有效量使用。通常的有效量多达B阶段处理前膜层的5wt%——不包括溶剂含量。适合的脱泡剂的例子包括:Antifoam 1400,可从Dow Corning获得;DuPont Modoflow;和BYK A-510。
在一些实施方式中,为了增强粘合性和引入粘着性,多层粘合膜的顶层和/或底层是用粘性树脂配制的;粘性树脂的例子包括:天然存在的树脂和改性的天然存在的树脂;多萜烯树脂;酚醛改性的萜烯树脂;苯并呋喃-茚树脂(coumarons-indene resins);脂肪族石油烃树脂和芳香石油烃树脂;邻苯二甲酸酯;氢化烃,氢化松香和氢化松香酯。如果使用粘性树脂的话,以有效量使用。通常的有效量多达B阶段处理前膜层的5wt%——不包括溶剂含量。
在一些实施方式中,其它组分可以包含在多层粘合膜的顶层和/或底层中,例如稀释剂,如液体聚丁烯或聚丙烯;石油蜡,如石蜡和微晶蜡、聚乙烯油脂(polyethylene grease)、氢化动物、鱼和植物脂肪、矿物油和合成蜡、环烷或石蜡矿物油。
种类和量为本领域所知的其它添加剂,如稳定剂、抗氧化剂、冲击改性剂(impact modifier)和着色剂也可以添加到多层粘合膜的顶层和/或底层。
具有范围从25℃至230℃的适当沸点的常用溶剂可以添加到多层粘合膜的顶层和/或底层。可以使用的适合溶剂的例子包括:酮、酯、醇、醚、以及其它稳定的且溶解组分中可固化树脂的常用溶剂。适合的溶剂包括γ-丁内酯、丙二醇甲基乙基醋酸酯(propylene glycol methyl ethyl acetate,PGMEA)、甲基乙基酮(MEK)、甲苯、乙酸乙酯和4-甲基-2-戊酮。
一种或多种空隙减少化合物(void reduction compound)也可以添加到多层粘合膜的顶层和/或底层。适合的空隙减少化合物包括但不限于具有至少两个彼此邻接的Si-O键和至少一种反应性官能团(reactive functionality)的那些。这些种类的空隙减少化合物的非限制性例子包括:
(甲基丙烯酰氧丙基三(三甲基硅烷氧基)硅烷);
Figure BPA00001251345500152
(端乙烯基聚二甲基硅氧烷);
(端乙烯基(15-17%二苯基硅氧烷)-二甲基硅氧烷共聚物);
(端环氧丙氧基丙基聚二甲基硅氧烷);
Figure BPA00001251345500155
(端三甲基硅氧烷基(0.8-1.2%乙烯基甲基硅氧烷)-二甲基硅氧烷共聚物);
Figure BPA00001251345500156
(甲基丙烯酰氧丙基叔结构硅氧烷);以及它们的组合。
可以以本领域已知的任何适合的方法制造多层粘合膜的每一层。可以以不同方式或类似方式——其适于采用的具体配方和制造环境——制造各个层。在一个通常的方法中,膜层组合物被涂覆到载体(carrier)上,形成薄的、均匀的层。该组合物然后经B阶段处理,产生非粘性的、均匀的粘合膜层。粘合膜层的硬化可以以许多方式完成,这取决于采用的粘合剂配方。
在一个实施方式中,顶层和/或底层组合物至少包含液体可固化树脂和溶剂。在该实施方式中,通过充分加热该组合物以蒸发溶剂并部分固化可固化树脂(一种或多种),将粘合剂硬化成非粘性的或流动性非常低的状态。
在另一个实施方式中,顶层和/或底层组合物包含溶于溶剂的固体可固化树脂。在该实施方式中,通过充分加热该组合物以蒸发溶剂,留下非粘性树脂基膜,将粘合剂硬化成非粘性的或流动性非常低的状态。这种方法尤其适于多层粘合膜的顶层,因为它不需要促发树脂来产生非粘性膜层,因此可以使用紫外线可固化树脂系统。
在另一个实施方式中,顶层和/或底层组合物包含至少一种液体的、热可固化树脂。在该实施方式中,通过充分加热粘合剂以将可固化树脂部分促发成非粘性的或流动性非常低的状态,来将该组合物硬化成非粘性的或流动性非常低的状态。
各个膜层和多层粘合膜的载体可以是这样的任何物质:这些物质上可以以薄层施用各层组合物并且在B阶段处理成膜的过程中这些物质将支持组合物。在施用到待被粘接的部件和/或另外的处理步骤,如层压到晶片上、另一膜层上或者切割胶带上的过程中,载体也可以支持膜。一个特别适合的载体是剥离衬垫(release liner)。适合的剥离衬垫的例子包括:聚酰亚胺(PI)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
在本发明的一个实施方式中,上述多层粘合膜被粘附到切割胶带上,以便多层粘合膜的底层与切割胶带直接接触。多层粘合膜通常经过层压被粘附到切割胶带上。切割胶带可以是压敏粘合剂(PSA)切割胶带或紫外线(UV)可固化切割胶带。通常的胶带在70-110μm厚的聚烯烃或聚氯乙烯(PVC)载体膜上具有3-30μm的粘合剂厚度,然而,本领域的技术人员会意识到,可以选择具有不同构造的胶带以适应待利用的具体工业过程。
在本发明的另一个实施方式中,上述BWBL膜被粘附到半导体晶片上,以便多层粘合膜夹在半导体晶片和切割胶带之间。在这种结构中,多层粘合膜的顶层与半导体晶片的背面或非活性面接触,而多层粘合膜的底层与切割胶带的粘合面接触。通常使用温度为40℃-100℃、压力为5-40psi的层压过程将BWBL膜粘附到半导体晶片上。在一个实施方式中,在50℃至80℃之间的温度、15至30psi之间的压力下将膜层压到半导体晶片上。
本发明另一个实施方式是将半导体管芯粘附到基片上的方法。首先,使用上述多层粘合膜和切割胶带形成BWBL膜。其次,如上所述,将BWBL膜粘附到半导体晶片上,以便膜的顶层与半导体晶片的背面或非活性面直接接触。然后,通过施用紫外线照射,将顶层中的紫外线可固化树脂促发或基本上固化。向半导体晶片的背面施用紫外线照射,以便其经由切割胶带和多层粘合膜的底层,引发多层粘合膜顶层中紫外线可固化树脂的固化。可以以任意适于采用的具体制造过程的方式和剂量提供紫外线照射。紫外线照射剂量的范围通常在50-500mJ/cm2。在一个实施方式中,紫外线照射在100-300mJ/cm2的范围内。接下来,将半导体晶片连同粘附到其上的多层粘合膜一起切割成多个单独管芯结构。管芯可以是适于具体最终用途的任意大小和形状,并且可以使用本领域已知并实践的任意方法来完成切割。然后拾取所选的单独管芯结构并放置到基片上,以便将粘合膜布置在管芯背面和基片之间。通常使用自动管芯粘附设备来完成这种“拾取和放置”操作。最后,通过施用热使管芯粘附到基片上。在几秒到两小时的时间范围内和在90-180℃的温度范围内可以完成固化。固化可以在一个步骤中或多个步骤中完成。
应该注意的是,在上述方法实施方式中,紫外线固化是防止多层粘合膜的顶层在室温下流动的关键。当将单独管芯从切割胶带上移开时,紫外线固化进而防止切割后邻近管芯粘连在一起。
实施例
制备了三种示例性多层粘合膜,其底层膜的配方是相同的,而顶层的配方是不同的。不包括溶剂的层组合物如表1所列。
Figure BPA00001251345500171
通过在大约5000rpm下使用高速剪切混合器(high shear mixture)将所有组分混合30分钟直至获得均匀的混合物,来制备每一层。向上述组合物中添加50-80wt%的甲基乙基酮(MEK)溶剂,以溶解所有固体树脂并使混合物能够均匀地施用到剥离衬垫上。混合物在真空室中脱气,以释放气泡。然后,将混合物涂覆到有机硅涂覆的剥离衬垫上,并于100℃下在对流烤箱中干燥3分钟以形成膜。以充足的量来涂覆混合物,以便在干燥(B阶段处理)后,顶层膜为大约20μm厚,而底层膜为大约40μm厚。
用流变仪测试顶层膜样品,以测量紫外线照射前的熔融粘度。然后,将顶层膜样品暴露于500mJ/cm2的紫外线照射下,并再次测试熔融粘度。该测试结果如表2所示。
Figure BPA00001251345500181
使用辊式层压机(roll laminator)在80℃、20psi压力下将顶层膜样品层压到底层膜上,以形成相应的多层粘合膜。应该注意的是,当顶层膜样品被层压到底层膜上,形成多层粘合膜试样时,顶层膜样品还没有被照射。
测试多层粘合膜的管芯剪切强度(die shear strength)、重量损失、剥离强度、再粘附以及拾取性能。通过在室温下将所选择的多层粘合模层压到切割胶带上形成BWBL来制备用于测试管芯剪切强度的试样,其中多层粘合膜的底层紧靠切割胶带,而多层粘合膜的顶层被暴露。然后,在65℃、20psi下,将BWBL膜层压到硅晶片上,其中膜的顶层与晶片的背面或非活性面接触。然后将晶片背面上的膜暴露在200mJ/cm2的紫外线照射下。将晶片切割成具有多层粘合膜粘附的单独管芯结构。将单独管芯结构拾取、放置于较大的硅基片上,并在175℃下热固化1小时。管芯剪切强度于室温和260℃下在Dage管芯剪切强度测试仪上进行测试。对于每个样品测试5个试样,并报告算术平均值。一般而言,当在260℃下测试100x100密耳的管芯时,要求管芯剪切强度大于1.0kgf/管芯。应该注意的是,采用80x80密耳的管芯,用于这些实施例。因为通常期望较小的管芯给出具有相当粘合性的较低的管芯剪切强度读数,所以在80x80密耳的管芯上,大于1.0kgf/管芯的读数会被认为超过了通常的要求。
使用Perkin-Elmer热重分析仪(TGA),在10℃/分钟的缓变率(ramp rate)下测试各种温度下的重量损失。通常在粘合膜中测试重量损失,以确保粘合膜没过多的脱气(outgassing),所述脱气会导致最终组件中的空隙和其它性能问题。通常要求在150℃下小于0.8%的重量损失。
通过这样来评价剥离强度:将多层粘合膜在室温下层压到PSA切割胶带上,以便膜的底层与切割胶带的粘合(PSA)面接触,形成BWL膜。切割一英寸宽的BWL膜试样。使用双面胶带(在多层膜的底层和基片之间)将BWL膜试样层压到硅基片上,以便将切割胶带与基片相对而暴露。然后以180°的角度将切割胶带从多层粘合膜上剥离。测试剥离强度,以确保粘合膜没有过强地粘在切割胶带上。非常高的剥离强度会导致粘合膜从半导体管芯上脱层,并在管芯拾取过程中继续留在切割胶带上。通常要求在室温下小于0.2N/cm的剥离强度。
通过这样来评价管芯再粘附和拾取:将剥离衬垫从多层粘合膜的底层移开,并将其在室温下层压到PSA切割胶带上,以便多层粘合膜的底层紧靠切割胶带的粘合(PSA)面,形成BWBL膜。然后将剥离衬垫从BWBL膜的顶层(其最初是多层粘合膜的顶层)移开,并将BWBL膜在55℃下和20psi压力下层压到100μm厚的硅晶片的背面或非活性面上,其中BWBL膜的顶层紧靠晶片的背面。然后将粘附有BWBL的硅晶片的背面暴露于500mJ/cm2剂量的照射下,以固化多层粘合膜顶层中的紫外线可固化树脂。然后,将粘附有BWBL的晶片切割成单独管芯结构,其背面粘附有多层粘合膜,并且能够从BWBL膜的切割胶带上脱离。切割后立即从切割的晶片上手工拾取几个单独管芯结构,并注意任何邻近的管芯结构是否粘到正被拾取的管芯结构上。如果任何邻近的管芯结构粘到正被拾取的管芯结构上,该样品被记录为具有再粘附,并且拾取被评价为“差”。然而,如果没有邻近的管芯结构粘到正被拾取的管芯结构上,该样品被记录为“无”再粘附,并且拾取被评价为“良好”。然后,使切割的晶片在室温平放3天,并且重复拾取测试操作,以确定多层粘合膜在那段时间里是否已经充分流动,导致再粘附问题出现。多层粘合膜样品的测试结果列在表3中。
Figure BPA00001251345500191
Figure BPA00001251345500201
可以对本发明进行许多修改和变化而不偏离本发明的精神和范围,这对本领域的技术人员来说是明显的。本文描述的具体实施方式仅仅通过举例方式提供,并且本发明仅仅通过所附权利要求以及授予这些权利要求的等价物的全部范围进行限定。

Claims (20)

1.粘合膜,包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
2.权利要求1所述的粘合膜,其中所述顶层包含选自丙烯酸酯和双马来酰亚胺的紫外线可固化树脂。
3.权利要求1所述的粘合膜,其中所述底层包含环氧树脂。
4.权利要求1所述的粘合膜,其中所述顶层具有0至20℃之间的玻璃化转变温度。
5.层压到载带上的粘合膜,其中所述粘合膜包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
6.权利要求5所述的粘合膜,其中所述顶层包含选自丙烯酸酯和双马来酰亚胺的紫外线可固化树脂。
7.权利要求5所述的粘合膜,其中所述底层包含环氧树脂。
8.权利要求5所述的粘合膜,其中所述载带是选自PSA切割胶带和紫外线可固化切割胶带的切割胶带。
9.粘附到粘合膜上的半导体晶片,其中所述粘合膜包括:(a)顶层,其粘着到所述半导体晶片上,基本上是紫外线可固化的,并具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的。
10.权利要求9所述的半导体晶片,其中所述顶层包含选自丙烯酸酯和双马来酰亚胺的紫外线可固化树脂。
11.权利要求9所述的半导体晶片,其中所述底层包含环氧树脂。
12.将半导体管芯粘附到基片上的方法,其包括如下步骤:
a.提供粘合膜,其包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的;
b.提供载带,其具有背面和粘合面;
c.通过使所述粘合膜的所述底层与所述载带的所述粘合面接触,将所述粘合膜粘附到所述载带上,从而使所述粘合膜的所述顶层暴露,并从而形成堆叠晶片背面层压膜;
d.提供半导体晶片,其具有活性面和非活性面;
e.通过使所述粘合膜的所述顶层与所述半导体晶片的所述非活性面接触,将所述堆叠晶片背面层压膜粘附到所述半导体晶片上;
f.促发所述顶层;
g.将所述半导体晶片和粘附的多层粘合膜切割成多个单独管芯结构;
h.拾取所选的单独管芯结构;
i.提供基片;
j.将所选的单独管芯结构放置于所述基片上,以便将所述粘合膜布置在所述管芯的所述背面和所述基片之间;和
k.使用热将所述单独管芯结构粘附到所述基片上。
13.权利要求12所述的方法,其中所述顶层包含选自丙烯酸酯和双马来酰亚胺的紫外线可固化树脂。
14.权利要求12所述的方法,其中所述底层包含环氧树脂。
15.权利要求12所述的方法,其中所述顶层具有0至20℃之间的玻璃化转变温度。
16.权利要求12所述的方法,其中所述载带是选自PSA切割胶带和紫外线可固化切割胶带的切割胶带。
17.防止单独切割的管芯彼此粘连的方法,其包括如下步骤:
a)提供粘合膜,其包括:(a)顶层,其基本上是紫外线可固化的并且具有50℃或更低的玻璃化转变温度;和(b)底层,其基本上不是紫外线可固化的;
b)提供载带,其具有背面和粘合面;
c)通过使所述粘合膜的所述底层与所述载带的所述粘合面接触,将所述粘合膜粘附到所述载带上,从而使所述粘合膜的所述顶层暴露,并从而形成堆叠晶片背面层压膜;
d)提供半导体晶片,其具有活性面和非活性面;
e)通过使所述粘合膜的所述顶层与所述半导体晶片的所述非活性面接触,将所述堆叠晶片背面层压膜粘附到所述半导体晶片上;
f)促发所述顶层;
g)将所述半导体晶片和粘附的多层粘合膜切割成多个单独管芯结构;和
h)拾取所选的单独管芯结构。
18.权利要求17所述的方法,其中所述顶层包含选自丙烯酸酯和双马来酰亚胺的紫外线可固化树脂。
19.权利要求17所述的方法,其中所述底层包含环氧树脂。
20.权利要求17所述的方法,其中所述载带是选自压敏粘合剂(PSA)切割胶带和紫外线可固化切割胶带的切割胶带。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104582326A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 三星电机株式会社 印刷电路板的制造方法
TWI494410B (zh) * 2013-04-10 2015-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 膠帶
CN104471695B (zh) * 2012-07-03 2017-09-19 赫普塔冈微光有限公司 使用真空吸盘固持晶片或晶片子堆叠
CN108701640A (zh) * 2016-04-28 2018-10-23 琳得科株式会社 保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片
CN110621926A (zh) * 2017-03-13 2019-12-27 费德罗-莫格尔动力系公司 具有其上覆有保护层的低熔点粘合剂涂层的织物套管及其构造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
KR20120080385A (ko) * 2011-01-07 2012-07-17 삼성전자주식회사 패턴 형성용 접착 필름 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키징 방법
US8969177B2 (en) * 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
KR101961996B1 (ko) * 2014-08-29 2019-03-25 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착 필름
JP2016063060A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
EP3098277A1 (en) 2015-05-27 2016-11-30 Henkel AG & Co. KGaA Pre-cut film and a production method thereof
TWI731964B (zh) * 2016-04-28 2021-07-01 日商琳得科股份有限公司 保護膜形成用複合片
TWI772293B (zh) * 2016-04-28 2022-08-01 日商琳得科股份有限公司 附有保護膜的半導體晶片的製造方法以及半導體裝置的製造方法
TWI778960B (zh) * 2016-04-28 2022-10-01 日商琳得科股份有限公司 保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片、以及附有保護膜的半導體晶片之製造方法
JP7285075B2 (ja) * 2016-04-28 2023-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
KR102410096B1 (ko) * 2016-04-28 2022-06-17 린텍 가부시키가이샤 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20210058164A (ko) 2019-11-13 2021-05-24 주식회사 비티씨 아그리모니 추출물의 제조방법 및 그 추출물을 포함하는 간기능 개선용 또는 간질환 치료용 조성물

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US20040072933A1 (en) * 2002-09-23 2004-04-15 Shustack Paul J. Curable adhesive compositions
JP2006054437A (ja) * 2005-07-08 2006-02-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
CN1806326A (zh) * 2004-03-15 2006-07-19 日立化成工业株式会社 切割用芯片粘贴薄膜
CN1993809A (zh) * 2004-08-03 2007-07-04 古河电气工业株式会社 半导体器件制造方法及晶片加工带

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2732021B2 (ja) * 1993-10-22 1998-03-25 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
US5912282A (en) * 1996-12-16 1999-06-15 Shell Oil Company Die attach adhesive compositions
DE10140145A1 (de) * 2001-08-16 2003-03-06 Basf Coatings Ag Thermisch und mit aktinischer Strahlung härtbare Beschichtungsstoffe und ihre Verwendung
JP2003277699A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Dainippon Ink & Chem Inc 半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ
JP4284922B2 (ja) * 2002-05-13 2009-06-24 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
US20050227064A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Hwail Jin Dicing die bonding film
JP4794971B2 (ja) * 2005-03-23 2011-10-19 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドシート
JP4979063B2 (ja) * 2006-06-15 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US20040072933A1 (en) * 2002-09-23 2004-04-15 Shustack Paul J. Curable adhesive compositions
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
CN1806326A (zh) * 2004-03-15 2006-07-19 日立化成工业株式会社 切割用芯片粘贴薄膜
CN1993809A (zh) * 2004-08-03 2007-07-04 古河电气工业株式会社 半导体器件制造方法及晶片加工带
JP2006054437A (ja) * 2005-07-08 2006-02-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104471695B (zh) * 2012-07-03 2017-09-19 赫普塔冈微光有限公司 使用真空吸盘固持晶片或晶片子堆叠
US9793152B2 (en) 2012-07-03 2017-10-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack
US9899251B2 (en) 2012-07-03 2018-02-20 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack
TWI494410B (zh) * 2013-04-10 2015-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 膠帶
CN104582326A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 三星电机株式会社 印刷电路板的制造方法
CN104582326B (zh) * 2013-10-25 2019-01-08 三星电机株式会社 印刷电路板的制造方法
CN108701640A (zh) * 2016-04-28 2018-10-23 琳得科株式会社 保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片
TWI782910B (zh) * 2016-04-28 2022-11-11 日商琳得科股份有限公司 保護膜形成用膜以及保護膜形成用複合片
CN108701640B (zh) * 2016-04-28 2022-12-20 琳得科株式会社 保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片
CN110621926A (zh) * 2017-03-13 2019-12-27 费德罗-莫格尔动力系公司 具有其上覆有保护层的低熔点粘合剂涂层的织物套管及其构造方法

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