CN1501440A - 可在连接状态下进行质量流控制器检查的半导体制造装置 - Google Patents

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Abstract

在半导体制造装置工作时，控制多个阀(121～147)的开闭，使多种气体直接流入气体室(105)中，在质量流控制器(MFC2’)(102’)检查时，控制多个阀(121～147)的开闭，使气体A流入质量流计(MFM1～3)(151～153)。因而，可以在连接质量流控制器(MFM2’)(102’)状态下进行检查。

Description

可在连接状态下进行质量流控制器检查的半导体制造装置
技术领域
本发明涉及通过控制蚀刻器、CVD(化学气相淀积)等的气体流量来进行半导体制造的半导体制造装置，特别是涉及进行流量控制仪器、流量指示仪器等的自动检查和自动转换的半导体制造装置。
背景技术
近年来，半导体器件正在进入到各种各样的装置中，其消耗量在不断增长。这种半导体器件的制造装置包括蚀刻机、CVD等使用各种气体来进行处理的装置。通常，在用各种气体进行处理的制造装置中，使用了控制气体流量的质量流控制器(MFC)，指示气体流量的检查用质量流计(MFM)等。
作为涉及这样的半导体制造装置的技术，有公告在特开平6-53103号公报和特开平5-108167号公报上的发明。
公告在特开平6-53103号公报上的半导体制造装置中，为了自动地校正质量流控制器的的流量特性，设置了一个或多个校正用质量流控制器，并有串联连接测量用质量流控制器和校正用质量流控制器的配管系统，让反应性弱的气体流过。
另外，在公告于特开平5-108167号公报上的控制装置中，顺序控制器是从质量流控制器的的控制开始，通过监视一定时间的工作变动状态来检测质量流控制器的异常的装置。
公告于上述的特开平6-53103号公报上的半导体制造装置中，由于有串联连接测量用质量流控制器和校正用质量流控制器的配管系统，可以对作为被检对象的测量用质量流控制器进行校正。但是，用校正用质量流控制器进行气体的流量控制，由于该气体流到作为被检对象的测试用质量流控制器中，存在着仅只能进行测量用质量流控制器的流量传感器部位的检查，而不能确认测量用质量流控制器的流量控制性能这样的问题。
另外，由于检查用的气体经过别的的路径流入校正用质量流控制器，配管系统会变得复杂，同时还需要零件、配管等的费用，因此存在着半导体制造装置成本增加的问题。
还有，在公告于特开平5-108167号公报的控制装置中，顺序控制器是检测质量流控制器异常的装置。但是，在检测出质量流控制器的异常的情况下，要停止半导体制造装置的运转并拆卸配管，在更换质量流控制器之后，必须进行泄漏检测、过程检测等检查。因而，存在着半导体装置停工时间长的问题。
发明内容
本发明的目的是提供可在连接有质量流控制器的状态下进行质量流控制器的检查的半导体制造装置。
本发明的半导体制造装置是用多种气体来进行处理的半导体制造装置，其中设有：流入多种气体的气体室；对应于多种气体而设置的多个质量流控制器；测量多种气体的流量的质量流计；控制多种气体的流动的多个阀门；以及用以在半导体制造装置工作时控制多个阀门的开闭使多种气体直接流入气体室，在质量流控制器的检查时控制多个阀门的开闭使多种气体中的任意一种流入质量流计的控制部分。
依据本发明的半导体制造装置，在质量流控制器的检查时，由于控制部分控制多个阀门的开闭，使多种气体中的任意一种流入质量流计，因此可以在连接质量流控制器的状态下进行质量流控制器的检查。
依据本发明的另一形态，半导体制造装置是用多种气体进行处理的半导体制造装置，其中设有：流入多种气体的气体室；对应于多种气体而设置的多个质量流控制器；控制多种气体流动的多个阀；以及用以在半导体制造装置工作时控制多个阀门的开闭使多种气体直接流入气体室，在第一质量流控制器的检查时控制多个阀门的开闭使第一种气体经由第二质量流控制器流入第一质量流控制器的控制部分。
由于在第一质量流控制器的检查时控制部分控制多个阀的开闭，使第一种气体经由第二质量流控制器流入第一质量流控制器，所以，在连接有第一和第二质量流控制器的状态下，可以进行对第一质量流控制器的检查。
本发明的上述和其它的目的、特征、形态和优点，从参照附图理解的本发明的以下的详细说明中可以清晰了解。
附图说明
图1是说明蚀刻器、CVD等一般的半导体制造装置的气流的示图。
图2是表示本发明的第一实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。
图3是说明在本发明的第一实施例中的半导体制造装置的MFM1～3的检查时的气流的示图。
图4是表示在本发明的第一实施例中检查半导体制造装置的计算机的结构例的框图
图5是说明在本发明的第一实施例中的半导体制造装置的检查时，计算机的处理步骤的流程图。
图6是表示一例MFC选择画面的示图。
图7是表示一例检查项目设定画面的示图。
图8是表示一例检查结果显示画面的示图。
图9是更详细说明示于图5的步骤S105的处理的流程图。
图10是为了详细说明示于图5的步骤S110(MFC自动转换处理)的流程图。
图11是表示本发明的第二实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。
图12是说明本发明的第二实施例中的半导体制造装置的处理步骤的流程图。
图13是表示在本发明的第三实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。
图14A和图14B是表示一例改造已设的半导体制造装置并设置图13所示的旁路管线的情况的示图。
图15是表示本发明的第四实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。
具体实施方式
(第一实施例)
图1是说明蚀刻器、CVD等一般的半导体制造装置的气流的示图。该半导体制造装置设有：质量流控制器(MFC)1～4(101～104)；气体室105；止回阀106～108；气动阀(以下仅称为阀)109～120。
在该结构中，例如在MFC2(102)上发生异常时，由于不能检查它，需要关闭阀111～113之后，卸下MFC2(102)单独进行检查。
图2是表示本发明的第一实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。该图表示在质量流控制器(MFC2’)检查时的气流。该半导体制造装置设有：MFC1～4(101～104)；MFC2’～4’(102’～104’)；气体室105；止回阀106～108；阀121～147；质量流计(MFM)1～6(151～156)。另外，半导体制造装置的各构成部分可用后述的计算机加以控制。
MFC2’～4’(102’～104’)是分别与MFC2～4(102～104)相同一品种的质量流控制器，在MFC2～4(102～104)上发生异常时，被换上来进行气体流量的控制。例如，在图2中示出MFC2(102)被替换成MFC2’(102’)后的状态，在关闭阀124和125并停止MFC2(102)的工作的同时，打开阀127和128让MFC2’(102’)开始工作。于是，在MFC2(102)被判断为异常时转换到MFC2’(102’)，可以不使半导体制造装置停止运转而向气体室105流入气体A。
另外，MFM1～6(151～156)分别是流量范围不同的质量流计。质量流计等流量指示仪器由于流量的满量程不同，流量精度也各异。例如，如果用大流量的流量测定量小流量的气体，则测量误差会变大。因而，测量小流量的气体时，要用适于该流量值的质量流计。再者，MFM的流量范围和数量可以根据MFC的流量范围任意选择。
图2示出进行MFC2’(102’)检查的情况，打开阀142、144和147，来自MFC2’(102’)的气体经MFM1～MFM3(151～153)流入气体室105。这时，阀141、143、145和146关闭。另外，在检查其它MFC时，对适当的阀进行开闭控制。
图3是说明检查本发明实施例中的半导体制造装置的质量流计(MFM1～3)时的气流示图。在MFM检查用端口上连接有用以检查MFM1～6(151～156)的薄膜流量计等的外部检查仪器。打开阀121、122、142、144和146，其它的阀全部关闭，N2(氮)气通过MFM检查用端口流入外部的检查仪器。于是，可以不开放气体室进行MFM1～3(151～153)的精度确认。再有，进行MFM4～6(154～156)的精度确认时，阀121、122、143、145和146被打开，其它的阀全部关闭。
图4是表示检查本发明第一实施例中的半导体制造装置的计算机结构例的框图。该计算机包括计算机主机201、显示装置202、装有FD(软盘)204的FD驱动器、键盘205、鼠标206、装有CD-ROM(光盘只读存储器)208的CD-ROM装置207和仪器控制用接口209。
检查半导体制造装置的程序(以下称检查程序)由FD204或CD-ROM208等记录媒体供给。通过用计算机主机201执行检查程序，进行对半导体制造装置的检查。
计算机主机201设有：CPU(中央处理器)210、ROM(只读存储器)211、RAM(随机存取存储器)212和硬盘213。CPU210一边与显示装置202、FD驱动器203、键盘205、鼠标206、CD-ROM装置207、仪器控制用接口209、ROM211、RAM212或硬盘213进行数据的输入输出，一边进行处理。记录在FD204或CD-ROM208中的检查程序用CPU210经由FD驱动器203或CD-ROM装置207暂时存储到硬盘213上。CPU210将适当的检查程序从硬盘213装载到RAM212上并加以执行，进行对半导体制造装置的检查。
图5是说明本发明第一实施例中的半导体制造装置检查时的计算机处理步骤的流程图。首先，计算机将用以选择作为检查对象的MFC的画面(以下称为MFC选择画面)在显示装置202上显示，让操作者选择进行检查的MFC(S101)。
图6是表示一例MFC选择画面的示图。在该MFC选择画面上表示了半导体制造装置的整体结构，由操作者反像显示所选择的(用鼠标206点击)MFC。在图6中示出了由操作者选择的MFC2’(102’)的地方。另外，可以选择多个MFC作为检查对象。
接着，计算机将用以对所选择的MFC设定检查项目的画面(以下称为检查项目设定画面。)显示在显示装置202上，让操作者设定检查项目(S102)。
图7是一例表示检查项目设定画面的示图。在该检查项目设定画面上显示了作为检查项目的流量精度检查、重复精度检查与线性检查。操作者可以从显示在检查项目设定画面上的检查项目中选择多个检查顶目。
在选择流量精度检查时，设定对MFC的流量范围的检查范围(％)和该时刻的检查间隔(％)。在图7中，检查范围设定为0-100％，检查间隔设定为10％。
另外，在选择重复精度检查时，设定其重复次数。在图7中，重复次数设定为5次。对于线性检查，没有供操作者设定的顶目。
然后，计算机参照在MFC选择画面和检查项目设定画面中所设定的MFC的个数和检查项目，计算检查需要的时间并在示于图7的检查项目设定画面上显示检查所需时间(S103)。在图7中，检查所需时间显示为1小时15分钟。
操作者确认显示在检查项目设定画面上的各项目，如用鼠标点击显示在检查项目设定画面上的「检查开始」，就根据已设定的检查项目开始半导体制造装置的检查(S104)。
计算机从由操作者选择的MFC和检查项目中选择对该检查最适当的MFM(S105)。然后，对所选择的MFC实施所设定的检查项目的检查并进行判定(S106)。如果检查对象的MFC是合格的(S106，OK)，则在用以显示检查结果的画面(以下称检查结果显示画面)上显示检查合格(S107)，半导体制造装置继续进行半导体器件的生产(S108)。
而如果检查对象的MFC不合格(S106，NG)，则在检查结果显示画面上显示检查不合格(S109)，执行MFC自动转换处理(S110)。
图8是表示一例检查结果显示画面的示图。在该检查结果显示画面的流量精度检查结果中，显示了MFC的设定值、由MFM产生的实测值、判定标准、误差和判定结果。在图7所示的检查项目设定画面中，作为流量精度检查的检查范围设定在0～100％，检查间隔设定在10％，所以，对MFC设定0％，10％，20％，...，100％，根据该时刻MFM测定的流量被作为实测值显示。在该流量精度检查结果中，相对设定值的实测值的误差达到作为全部判定标准的±3％以下，因而，被判定为合格。
另外，在重复精度检查结果中，显示了MFC的设定值、MFM测得的实测值的平均值、判定标准、标准偏差和判定结果。在示于图7的检查项目设定画面中，由于作为重复精度检查的重复次数设定为5次，所以在FMC上设定0％、10％％、20％...100％的流量各5次，根据那时的MFM测量的5次流量的平均值作为实测平均被显示，计算并显示那时的标准偏差。在这个重复精度检查结果中，由于相对于设定值的标准偏差达到作为全部判定基准的±0.33％以下，所以，判定为合格。
在线性检查结果中，表示了用最小二乘法计算的MFC的设定值(X)和由MFM产生的实测值(Y)的线性式。在所计算的系数a比0.99大，系数b比0.01小的情况下，线性检查判定为合格。在图9中，由于a＝0.9994、b＝0.0003，被判定为合格。另外，MFC的设定值和由MFM得到的实测值的关系在图中用曲线表示。
图9是更详细地说明示于图5的步骤S105的处理的流程图。首先，计算机计算由MFC产生的气体的实际流量(S111)。由MFC产生的气体的实际流量按下式计算：(MFC的设定流量)×〔实际流过气体的CF(转换系数)〕/(被校正后的MFC的CF)。
作为一例，在SiH4气体用的MFC〔满量程为1SLM(标准升/分)〕中流过N2气体500SCCM(标准毫升/分)，就从100SCCM、1SLM、10SLM的3个MFM中选出最佳的MFM满量程的情况进行说明。如实际流过气体的CF取为1，将校正后的MFC的CF取为0.596，则N2气体的实际流量为500×1/0.596＝838.9SCCM。
接着，计算机判定气体的实际流量是否在90SCCM以下(S112)。如果气体的流量在90SCCM以下(S112，OK)，则选择100SCCM的MFM(S113)。另外，如果气体的实际流量比90SCCM大(S112，NG)，则计算机判定气体的实际流量是否在900SCCM以下(S114)。
如果气体的流量在900SCCM以下(S114，OK)，则选择1SLM的MFM(S115)。另外，如果气体的实际流量比900SCCM大(S112，NG)，则选择10SLM的MFM(S116)。在上述的SiH4气体用的MFC的情况下，可选择1SLM的MFM。
图10是详细说明图5所示的步骤S110(MFC自动转换处理)的流程图。首先，计算机选择作为被检对象的正在工作的MFC中的任意一个(S121)。这时，就选择MFC2’(102’)作为被检对象的情况进行说明。
接着，操作者选择对被检对象的MFC2’(102’)检查项目(S122)。这时，显示与图7所示的检查项目设定画面同样的画面，让操作者设定检查项目。
接着，计算机对作为被检对象的MFC2’(102’)执行由操作者所设定的检查项目的检查，判定检查结果合格与否(S123)。如果MFC2’(102’)的检查结果合格(S123，OK)，则将表示检查结果合格的画面在显示装置202上显示并结束处理(S124)。这时，显示与图8所示的检查结果显示画面同样的画面，向操作者示出检查结果合格。
另外，如果检查结果不合格(S123，NG)，则将表示检查结果不合格的画面在显示装置202上(S125)显示，进行阀的开闭控制并将被检对象从MFC2’(102’)变更成MFC2(102)(S126)。
接着，计算机对作为被检对象的MFC2(102)执行检查，判断检查结果合格与否(S127)。如果MFC(102)的检查结果合格(S127，OK)，则将表示检查结果合格的画面显示在显示装置202上(S129)，将加工过程用MFC转换成MFC2(102)，继续用半导体制造装置进行半导体器件的生产。
另外，如果检查结果不合格(S127，NG)，则停止半导体制造装置的运转，由操作者将MFC2’(102’)和MFC2(102)更换成合格品。然后，返回步骤121，重复同样的处理。
如上所述，依据本实施例中的半导体制造装置，由于设置了多个同一品种的MFC作为各气体用的MFC，MFC发生异常时，只需对阀的关闭加以控制而转换到另一MFC，从而不需要进行MFC的更换、工艺过程确认等作业，可以继续半导体制造装置的运转。
并且，在半导体制造装置内设置多个MFM，通过对阀的开闭的控制使来自MFC的气体流入MFM，因此，可以在连接到气体室、CVD等的半导体制造装置的状态下进行对MFC的检查。
另外，由于设置了MFM检查用端口，可以连接外部的检查仪器，可以容易地进行半导体制造装置内的MFM的精度确认。
(第二实施例)
图11是表示本发明的第二实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。该半导体制造装置设有：真空室161；阀162和163；真空表VG1(164)和VG1’(165)。另外，半导体制造装置的各构成部分可由图4所示的计算机控制。本实施例中就真空表的情况作了说明，但是，所作说明当然也能适用于各种传感器。
图11中，阀162打开，阀163关闭，用VG1(164)测量真空室161内的真空度。并且，若阀162关闭，阀163打开，则可以用VG1’(165)测量真空室161内的真空度。
图12是说明本发明第二实施例中的半导体制造装置的处理步骤的流程图。首先，计算机选择作为被检对象的正在工作的真空表中的任意一个(S131)。这时，就选择VG1(164)作为被检对象的情况进行说明。
接着，操作者选择对被检对象的VG1(164)检查项目(真空精度等)(S132)。这时，显示与图7所示的检查项目设定画面同样的画面，让操作者设定检查项目。
接着，计算机对作为被检对象的VG1(164)执行由操作者设定的检查项目的检查，判定检查结果合格与否(S133)。如果VG1(164)的检查结果合格(S133，OK)，则将表示检查结果合格的画面显示在显示装置202上并结束处理(S134)。这时，显示与图8所示的检查结果表示画面同样的画面，向操作者示出检查合格。
另外，如果检查结果不合格(S133，NG)，则将表示检查结果不合格的画面显示在显示装置202上(S135)，进行阀的开闭控制并将阀从VG1(164)转换至VG1’(165)(S136)，然后用半导体制造装置继续进行半导体器件的生产。
如上所述，依据本实施例中的半导体制造装置，由于设置了多个同样的真空表，当工作中的真空表发生异常时，可以对阀的开闭加以控制而转换成另外的真空表，从而不需要进行真空表的更换等作业，可以继续用半导体制造装置进行半导体器件的生产。
(第三实施例)
图13是表示本发明第三实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。与图1所示的半导体制造装置的概略结构相比，本例的不同点在于：在MFC1(101)和阀110之间设有阀301，再就是设置阀302作为旁路管线(校正用管线)。
在图13中示出，将MFC1(101)作为检查用MFC，检查MFC2(102)时的气流，阀109、111、113、120和301打开，除此以外的阀全部关闭。于是，通过比较设定在MFC1(101)上的N2气的流量与用MFC2(102)测量得到的流量，对MFC2(102)进行校正。其前提是MFC1(101)的流量控制能正确执行。
再有，可以通过阀111和113的关闭，以及阀114和116的打开，进行MFC3(103)的校正。同样，也可以通过阀111和113的关闭，阀117和119的打开，进行MFC4(104)的校正。还有，阀的开闭控制和MFC的控制等与第一实施例一样，用图4所示的计算机等来执行。
图14A和图14B是表示一例改造原先设置的半导体制造装置，设置图13所示的旁路管线的情况的示图。图14A表示图1所示的原先设置的半导体制造装置的MFC1(101)和其前后的阀109和110。如图14B所示，仅将阀109和110置换成阻塞阀303和304，配管布局不作大规模的变更，就可以增加旁路管线。另外，在阻塞阀303和304之间的旁路管线上连接与止回阀106、107和108相连的配管。
如上所述，依据本实施例中的半导体制造装置，由于增加阀301和302并设置旁路管线，指定MFC1(101)作为检查用的MFC进行其它的MFC2～4(102～104)的校正，所以，可以在与气体室、CVD等的半导体制造装置相连接的状态下进行MFC的检查。
另外，由于可以仅将已经设置的阀置换成阻塞阀并设置旁路管线，所以容易地将已经设置的半导体制造装置改造为可检查的半导体制造装置。
(第四实施例)
图15是表示本发明的第四实施例中的半导体制造装置的概略结构的框图。与图1所示的半导体制造装置的概略结构相比，本例的不同点在于，增加了阀302和MFC5(305)作为校正管线。
图15中，MFC5(305)设为检查用MFC，图中示出了检查MFC2(102)时的气流，阀111、113、120和302打开，除此以外的阀全部关闭。于是，通过比较设定在MFC5(305)上的N2气流量和用MFC2(102)测得的流量，对MFC2(102)进行校正。其前提是MFC5(305)的流量控制能正确执行。
还有，可以通过阀111和113的关闭，以及阀114和116的打开，进行对MFC3(103)的校正。同样，可以通过阀111和113的关闭，以及阀117和119的打开，进行对MFC4(104)的校正。并且，阀的开闭控制和MFC的控制等与第一实施例一样，可用图4所示的计算机等来进行。
如上所述，依据本实施例中的半导体制造装置，由于增加阀302和MFC5(305)来设置校正管线，将MFC5(305)作为检查用MFC，进行对MFC2～4(102～104)的校正，因而，可以在与气体室、CVD等与半导体制造装置连接的状态下进行对MFC的检查。
并且，由于在吹扫和校正以外的通常操作中没有气体流入MFC5(305)，与第三实施例相比，检查用MFC(MFC5)的可靠性能够得到提高。
上面详细地说明并描述了本发明，但应当明白，上述内容仅是例示，并不对本发明构成限制，本发明的精神和范围仅由所附的权利要求范围加以规定。权利要求

Claims (14)

1.使用多种气体进行处理的半导体制造装置，其中设有：
所述多种气体流入的气体室；
对应于所述多种气体设置的多个质量流控制器；
测定所述多种气体的流量的质量流计；
控制所述多种气体的流动的多个阀；以及
在所述半导体制造装置工作时控制所述多个阀的开闭，使所述多种气体直接流入所述气体室，并在质量流控制器检查时控制所述多个阀的开闭，使所述多种气体中的任意一种流入所述质量流计的控制部分。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：
所述半导体制造装置包含多个质量流计；
所述控制部分根据检查对象即质量流控制器的流量范围，从所述多个质量流计中选择流量范围最合适的质量流计。
3.如权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部分基于设定在所述检查对象即质量流控制器上设定的流量和转换系数计算气体的实际流量，并从所述多个质量流计中选择流量范围最合适的质量流计。
4.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部分按照操作者的指示，选择所述多个质量流控制器中任意的质量流控制器作为检查对象。
5.如权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部分按照操作者设定的质量流控制器的检查范围和检查间隔，检查作为所述检查对象选择的质量流控制器。
6.如权利要求5所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部分把满量程内的任意值设定在该质量流控制器上，作为所述质量流控制器的检查范围。
7.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：
所述控制部分根据预先确定的基准值判定检查对象即质量流控制器合格与否；
所述半导体制造装置还设有将所述控制部分所判定的“合格与否”加以显示的显示部分。
8.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：
所述半导体制造装置还设有与所述多个质量流控制器中的第一质量流控制器并列配置的、与所述第一质量流控制器同一品种的第二质量流控制器；
所述控制部分在检测出所述第一质量流控制器的异常时，控制所述多个阀的开闭，使所述第二质量流控制器工作。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体制造装置还设有与外部检查仪器相连接的外部端口；
所述控制部分控制所述多个阀的开闭，使所述多种气体中的任意一种经由所述质量流计和所述外部端口流入所述外部的检查仪器。
10.使用多种气体进行处理的半导体制造装置，其中设有：
所述多种气体流入的气体室；
测定所述气体室内的状态的第一传感器；
与所述第一传感器并列设置的、与所述第一传感器同一品种的第二传感器；
设置在所述气体室和所述第一传感器之间的第一阀；
设置在所述气体室和所述第二传感器之间的第二阀；以及
在检测出所述第一传感器的异常时，控制所述第一阀和所述第二阀的开闭，使所述第二传感器工作的控制部分。
11.使用多种气体进行处理的半导体制造装置，其中设有：
所述多种气体流入的气体室；
对应所述多种气体而设置的多个质量流控制器；
控制所述多种气体的流动的多个阀；以及
在所述半导体制造装置工作时控制所述多个阀的开闭，使所述多种气体直接流入所述气体室，在第一质量流控制器检查时控制所述多个阀的开闭，使第一气体经由第二质量流控制器流入所述第一质量流控制器的控制部分。
12.如权利要求11所述的半导体制造装置，其特征在于：在所述半导体制造装置工作时，所述第一气体流入所述第二质量流控制器。
13.如权利要求11所述的半导体制造装置，其特征在于：通过在所述第二质量流控制器的前后设置阻塞阀，构成所述第一气体经由所述第二质量流控制器流入所述第一质量流控制器的旁路管线。
14.如权利要求11所述的半导体制造装置，其特征在于：在所述半导体制造装置工作时，所述多种气体中的任一种均不流入所述第二质量流控制器。
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