JP5803552B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5803552B2 JP5803552B2 JP2011227116A JP2011227116A JP5803552B2 JP 5803552 B2 JP5803552 B2 JP 5803552B2 JP 2011227116 A JP2011227116 A JP 2011227116A JP 2011227116 A JP2011227116 A JP 2011227116A JP 5803552 B2 JP5803552 B2 JP 5803552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow rate
- processing
- flow
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 46
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 232
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F5/00—Measuring a proportion of the volume flow
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
- Y10T137/7759—Responsive to change in rate of fluid flow
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
- Y10T137/7761—Electrically actuated valve
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8158—With indicator, register, recorder, alarm or inspection means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Flow Control (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
また本発明は、使用するガス種を入力することなく開閉弁の開閉指示を入力することにより、被処理体の処理で使用する各ガス種を特定して、この供給及び供給停止を制御することができる処理装置である。
これにより、使用するガス種を入力することなく開閉弁の開閉指示を入力することにより、被処理体の処理で使用する各ガス種を特定して、この供給及び供給停止を制御することができる。
本発明の関連技術によれば、ガス通路に流れるガスの流量を制御する流量制御装置において、被処理体の具体的な処理態様を表すプロセスレシピの作成時に従来行われていたコンバージョンファクタ値を用いた煩雑な手計算等を不要にすることができ、従って、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことができる。
本発明によれば、使用するガス種を入力することなく開閉弁の開閉指示を入力することにより、被処理体の処理で使用する各ガス種を特定して、この供給及び供給停止を制御することができる。
次に、上記流量制御装置30の構成について、図2及び図3も参照して説明する。この流量制御装置30は、上記ガス通路28の途中に介設されて、両端が上記ガス通路28の上流側と下流側に接続される主ガス管50を有しており、この両端のフランジ50Aで上記ガス通路28に接続されている。
次に、以上のように構成された処理装置2の動作について説明する。まず、オペレータは、半導体ウエハWの処理すべき手順を示すプロセスレシピをコンピュータに読み取り可能なプログラムとして入出力部44から入力し、例えば記憶媒体42に記憶させておく。このプロセスレシピを外部より通信により入力する場合もある。このプロセスレシピには、この処理装置2の全体の各構成部品の動作の手順、すなわち各工程の手順が予め規定されている。そして、プロセスレシピの入力時には、処理時のプロセス圧力、プロセス温度、プロセス時間、用いるガス種(ガス種に関する情報)、各ガス種の流量(設定流量)、各開閉弁の開閉動作等のプロセス条件なども入出力部44より入力できるようになっている。
ここで実際の成膜時の動作の一例について説明する。ここではシリコンナイトライド膜(SiN膜)を成膜する場合を例にとって説明する。図4はSiN膜を成膜する時の各ガスの供給形態の一例を示すタイミングチャートである。ここではガス種の一例としてアンモニア[NH3 ](図4(A)、ジクロルシラン[DCS](図4(B)、窒素[N2 ](図4(C)を用いている。従って、図1に示すようなガス供給系26として上記3種類のガス種に対応するガス供給系が設けられており、そのいずれのガス供給系にも先に説明したようにガス種に対応した流量制御装置30が設けられる。また、処理装置全体の動作は1つの装置制御部40により行われる。
4 処理装置本体
6 処理容器
8 ウエハボート(保持手段)
12 加熱手段
18 排気系
26 ガス供給系
28 ガス通路
30 流量制御装置
32,34 分岐ガス路
40 装置制御部
44 入出力部
46 表示部
48 通信ライン
50 主ガス管
52 流量検出手段
54 流量制御弁機構
56 換算データ記憶部
58 流量制御本体
60 通信部
62 バイパス管
64 センサ管
68 センサ回路
70 流量制御弁
V1 第1の開閉弁
V2 第2の開閉弁
V3 第3の開閉弁
Sa ガス種選択信号
Sb 流量指示信号
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (4)
- 被処理体に対して処理を施す処理装置において、
前記被処理体を収容する処理容器を有して前記被処理体に対して処理を施す処理装置本体と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
異なるガス種を流すために開閉弁が介設された複数の分岐ガス路が形成され、下流側が前記処理容器に接続されたガス通路を有するガス供給系と、
前記ガス通路の上流側に介設された装置であって、前記ガス通路に接続される主ガス管と、前記主ガス管に流れるガスの流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段と、前記主ガス管に設けられて弁開度を変えることによって流量を制御する流量制御弁機構と、外部より入力される流量指示信号と目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する換算データ記憶部と、外部より入力されるガス種選択信号に基づいて前記複数の換算データから対応する換算データを選択すると共に前記流量指示信号に基づいて前記目標流量を求め、該目標流量と前記流量信号とに基づいて前記流量制御弁機構を制御する流量制御本体とを有してガス流量を制御する流量制御装置と、
少なくともガス種に関する情報と設定流量とを含む処理情報を入出力する入出力部を有すると共に前記ガス種と前記開閉弁とが予め関連づけられたメモリを有しており、前記ガス種に関する情報として前記開閉弁を特定することによりガス種を特定して前記ガス種選択信号を形成するようになされて装置全体の制御を行う装置制御部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記流量制御装置は、前記流量指示信号と前記ガス種選択信号とに関して外部と通信を行う通信部を有することを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記装置制御部は、表示部を有し、流量を最大に流すことができるフルスケールの流量がガス種に応じて表示するようになされていることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記装置制御部は、動作の手順が予め規定されたプロセスレシピにおける各工程と用いるガス種とが予め関連付けられており、前記ガス種に関する情報として前記プロセスレシピの工程を特定することによりガス種を特定できるようになされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011227116A JP5803552B2 (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 処理装置 |
KR1020120111257A KR101572915B1 (ko) | 2011-10-14 | 2012-10-08 | 유량 제어 장치 및 처리 장치 |
CN201210384397.XA CN103049008B (zh) | 2011-10-14 | 2012-10-11 | 流量控制装置以及处理装置 |
US13/650,247 US8893743B2 (en) | 2011-10-14 | 2012-10-12 | Flow rate controller and processing apparatus |
TW101137591A TWI503641B (zh) | 2011-10-14 | 2012-10-12 | 處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011227116A JP5803552B2 (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013088926A JP2013088926A (ja) | 2013-05-13 |
JP5803552B2 true JP5803552B2 (ja) | 2015-11-04 |
Family
ID=48061684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011227116A Active JP5803552B2 (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8893743B2 (ja) |
JP (1) | JP5803552B2 (ja) |
KR (1) | KR101572915B1 (ja) |
CN (1) | CN103049008B (ja) |
TW (1) | TWI503641B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9146563B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
CN104216423B (zh) * | 2013-05-31 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统 |
CN104750049B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体制造中气路配置处理的方法及系统 |
KR102150579B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2020-09-01 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 열식 질량 유량 측정 방법, 당해 방법을 사용하는 열식 질량 유량계 및 당해 열식 질량 유량계를 사용하는 열식 질량 유량 제어 장치 |
CN104216425B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-07-25 | 湖南三德科技股份有限公司 | 用于电子流量控制器的载气类型自动识别方法及电子流量控制器 |
CN110114601B (zh) * | 2016-12-26 | 2020-10-27 | 株式会社富士金 | 压电元件驱动式阀以及流量控制装置 |
EP3421849A1 (de) * | 2017-06-30 | 2019-01-02 | VAT Holding AG | Vakuumventil mit temperatursensor |
JP7216425B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2023-02-01 | 株式会社フジキン | 流量制御装置 |
CN110767568B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备 |
CN110952076A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气路控制方法及装置、半导体处理设备 |
CN115295461B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-04-14 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6421512A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nec Corp | Gas mass flow rate control device |
US5062446A (en) * | 1991-01-07 | 1991-11-05 | Sematech, Inc. | Intelligent mass flow controller |
US5441076A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-15 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus using gas |
US5439026A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-08 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and flow control arrangement therefor |
US5549137A (en) * | 1993-08-25 | 1996-08-27 | Rosemount Inc. | Valve positioner with pressure feedback, dynamic correction and diagnostics |
US5669419A (en) * | 1996-07-11 | 1997-09-23 | Keystone Machine And Tool Co. | Apparatus for the measurement and control of gas flow |
US5911238A (en) * | 1996-10-04 | 1999-06-15 | Emerson Electric Co. | Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method |
US5827179A (en) * | 1997-02-28 | 1998-10-27 | Qrs Diagnostic, Llc | Personal computer card for collection for real-time biological data |
US6389364B1 (en) * | 1999-07-10 | 2002-05-14 | Mykrolis Corporation | System and method for a digital mass flow controller |
US6863019B2 (en) * | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
JP3482601B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2003-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
US6439253B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
US6655408B2 (en) * | 2001-06-13 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Tunable ramp rate circuit for a mass flow controller |
US7809473B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-10-05 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control |
JP4502590B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置 |
JP3801570B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2006-07-26 | Smc株式会社 | 流量制御装置 |
JP2005190180A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Honda Motor Co Ltd | ラジエター放熱シミュレーション・システム |
JP4186831B2 (ja) | 2004-02-03 | 2008-11-26 | 日立金属株式会社 | 質量流量制御装置 |
JP4355321B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2009-10-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
US7674393B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Etching method and apparatus |
JP4596474B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-12-08 | 株式会社山武 | 流量制御装置 |
US7896967B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
JP2008039513A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 質量流量制御装置の流量制御補正方法 |
US20110108128A1 (en) * | 2008-07-04 | 2011-05-12 | Katsushi Kishimoto | Vacuum treatment apparatus and gas supply method |
JP5124410B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-01-23 | 株式会社堀場エステック | ガス供給システム |
JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
JP2010169657A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Horiba Stec Co Ltd | 質量流量計及びマスフローコントローラ |
JP5216632B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
JP2012015374A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | マスフローコントローラシステム、プラズマ処理装置、流量制御方法、及び半導体装置の製造方法 |
CN101916121B (zh) * | 2010-07-20 | 2011-12-21 | 中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所 | 一种气体流量控制方法 |
WO2012100181A1 (en) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller with onboard diagnostics, prognostics, and data logging |
JP5661523B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP5723678B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのガス供給方法 |
-
2011
- 2011-10-14 JP JP2011227116A patent/JP5803552B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-08 KR KR1020120111257A patent/KR101572915B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-11 CN CN201210384397.XA patent/CN103049008B/zh active Active
- 2012-10-12 TW TW101137591A patent/TWI503641B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-12 US US13/650,247 patent/US8893743B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130092264A1 (en) | 2013-04-18 |
CN103049008B (zh) | 2017-03-01 |
TW201337490A (zh) | 2013-09-16 |
US8893743B2 (en) | 2014-11-25 |
KR101572915B1 (ko) | 2015-11-30 |
KR20130040705A (ko) | 2013-04-24 |
TWI503641B (zh) | 2015-10-11 |
CN103049008A (zh) | 2013-04-17 |
JP2013088926A (ja) | 2013-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5803552B2 (ja) | 処理装置 | |
TWI409851B (zh) | Adjust the gas flow processing system, processing methods and memory media | |
US7738983B2 (en) | Method of optimizing process recipe of substrate processing system | |
JP6678489B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11104997B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP3872776B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
TW200912270A (en) | Pressure measurement instrument and method | |
KR100882633B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리 방법, 제어 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
JP2011171337A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102518270B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP5205045B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2007250803A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20200096433A (ko) | 배기 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 | |
JP2014194966A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JP2003168648A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
US8112183B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
WO2003090271A1 (fr) | Procede de formation de film | |
JP7113507B2 (ja) | 活性ガス供給システムとそれを用いた半導体製造装置 | |
JP2013197249A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び流量制御方法 | |
WO2022196388A1 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP4597393B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6990297B2 (ja) | 部品の診断方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP2008210852A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20150261212A1 (en) | Control apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing system | |
JP6566897B2 (ja) | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150817 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5803552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |