CN110952076A - 气路控制方法及装置、半导体处理设备 - Google Patents

气路控制方法及装置、半导体处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN110952076A
CN110952076A CN201811123608.8A CN201811123608A CN110952076A CN 110952076 A CN110952076 A CN 110952076A CN 201811123608 A CN201811123608 A CN 201811123608A CN 110952076 A CN110952076 A CN 110952076A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas circuit
circuit control
valve
gas
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811123608.8A
Other languages
English (en)
Inventor
王晶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201811123608.8A priority Critical patent/CN110952076A/zh
Publication of CN110952076A publication Critical patent/CN110952076A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种气路控制方法及装置、半导体处理设备。所述方法包括:接收用户的配置气路控制模式请求;根据所述配置气路控制模式请求,从所述控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个所述阀门配置开关状态和/或为每个所述流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;接收用户的模式选择请求;根据所述模式选择请求,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。

Description

气路控制方法及装置、半导体处理设备
技术领域
本发明涉及自动化控制技术领域,具体涉及一种气路控制方法、
一种气路控制装置以及一种半导体处理设备。
背景技术
在超大规模集成电路行业中,很多薄膜采用化学工艺气相沉积(CVD)方法制备。CVD设备需要用到多种气体,气体通过气路通到腔室或者干泵中,通过控制气路中的阀门和流量计来控制气体的流向和流量。除此之外,这些气体中也包含特殊气体,会对人体和环境产生危害,这就需要对气路和腔室进行吹扫,这同样需要通过气路中的阀门来实现。另外,CVD中除了在半导体设备中可见的一般气路外,还有一些用原液钢瓶进行供气的气路。如此多类型的气路加上如此多的应用需求,也对气路的控制提出了更高的要求。
因此,提供一种满足用户对气路控制的自主性和多样性的气路控制方法成为本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种气路控制方法、一种气路控制装置以及一种半导体处理设备。
为了实现上述目的,本发明的第一方面,提供了一种气路控制方法,气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,所述方法包括:
步骤S110、接收用户的配置气路控制模式请求;
步骤S120、根据所述配置气路控制模式请求,从所述控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个所述阀门配置开关状态和/或为每个所述流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;
步骤S130、接收用户的模式选择请求;
步骤S140、根据所述模式选择请求,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
可选地,所述方法还包括在步骤S120之后、步骤S130之前进行的:
步骤S121、将所述若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
可选地,步骤S140具体包括:
步骤S141、根据所述模式选择请求的名称,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
步骤S142、对所述目标气路控制模式进行解析,获得所述目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
步骤S143、根据所述目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中所述目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
可选地,步骤S142之后,步骤S143之前,还包括:
判断获得的所述目标阀门和/或目标流量计是否属于所述控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则执行步骤S143,反之,输出报警。
可选地,步骤S143具体包括:
当所述目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将所述气路对应的阀门设定为开启;
当所述目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将所述气路对应的阀门设定为关闭;和/或,
当所述流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将所述气路中对应的流量计设定为流量值A。
本发明的第二方面,提供了一种气路控制装置,气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,所述装置包括:
第一接收模块,用于接收用户的配置气路控制模式请求;
配置模块,用于根据所述配置气路控制模式请求,从所述控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个所述阀门配置开关状态和/或为每个所述流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;
第二接收模块,用于接收用户的模式选择请求;
调用模块,用于根据所述模式选择请求,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
可选地,所述装置还包括存储模块,用于将所述若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
可选地,所述调用模块包括调用子模块、解析子模块和设定子模块;
所述调用子模块,用于根据所述模式选择请求的名称,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
所述解析子模块,用于对所述目标气路控制模式进行解析,获得所述目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
所述设定子模块,用于根据所述目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中所述目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
可选地,所述调用模块还包括判断子模块和报警子模块;
所述判断子模块,用于判断获得的所述目标阀门和/或目标流量计是否属于所述控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则向所述设定子模块发出匹配信号,反之,向所述报警子模块发出不匹配信号;
所述报警子模块,用于在接收到所述不匹配信号时,输出报警。
可选地,所述设定子模块,具体用于:
当所述目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将所述气路对应的阀门进行开启;
当所述目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将所述气路对应的阀门进行关闭;和/或,
当所述流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将所述气路中对应的流量计设定为流量值A。
本发明的第三方面,提供了一种半导体处理设备,包括前文记载的所述的气路控制装置。
本发明的气路控制方法及装置、半导体处理设备。首先,可以根据用户的配置气路控制模式请求,配置获得若干种气路控制模式,也就是说,可以根据用户实际需求,定义若干种气路控制模式。之后,在实际应用时,用户可以根据自己的实际需求,选择其中的一种气路控制模式,从而可以实现对气路的控制。因此,能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明第一实施例中气路控制方法的流程图;
图2为本发明第二实施例中气路控制方法的流程图;
图3为本发明第三实施例中气路的布局图;
图4为本发明应用第一种气路控制模式的气路连通图;
图5为本发明应用第二种气路控制模式的气路连通图;
图6为本发明应用第三种气路控制模式的气路连通图;
图7为本发明应用第四种气路控制模式的气路连通图;
图8为本发明应用第五种气路控制模式的气路连通图;
图9为本发明第四实施例中气路控制装置的结构示意图;
图10为本发明第五实施例中气路控制装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
如图1所示,本发明的第一方面,涉及一种气路控制方法S100,气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,方法S100包括:
S110、接收用户的配置气路控制模式请求。
S120、根据配置气路控制模式请求,从控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个阀门配置开关状态和/或为每个流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式。
S130、接收用户的模式选择请求。
S140、根据模式选择请求,从若干种气路控制模式中调用与模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
本实施例中的气路控制方法S100,首先,可以根据用户的配置气路控制模式请求,配置获得若干种气路控制模式,也就是说,本实施例的气路控制方法S100,可以根据用户实际需求,定义若干种气路控制模式。之后,在实际应用时,用户可以根据自己的实际需求,选择其中的一种气路控制模式,从而可以实现对气路的控制。因此,本实施例的气路控制方法S100,能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。
可选地,如图1所示,方法还包括在步骤S120之后、步骤S130之前进行的:
步骤S121、将若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
可选地,如图2所示,步骤S140具体包括:
步骤S141、根据模式选择请求的名称,从若干种气路控制模式中调用与模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
步骤S142、对目标气路控制模式进行解析,获得目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
步骤S143、根据目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
可选地,步骤S142之后,步骤S143之前,还包括:
判断获得的目标阀门和/或目标流量计是否属于控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则执行步骤S143,反之,输出报警。
可选地,步骤S143具体包括:
当目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将气路对应的阀门设定为开启;
当目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将气路对应的阀门设定为关闭;和/或,
当流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将气路中对应的流量计设定为流量值A。
为了便于对本发明的理解,下文将分几个具体实施例对本发明的气路控制方法进行具体阐述。
如图3所示,气路包括第一开关阀1、第一流量计2、第一进气阀3、第二进气阀4、储气罐5、第二排气阀6、第一旁通阀7、第一排气阀8、第二流量计9、第二旁通阀10、干泵阀11、干泵12、临时阀13、稀释阀14、第二开关阀15和腔室16。
实施例1:
如图4所示,气路控制模式为“至腔室”,对应地配置文件为:
第一开关阀1,关闭;第一流量计2,关闭;第一进气阀3,关闭;第二进气阀4,关闭;第二排气阀6,开启;第一旁通阀7,关闭;第一排气阀8,开启;第二流量计9,设定流量值A;第二旁通阀10,关闭;干泵阀11,关闭;临时阀13,开启;稀释阀14,开启;
第二开关阀15,开启。这样,可以形成如图4中黑粗线所示的气路流通通道,以将储气罐5中的气体通入腔室16。
实施例2:
如图5所示,气路控制模式为“至干泵”,对应地配置文件为:
第一开关阀1,关闭;第一流量计2,关闭;第一进气阀3,关闭;第二进气阀4,关闭;第二排气阀6,开启;第一旁通阀7,关闭;第一排气阀8,开启;第二流量计9,设定流量值A;第二旁通阀10,关闭;干泵阀11,开启;临时阀13,关闭;稀释阀14,关闭;
第二开关阀15,关闭。这样,可以形成如图5中黑粗线所示的气路流通通道,以将储气罐5中的气体通入干泵12。
实施例3:
如图6所示,气路控制模式为“吹扫整条管路”,对应地配置文件为:
第一开关阀1,开启;第一流量计2,设定流量值A;第一进气阀3,开启;第二进气阀4,开启;第二排气阀6,关闭;第一旁通阀7,开启;第一排气阀8,开启;第二流量计9,设定流量值A;第二旁通阀10,关闭;干泵阀11,关闭;临时阀13,开启;稀释阀14,开启;第二开关阀15,开启。这样,可以形成如图6中黑粗线所示的气路流通通道,从而可以利用清洗气体吹扫整个管路。
实施例4:
如图7所示,气路控制模式为“载气至腔室”,对应地配置文件为:
第一开关阀1,开启;第一流量计2,设定流量值A;第一进气阀3,开启;第二进气阀4,开启;第二排气阀6,开启;第一旁通阀7,关闭;第一排气阀8,开启;第二流量计9,设定流量值A;第二旁通阀10,关闭;干泵阀11,关闭;临时阀13,开启;稀释阀14,开启;第二开关阀15,开启。这样,可以形成如图7中黑粗线所示的气路流通通道,从而可以使得清洗气体进入储气罐5,在压力的作用下,将储气罐5中的气体带入腔室16。
实施例5:
如图8所示,气路控制模式为“吹扫管路并抽走”,对应地配置文件为:
第一开关阀1,开启;第一流量计2,设定流量值A;第一进气阀3,开启;第二进气阀4,开启;第二排气阀6,关闭;第一旁通阀7,开启;第一排气阀8,开启;第二流量计9,设定流量值A;第二旁通阀10,关闭;干泵阀11,开启;临时阀13,关闭;稀释阀14,关闭;第二开关阀15,关闭。这样,可以形成如图8中黑粗线所示的气路流通通道,从而可以利用清洗气体吹扫管路,并且直接由干泵12抽走。
需要说明的是,除了可以定义上述五种气路控制模式以外,本领域技术人员可以根据实际需要,设定更多数量的气路控制模式,以上五种气路控制模式仅作示意说明,不应当理解为对本发明保护范围的限制。
本发明的第二方面,如图9所示,提供了一种气路控制装置100,该气路控制装置可以适用于前文记载的气路控制方法,下文未提及的相关内容可以参考前文相关记载,在此不作赘述。气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,装置100包括:
第一接收模块110,用于接收用户的配置气路控制模式请求;
配置模块120,用于根据配置气路控制模式请求,从控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个阀门配置开关状态和/或为每个流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;
第二接收模块130,用于接收用户的模式选择请求;
调用模块140,用于根据模式选择请求,从若干种气路控制模式中调用与模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
本实施例中的气路控制装置100,首先,第一接收模块110可以接收用户的配置气路控制模式请求,配置模块120根据该请求配置获得若干种气路控制模式,也就是说,本实施例的气路控制装置100,可以根据用户实际需求,定义若干种气路控制模式。之后,在实际应用时,利用第二接收模块130接收用户的模式选择请求,调用模块140根据该请求选择其中的一种气路控制模式,从而可以实现对气路的控制。因此,本实施例的气路控制装置100,能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。
可选地,如图9所示,上述气路控制装置100还包括存储模块150,用于将若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
可选地,如图10所示,调用模块140包括调用子模块141、解析子模块142和设定子模块143;
调用子模块141,用于根据模式选择请求的名称,从若干种气路控制模式中调用与模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
解析子模块142,用于对目标气路控制模式进行解析,获得目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
设定子模块143,用于根据目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
可选地,如图10所示,调用模块140还包括判断子模块144和报警子模块145;
判断子模块144,用于判断获得的目标阀门和/或目标流量计是否属于控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则向设定子模块143发出匹配信号,反之,向报警子模块145发出不匹配信号;
报警子模块145,用于在接收到不匹配信号时,输出报警。
可选地,设定子模块143,具体用于:
当目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将气路对应的阀门进行开启;
当目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将气路对应的阀门进行关闭;和/或,
当流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将气路中对应的流量计设定为流量值A。
本发明的第三方面,提供了一种半导体处理设备(图中并未示出),包括前文记载的的气路控制装置100。
本实施例中的半导体处理设备,具有前文记载的气路控制装置100,首先,第一接收模块110可以接收用户的配置气路控制模式请求,配置模块120根据该请求配置获得若干种气路控制模式,也就是说,本实施例的气路控制装置100,可以根据用户实际需求,定义若干种气路控制模式。之后,在实际应用时,利用第二接收模块130接收用户的模式选择请求,调用模块140根据该请求选择其中的一种气路控制模式,从而可以实现对气路的控制。因此,能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。
本发明的第四方面,提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如前文记载的气路控制方法的步骤。
本实施例中的计算机可读存储介质,其所存储的计算机程序在被处理器执行时可以执行前文记载的气路控制方法。因此,能够有效解决用户对气路控制的自主性和多样性需求,能够有效解决复杂多变的气路控制难题,让气路变成可配置的,从而可以节省人力成本,提高经济效益。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种气路控制方法,气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,其特征在于,所述方法包括:
步骤S110、接收用户的配置气路控制模式请求;
步骤S120、根据所述配置气路控制模式请求,从所述控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个所述阀门配置开关状态和/或为每个所述流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;
步骤S130、接收用户的模式选择请求;
步骤S140、根据所述模式选择请求,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
2.根据权利要求1所述的气路控制方法,其特征在于,所述方法还包括在步骤S120之后、步骤S130之前进行的:
步骤S121、将所述若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
3.根据权利要求1所述的气路控制方法,其特征在于,步骤S140具体包括:
步骤S141、根据所述模式选择请求的名称,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
步骤S142、对所述目标气路控制模式进行解析,获得所述目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
步骤S143、根据所述目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中所述目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
4.根据权利要求3所述的气路控制方法,其特征在于,步骤S142之后,步骤S143之前,还包括:
判断获得的所述目标阀门和/或目标流量计是否属于所述控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则执行步骤S143,反之,输出报警。
5.根据权利要求3所述的气路控制方法,其特征在于,步骤S143具体包括:
当所述目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将所述气路对应的阀门设定为开启;
当所述目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将所述气路对应的阀门设定为关闭;和/或,
当所述流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将所述气路中对应的流量计设定为流量值A。
6.一种气路控制装置,气路包括若干个阀门和若干个流量计组成的控制集合,其特征在于,所述装置包括:
第一接收模块,用于接收用户的配置气路控制模式请求;
配置模块,用于根据所述配置气路控制模式请求,从所述控制集合中选取特定的若干个阀门和/或特定的若干个流量计,并为每个所述阀门配置开关状态和/或为每个所述流量计配置流量值,以形成若干种气路控制模式;
第二接收模块,用于接收用户的模式选择请求;
调用模块,用于根据所述模式选择请求,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求相符合的气路控制模式,以实现对气路的控制。
7.根据权利要求6所述的气路控制装置,其特征在于,所述装置还包括存储模块,用于将所述若干种气路控制模式存储为可编辑配置文件。
8.根据权利要求6所述的气路控制装置,其特征在于,所述调用模块包括调用子模块、解析子模块和设定子模块;
所述调用子模块,用于根据所述模式选择请求的名称,从所述若干种气路控制模式中调用与所述模式选择请求的名称相符合的气路控制模式,以获得目标气路控制模式;
所述解析子模块,用于对所述目标气路控制模式进行解析,获得所述目标气路控制模式对应的目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值;
所述设定子模块,用于根据所述目标阀门的开关状态和/或目标流量计的流量值,设定气路中所述目标阀门的开关状态和/或流量计的流量值。
9.根据权利要求8所述的气路控制装置,其特征在于,所述调用模块还包括判断子模块和报警子模块;
所述判断子模块,用于判断获得的所述目标阀门和/或目标流量计是否属于所述控制集合中的阀门和/或流量计,若是,则向所述设定子模块发出匹配信号,反之,向所述报警子模块发出不匹配信号;
所述报警子模块,用于在接收到所述不匹配信号时,输出报警。
10.根据权利要求8所述的气路控制装置,其特征在于,所述设定子模块,具体用于:
当所述目标阀门的开关状态为开时,则调用开的指令将所述气路对应的阀门进行开启;
当所述目标阀门的开关状态为关时,则调用关的指令将所述气路对应的阀门进行关闭;和/或,
当所述流量计的流量值为A时,则调用设定的指令将所述气路中对应的流量计设定为流量值A。
11.一种半导体处理设备,其特征在于,包括权利要求6至10中任意一项所述的气路控制装置。
CN201811123608.8A 2018-09-26 2018-09-26 气路控制方法及装置、半导体处理设备 Pending CN110952076A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811123608.8A CN110952076A (zh) 2018-09-26 2018-09-26 气路控制方法及装置、半导体处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811123608.8A CN110952076A (zh) 2018-09-26 2018-09-26 气路控制方法及装置、半导体处理设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110952076A true CN110952076A (zh) 2020-04-03

Family

ID=69964550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811123608.8A Pending CN110952076A (zh) 2018-09-26 2018-09-26 气路控制方法及装置、半导体处理设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110952076A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101364175A (zh) * 2008-07-02 2009-02-11 深圳国人通信有限公司 嵌入式系统的配置方法及装置
CN101501597A (zh) * 2006-08-03 2009-08-05 日立金属株式会社 使用了质量流量控制装置的流量控制
CN103049008A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 东京毅力科创株式会社 流量控制装置以及处理装置
CN104750049A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体制造中气路配置处理的方法及系统

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101501597A (zh) * 2006-08-03 2009-08-05 日立金属株式会社 使用了质量流量控制装置的流量控制
CN101364175A (zh) * 2008-07-02 2009-02-11 深圳国人通信有限公司 嵌入式系统的配置方法及装置
CN103049008A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 东京毅力科创株式会社 流量控制装置以及处理装置
CN104750049A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体制造中气路配置处理的方法及系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11990355B2 (en) Method and system for scheduling apparatuses on production line
WO2020062607A1 (zh) 进气系统、原子层沉积设备和方法
CN108176343A (zh) 一种试剂自动配制装置
CN110952076A (zh) 气路控制方法及装置、半导体处理设备
CN112781970A (zh) 气体稀释装置与方法
CN208943857U (zh) 一种气体混合装置
CN109712907B (zh) 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备
CN216747759U (zh) 一种单定量环双定量流路系统
CN106568674B (zh) 流体测试装置及测试加压流体溶解和/或夹带气体的方法
CN205374098U (zh) 采样设备及采样船
CN104764894A (zh) 全自动气体留样装置
CN103076068B (zh) 麻醉机流量计的标校方法和装置
US10590532B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
CN210603772U (zh) 全自动化检测燃料电池电堆气密性的装置
CN209745626U (zh) 一种用于河道水质监测系统的双通道采样装置
CN209981180U (zh) 气体自动控制节能系统和半导体处理设备
CN107799880A (zh) 一种天线及控制方法
CN216926703U (zh) 气相色谱系统
CN110168381B (zh) 自动分析装置、自动分析装置的废液方法、以及三通电磁阀
CN113030377A (zh) VOCs溯源检测设备、系统及方法
JP2928238B1 (ja) ガス供給装置とそのガス供給方法
KR20230142813A (ko) 프로세스 냉각수 격리
JP2016211864A (ja) ガス供給装置
CN207734961U (zh) 一种用于无氧无水反应的氮排管
CN208406891U (zh) 溶液定量稀释装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200403

RJ01 Rejection of invention patent application after publication