CN103049008A - 流量控制装置以及处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。

Description

流量控制装置以及处理装置

本申请以2011年10月14日向日本专利厅提交的日本专利申请第2011-227116号为基础并要求其优先权，并在本说明中包含其全部公开内容。

技术领域

本发明涉及在处理半导体晶圆等被处理体时所供给的气体的流量控制装置以及使用了该流量控制装置的处理装置。

背景技术

一般而言，在制造半导体器件时，通过对硅基板等的半导体晶圆反复实施成膜处理、蚀刻处理、退火处理、氧化扩散处理等各种处理，来制造所希望的器件。为了进行上述那样的各种处理而需要使用处理所需的各种处理气体，该情况下，为了进行稳定的处理，除了高精度地控制工艺温度、工艺压力以外，还正在寻求高精度地控制上述处理气体的流量的技术。

作为高精度地控制这样的处理气体的流量的装置，一般而言，大多使用例如质量流程控制器那样的流量控制装置（专利文献1、2等）。该流量控制装置捕捉通过气体在传感器管内流动而产生的热移动量作为电阻值根据温度而变化的电阻丝的电阻变化，从而求得流量（质量流量）。该情况下，在该流量控制装置中预先存储有表示操作人员输入的流量设定值所对应的流量指示信号与目标流量的关系的换算数据，该流量控制装置本身通过反馈控制自动进行流量控制，以实现与上述流量指示信号对应的目标流量。

专利文献1：日本特开2005-222173号公报

专利文献2：国际公开WO2008-016189

发明内容

然而，上述流量控制装置是基于伴随气体的流动而产生的热移动量对流量进行控制的，因此若所使用的气体种类的比热不同，则气体流量也相应地发生变化。因此，在以往的流量控制装置中预先规定了基于成为某基准的气体种类，例如N₂气体的其他各种气体种类的修正值，即、换算系数（以下也称为“CF值”）。而且，在流量控制装置的购入时，已购入了存储有基于利用者的下订单时指定的气体种类的CF值来求得的换算数据的流量控制装置。

然后，在实际的处理装置中，现状为使用多种多用的气体，在这样的情况下，为了降低设备成本而存在采用如下面那样的方式的情况，即：在一台流量控制装置中，除了购入时预定的气体种类以外，还对该气体种类以外的其他1个或者多个气体种类进行流量控制的使用方式。在这样的情况下，处理装置的操作人员根据新要进行流量控制的气体种类所对应的上述CF值，另外通过人工计算来求出修正流量，输出并存储该修正流量。

然而，该CF值根据流量控制装置的厂家、模式的不同而不同，因而，存在不只输入时计算繁琐、还导致计算错误这样的问题。

本发明是着眼于以上那样的问题点，为了有效解决上述问题而做出。本发明提供一种不进行繁琐的操作就能够对多个气体种类进行流量控制的流量控制装置以及使用了该流量控制的处理装置。

本发明的一实施方式为，在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：与上述气体通路连接的主气体管；检测流向上述主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；设置于上述主气体管，通过改变阀开度来控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；根据从外部输入的气体种类选择信号，从上述多个换算数据中选择对应的换算数据，并且根据上述流量指示信号求出上述目标流量，并根据该目标流量与上述流量信号控制上述流量控制阀机构的流量控制主体。

发明本另一实施方式为：在对被处理体实施处理的处理装置中，具备：具有收容上述被处理体的处理容器，对上述被处理体实施处理的处理装置主体；对上述处理容器内进行排气的排气系统；中途设置有上述流量控制装置，在该流量控制装置的上游侧形成了设置有用于排放不同的气体种类的开闭阀的多个分支气体路，下游侧具有与上述处理容器连接的气体通路的气体供给系统；具有输入输出包含至少与气体种类相关的信息与设定流量的处理信息的输入输出部，并进行装置整体的控制。

以下，将对本发明的其他目的和优点进行说明，他们或是出现在下述说明中或者是可以通过下述实施方式被容易想到，本发明的其他目的和优点可以通过下述说明获得，或者通过组合下述特征而得到。

附图说明

附图是组成或构成本发明的一部分，通过下述结合附图的说明更用助于理解本发明。

图1是表示使用了本发明的流量控制装置的处理装置的概略构成图。

图2是表示本发明的流量控制装置的构成框图。

图3是表示存储在流量控制装置的换算数据存储部中的换算数据的一个例子的图。

图4是表示形成SiN膜时的各气体的供给形态的一个例子的时序图。

具体实施方式

下面，根据附图说明本发明的一个实施例。在下面的说明，对于相同的构成要素赋予相同的符号，仅在必要是进行重复说明。

以下，基于附图对本发明的流量控制装置以及处理装置的一个实施例进行详述。图1是表示使用了本发明的流量控制装置的处理装置的概略构成图，图2是表示本发明的流量控制装置的构成框图，图3是表示存储在流量控制装置的换算数据存储部中的换算数据的一个例子的图。

如图1所示，本发明的处理装置2具有对作为被处理体的例如由硅基板构成的半导体晶圆W实施处理的处理装置主体4。该处理装置主体4具有处理容器6，该处理容器6例如由石英等耐热部件成型为有顶棚的圆筒体状。在该处理容器6内设置有例如晶舟（wafer boat）8作为保持单元，多枚上述半导体晶圆W被多段地支承于该晶舟8。

该处理容器6的下端的开口部被支撑上述晶舟8的盖部10气密性地密封。该盖部10能够通过未图示的舟升降装置（boat elevator）而升降，从而使晶舟8与上述盖部10一起一体升降，能够向处理容器6内装载以及卸载晶舟8。

在上述处理容器6的周边部设置有圆筒体状的加热单元12，其将内侧的半导体晶圆W加热至规定的温度并维持。另外，在处理容器6的下部侧壁设置有向处理容器6内导入气体的气体导入口14和气体排气口16。针对上述气体排气口16设置有排出处理容器6内的气体的排气系统18。具体而言，上述排气系统18具有与上述气体排气口16连接的排气通路20，在该排气通路20中依次设置有压力控制阀22以及排气泵24。该情况下，根据处理的方式，使处理容器6内成为大气压前后的压力或者成为真空环境。

另外，针对上述气体导入口14设置有将处理所需的气体向上述处理容器6内供给的气体供给系统26。在图示例中，虽然仅记载了一个气体供给系统26，但还可以与实际使用的多个气体种类对应而设置多个气体供给系统26。

上述气体供给系统26具有与上述气体导入口14连接的气体通路28，在该气体通路28的中途设置有本发明的流量控制装置30，如后述那样控制多个气体种类的流量。关于该流量控制装置30的构成，将在后面说明。

在比该流量控制装置30靠下游侧的气体通路28中，设置有开闭该气体通路28的第1开闭阀V1。另外，该气体通路28的上游侧形成有多条、在此为2条分支气体路32、34，在各分支气体路32、34的中途分别设置有用于开闭该分支气体路32、34的第2以及第3开闭阀V2、V3。

而且，在上述分支气体路32、34中分别使不同气体种类、例如使A气体和B气体流动。因此，能够通过切换上述开闭阀V2、V3来选择性地使A气体和B气体流动。在图示例中，使A气体在一方分支气体路32中流动，使B气体在另一方的分支气体路34中流动。其中，上述分支气体路并不局限于2条，还可以设置更多的分支气体路，来使更多不同的气体种类流动。

另外，将上述流量控制装置30与第1开闭阀V1之间的气体通路28、和排气系统18的压力控制阀22与排气泵24之间的排气通路20连结并与通气管36连接，从而能够不经由处理容器6而使气体流向排气系统18。另外，在该通气管36的中途设置有开闭该通气管36的第4开闭阀V4。

另外，该处理装置2具有控制该装置整体的装置控制部40。该装置控制部40例如由计算机等构成，进行该动作的计算机的程序被存储在存储介质42中。该存储介质42例如包括软盘、CD（Compact Disc），硬盘、闪存或者DVD等。具体而言，按照来自该装置控制部40的指令，进行各气体的供给的开始、停止、流量控制、工艺温度、工艺压力的控制等。

并且，上述装置控制部40具有输入输出部44，该输入输出部44用于输入控制所需的各种处理信息，例如与气体种类相关的信息、设定流量、各开闭阀的开闭的动作的时刻等、或者从装置侧对操作人员侧输出必要的处理信息。另外，针对该输入输出部44，设置有用于视觉观看必要的信息的显示部46。例如能够在该显示部46可切换地显示在流量控制装置30中流动的各种气体的最大流量（全刻度（full scale））。上述入输出部44具有例如数字键等，从而还能够输入各种数值，能够输入或修正与工艺配方相关的各种处理信息。这样的输入输出部44还可以由例如触摸面板传感器构成。

在上述装置控制部40的存储器中，所使用的气体种类与上述开闭阀的关系被预先建立关联，作为与气体种类相关的信息，例如通过指定开闭阀，能够确定所使用的气体种类。例如在工艺配方中，如果对第2开闭阀V2输入“打开”指令，则意味着使“A气体”流动，如果对第3开闭阀V3输入“打开”指令，则意味着使“B气体”流动。另外，在该装置控制部40中，若上述气体种类被确定，则能够将表示确定出的气体种类的气体种类选择信号Sa以及表示该气体种类的流量的流量指示信号Sb经由通信线48向上述流量控制装置30发送。

上述装置控制部40为了进行上述那样的通信而具有通信端口40A。这里，该通信端口40A能够进行例如数字通信。该数字通信的标准例如使用“RS485”等。

[＜流量控制装置的构成＞

接下来，关于上述流量控制装置30的构成，参照图2以及图3进行说明。该流量控制装置30具有主气体管50，该主气体管50被设置在上述气体通路28的中途，其两端与上述气体通路28的上游侧和下游侧连接，通过其两端的凸缘50A与上述气体通路28连接。

在该流量控制装置30内，还具有：流量检测单元52，其检测流向上述主气体管50的气体的流量并输出流量信号S1；流量控制阀机构54，其设置于上述主气体管50，控制气体的流量；作为本发明的特征的换算数据存储部56，其存储用于表示从外部输入的流量指示信号Sb与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据；流量控制主体58，其根据从外部输入的气体种类选择信号Sa，从上述多个换算数据中选择对应的换算数据，还根据流量指示信号Sb求出目标流量，并根据该目标流量与上述流量信号S1来控制上述流量控制阀机构54。

并且，上述流量控制主体58连接有进行与外部的通信的通信部60，如前述那样，与装置控制部40侧进行双向通信（数字通信）。

上述流量检测单元52具有设置在主气体管50的中途的旁通管62、按照绕过该旁通管62的方式连接于该旁通管62的两侧的传感器管64，在主气体管50内流动的气体流量在上述两管62、64中按恒定比率分配。

电阻值根据温度而变化的电阻丝66沿着上述传感器管64长度方向卷绕，该电阻丝66与传感器电路68连接。另外，在上述传感器电路68中，设置有电桥电路（未图示），通过上述电桥电路检测在上述电阻丝66中流过恒流的状态下，气体在传感器管64内流动而产生的热移动量作为上述电阻丝66的电阻变化，并据此检测实际流动的气体流量。然后，该传感器电路68将上述检测出的气体流量作为流量信号S1向上述流量控制主体58输出。

另外，上述流量控制阀机构54具有设置在上述主气体管50的中途的流量控制阀70。该流量控制阀70例如通过使阀口与由薄金属板构成的隔膜（未图示）接近以及分离，来调整阀开度，上述隔膜例如通过由压力（piezo）元件等压电元件构成的致动器72来调整上述阀开度。上述致动器72通过从阀驱动电路74输出的驱动电流而动作。

在上述换算数据存储部56中预先存储有用于表示例如图3所示那样的流量指示信号与目标流量的关系的换算数据。这里，存储有多个气体种类，即、A气体与B气体这两种气体种类的直线性的换算数据。在此，为了使本发明容易理解，将换算数据表示为图表，将横轴设为从外部输入的流量指示信号Sb，将纵轴设为目标流量。在模拟信号的情况下，该流量指示信号Sb被设定成，在0～5伏的范围内表示，成为与电压的大小对应的目标流量。5伏时的流量为全刻度（full scale），成为能够使该气体种类流动的最大流量。

因此，这里，在A气体的情况下，能够以全刻度1000sccm的流量流动，在B气体的情况下，能够以全刻度2000sccm的流量流动。在上述流量指示信号Sb为数字信号的情况下，上述图的横轴成为与模拟信号的0～5伏对应的值。顺便说明，A气体例如对应于甲硅烷气体，B气体对应于N₂气体。该直线状的换算数据根据气体种类的不同其斜率也不同。

另外，这里为了使发明容易理解，使用直线状的图表作为多个换算数据，但并不局限于此，还可以利用表示上述图表的数值的表、函数等，另外，还能够使用所有能够表示上述数值的方式作为换算数据。

而且，上述流量控制主体58例如由计算机等构成，根据从外部输入的气体种类选择信号Sa来选择是使用图3中的A气体的换算数据，还是使用B气体的换算数据。进而，根据图3中所选择的换算数据与从外部输入的流量指示信号Sb求出目标流量。此外，向阀驱动电路74输出阀驱动信号S2，根据反馈对气体流量例如进行PID控制，以实现该目标流量。

＜动作的说明＞

接下来，对如以上那样构成的处理装置2的动作进行说明。首先，操作人员从输入输出部44输入表示应对半导体晶圆W进行的处理的顺序的工艺配方作为计算机能够读取的程序，使其预先存储在例如存储介质42中。也包括通过通信从外部输入该工艺配方的情况。在该工艺配方中，预先规定了该处理装置2的整体的各构成元件的动作顺序，即、各步骤的顺序被预先规定。另外，在工艺配方的输入时，也能够通过输入输出部44输入处理时的工艺压力、工艺温度、工艺时间、所使用的气体种类（与气体种类相关的信息）、各气体种类的流量（设定流量）、各开闭阀的开闭动作等工艺条件等。

另外，预先规定了动作的顺序的工艺配方中的各步骤与所使用的气体种类被预先建立关联，上述装置控制部40通过确定上述工艺配方的步骤，能够确定气体种类作为与上述气体种类相关的信息。即、每个步骤所使用的气体种类被预先决定。另外，各气体种类的流量被记载在存储介质42所包含的可改写的表格、工艺配方中，通过参照它们来决定气体流量。这里，对通过输入输出部44设定所使用的气体种类及其流量的情况进行说明。例如，以设定使A气体以规定的流量例如为400sccm，流动规定的时间，然后，使B气体以规定的流量例如为1000sccm，流动规定的时间的情况为例进行说明。

首先，若在输入输出部44中，输入使“第2开闭阀”V2成为“开状态”的指示作为与气体种类相关的信息，输入设为“400sccm”的指示作为设定流量，则在该装置控制部40中，由于“第2开闭阀V2＝A气体”以及“第3开闭阀V3＝B气体”被预先建立关联，所以相当于输入了“使A气体流动400sccm”这一指示。

并且同样地，若输入使“第3开闭阀”V3成为“开状态”的指示作为与气体种类相关的信息，输入设为“1000sccm”的指示作为设定流量，则在该装置控制部40中，相当于输入了“使B气体流动1000sccm”这一指示。

在输入上述信息的操作时，由于若输入“使第2开闭阀V2成为开状态”的指示，则在装置控制部40中确定地识别为“A气体”，所以使作为能够流动A气体的最大流量，即、全刻度的值“1000sccm”显示于显示部46。因此，操作人员通过参照所显示的该全刻度的值，不会输入比其更大的值，能够防止输入错误的发生。

另外同样地，由于若输入“使第3开闭阀V3成为开状态”的指示，则在装置控制部40中识别为“使B气体流动”，所以显示“2000sccm”作为能够流动B气体的最大值，即、全刻度的值。因此，操作人员通过参照所显示的该全刻度的值，不会输入比其更大的值，能够防止输入错误的发生。

包含以上那样的指示内容的工艺配方被存储在上述存储介质42中。并且，在实际进行半导体晶圆W的处理时，按照在该存储介质42中记载的工艺配方进行处理。

下面，说明实际对半导体晶圆W执行处理，使各气体流动的步骤的情况。首先，在基于工艺配方从装置控制部40输出“使A气体流动400sccm”的指示的情况下，从装置控制部40的通信端口40A经由通信线48向流量控制装置30输出气体种类选择信号Sa和流量指示信号Sb。在该情况下，气体种类选择信号Sa为选择“A气体”的内容。此外，流量指示信号Sb为指示“400sccm”的内容。此外，此时，分支气体路32的第2开闭阀V2成为开状态，做好了使A气体流动的准备。

上述两信号被流量控制装置30的通信部60接收而被传递给流量控制主体58。在该流量控制主体58中，根据上述气体种类选择信号Sa和流量指示信号Sb，从存储在上述换算数据存储部56中的图3所示的换算数据中选择A气体用的换算数据，求出此时的目标流量。在此，上述通信为数字通信，因此流量指示信号Sb为相当于模拟信号情况下的“2伏”的内容。

作为图3中A气体的换算数据的直线与相当于模拟信号的情况下的“2伏”的部分的交点可求得目标流量“400sccm”。然后，流量控制主体58通过向流量控制机构54的阀驱动电路74输出阀驱动信号S2，驱动致动器72而打开流量控制阀70来使A气体流动的同时，将从流量检测单元52的传感器电路68输出的流量信号S1作为反馈信号进行PID控制，使A气体稳定地流动目标流量、即400sccm。

此时，通过传感器电路68检测出的流量信号S1不仅被用于上述控制，还为了进行确认而被通信部60向装置控制部40发送。在此，如以下那样，对上述流程的主要部分简单地进行说明。[与气体种类相关的信息（确定开闭阀）／修正流量的输入（气体种类的确定）]→[气体种类选择信号Sa／流量支持信号Sb的发送]→[确定的气体种类的目标流量的确定]→[基于反馈的PID以使得成为控制目标流量]

此外，使B气体流动的情况也如同上述那样被进行。即、还在基于工艺配方从装置控制部40输出“使B气体流动1000sccm”的指示的情况下，从装置控制部40的通信端口40A经由通信线48向流量控制装置30输出气体种类选择信号Sa和流量指示信号Sb。在该情况下，气体种类选择信号Sa为选择“B气体”的内容。此外，流量指示信号Sb为指示“1000sccm”的内容。另外，此时，分支气体路34的第3开闭阀V3成为开状态，做好了使B气体流动的准备。

上述两信号由流量控制装置30的通信部60接收而被传递给流量控制主体58。在该流量控制主体58中，根据上述气体种类选择信号Sa与流量指示信号Sb，从存储在上述换算数据存储部56中的图3所示的换算数据选择B气体用的换算数据，求出此时的目标流量。在此，由于上述通信为数字通信，所以流量指示信号Sb为相当于模拟信号情况下的“2.5伏”的内容。

作为图3中B气体的换算数据的直线与相当于模拟信号情况下的“2.5伏”的部分的交点可求出目标流量“1000sccm”。然后，通过流量控制主体58向流量控制机构54的阀驱动电路74输出阀驱动信号S2，驱动致动器72来打开流量控制阀70而使B气体流动的同时，将从流量检测单元52的传感器电路68输出的流量信号S1作为反馈信号进行PID控制，使B气体稳定地流动目标流量、即1000sccm。

此时，通过传感器电路68检测出的流量信号S1不仅被用于上述的控制，还为了进行确认而被通信部60向装置控制部40发送。如上述那样，B气体的流动也与A气体情况相同。

在以往的流量控制装置中，作为换算数据，仅设定1个换算数据，例如仅设定A气体用的换算数据，因此在使B气体流动的情况下，操作人员必须使用转换系数的值对想要流动的B气体的流量、即1000sccm进行修正来求出修正流量，输入该修正流量，因此对于操作人员而言，非常繁琐，在求修正流量时有产生错误的可能性。然而，在本发明中，由于在例如使B气体流动的情况下，不需要通过转换系数的值来求修正流量，所以对于操作人员而言能够消除繁琐。

这样，在本发明中，在控制流向气体通路28的气体的流量的流量控制装置30中，在表示被处理体W的具体处理方式的工艺配方的制作时，能够无需进行以往进行的使用转换系数值的繁琐的人工计算等，因此，无需进行繁琐的操作就能够对多个气体种类进行流量控制。

另外，在上述实施例中，虽然通过将第2以及第3开闭阀V2、V3与气体种类，即A气体以及B气体预先建立相关，作为与气体种类相关的信息，通过确定应成为开状态的开闭阀，能够确定出所使用的气体种类，但并不局限于此，还可以直接输入所使用的气体种类作为与气体种类相关的信息。此时，例如也对第2以及第3开闭阀V2、V3分别指示开闭动作。这样，向输入输出部44输入的输入方式不被特殊限定。

另外，在上述实施例中以使用两种气体种类的情况为例进行了说明，但并不局限于此，对于3种类以上的气体种类也能够应用本发明。此时，在换算数据存储部56中预先存储有与3种类以上的气体种类对应的换算数据。

另外，在上述实施例中，对流量控制装置30与装置控制部40而言，说明了进行数字通信的情况，但并不局限于此，当然还可以进行模拟通信。另外，虽然在此以一次处理多枚半导体晶圆的批处理式的处理装置为例进行了说明，但并不局限于此，以一枚为单位地处理半导体晶圆的单张处理式的处理装置也能够应用本发明。

＜实际成膜时的动作的一个例子＞

在此说明实际成膜时的动作的一个例子。在此，以形成氮化硅膜（SiN膜）的情况为例进行说明。图4是表示形成SiN膜时的各气体的供给方式的一个例子的时序图。在此，作为气体种类的一个例子，使用氨气[NH₃]（图4（A）），使用二氯硅烷[DCS]（图4（B）），使用氮气[N2]（图4（C））。因此，作为图1所示那样的气体供给系统26，设置有上述3种类的气体种类所对应的气体供给系统，其中任意一个气体供给系统均如之前说明那样，设置有与气体种类对应的流量控制装置30。另外，处理装置整体的动作由一个装置控制部40进行。

如前述那样，例如预先使计算机读入规定该成膜处理的各步骤的顺序的工艺配方。并且，对于每一步骤所使用的气体种类而言，通过根据工艺配方而确定步骤，从而被预先规定。并且，每一步骤的气体流量也被预先规定。

图4中，“开”表示打开用于将对应的气体种类向处理容器6内导入的开闭阀，“闭”表示关闭该开闭阀。根据工艺配方，按每一步骤发送各气体种类选择信号Sa以及流量指示信号Sb，如前述那样，通过参照图3所示的换算数据的图表，求出实际的目标流量而进行控制。

首先，将未处理的半导体晶圆W移置到被卸载的晶舟8，使该晶舟8上升，向处理容器6内装载，用盖部10对处理容器6内进行封闭。在该晶舟8中保持有例如50～150枚左右的半导体晶圆W。然后，进行泄露检查等后，进行实际的成膜处理。

首先，通过加热单元12使半导体晶圆W升温至工艺温度，并维持该温度。然后，通过氨气的预清洗步骤，打开氨气和氮气气体的各开闭阀使上述两气体分别流动规定的流量来进行预清洗步骤。该预清洗步骤后，还继续使两气体流动来进行氨气的正式清洗步骤。

然后，接下来除上述两气体以外，打开DCS气体的开闭阀使DCS气体流动规定的流量来进行预成膜步骤。进一步继续使上述3种气体流动来进行正式成膜步骤。由此，在半导体晶圆W的表面形成氮化硅膜。在上述各步骤中，如前述那样，按每一步骤分别设定了气体流量。并且，若上述成膜步骤结束，则关闭DCS气体的开闭阀，使该气体的供给停止，继续保持原样地使另两种、即氨气与氮气气体流动来进行氨气的清洗步骤。

然后，若该清洗步骤完成，将氨气的开闭阀与氮气气体的开闭阀一起关闭来停止两气体的供给。在该状态下进行真空排气步骤，在真空排气步骤中，仅使排气系统18持续动作来进行真空排气，使处理容器6内的环境降至低压。然后，通过再次打开氮气气体的开闭阀将氮气气体向处理容器6内导入，使处理容器6内恢复大气压，使晶舟8下降，从而将处理完成的半导体晶圆W从处理容器6内卸载而完成了一批次的成膜处理。上述成膜处理只不过示出处理的一个方式的例子，毋庸置疑，本发明还能够全般应用于其他处理方式。

另外，在此作为被处理体以半导体晶圆为例进行了说明，但该半导体晶圆可以包括硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物半导体基板，另外，并不局限于这些基板，液晶显示装置所使用得玻璃基板、陶瓷基板等也能给个应用本发明。

发明效果

根据本发明的流量控制装置以及处理装置，能够起到下述那样卓越的作用效果。

在控制流向气体通路的气体的流量的流量控制装置中，在表示被处理体的具体的处理方式的工艺配方的制作时，能够不需要以往进行的使用转换系数值的繁琐的人工计算等，因此，无需进行繁琐的操作就能够对多个气体种类进行流量控制。

Claims (7)

1.一种流量控制装置，其控制流向气体通路的气体流量，该流量控制装置的特征在于，具备：

主气体管，其与所述气体通路连接；

流量检测单元，其检测流向所述主气体管的气体的流量并输出流量信号；

流量控制阀机构，其设置于所述主气体管，通过改变阀开度来控制流量；

换算数据存储部，其存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据；和

流量控制主体，其基于从外部输入的气体种类选择信号，从所述多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于所述流量指示信号求出所述目标流量，基于该目标流量和所述流量信号，对所述流量控制阀机构进行控制。

2.根据权利要求1所述的流量控制装置，其特征在于，

具有通信部，该通信部针对所述流量指示信号和所述气体种类选择信号与外部进行通信。

3.一种处理装置，其是对被处理体实施处理的处理装置，该处理装置的特征在于，具备：

处理装置主体，其具有收容所述被处理体的处理容器，并对所述被处理体实施处理；

排气系统，其对所述处理容器内进行排气；

气体供给系统，其中途设置有权利要求1所述的流量控制装置，在该流量控制装置的上游侧形成了设置有用于排放不同的气体种类的开闭阀的多个分支气体路，该流量控制装置的下游侧具有与所述处理容器连接的气体通路；和

装置控制部，其具有输入输出包含至少与气体种类相关的信息和设定流量的处理信息的输入输出部，并进行装置整体的控制。

4.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，

所述装置控制部基于与所述气体种类相关的信息，形成气体种类选择信号。

5.根据权利要求4所述的处理装置，其特征在于，

所述装置控制部被配置成，气体种类与所述开闭阀被预先建立关联，通过确定所述开闭阀作为与所述气体种类相关的信息，能够确定气体种类。

6.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，

所述装置控制部被配置成，具有显示部，该显示部根据气体种类来显示能够流动的最大流量的全刻度流量。

7.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，

所述装置控制部被配置成，预先规定了动作的顺序的工艺配方中的各步骤与所使用的气体种类被预先建立关联，通过确定所述工艺配方的步骤作为与所述气体种类相关的信息，能够确定气体种类。

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