JP2013088926A - 流量制御装置及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス通路28に流れるガス流量を制御する流量制御装置30において、主ガス管50と、これに流れるガスの流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段52と、流量を制御する流量制御弁機構54と、外部より入力される流量指示信号Sbと目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する換算データ記憶部56と、外部より入力されるガス種選択信号Saに基づいて複数の換算データから対応する換算データを選択すると共に流量指示信号Sbに基づいて前記目標流量を求め、目標流量と流量信号とに基づいて流量制御弁機構を制御する流量制御本体58とを備える。
【選択図】図2
Description
ガス通路に流れるガスの流量を制御する流量制御装置において、被処理体の具体的な処理態様を表すプロセスレシピの作成時に従来行われていたコンバージョンファクタ値を用いた煩雑な手計算等を不要にすることができ、従って、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことができる。
次に、上記流量制御装置30の構成について、図2及び図3も参照して説明する。この流量制御装置30は、上記ガス通路28の途中に介設されて、両端が上記ガス通路28の上流側と下流側に接続される主ガス管50を有しており、この両端のフランジ50Aで上記ガス通路28に接続されている。
次に、以上のように構成された処理装置2の動作について説明する。まず、オペレータは、半導体ウエハWの処理すべき手順を示すプロセスレシピをコンピュータに読み取り可能なプログラムとして入出力部44から入力し、例えば記憶媒体42に記憶させておく。このプロセスレシピを外部より通信により入力する場合もある。このプロセスレシピには、この処理装置2の全体の各構成部品の動作の手順、すなわち各工程の手順が予め規定されている。そして、プロセスレシピの入力時には、処理時のプロセス圧力、プロセス温度、プロセス時間、用いるガス種(ガス種に関する情報)、各ガス種の流量(設定流量)、各開閉弁の開閉動作等のプロセス条件なども入出力部44より入力できるようになっている。
ここで実際の成膜時の動作の一例について説明する。ここではシリコンナイトライド膜(SiN膜)を成膜する場合を例にとって説明する。図4はSiN膜を成膜する時の各ガスの供給形態の一例を示すタイミングチャートである。ここではガス種の一例としてアンモニア[NH3 ](図4(A)、ジクロルシラン[DCS](図4(B)、窒素[N2 ](図4(C)を用いている。従って、図1に示すようなガス供給系26として上記3種類のガス種に対応するガス供給系が設けられており、そのいずれのガス供給系にも先に説明したようにガス種に対応した流量制御装置30が設けられる。また、処理装置全体の動作は1つの装置制御部40により行われる。
4 処理装置本体
6 処理容器
8 ウエハボート(保持手段)
12 加熱手段
18 排気系
26 ガス供給系
28 ガス通路
30 流量制御装置
32,34 分岐ガス路
40 装置制御部
44 入出力部
46 表示部
48 通信ライン
50 主ガス管
52 流量検出手段
54 流量制御弁機構
56 換算データ記憶部
58 流量制御本体
60 通信部
62 バイパス管
64 センサ管
68 センサ回路
70 流量制御弁
V1 第1の開閉弁
V2 第2の開閉弁
V3 第3の開閉弁
Sa ガス種選択信号
Sb 流量指示信号
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (7)
- ガス通路に流れるガス流量を制御する流量制御装置において、
前記ガス通路に接続される主ガス管と、
前記主ガス管に流れるガスの流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段と、
前記主ガス管に設けられて弁開度を変えることによって流量を制御する流量制御弁機構と、
外部より入力される流量指示信号と目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する換算データ記憶部と、
外部より入力されるガス種選択信号に基づいて前記複数の換算データから対応する換算データを選択すると共に前記流量指示信号に基づいて前記目標流量を求め、該目標流量と前記流量信号とに基づいて前記流量制御弁機構を制御する流量制御本体と、
を備えたことを特徴とする流量制御装置。 - 前記流量指示信号と前記ガス種選択信号とに関して外部と通信を行う通信部を有することを特徴とする請求項1記載の流量制御装置。
- 被処理体に対して処理を施す処理装置において、
前記被処理体を収容する処理容器を有して前記被処理体に対して処理を施す処理装置本体と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
途中に請求項1または2記載の流量制御装置が介設され、該流量制御装置の上流側に異なるガス種を流すために開閉弁が介設された複数の分岐ガス路が形成され、下流側が前記処理容器に接続されたガス通路を有するガス供給系と、
少なくともガス種に関する情報と設定流量とを含む処理情報を入出力する入出力部を有して装置全体の制御を行う装置制御部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記装置制御部は、前記ガス種に関する情報に基づいてガス種選択信号を形成することを特徴とする請求項3記載の処理装置。
- 前記装置制御部は、ガス種と前記開閉弁とが予め関連づけられており、前記ガス種に関する情報として前記開閉弁を特定することによりガス種を特定できるようになされていることを特徴とする請求項4記載の処理装置。
- 前記装置制御部は、表示部を有し、流量を最大に流すことができるフルスケールの流量がガス種に応じて表示するようになされていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記装置制御部は、動作の手順が予め規定されたプロセスレシピにおける各工程と用いるガス種とが予め関連付けられており、前記ガス種に関する情報として前記プロセスレシピの工程を特定することによりガス種を特定できるようになされていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一項に記載の処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014132124A2 (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
CN111406243A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-10 | 株式会社富士金 | 流量控制装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104216423B (zh) * | 2013-05-31 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统 |
CN104750049B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体制造中气路配置处理的方法及系统 |
WO2015151638A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 日立金属株式会社 | 熱式質量流量測定方法、当該方法を使用する熱式質量流量計、及び当該熱式質量流量計を使用する熱式質量流量制御装置 |
CN104216425B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-07-25 | 湖南三德科技股份有限公司 | 用于电子流量控制器的载气类型自动识别方法及电子流量控制器 |
KR102162045B1 (ko) * | 2016-12-26 | 2020-10-06 | 가부시키가이샤 후지킨 | 압전 소자 구동식 밸브 및 유량 제어 장치 |
EP3421849A1 (de) * | 2017-06-30 | 2019-01-02 | VAT Holding AG | Vakuumventil mit temperatursensor |
CN110767568B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备 |
CN110952076A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气路控制方法及装置、半导体处理设备 |
CN115295461B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-04-14 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6421512A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nec Corp | Gas mass flow rate control device |
JP2007087294A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yamatake Corp | 流量制御装置 |
JP2010084785A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Horiba Stec Co Ltd | ガス供給システム |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062446A (en) * | 1991-01-07 | 1991-11-05 | Sematech, Inc. | Intelligent mass flow controller |
US5441076A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-15 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus using gas |
US5439026A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-08 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and flow control arrangement therefor |
US5549137A (en) * | 1993-08-25 | 1996-08-27 | Rosemount Inc. | Valve positioner with pressure feedback, dynamic correction and diagnostics |
US5669419A (en) * | 1996-07-11 | 1997-09-23 | Keystone Machine And Tool Co. | Apparatus for the measurement and control of gas flow |
US5911238A (en) * | 1996-10-04 | 1999-06-15 | Emerson Electric Co. | Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method |
US5827179A (en) * | 1997-02-28 | 1998-10-27 | Qrs Diagnostic, Llc | Personal computer card for collection for real-time biological data |
US6389364B1 (en) * | 1999-07-10 | 2002-05-14 | Mykrolis Corporation | System and method for a digital mass flow controller |
US6863019B2 (en) * | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
JP3482601B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2003-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
US6439253B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
US6655408B2 (en) * | 2001-06-13 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Tunable ramp rate circuit for a mass flow controller |
US7809473B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-10-05 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control |
JP4502590B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置 |
JP3801570B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2006-07-26 | Smc株式会社 | 流量制御装置 |
JP2005190180A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Honda Motor Co Ltd | ラジエター放熱シミュレーション・システム |
JP4186831B2 (ja) | 2004-02-03 | 2008-11-26 | 日立金属株式会社 | 質量流量制御装置 |
JP4355321B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2009-10-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
US7674393B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Etching method and apparatus |
US7896967B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
JP2008039513A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 質量流量制御装置の流量制御補正方法 |
JP5274557B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 真空処理装置及びガス供給方法 |
JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
JP2010169657A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Horiba Stec Co Ltd | 質量流量計及びマスフローコントローラ |
JP5216632B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
JP2012015374A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | マスフローコントローラシステム、プラズマ処理装置、流量制御方法、及び半導体装置の製造方法 |
CN101916121B (zh) * | 2010-07-20 | 2011-12-21 | 中国航空工业集团公司西安飞机设计研究所 | 一种气体流量控制方法 |
US9256228B2 (en) * | 2011-01-20 | 2016-02-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller with onboard diagnostics, prognostics, and data logging |
JP5661523B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP5723678B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのガス供給方法 |
-
2011
- 2011-10-14 JP JP2011227116A patent/JP5803552B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-08 KR KR1020120111257A patent/KR101572915B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-11 CN CN201210384397.XA patent/CN103049008B/zh active Active
- 2012-10-12 TW TW101137591A patent/TWI503641B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-12 US US13/650,247 patent/US8893743B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6421512A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nec Corp | Gas mass flow rate control device |
JP2007087294A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yamatake Corp | 流量制御装置 |
JP2010084785A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Horiba Stec Co Ltd | ガス供給システム |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014132124A2 (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
WO2014132124A3 (en) * | 2013-03-01 | 2014-11-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
US9146563B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
US9898013B2 (en) | 2013-03-01 | 2018-02-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller for improved performance across fluid types |
CN111406243A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-10 | 株式会社富士金 | 流量控制装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103049008A (zh) | 2013-04-17 |
TW201337490A (zh) | 2013-09-16 |
JP5803552B2 (ja) | 2015-11-04 |
CN103049008B (zh) | 2017-03-01 |
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KR20130040705A (ko) | 2013-04-24 |
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