CN104216423B - 半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统 - Google Patents
半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统。其方法包括根据半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中每路气路预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。其减少了前一次工艺步骤的残余气体对本工艺步骤工艺结果的影响；通过循环检查的方式对有流量变化的气路进行流量设置，提高了气路设置的效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统。
背景技术
在半导体晶片加工过程中，执行工艺流程时，用到了很多不同的气体，这些气体的作用不尽相同，但是都会对工艺流程的结果产生影响，尤其是其中的工艺气体（非惰性气体）。目前，执行工艺流程过程中，一般采用根据所提供的工艺表单的流量设置要求按照气路的初始排列顺序对气体流量进行设置的方法。
传统的气体输入控制方式为在每一工艺步骤开始的时候，根据此工艺步骤工艺表单中各路气体的值按照气路的排序从小到大进行气路流量的设置。
过程如图1所示，其中“i”为中间变量，通过它遍历每一路气体。其中：
Gas[i]LastStepFlow用来记录第i路气体的前一次工艺步骤的气路流量；
Gas[i]StepFlow为当前工艺步骤的气路流量；
SetGas[i]StepFlow为一个服务，通过它设置第i路气路的MFC（Mass FlowController，质量流量控制器）的流量并根据设置的MFC流量值是否大于等于0.1而确定打开或关闭这路气体的阀门。
举例说明：工艺表单中每路气体流量如表1所示：
表1每路气体流量
执行工艺步骤1时，会按气路顺序依次将气路1、气路2、气路3、气路4、气路5的流量设为0，20，10，30，50。因为Gas1的流量为0，故在设置MFC流量时关闭气路1的阀门，其他气路的阀门打开。执行气路流量设置工艺步骤2时，也是按气路顺序依次将气路1、气路2、气路3、气路4、气路5的MFC流量设为30，0，5，30，60，并在设置MFC流量时，对应气路1和气路2的流量变化分别打开气路1的阀门，关闭气路2的阀门，气路3～5的阀门状态不变，仍处于打开状态。当工艺步骤较多或者气路较多时依此类推。
如上例中所示，因为气路阀门状态和MFC流量按气路顺序依次设置，所以，执行气路流量设置工艺步骤2时，首先打开气路1的阀门并设置MFC流量为30。此时气路2仍按照工艺步骤1的状态设置，阀门打开并且MFC流量为20。若此时气路1与气路2的气体不能共存，则无法避免执行气路流量设置工艺步骤2时，气体同时通入腔室的问题。若要解决此问题，现有技术方案需要增加设置专门用于抽干工艺步骤1中气体的工艺步骤，严重影响设备的产出率。
而且，如上例中所示，工艺步骤1中残留气体会影响气路流量设置工艺步骤2的工艺结果；对没有流量变化的气路也进行操作，气路设置效率低。
综上所述，在半导体晶片加工过程中，现有的气路设置效率较低，而且在不增加工艺步骤的情况下，减少前一次工艺步骤的残余气体对本工艺步骤工艺结果的影响是亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种通过循环检查的方式优先对前一次工艺步骤中不为0，本工艺步骤中气路流量发生变化的气路进行设置，再对前一次工艺步骤中为0，且本工艺步骤中流量有变化的气路流量进行设置的方法。以减少工艺工程中前一次工艺步骤的残余气体对本工艺步骤工艺结果的影响，提高气路设置的效率。
为实现本发明目的提供的一种控制气体输入方法，包括以下步骤：
S100，根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
S200，根据本次工艺步骤的预设气路流量值设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
较佳地，作为一种可实施方式，所述S100包括以下步骤：
S110，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
S120，判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则执行步骤S130；如果是，则直接返回步骤S110直至循环完每路气路；
S130，判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，执行步骤S200；否则，直接返回步骤S110直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述S200包括以下步骤：
S210，对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
S220，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
S230，在步骤S220完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
S240，如果是，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230直至循环完每路气路。
所述预设时间t为：
以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
较佳地，作为一种可实施方式，所述S100包括以下步骤：
S110’，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
S120’，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则执行步骤S130’；否则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路；
S130’，判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则执行步骤S200；否则，则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述S200包括以下工艺步骤：
S210’，对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
S220’，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
S230’，在步骤S220’完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
S240’，如果是，则将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，打开所述气路阀门，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230’直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230’直至循环完每路气路。
所述预设时间t为：
从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
基于同一发明构思的一种半导体设备制造中控制气体输入的系统，包括检测模块和设置控制模块，其中：
所述检测模块，用于根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
所述设置控制模块，用于根据本次工艺步骤的预设气路流量值设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
较佳地，作为一种可实施方式，所述检测模块包括，第一读取子模块，第一判断子模块，第二判断子模块，其中：
所述第一读取子模块，用于在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
所述第一判断子模块，用于判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则利用第二判断子模块做进一步判断；如果是，则直接返回所述第一读取子模块，直至循环完每路气路；
所述第二判断子模块，用于判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，则利用第一设置模块对其做进一步的操作；否则，则直接返回所述第一读取子模块直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述设置控制模块包括第一设置子模块，第一控制子模块，第三判断子模块，第二设置子模块，其中：
所述第一设置子模块，用于对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
所述第一控制子模块，用于所述第一设置子模块操作完成之后，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
所述第三判断子模块，用于在所述第一控制子模块操作完成之后，判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
所述第二设置子模块，用于在所述第三判断子模块判定条件成立时，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回第三判断子模块直至循环完每路气路；否则，直接返回第三判断子模块直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述检测模块还包括第四判断子模块，第五判断子模块，其中：
所述第四判断子模块，用于在第一读取子模块操作完成之后，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则利用第五判断子模块做进一步判断；否则直接返回所述第一读取子模块，直至循环完每路气路；
所述第五判断子模块，用于判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则利用设置控制模块对其做进一步的操作；否则，直接返回所述第一读取子模块直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述设置控制模块还包括第三设置子模块，其中：
所述第三设置子模块，用于对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值。
所述第三设置子模块操作完成之后，依次利用第一控制子模块，第三判断子模块及第二设置子模块做进一步的操作。
所述预设时间t为：
以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段；
或者，
从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
本发明的有益效果包括：
本发明提供的一种半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统，根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路每一工艺步骤step所配置的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，优先关闭需要关闭的气路的阀门，在对其他有流量变化的气路进行流量设置前，在预设时间内将腔室中的气体排出，避免了互斥气体在腔室中同时存在，而且整个工艺过程可以完整的执行，不用额外增加排出设备中残留气体的工艺步骤；通过循环检查的方式对有流量变化的气路进行流量设置，避免了对没有流量变化的气路的设置，提高了气路设置的效率。
附图说明
图1为现有技术中半导体设备制造中气路流量设置流程示意图；
图2为本发明一种半导体设备制造中控制气体输入的方法的一具体实施例的流程示意图；
图3为本发明一种半导体设备制造中控制气体输入的系统的一具体实施例的结构示意图；
图4为本发明一种半导体设备制造中控制气体输入的方法的一具体实施例的气路流量设置流程示意图；
图5为本发明一种半导体设备制造中控制气体输入的方法的另一具体实施例的气路流量设置流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明实施例的半导体设备制造中控制气体输入的方法的具体实施方式进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种半导体设备制造中控制气体输入的方法，如图2所示，包括以下步骤：
S100，根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
S200，根据本次工艺步骤的预设气路流量值设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
实施例一：
较佳地，作为一种可实施方式，所述S100包括以下步骤：
S110，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
此处需要说明的是，每路气路的本次工艺步骤的气路流量值及本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值的初始值为0。
S120，判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则执行步骤S130；如果是，则直接返回步骤S110直至循环完每路气路；
此处需要说明的是，所述判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1，即判断气路的本次工艺步骤中预设气路流量是否为0，当气路的本次工艺步骤中预设气路流量不为0时，说明本次工艺步骤中当前气路处于打开状态，则直接返回执行步骤S110，对下一气路进行判断；否则，当所述气路的本次工艺步骤中预设气路流量小于0.1时，说明本次工艺步骤中当前气路需要被关闭或者仍然需要处于关闭状态（前次气路流量值为0），那么执行步骤S130。
S130，判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，执行步骤S200；否则，直接返回步骤S110直至循环完每路气路。
所述判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1，即判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值是否相同，当所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值大于等于0.1时，说明所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值不相同，即所述气路的本次工艺步骤中的气路流量值有变化，结合步骤S120可知，本次工艺步骤中的预设气路流量值小于0.1并且本次工艺步骤中的预设气路流量值与所述前次气路流量值的绝对差值大于等于0.1，所以可以判断出所述气路的前一次工艺步骤中的气路流量值不为0，并且检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化需要关闭的气路；
所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值小于0.1时，说明所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值相同，即所述气路的本次工艺步骤中的气路流量值没有变化，结合步骤S120可知，所述气路的前一次工艺步骤中的气路流量值也为0，则直接返回执行步骤S110，对下一气路进行判断。
较佳地，作为一种可实施方式，所述S200包括以下步骤：
S210，对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
关闭本次工艺步骤中气路流量值为0的气路的阀门，因此，优先关闭了前一次工艺步骤中不为0且本次工艺步骤中流量为0的气路，可以有效避免不能共存气体的同时存在。
将所述预设气路流量值代替前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，可避免后续步骤对已经设置的气路流量进行重新设置，也为下一工艺步骤中气路流量的设置做好准备。
S220，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
关闭了前一次工艺步骤中不为0且本次工艺步骤中流量为0的气路后，在预设时间t内将腔室中的气体排出，可避免后续打开其他气路时，互斥气体的共存；而且，在预设时间内将腔室中的气体排出，则不用再额外增加专门用于排出前一次工艺步骤中气体的工艺步骤，提高了设备的产出率。
所述预设时间t为：以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段；
所述预设时间t可以是在工艺表单中增加一个时间t的参数，也可以是增加时间参数t的设置配置参数，也可以是在界面进行输入等方式设置。
较佳地，作为一种可实施方式，本实施例中采用在工艺表单中增加一个等待时间t的参数方式实现。
S230，在步骤S220完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
在S230中，循环判断各条气路的本次工艺步骤中所述预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1，即所述气路本次工艺步骤中气路流量与所述更新后的前次气路流量值是否相同，绝对差值大于等于0.1时，则说明当前气路在本次工艺步骤中气路流量值与所述前次气路流量值不同，即所述气路本次工艺步骤中气路流量值有变化；绝对差值小于0.1时，则说明所述气路的本次工艺步骤中气路流量值与所述前次气路流量值相同，即所述气路本次工艺步骤中气路流量值没有变化，那么不需要进行设置。
需要说明的是，所述前次气路流量值包括未更新的前次气路流量值及所述更新后的前次气路流量值。事实上，在步骤S220中针对的是在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0而本次工艺步骤中气路流量值为0的情况，那么在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值为0时，更新后的前次气路流量值就等于本次工艺步骤中所述气路的预设气路流量值；那么在步骤230中判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1时，对于在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0的情况，二者的绝对差值等于0，不再考虑；针对绝对差值大于等于0.1的情况，只剩下本次工艺步骤中气路流量值为不为0的气路，即还需要对在本次工艺步骤中的预设气路流量值不为0且与前一次工艺步骤中前次气路流量值存在差值的气路在本次工艺步骤中设置其气路流量值。
S240，如果是，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230直至循环完每路气路；
在步骤S240中，是对本次工艺步骤中气路流量不为0，且相对前一次工艺步骤中前次气路流量值有变化的气路进行设置，至此，完成对本次工艺步骤中所有气路的设置。
此处需要说明的，对本次工艺步骤中气路流量与前一次工艺步骤中所述前次气路流量值相同的气路不进行设置，提高了半导体设备制造中气路设置的效率。
实施例二：
较佳地，作为另一种可实施方式，所述S100中，包括以下步骤：
S110’，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
S120’，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则执行步骤S130’；否则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路；
此处需要说明的是，所述判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1，即判断气路的前一次工艺步骤的气路流量值是否为0，气路的前一次工艺步骤的气路流量值不为0时，执行步骤S130’，气路的前一次工艺步骤的气路流量值为0时，返回执行步骤S110’。
S130’，判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则执行步骤S200；否则，则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路。
此处需要说明的是，结合步骤S120’，本步骤检测出本次工艺步骤中气路流量发生变化且前一次工艺步骤中气路流量不为0的气路。
相应地，作为另一种可实施方式，所述S200，包括以下步骤：
S210’，对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
此处需要说明的是，本步骤中，对前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量有变化的气路进行了设置，其中包含了本次工艺步骤中气路流量值为0，且前一次工艺步骤中所述前次气路流量值不为0的气路，也即对本次工艺步骤中气路流量值为0，且前一次工艺步骤中所述前次气路流量值不为0的气路进行了优先设置，可有效避免互斥气体的共存。
且不对没有流量变化的气路进行流量设置，提高了气路设置的效率。
S220’，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
作为一种可实施方式，所述预设时间t为：从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
所述预设时间t可以是在工艺表单中增加一个时间t的参数，也可以是增加时间参数t的设置配置参数，也可以是在界面进行输入等方式设置。
较佳地，作为一种可实施方式，本实施例中采用在工艺表单中增加一个等待时间t的参数方式实现。
S230’，在步骤S220’完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
在S230’中，循环判断各条气路的本次工艺步骤中所述预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1，即所述气路本次工艺步骤中气路流量与所述更新后的前次气路流量值是否相同，绝对差值大于等于0.1时，则说明当前气路在本次工艺步骤中气路流量值与所述前次气路流量值不同，即所述气路本次工艺步骤中气路流量值有变化；绝对差值小于0.1时，则说明所述气路的本次工艺步骤中气路流量值与所述前次气路流量值相同，即所述气路本次工艺步骤中气路流量值没有变化，那么不需要进行设置。
需要说明的是，所述前次气路流量值包括未更新的前次气路流量值及所述更新后的前次气路流量值。事实上，在步骤S220中针对的是在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0的情况，那么在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0时，更新后的前次气路流量值就等于本次工艺步骤中所述气路的预设气路流量值；那么在步骤230中判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1时，对于在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0的情况，二者的绝对差值等于0，不再考虑；针对绝对差值大于等于0.1的情况，只剩下所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值为0的气路，即还需要对在前一次工艺步骤中前次气路流量值为0的气路在本次工艺步骤中设置其气路流量值。
S240’，如果是，则将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，打开所述气路阀门，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230’直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230’直至循环完每路气路；
本步骤S240’，对前一次工艺步骤中气路流量为0，且本次工艺步骤中气路流量不为0的气路进量设置，打开相应气路阀门，至此，完成对本次工艺步骤中所有气路的设置。
相应的，本发明实施例还提供了一种半导体设备制造中控制气体输入的系统，如图所示，包括检测模块100和设置控制模块200，其中：
所述检测模块100，用于根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
所述设置控制模块200，用于根据本次工艺步骤的预设气路流量值设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
较佳地，作为一种可实施方式，所述检测模块100包括，第一读取子模块110，第一判断子模块120，第二判断子模块130，其中：
所述第一读取子模块110，用于在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
所述第一判断子模块120，用于判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则利用第二判断子模块做进一步判断；如果是，则直接返回所述第一读取子模块，直至循环完每路气路；
所述第二判断子模块130，用于判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，则利用第一设置模块对其做进一步的操作；否则，则直接返回所述第一读取子模块直至循环完每路气路。
较佳地，作为一种可实施方式，所述设置控制模块包括第一设置子模块210，第一控制子模块220，第三判断子模块230，第二设置子模块240，其中：
所述第一设置子模块210，用于对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
所述第一控制子模块220，用于所述第一设置子模块210操作完成之后，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
所述预设时间t为：以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
所述第三判断子模块230，用于在所述第一控制子模块操作完成之后，判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
所述第二设置子模块240，用于在所述第三判断子模块判定条件成立时，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回第三判断子模块230直至循环完每路气路；否则，直接返回第三判断子模块230直至循环完每路气路。
较佳地，在另一实施例中，所述检测模块100还包括第四判断子模块140，第五判断子模块150，其中：
所述第四判断子模块140，用于在第一读取子模块操作完成之后，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则利用第五判断子模块150做进一步判断；否则直接返回所述第一读取子模块110，直至循环完每路气路；
所述第五判断子模块150，用于判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则利用第三设置子模块250对其做进一步的操作；否则，直接返回所述第一读取子模块110直至循环完每路气路。
所述设置控制模块200还包括第三设置子模块250，其中：
所述第三设置子模块250，用于对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值。
所述第三设置子模块操作完成之后，依次利用第一控制子模块220，第三判断子模块230及第二设置子模块240做进一步的操作。
需要说明的是，此处利用第一控制子模块220，在预设时间内将腔室中的气体排出，所述预设时间t为：从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
本发明实施例的半导体设备制造中控制气体输入的方法及系统，根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路每一工艺步骤step所配置的预设气路流量值，检测出在本次工艺步骤中发生气路流量变化并需要关闭或者开启的气路，优先关闭需要关闭的气路的阀门，在对其他有流量变化的气路进行流量设置前，在预设时间内将腔室中的气体排出，使整个工艺过程可以完整的执行，不用额外增加排出设备中残留气体的工艺步骤；通过循环检查的方式对有流量变化的气路进行流量设置，避免了对没有流量变化的气路的设置，提高了气路设置的效率。
下面举例进一步说明本发明实施例的半导体制造设备的半导体设备制造中控制气体输入的方法和系统。
例1：
如图4所示，为例1的具体实施流程图。
为对气路流量进行设置，首先进行初始化：
初始化中间变量i=1；
Gas[i]LastStepFlow=0；//本次工艺步骤的前一次工艺步骤的气路流量值为0
Gas[i]StepFlow=0。//本次工艺步骤中气路流量值为0
以便后续对气路进行循环检查以及设置每路气路流量，之后读取工艺表单中每路气体流量值。
如图4所示，i为中间变量，通过它遍历每一路气体，对于表1的工艺表单，共有5路气体，则i大于5时则执行步骤等待时间t，i小于等于5时，则执行步骤判断本次工艺步骤中气路流量值；
此处需要说明的是，本例中，是一个循环检查的过程，在气路流量设置每一工艺步骤中，对每一气路进行检查，对于表1所示的工艺表单，共有5个气路，i的有效值范围是1、2、3、4、5。
判断前一次工艺步骤中气路流量是否大于等于0.1，即GasLastStepFlow[i]>=0.1，前一次工艺步骤中气路流量大于等于0.1时，执行下一步，所述前一次工艺步骤中流量小于0.1时，执行步骤i++并返回；
对于表1的工艺表单，在气路流量设置工艺步骤2时，则对于气路1直接执行步骤i++，并返回，对于气路2、3、4、5在前一次工艺步骤即工艺步骤1中气路流量大于0.1，即气路流量不为0，则执行下一步骤。
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的绝对差值是否大于等于0.1，即|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|>=0.1，并根据判断结果执行对应的操作。
对于表1的工艺表单，在气路流量设置工艺步骤2中，前一次工艺步骤中气路流量不为0且本工艺步骤中气路流量有变化的气路有：气路2、气路3、气路5，表中气路1在前一次工艺步骤即工艺步骤1中气路流量为0所以不满足条件，气路4在前一次工艺步骤即工艺步骤1中和当前工艺步骤即气路流量设置工艺步骤2中的气路流量都为30，所以不满足条件。
详细说明为：
对于气路2绝对差值|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|即|Gas[2]LastStepFlow-Gas[2]StepFlow|=|20-0|=20>=0.1，满足条件；
对于气路3绝对差值|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|即|Gas[3]LastStepFlow-Gas[3]StepFlow|=|10-5|=5>=0.1，满足条件；
对于气路5绝对差值|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|即|Gas[5]LastStepFlow-Gas[5]StepFlow|=|50-60|=10>=0.1，满足条件；
对于气路4绝对差值|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|即|Gas[4]LastStepFlow-Gas[4]StepFlow|=|30-30|=0<0.1，不满足条件。
对满足条件的气路2、气路3、气路5执行下一步，对不满足条件的气路4执行步骤i++并返回。
根据工艺表单中的气路流量值确定阀门的关闭或打开并设置当前气路的流量，如图4所示，通过SetGas[i]StepFlow=Gas[i]StepFlow实现。对于表1中的工艺表单，执行气路流量设置工艺步骤2时，设置气路2流量值为0，关闭气路2的气路阀门。
将本工艺步骤中气路流量值赋值给前一次工艺步骤本气路流量，通过Gas[i]LastStepFlow=Gas[i]StepFlow实现。此时，Gas[2]LastStepFlow=0，Gas[3]LastStepFlow=5，Gas[5]LastStepFlow=60。
设置完成后进入下一步，执行步骤i++并返回。
在本例中采用等待时间t从工艺表单中传入的方式，如表2所示，工艺表单中增加一个等待时间t的参数。
| Step1 | Step2 | |
| Gas1(sccm) | 0 | 30 |
| Gas2(sccm) | 20 | 0 |
| Gas3(sccm) | 10 | 5 |
| Gas4(sccm) | 30 | 30 |
| Gas5(sccm) | 50 | 60 |
| 等待时间t(秒) | 0 | 5 |
表2每路气体流量
如背景技术中所述，设气路1中的气体和气路2中的气体为互斥气体，不能共存，在气路流量设置工艺步骤2中，已经将气路2、气路3、气路5的流量进行了设置，则已经关闭气路2的阀门，在后续工艺步骤中将会设置气路1的流量，因此，可以在等待时间t中将残余气体抽出，避免气体1和气体2共存。避免了额外增加专门用于抽干工艺步骤1中残余气体的工艺步骤，提高设备的产出率。
之后进入下一个循环过程：
判断表示气路的中间变量（i）是否小于等于气路总数，所述中间变量（i）小于气路总数时，执行下一步，中间变量（i）大于气路总数时，执行后续操作；
所述后续操作是指，本气路流量设置工艺步骤已经完成，则可以开始执行半导体加工的其他工艺步骤，或者做除了气路流量设置的其他准备工作。
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值是否大于0.1，所述当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值大于等于0.1时，执行下一步骤，所述当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值小于0.1时，执行步骤i++，并返回；
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的绝对差值是否大于等于0.1，即如图4所示，|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|>=0.1，对于表2的工艺表单，在气路流量设置工艺步骤2中，已经对满足条件的气路2、气路3、气路5的气路流量进行了设置，设置为Gas[i]LastStepFlow=Gas[i]StepFlow|，因此有：
Gas[2]LastStepFlow=Gas[2]StepFlow，|Gas[2]LastStepFlow-Gas[2]StepFlow|=0<0.1，执行步骤i++并返回；
Gas[3]LastStepFlow=Gas[3]StepFlow，|Gas[3]LastStepFlow-Gas[3]StepFlow|=0<0.1，执行步骤i++并返回；
Gas[5]LastStepFlow=Gas[5]StepFlow，|Gas[5]LastStepFlow-Gas[5]StepFlow|=0<0.1，执行步骤i++并返回；
对于气路1，之前步骤没有对气路1进行流量设置，所以有：
Gas[1]LastStepFlow=Gas[1]StepFlow，|Gas[1]LastStepFlow-Gas[1]StepFlow|=|0-30|=30>0.1，满足条件，执行下一步骤；
通过SetGas[1]StepFlow=Gas[1]StepFlow，设置气路1的流量为30。
对于表2中的工艺表单，设置Gas[1]LastStepFlow=Gas[1]StepFlow=30，然后执行步骤i++,并返回检查下一气路。
下面对如图4所示的具体实施工艺步骤，结合表2做完整的说明：
执行时气路流量设置工艺步骤1时，采用循环检查的方式判断出表2中5个气路中没有“前一工艺步骤流量设置值大于等于0.1，且前一工艺步骤与本工艺步骤流量差异大于0.1”的气路，所以不对各气路进行设置，进入步骤等待时间t，等待时间t等于0，不等待，然后因气路1设置流量小于0.1，不对Gas1进行操作，然后按气路2、气路3、气路4、气路5的顺序分别将其MFC流量设为20，10，30，50并在设置流量时打开Gas2，Gas3，Gas4，Gas5各气路的阀门。
执行时气路流量设置工艺步骤2时，采用循环检查的方式判断出表2中5个气路中“前一工艺步骤流量设置值大于等于0.1，且前一工艺步骤与本工艺步骤流量差异大于0.1”的气路，设置满足条件的气路流量并操作对应气路阀门，此例中即按顺序将气路2、气路3、气路5设置MFC流量并操作对应气路阀门，其中气路2设置为0并关闭此气路的阀门，气路3和气路5打开阀门，而气路4则因气路流量设置工艺步骤1和气路流量设置工艺步骤2的流量一样，不进行操作。等待时间t为5s，等待5s并在等待的过程中抽出残余气体，等待时间过后执行步骤S300再次按照气路顺序确定执行工艺步骤1时流量小于0.1且工艺步骤2时流量大于0.1的气路，设置其MFC流量并操作阀门，本例中即设置气路1的MFC流量为30并打开气路1阀门。
例2：
如图5所示，为例2的具体实施流程图。
为对气路流量进行设置，首先进行初始化：
初始化中间变量i=1；
Gas[i]LastStepFlow=0；//本次工艺步骤的前一次工艺步骤的气路流量值为0
Gas[i]StepFlow=0。//本次工艺步骤中气路流量值为0
以便后续对气路进行循环检查以及设置每路气路流量，初始化完成之后读取工艺表单中每路气体流量值。
如图5所示，i为中间变量，通过它遍历每一路气体，对于背景技术中表2的工艺表单，共有5路气体，则i大于5时则执行步骤等待时间t，i小于等于5时，则执行步骤判断本次工艺步骤中气路流量值；
此处需要说明的是，本例中，是一个循环检查的过程，在气路流量设置每一工艺步骤中，对每一气路进行检查，对于表2所示的工艺表单，共有5个气路，i的有效值范围是1、2、3、4、5。
判断本次工艺步骤中气路流量是否大于等于0.1，即GasStepFlow[i]>=0.1，本次工艺步骤中气路流量小于0.1时，执行下一步，本次工艺步骤中流量大于等于0.1时，执行步骤i++并返回；
对于表2的工艺表单，在气路流量设置工艺步骤2时，则对于气路1、3、4、5直接执行步骤i++，对于气路2在本次工艺步骤中气路流量小于0.1，即气路流量为0，则执行下一步。
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的绝对差值是否大于等于0.1，即|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|>=0.1，并根据判断结果执行对应的操作。
气路2在步骤1中的气路流量为20，所以
对于气路2绝对差值|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|即|Gas[2]LastStepFlow-Gas[2]StepFlow|=|20-0|=20>=0.1，满足条件，执行下一步。
根据工艺表单中的气路流量值确定阀门的关闭或打开并设置当前气路的流量，如图5所示，通过SetGas[i]StepFlow=Gas[i]StepFlow实现。对于表2中的工艺表单，执行气路流量设置工艺步骤2时，设置气路2流量值为0，关闭气路2的气路阀门。
将本工艺步骤中气路流量值赋值给前一次工艺步骤本气路流量，通过Gas[i]LastStepFlow=Gas[i]StepFlow实现。
设置完成后进入下一步，执行步骤i++并返回。
在本例中采用等待时间t从工艺表单中传入的方式，如表2所示，工艺表单中增加一个等待时间t的参数。
设气路1中的气体和气路2中的气体为互斥气体，不能共存，在气路流量设置工艺步骤2中，已经将气路2、气路3、气路5的流量进行了设置，则已经关闭气路2的阀门，在后续工艺步骤中将会设置气路1的流量，因此，可以在等待时间t中将残余气体抽出，避免气体1和气体2共存。避免了额外增加专门用于抽干工艺步骤1中残余气体的工艺步骤，提高设备的产出率。
之后进入下一个循环过程：
判断表示气路的中间变量（i）是否小于等于气路总数，所述中间变量（i）小于气路总数时，执行下一步，中间变量（i）大于气路总数时，执行后续操作；
所述后续操作是指，本气路流量设置工艺步骤已经完成，则可以开始执行半导体加工的其他工艺步骤，或者做除了气路流量设置的其他准备工作。
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值是否大于0.1，所述当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值大于等于0.1时，执行下一步骤，所述当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的差值小于0.1时，执行步骤i++，并返回；
判断当前工艺步骤中的气路流量与前一次工艺步骤中的气路流量的绝对差值是否大于等于0.1，即如图5所示，|Gas[i]LastStepFlow-Gas[i]StepFlow|>=0.1，对于表2的工艺表单，在气路流量设置工艺步骤2中，已经对满足条件的气路1、气路3、气路5的气路流量进行了设置，设置为Gas[i]LastStepFlow=Gas[i]StepFlow|，因此有：
Gas[1]LastStepFlow=Gas[1]StepFlow，|Gas[1]LastStepFlow-Gas[1]StepFlow|=30>=0.1，执行下一步骤；
Gas[3]LastStepFlow=Gas[3]StepFlow，|Gas[3]LastStepFlow-Gas[3]StepFlow|=5>=0.1，执行下一步骤；
Gas[5]LastStepFlow=Gas[5]StepFlow，|Gas[5]LastStepFlow-Gas[5]StepFlow|=10>=0.1，执行下一步骤；
通过SetGas[i]StepFlow=Gas[i]StepFlow，设置气路1的流量为30，气路3流量为5，气路5流量为60，并打开气路对应阀门。
对于本例，结合表2做完整的说明如下：
执行表2工艺表单中工艺步骤1时，判断气路中没有“本工艺步骤中流量设置值小于0.1，且上一工艺步骤与本工艺步骤流量差异大于0.1”的气路，即本工艺步骤中流量为0且上一工艺步骤中流量不为0的气路，所以不对各气路进行设置，等待时间t等于0，所以不等待，按顺序对气路流量进行设置，气路1流量小于0.1，不对气路1进行操作，然后按气路2、气路3、气路4、气路5的顺序分别将其MFC流量设为20，10，30，50，并在设置流量时打开气路2、气路3、气路4、气路5相对应的阀门。
执行表2工艺表单中工艺步骤2时，判断是否存在MFC流量为0的气体，对于表2中的工艺表单，气路2中的气路流量为0，则首先设置气路的MFC流量0，并关闭此气路的阀门；然后等待5s，此时可通过抽气系统将腔室内的残余气体排出；再按顺序设置气路2、气路3、气路5的MFC流量并打开相对应的阀门，因为气路4的流量不变，所以不对气路4进行操作。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (13)
1.一种半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100，根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
S200，根据本次工艺步骤的预设气路流量值，设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
2.根据权利要求1所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述S100包括以下步骤：
S110，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
S120，判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则执行步骤S130；如果是，则直接返回步骤S110直至循环完每路气路；
S130，判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，执行步骤S200；否则，直接返回步骤S110直至循环完每路气路。
3.根据权利要求2所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述S200包括以下步骤：
S210，对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气 路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
S220，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
S230，在步骤S220完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
S240，如果是，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230直至循环完每路气路。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述预设时间t为：
以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
5.根据权利要求1所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述S100包括以下步骤：
S110’，在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
S120’，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则执行步骤S130’；否则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路；
S130’，判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则执行步骤S200；否则，则直接返回步骤S110’直至循环完每路气路。
6.根据权利要求5所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述S200包括以下工艺步骤：
S210’，对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
S220’，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
S230’，在步骤S220’完成后，判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
S240’，如果是，则将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，打开所述气路阀门，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回步骤S230’直至循环完每路气路；否则，直接返回步骤S230’直至循环完每路气路。
7.根据权利要求1或5或6所述的半导体设备制造中控制气体输入的方法，其特征在于，所述预设时间t为：
从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
8.一种半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于，包括检测模块和设置控制模块，其中：
所述检测模块，用于根据半导体设备制造工艺任务job中的工艺表单Recipe中为半导体制造设备中的每路气路所配置的每一工艺步骤step的预设气路流量值，循环检测出在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路；
所述设置控制模块，用于根据本次工艺步骤的预设气路流量值，设置所述在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0，且本次工艺步骤中气路流量值相对 于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路的气路流量值，关闭设置后气路流量值为0的气路，并在预设时间t内将腔室中的气体排出；根据所述预设气路流量值，设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值。
9.根据权利要求8所述的半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于，所述检测模块包括，第一读取子模块，第一判断子模块，第二判断子模块，其中：
所述第一读取子模块，用于在本次工艺步骤中，从半导体设备制造工艺任务中的工艺表单中，循环读取为半导体制造设备中的每路气路所配置的本次工艺步骤的预设气路流量值，并获取所述气路的本次工艺步骤的前一次工艺步骤的前次气路流量值；
所述第一判断子模块，用于判断每路气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值是否大于等于0.1；如果否，则利用第二判断子模块做进一步判断；如果是，则直接返回所述第一读取子模块，直至循环完每路气路；
所述第二判断子模块，用于判断所述气路的本次工艺步骤中的预设气路流量值与前一次工艺步骤中的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为在前一次工艺步骤中前次气路流量值不为0且本次工艺步骤中气路流量值相对于前一次工艺步骤中前次气路流量值发生变化的气路，则利用第一设置模块对其做进一步的操作；否则，则直接返回所述第一读取子模块直至循环完每路气路。
10.根据权利要求9所述的半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于，所述设置控制模块包括第一设置子模块，第一控制子模块，第三判断子模块，第二设置子模块，其中：
所述第一设置子模块，用于对本次工艺步骤中气路流量发生变化并需要关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为0，关闭设置后气路流量值为0的气路阀门，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的所述前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
所述第一控制子模块，用于所述第一设置子模块操作完成之后，在预设时间t内将腔室中的气体排出；
所述第三判断子模块，用于在所述第一控制子模块操作完成之后，判断各气路的预设气路流量值与所述更新后的前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；
所述第二设置子模块，用于在所述第三判断子模块判定条件成立时，将所述预设气路流量值设置为所述气路的气路流量值，并将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值，然后返回第三判断子模块直至循环完每路气路；否则，直接返回第三判断子模块直至循环完每路气路。
11.根据权利要求9所述的半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于，所述检测模块还包括第四判断子模块，第五判断子模块，其中：
所述第四判断子模块，用于在第一读取子模块操作完成之后，判断每路气路的所述前次气路流量值是否大于等于0.1；如果是，则利用第五判断子模块做进一步判断；否则直接返回所述第一读取子模块，直至循环完每路气路；
所述第五判断子模块，用于判断所述预设气路流量与所述前次气路流量值的绝对差值是否大于等于0.1；如果是，则检测出所述气路为本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，则利用设置控制模块对其做进一步的操作；否则，直接返回所述第一读取子模块直至循环完每路气路。
12.根据权利要求11所述的半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于，所述设置控制模块还包括第三设置子模块，其中：
所述第三设置子模块，用于对本次工艺步骤中发生流量变化且前一次工艺步骤中未关闭的气路，将所述气路的气路流量设置为工艺表单所配置的本次工艺步骤中的预设气路流量值，将所述预设气路流量值替代前一次工艺步骤中的前次气路流量值作为更新后的前次气路流量值；
所述第三设置子模块操作完成之后，依次利用第一控制子模块，第三判断子模块及第二设置子模块做进一步的操作。
13.根据权利要求12所述的半导体设备制造中控制气体输入的系统，其特征在于:
所述预设时间t为：
以关闭所有本次工艺步骤中气路流量值小于0.1且本次工艺步骤气路流量值与前一次工艺步骤中前次气路流量值绝对差值大于等于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段；
或者，
从完成设置前一次工艺步骤中前次气路流量值大于等于0.1且前一次工艺步骤与本次工艺步骤的气路流量值的绝对差值大于0.1的气路为开始时间点，至开始设置本次工艺步骤中其余气路流量发生变化的气路的气路流量值的时间为结束时间点的时间段。
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