JP2003168648A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
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- JP2003168648A JP2003168648A JP2001365128A JP2001365128A JP2003168648A JP 2003168648 A JP2003168648 A JP 2003168648A JP 2001365128 A JP2001365128 A JP 2001365128A JP 2001365128 A JP2001365128 A JP 2001365128A JP 2003168648 A JP2003168648 A JP 2003168648A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の向上を図る。
【解決手段】 被処理体ｗを収容して所定の処理を施す
処理容器３に各種のガスを所定流量で供給する流量制御
器８１，８２，８３を有する複数のガス供給配管９１，
９２，９３と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管１
２とが接続されている。ガス供給配管９１，９２，９３
に処理容器３をバイパスして排気配管１２と連通するバ
イパス配管１９を設け、バイパス配管１９の下流側に圧
力計２０及び封止弁２１を順に設け、校正された流量制
御器８１，８２，８３の取付後にバイパス配管１９を真
空引きして封止弁を閉じて封止した後、ガス供給配管９
１，９２，９３から固定された流量のガスを導入しなが
ら圧力計２０により圧力上昇値ΔＰと推移時間ΔＴを各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期
値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正常か否
かを監視する。
処理容器３に各種のガスを所定流量で供給する流量制御
器８１，８２，８３を有する複数のガス供給配管９１，
９２，９３と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管１
２とが接続されている。ガス供給配管９１，９２，９３
に処理容器３をバイパスして排気配管１２と連通するバ
イパス配管１９を設け、バイパス配管１９の下流側に圧
力計２０及び封止弁２１を順に設け、校正された流量制
御器８１，８２，８３の取付後にバイパス配管１９を真
空引きして封止弁を閉じて封止した後、ガス供給配管９
１，９２，９３から固定された流量のガスを導入しなが
ら圧力計２０により圧力上昇値ΔＰと推移時間ΔＴを各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期
値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正常か否
かを監視する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理方法及び処理
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、被処理体
例えば半導体ウエハに各種の処理を施す工程があり、こ
れらの工程を実行するために各種の処理装置が用いられ
ている。この処理装置は、図６に示すように、被処理体
を収容する処理容器に各種のガスを供給する複数のガス
供給配管９１，９２，９３を備え、各ガス供給配管
９１，９２，９３には流量を制御する流量制御器（マス
フローコントローラ）８１，８２，８３が設けられてい
る。
例えば半導体ウエハに各種の処理を施す工程があり、こ
れらの工程を実行するために各種の処理装置が用いられ
ている。この処理装置は、図６に示すように、被処理体
を収容する処理容器に各種のガスを供給する複数のガス
供給配管９１，９２，９３を備え、各ガス供給配管
９１，９２，９３には流量を制御する流量制御器（マス
フローコントローラ）８１，８２，８３が設けられてい
る。
【０００３】ガス供給配管の一つ（９１）は不活性ガス
を供給して処理容器３内に残存する他のガスをパージ
（掃気）するパージラインとされ、他のガス供給配管９
２，９ ３は各種の処理ガスを供給する処理ガスラインと
されている。処理ガス供給配管９２，９３にも不活性ガ
スを供給して管内に残存するガスをパージするために、
パージライン９１の流量制御器８１の上流側が分岐さ
れ、その分岐管１７ａ，１７ｂが処理ガス供給配管
９２，９３の流量制御器８２，８３の上流側に接続され
ている。
を供給して処理容器３内に残存する他のガスをパージ
（掃気）するパージラインとされ、他のガス供給配管９
２，９ ３は各種の処理ガスを供給する処理ガスラインと
されている。処理ガス供給配管９２，９３にも不活性ガ
スを供給して管内に残存するガスをパージするために、
パージライン９１の流量制御器８１の上流側が分岐さ
れ、その分岐管１７ａ，１７ｂが処理ガス供給配管
９２，９３の流量制御器８２，８３の上流側に接続され
ている。
【０００４】ところで、前記処理装置においては、ある
程度使用すると、経年変化により流量制御器８１，
８２，８３の流量センサ部がドリフトしたり、あるい
は、流量制御器８２，８３に処理ガスの副生成物が付着
したり異物をかみ込んだりする場合があり、流量制御の
精度および信頼性が低下する。このため、流量制御器８
２，８３の上流に流量測定器（マスフローメータ）３０
２，３０３を設け、パージ時に流量制御器８２，８３の
出力値と流量測定器３０２，３０３の出力値とを比較し
て前記流量制御器８２，８３が正常か否かを定期的ない
し所定期間使用毎に監視している。
程度使用すると、経年変化により流量制御器８１，
８２，８３の流量センサ部がドリフトしたり、あるい
は、流量制御器８２，８３に処理ガスの副生成物が付着
したり異物をかみ込んだりする場合があり、流量制御の
精度および信頼性が低下する。このため、流量制御器８
２，８３の上流に流量測定器（マスフローメータ）３０
２，３０３を設け、パージ時に流量制御器８２，８３の
出力値と流量測定器３０２，３０３の出力値とを比較し
て前記流量制御器８２，８３が正常か否かを定期的ない
し所定期間使用毎に監視している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記処
理装置ないし処理方法においては、流量制御器内部の熱
式流量センサ自身の経年変化や劣化によるドリフトを根
本的に監視することができないだけでなく、流量制御器
と流量測定器とは共に同じセンサを採用しており、流量
測定器のセンサは不活性ガス雰囲気にあって環境は良い
が、どちらがドリフトしているかは不明であり、そもそ
もドリフトし易い同じ方式のセンサ同士の比較では信頼
性が低いという問題があった。また、処理ガスライン毎
に流量測定器を設けなければならないため、設置スペー
ス及びコストの増大を余儀なくされる問題があった。
理装置ないし処理方法においては、流量制御器内部の熱
式流量センサ自身の経年変化や劣化によるドリフトを根
本的に監視することができないだけでなく、流量制御器
と流量測定器とは共に同じセンサを採用しており、流量
測定器のセンサは不活性ガス雰囲気にあって環境は良い
が、どちらがドリフトしているかは不明であり、そもそ
もドリフトし易い同じ方式のセンサ同士の比較では信頼
性が低いという問題があった。また、処理ガスライン毎
に流量測定器を設けなければならないため、設置スペー
ス及びコストの増大を余儀なくされる問題があった。
【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、信頼性の向上が図れる処理方法及び処理装置を提
供することを目的とする。また、他の目的は、設置スペ
ース及びコストの低減が図れる処理方法及び処理装置を
提供することにある。
ので、信頼性の向上が図れる処理方法及び処理装置を提
供することを目的とする。また、他の目的は、設置スペ
ース及びコストの低減が図れる処理方法及び処理装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理方法において、前記ガ
ス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管と連
通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流側に
圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御器の
取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を閉じ
て封止した後、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移時間
を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、所
定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを比較し
て流量制御器が正常か否かを監視することを特徴とす
る。
に係る発明は、各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理方法において、前記ガ
ス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管と連
通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流側に
圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御器の
取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を閉じ
て封止した後、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移時間
を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、所
定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを比較し
て流量制御器が正常か否かを監視することを特徴とす
る。
【０００８】請求項２に係る発明は、各種のガスを所定
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
方装置において、前記ガス供給配管に処理容器をバイパ
スして前記排気配管と連通するバイパス配管を設け、該
バイパス配管の下流側に圧力計及び封止弁を順に設け、
校正された流量制御器の取付後にバイパス配管を真空引
きして前記封止弁を閉じて封止した後、ガス供給配管か
ら固定された流量のガスを導入しながら前記圧力計によ
り圧力上昇値と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、該初期値と所定期間使用後に測定
した測定値とを比較して流量制御器が正常か否かを監視
するための制御ユニットを設けたことを特徴とする。
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
方装置において、前記ガス供給配管に処理容器をバイパ
スして前記排気配管と連通するバイパス配管を設け、該
バイパス配管の下流側に圧力計及び封止弁を順に設け、
校正された流量制御器の取付後にバイパス配管を真空引
きして前記封止弁を閉じて封止した後、ガス供給配管か
ら固定された流量のガスを導入しながら前記圧力計によ
り圧力上昇値と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、該初期値と所定期間使用後に測定
した測定値とを比較して流量制御器が正常か否かを監視
するための制御ユニットを設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項２記載の処
理装置において、ガスの体積変化の要因となる温度変化
による測定精度の低下を防止するために、前記流量制御
器から圧力計までの範囲をヒータ及び温度調整器により
一定の温度に保つように構成されているか、または、前
記圧力計に温度センサを併設して測定温度に基いて測定
圧力に補正をかけるように構成されていることを特徴と
する。
理装置において、ガスの体積変化の要因となる温度変化
による測定精度の低下を防止するために、前記流量制御
器から圧力計までの範囲をヒータ及び温度調整器により
一定の温度に保つように構成されているか、または、前
記圧力計に温度センサを併設して測定温度に基いて測定
圧力に補正をかけるように構成されていることを特徴と
する。
【００１０】請求項４に係る発明は、各種のガスを所定
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
方法において、前記ガス供給配管の流量制御器の上流側
に圧力計及び開閉弁を順に設け、ガス供給配管に処理容
器をバイパスして前記排気配管と連通するバイパス配管
を設け、校正された流量制御器の取付後にバイパス配管
を真空引きし、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁を閉じてから前記圧力計に
より圧力降下と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値
と前記初期値とを比較して流量制御器が正常か否かを監
視することを特徴とする。
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
方法において、前記ガス供給配管の流量制御器の上流側
に圧力計及び開閉弁を順に設け、ガス供給配管に処理容
器をバイパスして前記排気配管と連通するバイパス配管
を設け、校正された流量制御器の取付後にバイパス配管
を真空引きし、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁を閉じてから前記圧力計に
より圧力降下と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値
と前記初期値とを比較して流量制御器が正常か否かを監
視することを特徴とする。
【００１１】請求項５に係る発明は、各種のガスを所定
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
装置において、前記ガス供給配管の流量制御器の上流側
に圧力計及び開閉弁を順に設け、ガス供給配管に処理容
器をバイパスして前記排気配管と連通するバイパス配管
を設け、校正された流量制御器の取付後にバイパス配管
を真空引きし、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁を閉じてから前記圧力計に
より圧力降下と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値
と前記初期値とを比較して流量制御器が正常か否かを監
視するための制御ユニットを設けたことを特徴とする。
流量で供給する流量制御器を有する複数のガス供給配管
と、所定の圧力に真空引き可能な排気配管とが接続され
た処理容器に被処理体を収容して所定の処理を施す処理
装置において、前記ガス供給配管の流量制御器の上流側
に圧力計及び開閉弁を順に設け、ガス供給配管に処理容
器をバイパスして前記排気配管と連通するバイパス配管
を設け、校正された流量制御器の取付後にバイパス配管
を真空引きし、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁を閉じてから前記圧力計に
より圧力降下と推移時間を各ガス供給配管毎に測定して
初期値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値
と前記初期値とを比較して流量制御器が正常か否かを監
視するための制御ユニットを設けたことを特徴とする。
【００１２】請求項６に係る発明は、請求項５記載の処
理装置において、ガスの体積変化の要因となる温度変化
による測定精度の低下を防止するために、前記流量制御
器から上流側の開閉弁までの範囲をヒータ及び温度調整
器により一定の温度に保つように構成されているか、ま
たは、前記圧力計に温度センサを併設して測定温度に基
いて測定圧力に補正をかけるように構成されていること
を特徴とする。
理装置において、ガスの体積変化の要因となる温度変化
による測定精度の低下を防止するために、前記流量制御
器から上流側の開閉弁までの範囲をヒータ及び温度調整
器により一定の温度に保つように構成されているか、ま
たは、前記圧力計に温度センサを併設して測定温度に基
いて測定圧力に補正をかけるように構成されていること
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を
示す処理装置の構成図、図２は同処理装置の流量制御器
を検査する場合の測定圧力の時間変化を示すグラフ、図
３は流量制御器の一例を示す断面図である。
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を
示す処理装置の構成図、図２は同処理装置の流量制御器
を検査する場合の測定圧力の時間変化を示すグラフ、図
３は流量制御器の一例を示す断面図である。
【００１４】図１において、１は処理装置として例示し
た縦型熱処理装置で、被処理体例えば半導体ウエハｗを
収容して所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すための処理
容器例えば石英製の反応管３を備えている。反応管３
は、図示しないベースプレートに保持されていると共
に、炉口として開放した下端開口部が蓋体４で気密に閉
塞されるようになっている。
た縦型熱処理装置で、被処理体例えば半導体ウエハｗを
収容して所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すための処理
容器例えば石英製の反応管３を備えている。反応管３
は、図示しないベースプレートに保持されていると共
に、炉口として開放した下端開口部が蓋体４で気密に閉
塞されるようになっている。
【００１５】この蓋体４上には、多数枚例えば２５〜１
５０枚程度のウエハｗを水平状態で上下方向に間隔をお
いて多段に支持する保持具である石英製のボート５が保
温筒６を介して載置されている。蓋体４は、図示しない
昇降機構により、反応管３内へのボート５のロード（搬
入）並びにアンロード（搬出）及び炉口の開閉を行うよ
うに構成されている。反応管３の周囲には、反応管３内
を所定の温度例えば３００〜１２００℃に加熱制御可能
なヒータ７が設けられている。
５０枚程度のウエハｗを水平状態で上下方向に間隔をお
いて多段に支持する保持具である石英製のボート５が保
温筒６を介して載置されている。蓋体４は、図示しない
昇降機構により、反応管３内へのボート５のロード（搬
入）並びにアンロード（搬出）及び炉口の開閉を行うよ
うに構成されている。反応管３の周囲には、反応管３内
を所定の温度例えば３００〜１２００℃に加熱制御可能
なヒータ７が設けられている。
【００１６】反応管３の下側部には、反応管３内に各種
のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で供給する流量制御
器（マスフローコントローラ）８１，８２，８３を有す
る複数のガス供給配管９１，９２，９３と、反応管３内
を所定の圧力に真空引き可能な真空ポンプ１０及び圧力
制御弁１１を有する排気配管１２とが接続されている。
圧力制御弁１１の上流側には反応管３内の圧力を検知す
る図示しない圧力計（圧力センサ）が設けられ、圧力制
御弁１１と真空ポンプ１０との間には、排気中に含まれ
る反応副生成物やパーティクルを除去するトラップ１３
が設けられている。
のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で供給する流量制御
器（マスフローコントローラ）８１，８２，８３を有す
る複数のガス供給配管９１，９２，９３と、反応管３内
を所定の圧力に真空引き可能な真空ポンプ１０及び圧力
制御弁１１を有する排気配管１２とが接続されている。
圧力制御弁１１の上流側には反応管３内の圧力を検知す
る図示しない圧力計（圧力センサ）が設けられ、圧力制
御弁１１と真空ポンプ１０との間には、排気中に含まれ
る反応副生成物やパーティクルを除去するトラップ１３
が設けられている。
【００１７】前記流量制御器８１，８２，８３は、図３
に示すように、入口から流入したガスを流量センサ部１
４と層流素子バイパス部１５とに分流し、流量センサ部
１４で質量流量に比例した温度変化をとらえて電気信号
に変換し、外部からの設定信号と流量センサ部１４から
の流量信号とを比較してその差信号がゼロになる方向に
流量制御バルブ１６を駆動するように構成されている。
に示すように、入口から流入したガスを流量センサ部１
４と層流素子バイパス部１５とに分流し、流量センサ部
１４で質量流量に比例した温度変化をとらえて電気信号
に変換し、外部からの設定信号と流量センサ部１４から
の流量信号とを比較してその差信号がゼロになる方向に
流量制御バルブ１６を駆動するように構成されている。
【００１８】ガス供給配管の一つ（９１）は不活性ガス
例えば窒素ガスＧ１を供給して処理容器内に残存する他
のガスをパージ（掃気）するパージラインとされ、他の
ガス供給配管９２，９３は各種の処理ガスを供給する処
理ガスラインとされている。処理ガスライン９２，９３
にも不活性ガスＧ１を供給して管内に残存するガスをパ
ージするために、パージライン９１の流量制御器８１の
上流側が分岐され、その分岐管１７ａ，１７ｂが処理ガ
ス供給配管９２，９３の流量制御器８２，８３の上流側
に接続されている。
例えば窒素ガスＧ１を供給して処理容器内に残存する他
のガスをパージ（掃気）するパージラインとされ、他の
ガス供給配管９２，９３は各種の処理ガスを供給する処
理ガスラインとされている。処理ガスライン９２，９３
にも不活性ガスＧ１を供給して管内に残存するガスをパ
ージするために、パージライン９１の流量制御器８１の
上流側が分岐され、その分岐管１７ａ，１７ｂが処理ガ
ス供給配管９２，９３の流量制御器８２，８３の上流側
に接続されている。
【００１９】各ガス供給配管８１，８２，８３の流量制
御器９１，９２，９３の上流側には、開閉弁Ｖ１，
Ｖ２，Ｖ３、図示しないフィルタ、レギュレータ（圧力
調整器）及び手動式開閉弁がそれぞれ設けられている。
また、分岐管１７ａ，１７ｂにも、開閉弁Ｖ４，Ｖ５及
び逆止弁１８ａ，１８ｂが設けられている。
御器９１，９２，９３の上流側には、開閉弁Ｖ１，
Ｖ２，Ｖ３、図示しないフィルタ、レギュレータ（圧力
調整器）及び手動式開閉弁がそれぞれ設けられている。
また、分岐管１７ａ，１７ｂにも、開閉弁Ｖ４，Ｖ５及
び逆止弁１８ａ，１８ｂが設けられている。
【００２０】前記ガス供給配管９１，９２，９３には、
反応管３をバイパスして前記排気配管１２と連通するバ
イパス配管１９が設けられ、このバイパス配管１９の下
流側にバイパス配管１９内の圧力を検知する圧力計（圧
力センサ）２０及び封止弁２１が順に設けられている。
バイパス配管１９の上流側は、ガス供給配管９１，
９ ２，９３に対応して複数に分岐され、各分岐管２２
ａ，２２ｂ，２２ｃが対応するガス供給配管９１，
９２，９３の下流側に接続されている。すなわち、バイ
パス配管１９は複数のガス供給配管９１，９２，９３に
対して共通の一本のバイパス配管とされている。
反応管３をバイパスして前記排気配管１２と連通するバ
イパス配管１９が設けられ、このバイパス配管１９の下
流側にバイパス配管１９内の圧力を検知する圧力計（圧
力センサ）２０及び封止弁２１が順に設けられている。
バイパス配管１９の上流側は、ガス供給配管９１，
９ ２，９３に対応して複数に分岐され、各分岐管２２
ａ，２２ｂ，２２ｃが対応するガス供給配管９１，
９２，９３の下流側に接続されている。すなわち、バイ
パス配管１９は複数のガス供給配管９１，９２，９３に
対して共通の一本のバイパス配管とされている。
【００２１】ガス供給配管９１，９２，９３と分岐管２
２ａ，２２ｂ，２２ｃとには、これらの接続部の下流近
傍に切替弁としての開閉弁Ｖ６〜Ｖ１１がそれぞれ設け
られている。バイパス配管１９の下流端は排気配管１２
の真空ポンプ１０の上流側に接続されており、バイパス
配管１９の下流側において封止弁２１の上流側に圧力計
２０が設けられている。処理装置１は、所定の処理を実
行すべく予め設定された処理プログラム及び入力された
データ並びに圧力や温度等の入力信号に基き、ガス供給
配管９１，９２，９３の開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３、排気
配管１２の圧力制御弁１１やヒータ７等の処理装置全体
を制御するための制御ユニット２３を備えている。
２ａ，２２ｂ，２２ｃとには、これらの接続部の下流近
傍に切替弁としての開閉弁Ｖ６〜Ｖ１１がそれぞれ設け
られている。バイパス配管１９の下流端は排気配管１２
の真空ポンプ１０の上流側に接続されており、バイパス
配管１９の下流側において封止弁２１の上流側に圧力計
２０が設けられている。処理装置１は、所定の処理を実
行すべく予め設定された処理プログラム及び入力された
データ並びに圧力や温度等の入力信号に基き、ガス供給
配管９１，９２，９３の開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３、排気
配管１２の圧力制御弁１１やヒータ７等の処理装置全体
を制御するための制御ユニット２３を備えている。
【００２２】ところで、前記流量制御器８１，８２，８
３は、ある程度使用すると例えば処理ガスの副生成物が
付着したり異物をかみ込んだりする場合があり、流量制
御８ １，８２，８３の精度および信頼性が低下すること
がある。そこで、流量制御器８１，８２，８３が正常か
否かを監視するために、校正された流量制御器８１，８
２，８３の取付後にバイパス配管１９を真空引きし、封
止弁２１を閉じて封止した後、ガス供給配管９１，
９２，９３から固定された流量のガスを導入しながら前
記圧力計２０により圧力上昇値ΔＰと推移時間ΔＴを各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後（所定期間経過後）に測定し
た測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８１，８
２，８３が正常か否かを定期的に例えばプロセス終了毎
に監視する。
３は、ある程度使用すると例えば処理ガスの副生成物が
付着したり異物をかみ込んだりする場合があり、流量制
御８ １，８２，８３の精度および信頼性が低下すること
がある。そこで、流量制御器８１，８２，８３が正常か
否かを監視するために、校正された流量制御器８１，８
２，８３の取付後にバイパス配管１９を真空引きし、封
止弁２１を閉じて封止した後、ガス供給配管９１，
９２，９３から固定された流量のガスを導入しながら前
記圧力計２０により圧力上昇値ΔＰと推移時間ΔＴを各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後（所定期間経過後）に測定し
た測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８１，８
２，８３が正常か否かを定期的に例えばプロセス終了毎
に監視する。
【００２３】この監視方法は、各ガス供給配管９１，９
２，９３とバイパス配管１９とからなるバイパスライン
の容積を利用し、各流量制御器８１，８２，８３を通過
する実流量を圧力として直接測定し、測定圧力の時間的
変化により流量制御器８１，８２，８３の流量センサ部
１４が正常か否かを監視するものである。具体的には、
例えば図１の左から２番目のガス供給配管９２の流量制
御器８２を監視する場合には、校正された流量制御器８
２の取付後に開閉弁Ｖ９及び封止弁２１を開に、他の開
閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，
Ｖ８，Ｖ１０，Ｖ１ １及び圧力制御弁１１を閉にし、当
該バイパスラインを真空ポンプ１０により真空引きす
る。この時の圧力計２０で測定した値を基準圧力として
図２にＰ０で示す。
２，９３とバイパス配管１９とからなるバイパスライン
の容積を利用し、各流量制御器８１，８２，８３を通過
する実流量を圧力として直接測定し、測定圧力の時間的
変化により流量制御器８１，８２，８３の流量センサ部
１４が正常か否かを監視するものである。具体的には、
例えば図１の左から２番目のガス供給配管９２の流量制
御器８２を監視する場合には、校正された流量制御器８
２の取付後に開閉弁Ｖ９及び封止弁２１を開に、他の開
閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，
Ｖ８，Ｖ１０，Ｖ１ １及び圧力制御弁１１を閉にし、当
該バイパスラインを真空ポンプ１０により真空引きす
る。この時の圧力計２０で測定した値を基準圧力として
図２にＰ０で示す。
【００２４】次に、封止弁２１を閉じ、流量制御器９２
に所定の流量例えば１０ｃｃ／分を流すように信号を与
えると共に開閉弁Ｖ２を開にし、ガス供給配管９２から
固定された流量のガスをバイパス配管１９に導入しなが
ら前記圧力計２０を用いて圧力上昇値ΔＰと推移時間Δ
Ｔを測定し、その測定値を初期値として記憶する。図２
において、Ｔ０はガス導入開始時、Ｔ１は一定流量安定
後の測定開始時、Ｔ２は測定終了時、Ｔ３は封止弁を開
にし次のラインの計測に切換える時点を示す。また、Ｐ
１は一定流量に安定後の測定開始時の測定圧力、Ｐ２は
測定終了時の測定圧力を示す。
に所定の流量例えば１０ｃｃ／分を流すように信号を与
えると共に開閉弁Ｖ２を開にし、ガス供給配管９２から
固定された流量のガスをバイパス配管１９に導入しなが
ら前記圧力計２０を用いて圧力上昇値ΔＰと推移時間Δ
Ｔを測定し、その測定値を初期値として記憶する。図２
において、Ｔ０はガス導入開始時、Ｔ１は一定流量安定
後の測定開始時、Ｔ２は測定終了時、Ｔ３は封止弁を開
にし次のラインの計測に切換える時点を示す。また、Ｐ
１は一定流量に安定後の測定開始時の測定圧力、Ｐ２は
測定終了時の測定圧力を示す。
【００２５】Ｐ２−Ｐ１＝ΔＰ（圧力上昇値）とＴ２−
Ｔ１＝ΔＴ（推移時間）を校正後の初期値として記憶す
る。このようにして各ラインについて測定した測定値を
初期値として記憶しておく。この作業が終了したなら、
反応管３に処理ガスを導入してプロセスを開始する。
Ｔ１＝ΔＴ（推移時間）を校正後の初期値として記憶す
る。このようにして各ラインについて測定した測定値を
初期値として記憶しておく。この作業が終了したなら、
反応管３に処理ガスを導入してプロセスを開始する。
【００２６】そして、所定期間経過後に、前記と同じ動
作すなわちバイパス配管１９を真空引きして封止した
後、ガス供給配管９１，９２，９３から固定された流量
のガスを導入しながら圧力計２０を用いて圧力上昇値と
推移時間を各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定
し、この測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８
１，８２，８３が正常か否かを判別する。例えば、推移
時間ΔＴを同じくして測定した測定値ΔＰ’と初期値Δ
Ｐとを比較するか、圧力上昇値ΔＰを同じくして測定し
た測定値ΔＴ’と初期値ΔＴとを比較する。測定値と初
期値が同じであれば、流量制御器８１，８２，８３が正
常であると判断し、測定値と初期値が異なれば、流量制
御器８１，８２，８３が異常であると判断する。
作すなわちバイパス配管１９を真空引きして封止した
後、ガス供給配管９１，９２，９３から固定された流量
のガスを導入しながら圧力計２０を用いて圧力上昇値と
推移時間を各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定
し、この測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８
１，８２，８３が正常か否かを判別する。例えば、推移
時間ΔＴを同じくして測定した測定値ΔＰ’と初期値Δ
Ｐとを比較するか、圧力上昇値ΔＰを同じくして測定し
た測定値ΔＴ’と初期値ΔＴとを比較する。測定値と初
期値が同じであれば、流量制御器８１，８２，８３が正
常であると判断し、測定値と初期値が異なれば、流量制
御器８１，８２，８３が異常であると判断する。
【００２７】以上のようにして流量制御器８１，８２，
８３が正常か否かを定期的に監視する。このような監視
を自動的に行うために前記制御ユニット２３が用いられ
ており、制御ユニット２３には、前記監視を行うプログ
ラムが設定されている。この場合、制御ユニット２３
は、測定値と初期値とを比較して流量制御器８１，
８２，８３が正常か否かを判別（判断）し、その判別結
果をディスプレイ装置等に出力表示するようになってい
る。
８３が正常か否かを定期的に監視する。このような監視
を自動的に行うために前記制御ユニット２３が用いられ
ており、制御ユニット２３には、前記監視を行うプログ
ラムが設定されている。この場合、制御ユニット２３
は、測定値と初期値とを比較して流量制御器８１，
８２，８３が正常か否かを判別（判断）し、その判別結
果をディスプレイ装置等に出力表示するようになってい
る。
【００２８】以上の構成からなる処理方法ないし処理装
置によれば、各種のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で
供給する流量制御器８１，８２，８３を有する複数のガ
ス供給配管９１，９２，９３と、所定の圧力に真空引き
可能な排気配管１２とが接続された処理容器３に被処理
体ｗを収容して所定の処理を施す処理方法ないし処理装
置において、前記ガス供給配管９１，９２，９３に処理
容器３をバイパスして前記排気配管１２と連通するバイ
パス配管１９を設け、該バイパス配管１９の下流側に圧
力計２０及び封止弁２１を順に設け、校正された流量制
御器８１，８２，８３の取付後にバイパス配管１９を真
空引きして封止弁２１を閉じて封止した後、ガス供給配
管９１，９２，９３から固定された流量のガスを導入し
ながら前記圧力計２０により圧力上昇値と推移時間を各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期
値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正常か否
かを監視するようにしたので、信頼性の向上が図れると
共に、設置スペース及びコストの低減が図れる。
置によれば、各種のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で
供給する流量制御器８１，８２，８３を有する複数のガ
ス供給配管９１，９２，９３と、所定の圧力に真空引き
可能な排気配管１２とが接続された処理容器３に被処理
体ｗを収容して所定の処理を施す処理方法ないし処理装
置において、前記ガス供給配管９１，９２，９３に処理
容器３をバイパスして前記排気配管１２と連通するバイ
パス配管１９を設け、該バイパス配管１９の下流側に圧
力計２０及び封止弁２１を順に設け、校正された流量制
御器８１，８２，８３の取付後にバイパス配管１９を真
空引きして封止弁２１を閉じて封止した後、ガス供給配
管９１，９２，９３から固定された流量のガスを導入し
ながら前記圧力計２０により圧力上昇値と推移時間を各
ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期値とし
て記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期
値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正常か否
かを監視するようにしたので、信頼性の向上が図れると
共に、設置スペース及びコストの低減が図れる。
【００２９】すなわち、バイパスラインの容積を利用し
て流量制御器８１，８２，８３を通過する実ガスの実流
量を圧力として直接測定するようにし、流量制御器
８１，８ ２，８３のセンサとは異なる圧力センサ（圧力
計）２０を使用するため、同じ方式のセンサ同士を比較
して流量制御器の異常を監視する従来の処理方法ないし
処理装置と比べて信頼性の向上が図れる。また、共通の
バイパス配管１９に圧力計２０を１つ設けるだけで良い
ため、設置スペース及びコストの低減が図れる。また、
処理容器３を介さずにバイパスラインを使用するため、
反応管３の蓋体４開放時やウエハ移載時などに平行して
監視を行うことができ、処理装置のサイクルタイムに影
響しない。更に、プロセス間に監視を毎回行うことも可
能であり、プロセスの再現性や信頼性の向上が図れる。
て流量制御器８１，８２，８３を通過する実ガスの実流
量を圧力として直接測定するようにし、流量制御器
８１，８ ２，８３のセンサとは異なる圧力センサ（圧力
計）２０を使用するため、同じ方式のセンサ同士を比較
して流量制御器の異常を監視する従来の処理方法ないし
処理装置と比べて信頼性の向上が図れる。また、共通の
バイパス配管１９に圧力計２０を１つ設けるだけで良い
ため、設置スペース及びコストの低減が図れる。また、
処理容器３を介さずにバイパスラインを使用するため、
反応管３の蓋体４開放時やウエハ移載時などに平行して
監視を行うことができ、処理装置のサイクルタイムに影
響しない。更に、プロセス間に監視を毎回行うことも可
能であり、プロセスの再現性や信頼性の向上が図れる。
【００３０】なお、ガスの体積変化（熱膨張収縮）の要
因となる温度変化による測定精度の低下を防止するため
に、測定系である前記流量制御器８１，８２，８３から
圧力系２０までの範囲を図示しないヒータ（加熱手段）
及び温度調整器（温度制御手段）により一定の温度に保
つように構成されているか、または、前記圧力計２０に
図示しない温度センサを併設して測定温度に基いて測定
圧力に補正をかけるように構成されていることが好まし
い。測定系を一定の温度に保つ場合は、測定系にヒータ
を巻き付ける等により設け、このヒータの温度を温度調
整器により一定の温度に制御する。本実施の形態の場
合、測定容積範囲が広いので、流量制御器８１，８２，
８３から圧力計２０までの範囲をヒータと温度調整器に
より一定温度に維持するように構成することが好まし
い。この場合、各ガス供給管９１，９ ２，９３は室温よ
りも若干高い温度例えば４０℃程度に、または、蒸気圧
の低いガスのガス供給管は気体状態を維持できる温度
に、ヒータと温度調整器により一定に保つ。バイパス管
９１，９２，９３はガス供給管８１，８２，８３の中で
一番高い温度と同じ温度に設定するようにしても良い。
このように測定系を略一定の温度に保つことにより、ガ
スの体積変化を抑制ないし防止することができ、測定精
度の向上が図れる。
因となる温度変化による測定精度の低下を防止するため
に、測定系である前記流量制御器８１，８２，８３から
圧力系２０までの範囲を図示しないヒータ（加熱手段）
及び温度調整器（温度制御手段）により一定の温度に保
つように構成されているか、または、前記圧力計２０に
図示しない温度センサを併設して測定温度に基いて測定
圧力に補正をかけるように構成されていることが好まし
い。測定系を一定の温度に保つ場合は、測定系にヒータ
を巻き付ける等により設け、このヒータの温度を温度調
整器により一定の温度に制御する。本実施の形態の場
合、測定容積範囲が広いので、流量制御器８１，８２，
８３から圧力計２０までの範囲をヒータと温度調整器に
より一定温度に維持するように構成することが好まし
い。この場合、各ガス供給管９１，９ ２，９３は室温よ
りも若干高い温度例えば４０℃程度に、または、蒸気圧
の低いガスのガス供給管は気体状態を維持できる温度
に、ヒータと温度調整器により一定に保つ。バイパス管
９１，９２，９３はガス供給管８１，８２，８３の中で
一番高い温度と同じ温度に設定するようにしても良い。
このように測定系を略一定の温度に保つことにより、ガ
スの体積変化を抑制ないし防止することができ、測定精
度の向上が図れる。
【００３１】前記実施例では、不活性ガスを含む全ての
ガス供給管９１，９２，９３の流量制御器８１，８２，
８３を監視するようにしたが、不活性ガスの流量制御器
８１は副生成物の付着がなく流量制御の精度が低下する
可能性が他の流量制御器８２，８３と比べて低いため、
不活性ガスの流量制御器８１の監視は行わず、処理ガス
の流量制御器８２，８３のみを監視するようにしても良
い。
ガス供給管９１，９２，９３の流量制御器８１，８２，
８３を監視するようにしたが、不活性ガスの流量制御器
８１は副生成物の付着がなく流量制御の精度が低下する
可能性が他の流量制御器８２，８３と比べて低いため、
不活性ガスの流量制御器８１の監視は行わず、処理ガス
の流量制御器８２，８３のみを監視するようにしても良
い。
【００３２】図４は本発明の他の実施の形態を示す処理
装置の構成図、図５は同処理装置の流量制御器を検査す
る場合の測定圧力の時間変化を示すグラフである。図４
の本実施の形態において、図１の実施の形態と同一部分
は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について
説明を加える。本実施の形態では、ガス供給配管９１，
９２，９３の流量制御器８１，８２，８３の上流側に圧
力計（圧力センサ）２５１，２５２，２５３及び開閉弁
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が順に設けられ、ガス供給配管９１，
９２，９３に処理容器３をバイパスして排気配管１２と
連通するバイパス配管１９が設けられている。
装置の構成図、図５は同処理装置の流量制御器を検査す
る場合の測定圧力の時間変化を示すグラフである。図４
の本実施の形態において、図１の実施の形態と同一部分
は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について
説明を加える。本実施の形態では、ガス供給配管９１，
９２，９３の流量制御器８１，８２，８３の上流側に圧
力計（圧力センサ）２５１，２５２，２５３及び開閉弁
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が順に設けられ、ガス供給配管９１，
９２，９３に処理容器３をバイパスして排気配管１２と
連通するバイパス配管１９が設けられている。
【００３３】各ガス供給配管９１，９２，９３に流量制
御器８１，８２，８３及び開閉弁Ｖ １，Ｖ２，Ｖ３が設
けられている場合には、これら流量制御器８１，８２，
８３と開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間に圧力計２５１，
２５２，２５３を設ければ良い。図示例では、バイパス
配管１９の下流側に圧力計２０及び封止弁２１が設けら
れているが、その圧力計２０は今回は使用しないため、
無くても良い。
御器８１，８２，８３及び開閉弁Ｖ １，Ｖ２，Ｖ３が設
けられている場合には、これら流量制御器８１，８２，
８３と開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間に圧力計２５１，
２５２，２５３を設ければ良い。図示例では、バイパス
配管１９の下流側に圧力計２０及び封止弁２１が設けら
れているが、その圧力計２０は今回は使用しないため、
無くても良い。
【００３４】前記流量制御器８１，８２，８３が正常か
否かを監視するために、校正された流量制御器８１，８
２，８３の取付後にバイパス配管１９を真空引きし、ガ
ス供給配管９１，９２，９３から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じて
から前記圧力計２５１，２５２，２５３により圧力降下
ΔＰと推移時間ΔＴを各ガス供給配管９１，９２，９３
毎に測定して初期値として記憶し、所定期間使用後（所
定期間経過後）に測定した測定値と前記初期値とを比較
して流量制御器８１，８２，８３が正常か否かを定期的
に例えばプロセス終了毎に監視する。
否かを監視するために、校正された流量制御器８１，８
２，８３の取付後にバイパス配管１９を真空引きし、ガ
ス供給配管９１，９２，９３から固定された流量のガス
を導入した状態で前記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じて
から前記圧力計２５１，２５２，２５３により圧力降下
ΔＰと推移時間ΔＴを各ガス供給配管９１，９２，９３
毎に測定して初期値として記憶し、所定期間使用後（所
定期間経過後）に測定した測定値と前記初期値とを比較
して流量制御器８１，８２，８３が正常か否かを定期的
に例えばプロセス終了毎に監視する。
【００３５】この監視方法は、各ガス供給配管９１，９
２，９３における流量制御器８１，８２，８３と開閉弁
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間の容積を利用し、各流量制御器
８１，８２，８３を通過する実流量を圧力として直接測
定し、測定圧力の時間的変化により流量制御器８１，８
２，８３の流量センサ部１４のドリフトを監視するもの
である。具体的には、例えば図４の左から２番目のガス
供給配管９２の流量制御器８２を監視する場合には、校
正された流量制御器８２の取付後に開閉弁Ｖ２，Ｖ９及
び封止弁２１を開に、他の開閉弁Ｖ１，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ
５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８，Ｖ１０，Ｖ１１及び圧力制御弁
１１を閉にし、当該ガス供給配管９２とバイパス配管１
９とからなるバイパスラインを真空ポンプ１０により真
空引きする。また、当該ガス供給配管９２の流量制御器
８２に所定の流量例えば１０ｃｃ／分を流すように信号
を与える。この一定流量で流れている時の前記圧力計２
５ ２で測定した基準圧力を図５にＰ０で示す。
２，９３における流量制御器８１，８２，８３と開閉弁
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間の容積を利用し、各流量制御器
８１，８２，８３を通過する実流量を圧力として直接測
定し、測定圧力の時間的変化により流量制御器８１，８
２，８３の流量センサ部１４のドリフトを監視するもの
である。具体的には、例えば図４の左から２番目のガス
供給配管９２の流量制御器８２を監視する場合には、校
正された流量制御器８２の取付後に開閉弁Ｖ２，Ｖ９及
び封止弁２１を開に、他の開閉弁Ｖ１，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ
５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８，Ｖ１０，Ｖ１１及び圧力制御弁
１１を閉にし、当該ガス供給配管９２とバイパス配管１
９とからなるバイパスラインを真空ポンプ１０により真
空引きする。また、当該ガス供給配管９２の流量制御器
８２に所定の流量例えば１０ｃｃ／分を流すように信号
を与える。この一定流量で流れている時の前記圧力計２
５ ２で測定した基準圧力を図５にＰ０で示す。
【００３６】次に、当該ガス供給配管９２の上流の開閉
弁Ｖ２を閉にし、前記圧力計２５２を用いて圧力降下値
ΔＰと推移時間ΔＴを測定し、その測定値を初期値とし
て記憶する。図５において、Ｔ０は開閉弁を閉にした時
点、Ｔ１は流量安定後の測定開始時、Ｔ２は測定終了
時、Ｔ３は開閉弁を開にし次のラインの計測に切換える
時点を示す。また、Ｐ１は流量安定後の測定開始時の測
定圧力、Ｐ２は測定終了時の測定圧力を示す。
弁Ｖ２を閉にし、前記圧力計２５２を用いて圧力降下値
ΔＰと推移時間ΔＴを測定し、その測定値を初期値とし
て記憶する。図５において、Ｔ０は開閉弁を閉にした時
点、Ｔ１は流量安定後の測定開始時、Ｔ２は測定終了
時、Ｔ３は開閉弁を開にし次のラインの計測に切換える
時点を示す。また、Ｐ１は流量安定後の測定開始時の測
定圧力、Ｐ２は測定終了時の測定圧力を示す。
【００３７】Ｐ２−Ｐ１＝ΔＰ（圧力降下値）とＴ２−
Ｔ１＝ΔＴ（推移時間）を校正後の初期値として記憶す
る。このようにして各ラインについて測定した測定値を
初期値として記憶しておく。この作業が終了したなら、
反応管３に処理ガスを導入してプロセスを開始する。
Ｔ１＝ΔＴ（推移時間）を校正後の初期値として記憶す
る。このようにして各ラインについて測定した測定値を
初期値として記憶しておく。この作業が終了したなら、
反応管３に処理ガスを導入してプロセスを開始する。
【００３８】そして、所定期間経過後に、前記と同じ動
作すなわちバイパス配管１９を真空引きし、ガス供給配
管９１，９２，９３から固定された流量のガスを導入し
た状態で前記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じてから前記
圧力計２５１，２５２，２５ ３により圧力降下値と推移
時間を各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定し、こ
の測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８１，８
２，８３が正常か否かを判別する。例えば、推移時間Δ
Ｔを同じくして測定した測定値ΔＰ’と初期値ΔＰとを
比較するか、圧力降下値ΔＰを同じくして測定した測定
値ΔＴ’と初期値ΔＴとを比較する。測定値と初期値が
同じであれば、当該流量制御器８１，８ ２，８３が正常
であると判断し、測定値と初期値が異なれば、当該流量
制御器８ １，８２，８３が異常であると判断する。
作すなわちバイパス配管１９を真空引きし、ガス供給配
管９１，９２，９３から固定された流量のガスを導入し
た状態で前記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じてから前記
圧力計２５１，２５２，２５ ３により圧力降下値と推移
時間を各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定し、こ
の測定値と前記初期値とを比較して流量制御器８１，８
２，８３が正常か否かを判別する。例えば、推移時間Δ
Ｔを同じくして測定した測定値ΔＰ’と初期値ΔＰとを
比較するか、圧力降下値ΔＰを同じくして測定した測定
値ΔＴ’と初期値ΔＴとを比較する。測定値と初期値が
同じであれば、当該流量制御器８１，８ ２，８３が正常
であると判断し、測定値と初期値が異なれば、当該流量
制御器８ １，８２，８３が異常であると判断する。
【００３９】以上のようにして流量制御器８１，８２，
８３が正常か否かを定期的に監視する。このような監視
を自動的に行うために制御ユニット２３が用いられてお
り、制御ユニット２３には、前記監視を行うプログラム
が設定されている。この場合、制御ユニット２３は、測
定値と初期値とを比較して流量制御器８１，８２，８ ３
が正常か否かを判別（判断）し、その判別結果をディス
プレイ装置等に出力表示するようになっている。
８３が正常か否かを定期的に監視する。このような監視
を自動的に行うために制御ユニット２３が用いられてお
り、制御ユニット２３には、前記監視を行うプログラム
が設定されている。この場合、制御ユニット２３は、測
定値と初期値とを比較して流量制御器８１，８２，８ ３
が正常か否かを判別（判断）し、その判別結果をディス
プレイ装置等に出力表示するようになっている。
【００４０】以上の構成からなる処理方法ないし処理装
置によれば、各種のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で
供給する流量制御器８１，８２，８３を有する複数のガ
ス供給配管９１，９２，９３と、所定の圧力に真空引き
可能な排気配管１２とが接続された処理容器３に被処理
体ｗを収容して所定の処理を施す処理方法ないし処理装
置において、前記ガス供給配管９１，９２，９３の流量
制御器８１，８２，８ ３の上流側に圧力計２５１，２５
２，２５３及び開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を順に設け、ガ
ス供給配管９１，９２，９３に処理容器３をバイパスし
て前記排気配管１２と連通するバイパス配管１９を設
け、校正された流量制御器８１，８２，８ ３の取付後に
バイパス配管１９を真空引きし、ガス供給配管９１，９
２，９３から固定された流量のガスを導入した状態で前
記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じてから前記圧力計２５
１，２５２，２５３により圧力降下値ΔＰと推移時間Δ
Ｔを各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期
値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前
記初期値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正
常か否かを監視するようにしたので、信頼性の向上が図
れる。
置によれば、各種のガスＧ１，Ｇ２，Ｇ３を所定流量で
供給する流量制御器８１，８２，８３を有する複数のガ
ス供給配管９１，９２，９３と、所定の圧力に真空引き
可能な排気配管１２とが接続された処理容器３に被処理
体ｗを収容して所定の処理を施す処理方法ないし処理装
置において、前記ガス供給配管９１，９２，９３の流量
制御器８１，８２，８ ３の上流側に圧力計２５１，２５
２，２５３及び開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を順に設け、ガ
ス供給配管９１，９２，９３に処理容器３をバイパスし
て前記排気配管１２と連通するバイパス配管１９を設
け、校正された流量制御器８１，８２，８ ３の取付後に
バイパス配管１９を真空引きし、ガス供給配管９１，９
２，９３から固定された流量のガスを導入した状態で前
記開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じてから前記圧力計２５
１，２５２，２５３により圧力降下値ΔＰと推移時間Δ
Ｔを各ガス供給配管９１，９２，９３毎に測定して初期
値として記憶し、所定期間使用後に測定した測定値と前
記初期値とを比較して流量制御器８１，８２，８３が正
常か否かを監視するようにしたので、信頼性の向上が図
れる。
【００４１】すなわち、流量制御器８１，８２，８３と
開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間の容積を利用して流量制
御器８１，８２，８３を通過する実ガスの実流量を圧力
として直接測定するようにし、流量制御器８１，８２，
８３のセンサとは異なる圧力センサ（圧力計）２５１，
２５２，２５３を使用するため、同じ方式のセンサ同士
を比較して流量制御器の異常を監視する従来の処理方法
ないし処理装置と比べて信頼性の向上が図れる。また、
処理容器３を介さずにバイパスラインを使用するため、
反応管３の蓋体４開放時やウエハ移載時などに平行して
監視を行うことができ、処理装置のサイクルタイムに影
響しない。更に、プロセス間に監視を毎回行うことも可
能であり、プロセスの再現性や信頼性の向上が図れる。
開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との間の容積を利用して流量制
御器８１，８２，８３を通過する実ガスの実流量を圧力
として直接測定するようにし、流量制御器８１，８２，
８３のセンサとは異なる圧力センサ（圧力計）２５１，
２５２，２５３を使用するため、同じ方式のセンサ同士
を比較して流量制御器の異常を監視する従来の処理方法
ないし処理装置と比べて信頼性の向上が図れる。また、
処理容器３を介さずにバイパスラインを使用するため、
反応管３の蓋体４開放時やウエハ移載時などに平行して
監視を行うことができ、処理装置のサイクルタイムに影
響しない。更に、プロセス間に監視を毎回行うことも可
能であり、プロセスの再現性や信頼性の向上が図れる。
【００４２】本実施の形態においては、ガスの体積変化
の要因となる温度変化による測定精度の低下を防止する
ために、測定系である前記流量制御器８１，８２，８３
から上流側の開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３までの範囲をヒー
タ及び温度調整器により一定の温度に保つように構成さ
れているか、または、前記圧力センサ２５１，２５２，
２５３に温度センサを併設して測定温度に基いて測定圧
力に補正をかけるように構成されていることが好ましい
（図示省略）。このように測定系を一定の温度に保つこ
とによりガスの体積変化を抑制ないし防止することがで
き、測定精度の向上が図れる。また、測定系を一定の温
度にしない場合には、温度センサによる測定温度に基い
て測定圧力に補正をかけることにより、測定精度の向上
が図れる。
の要因となる温度変化による測定精度の低下を防止する
ために、測定系である前記流量制御器８１，８２，８３
から上流側の開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３までの範囲をヒー
タ及び温度調整器により一定の温度に保つように構成さ
れているか、または、前記圧力センサ２５１，２５２，
２５３に温度センサを併設して測定温度に基いて測定圧
力に補正をかけるように構成されていることが好ましい
（図示省略）。このように測定系を一定の温度に保つこ
とによりガスの体積変化を抑制ないし防止することがで
き、測定精度の向上が図れる。また、測定系を一定の温
度にしない場合には、温度センサによる測定温度に基い
て測定圧力に補正をかけることにより、測定精度の向上
が図れる。
【００４３】前記実施例では、不活性ガスを含む全ての
ガス供給管９１，９２，９３の全ての流量制御器８１，
８２，８３を監視するようにしたが、不活性ガスの流量
制御器８１は副生成物の付着がなく流量制御の精度が低
下する可能性が他の流量制御器８２，８３と比べて低い
ため、不活性ガスの流量制御器８１の監視は行わず（従
って、圧力計系２５１は設けなくても良い。）、処理ガ
スの流量制御器８２，８３のみを監視するようにしても
良い。
ガス供給管９１，９２，９３の全ての流量制御器８１，
８２，８３を監視するようにしたが、不活性ガスの流量
制御器８１は副生成物の付着がなく流量制御の精度が低
下する可能性が他の流量制御器８２，８３と比べて低い
ため、不活性ガスの流量制御器８１の監視は行わず（従
って、圧力計系２５１は設けなくても良い。）、処理ガ
スの流量制御器８２，８３のみを監視するようにしても
良い。
【００４４】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明は、縦型処理
装置に限定されず、横形処理装置であっても良く、ま
た、被処理体を１枚ずつ処理容器に収容して所定の処理
を施す枚葉式であっても良い。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明は、縦型処理
装置に限定されず、横形処理装置であっても良く、ま
た、被処理体を１枚ずつ処理容器に収容して所定の処理
を施す枚葉式であっても良い。
【００４５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００４６】（１）請求項１または２に係る発明によれ
ば、各種のガスを所定流量で供給する流量制御器を有す
る複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空引き可能な
排気配管とが接続された処理容器に被処理体を収容して
所定の処理を施す処理方法ないし処理装置において、前
記ガス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管
と連通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流
側に圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御
器の取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を
閉じて封止した後、ガス供給配管から固定された流量の
ガスを導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移
時間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶
し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを
比較して流量制御器が正常か否かを監視するようにした
ので、信頼性の向上が図れると共に、設置スペース及び
コストの低減が図れる。
ば、各種のガスを所定流量で供給する流量制御器を有す
る複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空引き可能な
排気配管とが接続された処理容器に被処理体を収容して
所定の処理を施す処理方法ないし処理装置において、前
記ガス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管
と連通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流
側に圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御
器の取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を
閉じて封止した後、ガス供給配管から固定された流量の
ガスを導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移
時間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶
し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを
比較して流量制御器が正常か否かを監視するようにした
ので、信頼性の向上が図れると共に、設置スペース及び
コストの低減が図れる。
【００４７】（２）請求項４または５に係る発明によれ
ば、各種のガスを所定流量で供給する流量制御器を有す
る複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空引き可能な
排気配管とが接続された処理容器に被処理体を収容して
所定の処理を施す処理方法ないし処理装置において、前
記ガス供給配管の流量制御器の上流側に圧力計及び開閉
弁を順に設け、ガス供給配管に処理容器をバイパスして
前記排気配管と連通するバイパス配管を設け、校正され
た流量制御器の取付後にバイパス配管を真空引きし、ガ
ス供給配管から固定された流量のガスを導入した状態で
前記開閉弁を閉じてから前記圧力計により圧力降下と推
移時間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶
し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを
比較して流量制御器が正常か否かを監視するようにした
ので、信頼性の向上が図れる。
ば、各種のガスを所定流量で供給する流量制御器を有す
る複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空引き可能な
排気配管とが接続された処理容器に被処理体を収容して
所定の処理を施す処理方法ないし処理装置において、前
記ガス供給配管の流量制御器の上流側に圧力計及び開閉
弁を順に設け、ガス供給配管に処理容器をバイパスして
前記排気配管と連通するバイパス配管を設け、校正され
た流量制御器の取付後にバイパス配管を真空引きし、ガ
ス供給配管から固定された流量のガスを導入した状態で
前記開閉弁を閉じてから前記圧力計により圧力降下と推
移時間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶
し、所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを
比較して流量制御器が正常か否かを監視するようにした
ので、信頼性の向上が図れる。
【図１】本発明の実施の形態を示す処理装置の構成図で
ある。
ある。
【図２】同処理装置の流量制御器を検査する場合の測定
圧力の時間変化を示すグラフである。
圧力の時間変化を示すグラフである。
【図３】流量制御器の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す処理装置の構成
図である。
図である。
【図５】同処理装置の流量制御器を検査する場合の測定
圧力の時間変化を示すグラフである。
圧力の時間変化を示すグラフである。
【図６】従来の処理装置の一例を示す要部構成図であ
る。
る。
【符号の説明】
１ 処理装置
ｗ 被処理体
３ 処理容器
８１，８２，８３ 流量制御器
９１，９２，９３ ガス供給配管
１２ 排気配管
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３ 開閉弁
１９ バイパス配管
２０ 圧力計
２１ 封止弁
２３ 制御弁
２５１，２５２，２５３ 圧力計
Claims (6)
- 【請求項１】 各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理方法において、前記ガ
ス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管と連
通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流側に
圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御器の
取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を閉じ
て封止した後、ガス供給配管から固定された流量のガス
を導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移時間
を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、所
定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを比較し
て流量制御器が正常か否かを監視することを特徴とする
処理方法。 - 【請求項２】 各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理方装置において、前記
ガス供給配管に処理容器をバイパスして前記排気配管と
連通するバイパス配管を設け、該バイパス配管の下流側
に圧力計及び封止弁を順に設け、校正された流量制御器
の取付後にバイパス配管を真空引きして前記封止弁を閉
じて封止した後、ガス供給配管から固定された流量のガ
スを導入しながら前記圧力計により圧力上昇値と推移時
間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、
該初期値と所定期間使用後に測定した測定値とを比較し
て流量制御器が正常か否かを監視するための制御ユニッ
トを設けたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】 ガスの体積変化の要因となる温度変化に
よる測定精度の低下を防止するために、前記流量制御器
から圧力計までの範囲をヒータ及び温度調整器により一
定の温度に保つように構成されているか、または、前記
圧力計に温度センサを併設して測定温度に基いて測定圧
力に補正をかけるように構成されていることを特徴とす
る請求項２記載の処理装置。 - 【請求項４】 各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理方法において、前記ガ
ス供給配管の流量制御器の上流側に圧力計及び開閉弁を
順に設け、ガス供給配管に処理容器をバイパスして前記
排気配管と連通するバイパス配管を設け、校正された流
量制御器の取付後にバイパス配管を真空引きし、ガス供
給配管から固定された流量のガスを導入した状態で前記
開閉弁を閉じてから前記圧力計により圧力降下と推移時
間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、
所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを比較
して流量制御器が正常か否かを監視することを特徴とす
る処理方法。 - 【請求項５】 各種のガスを所定流量で供給する流量制
御器を有する複数のガス供給配管と、所定の圧力に真空
引き可能な排気配管とが接続された処理容器に被処理体
を収容して所定の処理を施す処理装置において、前記ガ
ス供給配管の流量制御器の上流側に圧力計及び開閉弁を
順に設け、ガス供給配管に処理容器をバイパスして前記
排気配管と連通するバイパス配管を設け、校正された流
量制御器の取付後にバイパス配管を真空引きし、ガス供
給配管から固定された流量のガスを導入した状態で前記
開閉弁を閉じてから前記圧力計により圧力降下と推移時
間を各ガス供給配管毎に測定して初期値として記憶し、
所定期間使用後に測定した測定値と前記初期値とを比較
して流量制御器が正常か否かを監視するための制御ユニ
ットを設けたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項６】 ガスの体積変化の要因となる温度変化に
よる測定精度の低下を防止するために、前記流量制御器
から上流側の開閉弁までの範囲をヒータ及び温度調整器
により一定の温度に保つように構成されているか、また
は、前記圧力計に温度センサを併設して測定温度に基い
て測定圧力に補正をかけるように構成されていることを
特徴とする請求項５記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365128A JP3814526B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365128A JP3814526B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003168648A true JP2003168648A (ja) | 2003-06-13 |
| JP3814526B2 JP3814526B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=19175196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001365128A Expired - Fee Related JP3814526B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3814526B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005123236A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| DE102006003100B4 (de) * | 2005-01-19 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| JP2008234027A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Ckd Corp | ガス供給ユニット |
| JP2008255423A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR101876963B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2018-07-10 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 박막형성 장치 |
| KR101876960B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2018-07-10 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 박막형성 장치 |
| KR101876961B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2018-07-10 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 박막형성 장치 |
| JP2019211409A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量測定方法および流量測定装置 |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001365128A patent/JP3814526B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005123236A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| DE102006003100B4 (de) * | 2005-01-19 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| US9029244B2 (en) | 2005-01-19 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9406502B2 (en) | 2005-01-19 | 2016-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US9702041B2 (en) | 2005-01-19 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| JP2008234027A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Ckd Corp | ガス供給ユニット |
| JP2008255423A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR101876960B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2018-07-10 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 박막형성 장치 |
| KR101876963B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2018-07-10 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 박막형성 장치 |
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| CN108570664A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
| CN108570665A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
| JP2019211409A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量測定方法および流量測定装置 |
| CN111094911A (zh) * | 2018-06-08 | 2020-05-01 | 东京毅力科创株式会社 | 流量测量方法以及流量测量装置 |
| JP7061932B2 (ja) | 2018-06-08 | 2022-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量測定方法および流量測定装置 |
| US11326914B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-05-10 | Tokyo Electron Limited | Flow rate measurement apparatus and method for more accurately measuring gas flow to a substrate processing system |
| TWI832863B (zh) * | 2018-06-08 | 2024-02-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 流量測定方法及流量測定裝置 |
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