CN115295461B - 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 - Google Patents
工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115295461B CN115295461B CN202211219788.6A CN202211219788A CN115295461B CN 115295461 B CN115295461 B CN 115295461B CN 202211219788 A CN202211219788 A CN 202211219788A CN 115295461 B CN115295461 B CN 115295461B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- process chamber
- current
- target
- reaction gas
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的，基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，基于目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，在异常排除的情况下基于工艺腔室中反应气体的当前种类和含量以及当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断恢复，能够提高晶圆良品率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置。
背景技术
在半导体晶圆生产制造过程中，往往会由于工艺设备及生产环境中的不确定因素，导致工艺机台出现异常，进而造成工艺中断。
对于工艺环境配置过程的中断恢复，现有的方法是直接基于预设的工艺流程确定工艺中断时的预期工艺环境参数，并在异常排除之后，基于工艺中断时的预期工艺环境参数对工艺腔室继续进行工艺环境配置。但由于工艺环境配置过程中，相关人员可能会基于实际的配置情况，对相关配置参数（例如气路的开闭时机、开闭时长以及气路的流量）进行调整，进而导致工艺中断时工艺腔室中的实际工艺环境参数与工艺流程中的预期工艺环境参数不符。若基于工艺中断时的预期工艺环境参数对工艺腔室继续进行工艺环境配置，可能导致工艺腔室的工艺环境不达标，进而导致晶圆良品率低的问题。
发明内容
本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，以在工艺环境配置过程中断的情况下进行准确的中断恢复，提高晶圆良品率。
本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述方法包括：
在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；
基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；
在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤S11，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若是，执行步骤S12；若否，跳转执行步骤S13；
步骤S12，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复；所述目标反应气体指当前含量超过其目标含量的反应气体；
步骤S13，对所述工艺腔室进行抽真空，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述步骤S12还包括：
在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，跳转执行步骤S13。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述待补充的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第一目标气路；
基于所述待补充的反应气体的补充量，确定对应的第一目标气路的流量及通气时间；
基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制所述第一目标气路以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路；
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间；
基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的确定步骤具体包括：
基于质量流量控制器中各气路的开闭情况，确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长；
基于所述第三目标气路确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类；
基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长确定所述工艺腔室中反应气体的含量。
根据本申请提供的一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的。
本申请还提供一种工艺环境配置过程的中断恢复装置，所述装置包括：
第一确定模块，用于在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；
第二确定模块，用于基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；
中断恢复模块，用于在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述工艺环境配置过程的中断恢复方法的步骤。
本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述工艺环境配置过程的中断恢复方法的步骤。
本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，能够在工艺环境配置过程中断的情况下进行准确的中断恢复，提高晶圆良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法的流程示意图；
图2是本申请提供的工艺环境配置过程中断恢复的具体流程示意图；
图3是本申请提供的不存在目标气体的工艺环境配置过程中断恢复流程示意图；
图4是本申请提供的存在目标气体的工艺环境配置过程中断恢复流程示意图；
图5是本申请提供的确定工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的流程示意图；
图6是本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复装置的结构示意图；
图7是本申请提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法的流程示意图，如图1所示，该方法包括：
步骤101，在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的。
具体的，机台在对一批晶圆进行加工之前会预先设置晶圆的工艺流程，所述工艺流程中包括各晶圆的子工艺流程，各晶圆的子工艺流程包括按顺序排列的多个加工步骤，所述加工步骤通常包括运输步骤、工艺步骤和冷却步骤。所述工艺步骤包括工艺环境配置子步骤和工艺子步骤。基于当前批次晶圆的工艺计划和工艺标准，即可预先确定各晶圆对应的多个工艺子流程的时序关系以及各工艺子流程中多个加工步骤的执行方式和执行时序，进而生成所述工艺流程。机台工作过程中，基于所述工艺流程即可确定各晶圆对应的子工艺流程以及子工艺流程中各加工步骤的执行方式和执行时序，进而生成相应的控制程序，控制机械手、工艺腔室等设备执行对应的加工过程。值得注意的是，根据工艺要求的不同，晶圆的子工艺流程中可能会包括多个工艺步骤，例如镀膜机台，通常情况下需要对晶圆进行多次镀膜，且每次镀膜的工艺环境要求不尽相同。因此，晶圆的子工艺流程将包括多个工艺步骤，每个工艺步骤对应于一次镀膜，每个工艺步骤均包括对应的工艺环境配置子步骤和工艺（即镀膜）子步骤。
可以理解的是，由于晶圆加工对于工艺腔室的工艺环境有严格要求，稍有偏差将导致工艺失败。因此，在进行工艺之前必须保证工艺腔室的工艺环境达标。对于工艺环境的要求包括对于工艺腔室的压力、反应气体种类以及反应气体比例的要求。工艺环境配置子步骤的目的即是为了对工艺腔室的压力、反应气体种类以及反应气体比例等工艺环境进行配置，以符合当前工艺步骤的工艺环境要求，仅在工艺环境符合要求的情况下才能进行后续工艺子步骤。
综上所述，基于所述预设的工艺流程，机台能够对晶圆进行有序加工，同时，机台的后台软件会根据机台中各部件的反馈信号对机台中各晶圆的加工进度进行实时跟踪。现有技术即是以此为基础，在工艺环境配置过程（即某一工艺环境配置子步骤）中断的情况下，基于后台软件记录的加工进度确定当前工艺环境配置子步骤的已执行时长，基于当前工艺环境配置子步骤的已执行时长以及预设的工艺流程中当前工艺环境配置子步骤的预设执行时长，即可确定中断时的预期工艺环境参数，并在异常排除之后，基于工艺中断时的预期工艺环境参数对工艺腔室继续进行工艺环境配置。该方式在机台完全按照工艺流程执行且参与工艺环境配置的相关设备正常工作的情况下，是可行的。但由于工艺环境配置过程中，相关人员可能会基于实际的配置情况，对相关配置参数（例如气路的开闭时机、开闭时长以及气路的流量）进行调整，进而导致工艺中断时工艺腔室中的实际工艺环境参数与工艺流程中的预期工艺环境参数不符。同时，若参与工艺环境配置的相关设备工作异常，也可能导致工艺中断时工艺腔室中的实际工艺环境参数与工艺流程中的预期工艺环境参数不符。若基于工艺中断时的预期工艺环境参数对工艺腔室继续进行工艺环境配置，可能导致工艺腔室的工艺环境不达标，进而导致晶圆良品率低的问题。针对该问题，本申请实施例进行如下改进：
在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量。基于前述内容可知，由于晶圆的子工艺流程可能包括多个工艺步骤，因此，在发生机台工艺异常中断时，需要准确确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤，以便后续进行准确的中断恢复。结合前述内容可知，机台的后台软件会根据机台中各部件的反馈信号对机台中各晶圆的加工进度进行实时跟踪，基于此，本申请实施例可以从机台后台软件基于各晶圆的实时加工进度生成的工艺进度跟踪表中获取工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤。同时，考虑到现有技术基于预设工艺流程确定中断时工艺环境参数不准确的问题，本申请实施例直接通过质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以获取机台工艺异常中断时工艺腔室中的准确工艺环境参数。
可以理解的是，所述机台工艺异常中断可以基于机台状态监测单元反馈的报警信号确定。质量流量控制器在进行工艺环境配置过程中会记录不同时间点各气路的开闭情况以及流量信息，所述各气路的开闭是由质量流量控制器的控制程序控制的，因此，基于所述控制程序能够准确确定各气路的开闭情况，所述流量信息是由设置于各气路中的流量传感器监测得到并反馈给所述质量流量控制器的。基于此，本申请实施例可以在机台工艺异常中断时，基于前述工艺进度跟踪表确定当前工艺步骤对应的工艺环境配置子步骤的开始时刻，结合机台工艺异常中断时刻，即可确定需要获取的各气路的开闭情况以及流量信息对应的目标时间段，进而从所述质量流量控制器的记录文件中获取所述目标时间段对应的各气路的开闭情况以及流量信息，并基于所述目标时间段对应的各气路的开闭情况以及流量信息确定机台工艺异常中断的情况下，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量。还可以理解的是，质量流量控制器中各气路通入的反应气体种类是预先设定的，因此，确定了气路之后即可基于气路与反应气体种类的对应关系准确确定各气路通入的反应气体种类，再结合气路的流量信息即可确定目标时间段通入的反应气体种类和含量。
步骤102，基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量。
具体的，基于前述内容可知，由于当前批次晶圆的工艺计划和工艺标准已知，因此，晶圆每个工艺步骤对应的工艺环境要求也可以基于晶圆的工艺标准确定并用于设计对应的工艺环境配置子步骤。基于此，确定了工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤后，即可基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量。可以理解的是，由于工艺腔室的压力与通入的反应气体含量正相关，因此，确定了目标压力和各类反应气体的比例之后，即可确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量。
综上所述，本申请实施例能够在机台工艺异常中断的情况下，准确确定工艺腔室的当前工艺环境以及对应的工艺环境要求，以便后续进行高效准确的工艺环境配置过程中断恢复。
步骤103，在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
具体的，在异常排除的情况下，本申请实施例即可基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，能够在工艺环境配置过程中断的情况下进行准确的中断恢复，提高晶圆良品率。可以理解的是，所述异常排除同样可以基于机台状态监测单元反馈的异常排除信号确定，当然也可以通过相关人员手动触发的方式反馈该异常排除信号，本申请实施例对此不作具体限定。
本申请实施例提供的方法，在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，能够在工艺环境配置过程中断的情况下进行准确的中断恢复，提高晶圆良品率。
基于上述实施例，图2是本申请提供的工艺环境配置过程中断恢复的具体流程示意图，如图2所示，所述基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤S11，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若是，执行步骤S12；若否，跳转执行步骤S13；
步骤S12，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复；所述目标反应气体指当前含量超过其目标含量的反应气体；
步骤S13，对所述工艺腔室进行抽真空，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
具体的，要对工艺环境配置过程进行准确的中断恢复，需要同时确定工艺腔室中反应气体的种类和含量是否达标，仅当种类和含量均达标的情况下，才代表工艺环境配置完成，能够进行后续工艺子步骤。基于此，本申请实施例首先基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若匹配，说明所述工艺腔室中的反应气体种类均为当前工艺步骤需要的反应气体种类，后续可以进一步基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，能够最大限度地保证工艺环境配置过程中断恢复的高效性。可以理解的是，所述工艺腔室中的反应气体与当前工艺步骤匹配包括两种情形，第一种是所述工艺腔室中的反应气体种类与当前工艺步骤需要的反应气体种类完全相同，第二种是所述工艺腔室中的反应气体种类少于当前工艺步骤需要的反应气体种类，但所述工艺腔室中反应气体的当前种类均属于当前工艺步骤需要的反应气体。基于前述内容可知，由于工艺环境配置过程中，相关人员可能会基于实际的配置情况，对相关配置参数（例如气路的开闭时机、开闭时长以及气路的流量）进行调整，因此会造成第二种情形。针对前述两种情形，本申请实施例均可基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
同时，本申请实施例进一步考虑到相关人员对相关配置参数进行调整时出错以及参与工艺环境配置的相关设备异常（例如质量流量控制器或气路故障）导致所述工艺腔室中的反应气体与当前工艺步骤不匹配的情况，即工艺腔室中通入了当前工艺步骤不需要的其它反应气体，此时，无论后续如何对中断恢复策略进行调整，均无法达到当前步骤的工艺环境要求。因此，针对该情形，本申请实施例先对所述工艺腔室进行抽真空，再基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复（即步骤S13），能够保证工艺环境配置过程中断恢复的正常进行，避免对晶圆的工艺质量和工艺进度产生影响。
值得注意的是，若相关人员对相关配置参数进行调整时出错或参与工艺环境配置的相关设备异常，还会导致一种情形，即所述工艺腔室中的反应气体与当前工艺步骤匹配，但某一类或某几类气体的含量超过其目标含量（即目标反应气体），对于该情形，与不匹配的情形同样的，无论后续如何对中断恢复策略进行调整，均无法达到当前步骤的工艺环境要求。因此，对于该情形，本申请实施例采用与前述工艺腔室中的反应气体与当前工艺步骤不匹配的情形相同的应对策略（即步骤S13）。具体的，在判断所述工艺腔室中的反应气体与当前工艺步骤匹配的情况下，本申请实施例在步骤S12会进一步判断所述工艺腔室中是否存在目标反应气体，若不存在，则执行步骤S12的后续中断恢复步骤，若存在，则跳转执行步骤S13。基于此，本申请实施例能够充分考虑工艺环境配置过程异常的各种影响并进行针对性的中断恢复，最大限度地保证了工艺环境配置过程中断恢复的准确性，避免对晶圆工艺造成影响，提高晶圆良品率。
本申请实施例提供的方法，所述基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：步骤S11，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若是，执行步骤S12；若否，跳转执行步骤S13；步骤S12，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复；所述目标反应气体指当前含量超过其目标含量的反应气体；步骤S13，对所述工艺腔室进行抽真空，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，充分考虑工艺环境配置过程异常的影响，最大限度地保证了工艺环境配置过程中断恢复的准确性，避免对晶圆工艺造成影响，提高晶圆良品率。
基于上述任一实施例，所述步骤S12还包括：
在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，跳转执行步骤S13。
具体的，本申请实施例对应的原理及效果在前述实施例已经进行了详细介绍，在此不再赘述。
基于上述任一实施例，图3是本申请提供的不存在目标气体的工艺环境配置过程中断恢复流程示意图，如图3所示，所述基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤201，基于所述待补充的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第一目标气路；
步骤202，基于所述待补充的反应气体的补充量，确定对应的第一目标气路的流量及通气时间；
步骤203，基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制所述第一目标气路以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
具体的，基于前述实施例可知，质量流量控制器中各气路通入的反应气体种类是预先设定的，因此，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，本申请实施例可以基于所述待补充的反应气体种类，快速确定质量流量控制器中的第一目标气路，同时，基于所述待补充的反应气体的补充量，快速确定对应的第一目标气路的流量及通气时间。进而基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制所述第一目标气路以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。基于此，能够在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断的准确恢复，保证后续工艺正常进行，同时保证晶圆良品率。
本申请实施例提供的方法，基于所述待补充的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第一目标气路；基于所述待补充的反应气体的补充量，确定对应的第一目标气路的流量及通气时间；基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制第一目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置，能够在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断的准确恢复，保证后续工艺正常进行，同时保证晶圆良品率。
基于上述任一实施例，图4是本申请提供的存在目标气体的工艺环境配置过程中断恢复流程示意图，如图4所示，所述基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤301，基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路；
步骤302，基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间；
步骤303，基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
具体的，与不存在目标气体的工艺环境配置过程中断恢复流程类似的，在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，本申请实施例可以基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间，最后基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。基于此，能够在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断的准确恢复，保证后续工艺正常进行，同时保证晶圆良品率。
本申请实施例提供的方法，所述基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路；基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间；基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。能够在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断的准确恢复，保证后续工艺正常进行，同时保证晶圆良品率。
基于上述任一实施例，图5是本申请提供的确定工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的流程示意图，如图5所示，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的确定步骤具体包括：
步骤401，基于质量流量控制器中各气路的开闭情况，确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长；
步骤402，基于所述第三目标气路确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类；
步骤403，基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长确定所述工艺腔室中反应气体的含量。
具体的，基于前述实施例可知，在机台工艺异常中断时，基于工艺进度跟踪表可以确定当前工艺步骤对应的工艺环境配置子步骤的开始时刻，结合机台工艺异常中断时刻，即可确定需要获取的各气路的开闭情况以及流量信息对应的目标时间段，进而从所述质量流量控制器的记录文件中获取所述目标时间段对应的各气路的开闭情况以及流量信息。基于此，即可通过所述目标时间段对应的各气路的开闭情况，进而基于各气路的开闭情况确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长。进一步的，基于所述第三目标气路即可确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类，基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长即可确定所述工艺腔室中反应气体的含量。综上所述，本申请实施例能够准确确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，进而保证了后续工艺环境配置过程中断恢复的准确性。
本申请实施例提供的方法，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的确定步骤具体包括：基于质量流量控制器中各气路的开闭情况，确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长；基于所述第三目标气路确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类；基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长确定所述工艺腔室中反应气体的含量。能够准确确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，进而保证了后续工艺环境配置过程中断恢复的准确性。
基于上述任一实施例，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的。
具体的，本申请实施例出于保证得到的所述工艺腔室中反应气体的当前含量的准确性，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的，能够准确确定所述第三目标气路的流量信息，进而保证所述工艺腔室中反应气体的当前含量的准确性。
本申请实施例提供的方法，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的，能够准确确定所述第三目标气路的流量信息，进而保证所述工艺腔室中反应气体的当前含量的准确性。
下面对本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复装置进行描述，下文描述的工艺环境配置过程的中断恢复装置与上文描述的工艺环境配置过程的中断恢复方法可相互对应参照。
基于上述任一实施例，图6为本申请提供的工艺环境配置过程的中断恢复装置的结构示意图，如图6所示，该装置包括：
第一确定模块501，用于在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；
第二确定模块502，用于基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；
中断恢复模块503，用于在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
本申请实施例提供的装置，第一确定模块501在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；第二确定模块502基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；中断恢复模块503在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。能够在工艺环境配置过程中断的情况下进行准确的中断恢复，提高晶圆良品率。
基于上述实施例，所述基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤S11，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若是，执行步骤S12；若否，跳转执行步骤S13；
步骤S12，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复；所述目标反应气体指当前含量超过其目标含量的反应气体；
步骤S13，对所述工艺腔室进行抽真空，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
基于上述任一实施例，所述步骤S12还包括：
在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，跳转执行步骤S13。
基于上述任一实施例，所述基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述待补充的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第一目标气路；
基于所述待补充的反应气体的补充量，确定对应的第一目标气路的流量及通气时间；
基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制第一目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
基于上述任一实施例，所述基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路；
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间；
基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
基于上述任一实施例，所述第一确定模块501具体用于执行以下步骤：
基于质量流量控制器中各气路的开闭情况，确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长；
基于所述第三目标气路确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类；
基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长确定所述工艺腔室中反应气体的含量。
基于上述任一实施例，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的。
图7示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图7所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)601、通信接口(Communications Interface)602、存储器(memory)603和通信总线604，其中，处理器601，通信接口602，存储器603通过通信总线604完成相互间的通信。处理器601可以调用存储器603中的逻辑指令，以执行上述各方法所提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
此外，上述的存储器603中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本申请还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，所述计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
又一方面，本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的工艺环境配置过程的中断恢复方法，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述方法包括：
在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；
基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；
在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
2.根据权利要求1所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
步骤S11，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类，确定所述工艺腔室中的反应气体是否与当前工艺步骤匹配，若是，执行步骤S12；若否，跳转执行步骤S13；
步骤S12，在所述工艺腔室中不存在目标反应气体的情况下，基于工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定工艺腔室中待补充的反应气体种类以及对应的补充量，并基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复；所述目标反应气体指当前含量超过其目标含量的反应气体；
步骤S13，对所述工艺腔室进行抽真空，并基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
3.根据权利要求2所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述步骤S12还包括：
在所述工艺腔室中存在目标反应气体的情况下，跳转执行步骤S13。
4.根据权利要求3所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述基于所述待补充的反应气体种类以及对应的补充量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述待补充的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第一目标气路；
基于所述待补充的反应气体的补充量，确定对应的第一目标气路的流量及通气时间；
基于所述第一目标气路的流量及通气时间控制所述第一目标气路以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
5.根据权利要求4所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复，具体包括：
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的反应气体种类，确定质量流量控制器中的第二目标气路；
基于所述工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，确定对应的第二目标气路的流量及通气时间；
基于所述第二目标气路的流量及通气时间控制所述第二目标气路开启以对工艺腔室继续进行工艺环境配置。
6.根据权利要求1所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量的确定步骤具体包括：
基于质量流量控制器中各气路的开闭情况，确定在当前工艺步骤执行过程中开启的第三目标气路以及所述第三目标气路的开启时长；
基于所述第三目标气路确定所述工艺腔室中反应气体的当前种类；
基于所述第三目标气路的流量信息以及开启时长确定所述工艺腔室中反应气体的含量。
7.根据权利要求6所述的工艺环境配置过程的中断恢复方法，其特征在于，所述第三目标气路的流量信息是通过设置于气路中的流量传感器测量得到的。
8.一种工艺环境配置过程的中断恢复装置，其特征在于，所述装置包括：
第一确定模块，用于在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量；所述工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤是从机台的工艺进度跟踪表中获取的，所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的；
第二确定模块，用于基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，并基于所述目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量；
中断恢复模块，用于在异常排除的情况下，基于所述工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，以及工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程的中断恢复。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7任一项所述工艺环境配置过程的中断恢复方法的步骤。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述工艺环境配置过程的中断恢复方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211219788.6A CN115295461B (zh) | 2022-10-08 | 2022-10-08 | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211219788.6A CN115295461B (zh) | 2022-10-08 | 2022-10-08 | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115295461A CN115295461A (zh) | 2022-11-04 |
| CN115295461B true CN115295461B (zh) | 2023-04-14 |
Family
ID=83833181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211219788.6A Active CN115295461B (zh) | 2022-10-08 | 2022-10-08 | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115295461B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103049008A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | 流量控制装置以及处理装置 |
| CN104991581A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-10-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种工艺腔室的压力控制方法和装置 |
| CN112126910A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-12-25 | 山西云矽电子科技有限公司 | 一种基于plc在金刚石生长系统中的控制方法 |
| CN115020173A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-09-06 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 电感耦合等离子体刻蚀系统及其刻蚀控制方法 |
-
2022
- 2022-10-08 CN CN202211219788.6A patent/CN115295461B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103049008A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | 流量控制装置以及处理装置 |
| CN104991581A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-10-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种工艺腔室的压力控制方法和装置 |
| CN112126910A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-12-25 | 山西云矽电子科技有限公司 | 一种基于plc在金刚石生长系统中的控制方法 |
| CN115020173A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-09-06 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 电感耦合等离子体刻蚀系统及其刻蚀控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115295461A (zh) | 2022-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6465263B1 (en) | Method and apparatus for implementing corrected species by monitoring specific state parameters | |
| US6449524B1 (en) | Method and apparatus for using equipment state data for run-to-run control of manufacturing tools | |
| CN114627628B (zh) | 半导体机台报警处理方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| CN115295461B (zh) | 工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置 | |
| CN114242616A (zh) | 一种工艺故障处理方法和一种半导体工艺设备 | |
| TW201700971A (zh) | 電鍍期間中監視電解液 | |
| CN112828422A (zh) | 监测焊接质量的系统和方法 | |
| TWI663569B (zh) | 多工作站系統的品質預測方法及其系統 | |
| US6947803B1 (en) | Dispatch and/or disposition of material based upon an expected parameter result | |
| US6804619B1 (en) | Process control based on tool health data | |
| US20090254208A1 (en) | Method and system for detecting tool errors to stop a process recipe for a single chamber | |
| CN109256342B (zh) | 一种晶粒缺陷监控方法 | |
| US7855086B2 (en) | Method for monitoring fabrication parameter | |
| CN115863223A (zh) | 晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置 | |
| KR19990035555A (ko) | 반도체 장비 제어방법 | |
| US6216054B1 (en) | Method for controlling preventative maintenance cycles of semiconductor fabricating equipment arranged in a processing line | |
| CN115305461B (zh) | 异常工况下晶圆长膜的自动控制方法与装置 | |
| US6650957B1 (en) | Method and apparatus for run-to-run control of deposition process | |
| JP2004319857A (ja) | 半導体製造装置のモニタリングシステム | |
| US6925347B1 (en) | Process control based on an estimated process result | |
| US6991945B1 (en) | Fault detection spanning multiple processes | |
| US20050075835A1 (en) | System and method of real-time statistical bin control | |
| CN103871934B (zh) | 监测设备机台状况的方法 | |
| CN114937627B (zh) | 半导体设备的漏气处理方法和装置 | |
| US20090018788A1 (en) | Normalization of process variables in a manufacturing process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 214000 Guanshan Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 214000 Guanshan Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: WUXI YIWEN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |