CN114937627B - 半导体设备的漏气处理方法和装置 - Google Patents

半导体设备的漏气处理方法和装置 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法与装置，方法包括：基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号确定漏气点位置，基于漏气点位置确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆，基于异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定漏气点对应的泄漏气体种类，并基于泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体，若泄漏气体为危险气体，控制半导体设备停机并发送检修通知，若泄漏气体不是危险气体，基于异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆通过非异常工艺腔室进行工艺，在非异常晶圆工艺结束后控制半导体设备停机并发送检修通知，能在确保工艺安全性的同时提高生产效率。

Description

半导体设备的漏气处理方法和装置
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体设备的漏气处理方法和装置。
背景技术
半导体行业对于设备内部的气密性要求非常高，因为一旦产生漏气的情形，轻则导致工艺过程产品报废，重则由于工艺过程中可能会产生有毒有害气体，一旦发生泄露，将会造成事故或者人员伤亡。因此，在半导体的生产制备过程中，需要经常对设备的气密性进行检修，以保证生产过程中能达到工艺标准要求和生产安全性。
现有的气密性检修方案是在每次执行工艺流程之前，把半导体设备各腔室及通道关闭，然后把各腔室内部的空气抽干，形成真空，再检测各腔室内气压的变化。若腔室内的气压保持不变，说明半导体设备不存在漏气。相反，若腔室内的气压不断上升，说明半导体设备存在漏气。若发现半导体设备漏气，相关技术人员会先将设备恢复到大气压环境，然后对设备各个可能产生漏气的部位进行检查。检查出漏气点之后，对其进行修复并再次执行上述漏气检测过程，确保半导体设备不存在漏气点之后再进行工艺制备。
上述气密性检修方案存在以下问题：1、需要人工反复检查并定位漏气点，检测效率低下；2、只能在工艺制备前进行漏气检测，对于工艺制备过程中发生的漏气无法及时检测，仍然存在产品报废、事故或人员伤亡等隐患；3、当在工艺制备过程中发现设备漏气时，由于无法确定泄露气体类型，现有的处理方式通常直接停机检修以确保安全，这将导致半导体设备长时间无法工作，大大降低了半导体设备的生产效率。
发明内容
本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法和装置，以用于在半导体设备工作过程中高效及时地对漏气进行自动化检测和处理，在确保半导体设备安全性的基础上最大限度提高半导体设备的生产效率。
本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法，所述方法包括：
基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；
基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；
若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室，具体包括：
若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，具体包括：
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点确定所述漏气点对应的异常工艺腔室的当前状态，并基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态，相应的，所述基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，具体包括：
若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前充入的气体以及工艺过程中产生的气体。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述工艺过程中产生的气体是基于所述工艺过程对应的化学反应式确定的。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：
基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；
确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法，所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：
基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；
基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置。
本申请还提供一种半导体设备的漏气处理装置，所述装置包括：
漏气点位置确定模块，用于基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；
异常部件确定模块，用于基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；
危险气体确定模块，用于基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；
漏气处理模块，用于若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述半导体设备的漏气处理方法的步骤。
本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述半导体设备的漏气处理方法的步骤。
本申请提供的半导体设备的漏气处理方法与装置，基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，能够自动对半导体设备工艺制备前和工艺制备过程中出现的漏气情况进行准确及时的检测，基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆，能够准确确定漏气影响到的工艺腔室和晶圆，方便后续进行针对处理；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知，能够在确保半导体设备安全性的基础上最大限度提高半导体设备的生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的半导体设备的漏气处理方法的流程示意图；
图2是本申请提供的半导体设备的漏气处理装置的结构示意图；
图3是本申请提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为本申请提供的半导体设备的漏气处理方法的流程示意图，如图1所示，该方法包括：
步骤S101，基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置。
具体的，所述潜在漏气点指半导体设备中可能发生漏气的部位，所述潜在漏气点是基于经验预先确定的。确定了潜在漏气点之后，本申请实施例根据漏气点会存在对应气流的特点，在全部潜在漏气点设置气体流动检测装置，通过气体流动检测装置对漏气点进行检测。半导体设备的漏气处理装置可以基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号确定漏气点位置。可以理解的是，所述检测信号中包括气体流动检测装置的读数以及气体流动检测装置的身份标识，所述半导体设备的漏气处理装置基于所述读数以及身份标识即可快速确定对应的潜在漏气点是否发生漏气，若当前气体流动检测仪的读数为0(ml/min)时，即可判断未发生漏气，若当前气体流动检测仪的读数不为0，例如为2(ml/min)，即可判断发生漏气。
出于保证检测结果准确性的考虑，可以预设一个漏气流量阈值，当所述气体流动检测仪的读数超过所述漏气流量阈值时，即判断存在漏气，这样可以避免外部环境影响造成气体流动检测仪的读数不为0，从而导致对漏气情况的误判。当然也可以为每个气体流动检测装置配备相应的屏蔽装置，以避免外部环境影响造成的漏气情况误判，本申请实施例对此不作具体限定。
还可以理解的是，气体流动检测装置布置完毕之后，即可确定其与潜在漏气点的对应关系，且所述潜在漏气点的位置已知，因此，基于所述对应关系，当确定气体流动检测装置反馈的检测信号异常时，即可快速确定对应的潜在漏气点，进而确定漏气点位置。所述半导体设备的漏气处理装置中可以预先存储潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，所述映射关系表中包括潜在漏气点的位置，以及潜在漏气点与气体流动检测装置的对应关系，基于此，半导体设备的漏气处理装置可基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置，进而基于所述潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置。
基于本申请实施例的检测手段，能够自动对半导体设备工艺制备前和工艺制备过程中出现的漏气情况进行准确及时的检测，以便后续对漏气情况进行针对性的高效处理。
步骤S102，基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆。
具体的，当半导体设备发生漏气时，将直接影响晶圆的加工质量。因此，当半导体设备发生漏气时，准确定位漏气影响的工艺腔室和晶圆以便后续进行针对处理尤为重要。当在工艺制备过程中发现设备漏气时，由于无法确定泄露气体类型，现有的处理方式通常直接停机检修以确保安全，但一种一刀切的处理方式将导致半导体设备长时间无法工作，大大降低了半导体设备的生产效率。基于此，本申请实施例提出一种在漏气的情况下保证半导体设备生产效率的方案。具体的，基于漏气点位置确定受漏气影响无法继续工艺的工艺腔室（即所述异常工艺腔室）和晶圆（即所述异常晶圆），确定所述异常工艺腔室和异常晶圆之后，对于非异常晶圆，可以采用非异常工艺腔室继续进行工艺，以避免停机检修导致的晶圆加工进度延误，从而在半导体设备漏气的情况下，最大限度保证半导体设备的生产效率。可以理解的是，当确定了半导体设备中的异常工艺腔室之后，所述半导体设备的漏气处理装置将会发送控制指令以控制各异常工艺腔室停止工作，以避免造成更严重的后果。
可以理解的是，所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆，由于受漏气影响，所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆可能存在工艺不完全或工艺失败等问题，因此，本申请实施例对于此类晶圆将直接认定为异常晶圆，并停止对其进行工艺。同样的，所述异常工艺腔室也会被排除在后续的工艺流程之外，以避免采用异常工艺腔室对非异常晶圆进行工艺导致晶圆工艺失败等问题。
步骤S103，基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体。
具体的，所述半导体设备通常基于预设的工艺流程对晶圆进行连续工艺，所述预设的工艺流程包括半导体设备工艺全过程对应的工艺节点（例如工艺腔室抽真空，工艺腔室充反应气体，晶圆工艺，晶圆冷却等）以及所述工艺节点对应的操作流程（包括工艺节点涉及的全部设备需要执行的操作），各工艺节点按照预先确定的加工时序依次排列以便半导体设备控制各组成部分（包括机械臂、工艺腔室等）协同工作实现晶圆的连续工艺。基于所述预设的工艺流程以及当前批次待加工的晶圆信息，半导体设备的后台控制系统会为每个待加工晶圆生成工艺子任务，再基于不同晶圆的加工顺序将各工艺子任务进行排序，生成当前批次晶圆的工艺总任务。基于所述工艺总任务以及所述预设的工艺流程，半导体设备即可发送控制指令以调度各组成部分协同工作，实现当前批次晶圆的有序加工。可以理解的是，所述半导体设备还需要监测各组成部分当前所处的工艺节点以及工艺节点的执行进度，以便更准确的进行工艺调度。
基于上述前提，所述半导体设备的漏气处理装置可以快速确定所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，进而基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点以及所述工艺节点的执行进度，确定所述异常工艺腔室的当前状态，基于所述异常工艺腔室的当前状态即可确定所述异常工艺腔室中当前存在的气体类型。可以理解的是，所述异常工艺腔室中当前存在的气体类型即为所述泄漏气体种类。
半导体设备的漏气处理装置确定所述漏气点对应的泄漏气体种类之后，即可确定泄漏气体是否为危险气体。可以理解的是，所述危险气体可以为单一有害气体，例如有毒气体（氯气等）或易燃易爆气体（氢气等），也可以是混合之后会产生有害气体的多种气体，本申请实施例对此不作具体限定。
值得注意的是，所述步骤102和步骤103的执行顺序并没有严格的先后之分，可以步骤102在前，也可以步骤103在前，还可以两个步骤同时进行。本申请实施例需要结合泄漏气体是否为危险气体以及气体泄漏影响的工艺腔室和晶圆范围确定半导体设备是否能够继续工艺，若能继续工艺，则控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，若不能继续工艺，则停机检修，以在保证工艺安全的前提下最大限度的提高半导体设备的工艺效率，保证整体生产进度。
步骤S104，若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
具体的，若判断所述泄漏气体为危险气体，半导体设备的漏气处理装置即控制所述半导体设备停机并发送检修通知以通知相关检修人员快速对半导体设备进行检修，避免发生安全事故。可以理解的是，所述检修通知中可以包括漏气点位置以及对应的泄漏气体种类，以便检修人员快速确定待检修部件并制定针对性的处理方案。
若判断所述泄漏气体不是危险气体，出于保证半导体设备工艺效率的考虑，本申请实施例的半导体设备的漏气处理装置会继续控制非异常晶圆通过非异常工艺腔室进行工艺，直至所述非异常晶圆全部工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。基于此，可以避免非异常晶圆的工艺进度受到停机检修的影响，提高半导体设备的整体工艺效率。具体的，半导体设备的漏气处理装置基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺。可以理解的是，半导体设备对于晶圆的加工通常以批次为单位。基于前述内容可知，在对当前批次晶圆进行加工之前，半导体设备会基于所述预设的工艺流程以及当前批次待加工的晶圆信息为每个待加工晶圆生成工艺子任务，再基于不同晶圆的加工顺序将各工艺子任务进行排序，生成当前批次晶圆的工艺总任务。还可以理解的是，各工艺子任务中均包括对相应晶圆进行工艺的设备（包括对应的机械手和工艺腔室）的指示信息，基于此，半导体设备的后台控制系统能够对各晶圆进行精确调度，以确保各晶圆有序进行工艺。因此，当所述泄漏气体不是危险气体时，半导体设备的漏气处理装置需要基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，以便基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后，再控制所述半导体设备停机并发送检修通知，能够在漏气情况下保证非异常晶圆的加工进度，进而提高半导体设备的整体工艺效率。
本申请实施例提供的方法，基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，能够自动对半导体设备工艺制备前和工艺制备过程中出现的漏气情况进行准确及时的检测，基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆，能够准确确定漏气影响到的工艺腔室和晶圆，方便后续进行针对处理；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知，能够在确保半导体设备安全性的基础上最大限度提高半导体设备的生产效率。
基于上述实施例，所述基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室，具体包括：
若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。
具体的，基于前述内容可知，所述潜在漏气点指半导体设备中可能发生漏气的部位，所述潜在漏气点是基于经验预先确定的。本申请实施例全面考虑所有潜在漏气点位置以及不同漏气点位置对于半导体设备工艺的影响，将所述漏气点位置分为三类，第一类为腔室部，即工艺腔室中易漏气的组件，包括工艺腔室出入口以及工艺腔室厚度较低的腔壁部位；第二类为连接部，即用于连接不同工艺腔室或连接工艺腔室与抽充气部件的管道部位，包括管壁以及管道阀门部位；第三类为功能部，即用于进行抽气或充气的部件。可以理解的是，上述三类漏气点位置，对于第一类而言，可能由于工艺腔室出入口密封问题导致漏气，也可能由于腔壁部位腔室气压过大破裂导致漏气；对于第二类而言，可能由于管壁气压过大破裂导致漏气，也可能由于管道阀门损坏或未操作到位导致漏气；对于第三类而言，可能由于抽气或充气部件损坏导致漏气。
基于前述实施例可知，基于本申请设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，可以准确确定漏气点位置，基于此，对于不同类型的漏气点，需要进一步准确确定其影响的工艺腔室范围以便后续进行精确工艺调度，确保半导体设备的整体工艺效率。具体的，若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室。其中，所述关联工艺腔室指需要与所述漏气点对应的工艺腔室进行协同工艺的工艺腔室，例如半导体薄膜工艺，由于一次工艺需要为晶圆镀上多层膜，因此通常需要多个工艺腔室先后进行镀膜以实现高效的薄膜工艺。基于此，一旦其中一个工艺腔室发生漏气，将导致与其关联的多个工艺腔室均无法继续进行工艺，因此，当所述漏气点位于腔室部时，本申请实施例除了将所述漏气点对应的工艺腔室标记为异常之外，还会将其关联工艺腔室也标记为异常，以尽可能避免其对后续晶圆的工艺质量产生影响。
若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室。基于前述内容可知，半导体设备中可能存在多个关联工艺腔室，因此，所述连接部可能为连接两个关联工艺腔室的管道，因此，当所述连接部发生漏气时，与其相连的工艺腔室及其关联腔室均会被标记为异常。当然，所述连接部也可能连接两个非关联腔室，但当所述连接部发生漏气（例如管道阀门漏气）时，将会同时影响与其连接的两个非关联腔室，因此，其对应的两个非关联腔室均会被标记为异常。当所述连接部连接的是工艺腔室和功能部件时，仅需将与其连接的工艺腔室标记为异常，因为当与其连接的工艺腔室被标记为异常时，所述异常工艺腔室将不会用于后续的晶圆工艺，因此，通过连接部与其连接的功能部件也将不会参与后续的晶圆工艺。基于该设计，能够准确确定受漏气点影响的全部工艺腔室，避免其对后续晶圆的工艺质量产生影响。
若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。与漏气点位于连接部的情形类似的，若功能部存在漏气，则与其连接的工艺腔室将无法正常工作，需要标记为异常。当与其连接的工艺腔室被标记为异常时，相应的功能部也不会参与到后续晶圆的工艺，能够最大限度避免异常工艺腔室对后续晶圆的工艺质量产生影响。
本申请实施例提供的方法，所述基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室，具体包括：若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室；若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室；若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室，能够准确定位异常工艺腔室，方便后续对晶圆工艺任务进行精确调整，避免采用异常工艺腔室进行工艺造成晶圆质量问题。
基于上述任一实施例，所述基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，具体包括：
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点确定所述漏气点对应的异常工艺腔室的当前状态，并基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类。
具体的，基于前述实施例可知，基于所述半导体设备监测得到的各组成部分当前所处的工艺节点以及工艺节点的执行进度，所述半导体设备的漏气处理装置可以快速确定所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，进而基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点以及所述工艺节点的执行进度，确定所述异常工艺腔室的当前状态，基于所述异常工艺腔室的当前状态即可确定所述异常工艺腔室中当前存在的气体类型。由于异常工艺腔室中当前存在的气体类型即为可能泄漏的气体。因此，基于所述异常工艺腔室的当前状态即可快速确定对应的泄漏气体种类，以便后续进行针对处理（停机检修或继续工艺），能够兼顾半导体设备的工艺安全性和工艺效率。
本申请实施例提供的方法，所述基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，具体包括：基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点确定所述漏气点对应的异常工艺腔室的当前状态，并基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，能够快速准确确定泄漏气体种类，以便进行针对处理，能够兼顾半导体设备的工艺安全性和工艺效率。
基于上述任一实施例，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态，相应的，所述基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，具体包括：
若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前充入的气体以及工艺过程中产生的气体。
具体的，工艺腔室对应的工艺节点包括抽真空节点、充反应气体节点以及晶圆工艺节点，相应的，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态。若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体。可以理解的是，若所述异常工艺腔室为第一次使用，则所述初始气体为空气；若所述异常工艺腔室并非第一次使用，即连续工艺过程中，前一晶圆工艺完成，需抽真空以为下一晶圆工艺做准备的情形，所述初始气体即为前一晶圆工艺过程对应的气体。由于半导体设备的后台控制系统会实时监测各组成部分所处的工艺节点及对应的执行进度，因此，前一晶圆工艺过程的相关信息也会生成相应记录。基于该记录的内容，即可确定前一晶圆工艺过程对应的气体（即所述初始气体）。
若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体。可以理解的是，若基于所述异常工艺腔室的当前所处工艺节点确定其处于充气状态时，基于其对应的执行进度，即可确定充气过程是否结束以及充入了哪些气体，进而快速确定泄漏气体种类。
若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前充入的气体以及工艺过程中产生的气体。对于工艺前充入的气体，可以基于异常工艺腔室的工艺节点及对应的执行进度的监测记录信息确定。对于工艺过程中产生的气体，可以基于前述预设的工艺流程中记录的晶圆工艺节点（即工艺过程）对应的化学反应式确定。以制备氮化硅的工艺制程为例，其对应的化学反应式为：
2 N 2 + 6 H 2 + 3 Si C l 4 = 12 H C l + Si 3 N 4 ；
基于所述化学反应式，即可推算出工艺过程中产生的气体包括氯化氢（H C l）。基于此，可以快速准确确定泄露气体类型。
本申请实施例提供的方法，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态，相应的，所述基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，具体包括：若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体；若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体；若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前充入的气体以及工艺过程中产生的气体。能够快速准确确定泄漏气体种类，以便后续进行针对处理，兼顾了半导体设备的工艺安全性和工艺效率。
基于上述任一实施例，所述工艺过程中产生的气体是基于所述工艺过程对应的化学反应式确定的。
具体的，其背后的原理以及实现方式在前述实施例已经进行了详细阐述，在此不再赘述。
本申请实施例提供的方法，所述工艺过程中产生的气体是基于所述工艺过程对应的化学反应式确定的，能够快速准确确定工艺过程中产生的气体种类。
基于上述任一实施例，所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：
基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；
确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。
具体的，可以理解的是，异常工艺腔室之外的工艺腔室即为非异常工艺腔室，异常晶圆之外的晶圆即为非异常晶圆。基于前述实施例可知，半导体设备是依据预先生成的工艺总任务进行晶圆和设备调度，以对当前批次晶圆进行有序加工。而当半导体设备发生漏气时，显然不能按照初始的工艺总任务进行晶圆工艺，因此，本申请实施例对于不同的晶圆，针对性地修改其对应的工艺子任务，以便控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺。具体的，本申请实施例除了将晶圆分为异常和非异常两大类之外，对于非异常晶圆，进一步细分为晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆和非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆。对于工艺总任务的修改方式如下：
对于所述异常晶圆，基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除，即后续将停止对于所述异常晶圆的工艺，以避免造成晶圆工艺不合格或晶圆损坏的情况；对于所述第一类晶圆，确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室，若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室，基于此，可以通过非异常工艺腔室对所述第一类晶圆进行继续工艺，以保证晶圆工艺质量以及半导体设备的整体工艺进度。可以理解的是，对于所述第二类晶圆，由于其正在非异常工艺腔室中进行工艺，因此其工艺质量并不会收到漏气影响，基于此，所述第二类晶圆对应的工艺子任务保持不变即可。
基于本申请实施例的上述方案，能够快速准确的调整工艺总任务，使非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，能够避免漏气对非异常晶圆的工艺进度造成影响，提高半导体设备的整体工艺效率。
本申请实施例提供的方法，所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。能够对非异常晶圆进行继续工艺，避免漏气对非异常晶圆的工艺进度造成影响，提高半导体设备的整体工艺效率。
基于上述任一实施例，所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：
基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；
基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置。
具体的，其背后的原理及实现方式在前述实施例已经进行了详细阐述，在此不再赘述。
本申请实施例提供的方法，所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置。能够自动对半导体设备工艺制备前和工艺制备过程中出现的漏气情况进行准确及时的检测，确保后续处理的及时性，进而保证了半导体设备的工艺安全性以及工艺效率。
下面对本申请提供的半导体设备的漏气处理装置进行描述，下文描述的半导体设备的漏气处理装置与上文描述的半导体设备的漏气处理方法可相互对应参照。
基于上述任一实施例，图2为本申请提供的半导体设备的漏气处理装置的结构示意图，如图2所示，该装置包括：
漏气点位置确定模块201，用于基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；
异常部件确定模块202，用于基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；
危险气体确定模块203，用于基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；
漏气处理模块204，用于若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
本申请实施例提供的装置，基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，能够自动对半导体设备工艺制备前和工艺制备过程中出现的漏气情况进行准确及时的检测，基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆，能够准确确定漏气影响到的工艺腔室和晶圆，方便后续进行针对处理；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知，能够在确保半导体设备安全性的基础上最大限度提高半导体设备的生产效率。
基于上述实施例，所述基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室，具体包括：
若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。
基于上述任一实施例，所述基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，具体包括：
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点确定所述漏气点对应的异常工艺腔室的当前状态，并基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类。
基于上述任一实施例，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态，相应的，所述基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，具体包括：
若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前冲入的气体以及工艺过程中产生的气体。
基于上述任一实施例，所述工艺过程中产生的气体是基于所述工艺过程对应的化学反应式确定的。
基于上述任一实施例，所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：
基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；
确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。
基于上述任一实施例，所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：
基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；
基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置。
图3示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图3所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)301、通信接口(Communications Interface)302、存储器(memory)303和通信总线304，其中，处理器301，通信接口302，存储器303通过通信总线304完成相互间的通信。处理器301可以调用存储器303中的逻辑指令，以执行上述各方法所提供的半导体设备的漏气处理方法，所述方法包括：基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
此外，上述的存储器303中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本申请还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，所述计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的半导体设备的漏气处理方法，所述方法包括：基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
又一方面，本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的半导体设备的漏气处理方法，所述方法包括：基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种半导体设备的漏气处理方法，其特征在于，所述方法包括：
基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；
基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；
若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知；
所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：
基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；
基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置；
所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：
基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；
确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。
2.根据权利要求1所述的半导体设备的漏气处理方法，其特征在于，所述基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室，具体包括：
若所述漏气点位于腔室部，将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于连接部，将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室；
若所述漏气点位于功能部，将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。
3.根据权利要求2所述的半导体设备的漏气处理方法，其特征在于，所述基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，具体包括：
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点确定所述漏气点对应的异常工艺腔室的当前状态，并基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类。
4.根据权利要求3所述的半导体设备的漏气处理方法，其特征在于，所述异常工艺腔室的当前状态包括抽真空状态、充气状态和工艺状态，相应的，所述基于所述异常工艺腔室的当前状态确定对应的泄漏气体种类，具体包括：
若所述异常工艺腔室的当前状态为抽真空状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室中的初始气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为充气状态，则对应的泄漏气体为所述异常工艺腔室当前正在充入的气体；
若所述异常工艺腔室的当前状态为工艺状态，则对应的泄漏气体为工艺前充入的气体以及工艺过程中产生的气体。
5.根据权利要求4所述的半导体设备的漏气处理方法，其特征在于，所述工艺过程中产生的气体是基于所述工艺过程对应的化学反应式确定的。
6.一种半导体设备的漏气处理装置，其特征在于，所述装置包括：
漏气点位置确定模块，用于基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置；
异常部件确定模块，用于基于所述漏气点位置，确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆；所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆；
危险气体确定模块，用于基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定所述漏气点对应的泄漏气体种类，并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体；
漏气处理模块，用于若所述泄漏气体为危险气体，控制所述半导体设备停机并发送检修通知；若所述泄漏气体不是危险气体，基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺，在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知；
所述基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号，确定漏气点位置，具体包括：
基于所述气体流动检测装置反馈的检测信号，确定异常检测信号及其对应的目标气体流动检测装置；
基于预设的潜在漏气点与气体流动检测装置的映射关系表，确定与所述目标气体流动检测装置对应的目标潜在漏气点的位置，并将所述目标潜在漏气点的位置确定为漏气点位置；
所述非异常晶圆包括晶圆盒中尚未开始工艺的第一类晶圆以及非异常工艺腔室中处于工艺过程中的第二类晶圆，相应的，所述基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，具体包括：
基于所述异常晶圆信息，确定工艺总任务中与所述异常晶圆对应的异常工艺子任务并删除；
确定所述工艺总任务中与所述第一类晶圆对应的第一工艺子任务以及所述第一工艺子任务对应的工艺腔室；若所述第一工艺子任务对应的工艺腔室为异常工艺腔室，将所述第一工艺子任务对应的工艺腔室修改为非异常工艺腔室。
7.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至5任一项所述半导体设备的漏气处理方法的步骤。
8.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述半导体设备的漏气处理方法的步骤。
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