JPH0653103A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0653103A JPH0653103A JP20642192A JP20642192A JPH0653103A JP H0653103 A JPH0653103 A JP H0653103A JP 20642192 A JP20642192 A JP 20642192A JP 20642192 A JP20642192 A JP 20642192A JP H0653103 A JPH0653103 A JP H0653103A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置に設置されたマスフローコント
ローラの流量特性を自動的に校正するため、１個もしく
は複数個の校正用マスフローコントローラを設け、測定
用マスフローコントローラと校正用マスフローコントロ
ーラとを直列に接続する配管系をもたせ、反応性の弱い
ガスを流す。 【構成】プロセス用ガス源１−１、開閉弁８−１１、マ
スフローコントローラ２−１、開閉弁９−１、開閉弁１
０を経由して処理室３に至るプロセスガス系とは別に、
流量校正用ガス源１−０、開閉弁８−０１１，８−０１
２、校正用マスフローコントローラ２−０１，２−０
２、開閉弁８−１０を経由してマスフローコントローラ
２−１の入力部に至る配管を有すると共に、開閉弁９−
１と開閉弁１０との間から開閉弁１１を経由して排気装
置４にて排気する配管を有する。
ローラの流量特性を自動的に校正するため、１個もしく
は複数個の校正用マスフローコントローラを設け、測定
用マスフローコントローラと校正用マスフローコントロ
ーラとを直列に接続する配管系をもたせ、反応性の弱い
ガスを流す。 【構成】プロセス用ガス源１−１、開閉弁８−１１、マ
スフローコントローラ２−１、開閉弁９−１、開閉弁１
０を経由して処理室３に至るプロセスガス系とは別に、
流量校正用ガス源１−０、開閉弁８−０１１，８−０１
２、校正用マスフローコントローラ２−０１，２−０
２、開閉弁８−１０を経由してマスフローコントローラ
２−１の入力部に至る配管を有すると共に、開閉弁９−
１と開閉弁１０との間から開閉弁１１を経由して排気装
置４にて排気する配管を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種ガスを用いて処理
を行う半導体製造装置等に使用される異常診断に関す
る。
を行う半導体製造装置等に使用される異常診断に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】各種ガスを用いて処理する従来の装置に
おいて、ガスの流量を制御するガス流量制御器（通称マ
スフローコントローラ）が用いられている。
おいて、ガスの流量を制御するガス流量制御器（通称マ
スフローコントローラ）が用いられている。
【０００３】腐食性ガス、酸化／還元性ガス等の反応性
の高いガス用に用いられるガス流量制御器は、使用する
ガスによってガス流量制御器の内部が変質したり生成物
によりつまりを生じたりするため、特性が変化したら交
換する必要がある。これを怠ると、半導体製造装置の処
理室中での処理条件が大幅に異なってきて、大量の処理
不良品を生じる危険性が大きい。
の高いガス用に用いられるガス流量制御器は、使用する
ガスによってガス流量制御器の内部が変質したり生成物
によりつまりを生じたりするため、特性が変化したら交
換する必要がある。これを怠ると、半導体製造装置の処
理室中での処理条件が大幅に異なってきて、大量の処理
不良品を生じる危険性が大きい。
【０００４】ガス流量制御器の特性を、装置につけた状
態で計測する方法として、従来ビルドアップ法と呼ばれ
る方法が用いられている。これは図７に示す様に、ガス
源１からのガスをガス流量制御器２を経由して処理室３
に導き、まずガス流量制御器２をＯＦＦ、開閉弁５を開
にして排気ポンプ４により処理室３を真空にする。次に
開閉弁５を閉にし、制御装置７よりガス流量制御器２に
対してある流量Ｑ0を設定すると共に、その後の時間ｔ0
と処理室３に設置された圧力計６の読み値とを入力し
て、制御装置７内にて実流量Ｑ＝Ｐ0−Ｖ／ｔ0を演算
（図８参照）する。
態で計測する方法として、従来ビルドアップ法と呼ばれ
る方法が用いられている。これは図７に示す様に、ガス
源１からのガスをガス流量制御器２を経由して処理室３
に導き、まずガス流量制御器２をＯＦＦ、開閉弁５を開
にして排気ポンプ４により処理室３を真空にする。次に
開閉弁５を閉にし、制御装置７よりガス流量制御器２に
対してある流量Ｑ0を設定すると共に、その後の時間ｔ0
と処理室３に設置された圧力計６の読み値とを入力し
て、制御装置７内にて実流量Ｑ＝Ｐ0−Ｖ／ｔ0を演算
（図８参照）する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来から行われている
ビルドアップ法は、１つの点を測定するのに数分を要
し、１つのガス流量制御器の特性を測定するのに１０分
〜２０分を要する欠点があった。１つの装置に通常５〜
１０個程度のガス流量制御器が設置されており、これを
すべて測定するには１時間〜３時間を要する。
ビルドアップ法は、１つの点を測定するのに数分を要
し、１つのガス流量制御器の特性を測定するのに１０分
〜２０分を要する欠点があった。１つの装置に通常５〜
１０個程度のガス流量制御器が設置されており、これを
すべて測定するには１時間〜３時間を要する。
【０００６】また、このビルドアップ法は実ガスで行わ
れており、安全上無人の状態では通常行われないため、
自動化が困難であった。すなわち、測定の起動は人が指
示する構成となっており、定期的に実施するという確実
性に欠ける欠点があった。このため半導体製造装置自体
の信頼性が低下するケースがあった。
れており、安全上無人の状態では通常行われないため、
自動化が困難であった。すなわち、測定の起動は人が指
示する構成となっており、定期的に実施するという確実
性に欠ける欠点があった。このため半導体製造装置自体
の信頼性が低下するケースがあった。
【０００７】本発明の目的は、短時間に自動的に流量特
性を把握し、特性変化を検知した時は自動的に制御でき
る半導体製造装置を提供することにある。
性を把握し、特性変化を検知した時は自動的に制御でき
る半導体製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１のガス供給源から第１の開閉弁を経由して第１
のガス流量制御器の入力部に至り、第１のガス流量制御
器の出力部より第２の開閉弁および第３の開閉弁を経由
して処理室に至り、かつ第２の開閉弁と第３の開閉弁と
の間から第４の開閉弁を経由して排気装置に至る配管系
を有する装置において、第２のガス供給源から第５の開
閉弁を経由して第２のガス流量制御器の入力部に至り、
第２のガス流量制御器の出力部より第６の開閉弁を経由
して第１のガス流量制御器の入力部に至る配管系を設け
たものである。
に、第１のガス供給源から第１の開閉弁を経由して第１
のガス流量制御器の入力部に至り、第１のガス流量制御
器の出力部より第２の開閉弁および第３の開閉弁を経由
して処理室に至り、かつ第２の開閉弁と第３の開閉弁と
の間から第４の開閉弁を経由して排気装置に至る配管系
を有する装置において、第２のガス供給源から第５の開
閉弁を経由して第２のガス流量制御器の入力部に至り、
第２のガス流量制御器の出力部より第６の開閉弁を経由
して第１のガス流量制御器の入力部に至る配管系を設け
たものである。
【０００９】
【作用】第１のガス供給源は、処理室での実際の処理に
使用するプロセスガスであり、第２のガス供給源として
は、ガス流量測定用ガス源であり、不活性ガス、窒素ガ
ス、酸素ガス等反応性の少ないガスを用いる。
使用するプロセスガスであり、第２のガス供給源として
は、ガス流量測定用ガス源であり、不活性ガス、窒素ガ
ス、酸素ガス等反応性の少ないガスを用いる。
【００１０】第１のガス流量制御器の特性の測定を行う
ときは、第５の開閉弁、第６の開閉弁、第２の開閉弁な
らびに第４の開閉弁を開とし、第２のガス供給源からの
ガスを第２のガス流量制御器および第１のガス流量制御
器を経由して排気装置に流す。第２のガス流量制御器で
ガス流量の設定／測定を行うと共に、第１の流量制御器
でもガス流量を測定する。このようにすることにより、
第２のガス流量制御器の特性を第１のガス流量制御器で
校正することが出来る。なお、測定用に用いるガスと実
プロセスに用いるガスとは一般には異なるが、使用ガス
間の流量の関係を前もって測定しておけば測定用ガスの
流量から実プロセスガスの流量に容易に換算することが
出来る。第２のガス流量制御器は上述した様に、反応性
の少ない第２のガス供給源からのガスのみを用いるた
め、実ガスを使用するガス流量制御器に比べ、大幅に寿
命が長くなる。また、第２のガス流量制御器で流量を変
更してから、数秒後には第１のガス流量制御器で流量の
測定を行うことが出来るので測定時間が従来の1/10〜1/
100に短縮できる。測定用に使用するガスは反応性の少
ないガスを用いるため無人での測定が可能であり、装置
の自動化が行いやすい。例えば、装置立上げ時や、装置
稼動時等にある周期で、自動的にガス流量制御器の特性
測定を行うことが出来る。
ときは、第５の開閉弁、第６の開閉弁、第２の開閉弁な
らびに第４の開閉弁を開とし、第２のガス供給源からの
ガスを第２のガス流量制御器および第１のガス流量制御
器を経由して排気装置に流す。第２のガス流量制御器で
ガス流量の設定／測定を行うと共に、第１の流量制御器
でもガス流量を測定する。このようにすることにより、
第２のガス流量制御器の特性を第１のガス流量制御器で
校正することが出来る。なお、測定用に用いるガスと実
プロセスに用いるガスとは一般には異なるが、使用ガス
間の流量の関係を前もって測定しておけば測定用ガスの
流量から実プロセスガスの流量に容易に換算することが
出来る。第２のガス流量制御器は上述した様に、反応性
の少ない第２のガス供給源からのガスのみを用いるた
め、実ガスを使用するガス流量制御器に比べ、大幅に寿
命が長くなる。また、第２のガス流量制御器で流量を変
更してから、数秒後には第１のガス流量制御器で流量の
測定を行うことが出来るので測定時間が従来の1/10〜1/
100に短縮できる。測定用に使用するガスは反応性の少
ないガスを用いるため無人での測定が可能であり、装置
の自動化が行いやすい。例えば、装置立上げ時や、装置
稼動時等にある周期で、自動的にガス流量制御器の特性
測定を行うことが出来る。
【００１１】ところで、実プロセスに用いる第１のガス
流量制御器は、流量が大幅に異なるものを使用する場合
がある。例えば、ベースのガス（又は複合ガス）に対し
て、微量の添加ガスを用いる場合等である。第１のガス
流量制御器の校正用として、１個の第２の流量制御器で
は精度的に十分でない場合には、流量の異なる複数個の
校正用ガス流量制御器を設置し、流量測定用ガスライン
として複数ラインとするか、単一ラインでガス流量制御
器を切り換えて用いればよい。
流量制御器は、流量が大幅に異なるものを使用する場合
がある。例えば、ベースのガス（又は複合ガス）に対し
て、微量の添加ガスを用いる場合等である。第１のガス
流量制御器の校正用として、１個の第２の流量制御器で
は精度的に十分でない場合には、流量の異なる複数個の
校正用ガス流量制御器を設置し、流量測定用ガスライン
として複数ラインとするか、単一ラインでガス流量制御
器を切り換えて用いればよい。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。図１において、プロセス用ガス源１−１および１−
２から、開閉弁８−１１，８−２１を経由して、ガス流
量制御器２−１，２−２の入力部に至り、ガス流量制御
器２−１，２−２の出力部から開閉弁９−１，９−２お
よび開閉弁１０を経由して処理室３に至る。開閉弁９−
１と開閉弁１０の間、ないしは開閉弁９−２と開閉弁１
０の間から開閉弁１１を経由して排気装置４に至る。処
理室３の出口は開閉弁５を経由して排気装置４に至る。
る。図１において、プロセス用ガス源１−１および１−
２から、開閉弁８−１１，８−２１を経由して、ガス流
量制御器２−１，２−２の入力部に至り、ガス流量制御
器２−１，２−２の出力部から開閉弁９−１，９−２お
よび開閉弁１０を経由して処理室３に至る。開閉弁９−
１と開閉弁１０の間、ないしは開閉弁９−２と開閉弁１
０の間から開閉弁１１を経由して排気装置４に至る。処
理室３の出口は開閉弁５を経由して排気装置４に至る。
【００１３】ガス流量測定用ガス源１−０から開閉弁８
−０１を経由して校正用ガス流量制御器２−０の入力部
に至る。校正用ガス流量制御器２−０の出力部から開閉
弁８−１０，８−２０を経由してガス流量制御器２−
１，２−２の入力部に至る。ガス流量測定用ガス系の真
空引のためにガス流量制御器２−０の出力部は開閉弁９
−０を経由して開閉弁１１に接続されている。各ガス流
量制御器２−０，２−１，２−２への設定信号ＱS0，Ｑ
S1，ＱS2は制御装置７から出力され、各ガス流量制御器
２−０，２−１，２−２からの流量モニタ信号ＱM0，Ｑ
M1，ＱM2はそれぞれ制御装置７に入力される。また、各
開閉弁もまた制御装置７により制御される。制御信号の
タイミングの一例を図２に示す。開閉弁８−０１，１１
を開にした後、ガス流量制御器２−１の流量をまず測定
し、つぎにガス流量制御器２−２の流量を測定する場合
である。ガス流量制御器２−１の流量特性を測定する時
には、設定値ＱS1としてはガス流量制御器２−１の最大
値を設定する。開閉弁８−１０，９−１を開とし、校正
用ガス流量制御器２−０の設定値ＱS0を段階的に変えて
ゆく。設定値ＱS0を変化させる周期ｔ0は、ガス流量制
御器の応答速度やガス配管の長さにより変わるが、測定
値が安定する時間により決める。通常は数秒のオーダー
である。測定値が安定した後の値ＱM0とＱM1を制御装置
７に入力し、ガス流量制御器２−１の流量特性をガス流
量制御器２−０により校正することが出来る。
−０１を経由して校正用ガス流量制御器２−０の入力部
に至る。校正用ガス流量制御器２−０の出力部から開閉
弁８−１０，８−２０を経由してガス流量制御器２−
１，２−２の入力部に至る。ガス流量測定用ガス系の真
空引のためにガス流量制御器２−０の出力部は開閉弁９
−０を経由して開閉弁１１に接続されている。各ガス流
量制御器２−０，２−１，２−２への設定信号ＱS0，Ｑ
S1，ＱS2は制御装置７から出力され、各ガス流量制御器
２−０，２−１，２−２からの流量モニタ信号ＱM0，Ｑ
M1，ＱM2はそれぞれ制御装置７に入力される。また、各
開閉弁もまた制御装置７により制御される。制御信号の
タイミングの一例を図２に示す。開閉弁８−０１，１１
を開にした後、ガス流量制御器２−１の流量をまず測定
し、つぎにガス流量制御器２−２の流量を測定する場合
である。ガス流量制御器２−１の流量特性を測定する時
には、設定値ＱS1としてはガス流量制御器２−１の最大
値を設定する。開閉弁８−１０，９−１を開とし、校正
用ガス流量制御器２−０の設定値ＱS0を段階的に変えて
ゆく。設定値ＱS0を変化させる周期ｔ0は、ガス流量制
御器の応答速度やガス配管の長さにより変わるが、測定
値が安定する時間により決める。通常は数秒のオーダー
である。測定値が安定した後の値ＱM0とＱM1を制御装置
７に入力し、ガス流量制御器２−１の流量特性をガス流
量制御器２−０により校正することが出来る。
【００１４】なおガス流量測定用ガス源１−０として
は、不活性ガス（Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ）、窒
素ガス、酸素ガス等反応性の少ないガスを用いる（ガス
リーク用窒素ガスを併用してもよい）。このため、実際
にプロセスに使用するガスと測定用ガスとは異なる時が
あるが、ガス種間における流量の関係を前もって測定し
制御装置７内に記憶しておけば測定用ガスの流量から実
プロセスガスの流量に容易に換算することが出来る。ガ
ス流量制御器２−２に対しても同様な操作を行い流量特
性の測定を行うことが出来る。図２では開閉弁８−１
０，９−１を閉じてからすぐ開閉弁８−２０，９−２を
開いているが、プロセスライン間の微量のガスの汚染が
問題となる場合には、開閉弁８−１０，９−１を閉じた
後開閉弁９−０を開として排気し、その後に開閉弁８−
２０，９−２を開くとよい。例えば、１つの装置に使用
するガス流量制御器が５個あり、１つのガス流量制御器
の流量特性の測定点として各５点行い、図２のｔ0とし
て７秒の場合、全測定時間は３分以下で終了することが
出来る。
は、不活性ガス（Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ）、窒
素ガス、酸素ガス等反応性の少ないガスを用いる（ガス
リーク用窒素ガスを併用してもよい）。このため、実際
にプロセスに使用するガスと測定用ガスとは異なる時が
あるが、ガス種間における流量の関係を前もって測定し
制御装置７内に記憶しておけば測定用ガスの流量から実
プロセスガスの流量に容易に換算することが出来る。ガ
ス流量制御器２−２に対しても同様な操作を行い流量特
性の測定を行うことが出来る。図２では開閉弁８−１
０，９−１を閉じてからすぐ開閉弁８−２０，９−２を
開いているが、プロセスライン間の微量のガスの汚染が
問題となる場合には、開閉弁８−１０，９−１を閉じた
後開閉弁９−０を開として排気し、その後に開閉弁８−
２０，９−２を開くとよい。例えば、１つの装置に使用
するガス流量制御器が５個あり、１つのガス流量制御器
の流量特性の測定点として各５点行い、図２のｔ0とし
て７秒の場合、全測定時間は３分以下で終了することが
出来る。
【００１５】本測定は、反応性の少ないガスを用いて短
時間で終了するため、各処理の間や装置立上げ時等に無
人で自動的に測定することが可能である。このため、ガ
ス流量制御器の流量特性をある周期で自動的に測定する
ことにより、特性変化を確実に把握することが出来る。
時間で終了するため、各処理の間や装置立上げ時等に無
人で自動的に測定することが可能である。このため、ガ
ス流量制御器の流量特性をある周期で自動的に測定する
ことにより、特性変化を確実に把握することが出来る。
【００１６】次に、本発明の他の実施例を図３により説
明する。図１では１個の校正用ガス流量制御器２−０に
より流量の校正を行っているが、実プロセスに使用する
ガス流量制御器２−１，２−２の定格流量が大幅に異な
る場合には測定誤差が大きくなる欠点がある。そこで図
３では大流量用／小流量用の２つの校正用ガス流量制御
器２−０１／２−０２を測定するガス流量制御器２−
１，２−２の定格流量に応じて切換えて使用する。定格
流量が３倍以上異なる場合には図４に例を示した様に複
数個の校正用ガス流量制御器を用いる方が測定誤差の点
で好ましい。校正用ガス流量制御器として、図３では２
個の場合を示したが、一般的には複数個に対しても同じ
効果が得られることはもちろんである。。
明する。図１では１個の校正用ガス流量制御器２−０に
より流量の校正を行っているが、実プロセスに使用する
ガス流量制御器２−１，２−２の定格流量が大幅に異な
る場合には測定誤差が大きくなる欠点がある。そこで図
３では大流量用／小流量用の２つの校正用ガス流量制御
器２−０１／２−０２を測定するガス流量制御器２−
１，２−２の定格流量に応じて切換えて使用する。定格
流量が３倍以上異なる場合には図４に例を示した様に複
数個の校正用ガス流量制御器を用いる方が測定誤差の点
で好ましい。校正用ガス流量制御器として、図３では２
個の場合を示したが、一般的には複数個に対しても同じ
効果が得られることはもちろんである。。
【００１７】次に、本発明のさらに他の実施例を図４に
より説明する。
より説明する。
【００１８】図４は複数個の校正用ガス流量制御器を用
いる例である。図４において、ガス流量制御器２−１，
２−２は大流量校正用ガス流量制御器２−０１の系列に
接続され、ガス流量制御器２−３は小流量校正用ガス流
量制御器２−０２の系列に接続される。開閉弁９−０
１，９−０２は真空引用のものである。図４では大流量
と小流量系列が別の配管系統に分かれているため、大流
量系列と小流量系列とを同時に測定することができ、測
定時間の短縮がはかれる。なお、図４の構成で２つの校
正用ガス流量制御器の流量を同一にすれば図１に比べ、
測定時間の短縮をはかることもできる。
いる例である。図４において、ガス流量制御器２−１，
２−２は大流量校正用ガス流量制御器２−０１の系列に
接続され、ガス流量制御器２−３は小流量校正用ガス流
量制御器２−０２の系列に接続される。開閉弁９−０
１，９−０２は真空引用のものである。図４では大流量
と小流量系列が別の配管系統に分かれているため、大流
量系列と小流量系列とを同時に測定することができ、測
定時間の短縮がはかれる。なお、図４の構成で２つの校
正用ガス流量制御器の流量を同一にすれば図１に比べ、
測定時間の短縮をはかることもできる。
【００１９】次に、本発明のさらに他の実施例を図５に
より説明する。
より説明する。
【００２０】図５は測定時間を低減する例を示す。図５
において、同一ガスに対する定格流量が同じもしくは近
いものについては、校正用ガス流量制御器２−０の出力
部より開閉弁８−２０を経由してガス流量制御器２−２
の入力部に至り、ガス流量制御器２−２の出力部より開
閉弁８−１０を経由してガス流量制御器２−１の入力部
に至る。このように１つの校正用ガス流量制御器に複数
のガス流量制御器を直列に接続して同時に測定すること
により、測定時間の更なる短縮がはかれる。
において、同一ガスに対する定格流量が同じもしくは近
いものについては、校正用ガス流量制御器２−０の出力
部より開閉弁８−２０を経由してガス流量制御器２−２
の入力部に至り、ガス流量制御器２−２の出力部より開
閉弁８−１０を経由してガス流量制御器２−１の入力部
に至る。このように１つの校正用ガス流量制御器に複数
のガス流量制御器を直列に接続して同時に測定すること
により、測定時間の更なる短縮がはかれる。
【００２１】次に、本発明のさらに他の実施例を図６に
より説明する。図６は図４の実施例に対して、ガス流
量制御器に並列に開閉弁１２−ｎ（ｎ＝０１，０２，
１，２，３）を設置し、ガス供給配管等の真空引を早
め、ターボ分子ポンプ１３と開閉弁１４，１５を設置
し、高速排気を行っている点を改善した例である。
より説明する。図６は図４の実施例に対して、ガス流
量制御器に並列に開閉弁１２−ｎ（ｎ＝０１，０２，
１，２，３）を設置し、ガス供給配管等の真空引を早
め、ターボ分子ポンプ１３と開閉弁１４，１５を設置
し、高速排気を行っている点を改善した例である。
【００２２】
【発明の効果】測定用ガス流量制御器と校正用ガス流量
制御器とを直列に接続出来る様構成し、反応性の少ない
ガスを流し排気することにより短時間で自動的な流量特
性の校正が可能になり、特性変化を検知した時には自動
的にアラームを出すことか可能となり、半導体製造装置
全体の信頼性向上が図れる。
制御器とを直列に接続出来る様構成し、反応性の少ない
ガスを流し排気することにより短時間で自動的な流量特
性の校正が可能になり、特性変化を検知した時には自動
的にアラームを出すことか可能となり、半導体製造装置
全体の信頼性向上が図れる。
【００２３】また、ガス流量制御器として、流量の定格
が大幅に異なるものを使用する場合には、定格の異なる
校正用ガス流量制御器を複数個設置することにより測定
精度の低下をふせぐことができる。この場合、測定用配
管系としては１系統で校正用ガス流量制御器を切換える
場合、校正用ガス流量制御器毎に別系統にする場合、あ
るいはこれらの組合せの場合がある。いずれの場合に
も、短時間で自動的な流量の校正が可能になり、半導体
製造装置全体の信頼性向上が図れる。
が大幅に異なるものを使用する場合には、定格の異なる
校正用ガス流量制御器を複数個設置することにより測定
精度の低下をふせぐことができる。この場合、測定用配
管系としては１系統で校正用ガス流量制御器を切換える
場合、校正用ガス流量制御器毎に別系統にする場合、あ
るいはこれらの組合せの場合がある。いずれの場合に
も、短時間で自動的な流量の校正が可能になり、半導体
製造装置全体の信頼性向上が図れる。
【図１】本発明の一実施例のガス系統図の説明図であ
る。
る。
【図２】図１の動作シーケンスの説明図である。
【図３】本発明の他の実施例のガス系統図の説明図であ
る。
る。
【図４】本発明のさらに他の実施例のガス系統図の説明
図である。
図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例のガス系統図の説明
図である。
図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例のガス系統図の説明
図である。
図である。
【図７】従来のガス流量測定方法の説明図である。
【図８】実流量を演算する説明図である。
１…ガス源、２…ガス流量制御器、３…処理室、４…排
気装置、５，８〜１２，１４，１５…開閉弁、７…制御
装置、１３…ターボ分子ポンプ。
気装置、５，８〜１２，１４，１５…開閉弁、７…制御
装置、１３…ターボ分子ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川原 博宜 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 西海 正治 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 西原 伴良 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 田端 博幸 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 梅本 強志 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (8)
- 【請求項１】第１のガス供給源から第１の開閉弁を経由
して第１のガス流量制御器の入力部に至り、第１のガス
流量制御器の出力部より第２の開閉弁および第３の開閉
弁を経由して処理室に至り、かつ第２の開閉弁と第３の
開閉弁の間から第４の開閉弁を経由して排気装置に至る
配管系を有する半導体製造装置において、 第２のガス供給源から第５の開閉弁を経由して第２のガ
ス流量制御器の入力部に至り、第２のガス流量制御器の
出力部より第６の開閉弁を経由して第１のガス流量制御
器の入力部に至る配管系を具備したことを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項２】前記第２のガス供給源から第７の開閉弁を
経由して第３のガス流量制御器の入力部に至り、第３の
ガス流量制御器の出力部と第２のガス流量制御器の出力
部とが連結されうる配管系を具備したことを特徴とする
請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記第３のガス供給源から第８の開閉弁を
経由して第４のガス流量制御器の入力部に至り、第４の
ガス流量制御器の出力部より第９の開閉弁を経由して第
２の開閉弁と第３の開閉弁との間に至る配管系を具備
し、第２のガス供給源から第７の開閉弁を経由して第３
のガス流量制御器の入力部に至り、第３のガス流量制御
器の出力部から第１０の開閉弁を経由して第４のガス流
量制御器の入力部に至る配管系を具備したことを特徴と
する請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】前記第３のガス供給源から第８の開閉弁を
経由して第４のガス流量制御器の入力部に至り、第４の
ガス流量制御器の出力部より第９の開閉弁を経由して、
第２の開閉弁と第３の開閉弁との間に至る配管系を具備
し、第１のガス流量制御器の出力部から第１０の開閉弁
を経由して第４のガス流量制御器の入力部に至る配管系
を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体製造
装置。 - 【請求項５】前記第２のガス供給源として、窒素ガスを
用いることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
置。 - 【請求項６】前記第２のガス供給源として、不活性ガス
を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
置。 - 【請求項７】前記第２のガス流量制御器の定格流量と、
第３のガス流量制御器の定格流量との比が1/3以下もし
くは３倍以上であることを特徴とする請求項２記載の半
導体製造装置。 - 【請求項８】前記第２のガス流量制御器の定格流量と、
第３のガス流量制御器の定格流量との比が1/3もしくは
３倍以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642192A JPH0653103A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642192A JPH0653103A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653103A true JPH0653103A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16523101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20642192A Pending JPH0653103A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653103A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067353A1 (fr) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement et procede d'entretien dudit dispositif |
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| JP2020003999A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | アズビル株式会社 | マスフローコントローラの診断装置および診断方法 |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP20642192A patent/JPH0653103A/ja active Pending
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