JPH07263350A - 半導体製造方法 - Google Patents

半導体製造方法

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JPH07263350A
JPH07263350A JP4950994A JP4950994A JPH07263350A JP H07263350 A JPH07263350 A JP H07263350A JP 4950994 A JP4950994 A JP 4950994A JP 4950994 A JP4950994 A JP 4950994A JP H07263350 A JPH07263350 A JP H07263350A
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JP
Japan
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flow rate
controller
error range
semiconductor manufacturing
output
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4950994A
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English (en)
Inventor
Tomoyuki Sugawara
朋幸 菅原
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスフローコントローラの性能低下時にも、
ガス流量の規定値に対する流量誤差を自動的に校正し
て、ガス流量が起因するプロセストラブルを未然に防止
する。 【構成】 マスフローコントローラ1によりプロセスガ
ス流量を制御する半導体製造方法において、製造処理前
に、マスフローコントローラ1の出力流量を測定器3に
より測定し、測定器3の測定結果に基づき、マスフロー
コントローラ1の流量を校正器5により規定値に対して
所定誤差範囲内に校正し、測定器3及び校正器5による
所定回数の校正の結果、所定の誤差範囲に収まらない場
合には警報器7により警告を出力するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マスフローコントロー
ラ(以下、MFCと略記する)を用いてプロセスガス流
量を制御する半導体製造方法に関し、特に、MFCの性
能低下時にも、ガス流量の規定値に対する流量誤差を自
動的に校正して、ガス流量が起因するトラブルを未然に
防止しうる半導体製造方法に関する。
【0002】多くのプロセスガスを使用する半導体製造
方法において、ガス流量の正確さは、非常に重要度が高
く、規定値に対して所定の誤差範囲を超えた場合には、
即座にプロセストラブルにつながる。そのため、歩留り
向上が求められる近年の半導体プロセスにおいては、ガ
ス流量が起因するトラブルを未然に防止する必要があ
る。
【0003】
【従来の技術】従来の半導体製造方法においては、プロ
セスガス流量の制御はMFCによって行われ、ガス流量
の規定値に対する誤差については、そのMFCの性能の
みに依存していた。
【0004】ところが、デポの付着や、長期使用による
MFCの性能低下が起きれば、ガス流量が規定値の誤差
範囲を越え、プロセストラブルを引き起こす原因となっ
ていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、MFCの性能
が低下した場合にも、ガス流量を規定値の所定誤差範囲
内に収めるには、定期的にMFCの点検及び校正を行う
しか方法がなく、突発的なMFCの故障が起きた場合等
では、プロセストラブルが発見されて初めて、ガス流量
の異常が分かるといった問題を生じていた。
【0006】本発明は、上記問題点を解決するもので、
その目的は、MFCの性能低下時にも、ガス流量の規定
値に対する流量誤差を自動的に校正して、ガス流量が起
因するプロセストラブルを未然に防止する半導体製造方
法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1の特徴の半導体製造方法は、図1に示
す如く、マスフローコントローラ1によりプロセスガス
流量を制御する半導体製造方法において、製造処理前
に、前記マスフローコントローラ1の出力流量を測定器
3により測定し、前記測定器3の測定結果に基づき、前
記マスフローコントローラ1の流量を校正器5により規
定値に対して所定誤差範囲内に校正するように構成す
る。
【0008】また、本発明の第2の特徴の半導体製造方
法は、請求項1に記載の半導体製造方法において、前記
測定器3は、不活性ガスを使用して測定する。更に、本
発明の第3の特徴の半導体製造方法は、請求項1または
2に記載の半導体製造方法において、前記測定器3及び
前記校正器5による所定回数の校正の結果、所定の誤差
範囲に収まらない場合には警報器7により警告を出力す
るように構成する。
【0009】
【作用】本発明の第1の特徴の半導体製造方法では、図
1に示す如く、製造処理前に、マスフローコントローラ
1の出力流量を測定器3により測定し、該測定結果に基
づき、校正器5によって自動的にまたは半手動的に、マ
スフローコントローラ1の流量を規定値に対して所定誤
差範囲内に校正するようにしている。
【0010】また、本発明の第2の特徴の半導体製造方
法では、測定器3によるマスフローコントローラ1の出
力流量の測定に際しては、不活性ガスを使用することと
し、測定器3自体のデポ付着による誤差の発生を防いで
いる。
【0011】更に、本発明の第3の特徴の半導体製造方
法では、測定器3及び校正器5による校正を所定回数行
っても、所定の誤差範囲に収まらない場合には、警報器
7により警告を出力することとし、その場合には、該マ
スフローコントローラ1を交換等する。
【0012】これにより、マスフローコントローラ1の
性能低下時にも、ガス流量の規定値に対する流量誤差を
自動的に校正して、ガス流量が起因するプロセストラブ
ルを未然に防止することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明に係る好適な実施例を図面に基
づいて説明する。図1に本発明の実施に使用される半導
体製造装置の例を示す。
【0014】同図は真空装置のガスラインの構成図であ
り、この半導体製造方法は、プロセスガス流量を制御す
るマスフローコントローラ(以下、MFCと略記する)
1と、製造処理前に、MFC1の出力流量を測定する測
定器3と、測定器3の測定結果に基づきMFC1の流量
を規定値に対して所定誤差範囲内に校正する校正器5
と、測定器3及び校正器5による所定回数の校正の結
果、所定の誤差範囲に収まらない場合には警告を出力す
る警報器7とを具備している。また図中、A1〜A5は
エアオペレートバルブを表す。
【0015】本実施例は、Cl2 ガスを用いたプロセス
を想定しており、また、測定器3によるMFC1の出力
流量の測定に際しては、Cl2 ガスをそのまま流したの
では、測定器3自体にデポ付着が発生し誤差を生じる可
能性があるので、不活性ガスとしてN2 ガスを使用し
て、測定器3自体のデポ付着による誤差の発生を防いで
いる。
【0016】本実施例では、予め規定誤差と校正回数K
を設定し、測定流量xが規定誤差範囲内であれば正常と
みなして製造処理を開始する。逆に、測定流量xが規定
誤差範囲外であれば、校正器5によりMFC1のガス流
量を自動的または半手動的に校正する。但し、校正回数
が設定値Kを越えても、測定流量xが規定誤差範囲内に
入らない場合は、流量異常とみなして警報器7によりア
ラームを表示する。
【0017】次に、図2に示すフローチャートを参照し
て、本実施例の校正処理手順を詳細に説明する。先ずス
テップS1で、エアオペレートバルブA2,A4,及び
A5を“開”とし、ステップS2では、校正回数の計数
カウンタkを零にリセットしておく。
【0018】次にステップS3で、MFC1を動作させ
て、MFC1によって流量制御されたN2 ガスを測定器
3に供給し、ステップS4で測定器3による測定を行
う。ステップS5では、MFC1のガス流量の測定値x
が規定誤差範囲内(ここでは、5[%]以内)であるか
否かを判断し、規定誤差範囲内であれば“正常”である
旨の表示を行って、製造処理を開始する。即ち、エアオ
ペレートバルブA2,A4,及びA5を“閉”とし、エ
アオペレートバルブA1及びA3を“開”として、Cl
2 ガスによる製造処理を開始する。
【0019】また、測定流量xが規定誤差範囲外であれ
ばステップS6に進む。ステップS6では、校正回数の
計数カウンタkをインクリメントして、ステップS7で
設定された校正回数K(=2)に至ったか否かを判断す
る。設定校正回数に至っていない場合には、ステップS
8に進み、校正器5によりMFC1のガス流量を自動的
または半手動的に校正する。
【0020】その後、ステップS3に戻り、ステップS
3以降の処理を繰り返す。ステップS7で設定値Kに至
ったと判断され、設定された回数校正しても測定流量x
が規定誤差範囲内に入らない場合には、流量異常とみな
して警報器7によりアラームを表示して校正操作を終了
する。行うべき半導体製造処理は、該アラームが解除さ
れない限り行うことはできない。
【0021】尚、以上の校正操作は常時行うわけにはい
かないので、所定の製品処理数による単位毎に、または
任意にオペレータの判断で行うようにする。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造処理前に、マスフローコントローラの出力流量を測
定器により、例えば不活性ガスを使用して測定し、該測
定結果に基づき校正器によって自動的にまたは半手動的
にマスフローコントローラの流量を規定値に対して所定
誤差範囲内に校正することとし、また、所定回数校正を
行っても所定の誤差範囲に収まらない場合には、警報器
7により警告を出力することとしたので、マスフローコ
ントローラの性能低下時にも、ガス流量の規定値に対す
る流量誤差を自動的に校正して、ガス流量が起因するプ
ロセストラブルを未然に防止し、歩留りを向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体製造方法の構成図である。
【図2】本発明における校正処理手順を説明するフロー
チャートである。
【符号の説明】
1…マスフローコントローラ(MFC) 3…測定器 5…校正器 7…警報器 A1〜A5…エアオペレートバルブ k…校正回数の計数カウンタ x…MFC流量測定値

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスフローコントローラ(1)によりプ
    ロセスガス流量を制御する半導体製造方法において、 製造処理前に、前記マスフローコントローラ(1)の出
    力流量を測定し、 前記出力流量の測定結果に基づき、前記マスフローコン
    トローラ(1)の流量を規定値に対して所定誤差範囲内
    に校正することを特徴とする半導体製造方法。
  2. 【請求項2】 前記出力流量の測定結果は、不活性ガス
    を使用して行うことを特徴とする請求項1に記載の半導
    体製造方法。
  3. 【請求項3】 前記出力流量の測定結果及び前記出力流
    量の所定回数の校正の結果に基づいて判断し、所定の誤
    差範囲に収まらない場合には警告を出力することを特徴
    とする請求項1または2に記載の半導体製造方法。
JP4950994A 1994-03-18 1994-03-18 半導体製造方法 Withdrawn JPH07263350A (ja)

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Effective date: 20010605