KR20040042815A - 반도체 제조장치 - Google Patents

반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040042815A
KR20040042815A KR1020030072047A KR20030072047A KR20040042815A KR 20040042815 A KR20040042815 A KR 20040042815A KR 1020030072047 A KR1020030072047 A KR 1020030072047A KR 20030072047 A KR20030072047 A KR 20030072047A KR 20040042815 A KR20040042815 A KR 20040042815A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
mass flow
inspection
gases
Prior art date
Application number
KR1020030072047A
Other languages
English (en)
Inventor
이시다쇼지
Original Assignee
가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 filed Critical 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Publication of KR20040042815A publication Critical patent/KR20040042815A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0658—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a single flow from a plurality of converging flows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759—Responsive to change in rate of fluid flow
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761—Electrically actuated valve
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87917—Flow path with serial valves and/or closures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 제조장치의 가동시에 있어서는 복수의 가스가 챔버(105)에 직접 유입되도록 복수의 밸브(121∼147)의 개폐가 제어되고, 매스 플로우 콘트롤러(MFC2')(102')의 검사시에 있어서는 가스 A가 매스 플로우 미터(MFM1∼3)(151∼153)에 유입되도록 복수의 밸브(121∼147)의 개폐가 제어된다. 따라서, 매스 플로우 콘트롤러(MFM2')(102')를 접속한 상태로 검사를 행하는 것이 가능해진다.

Description

반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은, 엣쳐, CVD(Chemical Vapor Deposition) 등, 가스의 유량을 제어하여 반도체의 제조를 행하는 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히, 유량제어기기, 유량표시기기 등의 자동검사 및 자동전환을 행하는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스는 모든 장치에 조립되고 있어, 그것의 소비량은 방대한 것으로 되고 있다. 이러한 반도체 디바이스의 제조장치에는, 엣쳐, CVD 등과 같이 각종 가스를 사용하여 처리를 행하는 것이 있다. 일반적으로, 각종 가스를 사용하여 처리를 행하는 제조장치에는, 가스유량을 제어하는 매스 플로우 콘트롤러(MFC), 가스유량을 표시하는 검사용의 매스 플로우 미터(MFM) 등이 사용된다.
이러한 반도체 제조장치에 관련된 기술로서, 특개평 6-53103호 공보 및 특개평 5-108167호 공보에 개시된 발명이 있다.
특개평 6-53103호 공보에 개시된 반도체 제조장치는, 매스 플로우 콘트롤러의 유량특성을 자동적으로 교정하기 위해, 1개 또는 복수개의 교정용 매스 플로우 콘트롤러를 설치하고, 측정용 매스 플로우 콘트롤러와 교정용 매스 플로우 콘트롤러를 직렬로 접속하는 배관계를 갖도록 하여, 반응성이 약한 가스를 흘리는 것이다.
또한, 특개평 5-108167호 공보에 개시된 제어장치에 있어서는, 시퀀스 콘트롤러가, 매스 플로우 콘트롤러의 제어개시로부터 일정시간, 동작의 변동상태를 감시함으로써 매스 플로우 콘트롤러의 이상을 검출하는 것이다.
전술한 특개평 6-53103호 공보에 개시된 반도체 제조장치에 있어서는, 측정용 매스 플로우 콘트롤러와 교정용 매스 플로우 콘트롤러를 직렬로 접속하는 배관계를 갖도록 하고 있기 때문에, 피시험체인 측정용 매스 플로우 콘트롤러의 교정을 행할 수 있다. 그러나, 교정용 매스 플로우 콘트롤러에 의해 가스의 유량제어를 행하고, 그 가스를 피시험체인 측정용 매스 플로우 콘트롤러로 흘리고 있기 때문에, 측정용 매스 플로우 콘트롤러의 유량센서부만의 검사밖에 행할 수 없어, 측정용 매스 플로우 콘트롤러의 유량제어성능을 확인할 수 없다고 하는 문제점이 있다.
또한, 검사용의 가스는 별도의 경로를 거쳐 교정용 매스 플로우 콘트롤러에 유입되기 때문에, 배관계가 복잡하게 되는 동시에, 부품, 배관 등의 비용이 필요하게 되어, 반도체 제조장치가 고가로 된다고 하는 문제점도 있었다.
또한, 특개평 5-108167호 공보에 개시된 제어장치에 있어서는, 시퀀스 콘트롤러가 매스 플로우 콘트롤러의 이상을 검출하는 것이다. 그러나, 매스 플로우 콘트롤러의 이상이 검출된 경우에는, 반도체 제조장치의 운전을 정지하여 배관을 분리하고, 매스 플로우 콘트롤러를 교환한 후, 리이크 테스트, 프로세스 테스트 등을 행하지 않으면 안된다. 따라서, 반도체 제조장치의 정지시간이 매우 길어진다고 하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 매스 플로우 콘트롤러를 접속한 상태로, 매스 플로우 콘트롤러의 검사를 행하는 것이 가능한 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.
도 1은 엣쳐, CVD 등의 일반적인 반도체 제조장치의 가스 플로우를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 MFM1∼3의 검사시에 있어서의 가스 플로우를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치를 검사하는 컴퓨터의 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 검사시에 있어서의 컴퓨터의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 MFC 선택화면의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 검사항목 설정화면의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 검사결과 표시화면의 일례를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 5에 나타낸 스텝 S105의 처리를 더욱 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 도 5에 나타낸 스텝 S110(MFC 자동전환처리)의 상세를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 14a 및 도 14b는 기존에 설치된 반도체 제조장치를 개조하여, 도 13에 나타낸 바이패스 라인을 설치한 경우의 일례를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다.
본 발명에 관한 반도체 제조장치는, 복수의 가스를 사용하여 처리를 행하는 반도체 제조장치에 있어서, 복수의 가스가 유입되는 챔버와, 복수의 가스에 대응하여 설치되는 복수의 매스 플로우 콘트롤러와, 복수의 가스의 유량을 계측하는 매스 플로우 미터와, 복수의 가스의 흐름을 제어하는 복수의 밸브와, 반도체 제조장치의 가동시에 있어서는 복수의 가스가 챔버에 직접 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하고, 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서는 복수의 가스 중에서 어느 한 가스가 매스 플로우 미터에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제어부를 포함한다.
본 발명에 관한 반도체 제조장치에 따르면, 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서, 제어수단이 복수의 가스 중 어느 한 가스가 매스 플로우 미터에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하기 때문에, 매스 플로우 콘트롤러를 접속한 상태에서, 매스 플로우 콘트로러의 검사를 행하는 것이 가능하게 되었다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 반도체 제조장치는, 복수의 가스를 사용하여 처리를 행하는 반도체 제조장치에 있어서, 복수의 가스가 유입되는 챔버와, 복수의 가스에 대응하여 설치되는 복수의 매스 플로우 콘트롤러와, 복수의 가스의 흐름을 제어하는 복수의 밸브와, 반도체 제조장치의 가동시에 있어서는 복수의 가스가 챔버에 직접 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하고, 제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서는 제 1 가스가 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 통해 제 1 매스 플로우 콘트롤러에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한다.
제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서, 제어부가 제 1 가스가 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 통해 제 1 매스 플로우 콘트롤러에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하기 때문에, 제 1 및 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 접속한 상태로, 제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사를 행하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 국면 및 이점은, 첨부의 도면과 관련하여 이해되는 본 발명에 관한 다음의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
[실시예]
(제 1 실시예)
도 1은, 엣쳐, CVD 등의 일반적인 반도체 제조장치의 가스 플로우를 설명하기 위한 도면이다. 이 반도체 제조장치는, 매스 플로우 콘트롤러(MFC) 1∼4(101∼104)와, 챔버(105)와, 체크밸브(106∼108)와, 에어·오퍼레이션·밸브(이하, 간단히 밸브라 칭한다)(109∼120)를 포함한다.
이 구성에 있어서, 예를 들면 MFC2(102)에 이상이 발생한 경우, 이것을 검사할 수 없기 때문에, 밸브 111∼113을 닫은 후, MFC2(102)를 떼어내어 검사를 행할 필요가 있다.
도 2는, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다. 이 도면은, 매스 플로우 콘트롤러(MFC2')의 검사시에 있어서의 가스 플로우를 나타내고 있다. 이 반도체 제조장치는, MFC1∼4(101∼104)와, MFC2'∼4'(102'∼104')와, 챔버(105)와, 체크밸브(106∼108)와, 밸브(121∼147)와, 매스 플로우 미터(MFM)1∼6(151∼156)을 포함한다. 이때, 반도체 제조장치의 각 구성부분은, 후술하는 컴퓨터에 의해 제어가 가능하다.
MFC2'∼4'(102'∼104')는 각각, MFC2∼4(102∼104)와 같은 종류의 매스 플로우 콘트롤러로서, MFC2∼4(102∼104)에 이상이 발생하였을 때에 전환되어, 가스유량의 제어가 행해진다. 예를 들면, 도 2에 있어서는, MFC2(102)에서 MFC2'(102')으로 전환된 상태를 나타내고 있으며, 밸브 124 및 125가 닫혀져 MFC2(102)의 동작이 정지되는 동시에, 밸브 127 및 128이 열려 MFC2'(102')의 동작이 개시된다. 이와 같이, MFC2(102)가 이상으로 판단된 경우에는, MFC2'(102')으로 전환되어, 반도체 제조장치의 운전을 정지시키지 않고, 가스 A를 챔버(105)에 유입할 수 있다.
또한, MFM1∼6(151∼156)은 각각, 유량 레인지가 다른 매스 플로우 미터이다. 매스 플로우 미터 등의 유량 표시기기는, 유량의 풀스케일에 따라 유량정밀도가 다르다. 예를 들면, 대유량의 유량 표시기기로 소유량의 가스를 측정하면, 측정오차가 커진다. 따라서, 유량의 가스를 측정하는 경우에는, 그 유량에 알맞은 매스 플로우 미터의 값이 사용된다. 이때, MFM의 유량 레인지와 수량은, MFC의 유량 레인지에 따라 임의로 선택할 수 있다.
도 2에 있어서는, MFC2'(102')의 검사를 행하는 경우를 나타내고 있으며, 밸브 142, 144 및 147이 열려, MFC2'(102')로부터의 가스가 MFM1∼MFM3(151∼153)을 지나 챔버(105)에 유입된다. 이때, 밸브 141, 143, 145 및 146은 닫힌다. 또, 다른 MFC을 검사하는 경우에는, 적절히 밸브의 개폐제어가 행해진다.
도 3은, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 매스 플로우 미터(MFM1∼3)의 검사시에 있어서의 가스 플로우를 설명하기 위한 도면이다. MFM 체크용 포트에는, MFM1∼6(151∼156)을 검사하기 위한 박막유량계 등의 외부 검사기기가 접속된다. 밸브 121, 122, 142, 144 및 146이 열리고, 다른 밸브는 모두 닫혀 있어, N2(질소) 가스는 MFM 체크용 포트를 통해 외부의 검사기기로 유입된다. 이것에 의해, 챔버를 개방하는 일 없이 MFM1∼3(151∼153)의 정밀도 확인을 행할 수 있다. 이때, MFM4∼6(154∼156)의 정밀도 확인을 행하는 경우에는, 밸브 121, 122, 143, 145 및 146이 열리고, 다른 밸브는 모두 닫힌다.
도 4는, 본 발명의 제 1 실시에 있어서의 반도체 제조장치를 검사하는 컴퓨터의 구성예를 나타낸 블록도이다. 이 컴퓨터는, 컴퓨터 본체(201), 디스플레이장치(202), FD(Flexible Disk)(204)가 장착되는 FD 드라이브(203), 키보드(205), 마우스(206), CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory)(208)이 장착되는 CD-ROM 장치(207) 및 기기 제어용 인터페이스(209)를 포함한다.
반도체 제조장치를 검사하는 프로그램(이하, 검사 프로그램으로 칭한다)은, FD(204) 또는 CD-ROM(208) 등의 기록매체에 의해 공급된다. 검사 프로그램이 컴퓨터 본체(201)에 의해 실행되는 것에 의해, 반도체 제조장치의 검사가 행해진다.
컴퓨터 본체(201)는, CPU(Central Processing Unit)(210), ROM(Read Only Memory(211), RAM(Random Access Memory)(212) 및 하드디스크(213)를 포함한다. CPU(210)는, 디스플레이장치(202), FD 드라이브(203), 키보드(205), 마우스(206), CD-ROM 장치(207), 기기 제어용 인터페이스(209), ROM(211), RAM(212) 또는 하드디스크(213) 사이에서 데이터를 입출력하면서 처리를 행한다. FD(204) 또는 CD-ROM(208)에 기록된 검사 프로그램은, CPU(210)에 의해 FD 드라이브(203) 또는 CD-ROM 장치(207)를 통해 일단 하드디스크(213)에 격납된다. CPU(210)는,하드디스크(213)로부터 적절히 검사 프로그램을 RAM(212)에 로드하여 실행함으로써, 반도체 제조장치의 검사가 행해진다.
도 5는, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 검사시에 있어서 컴퓨터의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도이다. 우선, 컴퓨터는, 검사대상인 MFC를 선택하기 위한 화면(이하, MFC 선택화면이라 한다)을 디스플레이장치(202)에 표시하여, 조작자에게 검사를 하는 MFC를 선택하도록 한다(S101).
도 6은, MFC 선택화면의 일례를 나타낸 도면이다. 이 MFC 선택화면에서는, 반도체 제조장치의 전체 구성이 표시되고, 조작자에 의해 선택된 (마우스(206)에 의해 클릭된) MFC가 반전표시된다. 이 도 6에 있어서는, 조작자에 의해 MFC2'(102')가 선택된 것을 나타내고 있다. 이때, 검사대상으로서 복수의 MFC가 선택가능하다.
다음에, 컴퓨터는, 선택된 MFC에 대한 검사항목을 설정하기 위한 화면(이하, 검사항목 설정화면이라 한다)을 디스플레이장치(202)에 표시하여, 조작자에게 검사항목을 설정하도록 한다(S102).
도 7은, 검사항목 설정화면의 일례를 나타낸 도면이다. 이 검사항목 설정화면에는, 검사항목으로서 유량 정밀도 검사, 반복 정밀도 검사, 리니어리티(linearity) 검사가 표시되어 있다. 조작자는, 검사항목 설정화면에 표시된 검사항목 중에서, 복수의 검사항목을 선택하는 것도 가능하다.
유량 정밀도 검사가 선택된 경우에는, MFC의 유량 레인지에 대한 검사범위(%)와, 그 때의 검사간격(5)이 설정된다. 도 7에 있어서, 검사범위로서 0∼100%가 설정되고, 검사간격으로서 10%가 설정되어 있다.
또한, 반복 정밀도 검사가 선택된 경우에는, 그것의 반복 회수가 설정된다. 도 7에 있어서, 반복 회수로서 5회가 설정되어 있다. 리니어리티 검사에 관해서는, 조작자가 설정하는 항목은 없다.
다음에, 컴퓨터는, MFC 선택화면 및 검사항목 설정화면에서 설정된 MFC의 수 및 검사항목을 참조하여, 검사에 필요하게 되는 시간을 계산하여 도 7에 나타낸 검사항목 설정화면에 검사 소요시간으로서 표시한다(S103). 도 7에 있어서는, 검사 소요시간으로서 1시간 15분이 표시되어 있다.
조작자가 검사항목 설정화면에 표시된 각 항목을 확인하고, 마우스(206)를 사용하여 검사항목 설정화면에 표시된 「검사개시」를 클릭하면, 설정된 검사항목에 근거하여 반도체 제조장치의 검사가 개시된다(S104).
컴퓨터는, 조작자에 의해 선택된 MFC와 검사항목으로부터, 그 검사에 최적의 MFM을 선택한다(S105). 그리고, 선택된 MFC에 대해 설정된 검사항목의 검사를 실시하고 판정을 행한다(S106). 검사대상의 MFC가 합격이면(S106, OK), 검사결과를 표시하기 위한 화면(이하, 검사결과 표시화면이라 한다)에 검사가 합격인 것을 표시하고(S107), 반도체 제조장치에 의한 반도체 디바이스의 생산을 속행한다(S108).
또한, 검사대상의 MFC가 불합격이면(S106, NG), 검사결과 표시화면에 검사가 불합격인 것을 표시하고(S109), MFC 자동전환처리를 실행한다(S110).
도 8은, 검사결과 표시화면의 일례를 나타낸 도면이다. 이 검사결과 표시화면의 유량 정밀도 검사결과에 있어서, MFC의 설정값, MFM에 의한 실측값, 판정기준, 오차 및 판정결과가 표시되어 있다. 도 7에 나타낸 검사항목 설정화면에 있어서의 유량 정밀도 검사의 검사범위로서 0∼100%가 설정되고, 검사간격으로서 10%가 설정되어 있기 때문에, MFC에 0%, 10%, 20%, …, 100%가 설정되고, 그 때 MFM에 의해 측정된 유량이 실측값으로서 표시된다. 이 유량 정밀도 검사결과에 있어서, 설정값에 대한 실측값의 오차가 모두 판정기준인 ±3% 이하로 되어 있기 때문에, 합격으로 판정되고 있다.
또한, 반복 정밀도 검사결과에 있어서, MFC의 설정값, MFM에 의한 실측값의 평균, 판정기준, 표준편차 및 판정결과가 표시되어 있다. 도 7에 나타낸 검사항목 설정화면에 있어서의 반복 정밀도 검사의 반복 회수로서 5회가 설정되어 있기 때문에, MFC에 0%, 10%, 20%, …, 100%의 유량이 5회씩 설정되고, 그 때 MFM에 의해 측정된 5회의 유량의 평균값이 실측평균으로서 표시되며, 그 때의 표준편차가 계산되어 표시된다. 이 반복 정밀도 검사결과에 있어서, 설정값에 대한 표준편차가 모두 판정기준인 ±0.33% 이하로 되어 있기 때문에, 합격으로 판정되어 있다.
리니어리티 검사결과에 있어서, 최소자승법에 의해 계산되어 MFC의 설정값(X)과 MFM에 의한 실측값(Y)과의 직선식이 표시된다. 계산된 계수 a가 0.99보다 크고, 계수 b가 0.01보다도 작은 경우에 리니어리티 검사가 합격으로 판정된다. 도 9에 있어서는, a=0.9994이고, b=0.0003이기 때문에, 합격으로 판정되고 있다. 또한, MFC의 설정값과 MFM에 의한 실측값과의 관계가 그래프로 표시된다.
도 9는, 도 5에 나타낸 스텝 S105의 처리를 더욱 상세히 설명하기 위한 흐름도이다. 우선, 컴퓨터는, MFC에 의한 가스의 실유량을 계산한다(S111). MFC에 의한가스의 실유량은, (MFC의 설정유량)×(실제로 흘리는 가스의 CF(Conversion Factor))/(교정된 MFC의 CF)에 의해 계산된다.
일례로서, SiH4가스용의 MFC(풀스케일이 1 SLM(standard liter/min))에 N2가스를 500 SCCM(standard cc/min) 만큼 흘려, 풀스케일이 100 SCCM, 1 SLM, 10 SLM인 3개의 MFM로부터, 최적의 MFM을 선택하는 경우에 관해 설명한다. 실제로 흘리는 가스의 CF를 1로 하고, 교정된 MFC의 CF를 0.596으로 하면, N2가스의 실유량은 500×1/0.596=838.9 SCCM이 된다.
다음에, 컴퓨터는, 가스의 실유량이 90 SCCM 이하인지 아닌지를 판정한다(S112). 가스의 실유량이 90 SCCM 이하이면(S112, 0K), 100 SCCM의 MFM이 선택된다(S113). 또한, 가스의 실유량이 90 SCCM보다도 크면(S112, NG), 컴퓨터는, 가스의 실유량이 900 SCCM 이하인지 아닌지를 판정한다(S114).
가스의 실유량이 900 SCCM 이하이면(S114, 0K), 1 SLM의 MFM이 선택된다(S115). 또한, 가스의 실유량이 900 SCCM보다도 크면(S114, NG), 10 SLM의 MFM이 선택된다(S116). 전술한 SiH4가스용의 MFC인 경우에는, 1 SLM의 MFM이 선택된다.
도 10은, 도 5에 나타낸 스텝 S110(MFC 자동전환처리)의 상세를 설명하기 위한 흐름도이다. 우선, 컴퓨터는, 피시험체로서 현재 가동중인 MFC 중 어느 한 개를 선택한다(S121). 여기서는, 피시험체로서 MFC2'(102')이 선택된 경우에 관해 설명한다.
다음에, 조작자는 피시험체인 MFC2'(102')에 대한 검사항목을 선택한다(S122). 여기서는, 도 7에 나타낸 검사항목 설정화면과 같은 화면을 표시하여, 조작자에게 검사항목을 설정하도록 한다.
다음에, 컴퓨터는, 피시험체인 MFC2'(102')에 대해, 조작자에 의해 설정된 검사항목의 검사를 실행시켜, 검사결과가 합격인지 아닌지를 판정한다(S123). MFC2'(102')의 검사결과가 합격이면(S123, 0K), 검사결과가 합격인 것을 표시하는 화면을 디스플레이장치(202)에 표시하고 처리를 종료한다(S124). 여기서는, 도 8에 나타낸 검사결과 표시화면과 같은 화면을 표시하여, 조작자에게 검사가 합격인 것을 나타낸다.
또한, 검사결과가 불합격이면(S123, NG),검사결과가 불합격인 것을 표시하는 화면을 디스플레이장치(202)에 표시하고(S125), 밸브의 개폐제어를 행하여 피시험체를 MFC2'(102')으로부터 MFC2(102)로 변경한다(S126).
다음에, 컴퓨터는, 피시험체인 MFC2(102)에 대해 검사를 실행시켜, 검사결과가 합격인지 아닌지를 판정한다(S127). MFC(102)의 검사결과가 합격이면(S127, 0K), 검사결과가 합격인 것을 표시하는 화면을 디스플레이장치(202)에 표시하고(S129), 프로세스용 MFC를 MFC2(102)에 전환하여, 반도체 제조장치에 의한 반도체 디바이스의 생산을 속행한다.
또한, 검사결과가 불합격이면(S127, NG), 반도체 제조장치의 운전을 정지하고, 조작자에게 MFC2'(102') 및 MFC2(102)를 양품에 교환하도록 한다. 그리고, 스텝 121로 되돌아가, 같은 처리를 반복한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 반도체 제조장치에 따르면, 각 가스용의 MFC로서 같은 종류의 MFC를 복수 설치하고, MFC의 이상이 발생한 경우에는 밸브의 개폐를 제어하여 다른쪽의 MFC로 전환하도록 하였기 때문에, MFC의 교환, 프로세스 확인 등의 작업이 불필요하게 되어, 반도체 제조장치의 운전을 속행하는 것이 가능하게 되었다.
또한, 반도체 제조장치 내에 복수의 MFM을 설치하고, 밸브의 개폐를 제어함으로써 MFC로부터의 가스를 MFM에 유입하도록 하였기 때문에, 챔버, CVD 등의 반도체 제조장치에 접속한 상태로 MFC의 검사를 행하는 것이 가능하게 되었다.
더구나, MFM 체크용 포트를 설치하여, 외부의 검사기기를 접속할 수 있도록 하였기 때문에, 반도체 제조장치 내의 MFM의 정밀도 확인 등을 용이하게 행하는 것이 가능하게 되었다.
(제 2 실시예)
도 11은, 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다. 이 반도체 제조장치는, 진공챔버(161)와, 밸브 162 및 163과, 진공계 VG1(164) 및 VG1'(165)을 포함한다. 이때, 반도체 제조장치의 각 구성 부분은, 도 4에 나타낸 컴퓨터에 의해 제어가 가능하다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 진공계의 경우에 관해 설명하지만, 각종 센서에 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
도 11에 있어서는, 밸브 162가 열리고, 밸브 163이 닫혀지고 있으며,VG1(164)에 의해 진공챔버(161) 내의 진공도가 계측된다. 또한, 밸브 162가 닫히고, 밸브 163이 열리면, VG1'(165)에 의해 진공챔버 161 내의 진공도를 계측할 수 있다.
도 12는, 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도이다. 우선, 컴퓨터는, 피시험체로서 현재 가동중인 진공계 중 어느 한 개를 선택한다(S131). 여기서는, 피시험체로서 VG1(164)이 선택된 경우에 관해 설명한다.
다음에, 조작자는 피시험체인 VG1(164)에 대한 검사항목(진공 정밀도 등)을 선택한다(S132). 여기서는, 도 7에 나타낸 검사항목 설정화면과 같은 화면을 표시하여, 조작자에게 검사항목을 설정하도록 한다.
다음에, 컴퓨터는, 피시험체인 VG1(164)에 대해, 조작자에 의해 설정된 검사항목의 검사를 실행시켜, 검사결과가 합격인지 아닌지를 판정한다(S133). VG1(164)의 검사결과가 합격이면(S133, 0K), 검사결과가 합격인 것을 표시하는 화면을 디스플레이장치(202)에 표시하고 처리를 종료한다(S134). 여기서는, 도 8에 나타낸 검사결과 표시화면과 같은 화면을 표시하여, 조작자에게 검사가 합격인 것을 나타낸다.
또한, 검사결과가 불합격이면(S133, NG), 검사결과가 불합격인 것을 표시하는 화면을 디스플레이장치(202)에 표시하고(S135), 밸브의 개폐제어를 행하여 VG1(164)로부터 VG1'(165)으로 전환하여(S136), 반도체 제조장치에 의한 반도체 디바이스의 생산을 속행한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 반도체 제조장치에 따르면, 동일한 종류의 진공계를 복수 설치하고, 가동중인 진공계에 이상이 발생한 경우에는 밸브의 개폐를 제어하여 다른쪽의 진공계로 전환하도록 하였기 때문에, 진공계의 교환 등의 작업이 불필요하게 되어, 반도체 제조장치의 운전을 속행하는 것이 가능하게 되었다.
(제 3 실시예)
도 13은, 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다. 도 1에 나타낸 반도체 제조장치의 개략 구성과 비교하여, MFC1(101)과 밸브 110 사이에 밸브 301을 설치하고, 밸브 302를 더 설치하여 바이패스 라인(교정라인(calibration line))으로 한 점이 다르다.
도 13에 있어서는, MFC1(101)을 검사용 MFC로 하고, MFC2(102)를 검사하는 경우의 가스의 흐름을 나타내고 있으며, 밸브 109, 111, 113, 120 및 301이 열리고, 그 이외의 밸브는 모두 닫힌다. 이것에 의해, MFC1(101)에서 설정된 N2가스의 유량과, MFC2(102)에 의해 측정된 유량을 비교함으로써, MFC2(102)의 교정이 행해진다. 이때, MFC1(101)의 유량제어를 정확히 행할 수 있는 것을 전제로 하고 있다.
이때, 밸브 111 및 113이 닫히고, 밸브 114 및 116이 열리는 것에 의해 MFC3(103)의 교정이 가능하다. 마찬가지로, 밸브 111 및 113이 닫히고, 밸브 117 및 119가 열리는 것에 의해 MFC4(104)의 교정이 가능하다. 또한, 밸브의 개폐제어나 MFC의 제어 등은, 제 1 실시예와 마찬가지로, 도 4에 나타낸 컴퓨터 등에 의해행해진다.
도 14a 및 도 14b는, 기존에 설치된 반도체 제조장치를 개조하여, 도 13에 나타낸 바이패스 라인을 설치하는 경우의 일례를 도시한 도면이다. 도 14a는, 도 1에 나타낸 기존에 설치된 반도체 제조장치의 MFC1(101) 및 그것의 전후의 밸브 109 및 110을 나타내고 있다. 도 14b에 나타낸 바와 같이, 밸브 109 및 110을 블록밸브 303 및 304로 치환하는 것만으로, 배관의 레이아웃을 대폭 변경하는 일 없이, 바이패스 라인을 추가할 수 있다. 이때, 블록밸브 303과 304 사이의 바이패스 라인에, 체크밸브 106, 107 및 108에 접속되는 배관이 접속된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 반도체 제조장치에 따르면, 밸브 301 및 302를 추가하여 바이패스 라인을 설치하고, MFC1(101)을 검사용 MFC로 하여, 다른 MFC2∼4(102∼104)의 교정을 행하도록 하였기 때문에, 챔버, CVD 등의 반도체 제조장치에 접속한 상태로 MFC의 검사를 행하는 것이 가능하게 되었다.
또한, 기존에 설치된 밸브를 블록밸브로 치환하는 것만으로, 바이패스 라인을 설치할 수 있기 때문에, 기존에 설치된 반도체 제조장치를 검사가능한 반도체 제조장치로 용이하게 개조하는 것이 가능하게 되었다.
(제 4 실시예)
도 15는, 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 반도체 제조장치의 개략 구성을 나타낸 블록도이다. 도 1에 나타낸 반도체 제조장치의 개략 구성과 비교하여, 밸브 302와 MFC5(305)를 추가하여 교정라인으로 하고 있는 점이 다르다.
도 15에 있어서는, MFC5(305)를 검사용 MFC으로 하고, MFC2(102)를 검사하는 경우의 가스의 흐름을 나타내고 있으며, 밸브 111, 113, 120 및 302가 열리고, 그 이외의 밸브는 모두 닫힌다. 이것에 의해, MFC5(305)에서 설정된 N2가스의 유량과, MFC2(102)에 의해 측정된 유량을 비교함으로써, MFC2(102)의 교정이 행해진다. 이때, MFC5(305)의 유량제어를 정확히 행할 수 있는 것을 전제로 하고 있다.
이때, 밸브 111 및 113이 닫히고, 밸브 114 및 116이 열리는 것에 의해, MFC3(103)의 교정이 가능하다. 마찬가지로, 밸브 111 및 113이 닫히고, 밸브 117 및 119가 열리는 것에 의해 MFC4(104)의 교정이 가능하다. 또한, 밸브의 개폐제어나 MFC의 제어 등은, 제 1 실시예와 마찬가지로, 도 4에 나타낸 컴퓨터 등에 의해 행해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 반도체 제조장치에 따르면, 밸브 302 및 MFC5(305)를 추가하여 교정라인을 설치하고, MFC5(305)를 검사용 MFC로 하여, MFC2∼4(102∼104)의 교정을 행하도록 하였기 때문에, 챔버, CVD 등의 반도체 제조장치에 접속된 상태에서 MFC의 검사를 행하는 것이 가능하게 되었다.
또한, 퍼지나 교정 이외의 통상의 오퍼레이션에 있어서는, MFC5(305)에 가스는 흐르지 않기 때문에, 제 3 실시예와 비교하여, 검사용 MFC(MFC5)의 신뢰성을 높게 하는 것이 가능하게 되었다.
본 발명에 관한 반도체 제조장치에 따르면, 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서, 제어수단이 복수의 가스 중 어느 한 가스가 매스 플로우 미터에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하기 때문에, 매스 플로우 콘트롤러를 접속한 상태에서, 매스 플로우 콘트롤러의 검사를 행하는 것이 가능하게 되었다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서, 제어부가 제 1 가스가 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 통해 제 1 매스 플로우 콘트롤러에 유입되도록 복수의 밸브의 개폐를 제어하기 때문에, 제 1 및 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 접속한 상태로, 제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사를 행하는 것이 가능하게 된다.
본 발명을 상세히 설명하여 나타내었지만, 이것은 단지 예시를 위한 것으로, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니며, 본 발명의 정신과 범위는 첨부의 특허청구범위에 의해서만 한정되는 것이 명확하게 이해될 것이다.

Claims (3)

  1. 복수의 가스를 사용하여 처리를 행하는 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 복수의 가스가 유입되는 챔버와,
    상기 복수의 가스에 대응하여 설치되는 복수의 매스 플로우 콘트롤러와,
    상기 복수의 가스의 유량을 계측하는 매스 플로우 미터와,
    상기 복수의 가스의 흐름을 제어하는 복수의 밸브와,
    상기 반도체 제조장치의 가동시에 있어서는 상기 복수의 가스가 상기 챔버에 직접 유입되도록 상기 복수의 밸브의 개폐를 제어하고, 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서는 상기 복수의 가스 중에서 어느 한 가스가 상기 매스 플로우 미터에 유입되도록 상기 복수의 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 복수의 가스를 사용하여 처리를 행하는 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 복수의 가스가 유입되는 챔버와,
    상기 챔버 내의 상태를 계측하는 제 1 센서와,
    상기 제 1 센서와 병렬로 설치되고, 상기 제 1 센서와 같은 종류의 제 2 센서와,
    상기 챔버와 상기 제 1 센서 사이에 설치되는 제 1 밸브와,
    상기 챔버와 상기 제 2 센서 사이에 설치되는 제 2 밸브와,
    상기 제 1 센서의 이상을 검출하였을 때, 상기 제 2 센서가 가동되도록 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 복수의 가스를 사용하여 처리를 행하는 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 복수의 가스가 유입되는 챔버와,
    상기 복수의 가스에 대응하여 설치되는 복수의 매스 플로우 콘트롤러와,
    상기 복수의 가스의 흐름을 제어하는 복수의 밸브와,
    상기 반도체 제조장치의 가동시에 있어서는 상기 복수의 가스가 상기 챔버에 직접 유입되도록 상기 복수의 밸브의 개폐를 제어하고, 제 1 매스 플로우 콘트롤러의 검사시에 있어서는 제 1 가스가 제 2 매스 플로우 콘트롤러를 통해 상기 제 1 매스 플로우 콘트롤러에 유입되도록 상기 복수의 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
KR1020030072047A 2002-11-15 2003-10-16 반도체 제조장치 KR20040042815A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00331840 2002-11-15
JP2002331840 2002-11-15
JPJP-P-2003-00123498 2003-04-28
JP2003123498A JP4502590B2 (ja) 2002-11-15 2003-04-28 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040042815A true KR20040042815A (ko) 2004-05-20

Family

ID=32301833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030072047A KR20040042815A (ko) 2002-11-15 2003-10-16 반도체 제조장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7108009B2 (ko)
JP (1) JP4502590B2 (ko)
KR (1) KR20040042815A (ko)
CN (1) CN1501440A (ko)
TW (1) TW200411727A (ko)

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2422829B1 (en) * 2001-08-14 2013-03-06 Applied Medical Resources Corporation Surgical access sealing apparatus
WO2005013803A2 (en) 2003-08-06 2005-02-17 Applied Medical Resources Corporation Surgical device with tack-free gel and method of manufacture
US7354874B2 (en) * 2005-09-23 2008-04-08 International Business Machines Corporation Variable exhaust static pressure management apparatus
CA2625734C (en) 2005-10-14 2013-02-19 Applied Medical Resources Corporation Method of making a hand access laparoscopic device
FR2894165B1 (fr) * 2005-12-01 2008-06-06 Sidel Sas Installation d'alimentation en gaz pour machines de depot d'une couche barriere sur recipients
CN100444310C (zh) * 2005-12-07 2008-12-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种质量流量控制器在线校验的方法
JP2008039513A (ja) 2006-08-03 2008-02-21 Hitachi Metals Ltd 質量流量制御装置の流量制御補正方法
US8074677B2 (en) 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
JP5054500B2 (ja) 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器
CA2711116C (en) 2008-01-22 2017-08-29 Applied Medical Resources Corporation Surgical instrument access device
CA2739910C (en) 2008-10-13 2017-06-06 Applied Medical Resources Corporation Single port access system
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2012033150A (ja) 2010-06-30 2012-02-16 Toshiba Corp マスフローコントローラ、マスフローコントローラシステム、基板処理装置およびガス流量調整方法
US20120085434A1 (en) * 2010-10-11 2012-04-12 William Powanda Method and apparatus for flow device
KR101550255B1 (ko) * 2011-05-10 2015-09-04 가부시키가이샤 후지킨 유량 모니터 부착 압력식 유량 제어 장치와, 이것을 사용한 유체 공급계의 이상 검출 방법 및 모니터 유량 이상 시의 처치 방법
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5430621B2 (ja) * 2011-08-10 2014-03-05 Ｃｋｄ株式会社 ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
JP5433660B2 (ja) * 2011-10-12 2014-03-05 Ｃｋｄ株式会社 ガス流量監視システム
JP5803552B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5809012B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-10 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量測定機構、又は、当該流量測定機構を備えた流量制御装置に用いられる診断装置及び診断用プログラム
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9557744B2 (en) 2012-01-20 2017-01-31 Mks Instruments, Inc. System for and method of monitoring flow through mass flow controllers in real time
US9846074B2 (en) * 2012-01-20 2017-12-19 Mks Instruments, Inc. System for and method of monitoring flow through mass flow controllers in real time
US9471066B2 (en) 2012-01-20 2016-10-18 Mks Instruments, Inc. System for and method of providing pressure insensitive self verifying mass flow controller
JP6037707B2 (ja) * 2012-08-07 2016-12-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の診断方法
US9169975B2 (en) * 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US10031005B2 (en) 2012-09-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for self verification of pressure-based mass flow controllers
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6154677B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10128087B2 (en) 2014-04-07 2018-11-13 Lam Research Corporation Configuration independent gas delivery system
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP6425206B2 (ja) * 2014-09-10 2018-11-21 島津エミット株式会社 ヘリウムリークディテクタ
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10557197B2 (en) * 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10022689B2 (en) 2015-07-24 2018-07-17 Lam Research Corporation Fluid mixing hub for semiconductor processing tool
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10118263B2 (en) 2015-09-02 2018-11-06 Lam Researech Corporation Monolithic manifold mask and substrate concepts
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US9879795B2 (en) 2016-01-15 2018-01-30 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
JP6683077B2 (ja) * 2016-09-05 2020-04-15 住友電気工業株式会社 ガラス合成用流体供給装置
CN109891353A (zh) * 2016-09-19 2019-06-14 流体设备系统有限公司 用于流量测量的可变限制
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US20180348034A1 (en) * 2017-05-31 2018-12-06 Air Liquide America Specialty Gases Llc Gas sampling apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
JP6990297B2 (ja) * 2018-03-26 2022-01-12 株式会社Kokusai Electric 部品の診断方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP7144213B2 (ja) * 2018-06-27 2022-09-29 アズビル株式会社 マスフローコントローラの診断装置および診断方法
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
WO2020044427A1 (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 株式会社Ｆｕｊｉ ガス供給判定方法とプラズマ発生装置
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
DE102019117543A1 (de) 2019-06-28 2020-12-31 Aixtron Se Verfahren zum Kalibrieren/Verifizieren von Massenfluss-Mess/Steuer-Geräten eines Gasmischsystems und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
CN112198905B (zh) * 2020-09-11 2023-03-10 兰州空间技术物理研究所 一种标准数字接口的气体流量控制方法
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164432A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング装置
JPH0443922A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Fujitsu Ltd マスフローコントローラの試験・校正装置
JPH04161241A (ja) * 1990-10-26 1992-06-04 Nec Kyushu Ltd ガス供給装置
US5233861A (en) * 1990-12-03 1993-08-10 Motorola, Inc. Apparatus and method for in situ calibration of a metering device
JPH05108167A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 制御装置
JPH05197857A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd プロセス設備の故障診断装置
JP2982003B2 (ja) * 1992-07-28 1999-11-22 コマツ電子金属株式会社 気相成長装置および気相成長装置におけるマスフローコントローラの校正方法
JPH0653103A (ja) * 1992-08-03 1994-02-25 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2692770B2 (ja) * 1992-09-30 1997-12-17 シーケーディ株式会社 マスフローコントローラ流量検定システム
JP2500788B2 (ja) 1993-11-11 1996-05-29 日本電気株式会社 マスフロ―コントロ―ラ装置及びその校正方法
JPH07335557A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置のガス排気管
JPH08153685A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Mitsubishi Corp 半導体用特殊材料ガス供給装置
US5810928A (en) * 1994-11-21 1998-09-22 Mitsubishi Corporation Method of measuring gas component concentrations of special material gases for semiconductor, a semiconductor equipment, and an apparatus for supplying special material gases for semiconductor
JPH08241131A (ja) * 1995-03-06 1996-09-17 Sony Corp マスフローテスタ
US5744695A (en) * 1997-01-10 1998-04-28 Sony Corporation Apparatus to check calibration of mass flow controllers
JP3557087B2 (ja) 1998-02-06 2004-08-25 シーケーディ株式会社 マスフローコントローラ流量検定システム
JPH11265218A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Kokusai Electric Co Ltd 自動流量／流量比変換データ校正装置及びガス供給装置
JP3692047B2 (ja) * 2001-03-19 2005-09-07 株式会社日立製作所 半導体の製造方法及び装置
US6712084B2 (en) * 2002-06-24 2004-03-30 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control
US7225085B2 (en) * 2005-02-25 2007-05-29 The Regents Of The University Of California Precision gas flow meter

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004214591A (ja) 2004-07-29
JP4502590B2 (ja) 2010-07-14
TW200411727A (en) 2004-07-01
US20060283390A1 (en) 2006-12-21
US7108009B2 (en) 2006-09-19
CN1501440A (zh) 2004-06-02
US20040094206A1 (en) 2004-05-20
US7658204B2 (en) 2010-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040042815A (ko) 반도체 제조장치
KR101425007B1 (ko) 상이한 체적을 제공할 수 있는 질량 유동 검증기 및 그 방법
US7174263B2 (en) External volume insensitive flow verification
US9632511B2 (en) Pressure type flow control system with flow monitoring, and method for detecting anomaly in fluid supply system and handling method at abnormal monitoring flow rate using the same
EP2247819B1 (en) Method and apparatus for in situ testing of gas flow controllers
KR101008241B1 (ko) 압력 센서를 보유하는 유량 제어 장치를 이용한 유체공급계의 이상 검출 방법
US5394755A (en) Flow quantity test system for mass flow controller
US6439253B1 (en) System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system
US8381755B2 (en) Pressure type flow rate control reference and corrosion resistant pressure type flow rate controller used for the same
US7137400B2 (en) Bypass loop gas flow calibration
US20020157448A1 (en) Flowmeter calibration apparatus
KR101443493B1 (ko) 처리 장치 및 프로세스 상태의 확인 방법
US20080017105A1 (en) Substrate Processing Device
KR20080106331A (ko) 가스유량 검정유닛
JP6037707B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の診断方法
CN110073181B (zh) 用于大范围质量流量检验的方法和设备
JPH06104155A (ja) 半導体製造プロセスにおける中間制御装置
Poppe et al. New methodology to baseline and match AME polysilicon etcher using advanced diagnostic tools

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application