CN1339055A - 粘合剂、电极连接构造及电极连接方法 - Google Patents

粘合剂、电极连接构造及电极连接方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1339055A
CN1339055A CN00803508A CN00803508A CN1339055A CN 1339055 A CN1339055 A CN 1339055A CN 00803508 A CN00803508 A CN 00803508A CN 00803508 A CN00803508 A CN 00803508A CN 1339055 A CN1339055 A CN 1339055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tackiness agent
electrode
compound
circuit
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00803508A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100357382C (zh
Inventor
汤佐正己
柳川俊之
藤绳贡
渡辺伊津夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN1339055A publication Critical patent/CN1339055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100357382C publication Critical patent/CN100357382C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

使相对设置的电极通电连接的粘合剂,该粘合剂包含(a)选自环氧化合物、乙烯醚化合物及环状醚化合物的至少1种光阳离子聚合性化合物,(b)鎓盐等光阳离子聚合引发剂,(c)选自丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物及顺丁烯二酰亚胺化合物的至少1种光游离基聚合性化合物,以及(d)有机过氧化物等光游离基聚合引发剂。

Description

粘合剂、电极连接构造及电极连接方法
技术领域
本发明涉及在相对设置的2个电极间使它们通电连接的粘合剂、电极连接构造及电极连接方法。
背景技术
一般，这种粘合剂中的各向导电性粘合剂是包含规定量的金属粒子等导电性粒子的薄膜状粘合剂，可作为电路的连接材料使用。这种粘合剂设置在电子元件和电极及电路间，通过加压或加热加压使2个电极通电相连的同时，赋予相邻电极间以绝缘性，从而粘合固定电子元件和电路。众所周知，各向导电性粘合剂为苯乙烯类和聚酯类等热塑性物质，以及环氧类和聚硅氧烷类热硬化性物质。使包含这些物质的粘合剂硬化时需要硬化剂。为了提高各向导电性粘合剂的保存稳定性，硬化剂在常温下必须是惰性的，并具备仅在活性温度以上发生反应的潜在性。因此，为使粘合剂硬化，必须通过加热加压使树脂组分的流动性提高并促进硬化反应的进行。即，使粘合剂熔融并流动，导致导电性粒子变形，增加其与电路的接触面积，此外，为了提高其和电路部件的粘合性，还需要一定的温度和压力，这种必要的温度和压力随着粘合剂的种类和硬化组分的不同而不同。
其他除了薄膜状之外的各向导电性粘合剂包括使用了光硬化性树脂的糊材料，但这种各向导电性粘合剂通过加压或加热加压和电路部件相连，然后再通过光照使粘合剂硬化。
上述已有技术中，为使粘合剂获得足够的粘合强度，其加热温度必须达到170～200℃。
但是，树脂硬化时的加热加压多多少少会对电路部件产生热量和压力的影响，特别是热量的影响不仅波及到电路部件本身，还对电路部件连接时产生较大影响。
即，采用前种各向导电性粘合剂时，例如，在连接液晶显示器等的电路部件时，可能会对偏振光板等液晶显示器本身产生影响，这样就要求在低于以往温度或更短时间内进行连接。
此外，采用后种各向导电性粘合剂时，如果在较高的温度下进行加热加压连接，则相对设置的2个电路部件的材质会有所不同，当它们的热膨胀系数(α)之差较大时，出现电路位置偏移的可能性较高，随着相连电路间的间隔变窄，这种情况的发生概率更会增高。
因此，本发明的目的是提供通过并用光照可在低于以往的温度下进行连接、减弱热量对电路部件的影响、且连接后的连接部位的可靠性良好，可使相对设置的电极通电相连的粘合剂、电极连接构造及电极连接方法。
发明的揭示
本发明1涉及粘合剂，该粘合剂的特征是，包含(a)光阳离子聚合性化合物、(b)光阳离子聚合引发剂、(c)光游离基聚合性化合物和(d)光游离基聚合引发剂。
本发明2涉及具备多层结构的粘合剂，该粘合剂的特征是，具备包含(a)光阳离子聚合性化合物和(b)光阳离子聚合引发剂的第1层，以及包含(c)光游离基聚合性化合物和(d)光游离基聚合引发剂的第2层。
本发明1和2中的粘合剂介于相对设置的电极间，在对相对设置的电极进行加热加压处理的同时进行光照，使相对设置的电极通电相连。本发明中的粘合剂由于同时采取加热加压和光照的手段，所以加热温度可低于以往，能够在低于以往的温度下连接。这样就减小了热量对电路部件的影响，且提高了连接后连接部位的可靠性。
较好的情况是，包含选自环氧化合物、乙烯醚化合物及环状醚化合物的至少1种(a)光阳离子聚合性化合物以及选自丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物及顺丁烯二酰亚胺化合物的至少1种(c)光游离基聚合性化合物，这样可获得较好的硬化性。
作为(b)光阳离子聚合引发剂的鎓盐对光阳离子聚合性化合物，特别是对环氧化合物的硬化性较高，作为(d)光游离基聚合引发剂的有机过氧化物不仅能够进行光硬化，还可通过热反应促进硬化的进行，所以较理想。
各种粘合剂组分的含量是，对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物和(c)光游离基聚合性化合物的合计量，(a)光阳离子聚合性化合物的含量为5～95重量份，较好为20～80重量份，更好为40～60重量份；对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物，(b)光阳离子聚合引发剂的含量在0.05～10重量份的范围内；对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物和(c)光游离基聚合性化合物的合计量，(c)光游离基聚合性化合物的含量为5～95重量份，较好为20～80重量份，更好为40～60重量份；对应于100重量份(c)光游离基聚合性化合物，(d)光游离基聚合引发剂的含量在0.05～10重量份的范围内。
光阳离子聚合引发剂和光游离基聚合引发剂的含量都在0.05～10重量份的范围内是因为，如果不足0.05重量份，则引发剂的用量过少，可能导致硬化效果不佳，如果超过10重量份，则可能导致硬化物的物性下降。
粘合剂中还可包含分子量在10000以上的含有羟基的树脂，较好的包括苯氧基树脂、经含有羧基的弹性体改性的苯氧基树脂、经含有环氧基的弹性体改性的苯氧基树脂。此外，粘合剂中还可包含丙烯酸橡胶。
这些添加物可很好地缓解硬化时的应力，提高和被粘合体的粘合性，并提高连接可靠性。此外，还能够使流动性有所提高，通过缓解内部应力使物性更佳。
将这些粘合剂涂布在剥离性基材上，干燥后以薄膜状使用。以薄膜状使用时，不仅操作容易，而且易使连接厚度均一化。
上述粘合剂中可包含导电性粒子，对应于100容量份粘合剂中的粘合剂组分，可含有0.1～30容量份的各向导电性粘合剂。含有导电性粒子可提高通电连接的可靠性。
本发明2中，第1层和第2层的厚度较好为5～50μm。
厚度如果小于5μm，则第1层和第2层的分离效果不佳，如果大于50μm，则粘合剂的溢出量较多，可能会使操作性下降，所以，电极高度必须为粘合剂厚度的0.8～1.5倍左右。
本发明2的多层结构的粘合剂在第1层和第2层间还可具备由非聚合性组分形成的第3层。
非聚合性组分包括苯氧基树脂、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸橡胶、聚氨酯等不包含阳离子聚合性官能团和游离基聚合性官能团的化合物。
本发明3的电极连接构造是指以第一电极和第二电极相对设置的状态设置具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件，前述相对设置的第一电极和第二电极间涂有本发明1或2的粘合剂，使前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接。
本发明3的电极连接构造中，本发明1或2的粘合剂介于相对设置的电极间，在对相对设置的电极进行加热加压的同时进行光照，使相对设置的电极间通电连接。通过并用加热加压和光照，能够使相对设置的第一电极和第二电极连接所必须的温度低于以往，获得良好的粘合强度，并获得良好的通电连接效果，从而获得具有较高可靠性的电极连接构造。
本发明的电极连接构造中，第一电路部件和第二电路部件中的至少一方最好具备透光性，这样从外部照射的光能够容易地通过电路部件到达粘合剂。
本发明的电极连接构造中，具有第一电极的第一电路部件由在玻璃基板上具有电极的配线构成。具有第二电极的第二电路部件由在聚酰亚胺基板上具有电极的配线构成。
本发明4的电极连接方法是指以第一电极和第二电极相对设置的状态设置具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件，前述相对设置的第一电极和第二电极间涂有本发明1或2的粘合剂，通过并用加热加压和光照使前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接的方法。
本发明5的电极连接方法是指相对设置具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件，其间涂有本发明2的粘合剂，通过并用加热加压和光照使前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接的电极连接方法，粘合剂第1层粘合对象为第一电路部件，第2层粘合对象为第二电路部件，第二电路部件由聚酰亚胺基板上具有连接端子的配线构成。
本发明4及5的电极连接方法中，粘合剂介于相对设置的第一电极和第二电极间，同时对相对设置的电极进行加热加压和光照处理，使相对设置的电极通电连接。它们是通过在加热加压时进行光照能够在低于以往的温度下使电极连接，减弱了热量对电路部件的影响，而且连接后连接部位的可靠性较高的使相对设置的电极通电连接的电极连接方法。此外，本发明5的电极连接方法中，由于所用第一电路部件为玻璃基板，所以能够从电路部件侧对粘合剂进行照射，这样就易于从外侧进行光照。
本发明4和5的电极连接方法中，在规定时间的加热加压开始后，经过规定的间隔时间才开始规定时间的光照，在光照进行期间保持加热加压状态。
加热加压时间最好为5～30秒，如果少于5秒，则粘合剂的流动性不够，如果超过30秒，则操作性下降。
加热加压后的规定间隔时间最好为1～10秒，如果少于1秒，则确保电极间流通前粘合剂就开始硬化，导致流通不佳。如果超过10秒，则光照所需时间较短，会引起粘合剂的硬化不良。
光照时间最好为3～30秒。如果少于3秒，则导致粘合剂的硬化不良，如果超过30秒，则操作性下降。
附图说明
图1为本发明实施方式中采用粘合剂使电路基板的电极连接的模拟截面图。
图2为图1所示电路基板的电极连接方法的模拟截面图。
图3为另一实施方式中采用粘合剂使电路基板的电极连接的模拟截面图。
图4为其他实施方式中采用粘合剂使电路基板的电极连接的模拟截面图。
具体实施方式
图1为本发明实施方式中采用粘合剂使电路基板的电极连接的构造模拟图。在具有第一电极11的第一电路部件13和具有第二电极15的第二电路部件17间涂有本发明的粘合剂20，利用粘合剂20使第一电极11和第二电极15粘合固定，并通电连接。第一电路部件13是挠性印刷配线电路(FPC)的基板，第一电极11是FPC电路。同样，第二电路部件17为玻璃基板，第二电极15为形成于玻璃基板上的ITO的电极电路。
图2表示第一电极11和第二电极15粘合固定的方法。通过加热加压头31将第一电路部件13压在载有第二电路部件17的透光性基底33上，同时由光源35对粘合剂20进行光照。由光源35射出的光透过透光性基底33及具有透光性的第二电路部件17被照射到粘合剂20上。
图3表示具有第1层21和第2层23的二层结构的粘合剂22。图4表示在粘合剂22的第1层21和第2层23间还设置了第3层25的三层结构的粘合剂24。
图1所示单层粘合剂20中包含光阳离子聚合性化合物、光阳离子聚合引发剂、光游离基聚合性化合物和光游离基聚合引发剂。
图3和图4的多层粘合剂22和24的第1层21中包含光阳离子聚合性化合物及光阳离子聚合引发剂，第2层23中包含光游离基聚合性化合物及光游离基聚合引发剂。
用于本发明粘合剂的20、22和24的光阳离子聚合性化合物是具有由不同阳离子种类进行聚合的官能团的化合物，包括环氧化合物、乙烯醚化合物和环状醚化合物等。环氧化合物为1分子中具有2个以上的环氧基团的化合物，例如，由表氯醇和双酚A及双酚F等衍生而得的双酚型环氧树脂、聚缩水甘油醚、聚缩水甘油酯、芳香族环氧化合物、脂环式环氧化合物、酚醛树脂型环氧化合物、缩水甘油胺类环氧化合物、缩水甘油酯类环氧化合物等。
乙烯醚化合物包括烷基乙烯醚化合物、链烯基乙烯醚化合物、炔基乙烯醚化合物、芳基乙烯醚化合物等。
环状醚化合物包括氧杂环丁烷化合物、四氢呋喃化合物和四氢吡喃等。
本发明所用的光阳离子聚合引发剂包括芳香族重氮盐、锍盐、碘鎓盐、鏻盐、硒鎓盐等鎓盐，金属芳烃配合物、硅烷醇/铝配合物等配合物，苯偶姻对甲苯磺酸酯、对甲苯磺酸邻硝基苄酯等。此外，成盐时的配对阴离子可采用六氟锑酸根、六氟磷酸根、四氟硼酸根和四(五氟苯基)硼酸根等。
本发明所用的光游离基聚合性化合物是具有通过活性游离基进行聚合的官能团的物质，包括丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物和顺丁烯二酰亚胺化合物等。光游离基聚合性化合物可以单体和低聚物中的任一状态使用，也可并用单体和低聚物。
丙烯酸酯化合物和甲基丙烯酸酯化合物包括以环氧丙烯酸酯低聚物、聚氨酯丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物等光聚合性低聚物，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚二醇二丙烯酸酯、季戊四醇丙烯酸酯、丙烯酸2-氰基乙酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸双环戊烯酯、丙烯酸双环戊烯氧基乙酯、丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸正十二烷酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸2-苯氧基乙酯、丙烯酸四氢化糠酯、二丙烯酸新戊二醇酯、六丙烯酸二(季戊四醇)酯等光聚合性单官能及多官能丙烯酸酯单体等丙烯酸酯等，以及和它们类似的甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸双环戊烯氧基乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异癸酯、甲基丙烯酸正十二烷酯、甲基丙烯酸硬脂酸酯、甲基丙烯酸十三烷酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等光聚合性单官能及多官能甲基丙烯酸酯单体等甲基丙烯酸酯等为代表的光聚合型树脂。根据需要这些树脂可单独使用也可混合使用，但为了抑制粘合剂硬化物的硬化收缩，并赋予其柔软性，最好配合使用聚氨酯丙烯酸酯低聚物。此外，由于上述光聚合性低聚物具有较高粘度，所以为了调节粘度最好还配合使用低粘度的光聚合性多官能丙烯酸酯单体等单体，此时，为了获得所希望的粘合剂特性，可单独使用1种也可2种以上混合使用。
顺丁烯二酰亚胺化合物是指分子中至少具有2个顺丁烯二酰亚胺基的化合物。例如，1-甲基-2，4-双顺丁烯二酰亚胺基苯、N，N’-间亚苯基双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-对亚苯基双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-间甲代亚苯基双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-4，4-亚联苯基双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-4，4-(3，3’-二甲基-亚联苯基)双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-4，4-(3，3’-二甲基二苯基甲烷)双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-4，4-二苯基丙烷双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-4，4-二苯基醚双顺丁烯二酰亚胺、N，N’-3，3’-二苯基砜双顺丁烯二酰亚胺、2，2-双(3-仲丁基-4-8(4-顺丁烯二酰亚胺基苯氧基)苯基)丙烷、1，1-双(4-(4-顺丁烯二酰亚胺基苯氧基)苯基)癸烷、4，4’-亚环己基-双(1-(4-顺丁烯二酰亚胺基苯氧基)-2-环己基苯、2，2-双(4-(4-顺丁烯二酰亚胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷等。它们可单独使用也可组合使用。
本发明所用的光游离基聚合引发剂可采用通过光照可产生活性游离基的化合物。本发明所用的光游离基聚合引发剂包括苯偶姻乙醚、异丙基苯偶姻醚等苯偶姻醚，苯偶酰、羟基环己基苯基酮等苄基缩酮，二苯甲酮、苯乙酮等酮类及其衍生物，噻吨酮类和双咪唑类。根据需要还可在这些光引发剂中以任意比添加胺类、硫化物和磷化合物等敏化剂。这里所用的光引发剂要根据光源的波长和所希望的硬化特性等作最适当的选择。
此外，通过光照可产生活性游离基的化合物还可采用有机过氧化物类硬化剂。有机过氧化物可选自二酰基过氧化物、二烷基过氧化物、过氧化二碳酸酯、过氧化酯、过氧缩酮、过氧化氢、甲硅烷基过氧化物等中的1种或2种以上。为了抑制电路部件的电极的腐蚀，最好在有机过氧化物硬化剂中含有5000ppm以下的氯离子或有机酸。此外，特别好的是采用加热分解后产生有机酸较少的物质。
从高反应性和保存稳定性考虑，较好的有机过氧化物是半衰期为10小时时分解温度40℃以上、且半衰期为1分钟时分解温度在180℃以下的物质。为了抑制低温硬化时对树脂流动产生的不良影响，半衰期为10小时时分解温度最好在70℃以上。
二酰基过氧化物类包括异丁基过氧化物、2，4-二氯苯甲酰过氧化物、3，5，5-三甲基己酰基过氧化物、辛酰基过氧化物、十二烷酰基过氧化物、十八烷酰基过氧化物、琥珀酰基过氧化物、苯甲酰基过氧化甲苯和苯甲酰基过氧化物等。二烷基过氧化物类包括α，α’-双(过氧化叔丁基)二异丙基苯、二异丙苯过氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(过氧化叔丁基)己烷、叔丁基异丙苯基过氧化物等。
过氧化二碳酸酯类包括二正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化二碳酸酯、双(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基过氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基过氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基过氧化二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基过氧化)二碳酸酯等。
过氧化酯类包括过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化新癸酸-1，1，3，3-四甲基丁酯、过氧化十九烷酸-1-环己基-1-甲基乙酯、过氧化新癸酸叔己酯、过氧化新戊酸叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-二(2-乙基过氧化己酰基)己烷、1-环己基-1-甲基过氧化乙基己酸-2-乙酯、过氧化叔己基己酸-2-乙酯、过氧化异丁酸叔丁酯、1，1-双(过氧化叔丁基)环己烷、-碳酸过氧化叔己基异丙酯、己酸过氧化叔丁基-3，5，5-三甲酯、过氧化十二烷酸叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-二(过氧化间甲苯酰基)己烷、-碳酸过氧化叔丁基异丙酯、-碳酸过氧化叔丁基-2-乙酯、过氧化苯甲酸叔己酯、过氧化乙酸叔丁酯等。
过氧缩酮类包括1，1-双(过氧化叔己基)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-双(过氧化叔己基)环己烷、1，1-双(过氧化叔丁基)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-双(过氧化叔丁基)环十二烷、2，2-双(过氧化叔丁基)癸烷等。
过氧化氢类包括二异丙苯过氧化氢和异丙苯过氧化氢等。
甲硅烷基过氧化物类包括叔丁基三甲基甲硅烷基过氧化物、双(叔丁基)二甲基甲硅烷基过氧化物、叔丁基三乙酰基甲硅烷基过氧化物、双(叔丁基)二乙酰基甲硅烷基过氧化物、三(叔丁基)乙酰基甲硅烷基过氧化物、叔丁基三烯丙基甲硅烷基过氧化物、双(叔丁基)二烯丙基甲硅烷基过氧化物和三(叔丁基)烯丙基甲硅烷基过氧化物等。
这些游离基发生剂可单独或混合使用，也可与分解促进剂、抑制剂等混合使用。此外，用聚氨酯类、聚酯类高分子物质等包覆这些游离基发生剂而获得的微囊化物质可延长使用时间。
除了有机过氧化物之外，还可适当混合使用前述苯偶姻醚、异丙基苯偶姻醚等苯偶姻醚，苯偶酰、羟基环己基苯基酮等苄基缩酮，二苯甲酮、苯乙酮等酮类及其衍生物，噻吨酮类和双咪唑类。此外，根据需要还可在这些光引发剂中以任意比添加胺类、硫化物和磷化合物等敏化剂。
敏化剂包括脂肪族胺、包含芳香族基团的胺、哌啶等由氮构成一部分环的物质、邻甲苯基硫代尿素、二乙基二硫代磷酸钠、芳香族亚磺酸等可溶性盐，N，N’-二甲基-对氨基苄腈、N，N’-二乙基-对氨基苄腈、N，N’-二(β-氰基乙基)-对氨基苄腈、N，N’-二(β-氯乙基)-对氨基苄腈、三正丁基膦等。
此外，还可使用苯基乙基酮、乙酰苯、氧杂蒽酮、4-甲基乙酰苯、二苯甲酮、芴、苯并[9，10]菲、联苯、噻吨酮、蒽醌、4，4’-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮、菲、萘、4-苯基乙酰苯、4-苯基二苯甲酮、1-碘代萘、2-碘代萘、苊、2-萘甲腈、1-萘甲腈、1，2-苯并菲、苯偶酰、荧蒽、芘、1，2-苯并蒽、吖啶、蒽、二萘嵌苯、并四苯、2-甲氧基萘等非色素类敏化剂，硫堇、亚甲蓝、光黄素、核黄素、光色素、香豆素、ソラレン、8-甲氧基ソラレン、6-甲基香豆素、5-甲氧基ソラレン、5-羟基ソラレン、香豆基吡酮、吖啶橙、吖啶黄、二氨基吖啶、荧光黄、曙红Y、曙红B、赤藓红、二碘曙红等色素类敏化剂。
可用于本发明的含有羟基的树脂容易处理，且在硬化时能够较好地缓解应力，含有羟基等官能团时可提高与被粘合体的粘合性。这种树脂最好是经过游离基聚合性官能团改性的各聚合物。这些聚合物的分子量较好是在10000以上，但如果超过1000000以上，则(a)光阳离子聚合性化合物和(c)光游离基聚合性化合物的混合性会恶化。此外，含有羟基的树脂可与选自聚苯乙烯、聚乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚氯乙烯、聚苯醚、尿素树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、二甲苯树脂、环氧树脂、聚异氰酸酯的1种或2种以上的物质混合使用。这些分子量在10000以上的含有羟基的树脂也可以经含有羧基的弹性体、含有环氧基的弹性体、游离基聚合性官能团改性。经过游离基聚合性官能团改性的树脂的耐热性有所提高，所以较理想。苯氧基树脂可使用经含有羧基的弹性体特性的苯氧基树脂和经含有环氧基的弹性体改性的苯氧基树脂。
本发明所用的丙烯酸橡胶是以选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或丙烯腈的至少1种为单体的聚合物或共聚物，其中，较好的是采用包含含有缩水甘油醚基的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物系丙烯酸橡胶。
此外，被粘合体为无机物时，在粘合剂树脂中混入硅烷偶合剂可提高与被粘合体的粘合强度。硅烷偶合剂包括乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、异氰酸丙基三乙氧基硅烷等，但为了提高与(a)光阳离子聚合性化合物或(c)光游离基聚合性化合物的反应性，最好使用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
硬化时采用的光一般为广泛使用的紫外线，可利用水银灯、金属卤化物灯、无电极灯等光源。此外，采用作为硬化反应的游离基反应时，由于氧具有反应抑制剂的作用，所以，光照氛围气中的氧量会对光硬化性树脂产生影响。由于它较大程度上被光硬化性树脂、光引发剂、敏化剂等的种类和浓度左右，所以必须对各种配合体系进行详细研究。
本发明中所用的电路部件包括半导体基片、电子基片、电容器基片等基片部件，印刷基板等基板，以聚酰亚胺和聚酯为基材的挠性线路板，液晶显示器等在玻璃上用氧化铟-锡(ITO)和铬、铝等配线的透明电极等。
这些电路部件上通常都设置了多个(根据不同情况可设置成单数的端子)端子(电极)，至少一方具有透光性的前述电路部件的至少1组与设置在上述电路部件上的至少1对端子相对地设置，相对设置的端子间涂有粘合剂，通过加热加压和光照相对设置的端子通电连接，形成连接体。此时，具有透光性的电路部件的厚度如果在1.2mm以下，则透光性良好。
此外，粘合剂为薄膜状时，和以往的糊状电路连接材料相比，更容易处理，而且可使连接厚度均一化。为了提高与电路部件的粘合性，几乎不进行硬化反应而是在树脂流动的情况下进行加热时，对连接材料进行加热，在确保端子-导电性粒子-端子间导通后，通过冷却步骤可使连接材料的熔融浓度再度提高，这样仅通过加热-冷却就可维持导电性粒子的压接状态，达到固定树脂的目的。
本发明的粘合剂中即使不包含导电性粒子，也可在连接时使相对设置的电路电极直接接触而相连，但含有导电性粒子时，能够获得更稳定的连接。
导电性粒子包括Au、Ag、Ni、Cu、焊锡等金属粒子和碳等。为了获得足够的保存稳定性，表层最好不用Ni和Cu等过渡金属类，而是采用Au、Ag、铂族贵金属类，最好采用Au。此外，Ni等过渡金属类表面可被Au等贵金属类覆盖。也可以用非导电性玻璃、陶瓷、塑料等覆盖前述导通层，最外层再用贵金属类覆盖。以塑料为核心或采用热熔融金属粒子时，由于加热加压会导致改性，所以在连接时最好增加和电极的接触面积，提高可靠性。为了获得良好的电阻，贵金属类被覆层的厚度较好是在100埃以上。但是，在Ni等过渡金属上设置贵金属层时，由于贵金属层的缺损和导电性粒子在混合分散时出现的贵金属层的缺损等生成的过渡金属的氧化还原作用会产生游离基，所以会使保存性下降，因此贵金属层厚度最好是在300埃以上。对应于100份(体积)基体树脂组分，导电性粒子较好在0.1～30份(体积)范围内，根据不同用途分别使用。为了防止因过剩的导电性粒子而出现的连接电路短路等现象，导电性粒子最好在0.1～10份(体积)范围内。
根据不同用途，本发明中还可含有选自偶合剂、无机填充剂、有机填充剂、白色颜料、聚合抑制剂、敏化剂及其组合的添加物。对应于100重量份基体树脂组分，添加物的添加量较好是在1～100重量份的范围内。但添加物的种类和性质不能够对所得电路板的可靠性产生不良影响，或者使其可靠性显著下降。
以下，以实施例为基础对本发明进行详细说明，但本发明并不仅限于此。
实施例1
按照重量比，将40g苯氧基树脂(ュニォンカバィド株式会社制，商品名PKHC，平均分子量45,000)溶于60g甲苯(沸点110.6℃，SP值8.90)/乙酸乙酯(沸点77.1℃，Sp值9.10)＝50/50的混合溶剂中，获得固形组分为40％的溶液。使用双酚型液状环氧树脂(双酚A型环氧树脂，油化シェル环氧株式会社制，商品名ェピコ-ト828，环氧当量184)作为光阳离子聚合性化合物，环氧丙烯酸酯低聚物(新中村化学工业株式会社制，商品名NKォリゴEA-1020)为光游离基聚合性化合物，三芳基锍的六氟磷盐混合物(ュニォンカバィド株式会社制，商品名サィラキェァ UVI-6990)为光阳离子聚合引发剂，二异丙苯基过氧化物(日本油脂株式会社制，商品名パ-クミルD)为光游离基聚合引发剂。此外，在以聚苯乙烯为核心的粒子表面设置厚度为0.2μm的镍层。在该镍层外侧设置厚度为0.02μm的金层，制得平均粒径为5μm、比重为2.5的导电性粒子。
按照固形重量比，混合50苯氧基树脂、25光阳离子聚合性化合物、25光游离基聚合性化合物、2.5光阳离子聚合引发剂和2.5光游离基聚合引发剂后，混合分散3体积％的导电性粒子。然后，用涂布装置将其涂布在厚度80μm的含氟树脂薄膜上，于70℃进行10分钟的热风干燥后，获得粘合剂层厚度为20μm的薄膜状粘合剂20(参考图1)。
在130℃和2MPa的温度和压力下，用紫外线照射并用型加热加压装置(加热方式：持续加热型，东レェンァリング株式会社制)31对以上获得的薄膜状粘合剂20，具有500根线宽为50μm、间隔为100μm、厚为18μm的铜电路(电极)11的挠性线路板(FPC，绝缘基板：聚酰亚胺薄膜，厚度：125μm)13，形成了0.2μm的氧化铟(ITO)薄层15的玻璃(厚度：1.1mm，表面电阻20Ω)17进行20秒的加热加压，并同时从ITO玻璃侧进行紫外线照射，以2mm的宽度连接。经过一定时间后不再施压，制得连接体。光源35对粘合剂20的紫外线照射量为2.0J/cm2。此时，预先在ITO玻璃上贴上薄膜状粘合剂20的粘合面，于70℃和0.5MPa的温度和压力加热加压5秒后暂时连接，然后，剥离含氟树脂，与作为另一被粘合体的FPC连接。此外，在进行20秒的连接时，先开始加热加压，经过3秒钟后进行17秒的紫外线照射，加热加压20秒后同时结束这2个步骤。
实施例2
除了用脂环式液状环氧树脂(3，4-环氧环己基甲基-3，4-环氧环己基羧酸酯，戴塞尔化学工业株式会社制，商品名セロキサィド 2021，环氧当量128～140)代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的光阳离子聚合性化合物之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
实施例3
除了用聚氨酯丙烯酸酯低聚物(新中村化学工业株式会社制，商品名NKォリゴUA-512)代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的光游离基聚合性化合物之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
实施例4
除了用二苯甲酮衍生物(3，3’，4，4’-四(过氧化叔丁基羰基)二苯甲酮，日本油脂株式会社制，商品名BTTB)代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的光游离基聚合引发剂之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
实施例5
除了用平均粒径为5μm的镍粒子(大同特钢株式会社制，商品名DSP3101，比重8.5)代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的导电性粒子之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
实施例6
按照重量比，将40g苯氧基树脂(ュニォンカバィド株式会社制，商品名PKHC，平均分子量45,000)溶于60g甲苯(沸点110.6℃，SP值8.90)/乙酸乙酯(沸点77.1℃，Sp值9.10)＝50/50的混合溶剂中，获得固形组分为40％的溶液。使用双酚型液状环氧树脂(双酚A型环氧树脂，油化シェル环氧株式会社制，商品名ェピコ-ト828，环氧当量184)作为光阳离子聚合性化合物，三芳基锍的六氟磷盐混合物(ュニォンカバィド株式会社制，商品名サィラキェァUVI-6990)为光阳离子聚合引发剂。此外，在以聚苯乙烯为核心的粒子表面设置厚度为0.2μm的镍层。在该镍层外侧设置厚度为0.02μm的金层，制得平均粒径为5μm、比重为2.5的导电性粒子。
按照固形重量比，混合50苯氧基树脂、25光阳离子聚合性化合物、5光阳离子聚合引发剂后，混合分散1.5体积％的导电性粒子。然后，用涂布装置将其涂布在厚度80μm的含氟树脂薄膜上，于70℃进行10分钟的热风干燥后，获得粘合剂层厚度为10μm的薄膜状粘合剂21(参考图3)。
使用环氧丙烯酸酯低聚物(新中村化学工业株式会社制，商品名NKォリゴEA-1020)为光游离基聚合性化合物，过氧化二枯基(日本油脂株式会社制，商品名パ-クミルD)为光游离基聚合引发剂。
按照固形组分重量比，混合50g苯氧基树脂、50光游离基聚合性化合物和5光游离基聚合引发剂后，混合分散1.5体积％前述导电性粒子。然后，用涂布装置将其涂布在厚度80μm的含氟树脂薄膜上，于70℃进行10分钟的热风干燥后，获得粘合剂层厚度为10μm的薄膜状粘合剂23(参考图3)。
用滚筒层压装置贴合薄膜状粘合剂21和薄膜状粘合剂23后，获得粘合剂层厚度为20μm的图3所示2层结构的薄膜状粘合剂。
在130℃和2MPa的温度和压力下，用紫外线照射并用型加热加压装置(加热方式：持续加热型，东レェンァリング株式会社制)对以上获得的薄膜状粘合剂，具有500根线宽为50μm、间隔为100μm、厚为18μm的铜电路的挠性线路板(FPC)，形成了0.2μm的氧化铟(ITO)薄层的玻璃(厚度：1.1mm，表面电阻20Ω)进行20秒的加热加压，并同时从ITO玻璃侧进行紫外线照射，以2mm的宽度连接。经过一定时间后不再施压，制得连接体。对粘合剂的紫外线照射量为2.0J/cm2。此时，预先在ITO玻璃上贴上薄膜状粘合剂的粘合面后，于70℃和0.5MPa的温度和压力加热加压5秒后暂时连接，然后，剥离含氟树脂，与作为另一被粘合体的FPC连接。此外，在进行20秒的连接时，先开始加热加压，经过3秒钟后进行17秒的紫外线照射，加热加压20秒后同时结束这2个步骤。
实施例7
除了用脂环式液状环氧树脂(3，4-环氧环己基甲基-3，4-环氧环己基羧酸酯，戴塞尔化学工业株式会社制，商品名セロキサィド 2021，环氧当量128～140)代替实施例6所用的薄膜状粘合剂21的光阳离子聚合性化合物之外，其他都和实施例6相同，制得连接体。
实施例8
除了用聚氨酯丙烯酸酯低聚物(新中村化学工业株式会社制，商品名NKォリゴUA-512)代替实施例6所用的薄膜状粘合剂23的光游离基聚合性化合物之外，其他都和实施例6相同，制得连接体。
实施例9
除了用二苯甲酮衍生物(3，3’，4，4’-四(过氧化叔丁基羰基)二苯甲酮，日本油脂株式会社制，商品名BTTB)代替实施例6所用的薄膜状粘合剂23的光游离基聚合引发剂之外，其他都和实施例6相同，制得连接体。
实施例10
除了用平均粒径为5μm的镍粒子(大同特钢株式会社制，商品名DSP3101，比重8.5)代替实施例6所用的薄膜状粘合剂的导电性粒子之外，其他都和实施例6相同，制得连接体。
实施例11
除了用经含有羧基的弹性体改性的苯氧基树脂代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的苯氧基树脂之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
经含有羧基的弹性体改性的苯氧基树脂用以下方法制得。
在装有氮导入管、温度计、冷凝管及机械搅拌器的容量为1升的四口烧瓶中装入在565.33g N，N’-二甲基乙酰胺中溶解了242.29g苯氧基树脂的溶液、以及50.88g末端含有羧基的丁二烯-丙烯腈共聚物(Hycar CTBNX1009-SP，宇部兴产株式会社制)，在搅拌混合的同时用氮气进行充分置换。上述苯氧基树脂是在甲醇中进行再沉淀精制过的苯氧基树脂YPB-40AM40(羟基当量349g/当量，东都化成株式会社制，溴化物)。
然后，在氮氛围气下搅拌混合，在使温度慢慢上升的同时使溶剂处于回流状态下加热8.5小时。获得作为目的产物的经含有羧基的弹性体改性的苯氧基树脂的N，N-二甲基乙酰胺溶液。
所得溶液是透明的，溶液浓度约为1000cP。反应溶液的一部分被注入大量的甲醇中，使固形树脂析出，用甲醇洗净后，减压干燥。
用凝胶渗透色谱法(条件是：柱TSKgel G5000HXL＋TSKgel G2000HXL(东ソ-株式会社，商品名)，洗脱液：四氢呋喃，试料浓度0.5重量％)测得的经弹性体改性的苯氧基树脂的以聚苯乙烯换算的重均平均分子量为40,000。此外，YPB-40AM40的用聚苯乙烯换算的重均分子量为30,000。
实施例12
除了用经含有环氧基的弹性体改性的苯氧基树脂代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的苯氧基树脂之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
除了用末端含有环氧基的丁二烯-丙烯腈共聚物(Hycar ETBN 1300×40，宇部兴产株式会社制)代替实施例11的末端含有羧基的丁二烯-丙烯腈共聚物作为经含有环氧基的弹性体改性的苯氧基树脂之外，其他都和实施例11相同。
实施例13
除了用固形重量比为苯氧基树脂40和丙烯酸橡胶10的混合物代替实施例1所用的薄膜状粘合剂的苯氧基树脂(固形重量比50)之外，其他都和实施例1相同，制得连接体。
按照常规方法使丙烯酸丁酯(40份)、丙烯酸乙酯(30份)、丙烯腈(30份)和甲基丙烯酸缩水甘油酯(3份)共聚，制得丙烯酸橡胶(重均分子量：850,000)。将150g该固形组分溶于850g乙酸乙酯，获得15％的溶液。
比较例1
按照重量比，将40g苯氧基树脂(ュニォンカバィド株式会社制，商品名PKHC，平均分子量45,000)溶于60g甲苯(沸点110.6℃，SP值8.90)/乙酸乙酯(沸点77.1℃，Sp值9.10)＝50/50的混合溶剂中，获得固形组分为40％的溶液。使用双酚型液状环氧树脂(双酚A型环氧树脂，油化シェル环氧株式会社制，商品名ェピコ-ト828，环氧当量184)作为光阳离子聚合性化合物，三芳基锍的六氟磷盐混合物(ュニォンカバィド株式会社制，商品名サィラキェァUVI-6990)为光阳离子聚合引发剂。此外，在以聚苯乙烯为核心的粒子表面设置厚度为0.2μm的镍层。在该镍层外侧设置厚度为0.02μm的金层，制得平均粒径为5μm、比重为2.5的导电性粒子。
按照固形重量比，混合50苯氧基树脂、50光阳离子聚合性化合物、5光阳离子聚合引发剂后，混合分散3体积％的导电性粒子。然后，用涂布装置将其涂布在厚度80μm的含氟树脂薄膜上，于70℃进行10分钟的热风干燥后，获得粘合剂层厚度为20μm的薄膜状粘合剂。
在130℃和2MPa的温度和压力下，用紫外线照射并用型加热加压装置(加热方式：持续加热型，东レェンァリング株式会社制)对以上获得的薄膜状粘合剂，具有500根线宽为50μm、间隔为100μm、厚为18μm的铜电路的挠性线路板(FPC，绝缘基板：聚酰亚胺薄膜，厚度：125μm)，形成了0.2μm的氧化铟(ITO)薄层的玻璃(厚度：1.1mm，表面电阻20Ω)进行20秒的加热加压，并同时从ITO玻璃侧进行紫外线照射，以2mm的宽度连接。经过一定时间后不再施压，制得连接体。对粘合剂的紫外线照射量为2.0J/cm2。此时，预先在ITO玻璃上贴上薄膜状粘合剂的粘合面后，于70℃和0.5MPa的温度和压力加热加压5秒后暂时连接，然后，剥离含氟树脂，与作为另一被粘合体的FPC连接。此外，在进行20秒的连接时，先开始加热加压，经过3秒钟后进行17秒的紫外线照射，加热加压20秒后同时结束这2个步骤。
比较例2
按照重量比，将40g苯氧基树脂(ュニォンカバィド株式会社制，商品名PKHC，平均分子量45,000)溶于60g甲苯(沸点110.6℃，SP值8.90)/乙酸乙酯(沸点77.1℃，Sp值9.10)＝50/50的混合溶剂中，获得固形组分为40％的溶液。使用环氧丙烯酸酯低聚物(新中村化学工业株式会社制，商品名NKォリゴEA-1020)为光游离基聚合性化合物，过氧化二枯基(日本油脂株式会社制，商品名パ-クミルD)为光游离基聚合引发剂。此外，在以聚苯乙烯为核心的粒子表面设置厚度为0.2μm的镍层。在该镍层外侧设置厚度为0.02μm的金层，制得平均粒径为5μm、比重为2.5的导电性粒子。
按照固形重量比，混合50苯氧基树脂、50光游离基聚合性化合物、5光游离基聚合引发剂后，混合分散3体积％的导电性粒子。然后，用涂布装置将其涂布在厚度80μm的含氟树脂薄膜上，于70℃进行10分钟的热风干燥后，获得粘合剂层厚度为20μm的薄膜状电路连接材料。
在130℃和2MPa的温度和压力下，用紫外线照射并用型加热加压装置(加热方式：持续加热型，东レェンァリング株式会社制)对以上获得的薄膜状电路连接材料，具有500根线宽为50μm、间隔为100μm、厚为18μm的铜电路的挠性线路板(FPC)，形成了0.2μm的氧化铟(ITO)薄层的玻璃(厚度：1.1mm，表面电阻20Ω)进行20秒的加热加压，并同时从ITO玻璃侧进行紫外线照射，以2mm的宽度连接。经过一定时间后不再施压，制得连接体。对粘合剂的紫外线照射量为2.0J/cm2。此时，预先在ITO玻璃上贴上薄膜状电路连接材料的粘合面后，于70℃和0.5MPa的温度和压力加热加压5秒后暂时连接，然后，剥离含氟树脂，与作为另一被粘合体的FPC连接。此外，在进行20秒的连接时，先开始加热加压，经过3秒钟后进行17秒的紫外线照射，加热加压20秒后同时结束这2个步骤。
对实施例1～13、比较例1～2获得的连接体的初期电阻和粘合性进行评估。在电路部件连接后，用伏-欧-毫安表测定包含上述连接部位的FPC的相邻电路间的电阻值，即为初期电阻。测定电流为1mA，电阻值用相邻电路间的150个电阻值的平均值表示。
以JIS Z0237为基准，用90度剥离法测定粘合强度，评估对FPC及ITO玻璃的粘合性。测定装置为东洋ボ-ルドゥィン株式会社生产的强度试验机(商品名：坦锡伦UTM-4，Tensilon)(剥离强度：50mm/min，25℃)。
其结果是，实施例1～13和比较例1～2获得的连接体的初期电阻值都较小，为1～2Ω。
实施例1～13和比较例1～2中，粘合时的加热温度都设定为130℃，低于以往粘合时所必须达到的170℃，在此低温下进行粘合的实施例1～13及比较例1～2的粘合强度的测定结果如以下表1所示。
从表1可明显看出，实施例1～13的连接体，不论和哪个被粘合体粘合，都获得了700～1000N/m的较高值，能够确保良好的连接状态。
针对于此，比较例1和2的值都在530N/m以下，出现剥离，其连接强度都比实施例1～13差。
此外，实施例1～13中，对被粘合体的粘合强度几乎无选择性。但使用了由光阳离子聚合性化合物及光阳离子聚合引发剂组成的粘合剂的比较例1，以及使用了由光游离基聚合性化合物及光游离基聚合引发剂组成的粘合剂的比较例2中，对一方的被粘合体的粘合强度如果较高，则对另一方的被粘合体的粘合强度就较弱，显现出对被粘合体的粘合强度的选择性。
                      表1
 粘合强度N/m
  实施例1     700     粘合剂层剥离
  实施例2     790     粘合剂层剥离
  实施例3     820     粘合剂层剥离
  实施例4     840     粘合剂层剥离
  实施例5     800     粘合剂层剥离
  实施例6     760     粘合剂层剥离
  实施例7     810     粘合剂层剥离
  实施例8     860     粘合剂层剥离
  实施例9     820     粘合剂层剥离
  实施例10     780     粘合剂层剥离
  实施例11     700     粘合剂层剥离
  实施例12     720     粘合剂层剥离
  实施例13     720     粘合剂层剥离
  比较例1     530  FPC/粘合剂层界面剥离
  比较例2     310  ITO/粘合剂层界面剥离
产业上利用的可能性
如上所述，本发明涉及可使相对设置在电路基板上的电极通电连接的粘合剂、使用了该粘合剂的电极连接构造及电极连接方法。

Claims (22)

1.粘合剂，其特征在于，包含(a)光阳离子聚合性化合物、(b)光阳离子聚合引发剂、(c)光游离基聚合性化合物和(d)光游离基聚合引发剂。
2.粘合剂，其特征在于，具备包含(a)光阳离子聚合性化合物和(b)光阳离子聚合引发剂的第1层，以及包含(c)光游离基聚合性化合物和(d)光游离基聚合引发剂的第2层。
3.如权利要求2所述的粘合剂，其中，第1层和第2层的层厚为5～50μm。
4.如权利要求2或3所述的粘合剂，其中，第1层和第2层间具备由非聚合性组分形成的第3层。
5.如权利要求1～4的任一项所述的粘合剂，其中，(a)光阳离子聚合性化合物为选自环氧化合物、乙烯醚化合物及环状醚化合物的至少1种，(c)光游离基聚合性化合物为选自丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物及顺丁烯二酰亚胺化合物的至少1种。
6.如权利要求1～5的任一项所述的粘合剂，其中，(b)光阳离子聚合引发剂为鎓盐。
7.如权利要求1～5的任一项所述的粘合剂，其中，(d)光游离基聚合引发剂为有机过氧化物。
8.如权利要求1～7的任一项所述的粘合剂，其中，对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物和(c)光游离基聚合性化合物的合计量，(a)光阳离子聚合性化合物的含量为5～95重量份；对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物，(b)光阳离子聚合引发剂的含量为0.05～10重量份；对应于100重量份(a)光阳离子聚合性化合物和(c)光游离基聚合性化合物的合计量，(c)光游离基聚合性化合物的含量为5～95重量份；对应于100重量份(c)光游离基聚合性化合物，(d)光游离基聚合引发剂的含量在0.05～10重量份的范围内。
9.如权利要求1～8的任一项所述的粘合剂，其中，粘合剂中还包含分子量在10000以上的含有羟基的树脂。
10.如权利要求9所述的粘合剂，其中，分子量在10000以上的含有羟基的树脂为苯氧基树脂。
11.如权利要求10所述的粘合剂，其中，分子量在10000以上的含有羟基的树脂为经含有羧基的弹性体改性的苯氧基树脂。
12.如权利要求10所述的粘合剂，其中，分子量在10000以上的含有羟基的树脂为经含有环氧基的弹性体改性的苯氧基树脂。
13.如权利要求1～12的任一项所述的粘合剂，其中，粘合剂中还包含丙烯酸橡胶。
14.如权利要求1～13的任一项所述的粘合剂，其中，粘合剂为薄膜状。
15.如权利要求1～14的任一项所述的粘合剂，其中，粘合剂中还包含导电性粒子。
16.如权利要求1～15的任一项所述的粘合剂，其中，对应于100容量份粘合剂中的基体树脂组分，可含有0.1～30容量份的各向导电性粘合剂。
17.电极连接构造，其特征在于，以第一电极和第二电极相对设置的状态设置具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件，前述相对设置的第一电极和第二电极间涂有权利要求1～16的任一项所述的粘合剂，前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接。
18.如权利要求17所述的电极连接构造，其中，第一电路部件和第二电路部件的至少一方具有透光性。
19.如权利要求18所述的电极连接构造，其中，具有第一电极的第一电路部件由在玻璃基板上具有电极的配线构成；具有第二电极的第二电路部件由在聚酰亚胺基板上具有电极的配线构成。
20.电极连接方法，其特征在于，将具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件相对设置，其间涂有权利要求1～16的任一项所述的粘合剂，通过并用加热加压及光照使前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接。
21.电极连接方法，其特征在于，将具有第一电极的第一电路部件和具有第二电极的第二电路部件相对设置，其间涂有权利要求2～4的任一项所述的粘合剂，通过并用加热加压和光照使前述相对设置的第一电极和第二电极通电连接，粘合剂第1层的粘合对象为第一电路部件，第一电路部件由在玻璃基板上具有连接端子的配线构成；第2层的粘合对象为第二电路部件，第二电路部件由在聚酰亚胺基板上具有连接端子的配线构成。
22.如权利要求20或21所述的电极连接方法，其特征还在于，在加热加压开始一定时间后，经过规定的间隔时间，开始进行一定时间的光照，在光照进行期间保持加热加压状态。
CNB008035083A 1999-02-08 2000-02-08 用于电路连接的粘合剂、电极连接构造及电极连接方法 Expired - Fee Related CN100357382C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29891/99 1999-02-08
JP29891/1999 1999-02-08
JP2989199 1999-02-08
JP75574/99 1999-03-19
JP7557499 1999-03-19
JP75574/1999 1999-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1339055A true CN1339055A (zh) 2002-03-06
CN100357382C CN100357382C (zh) 2007-12-26

Family

ID=26368145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008035083A Expired - Fee Related CN100357382C (zh) 1999-02-08 2000-02-08 用于电路连接的粘合剂、电极连接构造及电极连接方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP4469089B2 (zh)
KR (2) KR100483565B1 (zh)
CN (1) CN100357382C (zh)
AU (1) AU2327400A (zh)
TW (1) TWI250199B (zh)
WO (1) WO2000046315A1 (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304517C (zh) * 2004-05-10 2007-03-14 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、电路连接材料、电路部件的连接结构及半导体装置
CN1965044B (zh) * 2004-06-09 2010-11-03 日立化成工业株式会社 粘结剂组合物、电路连接材料、电路部材的连接结构以及半导体装置
CN101944659A (zh) * 2004-01-07 2011-01-12 日立化成工业株式会社 电路连接材料、使用其的薄膜状电路连接材料、电路构件的连接构造及其制造方法
CN101600295B (zh) * 2005-05-11 2012-03-21 日立化成工业株式会社 各向异性导电薄膜及使用该薄膜的电路板
CN102510661A (zh) * 2005-05-11 2012-06-20 日立化成工业株式会社 各向异性导电薄膜及使用该薄膜的电路板
CN101946371B (zh) * 2008-11-20 2012-10-24 索尼化学&信息部件株式会社 连接膜、以及接合体及其制造方法
CN103081236A (zh) * 2010-08-06 2013-05-01 旭化成电子材料株式会社 各向异性导电性粘接膜及固化剂
CN104051926A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 迪睿合电子材料有限公司 连接体的制造方法以及电子部件的连接方法
CN104487533A (zh) * 2012-06-12 2015-04-01 第一毛织株式会社 用于偏振板的粘合剂组合物、使用它的偏振板、制备该偏振板的方法和包含该偏振板的光学元件
JP2015110769A (ja) * 2013-11-07 2015-06-18 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性接着剤、導電性接着シート、配線デバイス、および配線デバイスの製造方法
CN108962963A (zh) * 2018-08-01 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110023445A (zh) * 2016-12-05 2019-07-16 汉高股份有限及两合公司 液体粘合剂组合物、粘合剂片材和粘合剂粘合方法
CN111732923A (zh) * 2020-07-19 2020-10-02 张家港保税区汇英聚福材料科技合伙企业(有限合伙) 一种紫外光固化导电胶及其制备方法
CN111909622A (zh) * 2017-08-08 2020-11-10 三菱化学株式会社 光固化性粘合片
CN113166594A (zh) * 2018-10-01 2021-07-23 德莎欧洲股份公司 潜在反应性胶粘剂膜

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002097443A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料並びに接続体
JP4788038B2 (ja) * 2000-12-28 2011-10-05 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP4257068B2 (ja) * 2002-04-09 2009-04-22 積水化学工業株式会社 光硬化型粘接着剤組成物及び光硬化型粘接着シート
JP2005015719A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Ricoh Co Ltd 接合構造、接合方法及び接合装置
EP1728826B1 (en) * 2004-03-26 2011-04-20 Kaneka Corporation Composition curable by both free-radical photocuring and cationic photocuring
JP4516343B2 (ja) * 2004-03-31 2010-08-04 積水化学工業株式会社 ポリエステル系接着剤組成物
JP2006111806A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いた回路接続構造体
JP4534716B2 (ja) * 2004-10-26 2010-09-01 日立化成工業株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
JP4555943B2 (ja) * 2004-10-29 2010-10-06 日立化成工業株式会社 異方導電フィルム、異方導電フィルムの製造方法、これを用いた接続体および半導体装置
JP4865246B2 (ja) * 2005-03-25 2012-02-01 株式会社カネカ 熱ラジカル硬化／熱カチオン硬化併用硬化性組成物
JP2006307093A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Sekisui Chem Co Ltd 光反応型接着剤組成物および液晶表示装置の製造方法
JP5011804B2 (ja) * 2005-09-06 2012-08-29 日立化成工業株式会社 回路接続材料、接続体及び回路部材の接続方法
KR100773641B1 (ko) * 2005-12-08 2007-11-05 엘에스전선 주식회사 다이 접착용 페이스트 조성물
TW200722493A (en) * 2005-12-08 2007-06-16 Ls Cable Ltd Die-attaching paste composition and method for hardening the same
KR100773640B1 (ko) * 2005-12-08 2007-11-05 엘에스전선 주식회사 다이 접착용 페이스트 조성물
KR100773638B1 (ko) * 2005-12-08 2007-11-05 엘에스전선 주식회사 다이 접착용 페이스트 조성물
CN103360976B (zh) * 2006-04-26 2016-08-03 日立化成株式会社 粘接带及使用其的太阳能电池模块
KR100922658B1 (ko) * 2006-09-12 2009-10-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 이방도전 필름 및 이를 이용한 회로판
JP5046721B2 (ja) * 2007-04-13 2012-10-10 大倉工業株式会社 活性エネルギー線硬化型接着性組成物、それを用いた偏光板及びその製造方法
JP4831086B2 (ja) * 2007-10-04 2011-12-07 日立化成工業株式会社 ゴム変性フェノキシ樹脂及びこれを用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤並びに回路接続構造体
JP5226562B2 (ja) 2008-03-27 2013-07-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
KR100902454B1 (ko) * 2008-07-07 2009-06-11 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 이방도전 필름 및 이를 이용한 회로판
JP2010031183A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
US8604612B2 (en) * 2009-02-19 2013-12-10 General Electric Company Chip attach adhesive to facilitate embedded chip build up and related systems and methods
KR101525649B1 (ko) * 2009-02-20 2015-06-03 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 전극의 접속 방법 및 그것에 사용되는 접속 조성물
KR100924889B1 (ko) * 2009-06-02 2009-11-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 이방도전 필름 및 이를 이용한 회로판
JP2011065761A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Harison Toshiba Lighting Corp メタルハライドランプ
JP5218482B2 (ja) * 2010-06-21 2013-06-26 日立化成株式会社 異方導電フィルムの製造方法
JP5610307B2 (ja) * 2010-09-20 2014-10-22 エルジー・ケム・リミテッド 偏光板用接着剤組成物、これを含む偏光板及び光学素子
JP5013029B2 (ja) * 2010-11-30 2012-08-29 Ｄｉｃ株式会社 カチオン重合性樹脂組成物、それを用いて得られる光学用材料、積層体
JP5630334B2 (ja) * 2011-03-08 2014-11-26 日立化成株式会社 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013105636A (ja) 2011-11-14 2013-05-30 Dexerials Corp 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
JP5908306B2 (ja) * 2012-03-01 2016-04-26 積水化学工業株式会社 半導体接合用接着剤及び半導体接合用接着フィルム
JP5926590B2 (ja) 2012-03-23 2016-05-25 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法、及び電子部品の接続方法
CN104508064B (zh) * 2012-08-03 2016-10-12 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜及其制造方法
JP6151412B2 (ja) * 2012-09-18 2017-06-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、異方性導電フィルムの製造方法、接続体の製造方法、及び接続方法
JP5972844B2 (ja) * 2012-09-18 2016-08-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、異方性導電フィルムの製造方法、接続体の製造方法、及び接続方法
JP6232855B2 (ja) 2013-08-30 2017-11-22 デクセリアルズ株式会社 ラジカル重合型接着剤組成物、及び電気接続体の製造方法
JP6425899B2 (ja) * 2014-03-11 2018-11-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤、接続体の製造方法及び電子部品の接続方法
JP6384234B2 (ja) * 2014-09-25 2018-09-05 デクセリアルズ株式会社 ラジカル重合型接着剤組成物、及び電気接続体の製造方法
KR102217314B1 (ko) * 2020-03-18 2021-02-19 한국과학기술원 이방성을 가지는 다결정성 열전물질의 제조방법, 열전물질 및 이를 포함하는 열전소자

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NZ201589A (en) * 1981-11-02 1985-08-16 Grace W R & Co Heat activatable adhesive or sealant compositions
JPH0745650B2 (ja) * 1987-06-26 1995-05-17 東芝ケミカル株式会社 耐熱性接着剤組成物
DE3814876A1 (de) * 1988-05-02 1989-11-16 Henkel Kgaa Lichtinduziert dunkelhaertende klebstoffe
JPH0258528A (ja) * 1988-08-25 1990-02-27 Mitsui Petrochem Ind Ltd 活性エネルギー光線硬化型組成物およびこの組成物を用いた光ディスク基板とハブとの接着方法
US5252694A (en) * 1992-01-22 1993-10-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-polymerization adhesive, coating, film and process for making the same
US5532105A (en) * 1992-08-07 1996-07-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photolithographically viahole-forming photosensitive element comprising two photosensitive layers for the fabrication process of multilayer wiring board
JPH08248630A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Hitachi Chem Co Ltd フォトビア形成用感光性エレメント
JPH08248636A (ja) * 1995-03-13 1996-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd 感光材料および画像形成方法
JPH08319461A (ja) * 1995-03-20 1996-12-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
DE69728935T2 (de) * 1996-07-15 2005-04-28 Sekisui Kagaku Kogyo K.K. Ein vernetzbares druckempfindliches Klebmittel in Plattform
JP3871083B2 (ja) * 1997-03-28 2007-01-24 日立化成工業株式会社 フィルム状接着剤及び回路板の製造法
US6190834B1 (en) * 1997-05-15 2001-02-20 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition, and multilayer printed circuit board using the same
JP3971819B2 (ja) * 1997-05-26 2007-09-05 住友精化株式会社 接着剤
JPH1143654A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性アディティブ接着剤フィルム
JPH1143653A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性アディティブ接着剤フィルム
US6086979A (en) * 1997-11-11 2000-07-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electromagnetically shielding bonding film, and shielding assembly and display device using such film
JP2000227665A (ja) * 1998-11-02 2000-08-15 Kansai Paint Co Ltd パターン形成方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944659A (zh) * 2004-01-07 2011-01-12 日立化成工业株式会社 电路连接材料、使用其的薄膜状电路连接材料、电路构件的连接构造及其制造方法
CN101944659B (zh) * 2004-01-07 2016-08-17 日立化成株式会社 电路连接材料、使用其的薄膜状电路连接材料、电路构件的连接构造及其制造方法
CN1304517C (zh) * 2004-05-10 2007-03-14 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、电路连接材料、电路部件的连接结构及半导体装置
CN1965044B (zh) * 2004-06-09 2010-11-03 日立化成工业株式会社 粘结剂组合物、电路连接材料、电路部材的连接结构以及半导体装置
CN102510661B (zh) * 2005-05-11 2014-11-19 日立化成株式会社 各向异性导电薄膜及使用该薄膜的电路板
CN101600295B (zh) * 2005-05-11 2012-03-21 日立化成工业株式会社 各向异性导电薄膜及使用该薄膜的电路板
CN102510661A (zh) * 2005-05-11 2012-06-20 日立化成工业株式会社 各向异性导电薄膜及使用该薄膜的电路板
CN101946371B (zh) * 2008-11-20 2012-10-24 索尼化学&信息部件株式会社 连接膜、以及接合体及其制造方法
CN103081236A (zh) * 2010-08-06 2013-05-01 旭化成电子材料株式会社 各向异性导电性粘接膜及固化剂
CN103081236B (zh) * 2010-08-06 2016-03-09 旭化成电子材料株式会社 各向异性导电性粘接膜及固化剂
CN104487533A (zh) * 2012-06-12 2015-04-01 第一毛织株式会社 用于偏振板的粘合剂组合物、使用它的偏振板、制备该偏振板的方法和包含该偏振板的光学元件
CN104487533B (zh) * 2012-06-12 2017-07-21 第一毛织株式会社 用于偏振板的粘合剂组合物、使用它的偏振板、制备该偏振板的方法和包含该偏振板的光学元件
US10647898B2 (en) 2012-06-12 2020-05-12 Cheil Industries, Inc. Polarizing plate using adhesive composition and optical member comprising the same
CN104051926A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 迪睿合电子材料有限公司 连接体的制造方法以及电子部件的连接方法
JP2015110769A (ja) * 2013-11-07 2015-06-18 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性接着剤、導電性接着シート、配線デバイス、および配線デバイスの製造方法
CN110023445A (zh) * 2016-12-05 2019-07-16 汉高股份有限及两合公司 液体粘合剂组合物、粘合剂片材和粘合剂粘合方法
CN110023445B (zh) * 2016-12-05 2021-09-14 汉高股份有限及两合公司 液体粘合剂组合物、粘合剂片材和粘合剂粘合方法
US11193050B2 (en) 2016-12-05 2021-12-07 Henkel Ag & Co. Kgaa Liquid adhesive composition, adhesive sheet, and adhesive bonding method
CN111909622A (zh) * 2017-08-08 2020-11-10 三菱化学株式会社 光固化性粘合片
CN111909622B (zh) * 2017-08-08 2022-04-29 三菱化学株式会社 光固化性粘合片
CN108962963A (zh) * 2018-08-01 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN113166594A (zh) * 2018-10-01 2021-07-23 德莎欧洲股份公司 潜在反应性胶粘剂膜
CN113166594B (zh) * 2018-10-01 2023-08-01 德莎欧洲股份公司 潜在反应性胶粘剂膜
CN111732923A (zh) * 2020-07-19 2020-10-02 张家港保税区汇英聚福材料科技合伙企业(有限合伙) 一种紫外光固化导电胶及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100483017B1 (ko) 2005-04-19
CN100357382C (zh) 2007-12-26
KR100483565B1 (ko) 2005-04-15
AU2327400A (en) 2000-08-25
KR20010101505A (ko) 2001-11-14
WO2000046315A1 (fr) 2000-08-10
TWI250199B (en) 2006-03-01
KR20040002810A (ko) 2004-01-07
JP4469089B2 (ja) 2010-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1339055A (zh) 粘合剂、电极连接构造及电极连接方法
CN1305669C (zh) 双面压敏粘合片及设有触摸板的显示设备
CN1319636A (zh) 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法
CN1146647C (zh) 各向异性导电粘合剂、其制法和使用该粘合剂的电子装置
KR101970376B1 (ko) 접착제 조성물 및 접속체
CN1250663C (zh) 具有增强粘度的各向异性导电粘合剂及使用它的粘接方法和集成电路封装件
CN1637034A (zh) 聚氨酯－酰亚胺树脂、粘合剂组合物及电路连接用粘合剂组合物
CN1638194A (zh) 电路连接用粘接薄膜和电路连接结构体
CN1942502A (zh) 环氧树脂组合物
WO2005066298A1 (ja) 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法
CN1290956C (zh) 各向异性电路连接用胶粘剂、电路板连接方法及连接体
KR101944125B1 (ko) 회로 접속 재료 및 그것을 사용한 접속 방법 그리고 접속 구조체
CN1639294A (zh) 各向异性导电薄膜
JP5181220B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、接続構造体及びその製造方法
JP2010100840A (ja) 接着剤フィルム及び回路接続材料
CN106916547A (zh) 导电性粘接剂、电子部件以及电子部件的制造方法
JP5034494B2 (ja) 接着剤組成物、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP2014075215A (ja) 絶縁材料、多層フィルム、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法
JP2013045755A (ja) 絶縁材料、積層体及び接続構造体
JP2013057018A (ja) 硬化性組成物及び接続構造体
JP2001176335A (ja) 異方性導電フィルム
KR20140064967A (ko) 회로 접속 재료 및 그것을 사용한 접속 방법 및 접속 구조체
JPH10338844A (ja) 異方性導電フィルム
CN108350320B (zh) 粘接剂组合物和结构体
KR20220107095A (ko) 접속 구조체, 회로 접속 부재 및 접착제 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071226

Termination date: 20180208