JP5218482B2 - 異方導電フィルムの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板同士またはＩＣチップ等の電子部品と配線基板の接続に用いられる異方導電フィルムの製造方法に関する。

回路基板同士またはＩＣチップ等の電子部品と回路基板の接続とを電気的に接続する際には、接着剤に導電粒子を分散させた異方導電フィルムが用いられている。すなわち、異方導電フィルムを相対峙する電極間に配置して、加熱、加圧によって電極同士を接続後、加圧方向に導電性を持たせることによって、電気的接続を行うことができ、実用面では、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ： Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のドライバＩＣを実装するための接続材料として重要な役割を果たしている。

現在、ＬＣＤはノートＰＣやモニタ及びテレビ向けの大型パネルから、携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ゲーム等のモバイル機器向けの中・小型パネルまで多様な用途に適用されているが、これらのＬＣＤにはＡＣＦによるドライバＩＣの実装が採用されている。ＬＣＤでのドライバＩＣ実装は、ドライバＩＣをＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）化し、これをＬＣＤパネルやプリント基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）に異方導電フィルムによって電気的に接続することによって行われる。また、携帯電話等の中・小型ＬＣＤでは、ベアドライバＩＣを異方導電フィルムによって直接ＬＣＤパネルへ実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式が採用されている。

ＬＣＤは、高精細化が進んでおり、ＬＣＤパネルとＴＣＰの接続やＣＯＧ接続では接続ピッチの微細化が要求されている。特に、ＣＯＧ接続ではＩＣチップのバンプを接続電極としているためＴＣＰ接続に比べて接続面積が小さくなることから、微小接続電極上に導通を確保するのに充分な数の導電粒子をいかに捕捉するかが高い接続信頼性を得る上で重要となっている。

このため、例えば、特開平８−２７９３７１号公報では、導電粒子を分散した接着剤層（導電粒子層）と接着剤のみの層（接着剤層）を積層した二層構成にすることによって、従来の単層構成に比べ微小電極（バンプ）上に効率良く導電粒子を捕捉させることができ、微小バンプへの適用性、微細接続ピッチでの接続性に優れる異方導電フィルムが提供できることを開示している。

特開平８−２７９３７１号公報

しかしながら、この二層構成ＡＣＦは、従来に比べ、微小電極上での捕捉効率が向上しているものの、接続時に導電粒子が接着剤とともに流動するため、接続ピッチが微細化されたＩＣを用いた場合（例えば、１５μｍ以下のスペース、２６００μｍ^２以下の電極サイズ）、絶縁性を確保しながら、２６００μｍ^２以下の電極上に十分な導電粒子数（５個以上）を確保できているとは言えず、接続信頼性の点で未だ改良の余地があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、狭スペースでの絶縁性が高く、微細接続ピッチでの接続信頼性を向上することができる異方導電フィルム及びこれを用いた回路板を提供することを目的とする。

本発明の異方導電フィルムは、相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に接続する異方導電フィルムであって、前記異方導電フィルムが光重合性樹脂、光開始剤、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂用硬化剤、及び導電粒子を含有し、前記光重合性樹脂が光エネルギーによって重合された第１接着フィルム層と、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂用硬化剤を含有する第２接着フィルム層が積層されてなることを特徴とする。

前記第１接着フィルム層及び第２接着フィルム層のＤＳＣでの発熱開始温度は、６０℃以上でかつ硬化反応の８０％が終了する温度が２６０℃以下であることが好ましい。

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましく用いられる。

また、前記熱硬化性樹脂用硬化剤としては、潜在性硬化剤が好ましく用いられる。

前記第１接着フィルム層及び第２接着フィルム層としては、フィルム形成性高分子を含有していることが好ましい。また、前記第１接着フィルム層に分散されている導電粒子量としては、０．２〜３０体積％が好ましく用いられる。

本発明の異方導電フィルムによれば、導電粒子を含む第１接着フィルム層と導電粒子が含まれている第２接着フィルム層の二層構成からなるＡＣＦとし、さらに導電粒子が含まれている接着フィルム層を光で重合させているため、当該層の接続時における流動性を抑制できるため、接続する半導体のバンプ上に導電粒子を効率的に捕捉できる他、狭スペースへの導電粒子の流入も抑制できるため、狭スペースでの絶縁性に優れており、微細接続ピッチでの接続信頼性が向上する。

したがって、本発明の異方導電フィルムは、ＬＣＤパネルとＴＡＢ、ＬＣＤパネルとＩＣチップを接続時の加圧方向にのみ電気的に接続するために好適に用いられる。

本発明は、相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に接続する異方導電フィルムであって、前記異方導電フィルムが光重合性樹脂、光開始剤、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂用硬化剤、及び導電粒子を含有し、前記光重合性樹脂が、光エネルギーによって重合された第１接着フィルム層と熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂用硬化剤を含有する第２接着フィルム層が積層されてなることを特徴とする異方導電フィルムである。

前記第１接着フィルム層及び第２接着フィルム層の反応性は、ＤＳＣ（昇温速度：１０℃／ｍｉｎ）で測定することができ、第１接着フィルム層及び第２接着フィルム層としては、ＤＳＣでの発熱開始温度が６０℃以上でかつ硬化反応の８０％が終了する温度が２６０℃以下になるものが用いられる。

本発明において用いられる光重合性樹脂としては、アクリロイル基、メタクリロイル基などの官能基を有するラジカルにより重合する官能基を有する物質であり、アクリレート、メタクリレート、マレイミド化合物等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマー、オリゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。アクリレート（メタクリレート）の具体例としては、ウレタンアクリレート、メチルアクリレート、エポキシアクリレート、ポリブタジエンアクリレート、シリコーンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス〔４−（アクリロキシメトキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（アクリロキシポリエトキシ）フェニル〕プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、ビス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ε−カプロラクトン変性トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、等がある。必要によっては、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。また、ジシクロペンテニル基および／またはトリシクロデカニル基および／またはトリアジン環を有する場合は、耐熱性が向上するので好ましい。マレイミド化合物としては、分子中にマレイミド基を少なくとも２個以上含有するもので、例えば、１−メチル−２、４−ビスマレイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−Ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−トルイレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチル−ビフェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルプロパンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，３’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチル−４−８（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−マレイミドフェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、などを挙げることができる。これらは、単独あるいは併用して用いたり、アリルフェノール、アリルフェニルエーテル、安息香酸アリルなどのアリル化合物と併用して用いてもよい。

本発明において用いられる光開始剤としては、光照射によってラジカルを生成する公知のものが用いられる。開烈型の光開始剤としては、ベンゾインイソブチルエーテル、ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、４−メチルチオ−２，２−ジメチル−２−モルホリノアセトフェノン、４−モルホリノ−２−エチル−２−ジメチルアミノ−２−ベンジルアセトフェノン、メチルフェニルグリオキシレート、アシルホスフィンオキサイド等が好ましく用いることができる。水素引き抜き型の光開始剤としては、ベンゾフェノン、２−エチルアンスラキノン、２−クロロチオキサンソン、２−イソプロピルチオキサンソン、１，７，７−トリメチル−２，３−ジケトシジシクロ（２，２，１ヘプタン）、４，４‘−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ベンジル−４‘−メチルジフェニルサルファイド等が好ましく用いることができる。

これらの光開始剤の光重合性樹脂に対する使用量は、光重合性物質が重合できる量が使用されていれば、特に限定するものではないが、好ましくはラジカル重合性物質１００重量部に対して０．３〜５重量部の光開始剤を用いることができる。

また、第１接着フィルム層及び第２接着フィルム層にはフィルム形成性をより容易にするために、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂を配合することが好ましい。これらのフィルム形成性高分子は、反応性樹脂の硬化時の応力緩和に効果がある。特に、フィルム形成性高分子が、水酸基等の官能基を有する場合、接着性が向上するためより好ましい。

第１接着フィルム層におけるフィルム形成性高分子の使用量は、光重合性樹脂１００重量部に対して１０〜１５０重量部とすることが好ましく、特に好ましく２０〜１００重量部である。

本発明において用いられる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましく、エポキシ樹脂としては、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡやＦ、ＡＤ等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロルヒドリンとフェノールノボラックやクレゾールノボラックから誘導されるエポキシノボラック樹脂やナフタレン環を含んだ骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂、グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物等を単独にあるいは２種以上を混合して用いることが可能である。これらのエポキシ樹脂は、不純物イオン（Ｎａ^＋、Ｃｌ⁻等）や、加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止のために好ましい。

本発明において用いられる熱硬化性樹脂用硬化剤としては、エポキシ樹脂用硬化剤が好ましく、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が用いられる。

第２接着フィルム層におけるフィルム形成性高分子の使用量は、熱硬化性樹脂と硬化剤の合計の使用量１００重量部に対して３０〜１００重量部とすることが好ましく、特に好ましく３０〜６０重量部である。

本発明において第１接着フィルム層中の光重合性樹脂に対する熱硬化性樹脂と硬化剤を合わせた合計の使用量は、光重合性樹脂１００重量部に対して６０〜４００重量部とすることが好ましく、特に好ましくは１００〜２５０重量部である。光重合性樹脂１００重量部に対する熱硬化性樹脂と硬化剤を合わせた合計の使用量が、６０重量部より少なくなると接続時の流動性が低下し、接続電極と導電粒子界面から樹脂を排除できず、導通不良が発生する。また、光重合性樹脂１００重量部に対する熱硬化性樹脂と硬化剤を合わせた合計の使用量が、４００重量部より多くなると接続時の流動性が上がりすぎ、導電粒子が樹脂とともに流動し、電極上への捕捉効率が低下する、あるいは電極スペース部への導電粒子の流入が増え、ショート発生確率が増大する。

本発明において用いられる導電粒子は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕやはんだ等の金属の粒子であり、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けたものがより好ましい。さらに導電性の粒子の表面にＳｕ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成することもできる。粒径は基板の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいことが好ましく、１〜１０μｍが好ましい。また、接着剤に分散される導電粒子量は、０．１〜３０体積％であり、好ましくは０．２〜１５体積％である。

異方導電フィルムは、次のようなプロセスで作製できる。光開始剤、光重合性樹脂、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂用硬化剤、フィルム形成性高分子からなる接着剤組成物を有機溶剤に溶解あるいは分散し、さらに、導電粒子を分散し、第１接着フィルム用フィルム塗工用溶液を作製する。この時用いる有機溶剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が、材料の溶解性を向上させるため好ましい。

ついで、この溶液を厚み５０μｍの片面を表面処理した透明ＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、接着フィルムの厚みが１０μｍの接着フィルムを得る。

ついで、前記フィルム塗工用溶液の作製の中で、光開始剤及び光重合性樹脂を溶解しない以外は同様な方法で作製したフィルム塗工用溶液を、厚み５０μｍの片面を表面処理した白色ＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、接着フィルムの厚みが１５μｍの第２接着フィルムを作製する。さらに、得られた第１接着フィルムと第２接着フィルムを４０℃で加熱しながら、ロールラミネータでラミネートした二層構成異方導電フィルムを作製する。

ついで、高圧紫外線ランプを使用して、紫外線量２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を第１接着フィルム層上の透明ＰＥＴを通して第１接着フィルム層に照射し、第１接着フィルム層中の光重合性樹脂を重合し、二層構成異方導電フィルムを作製する。

第１接着フィルム層の光重合性樹脂を光で重合する場合、第２接着フィルム層とラミネートする前にあらかじめ、紫外線を照射することによって重合することもできるが、この場合、酸素阻害によって十分な重合が得られなかったり、またラミネートがうまくできない場合が生じる。一方、前述のようにラミネート後、光で照射する方法では、第１接着フィルム層と第２接着フィルム層との接着性が良好になるほか、両側にＰＥＴフィルムがカバーされているため酸素阻害がなく光による光重合性樹脂の重合を十分に行うことができ、特に好ましく用いられる。

得られた二層構成異方導電フィルムは、次のようなプロセスで回路板を作製することができる。すなわち、第一の接続端子を有する第一の回路部材表面に、この二層構成異方導電フィルムの第１接着フィルム層側の透明ＰＥＴフィルムを剥離して第１接着フィルム層面を転写し、第２接着フィルム層上の白色ＰＥＴフィルムを剥離し、第一の接続端子を有する第一の回路部材と第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子が対向するように配置し、異方導電フィルムを加熱加圧して、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させた回路板を作製する。

本発明の第一の接続端子を有する第一の回路部材としては、バンプ電極付の半導体が好ましく用いられ、第二の接続端子を有する第二の回路部材としては、ＩＴＯや金属回路が形成されたガラス基板やＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路が形成されたフレキシブル配線板やプリント配線板が好ましく用いられ、特に、ＩＴＯや金属回路が形成されたガラス基板が好ましく用いられる。

以下、実施例により本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
フェノキシアクリレート３０ｇ、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．３ｇ、重量平均分子量４０，０００のフェノキシ樹脂２０ｇを酢酸エチル５０ｇに溶解した接着剤組成溶液を作製した。

ついで、この溶液にビスＡ型エポキシ（エポキシ当量１８０）１０ｇ及びマイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５、旭化成製、ノバキュアＨＸ−３９４１）５０ｇを配合し、ポリスチレン系核体（直径：４μｍ）の表面にＡｕ層を形成した導電粒子を１０体積％（厚み１０μｍでの投影粒子数３０，０００個／ｍｍ^２）分散してフィルム塗工溶液を得た。ついで、この溶液を厚み５０μｍの片面を表面処理した透明ＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、接着剤層の厚みが１０μｍの第１接着フィルムを得た。この第１接着フィルムのＤＳＣ測定での反応開始温度は８０℃、硬化反応の８０％が終了する反応終了温度は２００℃であった。

ついで、前記フィルム塗工用溶液の作製の中で、フェノキシアクリレート、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを溶解しない以外は同様な方法で作製したフィルム塗工用溶液を、厚み５０μｍの片面を表面処理した白色ＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、第２接着フィルムの厚みが１５μｍの第２接着フィルムを作製する。この第２接着フィルムのＤＳＣ測定での反応開始温度は８０℃、硬化反応の８０％が終了する反応終了温度は２１０℃であった。

さらに、得られた第１接着フィルムと第２接着フィルムを、基材であるＰＥＴフィルムとともに４０℃で加熱しながら、ロールラミネータでラミネートし、二層構成異方導電フィルムを作製した。

ついで、高圧紫外線ランプを使用して、紫外線量２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を第１接着フィルム層上の透明ＰＥＴを通して第１接着フィルム層に照射し、第１接着フィルム層中の光重合性樹脂を重合し、二層構成異方導電フィルムを作製した。

次に、作製した二層構成異方導電フィルムを用いて、金バンプ（面積：４５×４５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数３６２）付きチップ（１×１０ｍｍ、厚み：５００μｍ）とＩＴＯ回路付きガラス基板（厚み：１．１ｍｍ）の接続を、以下に示すように行った。すなわち、二層構成異方導電フィルム（１．５×１２ｍｍ）の第１接着フィルム層表面の透明ＰＥＴフィルムを剥離し、第１接着フィルム層面をＩＴＯ回路付きガラス基板に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ^２で貼り付けた後、第２接着フィルム層表面の白色ＰＥＴフィルムを剥離し、チップのバンプとＩＴＯ回路付きガラス基板の位置合わせを行った。

次いで、２１０℃、４０ｇ／バンプ、１０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続を行った。本接続後のバンプ（５００個）上の導電粒子数は、平均で２４個、最小で１１個であった。また、接続抵抗は、１バンプあたり最高で１２０ｍΩ、平均で５８ｍΩ、絶縁抵抗は１０^８Ω以上であり、これらの値は−４０〜１００℃の熱衝撃試験１０００サイクル処理、高温・高湿（８５℃／８５％ＲＨ、１０００ｈ）試験後においても変化がなく、良好な接続信頼性を示した。

（比較例１）
フェノキシアクリレート３０ｇ、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．３ｇ、重量平均分子量４０，０００のフェノキシ樹脂２０ｇを酢酸エチル５０ｇに溶解した接着剤組成溶液を作製した。

ついで、この溶液にビスＡ型エポキシ（エポキシ当量１８０）１０ｇ及びマイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（エポキシ当量１８５、旭化成製、ノバキュアＨＸ−３９４１）５０ｇを配合し、ポリスチレン系核体（直径：４μｍ）の表面にＡｕ層を形成した導電粒子を４体積％（厚み２５μｍでの投影粒子数３０，０００個／ｍｍ^２）分散してフィルム塗工溶液を得た。ついで、この溶液を厚み５０μｍの片面を表面処理したＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、接着剤層の厚みが２５μｍの接着フィルムを得た。

ついで、高圧紫外線ランプを使用して、紫外線量２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線をこの接着フィルムに照射してフィルム中の光重合性樹脂を重合した異方導電接着フィルムを作製した。この異方導電接着フィルムのＤＳＣ測定での反応開始温度は８０℃、硬化反応の８０％が終了する反応終了温度は２００℃であった。

次に、作製した単層構成異方導電フィルムを用いて、金バンプ（面積：４５×４５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数３６２）付きチップ（１×１０ｍｍ、厚み：５００μｍ）とＩＴＯ回路付きガラス基板（厚み：１．１ｍｍ）の接続を、以下に示すように行った。二層構成異方導電フィルム（１．５×１２ｍｍ）の異方導電接着フィルムをＩＴＯ回路付きガラス基板に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ^２で貼り付けた後、ＰＥＴフィルムを剥離し、チップのバンプとＩＴＯ回路付きガラス基板の位置合わせを行った。

次いで、２１０℃、４０ｇ／バンプ、１０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続を行った。本接続後のバンプ（５００個）上の導電粒子数は、平均で１４個、最小で１個であった。また、接続抵抗は、１バンプあたり最高で５３００ｍΩ、平均で３２００ｍΩであり、これらの値は−４０〜１００℃の熱衝撃試験１０００サイクル処理、高温・高湿（８５℃／８５％ＲＨ、１０００ｈ）試験後において増大し、一部の接続部では導通不良を発生した。また、絶縁抵抗は１０^６Ωを示し、実用上必要とされる１０^８Ω以上の絶縁性を確保できなかった。

（比較例２）
フェノキシアクリレート、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを溶解せず、分子量４０，０００のフェノキシ樹脂を５０ｇにする以外は実施例１と同様な方法で作製した第１接着フィルム用フィルム塗工溶液を、厚み５０μｍの片面を表面処理したＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥により、接着フィルムの厚みが１０μｍの接着フィルムＡを作製した。この接着フィルムのＤＳＣ測定での反応開始温度は８０℃、硬化反応の８０％が終了する反応終了温度は２００℃であった。

ついで、実施例１の第２接着フィルム層と同様な方法で別の接着フィルムＢを作製した。この接着フィルムのＤＳＣ測定での反応開始温度は８０℃、硬化反応の８０％が終了する反応終了温度は２１０℃であった。

さらに、得られた接着フィルムＡと接着フィルムＢを４０℃で加熱しながら、ロールラミネータでラミネートし、ニ層構成異方導電フィルムを作製した。

次に、作製した二層構成異方導電フィルムを用いて、金バンプ（面積：４５×４５μｍ、スペース１０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数３６２）付きチップ（１×１０ｍｍ、厚み：５００μｍ）とＩＴＯ回路付きガラス基板（厚み：１．１ｍｍ）の接続を、以下に示すように行った。二層構成異方導電フィルム（１．５×１２ｍｍ）の接着フィルムＡのフィルム面をＩＴＯ回路付きガラス基板に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ^２で貼り付けた後、ＰＥＴフィルムを剥離し、チップのバンプとＩＴＯ回路付きガラス基板の位置合わせを行った。

次いで、２１０℃、４０ｇ／バンプ、１０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続を行った。本接続後のバンプ（５００個）上の導電粒子数は、平均で１８個、最小で２個であった。また、接続抵抗は、１バンプあたり最高で２５００ｍΩ、平均で１２００ｍΩであり、これらの値は−４０〜１００℃の熱衝撃試験１０００サイクル処理、高温・高湿（８５℃／８５％ＲＨ、１０００ｈ）試験後において増大し、一部の接続部では導通不良を発生した。また、絶縁抵抗は１０^６Ωを示し、実用上必要とされる１０^８Ω以上の絶縁性を確保できなかった。

以上の実施例１及び比較例１，２の結果より、本発明の異方導電フィルムによれば、狭スペースでの絶縁性に優れ、微細接続ピッチでの接続信頼性を向上できることが分かった。

Claims (1)

1. 相対峙する回路電極間に介在させ、加熱加圧して、前記回路電極間を電気的に接続する異方導電フィルムの製造方法であって、
   光重合性樹脂、光開始剤、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂用硬化剤及び導電粒子を有機溶剤に溶解又は分散させた塗工用溶液を塗布して第１接着フィルム層を形成する第１接着フィルム層形成工程と、
   熱硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂用硬化剤を含有する第２接着フィルム層を形成する第２接着フィルム層形成工程と、
   前記第１接着フィルム層と前記第２接着フィルム層とを積層する積層工程と、
   前記第１接着フィルム層に光を照射し、前記光重合性樹脂を重合させる光重合工程と、
   を含み、
   前記光重合工程を前記積層工程を実施した後に行う、異方導電フィルムの製造方法。