JP4831086B2 - ゴム変性フェノキシ樹脂及びこれを用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤並びに回路接続構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、ゴム変性フェノキシ樹脂、これを用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤及び回路接続構造体に関する。
ディスプレイ用パネル、プリント配線板、ICチップなどの回路電極を有する電子材料を接続する手段として、絶縁性、導電性又は異方導電性接着フィルムを用いる方法が知られている(特許文献1、2参照)。
図1は、ガラス基板とICチップとを回路部材接続用接着剤を介して接続することで作製される回路接続構造体の接続方法を示す模式断面図である。従来、図1に示すように、ガラス基板25とICチップ35とを接着層15を介して接続する場合、圧着ステージ5上に配置し、一定温度に加熱した圧着装置の圧着ツール4を直接ICチップ35に接触させ加熱加圧する接続方法が用いられている。
特開昭55−104007号公報 特開昭60−262430号公報 日立化成テクニカルレポートNo.45、23〜26頁
しかしながら、このような接続方法では、圧着ツールのみが高熱を有するため、加熱加圧する工程で、ICチップとガラス基板との間に温度差が生じやすく、加熱加圧する工程後に接続構造体において反りが発生することがある。図2は、上記接続構造体の反りが発生するメカニズムを説明するための図である。上記接続方法では、ICチップ35の裏面のみが加熱され、ガラス基板25がほとんど加熱されないため、ICチップ35とガラス基板25との間に温度差が生じる。そのため、図2のように、ICチップ35とガラス基板25との熱膨張量の差が生じ、ICチップ35がガラス基板25より収縮量が大きいため、加熱工程終了後に反りが発生してしまうと考えられる(非特許文献1参照)。弾性率及びガラス転移温度の低い回路部材接続用接着剤を用いれば、反り量を低減することができるものの、接続抵抗が高くなる傾向がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、回路部材接続用接着剤として用いたときに反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇が小さい樹脂組成物を得ることを可能とするゴム変性フェノキシ樹脂を提供することを目的とする。また、本発明は、上記ゴム変性フェノキシ樹脂を用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤及び回路接続構造体を提供することを目的とする。
本発明は、下記一般式(I)で表される化学構造を含むゴム変性フェノキシ樹脂を提供する。
Figure 0004831086
式(I)中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はハロゲン原子を示し、Rは下記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、xは正の整数を示し、y及びzは0又は正の整数を示す。
Figure 0004831086
本発明は、また、下記一般式(III)で表される化学構造を含むゴム変性フェノキシ樹脂を提供する。
Figure 0004831086
式(III)中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はハロゲン原子を示し、R、R、R、R、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基又はハロゲン原子を示し、Rは下記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、R’は水素原子又は下記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、xは正の整数を示し、y、及びzは0又は正の整数を示す。
Figure 0004831086
上記本発明に係るゴム変性フェノキシ樹脂は、架橋性成分等の他の成分と組み合わせることにより、良好なフィルム形成性と高い耐熱性を有し、回路部材接続用接着剤として用いられたときに反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇が小さい樹脂組成物を得ることができる。
ゴム変性フェノキシ樹脂は、反りをより一層低減し、かつ耐熱性を向上する観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5000〜100万であることが好ましい。
本発明は、上記ゴム変性フェノキシ樹脂と、架橋性成分とを含む樹脂組成物を提供する。このような樹脂組成物は、良好なフィルム形成性と高い耐熱性を有し、接着剤として用いられたときに反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇を十分に抑制することが可能である。
本発明の樹脂組成物は、耐熱性をより一層向上する観点から、側鎖にゴム成分を有するポリエーテル樹脂を更に含むことが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、架橋性成分がラジカル重合性化合物及びラジカル重合開始剤を含有することが好ましい。また、本発明の樹脂組成物は、架橋性成分がエポキシ樹脂及び硬化剤を含有することも好ましい。
上述のような架橋性成分を含むことにより、本発明の樹脂組成物は、良好なフィルム形成性と高い耐熱性を有するものとなり、接着剤として用いられたときに反りが小さく、かつ接続抵抗をより一層低くすることができる。
上記樹脂組成物は、取り扱い性に優れる観点から、フィルム状であることが好ましい。
樹脂組成物は、導電性粒子を更に含むことが好ましい。これにより、樹脂組成物はそれ自体が導電性を容易に有することができる。そのため、上記樹脂組成物からなる回路部材接続用接着剤は、電気的に接続の異方性を良好に示すことが可能となる。
樹脂組成物は、硬化物の熱膨張係数及び吸水率を低減できる観点から、絶縁性無機フィラー又は絶縁性無機ウィスカーを更に含むことが好ましい。
また、本発明は、回路基板及び該回路基板の主面上に形成された回路電極を有し、それぞれの回路電極同士が対向配置されるように配置された1対の回路部材を、対向配置された回路電極同士が電気的に接続されるように接着するために用いられる、上記樹脂組成物からなる回路部材接続用接着剤を提供する。
上記回路部材接続用接着剤は、接着性に優れており、反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇を十分に抑制することが可能となる。
さらに、本発明は、回路基板及び該回路基板の主面上に形成された回路電極を有し、それぞれの回路電極同士が対向配置されるように配置された1対の回路部材と、当該1対の回路部材の間に介在し、対向配置された回路電極同士が電気的に接続されるように当該1対の回路部材同士を接着している接続部とを備え、接続部が、上記回路部材接続用接着剤によって形成されている回路接続構造体を提供する。
このような回路接続構造体は、反り及び接続抵抗が十分に低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇が小さい。また、この接続構造体は、対向する電極同士の導電性と、隣接する電極同士の絶縁性とを十分に確保できる。
本発明によれば、回路部材接続用接着剤として用いたときに回路部材接続用接着剤として用いたときに反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇が小さい樹脂組成物を得ることを可能とするゴム変性フェノキシ樹脂を提供することができる。さらに、本発明により、上記ゴム変性フェノキシ樹脂を用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤及び回路接続構造体を提供することができる。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。同様に「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」を意味する。
(ゴム変性フェノキシ樹脂)
本発明のゴム変性フェノキシ樹脂は、上記一般式(I)で表される化学構造を含むものである。
式(I)中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はハロゲン原子を示し、Rは上記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示す。式(II)中、xは正の整数を示し、y及びzは0又は正の整数を示す。
本発明のゴム変性フェノキシ樹脂は、また、上記一般式(III)で表される化学構造を含むものである。すなわち、本発明のゴム変性フェノキシ樹脂は、上記一般式(III)で表されるように、4,4’−ビフェノール化合物と4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール化合物とが交互に結合した繰返し単位を有することが好ましい。
式(III)中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はハロゲン原子を示す。R、R、R、R、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基又はハロゲン原子を示す。Rは上記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、R’は水素原子又は上記一般式(II)で表されるゴム構造を含む基を示す。
、R、R、R、R、R、R及びR(以下、「R〜R」と略記する)における炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基及びn−ヘキシル基が挙げられる。これらの中でもメチル基、エチル基、n−ブチル基及びt−ブチル基が好ましい。炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチル基及びヒドロキシヘキシル基が挙げられる。これらの中でもヒドロキシメチル基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらの中でもフッ素原子が好ましい。
、R、R及びR(以下、「R〜R」と略記する)における炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基やハロゲン原子の具体例としては、R〜Rにおいて記載したものと同様のものが挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基及びアントラニル基が挙げられる。これらは置換基を有していてもよい。アラルキル基としては、ベンジル基及びフェネチル基が挙げられる。これらの中でも特に、R〜Rは水素原子、メチル基又はt−ブチル基であることが好ましい。
ゴム変性フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、5000〜100万であることが好ましく、1万〜45万であることがより好ましい。重量平均分子量が5000より小さくなるとフィルム形成性が低下してフィルムが脆くなる傾向があり、1万より小さいと接着剤の粘着性が大きくなってフィルムの取り扱い性が低下する傾向がある。また、重量平均分子量が45万を超えると流動性が低下する傾向があり、100万を超えると溶解性が低下する傾向がある。
上記ゴム変性フェノキシ樹脂は、当業者には理解されるように、溶液重合法や溶融混合等の公知の方法により合成することができる。中でも、適正な分子量とすることが容易な溶液重合法が好ましい。
ゴム変性フェノキシ樹脂を溶液重合法により合成する場合、例えば、下記一般式(IV)で表されるポリヒドロキシポリエーテル樹脂と、ゴム成分として下記一般式(VI)で表されるカルボキシル基を有する化合物との重合反応を溶液中で行うことが好ましい。反応溶媒としては、これらの化合物が溶解する溶媒であれば特に限定されず、例えば、ジメチルアセトアミドを用いることができる。
Figure 0004831086

式(IV)中、R、R、R及びRは、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はハロゲン原子を示す。
Figure 0004831086

式(VI)中、Wは、カルボキシル基を示し、Wはカルボキシル基又は水酸基を示す。xは正の整数を示し、y及びzは0又は正の整数を示す。式(VI)で表される化合物の具体例としては、カルボキシル基を有するポリブタジエン樹脂又はポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体樹脂を挙げることができる。
ここで、上記一般式(IV)で表されるポリヒドロキシポリエーテル樹脂は、例えば、4,4’−ビフェノール化合物のジグリシジルエーテルと、4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール化合物、又は4,4’−ビフェノール化合物及び4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール化合物との重合反応を溶液中で行うことにより得ることができる。反応溶媒としては、これら化合物が溶解する溶媒、例えば、N−メチルピロリドンが用いられる。反応液に水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基を加えることにより効率的に反応が進行する。一般に、100〜130℃で1〜5時間の反応により、ポリヒドロキシポリエーテル樹脂が得られる。
上記ゴム変性フェノキシ樹脂は、良好な溶解性を有し、この樹脂を架橋性成分等の他の成分と組み合わせることにより、良好なフィルム形成性及び高い耐熱性を有する樹脂組成物を得ることができる。そして、回路部材接続用接着剤として用いたときに反りを十分に低減できると共に、接続抵抗が低く、更に、高温高湿環境下に曝された後も接続抵抗の上昇が小さい樹脂組成物が得られる。
(樹脂組成物)
本実施形態に係る樹脂組成物は、上記ゴム変性フェノキシ樹脂と、架橋性成分とを含む。この樹脂組成物は、回路部材同士を接続して回路接続構造体を得るために用いられる回路部材接続用接着剤として特に好適に用いられる。
架橋性成分は、架橋性樹脂及び必要によりその硬化剤や硬化促進剤を含有することが好ましい。この架橋性成分の架橋反応により、樹脂組成物は硬化して硬化物を形成する。架橋性樹脂は、加熱、光等により進行するラジカル反応等の架橋反応により架橋構造を形成する樹脂である。耐熱性の観点から、架橋性樹脂として、加熱により架橋する熱硬化性樹脂が望ましい。
熱硬化性樹脂の具体例としては、(メタ)アクリル基を有するアクリレート系樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂が挙げられる。あるいは未加硫(未架橋)の天然ゴム、ニトリルゴム、ブタジエンゴム、シリコーンゴム、イソブチレンゴム等を熱硬化性樹脂として用いることもできる。
これらの樹脂は、共重合体系や混合系であってもよく、硬化剤とともに用いられる。これらの中でも、汎用性が高く、塩素イオンや加水分解性塩素等の含有濃度が低い高純度品を入手しやすく、また、マイグレーション防止や回路配線の腐食防止の観点から、(メタ)アクリル基を有するアクリレート系樹脂又はエポキシ樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては、2官能以上のものが好ましい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。エポキシ樹脂は、25℃において液状、固形のいずれであってもよい。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、イミダゾール類、多価フェノール類、酸無水物類、アミン類、ヒドラジド類、ポリメルカプタン、ルイス酸−アミン錯体などを用いることができる。保存安定性と硬化物の耐熱性の観点からは、硬化剤はイミダゾール類、多価フェノール類又は酸無水物であることが好ましく、イミダゾール類又は多価フェノール類であることがより好ましい。これらは単独又は2種以上を組み合わせて用いられる。硬化剤がイミダゾール類の場合、保存安定性の観点からは、例えば、2P4MHZ、2PHZ、2MA−OK(四国化成工業社製、商品名)が好ましく用いられる。
硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したマイクロカプセル型潜在性硬化剤は、保存安定性に優れ、可使時間が延長されるために特に好ましい。
また、架橋性成分として、ラジカル重合性化合物を含有することもできる。
ラジカル重合性化合物としては、ラジカル重合可能な官能基を有するものであり、例えば、(メタ)アクリレート化合物、マレイミド化合物、スチレン誘導体が好適に用いられる。ラジカル重合性の化合物は、重合性モノマー及び重合性オリゴマーのいずれであってもよく、重合性モノマーと重合性オリゴマーとを併用することも可能である。
(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンチニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ジシクロペンチニル基、トリシクロデカニル基又はトリアジン環を有する(メタ)アクリレート化合物は、耐熱性が向上するので好ましい。
マレイミド化合物としては、分子中にマレイミド基を少なくとも2個以上含有するものが好ましい。その具体例としては、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−m−トルイレンビスマレイミド、N,N’−4,4−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメチル−ビフェニレン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジエチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−3,3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(3−s−ブチル−4,8−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)デカン、4,4’−シクロへキシリデン−ビス(1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−シクロへキシルベンゼン、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)へキサフルオロプロパンが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
ラジカル重合性化合物には、必要に応じて、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン等の重合禁止剤を適宜添加しもよい。
本発明の樹脂組成物は、架橋性成分としてラジカル重合性化合物を含有する場合、ラジカル重合開始剤を更に含有すると好適である。ラジカル重合性化合物は、一旦ラジカル重合反応を開始すると、連鎖反応が進行し、強固な硬化が可能となるが、最初にラジカルを発生させることが比較的困難である。そのため、本発明では、樹脂組成物中に、ラジカルを比較的容易に生成可能なラジカル重合開始剤を含有させることが好ましい。
ラジカル重合開始剤としては、従来知られている過酸化化合物(有機過酸化物)、アゾ化合物のような、加熱により分解して遊離ラジカルを発生する化合物が用いられる。ラジカル重合開始剤は、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選定される。
有機過酸化物としては、高い反応性と長いポットライフとを両立する観点から、10時間半減期温度が40℃以上、かつ、1分間半減期温度が180℃以下である有機過酸化物が好ましく、10時間半減期温度が60℃以上、かつ、1分間半減期温度が170℃以下である有機過酸化物がより好ましい。また、有機過酸化物は、回路部材の回路電極(接続端子)の腐食を防止するために、塩素イオンや有機酸の含有量が5000質量ppm以下であることが好ましい。さらに、有機過酸化物は、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。
有機過酸化物としては、具体的には、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド及びシリルパーオキサイドからなる群より選ばれる1種以上の有機過酸化物が好適である。これらの中では、保存時の高い保存安定性と使用時の高い反応性を両立する観点から、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド及びシリルパーオキサイドからなる群より選ばれる1種以上の有機過酸化物がより好ましい。より高い反応性が得られる点で、有機過酸化物が、パーオキシエステル又はパーオキシケタールであることが更に好ましい。
ジアシルパーオキサイドとしては、イソブチルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルへキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニツクパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイドが挙げられる。
パーオキシジカーボネートとしては、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロへキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルへキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネートが挙げられる。
パーオキシエステルとしては、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロへキシル−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−へキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルへキサノネート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロへキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−へキシルパーオキシ−2−エチルへキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルへキサノネート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロへキサン、t−へキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルへキサノネート、t−ブチルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(m−トルオイルパーオキシ)へキサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルへキシルモノカーボネート、t−へキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシアセテートが挙げられる。
パーオキシケタールとしては、1,1−ビス(t−へキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロへキサン、1,1−ビス(t−へキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロへキサン、1,1−(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)デカンが挙げられる。
ジアルキルパーオキサイドとしては、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)へキサン、t−ブチルクミルパーオキサイドが挙げられる。
ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイドが挙げられる。
シリルパーオキサイドとしては、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジビニルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)ビニルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジアリルシリルパーオキサイド、トリス(t−ブチル)アリルシリルパーオキサイドが挙げられる。
これらの有機過酸化物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
有機過酸化物を用いる場合、さらに分解促進剤、抑制剤等を組み合わせて用いてもよい。また、これらの有機過酸化物は、ポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものであると、可使時間が延長されるために好ましい。
また、アゾ化合物としては、例えば、2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1−フェニルエタン)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、4,4’−アゾビス(4−シアノバレリン酸)及び1,1’−アゾビス(1−シクロヘキサンカルボニトリル)が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
ラジカル重合開始剤の配合割合は、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜設定できる。例えば、接続時間を10秒以下とした場合、十分な反応率を得るために、ラジカル重合開始剤の配合割合は、接着剤成分の合計100質量部に対して、0.1〜30質量部であることが好ましく、1〜20質量部であることがより好ましい。ラジカル重合開始剤の配合割合が0.1質量部未満であると、反応率が低下するため、接着強度が低下したり、接続抵抗が高くなったりする傾向にある。ラジカル重合開始剤の配合割合が30質量部を超えると、回路部材接続用接着剤の流動性が低下したり、接続抵抗が上昇したり、回路部材接続用接着剤のポットライフが短くなったりする傾向にある。
樹脂組成物において、ゴム変性フェノキシ樹脂と架橋性成分との質量比は好ましくは1/99〜99/1(両者の合計が100)であり、より好ましくは10/90〜90/10である。上記質量比が1/99未満では、フィルム形成性や応力吸収能を発揮することが困難となる傾向にあり、99/1を超えると耐熱性が低下する傾向にある。
なお、本発明の樹脂組成物は、上記ゴム変性フェノキシ樹脂の他に、側鎖にゴム成分を有するポリエーテル樹脂を更に含むこともできる。このようなポリエーテル樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。
本発明の樹脂組成物を回路部材接続用接着剤として用いる場合、樹脂組成物が導電性粒子を含有しなくても、接続時に相対向する回路電極の直接接触により接続が得られる。一方、導電性粒子を含有した場合、より安定した接続が得られるので好ましい。
本発明において必要に応じて含まれる導電性粒子は、電気的接続を得ることができる導電性を有するものであれば特に制限されない。導電性粒子としては、Au、Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン等が挙げられる。また、導電性粒子は、核となる粒子を1層又は2層以上の層で被覆し、その最外層が導電性を有するものであってもよい。この場合、より優れたポットライフを得る観点から、最外層が、Ni、Cuなどの遷移金属よりも、Au、Ag及び/又は白金族金属などの貴金属を主成分とすることが好ましく、これらの貴金属の少なくとも1種以上からなることがより好ましい。これらの貴金属の中では、Auが最も好ましい。
導電性粒子は、核としての遷移金属を主成分とする粒子又は核を被覆した遷移金属を主成分とする層の表面を、更に貴金属を主成分とする層で被覆してなるものであってもよい。また、導電性粒子は、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を主成分とする絶縁性粒子を核とし、この核の表面に上記金属又はカーボンを主成分とする層で被覆したものであってもよい。
導電性粒子が、絶縁性粒子である核を導電層で被覆してなるものである場合、絶縁性粒子がプラスチックを主成分とするものであり、最外層が貴金属を主成分とするものであると好ましい。これにより、接着剤組成物を回路接続材料等の電気的接続材料として用いた場合、導電性粒子が加熱及び加圧に対して良好に変形することができる。しかも、回路等の接続時に、導電性粒子の電極や接続端子との接触面積が増加する。そのため、電気的接続材料の接続信頼性を更に向上させることができる。同様の観点から、導電性粒子が、上記加熱により溶融する金属を主成分として含む粒子であると好ましい。
導電性粒子が、絶縁性粒子である核を導電層で被覆してなるものである場合、一層良好な導電性を得るために、導電層の厚みは100Å(10nm)以上であると好ましい。また、導電性粒子が、核としての遷移金属を主成分とする粒子又は核を被覆した遷移金属を主成分とする層の表面を、更に貴金属を主成分とする層で被覆してなるものである場合、最外層となる上記貴金属を主成分とする層の厚みは300Å(30nm)以上であると好ましい。この厚みが300Åを下回ると、最外層が破断しやすくなる。その結果、露出した遷移金属が接着剤成分と接触し、遷移金属による酸化還元作用により遊離ラジカルが発生しやすくなるため、ポットライフが容易に低下する傾向にある。一方、上記導電層の厚みが厚くなるとそれらの効果が飽和してくるので、その厚みを1μm以下にするのが好ましい。
導電性粒子を用いる場合の配合割合は、特に制限を受けないが、接着剤組成物100体積部に対して0.1〜30体積部であることが好ましく、0.1〜10体積部であることがより好ましい。この値が、0.1体積部未満であると良好な導電性が得られ難くなる傾向にあり、30体積部を超えると回路等の短絡が起こりやすくなる傾向がある。なお、導電性粒子の配合割合(体積部)は、23℃における接着剤組成物を硬化させる前の各成分の体積に基づいて決定される。各成分の体積は、比重を利用して重量から体積に換算する方法や、その成分を溶解したり膨潤させたりせず、その成分をよくぬらす適当な溶媒(水、アルコール等)を入れたメスシリンダー等の容器にその成分を投入し、増加した体積から算出する方法によって求めることができる。
本発明の樹脂組成物は、絶縁性無機フィラーや絶縁性無機ウィスカーを含有することもできる。これにより、硬化物の熱膨張係数及び吸水率がより低減される。
絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むフィラーが用いられる。これらの中でも、ガラス、シリカ、アルミナ及び酸化チタンが好ましく、ガラス、シリカ及びアルミナがより好ましい。ウィスカーとしては、例えば、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むものが用いられる。これらのフィラーは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
フィラーの形状は特に限定されないが、球状である場合、その粒径はフィラーが電極間に捕捉されて電気的な接続を阻害することを防止するため、10μm以下であることが好ましい。また、導電性粒子と併用する場合には、フィラーの平均粒径は導電性粒子の平均粒径より小さいことが好ましい。
フィラーの配合量は、ゴム変性樹脂及び架橋性樹脂成分の合計量100質量部に対して、好ましくは25〜300質量部であり、より好ましくは50〜200質量部である。25質量部より少ないと熱膨張係数を小さくする効果が低下する傾向があり、300質量部より多いと硬化前の樹脂組成物が脆くなって、フィルムの取り扱い性が低下する傾向がある。
フィラーの接着力を向上させる目的で、シラン系又はチタン系のカップリング剤を樹脂組成物に含有させてもよい。カップリング剤の配合量は、フィラー100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましい。
本実施形態に係る樹脂組成物は、フィルム状の形態で接着剤として用いられる場合に特に有用である。樹脂組成物を有機溶媒に溶解又は分散させてワニスを調製し、これを剥離性支持基材に塗布して硬化剤の活性温度以下で溶媒を除去する方法により、樹脂組成物をフィルム状に成形することができる。このとき用いる溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、酸素原子含有有機溶媒又はこれらの混合溶媒が好ましい。
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンが挙げられる。分子中に酸素原子を含む酸素原子含有有機溶媒としては、例えば、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
(回路接続構造体)
図3は、本発明に係る回路接続構造体の一実施形態を示す断面図である。図3に示す回路接続構造体1は、対向する1対の回路部材20,30が、接続部10を介して接着及び接続された構成を有する。回路部材20は回路基板21及びこれの主面上に形成された複数の回路電極22を有し、回路部材30は回路基板31及びこれの主面上に形成された複数の回路電極32を有する。回路部材20,30は、回路電極22及び回路電極32が互いに対向配置されるように配置されている。対向配置された回路電極同士が電気的に接続されている。
接続部10は、上記実施形態に係る樹脂組成物を回路部材接続用接着剤として用いて形成されている。すなわち、接続部10は回路部材接続用接着剤の硬化物からなる。より詳細には、接続部10は、ゴム変性フェノキシ樹脂及び架橋性樹脂成分等から形成されたマトリックス11と、マトリックス11内に分散している導電性粒子12とから構成される。
回路基板21,31としては、ガラス、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、セラミックなどの絶縁基板が用いられる。
回路基板21,31が絶縁基板である場合、回路電極22,32は、絶縁基板の表面に形成された銅などの金属層又はITOなどの金属酸化物の一部をエッチングにより除去する方法や、めっきによる方法、導電性物質の印刷による方法により形成される。この場合、回路電極22,32は、好ましくは、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属、又はインジウム、スズ、亜鉛、ビスマスの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含む。回路電極22,32は、複数の異なる組成の金属層が積層された構造を有していてもよい。
あるいは、回路電極が形成された半導体チップを一方又は両方の回路部材として用いることもできる。この場合、回路部材接続用接着剤をフリップチップ接続方式におけるアンダーフィル材として機能させることができる。このときの回路電極は通常アルミニウムから構成されるが、その表面に金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、鉛、ビスマス等の金属層がめっきによって形成されていてもよい。
半導体チップの回路電極はバンプと呼ばれる突起電極を有していてもよい。バンプとしては、金属ワイヤを用いて形成されるスタッドバンプや、場合により超音波を併用しながら加熱及び加圧して半導体チップの電極に金属ボールを固定したもの、めっき、蒸着によって形成されたものがある。あるいは、導電性ペーストを印刷することによってバンプが形成されていてもよい。
バンプは、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、鉛、ビスマスなどの単一の金属で構成されてもよいし、複数の金属成分を含んでいてもよい。バンプは、組成の異なる金属層が積層された構成であってもよい。
回路接続構造体1は、例えば、対向配置された1対の回路部材20,30及びこれらの間に介在する回路部材接続用接着剤を有する積層体を加熱及び加圧することにより、回路部材接続用接着剤として接続部10を形成させる工程を備える製造方法により得ることができる。
この場合、回路部材接続用接着剤を回路部材20,30の表面に供給する位置や面積は任意であるが、回路電極22,32の少なくとも一部を覆うように供給することが好ましい。回路部材接続用接着剤がフィルム状である場合、個片に切り出したフィルムを回路部材に加熱及び加圧によって予め貼り付けてもよい。
回路部材が半導体チップである場合、半導体ウエハにフィルム状の接着剤をロールラミネータなどで貼り付けてからダイシングすることによって、フィルム状の接着剤が貼り付けられた半導体チップを作製し、これを上記工程において用いることもできる。
回路電極同士を接続する際には、積層体を加圧及び加熱するとともに超音波振動を印加して、回路電極同士を金属接合させる方法も用いることができる。加圧及び加熱により回路部材接続用接着剤をある程度硬化した後、再度オーブン中で加熱することによって硬化反応をさらに進行させてもよい。
本実施形態に係る樹脂組成物は、フリップチップ接続方式におけるアンダーフィル材として使用できるだけでなく、半導体チップの回路形成面を上に向けて基板表面に接着固定し、金ワイヤなどで半導体チップの電極と基板の配線パターンを電気的に接続するワイヤボンディング方式において、チップと基板を接着するための接着剤としても用いることができる。また、半導体チップを多段に積層するスタックドパッケージにおいて、半導体チップ同士を接着固定するための接着剤としても用いることができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。
以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(合成例1)
<ポリヒドロキシポリエーテル樹脂(B)の合成>
4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール(シグマアルドリッチジャパン社製)45g、及び3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル(ジャパンエポキシレジン社製、商品名「YX−4000H」)50gを、ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、及び攪拌モーターに接続されたフッ素樹脂製攪拌棒を装着した3000mLの3つ口フラスコ中でN−メチルピロリドン1000mLに溶解して反応液とした。反応液に炭酸カリウム21gを加え、マントルヒーターで110℃に加熱しながら攪拌した。3時間攪拌後、反応液を1000mLのメタノールが入ったビーカーに滴下し、生成した沈殿物を吸引濾過することによって回収した。回収した沈殿物をさらに300mLのメタノールで3回洗浄して、下記化学式(V)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシポリエーテル樹脂(以下、「樹脂(B)」という。)75gを得た。式(V)中、nは正の整数を示す。
Figure 0004831086
樹脂(B)の分子量を東ソー社製高速液体クロマトグラフ「GPC8020」を用いて下記条件で測定した。その結果、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は42500であった。また、メタノールに滴下する直前の反応液から10gの溶液を採り、0.1Nの水酸化ナトリウムで滴定した結果、溶液の酸価は0.3以下であった。
(測定条件)
カラム:TSKgDlG3000HXL+TSKgDlG4000HXL(東ソー社製、商品名)
流量:1.0ml/min
測定温度:25℃
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
(実施例1)
<ゴム変性フェノキシ樹脂(A)の合成>
上記樹脂(B)330.7g、両末端にカルボキシル基を有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体(以下、「樹脂(C)」という)(宇部興産社製、商品名「CTBNX1009−SP」、Mw:16800)69.3gをジメチルアセトアミド(DMAc)385.7gに溶解し、窒素雰囲気下、156℃で10時間反応させた。この反応溶液を室温(25℃)まで冷却した後に、多量の水に滴下し、生成した沈殿物をろ過して、乾燥させて樹脂粉末を得た。この樹脂粉末を粉砕し、水で洗浄後、減圧濾過し、減圧乾燥して、ゴム変性フェノキシ樹脂(A)の粉末を得た。ゴム変性フェノキシ樹脂(A)の収量は、388.0g(収率97%)であった。
ゴム変性フェノキシ樹脂(A)の分子量を上記条件で測定した結果、Mwが59300であった。また、反応前後の溶液の酸価は、反応前6.6から反応終了後3.2へ変化した。
(比較例1)
<ゴム変性ブチラール樹脂(D)>
ポリビニルブチラール樹脂(E)(電気化学社製、商品名「デンカブチラール3000K」)496g、樹脂(C)104gをDMAc1157gに溶解し、窒素雰囲気下156℃で6時間反応させた。この反応溶液を室温(25℃)まで冷却後、多量の水に滴下し、生成した沈殿物をろ過して、乾燥し樹脂粉末を得た。上記樹脂粉末を粉砕し、水で洗浄し、減圧濾過した後に、減圧乾燥して、樹脂494gを得た。
上記樹脂の分子量を測定した結果、原料であるポリビニルブチラール樹脂(E)のピークと完全に一致した。また、反応前後の溶液の酸価は、反応前後で6.0と変化がなかった。以上のことから、ゴム変性ができず(反応が進行しない)、ゴム変性ブチラール樹脂(D)が得られないことがわかった。
実施例1のようにフェノキシ樹脂を用いた場合、ゴム変性反応が進行し、ゴム変性フェノキシ樹脂が得られた。これに対して、比較例1のようにブチラール樹脂を用いた場合、ゴム変性反応が進行しなかった。
[樹脂組成物の調製及びフィルム状回路部材接続用接着剤の作製]
表1に示す配合量で各成分を混合し、実施例2〜6及び比較例2〜4の樹脂組成物のワニスを調製し、フィルム状の回路部材接続用接着剤をそれぞれ作製した。
(実施例2〜5)
ゴム変性フェノキシ樹脂として、実施例1で合成した樹脂(A)、架橋性成分としてラジカル重合性化合物であるイソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート(H、東亞合成社製、商品名「M−313」)及びウレタンアクリレート(I、新中村化学工業社製、商品名「UA−511」)、ラジカル重合開始剤であるn−ブチル4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレート(J、日本油脂社製、商品名「TMH」)、導電性粒子としてNi/Auめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)、さらにシランカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(K、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、商品名「SZ6030」)、溶媒として2−ブタノンを準備した。これらを表1に示す配合量(質量部)で混合し、樹脂組成物のワニスを調製した。
次いで、上記樹脂組成物のワニスをセパレータフィルムであるPETフィルム上にロールコータを用いて塗布し、70℃のオーブンで5分間乾燥させて、厚さ25μmのフィルム状の回路部材接続用接着剤を作製した。
(実施例6)
架橋成分としてフェノールノボラック型エポキシ樹脂(L、ジャパンエポキシレジン社製、商品名「EP1032H60」)と、潜在性硬化剤(M、旭化成)社製、商品名「HP3941」)、溶媒としてトルエン−酢酸エチル混合溶媒(質量比1:1)を用いた以外は実施例2〜5と同様にして、フィルム状の回路部材接続用接着剤を作製した。
(比較例2、3)
樹脂(A)に代えて樹脂(B)及び樹脂(C)を用いた以外は、実施例2〜5と同様にして、フィルム状の回路部材接続用接着剤を作製した。
(比較例4)
樹脂(A)に代えて樹脂(B)及び樹脂(C)を用いた以外は、実施例6と同様にして、フィルム状の回路部材接続用接着剤を作製した。
Figure 0004831086
[回路部材接続用接着剤の評価]
実施例2〜6及び比較例2〜4で作製したフィルム状回路部材接続用接着剤の評価を以下の手順で行った。評価結果を表2に示す。なお、弾性率及びガラス転移温度(Tg)の評価では、フィルム状回路部材接続用接着剤を180℃のオーブン中で1時間加熱して硬化したものを硬化フィルムとして用いた。
<弾性率及びガラス転移温度の測定>
10mm×35mmの大きさに切り出した硬化フィルムを試験片として、セイコーインスツルメント社製「DMS6100」(商品名)を用いてDMS法による弾性率(40℃及び100℃)及びガラス転移温度(tanδが極大となる温度)を測定した。測定条件は、チャック間距離10mm、周波数10Hz、測定温度範囲0〜250℃、昇温速度5.0℃/minとした。
[回路接続構造体の作製1]
外形17mm×1.7mm、バンプ面積50μm×50μm、ピッチ100μm、高さ15μmの金バンプを配置したICチップと、厚み0.5mmのガラス上にインジュウム−錫酸化物(ITO)を形成したITO基板(表面抵抗率20Ω/□以下)とを準備した。このICチップとITO基板との間に、実施例2〜5及び比較例2で得られたフィルム状回路部材接続用接着剤を配置し、これらを石英ガラスと加圧ヘッドとで挟んで、170℃、50MPa(バンプ面積換算)で8秒間加熱加圧して、ICチップとITO基板との接続を行った。このとき、フィルム状回路部材接続用接着剤は、あらかじめITO基板上にフィルム状回路部材接続用接着剤の接着面を70℃、0.5MPa(バンプ面積換算)で3秒間加熱加圧して貼り付け、その後、PETフィルムを剥離してICチップと上記の温度及び圧力条件で接続した。これにより、実施例2〜5及び比較例2、3のフィルム状回路部材接続用接着剤を用いたICチップ/ITO接続構造をそれぞれ作製した。
[回路接続構造体の作製2]
実施例6及び比較例4のフィルム状回路部材接続用接着剤を用い、フィルム状回路部材接続用接着剤とICチップとの接続を190℃、80MPa(バンプ面積換算)で10秒間加熱加圧することで行った以外は上記回路接続構造体の作製1と同様にして、ICチップとITO基板との接続を行った。これにより、実施例6及び比較例4のフィルム状回路部材接続用接着剤を用いたICチップ/ITO接続構造をそれぞれ作製した。
<接続抵抗の測定>
上記回路接続構造体の作製1、2により、実施例2〜6及び比較例2〜4の回路部材接続用接着剤を用いたICチップ/ITO接続構造をそれぞれ10個ずつ作製した。このICチップ/ITO接続構造の接続直後の接続抵抗(初期接続抵抗)と、高温高湿試験(85℃、85%RH)を500時間行った後の接続抵抗(高温高湿試験後接続抵抗)とを四端子法で測定した。測定結果の平均値をそれぞれ表2に示す。なお、10個のうち1個でも接続抵抗が大きすぎて測定できないものがある場合には、OPEN不良とした。
<接着強度の測定>
図4は、本明細書における接着強度の測定方法を示す模式図である。上記接続構造体の作製1,2により、実施例2〜6及び比較例2〜4のフィルム状回路部材接続用接着剤を用いたICチップ/ITO接続構造体をそれぞれ10個ずつ作製した。このICチップ/ITO接続構造体について、接続直後のせん断接着強度をボンドテスタ(Dyge社製4000)を用いて測定した。図4に示すように、接続構造体を室温(25℃)の測定台9上に載せ、ロードセルに接続された引っ掛け治具6をICチップ35に引っ掛けて矢印の方向に引っ張ることによって測定する。この時の最大応力を接着強度とした。測定結果の平均値をそれぞれ表2に示す。
<反り量の測定>
図5は、反り量の測定方法を示す模式断面図である。上記接続構造体の作製1,2により、実施例2〜6及び比較例2〜4の接着剤フィルムを用いたICチップ/ITO接続構造体をそれぞれ10個ずつ作製した後に、図5に示すようにITO基板の裏側にICチップの中心にから12.5mm離れた場所までの高さを測定し、それぞれの高さの差がもっとも大きい値(L)を反り量の指標とした。測定結果の平均値をそれぞれ表2に示す。
Figure 0004831086
実施例2〜3で得られた樹脂組成物は加熱温度170℃において、比較的良好な反り量を示し、接着直後及び高温高湿槽中に500時間保持した後で、良好な接続抵抗を示した。また実施例4〜5では、非常に低い反り量を示し、接着直後及び高温高湿槽中に500時間保持した後で、比較的良好な接続抵抗を示した。それに対して、比較例2、3では、反り量は比較的良好なものの、高温高湿処理後の接続抵抗値の大幅な上昇がみられた。実施例6で得られた樹脂組成物は加熱温度190℃において、接着直後及び高温高湿槽中に500時間保持した後で、比較的良好な接続抵抗を示した。それに対して、比較例4では高温高湿処理後の接続抵抗値の大幅な上昇がみられた。
従来の接続構造体の接続方法を示す模式断面図である。 接続構造体における反りが発生するメカニズムを示す模式断面図である。 本発明に係る回路接続構造体の一実施形態を示す模式断面図である。 接着強度の測定方法を示す模式図である。 反り量の測定方法を示す模式断面図である。
符号の説明
1…回路接続構造体、4…圧着ツール、5…圧着ステージ、6…引っ掛け治具、9…測定台、10…接続部、11…マトリックス、12…導電性粒子、15…接続層、20,30…回路部材、21,31…回路基板、22,32…回路電極、25…ガラス基板、35…ICチップ。

Claims (7)

  1. 回路基板及び該回路基板の主面上に形成された回路電極を有し、それぞれの回路電極同士が対向配置されるように配置された1対の回路部材を、対向配置された回路電極同士が電気的に接続されるように接着するために用いられる回路部材接続用接着剤であり、
    ゴム変性フェノキシ樹脂と、架橋性成分と、を含む樹脂組成物からなり、
    前記ゴム変性フェノキシ樹脂が、下記一般式(III)で表される化学構造を含み、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5000〜100万である、回路部材接続用接着剤。
    Figure 0004831086
    [式(III)中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数6の環状アルキル基、アリール基、アラルキル基又はハロゲン原子を示し、R、R、R、R、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基又はハロゲン原子を示し、Rは下記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、R’は水素原子又は下記式(II)で表されるゴム構造を含む基を示し、xは正の整数を示し、y、及びzは0又は正の整数を示す。]
    Figure 0004831086
  2. 前記架橋性成分がラジカル重合性化合物及びラジカル重合開始剤を含有する、請求項1に記載の回路部材接続用接着剤
  3. 前記架橋性成分がエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する、請求項1又は2に記載の回路部材接続用接着剤
  4. 前記樹脂組成物がフィルム状である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤
  5. 前記樹脂組成物が導電性粒子を更に含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤
  6. 前記樹脂組成物が絶縁性無機フィラー又は絶縁性無機ウィスカーを更に含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤
  7. 回路基板及び該回路基板の主面上に形成された回路電極を有し、それぞれの回路電極同士が対向配置されるように配置された1対の回路部材と、
    当該1対の回路部材の間に介在し、対向配置された回路電極同士が電気的に接続されるように当該1対の回路部材同士を接着している接続部と、
    を備え、
    前記接続部が、請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤によって形成されている、回路接続構造体。
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JP3809273B2 (ja) * 1998-03-25 2006-08-16 東都化成株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP4794703B2 (ja) * 1998-03-31 2011-10-19 日立化成工業株式会社 回路接続材料、回路端子の接続構造および回路端子の接続方法
WO2000046315A1 (fr) * 1999-02-08 2000-08-10 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesif, structure de connexion d'electrodes, et procede de connexion d'electrodes
JP2002327162A (ja) * 2001-03-01 2002-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2003257247A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造

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