JP2013045755A - 絶縁材料、積層体及び接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化物の接着力に優れており、更に耐マイグレーション性に優れた積層体及び接続構造体を得ることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の該第１の電極上と複数の該第１の電極間の隙間上とに、複数の該第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するための絶縁材料に関する。また、本発明は、該絶縁材料を用いた積層体及び接続構造体に関する。

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、電子部品の主面上に突出して形成された突出電極を実装基板上に形成された接続用電極に接続させ、上記主面を上記実装基板に対向させた状態で上記電子部品を上記実装基板上に実装する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献１に記載の接続構造体の製造方法は、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が上記主面上に形成された上記電子部品を準備する電子部品準備工程と、上記実装基板上に、絶縁性の接着剤基材及び該接着剤基材中に分散された導電性粒子を含む異方導電接着剤層を形成する実装基板準備工程と、上記電子部品準備工程で準備された上記電子部品と上記実装基板準備工程で準備された実装基板とを加圧し圧着させる電子部品圧着工程とを備える。

上記電子部品準備工程では、上記電子部品の上記絶縁性接着剤層の厚みが、上記突出電極の高さと略同じに形成される。上記実装基板準備工程では、上記異方導電接着剤層の厚みが、上記導電性粒子の粒径と略同じに形成される。

また、特許文献１では、上記絶縁接着剤層に用いられる成分としては、反応性樹脂、潜在性硬化剤、有機溶剤、無機質充填材及びゴム粒子等が記載されている。

特開２００９−１４７２３１号公報

特許文献１に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、得られる接続構造体において、上記電子部品と上記実装基板との剥離が生じやすいという問題がある。特に、上記絶縁接着剤層の硬化物と上記電子部品との接着部分で剥離が生じやすいという問題がある。さらに、得られる接続構造体において、電極間でマイグレーションが生じて、絶縁不良が生じやすいという問題がある。

さらに、特許文献１に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層の厚みが突起電極の高さと略同じであり、かつ異方導電接着剤層の厚みが導電性粒子の粒径と略同じである。このため、圧着工程にて、絶縁性接着剤層及び異方導電接着剤層の流動がほとんど発生しない。従って、絶縁性接着剤層と異方導電接着剤層との間や、上記突出電極と異方導電接着剤層との間に発生したボイドを排除することが困難であり、更に絶縁信頼性を十分に得ることが困難である。

本発明の目的は、硬化物の接着力に優れており、更に耐マイグレーション性に優れた接続構造体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体及び接続構造体を提供することである。

本発明の限定的な目的は、保存安定性に優れている絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体及び接続構造体を提供することである。

本発明の限定的な目的は、絶縁材料がフィルム状である場合に、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材に対するラミネート性を良好にすることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体及び接続構造体を提供することである。

本発明のさらに限定的な目的は、絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体及び接続構造体を提供することである。

本発明の広い局面によれば、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含む、絶縁材料が提供される。

本発明に係る絶縁材料のある特定の局面では、上記ラジカル重合性化合物は、エポキシ（メタ）アクリレートを含む。

本発明に係る絶縁材料の他の特定の局面では、上記エポキシ（メタ）アクリレートは、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を有する。

本発明に係る絶縁材料の他の特定の局面では、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、上記ラジカル重合性官能基を１つ有する。

本発明に係る絶縁材料の別の特定の局面では、上記第１の接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップである。

本発明に係る絶縁材料のさらに別の特定の局面では、上記第１の電極は銅電極である。

本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、該絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。

本発明に係る積層体のある特定の局面では、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層がさらに備えられ、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。

本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、該絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、該硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されており、上記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されている。

本発明に係る絶縁材料は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含むので、硬化物の接着力に優れている。さらに、本発明に係る絶縁材料の使用により、耐マイグレーション性に優れた接続構造体を得ることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。 図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。 図５（ａ）〜（ｃ）は、図４に示す接続構造体の製造に用いられる第２の接続対象部材とＢステージ化異方性導電層とを有する第２の積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。 図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。 図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（絶縁材料）
本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は絶縁性を有する。本発明に係る絶縁材料は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含む。

本発明に係る絶縁材料が上記組成を有することで、絶縁材料を硬化させた硬化物（絶縁層）の接着力が高くなる。さらに、耐マイグレーション性に優れた接続構造体を得ることができる。特に、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層して積層体を得て、更に該積層体を用いて接続構造体を得たときに、得られた接続構造体において剥離が生じ難くなり、かつ耐マイグレーション性が良好になる。さらに、本発明に係る絶縁材料が上記組成を有することで、該絶縁材料の保存安定性が高くなる。

上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成された硬化物層を介して、第２の接続対象部材が配置されることが好ましい。該第２の接続対象部材は、複数の第２の電極を表面に有することが好ましい。

上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体ウェーハ、半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及びガラスエポキシ基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。

上記第１の接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップであることが好ましい。

上記第１，第２の電極はそれぞれ、例えば、ＩＴＯ又は金属等により形成される。上記第１の電極は銅電極であることが好ましい。銅電極の使用により、接続抵抗が低くなる。銅電極は腐食及び酸化しやすく、マイグレーションが問題となりやすい。これに対して、本発明に係る絶縁材料を用いて銅電極を覆うように上記絶縁層を配置することによって、銅電極の腐食及び酸化を抑制し、耐マイグレーション性を効果的に高めることができる。また、銅電極以外であっても、上記第１の電極を覆うように上記絶縁層を配置することにより、上記第１の電極が大気中の腐食性ガスなどに接触して劣化するのを抑制でき、更に耐マイグレーション性を高めることができる。

以下、上記絶縁材料に含まれている各材料の詳細を説明する。

［ポリエーテルエステルアミド樹脂］
上記絶縁材料に含まれているポリエーテルエステルアミド樹脂は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有する。上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、アミド結合を有する。

上記ラジカル重合性官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基及びマレイミド基等が挙げられる。中でも、反応性に優れることから、（メタ）アクリロイル基が好ましい。

硬化物の接着力をより一層良好にする観点からは、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、アミド結合を主鎖に有することが好ましい。硬化物の接着力をより一層良好にする観点からは、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、下記式（Ｘ）で表される構造単位を有することが好ましい。

上記式（Ｘ）中のＲは、炭素数３〜６の炭化水素基を表し、ｎは２〜５０の整数を表す。上記炭化水素基はアルキレン基であることが好ましい。

絶縁材料の反応性を良好にする観点からは、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、上記ラジカル重合性基を末端に有することが好ましい。絶縁材料の反応性と保存安定性との双方を高める観点からは、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂は、上記ラジカル重合性基を１つ有することが好ましい。

上記ポリエーテルエステルアミド樹脂の数平均分子量は、好ましくは１００００以上、より好ましくは１５０００以上、好ましくは２０００００以下、より好ましくは１５００００以下である。上記数平均分子量が上記下限以上であると、膜形成性がより一層良好になる。上記数平均分子量が上記上限以下であると、高温時の溶融粘度が低下することによるバンプウェーハへのラミネート性が良好になり、また、切削屑が減少することによりダイシング性がより一層良好になる。上記数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定されるポリスチレン換算での数平均分子量を示す。

［ラジカル重合性化合物］
上記絶縁材料に含まれているラジカル重合性化合物は、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有する。該ラジカル重合性化合物は、アミド結合を有さないので、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂とは異なる。

上記ラジカル重合性官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基及びマレイミド基等が挙げられる。中でも、反応性に優れることから、ビニル基又は（メタ）アクリロイル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

ビニル基を有するラジカル重合性化合物としては、酢酸ビニル及びジビニルベンゼン等が挙げられる。

（メタ）アクリロイル基を有するラジカル重合性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

絶縁材料の反応性を良好にする観点からは、上記ラジカル重合性化合物は、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有することが好ましい。絶縁材料の反応性を良好にする観点からは、上記ラジカル重合性化合物は、エポキシ（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。

上記エポキシ（メタ）アクリレートは、エポキシ基を有する化合物のエポキシ基の一部又は全部に（メタ）アクリル酸を反応させることにより得られる。上記エポキシ（メタ）アクリレートは、エポキシ基を有する化合物のエポキシ基の一部又は全部を（メタ）アクリロイル基に変換した化合物である。上記エポキシ（メタ）アクリレートは、（メタ）アクリロイル基を少なくとも１つ有する。絶縁材料の反応性を良好にする観点からは、上記エポキシ（メタ）アクリレートは、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有することが好ましい。上記エポキシ（メタ）アクリレートは、エポキシ基を有していてもよく、エポキシ基を有していなくてもよい。すなわち、上記エポキシ（メタ）アクリレートには、エポキシ基の一部が（メタ）アクリロイル基に変換されずに残存している化合物も含まれる。

上記「（メタ）アクリロイル」はアクリロイルとメタクリロイルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」はアクリレートとメタクリレートとを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。

上記エポキシ基を有する化合物としては、例えば、ノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、トリス（ヒドロキシフェニル）アルキル型エポキシ化合物及びテトラキス（ヒドロキシフェニル）アルキル型エポキシ化合物等が挙げられる。

上記エポキシ（メタ）アクリレートは、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。

上記エポキシ（メタ）アクリレートは、下記式（１１−１）、（１２−１）又は（１３−１）で表されるエポキシ基を有する化合物のエポキシ基の一部又は全部を（メタ）アクリロイル基で置換したエポキシ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

上記式（１１−１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は下記式（１１ａ）で表される基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の全てが水素原子であってもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の１個又は２個が下記式（１１ａ）で表される基であり、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の下記式（１１ａ）で表される基ではない基は水素原子であってもよい。

上記式（１１ａ）中、Ｒ７は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

上記式（１２−１）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の４〜６個の基は水素原子を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は、下記式（１２ａ）で表される基を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の全てが水素原子であってもよい。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の１個又は２個が下記式（１２ａ）で表される基であり、かつＲ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の下記式（１２ａ）で表される基ではない基は水素原子であってもよい。

上記式（１２ａ）中、Ｒ２９は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

上記式（１３−１）中、Ｒ４１及びＲ４２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の６〜８個の基は水素原子を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は、下記式（１３ａ）で表される基を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の全てが水素原子であってもよい。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の１個又は２個が下記式（１３ａ）で表される基であり、かつＲ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の下記式（１３ａ）で表される基ではない基は水素原子であってもよい。

上記式（１３ａ）中、Ｒ５１は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

絶縁材料をより一層速やかに硬化させる観点からは、上記式（１１−１）で表されるエポキシ基を有する化合物は、下記式（１１）で表されるエポキシ基を有する化合物であることが好ましく、上記式（１２−１）で表されるエポキシ基を有する化合物は、下記式（１２）で表されるエポキシ基を有する化合物であることが好ましく、上記式（１３−１）で表されるエポキシ基を有する化合物は、下記式（１３）で表されるエポキシ基を有する化合物であることが好ましい。

上記式（１１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素原子を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は上記式（１１ａ）で表される基を表す。

上記式（１２）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の４〜６個の基は水素原子を表し、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は、上記式（１２ａ）で表される基を表す。

上記式（１３）中、Ｒ４１及びＲ４２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の６〜８個の基は水素原子を表し、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は、上記式（１３ａ）で表される基を表す。

上記式（１１−１）、（１２−１）又は（１３−１）、並びに上記式（１１）、（１２）又は（１３）で表されるエポキシ基を有する化合物はいずれも、エポキシ基を少なくとも２個有する。また、エポキシ基を有する基が、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環に結合されている。このような構造を有するので、該エポキシ基を有する化合物のエポキシ基の一部又は全部に（メタ）アクリル酸を反応させることにより得られるエポキシ（メタ）アクリレートを含む絶縁材料を加熱することにより、該絶縁材料を速やかに硬化させることができる。中でもナフタレン環は、平面構造を有するためにより速やかに硬化させることができるので好ましい。

上記式（１１）で表されるエポキシ基を有する化合物の一部又は全部に（メタ）アクリル酸を反応させることにより得られるエポキシ（メタ）アクリレートとしては、下記式（１Ａ）、下記式（１Ｂ）又は（１Ｃ）で表されるエポキシ（メタ）アクレートが挙げられる。

上記式（１Ａ）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は下記式（１ａ）又は下記式（１ｂ）で表される基を表す。Ｒ８及びＲ９はそれぞれ水素原子又はメチル基を表す。上記式（１Ａ）で表されるエポキシ（メタ）アクリレートがエポキシ基を有さない場合には、上記式（１Ａ）中のＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は下記式（１ｂ）で表される基を表す。

上記式（１Ｂ）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は下記式（１ａ）又は下記式（１ｂ）で表される基を表す。Ｒ８は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（１Ｃ）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素原子ではない基は下記式（１ａ）又は下記式（１ｂ）で表される基を表す。Ｒ９は水素原子又はメチル基を表す。但し、上記式（１Ｃ）で表されるエポキシ（メタ）アクリレートは、上記式（１Ｂ）で表されるエポキシ（メタ）アクリレートとは異なる。

上記式（１ａ）中、Ｒ７は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

上記式（１ｂ）中、Ｒ７は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ１０は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（１２）で表されるエポキシ基を有する化合物の一部又は全部に（メタ）アクリル酸を反応させることにより得られるエポキシ（メタ）アクリレートとしては、下記式（２Ａ）、下記式（２Ｂ）又は下記式（２Ｃ）で表されるエポキシ（メタ）アクレートが挙げられる。

上記式（２Ａ）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の４〜６個の基は水素原子を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は、下記式（２ａ）又は下記式（２ｂ）で表される基を表す。Ｒ３０及びＲ３１はそれぞれ水素原子又はメチル基を表す。上記式（２Ａ）で表されるエポキシ（メタ）アクリレートがエポキシ基を有さない場合には、上記式（２Ａ）中のＲ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は下記式（２ｂ）で表される基を表す。

上記式（２Ｂ）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の４〜６個の基は水素原子を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は、下記式（２ａ）又は下記式（２ｂ）で表される基を表す。Ｒ３０は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（２Ｃ）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の６個の基の内の４〜６個の基は水素原子を表す。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８の内の水素原子ではない基は、下記式（２ａ）又は下記式（２ｂ）で表される基を表す。Ｒ３１は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（２ａ）中、Ｒ２９は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

上記式（２ｂ）中、Ｒ２９は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ３２は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（１３）で表されるエポキシ基を有する化合物の一部又は全部に（メタ）アクリル酸を反応させることにより得られるエポキシ（メタ）アクリレートとしては、下記式（３Ａ）、下記式（３Ｂ）又は下記式（３Ｃ）で表されるエポキシ（メタ）アクレートが挙げられる。

上記式（３Ａ）中、Ｒ４１及びＲ４２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の６〜８個の基は水素原子を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は、下記式（３ａ）又は下記式（３ｂ）で表される基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ水素原子又はメチル基を表す。上記式（３Ａ）で表されるエポキシ（メタ）アクリレートがエポキシ基を有さない場合には、上記式（３Ａ）中のＲ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は下記式（３ｂ）で表される基を表す。

上記式（３Ｂ）中、Ｒ４１及びＲ４２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の６〜８個の基は水素原子を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は、下記式（３ａ）又は下記式（３ｂ）で表される基を表す。Ｒ５２は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（３Ｃ）中、Ｒ４１及びＲ４２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の８個の基の内の６〜８個の基は水素原子を表す。Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９及びＲ５０の内の水素原子ではない基は、下記式（３ａ）又は下記式（３ｂ）で表される基を表す。Ｒ５３は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（３ａ）中、Ｒ５１は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。

上記式（３ｂ）中、Ｒ５１は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ５３は水素原子又はメチル基を表す。

上記式（１１−１）、式（１１）、式（１Ａ）、式（１Ｂ）及び式（１Ｃ）中のＲ１及びＲ２、上記式（１２−１）、式（１２）、式（２Ａ）、式（２Ｂ）及び式（２Ｃ）中のＲ２１及びＲ２２、上記式（１３−１）、式（１３）、式（１３Ａ）、式（１３Ｂ）及び式（１３Ｃ）中のＲ５１及びＲ５２、上記式（１１ａ）、式（１ａ）及び式（１ｂ）中のＲ７、上記式（１２ａ）、式（２ａ）及び式（２ｂ）中のＲ２９、並びに上記式（１３ａ）、式（３ａ）及び式（３ｂ）中のＲ５１はいずれも、炭素数１〜５のアルキレン基である。該アルキレン基の炭素数が５を超えると、上記エポキシ（メタ）アクリレートの硬化速度が低下しやすくなる。該炭素数１〜５のアルキレン基はいずれも、炭素数１〜３のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。上記アルキレン基は直鎖構造を有するアルキレン基であってもよく、分岐構造を有するアルキレン基であってもよい。

上記ラジカル重合性化合物の分子量は、好ましくは１０００００以下、より好ましくは７００００以下である。上記分子量が上記上限以下であると、高温時の溶融粘度が低下することによるバンプウェーハへのラミネート性がより一層良好になる。「分子量」とは、上記ラジカル重合性化合物が重合体ではない場合、及び上記ラジカル重合性化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記ラジカル重合性化合物が重合体である場合は、数平均分子量を意味する。該数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定されるポリスチレン換算での数平均分子量を示す。

上記ポリエーテルエステルアミド樹脂１００重量部に対して、上記ラジカル重合性化合物の含有量は、好ましくは５０重量部以上、より好ましくは２００重量部以上、好ましくは１０００重量部以下、より好ましくは８００重量部以下である。上記ラジカル重合性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の接着力がより一層良好になり、接続構造体の耐マイグレーション性がより一層良好になる。

上記ラジカル重合性化合物がエポキシ（メタ）アクリレートを含む場合に、上記ポリエーテルエステルアミド樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ（メタ）アクリレートの含有量は、好ましくは１００重量部以上、より好ましくは２００重量部以上、好ましくは１０００重量部以下、より好ましくは７００重量部以下である。上記エポキシ（メタ）アクリレートの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の接着力がより一層良好になり、接続構造体の耐マイグレーション性がより一層良好になる。

［熱ラジカル発生剤］
上記絶縁材料は熱ラジカル発生剤を含むので、電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性が高くなる。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤が使用可能である。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。

上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル−１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボキシレート）、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、２−ｔｅｒｔ−ブチルアゾ−２−シアノプロパン、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）二水和物、及び２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。

上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びＤｉｓｕｃｃｉｎｉｃ ａｃｉｄ ｐｅｒｏｘｉｄｅ等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５―ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクトエート及びｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ（２−エチルヘキシル）パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下である。上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度が、３０℃未満であると、絶縁材料の貯蔵安定性が低下する傾向があり、９０℃を超えると、絶縁材料を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。

上記ポリエーテルエステルアミド樹脂と上記ラジカル重合性化合物との合計１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記絶縁材料が充分に熱硬化する。

［他の成分］
上記絶縁材料は溶剤を含んでいてもよい。上記第１の接続対象部材の表面上に上記絶縁材料を塗布し、乾燥により溶剤を除去して、上記絶縁層を形成してもよい。

上記溶剤としては、脂肪族系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、パラフィン系溶剤及び石油系溶剤等が挙げられる。

上記脂肪族系溶剤としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン及びエチルシクロヘキサン等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、アセトン及びメチルエチルケトン等が挙げられる。上記芳香族系溶剤としては、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記エステル系溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸イソプロピル等が挙げられる。上記エーテル系溶剤としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びジオキサン等が挙げられる。上記アルコール系溶剤としては、エタノール及びブタノール等が挙げられる。上記パラフィン系溶剤としては、パラフィン油及びナフテン油等が挙げられる。上記石油系溶剤としては、ミネラルターペン及びナフサ等が挙げられる。上記溶剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記溶剤を乾燥除去する温度は、用いる溶剤の種類に応じて適宜設定される。上記溶剤を乾燥除去する温度は、例えば、６０〜１３０℃程度である。上記溶剤を乾燥除去する温度が低いほど、第１の接続対象部材の熱劣化を抑制できる。

熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をさらに一層高める観点からは、上記絶縁材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、エラストマー粒子及びシリカ等が挙げられる。該エラストマー粒子としては、ゴム粒子が挙げられる。該ゴム粒子としては、天然ゴム粒子、イソプレンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、スチレンブタジエンゴム粒子、クロロプレンゴム粒子及びアクリロニトリルブタジエンゴム粒子等が挙げられる。上記シリカは、ナノシリカであることが好ましい。上記ナノシリカの平均粒子径は１０００ｎｍ未満である。

上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。

第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記絶縁材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、カップリング剤及び可撓性材料等が挙げられる。

上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

上記絶縁材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。

（積層体及び積層体の製造方法）
本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える。本発明に係る積層体では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。

本発明に係る積層体は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備えていてもよい。該Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。

本発明に係る積層体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備える。本発明に係る積層体の製造方法では、上記絶縁層を上述した絶縁材料により形成する。

本発明に係る積層体の製造方法は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層を積層する工程と、上記異方性導電材料層の溶剤を除去するか又は硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成するＢステージ化工程とをさらに備えていてもよい。

図１に、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。

図１に示す積層体１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａとを備える。

第１の接続対象部材２は表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。絶縁層６Ａは、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに積層されている。複数の第１の電極間２ｂの隙間Ｘは、第１の電極２ｂが無い部分の凹部である。

絶縁層６Ａは、上述した絶縁材料により形成されている。絶縁層６Ａは、導電性粒子を含まない。絶縁層６Ａは、絶縁層６Ａに接している隣り合う複数の第１の電極２ｂ間を絶縁している。

突出した第１の電極２ｂの突出高さは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間Ｘの距離は、好ましくは４μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間の距離は、凹部の幅であり、第１の電極２ｂが設けられていない部分の寸法である。第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下である場合に、従来の接続構造体の製造方法では、特に絶縁層が設けられていない第１の接続対象部材を用いて接続構造体を製造すると、電極間の接続信頼性が特に低くなりやすい。これに対して、本発明に係る積層体（絶縁層付き第１の接続対象部材）を用いて、接続構造体を作製することにより、第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下であっても、接続信頼性が十分に高くなる。特に、上記第１の電極間の隙間の距離が上記上限以下であっても、横方向に隣り合う第１の電極間が導電性粒子により電気的に接続されるのを効果的に抑制できる。

第１の接続対象部材２における突出した第１の電極２ｂ上の絶縁層６Ａの厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。

積層体１は、図２（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、第１の接続対象部材２が半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）である場合の積層体１の製造方法を説明する。

図２（ａ）に示すように、複数の第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）の集合体である第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を用意する。第１の接続対象部材２Ａは表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。第１の電極２ｂが上側となるように第１の接続対象部材２Ａを配置する。

次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２Ａを用いて、複数の第１の電極２ｂ上及び複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上に、複数の第１の電極２ｂを覆うように絶縁層６ＡＡ（分割前絶縁層）を積層する。絶縁層６ＡＡは上述した絶縁材料により形成する。上記絶縁材料が溶剤を含む場合には、乾燥により溶剤を除去して絶縁層６ＡＡを形成してもよい。

次に、図２（ｂ）に示す破線部分で、第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を切断して、第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）にして、積層体１を得る。絶縁層６ＡＡを第１の接続対象部材２Ａとともに切断することで、分割後絶縁層である絶縁層６Ａが得られる。

得られた積層体１はピックアップされ、図２（ｃ）に示すように、接続構造体の製造前に容器５１中に絶縁層６Ａ側から載せられる。このように、多くの接続構造体を製造する場合には、積層体１は容器５１中に仮保管されることが一般的である。

容器５１中に積層体１が載せられた状態では、絶縁層６Ａの表面６ａは容器５１と接している。このため、絶縁層６Ａの表面６ａのべたつきは少ない方が好ましい。べたつきが少ないと、接続構造体を得るために積層体１を再ピックアップする際に、積層体１を容器５１から容易に取り出すことができる。本発明に係る絶縁材料の使用により、絶縁層６Ａの表面のべたつきを抑制できるので、容器５１から積層体１を容易に取り出すことができる。

本発明に係る積層体の製造方法は、上記第１の接続対象部材として半導体ウェーハを用い、上記絶縁層を形成した後、半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。

図６に、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。

図６に示す積層体２１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａと、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂとを備える。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは配置されていない。複数の第１の電極間の隙間には、Ｂステージ化異方性導電層が配置されていないことが好ましい。

Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料（異方性導電材料層）の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。導電性粒子５と第１の電極２ｂとの間には、絶縁層６Ａが配置されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層を形成した後、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成してもよく、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成してもよい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成する場合には、上記異方性導電材料は溶剤を含む。

上記異方性導電材料は、異方性導電フィルムであってもよく、異方性導電ペーストであってもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電ペーストであることが好ましい。上記異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合に、導電性粒子を含む該異方性導電フィルムに導電性粒子を含まないフィルムが積層されて用いられてもよい。

積層体２１におけるＢステージ化異方性導電層２２Ｂの厚みは、導電性粒子５の平均粒子径の１．２倍以上であることが好ましく、２倍以上であることが好ましく、３倍以上であることが更に好ましく、２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることがより好ましい。

積層体２１は、積層体１を用いて、図７（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の積層体２１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。

先ず、図７（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が下側、絶縁層６Ａが上側となるように配置する。

次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層２２Ａを積層する。このとき、第１の電極２ｂ上に位置する絶縁層６Ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。

次に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層２２Ａに光を照射して、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層２２ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図７（ｃ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成して、積層体２１を得る。Ｂステージ化により、絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層２２Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層２２Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成してもよい。

上記異方性導電材料を塗布しながら、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することが好ましい。さらに、異方性導電材料の塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することも好ましい。塗布と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電材料層２２Ａの流動をより一層抑制できる。このため、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。異方性導電材料を配置してから、すなわち異方性導電材料層２２Ａを積層してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは１８０秒以下、より好ましくは６０秒以下である。

異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは０．１〜３００ｍＷ／ｃｍ^２程度である。また、異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ^２程度である。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。

（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、上記硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層は、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体では、上記硬化物層は、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体では、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とは、上記導電性粒子により電気的に接続されている。

本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されていてもよい。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、（１）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、（２）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている上記導電性粒子との間の上記絶縁層部分を排除して、上記第１，第２の電極に上記導電性粒子を接触させ、複数の上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得る。上述の積層工程において、上述の（１）の方法で積層を行ってもよく、上述の（２）の方法で積層を行ってもよい。上述の（１）の方法で積層を行うことが好ましい。

本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得てもよい。

図３に、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。

図３に示す接続構造体１１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層３とを備える。図３に示す接続構造体１１は、図１に示す積層体１を用いて形成されている。

絶縁層６は、複数の第１の電極２ｂ上の一部の領域と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ（凹部）上とに積層されている。第１の電極２ｂに導電性粒子５が接触している部分において、複数の第１の電極２ｂ上に絶縁層６は積層されていない。複数の第１の電極２ｂと該第１の電極２ｂとに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６は配置されていない。

硬化物層３は、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部である。硬化物層３は、絶縁層６の第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させた後、本硬化させることにより形成されていることが好ましい。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、硬化物層３は配置されていない。

第２の接続対象部材４は、硬化物層３の絶縁層６側とは反対側の表面上に積層されている。第２の接続対象部材４は表面４ａに、突出した複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが対向するように、第１，第２の接続対象部材２，４が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとの間には、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとは、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。第１の電極２ｂと該第１の電極２ｂに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６及び硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。第２の電極４ｂと該第２の電極４ｂに接触している導電性粒子５との間には、硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。

接続構造体１１は、積層体１を用いて、図４（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の接続構造体１１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。

先ず、図４（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が上側、絶縁層６Ａが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４と第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層されたＢステージ化異方性導電層３Ｂとを備える第２の積層体１６を用意する。第２の積層体１６をＢステージ化異方性導電層３Ｂが上側、第２の接続対象部材４が下側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。

次に、図４（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの絶縁層６Ａ側とは反対の表面３ａ上に、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。第１の電極２ｂと導電性粒子５とは接触していない。

このようにして、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層することで、絶縁信頼性が高い接続構造体１１を得ることができる。特に複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、導電性粒子５を含むＢステージ化異方性導電層３Ｂではなく絶縁層６Ａが配置されているので、該複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘに導電性粒子５が配置され難くなり、この結果、接続構造体１１の絶縁信頼性が高くなる。

これに対して、従来の接続構造体の製造方法のように、突出した電極を表面に有する接続対象部材の表面上に異方性導電材料を直接塗布した場合には、電極間の隙間に導電性粒子が配置され、また電極上に配置された導電性粒子が流動して電極間の隙間に移動しやすい。このため、絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることは困難である。

次に、図４（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させ、硬化物層３を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。但し、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。加熱にかえて光の照射により、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させてもよい。また、第２の接続対象部材４の積層工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させてもよい。但し、本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除することが好ましい。

加熱によりＢステージ化異方性導電層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。

Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。また、加圧によって、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、絶縁層６を形成することが好ましい。絶縁層６Ａは本硬化時の加熱により流動性が高くなることが好ましい。また、絶縁層６Ａは、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの本硬化時に、硬化することが好ましい。

このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層３又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図３に示す接続構造体１１が得られる。

なお、図４（ａ）に示されている第２の積層体１６は、図５（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。

先ず、図５（ａ）に示すように、第２の電極４ｂを表面４ａに有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の電極４ｂが上側となるように、第２の接続対象部材４を配置する。

次に、図５（ｂ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層３Ａを積層する。このとき、第２の電極４ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。

次に、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層３Ａに光を照射して、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図５（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成して、第２の積層体１６を得る。Ｂステージ化により、第２の接続対象部材４とＢステージ化異方性導電層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層３Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層３Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成してもよい。

異方性導電材料層３Ａを形成する塗布条件及び異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる光照射条件は、異方性導電材料層２２Ａの場合と同様である。

図８に、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。

図８に示す接続構造体３１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層２２とを備える。図８に示す接続構造体３１は、図６に示す積層体２１を用いて形成されている。接続構造体３１と接続構造体１１とは、硬化物層２２，３のみが異なっている。

接続構造体３１は、積層体２１を用いて、図９（ａ）〜（ｃ）を用いて、以下のようにして得ることができる。

先ず、図９（ａ）に示すように、積層体２１を第１の接続対象部材２が上側、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の接続対象部材４を第２の電極４ｂが上側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。

次に、図９（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、積層体２１をＢステージ化異方性導電層２２Ｂ側から積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層体２１を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。導電性粒子５と第１の電極２ｂとは接触していない。

さらに、図９（ｃ）に示すように、積層体２１の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを本硬化させ、硬化物層３を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。

加熱によりＢステージ化異方性導電層２２Ｂを硬化させる際の加熱温度は、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの場合と同様である。

このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層２２又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図８に示す接続構造体３１が得られる。

上述した接続構造体の製造方法では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電材料を短時間で硬化させることが可能である。接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を熱の付与又は光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、異方性導電材料層又はＢステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、硬化段階で過度に流動し難くなる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。具体的には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置することができ、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのをより一層抑制できる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層高めることができる。

また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、Ｂステージ化異方性導電層における硬化状態を容易にかつ精度よく制御できる。このため、Ｂステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、本硬化段階で過度に流動するのをより一層抑制できる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性を、更に一層高めることができる。

本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。

本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体ウェーハ又は半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）とガラス基板とを用いることが好ましい。

ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が８〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。

また、ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との双方が硬い。このため、接続構造体における絶縁信頼性が低くなりやすい。これに対して、本発明では、硬い半導体チップとガラス基板とを接続した場合であっても、絶縁信頼性を十分に高めることができる。

ＣＯＧ用途では、第１の接続対象部材の突出した第１の電極の表面を、絶縁層を積層する前に平坦化しておくことで、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との接続信頼性が高くなる。第１の接続対象部材の突出した第１の電極が銅電極である場合、電極のヤング率が高いため、接続時に突出した電極の変形が小さい。このため、接続構造体の複数の電極間で導電性粒子の変形量がばらつくことがあるため、第１の電極の表面を予め平坦化しておくことが好ましい。

また、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、半導体ウェーハと他の接続対象部材との接続に好適に用いられる。さらに、半導体チップと他の接続対象部材とが接続された接続構造体を得るために、半導体ウェーハと他の接続対象部材とが接続された接続構造体を得るために好適に用いられる。この場合には、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハが用いられる。特に、上記第１の接続対象部材として、半導体ウェーハを用いることが好ましい。接続構造体では、上記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハであるか、又は分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップであることが好ましい。また、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハを用いる場合には、本発明に係る接続構造体の製造方法は、該半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記硬化物層を形成した後、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記硬化物層と上記第２の接続対象部材との積層体を切断して、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する工程をさらに備えていてもよい。

上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハである場合には、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との積層時に、導電性粒子の濃度むらが発生し、隣接する電極間での絶縁性が確保しにくいという問題がある。これに対して、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法により、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハであっても、隣接する電極間での絶縁性を良好にすることができる。

上記第１の接続対象部材が半導体ウェーハであり、該半導体ウェーハをダイシング等により個片化する場合、上記絶縁層は透明であることが好ましい。半導体ウェーハ上に形成する上記絶縁層の厚みにて、絶縁層のヘーズ値は好ましくは６０％以下、より好ましくは２０％以下である。ヘーズ値は、目的の厚みとなる絶縁層のフィルムを作製し、ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠して、該フィルムを用いた透過率測定により得られたＴｈ＝Ｔｄ／Ｔｔ（Ｔｄは散乱光線透過率、Ｔｔは全光線透過率）により求めることができる。

上記異方性導電材料の測定温度範囲６０〜１５０℃での最低溶融粘度η２は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下である。上記最低溶融粘度η２の測定温度範囲は、より好ましくは６０〜１２０℃、更に好ましくは７０〜１００℃である。上記最低溶融粘度η２が１Ｐａ・ｓ未満であると、樹脂の流出によりボイドが発生しやすくなる傾向がある。上記最低溶融粘度η２が上記上限以下であると、絶縁信頼性及び導通信頼性がより一層高くなる。

上記最低溶融粘度は、レオメーターを用いて、最低複素粘度η＊を測定することにより求められる。測定条件は、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃とする。

上記レオメーターとしては、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等が挙げられる。

上記絶縁層の最低溶融粘度よりも、上記異方性導電材料の最低溶融粘度の方が高いことが好ましい。絶縁層の最低溶融粘度は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは７０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下である。上記異方性導電材料の最低溶融粘度は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度との差の絶対値は、好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度とが好ましい上記値を示すと、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記異方性導電材料の最低溶融粘度よりも、上記絶縁層の最低溶融粘度の方が高い場合、上記異方性導電材料の最低溶融温度が上記下限以上及び上記上限以下であれば、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。

上記異方性導電材料の最低溶融温度よりも、上記絶縁層の最低溶融温度の方が低いことが好ましい。上記絶縁層の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１１０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。上記異方性導電材料の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度とが上記下限以上及び上記上限以下であると、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記最低溶融温度とは、上記最低溶融粘度を示す温度である。

上記異方性導電材料の上記最低溶融粘度を示す温度での１Ｈｚにおける粘度η２（Ｐａ・ｓ）の、最低溶融粘度を示す温度での１０Ｈｚにおける粘度η３（Ｐａ・ｓ）に対する粘度比（η２／η３）は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、更に好ましくは４以上である。上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層により一層ボイドが生じ難くなる。上記粘度比（η２／η３）が３以上であると、硬化物層にボイドがかなり生じ難くなる。

さらに、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化前又は硬化時に上記異方性導電材料が意図せずに濡れ拡がるのを抑制でき、接続構造体における汚染が生じ難くなる。従って、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層におけるボイドの抑制と上記異方性導電材料層又は上記Ｂステージ化異方性導電層の流動による汚染の抑制との双方の効果を得ることができる。上記粘度比（η２／η３）の上限は特に限定されないが、上記粘度比（η２／η３）は、８以下であることが好ましい。

上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱ピーク温度に関しては、上記異方性導電材料の発熱ピーク温度よりも、上記絶縁層の発熱ピーク温度の方が高いことが好ましい。上記異方性導電材料の発熱ピーク温度と上記絶縁層の発熱ピーク温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。

上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱に関しては、上記異方性導電材料の発熱よりも、上記絶縁層の発熱の方が小さいことが好ましい。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。

硬化した絶縁層及び異方導電材料が硬化した硬化物層の弾性率は、２５℃で好ましくは１００ＭＰａ以上、好ましくは４ＧＰａ以下であり、更に８５℃で好ましくは１０ＭＰａ以上、好ましくは３ＧＰａ以下である。上記弾性率が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続信頼性が高くなる。

硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層のガラス転移温度Ｔｇはそれぞれ、好ましくは６０℃以上、好ましくは１８０℃以下である。上記ガラス転移温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。

硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層の−３０℃〜８５℃の平均熱膨張係数は、好ましくは１１０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下である。上記平均熱膨張係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。

上記弾性率及び上記Ｔｇは、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／分、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定される。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移点）とする。

上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法等が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。上記Ｂステージ化工程において、光の照射により、上記異方性導電材料の硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、上記本硬化工程において、加熱により、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させることが好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電材料を短時間で効率的に硬化させることができる。

さらに、上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法も挙げられる。

上記異方性導電材料は、加熱により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。

上記異方性導電材料は、光の照射により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。

また、上記異方性導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物と、加熱により硬化可能な硬化性化合物とを含むことが好ましい。この場合には、光の照射により異方性導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、異方性導電材料の流動性を低下させた後、加熱により異方性導電材料を容易に本硬化させることができる。上記異方性導電材料に含まれる上記硬化性成分は、光の照射により可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分とを含むか、又は光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を含むことが好ましい。

（異方性導電材料）
以下、上記異方性導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。

［硬化性化合物］
上記異方性導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。該硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性化合物は、チイラン基を有する硬化性化合物を含有することがより好ましい。上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。

上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環の種類としては、上述した芳香族環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。

上記異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と該エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。

上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した異方性導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。

Ｂステージ化した異方性導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。

上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。

上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。

上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。

上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。

上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。

また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。該架橋性化合物及び非架橋性化合物としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した架橋性化合物及び非架橋性化合物が挙げられる。

熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。

［熱硬化剤］
上記異方性導電材料は、上記熱硬化成分として熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させる観点からは、上記異方性導電材料は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤、アミン硬化剤又は熱カチオン硬化剤を含むことが好ましい。

また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。

上記熱カチオン硬化剤として、ヨードニウム塩やスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記熱カチオン硬化剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌや、ＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。

好ましい熱カチオン硬化剤のアニオン部分としては、ＳｂＦ_６、ＰＦ_６、ＢＦ_４、及びＢ（Ｃ_６Ｆ_５）_４が挙げられる。

電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。

上記熱ラジカル発生剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した熱ラジカル発生剤が挙げられる。

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。

上記熱硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。

［光硬化開始剤］
上記異方性導電材料は、光硬化成分である光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。上記光硬化開始剤として、光カチオン開始剤も挙げられる。

上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。

上記異方性導電材料は、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。光カチオン開始剤の使用により、光照射後の異方性導電材料の硬化を速やかに進行させることができる。さらに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電材料層部分も、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。

上記光カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系光カチオン硬化剤、オキソニウム系光カチオン硬化剤及びスルホニウム系光カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート）等が挙げられる。上記オキソニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート及びトリフェニルスルホニウムブロミド等が挙げられる。なかでも、異方性導電材料の硬化性をより一層良好にし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、スルホニウム系光カチオン硬化剤が好ましい。

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量（光硬化開始剤が光カチオン開始剤である場合には光カチオン開始剤の含有量）は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。異方性導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。

［導電性粒子］
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電層の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが特に好ましく、１μｍ以上、４μｍ以下であることが最も好ましい。

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

上記導電性粒子の２３℃での圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１ＧＰａ以上、より好ましくは２ＧＰａ以上、好ましくは７ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。上記導電性粒子の圧縮回復率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下である。

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。

（他の成分）
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。

上記異方性導電材料は、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。

上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した溶剤等が挙げられる。

上記異方性導電材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述したチクソ付与剤が挙げられる。

上記異方性導電材料１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。

第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した接着付与剤等が挙げられる。

上記異方性導電材料１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

上記異方性導電材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

また、実施例及び比較例では、絶縁材料に以下の成分を用いた。

（合成例１）
ポリエテールエステルアミド樹脂Ａの合成：
３Ｌのセパラブルフラスコに、プリポール１００９（式：ＨＯＯＣ−（ＣＨ_２）_３４−ＣＯＯＨ、クローダジャパン社製、分子量５６７）２１９重量部と、エチレンジアミン（分子量６０）５重量部と、ピペラジン（分子量８６）２７重量部と、５重量％亜リン酸水溶液０．８重量部とを入れた。水分離管を取り付け、窒素フロー下にて、攪拌しながら１９０℃まで昇温し、数平均分子量が１４００になるまで重縮合反応を行った。その後、ドデカン二酸（東京化成工業社製）８３重量部を添加し、内容物が透明になるまで１９０℃で攪拌した。その後、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（三菱化学社製「ＰＴＭＧ１０００」、数平均分子量１０００）３５８重量部と、イルガノックス１０９８（ＢＡＳＦジャパン社製）１重量部とを添加し、均一になるまで攪拌した。その後、三酸化アンチモン０．１重量部とモノブチルヒドロキシスズオキシド０．１重量部とを添加し、２５０℃まで昇温し、３０分間攪拌した。１ｍｍＨｇまで減圧し、２５０℃で４時間反応を行った。

このようにして、数平均分子量が２８０００、融点が１２０℃であるポリエーテルエステルアミド樹脂（ポリアミド・ポリエステルプロックポリマー）を得た。上記ポリエーテルエステルアミド樹脂６０重量部に、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル（日本化成社製）１．５重量部と、イルガノックス１０１０（ＢＡＳＦジャパン社製）０．１重量部と、ｐ−メトキシフェノール（和光純薬社製）０．１重量部とを添加し、均一になるまで撹拌した。その後、ナフテン酸クロム溶液を０．５重量部添加し、８５℃まで昇温したのち、８５℃で１２時間反応を行い、ポリエーテルエステルアミド樹脂を得た。得られたポリエーテルエステルアミド樹脂は末端に、アクリロイル基を１つ有する。

（合成例２）
エポキシアクリレートの合成：
下記式（１１Ａ）で表されるレゾルシノールジグリシジルエーテル（エポキシ基を有する化合物）を用意した。

レゾルシノールジグリシジルエーテル１１１重量部と、アクリル酸７６重量部と、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロミド０．１重量部とを配合し、１２０℃及び６時間の条件で反応させた。この結果、エポキシ基の数の９９％がアクリロイル基で変換されたエポキシアクリレートを得た。得られたエポキシアクリレートは、下記式（１ＡＡ）で表されるエポキシアクリレートと下記式（１ＢＢ）で表されるエポキシアクリレートとを含む。

（合成例３）
エポキシアクリレートの合成：
下記式（１２Ａ）で表されるナフタレン型エポキシ化合物（エポキシ基を有する化合物）を用意した。

上記ナフタレン型エポキシ化合物７０重量部と、アクリル酸３６重量部と、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロミド０．１重量部とを配合し、１２０℃及び６時間の条件で反応させた。この結果、エポキシ基の数の９９％がアクリロイル基で変換されたエポキシアクリレートを得た。得られたエポキシアクリレートは、下記式（２ＡＡ）で表されるエポキシアクリレートと下記式（２ＢＢ）で表されるエポキシアクリレートと下記式（２ＣＣ）で表されるエポキシアクリレートとを含む。

［熱ラジカル発生剤］
日本油脂社製「パーブチルＯ」）

［溶剤］
メチルエチルケトン

また、実施例及び比較例では、異方性導電材料に以下の成分を用いた。

［熱硬化性化合物］
下記式（Ｙ１）で表される構造を有するエピスルフィド化合物Ｙ１

下記式（Ｙ２）で表されるエピスルフィド化合物Ｙ２

ＥＰ−３３００Ｐ（ＡＤＥＫＡ社製、可撓性エポキシ樹脂）

［光硬化性化合物］
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２（ダイセル・サイテック社製、脂肪酸変性エポキシアクリレート）
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０８（ダイセル・サイテック社製、カプロラクトン変性エポキシアクリレート）
４ＨＢＡＧＥ（日本化成社製、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル）

［熱硬化剤］
ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ（日本曹達社製、包摂イミダゾール）

［光硬化開始剤］
イルガキュア８１９（ＢＡＳＦ社製）

［接着付与剤］
ＫＢＥ−４０２（信越化学工業社製、シランカップリング剤）

［フィラー］
表面メチル処理シリカ（平均粒径０．７ｍｍ、トクヤマ社製）

［チクソ付与剤］
ナノシリカＰＭ２０Ｌ（トクヤマ社製）

［柔軟性粒子］
ＫＷ−８８００（三菱レイヨン社製、コアシェル粒子）

［溶剤］
シクロヘキサノン

［導電性粒子］
導電性粒子Ａ〜Ｄはいずれも、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。また、導電性粒子Ａ〜Ｄの平均粒子径及び１０％Ｋ値は以下の通りである。

導電性粒子Ａ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：４．５ＧＰａ）
導電性粒子Ｂ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：５．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｃ（平均粒子径５μｍ、１０％Ｋ値：３．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｄ（平均粒子径７μｍ、１０％Ｋ値：２．８ＧＰａ）

（実施例１）
（１）絶縁材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで１０分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、絶縁材料を得た。

（２）異方性導電材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、異方性導電材料（異方性導電ペースト）を得た。

（３）第１の積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。

その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ、第１の接続対象部材）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層とを有する第１の積層体を得た。

（４）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成し、第２の積層体を得た。

次に、得られた第２の積層体のＢステージ化異方性導電層のガラス基板側と反対の表面上に、得られた第１の積層体を絶縁層側から電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。

（実施例２〜４）
絶縁材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁材料を得た。得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例５〜７）
異方性導電材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例８）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例９）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１０）
（１）異方性導電材料の調製
異方性導電材料の調製の際に、シクロヘキサノン１００重量部をさらに配合したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。

（２）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。

（３）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。８０℃で１０分溶剤を乾燥することで異方性導電材料層の溶剤を除去し、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、第２の積層体を得た。得られた積層体及び第２の積層体を用いて、実施例１と同様にして接続構造体を得た。

（比較例１）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。

得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を作製した。

（実施例１１）
（１）積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、実施例１で得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。

上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。

次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、異方性導電材料層に上方から紫外線を３秒間照射し、光重合によって異方性導電材料層の硬化を進行させ、Ｂステージ化（半硬化）してＢステージ化異方性導電層を形成した。

その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層と、該絶縁層上にＢステージ化異方性導電層とを有する積層体を得た。

（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板を用意した。

次に、上記ガラス基板上に、得られた積層体をＢステージ化異方性導電層側から、電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。

（実施例１２）
実施例２で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１３）
実施例３で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１４）
実施例４で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１５）
実施例５で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１６）
実施例６で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１７）
実施例７で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１８）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。

上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１１と同様にして積層体を得た。

得られた積層体を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例１９）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例２０）
（１）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。

上記絶縁層上に、実施例１０で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１１と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例１１と同様にして接続構造体を得た。

（比較例２）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃２０分オーブン内にて溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。

上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１１と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いたこと以外は実施例１１と同様にして、接続構造体を作製した。

（評価）
（１）絶縁材料の保存安定性
調製直後の絶縁材料を２５℃で１ヶ月放置した。放置前後の絶縁材料の８０℃における溶融粘度の変化から、絶縁材料の保存安定性を評価した。レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて溶融粘度を測定し、絶縁材料の保存安定性を下記の基準で判定した。

［絶縁材料の保存安定性の判定基準］
○○：溶融粘度が１倍以上、１．５倍以下
○：溶融粘度が１．５倍を超え、２．０倍以下
×：溶融粘度が２．０倍を超える

（２）絶縁層の表面のべたつき
第１の接続対象部材と絶縁層との積層体１００個を絶縁層側からチップトレイ上に置いて、１時間放置した。その後、積層体をピックアップする際に、絶縁層の表面のべたつきに伴うピックアップ不良が生じるか否かを評価した。絶縁層の表面のべたつきを下記の基準で判定した。ピックアップ不良とは、積層体をピックアップできなかったり、剥離後に絶縁層に欠け又は割れがあることを示す。

［絶縁層の表面のべたつきの判定基準］
○○：積層体１００個全てでピックアップ不良なし
○：積層体１００個中、ピックアップ不良の発生が１個
×：積層体１００個中、ピックアップ不良の発生が２個以上

（３）異方性導電材料の室温での粘度
Ｅ型粘度測定装置（東機産業社製、商品名：ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２、使用ローター：φ１５ｍｍ、温度：２５℃）を用いて、１０ｒｐｍ及び２５℃での異方性導電材料の粘度η１（１０ｒｐｍ）を測定した。また、同様に１ｒｐｍ条件下での粘度η１（１ｒｐｍ）を測定し、粘度比（η１（１ｒｐｍ）／η１（１０ｒｐｍ））を求めた。

（４）Ｂステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）及び絶縁層の最低溶融粘度η２及び上記粘度比（η２／η３）
レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて、積層体又は接続構造体の作製時のＢステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）の最低溶融粘度η２及び最低溶融粘度を示す温度を測定した。また、周波数を１０Ｈｚにしたこと以外は上記と同様に粘度測定を行い、上記最低溶融粘度を示す温度での最低溶融粘度η３を測定し、上記粘度比（η２／η３）を求めた。

Ｂステージ化後の異方性導電材料の最低溶融温度における硬化前の絶縁層の溶融粘度η２、Ｂステージ化後の異方導電ペーストの最低溶融温度における硬化前の絶縁層の溶融粘度η３を、Ｂステージ化された異方性導電材料と同様にして求めた。

（５）異方性導電材料が硬化した硬化物層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇ
接続構造体における異方性導電材料層が硬化した硬化物層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇは、幅３ｍｍ×長さ１５ｍｍ×厚み０．１ｍｍのサンプルを作製し、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／分、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定した。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移温度）とした。

（６）絶縁層の凹み及び凹み最大深さ
第１の接続対象部材において、突出した複数の第１の電極間の隙間（凹部）上で絶縁層の上面が凹んでいるか否かを評価した。凹んでいる場合には、該凹み最大深さを測定した。測定は、レーザー顕微鏡（キーエンス社製 ＶＫ−８７００）を用いた。

（７）耐マイグレーション性
得られた接続構造体を８５℃及び湿度８５％で５００時間放置した。保管後の接続構造体において、マイグレーションの発生に伴う導通不良が生じているか否かを評価した。耐マイグレーション性を下記の基準で判定した。

［耐マイグレーション性の判定基準］
○○：銅バンプの腐食がみられない、針状結晶がみられない
○：針状結晶の成長が３μｍ以下である
×：針状結晶の成長が３μｍを超える

（８）接続信頼性（絶縁層の接着力の評価）
得られた接続構造体において、第１の接続対象部材（半導体チップ）と硬化した絶縁層とのダイシェア強度を測定することにより接着性を評価した。測定は、ダイシェアテスターを用いて、２５℃での接着強度を下記の基準で判定した。

［接着性の判定基準］
○○：２００Ｎ／ｃｍ以上
○：５０Ｎ／ｃｍ以上、２００Ｎ／ｃｍ未満
×：５０Ｎ／ｃｍ未満

（９）接続構造体における硬化物層におけるボイドの有無
得られた接続構造体において、異方性導電材料層が硬化した硬化物層にボイドが生じているか否かを、光学顕微鏡により観察した。ボイドの有無を下記の基準で判定した。ボイドが無いと接続信頼性が高くなり、ボイドが少ないほど接続信頼性が高くなる。

［ボイドの有無の判定基準］
○○：ボイド無し
○：僅かにボイドがあるが、電極のＬ／Ｓ、ピッチ以上のボイドはなし
×：隣接する電極間以上のサイズのボイドあり

（１０）電極間における導電性粒子の捕捉率（導電性粒子の配置精度）
得られた接続構造体における対向する上下の電極間に存在する導電性粒子の数を光学顕微鏡にてカウントした。導電性粒子の捕捉率を下記の基準で判定した。

［導電性粒子の捕捉率の判定基準］
○○：各電極間に存在する粒子が１０個以上
○：各電極間に形成する粒子が８個又は９個
×：各電極間に存在する粒子が７個以下

（１１）導通性
得られた接続構造体の２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。

［導通性の判定基準］
○○：全ての箇所で抵抗値が３Ω以下にある
○：抵抗値が３Ω以上の箇所が１箇所以上ある
×：全く導通していない箇所が１箇所以上ある

（１２）絶縁性
得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。

［絶縁性の判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある

（１３）熱履歴を受けた場合の接続信頼性
得られた接続構造体１００個を、−３０℃で５分間保持し、次に１２０℃まで２５分で昇温し、１２０℃で５分間保持した後、−３０℃まで２５分で降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクル後に、接続構造体を取り出した。

冷熱サイクル試験後の１００個の接続構造体について、上下の電極間の導通不良が生じているか否かを評価した。１００個の接続構造体のうち、導通不良が生じている個数が１個以下である場合を「○○」、２個以上、３個以下である場合を「○」、４個以上である場合を「×」と判定した。

（１４）耐湿熱試験
得られた接続構造体１５個を８５℃及び８５％ＲＨの条件で１０００時間放置した後、上記（１１）導通性の評価と同様にして導通性を評価した。上記（１１）の導通性の判定基準における結果が「○○」である場合を「○○」、導通性の判定基準における結果が「○」になる場合を「○」：導通性の判定基準における結果が「×」になる場合を「×」と判定した。

絶縁材料及び異方性導電材料の配合成分を下記の表１に示す。評価結果を下記の表２，３に示す。

なお、実施例１〜４で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、８０℃で１０分かけて溶剤を乾燥除去し、厚み１５μｍのフィルムを得た。実施例１〜４で得られた絶縁材料を用いたフィルムのヘーズ値を測定したところ、いずれも２０％以下であった。

１…積層体
２…第１の接続対象部材
２Ａ…第１の接続対象部材
２ａ…表面
２ｂ…第１の電極
３…硬化物層
３ａ…表面
３Ａ…異方性導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化異方性導電層
４…第２の接続対象部材
４ａ…表面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
６…絶縁層
６Ａ…絶縁層
６ＡＡ…絶縁層
６ａ…表面
１１…接続構造体
１６…第２の積層体
２１…積層体
２２…硬化物層
２２Ａ…異方性導電材料層
２２Ｂ……Ｂステージ化異方性導電層
２６…第２の積層体
３１…接続構造体
５１…容器
Ｘ…第１の電極間の隙間

Claims (10)

1. 突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、
   ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、
   アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、
   熱ラジカル発生剤とを含む、絶縁材料。
2. 前記ラジカル重合性化合物が、エポキシ（メタ）アクリレートを含む、請求項１に記載の絶縁材料。
3. 前記エポキシ（メタ）アクリレートが、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を有する、請求項２に記載の絶縁材料。
4. 前記ポリエーテルエステルアミド樹脂が、前記ラジカル重合性官能基を１つ有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁材料。
5. 前記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハ又は半導体チップである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁材料。
6. 前記第１の電極が銅電極である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁材料。
7. 突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
   複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、
   前記絶縁層が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されている、積層体。
8. 前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備え、
   前記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている、請求項７に記載の積層体。
9. 突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
   複数の前記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、
   前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、
   前記硬化物層の前記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、
   前記絶縁層が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されており、
   前記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、
   複数の前記第１の電極と複数の前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
10. 前記絶縁層が、複数の前記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び前記第１の電極間の隙間上に積層されている、請求項９に記載の接続構造体。

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