CN1319636A - 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法 - Google Patents

电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1319636A
CN1319636A CN01116252A CN01116252A CN1319636A CN 1319636 A CN1319636 A CN 1319636A CN 01116252 A CN01116252 A CN 01116252A CN 01116252 A CN01116252 A CN 01116252A CN 1319636 A CN1319636 A CN 1319636A
Authority
CN
China
Prior art keywords
binding agent
insulativity
reaction
agent compositions
temperature side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01116252A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100398620C (zh
Inventor
山田幸男
齐藤雅男
高松修
石松朋之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Chemicals Corp filed Critical Sony Chemicals Corp
Publication of CN1319636A publication Critical patent/CN1319636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100398620C publication Critical patent/CN100398620C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C09J163/10—Epoxy resins modified by unsaturated compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder

Abstract

提供了能确保修理性和导通可靠性的绝缘性粘结剂或者粘结薄膜,同时提供了它们的连接方法。使用将具有自由基聚合系热固化机理的低温固化粘结剂和具有环氧系热固化机理的高温固化粘结剂混合而成的绝缘性粘结剂10,在低温固化粘结剂的80%反应温度下将集成电路芯片30一次压接(暂时压接)在电路基板20上。此后,在高温固化粘结剂的80%反应温度以上将集成电路芯片30二次压接(正式压接)在电路基板20上。

Description

电极连接用粘结剂及使用 该粘结剂的连接方法
本发明是关于例如用于将基板相互固定的同时使电极彼此进行电连接的粘结技术。
以往，例如作为使配线基板的电极与集成电路芯片的电极以电连接的状态而固定的手段，例如，使用在绝缘性粘结剂中分散导电粒子的各向异性导电糊或者将该糊制成薄膜状的各向异性导电性粘结薄膜，另外，还使用不含导电粒子的绝缘性粘结剂等粘结材料。
在使用这样的粘结剂在基板上安装集成电路芯片时，首先，在基板和集成电路芯片的电极之间夹持粘结材料，在该状态下，一边对其加压，一边加热，使树脂成分固化，或者根据树脂的种类，通过照射紫外线使粘结剂的树脂成分固化。
通过该粘结剂的固化，集成电路芯片被固定在基板上，同时，实现电极间的连接。
以往，例如像多芯片模件那样，在基板上安装多个裸芯片(集成电路芯片)时，每次安装集成电路芯片都需要进行检查，为此，将上述工序分为2个阶段，即，使粘结剂半固化，将集成电路芯片暂时地连接在基板上的暂时连接工序，以及至最终阶段使该半固化状态的粘结剂固化，将集成电路芯片正式连接在基板上的正式连接工序。
而且，在暂时连接工序的阶段，当检查集成电路芯片的结果是不良时，进行将该集成电路芯片从基板上卸下，更换成良好的集成电路芯片的作业(修理作业)。
以往的粘结剂，大致可以分为热塑性型、热固性型和紫外线固化型3种，另外，以往的粘结剂还可以举出显示热塑性型和热固性型的中间性质的所谓半热固性型、以及热固性型与紫外线固化型的复合型。
但是，如果使用这样的以往粘结剂实行电极间的连接，就有如下的问题。
即，在使用热塑性型的粘结剂的情况下，在进行修理时，从基板卸下集成电路芯片的容易性(修理性)是良好的，但进行热压时，由于粘结剂的耐热性降低，因而导通可靠性恶化。
另外，在使用热固性型的粘结剂的情况下，导通可靠性良好，但在完全热固化时，修理性恶化。另一方面，为了确保修理性、在中途停止热固化的反应，必须设定加热温度、加热时间等诸条件，并且每个基板的设定条件是不同的，因而粘结剂的处理十分困难。
在使用半热固性型的粘结剂的情况下，与热固性型相比，虽然修理性良好，但导通可靠性不充分。
另一方面，在使用紫外线固化型或者复合型的粘结剂的情况下，除了压制装置以外，还必须引入用于照射紫外线的紫外线照射装置，而且，该紫外线照射装置没有该目的以外的用途，缺乏通用性。
本发明是为了解决这样的以往问题而完成的，其目的在于，提供能够确保修理性和导通可靠性两者，而且富有通用性的电极连接用粘结剂。
为了达到上述目的而完成的本发明，是在配置在对置的基板的电极之间的状态，通过加压或者加热加压使上述基板相互固定的同时，使上述电极彼此进行电连接的绝缘性粘结剂，其特征是，其中存在热固化机理不同的数种粘结剂成分。
在此情况下，含有热固化机理不同的2种粘结剂成分也是效果良好的。
另外，2种粘结剂成分的DSC(差示扫描量热法)发热峰的温度差是20℃以上也是效果良好的。
进而，2种粘结剂成分由低温侧固化成分和高温侧固化成分构成，上述低温侧固化成分的80％反应温度是100℃以上，上述高温侧固化成分的80％反应温度是140℃以上也是效果良好的。
另外，2种粘结剂成分中的一种成分由具有使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理的树脂构成，上述2种粘结剂成分中的另一种成分由具有环氧系热固化机理的树脂构成，也是效果良好的。
本发明是以在绝缘性粘结剂中分散导电粒子而构成为特征的各向异性导电性粘结剂。
另外，是以将上述的绝缘性粘结剂形成薄膜状而构成为特征的绝缘性粘结薄膜。
在此场合，形成由热固化机理不同的数种粘结剂成分构成的数层，也是效果良好的。
另外，本发明是以在上述绝缘性粘结剂薄膜中分散导电粒子而构成为特征的各向异性导电性粘结剂薄膜。
另一方面，本发明是电极的连接方法，其特征是，在对置的基板的电极之间配置内部存在数种热固化机理不同的粘结剂成分的绝缘性粘结剂，在上述数种粘结剂成分中的一种成分的80％反应温度将绝缘性粘结剂加热加压，然后在上述数种粘结剂成分中的另一种成分的80％反应温度以上将绝缘性粘结剂加热加压。
此外，本发明是电极的连接方法，其特征是，在对置的基板的电极之间配置内部存在数种热固化机理不同的粘结剂成分的各向异性导电性粘结剂，在上述数种粘结剂成分中的一种成分的80％反应温度将各向异性导电性粘结剂加热加压，然后在上述数种粘结剂成分中的另一种成分的80％反应温度以上将各向异性导电性粘结剂加热加压。
另外，本发明是电极的连接方法，其特征是，在对置的基板的电极之间配置内部存在数种热固化机理不同的粘结剂成分的绝缘性粘结薄膜，在上述数种粘结剂成分中的一种成分的80％反应温度将绝缘性粘结薄膜加热加压，然后在上述数种粘结剂成分中的另一种成分的80％反应温度以上将绝缘性粘结薄膜加热加压。
进而，本发明是电极的连接方法，其特征是，在对置的基板的电极之间配置内部存在数种热固化机理不同的粘结剂成分的各向异性导电性粘结薄膜，在上述数种粘结剂成分中的一种成分的80％反应温度将各向异性导电性粘结薄膜加热加压，然后在上述数种粘结剂成分中的另一种成分的80％反应温度以上将各向异性导电性粘结薄膜加热加压。
在本发明中，首先，在粘结剂的低温侧固化成分的热固化进行至某一阶段的温度(例如80％反应温度)下一边加热一边进行暂时连接，使基板彼此形成某种程度的固定，进行导通试验等检查。
在该状态，低温侧固化成分还没有完全热固化，另外，高温侧固化成分还没有开始热固化的反应，因此，能够容易地卸下检查结果为不良的基板。
使检查过的基板彼此暂时连接后，只要在高温侧固化成分发生热固化的温度(例如80％反应温度以上的温度)进行正式连接，高温侧固化成分就会与低温侧固化成分一起发生热固化，因此基板相互完全固定。
像这样，按照本发明，能够提供确保修理性和导通可靠性两者的电极连接用粘结剂。
而且，本发明的粘结剂仅通过热压接就能够进行连接，因此，例如不需要引入紫外线照射装置等特殊装置，富有通用性。
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。
本发明的绝缘性粘结剂是以配置在对置的基板的电极之间的状态，通过加压或者加热加压，用于将基板相互固定的同时，使电极彼此进行电气的连接。
所述的“基板”，除了所谓的母板或子板等电路基板以外，还包括例如集成电路芯片等电子器件。
而且，本发明的绝缘性粘结剂以其中存在具有2种以上(数种)的热固化机理的粘结剂成分为特征。
以下，在本说明书中，首先，以含有热固化机理不同的2种粘结剂成分(作为低温侧固化成分和高温侧固化成分)的情况为例进行说明。
在本发明中，鉴于粘结剂成分的反应性，使用DSC发热峰和80％反应温度来规定粘结剂成分的热固化机理。
在此，所谓DSC发热峰是指差示扫描量热测定(Differential ScanningCalorimetry)，即，和试料温度一起测定向放置在已调节温度的电炉中的试料和基准物质的热量输入输出的差的方法而得到的温度。
另外，所谓80％反应温度是指在规定的时间(例如10秒)压接后，该粘结剂80％以上反应的温度。
以该粘结剂成分试料的初期DSC发热峰的测定值作为100％，根据使该试料固化后的DSC发热峰的测定值计算出该80％反应温度。
在本发明的场合，如果考虑到暂时压接和正式压接中的反应性，低温侧固化成分和高温侧固化成分的DSC发热峰的温度差在20℃以上为宜，该温度差最好是30℃以上。
在此，从确保保存稳定性和反应性的观点出发，作为低温侧固化成分，以使用DSC发热峰是60～140℃的粘结剂为佳，该温度最好是80～130℃。
另外，从确保作业性和连接可靠性的观点出发，作为高温侧固化成分，以使用DSC发热峰是80～170℃的粘结剂为佳，该温度最好是100～150℃。
另一方面，从确保作业性的观点出发，作为低温侧固化成分，以使用10秒压接后的80％反应温度是100℃以上的粘结剂为佳，该温度最好是110℃以上。
另外，从确保作业性和连接可靠性的观点出发，作为高温侧固化成分，以10秒压接后的80％反应温度是140℃以上的粘结剂为佳，该温度最好是150℃以上。
在本发明的场合，作为低温侧固化成分，从反应速度和保存稳定性的观点出发，合适地可以使用下述的丙烯酸酯系粘结剂，该丙烯酸酯粘结剂具有例如使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理。
另一方面，作为高温侧固化成分，从确保连接可靠性和反应速度的观点出发，合适地可以使用下述的粘结剂，该粘结剂具有例如使用潜在性固化剂的环氧系热固化机理。
在此场合，粘结剂的配合量，在以低温侧固化成分和高温侧固化成分的合计量作为100重量份数时，低温侧固化成分的配合量在5～70％重量份数为宜，该配合量最好是10～50重量份数。
如果低温侧固化粘结剂的配合量小于5重量份数，就不能可靠地保证暂时压接时的导通，如果大于70％重量份数，完全固化后的连接可靠性将会降低。
下面，参照附图说明本发明的粘结薄膜的最佳实施方式。
图1(a)、(b)是表示本发明的绝缘性粘结薄膜的最佳实施方式的概略构成图。图2(a)、(b)是表示有关本发明的各向异性导电性粘结薄膜的概略构成图。
图1(a)所示的绝缘性粘结薄膜1A是，例如在由聚酯树脂等构成的剥离薄膜2上形成使用具有上述2种热固化机理的粘结剂成分的绝缘性粘结剂层10。
在此场合，绝缘性粘结剂层10的厚度没有特别的限制，但从对应于种种用途的观点出发，最好是5～100μm。
本实施方式中的绝缘性粘结薄膜1A，可以按照常规方法制作。即，在规定的溶剂中溶解上述的2种粘结剂成分，将该粘结剂糊涂布在剥离薄膜2上，然后进行干燥，就可以得到。
另一方面，在剥离薄膜2上形成低温侧固化成分层11a、高温侧固化成分层12、低温侧固化成分层11b，可以构成图1(b)所示的绝缘性薄膜1B。
在此场合，低温侧固化成分层11a、高温侧固化成分层12、低温侧固化成分层11b的厚度没有特别的限制，但从确保连接可靠性的观点出发，低温侧固化成分层11a的厚度最好是2～50μm，高温侧固化成分层12的厚度最好是3～100μm，低温侧固化成分层11b的厚度最好是2～50μm。
另外，形成低温侧固化成分层11a、高温侧固化成分层12、低温侧固化成分层11b的顺序没有特别的限制，但从确保修理性和暂时压接时的特性的观点出发，如图1(b)所示，最好是利用低温侧固化成分层11a、11b夹持高温侧固化成分层12的结构。
本实施方式的绝缘性粘结薄膜1B，可以按照常规方法制作。即，在各自规定的溶剂中溶解上述的低温侧固化成分和高温侧固化成分，然后将这些粘结剂糊依次地涂布在剥离薄膜2上，再进行干燥，就可以得到。
另一方面，图2(a)所示的各向异性导电性粘结薄膜1C，是在上述图1(a)的绝缘性粘结薄膜1A的绝缘性粘结剂层10中分散导电粒子13。
另外，图2(b)所示的各向异性导电性粘结薄膜1D，是在上述图1(b)的绝缘性粘结薄膜1B的低温侧固化成分层11a、高温侧固化成分层12、低温侧固化成分层11b中分散各自的导电粒子13。
在此，导电粒子13的配合量没有特别的限制，但从确保导通和绝缘特性的观点出发，最好是1～20体积％。
另外，导电粒子13的粒径也没有特别的限制，但从确保导通可靠性的观点出发，最好是1～20μm。
本实施方式的各向异性导电性粘结薄膜1C、1D都可以按照常规方法制作。即，在规定的溶剂中溶解的上述各粘结剂成分中分散导电粒子13，将该粘结剂涂布在剥离薄膜2上，然后进行干燥就可以得到。
图3(a)～图3(e)是表示使用本发明的电极连接用粘结剂的连接方法的最佳实施方式的工艺过程图。以下，以使用不含导电粒子的绝缘性粘结的情况为例进行说明。
如图3(a)所示，在电路基板20的应该连接的电极21a上涂布本发明的绝缘性粘结剂，在由此形成的绝缘性粘结薄膜10上载置集成电路芯片30，然后进行集成电路芯片30的定位。
然后，使用绝缘性粘结薄膜10的温度被调整成低温侧固化成分的80％反应温度(例如130℃)的压接头40例如以3MPa/(cm2·凸点)的压力，进行10秒作为暂时压接的1次压接(暂时连接)(图3(b))。
在该状态中，绝缘性粘结薄膜10的低温侧固化成分没有完全热固化，并且高温侧固化成分还没有开始热固化的反应。
进行已暂时连接的电极21a、31之间的导通试验，在其结果是良好时，如图3(c)、(d)所示，调整压接头40，使绝缘性粘结薄膜10的温度成为高温侧固化成分的80％反应温度以上(例如170℃)，例如以3MPa/(cm2·凸点)的压力，进行10秒作为正式压接的2次压接(正式连接)。
这样，绝缘性粘结薄膜10的低温侧固化成分和高温侧固化成分进行热固化，因此基板相互完全固定。
此后，如图3(d)所示，在电路基板20的其他电极21b上，按照上述的程序，进行使另外的集成电路芯片30暂时压接的1次压接，然后进行规定的导通试验。
如上所述，在该状态，绝缘性粘结薄膜10的低温侧固化成分没有完全地热固化，并且，高温侧固化成分还没有开始热固化的反应，因此在导通试验的结果是不良时，如图3(e)所示，可以很容易将该不良的集成电路芯片30从电路基板20上卸下。
然后，再按照上述相同的程序，将另外的集成电路芯片30暂时压接，在新的导通试验的结果是良好时，按照上述的顺序进行正式压接。
以下同样地将集成电路芯片30暂时压接在电路基板20的电极21a、21b上，进行导通试验，根据其结果，一边进行适宜的修理，一边仅将导通试验的结果是良好的集成电路芯片30正式压接在电路基板20上。
如上所述，采用本实施方式的绝缘性粘结剂在电路基板20上安装集成电路芯片30时，能够确保修理性和导通可靠性两者。
而且，采用本实施方式的绝缘性粘结剂，可以仅通过热压接进行连接，因而具有不需要引入例如紫外线照射装置等的特殊装置的优点。
在上述实施方式中，虽然是以使用不含导电粒子的绝缘性粘结剂的情况为例进行说明，但在使用含有导电粒子的各向异性导电性粘结剂或者各向异性导电性粘结剂薄膜时，也可以按照相同的程序进行连接。
另外，在上述的实施方式中，虽然是以含有热固化机理不同的2种粘结剂成分的情况为例进行说明，但本发明也适用于含有热固化机理不同的3种以上的粘结剂成分。
以下，同时详细地说明本发明的实施例和比较例。
首先，如表1所示，作为实施例和比较例的绝缘性粘结剂的配合材料，调制具有自由基聚合系热固化机理的粘结剂A-1～A-3、具有环氧系热固化机理的粘结剂B。
<粘结剂A-1>
作为绝缘性粘结剂树脂，配合15重量份数双酚F型环氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯(东亚合成公司制，商品名M-208)、作为引发剂的5重量份数1，1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-甲基己酸酯(1,1,3,3-テトラメチルブチルバ-オキシ2メチルエキサネ-ト)(日本油脂公司制，商品名バ-オクタO)。
该粘结剂A-1,DSC发热峰是80℃,80％反应温度是130℃。
<粘结剂A-2>
作为绝缘性粘结剂树脂，配合15重量份数的上述双酚F型环氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯、作为引发剂的5重量份数的过氧化苯甲酸叔丁酯(日本油脂公司制，商品名パ-ブチルZ)。
该粘结剂A-2,DSC发热峰是100℃,80％反应温度是150℃。
<粘结剂A-3>
作为绝缘性粘结剂树脂，配合15重量份数的上述双酚F型环氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯、作为引发剂的5重量份数有机过氧化物(日本油脂公司制，商品名パ-キュァHB)。
该粘结剂A-3,DSC发热峰是120℃,80％反应温度是170℃。
<粘结剂B>
作为绝缘性粘结剂树脂，配合50重量份数固形双酚A型环氧树脂(固形环氧树脂：油化シェル公司制，商品名EP1009)、作为潜在性固化剂的50重量份数咪唑系固化剂(旭化成公司制，商品名HX3941HP)、作为偶合剂的1重量份数环氧硅烷(日本ユニカ-公司制，商品名A187)。
该粘结剂B,DSC发热峰是120℃,80％反应温度是170℃。
            表1粘结剂的配合材料
Figure A0111625200121
然后，改变粘结剂A-1～A-3的配合量、粘结剂B的配合量，制成实施例1～4的试料、比较例1～5的试料。
实施例1
在配合5重量份数粘结剂A-1、95重量份数粘结剂B的粘结剂溶液中，加入15重量份数导电粒子，并形成糊状，作为实施例1的试料。
实施例2
除了配合25重量份数粘结剂A-1、75重量份数粘结剂B以外，按照与实施例1相同的方法制成实施例2的试料。
实施例3
除了配合70重量份数粘结剂A-1、30重量份数粘结剂B以外，按照与实施例1相同的方法制成实施例3的试料。
实施例4
除了配合25重量份数粘结剂A-1、75重量份数粘结剂A-2以外，按照与实施例1相同的方法制成实施例4的试料。
比较例1
除了不配合粘结剂B、粘结剂A-1的配合量是100重量份数以外，按照与实施例1相同的方法制成比较例1的试料。
比较例2
用与实施例4的试料相同的试料作为比较例2的试料。
比较例3
除了配合25重量份数粘结剂A-1、75重量份数粘结剂A-3以外，按照与实施例1相同的方法制成比较例3的试料。
比较例4
除了不配合粘结剂A、粘结剂B的配合量是100重量份数以外，按照与实施例1相同的方法制成比较例4的试料。
比较例5
用与比较例4的试料相同的试料作为比较例5的试料。
<评价方法及评价结果>
1次压接后的导通电阻
在电路基板上涂布上述试料，使干燥后的厚度成为40μm，将集成电路芯片定位后，对电路基板和集成电路芯片进行1次压接(暂时压接)。
在此场合，作为电路基板，使用在厚度0.7mm的耐热性玻璃基材环氧树脂包铜叠层板(FR-5)上形成厚度18μm、宽100μm、间距150μm的铜(Cu)图案，在其上施加镍-金镀层的刚性基板。
另一方面，作为集成电路芯片，使用在外形10mm×10mm的基板上形成外形20μm×20μm、高20μm的凸点电极的集成电路芯片。并且，在凸点电极上施加镀镍-金层。
1次压接的条件，对于实施例1～3和比较例1、2来说，是温度为130℃、压力为3MPa/(cm2·凸点)、时间为10秒。
另外，对于实施例4和比较例5来说，是温度为150℃、压力为3MPa/(cm2·凸点)、时间为10秒。
对于比较例3、4来说，是温度为170℃、压力为3MPa/(cm2·凸点)、时间为10秒。
在1次压接后，对所有的电极之间测定导通电阻，并进行评价。
导通电阻的评价，以不到100mΩ为良好(○)，以100～500mΩ为稍微不良(△)，以大于500mΩ为不良(×)。其结果示于表2中。
修理性
将集成电路芯片进行1次压接的上述电路基板载置在加热至温度100℃的金属板上，加热30秒后，将集成电路芯片剥离，用丙酮擦掉电路基板上的实施例和比较例的试料的残渣。
在此场合，修理性的判定，以能够剥离集成电路芯片、能够全部去除试料的残渣为良好(○)，以能够剥离集成电路芯片、但不能全部去除试料的残渣为稍微不良(△)，以难以剥离集成电路芯片为不良(×)。其结果示于表2中。
2次压接后的导通电阻
在1次压接后，在规定的条件下对实施例和比较例的试料进行2次压接(正式压接)。
2次压接的条件，比较例1是温度为150℃，压力为3MPa(cm2·凸点)、时间为10秒。
对于实施例1～4和比较例2～5来说，是温度为170℃，压力为3MPa(cm2·凸点)、时间为10秒。
在2次压接后，对所有的电极之间测定导通电阻，并进行评价。
导通电阻的评价，以不到100mΩ为良好(○)，以100～500mΩ为稍微不良(△)，以大于500mΩ为不良(×)。其结果示于表2中。
PCT后的导通可靠性
在温度121℃、相对湿度100％、2个大气压的条件下进行加压蒸煮试验(Pressure Cooker Test)后，对所有的电极之间测定导通电阻，并进行评价。
导通电阻的评价，同上所述，以不到100mΩ为良好(○)，以100～500mΩ为稍微不良(△)，以大于500mΩ为不良(×)。其结果示于表2中。
            表2实施例和比较例的评价结果
如表2所示，实施例1～4都得到修理性和导通可靠性同时良好的结果。
与此相反，仅使用粘结剂A-1的比较例1,PCT后的导通可靠性不良。
另外，1次压接的温度与粘结剂A-1的80％反应温度相等的比较例2，因为粘结剂A-2的固化不充分，所以1次压接后的导通电阻不良。
1次压接的温度高到170℃的比较例3，在1次压接时粘结剂A-1及A-3发生反应而固化，因此修理性不良。
仅使用粘结剂B的比较例4，在1次压接时粘结剂B发生反应而固化，因此修理性不良。
另一方面，在使用与比较例4相同的材料，降低1次压接时的温度的比较例5中，粘结剂B没有充分固化，1次压接后的导通电阻不良。
如上所述，按照本发明，能够提供能确保修理性和导通可靠性两者、而且富有通用性的电极连接用粘结剂。
图1(a)、(b)是表示本发明的绝缘性粘结薄膜的最佳实施方式的概略构成图。
图2(a)、(b)是表示本发明的各向异性导电性粘结薄膜的概略构成图。
图3(a)～(e)是表示使用本发明电极连接用粘结剂的连接方法的最佳
实施方式的过程图。
下面对图中符号加以简单说明：
1A、1B：        绝缘性粘接薄膜
1C、1D：        各向异性导电性粘结薄膜
2：             剥离膜
10：            绝缘性粘结剂层
11a、11b：      低温侧固化成分层
12：            高温侧固化成分层
13：            导电粒子

Claims (17)

1．一种绝缘性粘结剂，它是用于使基板的电极相互进行电连接的绝缘性粘结剂，其特征在于，该绝缘性粘结剂中存在热固化机理不同的数种粘结剂成分。
2．权利要求1所述的绝缘性粘结剂，其中，含有热固化机理不同的2种粘结剂成分。
3．权利要求2所述的绝缘性粘结剂，其中，2种粘结剂成分的DSC发热峰的温度差是20℃以上。
4．权利要求2所述的绝缘性粘结剂，其中，2种粘结剂成分由低温侧固化成分和高温侧固化成分构成，上述低温侧固化成分的80％反应温度是100℃以上，上述高温侧固化成分的80％反应温度是140℃以上。
5．权利要求3所述的绝缘性粘结剂，其中，2种粘结剂成分由低温侧固化成分和高温侧固化成分构成，上述低温侧固化成分的80％反应温度是100℃以上，上述高温侧固化成分的80％反应温度是140℃以上。
6．权利要求5所述的绝缘性粘结剂，其中，2种粘结剂成分中的一种由具有使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理的树脂构成，上述2种粘结剂成分中的另一种是具有环氧系热固化机理的树脂。
7．一种各项异性导电性粘结剂，它是用于使基板的电极相互进行电连接的各向异性导电性粘结剂，其特征在于，它是在含有由80％反应温度在100℃以上的低温侧固化成分和80％反应温度在140℃以上的高温侧固化成分构成的2种粘结剂成分的绝缘性粘结剂中分散导电粒子而构成的各向异性导电性粘结剂。
8．权利要求7所述的各向异性导电性粘结剂，其中，2种粘结剂成分中的一种由具有使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理的树脂构成，上述2种粘结剂成分中的另一种是具有环氧系热固化机理的树脂。
9．一种绝缘性粘结薄膜，它是用于使基板的电极相互进行电连接的绝缘性粘结薄膜，其特征在于，它是将含有80％反应温度是100℃以上的低温侧固化成分和80％反应温度是140℃以上的高温侧固化成分构成的2种粘结剂成分的绝缘性粘结剂形成薄膜状而构成的。
10．权利要求9所述的绝缘性粘结薄膜，其中，2种粘结剂成分中的一种由具有使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理的树脂构成，上述2种粘结剂成分中的另一种是具有环氧系热固化机理的树脂。
11．权利要求9所述的绝缘性粘结薄膜，其中，形成由热固化机理不同的数种粘结剂成分构成的数层。
12．一种各向异性导电性粘结薄膜，它是用于使基板的电极相互进行电连接的各向异性导电性粘结薄膜，其特征在于，是在含有80％反应温度是100℃以上的低温侧固化成分和80％反应温度是140℃以上的高温侧固化成分构成的2种粘结剂成分的绝缘性粘结剂中分散导电粒子，并将其形成薄膜状的。
13．权利要求12所述的各向异性导电性粘结薄膜，其中，2种粘结剂成分中的一种由具有使用过氧化物的自由基聚合系热固化机理的树脂构成，上述2种粘结剂成分中的另一种是具有环氧系热固化机理的树脂。
14．一种基板的电极的连接方法，其特征在于，在对置的基板的电极之间，配置内部存在热固化机理不同的数种粘结剂成分的绝缘性粘结剂，在上述数种粘结剂成分中的一种的80％反应温度下加热加压绝缘性粘结剂，然后，在上述数种粘结剂成分中的另一种的80％反应温度以上加热加压绝缘性粘结剂。
15．一种基板的电极的连接方法，其特征在于，在对置的基板的电极之间，配置内部存在热固化机理不同的数种粘结剂成分的各向异性导电性粘结剂，在上述数种粘结剂成分中的一种的80％反应温度下对各向异性导电性粘结剂加热加压，然后，在上述数种粘结剂成分中的另一种的80％反应温度以上对各向异性导电性粘结剂加热加压。
16．一种基板的电极的连接方法，其特征在于，在对置的基板的电极之间，配置内部存在热固化机理不同的数种粘结剂成分的绝缘性粘结薄膜，在上述数种粘结剂成分中的一种的80％反应温度下对绝缘性粘结薄膜加热加压，然后，在上述数种粘结剂成分中的另一种的80％反应温度以上对绝缘性粘结薄膜加热加压。
17．一种基板的电极的连接方法，其特征在于，在对置的基板的电极之间，配置内部存在热固化机理不同的数种粘结剂成分的各向异性导电性粘结薄膜，在上述数种粘结剂成分中的一种的80％反应温度下对各向异性导电性粘结薄膜加热加压，然后，在上述数种粘结剂成分中的另一种的80％反应温度以上对各向异性导电性粘结薄膜加热加压。
CNB01116252XA 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法 Expired - Fee Related CN100398620C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000061548 2000-03-07
JP61548/00 2000-03-07
JP61548/2000 2000-03-07
JP90197/00 2000-03-29
JP2000090197A JP2001323246A (ja) 2000-03-07 2000-03-29 電極接続用接着剤及びこれを用いた接着方法
JP90197/2000 2000-03-29

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100900921A Division CN101250386B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法
CN200710305408XA Division CN101230241B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1319636A true CN1319636A (zh) 2001-10-31
CN100398620C CN100398620C (zh) 2008-07-02

Family

ID=26586909

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100900921A Expired - Fee Related CN101250386B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法
CNB01116252XA Expired - Fee Related CN100398620C (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法
CN200710305408XA Expired - Fee Related CN101230241B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100900921A Expired - Fee Related CN101250386B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710305408XA Expired - Fee Related CN101230241B (zh) 2000-03-07 2001-03-06 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20030029559A1 (zh)
JP (1) JP2001323246A (zh)
KR (2) KR100547454B1 (zh)
CN (3) CN101250386B (zh)
HK (2) HK1041496B (zh)
TW (1) TW487935B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1304517C (zh) * 2004-05-10 2007-03-14 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、电路连接材料、电路部件的连接结构及半导体装置
US7413935B2 (en) 2004-01-15 2008-08-19 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
CN100416921C (zh) * 2004-01-07 2008-09-03 日立化成工业株式会社 电路连接用粘接薄膜和电路连接结构体
US7901768B2 (en) 2003-09-12 2011-03-08 Sony Corporation Multilayer anisotropic conductive adhesive and connection structure using the same
CN105917529A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 迪睿合株式会社 连接体、连接体的制造方法、连接方法、各向异性导电粘接剂
CN107251329A (zh) * 2015-03-18 2017-10-13 迪睿合株式会社 连接方法和接合体
CN111129272A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管芯片的固接方法及固接装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030129438A1 (en) * 2001-12-14 2003-07-10 Becker Kevin Harris Dual cure B-stageable adhesive for die attach
US6833629B2 (en) † 2001-12-14 2004-12-21 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Dual cure B-stageable underfill for wafer level
JP4238124B2 (ja) 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
JP4534716B2 (ja) * 2004-10-26 2010-09-01 日立化成工業株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
EP1875787A2 (en) * 2005-04-11 2008-01-09 3M Innovative Properties Company Connection method of a flexible printed circuit board with two printed circuit boards, and electric or electronic component with parts connected by the connection
WO2006112383A1 (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子回路装置およびその製造方法
US7923289B2 (en) * 2006-03-31 2011-04-12 International Rectifier Corporation Process for fabricating a semiconductor package
KR100756799B1 (ko) * 2006-07-12 2007-09-07 제일모직주식회사 용융점이 서로 다른 두 가지 이상의 경화제를 포함하는 이방 도전성 접착제용 조성물
GB2455940B (en) 2007-03-30 2010-11-24 Cambridge Semiconductor Ltd Forward power converter controllers
CN101724361B (zh) * 2008-12-30 2011-12-07 四川虹欧显示器件有限公司 各向异性导电胶和导电膜以及电连接方法
DE102009058435A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 Giesecke & Devrient GmbH, 81677 Befestigen und elektrisch leitendes Verbinden eines Chipmoduls mit einer Chipkarte
JP5556488B2 (ja) * 2010-08-06 2014-07-23 デクセリアルズ株式会社 対向電極接続用接着剤
KR101332436B1 (ko) * 2010-12-06 2013-11-22 제일모직주식회사 이방 전도성 필름
KR101194864B1 (ko) * 2011-06-07 2012-10-26 주식회사 에스에너지 후면전극형 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP5365666B2 (ja) * 2011-07-19 2013-12-11 日立化成株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
CN102604580A (zh) * 2012-02-09 2012-07-25 安徽昊锐光伏新能源科技有限公司 太阳能电池背板pet与pe膜复合专用聚酯胶水及其制备方法
CN102604579A (zh) * 2012-02-09 2012-07-25 安徽昊锐光伏新能源科技有限公司 太阳能电池背板pet与氟膜复合专用聚酯胶水及其制备方法
JP6293524B2 (ja) 2014-03-11 2018-03-14 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法、並びに、接続方法及び接合体
CN104280967A (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
JP6510846B2 (ja) * 2015-03-24 2019-05-08 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
CN107409470B (zh) * 2015-03-26 2019-07-30 迪睿合株式会社 挠性安装模块体的制造方法
WO2017033934A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
KR102573118B1 (ko) * 2015-12-07 2023-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108120369A (zh) * 2016-11-28 2018-06-05 梅特勒-托利多(常州)精密仪器有限公司 固定应变片的方法及装置
WO2019130185A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 3M Innovative Properties Company Thermally curable two part processing adhesive composition

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115619A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物
CN1070668A (zh) * 1992-09-01 1993-04-07 张晋平 胶粘剂的固化剂
US5667899A (en) * 1992-09-16 1997-09-16 Hitachi Chemical Co. Ltd. Electrically conductive bonding films
JP3672988B2 (ja) * 1995-12-06 2005-07-20 松下電器産業株式会社 接着剤の製造方法
JP4636513B2 (ja) * 1996-05-30 2011-02-23 日東電工株式会社 熱硬化型感圧性接着剤とその接着シ―ト類
JP3928753B2 (ja) * 1996-08-06 2007-06-13 日立化成工業株式会社 マルチチップ実装法、および接着剤付チップの製造方法
JPH1056099A (ja) * 1996-08-12 1998-02-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層回路基板およびその製造方法
KR19980066134A (ko) * 1997-01-20 1998-10-15 구광시 상온 보관 안정성이 우수한 이방 도전성 필름
JPH10338859A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
JP3944795B2 (ja) * 1997-06-20 2007-07-18 日立化成工業株式会社 多層配線板
KR100584222B1 (ko) * 1999-03-09 2006-05-26 주식회사 새 한 이방성 도전필름의 제조방법
JP2001049228A (ja) * 1999-08-12 2001-02-20 Sony Chem Corp 低温硬化型接着剤及びこれを用いた異方導電性接着フィルム

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7901768B2 (en) 2003-09-12 2011-03-08 Sony Corporation Multilayer anisotropic conductive adhesive and connection structure using the same
CN100416921C (zh) * 2004-01-07 2008-09-03 日立化成工业株式会社 电路连接用粘接薄膜和电路连接结构体
US7413935B2 (en) 2004-01-15 2008-08-19 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
CN1304517C (zh) * 2004-05-10 2007-03-14 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、电路连接材料、电路部件的连接结构及半导体装置
CN105917529A (zh) * 2014-01-16 2016-08-31 迪睿合株式会社 连接体、连接体的制造方法、连接方法、各向异性导电粘接剂
CN105917529B (zh) * 2014-01-16 2020-02-21 迪睿合株式会社 连接体、连接体的制造方法、连接方法、各向异性导电粘接剂
CN107251329A (zh) * 2015-03-18 2017-10-13 迪睿合株式会社 连接方法和接合体
CN107251329B (zh) * 2015-03-18 2019-06-21 迪睿合株式会社 连接方法和接合体
CN111129272A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管芯片的固接方法及固接装置
CN111129272B (zh) * 2018-10-31 2021-03-16 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管芯片的固接方法及固接装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100841584B1 (ko) 2008-06-26
KR20050080116A (ko) 2005-08-11
KR20010088423A (ko) 2001-09-26
TW487935B (en) 2002-05-21
JP2001323246A (ja) 2001-11-22
HK1041496A1 (en) 2002-07-12
HK1041496B (zh) 2009-05-22
KR100547454B1 (ko) 2006-02-01
CN101250386B (zh) 2011-01-26
CN101230241A (zh) 2008-07-30
CN100398620C (zh) 2008-07-02
US20030029559A1 (en) 2003-02-13
CN101230241B (zh) 2011-09-21
CN101250386A (zh) 2008-08-27
HK1117188A1 (en) 2009-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1319636A (zh) 电极连接用粘结剂及使用该粘结剂的连接方法
CN1288731C (zh) 半导体装置、粘合剂和粘合膜
CN1339055A (zh) 粘合剂、电极连接构造及电极连接方法
CN1089356C (zh) 粘合剂、胶膜及带粘合剂底面的金属箔
CN1146647C (zh) 各向异性导电粘合剂、其制法和使用该粘合剂的电子装置
CN1373170A (zh) 粘合剂及电气装置
CN1275246A (zh) 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
CN1926675A (zh) 各向异性导电连接方法及各向异性导电粘合膜
CN1993809A (zh) 半导体器件制造方法及晶片加工带
CN1535101A (zh) 转移板和使用它的布线板及其制造方法
KR102113573B1 (ko) 접속 구조체의 제조 방법 및 접속 방법
CN108702845B (zh) 连接结构体的制造方法
CN1630050A (zh) 半导体装置的制造方法
JP4644692B2 (ja) 電極間接続体の製造方法
CN1252206C (zh) 粘接剂和粘接膜
KR20180039608A (ko) 실장체의 제조 방법, 접속 방법 및 이방성 도전막
KR101973823B1 (ko) 이방성 도전 접속 재료, 필름 적층체, 접속 방법 및 접속 구조체
KR101872562B1 (ko) 회로 접속 재료 및 그것을 사용한 접속 방법 및 접속 구조체
JP2008166841A (ja) 接着剤及び半導体装置
CN1498420A (zh) 半导体装置组装用屏蔽片及半导体装置组装方法
JP2016076628A (ja) 接続体の製造方法、電子部品の接続方法、接続体
JP5756637B2 (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体
CN1120850A (zh) 用于电子器件的可再加工的聚(乙烯-乙烯醇)粘合剂
CN1506428A (zh) 潜在性硬化剂、其制造方法及粘接剂
JP2012178441A (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1041496

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080702

Termination date: 20170306