JPH08319461A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH08319461A
JPH08319461A JP6292796A JP6292796A JPH08319461A JP H08319461 A JPH08319461 A JP H08319461A JP 6292796 A JP6292796 A JP 6292796A JP 6292796 A JP6292796 A JP 6292796A JP H08319461 A JPH08319461 A JP H08319461A
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JP
Japan
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resin
adhesive tape
bis
rubber
maleimidophenoxy
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JP6292796A
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Tatsuhiro Yoshida
達弘 吉田
Masahiro Tada
昌弘 多田
Yoshiyuki Go
義幸 郷
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイボンディング材の欠点をなくした新規な
接着テープを用いたリフロークラックのない半導体装置
を提供する。 【解決手段】 マレイミド基を2個以上含むマレイミド
誘導体(成分A)および硬化剤として有機過酸化物(成
分B)とを必須成分として含有し、これにエポキシ樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ブタジエンゴム、スチレンーブタジエ
ンゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、エチレンーア
クリルゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴムからな
る群の中から選ばれた少なくとも1種の樹脂(成分C)
を配合してなる樹脂組成物を主たる成分とする熱硬化性
接着テープを用いて半導体素子を支持部材に接合してな
る半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、速硬化性、耐熱
性、低吸水性を併せもつ熱硬化性接着テープを用いた半
田リフロー時にリフロークラックのない高信頼性の半導
体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品用の接着テープの用途として、
例えば積層板、フレキシブル回路基板、リードフレーム
固定用、半導体素子実装用などに使用され、金属と積層
板材料、金属と耐熱性プラスチックフィルム、金属と金
属、金属と半導体素子の間を接合するものである。従
来、半導体装置を製造する際、半導体素子とリードフレ
ーム等の支持部材とを接合する方法として、Au−Si
共晶接合法、半田接合法、樹脂接合法がある。共晶法
は、共晶合金をつくることを利用して接合するので、非
常に強固な結合が得られるが、その反面チップサイズが
大きい場合、チップにかかる応力が大きくなりチップク
ラックを引き起こすことがある。また材料にAuを使用
するためコストが高くなる欠点がある。半田接合法はP
b−Sn系のプリフォームを用い不活性ガス雰囲気下で
加熱溶融し接合する。熱伝導性が良好であり、柔らかい
ため応力を吸収しやすく、発熱量の大きいチップとCu
系のパッケージとの接合に有効である。しかし熱疲労劣
化が顕著であり、材料やプロセスの面でコストが問題で
ある。
【0003】最近ではエポキシやポリイミド等の樹脂に
硬化剤やフィラーを含んだ樹脂接合法が主流となってい
る。ディスペンサーやスタンピングマシンを用いて塗布
し、常温でチップをダイボンディングした後、加熱硬化
させるものである。常温で作業ができ、材料的にも比較
的安価であり、プロセス上装置の構成が簡易なことか
ら、量産性に優れる。加熱硬化方法として、オーブン中
で硬化させるバッチ法とヒータープレート上で硬化させ
るインライン法とがある。これまでにこの様な用途の接
着剤樹脂は種々研究されており、例えば、エポキシ樹
脂、ポリアクリロニトニル樹脂、ポリアクリル酸エステ
ル樹脂、フェノール樹脂/ニトリルゴム系、フェノール
樹脂/ポリビニルアセタール系、フェノール樹脂/エポ
キシ樹脂/ポリビニルアセタール系、フェノール樹脂/
エポキシ樹脂/ニトリルゴム系などを単独あるいは混合
して接着剤として研究開発され、実用化されている。こ
のような熱硬化性接着剤樹脂はその加熱硬化に高温長時
間を必要とし生産性が悪い、加熱硬化時に多量の揮発分
を発生し、基板あるいはリードを汚染する、吸湿性が高
い、など高信頼性接着剤としての要求を満たすことが難
しくなりつつある。チップをリードフレームに上記のよ
うな方法にて接合した後、チップ上のAl電極とリード
をAuなどの金属細線で接続するワイヤーボンディング
の工程を経て、封止樹脂により封止後、基板上に半田実
装される。近年特に高密度実装のため、半田による実装
方法も半導体装置のリードを基板に直接半田付けし、基
板全体を赤外線などで加熱するリフローソルダリングが
用いられ、その際半導体装置は200℃以上の高温に加
熱される。このため半導体装置内部、特に顕著であるの
は、ダイボンディング材または封止材に含まれる水分が
気化し水蒸気爆発が起こり、半導体装置にクラックが発
生し、半導体装置の信頼性が低下するという問題点があ
った。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、前記のダイボンディング材の欠点をなくした新
規な接着テープを用いたリフロークラックのない半導体
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、マレイミド基
を2個以上含むマレイミド誘導体(成分A)および硬化
剤として有機過酸化物(成分B)とを必須成分として含
有し、これにエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ブタジエンゴ
ム、スチレンーブタジエンゴム、イソプレンゴム、アク
リルゴム、エチレンーアクリルゴム、アクリロニトリル
−ブタジエンゴムからなる群の中から選ばれた少なくと
も1種の樹脂(成分C)を配合してなる樹脂組成物を主
たる成分とする熱硬化性接着テープを用いて半導体素子
を支持部材に接合してなる半導体装置に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる接着剤樹脂
は、マレイミド基を2個以上含むマレイミド誘導体(成
分A)および硬化剤として有機過酸化物(成分B)とを
必須成分として含有し、これにエポキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ブタジエンゴム、スチレンーブタジエンゴム、イソ
プレンゴム、アクリルゴム、エチレンーアクリルゴム、
アクリロニトリル−ブタジエンゴムからなる群の中から
選ばれた少なくとも1種の樹脂(成分C)を配合してな
る樹脂組成物を主たる成分とし、それぞれの重量比は、
成分A100重量部に対して、成分Bを0.5〜8重量
部、成分Cを20〜200重量部を配合してなることを
特徴とする。
【0007】本発明で用いられるマレイミド誘導体とし
ては、分子中にマレイミド基を少なくとも2個以上含有
するもので、例えば、1−メチル−2,4−ビスマレイ
ミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミ
ド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,
N’−m−トルイレンビスマレイミド、N,N’−4,
4’−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,
4’−〔3,3’−ジメチル−ビフェニレン〕ビスマレ
イミド、N,N’−4,4’−〔3,3’−ジメチルジ
フェニルメタン〕ビスマレイミド、N,N’−4,4’
−〔3,3’−ジエチルジフェニルメタン〕ビスマレイ
ミド、N,N’−4,4’−ジフェニルメタンビスマレ
イミド、N,N’−4,4’−ジフェニルプロパンビス
マレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルエーテル
ビスマレイミド、N,N’−3,3’−ジフェニルスル
ホンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニル
スルホンビスマレイミド、2,2−ビス〔4−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔3−t−ブチル−4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−s−ブチ
ル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、1,1−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕デカン、1,1−ビス〔2−メチル−4
−(4−マレイミドフェノキシ)−5−t−ブチルフェ
ニル〕−2−メチルプロパン、4,4’−シクロヘキシ
リデン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−2
−(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、4,4’−
メチレン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−
2,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、
4,4’−メチレン−ビス〔1−(4−マレイミドフェ
ノキシ)−2,6−ジ−s−ブチルベンゼン〕、4,
4’−シクロヘキシリデン−ビス〔1−(4−マレイミ
ドフェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、4,
4’−メチレンビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−
2−ノニルベンゼン〕、4,4’−(1−メチルエチリ
デン)−ビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−2,6
−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、4,
4’−(2−エチルヘキシリデン)−ビス〔1−(マレ
イミドフェノキシ)−ベンゼン〕、4,4’−(1−メ
チルヘプチリデン)−ビス〔1−(マレイミドフェノキ
シ)−ベンゼン〕、4,4’−シクロヘキシリデン−ビ
ス〔1−(マレイミドフェノキシ)−3−メチルベンゼ
ン〕、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミド
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3,5−ジメ
チル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−
マレイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス〔3−エチル−4−4−マレイミド
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
エチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン、ビス〔3−メチル−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3,5
−ジメチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕
メタン、ビス〔3−エチル−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕メタン、3,8−ビス〔4−(4−マレ
イミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ−〔5,
2,1,02.6〕デカン、4,8−ビス〔4−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ−〔5,
2,1,02.6〕デカン、3,9−ビス〔4−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ−〔5,
2,1,02.6〕デカン、4,9−ビス〔4−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ−〔5,
2,1,02.6〕デカン、1,8ビス〔4−(4−マレ
イミドフェノキシ)フェニル〕メンタン、1,8ビス
〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕メンタン、1,8−ビス〔3,5−ジメチル−4
−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メンタンな
どを挙げることができる。これらを単独、あるいは併用
して使用することができる。
【0008】本発明で用いられる有機過酸化物として
は、例えば、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミ
ルパーオキサイド、α,α’−ビス(t−ブチルパーオ
キシ−m−イソプロピル)ベンゼン、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,
5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘ
キシン−3などが好適に挙げられる。AIBN、ジ−t
−ブチルパーオキサイド、アセチルパーオキサイドなど
は分解温度が低く、保存安定性、硬化物性に劣り好まし
くない。有機過酸化物の添加量は、成分Aマレイミド誘
導体100重量部に対して0.5〜8重量部用いること
が好ましい。0.5重量部より少ないと短時間で硬化が
完了せず硬化物が不均一となり好ましくない。8重量部
を越えて用いると硬化時に発泡したり、分解せずに残留
した有機過酸化物により硬化物性が低下する。
【0009】本発明で用いられる樹脂成分Cとしては、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ブタジエンゴム、スチレン
ーブタジエンゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、エ
チレンーアクリルゴム、アクリロニトリル−ブタジエン
ゴムからなる群の中から選ばれた少なくとも1種の樹脂
を配合することが好ましい。その量比については、成分
Aマレイミド誘導体100重量部に対して、20〜20
0重量部であることが好ましい。20重量部より少ない
と硬化物の接着性、靭性が低下し、吸水率も若干高くな
ってしまう。200重量部を越えるとマレイミドの硬化
物性が十分に発現せず好ましくない。
【0010】本発明に用いられる接着剤樹脂組成物は、
フェノール樹脂、シアネート樹脂などを併用することが
可能である。また作業性、接着性等の特性を損なわない
範囲で微細な無機充填材が配合されていても良い。
【0011】前記樹脂組成物を溶解させる有機溶剤とし
ては特に限定されないが、沸点が120℃以下であるこ
とが好ましい。たとえばケトン系溶剤としてアセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ペンタノン、シクロヘキサノンを挙げることができる。
これらの溶剤は単独で使用しても良いし、2種以上を混
合して用いることもできる。アミド系溶剤、例えばN,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、N−メチル−2−ピロリドンなどはその沸点が高
いため塗工乾燥時に高温を必要とし、有機化酸化物の分
解を引き起こす点で好ましくない。樹脂ワニスには表面
平滑性を出すための平滑剤、レベリング剤、脱泡剤など
の各種添加剤を必要に応じて添加することができる。
【0012】本発明において樹脂ワニスを接着テープと
するには、樹脂ワニスを流延あるいは塗布して得られ、
例えば耐熱性フィルム基材を支持体として用い、その片
面または両面に同様に接着剤樹脂層を形成させ、支持体
と共に接着テープとしたり、ロール、金属シート、ポリ
エステルシートなどの離型シートの上にフローコータ
ー、ロールコーターなどによりフィルムを形成させ、加
熱・乾燥後剥離して接着テープとするなどの方法で得る
ことができる。
【0013】本発明において使用する耐熱性フィルム基
材は、ポリイミド樹脂フィルムが熱膨張係数が小さく温
度変化に対する寸法安定性に優れていること、可撓性に
富み取り扱い易いこと、本発明の樹脂との密着力が優れ
ている点で好ましい。特にガラス転移温度350℃以上
のポリイミド樹脂は、塗布ワニスを乾燥する工程での作
業性、安定性の点で優れている。
【0014】樹脂ワニスの塗布・乾燥は、フローコータ
ー、ロールコーターなどの塗布設備と熱風乾燥炉を組み
合わせた装置などを用いることができる。樹脂ワニスを
支持体に塗工後、熱風乾燥炉に導きワニスの溶剤を揮散
させるに十分な温度と風量でもって乾燥する。
【0015】本発明の接着テープの使用方法は特に限定
されるものではないが、所定の形状に切断して加熱した
ヒートブロックで熱圧着して接着する方法などが挙げら
れる。特に半導体素子をリードフレームに接着させる際
に用いられることが好ましい。
【0016】本発明の接着テープを用いた半導体装置
は、テープを所定の形状に切断して、加熱したヒートブ
ロックでリードフレームに熱圧着して接着した後、半導
体素子を熱圧着し、その後ヒートブロック、循環式熱風
乾燥機などの加熱装置を用いて加熱硬化する。その後ワ
イヤーボンディング、樹脂封止の工程を経て得られる。
【0017】本発明に用いられる熱硬化性接着テープは
速硬化性、耐熱性、低吸水性を併せもつので回路基板材
料、半導体実装用材料として有用であり、特にこの接着
テープを用いた半導体装置は、リフロー半田時にリフロ
ークラックのない点で優れている。以下実施例により本
発明を詳細に説明するが、これらの実施例に限定される
ものではない。
【0018】
【実施例】
(実施例1)表1の配合に従って、メチルエチルケトン
(MEK)500gに成分CとしてビスフェノールA型
エポキシ樹脂(エピコート828、油化シェルエポキシ
(株)製)100gを添加し均一に溶解した後、2,2
−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)
プロパン(MB8000、三菱油化(株)製)100
g、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ−m−イソ
プロピル)ベンゼン(PBP、日本油脂(株)製)2g
を加え撹拌し、樹脂組成物ワニスを得た。このワニスを
リバースロールコーターでポリイミドフィルム(商品名
ユーピレックスSGA、厚み50μm、宇部興産株式会
社製)の片面に塗布し、接着剤層の厚みが20μmの接
着テープを得た。乾燥温度は最高110℃で乾燥時間6
分であった。次いでもう一方の片面に塗布し、両面に接
着剤層をもつ接着テープを得た。
【0019】この接着テープを、テーピング機にてリー
ドフレーム(42アロイ、80pinQFP)に120
℃/2秒/4kg/cm2で圧着し、次いで半導体素子
(9×9×0.35mm)を150℃/2秒/2kg/
cm2の条件でテープを介してリードフレームに接合し
た後ホットプレート上にて加熱硬化(200℃/120
秒)した。次に市販のエポキシ樹脂封止材料により封止
し、半田クラック評価用のパッケージ(パッケージサイ
ズ:14×20×2.0mm)を得た。このパッケージ
を85℃/85%の恒温恒湿槽で所定時間吸湿させ、そ
の後IRリフロー装置で半田リフロー(240℃/10
秒)を行い、パッケージの外部クラック発生数を観察し
た。その結果を表1に示した。
【0020】
【表1】
【0021】表1のテープ物性値は以下の様にして求め
た。接着性は、接着テープを35μm電解銅箔の黒処理
をしていない金属光沢面にヒートブロックを有する熱プ
レスで圧着して試験片を作成した。接着条件は120℃
/1秒、圧力は4kg/cm2であった。この試験片を
200℃/90秒間熱板上で硬化させ、引張り試験機に
より180度ピール強度を測定した(引張り速度50m
m/min)。破断面は接着剤層が凝集破壊し、発泡は
全く見られなかった。樹脂組成物の硬化後の物性値は、
フィルム状試験片を用いて測定した。これは樹脂ワニス
をリバースロールコーターで二軸延伸ポリエステルフィ
ルム(商品名ダイヤホイル、厚さ50μm、三菱レイヨ
ン(株)製)に塗布し、乾燥後ポリエステルフィルムか
ら剥離し、50μm厚みのフィルム状試験片を得た。熱
分解開始温度は示差熱熱重量測定装置(TG/DTA、
昇温速度10℃/min、空気下)、吸水率はJIS
K7209(D−24hr/23℃)により求め、結果
を併せて表1に示した。
【0022】(実施例2〜4)実施例1と同様にして表
1に示す配合にて樹脂ワニスを調整し、接着テープ、パ
ッケージを作成、評価した。
【0023】(比較例1、2)表2の配合に従って、実
施例1と同様にして評価した。
【0024】
【表2】
【0025】(比較例3)市販のダイボンディング用エ
ポキシ樹脂ペーストを用いた。ディスペンサーにてリー
ドフレーム上に塗布し、素子を装着後加熱硬化(180
℃/60秒)して接合した。その後は実施例1と同様に
して評価した。表1、2の結果から、比較例ではたとえ
短時間であっても硬化の工程が無いと、熱分解開始温度
は低下し、吸水率は高くなっており、また成分A、B、
Cのうち、いずれかの成分が欠けても期待する物性は発
現せず、またパッケージに外部クラックが発生し、半導
体装置の信頼性に大きく影響することがわかる。また従
来の樹脂接合法によるパッケージにおいても吸湿時間が
長くなるとクラックが発生することがわかる。一方実施
例から本発明の接着テープを用いた半導体装置ではパッ
ケージの外部クラック発生が抑制されることが示され
る。
【0026】
【発明の効果】本発明に用いられる熱硬化性接着テープ
は、短時間の硬化でも耐熱性、接着性、低吸水性に優れ
ているので、回路基板材料、半導体実装用材料などに有
利に用いることができ、特にダイボンディング材として
使用した場合に、半田リフロー時のリフロークラックの
発生を低減し、半導体装置の信頼性のを向上を期待する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 7/02 JKB C09J 7/02 JKB JLE JLE H01L 21/52 H01L 21/52 E

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マレイミド基を2個以上含むマレイミド
    誘導体(成分A)100重量部および硬化促進剤として
    有機過酸化物(成分B)0.5〜8重量部とを必須成分
    として含有し、これにエポキシ樹脂、ポリエステル樹
    脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ブ
    タジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、イソプレン
    ゴム、アクリルゴム、エチレン−アクリルゴム、アクリ
    ロニトリル−ブタジエンゴムからなる群の中から選ばれ
    た少なくとも1種の樹脂(成分C)20〜200重量部
    を配合してなる樹脂組成物を主たる成分とする熱硬化性
    接着テープを用いて半導体素子を支持部材に接合してな
    る半導体装置。
JP6292796A 1995-03-20 1996-03-19 半導体装置 Pending JPH08319461A (ja)

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JP6038895 1995-03-20
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