JP2005519150A - 有機スペーサーを含有する接着剤組成物およびそれを用いた方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ボンドラインの厚さおよび装置と基板の間の平坦性を制御するのに有用な組成物を提供する。
【解決手段】 本発明によれば、少なくとも１つの熱硬化性のモノマー、少なくとも１つの硬化開始剤、１または複数の有機ポリマーから構成される複数個のスペーサーを含む接着剤組成物およびそれを用いた方法が提供される。ボンドラインの厚さは主として組成物中のスペーサー要素のサイズで決められる。本発明の組成物は、積層配置における複数の半導体ダイを含む構造を製作するのにも有用である。

Description

この出願は、２００２年２月２８日に出願された出願番号１０／０８７，１９１の部分継続出願であり、それは現在係属しておりその全体を参照することによりここに組込まれる。

本発明は接着剤ボンディング、特に、例えば半導体装置のパッケージのように、ボンドライン厚さおよび均一性の制御が望ましい表面のボンディングに関する。

電子デバイスの信頼性は、主としてそこに含まれていた超小型電子部品の完全性に依存する。ほとんどの電子デバイスは、様々な保護パッケージで収容されるいくつかのマイクロチップを含んでいる。これらの保護パッケージは、多くの場合、パッケージの完全性、およびそこに収容されたマイクロチップの性能を維持する際に重要な役割を果たす様々な接着性ペーストを含んでいる。

最近の超小型電子技術のパッケージング産業における挑戦は、もうひとつのものの上に積み重ねられたマイクロチップ（一般に「積層ダイ」と呼ばれる）を含んでいる電子部品の生産である。例えば、各ダイ間の面間隔は、ダイ間の信頼できるワイヤーボンディングを許容するように効果的にコントロールされなければならない。さらに、より薄いダイへの最近の傾向は、ダイが曲がりやすい傾向を助長し、その結果、ダイ表面が平面でなくなる（これは、ワイヤーボンディングへの信頼性を低下させる要因になる。）。したがって、積層ダイ用途に使用される接着剤は、ボンドライン（接着ライン）全体に渡って均一の平面を提供するだけでなく、再現性のよいボンドライン（接着ライン）厚さを提供する。

従来、多数の構造およびその製造方法が公知文献に記載されている。例えば米国特許番号５，１４０，４０４には、半導体ダイが、パドルダイがないリードフレームにマウントされた半導体集積回路装置が記載されている。’４０４年の特許の装置は次のステップによって製造される：
（ａ） キャリヤー材料の第１の側に、１００℃に加熱されたときに、軟化して流動し、予熱温度まで冷却されたときに、予熱温度における状態に戻る物理的性質を有する物理的性質を有する熱可塑性物を塗布する工程；
（ｂ） キャリヤー材料の第２の側に接着剤を塗布する工程；
（ｃ） キャリヤー材料の第２の側をリードフレームのリードと接続する工程；
（ｄ） 半導体ダイをキャリヤー材料の第１の側に置く工程；
（ｅ）熱可塑性物をその軟化な状態へ加熱する工程；および
（ｆ） 熱可塑性物をその予熱状態まで冷やし、ダイとリードを支持するキャリヤー材料にダイとリードを接続する工程。

エポキシのペースト類およびフィルム類が、熱可塑性物の材料として示されている。

米国特許番号５，２８６，６７９には、複数個のボンディングパッドを有する半導体ダイを、リードフレームに取り付ける方法が記載されている。そのリードフレームは、複数の連続する金属リードフィンガーを有し、それはダイ表面を横切って伸びて、細線ボンドワイヤーを使用してボンディングパッドに取り付けるのに適するようにできている。’６７９特許は、次の工程を含んでいる：
熱可塑性接着剤または熱硬化性接着剤から成る群より選ばれる接着剤をダイ上に配置し、接着剤をパターニングして接着剤がないダイのボンディングパッドをダイの表面にプレ塗布されたパターン化された接着剤層を形成する工程；
パッケージング・プロセス間に接着剤層を加熱する工程；
パッケージング・プロセスの間に、ダイ、熱した接着剤層およびリードフレームのフィンガーを一緒に押し付けて、接着剤層をリードフィンガーに接着し、リードフィンガーをダイに取り付ける工程。

米国特許番号５，３２３，０６０には、マルチチップ・モジュールが記載されている。このマルチチップモジュールは、
マルチチップ・モジュール基板；
第１のチップ（反対にベース面とボンディング面を有し、ベース面はマルチチップモジュール基板に接着されており、第１チップボンディング面は中央のエリア、および中央のエリアの横周辺に配された複数のボンディングパッドを有している）；
第２のチップ（反対にベース面とボンディング面を有し、第２チップボンディング面は中央のエリア、および複数の周辺ボンディングパッドを有している）；
第１チップボンディング面と第２のチップベース面を接続する接着剤層であって、ある厚さと横周囲の境界を有し、横周囲境界が、周辺のボンディングパッドの内側で完全に中央のエリア内に位置している接着剤層；
それぞれの第１チップボンディングパッドとマルチチップ・モジュール基板に対して且つその間に接続される複数の第１のループボンディングワイヤーであって、この第１のループボンディングワイヤーは外側に突き出た特定のループ高さを有しており、ループ高さは、第１のチップボンディング面と、外側に突き出た第１のループ・ボンディングワイヤーのループの頂点の間の距離によって定められ、接着剤層の厚さはループ高さより大きく、それにより第２のチップベース面を第１のワイヤに関して接触しない関係にする第１のループボンディングワイヤー；
複数の第２のチップボンディング・パッドおよびマルチチップ・モジュール基板に対して且つ間に接続される第２のループ・ボンディングワイヤー
を有している。

米国特許番号６，４６５，８９３には、半導体チップアセンブリが開示されており、そのアセンブリは、
（ａ） 表面と裏面と、表面上のコンタクトを有する第１の半導体チップ；
（ｂ）表面と裏面と、表面上のコンタクトを有し、第２の半導体チップの裏面が、第１の半導体チップの表面と並列になっている第２の半導体チップ；
（ｃ） 電気的に伝導性の第１のターミナルを有する第１の裏当素子であって、この裏当素子が第１の半導体チップの裏面と並列して少なくともターミナルのうちのいくつかが第１の半導体チップの裏面に重なり、すくなくとも第１および第２の半導体チップが電気的にすくなくともいくつかのターミナルに接続されている第１の裏当素子；および
（ｄ）コンタクトパッドが載った基板であって、第１のターミナルが基板のコンタクトパッドに接続され、基板が回路の別のアセンブリと接続するように適合されており、すくなくとも第１のターミナルのいくつかが第１の半導体チップの裏面に重なる基板
を有している。

さらに、ダイと基板の間の熱ミスマッチから発生する面間応力は、接続エリアおよび接着剤の弾性係数の両方に対して正比例する。さらに、この応力はボンドライン厚さに反比例する。与えられたダイ接着剤の弾性係数は実質的には固定されるので、面間応力を縮小する代替方法、例えば、与えられたセットの部品の間のボンドライン制御等、が採用されなければならない。ボンドライン厚さが十分な場合、得られるボンドは、各半導体ダイと基板の間の熱膨張率の差に対してよい抵抗を示し、高引っ張り強さのあるボンドを与える。

スペーサー要素の使用は、銀ガラスの接着材料に関連して記述されている（米国特許番号５，２３２，９６２を参照）。しかし、スペーサー要素の使用は熱硬化性接着剤に関連しては記載されていない。

従って、半導体素子のパッケージング中のボンドラインおよび平面性を制御する有効な方法が求められている。

本発明によれば、有効にボンドライン厚さおよび平面性を制御するのに役立つ接着剤組成物が提供される。本発明の接着剤組成物は少なくとも１つの熱硬化性のモノマー、任意に少なくとも１つの硬化開始剤、および１または複数の有機ポリマーからなる複数のスペーサーを含んでいる。本発明の接着剤組成物は、ボンドライン厚さ、および装置と基板の間の、あるいは積層ダイパッケージにおける半導体ダイの間の平面性を制御するのに特に役立つ。ボンドライン厚さおよび平面性は、接着剤組成物中のスペーサーのサイズによって大部分は決定される。

発明の異なる態様では、装置と基板の間の実質上均一なボンドラインを製造する方法、装置と基板の接着剤のギャップ厚を制御する方法、接着剤のボンドラインを横切って平面性を制御する方法、積層配置で基板に付けられた少なくとも１つの半導体ダイ間に実質的に均一のボンドラインの作製する方法、および少なくとも２つの半導体ダイを積層型配置においてスペーサー・ダイの必要なしに基板に取り付ける方法を提供する。

本発明のさらなる態様では、本発明の接着剤組成物の硬化部材によって第１部品が第２部品に対して接着されたアセンブリーが提供される。

本発明によれば、少なくとも１つの熱硬化性のモノマー、任意に少なくとも１つの硬化開始剤、および１または複数の有機ポリマーからなる複数のスペーサーを含む接着剤組成物が提供される。

本発明を実施する際に使用が意図されるスペーサーは、例えば球状、不完全な球状、非球状、固形物、中空体等の様々などのような形でもよい。本発明を実施する際に使用が意図される好ましいスペーサーは、実質上球状で、典型的には約０．０２ミルから約２５ミルの範囲の粒径を持っている。好ましくは、スペーサーは、約０．１ミルから約１５ミルの範囲の粒径を持っている。ここに使用されるように、「ミル」は、１インチの１／１０００と等しい測定ユニットである。本発明の接着剤配合の硬化の前、間および後において、スペーサーの完全性が維持される。つまり、スペーサーのサイズおよび形は、硬化の前、間および後において、実質上で一定である。例えば、スペーサーは、好ましくは接着剤組成物へ導入されたとき、膨潤することなく、軟化せず、また溶解しない。さらに、本発明を実施する際に使用が意図されるスペーサーは、好ましくは疎水性である。

本発明を実施する際に使用が意図されるスペーサーは、有機の粒状物質が挙げられ、それは、スペーサーが接着剤組成物中の他の成分と架橋することができる反応性部分構造を任意に含んでいてもよい。ここで採用される「反応性部分構造」は官能基であって、組成物中の少なくとも１つの他の成分と反応するものである。

硬化（つまり三次元の重合体の網目が成形される）により、多くの熱硬化性の組成物が縮むことは、よく確立されているので、本発明を実施する際に使用が意図されるスペーサーは、硬化の間にある程度に縮む能力を持っていてよく、それにより接着される部品の表面または基板の表面を損傷しない。確かに、スペーサーのモジュラスは好ましくは部品または基板のモジュラス未満であることが好ましく、それにより部品の表面を損傷しない。例えば、スペーサーは、好ましくはシリコンダイ上のパッシベーション膜より柔軟であり、その結果、ダイの表面上でディスペンスされた接着剤組成物の中にあるスペーサーが、ダイの表面を破損しない。

様々な有機の重合体は、使用にふさわしいスペーサーの構築のための本発明に従ってここに使用することができる。例えば、使用が意図されるスペーサーは、実質的に非架橋の重合体、部分的に架橋した重合体あるいは完全に架橋した重合体であることができる。当業者は、「非架橋重合体」が、実質上、個々の重合体鎖の間の共有結合がない重合体であることを容易に認識し、「実質的に完全に架橋重合体」は、重合体の柔軟性が比較的なくなる程度に個々の重合体鎖の間に極めて多くの共有結合形成を持っている重合体であり、その一方で「部分的に架橋した重合体」は、個々の重合体鎖の間に、いくらかではあるが徹底的にではない橋かけを持っている重合体であることを容易に認識している。

使用が意図される重合体は典型的には、任意に置換されていてもよいエチレン性の不飽和モノマーの重合生成物である。ここに使用される「エチレン性の不飽和モノマー」は、以下に示されるように、少なくとも１つの局在化した（つまり非芳香族性の）炭素炭素二重結合を有するモノマーをいう。

本発明の実施において有用な有機のスペーサーの作製をするために意図される重合体は、例えば、α−オレフィン類、（メタ）アクリレート類、ビニルエステル類、アクリルアミド類、アクリロニトリル類等およびそれらの２種以上の混合物を挙げることができる。好ましくは、有機重合体は（メタ）アクリレートの単独重合体または共重合体である。最も好ましくは、有機重合体はポリメチルメタクリレートである。スペーサーとして使用に意図された有機重合体は、典型的には約５０，０００から約１，５００，０００の範囲の分子量を有する。好ましくは、有機重合体は、約４００，０００から約５００，０００の範囲の分子量を有する。

接着剤配合への取り込みに先立って、スペーサーは、典型的には、各セットがきちんと定められた範囲以内にある粒径を含む粒子のセットになるようにふるい分けられる。接着剤組成物へ取り込みのために選ばれた粒径範囲は、与えられたパッケージの所望のボンドライン厚さに依存する。例えば、−１２０，＋１４０のメッシュのふるいを選ぶことで、実質上、約５ミルより大きな粒径のスペーサーがふるい分けの後に存在しないようにすることができる。

本発明の組成物によって提供される特に魅力的な利益は、接着剤組成物の成分としてスペーサーの適切な選択によってボンドライン厚さおよび平面性を制御する能力である。ボンドライン厚さは、接着剤組成物の適切な選択によって予め決められ、それは、多くの場合困難で非経済的なダイ部品配置機械を用いたボンドライン厚さ制御方法の望ましい代替となる。
本発明の実施で使用するために意図された熱硬化性のモノマーは、例えば、マレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマー類、不飽和の酸無水物類、（メタ）アクリレート類、スチレン類、シアネートエステル類、ビニルエステル類、ジビニール化合物類、アクリルアミド類、アクリロニトリル類、アリルアミド類、エポキシ樹脂類等を挙げることができる。本発明の実施で使用するために意図された好ましい熱硬化性のモノマーは、上述のマレイミド類、ナジイミド類またはイタコンイミド類の１種または２種以上の混合物であり、任意成分として１以上の不飽和の酸無水物類、（メタ）アクリレート類、スチレン類、シアネートエステル類、ビニルエステル類、ジビニール化合物類、アクリルアミド類、アクリロニトリル類、アリルアミド類、エポキシ樹脂等の１種または２種以上を組み合わせてもよい。

本発明の実施で使用するために意図されたマレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマー類は、それぞれ次のＩ、ＩＩ、ＩＩＩの構造を有する。

ここで、ｍ＝１−１５、ｐ＝０−１５、各Ｒ^２は、独立して水素または低級アルキル基から選ばれ、Ｊは有機基または有機シロキサン基、またはそれらの２つ以上の組合わせを含む一価または多価の部分構造である。
発明の１つの態様では、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミドがそれぞれ室温で液体の状態になるように、Ｊの長さおよび分岐が決められる。

一価の部分構造あるいは多価の部分構造は、典型的にはヒドロカルビル（炭化水素基）、置換されたヒドロカルビル、ヘテロ原子を含んでいるヒドロカルビル、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換されたヒドロカルビレン、ヘテロ原子を含んでいるヒドロカルビレン、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体またはこれらの２種以上組合わせから選ばれ、任意に共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキル基または置換されたアルキル基、またはそれらの任意の２以上の組合わせを表す）からなる群より選ばれる１種または２種以上の結合基を含んでいてもよい。

ここで言及された種に関連して使用されるとき、用語「置換された」としては、ヒドロキシ、アルキル、アルコキシル（低級アルキル基の）、メルカプト（低級アルキル基の）、シクロアルキル、置換されたシクロアルキル、複素環式、置換複素環式、アリール、置換されたアリール基を含み、複素環アリール、置換された複素環アリール、アリールオキシ、置換されたアリールオキシ、ハロゲン、トリフルオロメチル、シアノ、ニトロ、ニトロン、オキソ、アミノ、アミド、マレイミド、サクシンイミド、イタコンイミド、−Ｃ（Ｏ）Ｈ、アシル、オキシアシル、カルボキシル、カーバメート、スルホニル、スルホンアミド、スルフリルを挙げることができる。

ここで「ヒドロカルビル」は、主鎖が炭素および水素のみを含むどのような有機基をも含む。したがって、ヒドロカルビルはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル、アルケニルアリール、アリールアルキニル、アルキニルアリール等を包含する。「置換されたヒドロカルビル」は、前述の１つ以上の置換基を有するヒドロカルビル基を意味する。

ここで、「アルキル」は、炭素原子数１から５００までの飽和の直鎖または分岐状炭化水素基をいう。「低級アルキル」は、炭素数１から４までの直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する。「置換されたアルキル」は、上述の置換基を有するアルキル基を意味する。

ここで、用語「シクロアルキル」は、炭素原子３からの約２０の範囲の環−含有基を指す。また、「置換されたシクロアルキル」は上述の置換基を有するシクロアルキルを意味する。

ここで「アルケニル」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する直鎖または分岐鎖のヒドロカルビル基を意味し、典型的には約２から５００までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルケニル」は上述の置換基を有するアルケニルを意味する。

ここで、用語「シクロアルケニル」は、炭素原子３からの約２０の範囲の環であって、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する基を意味し、また、「置換されたシクロアルケニル」は上述の置換基を有するシクロアルケニルを意味する。

ここで「アルキニル」は、少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を有する直鎖または分岐鎖のヒドロカルビル基を意味し、典型的には約２から５００までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルキニル」は上述の置換基を有するアルキニルを意味する。

ここで、「アリール」は、炭素数６から１４までの芳香族基であり、「置換されたアリール」は、上述の置換基を有するアリールを意味する。

ここで、「アルキルアリール」はアルキル置換されたアリール基を意味し、「置換されたアルキルアリール」は上述の置換基を有するアルキルアリール意味する。

ここで、「アリールアルキル」はアリール置換されたアルキル基を意味し、「置換されたアリールアルキル」は上述の置換基を有するアリールアルキルを意味する。

ここで、「アリールアルケニル」は、アリール置換されたアルケニルを意味し、「置換されたアリールアルケニル」は、上述の置換基を有するアリールアルケニルを意味する。

ここで、「アルケニルアリール」は、アルケニル置換されたアリールを意味し、「置換されたアルケニルアリール」は上述の置換基を有するアルケニルアリールを意味する
ここで、「アリールアルキニル」は、アリール置換されたアルキニルを意味し、「置換されたアリールアルキニル」は、上述の置換基を有するアリールアルキニルを意味する。

ここで、「アルキニルアリール」は、アルキニル置換されたアリールを意味し、「置換されたアルキニルアリール」は上述の置換基を有するアルキニルアリールを意味する
ここで「ヒドロカルビレン」は、二価の直鎖または分岐鎖のヒドロカルビル・グループを意味し、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、ヘテロシクロアルキレン基、アリーレン基、アルキルアリーレン基、アリールアルキレン基、アリールアルケニレン基、アリールアルキニレン基、アルケニルアリーレン基、アルキニルアリーレン基等を包含する。「置換されたヒドロカルビレン」は、前述の１つ以上の置換基を有するヒドロカルビルレン基を意味する。

ここで、「アルキレン」は、炭素原子数１から５００までの飽和の２価の直鎖または分岐状ヒドロカルビルグループを意味し、「置換されたアルキレン」は、前述の置換基を有するアルキレン基を意味する。

ここで「アルケニレン」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する２価の直鎖または分岐鎖のヒドロカルビルグループを意味し、典型的には約２から５００までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルケニレン」は上述の置換基を有するアルケニレンを意味する。
ここで「アルキニレン」は、少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を有する２価の直鎖または分岐鎖のヒドロカルビルグループを意味し、典型的には約２から５００までの範囲の炭素原子を有し、「置換されたアルキニレン」は上述の置換基を有するアルキニレンを意味する。

ここで、「シクロアルキレン」は、２価の炭素原子３からの約２０の範囲の環−含有基を指す。また、「置換されたシクロアルキレン」は上述の置換基を有するシクロアルキレンを意味する。

ここで、「ヘテロシクロアルキレン」は、環の一部にヘテロ原子（例えばＮ、Ｏ、Ｓ等）を含む２価の環基で炭素原子を１から１４個を含む基であり、また、「置換されたヘテロシクロアルキレン」は上述の置換基を有するヘテロシクロアルキレンを意味する。

ここで、「シクロアルケニレン」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する２価の炭素原子３からの約２０の範囲の環−含有基を意味し、「置換されたシクロアルケニレン」は上述の置換基を有するシクロアルケニレンを意味する。

ここで、「アリーレン」は、典型的には炭素数６から１４までの２価の芳香族基であり、「置換されたアリーレン」は、上述の置換基を有するアリーレンを意味する。

ここで、「アルキルアリーレン」は、典型的には炭素数７から１６までのアルキル置換された２価のアリールグループを意味し、「置換されたアルキルアリーレン」は上述の置換基を有するアルキルアリーレン基意味する。

ここで、「アリールアルキレン」は、典型的には炭素数７から１６までの、アリール置換された２価のアルキルグループを意味し、「置換されたアリールアルキレン」は上述の置換基を有するアリールアルキレンを意味する。

ここで、「アリールアルケニレン」は、典型的には炭素数８から１６までの、アリール置換された２価のアルケニルグループを意味し、「置換されたアリールアルケニレン」は上述の置換基を有するアリールアルケニレンを意味する。

ここで、「アリールアルキニレン」は、典型的には炭素数８から１６までの、アリール置換された２価のアルキニルグループを意味し、「置換されたアリールアルキニレン」は上述の置換基を有するアリールアルキニレンを意味する。

ここで、「アルケニルアリーレン」は、典型的には炭素数７から１６までのアルケニル置換された２価のアリールグループを意味し、「置換されたアルケニルアリーレン」は上述の置換基を有するアルケニルアリーレン基意味する。

ここで、「アルキニルアリーレン」は、典型的には炭素数７から１６までのアルキニル置換された２価のアリールグループを意味し、「置換されたアルキニルアリーレン」は上述の置換基を有するアルキニルアリーレン基意味する。

ここで、「ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体」は、少なくとも１つのポリシロキサン（柔軟）ブロックと少なくとも１つのポリウレタン（固い）ブロックの両方を含んでいる重合体を意味する。

上述の１種または２種以上の一価または多価のグループが、上述の１種または２種以上の結合基を含んで、Ｊ−付属マレイミド、ナジイミドあるいはイタコンイミドグループを形成する場合、当業者よって容易に認識されるように、種々様々の有機鎖が形成される。例えば、オキシアルキル、チオアルキル、アミノアルキル、カルボキシアルキル、オキシアルケニル、チオアルケニル、アミノアルケニル、カルボキシアルケニル、オキシアルキニル、チオアルキニル、アミノアルキニル、カルボキシアルキニル、オキシシクロアルキル、チオシクロアルキル、アミノシクロアルキル、カルボキシシクロアルキル、オキシシクロアルケニル、チオシクロアルケニル、アミノシクロアルケニル、カルボキシシクロアルケニル、 ヘテロサイクリック、オキシヘテロサイクリック、チオヘテロサイクリック、アミノヘテロサイクリック、カルボキシヘテロサイクリック、オキシアリール、チオアリール、アミノアリール、カルボキシアリール、ヘテロアリール、オキシヘテロアリール、チオヘテロアリール、アミノヘテロアリール、カルボキシヘテロアリール、オキシアルキルアリール、チオアルキルアリール、アミノアルキルアリール、カルボキシアルキルアリール、オキシアリールアルキル、チオアリールアルキル、アミノアリールアルキル、カルボキシアリールアルキル、オキシアリールアルケニル、チオアリールアルケニル、アミノアリールアルケニル、カルボキシアリールアルケニル、オキシアルケニルアリール、チオアルケニルアリール、アミノアルケニルアリール、カルボキシアルケニルアリール、オキシアリールアルキニル、チオアリールアルキニル、アミノアリールアルキニル、カルボキシアリールアルキニル、オキシアルキニルアリール、チオアルキニルアリール、アミノアルキニルアリールまたはカルボキシアルキニルアリール、オキシアルキレン、チオアルキレン、アミノアルキレン、カルボキシアルキレン、オキシアルケニレン、チオアルケニレン、アミノアルケニレン、アリルアミド、カルボキシアルケニレン、オキシアルキニレン、チオアルキニレン、アミノアルキニレン、カルボキシアルキニレン、オキシシクロアルキレン、チオシクロアルキレン、アミノシクロアルキレン、カルボキシシクロアルキレン、オキシシクロアルケニレン、チオシクロアルケニレン、アミノシクロアルケニレン、カルボキシシクロアルケニレン、オキシアリーレン、チオアリーレン、アミノアリーレン、カルボキシアリーレン、オキシアルキルアリーレン、チオアルキルアリーレン、アミノアルキルアリーレン、カルボキシアルキルアリーレン、オキシアリールアルキレン、チオアリールアルキレン、アミノアリールアルキレン、カルボキシアリールアルキレン、オキシアリールアルケニレン、チオアリールアルケニレン、アミノアリールアルケニレン、カルボキシアリールアルケニレン、オキシアルケニルアリーレン、チオアルケニルアリーレン、アミノアルケニルアリーレン、カルボキシアルケニルアリーレン、オキシアリールアルキニレン、チオアリールアルキニレン、アミノアリールアルキニレン、カルボキシ アリールアルキニレン、オキシアルキニルアリーレン、チオアルキニルアリーレン、アミノアルキニルアリーレン、カルボキシアルキニルアリーレン、ヘテロアリーレン、オキシへテロアリーレン、チオへテロアリーレン、アミノへテロアリーレン、カルボキシへテロアリーレン、へテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、オキシへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、チオへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、アミノへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造、カルボキシへテロ原子含有２価または多価の環状部分構造等である。

ここで、「ヘテロアリーレン」は、芳香環の一部に１以上のヘテロ原子（例えばＮ、Ｏ、Ｓ等）を含んでいる二価の芳香族基を意味し、典型的には３から約１４までの範囲の炭素原子を有しており、「置換されたヘテロアリーレン」は前述の置換基を有するヘテロアリーレン基を意味する。

本発明の別の実施形態においては、本発明の実施で使用するために意図されたマレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマーは、Ｉ、ＩＩまたはＩＩＩの構造を有しており、ｍ＝１〜６、ｐ＝０〜６で、Ｊが以下の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）または（ｊ）である。

（ａ）飽和直鎖アルキルまたは分岐鎖アルキルであって、任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキル、シクロアルケニルから選ばれる置換基を有していてもよく、あるいはアルキル基上の置換基または主鎖の一部として、アリル部分構造で置換されていてもよく、アルキル基の鎖は約２０までの炭素原子を有するもの。

（ｂ）アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステルまたはポリエステルであって、ヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルあるいはシクロアルケニルから選ばれた置換基を任意に含んでいてもよいもの。

（ｃ） −（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−構造（但し、各Ｒ^３は独立して、水素、アルキルまたは置換されたアルキルを表し、各Ｒ^４は独立して、水素、低級アルキルまたはアリール、ｄ＝１−１０、ｅ＝１−１０、およびｆ＝１−５０を表す）で示されるシロキサン。

（ｄ） ［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_Ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１−１０、ｓ＝１−１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド。

（ｅ）

｛各Ａｒは、炭素数が３から１０までの１置換、２置換、または３置換の芳香族またはヘテロ芳香族環であり、Ｚは、
（ｉ）アルキレン鎖の上の置換基として、あるいはアルキレン鎖の主鎖の一部として飽和の環部分構造を含んでいてもよい直鎖アルキレンまたは分岐アルキレン、もしくは
（ｉｉ） −［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｑ−（ＣＲ_２）_ｓ−
（但し、各Ｒは独立して上に定義したとおりであり、ｒ＝１−１０、ｓ＝１−１０およびｑ＝１−５０である。）で表される構造を有するポリアルキレンオキシド
を示す。｝
で示される構造を有する芳香族基。

（ｆ） （ＣＲ_２）_ｔ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−Ａｒ−［（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＲ_２）_ａ］_１，２−
（但し、各Ｒは独立に上に定義したとおりであり、ｔ＝２−１０、ａ＝２−１０、Ａｒは上に定義したとおりである）
で表される構造を有する２または３置換芳香族部分構造。

（ｇ）

｛但し、ｔは上に定義したとおりであり、
ｕ＝１，２または３、
ｇ＝１から約５０、
各Ｒは独立して上に定義した通りであり、
各Ａｒは独立して上に定義した通りであり、
Ｅは、−Ｏ−または−ＮＲ^５− （ここでＲ^５は水素または低級アルキル）であり、
Ｗは、
（ｉ）直鎖または分岐鎖のアルキル、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステル、またはポリエステルであり、任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれた置換基を含んでいてもよい；
（ｉｉ）−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ− （但し、各Ｒ^３は独立して水素、アルキルまたは置換アルキルを表し、各Ｒ^４は独立して水素、低級アルキルまたはアリールを表し、ｄ＝１−１０、ｅ＝１−１０、およびｆ＝１−５０を表す）で示される構造を有するシロキサン；または
（ｉｉｉ）−［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１−１０、ｓ＝１−１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド
を表し、Ｗは任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、二トリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれた置換基を有していてもよい。｝
で示される構造を有する芳香族基。

（ｈ） Ｒ^７−Ｕ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ−Ｒ^８−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ））_ｖ−Ｕ−Ｒ^８−
｛但し、各Ｒ^６は独立して水素または低級アルキルであり、各Ｒ^７は独立して、１〜１８の炭素原子を有するアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、各Ｒ^８は鎖に１００個までの原子を有するアルキルまたはアルキルオキシ鎖であって任意にＡｒで置換されていてもよく、Ｕは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または−Ｐ（Ｌ）_１，２− （但し、Ｒは上に定義したとおりであり、Ｌは独立して＝Ｏ、＝Ｓ、−ＯＲまたは−Ｒであり）、ｖ＝０−５０である｝
で表される構造を有するウレタングループ。

（ｉ） 多環アルケニル。

（ｊ） これらの任意の２種以上の混合物。

マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミドへのＪ部分構造の結合点は、そのような結合を提供するために十分な価数を有しているＪ部分構造のどの原子上であってよいことが理解される。したがって、例えば、どんなＣ−Ｈ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−ＨあるいはＳ−Ｈ結合も置き換えられて、非水素の原子とマレイミド、ナジイミドあるいはイタコンイミドとの間の結合となることができる。

本発明の実施で使用するために意図された好ましいマレイミド−、ナジイミド−、イタコンイミド−含有モノマーは、上述のとおり、常温で液体として存在するものである。さらに好ましいマレイミド−、ナジイミド−、イタコンイミド−含有モノマーは、室温または約室温において生じるモノマーが液体となるように、Ｊは１２−５００の炭素原子と十分な分岐を含んでいる化合物を包含する。最も好ましい好ましいマレイミド−、ナジイミド−、イタコンイミド−含有モノマーは、生じるモノマーが液体となるように、Ｊは２０−１００の炭素原子と十分な分岐を含んでいる化合物を包含する。

接着剤組成物は、任意に複数のコモノマーを含んでいてもよく、ある実施形態の中では、マレイミド−、ナジイミド−および／またはイタコンイミド−含有モノマーは、ここに記載されるように、１種または２種以上の不飽和の酸無水物類、（メタ）アクリレート類、スチレン類、シアネートエステル類、ビニルエステル類、ジビニール化合物類、エポキシ樹脂等との組み合わせであることができる。

好ましい実施形態では、本発明の実施で使用するために意図された酸無水物は、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物、イタコン酸無水物など、あるいは無水マレイン酸、シトラコン酸無水物、イタコン酸無水物などとシクロペンタジエンとのディールス・アルダー付加物が挙げられる。本発明の実施で使用するために意図されたディールス・アルダー付加物は、次の構造：

（ここで、Ｖは独立してアルキルまたは置換アルキルであり、各ｘは独立して０、１または２、ｍ＝０−９である）
を有している。

本発明の実施で使用するために意図された典型的な（メタ）アクリレートは、多数の異なる化合物から合成することができる。ここに使用されるように、（メタ）アクリルおよび（メタ）アクリレートの用語は、モノマーおよびモノマー含有成分に関して同義的に使用される。用語（メタ）アクリルおよび（メタ）アクリレートとして、アクリル、メタクリル、アクリレートとメタクリレートを包含する。（メタ）アクリレート類は以下から選ばれる１種または２種以上のモノマーを含むことができる。

すなわち：
（ａ）式：

（ここで、Ｇは水素、ハロゲンあるいは１〜４炭素原子を有するアルキル、
Ｒ^１０は１〜１６炭素原子を有するアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルカリール、アラルキルまたはアリールであり、任意に、シラン、ケイ素、酸素、ハロゲン、カルボニル、水酸基、エステル、カルボン酸、尿素、ウレタン、カーバメート、アミン、アミド、硫黄、スルホネートまたはスルホンで置換または中断されていてもよい。）
（ｂ）式：

｛但し、Ｇは水素、ハロゲンあるいは炭素数１から４のアルキル、
Ｒ^１１は２価のアルキル、シクロアルキル、芳香族あるいはアリールアルキル基であって、−Ｏ−原子、および−Ｘ−原子または基に結合している炭素原子を通して結合しており、
Ｘは−Ｏ−、−ＮＨ−、あるいは−Ｎ（アルキル）−（但し、アルキルは、１から８炭素原子を有している。）であり、
ｚは２から６であり、
Ｒ^１２は、ｚ価のシクロアルキル、芳香族あるいはアリールアルキル基であって、１または２以上のＮＨ基に結合する炭素原子を通して結合している。｝
または、
（ｃ）ポリエチレングリコール−ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ−ジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン−ジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール−ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートなど、およびその任意の２以上の組み合わせから選ばれるジ−またはトリ−（メタ）アクリレート。

適切な重合可能な（メタ）アクリレートモノマーとしては、トリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコール・ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ジペンタエリトリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ビスフェノール−Ａ−エトキシレート−ジメタクリレート、トリメチロールプロパンエトキシレート−トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロポキシレート−トリアクリレート、ビスフェノール−Ａ−ジエポキシド−ジメタクリレート等およびそれらの任意の２以上の組み合わせを挙げることができる。

加えて、使用が意図される（メタ）アクリレートとしては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノール−Ａ−ジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン（メタ）アクリレートおよびジ（メタ）アクリレート、シトロネリルアクリレートおよびシトロネリルメタクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール−ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラヒドロジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、エポキシ化トリメチロールプロパン・トリアクリレート、トリエチレングリコールアクリレート、トリエチレングリコールメタクリレート等およびそれらの任意の２以上の組み合わせを挙げることができる。

本発明で使用が意図されるシアネートエステル類としては、Ｕ．Ｓ特許番号５，３５８，９９２、５，４４７，９８８、５，４８９，６４１、５，６４６，２４１、５，７１８，９４１および５，７５３，７４８（これらは参照することによりそのすべてをここに組み入れる）に記載されているような化合物が挙げられる。例えば、本発明の組成物中の成分として有用なシアネートエステル類は、ジシアナトベンゼン類、トリシアナトベンゼン類、ジシアナトナフタレン類、トリシアナトナフタレン類、ジシアナト−ビフェニル、ビス（シアナトフェニル）メタン類およびそのアルキル誘導体、ビス（ジハロシアナトフェニル）プロパン類、ビス（シアナトフェニル）エーテル類、ビス（シアナトフェニル）サルファイド、ビス（シアナトフェニル）プロパン類、トリス（シアナトフェニル）ホスファイト類、トリス（シアナトフェニル）ホスフェート、ビス（ハロシアナトフェニル）メタン類、シアネート化ノボラック、ビス［シアナトフェニル（メチルエチリデン）］ベンゼン、シアネート化ビスフェノール末端熱可塑性オリゴマー等およびそれらの任意の組み合わせから選ぶことができる。

さらに具体的に本発明で使用が意図されるものは、各分子の上に少なくとも１つのシアネート・エステル・グループを有しているアリール化合物であり、そのような化合物は、通常、式Ａｒ（ＯＣＮ）_ｍによって表わされる。但しＡｒは芳香族基で、ｍは２から５の整数である。芳香族基Ａｒは少なくとも６つの炭素原子を含んでいるべきであり、例えばフェニル、ビフェニル、ナフタリン、アントラセン等の芳香族炭化水素から誘導される。芳香族基Ａｒは、少なくとも２つの芳香族環が橋かけ基によって結合している多核性の芳香族炭化水素から誘導されてもよい。さらに、ノボラックタイプフェノール樹脂、即ちこれらフェノール樹脂のシアネートエステル類から誘導される芳香族基であってもよい。Ａｒはさらにまた環に結合した非反応性の置換基を含んでいてもよい。
このようなシアネートエステルの例としては、１，３−ジシアナトベンゼン；１，４−ジシアナトベンゼン；１，３，５−トリシアナトベンゼン；１，３−、１，４−、１，６−、１，８−、２，６−または２，７−ジシアナトナフタレン；１，３，６−トリシアナトナフタレン；４，４’−ジシアナト−ビフェニル；ビス（４−シアナトフェニル）メタンおよび３，３’，５，５’−テトラメチルビス（４−シアナトフェニル）メタン；２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−シアナトフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ジシアナトフェニル）プロパン；ビス（４−シアナトフェニル）エーテル；ビス（４−シアナトフェニル）スルフィド；２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン；トリス（４−シアナトフェニル）−ホスファイト；トリス（４−シアナトフェニル）ホスフェート；ビス（３−クロロ−４−シアナトフェニル）メタン；シアネート化ノボラック；１，３−ビス［４−シアナトフェニル−１−（メチルエチリデン）］ベンゼン、シアネート化ビスフェノール末端ポリカーボネートもしくは他の熱可塑性のオリゴマー等およびそれらの２以上の任意の組み合わせをあげることができる。

使用が意図される特に好ましいシアネートエステルは、「ＡＲＯＣＹ」［１，１−ジ（４−シアナトフェニルエタン）］の商標にて、チバスペシャリティケミカルズ、Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ニューヨークから商業的に入手可能である。３つの「ＡＲＯＣＹ」シアネートエステルの構造は次のとおりである。

本発明の実施で使用が意図さるジビニル化合物は、ビスマレイミド１当量あたり、ジビニル化合物＋多環オレフィンが１当量を超えないように存在する。ジビニル化合物は次の構造を有する。

ＣＨＲ^９＝ＣＲ^９−Ｍ_０，１−Ｄ−Ｍ_０，１−ＣＲ^９＝ＣＨＲ^９
（各Ｒ^９は独立して水素、低級アルキルまたはアリールであり、
各Ｍは独立して−Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−または−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、および
Ｄは、有機基またはオルガノシロキサン基、またはそれらの２以上の組合わせを含む１価または多価の部分構造である。）
ひとつの実施形態において、Ｄは一価の部分構造あるいは多価の部分構造であって、ヒドロカルビル（炭化水素基）、置換されたヒドロカルビル、ヘテロ原子を含んでいるヒドロカルビル、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換されたヒドロカルビレン、ヘテロ原子を含んでいるヒドロカルビレン、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体またはこれらの２種以上組合わせから選ばれ、任意に共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキル基または置換されたアルキル基、またはそれらの任意の２以上の組合わせを表す）からなる群より選ばれる１種または２種以上の結合基を含んでいてもよい。

さらに別の実施形態においては、上記ジビニル化合物は、Ｄが次の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、または（ｉ）のものを包含する。

（ａ）飽和の直鎖アルキルまたは分岐鎖アルキルであって、任意にアルキル基上の置換基または主鎖の一部として、アリール部分構造で置換されていてもよく、アルキル基の鎖は約２０までの炭素原子を有する。

（ｂ） −（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−構造（但し、各Ｒ^３は独立して、水素、アルキルまたは置換されたアルキルを表し、各Ｒ^４は独立して、水素、低級アルキルまたはアリール、ｄ＝１−１０、ｅ＝１−１０、およびｆ＝１−５０を表す）で示されるシロキサン。

（ｃ） ［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_Ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１−１０、ｓ＝１−１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド。

（ｄ）

｛各Ａｒは、炭素数が３から１０までの１置換、２置換、または３置換の芳香族またはヘテロ芳香族環であり、Ｚは、
（ｉ）アルキレン鎖の上の置換基として、あるいはアルキレン鎖の主鎖の一部として飽和の環部分構造を含んでいてもよい直鎖アルキレンまたは分岐アルキレン、もしくは
（ｉｉ） −［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｑ−（ＣＲ_２）_ｓ−
（但し、各Ｒは独立して上に定義したとおりであり、ｒおよびｓはそれぞれ上に定義したとおりであり、ｑは１から５０の範囲である。）で表される構造を有するポリアルキレンオキシド
を示す。｝
で示される構造を有する芳香族基。

（ｅ）

（但し、各Ｒは独立に上に定義したとおりであり、ｔは２から１０の範囲であり、ｕは２から１０の範囲であり、Ａｒは上に定義したとおりである）
で表される構造を有する２または３置換芳香族部分構造。

（ｆ）

｛但し、各Ｒは独立して上に定義したとおりであり
ｔ＝２−１０、
ｋ＝１，２または３、
ｇ＝１から約５０、
各Ａｒは独立して上に定義した通りであり、
Ｅは、−Ｏ−または−ＮＲ^５− （ここでＲ^５は水素または低級アルキル）であり、
Ｗは、
（ｉ）直鎖または分岐鎖のアルキル、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステル、またはポリエステル；
（ｉｉ）−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、 −（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ− （但し、各Ｒ^３は独立して水素、アルキルまたは置換アルキルを表し、各Ｒ^４は独立して水素、低級アルキルまたはアリールを表し、ｄ＝１−１０、ｅ＝１−１０、およびｆ＝１−５０を表す）で示される構造を有するシロキサン；または
（ｉｉｉ）−［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１−１０、ｓ＝１−１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド
を表し、Ｗは任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、二トリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれた置換基を有していてもよい。｝
で示される構造を有する芳香族基。

（ｇ） Ｒ^７−Ｕ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ−Ｒ^８−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ））_ｖ−Ｕ−Ｒ^８−
｛但し、各Ｒ^６は独立して水素または低級アルキルであり、各Ｒ^７は独立して、１〜１８の炭素原子を有するアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、各Ｒ^８は鎖に１００個までの原子を有するアルキルまたはアルキルオキシ鎖であって任意にＡｒで置換されていてもよく、Ｕは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または−Ｐ（Ｌ）_１，２− （但し、Ｒは上に定義したとおりであり、Ｌは独立して＝Ｏ、＝Ｓ、−ＯＲまたは−Ｒである。）、ｖ＝０−５０である。｝
で表される構造を有するウレタングループ。；
（ｈ） 多環アルケニル。

（ｉ） これらの任意の２種以上の混合物。

ここで使用が意図されるエポキシ樹脂としては、Ｃ４−Ｃ２８アルキルグリシジル・エーテル類；Ｃ２−Ｃ２８アルキルグリシジルおよびアルケニルグリシジルエステル類；Ｃ１−Ｃ２８アルキル−，モノ−およびポリフェノールグリシジルエーテル類；ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン（またはビスフェノールＦ、日本化薬、日本、商業的に入手可能なＲＥ−４０４−ＳまたはＲＥ−４１０−Ｓ）、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン（またはビスフェノールＡ）、４，４’−ジヒドロキシジフェニルジメチル・メタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメチル・メタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルシクロヘキサン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルプロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンおよびトリス（４−ヒドロキシフェニル）メタンのポリグリシジルエーテル類；前述のジフェノールの遷移金属錯体塩素化および臭素化生成物のポリグリシジルエーテル類；ノボラックのポリグリシジルエーテル類；芳香族ヒドロカルボン酸とジハロアルカンまたはジハロゲンジアルキル・エーテルの塩類のエステル化により得られたジフェノールのエーテル類をエステル化して得られたジフェノールのポリグリシジルエーテル類；少なくとも２つのハロゲン原子を含む長鎖のハロゲンパラフィン類とフェノールの縮合により得られたポリフェノールのポリグリシジルエーテル類；Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアニリン；Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ｄｉグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジグリシジル−４−アミノフェニルグリシジル・エーテル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−１，３−プロピレンビス−４−アミノベンゾエート；フェノール・ノボラック・エポキシ樹脂；クレゾール・ノボラック・エポキシ樹脂を挙げることができる。

商業的に入手可能なエポキシ樹脂の中でも使用に適したものとして、フェノール類のポリグリシジル誘導体（シェル・ケミカル社からの商標ＥＰＯＮ ８２８、ＥＰＯＮ １００１、ＥＰＯＮ １００９およびＥＰＯＮ １０３１； ダウケミカル社からのＤＥＲ ３３１、ＤＥＲ ３３２、ＤＥＲ ３３４およびＤＥＲ ５４２；チバスペシャリティケミカルズ、Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ニューヨークからのＧＹ２８５；また日本化薬、日本からのＢＲＥＮ−Ｓ）を挙げることができる。その他の適したエポキシ樹脂は、ポリオールなどから合成されたポリエポキシド類、およびフェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル誘導体が挙げられ、後者は、ダウケミカル会社からの商標ＤＥＮ ４３１、ＤＥＮ ４３８およびＤＥＮ ４３９として商業的に入手可能である。さらに、クレゾール類似体もチバスペシャルティケミカルズからＥＣＮ １２３５、ＥＣＮ １２７３およびＥＣＮ １２９９が商業上入手可能である。ＳＵ−８は、シェル・ケミカルズ（以前はＩｎｔｅｒｅｚ社）から入手可能なビスフェノールのＡ型のエポキシのノボラックである。さらに、アミン類、アミノアルコールおよび多カルボン酸のポリグリシジル付加物はこの発明において有用であり、Ｆ．Ｉ．Ｃ．コーポレイションからＧＬＹＡＭＩＮＥ １３５、ＧＬＹＡＭＩＮＥ １２５およびＧＬＹＡＭＩＮＥ １１５が、チバスペシャルティケミカルズからＡＲＡＬＤＩＴＥ ＭＹ−７２０、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ＭＹ−７２１、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ０５００、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ０５１０が、およびＳｈｅｒｗｉｎ−Ｗｉｌｌｉａｍｓ社からＰＧＡ−ＸおよびＰＧＡＣが入手可能である。そして、もちろん異なるエポキシ樹脂の組み合わせも使用できるものとして意図される。

発明の接着剤組成物は、付加的に少なくとも１つのフリーラジカルを含む。ここに、用語「フリーラジカル開始剤」は、十分なエネルギー（例えば光、熱あるいはその他同種のもの）に曝されることで、荷電していないが各々少なくとも１つの不対電子を所有する２つの部分に分解するどのような化学種をも意味する。本発明の実施で使用されるフリーラジカル開始剤としては、約７０℃から１８０℃までの範囲の温度で分解するもの（つまり、約１０時間の範囲の半減期を有している）化合物が好ましい。

本発明の実施で使用するために意図されるフリーラジカル硬化開始剤は、例えば、過酸化物（例えばパーオキシエステル類、パーオキシカーボネート類、ヒドロパーオキサイド類、アルキルパーオキサイド類、アリールパーオキサイド類等）、アゾ化合物等が挙げられる。好ましくは、本発明の実施で使用するために意図されるフリーラジカル硬化開始剤は、過酸化物（例えばジクミルパーオキサイド、過酸化ジベンゾイル、２−ブタノンパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−２、５−ジメチルヘキサン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼンおよびｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド）、アゾ化合物（例えば２、２’−アゾビス（２−メチルプロパンニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルブタンニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）等である。

あるいは、本発明の組成物は硬化開始剤の必要なしに硬化する。例えば本発明の組成物は電磁線（例えば、可視光、紫外光）の照射に曝されることで硬化することもある。

本発明による接着剤組成物は、典型的には、約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲の熱硬化性のモノマー、約０．２ｗｔ％から約２．０ｗｔ％の範囲の硬化開始剤、そして約０．０５ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲のスペーサーを含む。好ましくは、本発明の接着剤組成物は、約５ｗｔ％から約８５ｗｔ％の範囲の熱硬化性のモノマー、および約０．０５ｗｔ％から約５０ｗｔ％のスペーサーを含む。最も好ましくは、本発明の接着剤組成物は、約１０ｗｔ％から約７５ｗｔ％までの範囲熱硬化性のモノマー、および約０．０５ｗｔ％から約１０ｗｔ％のスペーサーを含有する。

当業者が容易に理解できるように、発明の接着剤組成物は種々様々の用途において有用である。米国特許番号５，３２３，０６０（参照によって全体をここに組み入れられる）に記載されたマルチチップ・モジュールの製作、米国特許番号５，２８６，６７９（参照によってその全体をここに組み入れられる）に記述された方法、米国特許番号５，１４０，４０４（参照によってその全体をここに組み入れられる）に記述した半導体集積回路装置の製作、米国特許番号６，４６５，８９３（参照によってその全体をここに組み入れられる）に記述した半導体チップアセンブリーの作製等が挙げられる。

図を参照しながら、いくつかの積層ダイ構造を示す。例えば、図１は積層構造を示しており、２０と２２で示される本発明の接着剤使用して、装置３および装置５が基板１にマウントされている。本発明の接着剤中における、有機スペーサーの存在により、アセンブリーのすべての寸法にわたって、接着剤が実質上一定の接着剤ライン（ボンドライン）を維持していることに注目されたい。図１示された実施形態は、装置３は装置５より大きさがより小さい。当業者が容易に理解するように、装置５の上に追加の装置をマウントすることができるかもしれないし、そのために、さらに高密度製品を提供できる。

他の例として、図２は、マルチの基板が実質的に同一のサイズを有する積層アセンブリを示している。このように、装置３と５’の間で使用された本発明の接着剤は、ワイヤボンド１５を含めずに、マウントされた２つの装置間のスペースだけを満たしている。あるいは、本発明の接着剤は、完全にワイヤボンド１５を含む２つの装置間のスペースを充填してもよい。このようにすると、ワイヤボンド構造を補足的に保護することができる。

さらに異なる例として、図３はフリップチップ１１が基板として役立つ積層アセンブリの例であり、装置の残りとの電気的接続を半田バンプ１０を通して行っている。アセンブリの残り部分は、例えば、図１、２にしめしたように種々の方法で作製することができ、簡単のために、装置３、５として図１で示したのと同じ形のものを示した。

本発明では、接着剤組成物は、任意成分として組成物の重量の合計に基づいて、少なくとも１つのカップリング剤を約０．１ｗｔ％から約１０ｗｔ％の範囲で含んでいてもよい。好ましくは、使用された時、カップリング剤は、約０．２ｗｔ％から約５ｗｔ％までの範囲である。本発明の実施で使用するために意図されたカップリング剤は、シロキサン類およびケイ酸エステル類、金属アクリレート塩類、チタネート類等が挙げられる。

本発明の接着剤組成物は、任意成分として少なくと１種の充填剤を含んでもよい。本発明の実施に使用されることが意図される充填剤は、スペーサー以外のものであって、必要により伝導性（電気的、熱的）であってよい。本発明の実施に使用されることが意図される導電性充填剤は、銀、ニッケル、金、コバルト、銅、アルミニウム、黒鉛、銀をコーティングした黒鉛、ニッケルをコーティングした黒鉛、そのような金属の合金等、およびそれらの混合物が挙げられる。充填材は、粉体およびフレークのどちらの形態で、本発明の接着剤組成物の中で使用されてもよい。好ましくは、フレークは、約２ミクロンより少ない厚さで、約２０から約２５ミクロンの平面の次元を有している。好ましくは使用されるフレークは、約０．１５〜５．０ｍ^２／ｇの表面積および約０．４から約５．５ｇ／ｃｃのタップ比重を有している。発明の実施で使用される粉体は、約０．５〜１５ミクロンの直径を有していることが現在好ましい。もし存在する場合、充填材は典型的には、接着剤組成物の重量に基づいて、約１％から約９５％の範囲で含まれる。

本発明の実施で必要により使用が意図された熱伝導性の充填材は、例えば、窒化ホウ素、炭化ケイ素、ダイヤモンド、黒鉛、酸化ベリリウム、マグネシア、シリカ、アルミナ等が挙げられる。これらの充填材の粒径は、約０．５ミクロンから約２５ミクロンの範囲であることができる。好ましくは、粒径は約２０ミクロンである。

電気および／または熱伝導性の充填材は、必要により（そして好ましくは）、実質的に触媒的に活性な金属イオンが、キレート化剤、還元剤、非イオン潤滑剤またはそのような剤の混合物による処理によって存在しないようになっている。そのような処理は米国特許番号５，４４７，９８８に記述される。それは参照によってその全体がここに組み入れられる。

必要により、電気的にも熱的にも伝導性でない充填材が使用されてもよい。そのような充填材は、接着剤配合に、例えば減少した熱膨張、減少した比誘電率、改善されたタフネス、増加した疎水性などの性質を望ましく与えることができる場合がある。そのような充填材の例としては、フッ素化炭化水素重合体（例えばテフロン（商標））、熱可塑性の重合体、熱可塑性エラストマー、雲母、融解石英、ガラスパウダーなどが挙げられる。

少なくとも１つのカップリング剤および少なくとも１つの充填材を含む本発明の接着剤組成物は、約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲の少なくとも１つの熱硬化性のモノマー、約０．２ｗｔ％から約２．０ｗｔ％の範囲の少なくともつの開始開始剤、約０．５ｗｔ％から約５ｗｔ％の範囲の少なくとも１つのカップリング剤、約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲の充填剤、および約０．０５ｗｔ％から約５０ｗｔ％の範囲のスペーサーを典型的に含む。好ましくは、発明接着剤組成物は、約５ｗｔ％から約８５ｗｔ％の範囲の熱硬化性のモノマー、約１０ｗｔ％から約８５ｗｔ％の範囲の少なくとも１つの充填材、および約０．０５ｗｔ％から約５０ｗｔ％の範囲のスペーサーを含む。好ましくは、発明の接着剤組成物は、約１０ｗｔ％から約７５ｗｔ％の範囲の熱硬化性のモノマー、約３０ｗｔ％から約８０ｗｔ％の範囲の少なくとも１つの充填材、および０．０５ｗｔ％から約１０ｗｔ％のスペーサーを含む。
発明のさらに別の態様では、発明の接着剤組成物と、必要により、１つまたは２以上の有機重合体から構築されたスペーサーとは異なる充填材を含むダイ接着ペーストが提供される。ダイ接着ペースト中に充填材が存在する場合には、それは典型的にはダイ接着剤ペーストの合計の約１０から９０ ｗｔ％の範囲で存在し、発明の接着剤組成物は約１０から８０ ｗｔ％の範囲でダイ接着ペースト中に存在する。

発明の別の態様では、装置と基板の間に実質上均一なボンドラインを作成する方法であって、基板と装置の間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む方法であって、そこでスペーサーが装置と基板の間のボンドライン厚さを制御する方法が提供される。ボンドライン厚さは、特にスペーサーのサイズによって決定される。本発明の実施で使用するために意図された装置は、例えば半導体ダイ（例えばワイヤボンドさたもの、フリップチップ等）、抵抗器、キャパシタ等のようなどんな表面実装部品をも含んでいる。発明の実施で使用するために意図された装置は、好ましくは、半導体ダイである。使用のために意図される基板は、金属基板（例えばリードフレーム）および有機の基板（例えば積層品、ボールグリッドアレイ、ポリアミド・フィルムなど）を含んでいる。

発明のダイ接着組成物を硬化させるのに適切な条件は、上記のアセンブリーを約０．５から約２分間、３００℃未満の温度にさらすことを含む。この迅速で短期間の加熱は、様々な方法で（例えばインライン熱レール、ベルトファーネス等）遂行することができる。

あるいは、発明のダイ接着組成物を硬化させるのに適切な条件は、上記のアセンブリーを１２０℃から２００℃の範囲の温度に、約１５分から約６０分間曝すことを含む。これらの条件は、硬化オーヴン中に、上記アセンブリーを置くこと等の様々な方法により得ることができる。

発明の異なる態様では、装置と基板の間の接着剤のギャップ厚さを制御する方法が提供され、その方法は、基板と装置の間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含み、そこでスペーサーが装置と基板の間の接着剤のギャップ厚さを制御する。

発明のさらに異なる態様では、接着剤のボンドライン全体に渡る平面性を維持する方法が提供され、その方法は、基板と装置の間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含み、そこでスペーサーが装置と基板の間のボンドライン全体に渡る平面性を維持する。

さらに本発明の異なる態様において、積層配置で基板に付けられた少なくとも２つの半導体ダイ間に実質的に均一のボンドラインを形成する方法が提供され、その方法は、基板と各ダイの間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む。そこでスペーサーが装置と基板の間のボンドラインを横切る平面性を維持する。当業者に明らかなように、いくつかの応用では、発明の接着剤が実質的に完全に接着的にくっつけられる表面間のギャップを満たすのが望ましいかもしれない。他の応用では、発明の接着剤配合が、接着的にくっつけられる表面間のギャップを完全には満たさないことが望ましいかもしれない。当業者に明らかなように、接合したダイは同じサイズでも異なるサイズでもよい。

発明のさらに異なる態様では、スペーサー・ダイの必要なしに積み重ねられた配置において、基板に少なくとも２つの半導体ダイを接着的に付ける方法が提供され、その方法は、基板と各ダイの間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む。当業者に明らかなように、いくつかの応用では、発明の接着剤が実質的に完全に接着的にくっつけられる表面間のギャップを満たすのが望ましいかもしれない。他の応用では、発明の接着剤配合が、接着的にくっつけられる表面間のギャップを完全には満たさないことが望ましいかもしれない。当業者に明らかなように、接合したダイは同じサイズでも異なるサイズでもよい。

発明の別の態様では、積層配置での複数の半導体ダイを含むアセンブリにおいて、半導体ダイの間のボンドライン厚さを制御する方法が提供され、その方法は、各ダイの間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む。当業者に明らかなように、いくつかの応用では、発明の接着剤が実質的に完全に接着的にくっつけられる表面間のギャップを満たすのが望ましいかもしれない。他の応用では、発明の接着剤配合が、接着的にくっつけられる表面間のギャップを完全には満たさないことが望ましいかもしれない。当業者に明らかなように、接合したダイスは同じサイズでも異なるサイズでもよい。

本発明のさらに別の態様によれば、発明の接着剤組成物を使用して互いに付着した部品のアセンブリーが提供される。従って、例えば、発明接着剤組成物の硬化部材によって第１部品が永久的に第２部品に付着したアセンブリが提供される。発明組成物を使用するアセンブリーのために意図された部品は、記憶装置、ＡＳＩＣ装置、マイクロプロセッサ、フラッシュ・メモリー装置などを含んでいる。

本発明のさらに別の態様では、積層配置で基板に置かれた基板および複数の半導体ダイを含むアセンブリーが提供され、そこでは、発明接着剤組成物の硬化部材によって各半導体ダイが、基板または異なるダイに接着されている。

発明のさらに異なる態様では、少なくとも１つの半導体ダイ、少なくとも１つの基板およびそれらの間に配された接着剤組成物を有するアセンブリーにおけるボンドラインが提供され、そこでボンドラインの厚さは、接着剤配合中の複数のスペーサーによって決定される。好ましくは、アセンブリーは、約１ミルから約８ミルの範囲の厚さを備えたボンドラインを含んでいる。

発明のさらに異なる態様では、ダイ接着およびその他のアプリケーションでの使用に適した接着剤フィルム組成物が提供される。そのような組成物は、上記のような接着剤組成物と熱可塑性エラストマーを含む。後者は、一般式（Ａ−Ｂ）または（Ａ−Ｂ−Ａ）の少なくとも１つのユニットを有しているブロック共重合体であり、ここでＡは非エラストマーの重合体ブロックで、Ｂはエラストマーの重合体ブロック、即ち必要により置換されたオレフィン・モノマーおよび／または必要により置換された共役ジエンモノマーの重合生成物である。

ここで、用語「ブロック共重合体」は、２つ以上の異なる重合体サブユニットが互いに連結されて構成された重合体を意味する。エラストマーの重合体ブロックはゴム状の性質を示す重合体サブユニットである；つまり、それは室温で柔軟で、応力の下で変形するが応力の除去で回復する性質せある。非エラストマーの重合体ブロックは、室温で固く、伸びない重合体サブユニットである。ポリブタジエンはエラストマー重合体ブロックの例であり、一方、ポリスチレンは非エラストマーブロックの例である。

本発明の実施で使用するために意図された熱可塑性エラストマーは、例えば、ポリスチレン−ポリブタジエン−ポリスチレンブロック共重合体、ポリスチレン−ポリイソプレン−ポリスチレンブロック共重合体、ポリスチレン−ポリジメチルブタジエン−ポリスチレンブロック共重合体、ポリブタジエン−ポリアクリロニトリルブロック共重合体などが挙げれる。好ましくは、ブロック共重合体は、ポリスチレン−ポリブタジエン−ポリスチレンブロック共重合体あるいはポリブタジエン−ポリアクリロニトリルブロック共重合体である。

発明のさらに異なる態様では、そのような接着剤フィルム組成を採用したアセンブリとその製造方法が提供される。したがって、本発明は、基板に接着的に装置を付ける方法を提供し、その方法は、基板と装置の間に配した十分な量の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む。本発明の実施で使用するために意図された装置は、例えば半導体ダイ、抵抗器、キャパシタ等のようなどのような表面実装部品をも含んでいる。発明の方法の実施で使用するために意図された装置は、好ましくは、半導体ダイである。使用のために意図された基板は、金属基板（例えばリードフレーム）、有機の基板など（例えば積層品、ボールグリッドアレイ、ポリアミド・フィルム）を含んでいる。

発明の接着剤フィルム組成物を硬化させるのに様々な条件が適切である。例えば、ある実施形態では、少なくとも１５０℃で３００℃未満の温度で約０．５から約２分以内の間、本発明のフィルム接着剤組成物を曝す工程を含む。この迅速で短期間の加熱は、様々な方法で（例えばインライン熱レール、ベルトファーネス等）遂行することができる。代替される実施形態では、発明のフィルム接着剤組成物を１２０℃から２００℃の範囲の温度に、約１５分から約６０分間曝すことを含む。これらの条件は、硬化オーヴン中に、上記発明のフィルム接着剤組成物を置くこと等の様々な方法により得ることができる。さらに他の代替実施形態において、発明フィルム接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件は、発明のフィルム接着剤組成物を、液状の接着剤の粘度を増加させてタックを減少させるのに十分な高温度で、かつ完全な硬化を妨げるのに十分に低い温度で予備硬化させる工程を含む。予備硬化させられた接着剤フィルム組成物が施与された部品は、その後、完全に硬化した接着剤を与えるように、上記のような最終硬化させられる。
本発明はここで、次に示す限定されない例を参照して、詳細に説明される。

この例は、３つの異なる本発明の接着剤組成物、ＤＲ４８、ＤＲ５１およびＤＲ５０のボンドライン・データを示す。これらの発明の組成物の各々は、次の成分を含んでいる同じベース組成から調製された：

上にリスト成分に加えて、発明の組成物ＤＲ４８は３〜４ミルのスペーサーを含んでおり、組成物ＤＲ５１は４〜５ミルのスペーサーを含んでおり、また、組成物ＤＲ５０は５〜６ミルのスペーサーを含んでいた。

表１中で示されたボンドライン・データは、５００×５００×１４ミルのダイの上に３００×３００×１４ミルのダイをのせたもので、１０Ｎの押つけ力で１５０℃のホットブロック上で１分間硬化させた部品に基づいて得られた。

表１中に示されるボンドライン・データから容易に確認されるように、各発明組成物は各配合のために選ばれたスペーサーのサイズに相当するボンドライン厚さを提供する。例えば、４〜５ミルのスペーサーを含んでいる組成物ＤＲ５１は、４．４１ミルのボンドライン厚さを提供する。さらに、表１中のデータにより、各発明組成物が全ボンドラインを横切って実質上均一な平面性が提供されていることが明らかである。

表２中で示されたデータは、＞１ミルまでボンドラインを制御するために１．５ミルのスペーサーを使用した電気的に伝導性の接着剤について得られた。即ち、接着剤（１．５ミルのスペーサーの添加の有るもの無いもの）は７８×７１ミル・ダイに塗布され、迅速に硬化させた（２４０℃２７秒引き続き２９０℃２３秒）。

表２中で示されたデータから容易に確認することができるように、変性接着剤では、ダイ剪断応力、電気的性質のような性質に有意な影響を与えることなく、スペーサーの存在により一定したボンドラインを維持することができる。同様に、ここに意図されるようなスペーサーの存在が、スペーサーが添加される接着剤の破壊靭性に、実質的に影響を与えないことが観察される。

本発明の接着剤を使用して作製された積層ダイアセンブリーの１つの実施形態の断面図である。 本発明の接着剤を使用して作製された積層ダイアセンブリーの別の実施形態の断面図である。 本発明の接着剤を使用して作製された積層ダイアセンブリーのさらに別の実施形態の断面図である。

Claims (52)

1. 少なくとも１つの熱硬化性のモノマー、複数個のスペーサー、および含有されていてもよい少なくとも１つの硬化開始剤を含み、前記スペーサーが１または複数の有機ポリマーから構成される接着剤組成物。
2. さらに無機充填剤材料を含む請求項１記載の接着剤組成物。
3. 前記スペーサーが実質的に球である請求項１記載の接着剤組成物。
4. 前記スペーサーが約０．０２から２５ミルの範囲の粒径を有する請求項３記載の接着剤組成物。
5. 前記スペーサーが約０．１から１５ミルの範囲の粒径を有する請求項４記載の接着剤組成物。
6. 前記有機ポリマーが実質的に非架橋である請求項１記載の接着剤組成物。
7. 前記有機ポリマーが部分的に架橋している請求項１記載の接着剤組成物。
8. 前記有機ポリマーが実質的に完全に架橋している請求項１記載の接着剤組成物。
9. 前記有機ポリマーが置換基を有していてもよいエチレン性不飽和モノマーの重合物である請求項１記載の接着剤組成物。
10. 前記有機ポリマーがα−オレフィン類、（メタ）アクリレート類、ビニルエステル類、アクリルアミド類およびアクリロニトリル類の単独または共重合体である請求項１記載の接着剤組成物。
11. 前記有機ポリマーが（メタ）アクリレート類の単独または共重合体である請求項１記載の接着剤組成物。
12. 前記有機ポリマーがポリメチルメタクリレートである請求項１記載の接着剤組成物。
13. 前記ポリメチルメタクリレートが約５０，０００から約１，５００，０００の範囲の分子量を有する請求項１２記載の接着剤組成物。
14. 前記ポリメチルメタクリレートが約４００，０００から約５００，０００の範囲の分子量を有する請求項１２記載の接着剤組成物。
15. 前記熱硬化性モノマーが、マレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマー類、不飽和の酸無水物類、（メタ）アクリレート類、スチレン類、シアネートエステル類、ビニルエステル類、ジビニール化合物類、アクリルアミド類、アクリロニトリル類、アリルアミド類、およびエポキシ樹脂類からなる群より選ばれる請求項１記載の接着剤組成物。
16. 前記マレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマーが、それぞれ次のＩ、ＩＩ、ＩＩＩの構造を有する請求項１５記載の接着剤組成物。
    

    

    （式中、ｍ＝１〜１５、ｐ＝０〜１５、各Ｒ^２は、独立して水素または低級アルキル基から選ばれ、Ｊは有機基または有機シロキサン基、またはそれらの２つ以上の組合わせを含む一価または多価の部分構造である。）
17. 前記Ｊが、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換されたヒドロカルビレン、ヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、置換されたヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体またはこれらの２種以上組合わせからなる群
    ｛但しこれらは、共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ_２−（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキル基または置換されたアルキル基、またはそれらの任意の２以上の組合わせを表す）からなる群より選ばれる１種または２種以上の結合基を含んでいてもよい。｝
    から選ばれる請求項１６記載の接着剤組成物。
18. ｍ＝１〜６、ｐ＝０〜６で、Ｊが以下の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）または（ｊ）である請求項１６記載の接着剤組成物。
    （ａ）ヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキル、シクロアルケニルから選ばれる置換基を有していてもよく、あるいはアルキル基上の置換基または主鎖の一部として、アリール部分構造で置換されていてもよい、アルキル基の鎖が約２０までの炭素原子を有する飽和直鎖アルキルまたは分岐鎖アルキル。
    （ｂ）ヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルあるいはシクロアルケニルから選ばれた置換基を含んでいてもよい、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステルまたはポリエステル。
    （ｃ） −（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−構造（但し、各Ｒ^３は独立して、水素、アルキルまたは置換されたアルキルを表し、各Ｒ^４は独立して、水素、低級アルキルまたはアリールを表し、ｄ＝１〜１０、ｅ＝１〜１０、およびｆ＝１〜５０である。）で示されるシロキサン。
    （ｄ） ［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_Ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１〜１０、ｓ＝１〜１０であり、ｆは上に定義されたとおりである）を有するポリアルキレンオキシド。
    （ｅ）
    

    

    ｛各Ａｒは、炭素数が３から１０までの１置換、２置換、または３置換の芳香族またはヘテロ芳香族環であり、
    Ｚは、
    （ｉ）アルキレン鎖の上の置換基として、あるいはアルキレン鎖の主鎖の一部として飽和の環部分構造を含んでいてもよい直鎖アルキレンまたは分岐アルキレン、もしくは
    （ｉｉ） −［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｑ−（ＣＲ_２）_ｓ−
    （但し、各Ｒは独立して上に定義したとおりであり、ｒ＝１〜１０、ｓ＝１〜１０およびｑ＝１〜５０である。）で表される構造を有するポリアルキレンオキシド
    を示す。｝
    で示される構造を有する芳香族基。
    （ｆ） （ＣＲ_２）_ｔ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−Ａｒ−［（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＲ_２）_ａ］_１，２−
    （但し、各Ｒは独立に上に定義したとおりであり、ｔ＝２〜１０、ａ＝２〜１０、Ａｒは上に定義したとおりである）
    で表される構造を有する２または３置換芳香族部分構造。
    （ｇ）
    

    

    ｛但し、
    ｔ＝２〜１０、
    ｕ＝１，２または３、
    ｇ＝１から約５０、
    各Ｒは独立して上に定義した通りであり、
    各Ａｒは上に定義した通りであり、
    Ｅは、−Ｏ−または−ＮＲ^５− （ここでＲ^５は水素または低級アルキル）であり、
    そして
    Ｗは、
    （ｉ）直鎖または分岐鎖のアルキル、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステル、またはポリエステルであり、任意にヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれた置換基を含んでいてもよい；
    （ｉｉ）−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−Ｃ（Ｒ^３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｄ−［Ｓｉ（Ｒ^４）_２−Ｏ］_ｆ−Ｓｉ（Ｒ^４）_２−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ^３）_２）_ｅ− （但し、各Ｒ^３は独立して水素、アルキルまたは置換アルキルを表し、各Ｒ^４は独立して水素、低級アルキルまたはアリールを表し、ｄ＝１〜１０、ｅ＝１〜１０、およびｆ＝１〜５０である。）で示される構造を有するシロキサン；または
    （ｉｉｉ）−［（ＣＲ_２）_ｒ−Ｏ−］_ｆ−（ＣＲ_２）_ｓ−構造（但し、Ｒは独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキル、ｒ＝１〜１０、ｓ＝１〜１０を表し、ｆは上に定義されたとおりである。）を有するポリアルキレンオキシド
    を表す。ここでＷはヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選ばれる置換基を有していてもよい。｝
    で示される構造を有する芳香族基。
    （ｈ） Ｒ^７−Ｕ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ−Ｒ^８−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^６−Ｒ^８−ＮＲ^６−Ｃ（Ｏ））_ｖ−Ｕ−Ｒ^８−
    ｛但し、各Ｒ^６は独立して水素または低級アルキルであり、各Ｒ^７は独立して、１〜１８の炭素原子を有するアルキル、アリールまたはアリールアルキルであり、各Ｒ^８は鎖に１００個までの原子を有するアルキルまたはアルキルオキシ鎖であって任意にＡｒで置換されていてもよく、Ｕは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または−Ｐ（Ｌ）_１，２− （但し、Ｒは上に定義したとおりであり、Ｌは独立して＝Ｏ、＝Ｓ、−ＯＲまたは−Ｒである。）、ｖ＝０〜５０である。｝
    で表される構造を有するウレタングループ。
    （ｉ） 多環アルケニル。
    （ｊ） これらの任意の２種以上の混合物。
19. 前記マレイミド−、ナジイミド−、イタコンイミド−含有モノマーまたはそれらの２つ以上の混合物が常温で液状である請求項１８記載の接着剤組成物。
20. 前記Ｊが、形成されるモノマーが室温または約室温において液状となるのに十分な長さと分岐とを有している請求項１８記載の接着剤組成物。
21. 前記硬化開始剤が、フリーラジカル硬化開始剤である請求項１記載の接着剤組成物。
22. 前記フリーラジカル硬化開始剤が、パーオキシエステル類、パーオキシカーボネート類、ヒドロパーオキサイド類、アルキルパーオキサイド類、アリールパーオキサイド類、およびアゾ化合物からなる群より選ばれる請求項２１記載の接着剤組成物。
23. 約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲のすくなくとも１種の熱硬化性のモノマー、約０．２ｗｔ％から約２．０ｗｔ％の範囲のすくなくとも１種の硬化開始剤、および約０．０５ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲のすくなくとも１種の有機スペーサーを含む請求項１記載の接着剤組成物。
24. すくなくとも１種のカップリング剤をさらに含む請求項１記載の接着剤組成物。
25. 前記無機充填剤材料が伝導性である請求項２記載の接着剤組成物。
26. 前記無機充填剤材料が電気伝導性である請求項２５記載の接着剤組成物。
27. 前記無機充填剤材料が熱伝導性である請求項２５記載の接着剤組成物。
28. 前記無機充填剤材料が非伝導性である請求項２記載の接着剤組成物。
29. フッ素化された炭化水素ポリマーで構成される充填剤材料をさらに含む請求項２記載の接着剤組成物。
30. 前記無機充填剤材料が、約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲で存在する請求項２記載の接着剤組成物。
31. 約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲中の少なくとも１種のマレイミド−、ナジイミド−またはイタコンイミド−含有モノマー類、約０．２ｗｔ％から約２．０ｗｔ％の範囲の少なくとも１種の開始開始剤、約０．５ｗｔ％から約５ｗｔ％の範囲の少なくとも１種のカップリング剤、約１ｗｔ％から約９５ｗｔ％の範囲のすくなくとも１種の充填剤、および約０．０５ｗｔ％から約５０ｗｔ％の範囲の１種または２種以上の有機ポリマーで構成されたスペーサーを含む接着剤組成物。
32. 装置と基板の間に実質的に均一なボンドラインを形成する方法であって、前記基板と前記装置の間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、この接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含み、それによって前記スペーサーが装置と基板の間のボンドライン厚さを制御する方法。
33. 前記ボンドラインの厚さが前記スペーサーのサイズで決められる請求項３２記載の方法。
34. 前記装置が半導体ダイである請求項３２記載の方法。
35. 装置と基板の間の接着剤のギャップ厚を制御する方法であって、前記装置と前記基板の間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、前記接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含み、それによって前記スペーサーが装置と基板の間の接着剤ギャップ厚さを制御する方法。
36. 前記装置が半導体ダイである請求項３５記載の方法。
37. 接着剤のボンドライン全体に渡る平面性を維持する方法であって、基板と装置の間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、前記接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含み、それによりスペーサーが装置と基板の間のボンドライン全体に渡る平面性を維持する方法。
38. 積層配置において基板に付けられた少なくとも２つの半導体ダイ間に実質的に均一のボンドラインを形成する方法であって、前記基板と前記各ダイの間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、前記接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む方法。
39. スペーサー・ダイの必要なしに積み重ねられた配置において、基板に少なくとも２つの半導体ダイを接着的に付ける方法であって、基板と各ダイの間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む方法。
40. 前記接着剤組成物が、接着的にくっつけられる表面間のギャップを実質的に完全に満たす請求項３９の方法。
41. 前記接着剤組成物が、接着的にくっつけられる表面間のギャップを完全には満たさない請求項３９の方法。
42. 積層配置での複数の半導体ダイを含むアセンブリにおいて、半導体ダイの間のボンドライン厚さを制御する方法であって、前記各ダイの間に配した十分な量の請求項１の接着剤組成物を、前記接着剤組成物を硬化させるのに適切な条件へ曝す工程を含む方法。
43. 第２の部品に対して請求項１の接着剤組成物の硬化部材によって接着された第１の部品を含むアセンブリー。
44. アセンブリーにおけるボンドラインであって、前記アセンブリが少なくとも１つの半導体ダイ、少なくとも１つの基板およびそれらの間に配された接着剤組成物を有し、そこでボンドラインの厚さは、接着剤配合中の複数のスペーサーによって決定されるボンドライン。
45. 前記ボンドラインが約１ミルから約８ミルの範囲の厚さである請求項４４記載のボンドライン。
46. 前記スペーサーがすくなくとも１つの反応性部分構造を有する請求項１記載の接着剤組成物。
47. 請求項１の接着剤組成物と、１種または２種以上の有機ポリマーで構成された前記スペーサーとは異なる充填剤を含んでいてもよいダイ接着ペースト。
48. 積層配置で基板に置かれた基板および複数の半導体ダイを含むアセンブリーであって、請求項１の接着剤組成物の硬化部材によって各半導体ダイが、基板または異なるダイに接着されているアセンブリー。
49. （ａ）請求項１記載の接着剤組成物、および
    （ｂ）一般式（Ａ−Ｂ）または（Ａ−Ｂ−Ａ）の少なくとも１つのユニットを有しているブロック共重合体（ここでＡは非エラストマーの重合体ブロックで、Ｂは置換されていてもよいオレフィン・モノマーおよび／または置換されていてもよい共役ジエンモノマーの重合生成物であるエラストマーの重合体ブロックである）
    を含有する接着剤フィルム組成物。
50. 接着的に装置を基板に付ける方法であって、前記装置表面と基板表面の間に接して配された請求項４９の接着性フィルム組成物を硬化させる工程を含む方法。
51. 前記装置が半導体ダイであり、前記基板がリードフレームである請求項５０記載の方法。
52. 請求項５０の方法で基板に対して接着された装置を含むアセンブリー。

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