CN1643095A - 含有机间隔剂的粘合剂组合物及其应用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供粘合剂组合物及其使用方法，该粘合剂组合物包括至少一种热固性单体、至少一种固化引发剂，和由一种或多种有机聚合物构成的多种间隔剂。本发明的粘合剂组合物用于控制在器件和基材之间的粘合层厚度和平面度。粘合层厚度和平面度很大程度上由粘合剂组合物内的间隔剂的尺寸来确定。本发明的粘合剂组合物也可用于制备叠层模片结构，所述结构包括在叠层布置的多个半导体模片。

Description

含有机间隔剂的粘合剂组合物及其应用方法
相关申请
本申请是2002年2月28日申请的待审申请No.10/087191的部分继续，申请No.10/087191的全部内容在此通过参考引入。
技术领域
本发明涉及粘合，和更特别地涉及例如在半导体器件的包装中，其中希望控制粘合层厚度与均匀度的表面粘结。
背景技术
电子器件的可靠性能主要取决于在其中包含的微电子组件的完整性。大多数电子器件含有容纳在各种保护包装内的数块微芯片。这些保护包装常含有各种粘合剂糊剂，所述粘合剂糊剂在维持包装的完整性并进而维持在其中容纳的微芯片的性能上扮演重要的作用。
含堆积在另一微芯片顶部上的微芯片的电子组件(常称为“叠层模片”)的最新生产对微电子包装工业提出了挑战。例如，必须有效控制各模片之间的间隔，以提供模片之间的可靠引线接合。此外，较薄模片的最新趋势增加模片翘曲的倾向。从而导致模片平面不在同一平面上(也是不可靠的引线接合的影响因素)。因此，在叠层模片应用中使用的粘合剂理想地除了提供在整个粘合层上的平面性以外，还需提供可重现的粘合层厚度。
现有技术中已公开了许多结构及其制备方法。例如，美国专利No.5140404公开了一种半导体集成电路器件，其中将半导体模片安装到不具有浆式模片的引线框上。通过下述步骤制造5140404专利的器件：
(a)将热塑性塑料施加到载体材料的第一侧，该热塑性塑料的物性使得当它被加热到约100℃时，它软化并流动，和当它冷却到其预热温度时，它回到其预热状态；
(b)将粘合剂施加到载体材料的第二侧；
(c)使载体材料的第二侧接触引线框的引线；
(d)将半导体模片放置在载体材料的第一侧上；
(e)加热热塑性塑料到其软化状态；和
(f)将热塑性塑料冷却到其预热状态，进而将模片和引线粘结到支持模片与引线的载体材料上。
环氧糊剂和膜被公开作为热塑性材料。
美国专利No.5286679公开了使用细的接合引线，将由多块结合片形成的半导体模片连接到引线框上的方法，所述引线框具有在模片表面上延伸而采用的多个连续金属引线销，用于连接到结合片上。5286679专利的方法包括：
在模片上沉积选自热塑性粘合剂或热固性粘合剂的粘合剂，并制作粘合剂图案，以便在模片的结合片不含粘合剂的情况下，在模片表面上形成预施加的构图粘合层；
在包装工艺过程中加热粘合层；和
在包装工艺过程中一起压制模片、加热的粘合层和引线框中的引线销，以粘结粘合层和引线销，并将引线销连接到模片上。
美国专利No.5323060公开了一种多芯片组件，它包括：
多芯片组件基材；
第一芯片；其中该第一芯片具有相对的基准面和粘结面，基准面粘着到多芯片组件基材上，第一芯片粘结面包括中心区域和在该中心区域周边侧向排列的多个结合片；
第二芯片；其中该第二芯片具有相对的基准面和粘结面，第二芯片粘结面包括中心区域和周边的多个结合片；
置于第一芯片粘结面和第二芯片基准面之间并连接二者的粘合层，粘合层具有厚度和侧向圆周；侧向圆周完全位于周围的结合片内部的中心区域以内；
多个第一环状粘结引线，它被粘结到各个第一芯片结合片和多芯片组件基材上和二者之间，其中各个第一环状粘结引线具有确定圆环高度的向外突出的圆环，其中圆环高度通过第一芯片粘结面与第一圆环粘结引线向外突出的圆环顶点之间的距离来确定，粘合层的厚度大于圆环高度，使得以非接触关系和相对于第一引线移置第二芯片基准面；和
多个第二圆环粘结引线，它被粘结到各个第二芯片结合片和多芯片组件基材上和二者之间。
美国专利No.6465893公开了半导体芯片组件，它包括：
(a)具有前表面、后表面和在前表面上的接点的第一半导体芯片；
(b)具有前表面、后表面和在前表面上的接点的第二半导体芯片，，第二半导体芯片的后表面毗邻第一半导体芯片的前表面；
(c)具有导电第一终端的第一衬底元件，其中第一衬底元件毗邻第一半导体芯片的后表面，以便至少一些终端覆盖第一半导体芯片的后表面，在第一和第二半导体芯片上的至少一些接点与至少一些终端电连接；和
(d)基材在其上具有接触片，第一终端与基材的接触片相连接，采用基材将组件与电路中其它元件连接，至少一些第一终端覆盖第一半导体芯片的后表面。
另外，在模片与基材之间的热错配引起的界面应力与连接的面积和粘合剂的弹性模量直接成正比。该应力还与粘合层的厚度成反比。由于对于给定的膜片连接粘合剂来说，弹性模量基本上是固定的，因此必须使用降低界面应力的替代方法，例如藉助在给定的一套组件之间的粘合层控制。若粘合层厚度足够大，则所得粘结体在各半导体模片与基材之间显示出良好的对差异热膨胀率的抗性并将产生具有高拉伸强度的粘结体。
在银-玻璃粘合剂材料方面公开了使用间隔剂元素(参见美国专利No.5232962)。然而，在热固性粘合剂方面尚未公开过使用间隔剂元素。
因此，在半导体器件的包装中，需要有效的方法控制粘合层和平面度。
发明概述
根据本发明，提供在有效控制粘合层厚度和平面度方面有效的粘合剂组合物。本发明的粘合剂组合物包括至少一种热固性单体，任选地至少一种固化引发剂，和由一种或多种有机聚合物构成的多种间隔剂(spacer)。本发明的粘合剂组合物尤其用于控制在器件与基材之间，或在叠层模片包装内的半导体模片之间的粘合层厚度和平面度。粘合层厚度和平面度很大程度上由粘合剂组合物内的间隔剂大小来确定。
在本发明进一步的方面中，提供在器件和基材之间生成基本上均匀粘合层的方法，用于控制在器件和基材之间的粘合剂间隙厚度，用于控制在粘合剂的粘合层上的平面度，用于在叠层结构内在至少一个半导体模片之间生成连接到基材上的基本上均匀的粘合层，和用于在不需要间隔剂模片的情况下，在叠层结构内将至少两个半导体模片用粘合剂连接到基材上。
在本发明额外的方面中，提供组件，其包括通过固化的等分本发明粘合剂组合物粘附到第二制品上的第一制品。
附图的简要说明
图1是使用本发明粘合剂制备的叠层模片组件的一个实施方案的横截面视图。
图2是使用本发明粘合剂制备的叠层模片组件的另一实施方案的横截面视图。
图3是使用本发明粘合剂制备的叠层模片组件的又一实施方案的横截面视图。
发明详述
根据本发明，提供粘合剂组合物，其包括至少一种热固性单体，任选地至少一种固化引发剂，和由一种或多种有机聚合物构成的多个间隔剂。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的间隔剂可以是任何各种形状，例如球形、不完全的球形、非球形、固体、中空等等形状。为在本发明的实践中使用而加以考虑的目前优选的间隔剂基本上为球形，和典型地粒度范围为约0.02mil至约25mil。优选，间隔剂的粒度范围为约0.1mil至约15mil。此处所使用的“mil”是等于1/1000英寸的度量单位。在本发明的粘合剂配方固化之中、之前和之后，间隔剂的完整性得以维持，即在固化之前、之中和之后间隔剂的尺寸和形状基本上保持恒定。例如，当将间隔剂掺入到粘合剂组合物中时，间隔剂优选不溶胀、软化或溶解。另外，为在本发明的实践中使用而加以考虑的间隔剂优选是疏水的。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的间隔剂包括有机粒状材料，该粒状材料可任选地含有允许间隔剂与粘合剂组合物内的其它组分交联的反应性部分。此处所使用的“反应性部分”是指与组合物内的至少一种其它组分反应的官能团。
由于众所周知许多热固性组合物当固化时(即当形成三维聚合物网络时)收缩，所以在本发明的实践中使用而加以考虑的间隔剂在一定程度上也可具有固化过程中收缩的能力，以便不破坏待粘着的制品或基材的表面。实际上，间隔剂的模量优选小于待粘着的制品或基材的模量，以不损害制品的表面。例如，间隔剂优选比在硅模片上的钝化膜柔软，以便分配在模片表面上的存在于粘合剂组合物内的间隔剂将不会破坏模片的表面。
根据本发明，可使用各种有机聚合物以构成在此处适用的间隔剂，例如为在此处使用而加以考虑的间隔剂可以是基本上不交联的聚合物，部分交联的聚合物，或基本上完全交联的聚合物。本领域的熟练技术人员容易地意识到，“不交联的聚合物”是指在单个的聚合物链之间基本上不含共价键的聚合物，而“基本上完全交联的聚合物”是指在单个的聚合物链之间具有大量共价键，结果使得所得聚合物相对刚硬的聚合物，同时“部分交联的聚合物”是指在单个的聚合物链之间具有一些但不是完全交联的聚合物。
为在此处使用而考虑的聚合物典型地为任选取代的烯键式不饱和单体的聚合产品。此处所使用的“烯键式不饱和单体”是指具有至少一个局部(即非芳族)碳碳双键的单体，如下所示：
在本发明的实践中可用的有机间隔剂的制备中而使用的聚合物包括例如α-烯烃、(甲基)丙烯酸酯、乙烯基酯、丙烯酰胺、丙烯腈和类似物以及其中的任何两种或多种的混合物的聚合产品。优选地，有机聚合物是(甲基)丙烯酸酯的聚合或共聚合产物。最优选地，有机聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。用作间隔剂而加以考虑的有机聚合物的分子量范围典型地为约50000至约1500000。优选地，有机聚合物的分子量范围为约400000至约500000。
在掺入到粘合剂配方内之前，典型地筛分间隔剂，以生产数组颗粒，其中每一组含有落在已确定范围内的粒度。掺入到粘合剂组合物内的所选粒度范围取决于给定包装所需的粘合层厚度。例如，人们可选择-120、+140目的筛子，以便在筛分之后基本上不存在粒度大于约5mil的间隔剂。
本发明组合物提供的尤其具有吸引力的益处是，通过合适地选择间隔剂作为粘合剂组合物中的组分，从而控制粘合层厚度和平面度的能力。进而通过合适地选择粘合剂组合物来预定粘合层厚度，这是在模片组件布置机器上控制粘合层厚度的经常费力和不经济的现有技术方法的理想替代方法。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的热固性单体包括例如含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺(nadimide)或衣康酰胺(itaconamide)的单体、不饱和酸酐、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、氰酸酯、乙烯基酯、二乙烯基化合物、丙烯酰胺、丙烯腈、烯丙胺、环氧化物和类似物。为在本发明的实践中使用而加以考虑的目前优选的热固性单体是任选地与一种或多种不饱和酸酐、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、氰酸酯、乙烯基酯、二乙烯基化合物、丙烯酰胺、丙烯腈、烯丙胺、环氧化物和类似物相结合的一种或多种以上所述的马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的混合物。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体分别具有结构I、II和III：
Figure A0380621600171
其中：
m＝1-15；
p＝0-15；
各R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是含有机或有机硅氧烷基团的单价或多价部分，和其中的任何两种或多种的结合。
在本发明的一方面中，J具有足够的长度和支化度，使得马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺在室温下分别为液态。
单价部分或多价部分典型地选自烃基、取代烃基、含杂原子的烃基、含杂原子的取代烃基、亚烃基(hydrocarbylene)、取代亚烃基、含杂原子的亚烃基、含杂原子的取代亚烃基、聚硅氧烷、聚硅氧烷聚氨酯嵌段共聚物，或其中的两种或多种的组合，它任选地含有选自下述中的一个或多个连接基：共价键、-O-、-S-、-NR-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-、-O-C(O)-NR-、-NR-C(O)-、-NR-C(O)-O-、-NR-C(O)-NR-、-S-C(O)-、-S-C(O)-O-、-S-C(O)-NR-、-O-S(O)2-、-O-S(O)2-O-、-O-S(O)2-NR-、-O-S(O)-、-O-S(O)-O-、-O-S(O)-NR-、-O-NR-C(O)-、-O-NR-C(O)-O-、-O-NR-C(O)-NR-、-NR-O-C(O)-、-NR-O-C(O)-O-、-NR-O-C(O)-NR-、-O-NR-C(S)-、-O-NR-C(S)-O-、-O-NR-C(S)-NR-、-NR-O-C(S)-、-NR-O-C(S)-O-、-NR-O-C(S)-NR-、O-C(S)-、O-C(S)-O-、O-C(S)-NR-、-NR-C(S)-、-NR-C(S)-O-、-NR-C(S)-NR-、-S-S(O)2-、-S-S(O)2-O-、-S-S(O)2-NR-、-NR-O-S(O)-、-NR-O-S(O)-O-、-NR-O-S(O)-NR-、-NR-O-S(O)2-、-NR-O-S(O)2-O-、-NR-O-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)-、-O-NR-S(O)-O-、-O-NR-S(O)-NR-、-O-NR-S(O)2-O-、-O-NR-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)2-、-O-P(O)R2-、-S-P(O)R2-、-NR-P(O)R2-、其中各R独立地为氢、烷基或取代烷基，和其中的两种或多种的组合。
此处所使用的术语“取代”，当与此处所指的任何物质结合使用时，包括诸如羟基、烷基、烷氧基(具有低级烷基)、巯基(具有低级烷基)、环烷基、取代环烷基、杂环、取代杂环、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、芳氧基、取代芳氧基、卤素、三氟甲基、氰基、硝基、硝酮、氧、氨基、酰氨基、马来酰亚胺基、琥珀酰亚胺基、衣康酰胺基、-C(O)H、酰基、酰氧基、羧基、氨基甲酸酯基、磺酰基、氨磺酰基、砜基之类的取代基和类似基团。
此处所使用的“烃基”包括其中其主链仅含碳和氢的任何有机基团。因此，烃基包括烷基、环烷基、链烯基、环烯基、炔基、芳基、烷芳基、芳烷基、芳基链烯基、链烯基芳基、芳基炔基、炔基芳基和类似基团。“取代烃基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的烃基。
此处所使用的“烷基”是指具有1到约500个碳原子的饱和直链或支链烃基。“低级烷基”是指具有约1到4个碳原子的直链或支链烷基。“取代烷基”是指是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的烷基。
此处所使用的“环烷基”是指含有3到约20个碳原子的含有环状环的基团，和“取代环烷基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的环烷基。
此处所使用的“链烯基”是指具有至少一个碳碳双键和典型地具有约2到500个碳原子的直链或支链烃基，和“取代链烯基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的链烯基。
此处所使用的“环烯基”是指含有约3到20个碳原子和具有至少一个碳碳双键的含有环状环的基团，和“取代环烯基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的环烯基。
此处所使用的“炔基”是指具有至少一个碳碳三键和典型地具有约2到500个碳原子的直链或支链烃基，和“取代炔基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的炔基。
此处所使用的“芳基”是指具有6到14个碳原子的芳基，和“取代芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基。
此处所使用的“烷芳基”是指烷基取代的芳基和“取代烷芳基“是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的烷芳基。
此处所使用的“芳烷基”是指芳基取代的烷基和“取代芳烷基“是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳烷基。
此处所使用的“芳基链烯基”是指芳基取代的链烯基和“取代芳基链烯基“是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基链烯基。
此处所使用的“链烯基芳基”是指链烯基取代的芳基和“取代链烯基芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的链烯基芳基。
此处所使用的“芳基炔基”是指芳基取代的炔基和“取代芳基炔基“是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基炔基。
此处所使用的“炔基芳基”是指炔基取代的芳基和“取代炔基芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的炔基芳基。
此处所使用的“亚烃基”是指二价直链或支链烃基，其中包括亚烷基、亚烯基、亚炔基、环亚烷基、杂环亚烷基、亚芳基、烷基亚芳基、芳基亚烷基、芳基亚烯基、芳基亚炔基、链烯基亚芳基、炔基亚芳基和类似基团；和“取代亚烃基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的亚烃基。
此处所使用的“亚烷基”是指典型地具有1到约500个碳原子的饱和、二价直链或支链烃基，和“取代亚烷基”进一步带有一个或多个如上所述取代基的亚烷基。
此处所使用的“亚烯基”是指具有至少一个碳碳双键和典型地具有约2到500个碳原子的二价直链或支链烃基；和“取代亚烯基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的亚烯基。
此处所使用的“亚炔基”是指具有至少一个碳碳三键和典型地具有约2到500个碳原子的二价直链或支链烃基；和“取代亚炔基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的亚炔基。
此处所使用的“环亚烷基”是指含有3到约20个碳原子的二价含环基团，和“取代环亚烷基”进一步带有一个或多个如上所述取代基的环亚烷基。
此处所使用的“杂环亚烷基”是指含有一个或多个杂原子(例如N、O、S或类似物)作为环结构的一部分且具有1到约14个碳原子的二价环状(即含环)基团，和“取代杂环亚烷基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的杂环亚烷基。
此处所使用的“环亚烯基”是指含有3到约20个碳原子且具有至少一个碳碳双键的二价含环基团，和“取代环亚烯基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的环亚烯基。
此处所使用的“亚芳基”是指典型地具有6到14个碳原子的二价芳基，和“取代亚芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的亚芳基。
此处所使用的“烷基亚芳基”是指典型地具有约7到16个碳原子的烷基取代的二价芳基，和“取代烷基亚芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的烷基亚芳基。
此处所使用的“芳基亚烷基”是指典型地具有约7到16个碳原子的芳基取代的二价烷基，和“取代芳基亚烷基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基亚烷基。
此处所使用的“芳基亚烯基”是指典型地具有约8到16个碳原子的芳基取代的二价链烯基，和“取代芳基亚烯基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基亚烯基。
此处所使用的“芳基亚炔基”是指典型地具有约8到16个碳原子的芳基取代的二价炔基，和“取代芳基亚炔基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的芳基亚炔基。
此处所使用的“链烯基亚芳基”是指典型地具有约7到16个碳原子的链烯基取代的二价芳基，和“取代链烯基亚芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的链烯基亚芳基。
此处所使用的“炔基亚芳基”是指典型地具有约7到16个碳原子的炔基取代的二价芳基，和“取代炔基亚芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的炔基亚芳基。
此处所使用的“聚硅氧烷聚氨酯嵌段共聚物”是指含有至少一个聚硅氧烷(软质)嵌段和至少一个聚氨酯(硬质)嵌段二者的聚合物。
当一个或多个如上所述的单价或多价基团含有一个或多个以上所述的连接基，以形成马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺基团的“J”侧挂基团(appendage)时，本领域的熟练技术人员将容易地意识到，可生产各种各样的有机链，如烷氧基、硫烷基、氨烷基、羧烷基、氧基链烯基、硫代链烯基、氨基链烯基、羧基链烯基、氧基炔基、硫代炔基、氨基炔基、羧基炔基、氧基环烷基、硫代环烷基、氨基环烷基、羧基环烷基、氧基环烯基、硫代环烯基、氨基环烯基、羧基环烯基、杂环、氧基杂环、硫代杂环、氨基杂环、羧基杂环、氧基芳基、硫代芳基、氨基芳基、羧基芳基、杂芳基、氧基杂芳基、硫代杂芳基、氨基杂芳基、羧基杂芳基、氧基烷芳基、硫代烷芳基、氨基烷芳基、羧基烷芳基、氧基芳烷基、硫代芳烷基、氨基芳烷基、羧基芳烷基、氧基芳基链烯基、硫代芳基链烯基、氨基芳基链烯基、羧基芳基链烯基、氧基链烯基芳基、硫代链烯基芳基、氨基链烯基芳基、羧基链烯基芳基、氧基芳基炔基、硫代芳基炔基、氨基芳基炔基、羧基芳基炔基、氧基炔基芳基、硫代炔基芳基、氨基炔基芳基或羧基炔基芳基、氧基亚烷基、硫代亚烷基、氨基亚烷基、羧基亚烷基、氧基亚烯基、硫代亚烯基、氨基亚烯基、烯丙基酰胺基、羧基亚烯基、氧基亚炔基、硫代亚炔基、氨基亚炔基、羧基亚炔基、氧基环亚烷基、硫代环亚烷基、氨基环亚烷基、羧基环亚烷基、氧基环亚烯基、硫代环亚烯基、氨基环亚烯基、羧基环亚烯基、氧基亚芳基、硫代亚芳基、氨基亚芳基、羧基亚芳基、氧基烷基亚芳基、硫代烷基亚芳基、氨基烷基亚芳基、羧基烷基亚芳基、氧基芳基亚烷基、硫代芳基亚烷基、氨基芳基亚烷基、羧基芳基亚烷基、氧基芳基亚烯基、硫代芳基亚烯基、氨基芳基亚烯基、羧基芳基亚烯基、氧基链烯基亚芳基、硫代链烯基亚芳基、氨基链烯基亚芳基、羧基链烯基亚芳基、氧基芳基亚炔基、硫代芳基亚炔基、氨基芳基亚炔基、羧基芳基亚炔基、氧基炔基亚芳基、硫代炔基亚芳基、氨基炔基亚芳基、羧基炔基亚芳基、杂亚芳基、氧基杂亚芳基、硫代杂亚芳基、氨基杂亚芳基、羧基杂亚芳基、含杂原子的二价或多价环部分、含氧杂原子的二价或多价环部分、含硫杂原子的二价或多价环部分、含氨基杂原子的二价或多价环部分、含羧基杂原子的二价或多价环部分和类似基团。
此处所使用的“杂亚芳基”是指含有一个或多个杂原子(例如N、O、S或类似物)作为芳环一部分且典型地具有3到约14个碳原子的二价芳基，和“取代杂亚芳基”是指进一步带有一个或多个如上所述取代基的杂亚芳基。
在本发明另一实施方案中，为在本发明的实践中使用而加以考虑的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体具有结构I、II或III，其中
m＝1-6；
p＝0-6；和
J是
(a)饱和直链烷基或支链烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基、环烯基或任选取代的芳基部分的取代基作为在烷基链上的取代基或作为烷基链的主链的一部分，其中烷基链具有最多约20个碳原子；
(b)亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯或聚酯，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基；
(c)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；
(d)具有结构[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-的多氧化亚烷基，其中：
各R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(e)具有结构 的芳基，
其中各Ar为具有3到10个碳原子的单取代、二取代或三取代的芳环或杂芳环，和Z是：
(i)饱和直链亚烷基或支链亚烷基，其任选地含有饱和环部分作为在亚烷基上的取代基或作为亚烷基链的主链的一部分，或
(ii)具有结构[(CR2)r-O-]q-(CR2)s-的多氧化亚烷基，
其中：
各R独立地如上所定义，
r＝1-10，
s＝1-10，和
q＝1-50；
(f)具有结构(CR2)t-O-(C＝O)-Ar-[(C＝O)-O-(CR2)a]1，2-的二取代或三取代芳族部分，
其中：
各R独立地如上所定义，
t＝2-10，
a＝2-10，和
Ar如上所定义；
(g)具有下述结构的芳族基团：
Figure A0380621600241
Figure A0380621600242
或
Figure A0380621600243
其中：
t＝如上所定义，
u＝1、2或3，
g＝1到约50，
各R独立地如上所定义，
各Ar如上所定义，
E是-O-或-NR5-，其中R5是氢或低级烷基；和
W是
(i)直链或支链烷基、亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯或聚酯，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基，
(ii)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e-、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；或
(iii)具有结构[(CR2)f-O-]q-(CR2)s-的多氧化亚烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基，
其中：
各R独立地如上所定义，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(h)具有下述结构的氨酯基：R7-U-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O)-(O-R8-O-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O))v-U-R8-
其中：
各R6独立地为氢或低级烷基；
各R7独立地为具有1-18个碳原子的烷基、芳基或芳烷基；
各R8为在链中具有最多约100个原子的烷基或烷氧基链，其任选地被Ar取代；
U是-O-、-S-、-N(R)-或-P(L)1，2-，其中R如上所定义，和其中各L独立地为＝O、＝S、-OR或-R；和
v＝0-50；
(i)多环链烯基；或
(j)其中的任何两种或多种的混合物。
J部分与马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的连接点被理解为在具有充足价键以适合这种连接的J部分中的任何原子处。因此，例如任何C-H、N-H、O-H或S-H键可以被非氢原子和马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺之间的化学键来替代。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的优选的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体是，如上所述在环境温度下以液体形式存在的那些。目前优选的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体包括其中J含有12-500个碳原子和足够支化到使得所得单体在或接近室温下为液体的化合物。最优选的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体包括其中J含有20-100个碳原子和足够支化到使得所得单体为液体的化合物。
本发明的粘合剂组合物任选地含有多个共聚单体，即在一些实施方案中，与一种或多种不饱和酸酐、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、氰酸酯、乙烯基酯、二乙烯基化合物、环氧化物和类似化合物相结合的此处所述的含马来酰亚胺、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺或衣康酰胺的单体。
在优选的实施方案中，为在本发明的实践中使用而加以考虑的酸酐包括马来酸酐、柠康酸酐、衣康酸酐和类似物，或马来酸酐、柠康酸酐、衣康酸酐和类似物与环戊二烯的第尔斯-阿尔德(Dies-Alder)加成物。在本发明的实践中使用的第尔斯-阿尔德加成物具有下述结构：
其中各V独立地为烷基或取代烷基。各x独立地为0、1或2，和m＝0-9。
可由许多不同化合物制备为在本发明的实践中使用而加以考虑的例举性(甲基)丙烯酸酯。考虑到单体和含单体的组分，此处所使用的术语(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯可同义地使用。术语(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯可包括一种或多种选自下式表示的单体：
(a)通式：
Figure A0380621600262
其中：
G是氢、卤素或具有1-4个碳原子的烷基，
R10具有1-16个碳原子且为烷基、环烷基、链烯基、环烯基、烷芳基、芳烷基或芳基，其任选地被硅烷、硅、氧、卤素、羰基、羟基、酯、羧酸、脲、氨酯、氨基甲酸酯、胺、酰胺、硫、磺酸酯或砜取代或断开；
(b)由下式表示的氨酯(urethane)丙烯酸酯或酰脲丙烯酸酯：
其中：
G是氢、卤素、或具有1-4个碳原子的烷基；
R11是通过在-O-原子和-X-原子或基团处表示的它的碳原子键接的二价烷基、环烷基、芳基或芳烷基；
X是-O-、-NH-或-N(烷基)-，其中烷基具有1-8个碳原子；
z是2-6；和
R12是通过其碳原子键接到一个或多个NH基团上的z-价环烷基、芳基或芳烷基；或
(c)选自聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、四氢呋喃二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯和类似物的二或三(甲基)丙烯酸酯以及其中的任何两种或多种的组合。
合适的可聚合(甲基)丙烯酸酯单体包括三甘醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、四甘醇二甲基丙烯酸酯、二甘醇二甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、乙氧化双酚A二甲基丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二环氧化双酚A二甲基丙烯酸酯和类似物以及其中的任何两种或多种的组合。
另外，为在此处使用而加以考虑的(甲基)丙烯酸酯单体包括聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、四氢呋喃(甲基)丙烯酸酯和二(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸香茅酯和甲基丙烯酸香茅酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氢二环戊二烯酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三甘醇丙烯酸酯、三甘醇甲基丙烯酸酯和类似物，以及其中的任何两种或多种的组合。
为在本发明的实践中使用而加以考虑的例举性氰酸酯包括如在美国专利Nos.5358992、5447988、5489641、5646241、5718941和5753748中所述的那些化合物，在此通过参考将每一篇的全文引入。例如，用作本发明组合物内组分的氰酸酯可选自二氰酰基苯、三氰酰基苯、二氰酰基萘、三氰酰基萘、二氰酰基联苯、双(氰酰基苯)甲烷及其烷基衍生物、双(二卤代氰酰基苯基)丙烷、双(氰酰基苯基)醚、双(氰酰基苯基)硫醚、双(氰酰基苯基)丙烷、三(氰酰基苯基)亚磷酸酯、三(氰酰基苯基)磷酸酯、双(卤代氰酰基苯基)甲烷、氰化线型可溶酚醛树脂、双[氰酰基苯基(甲基亚乙基)]苯、氰化双酚封端的热塑性低聚物和类似物以及其中的任何两种或多种的组合。
为在此处使用而特别考虑的是在每一分子上具有至少一个氰酸酯基的芳基化合物；这种化合物通常可用通式Ar(OCN)m来表示，其中Ar是芳基，和m是2-5的整数。芳基Ar应当含有至少6个碳原子，和可以衍生于例如芳烃，如苯基、联苯、萘、蒽或类似物。芳基Ar也可衍生于其中至少两个芳环通过桥连基彼此连接的多核芳烃。还包括衍生于线型可溶酚醛型酚醛树脂的芳基，即这些酚醛树脂的氰酸酯中的芳基。Ar也可含有进一步的与环连接的非反应性取代基。
这种氰酸酯的实例包括例如1，3-二氰酰基苯、1，4-二氰酰基苯、1，3，5-三氰酰基苯、1，3-，1，4-，1，6-，1，8-，2，6-或2，7-二氰酰基萘、1，3，6-三氰酰基萘、4，4`-二氰酰基联苯、双(4-氰酰基苯基)甲烷和3，3`，5，5`-四甲基双(4-氰酰基苯基)甲烷、2，2-双(3，5-二氯-4-氰酰基苯基)丙烷、2，2-双(3，5-二溴-4-二氰酰基苯基)丙烷、双(4-氰酰基苯基)醚、双(4-氰酰基苯基)硫醚、2，2-双(4-氰酰基苯基)丙烷、三(4-氰酰基苯基)亚磷酸酯、三(4-氰酰基苯基)磷酸酯、双(3-氯-4-氰酰基苯基)甲烷、氰化线型可溶酚醛树脂、1，3-双[4-氰酰基苯基-1-(甲基亚乙基)]苯、氰化双酚封端的聚碳酸酯或其它热塑性低聚物，和类似物，以及其中的两种或多种的组合。
为在此处使用而加以考虑的特别理想的氰酸酯以商品名“AROCY”[1，1-二(4-氰酰基苯基乙烷)]商购于Ciba SpecialtyChemicals，Tarrytown，New York。以下示出了三种“AROCY”氰酸酯的结构：
为在本发明实践中使用而加以考虑的二乙烯基化合物的存在量使得对于每当量双马来酰亚胺来说，具有不大于1当量的二乙烯基化合物加多环烯烃。二乙烯基化合物具有下述结构：
CHR9＝CR9-M0，1-D-M0，1-CR9＝CHR9
其中：
各R9独立地为氢、低级烷基或芳基，
各M独立地为-O-、-O-C(O)-、-C(O)-或-C(O)O-，和
D是含有机或有机硅氧烷基的单价或多价部分，以及其中的两种或多种的组合。
在一个实施方案中，D是选自下述中的单价或多价基团：烃基、取代烃基、含杂原子的烃基、含杂原子的取代烃基、亚烃基、取代亚烃基、含杂原子的亚烃基、含杂原子的取代亚烃基、聚硅氧烷、聚硅氧烷聚氨酯嵌段共聚物，或其中的两种或多种的组合，其任选地含有选自下述中的一个或多个连接基：共价键、-O-、-S-、-NR-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-、-O-C(O)-NR-、-NR-C(O)-、-NR-C(O)-O-、-NR-C(O)-NR-、-S-C(O)-、-S-C(O)-O-、-S-C(O)-NR-、-O-S(O)2-、-O-S(O)2-O-、-O-S(O)2-NR-、-O-S(O)-、-O-S(O)-O-、-O-S(O)-NR-、-O-NR-C(O)-、-O-NR-C(O)-O-、-O-NR-C(O)-NR-、-NR-O-C(O)-、-NR-O-C(O)-O-、-NR-O-C(O)-NR-、-O-NR-C(S)-、-O-NR-C(S)-O-、-O-NR-C(S)-NR-、-NR-O-C(S)-、-NR-O-C(S)-O-、-NR-O-C(S)-NR-、O-C(S)-、O-C(S)-O-、O-C(S)-NR-、-NR-C(S)-、-NR-C(S)-O-、-NR-C(S)-NR-、-S-S(O)2-、-S-S(O)2-O-、-S-S(O)2-NR-、-NR-O-S(O)-、-NR-O-S(O)-O-、-NR-O-S(O)-NR-、-NR-O-S(O)2-、-NR-O-S(O)2-O-、-NR-O-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)-、-O-NR-S(O)-O-、-O-NR-S(O)-NR-、-O-NR-S(O)2-O-、-O-NR-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)2-、-O-P(O)R2-、-S-P(O)R2-、-NR-P(O)R2-、其中各R独立地为氢、烷基或取代烷基，和其中的两种或多种的组合。
在进一步的实施方案中，上述二乙烯基化合物包括其中D为下述的那些：
(a)饱和直链烷基或支链烷基，其任选地含有任选取代的芳基部分作为烷基链上的取代基或作为烷基链的主链的一部分，其中烷基链具有最多约20个碳原子；
(b)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；
(c)具有结构[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-的多氧化亚烷基，
其中：
各R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(d)具有结构
Figure A0380621600311
的芳基，
其中各Ar为具有3到10个碳原子的单取代、二取代或三取代的芳环或杂芳环，和Z是：
(i)饱和直链亚烷基或支链亚烷基，其任选地含有饱和环部分作为亚烷基链上的取代基或作为亚烷基链的主链的一部分，或
(ii)具有结构[(CR2)r-O-]q-(CR2)s-的多氧化亚烷基，
其中：
各R独立地如上所定义，r和s如上所定义，和q落在1到50范围内；
(e)具有结构 的二取代或三取代芳族部分，
其中：各R独立地如上所定义，t落在2-10范围内，u落在2-10范围内，和Ar如上所定义；
(f)具有下述结构的芳烃基团：
Figure A0380621600321
或
其中：
各R独立地如上所定义，
t＝2-10，
k＝1、2或3，
g＝1到约50，
各Ar如上所定义，
E是-O-或-NR5-，其中R5是氢或低级烷基；和
W是
(i)直链或支链烷基、亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯、或聚酯，
(ii)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e-、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；或
(iii)具有结构[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-的多氧化亚烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基，
其中：
各R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(g)具有下述结构的氨酯基：R7-U-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O)-(O-R8-O-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O))v-U-R8-
其中：
各R6独立地为氢或低级烷基；
各R7独立地为具有1-18个碳原子的烷基、芳基或芳烷基；
各R8为在链中具有最多约100个原子的烷基或烷氧基链，其任选地被Ar取代；
U是-O-、-S-、-N(R)-或-P(L)1，2-，其中R如上所定义，和其中各L独立地为＝O、＝S、-OR或-R；和
V＝0-50；
(i)多环链烯基；或
(j)其中的任何两种或多种的混合物。
为在此处使用而加以考虑的环氧树脂包括C4-C28烷基缩水甘油醚；C2-C28烷基-和链烯基-缩水甘油酯；C1-C28烷基-、单-和多-酚缩水甘油醚；焦儿茶酚、间苯二酚、氢醌、4，4`-二羟基二苯甲烷(或双酚F，如商购于Nippon Kayuku日本的RE-404-S或RE-410-S)、4，4`-二羟基-3，3`-二甲基二苯甲烷、4，4`-二羟基二苯基二甲基甲烷(或双酚A)、4，4`-二羟基二苯基甲基甲烷、4，4`-二羟基二苯基环己烷、4，4`-二羟基-3，3`-二甲基二苯基丙烷、4，4`-二羟基二苯基砜和三(4-羟基苯基)甲烷的多缩水甘油醚；以上提及的联苯酚的过渡金属络合物的氯化和溴化产物的多缩水甘油醚；线型可溶酚醛树脂的多缩水甘油醚；通过酯化联苯酚的醚(所述联苯酚的醚是通过用二卤代烷烃或二卤素二烷基醚酯化芳族羟基羧酸的盐而获得的)获得的联苯酚的多缩水甘油醚；通过缩合酚和含至少两个卤原子的长链卤素烷属烃而获得的多酚的多缩水甘油醚；N，N`-二缩水甘油基苯胺；N，N`-二甲基-N，N`-二缩水甘油基-4，4`-二氨基二苯甲烷；N，N，N`，N`-四缩水甘油基-4，4`-二氨基二苯甲烷；N，N`-二缩水甘油基-4-氨基苯基缩水甘油醚；N，N，N`，N`-四缩水甘油基-1，3-亚丙基双-4-氨基苯甲酸酯；可溶可熔酚醛环氧树脂；甲酚可溶酚醛环氧树脂；和其组合。
适合于此处使用的可商购环氧树脂是酚类化合物的多缩水甘油衍生物，如以商品名EPON 828、EPON 1001、EPON 1009和EPON 1031获自于Shell Chemical Co.的那些；获自于Dow Chemical Co.的DER331 DER 332、DER 334和DER 542；获自于Ciba SpecialtyChemicals，Tarrytown，New York的GY285；和获自于Nippon Kayaku，日本的BREN-S。其它合适的环氧树脂包括由多元醇和类似物与线型酚醛树脂的多缩水甘油衍生物(其以商品名DEN 431、DEN 438、和DEN 439商购于Dow Chemical Company)制备的聚环氧化物。甲酚类似物也是可商购于Ciba Specialty Chemicals的ECN 1235、ECN 1273和ECN 1299。SU-8是获自于Shell Chemicals(以前的Interez，Inc.)的双酚A型线型酚醛环氧树脂。胺、氨基醇和多羧酸的多缩水甘油加合物在本发明中也是有用的，这种可商购的树脂包括获自F.I.C.Corporation的GLYAMINE 135、GLYAMINE 125和GLYAMINE 115；获自Ciba Specialty Chemicals的ARALDITEMY-720、ARALDITE MY-721、ARALDITE 0500和ARALDITE 0510，和获自Sherwin-Williams Co.的PGA-X和PGA-C。和当然也包括不同环氧树脂的结合供此处使用。
本发明的粘合剂组合物任选地含有至少一种自由基引发剂。此处所使用的术语“自由基引发剂”是指当暴露于充足的能量(例如光或热等)时，分解成不带电、但各自拥有至少一个未成对电子的两部分的任何化学物质。在本发明的实践中使用的优选用作自由基引发剂的是，在约70到180℃范围内的温度下分解的化合物(即具有约10小时范围内的半衰期)。
为在本发明实践中使用而加以考虑的自由基引发剂包括例如，过氧化物(例如过氧酯、过氧碳酸酯、氢过氧化物、烷基过氧化物、芳基过氧化物和类似物)、偶氮化合物和类似物。优选为在本发明实践中使用而加以考虑的自由基引发剂包括过氧化物(例如过氧化二枯基、过氧化二苯甲酰、2-丁酮过氧化物、过苯甲酸叔丁酯、过氧化二叔丁基、2，5-双(过氧叔丁基)-2，5-二甲基己烷、双(叔丁基过氧异丙基)苯和叔丁基过氧化氢)、偶氮化合物(例如2，2`-偶氮双(2-甲基丙腈)、2，2`-偶氮双(2-甲基丁腈)、1，1`-偶氮双(环己腈))和类似物。
或者，在不需要固化引发剂的情况下固化本发明的组合物。例如，本发明的组合物可在暴露于电磁辐射(例如可见光、紫外光)下固化。
本发明的粘合剂组合物典型地含有范围为约1wt％到约95wt％的热固性单体，范围为约0.2wt％到约2.0wt％的固化引发剂，和范围为约0.05wt％到约95wt％的间隔剂。优选本发明的粘合剂组合物含有范围为约5wt％到约85wt％的热固性单体，和范围为约0.05wt％到约50wt％的间隔剂。更优选，本发明的粘合剂组合物含有范围为约10wt％到约75wt％的热固性单体，和范围为约0.05wt％到约10wt％的间隔剂。
本领域的熟练技术人员容易意识到，本发明的粘合剂组合物可用于各种各样的应用中，其中包括多芯片组件的制备，如在美国专利No.5323060中所述的那些(在此通过参考将其全文引入)，在美国专利No.5286679中所述的方法(在此通过参考将其全文引入)，半导体集成电路器件的制备如在美国专利No.5140404中所述的那些(在此通过参考将其全文引入)，半导体芯片组件的制备，如在美国专利No.6465893中所述的那些(在此通过参考将其全文引入)，等等。
现参考附图，其中示出了数个叠层模片结构。例如，图1示出了其中使用在20和22处所示的本发明粘合剂在基材1上安装器件3和器件5的叠层结构。注意，有机间隔剂在本发明粘合剂中的存在维持在组件全部尺寸上基本上恒定的粘合层。在图1所示的实施方案中，器件3比器件5的尺寸小。本领域的熟练技术人员将容易地理解，可在顶部器件5上安装额外的器件，进而提供甚至更高密度的产品。
作为另一实例，图2示出了其中在基材上层叠的多个器件全部具有基本上相同尺寸的叠层组件。因此，在器件3和5’之间使用的本发明粘合剂可仅仅填充被安装的两个器件之间的间隙，而不包括引线接合15，或者，本发明的粘合剂可完全填充其中包括引线接合15在内的这两个器件之间的间隙。按照这一方式，可给引线接合结构提供额外的保护。
作为另一实施例，图3示出了其中倒装芯片11充当基材从而使得与器件的其余部分通过焊接隆起10电接触的叠层组件。可以按照各种各样的方式，例如图1和2所示的方式制备组件的其余部分。简而言之，此处示出了器件3和5与图1中所示的相同结构(format)。
本发明的粘合剂组合物任选地含有范围为约0.1到约10wt％的至少一种偶联剂，基于组合物的总重量。优选当使用偶联剂时，偶联剂的存在范围为约0.2wt％到约5wt％。为在本发明实践中使用而加以考虑的偶联剂包括硅氧烷、硅酸酯、丙烯酸金属盐、钛酸酯和类似物。
本发明的粘合剂组合物可任选地含有至少一种填料。为在本发明实践中任选使用而加以考虑的填料是除间隔剂以外的那些和可任选地具有传导性(电和/或热)。为在本发明实践中使用而加以考虑的导电填料包括例如银、镍、金、钴、铜、铝、石墨、银涂布的石墨、镍涂布的石墨、这些金属的合金，和类似物，以及其混合物。可在本发明的粘合剂组合物中使用粉末和片状形式的填料。优选薄片的厚度小于约2微米，其平面尺寸为约20到约25微米。此处所使用的薄片的表面积优选为约0.15-5.0m2/g，和堆积密度为约0.4到约5.5g/cc。目前优选的是，在本发明的实践中使用的粉末的直径为约0.5-15微米。若存在的话，填料典型地占粘合剂组合物重量的约1％到约95％。
为在本发明实践中任选使用而加以考虑的导热填料包括例如氮化硼、碳化硅、金刚石、石墨、氧化铍、氧化镁、二氧化硅、氧化铝和类似物。这些填料的粒度范围为约0.5微米到约25微米。优选粒度为约20微米。
导电和/或导热填料任选地(和优选)通过用螯合剂、还原剂、非离子润滑剂或这些试剂的混合物处理，使得基本上不含催化活性的金属离子。在美国专利No.5447988中公开了这种处理，在此通过参考将其全文引入。
任选地，可使用既不是导电导体也不是导热导体的填料。这种填料可理想地赋予粘合剂配方一些其它性能，例如固化粘合剂的降低的热膨胀、降低的介电常数、改进的韧度、增加的疏水性等。这种填料的实例包括氟化烃聚合物(例如TEFLONTM)、热塑性聚合物、热塑性弹性体、云母、熔凝硅石、玻璃粉末等。
包括至少一种偶联剂和至少一种填料的本发明粘合剂组合物典型地含有范围为约1wt％至约95wt％的至少一种热固性单体，范围为约0.2wt％至约2.0wt％的至少一种固化引发剂，范围为约0.5wt％至约5wt％的至少一种偶联剂，范围为约1wt％至约95wt％的至少一种填料，和范围为约0.05wt％至约50wt％的间隔剂。优选，本发明的粘合剂组合物含有范围为约5wt％至约85wt％的热固性单体，范围为约10wt％至约85wt％的至少一种填料，和范围为约0.05wt％至约50wt％的间隔剂。最优选，本发明的粘合剂组合物含有范围为约10wt％至约75wt％的热固性单体，范围为约30wt％至约80wt％的至少一种填料，和范围为约0.05wt％至约10wt％的间隔剂。
在本发明进一步的方面中，提供连接模片的糊剂，它包括本发明的粘合剂组合物和任选地不同于间隔剂的填料，其中所述间隔剂由一种或多种有机聚合物构成。当本发明连接模片的糊剂中存在填料时，填料范围典型地为总的连接模片的糊剂重量的约10-90wt％，和本发明的粘合剂组合物为总的连接模片的糊剂重量的约10-80wt％。
在本发明另一方面中，提供在器件和基材之间生成基本上均匀的粘合层的方法，该方法包括使置于基材和器件之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件，其中间隔剂控制在器件和基材之间的粘合层厚度。特别地，通过间隔剂的尺寸来确定粘合层的厚度。为在本发明的实践中使用而加以考虑的器件包括任何表面安装组件，如半导体模片(例如引线接合、倒装芯片等等)、晶体管、电容器和类似物。优选为在本发明的实践中使用而加以考虑的器件是半导体模片。考虑使用的基材包括金属基材(例如引线框)和有机基材(例如层压材料、球栅阵列接脚(ball grid arrays)、聚酰胺薄膜和类似物)。
适合于固化本发明的模片连接组合物的条件包括使以上所述的组件经历小于约300℃的温度约0.5到约2分钟。这一快速短的加热持续时间段可以用各种各样的方式完成，例如采用在线加热的轨道、带式加热炉或类似物完成。
或者，适合于固化本发明模片连接组合物的条件包括使以上所述的组件经历范围为约120℃至约200℃的温度约15分钟到约60分钟的时间段。可容易地按照各种各样的方式，例如通过将以上所述的组件放置在固化烘箱中，产生这些条件。
在本发明进一步的方面中，提供控制在器件与基材之间的粘合带隙(adnesive gap)厚度的方法，该方法包括使置于基材和器件之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件，其中间隔剂控制在器件和基材之间的粘合带隙厚度。
在本发明进一步的方面中，提供维持粘合层的平面度的方法，该方法包括使置于基材和器件之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件，其中间隔剂维持在器件和基材之间的粘合层上的平面度。
在本发明又一方面中，提供在连接到基材上的叠层布置的至少两个半导体小片之间生成基本上均匀粘合层的方法，该方法包括使置于基材和每一小片之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件。本领域的那些熟练技术人员将容易地意识到，在一些应用中，对于本发明的粘合剂来说，可理想地基本上完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙。在其它应用中，本发明的粘合剂配方并不完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙可能是理想的。本领域的那些熟练技术人员将进一步意识到，所粘结的小片可以具有相同或不同的尺寸。
在本发明仍然进一步的方面中，在不需要间隔剂模片的情况下，提供将叠层布置的至少两个半导体小片用粘合剂连接到基材上的方法，该方法包括使置于基材和每一小片之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件。本领域的那些熟练技术人员将容易地意识到，在一些应用中，对于本发明的粘合剂来说，可理想地基本上完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙。在其它应用中，本发明的粘合剂配方并不完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙可能是理想的。本领域的那些熟练技术人员将进一步意识到，所粘结的小片可以具有相同或不同的尺寸。
在本发明另一方面中，提供控制组件内半导体小片之间的粘合层厚度的方法，所述组件包括叠层布置的多个半导体小片。该方法包括使置于每一小片之间的粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂组合物的条件。本领域的那些熟练技术人员将容易地意识到，在一些应用中，对于本发明的粘合剂来说，可理想地基本上完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙。在其它应用中，本发明的粘合剂配方并不完全填充在正用粘合剂连接的表面之间的间隙可能是理想的。本领域的那些熟练技术人员将进一步意识到，所粘结的小片可以具有相同或不同的尺寸。
根据本发明又一方面，使用本发明的粘合剂组合物，提供粘附在一起的各组分的组件。因此，例如，提供通过固化的等分本发明粘合剂组合物得到含永久粘附到第二制品上的第一制品的组件。为使用本发明粘合剂组合物的组件而加以考虑的制品包括存贮器、ASIC器件、微处理器、快速存贮器和类似物。
在本发明又一方面中，提供含基材和置于该基材上的叠层布置的多个半导体小片的组件，其中各半导体小片通过固化的一份本发明粘合剂组合物粘着在或者基材上或者另一模片上。
在本发明仍然进一步的方面中，提供在组件内的粘合层，其中组件包括至少一个半导体模片、至少一个基材，和置于其间的粘合剂组合物，其中通过在粘合剂配方内的多种间隔剂来确定粘合层的厚度。优选组件含有厚度范围为约1mil到约8mil的粘合层。
在本发明又一方面中，还提供适用于连接模片和其它场合的粘合剂膜组合物。这种组合物包括如上所述的粘合剂组合物和热塑性弹性体。后者是具有至少一个通式(A-B)或(A-B-A)单元的嵌段共聚物，其中A是非弹性聚合物嵌段和B是弹性体聚合物嵌段，所述弹性体聚合物嵌段是任选取代的烯烃单体和/或任选取代的共轭二烯单体的聚合产物。
此处所使用的术语“嵌段共聚物”是指由连接在一起的两种或多种不同聚合物子单元组成的聚合物。弹性体聚合物嵌段是显示橡胶状性能的聚合物子单元，即它在室温下为软质和在压力下变形但在去除压力时回复的聚合物子单元。非弹性体聚合物嵌段是在室温下为硬质且不伸长的聚合物嵌段。聚丁二烯是弹性体聚合物嵌段的实例，而聚苯乙烯是非弹性体嵌段的实例。
为在本发明实践中使用而加以考虑的热塑性弹性体包括例如，聚苯乙烯-聚丁二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚异戊二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚苯乙烯-聚二甲基丁二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丁二烯-聚丙烯腈嵌段共聚物和类似物。优选该嵌段共聚物是聚苯乙烯-聚丁二烯-聚苯乙烯嵌段共聚物或聚丁二烯-聚丙烯腈嵌段共聚物。
在本发明进一步的方面中，提供使用该粘合剂膜配方的组件及其制备方法。因此，本发明提供将器件用粘合剂连接到基材上的方法，该方法包括使置于基材和器件之间的足量的本发明粘合剂组合物经历适合于固化该粘合剂配方的条件。为在本发明的实践中使用而加以考虑的器件包括任何表面安装组件，例如半导体模片、晶体管、电容器和类似物。优选为在本发明的实践中使用而加以考虑的器件是半导体模片。为使用而加以考虑的基材包括金属基材(例如引线框)、有机基材(例如层压材料、球栅阵列接脚、聚酰胺薄膜)和类似物。
许多条件适合于固化本发明的粘合膜组合物。例如，一些实施方案包括使本发明的膜粘合剂组合物经历至少约150℃但小于约300℃的温度约0.5到约2分钟。这一快速短的加热持续时间段可以用各种各样的方式完成，例如采用在线加热的轨道、带式加热炉或类似物完成。可供替代的实施方案包括使本发明的膜粘合剂组合物经历范围为约120℃至约200℃的温度约15分钟到约60分钟的时间段。可容易地按照各种各样的方式，例如通过将本发明的膜粘合剂组合物放置在固化烘箱中，产生这些条件。在再一可供替代的实施方案中，适合于固化本发明的膜粘合剂组合物的条件可包括在足以高到增加液体粘合剂的粘度和降低粘性但足够低到防止完全固化的温度下使本发明的膜粘合剂组合物经历预固化。然后，在随后的一段时间处，可使这种预固化的粘合膜组合物已施加到其上的制品经历如上所述的最后固化，得到充分固化的粘合剂。
现参考下述非限制性实施例，更详细地描述本发明。
实施例
该实施例列出了三种不同的本发明粘合剂组合物DR48、DR51和DR60的粘合层数据。由含有下述组分的相同的基础组合物制备这些本发明组合物中的每一种：
X-双马来酰亚胺(如美国专利34.75％
Nos.6034194和6034195中所述)
Ricon 130(Sartomer)                  13.38％
Ricon 130 MA(Sartomer)               5.06％
(环氧丙氧丙基)三甲氧基硅烷(Aldrich)  2.0％
TEFLONTM(DuPont)                    42％
Perkadox 16(Akzo Chemicals)          1.12％
Triganox 141(Akzo Chemicals)         1.69
除了以上列举的组分以外，本发明的组合物DR48包含3-4mil的间隔剂，本发明的组合物DR51包含4-5mil的间隔剂，和本发明的组合物DR50包含5-6mil的间隔剂。
在包括在500×500×14mil模片顶部上的300×300×14mil模片的部件上，采用10N的移动(placement)力，并在Hot-Block上在150℃下固化1分钟，获得表1列出的粘合层数据。
表1
       平均粘合层                   最大粘合层倾斜角
       (来自四个拐角)              (最大拐角-最小拐角)
       DR48          DR51   DR50   DR48   DR51    DR50
       3.3           4.6    5.5    0.1    0.1     0.4
       3.2           4.5    5.3    0.4    0.2     0.3
       3.2           4.5    5.3    0.3    0.6     0.1
       3.8           4.3    5.3    0.2    0.4     0.1
       3.2           4.5    5.4    0.3    0.4     0.4
       3.3           4.2    4.1    0.4    0.2     0.3
       3.3           4.4    5.6    0.1    0.1     0.2
       3.3           4.4    5.3    0.5    0.1     0.3
       3.4           4.4    5.4    0.2    0.6     0.3
       3.6           4.3    5.3    0.5    0.3     0.3
x-bar  3.36          4.41   5.25   0.30   0.30    0.27
                          (以上所有值的单位为mil)
根据表1所示的粘合层数据可容易地确认，本发明的每一种组合物提供相应于各配方所选间隔剂尺寸的粘合层厚度。例如，含4-5mil间隔剂的本发明组合物DR51提供4.41mil的粘合层厚度。另外，表1中列出的数据清楚地表明，本发明的每一种组合物在整个粘合层上提供基本上均匀的平面度。
使用1.5mil的间隔剂控制粘合层到＞1mil，在导电粘合剂上获得表2列出的数据。进而将粘合剂(有或没有外加的1.5mil间隔剂)施加到78×71mil的模片上，并经历快速固化(240℃下23秒，接着在290℃下另外27秒)。
表2
性能 对照 本发明(0.1wt％1.5mil间隔剂)
固化的平均BLT ～0.4mil  1.4mil
RT模片剪切 15.1+/-2.5kg-f  13.8+/-2.7kg-f
245℃模片剪切 3.6+/-0.5kg-f  3.4+/-0.8kg-f
在MSL L1260℃之后的RT模片剪切 17.4+/-1.5kg-f  17.6+/-2.5kg-f
在MSL L1260℃之后的245℃模片剪切 3.7+/-0.5  4.4+/-0.9
在引线接合处的电试验，故障号 0/1200  0/420
根据表2所示的数据可容易地确认，间隔剂的存在维持恒定的粘合层，同时对诸如改性粘合剂的模片剪切强度或电性能之类的性能没有产生显著影响。类似地，观察到此处所包括的间隔剂的存在对其中添加间隔剂的底层粘合剂的断裂韧性基本上没有影响。

Claims (52)

1.一种粘合剂组合物，包括至少一种热固性单体，任选地至少一种固化引发剂，和多种间隔剂，其中间隔剂由一种或多种有机聚合物构成。
2.权利要求1的粘合剂组合物，进一步包括无机填料材料。
3.权利要求1的粘合剂组合物，其中间隔剂基本上为球形。
4.权利要求3的粘合剂组合物，其中间隔剂的粒度范围为约0.02mil至约25mil。
5.权利要求4的粘合剂组合物，其中间隔剂的粒度范围为约0.1mil至约15mil。
6.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物基本上未交联。
7.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物部分交联。
8.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物基本上完全交联。
9.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物是任选取代的烯键式不饱和单体的聚合产物。
10.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物是α-烯烃、(甲基)丙烯酸酯、乙烯基酯、丙烯酰胺或丙烯腈的聚合或共聚产物。
11.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物是(甲基)丙烯酸酯的聚合或共聚产物。
12.权利要求1的粘合剂组合物，其中有机聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。
13.权利要求12的粘合剂组合物，其中聚甲基丙烯酸甲酯的分子量范围为约50000至约1500000。
14.权利要求12的粘合剂组合物，其中聚甲基丙烯酸甲酯的分子量范围为约400000至约500000。
15.权利要求1的粘合剂组合物，其中热固性单体选自含马来酰亚胺-、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺-或衣康酰胺的单体、不饱和酸酐、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、氰酸酯、乙烯基酯、二乙烯基化合物、丙烯酰胺、丙烯腈、烯丙基酰胺和环氧化物。
16.权利要求15的粘合剂组合物，其中含马来酰亚胺-、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺-或衣康酰胺的单体分别包括结构I、II和III：
其中：
m＝1-15；
p＝0-15；
各R2独立地选自氢或低级烷基，和
J是含有机或有机硅氧烷基的单价或多价部分，及其组合。
17.权利要求16的粘合剂组合物，其中：
J是选自下述中的单价或多价基团：烃基、取代烃基、含杂原子的烃基、含杂原子的取代烃基、亚烃基、取代亚烃基、含杂原子的亚烃基、含杂原子的取代亚烃基、聚硅氧烷、聚硅氧烷聚氨酯嵌段共聚物，以及其中的两种或多种的组合，所述单价或多价基团任选地含有选自下述中的一个或多个连接基：共价键、-O-、-S-、-NR-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-、-O-C(O)-NR-、-NR-C(O)-、-NR-C(O)-O-、-NR-C(O)-NR-、-S-C(O)-、-S-C(O)-O-、-S-C(O)-NR-、-O-S(O)2-、-O-S(O)2-O-、-O-S(O)2-NR-、-O-S(O)-、-O-S(O)-O-、-O-S(O)-NR-、-O-NR-C(O)-、-O-NR-C(O)-O-、-O-NR-C(O)-NR-、-NR-O-C(O)-、-NR-O-C(O)-O-、-NR-O-C(O)-NR-、-O-NR-C(S)-、-O-NR-C(S)-O-、-O-NR-C(S)-NR-、-NR-O-C(S)-、-NR-O-C(S)-O-、-NR-O-C(S)-NR-、O-C(S)-、O-C(S)-O-、O-C(S)-NR-、-NR-C(S)-、-NR-C(S)-O-、-NR-C(S)-NR-、-S-S(O)2-、-S-S(O)2-O-、-S-S(O)2-NR-、-NR-O-S(O)-、-NR-O-S(O)-O-、-NR-O-S(O)-NR-、-NR-O-S(O)2-、-NR-O-S(O)2-O-、-NR-O-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)-、-O-NR-S(O)-O-、-O-NR-S(O)-NR-、-O-NR-S(O)2-O-、-O-NR-S(O)2-NR-、-O-NR-S(O)2-、-O-P(O)R2-、-S-P(O)R2-、-NR-P(O)R2-，其中各R独立地为氢、烷基或取代烷基，和其中的两种或多种的组合。
18.权利要求16的粘合剂组合物，其中：
m＝1-6；
p＝0-6；和
J是
(a)饱和直链烷基或支链烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基、环烯基，或任选取代的芳基部分的取代基作为烷基链上的取代基或作为烷基链的主链的一部分，和其中烷基链具有最多约20个碳原子；
(b)亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯或聚酯，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基；
(c)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；
(d)具有结构[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-的多氧化亚烷基，
其中：
各R独立地为氢、烷基或取代烷基，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(e)具有结构
Figure A038062160005C1
的芳基，
其中各Ar为具有3到10个碳原子的单取代、二取代或三取代的芳环或杂芳环，和Z是：
(i)饱和直链亚烷基或支链亚烷基，其任选地含有饱和环部分作为亚烷基链上的取代基或作为亚烷基链的主链的一部分，或
(ii)具有结构[(CR2)r-O-]q-(CR2)s-的多氧化亚烷基，
其中：
各R独立地如上所定义，
r＝1-10，
s＝1-10，和
q＝1-50；
(f)具有结构(CR2)t-O-(C＝O)-Ar-[(C＝O)-O-(CR2)a]1，2-的二取代或三取代芳族部分，
其中：
各R独立地如上所定义，
t＝2-10，
a＝2-10，和
Ar如上所定义；
(g)具有下述结构的芳族基团：
Figure A038062160005C3
或
其中：
t＝2-10，
u＝1、2或3，
g＝1到约50，
各R独立地如上所定义，
各Ar如上所定义，
E是-O-或-NR5-，其中R5是氢或低级烷基；和
W是
(i)直链或支链烷基、亚烷基、氧基亚烷基、链烯基、亚烯基、氧基亚烯基、酯或聚酯，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基，
(ii)具有下述结构的硅氧烷：-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-C(R3)2)e-、-(C(R3)2)d-C(R3)-C(O)O-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-O(O)C-(C(R3)2)e-、或-(C(R3)2)d-C(R3)-O(O)C-(C(R3)2)d-[Si(R4)2-O]f-Si(R4)2-(C(R3)2)e-C(O)O-(C(R3)2)e-，其中
各R3独立地为氢、烷基或取代烷基，
各R4独立地为氢、低级烷基或芳基，
d＝1-10，
e＝1-10，和
f＝1-50；或
(iii)具有结构[(CR2)r-O-]f-(CR2)s-的多氧化亚烷基，其任选地含有选自羟基、烷氧基、羧基、腈、环烷基或环烯基的取代基，
其中：
各R独立地如上所定义，
r＝1-10，
s＝1-10，和
f如上所定义；
(h)具有下述结构的氨酯基：R7-U-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O)-(O-R8-O-C(O)-NR6-R8-NR6-C(O))v-U-R8-
其中：
各R6独立地为氢或低级烷基；
各R7独立地为具有1-18个碳原子的烷基、芳基或芳烷基；
各R8为在链中具有最多约100个原子的烷基或烷氧基链，其任选地被Ar取代；
U是-O-、-S-、-N(R)-或-P(L)1，2-，其中R如上所定义，和其中各L独立地为＝O、＝S、-OR或-R；和
v＝0-50；
(i)多环链烯基；或
(j)其中的任何两种或多种的混合物。
19.权利要求18的粘合剂组合物，其中含马来酰亚胺-、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺-或衣康酰胺的单体或其中的任何两种或多种的组合在环境温度下为液体。
20.权利要求18的粘合剂组合物，其中J具有足够的长度和足够的支化度，使得所得单体在室温或接近室温下为液体。
21.权利要求1的粘合剂组合物，其中固化引发剂是自由基固化引发剂。
22.权利要求21的粘合剂组合物，其中自由基固化引发剂是选自过氧酯、过氧碳酸酯、氢过氧化物、烷基过氧化物、芳基过氧化物和偶氮化合物中的成员。
23.权利要求1的粘合剂组合物，其中组合物包括范围为1wt％至约95wt％的至少一种热固性单体，范围为约0.2wt％至约2.0wt％的至少一种固化引发剂，和范围为约0.05wt％至约95wt％的至少一种有机间隔剂。
24.权利要求1的粘合剂组合物，进一步包括至少一种偶联剂。
25.权利要求2的粘合剂组合物，其中无机填料材料是传导材料。
26.权利要求25的粘合剂组合物，其中无机填料材料导电。
27.权利要求25的粘合剂组合物，其中无机填料材料导热。
28.权利要求2的粘合剂组合物，其中无机填料材料是非传导材料。
29.权利要求2的粘合剂组合物，进一步包括由氟化烃聚合物构成的填料材料。
30.权利要求2的粘合剂组合物，其中无机填料材料的存在范围为约1wt％至约95wt％。
31.一种粘合剂组合物，它包括范围为1wt％至约95wt％的至少一种含马来酰亚胺-、桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺-或衣康酰胺的单体，范围为约0.2wt％至约2.0wt％的至少一种固化引发剂，范围为约0.5wt％至约5wt％的至少一种偶联剂，范围为约1wt％至约95wt％的至少一种填料，和范围为约0.05wt％至约50wt％的由一种或多种有机聚合物构成的间隔剂。
32.一种在器件和基材之间生成基本均匀的粘合层的方法，该方法包括使置于基材和器件之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件，其中间隔剂控制在器件和基材之间的粘合层厚度。
33.权利要求32的方法，其中通过间隔剂的尺寸来确定粘合层的厚度。
34.权利要求32的方法，其中器件是半导体模片。
35.一种控制在器件和基材之间的粘合剂间隙厚度的方法，该方法包括使置于基材和器件之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件，其中间隔剂控制在器件和基材之间的粘合剂间隙厚度。
36.权利要求35的方法，其中器件是半导体模片。
37.一种维持粘合层平面度的方法，该方法包括使置于基材和器件之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件，其中间隔剂维持在器件和基材之间的粘合层的平面度。
38.在连接到基材上叠层布置的至少两个半导体小片之间生成基本上均匀粘合层的方法，该方法包括使置于基材和各小片之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件。
39.在不需要间隔剂模片的情况下，将叠层布置的至少两个半导体小片用粘合剂连接到基材上的方法，该方法包括使置于基材和各小片之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件。
40.权利要求39的方法，其中粘合剂配方基本上完全填充用粘合剂连接的表面之间的间隙。
41.权利要求39的方法，其中粘合剂配方不完全填充用粘合剂连接的表面之间的间隙。
42.一种控制在组件内的半导体小片之间的粘合层厚度的方法，所述组件包括叠层布置的多个半导体小片，该方法包括使置于各小片之间足量的权利要求1的粘合剂配方经历适合于固化该粘合剂配方的条件。
43.一种组件，它包括通过固化的等分权利要求1的粘合剂组合物粘附到第二制品上的第一制品。
44.一种组件内的粘合层，其中该组件包括至少一个半导体模片、至少一片基材，和置于其间的粘合剂组合物，其中通过粘合剂配方内的多种间隔剂来确定粘合层的厚度。
45.权利要求44的粘合层，其中粘合层的范围为约1mil至约8mil。
46.权利要求1的粘合剂组合物，其中间隔剂包括至少一个反应性部分。
47.一种连接模片的糊剂，它包括权利要求1的粘合剂组合物，和任选的填料，该填料不同于由一种或多种有机聚合物构成的间隔剂。
48.一种组件，它包括基材和置于基材上的叠层布置的多个半导体小片，其中各半导体小片通过固化的等分权利要求1的粘合剂组合物粘附到或者基材上或者另一模片上。
49.一种粘合剂膜配方，它包括：
(a)权利要求1的粘合剂组合物，和
(b)热塑性弹性体，它是具有至少一个通式(A-B)或(A-B-A)单元的嵌段共聚物，其中A是非弹性聚合物嵌段和B是弹性体聚合物嵌段，所述弹性体聚合物嵌段是任选取代的烯烃单体和/或任选取代的共轭二烯单体的聚合产物。
50.一种将器件用粘合剂连接到基材上的方法，该方法包括固化置于器件表面和基材表面之间并与之接触的权利要求49的粘合剂膜配方。
51.权利要求50的方法，其中器件是半导体模片和基材是引线框。
52.一种组件，它包括通过权利要求50的方法粘附到基材上的器件。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101553971B (zh) * 2006-08-14 2012-07-04 博泽汽车部件有限公司及两合公司,乌茨堡 用于电动机的转子
CN105910985A (zh) * 2016-06-02 2016-08-31 廊坊立邦涂料有限公司 建筑用腻子、防水涂料粘结强度的测试方法和高强度粘结剂及应用
CN106010349A (zh) * 2016-07-21 2016-10-12 苏州泰仑电子材料有限公司 耐高温聚氨酯压敏胶保护膜
CN107793500A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 信越化学工业株式会社 硅烷改性的共聚物、制备方法和粘合性改进剂

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546795B (en) * 2002-06-04 2003-08-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Multichip module and manufacturing method thereof
AU2003301550A1 (en) * 2002-10-22 2004-05-13 Henkel Corporation Co-curable compositions
US20040113483A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-17 Sylvester Michael S. Method of adhering decorative wheel cover to automobile wheel
JP4325531B2 (ja) * 2004-10-15 2009-09-02 住友ベークライト株式会社 樹脂封止型半導体装置
DE102005048826B3 (de) * 2005-10-10 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Halbleiterchip und Klebstofffolie und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips und Halbleiterbauteils
JP4988531B2 (ja) * 2006-12-18 2012-08-01 日東電工株式会社 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2008226946A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US20090050266A1 (en) * 2007-08-21 2009-02-26 Kang Yang Crosslinked polymeric materials as filler and spacers in adhesives
KR100926747B1 (ko) * 2007-11-12 2009-11-16 한국전자통신연구원 도전 접착제 및 이를 이용한 플립칩 본딩 방법
US8269300B2 (en) * 2008-04-29 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Apparatus and method for using spacer paste to package an image sensor
KR101990258B1 (ko) * 2008-08-08 2019-06-17 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 저온 경화 조성물
GB0823063D0 (en) * 2008-12-18 2009-01-28 Bostik Ltd Sealant tape comprising offsetting particles
US8362120B2 (en) * 2009-02-02 2013-01-29 Lord Corporation Structural adhesives containing maleimide terminated polyimides
JP5304592B2 (ja) * 2009-10-27 2013-10-02 住友ベークライト株式会社 樹脂封止型半導体装置
US8454789B2 (en) 2010-11-05 2013-06-04 Raytheon Company Disposable bond gap control structures
JP6246734B2 (ja) * 2012-01-25 2017-12-13 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング シアノアクリレート組成物
US9550883B2 (en) 2012-01-25 2017-01-24 Henkel IP & Holding GmbH Cyanoacrylate compositions
JP2013048295A (ja) * 2012-11-21 2013-03-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
WO2017136669A1 (en) * 2016-02-04 2017-08-10 Henkel IP & Holding GmbH Debondable adhesives and the high temperature use thereof
JP6971362B1 (ja) * 2020-07-17 2021-11-24 京都エレックス株式会社 導電性接着剤組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3406053A (en) 1964-06-01 1968-10-15 Whittaker Corp Adhesive composition
US3655482A (en) 1969-12-23 1972-04-11 Edo Corp Bonding method and product
US4054714A (en) 1976-06-07 1977-10-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive adhesive composition
US5232962A (en) * 1991-10-09 1993-08-03 Quantum Materials, Inc. Adhesive bonding composition with bond line limiting spacer system
US5358992A (en) 1993-02-26 1994-10-25 Quantum Materials, Inc. Die-attach composition comprising polycyanate ester monomer
JP2983816B2 (ja) * 1993-10-29 1999-11-29 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペースト
US6034194A (en) 1994-09-02 2000-03-07 Quantum Materials/Dexter Corporation Bismaleimide-divinyl adhesive compositions and uses therefor
AU3626095A (en) * 1994-09-02 1996-03-27 Quantum Materials, Inc. Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds
JPH08319461A (ja) * 1995-03-20 1996-12-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
US5717034A (en) * 1996-07-29 1998-02-10 Quantum Materials, Inc. Perfluorinated hydrocarbon polymer-filled adhesive formulations and uses therefor
DE19701165C1 (de) * 1997-01-15 1998-04-09 Siemens Ag Chipkartenmodul
US6288170B1 (en) 1997-05-05 2001-09-11 3M Innovative Properties Company Removable adhesive of polyepoxide, curing agent and microspheres
JPH11158448A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Sony Corp 導電性接着剤およびこれを用いた電子部品
JPH11189765A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Toshiba Chem Corp 絶縁性接着剤
DE19817193B4 (de) * 1998-04-17 2006-04-13 Robert Bosch Gmbh Strahlungs- und/oder wärmehärtbarer Klebstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit und seine Verwendung
JP2000036502A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Sony Corp 接合材及びその接合物
US6472758B1 (en) 2000-07-20 2002-10-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including stacked semiconductor dies and bond wires

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101553971B (zh) * 2006-08-14 2012-07-04 博泽汽车部件有限公司及两合公司,乌茨堡 用于电动机的转子
CN105910985A (zh) * 2016-06-02 2016-08-31 廊坊立邦涂料有限公司 建筑用腻子、防水涂料粘结强度的测试方法和高强度粘结剂及应用
CN106010349A (zh) * 2016-07-21 2016-10-12 苏州泰仑电子材料有限公司 耐高温聚氨酯压敏胶保护膜
CN107793500A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 信越化学工业株式会社 硅烷改性的共聚物、制备方法和粘合性改进剂

Also Published As

Publication number Publication date
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