JP6700653B2 - 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明で使用される(A)熱硬化性樹脂は、一般に接着剤用途として使用される熱硬化性樹脂であれば特に限定されずに使用できる。中でも、液状樹脂であることが好ましく、室温(25℃)で液状である樹脂がより好ましい。この(A)熱硬化性樹脂としては、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ラジカル重合性のアクリル樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。
また、これらの多官能シアネート樹脂のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。このプレポリマーは、上記の多官能シアネート樹脂モノマーを、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類、を触媒として重合させることにより得られる。
このとき、エポキシ樹脂を硬化させる目的で硬化剤を使用するが、エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。
また、上記エーテル結合(−O−)を有する基としては、例えば、−C6H12−O−CH2−、−C8H16−O−CH2−、−C10H20−O−CH2−等が好ましい。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体接着用樹脂組成物を用いて公知の方法により製造でき、例えば、半導体素子と半導体素子支持部材との間に上記半導体接着用樹脂組成物を介して接着、固定することにより行われる。例えば、本発明の半導体接着用樹脂組成物を介して半導体素子をその支持部材であるリードフレームにマウントし、半導体接着用樹脂組成物を200℃、2分間の条件で加熱硬化させた後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とをワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止樹脂により封止して製造することができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、銅、金、アルミ、金合金、アルミニウム−シリコン等からなるワイヤが例示される。
熱硬化性樹脂として、イミド拡張型ビスマレイミド(デジグナーモレキュールズ社製、商品名:BMI−1500;数平均分子量 1500) 80質量部、ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:RE−810NM;エポキシ当量 223) 20質量部、ジクミルパーオキサイド(日本油脂株式会社製、商品名:パークミルD) 1質量部、無機充填材としてフレーク状銀粉(粒径 0.1〜30μm、平均粒径 3μm) 250質量部、エポキシ基を含有するシランカップリング剤としてカップリング剤A(信越化学工業(株)製、商品名:KBM−4803;グリシドキシオクチルトリメトキシシラン) 2質量部、希釈剤としてジシクロペンタニルメタクリレート(日立化成工業株式会社製、商品名:FA−513M) 43質量部、を十分に混合し、さらに三本ロールで混練して半導体接着用樹脂組成物を調製した。
熱硬化性樹脂として、イミド拡張型ビスマレイミド(デジグナーモレキュールズ社製、商品名:BMI−1500;数平均分子量 1500)を40質量部、ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:RE−810NM;エポキシ当量 223)を60質量部、とした以外は実施例1と同様にして、半導体接着用樹脂組成物を調製した。
熱硬化性樹脂として、イミド拡張型ビスマレイミド(デジグナーモレキュールズ社製、商品名:BMI−1500;数平均分子量 1500)を80質量部、ヒドロキシルエチルアクリルアミド(株式会社興人製、HEAA)を20質量部、とした以外は実施例1と同様にして、半導体接着用樹脂組成物を調製した。
エポキシ基を含有するシランカップリング剤としてカップリング剤a(信越化学工業株式会社製、商品名:KBM−403;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を2質量部、とした以外は実施例1と同様にして、半導体接着用樹脂組成物を調製した。
シランカップリング剤としてカップリング剤b(信越化学工業株式会社製、商品名:KBM−5103;3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン)を2質量部、とした以外は実施例1と同様にして、半導体接着用樹脂組成物を調製した。
[吸水率]:
得られた半導体接着用樹脂組成物を用いて、20mm×50mm×1mmのフィルム状の試験片を作製した(硬化条件 170℃で60分加熱)。得られた試験片を85℃、相対湿度85%の条件で168時間吸湿処理し、処理前後の質量の増加を測定することで吸水率を算出した。
[熱時接着強度]:
6mm×6mmのシリコンチップを、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を用いて銅フレーム上にマウントし、インラインキュアの硬化条件である200℃で2分間加熱硬化させた。硬化後に垂直方向に引張り、接着強度測定装置を用い、260℃環境下での接着強度を測定した。
[吸湿後熱時接着強度]:
6mm×6mmのシリコンチップを、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を用いて銅フレーム上にマウントし、170℃で60分間加熱硬化させた。得られた半導体装置を、85℃、相対湿度85%で168時間の吸湿処理をした後に、垂直方向に引張り、接着強度測定装置を用い、260℃環境下での接着強度を測定した。
4mm×4mmのシリコンチップを得られた樹脂組成物を用いて銅フレームにマウントし、インラインキュアの硬化条件である200℃で2分間加熱硬化させた。これを、京セラケミカル株式会社製のエポキシ樹脂封止材(商品名:KE−G3000D(K))を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度60%で168時間の吸湿処理を施した後、IRリフロー処理(260℃で10秒間)を行い、パッケージの外部クラック(パッケージ表面のクラック)の発生の有無を顕微鏡(倍率:15倍)で観察し、その発生数を調べた。また、パッケージの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。
〈成形条件〉
80pQFP、14mm×20mm×2mm
チップサイズ:4mm×4mm(表面アルミニウム配線のみ)
リードフレーム:銅
封止材の成形:175℃、1分間
ポストモールドキュアー:175℃、6時間
Claims (5)
- (A)マレイミド樹脂を主体とし、エポキシ樹脂又はヒドロキシエチルアクリルアミドモノマーを併用して含む熱硬化性樹脂と、(B)銀粉を含む無機充填材と、(C)エポキシ基を含有するシランカップリング剤と、を必須成分とし、銅製のリードフレームとシリコンチップとの接着に用いられる半導体接着用樹脂組成物であって、
前記(C)エポキシ基を含有するシランカップリング剤が、グリシドキシオクチルトリメトキシシランであることを特徴とする半導体接着用樹脂組成物。 - 前記(B)無機充填材が、平均粒子径0.1〜30μmの銀粉であることを特徴とする請求項1記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記(C)エポキシ基を含有するシランカップリング剤の配合量が、前記半導体接着用樹脂組成物中に0.1〜10質量%であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体接着用樹脂組成物。
- さらに、(D)シクロアルキル構造を含有する希釈剤を含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物を介して、シリコンチップが銅製のリードフレーム上に接着されてなることを特徴とする半導体装置。
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