JP5304592B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5304592B2 JP5304592B2 JP2009246698A JP2009246698A JP5304592B2 JP 5304592 B2 JP5304592 B2 JP 5304592B2 JP 2009246698 A JP2009246698 A JP 2009246698A JP 2009246698 A JP2009246698 A JP 2009246698A JP 5304592 B2 JP5304592 B2 JP 5304592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- norbornene
- resin
- semiconductor chip
- ene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本発明は、感光性樹脂組成物を用いたスタックド構造のＭＣＰを有する樹脂封止型半導体装置に関するものである。
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴って電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。そこで、１つのパッケージ内に複数のチップを配置してマルチチップパッケージとすることにより、半導体装置の高機能化と小型化とが図られている。そして、マルチチップパッケージには複数の半導体チップを平面的に並べたものと、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものとがある。半導体チップを平面的に並べたマルチチップパッケージは広い実装面積を必要とするため、電子機器の小型化への寄与が小さい。このため、半導体チップを積層したスタックド構造のＭＣＰ（例えば、特許文献１参照）の開発が盛んに行われている。
しかしながら、従来のスタックド構造のＭＣＰは、積層した半導体チップを接着剤によって相互に接合するようにしており、接着剤の塗布などを必要として工程が煩雑となる。
しかしながら、従来のスタックド構造のＭＣＰは、積層した半導体チップを接着剤によって相互に接合するようにしており、接着剤の塗布などを必要として工程が煩雑となる。
本発明は、前述したスタックド構造のＭＣＰ製造時の作業性の欠点を改善し、かつ各種の信頼性に優れたスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置を提供するものである。
[１] 半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹
脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。
[２] 環状オレフィン系樹脂がポリノルボルネン系樹脂である[１]記載の樹脂封止型半導
体装置。
[３] 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）が式（１）で示される繰り返し単位を
含むものである［１］又は［２］記載の樹脂封止型半導体装置。
脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。
[２] 環状オレフィン系樹脂がポリノルボルネン系樹脂である[１]記載の樹脂封止型半導
体装置。
[３] 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）が式（１）で示される繰り返し単位を
含むものである［１］又は［２］記載の樹脂封止型半導体装置。
[４] 酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）が式（２）で示される繰り返し単位
を含むものである［１］〜［２］記載の樹脂封止型半導体装置。
を含むものである［１］〜［２］記載の樹脂封止型半導体装置。
ＣＨ＝ＣＨ−のいずれかであり、ｌは０〜５までの整数である。Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれ水素、アルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２、 −Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）２−ＣＦ
３等の酸性
基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。Ｒ５〜Ｒ８は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のＲ５〜Ｒ８のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
本発明によれば、複数の半導体チップが積層されてなる半導体パッケージにおいて、積層する半導体チップを効率よく製造することが可能となる半導体装置を提供できる。
本発明で使用する環状オレフィンモノマーとしては、一般的には、シクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体が挙げられる。これらのモノマーに官能基が結合した置換体も用いることができる。
本発明で用いられる環状オレフィン系樹脂を製造するために使用する環状オレフィンモノマーとしては、一般式（３）で表されるノルボルネン型モノマーが好ましい。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキシル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、１-
プロピニル、２-プロピニル、１-ブチニル、２-ブチニル基等が、アリール基の具体例と
しては、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等が、酸性基を含有する官能基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２、 −Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）２−ＣＦ３がそれ
ぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。
エステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基を含有する官能基については、これらの基を有している官能基であれば特に構造は限定されない。エーテル基を含有する官能基には、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテルを含む官能基も含まれる。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキシル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、１-
プロピニル、２-プロピニル、１-ブチニル、２-ブチニル基等が、アリール基の具体例と
しては、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等が、酸性基を含有する官能基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２、 −Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）２−ＣＦ３がそれ
ぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。
エステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基を含有する官能基については、これらの基を有している官能基であれば特に構造は限定されない。エーテル基を含有する官能基には、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテルを含む官能基も含まれる。
である。Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２、 −Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）２−ＣＦ３等の酸性基を含有する官能基のうちいず
れであってもよい。Ｒ１〜Ｒ４は、単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のＲ１〜Ｒ４のうち、少なくとも一つは酸性基を有する。]
本発明で使用する環状オレフィン系樹脂としては、上記環状オレフィンモノマーの重合体が挙げられる。なお重合方法はランダム重合、ブロック重合など公知の方法が用いられる。具体例としては、ノルボルネン型モノマ−の（共）重合体、ノルボルネン型モノマ−
とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ-との共重合体、およびこれらの共重
合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがある。このうち、ノルボルネンモノマーを付加（共）重合することによって得られたポリマー、又はノルボルネンモノマーを開環重合させ、必要に応じて水素添加した重合体が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ-との共重合体、およびこれらの共重
合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがある。このうち、ノルボルネンモノマーを付加（共）重合することによって得られたポリマー、又はノルボルネンモノマーを開環重合させ、必要に応じて水素添加した重合体が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
環状オレフィン系樹脂の付加重合体としては、ポリノルボルネン系樹脂が挙げられる。具体的には、（１）ノルボルネン型モノマ−を付加（共）重合させて得られるノルボルネン型モノマ−の付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマ−との付加共重合体が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。化学式（１）で表されるタイプの環状オレフィン系樹脂は上記付加重合によって得ることができる。
環状オレフィン系樹脂の開環重合体としては、ポリノルボルネン系樹脂が挙げられる。具体的には、（４）ノルボルネン型モノマ−の開環（共）重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、又は他のモノマ−との開環共重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。化学式（２）で表されるタイプの環状オレフィン系は上記開環重合によって得ることができる。
上記のうち、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合させて得られる付加（共）重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
上記のうち、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合させて得られる付加（共）重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、が好ましいが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
環状オレフィン系樹脂の付加重合体は、金属触媒による配位重合、又はラジカル重合によって得られる。このうち、配位重合においては、モノマーを、遷移金属触媒存在下、溶液中で重合することによってポリマーが得られる（ＮｉＣＯＬＥ Ｒ． ＧＲＯＶＥ ｅｔ ａｌ． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ Ｂ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ， Ｖｏｌ．３７， ３００３-３０１０（１９９９）
）。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、ＰＣＴ ＷＯ ９７３３１９８とＰＣＴ ＷＯ ００／２０４７２に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（メシレン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（ベンゼン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（テトラヒドロ）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（エチルアセテート）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（ジオキサン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。
）。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、ＰＣＴ ＷＯ ９７３３１９８とＰＣＴ ＷＯ ００／２０４７２に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（メシレン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（ベンゼン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（テトラヒドロ）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（エチルアセテート）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（ジオキサン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。
ラジカル重合技術については、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ, １３，７０８（１９８８）に述べられている。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を５０℃〜１５０℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、ｔ-ブチル過酸化水素などである。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を５０℃〜１５０℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、ｔ-ブチル過酸化水素などである。
環状オレフィン系樹脂の開環重合体は、公知の開環重合法により、チタンやタングステン化合物を触媒として、少なくとも一種以上のノルボルネン型モノマ-を開環（共）重合
して開環（共）重合体を製造し、次いで必要に応じて通常の水素添加方法により前記開環（共）重合体中の炭素-炭素二重結合を水素添加して熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を
製造することによって得られる。
して開環（共）重合体を製造し、次いで必要に応じて通常の水素添加方法により前記開環（共）重合体中の炭素-炭素二重結合を水素添加して熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を
製造することによって得られる。
本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂は、酸性基を有するモノマーを直接上記方法で重合することによって得られる。しかし、重合系によっては、モノマーに酸性基が含まれていると触媒等が失活して重合が適当に進行しなくなることがある。この場合は、当該酸性基に保護基を導入して重合し、ポリマー生成後に脱保護することで本発明の酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得ることができる。またモノマーに、酸性基に化学反応しうる官能基を導入しておき、ポリマー合成後に高分子反応で当該官能基を酸性基に変換する手法を採ってもよい。
上述のように、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂は、環状オレフィンモノマー中の酸性基の電離しうる水素原子を他の構造で置換したモノマーを使用し、これを重合した後、脱保護して元の水素原子を導入することにより得ることができる。このとき水素原子と置換が可能な官能基としては、具体的には、３級ブチル基、３級ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラン-２-イル基、トリメチルシリル基などのトリアルキルシリル基、メトキシメチル基などを挙げることができる。脱保護、すなわちそれら保護基のモノマーからの脱離による酸性基の復元は、該官能基を酸性官能基の保護基として使用する場合の定法によって行うことができる。
酸性基を有しない環状オレフィン系樹脂を高分子反応させて酸性基を導入する方法について述べる。酸性基を有しない環状オレフィン系樹脂を、ラジカル開始剤の存在下、アクリル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸、メチル−エンドシス−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸などの不飽和カルボン酸化合物、又はこれらのエステル又はアミド、或いは無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シトラコン酸などの不飽和カルボン酸無水物等の極性基含有化合物
と混合して加熱することによって酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得ることができる。
と混合して加熱することによって酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得ることができる。
共重合物中の酸性基を有するユニットの含有率は、露光後にアルカリ溶解性を発現可能か否かによって最適値を決定することが出来る。例えば、酸性基はポリマー１ｇあたり０．２〜０．１モルが好ましい。更に好ましくは０．０３〜０．１モルである。当該値が上記範囲より大きくなると、モノマーの選択範囲が極めて狭まり、他特性の並立が困難になる。一方、当該値が上記範囲より小さくなると、アルカリ水溶液への溶解性を発現させることが困難になり、共に好ましくない。
本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得るためのモノマーのうち、酸性基を含むモノマー、又は脱保護して酸性基になる官能基を有するモノマーには具体的には、ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-カルボン酸、テトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）酢酸、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）プロピオン酸、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）酪酸、３-（ビシクロ[２．
２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）吉草酸、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-
５-イル）カプロン酸、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-
イル）カルボニルオキシエチル）エステル、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシプロピル）エステル、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシブチル）エステル、フタル酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシエチル）エステル、カプロン酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシブチル）エステル、（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシ酢酸、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチル
フェノール、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルフェノール、
４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルフェノール、４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）フェノール、４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルカテコール、３-メトキシ-４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）メチルフェノール、３-メトキシ-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）メチルフェノール、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルレゾルシン、１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘ
プト-２-エン-５-イル）エチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-３-（ビシ
クロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）プロピルアルコール、１，１-ビストリフル
オロメチル-４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ブチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-５-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ペ
ンチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-６-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ヘキシルアルコール、８-メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｎ-プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｉ-プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４
．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｎ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．
４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（２-メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（１-メチルプロポキシ）
カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｔ-ブトキ
シカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（４’-ｔ-ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４
．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８-テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシ
クロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｎ-プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｉ-プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデッ
ク-３-エン、８-メチル-８-ｎ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（２-メチルポロポキシ）カルボニルテトラシク
ロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（１-メチルポロポキ
シ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｔ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（４’-ｔ-ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニル
テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデッ
ク-３-エン、８-メチル-８-テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８-メチル-８-アセトキシテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（メトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（エトキシカルボニル）テトラシ
クロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｎ-プロポキシカルボ
ニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｉ-プ
ロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８
，９-ジ（ｎ-ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｔ-ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（シクロへキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（フェノキシロキシカルボニル）テ
トラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（テトラヒドロフラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８，
９-ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カル
ボン酸、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、などが挙げられるが、本発明では何らこれらに限定されるものではない。
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）酢酸、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）プロピオン酸、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）酪酸、３-（ビシクロ[２．
２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）吉草酸、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-
５-イル）カプロン酸、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-
イル）カルボニルオキシエチル）エステル、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシプロピル）エステル、コハク酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシブチル）エステル、フタル酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシエチル）エステル、カプロン酸モノ-（２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシブチル）エステル、（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）カルボニルオキシ酢酸、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチル
フェノール、３-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルフェノール、
４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルフェノール、４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）フェノール、４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルカテコール、３-メトキシ-４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）メチルフェノール、３-メトキシ-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-
２-エン-５-イル）メチルフェノール、２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）メチルレゾルシン、１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘ
プト-２-エン-５-イル）エチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-３-（ビシ
クロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）プロピルアルコール、１，１-ビストリフル
オロメチル-４-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ブチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-５-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ペ
ンチルアルコール、１，１-ビストリフルオロメチル-６-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）ヘキシルアルコール、８-メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｎ-プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｉ-プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４
．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｎ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．
４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（２-メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（１-メチルプロポキシ）
カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-ｔ-ブトキ
シカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-（４’-ｔ-ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４
．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８-テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシ
クロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｎ-プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｉ-プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデッ
ク-３-エン、８-メチル-８-ｎ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（２-メチルポロポキシ）カルボニルテトラシク
ロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（１-メチルポロポキ
シ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-ｔ-ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-（４’-ｔ-ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニル
テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチル-８-テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデッ
ク-３-エン、８-メチル-８-テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．
０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８-メチル-８-アセトキシテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（メトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（エトキシカルボニル）テトラシ
クロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｎ-プロポキシカルボ
ニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｉ-プ
ロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８
，９-ジ（ｎ-ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（ｔ-ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（シクロへキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（フェノキシロキシカルボニル）テ
トラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８，９-ジ（テトラヒドロフラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、８，
９-ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]-３-ドデセン、テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カル
ボン酸、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン-８-カルボン酸、などが挙げられるが、本発明では何らこれらに限定されるものではない。
本発明で用いられる酸性基を有する環状オレフィン系樹脂を得るためのモノマーのうち、上述以外のモノマーの具体例としては、次のものが挙げられる。アルキル基を有するものとして、５-メチル-２-ノルボルネン、５-エチル-２-ノルボルネン、５-プロピル-２-
ノルボルネン、５-ブチル-２-ノルボルネン、５-ペンチル-２-ノルボルネン、５-ヘキシ
ル-２-ノルボルネン、５-ヘプチル-２-ノルボルネン、５-オクチル-２-ノルボルネン、５-ノニル-２-ノルボルネン、５-デシル-２-ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５-アリル-２-ノルボルネン、５-メチリデン-２-ノルボルネン、５-エチリデ
ン-２-ノルボルネン、５-イソプロピリデン-２-ノルボルネン、５-（２-プロペニル）-２-ノルボルネン、５-（３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-２-プロペニル
）-２-ノルボルネン、５-（４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（２，３-ジメチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（２-エチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（３，４-ジメチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（７-オクテニル）-２-ノルボルネン、５-（２-メチル-６-ヘプテニル）-２-ノルボルネン、５-（１，２-ジメチル-５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（５-エチル-５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（１，２，３-トリメチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５-エチニル-２-ノルボルネンなど、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５-ヘキサメチル-１，５-ジメチルビス（（２-（５-ノルボルネン-２-イル）エチル）トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、５-フェニルー２-ノルボルネン、５-ナフチ
ル-２-ノルボルネン、５-ペンタフルオロフェニル-２-ノルボルネンなど、アラルキル基
を有するものとしては、５-ベンジル-２-ノルボルネン、５-フェネチル-２-ノルボルネン、５-ペンタフルオロフェニルメタン-２-ノルボルネン、５-（２-ペンタフルオロフェニ
ルエチル）-２-ノルボルネン、５-（３-ペンタフルオロフェニルプロピル）-２-ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチルビス(（５-ノルボルネン-２-イル）メトキシ)）シラン、５-トリメトキシシリル-２-ノルボルネン、５-トリエト
キシシリル-２-ノルボルネン、５-（２-トリメトキシシリルエチル）-２-ノルボルネン、５-（２-トリエトキシシリルエチル）-２-ノルボルネン、５-（３-トリメトキシプロピル）-２-ノルボルネン、５-（４-トリメトキシブチル）-２-ノルボルネン、５ートリメチルシリルメチルエーテル-２-ノルボルネンなど、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５-ノルボルネン-２-
メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、プ
ロピオン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、酪酸５-ノルボルネン-２-メチルエステ
ル、吉草酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプロン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプリル酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、ラウリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、ステアリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、オレイン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、リ
ノレン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸、５-ノ
ルボルネン-２-カルボン酸メチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸エチルエス
テル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸ｔ-ブチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボ
ン酸ｉ-ブチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリエチルシリルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸イソボニルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸２-ヒドロキシエチルエステル、５-ノルボルネン-２-メチル-２-カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５-ノルボルネン-
２-メチルエステル、５-ノルボルネン-２-メチルエチルカルボネート、５-ノルボルネン-２-メチルｎ-ブチルカルボネート、５-ノルボルネン-２-メチルｔ-ブチルカルボネート、５-メトキシ-２-ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-エチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｎ-ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｎ-プロピル
エステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｉ-ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｉ-プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-デシルエステルなど、エポキシ基を有するものとして
は、５-[（２，３-エポキシプロポキシ）メチル]-２-ノルボルネンなど、またテトラシクロ環から成るものとして、８，９-テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-
３-エン、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-エチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．０1,6]ドデック-３-エン、８-エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,12]ドデック-３-エン、８-エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１2,5
．１7,10０1,6]ドデック-３-エン。しかし本発明は何らこれらに限定されるものではない。
ノルボルネン、５-ブチル-２-ノルボルネン、５-ペンチル-２-ノルボルネン、５-ヘキシ
ル-２-ノルボルネン、５-ヘプチル-２-ノルボルネン、５-オクチル-２-ノルボルネン、５-ノニル-２-ノルボルネン、５-デシル-２-ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５-アリル-２-ノルボルネン、５-メチリデン-２-ノルボルネン、５-エチリデ
ン-２-ノルボルネン、５-イソプロピリデン-２-ノルボルネン、５-（２-プロペニル）-２-ノルボルネン、５-（３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-２-プロペニル
）-２-ノルボルネン、５-（４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（１-メチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（２，３-ジメチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（２-エチル-３-ブテニル）-２-ノルボルネン、５-（３，４-ジメチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネン、５-（７-オクテニル）-２-ノルボルネン、５-（２-メチル-６-ヘプテニル）-２-ノルボルネン、５-（１，２-ジメチル-５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（５-エチル-５-ヘキセニル）-２-ノルボルネン、５-（１，２，３-トリメチル-４-ペンテニル）-２-ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５-エチニル-２-ノルボルネンなど、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５-ヘキサメチル-１，５-ジメチルビス（（２-（５-ノルボルネン-２-イル）エチル）トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、５-フェニルー２-ノルボルネン、５-ナフチ
ル-２-ノルボルネン、５-ペンタフルオロフェニル-２-ノルボルネンなど、アラルキル基
を有するものとしては、５-ベンジル-２-ノルボルネン、５-フェネチル-２-ノルボルネン、５-ペンタフルオロフェニルメタン-２-ノルボルネン、５-（２-ペンタフルオロフェニ
ルエチル）-２-ノルボルネン、５-（３-ペンタフルオロフェニルプロピル）-２-ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチルビス(（５-ノルボルネン-２-イル）メトキシ)）シラン、５-トリメトキシシリル-２-ノルボルネン、５-トリエト
キシシリル-２-ノルボルネン、５-（２-トリメトキシシリルエチル）-２-ノルボルネン、５-（２-トリエトキシシリルエチル）-２-ノルボルネン、５-（３-トリメトキシプロピル）-２-ノルボルネン、５-（４-トリメトキシブチル）-２-ノルボルネン、５ートリメチルシリルメチルエーテル-２-ノルボルネンなど、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５-ノルボルネン-２-
メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、プ
ロピオン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、酪酸５-ノルボルネン-２-メチルエステ
ル、吉草酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプロン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプリル酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、カプリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、ラウリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、ステアリン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、オレイン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、リ
ノレン酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸、５-ノ
ルボルネン-２-カルボン酸メチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸エチルエス
テル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸ｔ-ブチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボ
ン酸ｉ-ブチルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリエチルシリルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸イソボニルエステル、５-ノルボルネン-２-カルボン酸２-ヒドロキシエチルエステル、５-ノルボルネン-２-メチル-２-カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５-ノルボルネン-
２-メチルエステル、５-ノルボルネン-２-メチルエチルカルボネート、５-ノルボルネン-２-メチルｎ-ブチルカルボネート、５-ノルボルネン-２-メチルｔ-ブチルカルボネート、５-メトキシ-２-ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-メチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-エチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｎ-ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｎ-プロピル
エステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｉ-ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ｉ-プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５-ノルボルネン-２-デシルエステルなど、エポキシ基を有するものとして
は、５-[（２，３-エポキシプロポキシ）メチル]-２-ノルボルネンなど、またテトラシクロ環から成るものとして、８，９-テトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-
３-エン、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-エチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,10]ドデック-３-エン、８-メチルテトラシクロ[４．４．０．１2,5．０1,6]ドデック-３-エン、８-エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１2,5．１7,12]ドデック-３-エン、８-エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１2,5
．１7,10０1,6]ドデック-３-エン。しかし本発明は何らこれらに限定されるものではない。
上述重合系の適当な重合溶媒としては炭化水素や芳香族溶媒が含まれる。炭化水素溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどであるがこれに限定されない。芳香族溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどであるがこれに限定されない。ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、エステル、ラクトン、ケトン、アミドも使用できる。これら溶剤を単独や混合しても重合溶媒として使用できる。
本発明の環状オレフィン系樹脂の分子量は、開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。上記の配位重合が用いられる場合、米国特許Ｎｏ．６，１３６，４９９に開示されるように、分子量を連鎖移動触媒を使用することにより制御することができる。この発明においては、エチレン、プロピレン、１-
ヘキサン、１-デセン、４-メチル-１-ペンテン、などα-オレフィンが分子量制御するの
に適当である。
ヘキサン、１-デセン、４-メチル-１-ペンテン、などα-オレフィンが分子量制御するの
に適当である。
本発明において重量平均分子量は５，０００〜５００，０００、好ましくは７，０００〜２００，０００さらに好ましくは８，０００〜１００，０００である。重量平均分子量は標準ポリノルボルネンを用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。（ＡＳＴＭＤＳ３５３６-９１準拠）
本発明で用いる光酸発生剤（Ｂ）は、活性光線の照射によって、ブレンステッド酸あるい
はルイス酸を生成する物質であって、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α，α-ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α-カルボニル-α-スルホニル-ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸ア
ミド
化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられる。本発明では、キノンジアジド化合物を用いることが好ましい。
はルイス酸を生成する物質であって、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α，α-ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α-カルボニル-α-スルホニル-ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸ア
ミド
化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられる。本発明では、キノンジアジド化合物を用いることが好ましい。
本発明で用いる光酸発生剤（Ｂ）の好ましい具体例として、１，２-ベンゾキノンジア
ジド或いは１，２-ナフトキノンジアジド構造を有する化合物を挙げることができる。こ
れらは米国特許明細書第２７７２９７５号、第２７９７２１３号、第３６６９６５８号により公知の物質である。これらのうち、特に小さい露光量で高い溶解性のコントラストを得るために、１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸或いは１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-４-スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物が好ましい。これらの光酸発生剤は、放射線照射による露光時の光反応でカルボキシル基を生成し、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性を増加させるポジ型の光酸発生剤として機能する。
ジド或いは１，２-ナフトキノンジアジド構造を有する化合物を挙げることができる。こ
れらは米国特許明細書第２７７２９７５号、第２７９７２１３号、第３６６９６５８号により公知の物質である。これらのうち、特に小さい露光量で高い溶解性のコントラストを得るために、１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸或いは１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-４-スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物が好ましい。これらの光酸発生剤は、放射線照射による露光時の光反応でカルボキシル基を生成し、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性を増加させるポジ型の光酸発生剤として機能する。
本発明で用いる光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、前記アルカリ可溶性の環状オレフィン系樹脂（Ａ）１００重量部に対し、１〜５０重量部が好ましく、よりこのましくは５〜３０重量部が望ましい。配合量が、１重量部未満だと感光性樹脂組成物の露光、現像特性が不良となり、逆に５０重量部を超えると感度が大幅に低下するため好ましくない。
本発明で用いられる、１３０℃以上の温度で酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）の具体例について述べる。化合物（Ｃ）に含まれる、酸性基と結合しうる反応基の具体例として、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基などのエポキシ基、２-オキサゾリン-２-イル基などのオキサゾリン基、
Ｎ-ヒドロキシメチルアミノカルボニル基などのメチロール基、Ｎ-メトキシメチルアミノカルボニル基などのアルコキシメチル基等を挙げることができる。
化合物（Ｃ）としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、ポリメチル（グリシジロキシプロピル）シロキサン等のエポキシ基含有シリコーン、２-メチル-２-オキサゾリン、２-エチル-２-オキサゾリン、１，３-ビス（２-オキサゾリン-２-イル）ベンゼン、１，４-ビス（２-オキサゾリン-２-イル）ベンゼン、２，２’-ビス（２-オキサゾリン）、２，６-ビス（４-イソプロピル-２-オキサゾリン-
２-イル）ピリジン、２，６-ビス（４-フェニル-２-オキサゾリン-２-イル）ピリジン、
２，２’-イソプロピリデンビス（４-フェニル-２-オキサゾリン）、（Ｓ，Ｓ）-（-）-
２，２’-イソプロピリデンビス（４-ｔｅｒｔ-ブチル-２-オキサゾリン）、ポリ（２-プロペニル-２-オキサゾリン）などのオキサゾリン環含有ポリマー、Ｎ-メチロールアクリ
ルアミド、Ｎ-メチロールメタクリルアミド、フルフリルアルコール、ベンジルアルコー
ル、サリチルアルコール、１，２-ベンゼンジメタノール、１，３-ベンゼンジメタノール、１，４-ベンゼンジメタノール、レゾール型フェノール樹脂などを挙げることができる
が、本発明は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。
Ｎ-ヒドロキシメチルアミノカルボニル基などのメチロール基、Ｎ-メトキシメチルアミノカルボニル基などのアルコキシメチル基等を挙げることができる。
化合物（Ｃ）としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、ポリメチル（グリシジロキシプロピル）シロキサン等のエポキシ基含有シリコーン、２-メチル-２-オキサゾリン、２-エチル-２-オキサゾリン、１，３-ビス（２-オキサゾリン-２-イル）ベンゼン、１，４-ビス（２-オキサゾリン-２-イル）ベンゼン、２，２’-ビス（２-オキサゾリン）、２，６-ビス（４-イソプロピル-２-オキサゾリン-
２-イル）ピリジン、２，６-ビス（４-フェニル-２-オキサゾリン-２-イル）ピリジン、
２，２’-イソプロピリデンビス（４-フェニル-２-オキサゾリン）、（Ｓ，Ｓ）-（-）-
２，２’-イソプロピリデンビス（４-ｔｅｒｔ-ブチル-２-オキサゾリン）、ポリ（２-プロペニル-２-オキサゾリン）などのオキサゾリン環含有ポリマー、Ｎ-メチロールアクリ
ルアミド、Ｎ-メチロールメタクリルアミド、フルフリルアルコール、ベンジルアルコー
ル、サリチルアルコール、１，２-ベンゼンジメタノール、１，３-ベンゼンジメタノール、１，４-ベンゼンジメタノール、レゾール型フェノール樹脂などを挙げることができる
が、本発明は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。
化合物（Ｃ）の含有量は、前記酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）１００重量部に対し、１〜１００重量部が好ましく、より好ましくは、５〜５０重量部である。配合量が、１重量部未満だと感光性樹脂組成物の硬化後の物性が不良となり、逆に１００重量部を超えるとパターン形成能が大幅に低下するため好ましくない。
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤として
は、Ｎ-メチル-２-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル-１，３-ブチレングリコールアセテート、１，３-ブチレングリコール-３-モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、メチル-３-メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
これらの中では、高い溶解性と揮散により後硬化時に除去しやすい点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノンの使用が好ましい。
は、Ｎ-メチル-２-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル-１，３-ブチレングリコールアセテート、１，３-ブチレングリコール-３-モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、メチル-３-メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
これらの中では、高い溶解性と揮散により後硬化時に除去しやすい点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノンの使用が好ましい。
本発明で用いられる感光性樹脂組成物は、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、及び感度などの特性向上を目的として必要に応じて溶剤、フェノール樹脂、レベリング剤、酸化防止剤，難燃剤，可塑剤、シランカップリング剤、硬化促進剤等を単純に混合することによって得られる。
次に本発明の半導体装置の作製方法について述べる。まず感光性樹脂組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウエハー、セラミック、アルミ基板、ガラス基板、フィルム基板等に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、９０〜１４０℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、２００〜７００ｎｍの波長のものが好ましい。
次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、特に限定されないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、水酸化テトラメチルアンモニウムやエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、たとえば水やアルコールを使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、アルコールを使用する。
リンス後、加熱硬化することにより樹脂層を完成させる。即ち、加熱によって樹脂中に存在し、光加工時にアルカリ可溶性の発現に寄与していた酸性基を、酸性基と反応可能な官能基を有する化合物中の該官能基と反応させることによって消失させ、加工後の樹脂層の誘電率や耐湿信頼性等の信頼性に酸性基由来の悪影響が残るのを防止するのとともに、樹脂中に強固な架橋構造を形成し、熱硬化後の樹脂の特性を向上させることが、本発明の特徴である。熱硬化温度は、最高２００℃〜２５０℃で加熱処理を行い、現像液やリンス液を除去し、さらに上記反応が完了し耐熱性に富む最終パターンを得る。また、この熱硬化工程の一部または全部は、後述の、半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せて、加圧接着後に行うこともできる。
リンス後、加熱硬化することにより樹脂層を完成させる。即ち、加熱によって樹脂中に存在し、光加工時にアルカリ可溶性の発現に寄与していた酸性基を、酸性基と反応可能な官能基を有する化合物中の該官能基と反応させることによって消失させ、加工後の樹脂層の誘電率や耐湿信頼性等の信頼性に酸性基由来の悪影響が残るのを防止するのとともに、樹脂中に強固な架橋構造を形成し、熱硬化後の樹脂の特性を向上させることが、本発明の特徴である。熱硬化温度は、最高２００℃〜２５０℃で加熱処理を行い、現像液やリンス液を除去し、さらに上記反応が完了し耐熱性に富む最終パターンを得る。また、この熱硬化工程の一部または全部は、後述の、半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せて、加圧接着後に行うこともできる。
次に前記のシリコンウエハーをダイシングにより小片化し、得られた半導体チップをダイアタッチ用接着フィルムを用いて、ボンディングフィンガーとその裏面に半田ボール搭載用のランドを持つプリント配線板に搭載され、金線により半導体チップとプリント配線
板を接続した。
その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せ、加圧接着した。金線により第２の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが２個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂により封止され、半田ボールを搭載し、ＢＧＡパッケージとした。
スタックド構造のＭＣＰについては、複数個の半導体チップを積層することも可能であり、上記以外の公知の方法により作製することができる。また、上記方法に限定されるものではない。
板を接続した。
その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せ、加圧接着した。金線により第２の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが２個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂により封止され、半田ボールを搭載し、ＢＧＡパッケージとした。
スタックド構造のＭＣＰについては、複数個の半導体チップを積層することも可能であり、上記以外の公知の方法により作製することができる。また、上記方法に限定されるものではない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
ポリマーの合成
《合成例１》
１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）
エチルアルコール／５-ノルボルネン-２-カルボン酸＝７５／２５コポリマーの共重合体
（Ａ-１）の例を挙げる。
すべてのガラス機器は６０℃で０．１トル下で１８時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ１％以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。酢酸エチル（１０００ｇ）、シクロヘキサン（１０００ｇ）、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン（６５．９ｇ、０．２４０ｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル（４３．３ｇ、０
．２４０ｍｏｌ）が反応フラスコに加えられた。反応フラスコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は３０分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中でパラジウム触媒すなわち（アリル）パラジウム（トリシクロヘキシルホスフィン）トリフルオロアセテート０．０５８ｇ（０．０７７ｍｍｏｌ）が塩化メチレン１６ｍｌに溶解されて、２５ｍｌのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３４０ｇがトルエン１０００ｇに溶解された助触媒溶液と共に反応フラスコに加えられた。さらに１-ヘキセン
（２５．９ｇ、０．３０８ｍｏｌ）を添加し２０℃にて５時間攪拌して反応を終了した。次にポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後７７．５ｇ（収率７１％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝５２，２００ Ｍｎ＝２６，１００、単分散性＝２．００であった。ＴｇはＤＭＡによると１８０℃であった。ポリマー組成は1Ｈ-ＮＭＲから１，１-ビス
トリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）エチルアルコールが７３モル％、５-ノルボルネン-２-カルボン酸が２７モル％であった。また、この
樹脂の酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００４２モルであった。
ポリマーの合成
《合成例１》
１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）
エチルアルコール／５-ノルボルネン-２-カルボン酸＝７５／２５コポリマーの共重合体
（Ａ-１）の例を挙げる。
すべてのガラス機器は６０℃で０．１トル下で１８時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ１％以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。酢酸エチル（１０００ｇ）、シクロヘキサン（１０００ｇ）、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン（６５．９ｇ、０．２４０ｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル（４３．３ｇ、０
．２４０ｍｏｌ）が反応フラスコに加えられた。反応フラスコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は３０分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中でパラジウム触媒すなわち（アリル）パラジウム（トリシクロヘキシルホスフィン）トリフルオロアセテート０．０５８ｇ（０．０７７ｍｍｏｌ）が塩化メチレン１６ｍｌに溶解されて、２５ｍｌのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３４０ｇがトルエン１０００ｇに溶解された助触媒溶液と共に反応フラスコに加えられた。さらに１-ヘキセン
（２５．９ｇ、０．３０８ｍｏｌ）を添加し２０℃にて５時間攪拌して反応を終了した。次にポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後７７．５ｇ（収率７１％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝５２，２００ Ｍｎ＝２６，１００、単分散性＝２．００であった。ＴｇはＤＭＡによると１８０℃であった。ポリマー組成は1Ｈ-ＮＭＲから１，１-ビス
トリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）エチルアルコールが７３モル％、５-ノルボルネン-２-カルボン酸が２７モル％であった。また、この
樹脂の酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００４２モルであった。
《合成例２》
１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル
）エチルアルコール／５-ノルボルネン-２-カルボン酸＝５０／５０コポリマーの開環メ
タセシス共重合体（Ａ-２）の例を挙げる。
すべてのガラス機器は６０℃で０．１トル下で１８時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ１％以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。トルエン（９１７ｇ）、シクロヘキサン（９１７ｇ）、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン（１５１ｇ、０．５５ｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル（９９．１ｇ、０．５５ｍｏ
ｌ）、１-ヘキセン（３６８ｇ、２．２ｍｏｌ）が反応フラスコに加えられた。反応フラ
スコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は３０分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中で五塩化タングステンのｔ-ブチ
ルアルコール／メタノール（モル比０．３５／０．３）溶液（０．０５モル／ｌ）を調製
し、この３．７８ｇをトリエチルアルミニウム０．０１１ｇがトルエン２５ｇに溶解された助触媒溶液０．６３４ｇと共に反応フラスコに加えられた。２０℃にて５時間攪拌して反応を終了した。
次にこの溶液をオートクレーブに入れ、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ5Ｈ5）3］3４０．０２ｇを加え、内圧が１００ｋｇ／ｃｍ2になるまで水素を導入し、１６５℃で３時間加熱
攪拌を行った。加熱終了後室温まで放冷し、反応物をメタノール（９７５ｍｍｏｌ）に加え１８時間攪拌した。攪拌を止めると水層と溶媒層に分離した。水層を分離した後、１ｌの蒸留水を加え、２０分間攪拌した。水層が分離するので取り除いた。１ｌの蒸留水で３回洗浄を行った。その後ポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後３２０ｇ（収率８５％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝１６，０００ Ｍｎ＝８，４００、単分散性＝１．９であった。ＴｇはＤＭＡによると１３０℃であった。ポリマー組成は1Ｈ-ＮＭＲから１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）
エチルアルコール４８モル％、５-ノルボルネン-２-カルボン酸が５２モル％であった。
また、この樹脂の酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００４９モルであった。
１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル
）エチルアルコール／５-ノルボルネン-２-カルボン酸＝５０／５０コポリマーの開環メ
タセシス共重合体（Ａ-２）の例を挙げる。
すべてのガラス機器は６０℃で０．１トル下で１８時間乾燥する。その後ガラス機器は内部の酸素濃度と湿度がそれぞれ１％以内に抑えられたグローブボックス内に移され、グローブボックスに備え付けられる。トルエン（９１７ｇ）、シクロヘキサン（９１７ｇ）、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルノルボルネン（１５１ｇ、０．５５ｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-カルボン酸トリメチルシリルエステル（９９．１ｇ、０．５５ｍｏ
ｌ）、１-ヘキセン（３６８ｇ、２．２ｍｏｌ）が反応フラスコに加えられた。反応フラ
スコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は３０分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローブボックス中で五塩化タングステンのｔ-ブチ
ルアルコール／メタノール（モル比０．３５／０．３）溶液（０．０５モル／ｌ）を調製
し、この３．７８ｇをトリエチルアルミニウム０．０１１ｇがトルエン２５ｇに溶解された助触媒溶液０．６３４ｇと共に反応フラスコに加えられた。２０℃にて５時間攪拌して反応を終了した。
次にこの溶液をオートクレーブに入れ、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ5Ｈ5）3］3４０．０２ｇを加え、内圧が１００ｋｇ／ｃｍ2になるまで水素を導入し、１６５℃で３時間加熱
攪拌を行った。加熱終了後室温まで放冷し、反応物をメタノール（９７５ｍｍｏｌ）に加え１８時間攪拌した。攪拌を止めると水層と溶媒層に分離した。水層を分離した後、１ｌの蒸留水を加え、２０分間攪拌した。水層が分離するので取り除いた。１ｌの蒸留水で３回洗浄を行った。その後ポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後３２０ｇ（収率８５％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝１６，０００ Ｍｎ＝８，４００、単分散性＝１．９であった。ＴｇはＤＭＡによると１３０℃であった。ポリマー組成は1Ｈ-ＮＭＲから１，１-ビストリフルオロメチル-２-（ビシクロ[２．２．１]ヘプト-２-エン-５-イル）
エチルアルコール４８モル％、５-ノルボルネン-２-カルボン酸が５２モル％であった。
また、この樹脂の酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００４９モルであった。
《実施例１》
得られた樹脂（Ａ-１）５ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテル１５ｇ、ビス
フェノールＡタイプポリオール型エポキシ樹脂（ＹＤ-７１６、東都化成（株）製）０．
８ｇ、及びトリス（４-ヒドロキシフェニル）メタンの１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸エステル０．５ｇを混合し、均一な感光性樹脂組成物（１）を得た。
作製したこの感光性樹脂組成物（１）をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて１２０℃で５分乾燥し、膜厚約１０μｍの塗膜を得た。この塗膜にｉ線ステッパー露光機ＮＳＲ-４４２５ｉ（ニコン（株）製）によりレチクル
を通して３００ｍＪ／ｃｍ2で露光を行った。
その後、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に樹脂層を３０秒間浸漬現像し、次いでイオン交換水で２０秒間リンスすることにより、露光部の樹脂層は溶解し、パターン化された樹脂層を得ることができた。この時の残膜率（現像後の膜厚／現像前の膜厚）は９９．０％と非常に高い値を示した。また形成後のパターンにおいて、微細パターン剥がれは全く観察されず、現像時の密着性が優れていることが確認できた。その後１６０℃、６０分で硬化し、架橋反応を完結させた。この硬化膜の吸水率は０．６％であった。
得られた樹脂（Ａ-１）５ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテル１５ｇ、ビス
フェノールＡタイプポリオール型エポキシ樹脂（ＹＤ-７１６、東都化成（株）製）０．
８ｇ、及びトリス（４-ヒドロキシフェニル）メタンの１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸エステル０．５ｇを混合し、均一な感光性樹脂組成物（１）を得た。
作製したこの感光性樹脂組成物（１）をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて１２０℃で５分乾燥し、膜厚約１０μｍの塗膜を得た。この塗膜にｉ線ステッパー露光機ＮＳＲ-４４２５ｉ（ニコン（株）製）によりレチクル
を通して３００ｍＪ／ｃｍ2で露光を行った。
その後、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に樹脂層を３０秒間浸漬現像し、次いでイオン交換水で２０秒間リンスすることにより、露光部の樹脂層は溶解し、パターン化された樹脂層を得ることができた。この時の残膜率（現像後の膜厚／現像前の膜厚）は９９．０％と非常に高い値を示した。また形成後のパターンにおいて、微細パターン剥がれは全く観察されず、現像時の密着性が優れていることが確認できた。その後１６０℃、６０分で硬化し、架橋反応を完結させた。この硬化膜の吸水率は０．６％であった。
次に前記のシリコンウエハーをダイシングにより小片化し、得られた半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの半導体チップを乗せ、１秒加圧（０．１ＭＰａ）接着し、密着強度試験片とし、１水準当たり１０個成形した。その後、自動せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、チップとチップとのせん断強度を測定した。結果は、１１ＭＰａで、良好であった。
得られた半導体チップをダイアタッチ用接着フィルム（住友ベークライト（株）製 ＩＢＦ-３０２１）を用いて、ボンディングフィンガーとその裏面に半田ボール搭載用のラ
ンドを持つプリント配線板に搭載され、金線により半導体チップとプリント配線板を接続した。
さらに、その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの第２の半導体チップを乗せ、１秒加圧（０．１ＭＰａ）接着した。金線により第２の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが２個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂（住友ベークライト（株）製 ＥＭＥ-７７３０L）により封止され、半田ボールを搭載し、ＢＧＡパッケージの半導体装置とした。
得られた半導体チップをダイアタッチ用接着フィルム（住友ベークライト（株）製 ＩＢＦ-３０２１）を用いて、ボンディングフィンガーとその裏面に半田ボール搭載用のラ
ンドを持つプリント配線板に搭載され、金線により半導体チップとプリント配線板を接続した。
さらに、その半導体チップの上に該半導体チップより小さいサイズの第２の半導体チップを乗せ、１秒加圧（０．１ＭＰａ）接着した。金線により第２の半導体チップとプリント配線板を接続した。このようにして半導体チップが２個積層して搭載されたプリント配線板は半導体チップ面を半導体封止樹脂（住友ベークライト（株）製 ＥＭＥ-７７３０L）により封止され、半田ボールを搭載し、ＢＧＡパッケージの半導体装置とした。
上記の半導体装置をもちいて半田リフロー試験を行った。この半導体装置を温度及び湿度がそれぞれ８５℃、８５％の条件に設定された恒温恒湿槽中で７２時間吸湿させた。そ
の後、２４０℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを行い、半導体装置の外部クラックの発生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。さらに、上記半田リフロー試験後の半導体装置を実際のプリント基板に実装し、半導体装置としての動作確認を行った結果、半導体装置として正常に動作することが確認された。
チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ、６ｍｍ×８ｍｍ
の後、２４０℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを行い、半導体装置の外部クラックの発生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。さらに、上記半田リフロー試験後の半導体装置を実際のプリント基板に実装し、半導体装置としての動作確認を行った結果、半導体装置として正常に動作することが確認された。
チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ、６ｍｍ×８ｍｍ
《参考例２》
得られた樹脂（Ａ-２）５ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテル１５ｇ、ビスフェノールＡタイプポリオール型エポキシ樹脂（ＹＤ-７１６、東都化成（株）製）０．８ｇ、及びトリス（４-ヒドロキシフェニル）メタンの１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸エステル０．５ｇを混合し、均一な感光性樹脂組成物（２）を得た。
この感光性樹脂組成物（２）を用いて実施例１と同様にシリコンウエハー上に硬化膜を作製したところ、この硬化膜の吸水率は０．５％であった。実施例１と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、１０ＭＰａで、良好であった。半田リフロー試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。
得られた樹脂（Ａ-２）５ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテル１５ｇ、ビスフェノールＡタイプポリオール型エポキシ樹脂（ＹＤ-７１６、東都化成（株）製）０．８ｇ、及びトリス（４-ヒドロキシフェニル）メタンの１，２-ナフトキノン-２-ジアジド-５-スルホン酸エステル０．５ｇを混合し、均一な感光性樹脂組成物（２）を得た。
この感光性樹脂組成物（２）を用いて実施例１と同様にシリコンウエハー上に硬化膜を作製したところ、この硬化膜の吸水率は０．５％であった。実施例１と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、１０ＭＰａで、良好であった。半田リフロー試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。
《比較例１》
ポリイミド樹脂（住友ベークライト（株）製 ＣＲＣ-６０６１）と接着剤（住友ベー
クライト（株）製 ＩＢＦ-３０２１）をもちいた従来の構造の半導体装置での評価した
。実施例１と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、８．０ＭＰａで、良好であった。半田リフロー試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。結果は、良好であったが、接着剤や接着剤の半導体チップへの貼り付け工程が必要であり、実施例１よりも工程が多くなった。
《比較例２》
実施例１で環状オレフィン系樹脂をポリイミド樹脂（住友ベークライト（株）製 ＣＲＣ-６０６１）に変更した半導体装置で評価した。実施例１と同様に、せん断強度、半田
リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、密着強度が弱すぎるため測定不可能であった。半田リフロー性試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し４／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置として正常に動作しないことが確認された。
ポリイミド樹脂（住友ベークライト（株）製 ＣＲＣ-６０６１）と接着剤（住友ベー
クライト（株）製 ＩＢＦ-３０２１）をもちいた従来の構造の半導体装置での評価した
。実施例１と同様に、せん断強度、半田リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、８．０ＭＰａで、良好であった。半田リフロー試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し０／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。結果は、良好であったが、接着剤や接着剤の半導体チップへの貼り付け工程が必要であり、実施例１よりも工程が多くなった。
《比較例２》
実施例１で環状オレフィン系樹脂をポリイミド樹脂（住友ベークライト（株）製 ＣＲＣ-６０６１）に変更した半導体装置で評価した。実施例１と同様に、せん断強度、半田
リフロー試験、実際の動作確認を行った。せん断強度については、密着強度が弱すぎるため測定不可能であった。半田リフロー性試験では、５個のサンプルについてクラックの発生を確認し４／５であった。動作確認では、実際にプリント基板に実装され、半導体装置として正常に動作しないことが確認された。
本発明は、低応力性、耐溶剤性、低吸水性、電気絶縁性、密着性等に優れたスタックド構造のＭＣＰに好適に用いられる。
１ 金線、
２ 半導体チップ、
３ 感光性樹脂組成物の硬化物
４ プリント配線板、
５ 半田ボール、
６ ダイアタッチ用接着フィルム
７ 積層した半導体チップ
８ 封止樹脂
９ ポリイミド樹脂
１０ 接着剤
２ 半導体チップ、
３ 感光性樹脂組成物の硬化物
４ プリント配線板、
５ 半田ボール、
６ ダイアタッチ用接着フィルム
７ 積層した半導体チップ
８ 封止樹脂
９ ポリイミド樹脂
１０ 接着剤
Claims (1)
- 半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、
前記酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）が式（１）で示される繰り返し単位を含むものであり、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰ（マルチチップパッケージ）の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009246698A JP5304592B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009246698A JP5304592B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004301614A Division JP4428189B2 (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012255446A Division JP2013048295A (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010050480A JP2010050480A (ja) | 2010-03-04 |
| JP5304592B2 true JP5304592B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=42067263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009246698A Expired - Fee Related JP5304592B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5304592B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5537515B2 (ja) | 2011-09-01 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 積層型半導体装置の製造方法と製造装置 |
| WO2014176490A1 (en) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | Promerus, Llc | Photosensitive compositions and applications thereof |
| JP2019057575A (ja) | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4576999A (en) * | 1982-05-06 | 1986-03-18 | General Electric Company | Ultraviolet radiation-curable silicone release compositions with epoxy and/or acrylic functionality |
| JP4320882B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2009-08-26 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子用接着材組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP4206779B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6806309B2 (en) * | 2002-02-28 | 2004-10-19 | Henkel Corporation | Adhesive compositions containing organic spacers and methods for use thereof |
| WO2004029720A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Zeon Corporation | 感放射線性樹脂組成物、樹脂パターン膜とその形成方法、及び樹脂パターン膜の利用 |
| JP4325531B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2009-09-02 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP4428189B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-03-10 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
2009
- 2009-10-27 JP JP2009246698A patent/JP5304592B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010050480A (ja) | 2010-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7915467B2 (en) | Semiconductor wafer and semiconductor device | |
| JP6299389B2 (ja) | 感光性接着剤組成物および半導体装置 | |
| EP1804296A1 (en) | Light-receiving device | |
| JP4613763B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いたパターン形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、表示体装置、表示体装置の製造方法 | |
| JP2007078812A (ja) | 感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置、表示素子 | |
| JP4428189B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| WO2016063908A1 (ja) | 感光性接着剤組成物および半導体装置 | |
| JP4539505B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| US20100120937A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP4170277B2 (ja) | 感光性樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP5304592B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2007078820A (ja) | 感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置、表示素子 | |
| JP2014225662A (ja) | 感光性接着剤組成物および半導体装置 | |
| JP2013048295A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4412136B2 (ja) | 半導体表面保護膜用樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP5338459B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、および半導体装置 | |
| JP2009246376A (ja) | 半導体装置および樹脂組成物 | |
| JP4556598B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006096812A (ja) | 半導体表面保護膜用樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2006098568A (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2009301056A (ja) | 半導体表面保護膜用樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP4325531B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2006100563A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006098762A (ja) | 感光性樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2006098949A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120905 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121121 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |