JP6425899B2 - 異方性導電接着剤、接続体の製造方法及び電子部品の接続方法 - Google Patents

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    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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Description

本発明は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、光吸収剤とを含有した異方性導電接着剤、これを用いた接続体の製造方法、及び電子部品の接続方法に関する。
従来から、テレビやPCモニタ、スマートホン、携帯型ゲーム機、デジタルオーディオプレーヤ、タブレットPC、ウェアラブル端末あるいは車載用モニタ等の各種表示手段又は表示入力手段として、液晶表示装置やタッチパネル装置が多く用いられている。近年、このような表示装置やタッチパネル装置においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、ICチップを直接基板上に実装するいわゆるCOG(chip on glass)や、各種回路が形成されたフレキシブル基板を直接基板上に実装するいわゆるFOG(film on glass)が採用されている。
例えばCOG実装方式が採用された液晶表示装置100は、図7に示すように、液晶表示のための主機能を果たす液晶表示パネル104を有しており、この液晶表示パネル104は、ガラス基板等からなる互いに対向する二枚の透明基板102,103を有している。そして、液晶表示パネル104は、これら両透明基板102,103が枠状のシール105によって互いに貼り合わされるとともに、両透明基板102,103およびシール105によって囲繞された空間内に液晶106が封入されたパネル表示部107が設けられている。
透明基板102,103は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極108,109が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明基板102,103は、これら両透明電極108,109の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
両透明基板102,103のうち、一方の透明基板103は、他方の透明基板102よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板103の縁部103aには、透明電極109の端子部109aが形成されている。また、両透明電極108,109上には、所定のラビング処理が施された配向膜111,112が形成されており、この配向膜111,112によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明電極108,109の外側には、一対の偏光板118,119が配設されており、これら両偏光板118,119によってバックライト等の光源120からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
端子部109a上には、異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115が熱圧着されている。異方性導電フィルム114は、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、2つの導体間で加熱圧着されることにより導電粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。液晶駆動用IC115は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。なお、異方性導電フィルム114を構成する接着剤としては、通常、最も信頼性の高い熱硬化性の接着剤を用いるようになっている。
このような異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115を端子部109aへ接続する場合は、先ず、透明電極109の端子部109a上に異方性導電フィルム114を図示しない仮圧着手段によって仮圧着する。続いて、異方性導電フィルム114上に液晶駆動用IC115を載置した後、図8に示すように熱圧着ヘッド等の熱圧着手段121によって液晶駆動用IC115を異方性導電フィルム114とともに端子部109a側へ押圧しつつ熱圧着手段121を発熱させる。この熱圧着手段121による発熱によって、異方性導電フィルム114は熱硬化反応を起こし、これにより、異方性導電フィルム114を介して液晶駆動用IC115が端子部109a上に接着される。
しかし、このような異方性導電フィルムを用いた接続方法においては、熱加圧温度が高く、液晶駆動用IC115等の電子部品や透明基板103に対する熱衝撃が大きくなる。加えて、異方性導電フィルムが接続された後、常温まで温度が低下する際に、その熱圧着手段121と当接する電子部品と透明基板103との温度差に起因して、透明基板103の端子部109aに反りが生じうる。そのため、端子部109a周辺の液晶画面に発生する表示ムラや液晶駆動用IC115の接続不良等の不具合を引き起こすおそれがあった。この傾向は、透明基板103の挟額縁化やガラスの薄型化に伴って顕著に現れる。
特開2008−252098号公報
そこで、このような熱硬化型の接着剤を用いた異方性導電フィルム114に代えて、紫外線硬化型の接着剤を用いた接続方法も提案されている。紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においては、熱圧着手段を用いずに、常温で液晶駆動用IC115等の電子部品を押圧し、透明基板103の裏側から紫外線を照射することによってバインダー樹脂を硬化させる。このため、電子部品や透明基板の加熱温度差に起因する透明基板103や液晶駆動用IC115の反りを防止することができる。
しかし、紫外線硬化型の接着剤を用いる接続方法においても、バインダー樹脂の粘度が高い状態で加圧すると、導電性粒子を十分に押し込むことができず、接続初期においては良好な接続抵抗であっても、接続後における経時的、環境的要因により、導通抵抗が上昇するおそれがある。
本発明は、上述した課題を解決するものであり、光硬化型の接着剤を用いることで、低温で電子部品の接続を行うと共に、電子部品の接続不良を改善する異方性導電接着剤、接続体の製造方法及び電子部品の接続方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明に係る異方性導電接着剤は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、光吸収剤とを含有し、上記光吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れているものである。
また、本発明に係る接続体の製造方法は、ステージ上に載置された透明基板上に、光硬化系異方性導電接着剤を介して電子部品を配置し、圧着ツールにより上記電子部品を上記透明基板に押圧しながら、光照射器より光照射を行う接続体の製造方法において、上記光硬化系異方性導電接着剤は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、光吸収剤とを含有し、上記光吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れ、上記光照射器は、上記光重合開始剤の光吸収ピーク及び上記光吸収剤の光吸収ピークを含む波長の光を照射するものである。
また、本発明に係る電子部品の接続方法は、ステージ上に載置された透明基板上に、光硬化系異方性導電接着剤を介して電子部品を配置し、圧着ツールにより上記電子部品を上記透明基板に押圧しながら、光照射器より光照射を行う電子部品の接続方法において、上記光硬化系異方性導電接着剤は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、光吸収剤とを含有し、上記光吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れ、上記光照射器は、上記光重合開始剤の光吸収ピーク及び上記光吸収剤の光吸収ピークを含む波長の光を照射するものである。
本発明によれば、異方性導電接着剤として、光重合開始剤及び光吸収剤として、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも20nm以上大きいものを用いる。これにより、光重合開始剤と光吸収剤の各紫外線吸収を互いに阻害することなく、それぞれバインダー樹脂の硬化反応の進行と、発熱によるバインダー樹脂の溶融を行うことかできる。したがって、良好な接続性を有する接続体を製造することができる。
図1は、接続体の一例として示す液晶表示パネルの断面図である。 図2は、液晶駆動用ICと透明基板との接続工程を示す断面図である。 図3は、異方性導電フィルムを示す断面図である。 図4は、本発明に係る異方性導電フィルムの光重合開始剤と光吸収剤の光吸収ピーク波長の関係を示すグラフである。 図5は、実施例及び比較例に係る接続体サンプルの反り量を測定する工程を示す側面図である。 図6は、実施例及び比較例に係る接続体サンプルの接続抵抗を測定する工程を示す斜視図である。 図7は、液晶表示パネルの断面図である。 図8は、液晶表示パネルの透明基板にICチップを接続する工程を示す断面図である。
以下、本発明が適用された異方性導電接着剤、接続体の製造方法及び電子部品の接続方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
以下では、液晶表示パネルのガラス基板に、電子部品として液晶駆動用のICチップを実装するいわゆるCOG(chip on glass)実装を行う場合を例に説明する。この液晶表示パネル10は、図1に示すように、ガラス基板等からなる二枚の透明基板11,12が対向配置され、これら透明基板11,12が枠状のシール13によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル10は、透明基板11,12によって囲繞された空間内に液晶14が封入されることによりパネル表示部15が形成されている。
透明基板11,12は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極16,17が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極16,17は、これら両透明電極16,17の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
両透明基板11,12のうち、一方の透明基板12は、他方の透明基板11よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板12の縁部12aには、電子部品として液晶駆動用IC18が実装されるCOG実装部20が設けられ、またCOG実装部20の外側近傍には、電子部品として液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板21が実装されるFOG実装部22が設けられている。なお、COG実装部20には、透明電極17の端子部17a、及び液晶駆動用IC18に設けられたIC側アライメントマーク24と重畳させる基板側アライメントマーク23が形成されている。
なお、液晶駆動用IC18は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。また、図2に示すように、液晶駆動用IC18は、異方性導電フィルム1を介して透明電極17の端子部17aと導通接続される電極端子19が形成されている。電極端子19は、例えば銅バンプや金バンプ、あるいは銅バンプに金メッキを施したもの等が好適に用いられる。
また、液晶駆動用IC18は、実装面18aに、基板側アライメントマーク23と重畳させることにより、透明基板12に対するアライメントを行うIC側アライメントマーク24が形成されている。なお、透明基板12の透明電極17の配線ピッチや液晶駆動用IC18の電極端子19のファインピッチ化が進んでいることから、液晶駆動用IC18と透明基板12とは、高精度のアライメント調整が求められている。
各実装部20,22には、透明電極17の端子部17aが形成されている。端子部17a上には、光重合開始剤を含有する回路接続用接着剤として異方性導電フィルム1を用いて液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21が接続される。異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有しており、液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21の電極と透明基板12の縁部12aに形成された透明電極17の端子部17aとを、導電性粒子4を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム1は、紫外線硬化型の接着剤であり、後述する紫外線照射器35により紫外線が照射されるとともに圧着ヘッド33により押圧されることにより、流動化して導電性粒子4が端子部17aと液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21の各電極との間で押し潰され、導電性粒子4が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21とを電気的、機械的に接続する。
また、両透明電極16,17上には、所定のラビング処理が施された配向膜24が形成されており、この配向膜24によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板11,12の外側には、一対の偏光板25,26が配設されており、これら両偏光板25,26によってバックライト等の光源(図示せず)からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
[光硬化系異方性導電フィルム]
本発明では、光硬化系の異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)1が用いられる。異方性導電フィルム1は、光カチオン系、又は光ラジカル系のいずれであってもよく、目的に応じて適宜選択することができる。
異方性導電フィルム1は、図3に示すように、基材となる剥離フィルム2上に導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層(接着剤層)3が形成されたものである。異方性導電フィルム1は、図2に示すように、液晶表示パネル10の透明基板12に形成された透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間にバインダー樹脂層3を介在させることで、液晶表示パネル10と液晶駆動用IC18とを接続し、導通させる。
剥離フィルム2としては、異方性導電フィルムにおいて一般に用いられている例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等の基材を使用することができる。
異方性導電フィルム1は、バインダー樹脂層3中に、膜形成樹脂、光重合開始剤、光重合性化合物、光吸収剤及び導電性粒子4を含有する。異方性導電フィルム1は、光吸収剤を含有することにより、後述する液晶駆動用IC18の接続工程において、光吸収剤が紫外線照射により発熱し、バインダー樹脂を軟化させる。これにより、異方性導電フィルム1は、圧着ヘッド33によって導電性粒子4を端子部17aと電極端子19との間で十分に押し込むことができる。光吸収剤の発熱温度は、導電性粒子4を押し込むのに十分な程度にバインダー樹脂を軟化させるとともに、透明基板13や液晶駆動用IC18に対して熱衝撃の影響もない所定の温度、例えば80〜90℃程度が好ましく、光吸収剤の材料選択によって適宜設定することができる。
[光カチオン系]
光カチオン系の異方性導電フィルム1は、バインダー樹脂層3中に、膜形成樹脂、光カチオン重合開始剤、光カチオン重合性化合物、及び光吸収剤を含有する。
膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、セレノニウム塩等のオニウム塩や金属アレーン錯体、シラノール/アルミニウム錯体等の錯体化合物、ベンゾイントシレート、o−ニトロベンジルトシレート等を用いることができる。また、塩を形成する際の対アニオンとしては、プロピレンカーボネート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキス(ぺンタフルオロフェニル)ボレート等が用いられる。
光カチオン重合開始剤は、1種のみを単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。中でも、芳香族スルホニウム塩は、300nm以上の波長領域でも紫外線吸収特性を有し、硬化性に優れることから好適に用いることができる。
光カチオン重合性化合物は、カチオン種によって重合する官能基を有する化合物であり、エポキシ化合物、ビニルエーテル化合物、環状エーテル化合物等が挙げられる。
エポキシ化合物としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する化合物であり、例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノールAやビスフェノールF等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂や、ポリグリシジルエーテル、ポリグリシジルエステル、芳香族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物等が挙げられる。
光吸収剤は、液晶駆動用IC18の接続工程において紫外線が照射されることにより発熱し、バインダー樹脂を溶融させるものである。光吸収剤は、光重合開始剤として光カチオン重合開始剤を用いる場合には、例えば、ベンゾトリアゾール系、トリアジン系、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤を好適に用いることができ、光カチオン重合開始剤の吸収ピーク波長や、紫外線照射器35の分光分布、バインダー樹脂の他の成分との相溶性、紫外線吸収能等に応じて適宜選択される。なお、光重合開始剤としてカチオン系重合開始剤を用いる場合には、紫外線を吸収することにより発熱する光吸収剤として、光ラジカル重合開始剤を用いてもよい。
[光ラジカル系]
光ラジカル系の異方性導電フィルム1は、バインダー樹脂層3中に、膜形成樹脂、光ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合性化合物、及び光吸収剤を含有する。
膜形成樹脂としては、光カチオン系と同様のものを用いることができる。
光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベンゾインエーテル、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類およびその誘導体、チオキサントン類、ビスイミダゾール類等があり、これらの光重合開始剤に必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加してもよい。この際、用いる光源の波長や所望の硬化特性等に応じて最適な光開始剤を選択する必要がある。
また、光照射によって活性ラジカルを発生する化合物として有機過酸化物系硬化剤を用いることができる。有機過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等から1種または2種以上を用いることができる。
光ラジカル重合性化合物は、活性ラジカルによって重合する官能基を有する物質であり、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合性化合物は、モノマー、オリゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。
アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物としては、エポキシアクリレートオリゴマ一、ウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエーテルアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレートオリゴマー等の光重合性オリゴマー;トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリアルキレングリコールジアクリレート、ぺンタエリスリトールアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロぺンテニルアクリレート、ジシクロベンテニロキシエチルアクリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、n−ラウリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリールアクリレート、ネオぺンチルグリコールジアクリレート、ジぺンタエリスリトールヘキサアクリレート等の光重合性単官能および多官能アクリレートモノマー等が挙げられる。これらは1種あるいは2種類以上を混合して用いてもよい。
光吸収剤は、例えば、ベンゾトリアゾール系、トリアジン系、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤を好適に用いることができ、光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長や、紫外線照射器35の分光分布、バインダー樹脂の他の成分との相溶性、紫外線吸収能等に応じて適宜選択される。
その他、バインダー樹脂は、シランカップリング剤等の添加剤や無機フィラーを含有させてもよい。シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
導電性粒子4としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子4としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
[光重合開始剤と光吸収剤の光吸収ピーク波長]
本発明に係る光硬化系の異方性導電フィルム1は、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れている。異方性導電フィルム1は、後述する紫外線照射器35より紫外光が照射されると、光重合開始剤は紫外光を吸収して酸やラジカルを発生させる。また、光吸収剤も同様に紫外光を吸収し、発熱する。
ここで、光重合開始剤の光吸収ピークと光吸収剤の光吸収ピークとが近接していると、紫外光の吸収が相互に阻害され、硬化反応や発熱が不十分となる。その結果、バインダー樹脂が溶融せずに、導電性粒子4の押し込み不足の状態でバインダー樹脂の硬化が進行し、また接続後の経時変化や環境変化によって導通抵抗が上昇する恐れがある。
また、光吸収剤及び光重合開始剤の各光吸収ピーク波長は、一般に図4に示すようなプロファイルを有することから、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも小さいと、20nm以上離れていても、ピーク以外における吸収波長の重複範囲が大きくなり、紫外光の吸収が相互に阻害され、硬化反応や発熱が不十分となるからである。
一方、光吸収剤及び光重合開始剤として、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも20nm以上大きいものを用いることにより、光重合開始剤と光吸収剤の各紫外線吸収を阻害することなく、それぞれバインダー樹脂の硬化反応の進行と、発熱によるバインダー樹脂の溶融を行うことかできる。
また、本発明に係る光重合開始剤の光吸収ピーク波長は、290nm〜330nmであり、光吸収剤の光吸収ピーク波長は、320nm〜360nmであることが好ましい。
例えば、紫外光の吸収ピークが310nmの光カチオン重合開始剤を用い、紫外光の吸収ピークが340〜360nmの紫外線吸収剤を用いることにより、光カチオン重合開始剤と紫外線吸収剤とが互いに紫外光の吸収を相互に阻害することなく、硬化反応や発熱を促進することができる。
[接続装置]
次いで、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が透明基板12に接続された接続体の製造工程に用いる接続装置30ついて説明する。
図1に示すように、接続装置30は、光透過性を有するステージ31と、ステージ31上に載置された透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を押圧する圧着ヘッド33と、ステージ31の裏面側に設けられた紫外線照射器35とを有する。
ステージ31は、例えば石英等の光透過性を有する材料により形成される。また、ステージ31は、表面に透明基板12の縁部12aが載置されるとともに、圧着ヘッド33と対峙され、裏面には紫外線照射器35が配置されている。
圧着ヘッド33は、透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を押圧するものであり、図示しないヘッド移動機構に保持されることにより、ステージ31に近接、離間自在とされている。
紫外線照射器35は、ステージ31の裏面側から透明基板12の端子部17aに設けられた異方性導電フィルム1に対して紫外光を照射することにより、光吸収剤を発熱させるとともに、透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19とで導電性粒子4を挟持した状態でバインダー樹脂を硬化させ、液晶駆動用IC18を透明基板12の端子部17aに導通接続するものである。
紫外線照射器35は、光重合開始剤の吸収ピーク波長域に最大発光波長を持つ紫外線ランプを用いることができる。また、紫外線照射器35は、光重合開始剤の吸収ピーク波長域及び光吸収剤の吸収ピーク波長域にピークを有する分光分布を持つ水銀ランプや、光重合開始剤及び光吸収剤の両吸収ピーク波長を含む波長域にわたって紫外線を照射するメタルハライドランプ等を用いることができる。また、紫外線照射器35は、光重合開始剤の吸収ピーク波長域にピークを有するLEDランプと光吸収剤の吸収ピーク波長域にピークを有するLEDランプを併用してもよい。
[接続工程]
次いで、上述した接続装置30を用いた液晶駆動用IC18の接続工程について説明する。先ず、透明基板12を仮貼り用のステージ上に載置し、異方性導電フィルム1を透明電極17上に仮圧着する。異方性導電フィルム1を仮圧着する方法は、透明基板12の透明電極17上に、バインダー樹脂層3が透明電極17側となるように、異方性導電フィルム1を配置する。
そして、バインダー樹脂層3を透明電極17上に配置した後、剥離フィルム2側からバインダー樹脂層3を仮貼り用の熱圧着ヘッドで加熱及び加圧し、剥離フィルム2をバインダー樹脂層3から剥離することによって、バインダー樹脂層3のみが透明電極17上に仮貼りされる。仮貼り用の熱圧着ヘッドによる仮圧着は、剥離フィルム2の上面を僅かな圧力(例えば0.1MPa〜2MPa程度)で透明電極17側に押圧しながら加熱(例えば70〜100℃程度)する。
次に、透明基板12がステージ31上に載置され、透明基板12の透明電極17と液晶駆動用IC18の電極端子19とがバインダー樹脂層3を介して対向するように、液晶駆動用IC18が配置される。
次に、ステージ31の裏面側から紫外線照射器35によって所定の紫外光を照射するとともに、液晶駆動用IC18の上面を圧着ヘッド33によって、所定の圧力で押圧する。紫外光は、ステージ31、透明基板12を透過してバインダー樹脂層3に入射し、光重合開始剤及び光吸収剤に吸収される。光重合開始剤は、紫外光を吸収することにより、酸又はラジカルを発生し、これによりバインダー樹脂の硬化反応が進行する。また、光吸収剤は、紫外光を吸収することにより所定の温度で発熱し(例えば80〜90℃)、バインダー樹脂を溶融させる。
すなわち、本接続工程では、光吸収剤の発熱によりバインダー樹脂を溶融させ、この状態で、圧着ヘッド33によって押圧することにより、透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間からバインダー樹脂を流出させるとともに、導電性粒子4を十分に押し込むことができる。そして、透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間に導電性粒子4が挟持された状態でバインダー樹脂が硬化される。したがって、本接続工程では、室温下で液晶駆動用IC18を押圧することにより、反りの影響や液晶駆動用IC18等の電子部品対する熱衝撃の影響を抑えながら、液晶駆動用IC18との電気的導通性及び機械的接続性が良好な接続体を製造することができる。
このとき、上述したように、異方性導電フィルム1は、光重合開始剤及び光吸収剤として、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも20nm以上大きいものを用いる。これにより、光重合開始剤と光吸収剤の各紫外線吸収を互いに阻害することなく、それぞれバインダー樹脂の硬化反応の進行と、発熱によるバインダー樹脂の溶融を行うことかできる。
また、光吸収剤の発熱は、透明基板12と液晶駆動用IC18に等しく伝達するため、圧着ヘッド33によって加熱する場合と異なり、透明基板12と液晶駆動用IC18との間に熱勾配が発生することもなく、加熱温度差に起因する反りの発生、反りに伴う表示ムラや電子部品の接続不良等の問題が大幅に改善されている。
なお、紫外線照射器35による照射時間や、照度、総照射量は、バインダー樹脂の組成や、圧着ヘッド33による圧力及び時間から、バインダー樹脂の硬化反応の進行と圧着ヘッド33による押し込みによる接続信頼性、接着強度の向上を図る条件を適宜設定する。
その後、接続装置30は、圧着ヘッド33をステージ31の上方へ移動させることにより、液晶駆動用IC18の本圧着工程を終了する。
液晶駆動用IC18を透明基板12の透明電極17上に接続した後、同様にしてフレキシブル基板21が透明基板12の透明電極17上に実装するいわゆるFOG(film on glass)実装が行われる。このときも、同様に異方性導電フィルム1を用いることにより、紫外線照射器35からの紫外光を吸収して、光吸収剤の発熱によってバインダー樹脂の溶融と、酸又はラジカルの発生による硬化反応とを進行させることができる。
これにより、異方性導電フィルム1を介して透明基板12と液晶駆動用IC18やフレキシブル基板21とが接続された接続体を製造することができる。なお、これらCOG実装とFOG実装は、同時に行ってもよい。
以上、液晶駆動用ICを直接液晶表示パネルのガラス基板上に実装するCOG実装、及びフレキシブル基板を直接液晶表示パネルの基板上に実装するFOG実装を例に説明したが、本技術は、光硬化型の接着剤を用いた接続体の製造工程であれば、透明基板上に電子部品を実装する以外の各種接続にも適用することができる。
[その他]
また、本発明は、上述した紫外線硬化型の導電性接着剤を用いる他、例えば赤外光等の他の波長の光線によって硬化する光硬化型の導電性接着剤を用いることもできる。
上記では、導電性の接着剤としてフィルム形状を有する異方性導電フィルム1について説明したが、ペースト状であっても問題は無い。また、バインダー樹脂層3は、導電性粒子4を含有しないバインダー樹脂からなる絶縁性接着剤層と導電性粒子4を含有したバインダー樹脂からなる導電性接着剤層とが積層された構成であってもよい。この場合、絶縁性接着剤層及び導電性接着剤層に、それぞれ吸収ピーク波長がずれている光吸収剤及び光重合開始剤を含有させることが好ましい。
また、本発明は、導電性粒子4を含有しないバインダー樹脂層からなる絶縁性接着フィルム、及び導電性粒子4を含有しないペースト状のバインダー樹脂を用いた絶縁性接着ペーストによる接続工程に用いてもよい。本発明に係る接着剤は、光重合開始剤及び光吸収剤を含有する回路接続用接着剤であれば、導電性粒子4の有無や、フィルムやペースト等の形態は問わない。
なお、本接続工程では、ステージ31にヒータ等の加熱機構を設け光吸収剤による発熱温度以下の温度で透明基板12を加熱してもよい。また、本接続工程では、圧着ヘッド33によって光吸収剤による発熱温度以下の温度で液晶駆動用IC18を加熱してもよい。これにより、光吸収剤の発熱と相まってバインダー樹脂層3を十分に溶融させ、端子部17aと電極端子19とで確実に導電性粒子4を押し込み、接続性を向上させることができる。
次いで、本技術の実施例について説明する。本実施例は、異方性導電フィルムの配合及び硬化条件を異ならせて製造した透明基板とICチップとの接続体サンプルについて、ICチップと透明基板との接続状態を導通抵抗値(Ω)及び反り量によって評価した。
接続に用いる接着剤として、光カチオン重合開始剤とカチオン重合性化合物を含有するバインダー樹脂層からなる異方性導電フィルムを用意した。
評価素子として、外形;1.8mm×34mm、厚さ0.5mmで、導通測定用配線を形成した評価用ICを用いた。
評価用ICが接続される評価基材として、厚さ0.5mmのITOコーティングラスを用いた。
このガラス基板に異方性導電フィルムを介して評価用ICを配置し、圧着ツール(10.0mm×40.0mm)により加圧するとともに、紫外線照射によって接続することにより、接続体サンプルを形成した。圧着ツールは加圧面に厚さ0.05mmのフッ素樹脂加工が施されている。また、紫外線照射器(SP−9:ウシオ電機株式会社製)の照度は、365nmで300mW/cm2、310nmで210mW/cm2、紫外線の照射大きさは、幅約4.0mm×長さ約44.0mmとした。
[実施例1]
実施例1では、異方性導電フィルムのバインダー樹脂層として、
フェノキシ樹脂(YP−70:新日鉄住金化学株式会社製);20質量部
液状エポキシ樹脂(EP828:三菱化学株式会社製);30質量部
固形エポキシ樹脂(YD014:新日鉄住金化学株式会社製);20質量部
導電性粒子(AUL704:積水化学工業株式会社製);30質量部
光カチオン重合開始剤(SP−170:ADEKA株式会社製);5質量部
光吸収剤(LA−36:ADEKA株式会社製);5質量部
を混合させた樹脂溶液を作成し、この樹脂溶液をPETフィルム上に塗布、乾燥させ、厚さ20μmのフィルム状に成形したものを用いた。
光カチオン重合開始剤(SP−170)の吸収ピーク波長は約310nm、光吸収剤(LA−36)の吸収ピーク波長は約340nmで、その差は30nmである。
圧着ツールの押圧条件は、室温下で、70MPa、5秒である。紫外線照射器の照射時間は、5秒である。
[実施例2]
実施例2では、バインダー樹脂層に光吸収剤(LA−31:ADEKA株式会社製)を5質量部配合した他は、実施例1と同じ配合の異方性導電フィルムを用いた。
光カチオン重合開始剤(SP−170)の吸収ピーク波長は約310nm、光吸収剤(LA−31)の吸収ピーク波長は345nmで、その差は35nmである。
圧着ツールの押圧条件及び紫外線照射器の照射時間は実施例1と同じである。
[実施例3]
実施例3では、バインダー樹脂層に光吸収剤として、光ラジカル重合開始剤(OXE01:BASF社製)を5質量部配合した他は、実施例1と同じ配合の異方性導電フィルムを用いた。
光カチオン重合開始剤(SP−170)の吸収ピーク波長は約310nm、光吸収剤(OXE01)の吸収ピークは330nmで、その差は20nmである。
圧着ツールの押圧条件及び紫外線照射器の照射時間は実施例1と同じである。
[比較例1]
比較例1では、バインダー樹脂層に光吸収剤を配合していない他は、実施例1と同じ配合の異方性導電フィルムを用いた。
圧着ツールの押圧条件及び紫外線照射器の照射時間は実施例1と同じである。
[比較例2]
比較例2では、バインダー樹脂層に光吸収剤(LA−46:ADEKA株式会社製)を5質量部配合した他は、実施例1と同じ配合の異方性導電フィルムを用いた。
光カチオン重合開始剤(SP−170)の吸収ピーク波長は約310nm、光吸収剤(LA−46)の吸収ピーク波長は約290nmで、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも小さく、その差は20nmである。
圧着ツールの押圧条件及び紫外線照射器の照射時間は実施例1と同じである。
[比較例3]
比較例3では、圧着ツールの押圧条件を、100℃、70MPa、5秒とした他は、比較例1と同じ条件とした。
[反りの測定]
反りの測定方法は、触針式表面粗度計(SE−3H:株式会社小阪研究所製)を用いて、図5に示すように、接合体サンプルのガラス基板40下面から触針41をスキャンし、評価用ICの接続後のガラス基板面の反り量(μm)を測定した。
[導通抵抗の測定]
実施例1,2、比較例1〜3に係る接続体について、デジタルマルチメータを使用して、接続初期及び信頼性試験後における導通抵抗(Ω)を測定した。導通抵抗値の測定は、図6に示すように、評価用ICのバンプ42と接続されたITOコーティングラスの配線43にデジタルマルチメータを接続し、いわゆる4端子法にて電流2mAを流したときの導通抵抗値を測定した。信頼性試験の条件は、85℃85%RH500hrとした。
Figure 0006425899
表1に示すように、実施例1〜3では、比較例1と同等の反り量であったものの、光吸収剤を含有させた実施例1〜3の方が、比較例1よりも初期接続抵抗及び信頼性試験後の接続抵抗のいずれも低く、良好な接続性を示した。これは、実施例1〜3においては、光吸収剤の発熱によりバインダー樹脂層が溶融した状態で押圧したため、バインダー樹脂を排除することにより導電性粒子を十分に押し込むことができ、この状態で硬化させることができたことによる。一方、比較例1では、室温下で圧着したことから電極端子間からのバインダー樹脂の排除が進まず、導電性粒子を十分に押し込むことができない。そのため、実施例1及び2に比べて接続初期において導通抵抗が高くなり、信頼性試験後においてはさらに導通抵抗が上がった。
比較例2では、光吸収剤と光カチオン重合開始剤の各吸収ピーク波長の差が20nmではあるが、光吸収剤の光吸収ピーク波長が光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも小さいため、吸収波長が広範囲で被ってしまい、光カチオン重合開始剤による紫外光の吸収が光吸収剤によって妨げられ、硬化反応の進行が不十分となった。そのため、反り量は大きく低減したものの、初期接続抵抗が高く、信頼性試験後においては導通抵抗が大きく上昇してしまった。
比較例3では、圧着ツールによって評価用ICを加熱押圧しながら紫外線を照射している。そのため、圧着ツールによる熱が評価用ICに偏って伝わり、圧着ツールが離れた後に急激に冷えると、評価用IC側の変形がガラス基板よりも大きくなった。そして、比較例3では、この変形量の差をバインダー樹脂層によっても吸収しきれず、反り量が大きくなった。
一方、実施例1〜3では、光吸収剤が紫外線を吸収することによりバインダー樹脂層が発熱するため、評価用ICとガラス基板にほぼ同じ熱量が掛かる。そのため、評価用ICとガラス基板の変形量はほぼ同じであり、バインダー樹脂層によって変形量の差を吸収することができるため、反り量を比較的小さくすることができる。
実施例1と実施例2とを比較すると、実施例2は実施例1よりも低抵抗化が図られている。これは、実施例2では、光吸収剤の吸光度が高く実施例1よりも高い反応熱を放出しているため、バインダー樹脂層の溶融がより顕著に進んだことによる。これにより、実施例2では、導電性粒子が潰れやすく、実施例1に比してより低抵抗化が図られたものである。
また、実施例3では、光吸収剤として光ラジカル重合開始剤を用いているが、ラジカル系の開始剤であるため、開環しても重合には組み込まれず、熱のみを発生する。したがって、そのときの熱を利用してバインダー樹脂層を溶融させることにより導電性粒子を十分に押し込むことができ、この状態で光硬化剤によって硬化することにより良好な接続が可能となった。
1 異方性導電フィルム、2 剥離フィルム、3 バインダー樹脂層、4 導電性粒子、10 液晶表示パネル、11,12 透明基板、13 シール、14 液晶、15 パネル表示部、16,17 透明電極、18 液晶駆動用IC、20 COG実装部、21 フレキシブル基板、22 FOG実装部、24 配厚膜、25,26 偏光板、30 接続装置、31 ステージ、33 圧着ヘッド、35 紫外線照射器

Claims (10)

  1. 光重合性化合物と、
    光重合開始剤と、
    ベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤及びトリアジン系の紫外線吸収剤の少なくとも1種を含む紫外線吸収剤と
    導電性粒子とを含有し、
    上記紫外線吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れている光硬化系異方性導電接着剤。
  2. 室温下で用いられる請求項1記載の光硬化系異方性導電接着剤。
  3. 上記光重合開始剤は、光カチオン重合開始剤である請求項1又は2に記載の光硬化系異方性導電接着剤。
  4. 上記光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤である請求項1又は2記載の光硬化系異方性導電接着剤。
  5. 上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長は、290nm〜330nmであり、
    上記紫外線吸収剤の光吸収ピーク波長は、320nm〜360nmである請求項1〜4のいずれか1項に記載の光硬化系異方性導電接着剤。
  6. 剥離基材に支持され、フィルム状に形成されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の光硬化系異方性導電接着剤。
  7. ステージ上に載置された透明基板上に、光硬化系異方性導電接着剤を介して電子部品を配置し、
    圧着ツールにより上記電子部品を上記透明基板に押圧しながら、光照射器より光照射を行う接続体の製造方法において、
    上記光硬化系異方性導電接着剤は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、ベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤及びトリアジン系の紫外線吸収剤の少なくとも1種を含む紫外線吸収剤と、導電性粒子とを含有し、上記紫外線吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れ、
    上記光照射器は、上記光重合開始剤の光吸収ピーク及び上記紫外線吸収剤の光吸収ピークを含む波長の光を照射する接続体の製造方法。
  8. 室温下で、圧着ツールにより上記電子部品を上記透明基板に押圧しながら、光照射器より光照射を行う請求項7記載の接続体の製造方法。
  9. 上記ステージ及び/又は上記圧着ツールは、上記紫外線吸収剤が上記光照射器から照射された光を吸収することによって発熱する温度以下の温度で加熱する請求項7記載の接続体の製造方法。
  10. ステージ上に載置された透明基板上に、光硬化系異方性導電接着剤を介して電子部品を配置し、
    圧着ツールにより上記電子部品を上記透明基板に押圧しながら、光照射器より光照射を行う電子部品の接続方法において、
    上記光硬化系異方性導電接着剤は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、ベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤及びトリアジン系の紫外線吸収剤の少なくとも1種を含む紫外線吸収剤と、導電性粒子とを含有し、上記紫外線吸収剤の光吸収ピーク波長は上記光重合開始剤の光吸収ピーク波長よりも大きく、かつ、20nm以上離れ、
    上記光照射器は、上記光重合開始剤の光吸収ピーク及び上記紫外線吸収剤の光吸収ピークを含む波長の光を照射する電子部品の接続方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102031530B1 (ko) * 2014-11-12 2019-10-14 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 광 경화계 이방성 도전 접착제, 접속체의 제조 방법 및 전자 부품의 접속 방법
JP2017097974A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、電子部品の接続方法、及び接続構造体の製造方法
JP2017112148A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 デクセリアルズ株式会社 接続方法
JP2018065916A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法
US10739381B2 (en) * 2017-05-26 2020-08-11 Tektronix, Inc. Component attachment technique using a UV-cure conductive adhesive
JP2020077644A (ja) * 2020-01-29 2020-05-21 デクセリアルズ株式会社 熱硬化型異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2579685B2 (ja) * 1989-06-30 1997-02-05 東洋インキ製造株式会社 感熱転写材
JPH0346707A (ja) * 1989-07-14 1991-02-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム
JP3298110B2 (ja) * 1991-04-03 2002-07-02 セイコーエプソン株式会社 異方性導電接着剤及びその接合方法
JPH10502677A (ja) * 1994-06-29 1998-03-10 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 異方性導電性の接着剤及び異方性導電性の接着剤の製造方法
JPH10340748A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 回路電極の接続方法
JP3759294B2 (ja) * 1997-08-29 2006-03-22 日立化成工業株式会社 電極の接続方法
JP4151101B2 (ja) * 1998-02-23 2008-09-17 日立化成工業株式会社 電極接続用接着剤及びこれを用いた微細電極の接続構造、並びに、電極の接続方法
JP2000219824A (ja) * 1999-01-29 2000-08-08 Toppan Forms Co Ltd 光硬化銀塗料とこれが塗工されたシート類
JP4469089B2 (ja) * 1999-02-08 2010-05-26 日立化成工業株式会社 回路接続用フィルム状異方導電性接着剤、電極の接続構造及び電極の接続方法
JP2002014437A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Konica Corp 熱現像記録材料
JP4788038B2 (ja) * 2000-12-28 2011-10-05 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2006267964A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sekisui Chem Co Ltd 液晶表示素子用シール剤、上下導通材料、液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法
JP2007025176A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Fujifilm Holdings Corp パターン形成材料、並びにパターン形成装置及び永久パターン形成方法
JPWO2007023834A1 (ja) * 2005-08-23 2009-02-26 株式会社ブリヂストン 接着剤組成物
JP5245253B2 (ja) * 2007-01-19 2013-07-24 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置
JP4978493B2 (ja) * 2007-10-05 2012-07-18 日立化成工業株式会社 回路接続材料、接続構造体及びその製造方法
JP2008252098A (ja) 2008-03-31 2008-10-16 Hitachi Chem Co Ltd 回路板装置の製造法
JP2011008218A (ja) * 2009-05-22 2011-01-13 Chisso Corp 光学異方体
JP5953131B2 (ja) * 2011-06-10 2016-07-20 積水化学工業株式会社 異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP5935337B2 (ja) * 2012-01-16 2016-06-15 日立化成株式会社 液状光硬化性樹脂組成物、光学部材、画像表示用装置及びその製造方法
JP6259177B2 (ja) * 2012-04-16 2018-01-10 早川ゴム株式会社 異方性導電フィルムの接着方法
JP6185742B2 (ja) * 2013-04-19 2017-08-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体

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