CN1248054C - 曝光装置、基片处理单元和光刻系统及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

曝光装置和基片处理单元经一个串联的I/F部分联接。另外，关于基片传送的信息在曝光装置的控制单元和基片处理单元的控制单元之间传递，两个单元都在开始实际操作之前，决定它们的有助于提高关于基片传送的处理能力的下一步操作。因此，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列晶片处理的生产率可得到提高，结果，就有可能提高器件的生产率。在这种情况下，例如，关于可以接收或发送基片的预定时间或期望时间的信息在两个单元之间交互传递。

Description

曝光装置、基片处理单元和光刻系统及器件制造方法
技术领域
本发明涉及曝光装置、基片处理单元和光刻系统以及器件制造方法。本发明尤其涉及当生产半导体器件、液晶显示器、等离子显示器、薄膜磁头、图像拾取设备(CCD)、诸如微型机等微型器件、及光掩模(光网)等时，用于光刻处理中的曝光装置，串联到曝光装置的基片处理单元，配置中包括该曝光装置和基片处理单元的光刻系统，和使用该曝光装置和光刻系统的器件制造方法。
背景技术
在用于生产诸如半导体器件和上述一类微型器件的光刻处理中，一般都使用各种曝光装置。近几年，主要使用的是将形成于掩模或光网(以下简称“光网”)上的图形经投影光学系统转印到涂布有光致抗蚀剂(光敏剂)的诸如晶片或玻璃板(以下简称“晶片”)等基片上的曝光装置。对于曝光装置，根据一步接一步(step-and-repeat)的方法的还原型投影曝光装置(被称为步进器)是主流。但近来在投影式光学系统基础上，增加了根据步进扫描方法的扫描型曝光装置(被称为扫描步进器)，它通过同步扫描光网和晶片来进行曝光。
该光刻处理包括在使用曝光装置进行曝光处理的前后，执行在晶片的表面涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂层处理，和在完成光网转印后显影晶片的显影处理。在抗蚀剂涂层处理和显影处理中，使用被称为涂布机显影机的涂布/显影单元(以下简称“C/D”)。这个涂布机显影机具有抗蚀剂涂布单元(涂布机)的功能和显影单元的功能，抗蚀剂涂布单元包括诸如旋转涂布机，例如，以高速旋转晶片并利用晶片的旋转以均匀地涂布滴落到晶片表面的抗蚀剂滴，或可以相对移动喷嘴和晶片的扫描涂布机。
在光刻处理中，频繁使用一种被大家称作串联联接的系统配置。以这种串联联接，例如，C/D被设置在曝光装置的左、右或前(或后)，并被直接联接或经一个联接部分联接到曝光装置，并且接受处理的主体(接受处理的晶片)在C/D和曝光装置之间自动进行移送。使用这种系统配置的目的是避免当传送一批(接受处理的一批晶片)晶片进行各个抗蚀剂涂层处理、曝光处理、显影处理时发生混乱，并在保持化学增效的抗蚀剂的化学特性的同时还提高产量，其中的抗蚀剂是目前频繁使用的高度敏感的抗蚀剂类型。
在使用这种曝光装置和C/D之间串联联接的光刻系统中，大多数情况下，在曝光装置和C/D之间设置一个传送装置以执行在这些装置之间的晶片的传送。另外，该C/D在其自己的单元内有一传送系统，它移送在执行涂层处理的涂层部分和执行显影处理的显影部分之间的固定流程中经受处理的晶片。曝光装置在其自己的单元内也有一个传送系统，它移送在执行曝光的晶片台和传送部分之间经受处理的晶片。
另外，在上面描述的光刻处理中，在很多情况下，需要的时候可以安装冷却部分和烘烤部分。另外，需要的时候也可以设置一个临时存放接受处理的晶片的缓冲部分。
在使用这种曝光装置和C/D之间串联联接的光刻系统中，当在传送部分执行晶片传送时，曝光装置和C/D彼此通信，所以晶片传送的执行没有障碍。因此，曝光装置和C/D各自具有执行通信和传送控制的控制部分。
然而，在传统的光刻系统中，曝光装置和C/D在关于在传送部分的诸如实时的、一步接一步的传送请求、传送可能性/禁止，和传送完成等等晶片传送问题上通信。
这引起诸如当C/D以固定流程移送晶片从而在单元内执行最优化传送，并试图传送在经由传送部分传送到曝光装置期间还没有曝光的晶片时，出现曝光装置不能接收晶片的情况。或者由于晶片还没有到达传送部分，而引起C/D不能通过传送部分接收已经在曝光装置内完成曝光的晶片。这种情况导致很长的等待时间，并且在某些情况下，由于在各个单元内的传送周期的时间差异，引起没有晶片准备发送，导致发送以失败而告终，并且该晶片传送被停止，直到下一个周期计时为止。
因此，用这种曝光装置，当晶片在晶片台上被连续处理时，操作的效率很高。所以，为了最大可能地避免在晶片台上没有晶片等待处理的情况，往晶片台上装载晶片和从晶片台上卸载晶片需要交替或同步执行。对于已经曝光过的晶片，需要不在对每个晶片的区别上化时间地卸载晶片，并尽快地送往下一步烘烤处理/C/D执行的显影处理，因为晶片的化学变化是连续的。
考虑这些情形，曝光装置方面顺序地执行将晶片装载入装置然后又将晶片卸载到装置外部的晶片传送。然而，有很多次，当曝光装置试图从传送部分接收还没有曝光的晶片时，由于C/D方面还没有传送该晶片，所以曝光装置没有接收到晶片，或者当曝光装置试图通过传送部分传送已经完成曝光的晶片到C/D时，由于C/D方面还没有处于接收状态所以没能接收该晶片。在这些情况下，曝光装置等待一段时间，并监视情况，以观察还没有完成曝光处理的晶片是否被传送。如果晶片没有被传送并且曝光处理在该晶片台上已经完成，曝光装置停止晶片装载，并切换该移送操作到已经完成曝光处理的晶片的卸载操作。因此，在传送失败而终止或在曝光装置必须等待传送部分的传送的时候发生多次这种情况。
上面的说明描述了在曝光装置的传送系统交替执行晶片的装载和卸载的情况，然而，即使传送系统同步执行装载，在传送部分的限制也不可避免地引起曝光装置需要等待晶片的传送。
即，C/D单元和曝光装置可以分别完成它们各自预定的程序并以它们自己的最优化的方式操作。然而，当C/D单元和曝光装置以传送部分为中心彼此相连时，传送到C/D方面的晶片的移送操作与传送到曝光装置方面的晶片的传送操作不对应。这种情况常常导致用于等待晶片的时间的浪费，还引起传送失败而终止，这导致产量的下降。
但由于等候时间和传送失败导致的产量的下降不是十分严重的问题，因为常规使用的晶片的尺寸主要是8英寸(约200毫米)或以下的直径，并且实行批量晶片控制。
然而，在高度集成的半导体器件中的晶片的尺寸变大，并且据说未来的主流是使用具有12英寸(大约300毫米)直径的晶片，并且趋势是对每个晶片进行晶片控制。与传统工艺相比，要实际执行这样的晶片控制，可以肯定由于上述等候时间和传送失败导致的产量下降将是一个很严重的问题。
发明内容
本发明旨在解决上面考虑的问题。它的第一个目的是提供一种与基片处理单元串联联接，并能够通过一系列的基片处理来提高产量的曝光装置。
本发明的第二个目的是提供一种与曝光装置串联联接，并能够通过一系列的基片处理来提高产量的基片处理单元。
并且，本发明的第三个目的是提供一种光刻系统，和能够通过一系列基片处理提高产量而提高器件生产率的器件制造方法。
根据本发明的第一个方面，这里提供一种与基片处理单元串联联接的曝光装置，该曝光装置包括：基片传送系统，它传送基片并通过传送部分在基片处理单元之间传送基片；控制单元，它构建一个控制系统以控制基片传送系统，该控制单元在决定一个操作之前至少执行在基片处理单元之间的发送和接收特定信息之中的一个，这有助于提高与基片传送有关的处理能力。
在本说明书中，术语“信息”是一个广义的概念，它包括信号的概念，以及数据或数据组。
根据该曝光装置，控制单元预先至少与基片处理单元之间发送或接收特定信息，以决定它的能有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。例如，在控制单元预先发送特定信息到基片处理单元的情况下，它可以使基片处理单元在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。另一方面，当控制单元预先从基片处理单元接收特定信息时，它可以在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。
因此，在每一种情况中，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的处理能力，换句话说，生产率，可得到提高。特别是，当控制单元预先从基片处理单元接收特定信息，以及预先给基片处理单元发送信息时，除了使基片处理单元在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作外，它可以在实际操作开始前决定它自己的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。因此，这就可能最大限度地提高由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的生产率。
在这种情况下，控制单元可以发送信息给基片处理单元，于是基片处理单元可以决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，该信息作为特定信息先于以下操作开始之前发送。在这种情况下，控制单元发送信息，以使基片处理单元在其以下操作开始前，决定它的有助于提高与基片传送到串联联接的基片处理单元相关的处理能力的以下操作。于是，当基片处理单元接收到该信息时，它可以在它的以下操作之前决定执行有助于提高关于基片传送的处理能力的特定操作，即在实际开始特定操作之前决定执行特定操作。因此，这就可能提高由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的生产率。
在这种情况下，该信息可包括直到基片传送系统能够接收基片的预测时间和期望时间之一。在这种情况下，由于基片处理单元方面可通知曝光装置方面的基片传送系统可以接收基片的时间，它可以决定它的关于基片传送的下一步操作，从而使得以最小的时间耗费来传送基片。例如，直到曝光装置方面的基片传送系统可以接收基片的时间较短，比如一或两秒，则，基片处理单元可以等待以传送基片，而如果等待时间较长，它可以停止传送基片而仅仅从传送部分接收基片。于是，可以减少时间的浪费。
或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片处理单元方面暂停向传送部分传送基片。在这种情况下，例如，控制单元发送信息到基片处理单元，例如等待预定秒数，直到接收到基片为止再运送基片到传送部分。在这种情况下，基片处理单元可根据等待时间决定它的与有效传送基片相关的操作，从而尽最大可能地减少时间的浪费。
或者，该信息可包括基片传送系统能够发送基片的预测时间和期望时间之一。在这种情况下，例如，如果已经曝光的基片即将在几秒钟内从曝光装置方面传送，接收该信息的基片处理单元可等待几秒钟直到接收到基片为止。因此，传送不会因为失败而告终，而是可以被高效地执行。
或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片处理单元方面暂停传送部分接收基片的操作。在这种情况下，例如，控制单元发送信息到基片处理单元，例如等待预定秒数，以使得基片可以发送。在这种情况下，基片处理单元可根据等待时间决定它的与有效传送基片相关的操作，从而尽最大可能地减少时间的浪费。
以本发明的曝光装置，在控制单元发送作为特定信息的信息到基片处理单元，以使得该基片处理单元可在开始以下操作之前，决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，控制单元还可以进一步从基片处理单元接收作为特定信息的与基片传送相关的信息，并且根据该信息，可预先确定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作。在这种情况下，控制单元从基片处理单元接收关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先决定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。因此，除了提高了在基片处理单元方面的关于基片传送的效率外，在曝光装置方面的关于基片传送的效率也得到提高。因此，这就有可能进一步提高由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的生产率。
以本发明的曝光装置，控制单元可从基片处理单元接收作为特定信息的关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先决定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。在这种情况下，控制单元从基片处理单元接收关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先确定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。因此，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理操作的处理能力，即生产率，得到提高。
在这种情况下，该信息可包括基片处理单元能够发送基片的预测时间和期望时间之一。在这种情况下，控制单元可通知基片处理单元传送基片的时间；因此，它可以决定它的关于基片传送的下一步操作，从而使得以最小的时间耗费来传送基片。例如，当基片处理单元方面传送基片的时间较短，比如一或两秒，则，控制单元可以等待以接收基片，然而，如果等待时间较长，它可以停止接收基片而仅仅传送基片。于是，可以减少时间的浪费。因此，可以避免诸如等待一定时间以接收基片的无效操作。
或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片传送系统暂停传送部分接收基片的操作。在这种情况下，例如，基片处理单元发送信息到控制单元，例如等待预定秒数，以使得基片可以发送。在这种情况下，控制单元根据等待时间可决定它的与最有效传送基片相关的操作。
或者，该信息可包括基片处理单元方面能够接收基片的预测时间和期望时间之一。在这种情况下，例如，如果已经曝光的基片可以在几秒钟内由基片处理单元方面接收，接收该信息的控制单元可等待几秒钟以发送基片。而，如果需要较长时间的等待才能接收到该基片，则它可能首先执行其它操作，诸如接收操作，然后传送基片到基片处理单元。因此，传送不会因为失败而告终，并且效率得到提高。
或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片传送系统暂停发送基片到传送部分的操作。在这种情况下，例如，基片处理单元发送信息到控制单元，例如等待预定秒数直到可以接收到基片。在这种情况下，控制单元也可根据等待时间决定它的与最有效传送基片相关的操作。
根据本发明的第二方面，这里提供一种与曝光装置串联联接的基片处理单元，该基片处理单元包括：基片传送系统，它传送基片并通过传送部分与曝光装置单元之间传送基片；控制单元，它构建一个控制系统以控制基片传送系统，该控制单元在决定一个操作之前至少执行与曝光装置之间的发送和接收特定信息之中的一个，这有助于提高与基片传送有关的处理能力。
根据该基片处理单元，控制单元预先至少与曝光装置之间发送或接收特定信息，以决定它的能有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。例如，在控制单元预先发送特定信息到曝光装置的情况下，它可以使曝光装置在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。另一方面，当控制单元预先从曝光装置接收特定信息时，它可以在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。
因此，在每一种情况中，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的处理能力，换句话说，生产率，可得到提高。特别是，当控制单元预先从曝光装置接收特定信息，以及预先给曝光装置发送特定信息时，除了使曝光装置在实际操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作外，它可以在实际操作开始前决定它自己的有助于提高关于基片传送的处理能力的操作。因此，这就可能最大限度地提高由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的生产率。
在这种情况下，控制单元可以发送信息给曝光装置，于是曝光装置可以决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，该信息作为特定信息先于以下操作开始之前发送。在这种情况下，控制单元发送信息，以使曝光装置在以下操作开始前决定它的有助于提高关于基片传送到串联联接的曝光装置的处理能力的该以下操作。于是，当曝光装置接收到该信息时，它可以在它的以下操作之前决定执行有助于提高关于基片传送的处理能力的特定操作，即在实际开始特定操作之前决定执行该特定操作。因此，这就可能提高由曝光装置和基片处理单元执行的一系列基片处理的能力即提高生产率。
在这种情况下，该信息可包括直到基片传送系统能够接收基片的预测时间和期望时间之一，或者，该信息可包括这样的信息，即，使得曝光装置方面暂停向传送部分的基片的传送，或者，该信息可包括基片传送系统能够发送基片的预测时间和期望时间之一，或者，该信息可包括这样的信息，即，使得曝光装置方面暂停传送部分接收基片的操作。
以本发明的基片处理单元，在控制单元发送作为特定信息的信息到曝光装置，以使得该曝光装置可在开始以下操作之前，决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，控制单元还可以进一步从曝光装置接收作为特定信息的与基片传送相关的信息，并且根据该信息，可预先确定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作。在这种情况下，控制单元从曝光装置接收关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先决定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。因此，除了提高了在曝光装置方面的关于基片传送的效率外，在基片处理单元方面的关于基片传送的效率也得到提高。因此，这就有可能进一步提高由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理的生产率。
以本发明的基片处理单元，控制单元可从曝光装置接收作为特定信息的关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先确定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。在这种情况下，控制单元从曝光装置接收关于基片传送的信息，并且根据该信息，预先确定它的有助于提高与晶片传送相关的处理能力的以下操作。因此，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理操作的处理能力，即生产率，得到提高。
在这种情况下，该信息可包括直到曝光装置方面能够发送基片的预测时间和期望时间之一，或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片传送系统暂停传送部分的接收基片的操作，或者，该信息可包括曝光装置方面能够接收基片的预测时间和期望时间之一，或者，该信息可包括这样的信息，即，使得基片传送系统暂停向传送部分发送基片的操作。
根据本发明的第三方面，这里提供一种光刻系统，该系统包括：曝光装置；与曝光装置串联联接的基片处理单元，该处理单元发送并接收关于与曝光装置之间的基片传送的信息；其中至少曝光装置和基片处理单元之一，根据该信息，在开始以下操作之前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作。
以这种光刻系统，在曝光装置和基片处理单元之间发送和接收关于基片传送的信息，并且至少这两者中的一个根据该信息，在开始操作之前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作。这允许由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理操作的处理能力，换句话说，生产率，得到提高，结果，这就有可能提高器件的生产率。尤其在两个单元都根据该信息，在开始操作之前决定它们的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，则生产率可以极大地提高。
在这种情况下，例如，基片可被接收或发送的预测时间或期望时间可以在两个单元之间互相通信。
以根据本发明的光刻系统，在曝光装置和基片处理单元之间发送和接收的信息包括暂停信息，以使得它自己之外的单元暂停基片的传送操作，该暂停信息由曝光装置和基片处理单元同时发出，一个预先被赋予优先权的单元可发送信息给该不是它自己的另一单元，以驳回它的暂停请求，并且该单元而不是它自己可根据驳回请求信息撤回该暂停请求。在这种情况下，与上面一样，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理操作的处理能力，换句话说，生产率，得到提高。
以根据本发明的光刻系统，信息可以直接在曝光装置和基片处理单元之间传递，或者该光刻系统还可以包括一个独立单元，作为当信息在曝光装置和基片处理单元之间发送和接收时的媒介。
本发明的光刻系统还包括：一个高级单元，它对曝光装置和基片处理单元进行总体控制，在曝光装置和基片处理单元之间发送和接收的信息包括暂停信息，以使得一个单元使另一个单元暂停基片的传送操作，并且当该暂停信息由曝光装置和基片处理单元同时发出时，该高级单元从提高处理能力的观点，可以进行总的判断，以发送信息给预定单元之一，驳回它的暂停请求，使预定单元撤回该暂停请求。
根据本发明的第四个方面，这里提供一种第一器件制造方法，以使用包括曝光装置和与曝光装置串联联接的基片处理单元的光刻系统来制造器件，该器件制造方法包括：在曝光装置和基片处理单元之间发送和接收关于基片传送的信息；并且至少曝光装置和基片处理单元这两者中的一个根据该信息，在开始以下操作之前决定它的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作。
以这种方法，由基片处理单元和曝光装置执行的一系列基片处理操作的处理能力，换句话说，生产率，得到提高，结果，这就有可能提高器件的生产率。尤其在两个单元都根据该信息，在开始操作之前决定它们的有助于提高关于基片传送的处理能力的以下操作，则生产率可以极大地提高。
另外，在根据本发明的曝光装置用于光刻处理中时，由于使用的曝光装置与基片处理单元串联联接，由这些单元执行的一系列基片处理的生产率得到提高，因此允许制造的器件的生产量提高。因此，从本发明的另一个方面看，这里还提供一种使用本发明的曝光装置的第二器件制造方法。
附图说明
下面结合附图说明本发明的实施例。附图中：
图1是显示关于本发明的一个实施例的光刻系统的配置的示意图；
图2是显示一个图1中的串联的传送部分的放大立体图；
图3是显示另一个串联的传送部分的配置示例的立体图；
图4是显示关于在图1中的光刻系统中的晶片传送的控制系统的配置的示意性方框图；
图5是显示关于在改进的例子中的光刻系统中的晶片传送的控制系统的配置的方框图；
图6是用于解释根据本发明的器件制造方法的实施例的流程图；以及
图7是显示在图6中的步骤304的处理的流程图。
下面参考图1到4对本发明的一个实施例进行描述。
图1显示了关于该实施例的光刻系统的配置，它包括本发明的曝光装置和基片处理单元。
图1所示的光刻系统100，包括曝光装置10、作为基片处理单元的C/D 50、串联联接曝光装置10和C/D50的串联接口部分(以下简称“串联I/F部分”)110。这个光刻系统100被设置在净室内。
具体实施方式
下面，为简便起见，图1的纸面的左右方向作为X轴方向描述，垂直于图1中的X轴的方向(上下方向)作为Y轴方向描述，垂直于X轴和Y轴的方向，换句话说，垂直于页面的方向作为Z轴描述。
如图1所示，曝光装置10包括室16，它的内部被隔墙14分成曝光室12A和装载机室12B。隔墙14放置在略微低于Y轴方向的中心，在-Y轴一侧。在这些室中，晶片装载机系统40的一大部分作为曝光装置方面的基片传送系统安装于装载机室12B内，转移光网图形到在晶片台WST上作为基片的晶片W上的曝光装置主体(在图中晶片台WST和投影式光学系统PL外的部件被省略)被安装于曝光室12A内。
晶片装载机系统40包括：沿X轴方向延伸的X导轨18；位于X导轨18之上并沿Y轴方向延伸的Y导轨20，作为传送导轨。Y导轨20被设置成使它穿过隔墙14。另外，在装载机室12B内的X导轨18的-Y侧，载体支架22A和22B以预定的间隔沿X轴方向设置，能够承载多个晶片的开放载体(以下简称“OC”)24A和24B装在这些载体支架22A和22B上。OC24A和24B通过入口(未显示)从室16出/入，其中的入口位于室16的-Y侧的侧壁上，它有一个可以开/关的门(也未显示)。OC24A和24B可以由操作员通过PGV(手动传送车)传送并手动传送，或者可以通过AGV(自动传送车)传送和自动传送。当然，也可以使用OHT(Over Head Transfer)从上面分别在载体支架22A和22B放上OC24A和24B。另外，OC24A和24B用于直接传送晶片到曝光装置10，而没有使用与C/D 50串联的操作。
在X导轨18上，设置有一个在X导轨18上移动并由驱动单元(在图中未显示)驱动的水平的有关节的机械臂(标量机械臂)26。同样，在Y导轨20上，也设置有在Y导轨20上移动并由驱动单元(在图中未显示)驱动的晶片装载臂28和晶片卸载臂30。
另外，在Y导轨20的-Y末端的-X侧，在载体支架22A和22B之间，设置有一个转盘(旋转台)32，离开该转盘32，还以预定间隔在Y方向设置了晶片边缘传感器(在图中未显示)。
尽管在图中省略了，但晶片台WST在由隔振垫料固定的支撑座上，在XY方向做二维移动。晶片台WST容纳要在上面转印光网图形的晶片W。
另外，在装载机室12B内，设置了一个装载机控制器34。该装载机控制器34控制晶片装载机系统的每一部分并传送信息，换句话说，经通信信道与C/D方面的控制器通信。
串联的I/F部分110包括：设置在构建曝光装置10的室16的-X方向的室112；设置在室112内的+X侧的串联的传送部分114；设置在串联的传送部分114的-X侧的水平的有关节的机械臂116等。
如图2所示，串联的传送部分114包括：底座122；在Y方向以预定间隔设置在底座122上的晶片传送部分124A和124B，每一个都由一套三个的支承销构成。
串联的传送部分并不仅限于图2中所示的这种，例如，它可以具有图3所示的结构。以这种配置，串联的传送部分的装载侧可具有晶片传送部分126A，卸载侧可具有晶片传送部分126B，它被以预定间隔垂直设置，并且在垂直方向互锁驱动。晶片传送部分126A和126B每个都具有一个板形构件，并有固定于该板形构件的上表面的一套三个支承销。
再回来看图1，在室112内，当需要时，可以设置一个上面放置有缓冲载体120的载体支架118。缓冲载体120用于暂时性存放晶片W。
如图1所示，C/D 50包括在X轴方向彼此相邻设置的室52和室54两个室。在Y轴方向延伸的Y导轨56被设置在室52内。在Y导轨56上，设置有一个在Y导轨56上移动并由驱动单元(在图中未显示)驱动的水平的有关节的机械臂(标量机械臂)58。
另外，在室52内的Y导轨的-X侧，载体支架60A、60B和60C沿Y轴方向设置。在这些载体支架60A、60B和60C上分别设置了OC24C、24D和24E。OC 24C、24D和24E通过入口(未显示)从室52出/入，其中的入口位于室52的-X侧的侧壁上，它有一个可以开/关的门(也未显示)。OC 24C、24D和24E可以由操作员通过PGV传送并手动传送，或者可以通过AGV传送和自动传送。自然，也可以使用OHT从上面分别在载体支架60A、60B和60C上放置OC 24C、24D和24E。
除了上述配置外，在室52内，设置有一个对C/D 50的每一部分结构执行总控制的涂布/显影控制器62。除了控制在C/D 50等内的晶片的传送系统外，涂布/显影控制器62还控制标量机械臂116和诸如串联的I/F部分110等。该涂布/显影控制器62还与曝光装置10的装载机控制器34通信(除了关于晶片传送的实时信息外，传送关于决定有助于提高与基片传送相关的处理能力(生产率)的下一步操作的信息(后面将详细描述)，即发送和接收信息)。
在室52和室54的界面处，基片传送部分64被设置在Y轴方向中心略微偏-Y侧。该基片传送部分64由底座和一套三个固定在底座上的支承销构成。
在室54内，沿X轴方向延伸的X导轨66被设置在基片传送部分64的+X侧。在X导轨66上，设置有在X导轨66上移动并由驱动单元(在图中未显示)驱动的水平的有关节的机械臂(标量机械臂)68。
另外，在室54内，第一显影部分70、第二显影部分72和烘烤部分74在图1的X导轨66的+Y侧从左到右顺序设置。同样，在X导轨66的-Y侧，第一涂层部分76、第二涂层部分78和冷却部分80被设置在分别面对第一显影部分70、第二显影部分72和烘烤部分74的位置。
第一涂层部分76和第二涂层部分78各具有一个旋转涂布机。该旋转涂布机通过在晶片上滴注抗蚀剂滴而在晶片上形成均匀的抗蚀膜，它被水平设置，并可以旋转。旋转涂布机由抗蚀剂供给系统、旋转发动机和一个喷注室构成，并且每分钟可以旋转几千次。
烘烤部分74包括烘烤单元。该烘烤单元可使用诸如电阻加热方法或红外线加热方法。在这种情况下，烘烤单元执行预烘烤(PB)和预显影烘烤(曝光后烘烤：PEB)。预烘烤是在抗蚀剂涂布到晶片上后进行的一种热处理，以蒸发在涂布膜上残留的溶剂并加强涂布膜和晶片之间的接触。因为该处理是在曝光之前执行的，它将在聚合物还没有聚合或者添加剂还没有热解的温度时执行。另外，预显影烘烤是在曝光后执行显影处理之前进行的热处理。执行该处理是为了减少由于经受在用单波长的光进行曝光的情况下引起的波浪影响而导致的抗蚀剂图形(抗蚀剂侧壁的形状)的变形，也是为了在曝光后促动化学增强的抗蚀剂的催化反应。
冷却部分80包括，例如，被称作冷却板的冷却平板。这个板的冷却可采用，例如冷水循环的方法。或者，该板可由于珀尔贴效应电子冷却。在该实施例中，在PB中加热的晶片，被冷却直到它不再对曝光装置10的操作产生任何严重影响。
第一显影部分70和第二显影部分72包括显影单元，以显影其上有由曝光装置10曝光而形成于抗蚀膜上的样本图形的晶片。所用的显影单元可以是旋转型、浸入型或喷雾型中的任何一种。
另外，在室54和室112的界面处，位于X导轨66的+X侧设置有基片传送部分82。基片传送部分82由底座和固定于底座上的一套三个支承销构成。
图4是显示光刻系统100的控制系统的配置的方框图。如图4所示，除了装载机控制器34外，曝光装置10的控制系统还包括一个台控制器36，以控制晶片台WST、光网台(未显示)等。该控制系统还包括经装载机控制器34和台控制器36等对整个装置进行总控制的主控制器38。
另一方面，C/D 50的控制系统被构建成使涂布/显影控制器62起主要作用的结构。涂布/显影控制器62控制标量机械臂58、68、116等。另外，在该实施例中，C/D方面的基片传送系统被构建成具有标量机械臂58、68和116、X导轨66和Y导轨56等等。
下面将描述由光刻系统100执行的晶片处理操作。
假定用作基片的晶片W每批(例如25片)在一个单元内，每批晶片分别装在OC 24A到24E内。这些OC 24A、24B、24C、24D和24E分别置于载体支架22A、22B、60A、60B和60C上。OC 24A和24B可用作在曝光装置内的缓冲器，同样还有缓冲器支架120。
下面将要描述一个例子中装于OC 24D内的晶片的处理情况。下面每一部分的操作将通过在图4中显示的涂布/显影控制器62、主控制器控制下的装载机控制器34和台控制器36执行。但是，为了在下面的描述中简便起见，除非需要，否则省略对这些控制器的描述。
首先，标量机械臂58从OC 24D中取下第一个晶片(称为W1)，并将它放在基片传送部分64上。在这个操作期间，标量机械臂68将位于图1的左缘位置。然后，标量机械臂68从基片传送部分64取下晶片W1，并将它放置于，例如，第一涂层部分76。在装载时，在第一涂层部分的旋转涂布机开始涂布抗蚀剂，这在本说明书的前面提到过。
在标量机械臂68操作的同时，标量机械臂58从OC 24D中取下第二晶片(称为W2)，并将它放置于基片传送部分64上。然后标量机械臂68从基片传送部分64中取下晶片W2，并将它放置于第一涂层部分78。当晶片W1的抗蚀剂涂布完成后，标量机械臂68从第一涂层部分76取下晶片W1并将它放置于烘烤部分74。通过这个操作，烘烤部分74中的烘烤单元开始晶片W1的热处理(PB)。
当晶片W1装入烘烤部分时，标量机械臂58从OC 24D取下第三个晶片(称为W3)，并将它装到晶片传送部分64上。然后，标量机械臂68从基片传送部分64取下基片W3并将之装进第一涂层部分76。
当晶片W1的PB完成后，标量机械臂68从烘烤部分74中取出晶片W1，并将它放置于冷却部分80中。以这个操作，在冷却部分80中开始晶片W1的冷却操作。这个冷却操作的目标温度被设置到不会严重影响曝光装置10的操作的温度。它通常与曝光装置10的曝光室12A中的空调系统的目标温度一样，例如，它可以设置在20到25℃。以最近的曝光装置，由于具有微细的线宽度的图形形成并转印到晶片上，温度控制成为一个重要的项目。这是由于即使一个微小的温度变化也会引起晶片的膨胀/收缩，并导致各种副反应诸如异常线宽度和重叠层缺陷。然而，冷却操作的目标温度可以在考虑到完成冷却后，晶片被传送到曝光装置的晶片台WST时的温度变化来确定。
下一步，标量机械臂68从第二涂层部分78取下上面已经涂布有抗蚀剂的晶片W2。然后，标量机械臂将晶片W2放入烘烤部分74，然后把已经由标量机械臂58放入到基片传送部分64的第四个晶片(称为晶片W4)取下，并将它装载到第二涂层部分78中。
当在冷却部分80中晶片W1完成冷却后，标量机械臂68将晶片W1放置到基片传送部分82上。下一步，在晶片W2完成PB后，标量机械臂68从烘烤部分74取下晶片W2，并将它装载到冷却部分80中。然后，标量机械臂68从第一涂层部分76中取下上面已经涂布了抗蚀剂的晶片W3，并将它放置于烘烤部分74中。在完成这个装载后，标量机械臂68取下已经被标量机械臂58放置于基片传送部分64的第五个晶片(称为W5)，并将它装载于第一涂层部分76。下面，在C/D50中，在晶片传送的同时对晶片顺序重复如上所述的诸如涂布抗蚀剂、PB和冷却等等一系列操作，然后晶片W被顺序放置在基片传送部分82。
在串联的I/F部分110中，标量机械臂116从基片传送部分82顺序地取下已经顺序安放在基片传送部分82但还未进行曝光的晶片W，并将晶片W传送到串联的传送部分114的晶片传送部分的装载侧。例如，晶片W被顺序放置在晶片传送部分124A上。
在预测时间过去后，当已经完成由曝光装置10对第一晶片W1的曝光并且晶片W1已经被标量机械臂26传送到晶片传送部分124B后，标量机械臂116按预定程序重复执行从基片传送部分82取下还没有曝光的晶片W、传送并将该晶片W放置于晶片传送部分124A，以及从基片传送部分124B取下已经曝光的晶片W，传送并将该晶片W放置于晶片传送部分82的操作。
如前所述，已经曝光并由串联的I/F部分110的标量机械臂116从晶片传送部分24B取下、传送并安放在基片传送部分82的晶片W1，由标量机械臂68装载于烘烤部分74，并且由烘烤部分74的烘烤单元执行PEB。烘烤部分74可以同时容纳多个晶片。
当对晶片W1的PEB完成后，标量机械臂68从烘烤部分74中取下该晶片，将该晶片W1，例如，放置于第一显影部分70中，在第一显影部分70中的显影单元开始显影操作。
在执行显影时，在晶片W2已经被曝光并放置于基片传送部分82的情况下，标量机械臂从基片传送部分82取下晶片W2，并将它放置于烘烤部分74。以这个操作，烘烤部分74中的烘烤单元开始对晶片W2进行PEB。然后，标量机械臂68按预定程序执行诸如安放下一个晶片到基片传送部分82或装载已经完成PEB的晶片W2到第二显影部分78的操作。
当晶片W1的显影已经完成后，标量机械臂68从第一显影部分70取下晶片W1，并将它放置于基片传送部分64上。最后，标量机械臂58取下晶片W1并将它放置于OC 24D内预定的安放架上。在该操作之后，对第二个晶片，在C/D 50内前行的同时重复执行与晶片W1相同的PEB处理、显影处理并传送该晶片的程序。
总结一下到此为止的描述，直到已经完成对第一个晶片的曝光，由构建C/D 50的每一部分在涂布/显影机控制器62的控制下，顺序由串联的I/F部分110的标量机械臂116等，从OC 24D中取下晶片、涂布抗蚀剂、PB、冷却并传送晶片的这些操作以预定程序重复操作。因此，还没有曝光的晶片W被顺序放置在晶片传送部分124A上。另外，在完成第一个晶片的曝光后即刻，与从OC 24D中取下晶片、涂布抗蚀剂、PB、冷却并传送晶片这些操作同时，对晶片的PEB操作、晶片显影、将晶片装载于OC 24D中、并传送晶片的这些操作以预定程序和顺序重复执行。
同时，用曝光装置10，首先，标量机械臂26沿着X导轨18移到左侧末端，经室16的开孔从串联的传送部分114接收晶片W1。然后该标量机械臂26沿X导轨18移向右侧，直到它到达转台32前方的位置，然后将晶片W1放置于转台32上。一旦它放好晶片W1，标量机械臂26立刻沿X导轨18移向左侧末端以接收下一个晶片W2。
然后转台32由驱动系统(图中未显示)旋转，装载于转台32上的晶片W1也随着转动。当晶片W1转动时，晶片边缘传感器检测晶片的边缘，根据这个检测的信号，装载机控制器34获得关于晶片W1上槽口的方向和晶片中心与转台32的中心之间的偏移量(方向和量)的信息，然后装载机控制器34旋转转台32从而使晶片W上的槽口部位设定到预定方向。
在这一阶段，设置装载臂28到预定的晶片传送部位，并接收位于转台32上的晶片W1。在装载臂28接收晶片之前，它移动到一个位置，在这里它可以校正在前面获得的晶片中心与转台32的中心之间的偏移量的Y方向分量。然后，装载臂28接收该晶片，并开始沿Y导轨20朝向高于晶片台WST的位置移动，此时晶片台在一个预定的装载位置等待。
在这个点上，标量机械臂26已经接收到了由标量机械臂116放置在串联的传送部分114的晶片传送部分124A上的晶片W2。因此，当装载臂28已经从X导轨18移开超过一个固定距离后，标量机械臂26沿X导轨18向右移动，直到它到达转台32的前方的位置，然后将晶片W2放置在转台32上。在放置好晶片后，标量机械臂26移到一个预定的等待位置，同时转台开始旋转并且晶片边缘传感器开始探测晶片边缘的位置。然后，装载机控制器34获得关于晶片W2上槽口的方向和晶片中心与转台32的中心之间的偏移量(方向和量)的信息。
当装载臂28完成传送晶片W1到高于晶片台WST的位置时，它传送晶片到晶片台WST上。在这种情况下，在晶片W1传送到晶片台WST之前的瞬间，晶片台WST灵敏地沿X轴方向被驱动，从而校正上述偏移量的X分量。
然后，对传送到晶片台WST上的晶片W1进行曝光操作。这个曝光通过，例如，重复设置在晶片台WST上的晶片W1的每个摄影区域的位置，到在光网台(图中未显示)上存放的光网图形由投影光学系统PL(参考图1)形成的投影位置的操作，以及经投影光学系统PL通过使用用于曝光的照明灯照射光网而转印光网图形到每个摄影区域的操作。
自然，在根据扫描曝光方法执行曝光的情况下，通过重复分别定位光网(光网台)和晶片W1(晶片台WST)在扫描开始位置以曝光每个摄影区域，以及扫描曝光操作以经投影光学系统PL，通过使用用于曝光的照明光照射在光网上的狭缝样照明区域顺序转印光网图形到晶片W1上的重复操作，来执行曝光，同时要同步移动光网和晶片W1。
当上面的曝光完成后，晶片台WST移动到卸载位置，即到前面提到的装载位置，并且卸载臂30接收已经曝光的晶片W1。然后卸载臂30携带该晶片W1直到它位于X导轨18的上方，将晶片W1传送给等候接收晶片的标量机械臂26。标量机械臂26携带该晶片W1并最终传送给串联的传送部分114的卸载侧晶片传送部分124B。
在这种情况下，当标量机械臂26移动到没有被妨碍的串联的传送部分114这一侧位置时，装载臂28接收已经从转台32上完成旋转调整的晶片W2，携带晶片到高于已经等候在装载位置的晶片台WST，并传送该晶片给晶片台WST。
然后，对传送到晶片台WST上的晶片W2执行曝光。在这个操作之后，在曝光装置10内，顺序地从第三晶片(称为W3)向前取下安放在晶片传送部分124A的晶片，携带这个(些)晶片以使这个(些)晶片位于晶片台WST上方，在曝光完成后，传送已经曝光的这个(些)晶片到串联的传送部分114的卸载侧晶片传送部分124B的操作重复执行。
如上所述，用本实施例的光刻系统，分别在C/D 50和串联的I/F部分110侧以及曝光装置10内执行这个(些)晶片的循环操作。为了避免在两个部分间传送晶片所发生的不必要的等待时间(浪费时间)或传送失败，C/D 50方面的涂布/显影控制器62以下述方式，经通信信道(见图4)与曝光装置10的装载机控制器34通信。
即，装载机控制器34发出诸如下面将说明的项目a到d的信息给涂布/显影控制器62，于是，在C/D 50和串联的I/F部分110侧(为方便起见后面称作“C/D方面”)进行下一步操作之前，将根据晶片的传送决定有助于提高处理能力(生产率)的下一步操作。
a.关于离曝光装置10的晶片装载系统可以接收晶片W的预测时间(或期望时间)的信息。
b.关于C/D方面暂停晶片传送到串联的传送部分114，诸如“等待xx秒直到曝光装置10的晶片装载系统可以接收晶片”的信息。
c.关于离曝光装置10的晶片装载系统可以发送晶片W的预测时间(或期望时间)的信息。
d.关于C/D方面暂停在串联的传送部分114上接收晶片，诸如“等待xx秒直到可以传送晶片”的信息。
这里，在上面的项目a到c中提到的“期望时间”，理论上意味着获得的时间(通过计算)，意味着根据例如视角、曝光量(用扫描型曝光装置，视角相应于扫描长度，曝光量包括扫描速度等等因素)、对准时间等等，通过计算而获得的时间。另外，“预测时间”意思是指考虑到性能的结果或在处理中的性能状态的时间，例如，考虑到诸如“这一批需要较长的关于传送的重试时间”这一信息的时间。具体讲，这个预测时间不同于可通过计算获得的期望时间，并包括不确定因素。例如，在对准期间很难发现对准标记的情况下，实际对准时间可能比计算的时间长。因此，需要根据从实际执行的晶片循环传送的实际结果获得重试时间。可能影响重试时间的因素是，例如，在传送系统的情况下，用真空卡紧每个传送臂所需的时间。
另外，对特定的一批晶片，即在特定处理下集中于晶片时，在对准期间倾向于发生诸如所用的对准时间超过计算时间，或在对准时频繁发生重试的现象。因此，例如，如果实际处理时间超过用一批晶片中的前面的少量晶片计算得到的时间，预测时间被重设到较长的时间以对应于该结果，并与其它单元通信(在本实施例中，C/D或曝光装置)。然而，预测时间不仅可以由一批晶片中的前几个晶片来设置，也可以由在一天中处理的晶片的平均处理时间来设置，或者由多批中的平均处理时间来设置。
另一方面，涂布/显影控制器62发出诸如下面将要描述的信息e到h给装载机控制器34，于是在曝光装置10进行它的下一步操作之前，将根据晶片的传送决定有助于提高处理能力(生产率)的下一步操作。
e.关于离C/D方面可以接收晶片W的预测时间(或期望时间)的信息。
f.关于C/D方面暂停晶片传送到串联的传送部分114，诸如“等xx秒直到C/D方面可以接收晶片”的信息。
g.关于离C/D方面可以发送晶片W的预测时间(或期望时间)的信息。
h.关于C/D方面暂停在串联的传送部分114接收晶片，诸如“等待xx秒直到可以传送晶片”的信息。
因此，用本实施例的光刻系统100，在它的下一步操作之前，装载机控制器34给涂布/显影控制器62发出信息，用于涂布/显影控制器62决定它的有助于提高关于晶片传送的处理能力(生产率)的下一步操作。接收该信息的涂布/显影控制器62，可决定执行有助于提高关于晶片W传送的处理能力(生产量)的特定操作为下一步操作，然后实际开始该特定操作。
具体讲，当曝光装置10根据在上面提到的项目a的信息接收晶片W时，涂布/显影控制器62可以知道该时间。因此，涂布/显影控制器62可决定它的关于晶片传送的下一步操作，于是晶片W可以没有任何时间浪费而被传送。更具体地说，例如，当涂布/显影控制器62传送晶片W给曝光装置10时，在等待时间较短，例如直到曝光装置10可接收到晶片需要等待1或2秒的情况下，涂布/显影控制器62经串联的传送部分的晶片传送部分124A，等待并传送晶片W给曝光装置10。然而，在涂布/显影控制器62需要等待较长时间的情况下，则涂布/显影控制器62可以停止向曝光装置10的传送晶片W的传送操作，或者，如果需要，临时性地存放该晶片W到缓冲传送器120，而仅仅执行从串联的传送部分114的晶片传送部分124B的晶片W的接收操作。以这种配置，可以减少时间浪费。
另外，例如，用涂布/显影控制器62，根据关于项目b的信息，它可以决定它的关于依赖等待时间的晶片传送的效率，从而可缩短浪费的时间到最小。
同样，例如，用涂布/显影控制器62，根据关于项目c的信息，当涂布/显影控制器62发出接收晶片W的指令时，如果已经曝光的晶片W将要在几秒钟内从曝光装置10内发送，则涂布/显影控制器62可决定等待几秒钟后接收晶片。以这种配置，不会发生无效传送因此效率提高。
并且涂布/显影控制器62，例如，可根据项目d的信息，根据等待时间，决定它的关于尽可能增强晶片传送效率的操作。
另外，用本实施例的光刻系统100，关于决定有助于提高有关晶片W传送的处理能力的下一步操作的信息，在下一步操作之前，从涂布/显影控制器62经通信信道发送给曝光装置10的装载机控制器34。当装载机控制器34接收到该信息后，在实际开始该特定操作之前，它可以决定执行有助于提高有关晶片W传送的处理能力的特定操作为它的下一步操作。
即，曝光装置10的装载机控制器34可根据上述项目e到h的信息决定它的与晶片W传送相关的下一步操作，用已经接收到a到d信息的涂布/显影控制器62也同样。以这种操作，C/D方面的晶片传送状态不必进行监测，并且晶片的循环传送以恒定间隔切换，因此，可以减少时间的浪费。
从以上的说明可以看出，在本实施例中，装载机控制器34构成曝光装置10方面的控制单元，涂布/显影控制器62构成作为基片处理单元的C/D方面的控制单元。然而，并不仅限于该配置，作为曝光装置方面的控制单元，可以设置具有发送关于前述项目a到d的信息到C/D方面的功能的第一控制单元，和具有从C/D方面接收关于前述项目e到h的功能的第二控制单元。对于C/D方面的控制单元可以说也同样。
如以上所详细描述的，在本实施例的光刻系统100中，与晶片W的传送相关的信息在曝光装置10和C/D之间传递，在根据从另一个单元提供的信息的操作之前，两个单元可以交互确定它们的有助于提高关于晶片传送的处理能力的下一步操作。换句话说，C/D和曝光装置10方面都不能只在它们自己的单元内，最优化完成它们的操作，但相互考虑与另一单元的晶片传送相关的信息，从而使循环操作彼此串联。这避免了时间的浪费和发生传送失败的问题，并允许生产率提高，即使曝光装置10和C/D 50处于串联的情况下亦如此。因此，由C/D 50和曝光装置10执行的一系列晶片处理的生产率可得到提高，结果，这就可能提高诸如半导体器件等器件的生产率。
然而，在这种情况下，当诸如前面描述的项目b，d，f和h用于暂停传送的信息在同一时间由控制器34和62共同发出，这可能发生于在两侧的传送条件都不满足的情况下。在这种情况下，可提前给予这两者中的任意一个优先权，被赋予优先权的单元可发出信息给另一单元以驳回另一单元的请求。然后，另一控制单元可通知它的请求已经被驳回，根据该信息，撤回暂停请求并继续进行下一步处理。
另外，在本实施例中，当C/D50具有多个处理部分，每个在它自己的单元内处理诸如涂布抗蚀剂处理和显影处理，并可以最优化地切换循环传送的顺序，从而以在需要时按已经被处理的晶片的次序顺序执行传送，它可以完全展示该功能。
在上面的实施例中，C/D方面的涂布/显影控制器62和曝光装置10的装载机控制器34交互发出信息以决定有助于提高关于晶片W传送的处理能力的下一步操作，然而，本发明并不仅限于此。即C/D方面的涂布/显影控制器62或者曝光装置10的装载机控制器34可发出信息以决定有助于提高关于晶片W传送到另一单元的处理能力的下一步操作。即使在这种情况下，接收信息的控制单元可确定并执行晶片W的传送操作，所以如前面所述的，在它的单元内最不可能发生浪费时间和传送失败。因此，可提高由C/D50和曝光装置10执行的一系列晶片处理的生产率。
在上面的实施例中，曝光装置10(装载机控制器34)和C/D50(涂布/显影控制器62)通过通信信道互通信息。关于这个通信信道，除了有线信道，诸如并行信道或串行信道外，无线电、红外线或其它信道都可以使用。同样，例如，在执行并行通信的情况下，可以使用现有信号电缆中的空线。在执行串行通信的情况下，上面的信息可加入到已经传递的信号(或信息)中。
在上面的实施例中，已经描述了用作基片处理单元的C/D50和曝光装置经串联I/F部分110彼此串联时的情况。然而，在本发明中并不仅限于此，基片处理单元和曝光装置可以直接相连。另外，在上面的实施例中的基片处理单元和曝光装置中的配置仅仅是示例。即，在上面的实施例中，已经描述过这样的情况，即当与在曝光装置10内的晶片装载机控制器40一样时，装载侧和卸载侧的传送系统部分共用该系统。然而，装载侧和卸载侧的传送系统可以完全由独立系统构成。在这种情况下，就可能在曝光装置内同时执行晶片的装载和卸载。在这种情况下，在本发明中，由于基片处理系统方面装载和卸载基片的时间表是预期的，如果它占用时间来装载，则曝光处理和卸载可优先于装载，而如果它占用时间以卸载，可以在一定程度上执行装载，所以在曝光装置内不会留下未完成的基片，这将导致操作效率的提高。
另外，在上面的实施例中，已经描述过在C/D方面安装三个标量机械臂58、68和116的情况，但是，本发明并不仅限于此，当沿预定路径移动时，单机械手可循环该晶片。另外，可设置两套标量机械臂68，从而使它们可以分别用在曝光预处理和曝光后处理中。同样，构成晶片传送系统的标量机械臂58、68和116在预设程序下执行这些循环操作。然而，标量机械臂可分别执行它们自己的循环操作，从而作为一个整体执行一系列循环操作。另外，一个十分普通的单元结构用来代表C/D50的内部配置的示例，然而，在C/D内的处理不必按照在前面描述的实施例中的顺序执行，并可以包括在本说明书中未提到的处理。
同样，如果需要的话，可以设置多个诸如抗蚀剂涂布部分、显影部分、冷却部分和烘烤部分等每个处理部分，基片传送系统可根据配置执行必要的传送操作。另外，基片处理单元并不仅限于C/D，因此，如果该单元是可以与曝光装置串联联接的，则不仅抗蚀剂涂布单元(涂布机)、显影单元(显影器)，而且其它测试单元都可以使用。
另外，在上面的实施例中，已经描述过当OC被用作晶片装载器的情况。然而，在本发明中，并不仅限于此，也可以使用开/闭型晶片装载器，诸如Front Opening Unified Pod(FOUP)。
同样，在上面的实施例中，涂布/显影控制器62和装载机控制器34经通信信道发送和接收关于晶片传送的实时信息，以及在项目a到h中的信息。然而，在本发明中，并不仅限于此，即，如图5中所示，在涂布/显影控制器62和装载机控制器34经通信信道连接到曝光装置10和控制整个C/D50的主机90时，在涂布/显影控制器62和装载机控制器34之间发送和接收的信息可以仅仅是关于晶片传送的实时信息和通过主机90传递关于项目a到h的信息。
在系统配置如图5所示的情况下，没有像前面一样给予控制单元62和34中的任何一个有优先权。并且，当暂停请求信息从控制单元62和34同时发出并发生冲突时，主机90将从提高处理能力的观点整体判断，以发出信息到它的请求已经被驳回的预定单元，同时指示另一单元撤回暂停请求。
当在主机90，曝光装置10和C/D50之间配置中间控制单元时，关于项目a到h的信息可以不仅仅通过主机通信，还可以通过中间控制单元进行通信。当暂停请求信息从控制单元62和34同时发出并发生冲突时，中间控制单元可从提高处理能力的观点出发整体判断，以发出信息到它的请求已经被驳回的预定单元，同时指示另一单元撤回暂停请求。
上面的实施例描述了具有单一晶片台的曝光装置的情况，然而，本发明并不仅限于此，并且可以适当地应用具有两个晶片台(双晶片台)的曝光装置，其中的晶片装载位置设置在两个地方。另外，前面描述的期望时间或预测时间，可根据照明条件或光网类型等，关于每个预定的晶片获得。
下面描述使用上面所述的在光刻处理中的光刻系统的器件制造方法。
图6是显示制造器件(半导体芯片如IC或LSI，液晶板、CCD、薄膜磁头、微型机等)的示例的流程图。如图6所示，在步骤301(设计步骤)，设计该器件的功能/性能(如用于半导体器件的电路设计)和设计实施该功能的图形。并且，在步骤302(掩模制造步骤)，制造上面形成所设计的电路图形的掩模。同时，在步骤303(晶片制造步骤)，通过使用硅材料等制造晶片。
下一步，在步骤304(晶片处理步骤)，使用掩模和在步骤301到303中制造的晶片，在晶片上通过光刻形成实际电路等，后面将要描述。并且，在步骤305(器件组装阶段)，使用在步骤304处理过的晶片组装器件。步骤305包括诸如切割、焊接和包装(芯片封装)。
最后，在步骤306(检测步骤)，对在步骤305制造的器件进行器件操作试验、耐久试验等等检测。在完成这些步骤后，器件完成并出厂。
图7是显示上面描述的在制造半导体器件过程中步骤304的详细示例的流程图。参考图7，在步骤311(氧化步骤)，晶片的表面被氧化。在步骤312(CVD步骤)，在晶片的表面形成一层绝缘膜。在步骤313(电极形成步骤)，通过气相沉积在晶片上形成电极。在步骤314(离子注入步骤)离子被注入到晶片中。上面描述的步骤311到314构成在晶片处理中的各个步骤的预处理，并根据在各个步骤中所需的处理选择性地执行。
当上述的在晶片处理中的各个步骤的预处理完成后，按照下述方式进行后处理。在这个后处理中，首先，在步骤315(抗蚀剂形成步骤)，在晶片上涂布一层光敏剂。接着，在步骤316(曝光步骤)，通过上面的曝光装置和方法将掩膜上的电路图形转印到晶片上。然后，在步骤317(显影步骤)，显影已曝光的晶片。通过上面实施例中描述的光刻系统100执行步骤315到317。
在步骤318(蚀刻步骤)，通过蚀刻将残留抗蚀剂的部分之外的曝光元件拿走。最后，在步骤319(抗蚀剂去除步骤)，将蚀刻后不需要的抗蚀剂去除。
通过重复执行这些预处理和后处理步骤，在晶片上形成多个电路图形。
如上所述，根据本实施例的器件制造方法，在上面的实施例中描述的光刻系统100用在步骤315到317(光刻步骤)。在曝光装置和C/D50之间，两个单元可以交互传递关于晶片传送的信息，或其中任何一个单元在实际开始操作之前，根据从另一单元来的信息，决定它的有助于提高关于晶片传送的处理能力的下一步操作。因此，由C/D50和曝光装置10执行的一系列晶片处理的生产率可以提高，结果，提高器件的产量成为可能。特别是在当真空的紫外线光源如F2激光源被用作曝光装置中的光源的情况下，例如，随着投影光学系统PL的分辨率的提高，即最小线宽度在约0.1μm的情况下，也可以增加生产率。
上述本发明的实施例是本发明的优选实施例，熟悉光刻系统的普通技术人员将会很容易地理解，不背离本发明的精神和范围的许多添加、修改和替代都是允许的。所有的添加、修改和替代都应该在本发明所附权利要求定义的范围内。

Claims (14)

1.一种光刻系统，所述系统包括：
曝光装置；和
与所述曝光装置串联联接的基片处理单元；其特征在于：
在开始随后的有关基片传送的操作之前，所述曝光装置和所述基片处理单元进行下列操作中的至少一项：
a.相互发送并接收与到所述曝光装置能够向所述基片处理单元传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，
b.相互发送并接收与到所述曝光装置能够从所述基片处理单元接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，
c.相互发送并接收与到所述基片处理单元能够向所述曝光装置传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，及
d.相互发送并接收与到所述基片处理单元能够从所述曝光装置接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，及
接收方面基于所述操作a.到d.中至少一项来进行随后的操作。
2.根据权利要求1的光刻系统，其特征在于，所述接收方面基于所述操作a.到d.中至少一项暂停基片传送操作。
3.根据权利要求1的光刻系统，其特征在于，所述接收方面基于所述操作a.到d.中至少一项暂停基片接收操作。
4.与基片处理单元串联联接的曝光装置，所述曝光装置包括：
基片传送系统，它在所述曝光装置中承载基片并在所述曝光装置与所述基片处理单元之间传送基片；和
控制单元，它控制所述基片传送系统，其特征在于：
在开始随后的有关基片传送的操作之前，所述控制单元进行下列操作中的至少一项：
a.向所述基片处理单元发送信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够向所述基片处理单元传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
b.向所述基片处理单元发送信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够从所述基片处理单元接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
c.从所述基片处理单元接收信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够向所述曝光装置传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
d.从所述基片处理单元接收信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够从所述曝光装置接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关，及
当进行所述操作a.和b.中的一项操作时，所述控制单元使得所述基片处理单元基于所述操作a.和b.中的一项操作来进行随后的操作，
当进行所述操作c.和d.中的一项操作时，所述控制单元基于所述操作c.和d.中的一项操作来进行随后的操作。
5.根据权利要求4的曝光装置，其特征在于，所述基片处理单元所利用的决定其随后对于基片传送的操作的决策信息包括这样的信息，即，使得所述基片处理单元暂停所述基片的传送操作。
6.根据权利要求4的曝光装置，其特征在于，所述基片处理单元所利用的决定其随后对于基片传送的操作的决策信息包括这样的信息，即，控制单元根据该信息使得所述基片处理单元暂停所述基片的接收操作。
7.与曝光装置串联联接的基片处理单元，所述基片处理单元包括：
基片传送系统，它在所述基片处理单元内承载基片并在所述基片处理单元与所述曝光装置之间传送基片；及
控制单元，它控制所述基片传送系统，其特征在于：
在开始随后的有关基片传送的操作之前，所述控制单元进行下列操作中的至少一项：
a.从所述曝光装置接收信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够向所述基片处理单元传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
b.从所述曝光装置接收信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够从所述基片处理单元接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
c.向所述曝光装置发送信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够向所述曝光装置传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，及
d.向所述曝光装置发送信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够从所述曝光装置接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关，及
当进行所述操作a.和b.中的一项操作时，所述控制单元基于所述操作a.和b.中的一项操作来进行随后的操作，
当进行所述操作c.和d.中的一项操作时，所述控制单元使得所述曝光装置基于所述操作c.和d.中的一项操作来进行随后的操作。
8.据权利要求7的基片处理单元，其特征在于，所述基片处理单元根据决策信息决定所述基片处理单元方面对于所述基片传送的随后操作，所述决策信息包括这样的信息，即，根据该信息所述控制单元暂停所述基片的传送操作。
9.据权利要求7的基片处理单元，其特征在于，所述基片处理单元根据决策信息决定所述基片处理单元方面对于所述基片传送决定的随后操作，所述决策信息包括这样的信息，即，根据该信息所述控制单元暂停所述基片的接收操作。
10.用于在曝光装置与基片处理单元之间传送基片的方法，其中基片处理单元串联联接到所述曝光装置上，所述方法包括：
在开始有关基片传送操作之前，进行以下操作中的至少一项：
a.从所述曝光装置向所述基片处理单元发送信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够向所述基片处理单元传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
b.从所述曝光装置向所述基片处理单元发送信息，其中所述信息与到所述曝光装置能够从所述基片处理单元接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
c.从所述基片处理单元向所述曝光装置发送信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够向所述曝光装置传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关，
d.从所述基片处理单元向所述曝光装置发送信息，其中所述信息与到所述基片处理单元能够从所述曝光装置接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关；及
根据所述操作a.到d.中至少一项的操作结果进行基片传送。
11.根据权利要求10的方法，其特征在于，
在开始随后的有关基片传送的操作之前，进行所述操作a.到d.中的至少一项，及
接收方面基于所述操作a.到d.中至少一项的操作结果决定随后的操作。
12.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述基片处理单元基于操作a.的结果暂停基片接收操作。
13.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述基片处理单元基于操作b.的结果暂停基片传送操作。
14.一种曝光装置，它将形成于掩膜上的预定图形转印到基片上，所述曝光装置包括：
基片传送系统，它在所述曝光装置中承载基片并传送基片；和
控制单元，它控制所述基片传送系统，其特征在于：
在开始随后的有关基片传送的操作之前，所述控制单元发送下列信息中的至少一个：
a.与到所述曝光装置能够传送基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，和
b.与到所述曝光装置能够接收基片为止的预测时间和期望时间之一有关的信息，
所述控制单元发送所述信息a.和b.中的至少一个，作为决定接收所述信息a.和b.中的至少一个的单元的随后操作的信息。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
KR100742026B1 (ko) * 2000-12-08 2007-07-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리 시스템 및 피처리체 반송 방법
JP2003142376A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Canon Inc リソグラフィシステム、露光装置及びそれらの制御方法並びにデバイスの製造方法
TWI291729B (en) * 2001-11-22 2007-12-21 Semiconductor Energy Lab A semiconductor fabricating apparatus
US6979605B2 (en) * 2001-11-30 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for a semiconductor device using a marker on an amorphous semiconductor film to selectively crystallize a region with a laser light
US7133737B2 (en) 2001-11-30 2006-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Program for controlling laser apparatus and recording medium for recording program for controlling laser apparatus and capable of being read out by computer
US7214573B2 (en) * 2001-12-11 2007-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device that includes patterning sub-islands
JP3966211B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-29 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US20040206621A1 (en) * 2002-06-11 2004-10-21 Hongwen Li Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
US20040007325A1 (en) * 2002-06-11 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
JP4316210B2 (ja) * 2002-08-27 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 保守システム，基板処理装置及び遠隔操作装置
JP4001559B2 (ja) 2003-03-04 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 インライン接続設定方法および装置
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR100984360B1 (ko) 2003-10-27 2010-09-30 삼성전자주식회사 노광 시스템
US7083338B2 (en) * 2003-10-27 2006-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Lithography equipment
US7720557B2 (en) 2003-11-06 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
US20050137734A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of operating a lithographic apparatus or lithographic processsing cell, lithographic apparatus and lithographic processing cell
US7068351B2 (en) * 2004-02-20 2006-06-27 Asml Netherlands B.V. Method of controlling a lithographic processing cell, device manufacturing method, lithographic apparatus, track unit, lithographic processing cell, and computer program
EP1569262A3 (en) * 2004-02-28 2008-04-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
US7177716B2 (en) 2004-02-28 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for material control system interface
FR2872502B1 (fr) * 2004-07-05 2006-11-10 Ecole Norm Superieure Lyon Dispositif de microstructuration de surface
KR20070048697A (ko) * 2004-08-30 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법
US7136147B2 (en) * 2004-12-20 2006-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656506B2 (en) * 2004-12-23 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7242458B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
KR20060088817A (ko) * 2005-01-28 2006-08-07 가부시키가이샤 이빔 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2006216822A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP2007116017A (ja) * 2005-10-24 2007-05-10 Nikon Corp プロセス処理装置
KR100675302B1 (ko) * 2006-01-19 2007-01-29 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 제조방법
US7646468B2 (en) * 2006-04-04 2010-01-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing cell and device manufacturing method
KR100784389B1 (ko) * 2006-06-22 2007-12-11 삼성전자주식회사 포토 리소그래피 시스템 및 방법
JP2008091508A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Canon Inc 処理装置
JP5283842B2 (ja) * 2006-12-18 2013-09-04 キヤノン株式会社 処理装置
JP4777232B2 (ja) * 2006-12-27 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板の処理システム及びプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4994874B2 (ja) * 2007-02-07 2012-08-08 キヤノン株式会社 処理装置
JP5270108B2 (ja) * 2007-05-21 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8636458B2 (en) * 2007-06-06 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Integrated post-exposure bake track
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN102819195B (zh) * 2011-06-10 2015-01-07 恩斯克科技有限公司 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法
JP2013016704A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Canon Inc パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法
CN102231050B (zh) * 2011-08-01 2013-02-27 上海先进半导体制造股份有限公司 提高光刻机工艺效率的方法
NL2010166A (en) * 2012-02-22 2013-08-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101700019B1 (ko) * 2012-04-06 2017-02-13 가부시키가이샤 브이 테크놀로지 노광 장치 및 노광 방법
JP6122299B2 (ja) * 2013-01-15 2017-04-26 キヤノン株式会社 処理装置、処理方法、及びデバイスの製造方法
JP6312379B2 (ja) * 2013-07-19 2018-04-18 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法
JP6123740B2 (ja) * 2014-06-17 2017-05-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法
TW202343158A (zh) 2015-02-23 2023-11-01 日商尼康股份有限公司 測量裝置、曝光裝置、微影系統、測量方法以及曝光方法
JP6649636B2 (ja) 2015-02-23 2020-02-19 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
JP6880364B2 (ja) * 2015-08-18 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6157573B2 (ja) * 2015-12-08 2017-07-05 キヤノン株式会社 パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法
CN109521649A (zh) * 2018-10-22 2019-03-26 中国科学技术大学 一种用于二维材料定点转移和对准光刻的一体化系统
US11551970B2 (en) * 2020-10-22 2023-01-10 Innolux Corporation Method for manufacturing an electronic device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5619635A (en) * 1979-07-27 1981-02-24 Hitachi Ltd Manufacturing apparatus
JPH0616475B2 (ja) 1987-04-03 1994-03-02 三菱電機株式会社 物品の製造システム及び物品の製造方法
US5024570A (en) 1988-09-14 1991-06-18 Fujitsu Limited Continuous semiconductor substrate processing system
JPH07101706B2 (ja) * 1988-09-14 1995-11-01 富士通株式会社 ウェーハの連続処理装置及び連続処理方法
JP2850028B2 (ja) * 1989-12-28 1999-01-27 コニカ株式会社 磁気記録媒体
TW276353B (zh) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US5696689A (en) * 1994-11-25 1997-12-09 Nippondenso Co., Ltd. Dispatch and conveyer control system for a production control system of a semiconductor substrate
JPH08255750A (ja) * 1995-01-13 1996-10-01 Tokyo Electron Ltd 処理方法、レジスト処理方法及びレジスト処理装置
US5788868A (en) * 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
JP3552178B2 (ja) * 1995-09-27 2004-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板収納カセット、インターフェイス機構および基板処理装置
JPH09283424A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Canon Inc 露光システム
JPH09326339A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Nikon Corp デバイス製造ラインの処理状況表示方法
JP3237854B2 (ja) 1996-06-07 2001-12-10 東京エレクトロン株式会社 処理ステーションの管理装置
JPH1012702A (ja) 1996-06-21 1998-01-16 Nikon Corp 基板の搬送エラー復帰処理方法
US5928389A (en) * 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
JP3706955B2 (ja) * 1996-11-19 2005-10-19 株式会社ニコン 露光方法
JP3156757B2 (ja) * 1997-03-25 2001-04-16 日本電気株式会社 電子線露光装置及びレジスト塗布現像装置並びにレジストパターン形成方法
JPH11176911A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 基板搬送装置及び基板処理装置
US6122566A (en) 1998-03-03 2000-09-19 Applied Materials Inc. Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system
JP2000133577A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Canon Inc 露光システム
WO2001054187A1 (fr) * 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches

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Publication number Publication date
KR100752083B1 (ko) 2007-08-24
US6698944B2 (en) 2004-03-02
TWI244118B (en) 2005-11-21
US20010053291A1 (en) 2001-12-20
US20030231289A1 (en) 2003-12-18
JP4915033B2 (ja) 2012-04-11
EP1164437A3 (en) 2004-02-11
CN1330292A (zh) 2002-01-09
JP2002075853A (ja) 2002-03-15
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