JPH08255750A

JPH08255750A - 処理方法、レジスト処理方法及びレジスト処理装置

Info

Publication number: JPH08255750A
Application number: JP8023074A
Authority: JP
Inventors: Koji Okamura; 幸治岡村; Masami Akumoto; 正巳飽本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1995-01-13
Filing date: 1996-01-16
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【課題】第１の処理部と第２の処理部との処理時間に
差がある場合、第２の処理部の処理に前待機時間を設け
て、両処理部でのタクトタイムの統一を図り、処理を均
一化する。【解決手段】ウエハに対して露光処理を行う露光処理
部２と、露光処理後のウエハに対してポスト・エクスポ
ージャ・ベーキング処理を行う熱処理装置を有する塗布
・現像処理部３とが、ウエハの受け渡しを行うインター
フェース部４を介して接続されている場合、露光処理の
タクトタイムに応じて前記熱処理装置内での前待機時間
を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理方法、レジス
ト処理方法及びレジスト処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の塗布・現像・露光処
理システムが用いられている。この塗布・現像・露光処
理システムは、ウエハの表面にレジスト液を塗布してレ
ジスト膜を形成したり、露光処理後のレジスト膜に対し
て現像処理を行う塗布現像処理部と、前記レジスト膜に
対して露光処理を施す露光処理部と、塗布現像処理部と
露光処理部との間でウエハを受け渡しするインターフェ
ースを備えている。

【０００３】インターフェースでは、露光処理部で露光
されたウエハを、第１の搬送手段によって受け取り、塗
布現像処理部内に設けられた第２の搬送手段に渡してい
る。そしてこの第２の搬送手段は受け取ったウエハを塗
布現像処理部内にある各種処理装置まで搬送する。例え
ば第２の搬送手段は、ウエハを塗布現像処理部に設けら
れたオーブンと呼ばれる熱処理装置に搬送し、この熱処
理装置でウエハに対して露光処理後の次処理であるポス
ト・エクスポージャ・べ−キング（Post Exposuer Baki
ng；ＰＥＢ）処理が行われる。ここで注意しなければな
らないのは、前記熱処理装置における熱処理時間の厳格
な管理である。即ちＰＥＢ処理は、予め設定された所定
の時間より僅かでも長く熱処理してしまう（オーバーベ
ーキング；過剰熱処理）と、即歩留まりの低下につなが
るからである。

【０００４】ＰＥＢ処理が終了した後、ウエハは、第２
の搬送手段により今度は冷却処理装置に搬送される。こ
の冷却処理装置でウエハは所定温度まで冷却される。そ
して所定の冷却処理がなされた後、現像処理等のさらに
必要な処理を順次施すために、ウエハは前記第２の搬送
手段により各種処理装置に搬送される。

【０００５】また従来の塗布・現像・露光処理システム
では、スループットの向上を目的として、塗布現像処理
部に設けられた第２の搬送手段は、インターフェース、
前記熱処理装置、冷却処理装置をはじめとする各種処理
装置の間を常に移動しており、これらの処理装置の間で
ウエハを絶間なく搬送している。従って、スループット
をより一層向上させるために、第２の搬送手段がインタ
ーフェースおよび塗布現像処理部の各処理装置に到着
し、ウエハの受け渡しを開始するまで待機時間をできる
限り少なくすることが好ましい。

【０００６】そこで、従来の塗布・現像・露光処理シス
テムでは、インターフェース、露光処理部および塗布現
像処理部の各種処理での予め設定された所要時間に基づ
いて、第２の搬送手段の動作タイミングが設定されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで露光処理部に
おける露光処理時間が常に一定であれば、インターフェ
ースを介して露光処理後のウエハを前記第２の搬送手段
が直ちに受け取ることができ、これを塗布現像処理部内
の次処理を行う装置である前記熱処理装置へと搬送し
て、ＰＥＢ処理済みのウエハと交換し、次にこのＰＥＢ
処理済みのウエハを次処理である冷却処理を行う冷却装
置に搬送することができ、その後の処理が円滑に行え
る。

【０００８】しかしながら露光処理部内におけるウエハ
の収容時間は、必ずしも一定ではなく、所定の収容時間
よりも長く露光処理部内に収容されている場合がある。
例えば何らかの原因で露光の際のアライメントが１回で
正しく行われなかった際に実施される再度のアライメン
トや、光源の光量減衰に応じた投影露光時間の延長があ
った場合には、結局その分、露光処理部から送出されて
くる時間が遅くなってしまい、所定の収容時間よりも遅
れて露光処理後のウエハがインターフェースに載置され
ることになる。

【０００９】既述したように、従来の塗布・現像・露光
処理システムでは、予め設定された露光処理部での所要
時間に基づいて、塗布現像処理部の第２の搬送手段の動
作タイミングを設定している。このため、露光処理部で
の実際の収容時間が、前記した場合のように予め設定さ
れた時間よりも長くなったときには、予定の時にウエハ
がインターフェースに存在しないことになる。

【００１０】このような場合、第２の搬送手段は予め設
定されたタイミングに従って動作しているため、第２の
搬送手段はインターフェースに到着したときに、ウエハ
が所定の場所になくとも通常の受け取りのための動作を
行い、結局ウエハを受け取ることなく次処理の熱処理装
置へと移動し（いわゆる搬送手段の「空振り」現象）、
塗布・現像処理部内の他の各種処理装置間のウエハの搬
送に従事することになる。それは既に熱処理装置にてＰ
ＥＢ処理に付されている他のウエハのオーバーベークを
防止するため、ＰＥＢ処理後の当該他のウエハを、直ち
に次処理である冷却装置に移し替える動作に移行する必
要があるからである。しかしながらそうなると、前記空
振りした分のウエハの処理が次回に回されることにな
り、塗布・現像・露光処理システムにおけるウエハ処理
のスループットが著しく低下することになる。

【００１１】一方、インターフェースでは、露光処理部
から予定よりも遅く受け渡されたウエハは、インターフ
ェースにおける第２の搬送手段への受け渡し位置で、第
２の搬送手段が再びやって来るのを待つことになる。し
かしながらレジスト材料が例えば化学増幅型である場合
には、そのように露光処理後のウエハがそのままインタ
ーフェースで長時間留め置かれていると、次処理の現像
工程において露光後のパターンの線幅が変化してしま
い、所定のパターンの線幅とならないおそれが生じてく
る。

【００１２】これは結局のところ、露光処理部から露光
処理後のウエハが送出されてくる時間と、塗布・現像処
理部における前記ＰＥＢ処理を行う熱処理装置における
ウエハの収容時間とが同期化していなかったり、露光処
理部から露光処理後のウエハが送出されてくるタイミン
グが遅延した際、当該遅延分を吸収できないために起こ
る問題である。ところが既述したように、ＰＥＢ処理に
おいては、オーバーベーキングを防止するため厳格な熱
処理時間が決められているため、そのままでは同期化で
きない。また遅延分に応じた時間管理ができない。

【００１３】またこのような問題は前記したウエハの塗
布・現像・露光処理システム以外にも、インターフェー
スを介して第１の処理部と次処理を行う第２の処理部と
を接続した処理システムにおいて、次処理である第２の
処理部での処理、収容時間が厳格に定められている場
合、第１の処理部での処理時間に遅延が生じた際に、第
２の処理部でかかる時間の遅延を吸収できない（対応で
きない）場合に起こり得る。

【００１４】本発明はかかる問題に鑑みてなされたもの
であり、例えば第１の処理部での処理時間に差があった
り、遅延が生じた場合にも、当該差分や遅延に対応して
以後の第２の処理部での収容時間を一定にして、第２の
処理部以降の被処理体に対する各種処理のタクトタイム
を一定にし、被処理体に対する処理のばらつきを防止し
て歩留まりの向上を図ることを目的とする。また本発明
は、露光処理部での所要時間に対応して前出第２の搬送
手段の動作タイミングを変更することにより、塗布・現
像・露光処理のスループットを向上することができるレ
ジスト処理方法を提供することを目的とする。さらにま
た本発明は、このレジスト処理方法を好適に実施できる
レジスト処理装置を提供することをもその目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被処理体に対して第１の処理を
行う第１の処理装置を備えた第１の処理部と、前記第１
の処理終了後に前記被処理体に対して第２の処理を行う
第２の処理装置、及び前記第２の処理後に前記被処理体
に対して各種の異なった処理を行う複数の次処理装置を
備えた第２の処理部と、前記第１の処理部と第２の処理
部との間で被処理体の受け渡しを行うインターフェース
部と、前記インターフェース部と前記第２の処理部にお
ける処理装置との間で被処理体の搬送を行う搬送手段と
を備えた処理システムにおいて、前記第１の処理装置で
の処理時間に応じて、前記第２の処理装置内における被
処理体の前待機時間を設定し、この前待機時間経過後に
前記第２の処理を実施するようにしたことを特徴とす
る。

【００１６】請求項２によれば、前記第２の処理装置に
おける被処理体の収容時間を、前記第２の処理部におけ
る他の次処理装置における被処理体の収容時間以上の長
さに設定し、かつ前記第１の処理部における被処理体の
設定収容時間よりも長く設定したことを特徴とする、処
理方法が提供される。

【００１７】また請求項３においては、第２の処理装置
における被処理体の収容時間を、第２の処理部における
他の処理装置における被処理体の収容時間以上の長さに
設定し、かつ前記第１の処理部における被処理体の設定
収容時間と等しく設定したことを特徴とする、処理方法
が提供される。

【００１８】これらの処理方法において、複数の被処理
体を順次処理していく場合には、請求項４に記載したよ
うに、所定枚数毎、前記前待機時間を設定するようにし
てもよい。例えば所定数の被処理体で１つの単位ロット
が構成される場合には、各ロットの最初の被処理体につ
いて前待機時間を設定するようにしてもよい。

【００１９】請求項１〜３の処理方法の場合、第１の処
理装置での処理時間に応じて、前記第２の処理装置内に
おける本来の処理時間に前待機時間を加算することにな
るので、例えば第１の処理部の収容時間と第２の処理装
置の収容時間を同期化させることが可能になる。また第
２の処理装置における被処理体の収容時間は第１の処理
部における被処理体の設定収容時間以上に長くすること
で、第１の処理装置での処理が終了した被処理体がイン
ターフェース部で留め置かれることはない。

【００２０】しかも前待機時間を加算して、第２の処理
装置における被処理体の収容時間を、前記第２の処理部
における他の次処理装置における被処理体の収容時間以
上の長さに設定すれば、この第２の処理装置での処理以
後の次処理を行う他の処理装置でのクトタイムにばらつ
きが生ずることはない。即ち、一旦第１の処理部と第２
の処理装置との間で同期化すれば、以後特にインターフ
ェース部を介さない限り、第２の処理以後は円滑な連続
処理が可能となる。

【００２１】請求項４の場合には、複数の被処理体を順
次していく場合に所定枚数毎、前記前待機時間を設定す
るようにしたので、効率よく実際のシステムを稼働させ
ることが可能になる。

【００２２】また請求項５によれば、表面にレジスト膜
が形成されかつこのレジスト膜が露光された被処理体に
対して熱処理を施すための熱処理部と、前記熱処理部で
熱処理が施された前記被処理体を冷却するための冷却処
理部と、前記冷却処理部で冷却された前記被処理体表面
のレジスト膜を現像するための現像処理部と、露光処理
装置との間で前記被処理体を受け渡すためのインターフ
ェース部と、前記熱処理部、前記冷却処理部、前記現像
処理部およびインターフェース部の間で前記被処理体を
搬送するための搬送手段とを具備するレジスト処理装置
において、前記インターフェース部において前記露光処
理装置から搬出された露光処理後の被処理体を前記搬送
手段が受け取る工程と、前記搬送手段により前記インタ
ーフェース部から前記熱処理部まで前記露光処理後の被
処理体を搬送する工程と、前記熱処理部において前記露
光処理後の被処理体に熱処理を施す工程と、前記熱処理
後の被処理体を搬送手段により前記熱処理部から前記冷
却処理部まで搬送する工程と、前記冷却処理部において
前記熱処理後の被処理体を冷却する工程と、前記搬送手
段により前記冷却処理後の被処理体を前記冷却処理部か
ら前記現像処理部まで搬送する工程と、前記現像処理部
において前記冷却処理後の被処理体上のレジスト膜を現
像する工程とを具備し、前記露光処理装置での収容時間
に基づいて前記熱処理部での収容時間を変更することを
特徴とする、レジスト処理方法が提供される。

【００２３】このようなレジスト処理方法において、熱
処理部での収容時間を熱処理部に搬送手段から被処理体
が受け渡されてから実質的に熱処理が開始するまでの前
待機時間と、実質的に熱処理が開始してから前記被処理
体が熱処理部から搬出されるまでの熱処理時間とに分
け、前待機時間を適宜延長、短縮するようにして、収容
時間全体を変更するようにしてもよい。この場合、熱処
理部での収容時間は、露光処理装置での処理の所要時間
と等しいか、それよりも長いものとすればよい。また同
時に、他の冷却処理部、現像処理部での処理の所要時間
と等しいか、それより長く設定すれば、以後の冷却処
理、現像処理が滞らず円滑に行える。

【００２４】このように熱処理部での収容時間は、露光
処理装置での処理の所要時間に基づいて変更するが、こ
の露光処理装置で所要時間を判定するにあたっては、露
光処理装置からの出力信号、例えば露光開始信号、露光
処理信号並びに露光終了信号等に基づいて判断するよう
にしてもよい。また別途入力手段を設け、この入力手段
により、入力された露光処理信号に基づいて決定しても
よい。

【００２５】また請求項６によれば、表面にレジスト膜
が形成された露光処理後の被処理体に対して熱処理を施
すための熱処理部と、前記熱処理部で熱処理が施された
前記被処理体を冷却するための冷却処理部と、前記冷却
処理部で冷却された前記被処理体の表面のレジスト膜を
現像するための現像処理部と、露光処理を行う露光処理
装置との間で前記被処理体を受け渡すためのインターフ
ェース部と、前記熱処理部、前記冷却処理部、前記現像
処理部およびインターフェース部の間で前記被処理体を
搬送するための搬送手段と、少なくとも前記熱処理部お
よび前記搬送手段の動作を制御可能であり、前記露光処
理装置での処理の所要時間に応じて前記熱処理部での収
容時間を変更することができる制御部とを具備したこと
を特徴とする、レジスト処理装置が提供される。

【００２６】このレジスト処理装置において、熱処理部
での収容時間を、前記熱処理部に搬送手段から被処理体
が受け渡されてから実質的に熱処理が開始するまでの前
待機時間と、実質的に熱処理が開始してから前記被処理
体が熱処理部から搬出されるまでの熱処理時間とに分
け、前記制御部によって前待機時間を変更自在するよう
に構成してもよい。そして熱処理部での収容時間は、露
光処理装置での収容時間と等しいか、それより長く設定
するとよい。また同時に熱処理部での収容時間を、冷却
処理部および現像処理部での収容時間以上の長さにすれ
ば、該熱処理部以降のこれら冷却処理部および現像処理
部等における各処理が滞ることなく円滑に行える。

【００２７】前記したレジスト処理装置における熱処理
部での収容時間は、露光処理装置での処理の所要時間に
基づいて制御部が変更するが、この露光処理装置で被処
理体の収容時間を判定するにあたっては、露光処理装置
からの出力信号、例えば露光開始信号、露光処理信号並
びに露光終了信号等に基づいて判断するようにしてもよ
い。また制御部に入力手段を設け、この入力手段によっ
て入力された露光処理信号に基づいて決定してもよい。

【００２８】さらにまた熱処理部は、その表面に載置さ
れた被処理体を加熱可能な載置台と、この記載置台から
離れて前記被処理体を保持できると共に前記被処理体を
前記載置台に移し換えることができる被処理体保持機構
とを具備するように構成してもよい。この場合、既述し
た熱処理部での収容時間の変更は、例えば前記被処理体
保持機構が被処理体を搬送手段から受取った後前記載置
台に移し換えるまでの時間を変更することが提案でき
る。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明すれば、図１は本発明の第１の実施形態を
実施するための処理システム１の平面構成の概略を示し
ており、この処理システム１は、被処理体である半導体
ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗに対して露光、及
びレジスト塗布・現像処理を行うシステムとして構成さ
れており、ウエハＷに対する露光処理は、第１の処理部
としての露光処理部２内の、例えば投影露光装置（図示
せず）によって実施され、ウエハＷに対するレジスト塗
布処理や、露光処理後の現像処理などは第２の処理部と
しての塗布・現像処理部３における対応した各種処理装
置によって実施されるようになっている。そして前記露
光処理部２と塗布・現像処理部３とは、図１、図２に示
したように、ウエハＷの受渡しを行うインターフェース
部４を介して接続されている。

【００３０】前記塗布・現象処理部２には、Ｘ方向（図
１における左右方向）に形成されたメイン搬送路５に沿
って移動自在でかつ昇降、回転自在な主処理部用の搬送
手段であるメイン搬送アーム６が設けられている。この
メイン搬送アーム６は、図３に示したように、上下に同
一構成の搬送アーム６ａ、６ｂを有しており、２枚のウ
エハＷを上下に保持することが可能である。

【００３１】前記メイン搬送路５の両側には、例えばウ
エハＷに対してレジストの密着性を向上させるためにレ
ジスト液塗布前に行うアドヒージョン処理を行う処理装
置が設けられたアドヒージョン部７、ウエハＷを所定の
温度にまで冷却する冷却装置が設けられた冷却部８、ウ
エハＷを所定の温度にまで加熱する熱処理装置が設けら
れたベーク部９、ウエハＷに対してレジスト液を塗布す
る塗布装置が設けられたレジスト塗布部１０、ウエハＷ
を現像処理する現像処理装置が設けられた現像部１１な
どの各種処理部が配置されている。

【００３２】前記インターフェース部４には、前記メイ
ン搬送路５の端部すなわち塗布・現像処理部３の搬出入
口３ａに面して、冷却機能を有する中間受渡し台１２が
設けられると共に、前記露光処理部２に面して搬入用載
置台１３および搬出用載置台１４が配置されている。そ
してレジスト液塗布後のウエハは、搬入用載置台１３に
載置され、露光処理後のウエハは搬出用載置台１４にそ
れぞれ載置されるように構成されている。

【００３３】前記インターフェース部４には、Ｘ方向、
及びこのＸ方向と直交するＹ方向、並びに図２に示した
Ｚ方向（上下方向）、および図１に示したように水平方
向に回転（θ方向）自在な、ウエハＷの受渡し用の搬送
機構１５が設けられており、前記搬入用載置台１３への
レジスト液塗布後のウエハの搬送、および前記搬出用載
置台１４からの露光処理後のウエハの搬送を担ってい
る。

【００３４】この搬送機構１５は図３に示したように、
例えばボールねじ機構によりＹ方向に移動される移動体
１６を有し、この移動体１６には昇降機構１７、および
回転機構１８を介して搬送基台１９が、昇降および回転
自在に設けられ、この搬送基台１９にはウエハＷを保持
するピンセット２０が進退自在に設けられている。そし
てこのピンセット２０の前端部および後端部にはウエハ
の前後の位置を規制する段部状の規制部２１、２２が設
けられており、前記ピンセット２０が後端位置まで後退
したときに、このピンセット２０に保持されているウエ
ハの後方側の周縁部に当接する当接部２３を内面に有す
る一対の位置決め部材２４が、ピンセット２０の移動路
を挟んで前記搬送基台１９の上方両側に設けられてい
る。

【００３５】前出ベーク部９内の熱処理装置には、露光
処理後のウエハに対してＰＥＢ処理を行うための、例え
ば図４に示した熱処理装置３１が設けられている。この
熱処理装置３１は、上部の開放した箱体３２を有し、こ
の箱体３２内にはウエハＷを載置してこれを加熱するた
めの載置台３３が配置されている。この載置台３３に
は、ウエハＷの受取り、受渡し時に載置台３３から突出
してウエハＷの下面を支持する複数本、例えば３本のピ
ン３４が昇降自在に嵌挿され、これらピン３４の下端部
は昇降枠３５を介して、昇降機構（図示せず）に連結さ
れている。

【００３６】前記載置台３３の上方には、ウエハＷの搬
出入用スペースＳを確保して上部カバー３６が設けら
れ、この上部カバー３６には加熱処理時に発生するガス
を排出する排気ダクト３７が接続されている。また前記
箱体３２内には、前記搬出入用スペースＳおよび載置台
３３の周囲を覆う円筒状のシャッタ３８が、昇降機構
（図示せず）によって昇降自在となるように設けられて
いる。

【００３７】そしてウエハＷがメイン搬送アーム６によ
って搬送されてくると、上昇したピン３４によってこの
ウエハＷを受け取り、シャッタ３８が上昇して、内部空
間は閉鎖される。この状態が前待機状態であり、この状
態では載置台３３は加熱されない。そして所定の時間の
前待機状態が経過すると、ピン３４が下降して、図５に
示したように、前記ウエハＷは載置台３３に載置され、
所定の熱処理が開始されるようになっている。

【００３８】かかる前待機状態と、熱処理状態にあるウ
エハの温度の推移（熱履歴）をみると、図６のグラフに
示したようになる。即ちウエハが前待機状態にあるとき
は、先のウエハを熱処理した際の装置内の残存熱（例え
ば箱体３２からの輻射熱）によって、ウエハは多少加熱
されるが、その勾配は極めて緩やかである。そしてかか
る前待機時間（ｔ₁）経過後、所定の加熱処理が開始さ
れると、直ちにウエハの温度は上昇し、所定の熱処理時
間（ｔ₂）の間は、所定の処理温度、例えば９０゜Ｃに
維持される。この熱処理が終了するとウエハは直ちに熱
処理装置３１から搬出され、次処理である冷却処理を行
うため、メイン搬送アーム６によって速やかに冷却部８
へと搬送されるのである。

【００３９】従って、前記前待機時間（ｔ₁）＋熱処理
時間（ｔ₂）の合計が、ウエハの熱処理装置３１内への
収容時間（Ｔ）となる。かかる収容時間（Ｔ）の間、メ
イン搬送アーム６は、後述の中央制御装置４１の制御に
よって前記塗布・現像処理部２における各種処理装置間
でのウエハの搬送に従事する。なおこの収容時間（Ｔ）
は、塗布・現像処理部３内の各種処理装置のタクトタイ
ムよりも長くなるように設定される。

【００４０】以上の構成にかかる処理システム１の制御
系については、次のように構成されている。即ち塗布・
現像処理部３内の各種処理装置、メイン搬送アーム６及
びインターフェース部４内の搬送機構１５は、中央制御
装置４１によって制御される。そして図７に示すように
本実施形態においては、露光処理部２内の投影露光装置
（図示せず）からの適宜の信号が中継装置４２へと入力
され、そこで必要な変換等が行われて、中央制御装置４
１の演算に必要な情報として中央制御装置４１へと出力
される構成となっている。そして前記中央制御装置４１
においては、前出メイン搬送アーム６及び熱処理装置３
１に対して、所定の前待機指示信号を出力するようにな
っている。なお前記投影露光装置から中継装置４２へと
出力する信号としては、例えば露光処理開始信号Ａ、露
光処理信号（現在露光処理を行っている信号）Ｂや、露
光処理終了信号Ｃが採用できる。

【００４１】本実施形態を実施するための処理システム
の主要部は以上のように構成されており、次に実施形態
にかかる処理方法について説明すると、まず露光処理に
付されるウエハは、塗布・現像処理部２内のアドヒージ
ョン部７、冷却部８、塗布部１０、ベーク部９にてそれ
ぞれ順次所定の処理がなされ、その表面にレジスト膜が
形成された後、メイン搬送アーム５により中間受渡し台
１２に受渡され、次いで受渡し用の搬送機構１５によっ
て搬入用載置台１３へと搬送され、露光処理部２内にあ
る投影露光装置（図示せず）によって所定の露光処理が
開始される。

【００４２】このとき投影露光装置からは、例えば露光
処理信号Ｂが中継装置４２へと出力され、さらにこの信
号をＢ’に変更して出力し、それに基づき、中央制御装
置４１では、露光処理後のウエハが搬出載置台１４へと
送出される時間を予測し、前出メイン搬送アーム６及び
熱処理装置３１に対して、必要な動作信号や前待機状態
の設定信号を出力する。本実施形態においては、前待機
時間＋熱処理時間の合計、即ち前出収容時間（Ｔ）が、
露光処理部２内にウエハＷが滞在する時間と一致するよ
うに、前待機時間ｔ₁が自動的に設定され、露光処理部
２内の投影露光装置のタクトタイムと、ＰＥＢ処理を行
う熱処理装置３１のタクトタイムとが一致するように設
定される。

【００４３】これによって露光処理後のウエハが、搬送
載置台１４に送出されて搬送機構１５によって中間受渡
し台１２に載置されたときには、メイン搬送アーム６が
ちょうど、当該露光処理後のウエハを受け取る位置、即
ち塗布・現像処理部３の搬出入口３ａに移動したタイミ
ングとすることができる。

【００４４】かかる時間設定、管理がなされていると、
ウエハを連続処理していく場合、メイン搬送アーム６
が、当該露光処理後のウエハを受け取りに塗布・現像処
理部３の搬出入口３ａに移動した際には、常に露光処理
後のウエハが中間受渡し台１２上に載置されているの
で、一定のプロセス条件で処理が行える。従って、従来
のようないわゆる搬送アームの「空振り」現象が防止で
き、それゆえ露光処理後のウエハが中間受渡し台１２上
に留め置かれることはない。

【００４５】そして中間受渡し台１２に載置された露光
処理後のウエハＷは、メイン搬送アーム６の下方の搬送
アーム６ｂによって取りあげられ、ベーク部９内にある
ＰＥＢ処理を行う熱処理装置３１へと搬送され、ちょう
ど所定のＰＥＢ処理が完了した先のウエハと交換され、
今度はこの露光処理直後のウエハがＰＥＢ処理に付され
る。そしてＰＥＢ処理が完了した先のウエハは、次処理
である冷却処理を行う冷却部の冷却装置（図示せず）８
へと速やかに搬送されるのである。従って、常に一定の
タクトタイムで露光処理→ＰＥＢ処理→冷却処理を実施
することができる。従って、例えば化学増幅型レジスト
を使用したフォトリソグラフィー工程においても安定し
た処理が可能となる。

【００４６】そして前記収容時間（Ｔ）は、塗布・現像
処理部３内の各種処理装置のタクトタイムよりも長くな
るように設定されているので、前記露光処理→ＰＥＢ処
理→冷却処理のタクトタイムが一定に維持されると、以
後の処理のタクトタイムも一定に保つことが可能であ
り、途中でウエハが滞ってタクトタイムがばらつくこと
はない。従って、処理の均一性が確保され、歩留まりが
向上する。

【００４７】なお前記した投影露光装置と熱処理装置３
１のタクトタイムを一致するために設定した前待機時間
（ｔ₁）の間、ウエハの温度上昇は、図６に示したよう
に、極めて緩やかな上昇線をたどるので、熱履歴上、Ｐ
ＥＢ処理を行うウエハに対して悪影響を与えない。

【００４８】また中央制御装置４１による前待機時間
（ｔ₁）の設定、変更は、実際の運用上、各ロットの最
初のウエハに対して行うようにすれば、効率よくタクト
タイムの統一を図ることができる。さらにまたウエハに
露光処理を行う露光処理部２内の投影露光装置からの信
号は、露光処理信号に限らず、例えば露光処理開始信号
や露光処理終了信号の他に、搬送用載置台１４への送出
信号であってもよく、要するに少なくとも当該投影露光
装置のタクトタイムを予測、判定できるものであればよ
い。

【００４９】次に第２の実施形態について説明する。図
８は第２の実施形態にかかるレジスト処理システム５０
の外観を示しており、ウエハＷは収納容器としてのキャ
リア５１内に複数枚収納されており、このキャリア５１
は、キャリアステージ５２に複数搭載されて、ロード、
アンロードされる。またこのキャリアステージ５２に連
なって前記キャリア５１に対してウエハＷを口ードまた
はアンロードする搬送機構５３が設けられている。

【００５０】そしてキャリアステージ５２に連なって塗
布現像処理部５４が設けられている。この塗布現像処理
部５４は、その中央にメイン搬送アーム５５が設けられ
ており、このメイン搬送アーム５５の一側に面して、ベ
ーク部５６、冷却部５７、アドヒージョン部５８がキャ
リアステージ５２側から順に設けれられている。なおベ
ーク部５６には、前出第１の実施形態にかかる処理シス
テム１のベーク部９に装備された熱処理装置３１と同一
の熱処理装置が装備されている。またメイン搬送アーム
５５の他側に面して、現像部５９および複数の塗布部６
０、６０がキャリアステージ５２側から順に設けれられ
ている。さらに塗布現像処理部５４は、露光処理ユニッ
ト６１との間でウエハＷの受渡を行うためのインターフ
ェース部６２を備えている。

【００５１】メイン搬送アーム５５は、図９に示すよう
に、メイン搬送路６３の上に移動可能に取り付けられ、
例えばボールネジのような駆動機構によりこのメイン搬
送路６３に沿って移動することができる。メイン搬送ア
ーム５５は、図１０、図１１に示すように２つのウエハ
支持ア一ム６４、６５を備えている。これらウエハ支持
ア一ム６４、６５は互いに平行かつ間隔をあけてほぼ垂
直方向に配置され、さらにこれらウエハ支持アーム６
４、６５は互いに独立して前進および後進を行うことが
可能である。またウエハ支持アーム６４、６５は回転駆
動手段（図示せず）により回転運動も可能である。

【００５２】インターフェース部６２は、図９に示すよ
うに、メイン搬送アーム５５のメイン搬送路６３のイン
ターフェース部６２側の末端に対応した位置に、中間ス
テージ６６を備えている。またインターフェース部６２
と露光処理ユニット６１との間には、イン側ステージ６
７とアウト側ステージ６８が設けられている。

【００５３】インターフェース部６２には、前記中間受
け渡し台６６と、イン側ステージ６７又はアウト側ステ
ージ６８の何れかの一方との間でウエハＷを受け渡しす
る搬送機構７０が設けられている。この搬送機構７０
は、搬送路７１およびこの搬送路７１上を例えばボール
ネジ機構によりＹ方向に移動自在な移動体７２を具備し
ている。移動体７２には昇降機構７３が取り付けられ、
この昇降機構７３にはさらに回転機構７４が取り付けれ
ている。また回転機構７４には基台７５が取り付けられ
ている。基台７５は、昇降機構７３及び回転機構７４に
よって昇降、回転が自在である。そして基台７５には、
ウエハＷを支持するためのピンセット８１が進退自在に
設けられている。

【００５４】ピンセット８１は、図１１に示すように、
ウエハＷが載置されるメインステージ８２を具備し、そ
の前端部および後端部にウエハＷの動きを制限するため
の、段状のストッパ８３、８４が設けられている。また
基台７５には、ピンセット８１が最も後退したときに、
ウエハＷの後方側の周縁部に当接する当接面８５、８６
を有する位置決め部材８７、８８がピンセット８１を挟
んで両側に夫々設けられている。

【００５５】次に本実施形態にかかるレジスト処理シス
テム５０の制御部９０について説明する。図９に示した
ように、制御部９０は、中央制御装置９１を備えてい
る。この中央制御装置９１には、露光処理ユニット６１
から中継装置９２を介して信号が入力されるようになっ
ている。また前記中央制御装置９１は、インターフェー
ス部６２との間で信号をやり取りできるようになってい
る。さらにこの中央制御装置９１は、ベーク部５６およ
びメイン搬送アーム５５に所定の制御信号を出力できる
ようになっている。なおこの中央制御装置９１は、入力
手段や表示手段を有していても良い。

【００５６】以上の構成からなるレジスト処理システム
５０においては、例えば図１２〜図１４に示したフロー
チャートに従いつつ、ウエハＷに対するレジスト処理が
行われる。

【００５７】まずウエハＷに、塗布現像処理ユニット５
４に設けられたアドヒージョン部５８および塗布部６０
において所定の処理が施されて、その表面にレジスト膜
が形成される。その後メイン搬送アーム５５によって、
インターフェース部６２の中間ステージ６６に渡され
る。次いで搬送機構７０により、ウエハＷがイン側ステ
ージ６７に載置される（ステップＳ1）。ウエハＷがイ
ン側ステージ６７に載置されると、中央制御装置９１
は、露光処理ユニット６１にイン側ウエハ渡し信号ＳＩ
Ｇ（ＩＮ）を出力する（ステップＳ2）。

【００５８】露光処理ユニット６１では、イン側ウエハ
渡し信号ＳＩＧ（ＩＮ）に応じて、ウエハＷのアライメ
ントが行われ（ステップＳ3）、次いで露光処理が開始
される（ステップＳ4）。露光処理が開始されると、露
光処理ユニット６１から露光処理開始信号ＳＩＧ（Ｅ
ｓ）が制御部９０に出力される。この露光開始信号ＳＩ
Ｇ（Ｅｓ）は、中継装置９２に一旦入力され、変換等の
必要な処理が施された後、中央制御装置９１に出力され
る（ステップＳ5）。

【００５９】露光処理ユニット６１に備えられた制御機
構は、露光処理中か否かを判断し（ステップＳ6）、露
光処理中の場合には、露光処理ユニット６１から制御部
９０に露光処理中信号ＳＩＧ（Ｅｉ）を出力する（ステ
ップＳ7）。また露光処理が終了したときに、露光処理
ユニット６１から制御部９０に露光終了信号ＳＩＧ（Ｅ
ｅ）が出力される（ステップＳ8）。次いで露光処理ユ
ニット６１は、ウエハＷをインターフェース部６２のア
ウト側ステージ６８に載置する（ステップＳ9）。ウエ
ハＷがアウト側ステージ６８に載置されると、露光処理
ユニット６１から制御部９０に、アウト側ウエハ渡し信
号ＳＩＧ（ＯＵＴ）が出力される（ステップＳ10）。そ
の後制御部９０がインターフェース部６２に制御信号を
出力し、ウエハＷは、アウト側ステージ６８から中間ス
テージ６６に移し替えられる（ステップＳ11）。

【００６０】中間ステージ６６にウエハＷが載置される
と、制御部９０がメイン搬送アーム５５に対して制御信
号を出力し、メイン搬送アーム５５にインターフェース
部６２からベーク部５６にウエハＷを搬送させる（ステ
ップＳ12）。

【００６１】ベーク部５６では、図１３に示すようにＰ
ＥＢ処理がウエハＷに施される（ステップＳ13）。ま
ず、メイン搬送アーム５５がウエハＷを保持したウエハ
支持アーム６４、６５の何れか一方を前進させ、次いで
当該ウエハ支持アームを下降させることにより、ウエハ
Ｗを熱処理装置３１のピン３４の上に載置する（ステッ
プＳ21）。このときピン３４は、図４に示すように載置
台３３から突出している。従ってウエハＷはこの載置台
３３から離れている。この状態を前待機という（ステッ
プＳ22）。

【００６２】なおメイン搬送アーム５５はウエハＷをベ
ーク部５６に渡した後は、所定の手順に従って他の処理
部の間で他のウエハＷの搬送を行う。

【００６３】前待機時間ｔ₁が経過した後、制御部９０
からの制御信号に応じて熱処理装置３１では、図５に示
すように、ピン３４が下降し、ウエハＷを載置台３３の
表面に載置する（ステップＳ23）。この状態を主処理と
いう（ステップＳ24）。そして主処理時間ｔ₂が経過し
た後、制御部９０からの制御信号に応じてピン３４が上
昇し、載置台３３からウエハＷを持ち上げる（ステップ
Ｓ25）。

【００６４】制御部９０は、主処理が終了する前に、他
の処理に従事していたメイン搬送アーム５５を再びベー
ク部５６の前に移動させる。熱処理装置３１のピン３４
が上昇した後、メイン搬送アーム５５は空いているウエ
ハ支持アーム６４、６５の何れか一方を前進させ、次い
で当該ウエハ支持アームを上昇させることにより、ウエ
ハＷをピン３４から受け取る。

【００６５】このようにしてＰＥＢ処理が終了した後、
メイン搬送アーム５５は、制御部９０の制御に従って、
ウエハＷをベーク部５６から冷却部５７に搬送する（ス
テップＳ14）。冷却部５７では、ウエハＷが所定のレシ
ピに従って冷却される（ステップＳ15）。その後メイン
搬送アーム５５は、制御部９０の制御に従って、ウエハ
Ｗを冷却部５７から現像部５９に搬送する（ステップＳ
16）。現像部２０では、ウエハＷが所定のレシピに従っ
て現像される（ステップＳ17）。現像が終了すると、メ
イン搬送アーム５５はウエハＷを現像部２０から５２に
渡し（ステップＳ18）、キャリアステージ５２の搬送機
構５３により、ウエハＷはキャリア５１に収納される
（ステップＳ19）。

【００６６】以上説明したレジスト処理において、制御
部９０は、以下のようにして塗布現像ユニット５４にお
ける、メイン搬送アーム５５およびベーク部５６の動作
タイミングを制御する。

【００６７】以下の説明において、各種記号は次の意味
を表す。Ｔ₁；露光処理ユニット６１における処理の所要時間Ｔ₂；インターフェース部６２で露光処理後のウエハＷ
がベーク部５６に達するまでの所要時間Ｔ₃；ベーク部５６におけるＰＥＢ処理のための総所要
時間（収容時間）Ｔ₄；冷却部５７における所要時間Ｔ₅；現像部５９における所要時間Ｔ₆；アドヒージョン部５８における所要時間Ｔ₇；塗布部６０における所要時間

【００６８】ここでＴ₃は、図１５に示すように、前待
機時間ｔ₁と、主処理時間ｔ₂および後待機時間ｔ₃との
合計を示す。前待機時間ｔ₁とは、ベーク部５６にウエ
ハＷが到達してから実際にウエハＷが加熱される主処理
が開始するまでの時間をいう。言い換えれば、メイン搬
送アーム５５がウエハＷをベーク部５６の熱処理装置３
１のピン３４の上に渡してから、ピン３４が下がってウ
エハＷが載置台３３の上に載せられるまでの時間であ
る。

【００６９】主処理時間ｔ₂は、主処理の所要時間、す
なわち実際にウエハＷが載置台３３の上で加熱される時
間である。また後待機時間ｔ₃は、主処理が終了した後
再びウエハＷがピン３４からメイン搬送アーム５５に渡
されるまでの時間をいう。主処理時間ｔ₂および後待機
時間ｔ₃が実質的なウエハに対する熱処理、すなわちＰ
ＥＢ処理の所要時間である。

【００７０】制御部９０は、露光処理ユニット６１から
出力される露光開始信号ＳＩＧ（Ｅｓ）、露光処理中信
号ＳＩＧ（Ｅｉ）および露光終了信号（Ｅｅ）に基づい
て露光処理ユニット６１における処理の所要時間Ｔ₁を
決定する。次いで、制御処理部９０は、所要時間Ｔ₁に
基づいてＰＥＢ処理のための総所要時間Ｔ₃が所定の条
件を満たすように決定する。すなわち、その条件とは、
Ｔ₃がＴ₁以上（Ｔ₃≧Ｔ₁）であることである。

【００７１】ここで、ＰＥＢ処理のための総所要時間Ｔ
₃のうち、主処理時間ｔ₂はレジストの種類等の諸条件に
より一定に保持されるべきものである。この時間ｔ₂を
僅かでも延長することは、いわゆるオーバーベーキング
を引き起こすことになる。一方、後待機時間ｔ₃はメイ
ン搬送アーム５５およびベーク部５６によるウエハＷの
受渡が開始するまでに不可避な時間であり、オーバーベ
ーキング防止の点からすると、できる限り短いことが好
ましい。従って、総所要時間Ｔ₃のうち主処理時間ｔ₂お
よび後待機時間ｔ₃は変更できず、前待機時間ｔ₁を変更
し、総所要時間Ｔ₃を延長又は短縮する必要がある。

【００７２】具体的には、露光処理のための所要時間Ｔ
₁が１１０秒である場合、ＰＥＢのための総所要時間Ｔ₃
を１１０秒以上にする必要がある。例えば総所要時間Ｔ
₃のうち、主処理時間ｔ₂は９０秒、後待機時間ｔ₃を
１．５秒とすると、これらの値は常に一定なものであ
る。従って、この場合の前待機時間ｔ₁は、１１０秒−
（９０秒＋１．５秒）＝１８．５秒以上である必要があ
る。

【００７３】制御部９０は、上述のように決定された値
に従ってＰＥＢ処理のための総所要時間Ｔ₃が達成され
るように、ベーク部５６を制御する。具体的には、図１
４に示す前待機（ステップＳ22）の工程において、ピン
３４にウエハＷが載置された後、決定された前待機時間
ｔ₁が経過した後、ピン３４を下げて（ステップＳ23）
主処理を開始させる（ステップＳ24）。

【００７４】上述のように、ＰＥＢのための総所要時間
Ｔ₃を露光のための所要時間Ｔ₁以上に制御することによ
り、メイン搬送アーム５５がインターフェース部６２の
中間ステージ６６近傍のウエハＷを受け取るための位置
に到達し、ウエハＷの受け取り動作を行う際にはウエハ
Ｗが中間ステージ６６に必ず載置されていることにな
る。このため、メイン搬送アーム５５がインターフェー
ス部６２に到着したときにウエハＷが中間ステージ６６
になくとも受け取りのための動作を行うこと（アームの
空振り現象）を防止し、ウエハＷを受け取ることなくＰ
ＥＢ処理、冷却処理および現像処理を行わせるためのウ
エハＷの搬送動作をメイン搬送アームが行ってしまうこ
とが防止できる。この結果、ウエハＷのレジスト処理プ
ロセス全体のスループツトの向上が図られる。

【００７５】一方、所定のタイミングよりも遅れて中間
ステージ６６に到達したウエハＷは、再びメイン搬送ア
ーム５５が来るまでインターフェース部６２内に留め置
かれる。従って、インターフェース部６２で露光処理後
のウエハＷがベーク部５６に達するまでの所要時間Ｔ₂
が長くなる。このような場合にレジストが化学増感型で
あると、レジストの露光された部分の寸法が変化し、現
像後に所定の寸法のレジストパターンが得られないこと
がある。しかしながら、本実施形態によればウエハＷが
中間ステージ６６に必要以上に留め置かれることがない
ので、レジストに化学増感型を用いた楊合にも所定の寸
法のレジストパターンが得られる。このように本実施形
態のプロセスによれば、前待機時間ｔ₁の調整でインタ
ーフェース部６２で露光処理後のウエハＷがベーク部５
６に達するまでの所要時間Ｔ₂も一定に保つことができ
る。

【００７６】以上の効果は、何らかの理由により露光処
理のための所要時間Ｔ₁が変化しても何ら代わりがな
い。本実施形態のレジスト処理プロセスでは、１枚のウ
エハＷについて露光処理のための所要時間Ｔ₁を実際に
測定し、この値に基づいて最適なＰＥＢのための総所要
時間Ｔ₃を決定しているからである。しかもＰＥＢのた
めの総所要時間（収容時間）Ｔ₃は、前待機時間ｔ₁を変
更することにより延長又は短縮される。このため、主処
理時間ｔ₂および後待機時間ｔ₃を一定に保つことができ
る。前待機でのウエハＷは、前にウエハを熱処理した際
のベーク部５６内の残存熱、例えば箱体３２からの輻射
熱により若干加熱される。

【００７７】しかしながらウエハＷの温度は、図１５に
示すように極めて緩やかに上昇する。その後、主処理が
始まるとウエハＷの温度は速やかに上昇し、主処理時間
ｔ₂の間は、所定の処理温度、例えば９０℃に維持され
る。主処理終了後、後待機ではウエハＷは速やかに冷却
され始める。このため、前待機時間ｔ₁が変化してもＰ
ＥＢ処理後のウエハＷの表面上のレジストに対してほと
んど影響がない。この結果、オーバーベーキングを防止
できる。また、複数枚のウエハＷを本実施形態のレジス
ト処理システム５０において処理した場合に、ウエハＷ
ごとの主処理時間ｔ₂および後待機時間ｔ₃を一定に保つ
ことができ、複数のウエハＷの間でのレジストの現像処
理をほぼ均一に行うことができる。

【００７８】ＰＥＢの総所要時間Ｔ₃のより好ましい条
件は、Ｔ₃が塗布現像処理ユニット５４のベーク部５６
以外の処理部、すなわち、冷却部５７、現像部５９、ア
ドヒ一ジョン部５８および塗布部６０での所要時間Ｔ₄
〜Ｔ₇よりも長い（Ｔ₃＞Ｔ₄〜Ｔ₇）ことである。この場
合、冷却部５７および現像部５９での所要時間Ｔ₄およ
びＴ₅が常に一定に維持することが可能になる。その結
果、レジストに対する処理条件が、複数のウエハＷの間
で均一になり、不良品の発生が抑制され、歩留まりが向
上する。

【００７９】各処理部での所要時間Ｔ₄〜Ｔ₇を常に一定
に維持できると言うことは、メイン搬送アーム５５が、
ウエハＷをベーク部５６に受け渡した後再びＰＥＢ処理
後の同じウエハＷを受け取るためにベーク部５６の近く
の所定位置に戻ってくるまでの時間（以下、メイン搬送
アーム５５の１サイクル時間という）を常に一定にでき
るということである。このため、メイン搬送アーム５５
の１サイクル時間を、ウエハＷがＰＥＢの主処理が終了
した時にメイン搬送アーム５５が既に所定位置に戻って
きているように予め設定しておけば、このメイン搬送ア
ーム５５の１サイクル時間は常に守られるため、後待機
時間ｔ₃を可能な限り短縮することが可能である。

【００８０】本発明の塗布−露光−現像処理プロセスの
好ましい態様の一つは、ＰＥＢ処理のための総所要時間
Ｔ₃と露光処理のための所要時間Ｔ₁とが同ーである（Ｔ
₃＝Ｔ₁）場合である。この場合、露光終了後のウエハＷ
は、インターフェース部６２の中間ステージ６６にほと
んど留め置かれることなく、メイン搬送アーム５５によ
り受け取られ、ベーク部５６に搬送される。また、ＰＥ
Ｂの総所要時間Ｔ₃を露光処理のための所要時間Ｔ₁に一
致させる際に、前待機時間ｔ₁を変更することでＰＥＢ
の総所要時間Ｔ₃を変化させている。このため、主処理
時間ｔ₂および後待機時間ｔ₃を一定に維持でき、複数枚
のウエハＷの間のＰＥＢ処理条件を均一にできる。

【００８１】上述の第２の実施形態では、露光処理ユニ
ット６１での処理の所要時間Ｔ₁を、露光処理ユニット
６１から出力される露光開始信号ＳＩＧ（Ｅｓ）、露光
処理中信号ＳＩＧ（Ｅｉ）および露光終了信号（Ｅｅ）
に基づいて決定している。しかしながらかかる例に代え
て、作業者が露光処理ユニット６１に備え付けられた入
力手段により露光処理ユニット６１での露光処理時間を
入力し、同じ値を、図９に示す制御部９０に設けられた
入力手段１００により制御部９０に入力し、この入力値
に基づいて制御部９０が露光処理ユニット６１での処理
の所要時間Ｔ₁を決定し、上述と同様の制御を行っても
よい。

【００８２】また作業者が露光処理ユニット６１に備え
付けられた入力手段により露光処理ユニット６１での処
理の露光処理時間を入力した場合に、露光処理ユニット
６１から信号伝達系が介してこの値が信号として制御部
９０へ伝達され、この信号に基づいて制御部９０が露光
処理ユニット６１での処理の所要時間Ｔ₁を決定し、上
述と同様の制御を行っても良い。また、露光処理ユニッ
ト６１での処理の所要時間は、インターフェース部６２
によりイン側ステージ６７にウエハＷが載置されたこ
と、および、露光処理ユニット６１からのアウト側ウエ
ハ渡し信号ＳＩＧ（ＯＵＴ）に基づいて、制御部９０が
決定しても良い。また制御部９０により、前待機時間ｔ
₁の設定および変更は、実際には、ウエハＷの各ロット
の最初にウエハＷに対してのみ行ってもよい。

【００８３】なお前記各実施形態は、ウエハに対してレ
ジスト液塗布−露光処理−現像処理を行う処理システム
１を用いて実施した例であったが、本発明は、それ以外
にもインターフェースを介して第１の処理部と次処理を
行う第２の処理部とを接続した処理システムにおいて、
次処理である第２の処理部での処理、収容時間の管理を
厳格に定める必要がある場合に適用できる。

【００８４】

【発明の効果】請求項１〜３の場合、第１の処理装置で
の処理時間に応じて、前記第２の処理装置内における本
来の処理時間に前待機時間を加算することになるので、
例えば第１の処理部の収容時間と第２の処理装置の収容
時間を同期化させることが可能になる。また第２の処理
装置における被処理体の収容時間は第１の処理部におけ
る被処理体の設定収容時間よりも長くすることで、第１
の処理装置での処理が終了した被処理体がインターフェ
ース部で留め置かれることはない。しかも前待機時間を
加算して、第２の処理装置における被処理体の収容時間
を、前記第２の処理部における他の次処理装置における
被処理体の収容時間よりも長く設定すれば、この第２の
処理装置での処理以後の次処理を行う他の処理装置での
クトタイムにばらつきが生ずることはない。即ち、一旦
第１の処理部と第２の処理装置との間で同期化すれば、
以後特にインターフェース部を介さない限り、第２の処
理以後は円滑な連続処理が可能となる。

【００８５】請求項４の場合には、複数の被処理体を順
次していく場合、所定枚数毎、前記前待機時間を設定す
るようにしたので、効率よく実際のシステムを稼働させ
ることが可能になる。

【００８６】請求項５のレジスト処理方法によれば、露
光処理装置での所要時間に対応して熱処理部での収容時
間を変更させることができるので、露光処理装置におい
て遅延等があった場合、当該遅延分を次処理である熱処
理部で吸収させることができる。したがって、レジスト
処理装置における各処理部での処理を滞らせることな
く、円滑に実施でき、スループットが向上する。

【００８７】請求項６のレジスト処理装置によれば、制
御部の制御によって請求項５のレジスト処理方法を好適
に実施できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を実施するための処理
システムの平面説明図である。

【図２】図１の処理システムにおけるインターフェース
部の正面説明図である。

【図３】図２のインターフェース部の概観を示す斜視図
である。

【図４】図１の処理システムにおけるＰＥＢ処理を行う
ための熱処理装置の前待機状態の様子を示す断面説明図
である。

【図５】図４の熱処理装置の熱処理状態の様子を示す断
面説明図である。

【図６】前待機時間を設けた場合のウエハの熱履歴を示
すグラフである。

【図７】本発明の第１の実施形態の動作を説明するため
の制御フローを示した説明図である。

【図８】本発明の第２の実施形態にかかるレジスト処理
システムの外観を示す斜視図である。

【図９】図８のレジスト処理システムの平面説明図であ
る。

【図１０】図８のレジスト処理システムにおけるインタ
ーフェース部の正面説明図である。

【図１１】図１０のインターフェース部の概観を示す斜
視図である。

【図１２】図８のレジスト処理システムを用いたレジス
ト処理プロセスのフローを示した説明図である。

【図１３】図８のレジスト処理システムを用いたレジス
ト処理プロセスのフローを示した説明図である。

【図１４】図８のレジスト処理システムにおけるベーク
部の熱処理プロセスのフローを示した説明図である。

【図１５】図８のレジスト処理システムを用いたＰＥＢ
処理におけるウエハの熱履歴経過と時間との関係を示す
グラフである。

【符号の説明】

１処理システム２露光処理部３塗布・現像処理部４インターフェース部６メイン搬送アーム８冷却部９ベーク部１２中間受渡し台１５搬送機構３１熱処理装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に対して第１の処理を行う第１
の処理装置を備えた第１の処理部と、前記第１の処理終
了後に前記被処理体に対して第２の処理を行う第２の処
理装置、及び前記第２の処理後に前記被処理体に対して
各種の異なった処理を行う複数の次処理装置を備えた第
２の処理部と、前記第１の処理部と第２の処理部との間
で被処理体の受け渡しを行うインターフェース部と、前
記インターフェース部と前記第２の処理部における処理
装置との間で被処理体の搬送を行う搬送手段と、を備え
た処理システムにおいて、前記第１の処理装置での処理時間に応じて、前記第２の
処理装置内における被処理体の前待機時間を設定し、こ
の前待機時間経過後に前記第２の処理を実施することを
特徴とする、処理方法。
【請求項２】第２の処理装置における被処理体の収
容時間を、第２の処理部における他の次処理装置におけ
る被処理体の収容時間以上の長さに設定し、かつ第１の
処理部における被処理体の設定収容時間よりも長く設定
したことを特徴とする、請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】第２の処理装置における被処理体の収容
時間を、第２の処理部における他の処理装置における被
処理体の収容時間以上の長さに設定し、かつ第１の処理
部における被処理体の設定収容時間と等しく設定したこ
とを特徴とする、請求項１に記載の処理方法。
【請求項４】複数の被処理体を順次処理していく場合
に、所定枚数毎に前記前待機時間を設定することを特徴
とする、請求項１、２又は３に記載の処理方法。
【請求項５】表面にレジスト膜が形成されかつこのレ
ジスト膜が露光された被処理体に対して熱処理を施すた
めの熱処理部と、前記熱処理部で熱処理が施された前記
被処理体を冷却するための冷却処理部と、前記冷却処理
部で冷却された前記被処理体表面のレジスト膜を現像す
るための現像処理部と、露光処理装置との間で前記被処
理体を受け渡すためのインターフェース部と、前記熱処
理部、前記冷却処理部、前記現像処理部およびインター
フェース部の間で前記被処理体を搬送するための搬送手
段とを具備するレジスト処理装置において、前記インタ
ーフェース部において前記露光処理装置から搬出された
露光処理後の被処理体を前記搬送手段が受け取る工程
と、前記搬送手段により前記インターフェース部から前
記熱処理部まで前記露光処理後の被処理体を搬送する工
程と、前記熱処理部において前記露光処理後の被処理体
に熱処理を施す工程と、前記熱処理後の被処理体を搬送
手段により前記熱処理部から前記冷却処理部まで搬送す
る工程と、前記冷却処理部において前記熱処理後の被処
理体を冷却する工程と、前記搬送手段により前記冷却処
理後の被処理体を前記冷却処理部から前記現像処理部ま
で搬送する工程と、前記現像処理部において前記冷却処
理後の被処理体上のレジスト膜を現像する工程とを具備
し、前記露光処理装置での処理の所要時間に基づいて前
記熱処理部での収容時間を変更することを特徴とする、
レジスト処理方法。
【請求項６】表面にレジスト膜が形成された露光処理
後の被処理体に対して熱処理を施すための熱処理部と、
前記熱処理部で熱処理が施された前記被処理体を冷却す
るための冷却処理部と、前記冷却処理部で冷却された前
記被処理体の表面のレジスト膜を現像するための現像処
理部と、露光処理を行う露光処理装置との間で前記被処
理体を受け渡すためのインターフェース部と、前記熱処
理部、前記冷却処理部、前記現像処理部およびインター
フェース部の間で前記被処理体を搬送するための搬送手
段と、少なくとも前記熱処理部および前記搬送手段の動
作を制御可能であり、前記露光処理装置での処理の所要
時間に応じて前記熱処理部での収容時間を変更すること
ができる制御部とを具備したことを特徴とする、レジス
ト処理装置。