CN112640320A - 具有四个共面天线元件的用于无线功率传输的近场天线 - Google Patents

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Abstract

提供了一种近场天线,近场天线包括:反射器和偏离反射器的四个不同的天线元件,四个不同的天线元件中的每一个遵循相应曲折图案。四个天线元件中的两个天线元件沿着第一轴线形成第一偶极子天线,并且四个天线元件中的另外两个天线元件沿着垂直于第一轴线的第二轴线形成第二偶极子天线。近场天线还包括:(i)功率放大器,功率放大器被配置成向偶极子天线中的一个馈送电磁信号,(ii)阻抗调节组件,阻抗调节组件被配置成调节偶极子天线中的一个的阻抗,以及(iii)开关电路系统,开关电路系统耦合到功率放大器、阻抗调节组件和偶极子天线。开关电路系统被配置成可切换地将第一偶极子天线耦合到功率放大器,并且将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件,反之亦然。

Description

具有四个共面天线元件的用于无线功率传输的近场天线
技术领域
本文的实施例总体上涉及近场无线功率传输系统(例如,天线、软件和在这种系统中使用的设备),并且更具体地,涉及一种具有四个共面天线元件的用于无线功率传输的近场天线,四个共面天线元件中的每个遵循各自的曲折图案。
背景技术
常规充电垫利用感应线圈生成用于对设备充电的磁场。用户通常必须将设备放置在充电垫上的特定位置处,并且不能在不中断或终止设备的充电的情况下将设备移动到充电垫上的不同位置。这导致许多用户的令人沮丧的体验,因为他们可能不能将设备定位在垫上的开始对他们的设备充电的准确的正确位置处。通常,用户可能认为他们的设备已经被正确定位,但可能几个小时后沮丧地发现传送了很少能量(或没有传送能量)。
常规充电垫还利用分布在多个不同集成电路上的元件。这种配置导致处理延迟,这些处理延迟导致这些充电垫操作起来比这种垫的用户期望的更慢(例如,无线充电和在无线充电期间进行的调节花费更长的时间)。
发明内容
因此,需要解决以上标识的问题的无线充电系统(例如,RF充电垫)。为此,本文描述了一种RF充电垫,该RF充电垫包括有效地布置在单个集成电路上的组件,并且该单个集成电路通过选择性地或顺序地激活天线区(例如,分组在一起的RF充电垫的一个或多个天线或单位单元天线,在本文中也称为天线群组)来定位用于向位于RF充电垫的表面上的接收器设备传输无线功率的有效天线区,来管理RF充电垫的天线。这种系统及其使用方法有助于消除用户对常规充电垫的不满。例如,通过在选择性地激活天线区的同时监视传送的能量,这种系统及其使用方法通过确保在设备可以被放置在RF充电垫上的任何位置和在任何时间点能量传送被最大化,从而消除可能不能被有效接收的浪费的传输,来帮助消除浪费的RF功率传输。
在下面的描述中,参考了包括各种天线区的RF充电垫。出于本说明书的目的,天线区包括RF充电垫的一个或多个发射天线,并且每个天线区可以由控制集成电路(例如,RF功率发射器集成电路160,图1A-1B)单独寻址,以允许选择性激活每个天线区,以便确定哪个天线区能够最有效地向接收器传送无线功率。RF充电垫在本文也可互换地称为近场充电垫,或者更简单地称为充电垫。
(A1)在一些实施例中,在近场充电垫处执行一种方法,该近场充电垫包括无线通信组件(例如,通信组件204,图1A)、各自分别包括至少一个天线元件的多个天线区(例如,图1B中示出了示例天线区)以及一个或多个处理器(例如,图1B和图2A的CPU 202)。该方法包括经由无线通信组件检测无线功率接收器在近场充电垫的阈值距离内,并且响应于检测到无线功率接收器在近场充电垫的阈值距离内,确定无线功率接收器是否已经被放置在近场充电垫上。该方法还包括,根据确定无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上,由包括在多个天线区中的各个天线元件选择性地发射具有第一组传输特性的各个测试功率传输信号,直到确定与多个天线区中的至少一个特定天线区的相应测试功率传输信号的传输相关联的特定功率递送参数满足功率递送判据。在由一个或多个处理器确定特定功率递送参数满足功率递送判据时,该方法还包括使用至少一个特定天线区向无线功率接收器传输多个附加功率传输信号,其中多个附加功率传输信号中的每个附加功率传输信号以不同于第一组的第二组传输特性进行发射。
(A2)在A1的方法的一些实施例中,确定无线功率接收器是否已经被放置在近场充电垫的表面上包括:(i)使用多个天线区中的每一个传输测试功率传输信号,(ii)在传输测试功率传输信号的同时监视近场充电垫处的反射功率的量,以及(iii)确定当反射功率的量满足设备检测阈值时,无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上。
(A3)在A2的方法的一些实施例中,在多个天线区中的每个天线区处测量反射的功率的量。
(A4)在A2至A3中任一项的方法的一些实施例中,在近场充电垫的校准过程期间建立设备检测阈值。
(A5)在A4的方法的一些实施例中,设备检测阈值特定于与无线功率接收器耦合的设备的类型,并且设备检测阈值由一个或多个处理器在检测到靠近近场充电垫的无线功率接收器之后选择(例如,无线功率接收器向近场充电垫发送信息的分组,并且该信息的分组包括标识与无线功率接收器耦合的设备的类型的信息)。
(A6)在A1至A5中的任一项的方法的一些实施例中,使用多个天线区中的每个天线区来执行选择性地传输相应的测试功率传输信号。此外,该方法还包括,在确定与由多个天线区中的至少一个特定天线区的相应测试功率传输信号的传输相关联的功率递送参数满足功率递送判据之前:(i)基于由每个天线区进行的传输,更新与由每个相应天线区进行的相应测试功率传输信号的传输相关联的相应功率递送参数,以及(ii)基于天线区的相关联的相应功率递送参数,选择包括至少一个特定天线区的两个或更多个天线区,以向无线功率接收器传输无线功率。
(A7)在A6的方法的一些实施例中,该方法还包括使用两个或更多个天线区中的每一个来发射具有第一组传输特性的附加测试功率传输信号。而且,确定特定功率递送参数满足功率递送判据包括确定特定功率递送参数指示与两个或更多个天线区的其他天线区相比,特定天线区更有效地向无线功率接收器传输无线功率。
(A8)在A6至A7中的任一项的方法的一些实施例中,确定特定功率递送参数满足功率递送判据还包括确定特定功率递送参数指示第一阈值功率量由至少一个特定天线区传送到无线功率接收器,并且至少一个特定天线区是两个或更多个天线区中具有指示第一阈值功率量被传送到无线功率接收器的相应功率递送参数的唯一天线区。
(A9)在A6至A8中的任一项的方法的一些实施例中,确定特定功率递送参数满足功率递送判据还包括确定(i)没有天线区向无线功率接收器传送第一阈值功率量,以及(ii)与两个或更多个天线区的附加天线区相关联的附加功率递送参数满足功率递送判据。此外,特定功率递送参数指示由特定天线区传送到无线功率接收器的第一功率量超过第二阈值功率量且低于第一阈值功率量,并且附加功率递送参数指示由附加天线区传送到无线功率接收器的第二功率量超过第二阈值功率量且低于第一阈值功率量。
(A10)在A9的方法的一些实施例中,特定天线群组和附加天线群组被用于同时传输附加的多个功率传输信号,以向无线功率接收器提供功率。
(A11)在A1至A10中的任一项的方法的一些实施例中,用于确定功率递送参数的信息由无线功率接收器经由近场充电垫的无线通信组件提供给近场充电垫。
(A12)在A1至A11中的任一项的方法的一些实施例中,通过调节第一组传输特性中的至少一个特性来增加由特定天线群组传送到无线功率接收器的功率的量,来确定第二组传输特性。
(A13)在A12的方法的一些实施例中,至少一个经调节的特性是频率或阻抗值。
(A14)在A1至A13中的任一项的方法的一些实施例中,在传输附加的多个功率传输信号的同时,基于从无线功率接收器接收的、用于确定由近场充电垫无线递送到无线功率接收器的功率水平的信息来调节第二组传输特性中的至少一个特性。
(A15)在A1至A14中的任一项的方法的一些实施例中,一个或多个处理器是用于控制近场充电垫的操作的单个集成电路的组件。例如,本文描述的方法中的任何一个由单个集成电路管理,诸如图1B中示出的射频(RF)功率发射器集成电路160的实例。
(A16)在A1至A15中的任一项的方法的一些实施例中,基于由多个天线群组中的相应天线群组进行的相应测试功率传输信号的传输,每个相应功率递送度量对应于由无线功率接收器接收的功率的量。
(A17)在A1至A16中的任一项的方法的一些实施例中,该方法还包括在传输测试功率传输信号之前,确定无线功率接收器被授权从近场充电垫接收无线递送的功率。
(A18)在另一方面,提供了近场充电垫。在一些实施例中,近场充电垫包括无线通信组件、各自包括至少一个天线元件的多个天线区、一个或多个处理器以及存储一个或多个程序的存储器,该一个或多个程序当在一个或多个处理器执行时,使得近场充电垫执行A1至A17中的任一项中描述的方法。
(A19)在又一方面,提供了近场充电垫,并且近场充电垫包括用于执行A1至A17中的任一项中描述的方法的装置。
(A20)在又一方面,提供了一种非暂时性计算机可读存储介质。非暂时性计算机可读存储介质存储可执行指令,该可执行指令在由具有一个或多个处理器/核的近场充电垫(包括无线通信组件、各自包括至少一个天线元件的多个天线区)执行时,使得近场充电垫执行A1至A17中的任一项中描述的方法。
如上所述,还需要一种集成电路,其包括用于管理无线功率的传输的组件,这些组件全部集成在单个集成电路上。这种集成电路及其使用方法有助于消除用户对常规充电垫的不满。通过在单个芯片上包括所有组件(如下面参考图1A和1B更详细地讨论的那样),这种集成电路能够更有效和更快地(并且具有更低的延迟)管理集成电路处的操作,从而帮助提高用户对由这些集成电路管理的充电垫的满意度。
(B1)在一些实施例中,一种集成电路包括:(i)处理单元,该处理单元被配置成控制集成电路的操作,(ii)可操作地耦合到处理单元的功率转换器,该功率转换器被配置成将输入电流转换成射频能量,(iii)可操作地耦合到处理单元的波形发生器,该波形发生器被配置成使用射频能量生成多个功率传输信号,(iv)第一接口,该第一接口将集成电路与集成电路外部的多个功率放大器耦合,以及(v)与第一接口不同的第二接口,该第二接口将集成电路与无线通信组件耦合。处理单元还被配置成:(i)经由第二接口接收无线功率接收器在由集成电路控制的近场充电垫的传输范围内的指示,以及(ii)响应于接收到该指示,经由第一接口向多个功率放大器中的至少一个提供多个功率传输信号中的至少一些。
(B2)在B1的集成电路的一些实施例中,处理单元包括CPU、ROM、RAM和加密(例如,CPU子系统170,图1B)。
(B3)在B1至B2中的任一项的集成电路的一些实施例中,输入电流是直流电流。替选地,在一些实施例中,输入电流是交流电流。在这些实施例中,功率转换器分别是射频DC-DC转换器或射频AC-AC转换器。
(B4)在B1至B3中的任一项的集成电路的一些实施例中,无线通信组件是蓝牙或Wi-Fi无线电装置,其被配置成从放置在近场充电垫的表面上的设备接收通信信号。
为了帮助解决上述问题并由此提供满足用户需求的充电垫,以上描述的天线区可以包括自适应天线元件(例如,图1B的RF充电垫100的天线区290可以各自分别包括下面参考图3A至图6E和图8描述的天线120中的一个或多个),这些自适应天线元件能够调节能量传输特性(例如,各个天线元件的导电线的阻抗和频率),使得充电垫能够对放置在垫上的任何位置处的设备充电。
根据一些实施例,本文描述的射频(RF)充电垫的天线区可以包括:一个或多个天线元件,该一个或多个天线元件与一个或多个处理器通信,用于向电子设备的RF接收器传输RF信号。在一些实施例中,每个相应的天线元件包括:(i)形成曲折线图案的导电线;(ii)在导电线的第一端处的第一端子,用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及(iii)在导电线的第二端处的不同于第一端的第二端子,第二端子与由至少一个处理器控制并且允许修改第二端子处的阻抗值的组件耦合。在一些实施例中,至少一个处理器被配置成自适应地调节频率和/或阻抗值,以优化从一个或多个天线元件传送到电子设备的RF接收器的能量的量。
需要这样的无线充电系统(例如,RF充电垫),该无线充电系统包括能够调节能量传输特性(例如,相应天线元件的导电线的阻抗和频率)使得充电垫能够对放置在垫上的任何位置处的设备充电的自适应天线元件。在一些实施例中,这些充电垫包括一个或多个处理器,该一个或多个处理器监视从发射天线元件(本文也称为RF天线元件或天线元件)传送到要充电的电子设备的接收器的能量,并且该一个或多个处理器优化能量传输特性以最大化充电垫上的任何位置处的能量传送。一些实施例还可以包括反馈回路,以将接收器处的所接收的功率报告给一个或多个处理器。
(C1)根据一些实施例,提供了一种射频(RF)充电垫。RF充电垫包括:至少一个处理器,该至少一个处理器用于监视从RF充电垫传送到电子设备的RF接收器的能量的量。RF充电垫还包括:一个或多个天线元件,该一个或多个天线元件与一个或多个处理器通信,用于向电子设备的RF接收器传输RF信号。在一些实施例中,每个相应的天线元件包括:(i)形成曲折线图案的导电线;(ii)在导电线的第一端处的第一端子,用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及(iii)在导电线的第二端处的不同于第一端的第二端子,第二端子与由至少一个处理器控制并且允许修改第二端子处的阻抗值的组件耦合。在一些实施例中,至少一个处理器被配置成自适应地调节频率和/或阻抗值,以优化从一个或多个天线元件传送到电子设备的RF接收器的能量的量。
(C2)根据一些实施例,还提供了一种用于通过射频(RF)功率传输向电子设备充电的方法。该方法包括:提供包括至少一个RF天线的发射器。该方法还包括:经由所述至少一个RF天线发射一个或多个RF信号,并监视经由一个或多个RF信号从至少一个RF天线传送到RF接收器的能量的量。该方法附加地包括:自适应地调节发射器的特性,以优化从至少一个RF天线传送到RF接收器的能量的量。在一些实施例中,特性选自(i)一个或多个RF信号的频率,(ii)发射器的阻抗,以及(iii)(i)和(i)的组合。在一些实施例中,至少一个RF天线是RF天线阵列的一部分。
(C3)根据一些实施例,提供了一种射频(RF)充电垫。RF充电垫包括:一个或多个处理器,该一个或多个处理器用于监视从RF充电垫传送到电子设备的RF接收器的能量的量。RF充电垫还包括:一个或多个发射天线元件,该一个或多个发射天线元件被配置成与一个或多个处理器通信,用于向电子设备的RF接收器传输RF信号。在一些实施例中,每个相应的天线元件包括:(i)形成曲折线图案的导电线;(ii)在导电线的第一端处的输入端子,用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及(iii)在导电线的多个位置处的不同于输入端子并且彼此不同的多个自适应负载端子,多个自适应负载端子中的每个相应自适应负载端子与被配置成由一个或多个处理器控制并且被配置成允许修改相应自适应负载端子处的相应阻抗值的相应组件耦合。在一些实施例中,一个或多个处理器被配置成自适应地调节多个自适应负载端子中的一个或多个处的频率和相应阻抗值中的至少一个,以优化从一个或多个发射天线元件传送到电子设备的RF接收器的能量的量。
(C4)根据一些实施例,还提供了一种用于通过射频(RF)功率传输向电子设备充电的方法。该方法包括:提供包括发射器的充电垫,该发射器包括一个或多个RF天线。在一些实施例中,每个RF天线包括:(i)形成曲折线图案的导电线;(ii)在导电线的第一端处的输入端子,用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及(iii)在导电线的多个位置处的不同于输入端子并且彼此不同的多个自适应负载端子,多个自适应负载端子中的每个相应自适应负载端子与由一个或多个处理器控制并且允许修改相应自适应负载端子处的相应阻抗值的相应组件耦合。该方法还包括:经由一个或多个RF天线发射一个或多个RF信号,以及监视经由一个或多个RF信号从一个或多个RF天线传送到RF接收器的能量的量。该方法附加地包括:使用发射器的一个或多个处理器自适应地调节发射器的特性,以优化从一个或多个RF天线传送到RF接收器的能量的量。在一些实施例中,特性选自(i)一个或多个RF信号的频率,(ii)发射器的阻抗,以及(iii)(i)和(i)的组合。在一些实施例中,使用发射器的一个或多个处理器,在一个或多个RF天线的多个自适应负载端子中的相应一个或多个自适应负载端子处自适应地调节发射器的阻抗。
(C5)根据一些实施例,提供了一种非暂时性计算机可读存储介质。非暂时性计算机可读存储介质包括可执行指令,这些可执行指令在由与包括一个或多个发射天线元件的射频(RF)充电垫耦合的一个或多个处理器执行时使得一个或多个处理器:监视从RF充电垫传送到电子设备的RF接收器的能量的量;以及与一个或多个发射天线元件通信,用于向电子设备的RF接收器传输RF信号。在一些实施例中,每个相应发射天线元件包括:形成曲折线图案的导电线;在导电线的第一端处的输入端子,用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及在导电线的多个位置处的不同于输入端子并且彼此不同的多个自适应负载端子,多个自适应负载端子中的每个相应自适应负载端子与被配置成由一个或多个处理器控制并且被配置成允许修改相应自适应负载端子处的相应阻抗值的相应组件耦合。并且,一个或多个处理器还自适应地调节多个自适应负载端子中的一个或多个处的频率和相应阻抗值中的至少一个,以优化从一个或多个发射天线元件传送到电子设备的RF接收器的能量的量。
(C6)在C1至C5中的任一项的一些实施例中,频率在第一频带中,并且一个或多个发射天线元件中的至少一个被配置成基于由一个或多个处理器对至少一个发射天线元件的多个自适应负载端子中的一个或多个处的相应阻抗值进行的自适应调节而在第二频带下操作。
(C7)在C1至C6中的任一项的一些实施例中,RF充电垫包括输入电路,该输入电路与一个或多个处理器耦合并被配置成向导电线第一端处的输入端子提供电流,其中一个或多个处理器被配置成通过指示输入电路生成具有不同于频率的新频率的电流来自适应地调节频率。
(C8)在C1至C7中的任一项的一些实施例中,一个或多个处理器被配置成通过指示馈送元件生成具有使用预定增量来确定的多个不同频率的电流来自适应地调节频率。
(C9)在C1至C8中的任一项的一些实施例中,用于一个或多个发射天线元件中的至少一个的相应导电线具有允许至少一个发射天线元件有效地发射具有该频率和/或新频率的RF信号的相应曲折线图案,具有相应曲折线图案的相应导电线的至少两个相邻区段具有相对于彼此不同的几何尺寸,并且当至少一个发射天线元件被配置成发射具有该频率和/或新频率的RF信号时,相应导电线具有保持相同的长度。
(C10)在C1至C9中的任一项的一些实施例中,一个或多个发射天线元件中的至少一个发射天线元件具有第一区段和第二区段,第一区段包括输入端子,并且至少一个发射天线元件被配置成:在第一区段不与第二区段耦合时以该频率操作,并且在第一区段与第二区段耦合时以新频率操作;并且一个或多个处理器被配置成结合指示馈送元件生成具有不同于该频率的新频率的电流来将第一区段和第二区段耦合。
(C11)在C1至C10中的任一项的一些实施例中,一个或多个处理器被配置成:自适应地调节与一个或多个发射天线元件中的第一发射天线元件相关联的频率和/或相应阻抗值,以使第一发射天线元件在第一频带中操作,以及自适应地调节与一个或多个发射天线元件中的第二发射天线元件相关联的频率和/或相应阻抗值,以使第二发射天线元件在第二频带中操作,其中第一频带不同于第二频带。
(C12)在C1至C11中的任一项的一些实施例中,电子设备被放置成与RF充电垫的顶表面接触或靠近该顶表面。
(C13)在C1支C12中的任一项的一些实施例中,相应组件是与相应自适应负载端子耦合的机械继电器,用于在开路和短路状态之间切换相应自适应负载端子,并且通过打开或关闭机械继电器来分别在开路或短路之间切换,来自适应地调节在相应的发射天线元件的相应自适应负载端子处的阻抗值。
(C14)在C1至C13中的任一项的一些实施例中,相应组件是专用集成电路(ASIC),并且相应阻抗值由ASIC自适应地调节到值的范围内。
(C15)在C1至C14中的任一项的一些实施例中,一个或多个处理器被配置成:通过自适应地调节多个自适应负载端子中的一个或多个处的频率和相应阻抗值来自适应地调节频率和/或相应阻抗值,以确定传送到电子设备的RF接收器的能量的相对最大量,并且一旦确定了能量的最大量,使一个或多个发射天线元件中的每一个分别以相应频率并使用导致传送到RF接收器的能量的最大量的相应阻抗值传输RF信号。
(C16)在C1至C15中的任一项的一些实施例中,一个或多个处理器至少部分地基于从电子设备接收的信息来监视传送到RF接收器的能量的量,该信息标识在RF接收器处从RF信号接收的能量。
(C17)在C1至C16中的任一项的一些实施例中,使用无线通信协议发送从电子设备接收的标识所接收的能量的信息。
(C18)在C1至C17中的任一项的一些实施例中,无线通信协议是蓝牙低能量(BLE)。
(C19)在C1至C18中的任一项的一些实施例中,一个或多个处理器至少部分地基于在相应自适应负载端子处检测到的能量的量来监视所传送的能量的量。
因此,根据本文描述的原理配置的无线充电系统能够对放置在RF充电垫上的任何位置处的电子设备进行充电,并通过确保不断优化能量传送来避免浪费能量。
此外,根据本文描述的原理配置的无线充电系统能够对在相同充电发射器上以不同频率或频带调谐的不同电子设备进行充电。在一些实施例中,具有单个天线元件的发射器可以同时或在不同时间以多个频率或频带操作。在一些实施例中,具有多个天线元件的发射器可以同时以多个频率或频带操作。这实现了接收设备中包含的天线的类型和尺寸方面的更多的灵活性。
在另一方面,提供了动态可调的发射天线。在允许接收设备被放置在垫上的任何位置处的充电垫的设计中,基于射频的解决方案提供了很大的希望。因为基于射频的解决方案中使用的接收天线可能具有不同的极化,所以发射天线也必须被设计成能够以不同的极化进行发射,以确保功率从发射天线到接收天线的高效传送。因此,需要可以使用不同的极化来动态调节以发射能量的发射天线,并且本文讨论的实施例解决了这种需要(例如,参见与近场天线2500相关联的描述和附图)。
(D1)根据一些实施例,提供了一种近场天线。近场天线(例如,近场天线2500,图25A)包括:反射器和偏离反射器的四个不同的共面天线元件,其中四个不同的天线元件中的每一个遵循相应曲折图案。此外,四个共面天线元件中的两个天线元件沿着第一轴线形成第一偶极子天线,并且四个共面天线元件中的另外两个天线元件沿着垂直于第一轴线的第二轴线形成第二偶极子天线。近场天线还包括:(i)功率放大器,该功率放大器被配置成向第一偶极子天线和第二偶极子天线中的至少一个馈送电磁信号,(ii)阻抗调节组件,该阻抗调节组件被配置成调节第一偶极子天线和第二偶极子天线中的至少一个的阻抗,以及(iii)开关电路系统,该开关电路系统耦合到功率放大器、阻抗调节组件以及第一偶极子天线和第二偶极子天线。开关电路系统被配置成:(A)将第一偶极子天线可切换地耦合到功率放大器,并且将第二偶极子天线可切换地耦合到阻抗调节组件,或者(B)将第二偶极子天线可切换地耦合到功率放大器,并且将第一偶极子天线可切换地耦合到阻抗调节组件。
(D2)根据一些实施例,还提供了一种用于使用近场天线通过射频(RF)功率传输向电子设备充电的方法。该方法包括提供D1的近场天线。例如,近场天线包括(i)反射器,(ii)偏离反射器的四个不同的共面天线元件,四个不同的天线元件中的每一个遵循相应曲折图案,其中:(A)四个共面天线元件中的两个天线元件形成沿第一轴线定向的第一偶极子天线,以及(B)四个共面天线元件中的另外两个天线元件形成沿垂直于第一轴线的第二轴线定向的第二偶极子天线,(iii)耦合到四个共面天线元件中的至少两个的开关电路系统,(iv)耦合到开关电路系统的功率放大器,以及(v)耦合到开关电路系统的阻抗调节组件。该方法还包括指示开关电路系统:(i)将第一偶极子天线耦合到功率放大器,并且(ii)将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件。该方法还包括指示功率放大器经由开关电路系统向第一偶极子天线馈送电磁信号。这样,电磁信号在被馈送到第一偶极子天线时使得第一偶极子天线辐射电磁信号,以由位于距近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备接收。此外,第二偶极子天线的阻抗由阻抗调节组件调节,使得第二偶极子天线的阻抗不同于第一偶极子天线的阻抗。
(D3)根据一些实施例,提供了一种非暂时性计算机可读存储介质。非暂时性计算机可读存储介质包括可执行指令,这些可执行指令在由与D1的近场天线耦合的一个或多个处理器执行时使得D1的近场天线:(A)指示开关电路系统:(i)将第一偶极子天线耦合到功率放大器,并且(ii)将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件,以及(B)指示功率放大器通过开关电路系统将电磁信号馈送到第一偶极子天线。这样,电磁信号在被馈送到第一偶极子天线时使得第一偶极子天线辐射电磁信号,以由位于距近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备接收。此外,第二偶极子天线的阻抗由阻抗调节组件调节,使得第二偶极子天线的阻抗不同于第一偶极子天线的阻抗。
(D4)在D1至D3中的任一项的一些实施例中,在近场天线的第一操作模式中,开关电路系统将(i)第一偶极子天线耦合到功率放大器,并且(ii)将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件。进一步,在近场天线的第二操作模式中,开关电路系统(i)将第二偶极子天线耦合到功率放大器,并且(ii)将第一偶极子天线耦合到阻抗调节组件。
(D5)在D1至D4中的任一项的一些实施例中,在近场天线的第一操作模式中,第一偶极子天线从功率放大器接收电磁波并辐射具有第一极化的所接收的电磁波,并且在近场天线的第二操作模式中,第二偶极子天线从功率放大器接收电磁波并辐射具有不同于第一极化的第二极化的所接收的电磁波。
(D6)在D1至D5中的任一项的一些实施例中,位于距近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备被配置成采集经辐射的电磁波,并使用所采集的电磁波来向与无线功率接收设备耦合的电子设备供电或充电。
(D7)在D1至D6中的任一项的一些实施例中,近场天线还包括控制器,该控制器被配置成控制开关电路系统和功率放大器的操作。
(D8)在D1至D7中的任一项的一些实施例中,控制器被配置成基于以下中的一个或多个来控制开关电路系统和功率放大器的操作:(i)无线功率接收设备的位置,(ii)无线功率接收设备的功率接收天线的极化,以及(iii)无线功率接收设备的空间取向。
(D9)在D1至D8中的任一项的一些实施例中,近场天线还包括第一馈送件和第二馈送件。第一馈送件连接到第一偶极子天线的两个天线元件中的第一天线元件和开关电路系统,并且第一馈送件被配置成当功率放大器通过开关电路系统可切换地耦合到第一偶极子天线时(例如,近场天线处于第一操作模式),向第一偶极子天线的第一天线元件供应源自功率放大器的电磁信号。第二馈送件连接到第二偶极子天线的另外两个天线元件中的第一天线元件和开关电路系统,并且第二馈送件被配置成当功率放大器通过开关电路系统可切换地耦合到第二偶极子天线时(例如,近场天线处于第二操作模式),向第二偶极子天线的第一天线元件供应源自功率放大器的电磁信号。
(D10)在D1至D9中的任一项的一些实施例中,四个不同共面天线元件中的第一天线元件是第一偶极子天线的第一极,并且四个不同共面天线元件中的第二天线元件是第一偶极子天线的第二极。此外,四个不同共面天线元件中的第三天线元件是第二偶极子天线的第一极,并且四个不同共面天线元件中的第四天线元件是第二偶极子天线的第二极。
(D11)在D1至D10中的任一项的一些实施例中,形成第一偶极子天线的两个天线元件各自包括垂直于第一轴线的两个区段,并且形成第二偶极子天线的另外两个天线元件各自包括平行于第一轴线的两个区段。换句话说,形成第一偶极子天线的两个天线元件各自包括平行于第二轴线的两个区段,并且形成第二偶极子天线的另外两个天线元件各自包括垂直于第二轴线的两个区段。
(D11.1)在D1至D11中的任一项的一些实施例中,四个不同天线元件中的每一个包括:(i)相应第一多个区段,和(ii)散置在第一多个区段的每一个之间的相应第二多个区段。
(D12)在D1至D11.1中的任一项的一些实施例中,第一多个区段中的区段的第一长度从天线元件的第一端部部分到天线元件的第二端部部分增加,并且第二多个区段中的区段的第二长度从天线元件的第一端部部分到天线元件的第二端部部分增加。
(D13)在D1至D12中的任一项的一些实施例中,第一多个区段中的区段的第一长度不同于第二多个区段中的区段的第二长度。
(D14)在D1至D13中的任一项的一些实施例中,第一多个区段中的区段的第一长度不同于第二多个区段中的区段的第二长度。
(D15)在D1至D14中的任一项的一些实施例中,第一多个区段中的区段的朝向天线元件的第二端部部分的第一长度大于第二多个区段中的区段的朝向天线元件的第二端部部分的第二长度。
(D16)在D1至D15中的任一项的一些实施例中,反射器是由铜或铜合金制成的固体金属片。
(D17)在D1至D16中的任一项的一些实施例中,反射器被配置成反射由第一偶极子天线或第二偶极子天线辐射的电磁信号的至少一部分。
(D18)在D1至D17中的任一项的一些实施例中,四个不同的共面天线元件形成在基板上或基板内。
(D19)在D18的一些实施例中,基板包括具有预定磁导率或介电常数的超材料。
(D20)在D1至D19中的任一项的一些实施例中,相应曲折图案全部是相同的。
(D21)在D1至D20中的任一项的一些实施例中,形成第一偶极子天线的两个天线元件沿第一轴线定向,使得两个天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
(D22)在D1至D21中的任一项的一些实施例中,形成第二偶极子天线的其他两个天线元件沿第二轴线定向,使得其他两个天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
(D23)在D1至D22中的任一项的一些实施例中,四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第一端部部分与近场天线的相同中心部分接界,并且四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第二端部部分与近场天线的不同边缘接界。另外,四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的最长尺寸相比于距近场天线的相同中心部分更靠近近场天线的不同边缘。
(D24)在D1至D23中的任一项的一些实施例中,四个不同天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案的最短尺寸相比于近场天线的不同边缘更靠近近场天线的相同中心部分。
(E1)根据一些实施例,提供了一种近场天线。近场天线(例如,近场天线2500,图25A)包括四个不同的共面天线元件,其中每个天线元件占据近场天线的不同象限(例如,象限2570-A至2570-D中的一个)。另外,四个不同天线元件中的每一个的宽度从近场天线的中心部分到近场天线的相应边缘以曲折的方式增加。换句话说,四个不同天线元件中的每一个的最长尺寸靠近(即,邻近/接界)近场天线的相应边缘,并且相反,四个不同天线元件中的每一个的最短尺寸靠近(即,邻近/接界)近场天线的中心部分。
(E2)在E1的一些实施例中,四个共面天线元件中的两个天线元件沿着第一轴线形成第一偶极子天线,并且四个共面天线元件中的另外两个天线元件沿着垂直于第一轴线的第二轴线形成第二偶极子天线。
(E3)在E1至E2中的任一项的一些实施例中,形成第一偶极子天线的两个天线元件沿第一轴线定向,使得两个天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
(E4)在E1至E3中的任一项的一些实施例中,形成第二偶极子天线的其他两个天线元件沿第二轴线定向,使得其他两个天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
注意,以上描述的各种实施例可以与本文描述的任何其他实施例相结合。说明书中描述的特征和优点并不完全是包含性的,并且特别地,根据附图、说明书和权利要求,许多附加的特征和优点对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。而且,应该注意的是,说明书中使用的语言主要是为了可读性和指导性的目的而选择的,而不是旨在限定或限制本发明主题。
附图说明
为了更详细地理解本公开,可以参考各种实施例的特征进行更具体的描述,这些实施例中的一些在附图中示出。然而,附图仅示出了本公开的相关特征,并且因此不应被解释为是限制性的,因为描述可以允许其他有效特征。
图1A是根据一些实施例的RF无线功率传输系统的框图。
图1B是示出根据一些实施例的包括RF功率发射器集成电路和天线区的示例RF充电垫的组件的框图。
图1C是示出根据一些实施例的包括耦合到开关的RF功率发射器集成电路的示例RF充电垫的组件的框图。
图2A是示出根据一些实施例的示例RF充电垫的框图。
图2B是示出根据一些实施例的示例接收器设备的框图。
图3A是根据一些实施例的RF充电垫的高级框图。
图3B至图3C是示出根据一些实施例的RF充电垫的一部分的高级框图。
图3D是根据一些实施例的简化电路的示出了正在发射RF信号的天线元件的各区段内的能量流的框图。
图4是根据一些实施例的具有两个端子的发射天线元件的示意图。
图5是通过射频(RF)功率传输给电子设备充电的方法的流程图。
图6A至图6E是示出根据一些实施例的RF充电垫内的各个天线元件的各种配置的示意图。
图7A至图7D是根据一些实施例的RF接收器的天线元件的示意图。
图8是根据一些实施例的具有多个发射天线元件(或单位单元)的RF充电垫的示意图。
图9A至图9B是示出根据一些实施例的选择性地激活近场充电垫中的一个或多个天线区的方法900的流程图。
图10是示出根据一些实施例的选择性地激活近场充电垫中的一个或多个天线区的过程的概述。
图11A至图11E是示出根据一些实施例的选择性地激活近场充电垫中的一个或多个天线区的各个方面的流程图。
图12是根据一些实施例的具有RF充电垫的多个自适应负载的发射天线元件的示意图。
图13是根据一些实施例的通过使用具有多个自适应负载的至少一个RF天线通过射频(RF)功率传输向电子设备充电的方法的流程图。
图14A至图14D是示出根据一些实施例的可以在RF充电垫内以多个频率或频带操作的各个天线元件的各种配置的示意图。
图15是示出根据一些实施例的可以通过调节天线元件的长度而以多个频率或频带操作的单个天线元件的示例配置的示意图。
图16A和16B是根据实施例的示例系统的示意图。
图17A至图17D是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图18是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图19是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图20是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图21是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图22是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图23是根据实施例的示例性系统的示意性图示。
图24A和24B是根据实施例的示例系统的示意图。
图25A示出了根据一些实施例的近场天线的等距视图。
图25B示出了根据一些实施例的近场天线的另一等距视图。
图25C至25D示出了根据一些实施例的近场天线的不同侧视图。
图25E示出了根据一些实施例的近场天线的另一侧视图。
图25F示出了根据一些实施例的遵循曲折图案的代表性辐射元件。
图25G示出了根据一些实施例的近场天线的俯视图。
图25H示出了根据一些实施例的近场天线的另一俯视图。
图26是根据一些实施例的用于控制近场天线的操作的控制系统的框图。
图27示出了由具有图25A的反射器的近场天线生成的辐射图案。
图28A至图28C示出了由图25A的近场天线生成的附加辐射图案。
图29A和图29B示出了由根据一些实施例的近场天线的偶极子天线辐射和吸收的能量的浓度。
图30是示出根据一些实施例的无线功率传输的方法的流程图。
根据通常的实践,附图中示出的各种特征可能没有按比例绘制。因此,为了清楚起见,各种特征的尺寸可以任意扩大或缩小。此外,附图中的一些可能没有描绘给定系统、方法或设备的全部组件。最后,在整个说明书和附图中,相同的附图标记可以用于表示相同的特征。
具体实施方式
现在将详细参考实施例,这些实施例的示例在附图中示出。在以下详细描述中,阐述了许多具体细节,以便提供对各种描述的实施例的透彻理解。然而,对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下实践各种描述的实施例。在其他情况下,没有详细描述众所周知的方法、过程、组件、电路和网络,以免不必要地模糊实施例的各方面。
图1A是根据一些实施例的RF无线功率传输系统的框图。在一些实施例中,RF无线功率传输系统150包括RF充电垫100(本文也称为近场(NF)充电垫100或RF充电垫100)。在一些实施例中,RF充电垫100包括RF功率发射器集成电路160(下面将更详细地描述)。在一些实施例中,RF充电垫100包括一个或多个通信组件204(例如,无线通信组件,诸如WI-FI或蓝牙无线电装置),这在下文将参考图2A更详细地进行讨论。在一些实施例中,RF充电垫100还连接到一个或多个功率放大器单元108-1、……、108-n来控制一个或多个功率放大器单元在其驱动外部TX天线阵列210时的操作。在一些实施例中,经由开关电路系统在RF充电垫100处控制和调制RF功率,以使得RF无线功率传输系统能够经由TX天线阵列210向一个或多个无线接收设备发送RF功率。下面参考图3A进一步详细讨论示例功率放大器单元。
在一些实施例中,(多个)通信组件204实现RF充电垫100和一个或多个通信网络之间的通信。在一些实施例中,(多个)通信组件204能够使用各种定制或标准无线协议(例如,IEEE 802.15.4、Wi-Fi、ZigBee、6LoWPAN、Thread、Z-Wave、蓝牙智能、ISA100.11a、WirelessHART、MiWi等)、定制或标准有线协议(例如,以太网、HomePlug等)和/或任何其他合适的通信协议包括截至本文档的提交日期尚未开发的通信协议中的任何一种来进行数据通信。
图1B是根据一些实施例的RF功率发射器集成电路160(“集成电路”)的框图。在一些实施例中,集成电路160包括CPU子系统170、外部设备控制接口、用于DC到RF功率转换的RF子区段、以及经由互连组件诸如总线或互连结构块171互连的模拟和数字控制接口。在一些实施例中,CPU子系统170包括具有相关只读存储器(Read-Only-Memory,ROM)172的微处理器单元202,用于通过数字控制接口例如I2C端口将设备程序引导到外部闪存,该外部闪存包含要被加载到CPU子系统随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)174(例如,存储器206,图2A)中或直接从闪存执行的CPU可执行代码。在一些实施例中,CPU子系统170还包括加密模块或块176,以认证和保护与外部设备诸如试图从RF充电垫100接收无线递送的功率的无线功率接收器的通信交换。
在一些实施例中,运行在CPU上的可执行指令(诸如在图2A的存储器206中示出并在下面描述的那些指令)用于管理RF充电垫100的操作,并通过控制接口例如SPI控制接口175和RF功率发射器集成电路160中包括的其他模拟和数字接口来控制外部设备。在一些实施例中,CPU子系统还管理RF功率发射器集成电路160的RF子区段的操作,该RF功率发射器集成电路包括RF本机振荡器(local oscillator,LO)177和RF发射器(TX)178。在一些实施例中,RF本地振荡器177基于来自CPU子系统170的指令进行调节,并且从而被设置为不同的期望操作频率,而RF TX根据需要对RF输出进行转换、放大、调制,以生成可行的RF功率电平。
在一些实施例中,RF功率发射器集成电路160向可选的波束成形集成电路(IC)109提供可行的RF功率电平(例如,通过RF TX 178),然后该波束成形集成电路向一个或多个功率放大器108提供相移信号。在一些实施例中,波束成形IC 109用于确保使用两个或更多个天线210(例如,每个天线210可以与不同的天线区290相关联或者可以各自属于单个天线区290)发送到特定无线功率接收器的功率传输信号以适当的特性(例如,相位)被发送,以确保传输到特定无线功率接收器的功率被最大化(例如,功率传输信号以适当相位到达特定无线功率接收器)。在一些实施例中,波束形成IC 109形成RF功率发射器IC 160的一部分。
在一些实施例中,RF功率发射器集成电路160将可行的RF功率电平(例如,经由RFTX 178)直接提供给一个或多个功率放大器108,并且不使用波束成形IC 109(或者如果不需要相移,诸如当仅使用单个天线210向无线功率接收器传输功率传输信号时,绕过波束成形IC)。
在一些实施例中,一个或多个功率放大器108然后向天线区290提供RF信号以便传输到被授权从RF充电垫100接收无线递送的功率的无线功率接收器。在一些实施例中,每个天线区290与相应的PA 108耦合(例如,天线区290-1与PA 108-1耦合,以及天线区290-N与PA 108-N耦合)。在一些实施例中,多个天线区各自与相同组天线区108耦合(例如,所有天线区108与每个天线区290耦合)。PA 108到天线区290的各种布置和耦合允许RF充电垫100顺序地或选择性地激活不同的天线区,以便确定最有效的天线区290以用于向无线功率接收器传输无线功率(如下面参考图9A至图9B、图10和图11A至图11E更详细地解释的那样)。在一些实施例中,一个或多个功率放大器108还与CPU子系统170通信,以允许CPU 202测量由功率放大器108提供给RF充电垫100的天线区的输出功率。
图1B还示出,在一些实施例中,RF充电垫100的天线区290可以包括一个或多个天线210A-N。在一些实施例中,多个天线区中的每个天线区包括一个或多个天线210(例如,天线区290-1包括一个天线210-A,并且天线区290-N包括多个天线210)。在一些实施例中,基于各种参数诸如RF充电垫100上的无线功率接收器的位置动态地限定包括在天线区中的每一个天线区中的天线的数量。在一些实施例中,天线区可以包括下面更详细描述的曲折线天线中的一个或多个。在一些实施例中,每个天线区290可以包括不同类型的天线(例如,曲折线天线和环形天线),而在其他实施例中,每个天线区290可以包括相同类型的单个天线(例如,所有天线区290包括一个曲折线天线),而在其他实施例中,天线区可以包括一些包括相同类型的单个天线的天线区、和一些包括不同类型的天线的天线区。天线区也将在下面进一步详细描述。
在一些实施例中,RF充电垫100还可以包括与CPU子系统170通信以确保RF充电垫100保持在可接受的温度范围内的温度监视电路。例如,如果确定RF充电垫100已经达到阈值温度,则RF充电垫100的操作可以暂时暂停,直到RF充电垫100下降到阈值温度以下。
通过在单个芯片上包括为RF功率发射器电路160(图1B)示出的组件,这样的集成电路能够更有效和更快地管理集成电路处的操作(并且具有更低的延迟),从而帮助提高用户对由这些集成电路管理的充电垫的满意度。例如,RF功率发射器电路160构造更便宜、具有更小的物理占地面积、并且安装更简单。另外,如下面参考图2A更详细解释的那样,RF功率发射器电路160还可以包括安全元件模块234(例如,包括在图1B中示出的加密块176中),该安全元件模块与安全元件模块282(图2B)或接收器104结合使用,以确保只有授权的接收器能够从RF充电垫100(图1B)接收无线递送的功率。
图1C是根据一些实施例的充电垫294的框图。充电垫294是充电垫100(图1A)的示例,然而,为了便于讨论和说明,充电垫100中包括的一个或多个组件不包括在充电垫294中。
充电垫294包括RF功率发射器集成电路160、一个或多个功率放大器108和具有多个天线区的发射器天线阵列290。以上参考图1A和图1B详细描述了这些组件中的每一个。附加地,充电垫294包括被定位在功率放大器108和天线阵列290之间的开关295,其具有多个开关297-A、297-B、……、297-N。开关295被配置成响应于由RF功率发射器集成电路160提供的控制信号,可切换地将一个或多个功率放大器108与天线阵列290的一个或多个天线区连接。
为了实现以上内容,每个开关297耦合到天线阵列290的不同天线区(例如,提供到其的信号路径)。例如,开关297-A可以与天线阵列290的第一天线区290-1(图1B)耦合,开关297-B可以与天线阵列290的第二天线区290-2耦合,以此类推。多个开关297-A、297-B、……、297-N中的每一个一旦闭合就在相应功率放大器108(或多个功率放大器108)和天线阵列290的相应天线区之间产生独特路径。通过开关295的每个独特路径被用来选择性地向天线阵列290的特定天线区提供RF信号。注意,多个开关297-A、297-B、……、297-N中的两个或更多个可以同时闭合,从而产生到天线阵列290的可以同时使用的多个唯一路径。
在一些实施例中,RF功率发射器集成电路160耦合到开关295,并被配置成控制多个开关297-A、297-B、……、297-N的操作(在图1A和图1C中示出为“控制输出”信号)。例如,RF功率发射器集成电路160可以闭合第一开关297-A,同时保持其他开关断开。在另一示例中,RF功率发射器集成电路160可以闭合第一开关297-A和第二开关297-B,并且保持其他开关断开(各种其他组合和配置是可能的)。而且,RF功率发射器集成电路160耦合到一个或多个功率放大器108,并被配置成生成合适的RF信号(例如,“RF输出”信号),并将RF信号提供给一个或多个功率放大器108。一个或多个功率放大器108又被配置成经由开关295向天线阵列290的一个或多个天线区提供RF信号,这取决于开关295中的哪些开关297被RF功率发射器集成电路160闭合。
为了进一步说明,如在下面的一些实施例中所描述的那样,充电垫被配置成使用不同的天线区传输测试功率传输信号和/或常规功率传输信号,例如,这取决于接收器在充电垫上的位置。因此,当选择特定的天线区用于传输测试信号或常规功率信号时,控制信号从RF功率发射器集成电路160发送到开关295,以使至少一个开关297闭合。这样,来自至少一个功率放大器108的RF信号可以使用由现在闭合的至少一个开关297产生的独特路径被提供给特定的天线区。
在一些实施例中,开关295可以是天线阵列290的一部分(例如,在其内部)。替选地,在一些实施例中,开关295与天线阵列290分离(例如,开关295可以是不同的组件,或者可以是另一组件的一部分,诸如(多个)功率放大器108)。注意,可以使用能够实现上述内容的任何开关设计,并且图1C中示出的开关295的设计仅仅是一个示例。
图2A是示出根据一些实施例的RF充电垫100的某些组件的框图。在一些实施例中,RF充电垫100包括RF功率发射器集成电路160(以及其中包括的组件,诸如上面参考图1A至图1B描述的那些组件)、存储器206(其可以被包括为RF功率发射器集成电路160的一部分,诸如作为CPU子系统170的一部分的非易失性存储器206)、以及用于互连这些组件的一个或多个通信总线208(有时称为芯片组)。在一些实施例中,RF充电垫100包括一个或多个传感器212(如下所讨论)。在一些实施例中,RF充电垫100包括一个或多个输出设备,诸如一个或多个指示灯、声卡、扬声器、用于显示文本信息和错误代码的小显示器等。在一些实施例中,RF充电垫100包括用于确定RF充电垫100的位置的位置检测设备,诸如GPS(globalpositioning satellite,全球定位卫星)或其他地理位置接收器。
在一些实施例中,一个或多个传感器212包括一个或多个热辐射传感器、环境温度传感器、湿度传感器、IR传感器、占用传感器(例如,RFID传感器)、环境光传感器、运动检测器、加速度计和/或陀螺仪。
存储器206包括高速随机存取存储器诸如DRAM、SRAM、DDR、SRAM或其他随机存取固态存储设备;并且可选地包括非易失性存储器,诸如一个或多个磁盘存储设备、一个或多个光盘存储设备、一个或多个闪存设备、或者一个或多个其他非易失性固态存储设备。存储器206或者替选地存储器206内的非易失性存储器包括非暂时性计算机可读存储介质。在一些实施例中,存储器206或存储器206的非暂时性计算机可读存储介质存储以下程序、模块和数据结构或其子集或超集:
·操作逻辑216,其包括用于处理各种基本系统服务和用于执行硬件相关任务的过程;
·通信模块218,其用于结合(多个)无线通信组件204耦合到远程设备(例如,远程传感器、发射器、接收器、服务器、映射存储器等)和/或与远程设备通信;
·传感器模块220,其用于获得并处理传感器数据(例如,结合传感器212),以例如确定RF充电垫100附近的物体的存在、速度和/或定位;
·功率波生成模块222,其用于生成和传输功率传输信号的(例如,结合分别包括在其中的天线区290和天线210),包括但不限于在给定位置处形成(多个)能量包。功率波生成模块222还可以用于修改用于通过各个天线区传输功率传输信号的传输特性;以及
·数据库224,包括但不限于:
ο传感器信息226,其用于存储和管理由一个或多个传感器(例如,传感器212和/或一个或多个远程传感器)接收、检测和/或传输的数据;
ο设备设置228,其用于存储RF充电垫100和/或一个或多个远程设备的操作设置;
ο通信协议信息230,其用于存储和管理一个或多个协议(例如,定制或标准无线协议诸如ZigBee、Z-Wave等,和/或定制或标准有线协议诸如以太网)的协议信息;以及
ο映射数据232,其用于存储和管理映射数据(例如,映射一个或多个传输字段);
·安全元件模块234,其用于确定无线功率接收器是否被授权从RF充电垫100接收无线递送的功率;以及
·天线区选择和调谐模块237,其用于协调利用各个天线区传输测试功率传输信号的过程,以确定哪个或哪些天线区应该用于向各种无线功率接收器无线递送功率(如下面参考图9A至图9B、100和11A至图11E更详细解释的那样)。
以上标识的元件(例如,存储在RF充电垫100的存储器206中的模块)中的每一个可选地存储在前面提及的存储设备中的一个或多个中,并且对应于用于执行上述(多个)功能的一组指令。以上标识的模块或程序(例如,指令集)不需要作为分离的软件程序、过程或模块来实施,并且因此这些模块的各种子集在各种实施例中被可选地组合或以其他方式重新布置。在一些实施例中,存储器206可选地存储以上标识的模块和数据结构的子集。
图2B是示出根据一些实施例的代表性接收器设备104(有时也称为接收器、功率接收器或无线功率接收器)的框图。在一些实施例中,接收器设备104包括一个或多个处理单元(例如,CPU、ASIC、FPGA、微处理器等)252、一个或多个通信组件254、存储器256、(多个)天线260、功率收集电路系统259以及用于互连这些组件(有时称为芯片组)的一个或多个通信总线258。在一些实施例中,接收器设备104包括一个或多个传感器262,诸如上面参考图2A描述的一个或多个传感器212。在一些实施例中,接收器设备104包括用于存储经由能量收集电路259收集的能量的能量存储设备261。在各种实施例中,能量存储设备261包括一个或多个电池、一个或多个电容器、一个或多个电感器等。
在一些实施例中,功率收集电路系统259包括一个或多个整流电路和/或一个或多个功率转换器。在一些实施例中,功率收集电路系统259包括被配置成将来自功率波和/或能量包的能量转换成电能(例如,电)的一个或多个组件(例如,功率转换器)。在一些实施例中,功率收集电路系统259还被配置成向诸如膝上型计算机或电话的耦合的电子设备供应功率。在一些实施例中,向耦合的电子设备供应功率包括将电能从AC形式转换成DC形式(例如,能够由电子设备使用)。
在一些实施例中,(多个)天线260包括在下面进一步详细描述的曲折线天线中的一个或多个。
在一些实施例中,接收器设备104包括一个或多个输出设备,诸如一个或多个指示灯、声卡、扬声器、用于显示文本信息和错误代码的小显示器等。在一些实施例中,接收器设备104包括用于确定接收器设备103的位置的位置检测设备,诸如GPS(全球定位卫星)或其他地理位置接收器。
在各个实施例中,一个或多个传感器262包括一个或多个热辐射传感器、环境温度传感器、湿度传感器、IR传感器、占用传感器(例如,RFID传感器)、环境光传感器、运动检测器、加速度计和/或陀螺仪。
(多个)通信组件254实现接收器104和一个或多个通信网络之间的通信。在一些实施例中,(多个)通信组件254能够使用各种定制或标准无线协议(例如,iEEE 802.15.4、Wi-Fi、ZigBee、6LoWPAN、Thread、Z-Wave、蓝牙智能、ISA100.11a、WirelessHART、MiWi等)、定制或标准有线协议(例如,以太网、HomePlug等)和/或任何其他合适的通信协议包括截至本文档的提交日期尚未开发的通信协议中的任何一种来进行数据通信。
(多个)通信组件254包括能够使用各种定制或标准无线协议(例如,iEEE802.15.4、Wi-Fi、ZigBee、6LoWPAN、Thread、Z-Wave、蓝牙智能、ISA100.11a、WirelessHART、MiWi等)中的任何一种、定制或标准有线协议(例如,以太网、HomePlug等)中的任何一种和/或任何其他合适的通信协议包括截至本文档的提交日期尚未开发的通信协议中的任何一种来进行数据通信的硬件。
存储器256包括高速随机存取存储器诸如DRAM、SRAM、DDR、SRAM或其他随机存取固态存储设备;并且可选地包括非易失性存储器,诸如一个或多个磁盘存储设备、一个或多个光盘存储设备、一个或多个闪存设备、或者一个或多个其他非易失性固态存储设备。存储器256或者替选地存储器256内的非易失性存储器包括非暂时性计算机可读存储介质。在一些实施例中,存储器256或存储器256的非暂时性计算机可读存储介质存储以下程序、模块和数据结构或其子集或超集:
·操作逻辑266,其包括用于处理各种基本系统服务和用于执行硬件相关任务的过程;
·通信模块268,其用于结合(多个)通信组件254耦合到远程设备(例如,远程传感器、发射器、接收器、服务器、映射存储器等)和/或与远程设备通信;
·传感器模块270,其用于获得并处理传感器数据(例如,结合传感器262),以例如确定接收器103、RF充电垫100或接收器103附近的物体的存在、速度和/或定位;
·无线功率接收模块272,其用于接收(例如,结合(多个)天线260和/或功率收集电路系统259)来自功率波和/或能量袋的能量;可选地转换(例如,结合能量收集电路259)能量(例如,转换成直流);将能量传送到耦合的电子设备;以及可选地存储能量(例如,结合能量存储设备261);以及
·数据库274,包括但不限于:
ο传感器信息276,其用于存储和管理由一个或多个传感器(例如,传感器262和/或一个或多个远程传感器)接收、检测和/或传输的数据;
ο设备设置278,其用于存储接收器103、耦合的电子设备和/或一个或多个远程设备的操作设置;以及
ο通信协议信息280,其用于存储和管理一个或多个协议(例如,定制或标准无线协议诸如ZigBee、Z-Wave等,和/或定制或标准有线协议诸如以太网)的协议信息;以及
·安全元件模块282,其用于向RF充电垫100提供标识信息(例如,RF充电垫100使用标识信息来确定无线功率接收器104是否被授权以接收无线递送的功率)。
以上标识的元件(例如,存储在RF充电垫104的存储器256中的模块)中的每一个可选地存储在前面提及的存储设备中的一个或多个中,并且对应于用于执行上述(多个)功能的一组指令。以上标识的模块或程序(例如,指令集)不需要作为分离的软件程序、过程或模块来实施,并且因此这些模块的各种子集在各种实施例中被可选地组合或以其他方式重新布置。在一些实施例中,存储器256可选地存储以上标识的模块和数据结构的子集。另外,存储器256可选地存储上文未描述的附加模块和数据结构,诸如用于标识所连接的设备的设备类型(例如,与接收器104耦合的电子设备的设备类型)的标识模块。
现在转到图3A至图8,示出了RF充电垫100的实施例,其包括用于修改RF充电垫100的各个天线处的阻抗值的组件(例如,负载拾取器),并且还参考这些图提供了对包括形成曲折线图案的导电线的天线的描述。
如图3A所示,一些实施例包括RF充电垫100,该RF充电垫包括负载拾取器106以允许修改RF充电垫100的各个天线处的阻抗值。在一些实施例中,RF充电垫100包括一个或多个天线元件,该一个或多个天线元件各自在第一端由相应功率放大器开关电路系统103供电/馈电,并且在第二端由相应自适应负载端子102供电/馈电(下面参考图3B至图3C提供一个或多个天线元件的附加细节和描述)。
在一些实施例中,RF充电垫100还包括中央处理单元110(本文也称为处理器110)(或与之通信)。在一些实施例中,处理器110是负责管理RF充电垫100的操作的单个集成电路的组件,诸如图1B中示出并且被包括作为RF功率发射器集成电路160的组件的CPU 202。在一些实施例中,处理器110被配置成控制RF信号频率并控制自适应负载端子102中的每一个处的阻抗值(例如,通过与负载拾取器或自适应负载106通信以生成各种阻抗值,该负载拾取器或自适应负载可以是专用集成电路(ASIC)或可变电阻器)。在一些实施例中,负载拾取器106是被放置处于开路或短路状态的机电开关。
在一些实施例中,电子设备(例如,包括作为内部或外部连接组件的接收器104的设备,诸如放置在充电垫100的顶部上的遥控器,其可以集成在流媒体设备或投影仪的外壳内)使用从充电垫100的一个或多个RF天线元件传送到接收器104的能量来向电池充电和/或直接给电子设备供电。
在一些实施例中,RF充电垫100被配置有用于接收功率(来自功率放大器(PA)108,图3A)的多于一个输入端子和多于一个输出或自适应负载端子102。在一些实施例中,在RF充电垫100的特定区(例如,包括位于将要充电的电子设备(具有内部或外部连接的RF接收器104)放置在充电垫上的位置下方的天线元件的区)处的自适应负载端子102被优化以便最大化由接收器104接收的功率。例如,中央处理器110在接收到具有内部或外部连接的RF接收器104的电子设备已经被放置在特定区105(区105包括一组天线元件)中的垫100上的指示时可以适配该组天线元件以最大化传送到RF接收器104的功率。适配该组天线元件可以包括CPU 110命令负载拾取器106尝试与该组天线元件相关联的自适应负载端子102的各种阻抗值。例如,天线元件处的特定导电线的阻抗值由Z=A+jB的复数值给出(其中A是阻抗值的实部,B是虚部,例如0+j0、1000+j0、0+50j或25+j75等),并且负载拾取器调节阻抗值以最大化从该组天线元件传送到RF接收器104的能量的量。在一些实施例中,适配该组天线元件还包括或替选地包括CPU 110,其使该组天线元件以各种频率发射RF信号,直到找到将最大量的能量传送到RF接收器104的频率。在一些实施例中,调节该组天线元件进行发射的阻抗值和/或频率导致传送到RF接收器104的能量的量发生变化。以这样的方式,传送到RF接收器104的能量被最大化(例如,将由垫100的天线元件传输的能量的至少75%传送到接收器104,并且在一些实施例中,调节阻抗值和/或频率可以允许高达98%的传输的能量被接收器104接收)可以在垫100上的RF接收器104可能被放置的任何特定点被接收。
在一些实施例中,包括功率放大器108的输入电路可以附加地包括可以改变输入信号的频率的设备,或者可以同时以多个频率操作的设备,诸如振荡器或频率调制器。
在一些实施例中,CPU 110在传送到RF接收器104的能量的量超过预定阈值(例如,接收到75%或更多的传输的能量,诸如高达98%)时或者通过用多个阻抗和/或频率值测试传输并且然后选择导致最大能量被传送到RF接收器104的阻抗和频率的组合(如下文关于适配方案描述的那样),确定最大量的能量正在被传送到RF接收器104。
在一些实施例中,采用适配方案来自适应地调节从充电垫100的(多个)RF天线120发出的(多个)RF信号的阻抗值和/或频率,以便确定哪个频率和阻抗的组合导致到RF接收器104的最大能量传送。例如,连接到充电垫100的处理器110在RF充电垫100的给定位置(例如,RF充电垫100的包括用于发射RF信号的一个或多个RF天线元件的区或区域,诸如图3A的区105)处尝试不同的频率(即,在允许的一个或多个操作频率范围内),以试图自适应地优化以获得更好的性能。例如,简单的优化或者打开/断开或者闭合/短路每个负载端子到接地(在使用继电器在这些状态之间切换的实施例中),并且还可以使区域内的RF天线以各种频率进行发射。在一些实施例中,对于继电器状态(开路或短路)和频率的每个组合,传送到接收器104的能量被监视,并与使用其他组合时传送的能量进行比较。选择导致到接收器104最大能量传送的组合,并将其用于继续向接收器104发射一个或多个RF信号。在一些实施例中,以上描述的适配方案作为下面参考图9A至图9B、图10和图11A至图11E描述的方法的一部分来执行,以帮助最大化由RF充电垫100传送到接收器104的能量的量。
作为另一示例,如果垫100利用ISM频带中的五个频率来传输射频波,并且负载拾取器106是用于在开路状态和短路状态之间切换的机电继电器,则采用适配方案将涉及针对每个天线元件120或针对天线元件120的区尝试10个频率和阻抗值组合,并且选择导致最佳性能(即,导致在接收器104处接收到最多功率,或者从垫100传送到RF接收器104最多功率)的组合。
工业、科学和医疗无线电频带(ISM频带)是指无线电波带群组或无线电频谱的在国际上保留用于旨在用于科学、医学和工业要求而不是用于通信的射频(RF)能量的使用的部分。在一些实施例中,所有ISM频带(例如,40MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz、24GHz、60GHz、122GHz、以及245GHz)可以用作适配方案的一部分。作为一个具体的示例,如果充电垫100在5.8GHz频带中操作,那么采用适配方案将包括发射RF信号,并且然后以预定增量(例如,50MHz的增量,因此频率为5.75GHz、5.755GHz、5.76GHz等)调节频率。在一些实施例中,预定增量可以是5、10、15、20、50Mhz的增量,或任何其他合适的增量。
在一些实施例中,垫100的天线元件120可以被配置成在两个不同的频带中操作,例如,中心频率为915MHz的第一频带和中心频率为5.8GHz的第二频带。在这些实施例中,采用适配方案可以包括发射RF信号,并且然后以第一预定增量调节频率直到针对第一频带达到第一阈值,并且然后以第二预定增量(其可以与第一预定增量相同或可以不与其相同)调节频率,直到针对第二频带达到第二阈值。例如,天线元件120可以被配置成以902MHz、915MHz、928MHz(在第一频带中)进行发射,并且然后以5.795GHz、5.8GHz和5.805GHz(在第二频带中)进行发射。下面参考图14A至图14D和图15提供了关于能够在多个频率下操作的天线元件的附加细节。
现在转到图3B至图3C,根据一些实施例示出了示出RF充电垫的一部分的高级框图。
图3B示出了单个发射天线120的示意图(其可以是天线区的一部分,该天线区包括这种天线120中的一个或这种天线的阵列,它们全部形成图3A中示出的充电垫100)。在一些实施例中,TX天线120也被称为TX天线元件120。在一些情况下,RF接收单元/天线(RX)(或包括作为内部或外部连接的组件的接收单元104的设备)被放置在包括TX天线120(其包括形成曲折线路布置的导电线,如图3B所示)的垫100的一部分的顶部上。
在一些实施例中,接收器104与单个TX天线120的金属导电线没有直接接触,并且只是耦合(即,在近场区)到TX天线120。
在一些实施例中,TX天线120具有在图3B中标记为121(其可以是图3A的端子102中的相应一个)和123(其可以连接到图3A的PA开关电路103中的相应一个)的两个或更多个端子(或端口)。在一些实施例中,(来自功率放大器或PA的)功率的源连接到端子123,自适应负载(例如,机电开关或ASIC)连接到端子121。在一些实施例中,自适应负载通常形成为具有实部和虚部的复阻抗(即,可以使用有源器件(例如,由晶体管制成的集成电路或芯片)或由电感器/电容器和电阻器形成的无源器件来形成复数自适应负载)。在一些实施例中,复阻抗由公式Z=A+jB(例如,0+j0、100+j0、0+50j等)给出,如上所讨论的。
在一些实施例中,接收器104也可以被视为第三端子。为了消除浪费的能量,接收器104应该被配置成吸收从端子123并且朝向端子121行进的感应功率的最大量(例如,75%或更多,诸如98%)。在一些实施例中,处理器110通过反馈回路连接到接收器104(例如,通过使用短程通信协议交换消息,诸如通过蓝牙低能量(BLE)交换消息)。在一些替代性实施例中,从接收器回到发射器处的CPU的反馈回路可以利用与由垫100传输的功率传输信号相同的频带,而不是使用分离的通信协议和/或不同的频带。
在一些实施例中,反馈回路和交换的消息可以用于指示所接收的能量的量,或者替选或附加地,可以指示与先前测量相比所接收的能量的量方面的增加或减少。在一些实施例中,处理器110监视由接收器104在特定时间点接收的能量的量,并控制/优化自适应负载以最大化从端子123传输到端子121的功率。在一些实施例中,监视所传送的能量的量包括以下中的一个或两个:(i)从接收器104(或电子设备的组件,接收器104位于该电子设备中)接收指示由接收器104在特定时间点接收的能量的量的信息,和(ii)监视在端子121处保留在导电线中的(而不是已经被接收器104吸收的)能量的量。在一些实施例中,利用这些监视技术两者,而在其他实施例中,利用这些监视技术中的一个或另一个。
在一些实施例中,接收器104(即,包括作为内部或外部连接的组件的接收器104的电子设备)可以被放置在充电垫100的顶部上的任何地方(即,部分或完全覆盖在相应天线元件120上形成曲折图案的导电线),并且处理器110将继续监视传送的能量的量并进行所需的调节(例如,对阻抗和/或频率)以最大化传送到接收器104的能量。
为了帮助说明充电垫100和包括在其中的天线元件120的操作,图3B中示出的发射天线元件120被分成两个区段:1)区段125开始于天线元件120的端子123,并延伸到接收器104的边缘;以及2)区段127由发射天线元件120的剩余部分和端子121形成。下面参照图3C更详细地描述这些块。应当理解的是,区段125和127是用于说明形目的的功能表示,并且它们不旨在指定将天线元件划分成分离的区段的特定实施方式。
现在转到图3C,示出了TX天线120的框图。在一些实施例中,从划分区段125和127的点开始并在TX天线120到自适应负载106(例如,端子121)的连接处结束的有效阻抗值(Z有效)将基于接收器104在TX天线120上的位置和基于端子121处由自适应负载106提供的所选择的负载而改变。在一些实施例中,所选择的负载由自适应负载106(结合处理器110,图3A)优化以便以这样的方式调谐Z有效,即在端子123和接收器104之间传送的能量达到最大值(例如,由垫100的天线元件传输的能量的75%或更多(诸如98%)被RF接收器104接收),而能量传送从端子123到端子121也可以保持处于最小值(例如,由垫100的天线元件传输的能量的少于25%没有被RF接收器104接收,并且最终到达端子121或者最终被反射回,包括少至2%)。
在使用机电开关(例如,机械继电器)在开路状态和短路状态之间切换的实施例中,将特定天线元件120的开关从开路状态移动到短路状态(例如,短路到地平面)导致该特定天线元件120的相应端子121处的阻抗值Z有效下降到接近0的值(替选地,从短路状态切换到开路状态会导致阻抗值跳跃到靠近接近无穷大的值)。在一些实施例中,上面参考图3A讨论的频率适配方案被用来测试阻抗值和RF信号频率的各种组合,以便最大化传送到RF接收器(例如,接收器104,图3A至图3C)的能量。在一些实施例中,可以使用集成电路(IC或芯片)代替机电开关作为自适应负载106。在这样的实施例中,自适应负载106被配置成沿着值的范围诸如在0和无穷大之间调节阻抗值。在一些实施例中,IC可以由自适应/可重配置的RF有源和/或无源元件(例如,晶体管和传输线)形成,这些元件由IC的固件(和/或在控制IC的操作的CPU 110上执行的固件)控制。在一些实施例中,由IC产生并通过固件控制并基于来自反馈回路的信息(上文参考图3A讨论)的阻抗可以被改变以覆盖从史密斯圆图中选择的任何负载值(或者IC可以被设计成产生覆盖史密斯圆图的值的一部分的特定负载)。在一些实施例中,该IC不同于用于管理垫100的整体操作的RF功率发射器集成电路160(图1B),并且该另一个IC也与RF功率发射器集成电路160通信,以允许电路160控制对阻抗值的调节。史密斯圆图可以被采样并存储在可由处理器110访问的存储器(例如,作为查找表)中,并且处理器110可以使用存储的史密斯圆图来执行查找,以确定要测试的各种阻抗值。例如,集成电路可以被配置成结合各种RF传输频率为要测试的阻抗值选择预定数量的复数值(例如,5j至10j、100+0j或0+50j等),以便定位优化传送到接收器104的能量的值的组合(上面讨论了最大化的能量传送的示例)。
在一些其他实施例中,具有一个自适应负载106的图1B的多于一个天线元件120的发射器或充电垫可以被配置成同时分别在两个或更多不同的频带中操作。例如,第一天线元件在第一频率或频带下操作,第二天线元件在第二频率或频带下操作,第三天线元件在第三频率或频带下操作,以及第四天线元件在第四频率或频带下操作,并且四个频带彼此不同。因此,具有两个或更多天线元件120的发射器可以用作多频带发射器。
图3D是根据一些实施例的简化电路的示出了正在发射RF信号的天线元件的各区段内的能量流的框图。图3D中的部分1和部分2指的是图3B和图3C中示出的区段,特别地,部分1对应于区段125,部分2对应于区段127。
如图3D所示,发射天线元件120的有效阻抗(Z有效)由接收器104(在一些实施例中,其形成如下文更详细讨论的曲折线图案)和自适应负载(在图3B和3C中标记为区段127)之后的导电线部分形成。在一些实施例中,通过优化,负载Z有效将被调谐,使得从PA传送到接收器104的能量被最大化;并且,到其到达自适应负载时导电线中剩余的能量被最小化(如上所讨论)。
图4是根据一些实施例的具有两个端子的天线元件的示意图。如图4所示,天线元件120的输入端子或第一端子(也参考上面的图3B至图3D描述为端子123)与功率放大器108连接,并且输出端子或第二端子(也参考上面的图3B至图3D描述为端子121)与允许配置自适应负载的负载拾取器106连接。换句话说,在一些实施例中,天线元件120由功率放大器108从第一端子馈电,并且天线元件120也在自适应负载(例如,在短路和开路状态之间切换的机械继电器)处端接于第二端子。
在一些实施例中,充电垫100(图3A)由具有形成曲折线图案的导电线单层或多层铜天线元件120制成。在一些实施例中,这些层中的每一层具有可靠地平面作为其层中的一个(例如,底层)。对于图4中示出的发射天线元件,示出并标记了可靠地平面的一个示例。
在一些实施例中,RF充电垫100(以及其中包括的各个天线元件120)嵌入在消费者电子设备中,诸如投影仪、膝上型计算机或数字媒体播放器(诸如联网的流媒体播放器,例如ROKU设备,其连接到电视机用于观看流式电视节目和其他内容)。例如,通过将RF充电垫100嵌入消费者电子设备中,用户能够简单地将外围设备诸如用于投影仪或流媒体播放器的遥控器(例如,用于投影仪或流媒体播放器的遥控器包括相应的接收器104,诸如图7A至图7D中示出的接收器104的示例结构)放置在投影仪或流媒体播放器的顶部,包括在其中的充电垫100将能够向内部或外部连接到遥控器的接收器104传输能量,然后由接收器104收集该能量用于对遥控器进行充电。
在一些实施例中,RF充电垫100可以作为独立的充电设备被包括在USB保护锁(dongle)中,待充电的设备被放置在该独立的充电设备上。在一些实施例中,天线元件120可以被放置在USB保护锁的顶表面、侧表面和/或底表面附近,使得要充电的设备可以被放置在接触USB保护锁的各种位置(例如,正在充电的耳机可以坐落在USB保护锁的顶部上、下面或悬在其上方,并且仍然能够从嵌入的RF充电垫100接收RF传输)。
在一些实施例中,RF充电垫100被集成到家具中,诸如桌子、椅子、工作台面等,从而允许用户通过简单地将他们的设备放置在包括集成RF充电垫100的表面的顶部上来容易地对他们的设备(例如,包括作为内部或外部连接的组件的相应接收器104的设备)充电。
现在转到图5,提供了通过射频(RF)功率传输对电子设备充电的方法500的流程图。最初,提供发射器502,该发射器包括用于发射一个或多个RF信号或波的至少一个RF天线(例如,天线元件120,图3B至图3D和图4),即,被设计成并能够传输RF电磁波的天线。在一些实施例中,RF天线元件120的阵列以单个平面、以堆叠或以它们的组合的方式彼此相邻布置,从而形成RF充电垫100。在一些实施例中,RF天线元件120各自包括天线输入端子(例如,上面参照图4讨论的第一端子123)和天线输出端子(例如,上面参照图4讨论的第二端子121)。
在一些实施例中,还提供504接收器(例如,接收器104,图3A至图3D)。接收器还包括用于接收RF信号的一个或多个RF天线310。在一些实施例中,接收器包括至少一个整流天线,该至少一个整流天线将一个或多个RF信号转换318为可用功率,以对包括作为内部或外部连接的组件的接收器104的设备进行充电。在使用中,接收器104被放置506在到至少一个天线的近场射频距离内。例如,接收器可以被放置在至少一个RF天线的顶部上,或者被放置在与至少一个RF天线相邻的表面诸如充电垫100的表面的顶部上。
然后,经由至少一个RF天线发射508一个或多个RF信号。然后,监视512/514系统,以确定经由一个或多个RF信号从至少一个天线传送到RF接收器的能量的量(如上所讨论的那样)。在一些实施例中,监视512发生在发射器处,而在其他实施例中,监视514发生在接收器处,该接收器经由反向信道(例如,通过使用WiFi或蓝牙的无线数据连接)将数据发送回发射器。在一些实施例中,发射器和接收器经由反向信道交换消息,并且这些消息可以指示发射和/或接收的能量,以便通知在步骤516进行的调节。
在一些实施例中,在步骤516自适应地调节发射器的特性,以试图优化从至少一个RF天线传送到接收器的能量的量。在一些实施例中,这个特性是一个或多个RF信号的频率和/或发射器的阻抗。在一些实施例中,发射器的阻抗是可调负载的阻抗。同样在一些实施例中,至少一个处理器还被配置成控制自适应负载的阻抗。上面提供了关于阻抗和频率调节的附加细节和示例。
在一些实施例中,发射器包括被配置成电耦合到电源的功率输入,以及被配置成控制发送到天线的至少一个电信号的至少一个处理器(例如,处理器110,图3A至图3B)。在一些实施例中,至少一个处理器还被配置成控制发送到天线的至少一个信号的频率。
在一些实施例中,发射器还包括电耦合在功率输入端子和天线输入端子之间的功率放大器(例如,图3A、图3B、图3D和图4中的PA 108)。一些实施例还包括电耦合到天线输出端子(例如,端子121,图3A至图3C和图4)的自适应负载。在一些实施例中,至少一个处理器基于从至少一个天线传送到RF接收器的所监视的能量的量来动态调节自适应负载的阻抗。在一些实施例中,至少一个处理器同时控制发送到天线的至少一个信号的频率。
在一些实施例中,发射器的每个RF天线包括:形成曲折线图案的导电线;在导电线的第一端处的第一端子(例如端子123),用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及在导电线第二端处的不同于第一端子的第二端子(例如端子121),第二端子耦合到由一个或多个处理器控制并允许修改导电线的阻抗值的组件(例如,自适应负载106)。在一些实施例中,导电线设置在多层基板的第一天线层上或其内。同样在一些实施例中,第二天线设置在多层基板的第二天线层上或其内。最后,一些实施例还提供了设置在多层基板的地平面层上或其内的地平面。
在一些实施例中,上面参考图5描述的方法结合下面参考图9A至图9B、图10和图11A至图11E描述的方法来执行。例如,修改/调节阻抗值的操作是在确定哪些天线区(“所确定的天线区”)用于向接收器传输无线功率之后执行的,并且然后调节所确定的天线区处的阻抗值,以确保由所确定的天线区内的天线将最大量的功率无线传送到接收器。
图6A至图6E是示出根据一些实施例的RF充电垫内的各个天线元件的各种配置的示意图。如图6A至图6E所示,RF充电垫100(图3A)可以包括使用不同结构制成的天线元件120。
例如,图6A至图6B示出了包括各自包括形成为曲折线图案的导电线的多个层的天线元件120的结构示例。相对于多层天线元件120内的其他导电线,每个相应层处的导电线可以具有相同(图6B)或不同(图6A)的宽度(或长度、或迹线规格、或图案、每个迹线之间的间隔等)。在一些实施例中,曲折线图案可以被设计成在垫100(或单个天线元件120)的不同位置处具有可变的长度和/或宽度,并且曲折线图案可以被印刷在单个天线元件120的或垫100的多于一个基板上。曲折线图案的这些配置允许更多的自由度,并且因此,可以构建更复杂的天线结构,这些天线结构允许各个天线元件120和RF充电垫100的更宽的操作带宽和/或耦合范围。
图6C至图6E中提供了附加示例结构:图6C示出了用于天线元件120的结构的示例,该天线元件包括具有形成曲折线图案的导电线的多个层,这些曲折线图案也具有滑动覆盖区域(在一些实施例中,相应的曲折线图案可以放置在不同的基板中,其中仅相应基板的第一曲折线图案的一部分与不同基板的第二曲折线图案重叠(即,滑动覆盖区域),并且这个配置有助于将覆盖范围扩展到天线结构的整个宽度);图6D示出了用于天线元件120的结构的示例,该天线元件包括在曲折线图案内每圈具有不同长度的导电线(在一些实施例中,在每圈使用不同长度有助于扩展天线元件120的耦合范围和/或有助于增加RF充电垫100的操作带宽);并且图6E示出了用于天线元件120的结构的示例,该天线元件包括形成两个相邻曲折线图案的导电线(在一些实施例中,具有形成两个相邻曲折线图案的导电线有助于扩展天线元件120的宽度)。全部这些示例是非限制性的,并且使用以上描述的示例结构,任何数量的组合和多层结构都是可能的。
图7A至图7D是根据一些实施例的RF接收器的天线元件的示意图。特别地,图7A至图7D示出了RF接收器(例如,接收器104,图3A至图3D和图4)的结构的示例,包括:(i)接收器,该接收器具有形成曲折线路图案的导电线(导电线可以被也可以被可靠地平面或反射器支持),如图7A(单极性接收器)和图7B(双极性接收器)所示。图7C至图7D示出了具有双极性和形成曲折线图案的导电线的RF接收器的结构的附加示例。图7A至图7D中示出的结构中的每一个可以用于为相应的RF接收器提供不同的耦合范围、耦合取向和/或带宽。作为非限制性示例,当图7A中示出的天线元件用于接收器时,可以设计/构建仅在一个方向上耦合到垫100的非常小的接收器。作为另一非限制性示例,当图7B至图7D中示出的天线元件用于接收器时,接收器能够以任何取向耦合到垫100。
下面提供了天线元件的曲折线图案的其他示例和描述。图8是根据一些实施例的具有形成较大RF充电/传输垫的多个发射天线元件(单位单元)的RF充电垫的示意图。在一些实施例中,RF充电垫100被形成为相邻天线元件120的阵列(小区之间的距离可以针对最佳覆盖区域进行优化)。在一些实施例中,当接收器被放置在相邻天线元件120之间的区域/间隙中时,试图优化能量传送(例如,根据上面参考图3A讨论的适配方案)可能不会导致能量传送增加到可接受的阈值水平以上(例如,75%或更多)。由此,在这些情况下,相邻的天线元件可以都被配置成同时以全功率传输RF波,以将附加的能量传送到放置在RF充电垫的表面上并且在相邻天线元件120之间的位置处的接收器。
作为根据一些实施例的一种可能的配置,端口(或端子)群组#1(图8)供应功率,端口(或端子)群组#2和#3提供自适应负载(例如,在短路和开路状态之间移动的机电继电器)。作为合适的配置的另一示例,端口(或端子)群组#1、#2和#3也可以用于通过功率放大器向充电垫100供应功率(同时或其中在必要的情况下一次切换一个群组)。
在一些实施例中,RF充电垫100的每个发射天线元件120形成分离的天线区,该天线区由馈送(PA)端子和一个或多个端子控制,以支持(多个)自适应负载,如上面详细解释的那样。在一些实施例中,来自接收器的反馈有助于确定接收器放置在其顶部上的天线区,并且该确定激活该区(例如,使用开关295,图1C)。在接收器放置在两个或更多个区之间(例如,在相邻天线元件120之间的区域/间隙处)的情况下,可以激活附加的邻近区,以确保足够的能量传送到接收器。下面参考图9A至图9B、图10和图11A至图11E提供了关于确定用于向接收器传输无线功率的区域的附加细节。
图9A至图9B是示出根据一些实施例的选择性地激活近场充电垫中的一个或多个天线区(例如,激活与其相关联的天线)的方法900的流程图。方法900的操作由近场充电垫(例如,RF充电垫100,图1B和图2A)或由其一个或多个组件(例如,上面参考图1A至图1B和图2A描述的那些组件)来执行。在一些实施例中,方法900对应于存储在计算机存储器或计算机可读存储介质(例如,RF充电垫100的存储器206,图2A)中的指令。
近场充电垫包括一个或多个处理器(例如,图1B的CPU 202)、无线通信组件(例如,(多个)通信组件204,图1A和图2A)和多个天线区(例如,天线区290-1和290-N,图1B),该多个天线区各自分别包括至少一个天线元件(例如,天线210中的一个,其可以是参考图3A至图6E描述的天线120中的一个)(902)。在一些实施例中,近场充电垫包括不同的天线(或包括天线的单位单元,在此也称为天线元件),这些不同的天线各自包括在相应的天线区中。例如,如图1B所示,天线区290-1包括天线210-A。在另一示例中,也如图1B所示,天线区290-N包括多个天线。天线区也可以被称为天线群组,使得近场充电垫包括多个天线区或群组,并且每个相应的区/群组包括不同的天线元件中的至少一个(例如,至少一个天线210)。应当注意的是,天线区可以包括任意数量的天线,并且可以修改或调节与特定天线区相关联的天线数量(例如,负责管理近场充电垫100的操作的RF功率发射器集成电路160的CPU子系统170在不同的时间点处动态地限定每个天线区,这将在下面更详细地讨论)。在一些实施例中,每个天线区包括相同数量的天线。
在一些实施例中,一个或多个处理器是用于控制近场充电垫的操作的单个集成电路(例如,RF功率发射器集成电路160,图1B)的组件。在一些实施例中,近场充电垫的一个或多个处理器和/或无线通信组件在近场充电垫的外部,诸如近场充电垫嵌入其中的设备的一个或多个处理器。在一些实施例中,无线通信组件是无线电收发器(例如,用于与无线功率接收器交换通信信号的蓝牙无线电装置、Wi-Fi无线电装置等)。
在一些实施例中,该方法包括在近场充电垫的校准过程期间建立(904)一个或多个设备检测阈值。在一些情况下,校准过程在制造近场充电垫之后执行,并且包括:将各种类型的设备(例如,智能手机、平板计算机、膝上型计算机、连接的设备等)放置在近场充电垫上,并且然后在向各种类型的设备传输测试功率传输信号的同时,测量在天线区处检测到的最小的反射功率量。在一些情况下,第一设备特定的阈值被确立为处于对应于最小反射功率量的5%或更少的值。在一些实施例中,还确立第二设备特定的阈值,使得如果没有一个天线区能够满足第一阈值(例如,因为无线功率接收器位于天线区之间的边界处),则第二较高的阈值可以用于定位多于一个的天线区,以用于向无线功率接收器传输功率(如下面更详细讨论的那样)。在一些实施例中,为设备的各种类型中的每种类型确立多个第一和第二设备特定的检测阈值,并且这些多个第一和第二设备特定的检测阈值可以存储在与RF功率发射器集成电路160相关联的存储器中(例如,存储器206,图2A)。
方法900还包括经由无线通信组件检测(906)无线功率接收器在近场充电垫的阈值距离内。在某些情况下,检测可以发生在近场充电垫被打开(例如,加电)之后。在这些情况下,近场充电垫扫描近场充电垫周围的区域(例如,扫描位于阈值距离内的无线功率接收器,例如,在背离NF充电垫100的1至1.5米内),以确定是否有任何无线功率接收器在NF充电垫100的阈值距离内。近场充电垫可以使用无线通信组件(例如,(多个)通信组件204(图2A),诸如蓝牙无线电装置)来对由与无线功率接收器相关联的无线通信组件(例如,通信组件254,图2B)广播的信号进行扫描。在一些实施例中,在检测到近场充电垫的阈值距离内的无线功率接收器之后,由一个或多个处理器(从以上讨论的多个第一和第二设备检测阈值当中)选择设备检测阈值。例如,无线功率接收器的无线通信组件用于向近场充电垫提供标识设备类型的信息,诸如包括这个信息的蓝牙或蓝牙低能量广告信号。在一些实施例中,为了节省能量并延长近场充电垫及其组件的寿命,直到在近场充电垫的阈值距离内检测到无线功率接收器,才传输无线功率(并且不发起本文中的设备检测和天线选择算法讨论)。
在一些实施例中,检测906还包括执行授权握手(例如,使用安全元件模块234和282,图2A和图2B),以确保无线功率接收器被授权从近场充电垫接收无线递送的功率,并且该方法仅在确定无线功率接收器被如此授权的情况下前进到操作908。以这样的方式,近场充电垫确保只有授权的无线功率接收器能够接收无线递送的功率,并且没有设备能够吸取由近场充电垫传输的功率。
方法900还包括,响应于检测到无线功率接收器在近场充电垫的阈值距离内,确定(912)无线功率接收器是否已经被放置在近场充电垫上。在一些实施例中,这是通过使用多个天线区中的每一个传输(908)测试功率传输信号并在传输测试功率传输信号的同时监视(910)近场充电垫处的反射功率量来实现的。
在一些实施例中,如果反射功率量不满足设备检测阈值(例如,反射功率量大于用测试功率传输信号传输的功率的20%),则确定无线功率接收器没有被放置在近场充电垫的表面上(912-否)。根据该确定,在步骤914,近场充电垫继续使用多个天线区中的每一个传输测试功率传输信号(即,前进到步骤908)。在一些实施例中,执行908和910处的操作,直到确定已经满足设备检测阈值。
在一些实施例中,在多个天线区中的每个天线区处测量反射功率量(例如,每个天线区可以与相应的ADC/DAC/功率检测器相关联,诸如图1B中示出的那个),而在其他实施例中,可以使用RF功率发射器集成电路160的单个组件(例如,ADC/DAC/功率检测器)来测量反射功率量。当反射功率量满足设备检测阈值时(912-是),确定无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上。例如,当反射功率量为利用测试功率传输信号传输的功率量的20%或更少时,反射功率量可以满足设备检测阈值。这样的结果表明,利用测试功率传输信号传输的足够量的功率被无线功率接收器吸收/捕获。
在一些实施例中,其他类型的传感器(例如,传感器212,图2A)被包括在近场充电垫中或与近场充电垫通信,以帮助确定无线功率接收器何时被放置在近场充电垫上。例如,在一些实施例中,利用一个或多个光学传感器(例如,当来自垫的一部分的光被阻挡时,则这可以提供无线功率接收器已经被放置在垫上的指示)、一个或多个振动传感器(例如,当在垫处检测到振动时,则这可以提供无线功率接收器已经被放置在垫上的指示)、一个或多个应变仪(例如,当垫的表面的应变水平增加时,这可以提供无线功率接收器已经被放置在表面上的指示)、一个或多个热传感器(例如,当垫的表面处的温度增加时,这可以提供无线功率接收器已经被放置在表面上的指示)、和/或一个或多个称重传感器(例如,当垫的表面上测量的重量增加时,则这可以提供无线功率接收器已经被放置在表面上的指示)来帮助进行该确定。
在一些实施例中,在传输测试功率传输信号之前,该方法包括确定无线功率接收器被授权从近场充电垫接收无线递送的功率。例如,如图2A至图2B所示,无线功率接收器104和近场充电垫100可以分别包括用于执行该授权过程的安全元件模块282和234,从而确保只有授权的接收器能够从近场充电垫接收无线递送的功率。
方法900还包括,根据确定无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上,通过包括多个天线区中的各个天线元件选择性地传输(916)具有第一组传输特性的各个测试功率传输信号。在一些实施例中,使用多个天线区中的每个天线区来执行选择性或顺序传输(918)。选择性地或顺序地传输指的是一次一个地选择性地激活天线区以使与各个天线区相关联的一个或多个天线发射测试功率传输信号(例如,RF功率发射器集成电路160向开关295提供一个或多个控制信号以选择性地激活不同的天线区)的过程。
现在参考图9B,方法900还包括确定(920)与由多个天线区中的至少一个特定天线区进行的相应测试功率传输信号的传输(在916和/或918处的顺序或选择性传输操作期间)相关联的特定功率递送参数是否满足功率递送判据(例如,特定功率传输参数是否指示由至少一个特定天线区将超过阈值量的功率传送到无线功率接收器)。在一些实施例中,基于由多个天线群组中的相应天线群组进行的相应测试功率传输信号的传输,每个相应功率递送参数对应于由无线功率接收器接收的功率的量。
在由一个或多个处理器确定特定功率递送参数满足功率递送判据(920-是)时,该方法还包括使用至少一个特定天线区向无线功率接收器传输(922)多个附加功率传输信号,其中多个附加功率传输信号中的每个附加功率传输信号以不同于第一组的第二组传输特性进行发射。在一些实施例中,通过调节第一组传输特性中的至少一个特性来增加由特定天线群组传送到无线功率接收器的功率的量,来确定第二组传输特性。此外,在一些实施例中,至少一个经调节的特性是频率或阻抗值(并且频率和阻抗值可以使用以上讨论的适配方案来调节)。
上面讨论的测试功率传输信号用于帮助确定哪些天线区用于向无线功率接收器递送无线功率。在一些实施例中,无线功率接收器不使用这些测试功率传输信号来向无线功率接收器或与其相关联的设备提供功率或充电。相反,多个附加功率传输信号用于向无线功率接收器提供功率或充电。以这样的方式,近场充电垫能够在设备检测阶段(例如,在传输测试功率传输信号时)保存资源,直到合适的天线区被定位用于传输多个附加功率传输信号。由此,方法900能够使用测试信号(即,具有第一组传输特性的测试功率传输信号)来定位无线功率接收器的位置,并且然后使用来自在给定无线功率接收器在近场充电垫上的位置的情况下最适于提供功率传输信号的天线区的天线来进行发射。如下面参考图10更详细讨论的那样,这个过程可以包括对天线区的粗略搜索(例如,粗略搜索可以包括操作908至918)和对天线区的更精细搜索(例如,更精细搜索可以包括操作920至934)。
在一些实施例中,功率控制过程(图11E)也用于帮助优化使用所选择的天线区递送到无线功率接收器的功率水平(例如,可以在操作922、930或934之后执行功率控制,以使用在方法900期间选择的天线区来调谐无线功率的传输)。作为功率控制过程的一部分,近场充电垫可以在传输附加的多个功率传输信号的同时,基于从无线功率接收器接收的、用于确定由近场充电垫无线递送到无线功率接收器的功率水平的信息来调节第二组传输特性中的至少一个特性。
返回到操作920,响应于确定在916(和可选地918)在(多个)顺序或选择性传输操作期间与测试功率传输信号的传输相关联的功率递送参数中没有一个满足功率递送判据(920-否),方法900还包括基于两个或更多个天线区的相关联的相应功率递送参数选择(924)两个或更多个天线区(本文也可互换地称为两个+天线区)。当无线功率接收器不在任何特定天线区上居中时(例如,接收器可能在多于一个的天线区上),这可能发生。例如,在操作924选择基于该两个或更多个天线区的相应功率递送参数在916(以及可选地在918)的顺序或选择性传输操作期间向无线功率接收器传送最高功率量的该两个或更多个天线区。以这样的方式,在一些实施例中,通过选择基于该两个或更多个天线区各自与高于其他天线区的功率递送参数的功率递送参数的关联性在916/918处在操作期间向无线功率接收器最有效地传输功率的该两个或更多个天线区,开始对最有效天线区的更精细搜索。在这些实施例中,可以针对每个天线区监视(结合操作916/918)相应的功率递送参数,并且然后比较这些功率递送参数,以确定选择多个天线区中的哪个作为用于无线功率传输的该两个或更多个天线区。
在选择该两个或更多个天线区之后,该方法还包括:(i)基于先前的传输(例如,基于从无线功率接收器接收的关于由无线功率接收器接收的功率水平的反馈或基于传输后在每个天线群组处测量的反射功率量),通过修改测试功率传输信号的至少一个特性(例如,频率、阻抗、复制、相位、增益等)来更新测试功率传输信号,以及(ii)使用该两个或更多个天线区中的每一个来传输(926)更新的测试功率传输信号(例如,RF功率发射器集成电路160可以向开关295提供一个或多个控制信号来激活两个或更多个天线区)。
方法900还包括确定(928)与由该两个或更多个天线区中的区传输更新的相应测试功率传输信号相关联的特定功率递送参数是否满足功率递送判据。响应于确定与由该两个或更多个天线区中的区传输更新的相应测试功率传输信号相关联的特定功率递送参数满足功率递送判据(928-是),方法900还包括使用该两个或更多个天线区中的区向无线功率接收器传输(930)多个附加功率传输信号,其中多个附加功率传输信号中的每个附加功率传输信号以不同于第一组的第二组传输特性进行发射(例如,RF功率发射器集成电路160可以向开关295提供控制信号)。多个附加功率传输信号用于向无线功率接收器(或与无线功率接收器耦合的电子设备)无线递送功率。
在一些实施例中,在操作920和928确定特定的功率递送参数满足功率递送判据可以包括确定相应的功率递送参数(与至少一个特定区域和/或该两个或更多个天线区中的区域相关联)指示第一阈值功率量被传送到无线功率接收器。如果在操作928进行这样的确定,则这指示该区域是该两个或更多个天线区中具有指示第一阈值功率量由该区域结合操作926传送到无线功率接收器的相应功率递送参数的唯一天线区。
在一些实施例中,第一阈值功率量对应于由无线功率接收器接收的功率量(在一些情况下,第一阈值功率量替选地对应于在近场充电垫处检测到的反射功率量)。如上所讨论的,在一些实施例中,校准过程是在制造近场充电垫之后执行的,并且包括将各种类型的设备(例如,各自与无线功率接收器耦合的智能手机、平板计算机、膝上型计算机、连接的设备等)放置在近场充电垫上,并且然后在由天线群组向各种类型的设备传输测试信号之后,测量在接收器(或与其耦合的设备)处接收的最大功率量。在一些情况下,第一阈值被确立为处于对应于最大接收功率量的百分比的值(例如,由特定天线区传输的功率的大约85%或更多被接收器接收)。
如上所解释那样,在校准过程的实施例期间,还确立第二阈值,使得如果没有一个天线区能够满足第一阈值(例如,因为无线功率接收器可以位于天线群组之间的边界处),则第二阈值可以用于定位多于一个的天线区,以向无线功率接收器传输无线功率(如下所讨论的那样)。这个第二阈值可以是在校准过程期间测量的最大反射功率量的另一百分比(例如,65%)。在一些实施例中,第一阈值和第二阈值被确定为经历校准过程的每个设备的相应的设备特定的第一阈值和第二阈值。
在一些实施例中,方法900包括确定(928-否)(i)该两个或更多个天线区中没有天线区正在向无线功率接收器传送第一阈值量功率,以及(ii)与该两个或更多个天线区中的附加天线区相关联的附加功率递送参数满足功率递送判据。例如,相应功率递送参数指示由该两个或更多个区中的区传送到无线功率接收器的第一功率量超过第二阈值功率量并且低于第一阈值功率量,并且附加功率递送参数还指示由附加天线区传送到无线功率接收器的第二功率量超过第二阈值功率量并且低于第一阈值功率量。换句话说,如果该两个或更多个天线区中没有天线区能够向无线功率接收器传送足够的功率以满足第一阈值功率量,则该方法继续确定天线群组中的两个是否向无线功率接收器传送足够的功率以满足第二较低的阈值功率量。例如,无线功率接收器可以位于两个天线群组之间的边界处,因此没有一个天线群组能够满足第一阈值,但是这两个天线群组能够各自单独满足第二阈值功率量。
在由近场充电垫的一个或多个处理器确定与由两个或更多个天线区传输更新的测试功率传输信号相关联的功率递送参数满足功率递送判据时(932-是)时,该方法还包括使用该两个或更多个天线区向无线功率接收器传输(934)多个附加功率传输信号。当无线功率接收器被放置在两个相邻的天线区之间时,可能会出现这种情况。在一些实施例中,该两个或更多个天线区各自同时传输附加的多个功率传输信号,以向无线功率接收器提供功率。
同样如图9B所示,如果该两个或更多个区不具有满足功率递送判据的功率递送参数(932-否),则方法900返回到操作906以开始搜索接收器(或者再次搜索不同的接收器),因为没有定位能够有效地向接收器传送无线功率的天线区。在一些实施例中,方法900可以替选地返回到操作924,以开始发射具有不同特性的测试功率传输信号,从而确定这些特性然后是否能够允许该两个或更多个天线区向接收器递送足够的无线功率以满足功率递送判据。在一些实施例中,方法900返回到操作924预定次数(例如,2次),并且如果该两个或更多个区仍然不具有满足功率递送判据的功率递送参数,则该方法在该点返回到操作906以开始搜索新的接收器。
在一些实施例中,在方法900成功定位用于向接收器无线递送功率的天线区之后(例如,在操作922、930和934),方法900返回到操作906以搜索新的接收器。在一些实施例中,近场充电垫能够在任何特定时间点同时向多个接收器递送无线功率,并且因此,再次迭代方法900允许近场充电垫适当地确定哪些天线区用于向这些多个接收器中的每一个传输无线功率。
在一些实施例中,由无线功率接收器经由近场充电垫的无线通信组件将用于确定用于近场充电垫的天线区中的每一个的相应功率递送参数的信息提供给近场充电垫(例如,接收器传输用于确定由接收器从以上讨论的测试功率传输信号接收的功率量的信息)。在一些实施例中,这个信息经由近场充电垫的无线通信组件和无线功率接收器之间的连接来发送,并且在确定无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上时建立该连接。
附加地,在一些实施例中,近场充电垫动态地产生或限定天线区。例如,参考图1B,近场充电垫可以限定第一天线区290-1以包括单个天线210-A,并且可以限定另一个天线区290-N以包括多于一个天线210。在一些实施例中,在以上讨论的方法900的各个阶段,可以重新限定天线区。例如,根据确定该两个或更多个天线区不具有满足功率递送判据的功率递送参数(932-否),近场充电垫可以重新限定天线区,以包括多个天线(而不是使每个天线区包括单个天线)。以这样的方式,方法900能够动态地限定天线区,以帮助确保定位可以用于向已经放置在近场充电垫上的接收器传输无线功率的合适的天线区。
图10是示出根据一些实施例的选择性地激活近场充电垫中的一个或多个天线群组的过程1000的概述。过程1000中的操作中的一些对应于或补充上面参考图9A中图9B的方法900描述的操作。如图10所示,过程1000开始于近场充电垫(例如,RF充电垫100,图1A至图1B和图2A)检测(1002)在范围内并且随后在近场充电垫上(操作1002对应于图9A中的操作906至912-是)的无线功率接收器(例如,无线功率接收器104,图12B)。过程1000还包括执行(1004)粗略搜索、执行(1006)精细搜索、以及执行(1008)功率控制例程。下面参考图11A至图11E进一步详细描述过程1000中的每个步骤。应当注意,在一些实施例中,过程1000开始于近场充电垫检测(1002)在近场充电垫上并且随后在近场充电垫的范围内的无线功率接收器。
图11A是详细说明用于检测范围内并且随后在近场充电垫上(或者在一些实施例中,在近场充电垫上并且随后在近场充电垫的范围内)的无线功率接收器的过程1002的流程图。过程1002包括启用近场充电垫(1102),即,使近场充电垫通电。此后,近场充电垫扫描(1104)无线功率接收器,并且至少部分地基于接收的信号强度指示符(RSSI)来检测(1106)范围内的无线功率接收器。为了获得RSSI,近场充电垫可以使用无线通信组件(例如,通信组件204(图2A),诸如蓝牙无线电装置)来扫描由与无线功率接收器相关联的无线通信组件广播的信号(例如,蓝牙广告信号)。上面参考方法900的操作906进一步详细讨论了检测近场充电垫的范围内的无线功率接收器。
接下来,近场充电垫检测(1108)近场充电垫上的无线功率接收器。在一些实施例中,近场充电垫使用上面参考操作908至914讨论的过程来确立无线功率接收器在近场充电垫上,直到确定无线功率接收器已经被放置在近场充电垫上。在一些实施例中,操作(1108)发生在操作(1102)之前。
继续,近场充电垫响应于检测到近场充电垫上的无线功率接收器,确立(1110)与无线功率接收器的通信信道。
现在转到图11B,该方法进行到过程1004,其中近场充电垫执行粗略搜索(1004)。在执行粗略搜索1004时,近场充电垫通过启用(1122)天线区(例如,天线区290-1,图1B)的功率来开始。在一些实施例中,启用天线区的功率包括由天线区中包括的天线元件传输(例如,在RF功率发射器集成电路160向开关295提供一个或多个控制信号以激活天线区之后)具有第一组传输特性(例如,相位、增益、方向、幅值、极化和/或频率)的测试功率传输信号。上面参考方法900的步骤916至918进一步详细讨论了传输测试功率传输信号。
继续粗略搜索1004,近场充电垫记录(1124)由无线功率接收器接收的功率量(“报告的功率”)。在一些实施例中,无线功率接收器经由在操作1110处确立的通信信道将报告的功率通信传送到近场充电垫。
对于已经为近场充电垫限定的所有天线区,近场充电垫重复(1126)上述步骤(1122)和(1124)(例如,RF功率发射器集成电路160向开关295提供一个或多个控制信号,以选择性地激活所有天线区)。此后,在一些实施例中,近场充电垫基于所报告的功率(例如,2或3个区域,或某个更大或更小的数量,这取决于环境)和配置的阈值(例如,功率递送判据)来选择(1128)一组天线区。为了便于讨论,该组中的每个天线区包括单个天线210(例如,天线区290-1,图1B)。然而,应当理解,不是选择一组天线区,而是近场充电垫也可以选择包括多个天线210的单个天线区。例如,如图1B所示,天线区290-N包括多个天线210。此外,视情况而定,该组中的每个天线区还可以包括多个天线。
现在转到图11C,在基于所报告的功率选择改组天线区之后,近场充电垫执行精细搜索过程(1006)。在一些实施例中,基于无线功率接收器在近场充电垫上的位置,精细搜索1006用于确定哪个(哪些)天线区最适合于向无线功率接收器无线递送功率。在执行精细搜索(1006)时,近场充电垫从使用粗略搜索选择的一组天线区中选择(1132)至少一个天线区,并且对于该至少一个天线区,近场充电垫扫过(1134)可用频率和/或阻抗(即,通过至少一个天线区调谐功率传输信号的传输)。此后,近场充电垫记录(1136)导致由无线功率接收器报告的接收功率量最大化的那些特性。在一些实施例中,对该组天线区(1138)中的每个天线区重复操作1134和1136,并且近场充电垫选择(1140)向无线功率接收器递送最大功率量的天线区(Z1)。此外,近场充电垫还通过天线区Z1记录频率(和其他传输特性)和中继位置,以实现向无线功率接收器递送最大功率量。
在一些情况或情形下,由天线区Z1递送到无线功率接收器的功率量不满足阈值功率量。在一些情况或情形下,近场充电垫执行邻近区搜索(1007),这在图11D中示出。在一些实施例中,邻近区搜索1007用于标识可以被激活(例如,RF功率发射器集成电路160向开关295提供一个或多个控制信号)的与所选择的天线区Z1的一个或多个邻近区,以便增加递送到无线功率接收器的功率量。例如,这可能在无线功率接收器位于近场充电垫的相邻天线区之间的边界处(例如,位于两个天线区、三个天线区或四个天线区之间的交叉处)时发生。在执行邻近区搜索1007时,近场充电垫标识(1142)与所选择的天线区Z1邻近的天线区(ZA)。在一些实施例中,标识邻近区(ZA)包括识别多达五个邻近区。
接下来,近场充电垫将所选择的天线区Z1和每个标识的邻近区配对(1144),并扫过(1146)所有天线调谐组合,并扫过(1148)所有可用频率(以及可能的其他传输特性)。此后,近场充电垫从邻近区当中选择(1150)天线区的组合。例如,近场充电垫可以确定所选择的天线区Z1向无线功率接收器递送的功率量高于这些天线区中的任一个单独能够向无线功率接收器递送的功率量。在另一示例中,近场充电垫可以确定所选择的天线区Z1和两个(或三个)其他邻近区向无线功率接收器递送最大功率量。当选择期望的天线区组合时,近场充电垫记录用于产生被递送到无线功率接收器的最大功率量的传输特性。上面还参考方法900的步骤924至932更详细地讨论了执行精细搜索和邻近区搜索。
在执行精细搜索1006(以及邻近区搜索1007,如果需要的话)之后,近场充电垫执行(1008)功率控制例程,其示例在图11E中示出。在一些实施例中,功率控制例程允许无线功率接收器和近场充电垫两者持续监视递送到无线功率接收器的功率量。以这样的方式,可以基于从无线功率接收器接收的反馈来进行对无线功率传输的调节。例如,如果递送的功率在配置的阈值以下,则无线功率接收器可以从近场充电垫请求功率增加。图11E示出了可以用于允许接收器请求递送到接收器的无线功率量的增加或减少的各种操作,并且还示出了由近场充电垫响应于接收器对递送的无线功率量方面的增加或减少的请求而执行来确定何时增加或减少递送到接收器的无线功率量的过程。
以上描述的天线元件120(例如,参考图1B)也可以被配置成具有多个自适应负载端子(例如,多个自适应负载端子121),这些自适应负载端子沿着相应天线元件120在不同的位置耦合。下面参考图12提供了具有多个自适应负载端子的天线元件120的示例。图12是示出根据一些实施例的具有RF充电垫的多个自适应负载(如上文参考图3至图8所述,其可以是这种天线的阵列的一部分)的发射天线元件(单位单元)的示意图。在一些实施例中,RF充电垫1200包括一个或多个天线元件1201(其可以是如图3B、图4、图6A至图6E、图7A至图7D和图8所示的天线元件中的任何一个)。每个天线元件1201由可以连接到相应功率放大器1208的相应功率放大器(PA)开关电路1208(其可以是图3A的PA开关电路103中的相应PA开关电路)或天线元件1201的第一端处的电源供电/馈电。
在一些实施例中,包括功率放大器1208的输入电路可以附加地包括可以改变输入信号的频率的设备,或者可以同时以多个频率操作的设备,诸如振荡器或频率调制器。
在一些实施例中,RF充电垫1200的每个天线元件1201在相应天线元件1201内的多个位置处包括多个相应的自适应负载端子1202,例如1202a、1202b、1202c、……、1202n。在一些实施例中,天线元件1201包括形成曲折线图案的导电线(如上面参考图3、图4和图6至图8所讨论的那样)。在一些实施例中,用于天线元件1201的多个自适应负载端子1202中的每个自适应负载端子位于天线元件1201的导电曲折线上的不同位置处,如图12所示。
在一些实施例中,曲折线天线元件1201包括在一个平面中具有多个匝的导电线。在一些实施例中,如图12中针对天线元件1201所示,多个匝可以是方形匝。在一些实施例中,多个匝可以是圆边匝。导电线还可以具有不同宽度的区段,例如,具有第一宽度的区段1206,以及具有小于第一宽度的第二宽度的短长度区段1207。在一些实施例中,自适应负载端子1202a中的至少一个被定位在短长度区段中的一个(例如,短长度区段1207)处,并且另一自适应负载端子被定位在具有第一宽度的区段1206中的一个区段处的任何位置。在一些实施例中,自适应负载端子1202中的至少一个被定位在或连接在宽度区段上的任何位置,例如,在曲折线天线元件1201的宽度区段的中部处。在一些实施例中,最后一个自适应负载端子1202n被定位在导电线的第二端(与上面参考图3、图4和图6至图8描述的天线元件1201的输入端子1203处的第一端相对)处。在一些实施例中,在某些设计和优化中,自适应负载端子不必被定位在曲折线天线元件1201的第二端处,而是可以被定位在天线元件1201的任何位置处。
在一些实施例中,RF充电垫1200还包括中央处理单元1210(本文也称为处理器1210)(或与之通信)。在一些实施例中,处理器1210被配置成针对自适应负载端子1202中的每一个控制RF信号频率并控制自适应负载端子1202中的每一个处的阻抗值,例如通过与多个负载拾取器或自适应负载1212(例如,1212a、1212b、1212c、……、1212n)进行通信(如上面参考图3A和图3B中的负载拾取或自适应负载106所讨论的那样)。
在一些实施例中,电子设备(例如,包括作为内部或外部连接组件的接收器1204的设备,诸如放置在充电垫1200的顶部上的遥控器,其可以集成在流媒体设备或投影仪的外壳内)使用从充电垫1200的一个或多个RF天线元件1201传送到接收器1204的能量来向电池充电和/或直接给电子设备供电。
在一些实施例中,在天线元件1201的特定区域或所选择的位置处的自适应负载端子1202(例如,天线元件1201上的位于将被充电的电子设备(具有内部或外部连接的RF接收器1204)被放置在充电垫上的位置下方的区)被优化,以便最大化由接收器1204接收的功率。例如,CPU 1210在接收到具有内部或外部连接的RF接收器1204的电子设备已经被放置在天线元件1201上的特定区中的垫1200上的指示时,可以适配分别耦合到自适应端子1202的多个自适应负载1212(例如自适应负载1212a、1212b、1212c,…1212n)以便最大化传送到RF接收器1204的功率。适配该组自适应负载1212可以包括CPU 1210命令自适应负载中的一个或多个尝试用于耦合到天线元件1201的不同位置的自适应负载端子1202中的一个或多个的各个阻抗值。在上面提供了关于适应自适应负载的其他细节,并且为了简洁起见,在此不重复。
天线元件1201的导电线的特定位置/部分处的有效阻抗值(Z有效)受许多变量的影响,并且可以通过调节耦合到天线元件1201上的各种位置的自适应负载端子1212的配置来操纵。在一些实施例中,从分割区段1225(其开始于天线元件1201的端1203并延伸到接收器1204的边缘)和1227(其由发射天线元件1201的剩余部分和端子1202n形成)的点开始并结束于TX天线1201到自适应负载1212n的连接(例如,端子1202n)的有效阻抗值(Z有效)将基于接收器1204在TX天线1201上的位置以及基于由自适应负载1212在区段1227内的不同位置处提供的一组所选择的负载而改变。在一些实施例中,通过自适应负载1212(结合处理器1210)对所选择的负载进行优化以便以这样的方式调谐Z有效,即在端子1203和接收器1204之间传送的能量达到最大值(例如,由垫1200的天线元件传输的能量的75%或更多、诸如98%被RF接收器1204接收),而从端子1203到端子1202n能量传送也可以保持处于最小值(例如,由垫1200的天线元件传输的能量的少于25%没有被RF接收器1204接收,并且最终到达被定位在区段1227内的端子或者最终被反射回,包括少至2%)。
在一些实施例中,在天线元件1201上(由处理器1210)使用多个自适应负载1212中的所选择的几个自适应负载1212来调节天线元件1201的阻抗和/或频率。在一个示例中,参考图12,只有自适应负载端子1202a和1202c在特定时间点分别连接到自适应负载1212a和1212c,而自适应负载端子1202b和1202n在特定时间点断开。在另一示例中,参考图12,只有自适应负载端子1202a和1202n在特定时间点分别连接到自适应负载1212a和1212n,而自适应负载端子1202b和1202c在特定时间点断开。在一些实施例中,全部自适应负载端子1202在特定时间点连接到它们相应自适应负载1212。在一些实施例中,没有自适应负载端子1202在特定时间点连接到它们相应自适应负载1212。在一些实施例中,连接到所选择的自适应负载端子1212的自适应负载1212中的每一个的阻抗值被单独调节以优化能量递送。
在曲折线天线已经被优化用于多频带操作的实施例中,单个天线元件内的多自适应负载配置与如上文图3B所述的单个天线元件内的单个自适应负载配置相比,还实现更宽的频带调节。单个天线元件内的多自适应负载配置进一步增强了单个天线元件上的多频带操作。例如,具有多个自适应负载端子的单个天线元件1201能够在比配置有一个自适应负载端子的相对应的天线元件更宽的频带下操作。
在一些实施例中,适配该组自适应负载1212还包括或替选地包括CPU 1210,其使该组天线元件以各种频率发射RF信号,直到找到将最大量的能量传送到RF接收器1204的频率。在一些实施例中,例如,天线元件中的一个以第一频率发射RF信号,并且天线元件中的另一个以不同于第一频率的第二频率发射RF信号。在一些实施例中,调节该组天线元件进行发射的阻抗值和/或频率导致传送到RF接收器1204的能量的量发生变化。以这样的方式,传送到RF接收器1204的被最大化的能量的量(例如,将由垫1200的天线元件传输的能量的至少75%传送到接收器1204,并且在一些实施例中,调节阻抗值和/或频率可以允许高达98%的传输的能量被接收器1204接收)可以在垫1200上的RF接收器1204可能被放置的任何特定点被接收。
在一些实施例中,CPU 1210在传送到RF接收器1204的能量的量超过预定阈值(例如,接收到75%或更多的传输的能量,诸如高达98%)时,或者通过利用多个阻抗和/或频率值测试传输并且然后选择导致最大能量被传送到RF接收器1204的阻抗和频率的组合(也如参考以上图3A至图3D中的适配方案所述),确定最大量的能量正在被传送到RF接收器1204。在一些实施例中,处理器1210通过反馈回路连接到接收器1204(例如,通过使用无线通信协议诸如蓝牙低能量(BLE)、WiFi、ZiGBEE、红外光束、近场传输等来交换消息而交换消息)。在一些实施例中,采用自适应方案来测试自适应阻抗负载1212的阻抗值和RF频率的各种组合,以便最大化传送到RF接收器1204的能量。在这样的实施例中,自适应负载1212中的每一个被配置成沿着值的范围诸如在0和无穷大之间调节阻抗值。在一些实施例中,当一个或多个RF接收器被放置在天线元件1201中的一个的顶部上时,采用自适应方案。
在一些实施例中,采用适配方案来自适应地调节从充电垫1200的(多个)RF天线1201发出的(多个)RF信号的阻抗值和/或频率,以便确定哪个频率和阻抗的组合导致到RF接收器1204的最大能量传送。例如,连接到充电垫1200的处理器1210通过在天线元件1201的不同位置处使用不同的所选择的组的自适应负载1212来尝试不同的频率(即,在允许的一个或多个操作频率范围内),从而例如启用或禁用某些自适应负载1212,以尝试自适应地优化以获得更好的性能。例如,简单的优化或者开断/断开或者闭合/短路每个负载端子到接地(在使用继电器在这些状态之间切换的实施例中),并且还可以使RF天线元件1201以各种频率进行发射。在一些实施例中,对于继电器状态(开路或短路)和频率的每个组合,传送到接收器1204的能量被监视,并与使用其他组合时传送的能量进行比较。选择导致到接收器1204的最大能量传送的组合,并使用该组合以继续使用一个或多个天线元件1201向接收器1204发射一个或多个RF信号。
在一些实施例中,垫1200的具有多个自适应负载1212的单个天线元件1201可以被配置成在该两个或更多个不同的频带(诸如上述ISM频段)中操作,例如,中心频率为915MHz的第一频带和中心频率为5.8GHz的第二频带。在这些实施例中,采用适配方案可以包括发射RF信号,并且然后以第一预定增量调节频率直到第一频带达到第一阈值,并且然后以第二预定增量(其可以与第一预定增量相同或可以不与其相同)调节频率,直到第二频带达到第二阈值。在一些实施例中,单个天线元件可以在一个或多个频带内的多个不同频率下操作。例如,单个天线元件1201可以被配置成以902MHz、915MHz、928MHz(在第一频带中)进行发射,并且然后以5.795GHz、5.8GHz和5.805GHz(在第二频带中)进行发射。单个天线元件1201可以作为多频带天线在多于一个频带下操作。具有至少一个天线元件1201的发射器可以用作多频带发射器。
在一些实施例中,各自具有多个自适应负载1212的多个天线元件1201可以被配置在特定的传输垫内,以允许特定的传输垫同时分别在两个或更多个不同的频带中操作。例如,特定传输垫的第一天线元件1201在第一频率或频带下操作,特定传输垫的第二天线元件1201在第二频率或频带下操作,并且特定传输垫的第三天线元件1201在第三频率或频带下操作,并且特定传输垫的第四天线元件1201在第四频率或频带下操作,并且四个频带彼此不同。以这样的方式,特定的传输垫被配置成在多个不同的频带下操作。
在一些实施例中,本文描述的发射器可以在一个频率或频带中发射无线功率,并且在另一频率或频带中发射并与接收器交换数据。
当较小的设备以较高的频率充电,并且较大的设备在相同的充电垫上以较低的频率充电时,在不同频率下操作的不同天线元件可以最大化能量传送效率。例如,需要更高功率量的设备诸如移动电话也可以具有更多的空间来包括更大的天线,从而使900MHz的较低频率成为合适的频带。相比之下,较小的设备诸如耳塞可能需要少量的功率,并且对于较长的天线也可能具有较少的可用空间,因此使2.4或5.8GHz的较高频率成为合适的频带。这种配置实现了接收设备中包含的天线的类型和尺寸方面的更多的灵活性。
现在转到图13,根据一些实施例,提供了通过使用具有多个自适应负载的至少一个RF天线通过射频(RF)功率传输对电子设备充电的方法1300的流程图。最初,在步骤1302中提供包括发射器的充电垫,该充电垫包括用于发射一个或多个RF信号或波的至少一个RF天线(例如,天线元件1201,如上面参考图12所述,其还包括图3至图8),即被设计成并能够发射RF电磁波的天线。在一些实施例中,RF天线元件1201的阵列以单个平面、以堆叠或以它们的组合的方式彼此相邻布置,从而形成RF充电垫1200(如参考图6A至图6E、图7A至图7D和图8所述)。在一些实施例中,RF天线元件1201各自包括天线输入端子(例如,上面参照图12讨论的第一端1203)和多个天线输出端(例如,上面参照图12讨论的多个自适应负载端子1202)。在一些实施例中,天线元件1201包括形成曲折线路布置的导电线(如图3至图4和图6至图12所示)。多个自适应负载端子1202被定位在天线元件1201的导电线的不同位置处。
在一些实施例中,发射器还包括电耦合在功率输入端子和天线输入端子之间的功率放大器(例如,图12中的PA 1208)。一些实施例还包括电耦合到多个天线输出端的各个自适应负载1212a、1212b、1212c,…1212n(例如,图12中的自适应负载端子1202)。在一些实施例中,发射器包括被配置成电耦合到电源的功率输入,以及被配置成控制发送到天线的至少一个电信号的至少一个处理器(例如,图12中的处理器1210,以及图3A至图3B中的处理器110)。在一些实施例中,至少一个处理器还被配置成控制发送到天线的至少一个信号的频率和/或幅值。
在一些实施例中,发射器的每个RF天线包括:形成曲折线路图案的导电线;在导电线的第一端处的第一端子(例如端子1203),用于接收以由一个或多个处理器控制的频率流过导电线的电流;以及在导电线的多个位置处的不同于第一端子的多个自适应负载端子(例如端子1202),多个自适应负载端子耦合到由一个或多个处理器控制的相应组件(例如,图12中的自适应负载1212)并且允许修改导电线的阻抗值。在一些实施例中,导电线设置在多层基板的第一天线层上或第一天线层内。同样在一些实施例中,第二天线设置在多层基板的第二天线层上或第二天线层内。最后,一些实施例还提供了设置在多层基板的地平面层上或地平面层内的地平面。
在一些实施例中,还提供了接收器(例如,参照图12的接收器1204)(也如参照图3所述那样)。接收器还包括用于接收RF信号的一个或多个RF天线。在一些实施例中,接收器包括至少一个整流天线,该至少一个整流天线将一个或多个RF信号转换为可用功率,以对包括作为内部或外部连接的组件的接收器1204的设备进行充电(参见图5中的步骤504、506、510、514和518)。在使用中,接收器1204被放置在到发射器或充电垫的至少一个天线的近场射频距离内。例如,接收器可以被放置在至少一个RF天线1201的顶部上,或者被放置在与至少一个RF天线1201相邻的表面诸如充电垫1200的表面的顶部上。
在步骤1304,然后通过至少一个RF天线1201发射一个或多个RF信号。
然后,在步骤1306中监视该系统,以确定经由一个或多个RF信号从至少一个天线1201传送到一个或多个RF接收器的能量的量(也如上所讨论的)。在一些实施例中,监视1306发生在发射器处,而在其他实施例中,监视1306发生在接收器处,该接收器经由反向信道(例如,通过使用WiFi或蓝牙的无线数据连接)将数据发送回发射器。在一些实施例中,发射器和接收器经由反向信道交换消息,并且这些消息可以指示发射和/或接收的能量,以便通知在步骤1308进行的调节。
在一些实施例中,在步骤1308中,自适应地调节发射器的特性,以尝试优化从至少一个RF天线1201传送到接收器的能量的量。在一些实施例中,这个特性是一个或多个RF信号的频率和/或发射器的阻抗。在一些实施例中,发射器的阻抗是可调负载的阻抗。同样在一些实施例中,至少一个处理器还被配置成控制所选择的组的多个自适应负载1212的阻抗。上面提供了关于阻抗和频率调节的附加细节和示例。
在一些实施例中,至少一个处理器(例如,图12中的CPU 1210)基于从至少一个天线1201传送到RF接收器的所监视的能量的量来动态调节自适应负载的阻抗。在一些实施例中,至少一个处理器同时控制发送到天线的至少一个信号的频率。
在一些实施例中,垫1200的具有多个自适应负载1212的单个天线元件1201可以由一个或多个处理器动态调节,以同时或在不同时间在两个或更多个不同的频带(诸如上述ISM频段)中操作,例如,中心频率为915MHz的第一频带和中心频率为5.8GHz的第二频带。在这些实施例中,采用适配方案可以包括发射RF信号,并且然后以第一预定增量调节频率直到针对第一频带达到第一阈值,并且然后以第二预定增量(其可以与第一预定增量相同或可以不与其相同)调节频率,直到针对第二频带达到第二阈值。例如,单个天线元件1201可以被配置成以902MHz、915MHz、928MHz(在第一频带中)进行发射,并且然后以5.795GHz、5.8GHz和5.805GHz(在第二频带中)进行发射。单个天线元件1201可以作为多频带天线在多于一个频带下操作。具有至少一个天线元件1201的发射器可以用作多频带发射器。
在一些实施例中,充电垫或发射器可以包括一个或多个如图12中所述的具有多个自适应负载的天线元件1201、以及如图3A至图3D中所述的具有一个自适应负载的一个或多个天线元件120中的一个或多个。
图14A至图14D是示出根据一些实施例的可以在RF充电垫内以多个频率或频带操作的各个天线元件的各种配置的示意图。如图14A至图14D所示,RF充电垫100(图3A至图3B)或RF充电垫1200(图12)可以包括被配置成具有带有不同物理尺寸的导电线元件的天线元件120(图3B)或1201(图12)。
例如,图14A至图14D示出了各自包括在元件的不同部分处形成为不同曲折线图案的导电线的天线元件的结构示例。相对于天线元件内的其他导电线,元件的不同部分或位置处的导电线可以具有不同的几何尺寸(诸如宽度或长度、迹线规格或图案、每个迹线之间的间隔等)。在一些实施例中,曲折线图案可以被设计成在垫(或单个天线元件)的不同位置处具有可变的长度和/或宽度。曲折线图案的这些配置允许更多的自由度,并且因此,可以构建更复杂的天线结构,这些天线结构允许各个天线元件和RF充电垫的更宽的操作带宽和/或耦合范围。
在一些实施例中,本文描述的天线元件120和1201可以具有图14A至图14D所示的形状中的任何一个。在一些实施例中,图14A至图14D中示出的天线元件中的每一个在导电线的一个端部处具有输入端子(图1B中的123或图12中的1203),并且在导电线的另一端或多个位置处具有带有如上所述的自适应负载(图1B中的106或图12中的1212a-n)的至少一个自适应负载端子(图1B中的121或图12中的1202a-n)。
在一些实施例中,图14A至图14D中示出的天线元件中的每一个可以在两个或更多个不同的频率或两个或更多个不同的频带下操作。例如,单个天线元件可以在第一时间点以中心频率为915MHz的第一频带操作,以及在第二时间点以中心频率为5.8GHz的第二频带操作,这取决于在天线元件中的每一个的输入端子处提供哪个频率。此外,图14A至图14D中示出的曲折线图案的形状被优化,以允许天线元件在多个不同的频率下有效地操作。
在一些实施例中,当输入端子被供应有可以叠加的两个以上的不同频率时,图14A至图14D中示出的天线元件中的每一个可以同时在该两个或更多个不同频率或该两个或更多个不同频带下操作。例如,当在导电线的输入端子处供应具有915MHz的第一中心频率和5.8GHz的第二中心频率的两个频带时,单个天线元件可以同时在中心频率为915MHz的第一频带和中心频率为5.8GHz的第二频带下操作。在又一示例中,单个天线元件可以在一个或多个频带内的多个不同频率下操作。
在一些实施例中,天线元件的操作频率可以由如上所述的一个或多个处理器(图3A至图3B中的110或图12中的1210)根据接收器天线尺寸、频率或接收器负载和充电垫上的自适应负载自适应地进行调节。
在一些实施例中,与更对称的曲折线结构(例如,图3B、图4、图6A至图6B或图8)相比,在导电线的不同部分处具有不同曲折图案的图14A至14D中示出的天线元件中的每一个可以在多个频率下更有效地操作。例如,在导电线的不同部分处具有不同曲折图案的图14A至14D中示出的天线元件在不同工作频率下的能量递送效率可以比更对称的曲折线结构元件提高至少约5%,并且在某些情况下提高至少60%。例如,当在除了已经被设计用于更对称的曲折线结构天线元件的频率之外的新频率下操作时,更对称的曲折线结构天线元件可能能够将不超过60%的发射的能量传送到接收设备(例如,如果更对称的曲折线结构天线元件被设计为在900MHz下操作,则如果它随后发射具有5.8GHz的频率的信号,它可能只能够实现60%的能量传送效率)。相反,具有不同曲折图案的天线元件(例如,图14A至图14D中所示的那些)在以各种频率操作的同时能够实现80%或更高的能量传送效率。以这样的方式,图14A至图14D中示出的天线元件的设计确保了单个天线元件能够实现各种不同的频率下的更有效的操作。
图15是示出根据一些实施例的可以通过调节天线元件的长度而以多个频率或频带操作的单个天线元件的示例配置的示意图。
在如图15中示出的一些实施例中,RF充电垫1500的一个或多个发射天线元件中的至少一个发射天线元件1502(如图3至图8和图13至图14中所述)具有第一导电区段1504(曲折导电线的第一部分,诸如上文针对天线元件120和1201描述的任何那些中的任何一个)和第二导电区段1506(曲折导电线的第二部分,诸如上文针对天线元件120和1201描述的那些部分中的任何一个)。在一些实施例中,第一导电区段包括输入端子(图3B中的123或图12中的1203)。在一些实施例中,至少一个发射天线元件1502被配置成当第一导电区段1504不与第二导电区段1506耦接是在第一频率(例如,2.4GHz)下操作。在一些实施例中,至少一个发射天线元件1502被配置成当第一导电区段与第二导电区段耦接时在不同于第一频率的第二频率(例如,900MHz)下操作。
在一些实施例中,一个或多个处理器(图3A至图3B中的110或图12中的1210)被配置成结合指示馈送元件(如图3A至图3B中描述为108以及图12描述为1208)生成具有不同于第一频率(例如,2.4GHz)的第二频率(例如,900MHz)的电流使得第一区段与第二区段耦合,从而允许天线元件1502在第二频率下更有效地操作。一个或多个处理器还可以被配置成结合指示馈送元件生成具有第一频率而不是第二频率的电流使得第二导电区段与第一导电区段解耦合,从而允许天线元件1502再次在第一频率更有效地操作。在一些实施例中,一个或多个处理器被配置成基于从接收器(例如,RX 104或1204)接收的标识接收器被配置成操作的频率(例如,对于具有较长接收天线的较大设备,这个频率可以是900MHz,而对于具有较小接收天线的较小设备,这个频率可以是2.4GHz)的信息来确定是否要导致这些导电区段的耦合(或解耦合)。
在一些实施例中,在此在图15中描述的耦合可以通过在绕过位于两个连接点或两个不同区段之间的导电线的同时直接连接单个天线元件1502的两个不同区段来实现。在一些实施例中,可以在天线元件1502的两个以上不同区段之间实施耦合。单个曲折线天线元件1502的不同部分或区段的耦合可以有效地改变天线元件1502的导电线的尺寸或长度,并且因此使得单个天线元件1502能够在不同的频率下操作。单个天线元件1502也可以作为多频带天线在多于一个频带下操作。
图16A示出了示例性近场功率传送系统1600的示意图的顶部透视图。图16B示出了示例性近场功率传送系统1600的示意图的底部透视图。功率传送系统1600可以包括顶表面1601、底表面1602和侧壁1603。在一些实施例中,包含功率传送系统1600的部件的外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面1601可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁1603可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
当功率传送系统1600邻近第二功率传送系统(未示出)时,功率传送系统1600可以辐射RF能量,并且因此传送功率。由此,功率传送系统1600可以在“发射侧”上,以便作为功率发射器起作用,或者功率传送系统1600可以在“接收侧”上,以便作为功率接收器起作用。在一些实施例中,在功率传送系统1600与发射器相关联的情况下,功率传送系统1600(或功率传送系统1600的子组件)可以被集成到发射器设备中,或者可以从外部有线连接到发射器。同样地,在一些实施例中,在功率传送系统1600与接收器相关联的情况下,功率传送系统1600(或功率传送系统1600的子组件)可以被集成到接收器设备中,或者可以从外部有线连接到接收器。
基板1607可以设置在被限定在顶表面1601、侧壁1603和底表面1602之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统1600可以不包括外壳,并且基板1607可以包括顶表面1601、侧壁1603和底表面1602。基板1607可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以生成辐射,并且可以充当薄反射器。
天线1604可以被构造在顶表面1601上或顶表面1601下方。当功率传送系统1600与功率发射器相关联时,天线1604可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统1600与功率接收器相关联时,天线1604可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统1600可以作为收发器操作,并且天线1604可以发射和接收电磁波两者。天线1604可以由诸如金属、合金、超材料和复合材料的材料构造。例如,天线1604可以由铜或铜合金制成。天线1604可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图16A和图16B中示出的示例性系统1600中,天线1604被构造成包括彼此靠近设置的天线区段1610的螺旋的形状。流过天线区段1610的电流可以处于相反的方向。例如,如果图16A的天线区段1610b中的电流从左向右流动,则天线区段1610a、1610c中的每一个的电流可以从右向左流动。电流的相反的流动导致功率传送系统1600的远场的电磁辐射的相互抵消。换句话说,由假想线1615的左侧的一个或多个天线区段1610生成的远场电磁辐射被线1615的右侧的一个或多个天线区段1610生成的远场电磁辐射抵消。因此,在功率传送系统1600的远场中可以没有功率泄漏。然而,这种抵消可能不会发生在功率传送系统1600的可能发生功率传送的近场活动区中。
功率传送系统1600可以包括在底表面1602处或上方的地平面1606。地平面1606可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面1606可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面1606可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面1606可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路(未示出)承载到天线的通孔1605可以穿过地平面1606。功率馈送线路可以向天线1604供应电流。在一些实施例中,地平面1606可以电连接到天线1604。在一些实施例中,地平面1606可以不电连接到天线1604。对于这样的实施方式,可以在通孔1605和地平面1606之间构造用于将通孔1605与地平面1606绝缘的绝缘区域1608。在一些实施例中,地平面1606可以充当由天线1604生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统1600的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线1604从顶表面1601或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有来自底表面1602的电磁功率泄漏。
因此,作为天线1604和地平面1606的结果,由功率传送系统1600发射或接收的电磁波在系统1600的近场中累积。系统1600的远场泄漏被最小化。
图17A示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统1700的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统1700可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统1700可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统1700可以包括由顶表面1701、底表面(未示出)和侧壁1703限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面1701可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁1703可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板1707可以设置在被限定在顶表面1701、侧壁1703和底表面1702之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统1700可以不包括外壳,并且基板1707可以包括顶表面1701、侧壁1703和底表面1702。基板1707可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以生成辐射,并且可以充当薄反射器。
天线1704可以被构造在顶表面1701上或顶表面下方。当功率传送系统1700是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线1704可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统1700是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线1704可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统1700可以作为收发器操作,并且天线1704可以发射和接收电磁波两者。天线1704可以由诸如金属、合金、超材料和复合材料的材料构造。例如,天线1704可以由铜或铜合金制成。天线1704可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图17A中示出的示例性系统1700中,天线1704被构造成包括彼此靠近设置的天线区段的螺旋的形状。信号馈送线路(未示出)可以通过通孔1705连接到天线1704。
图17B示意性示出了示例性功率发射系统1700的侧视图。如图所示,上金属层可以形成天线1704,并且下金属层可以形成地平面1706。基板1707可以设置在上金属层和下金属层之间。基板1707可以包括诸如FR4、超材料或本领域已知的任何其他材料的材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可能需要基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者生成辐射,并且可以充当薄反射器。
图17C示意性地示出了天线1704的顶部透视图。天线1704包括用于穿过国控1705的馈送线路(未示出)的连接点1709。图17D示意性地示出了地平面1706的侧面透视图。在实施例中,地平面1706包括固体金属层。在其他实施例中,地平面1706可以包括诸如条、网格和格子的结构,并且可以不是完全牢固的。地平面1706还可以包括供通孔1705穿过的插座1709。在插座1709周围,地平面1706还可以包括绝缘区域1710,以将插座1709与地平面1706的其余部分绝缘。在一些实施例中,地平面可以具有穿过通孔的线路的电连接,并且可以不需要绝缘区域1710。
图18示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统1800的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统1800可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统1800可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统1800可以包括由顶表面1801、底表面(未示出)和侧壁1803限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面1801可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁1803可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板1807可以设置在被限定在顶表面1801、侧壁1803和底表面1802之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统1800可以不包括外壳,并且基板1807可以包括顶表面1801、侧壁1803和底表面1802。基板1807可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
天线1804可以被构造在顶表面上或顶表面下方。当功率传送系统1800是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线1804可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统1800是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线1804可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统1800可以作为收发器操作,并且天线1804可以发射和接收电磁波两者。天线1804可以由诸如金属、合金、超材料和复合材料的材料构造。例如,天线1804可以由铜或铜合金制成。天线1804可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图18中示出的示例性系统1800中,天线1804被构造成包括第一曲折极1809a和第二曲折极1809b的偶极子的形状。到第一曲折极1809a的第一功率馈送线路(未示出)可以由第一通孔1805a承载,并且到第二曲折极1809b的第二功率馈送线路(未示出)可以由第二通孔1805b承载。第一功率馈送线路可以向第一曲折极1809a供应电流,并且第二功率馈送线路可以向第二曲折极1809b供应电流。第一曲折极1809a包括彼此靠近设置的天线区段1810,并且第二曲折杆1809b包括也彼此靠近设置的天线区段1811。流过相邻天线区段1810、1811的电流可以处于相反的方向。例如,如果天线区段1810b中的电流在图18从左向右流动,则天线区段1810a、1810c中的每一个中的电流可以从右向左流动。穿过功率传送系统1800的任意数量的天线区段1810的电流的相反流动导致由功率传送系统1800生成的远场电磁辐射的相互抵消。附加地或替选地,由第一极1809a的天线区段1810生成的远场电磁辐射可以被由第二极1809b的天线区段1811生成的电磁辐射抵消。应当理解的是,远场抵消可以发生在任意数量的区段1810、1811上和/或任意数量的极1809上。因此,在功率传送系统1800的远场中可以没有功率泄漏。然而,这种抵消可能不会发生在功率传送系统1800的可能发生功率传送的近场活动区中。
功率传送系统1800可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路承载到天线的通孔1805可以穿过地平面。在一些实施例中,地平面可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线1804。对于这样的实施方式,可以在通孔1805和地平面之间构造用于将通孔1805与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线1804生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统1800的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线1804从顶表面1801或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
图19示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统1900的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统1900可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统1900可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统1900可以包括由顶表面1901、底表面(未示出)和侧壁1903限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面1901可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁1903可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板1907可以设置在被限定在顶表面1901、侧壁1903和底表面1902之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统1900可以不包括外壳,并且基板1907可以包括顶表面1901、侧壁1903和底表面1902。基板1907可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以生成辐射,并且可以充当薄反射器。
天线1904可以被构造在顶表面1901上或顶表面下方。当功率传送系统1900是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线1904可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统1900是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线1904可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统1900可以作为收发器操作,并且天线1904可以发射和接收电磁波两者。天线1904可以由诸如金属、合金和复合材料的材料构成。例如,天线1904可以由铜或铜合金制成。天线1904可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图19中示出的示例性系统1900中,天线1904被构造成包括彼此靠近设置的回路区段1910的回路的形状。流过相邻回路区段1910的电流可以处于相反的方向。例如,如果第一回路区段1910a中的电流在图19从左向右流动,则第二回路区段1910b中的电流可以从右向左流动。电流的相反的流动导致功率传送系统1900的远场的电磁辐射的相互抵消。因此,在功率传送系统1900的远场中可以没有功率泄漏。然而,这种抵消可能不会发生在功率传送系统1900的可能发生功率传送的近场活动区中。
功率传送系统1900可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金、超材料和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路(未示出)承载到天线的通孔1905可以穿过地平面。功率馈送线路可以向天线1904提供电流。在一些实施例中,地平面106可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线1904。对于这样的实施方式,可以在通孔1905和地平面之间构造用于将通孔305与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线1904生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统300的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线1904从顶表面1901或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
图20示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统2000的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统2000可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统2000可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。在其他实施例中,功率传送系统2000可以是收发器的一部分或者与收发器相关联。功率传送系统2000可以包括由顶表面2001、底表面(未示出)和侧壁2003限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面2001可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁2003可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板2007可以设置在被限定在顶表面2001、侧壁2003和底表面2002之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统2000可以不包括外壳,并且基板2007可以包括顶表面2001、侧壁2003和底表面2002。基板2007可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
天线2004可以被构造在顶表面2001上或顶表面下方。当功率传送系统2000是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线2004可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统2000是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线2004可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统2000可以作为收发器操作,并且天线2004可以发射和接收电磁波两者。可以通过通孔2005将功率馈送线路(未示出)承载到天线2004。功率馈送线路可以向天线2004提供电流。天线2004可以由诸如金属、合金、超材料和复合材料的材料构造。例如,天线2004可以由铜或铜合金制成。天线2004可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图20中示出的示例性系统2000中,天线2004被构造成包括彼此靠近设置的天线区段2010的同心环的形状。如图20所示,单个同心环可以包括天线区段2010中的两个。例如,最里面的环可以包括在粗略地将环分成两个半部的假想线2012右侧的第一天线区段2010c,以及在假想线2012左侧的相对应的第二天线区段2010c’。流过相邻天线区段2010的电流可以处于相反的方向。例如,如果图20的天线区段2010a’、2010b’、2010c’中的电流从左向右流动,则天线区段2010a、2010b、2010c中的每一个中的电流可以从右向左流动。电流的相反的流动导致功率传送系统2000的远场处的电磁辐射的相互抵消。因此,可以没有到功率传送系统2000的远场的功率传送。然而,这种抵消可能不会发生在功率传送系统2000的可能发生功率传送的近场活动区中。本领域普通技术人员将理解,由麦克斯韦方程的针对由在相反的方向上流动的电流生成的时变电场和磁场的一个或多个解指定远场中电磁辐射的抵消和近场中的没有这种抵消。本领域的普通技术人员应该进一步理解,近场活动区是由功率传送系统2000紧邻附近的电磁功率的存在来限定的。
功率传送系统2000可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路承载到天线的通孔2005可以穿过地平面。在一些实施例中,地平面可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线2004。对于这样的实施方式,可以在通孔2005和地平面之间构造用于将通孔2005与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线2004生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统2000的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线2004从顶表面2001或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
图21示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统2100的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统2100可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统2100可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统2100可以包括由顶表面2101、底表面(未示出)和侧壁2103限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面2101可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁2103可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板2107可以设置在被限定在顶表面2101、侧壁2103和底表面2102之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统2100可以不包括外壳,并且基板2107可以包括顶表面2101、侧壁2103和底表面2102。基板2107可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
天线2104可以被构造在顶表面2101上或顶表面下方。当功率传送系统2100是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线2104可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统2100是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线2104可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统2100可以作为收发器操作,并且天线2104可以发射和接收电磁波两者。天线2104可以由诸如金属、合金和复合材料的材料构成。例如,天线2104可以由铜或铜合金制成。天线2104可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图21中示出的示例性系统2100中,天线2104被构造成单极的形状。通孔2105可以将功率馈送线路(未示出)承载到天线2104。功率馈送线路可以向天线2104提供电流。
功率传送系统2100可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路承载到天线2104的通孔2105可以穿过地平面。在一些实施例中,地平面可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线2104。对于这样的实施方式,可以在通孔2105和地平面之间构造用于将通孔2105与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线2104生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统2100的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线2104从顶表面2101或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
图22示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统2200的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统2200可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统2200可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统2200可以包括由顶表面2201、底表面(未示出)和侧壁2203限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面2201可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁2203可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板2207可以设置在被限定在顶表面2201、侧壁2203和底表面2202之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统2200可以不包括外壳,并且基板2207可以包括顶表面2201、侧壁2203和底表面2202。基板2207可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
天线2204可以被构造在顶表面2201上或顶表面下方。当功率传送系统2200是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线2204可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统2200是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线2204可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统2200可以作为收发器操作,并且天线2204可以发射和接收电磁波两者。天线2204可以由诸如金属、合金和复合材料的材料构成。例如,天线2204可以由铜或铜合金制成。通孔2205可以将功率馈送线路(未示出)承载到天线。功率馈送线路可以向天线2204提供电流。天线2204可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图22中示出的示例性系统2200中,天线2204被构造成包括彼此靠近放置的天线区段2210的单极的形状。流过相邻天线区段2210的电流可以处于相反的方向。例如,如果图22的天线区段2210b中的电流从左向右流动,则天线区段2210a、2210c中的每一个中的电流可以从右向左流动。电流的相反的流动导致功率传送系统2200的远场中电磁辐射的相互抵消。因此,在功率传送系统2200的远场中可以没有功率传送。然而,这种抵消可能不会发生在功率传送系统2200的可能发生功率传送的近场活动区中。本领域普通技术人员将理解,由麦克斯韦方程的针对由在相反的方向上流动的电流生成的时变电场和磁场的一个或多个解指定远场中电磁辐射的抵消和近场中的没有这种抵消。本领域的普通技术人员应该进一步理解,近场活动区是由功率传送系统2200紧邻附近的电磁功率的存在来限定的。功率传送系统2200可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路承载到天线2204的通孔2205可以穿过地平面。在一些实施例中,地平面可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线2204。对于这样的实施方式,可以在通孔2205和地平面之间构造用于将通孔2205与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线2204生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统2200的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线2204从顶表面2201或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
图23示意性示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统2300的顶部透视图。在一些实施例中,功率传送系统2300可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统2300可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统2300可以包括由顶表面2301、底表面(未示出)和侧壁2303限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面2301可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁2303可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板2307可以设置在被限定在顶表面2301、侧壁2303和底表面2302之间的空间内。在一些实施例中,功率传送系统2300可以不包括外壳,并且基板2307可以包括顶表面2301、侧壁2303和底表面2302。基板2307可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
天线2304可以被构造在顶表面2301上或顶表面下方。当功率传送系统2300是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线2304可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统2300是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线2304可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统2300可以作为收发器操作,并且天线2304可以发射和接收电磁波两者。天线2304可以由诸如金属、合金和复合材料的材料构成。例如,天线2304可以由铜或铜合金制成。天线2304可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图23中示出的示例性系统2300中,天线2304被构造为包括第一螺旋极2320a和第二螺旋极2320b的混合偶极子。可以通过第一通孔2305a提供向第一螺旋极2320a供应电流的第一功率馈送线路,并且可以通过第二通孔2305b提供向第二螺旋极2320b供应电流的第二功率馈送线路。螺旋磁极2320中的每一个中的天线区段可以相互抵消由螺旋偶极子2320生成的在远场中的电磁辐射,从而减少到远场的功率传送。例如,第一螺旋极2320a中的天线区段可以抵消彼此生成的远场电磁辐射。附加地,或者在替选方案中,由第一螺旋极2320a的一个或多个天线区段生成的远场辐射可以被由第二螺旋极2320b的一个或多个天线区段生成的远场辐射抵消。本领域普通技术人员将理解,由麦克斯韦方程的针对由在相反的方向上流动的电流生成的时变电场和磁场的一个或多个解指定远场中电磁辐射的抵消和近场中的没有这种抵消。
功率传送系统2300可以包括在底表面处或底表面上方的地平面(未示出)。地平面可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将功率馈送线路承载到天线的通孔2305可以穿过地平面。在一些实施例中,地平面可以电连接到天线。在一些实施例中,地平面可以不电连接到天线2304。对于这样的实施方式,可以在通孔2305和地平面之间构造用于将通孔2305与地平面绝缘的绝缘区域。在一些实施例中,地平面可以充当由天线2304生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统2300的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线2304从顶表面2301或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有从底表面的电磁功率泄漏。
宽带和/或多频带设计可能需要混合天线2304。例如,非混合结构在第一频率和在发射器与接收器之间的第一距离下可能是高效的,但是在其他频率和距离下可能是低效的。结合更复杂的结构诸如混合天线2304可以允许沿着频率和距离范围的更高效率。
图24A和图24B分别示意性地示出了根据本公开的实施例的示例性近场功率传送系统2400的顶部透视图和侧部透视图。在一些实施例中,功率传送系统2400可以是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联。在其他实施例中,功率传送系统100可以是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联。功率传送系统2400可以包括由顶表面2401、底表面2402和侧壁2403限定的外壳。在一些实施例中,外壳可以由对电磁波通过产生最小阻碍的材料构造。在其他实施例中,外壳的不同部分可以利用具有不同电磁特性诸如磁导率和介电常数的材料构造。例如,顶表面2401可以允许电磁波以最小的阻碍通过,而侧壁2403可以通过衰减、吸收、反射或本领域已知的其他技术来阻碍电磁波。
基板2407可以设置在顶表面2401、侧壁2403和底表面2402之间限定的空间内。在一些实施例中,功率传送系统2400可以不包括外壳,并且基板2407可以包括顶表面2401、侧壁2403和底表面2402。基板2407可以包括能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的电线的任何材料,例如超材料。超材料可以是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。本文公开的超材料可以接收辐射或者可以发射辐射,并且可以充当薄反射器。
功率传送系统可以包括可以被构造在顶表面2401上或该顶表面下方的分层天线
-2404。当功率传送系统2400是功率发射器的一部分或者与功率发射器相关联时,天线2404可以用于发射电磁波。替选地,当功率传送系统2400是功率接收器的一部分或与功率接收器相关联时,天线2404可以用于接收电磁波。在一些实施例中,功率传送系统2400可以作为收发器操作,并且天线2404可以发射和接收电磁波两者。天线2404可以由诸如金属、合金和复合材料的材料构成。例如,天线2404可以由铜或铜合金制成。天线2404可以基于功率传送需求被构造成具有不同的形状。在图24A和图24B中示出的示例性系统2400中,天线2404被构造成具有零级分层天线2404a和一级分层天线2404b的分层螺旋结构。分层天线2404可以包括天线区段,其中天线区段具有在相反方向上流动以抵消远场辐射的电流。例如,零级分层天线2404a中的天线区段可以抵消彼此生成的远场电磁辐射。附加地,或者在替选方案中,由零级分层天线2404a的一个或多个天线区段生成的远场辐射可以被一级分层天线2404b的一个或多个天线区段生成的远场辐射抵消。通过通孔2405承载到天线的功率馈送线路(未示出)。功率馈送线路可以向天线2404供应电流。
功率传送系统2400可以包括在底表面2402处或上方的地平面2406。地平面2406可以由诸如金属、合金和复合材料的材料形成。在实施例中,地平面2406可以由铜或铜合金形成。在一些实施例中,地平面2406可以由固体片材构造。在其他实施例中,地平面2406可以使用以诸如环、螺旋和网格的形状布置的材料条来构造。将天线承载到功率馈送线路的通孔2405可以穿过地平面2406。在一些实施例中,地平面2406可以电连接到天线2404中的一个或多个。在一些实施例中,地平面2406可以不电连接到天线2404。对于这样的实施方式,可以在通孔2405和地平面2406之间构造用于将通孔2405与地平面2406绝缘的绝缘区域2408。在一些实施例中,地平面2406可以充当由天线2404生成的电磁波的反射器。换句话说,通过抵消和/或反射在底表面之外形成的发射图像,地平面可以不允许超出功率传送系统2400的底表面的电磁发射。由地平面反射电磁波可以增强由天线2404从顶表面2401或朝向该顶表面发射的电磁波。因此,可以没有来自底表面2402的电磁功率泄漏。在一些实施例中,可以有多个地平面,其中分层天线2404中的每一个具有地平面。在一些实施例中,分层天线具有被承载通过多个通孔的不同功率馈送线路。
宽带和/或多频带设计可能需要分层天线2404。例如,非分层结构在第一频率和在发射器与接收器之间的第一距离下可能是高效的,但是在其他频率和距离下可能是低效的。结合更复杂的结构诸如分层天线2404可以允许沿着频率和距离范围的更高效率。
图25A至图25H示出了根据一些实施例的代表性近场天线2500的各种视图。注意,代表性近场天线2500及其各种组件可以没有按比例绘制。而且,虽然示出了一些示例特征,但是为了简洁起见,没有示出各种其他特征,以免模糊本文公开的示例实施方式的相关方面。在一些情况下,近场天线2500被称为“四极化天线元件”。在一些实施例中,近场天线2500是充电垫100的一部分,例如,近场天线2500中的一个或多个包括在天线区290中的每一个中(图1B)。在一些实施例中,近场天线2500是包括在天线区中的每一个中的唯一天线,而在其他实施例中,近场天线2500可以与本文描述的其他天线一起包括在相应天线区中。在其他实施例中,近场天线2500可以被包括作为某些天线区中的唯一天线,而其他天线区可以仅包括本文描述的其他类型的天线。
图25A示出了根据一些实施例的近场天线2500的等距视图。如图所示,近场天线2500包括从反射器2504偏移的基板2506(例如,沿z轴偏移),并且因此在反射器2504和基板2506之间形成间隙。在这样的布置中,反射器2504限定了第一平面(例如,第一水平平面:底表面),并且基板2506限定了偏离第一平面的第二平面(例如,第二水平平面:顶表面)。在一些实施例中,基板2506由电介质制成,而在其他实施例中,基板2506由能够绝缘、反射、吸收或以其他方式容纳传导电流的线路的其他材料制成,诸如超材料。超材料是被设计成产生期望的磁导率和介电常数的广泛种类的合成材料。磁导率和介电常数中的至少一个可以基于功率传送要求和/或政府法规的合规性约束。在各种实施例中,本文公开的超材料可以用于接收辐射、发射辐射和/或作为反射器。
在一些实施例中,反射器2504是金属片(例如,铜、铜合金等),而在其他实施例中,反射器2504是超材料。反射器2504被配置成反射由近场天线2500辐射的一些电磁信号。换句话说,通过反射由近场天线2500辐射的电磁信号,反射器2504可能不允许电磁发射超过近场天线2500的底表面。附加地,由反射器2504反射电磁信号可以将由近场天线2500的天线元件发射的电磁信号中的一些从基板2506或朝向该基板重定向。在一些情况下,反射器2504降低近场天线2500的远场增益。在一些实施例中,反射器2504还抵消由近场天线2500辐射的一些电磁信号。
基板2506还包括四个不同的共面天线元件(本文也称为“辐射元件”),其中四个不同的天线元件中的每一个遵循相应曲折图案。四个不同的共面天线元件可以各自占据基板的不同象限。共面天线元件可以嵌入在基板2506中,使得共面天线元件的各个第一表面与基板2506的顶表面共面,并且共面天线元件的与各个第一表面相对的各个第二表面与基板2506的底表面共面。相应曲折图案用于增加四个不同的共面天线元件中的每一个的有效长度,从而导致天线2500的较低谐振频率,同时减小天线2500的整体尺寸。
在一些实施例中,相应曲折图案全部是相同的,而在其他实施例中,各个图案中的一个或多个不同。四个不同的共面天线元件中的每一个包括多个连续的(和/或邻接的)区段,这些区段将在下面参考图25F进行讨论。在一些实施例中(未示出),多个区段中的每个区段的形状基本相同(例如,每个区段是矩形或某种其他形状)。替选地,在一些其他实施例中,多个区段中的至少一个区段的形状不同于多个区段中的其他区段的形状。注意,可以使用各种形状的组合来形成相应天线元件的区段,并且图25A中示出的形状仅仅是说明性的示例。进一步,在一些实施例中,不包括基板2506,并且四个不同的共面天线元件由冲压金属制成(即,辐射元件坐落在反射器2504上方的开放空间中)。
四个不同的共面天线元件在图25A中被示出为第一辐射元件2502-A、第二辐射元件2502-B、第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D。第一辐射元件2502-A和第二辐射元件2502-B一起构成(即,形成)沿着第一轴线(例如,X轴)定位(例如,以第一轴线为中心)的第一偶极子天线2501-A。换句话说,第一辐射元件2502-A是第一偶极子天线2501-A的第一极,并且第二辐射元件2502-B是第一偶极子天线2501-A的第二极。第一偶极子天线2501-A由虚线指示。
此外,第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D一起构成(即,形成)沿着垂直于第一轴线的第二轴线(例如,Y轴)定位的第二偶极子天线2501-B。换句话说,第三辐射元件2502-C是第二偶极子天线2501-B的第一极,并且第四辐射元件2502-D是第二偶极子天线2501-B的第二极。第二偶极子天线2501-B由虚线指示。
图25B示出了根据一些实施例的近场天线2500的另一等距视图(例如,等距仰视图)。为了便于说明,反射器2504在图25B中未示出。
如图所示,近场天线2500还包括附接到基板2504的中心区域的第一馈送件2508-A和第二馈送件2508-B。第一馈送件2508-A连接到形成第一偶极子天线2501-A的第一辐射元件2502-A和第二辐射元件2502-B。更具体地,第一馈送件2508-A经由连接器2512-A(图25C)连接到第二辐射元件2502-B,并且经由偶极子内连接器2510-A连接到第一辐射元件2502-A。第一馈送件2508-A被配置成向第一辐射元件2502-A和第二辐射元件2502-B供应源自功率放大器(例如,图26中的功率放大器108)的电磁信号。
第二馈送件2508-B连接到形成第二偶极子天线2501-B的第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D。更具体地,第二馈送件2508-B经由连接器2512-B(图25C)连接到第四辐射元件2502-D,并且经由偶极子内连接器2510-B连接到第三辐射元件2502-C。第二馈送件2508-B被配置成向第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D供应源自功率放大器的电磁信号。四个辐射元件被配置成辐射所提供的电磁信号(例如,RF功率波),这些电磁信号被用于给无线功率接收设备供电或充电。
在一些实施例中,如下文详细解释的那样,四个辐射元件不同时辐射。相反,基于关于无线功率接收设备的信息,第一偶极子天线2501-A被供应电磁信号,或者第二偶极子天线2501-B被供应电磁信号。
由第一偶极子天线2501-A辐射的电磁信号具有第一极化,并且由第二偶极子天线2501-B辐射的电磁信号具有垂直于第一极化的第二极化。极化方面的差异至少部分归因于第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B的取向。例如,第一偶极子天线2501-A沿着第一轴线(例如,X轴)定位,并且第二偶极子天线2501-B沿着垂直于第一轴线的第二轴线(例如,Y轴)定位。因此,在一些情况下,电磁信号被馈送到偶极子天线,该偶极子天线的极化与无线功率接收设备的功率接收天线的极化相匹配。下面在方法3000(图30)中描述了用于选择性地将偶极子天线中的一个耦合到电磁信号馈送源(即,功率放大器108)的过程。
为了便于下面的讨论,基板2506和辐射元件2502-A至2502-D在适当的时候被统称为“辐射器2507”。
图25C至图25D示出了近场天线2500的不同侧视图,其中图25D中的侧视图相对于图25C中的侧视图旋转了90度。在某些实施例或环境中,第一馈送件2508-A通过连接器2512-A连接到第二辐射元件2502-B,并通过偶极子内连接器2510-A连接到第一辐射元件2502-A(图25B也示出了偶极子内连接器2510-A)。在某些实施例或环境中,第二馈送件2508-B通过连接器2512-B连接到第四辐射元件2502-B,并通过偶极子内连接器2510-B连接到第三辐射元件2502-C(图25B还示出了偶极子内连接器2510-B)。
图25E示出了根据一些实施例的近场天线2500的另一侧视图。如图所示,第一馈送件2508-A和第二馈送件2508-B基本上垂直于辐射器2507。例如,馈送2508-A、2508-B中的每一个沿着相应竖直轴线设置,而天线2507沿着水平轴线/平面设置。进一步,第一馈送件2508-A和第二馈送件2508-B在第一端处连接到天线2507,并且在与第一端相反的第二端处连接到印刷电路板2514和地平面2516。在一些实施例中,印刷电路板2514和接地板2516构成反射器2504。替选地,在一些实施例中,反射器2504是不同的组件,其偏离印刷电路板2514和地平面2516(例如,被定位在天线2507和印刷电路板2514之间)。在这种布置中,反射器2504可以限定开口(未示出),并且第一馈送件2508-A和第二馈送件2508-B可以穿过所述开口。
如放大图2520所示,第一馈送件2508-A包括由屏蔽件2522-A容纳(即包围)的馈送线路2524-A(例如,导电金属线)。馈送线路2524-A通过金属沉积物2526-A连接到印刷电路板2514的金属迹线(例如,通信总线208,图26)。进一步,屏蔽件2522-A接触地平面2516,从而将第一偶极子2501-A接地。
类似地,第二馈送件2508-B包括由屏蔽件2522-B容纳的馈送线路2524-B。馈送线路2524-B通过金属沉积物2526-B连接到印刷电路板2514的金属迹线(未示出)。进一步,屏蔽2522-B接触地平面2516,从而将第二偶极子2501-B接地。如下面参考图26所解释的那样,印刷电路板2514的金属迹线可以连接到近场天线2500的一个或多个附加组件(图25A至图25H中未示出),包括一个或多个功率放大器108、阻抗调节组件2620和开关2630(本文也称为“开关电路系统”)。
虽然图25E中未示出,但是电介质可以将馈送线路与每个馈送件中的屏蔽件分离(例如,将两个组件电绝缘)。附加地,另一电介质可以围绕每个馈送件中的屏蔽件以保护屏蔽件(即,第一馈送件2508-A和第二馈送件2508-B可以是同轴线缆)。还应当注意,在某些实施例中,金属沉积物2526-A、2526-B的特定形状可以变化,并且图25E中示出的形状是为了便于说明而使用的示例。
图25F示出了根据一些实施例的遵循曲折图案的代表性辐射元件2550。如图所示,代表性辐射元件2550包括:(i)第一多个区段2560-A至2560-D,以及(ii)散置在第一多个区段2560-A至2560-D之间的第二多个区段2562-A至2562-C(由虚线分离)。在一些实施例中,第一多个区段2560-A至2560-D和第二多个区段2562-A至2562-C是连续区段。替选地,在一些其他实施例中,第一多个区段2560-A至2560-D和第二多个区段2562-A至2562-C是连续区段(例如,相邻区段的端部彼此邻接)。图25F中的所示出的分离区段的边界(例如,虚线)仅仅是仅用于说明目的的一个示例边界集合,并且本领域技术人员将理解(在阅读本公开时)其他边界(和区段描绘)也在本公开的范围内。
如图所示,第一多个区段2560-A至2560-D中的区段的长度从辐射元件2550的第一端部部分2564到辐射元件2550的第二端部部分2566增加。在一些实施例中,虽然未示出,但是第二多个区段2562-A至2562-C中的区段的长度从辐射元件2550的第一端部部分2564到辐射元件2550的第二端部部分2566增加。替选地,在一些其他实施例中,第二多个区段2562-A至2562-C中的区段的长度从辐射元件2550的第一端部部分2564到辐射元件2550的第二端部部分2566保持基本相同。在所示的实施例中,第一多个区段2560-A至2560-D的长度不同于第二多个区段2562-A至2562-C的长度。进一步,第一多个区段2560-A至2560-D朝向辐射元件2550的第二端部部分2566的长度大于第二多个区段2562-A至2562-C朝向辐射元件2550的第二端部部分2566的长度。
在一些实施例中,辐射元件的形状提供了某些重要的优点。例如,图25F中示出的代表性辐射元件2550的特定形状提供了以下优点:(i)该形状允许两个垂直定位的偶极子装配在小面积中,并占据基板2506的四个象限,其中每对象限彼此垂直,以及(ii)可以改变相邻辐射元件的区段之间的宽度和间隙(即,象限之间的间隔)以将近场天线2500调谐到期望的频率,同时仍然保持辐射元件的小型化形状因子。为了示出标号(i),参考图25A,第一辐射元件2502-A和第二辐射元件2502-B占据包括沿Y轴的近场天线的侧部的第一对象限。进一步,第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D占据包括沿X轴的近场天线的侧部的第二对象限。因此,基板2506的第一象限和第二象限对包括彼此垂直的NF天线的侧部(例如,部分地通过每个辐射元件的宽度从近场天线2500的中心部分到近场天线2500的相应侧部增加来促进该特征)。
图25G示出了根据一些实施例的代表性近场天线2500的俯视图。近场天线2500的尺寸可以影响近场天线2500的操作频率、近场天线2500的辐射效率以及由近场天线2500产生的最终辐射图案(例如,辐射图案2800,图28A),以及近场天线2500的其他特性。作为一个示例,近场天线2500在大约918MHz下操作时具有以下尺寸(大约):D1=9.3mm、D2=12.7mm、D3=23.7mm、D4=27mm、D5=32mm、D6=37.5mm、D7=10.6mm、D8=5.1mm、D9=10.6mm、D10=5.5mm、D11=2.1mm、D12=28mm。进一步,反射器2504可以具有65mm的宽度、65mm的高度和0.25mm的厚度。
图25H示出了根据一些实施例的代表性近场天线2500的另一俯视图。如图所示,四个不同的共面天线元件各自占据基板2506的不同象限(例如,占据由点划线划分的象限2570-A至2570-D中的一个)。进一步,(i)四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第一端部部分2564与近场天线2500的中心部分2574(虚线)相接,(ii)四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第二端部部分2566与近场天线2500的边缘2572-A至2572-D中的一个相接。在这种布置中,四个不同天线元件(例如,区段2560-D)中的每一个所遵循的相应曲折图案的最长尺寸相比于距近场天线2500的中心部分2574更靠近近场天线的不同边缘2572。而且,四个不同天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案的最短尺寸相比于近场天线2500的不同边缘2572更靠近近场天线2500的中心部分2574。因此,四个不同天线元件中的每一个的宽度从近场天线2500的中心部分2574到近场天线2500的相应边缘2572以曲折的方式增加。另外,在一些实施例中,相应曲折图案的最长尺寸平行于不同边缘2572。
如图27所示,近场天线2500(当它包括反射器时)产生具有最小远场增益的基本均匀的辐射图案2700。上面提供的尺寸仅用于说明的目的,并且本领域技术人员(在阅读本公开内容后)将理解,根据环境,可以使用各种其他尺寸来获得可接受的辐射特性。
图26是根据一些实施例的用于控制近场天线2500的某些组件的操作的控制系统2600的框图。控制系统2600可以是充电垫100的一个示例(图1A),然而,为了便于讨论和说明,充电垫100中包括的一个或多个部件没有包括在控制系统2600中。
控制系统2600包括RF功率发射器集成电路160、一个或多个功率放大器108、阻抗调节组件2620和近场天线2500,该近场天线包括第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B。以上详细描述了这些组件中的每一个,并且下文更详细地描述了阻抗调节组件2620。
阻抗调节组件2620可以是RF端子或负载,并且被配置成调节第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B中的至少一个的阻抗。换句话说,阻抗调节组件2620被配置成改变偶极子天线中的一个的阻抗,从而在两个偶极子天线之间产生阻抗失配。通过在两个偶极子天线之间产生阻抗失配,两个偶极子天线之间的相互耦合被显著降低。注意,阻抗调节组件2620是天线调节组件的一个示例。可以使用各种其他天线调节组件(例如,改变辐射元件中的任何一个的有效长度)来调节天线的各种其他特性(例如,每个偶极子的相应天线元件的长度),以便确保两个偶极子中的一个不被调谐到另一偶极子的传输频率。
控制系统2600还包括开关2630(本文也称为“开关电路系统”),开关2630在其中具有一个或多个开关(未示出)。开关2630被配置成响应于从RF功率发射器集成电路160接收到电信号形式的一个或多个指令(例如,“控制输出”信号),将第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B分别可切换地耦合到阻抗调节组件2620和至少一个功率放大器108(反之亦然)。例如,开关2630可以经由一个或多个开关将第一偶极子天线2501-A与阻抗调节组件2620耦合,并将第二偶极子天线2501-B与至少一个功率放大器108耦合,反之亦然。
为了实现以上讨论的切换,开关2630向第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B提供不同的信号路径(例如,经由其中的一个或多个开关)。开关中的每一个一旦闭合就在以下之间形成独特的路径:(i)相应功率放大器108(或多个功率放大器108)和相应偶极子天线,或者(ii)阻抗调节组件2620和相应偶极子天线。换句话说,通过开关2630的独特路径中的一些用于选择性地向偶极子天线2501-A、2501-B中的一个提供RF信号,而通过开关2630的独特路径中的一些路径用于调节偶极子天线2501-A、2501-B中的一个的阻抗(即,对偶极子天线2501-A、2501-B进行解调)。注意,开关电路系统的该两个或更多个开关可以同时闭合,从而产生可以同时使用的到近场天线2500的多个独特路径。
如图所示,RF功率发射器集成电路160经由总线208耦合到开关2630。集成电路160被配置成控制其中的一个或多个开关的操作(在图1A、图1C和图26中被示为“控制输出”信号)。例如,RF功率发射器集成电路160可以闭合开关2630中的第一开关,该第一开关将相应功率放大器108与第一偶极子天线2501-A连接,并且可以闭合开关2630中的第二开关,该第二开关将阻抗调节组件2620与第二偶极子天线2501-B连接,反之亦然。而且,RF功率发射器集成电路160耦合到一个或多个功率放大器108,并被配置成导致生成合适的RF信号(例如,“RF输出”信号),并导致向一个或多个功率放大器108提供RF信号。一个或多个功率放大器108又被配置成(例如,基于从RF功率发射器集成电路160接收的指令)根据开关电路系统2630中的哪个(或哪些)开关闭合,经由开关2630向偶极子天线中的一个提供RF信号。
在一些实施例中,RF功率发射器集成电路160控制器被配置成基于以下中的一个或多个来控制开关2630和一个或多个功率放大器108的操作:(i)近场天线2500附近(或近场天线2500上)的无线功率接收设备的位置,(ii)无线功率接收设备的功率接收天线的极化,以及(iii)无线功率接收设备的空间取向。在一些实施例中,RF功率发射器集成电路160接收这样的信息,该信息允许电路160确定(i)无线功率接收设备的位置,(ii)无线功率接收设备的功率接收天线的极化,以及(iii)来自无线功率接收设备的无线功率接收设备的空间取向。例如,无线功率接收设备可以向近场天线2500的通信无线电设备发送指示上述中的每一个的一个或多个通信信号(例如,一个或多个通信信号中的数据指示无线功率接收设备的位置、极化和/或取向)。进一步,如图1A所示,无线通信组件204(即,近场天线2500的通信无线电设备)连接到RF功率发射器集成电路160。因此,由无线通信组件204接收的数据可以被输送到RF功率发射器集成电路160。
在一些实施例中,第一偶极子天线2501-A可以被配置成辐射具有第一极化的电磁信号(例如,水平极化的电磁信号),并且第二偶极子天线2501-B可以被配置成辐射具有第二极化的电磁信号(例如,竖直极化的电磁信号)(反之亦然)。进一步,如果无线功率接收设备的功率接收天线被配置成接收具有第一极化的电磁信号,则RF功率发射器集成电路160将第一偶极子天线2501-A连接到一个或多个功率放大器108,并且将经由开关2630将阻抗调节组件2620与第二偶极子天线2501-B连接。以这样的方式,由近场天线2500辐射的电磁信号将具有与目标设备的极化相匹配的极化,从而增加传送到无线功率接收设备的能量的效率。
在一些实施例中,开关2630可以是近场天线2500的一部分(例如,在近场天线内部)。替选地,在一些实施例中,开关2630与近场天线2500分离(例如,开关2630可以是不同的组件,或者可以是另一组件诸如(多个)功率放大器108的一部分)。注意,可以使用能够实现上述功能的任何开关设计。
图27示出了当近场天线2500包括后反射器2504时由该近场天线生成的辐射图案2700(即,辐射天线元件由金属反射器“支撑”)。当(i)第一偶极子天线2501-A被一个或多个功率放大器108馈送电磁信号,以及(ii)近场天线2500包括反射器2504时,所示出的辐射图案2700由近场天线2500生成。如图所示,辐射图案2700具有沿X轴和Y轴产生的更高浓度的EM能量(并且沿Z轴具有辐射零点),并且形成整体圆环形状。由此,电磁场集中保持更靠近NF天线2500,并且远场增益被最小化(例如,EM场集中保持更靠近辐射器2507和反射器2504,图25E)。尽管未示出,辐射图案2700在与X轴对齐的方向上被极化。
因此,通过结合反射器2504,辐射图案2700相对于辐射图案2800围绕X轴旋转90度(图28A,下面讨论)。附加地,通过结合反射器2504,沿Z轴形成辐射零点,这显著降低了远场增益,并且由近场天线2500辐射的能量集中在距近场天线2500的近场距离内。同样,当第一偶极子天线2501-A被馈送电磁信号时,第二偶极子天线2501-B可以连接到阻抗调节组件2620。
图28A至图28C示出了由不包括反射器2504的近场天线2500的实施例生成的各种辐射图案。当第一偶极子天线2501-A由一个或多个功率放大器108馈送电磁信号时,由近场天线2500生成图28A中示出的辐射图案2800。如图所示,辐射图案2800具有沿着Z轴和X轴产生的更高浓度的EM能量(并且沿着Y轴具有辐射零点),并且形成整体圆环形状。这个图2800示出了没有反射器的天线元件向外/垂直于近场天线2500辐射。尽管未示出,辐射图案2800在第一方向被极化(例如,与X轴对齐)。另外,当第一偶极子天线2501-A由一个或多个功率放大器108馈送电磁信号时,第二偶极子天线2501-B可以连接到阻抗调节组件2620。
当由一个或多个功率放大器108向第二偶极子天线2501-B馈送电磁信号时(即,第一偶极子天线2501-A没有被馈送电磁信号,而是可以连接到阻抗调节组件2620),由近场天线2500生成图28B中示出的辐射图案2810。图28B示出了辐射图案2810,其具有沿着Z轴和Y轴产生的更高浓度的EM能量(并且沿着X轴具有辐射零点),这也形成了整体圆环形状。虽然未示出,但是辐射图案2810在第二方向(例如,与Y轴对齐)上被极化。因此,第一偶极子天线2501-A被配置成生成在第一方向上极化的辐射图案2800,而第二偶极子天线2501-B被配置成生成在垂直于第一方向的第二方向上极化的辐射图案2810。以这样的方式,当由第一偶极子天线2501-A生成的电磁信号的极化与无线功率接收设备的功率接收天线的极化匹配时,向第一偶极子天线2501-A进行馈送。替选地,当由第二偶极子天线2501-B生成的电磁信号的极化与无线功率接收设备的功率接收天线的极化匹配时,向第二偶极子天线2501-D进行馈送。
图28C示出了当由一个或多个功率放大器108向第一偶极子天线和第二偶极子天线两者馈送电磁信号,并且两个偶极子天线都没有连接到阻抗调节组件2620时生成的辐射图案2820。如图所示,辐射图案2820具有沿Z轴、X轴和Y轴产生的更高浓度的EM能量(并且在X轴和Y轴之间形成辐射零点),并且形成整体圆环形状。
图29A和图29B示出了由根据一些实施例的近场天线2500的偶极子天线辐射和吸收的能量的浓度。
特别地,图29A示出了当第一偶极天线2501-A的阻抗基本上匹配第二偶极子天线2501-B的阻抗时由偶极子天线2501-A、2501-B辐射和吸收的能量的所得到的浓度。图29B示出了当第一偶极子天线2501-A的阻抗不同于第二偶极子天线2501-B的阻抗时——这是通过将偶极子天线中的一个连接到阻抗调节组件2620来实现的,由近场天线2500的偶极子天线2501-A、2501-B辐射和吸收的能量的所得到的浓度。换句话说,由于偶极子天线中的一个连接到阻抗调节组件2620,导致第一偶极子天线和第二偶极子天线2501-A、2501-B被有意解调。
相邻天线元件之间不存在阻抗失配导致相邻天线元件之间的实质性相互耦合。“相互耦合”是指当另一附近的天线元件(或天线偶极子)正在辐射时,能量被一个天线元件(或一个天线偶极子)吸收。具有紧密间隔的天线元件的天线(或天线阵列)通常遭受相邻天线元件之间的不期望的相互耦合,这限制了天线的辐射效率方面的能力(当天线元件被放置在一起并且当天线元件被小型化时,这个问题尤其严重)。
例如,参考图29A,由一个或多个功率放大器108向第二偶极子天线2501-B馈送电磁信号,并且沿着第二偶极子天线2501-B的着色表示由第二偶极子天线2501-B辐射的不同能量浓度,其中红色对应于高浓度,绿色对应于中浓度,并且蓝色对应于低浓度。图29A中的第一偶极子天线2501-A不是独立辐射的,然而,由于两个偶极子天线之间的相互耦合,由第二偶极子天线2501-B辐射的一定量的能量被第一偶极子天线2501-A吸收。由于这种相互耦合,近场天线2500的辐射效率没有得到优化(例如,NF天线2500可能只能传送其试图发射的能量的50%或更少)。
相反,参照图29B,由一个或多个功率放大器108向第二偶极子天线2501-B馈送电磁信号。附加地,第一偶极子天线2501-A耦合到阻抗调节组件2620,从而在两个偶极子天线之间产生有意的阻抗失配。在这样的配置中,与图29A中的第一偶极子天线2501-A吸收的能量的量相比,图29B中的第一偶极子天线2501-A吸收比由第二偶极子天线2501-B辐射的少得多的能量。因此,图29B中的近场天线2500的辐射效率比图29A中的近场天线2500的辐射效率更高(例如,NF天线2500现在能够辐射其试图发射的能量的90%或更多)。
操作方法
图30是示出根据一些实施例的无线功率发射的方法3000的流程图。可以由与近场天线(例如,近场天线2500,图25A)相关联的控制器(例如,RF功率发射器集成电路160,图1A和图26)来执行方法3000的操作(例如,步骤)。图30中示出的操作中的至少一些对应于存储在计算机存储器或计算机可读存储介质(例如,充电垫100的存储器206,图2A)中的指令。
方法3000包括提供(3002)近场天线,该近场天线包括反射器(例如,反射器2504,图25A)和偏离反射器的四个不同的共面天线元件(例如,辐射元件2502-A至2502-D,图25A)。四个不同的天线元件遵循相应曲折图案,诸如图25F中示出的曲折图案。此外,(i)四个共面天线元件中的两个天线元件形成与第一轴线(例如,图25A的X轴)对齐的第一偶极子天线(例如,图25A的偶极子天线2501-A),以及(ii)四个共面天线元件中的另两个天线元件(例如,图25A的偶极子天线2501-B)形成与垂直于第一轴线的第二轴线(例如,图25A的Y轴)对齐的第二偶极子天线。在一些实施例中,相应曲折图案全部是相同的。
在一些实施例中,四个不同共面天线元件中的第一天线元件(例如,第一辐射元件2502-A)是第一偶极子天线的第一极,四个不同共面天线元件中的第二天线元件(例如,第二辐射元件2502-B)是第一偶极子天线的第二极。另外,四个不同共面天线元件中的第三天线元件(例如,第三辐射元件2502-C)可以是第二偶极子天线的第一极,并且四个不同共面天线元件中的第四天线元件(例如,第四辐射元件2502-D)可以是第二偶极子天线的第二极。形成第一偶极子天线的两个天线元件可以各自包括垂直于第一轴线的两个区段,并且形成第二偶极子天线的另外两个天线元件可以各自包括平行于第一轴线的两个区段。例如,参考图25A,第一辐射元件2502-A和第二辐射元件2502-B各自包括垂直于X轴的两个区段(例如,图25F的区段2560-C和2560-D),并且第三辐射元件2502-C和第四辐射元件2502-D各自包括平行于X轴的两个区段(例如,图25F的区段2560-C和2560-D)。在这种布置中,形成第一偶极天线的两个天线元件被配置成辐射具有第一极化的电磁信号,并且形成第二偶极天线的两个天线元件被配置成辐射具有垂直于第一极化的第二极化的电磁信号。
在一些实施例中,四个不同天线元件中的每一个包括:(i)第一多个区段,和(ii)散置在第一多个区段的每一个之间的第二多个区段。例如,参考图25G,第二多个区段2562-A至2562-C散置在第一多个区段2560-A至2560-D之间。在这样的实施例中,第一多个区段中的区段的第一长度从天线元件的第一端部部分到天线元件的第二端部部分增加,如图25F和图25G所示。注意,每个天线元件的“第一端部部分”对应于图25F中示出的第一端部部分2564,并且每个天线元件的第一端部部分靠近近场天线2500的中心部分2574(图25H)。另外,每个天线元件的“第二端部部分”对应于图25F中示出的第二端部部分2566,并且每个天线元件的第二端部部分2566朝向近场天线2500的边缘2572(图25H)延伸。因此,简单地说,四个不同天线元件中的每一个的宽度从近场天线2500的中心部分到近场天线2500的相应边缘以曲折的方式增加。
在一些实施例中,第二多个区段中的区段的第二长度也从天线元件的第一端部部分到天线元件的第二端部部分增加,而在其他实施例中,第二多个区段中的区段的第二长度保持基本相同,如图25F所示。附加地,第一多个区段中的一个或多个区段的第一长度不同于第二多个区段中的区段的第二长度。在一些实施例中,第一多个区段朝向天线元件的第二端部部分的第一长度大于第二多个区段朝向天线元件的第二端部部分的第二长度。例如,区段2560-C和2560-D的长度基本上比区段2562-B和2562-C的长度更长。上面参考图25F和图25G进一步详细讨论了辐射元件的区段。
在一些实施例中,四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第一端部部分与近场天线的相同中央部分(例如,中央部分2574,图25H)相接,并且四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的第二端部部分与近场天线的不同边缘(例如,边缘2572中的一个,图25H)相接。进一步,四个不同天线元件中的每一个所遵循的相应曲折图案的最长尺寸相比于距近场天线的相同中心部分可以更靠近近场天线的不同边缘。此外,四个不同天线元件中的每一个遵循的相应曲折图案的最短尺寸相比于近场天线的不同边缘更靠近近场天线的相同中心部分。
在一些实施例中,四个不同的共面天线元件形成在基板上或基板内。例如,如图25A和图25B所示,四个不同的共面天线元件的相反的第一表面和第二表面是暴露的,并且与基板2506的相反的第一表面和第二表面共面。注意,电介质(例如,热塑性或热固性聚合物)可以沉积在四个不同的共面天线元件上,使得天线元件受到保护(根据电介质的特性,可以是可见的,或者可以不是可见的)。在一些实施例中,基板可以包括预定磁导率或介电常数的超材料。超材料基板可以整体上提高近场天线的性能(例如,当与由普通电介质制成的基板相比时,提高辐射效率)。
近场天线还包括耦合到四个共面天线元件中的至少两个的开关电路系统(例如,开关2630,图26)。例如,近场天线可以包括具有相反的第一端和第二端的第一馈送件(例如,馈送件2508-A),其中第一馈送件的第一端连接到构成第一偶极子天线的两个天线元件中的第一个,并且第一馈送件的第二端连接到开关电路系统,例如,通过沉积在印刷电路板2514上的金属迹线(图25E)。此外,近场天线可以包括具有相反的第一端和第二端的第二馈送件(例如,馈送件2508-B),其中第二馈送件的第一端连接到构成第二偶极子天线的两个天线元件中的第一个,并且第二馈送件的第二端连接到开关电路系统,例如,通过沉积在印刷电路板2514上的金属迹线(例如,总线208)。上面参考图25E进一步详细讨论了馈送件和印刷电路板。
近场天线还包括耦合到开关电路系统(例如,通过金属迹线)的功率放大器(例如,功率放大器108,图26),以及耦合到开关电路系统(例如,通过金属迹线)的阻抗调节组件(例如,组件2520,图26)。近场天线还可以包括控制器(例如,RF功率发射器集成电路160,图1A和图26),该控制器被配置成控制开关电路系统和功率放大器的操作。控制器可以通过金属迹线连接到开关电路系统和功率放大器。在上面参考图26更详细地讨论了功率放大器、阻抗调节元件和控制器。
方法3000还包括指示(3004)开关电路系统:(i)将第一偶极子天线耦合到功率放大器,并且(ii)将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件(反之亦然)。例如,参考图26,集成电路160可以向开关电路系统2630发送“控制输出”信号,这使得开关电路系统2630中的一个或多个第一开关闭合并将相应功率放大器108与第一偶极子天线2501-A连接。“控制输出”信号还使得开关电路系统2630中的一个或多个第二开关闭合,并将阻抗调节组件2620与第二偶极子天线2501-B连接。注意,在一些实施例中,开关电路系统2630包括第一开关电路和第二开关电路。在这样的实施例中,第一开关电路闭合,以将第一偶极子天线连接到功率放大器,并将第二偶极子天线连接到阻抗调节组件。进一步,第二开关电路闭合,以将第一偶极子天线连接到阻抗调节组件,并且将第二偶极子天线连接到功率放大器。上面参考图26进一步详细讨论了开关电路系统2630的控制操作。
由控制器生成和提供的一个或多个信号可以基于从无线功率接收设备(例如,图2B的接收器104)接收的信息。例如,控制器可以接收无线功率接收设备的位置信息,(ii)无线功率接收设备的功率接收天线的极化信息,和/或(iii)无线功率接收设备的取向信息,这些信息中的每一个可以从无线功率接收设备接收。进一步,一个或多个电信号可以基于这个接收的信息。换句话说,控制器可以被配置成基于以下中的一个或多个来控制开关电路系统和功率放大器的操作:(i)无线功率接收设备的位置(如位置信息所示),(ii)无线功率接收设备的功率接收天线的极化(如极化信息所示),以及(iii)无线功率接收设备的取向(如取向信息所示)。
如上面参考图26所解释的那样,开关电路系统被配置成响应于从RF功率发射器集成电路160接收到电信号形式的一个或多个指令(例如,“控制输出”信号),将第一偶极子天线2501-A和第二偶极子天线2501-B分别可切换地耦合到阻抗调节组件2620和功率放大器108(反之亦然)。进一步,在一些实施例中,开关电路系统可以被配置成当近场天线处于第一操作模式时,可切换地将第一偶极子天线耦合到功率放大器并且将第二偶极子天线耦合到阻抗调节组件。而且,开关电路系统可以被配置成当近场天线处于不同于第一操作模式的第二操作模式时,可切换地将第二偶极子天线耦合到功率放大器并将第一偶极子天线耦合到阻抗调节组件。
方法3000还包括指示(3006)功率放大器经由开关电路系统向第一偶极子天线馈送电磁信号。例如,参考图26,集成电路160向功率放大器发送“RF输出”信号。功率放大器可以依次放大(如果需要的话)接收的“RF输出”信号,并且然后通过开关电路系统将放大的RF信号提供给第一偶极子天线。电磁信号在被馈送到第一偶极子天线时使得第一偶极子天线辐射电磁信号,以由位于距近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备接收。无线功率接收设备可以使用来自辐射的电磁信号的能量,(一旦被接收)来为与无线功率接收设备耦合的电子设备供电或充电。附加地,因为第二偶极子天线连接到阻抗调节组件,并且第一偶极子天线未被连接,所以将第二偶极子天线的阻抗(通过阻抗调节组件)调节为使得第二偶极子天线的阻抗不同于第一偶极子天线的阻抗。在这种布置中,第一偶极子天线和第二偶极子天线解调(例如,第一偶极子天线的操作频率不同于第二偶极子天线的操作频率)。
在一些实施例中,方法3000还包括由反射器反射由第一偶极子天线辐射的电磁信号的至少一部分。此外,在一些实施例中,方法3000还包括由反射器抵消由第一偶极子天线辐射的电磁信号的至少一部分。
全部这些示例是非限制性的,并且使用以上描述的示例结构,任何数量的组合和多层结构都是可能的。
另外的实施例还包括上述实施例的各种子集,包括图1至图30中的在各种实施例中组合或以其他方式重新布置的实施例,如本领域技术人员在阅读本公开的同时将容易理解的那样。
本文中在本发明的描述中使用的术语仅仅是为了描述特定的实施例,而不是为了限制本发明。如在本发明的描述和所附权利要求中所用,单数形式“一(a/an)”和“该”也旨在包括复数形式,除非上下文另有明确指示。还应当理解的是,如本文所用的术语“和/或”是指并涵括相关联的列出项目中的一个或多个的任何和所有可能的组合。将进一步理解的是,当在本说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但是不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在或添加。
还应当理解的是,尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件,但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如,第一区域可以被称为第二区域,并且类似地,第二区域可以被称为第一区域,而不改变描述的含义,只要“第一区域”的所有出现被一致地重命名并且“第二区域”的所有出现被一致地重命名。第一区域和第二区域两者是区,但不是相同区。
出于解释的目的,已经参考具体实施例描述了前述描述。然而,以上的说明性讨论并不旨在穷举或将本发明限制于所公开的精确形式。鉴于上述教导,许多修改和变化是可能的。选择和描述实施例是为了最好地解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够最好地利用本发明和具有适合于预期的特定用途的各种修改的各种实施例。

Claims (22)

1.一种近场天线,包括:
反射器;
四个不同的共面天线元件,所述四个不同的共面天线元件从所述反射器偏离,所述四个不同的天线元件中的每一个天线元件遵循相应曲折图案,其中:
所述四个共面天线元件中的两个天线元件沿着第一轴线形成第一偶极子天线,并且
所述四个共面天线元件中的另外两个天线元件沿着第二轴线形成第二偶极子天线,所述第二轴线垂直于所述第一轴线;
功率放大器,所述功率放大器被配置成向所述第一偶极子天线和第二偶极子天线中的至少一个馈送电磁信号;
阻抗调节组件,所述阻抗调节组件被配置成调节所述第一偶极子天线和第二偶极子天线中的至少一个的阻抗,以及
开关电路系统,所述开关电路系统耦合到所述功率放大器、所述阻抗调节组件以及所述第一偶极子天线和第二偶极子天线,所述开关电路系统被配置成:
(i)可切换地将所述第一偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且将所述第二偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件,或者
(ii)可切换地将所述第二偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且将所述第一偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件。
2.根据权利要求1所述的近场天线,其中:
在所述近场天线的第一操作模式中,所述开关电路系统将(i)所述第一偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且(ii)将所述第二偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件;以及
在所述近场天线的第二操作模式中,所述开关电路系统(i)将所述第二偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且(ii)将所述第一偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件。
3.根据权利要求2所述的近场天线,其中:
在所述近场天线的第一操作模式中,所述第一偶极子天线从所述功率放大器接收电磁波并辐射具有第一极化的所接收的电磁波,并且
在所述近场天线的第二操作模式中,所述第二偶极子天线从所述功率放大器接收电磁波并辐射具有不同于所述第一极化的第二极化的所接收的电磁波。
4.根据权利要求3所述的近场天线,其中位于距所述近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备被配置成采集经辐射的电磁波,并使用所采集的电磁波来向与所述无线功率接收设备耦合的电子设备供电或充电。
5.根据权利要求1所述的近场天线,还包括被配置成控制开关电路系统和功率放大器的操作的控制器。
6.根据权利要求5所述的近场天线,其中所述控制器被配置成基于以下中的一个或多个来控制所述开关电路系统和所述功率放大器的操作:(i)无线功率接收设备的位置,(ii)所述无线功率接收设备的功率接收天线的极化,以及(iii)所述无线功率接收设备的空间取向。
7.根据权利要求1所述的近场天线,还包括:
第一馈送件,所述第一馈送件连接到所述第一偶极子天线的两个天线元件中的第一天线元件和所述开关电路系统,其中所述第一馈送件被配置成当所述功率放大器通过所述开关电路系统可切换地耦合到所述第一偶极子天线时,向所述第一偶极子天线的所述第一天线元件供应源自所述功率放大器的电磁信号;以及
第二馈送件,所述第二馈送件连接到所述第二偶极子天线的另外两个天线元件中的第一天线元件和所述开关电路系统,其中所述第二馈送件被配置成当功率放大器通过所述开关电路系统可切换地耦合到所述第二偶极子天线时,向所述第二偶极子天线的所述第一天线元件供应源自所述功率放大器的电磁信号。
8.根据权利要求1所述的近场天线,其中:
所述四个不同共面天线元件中的第一天线元件是所述第一偶极子天线的第一极;
所述四个不同共面天线元件中的第二天线元件是所述第一偶极子天线的第二极;
所述四个不同共面天线元件中的第三天线元件是所述第二偶极子天线的第一极;以及
所述四个不同共面天线元件中的第四天线元件是所述第二偶极子天线的第二极。
9.根据权利要求1所述的近场天线,其中:
形成所述第一偶极子天线的两个天线元件各自包括垂直于所述第一轴线的两个区段,并且
形成所述第二偶极子天线的另外两个天线元件各自包括平行于所述第一轴线的两个区段。
10.根据权利要求1所述的近场天线,其中:
所述四个不同天线元件中的每一个天线元件所遵循的所述相应曲折图案的第一端部部分与所述近场天线的相同中心部分接界;
所述四个不同天线元件中的每一个天线元件所遵循的所述相应曲折图案的第二端部部分与所述近场天线的不同边缘接界;并且
所述四个不同天线元件中的每一个天线元件所遵循的所述相应曲折图案的最长尺寸相比于距所述近场天线的相同中心部分更靠近所述近场天线的不同边缘。
11.根据权利要求10所述的近场天线,其中所述四个不同天线元件中的每一个天线元件遵循的所述相应曲折图案的最短尺寸相比于所述近场天线的不同边缘更靠近所述近场天线的相同中心部分。
12.根据权利要求1所述的近场天线,其中所述反射器是由铜或铜合金制成的固体金属片。
13.根据权利要求1所述的近场天线,其中所述反射器被配置成反射由所述第一偶极子天线或所述第二偶极子天线辐射的所述电磁信号的至少一部分。
14.根据权利要求1所述的近场天线,其中所述四个不同的共面天线元件形成在基板上或基板内。
15.根据权利要求14所述的近场天线,其中所述基板包括具有预定磁导率或介电常数的超材料。
16.根据权利要求1所述的近场天线,其中所述相应曲折图案全部是相同的。
17.根据权利要求16所述的近场天线,其中形成所述第一偶极子天线的两个天线元件沿所述第一轴线定向,使该两个天线元件中的每一个天线元件遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
18.根据权利要求17所述的近场天线,其中形成所述第二偶极子天线的另外两个天线元件沿所述第二轴线定向,使得所述另外两个天线元件中的每一个天线元件遵循的相应曲折图案是另一个天线元件遵循的相应曲折图案的镜像。
19.一种对接收器设备进行无线充电的方法,所述方法包括:
提供近场天线,所述近场天线包括:
反射器;
四个不同的共面天线元件,所述四个不同的共面天线元件从所述反射器偏离,所述四个不同的天线元件中的每一个天线元件遵循相应曲折图案,其中:(i)所述四个共面天线元件中的两个天线元件形成沿第一轴线定向的第一偶极子天线;以及(ii)所述四个共面天线元件中的另外两个天线元件形成沿第二轴线定向的第二偶极子天线,所述第二轴线垂直于所述第一轴线;
开关电路系统,所述开关电路系统耦合到所述四个共面天线元件中的至少两个天线元件;
功率放大器,所述功率放大器耦合到所述开关电路系统;以及
阻抗调节组件,所述阻抗调节组件耦合到所述开关电路系统;
指示所述开关电路系统:(i)将所述第一偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且(ii)将所述第二偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件;
指示所述功率放大器经由所述开关电路系统向所述第一偶极子天线馈送电磁信号,其中:
所述电磁信号在被馈送到所述第一偶极子天线时使得所述第一偶极子天线辐射电磁信号,以由位于距所述近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备接收,以及
所述第二偶极子天线的阻抗由所述阻抗调节组件调节,使得所述第二偶极子天线的阻抗不同于所述第一偶极子天线的阻抗。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述方法还包括权利要求2至18中的任一项。
21.一种存储可执行指令的非暂时性计算机可读存储介质,所述指令在由近场天线的一个或多个处理器执行时,所述近场天线具有反射器、四个不同的共面天线元件、耦合到所述四个共面天线元件中的至少两个天线元件的开关电路系统、耦合到所述开关电路系统的功率放大器以及耦合到所述开关电路系统的阻抗调节组件使得所述近场天线:
指示所述开关电路系统:(i)将所述第一偶极子天线耦合到所述功率放大器,并且(ii)将所述第二偶极子天线耦合到所述阻抗调节组件;
指示所述功率放大器经由所述开关电路系统向所述第一偶极子天线馈送电磁信号,其中:
所述电磁信号在被馈送到所述第一偶极子天线时使得所述第一偶极子天线辐射电磁信号,以由位于距所述近场天线的阈值距离内的无线功率接收设备接收,以及
所述第二偶极子天线的阻抗由所述阻抗调节组件调节,使得所述第二偶极子天线的阻抗不同于所述第一偶极子天线的阻抗。
22.根据权利要求21所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述一个或多个程序还包括用于执行权利要求2至18中任一项的指令。
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