KR101319731B1 - 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로 - Google Patents

무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로 Download PDF

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KR101319731B1
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switch circuit
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김유신
박성환
김상희
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삼성전기주식회사
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    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
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    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching

Abstract

본 발명은 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것으로서, 안테나를 통해 송수신되는 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부; 안테나를 통해 송수신되는 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 신호를 인가하는 제어부를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.

Description

무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로{Circuit for controlling switching time of transmitting and receiving signal in wireless communication system}
본 발명은 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것으로서, 특히 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 다양한 무선통신 시스템에서 사용할 수 있는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것이다.
휴대용 무선통신 시스템에는, 예를 들면 유럽에서 주로 사용되는 EGSM(Extended Global System for Mobile Communications) 방식 및 DCS(Digital Cellular System) 방식과, 미국에서 주로 사용되는 GSM850(Global System For Mobile Communications 850) 방식 및 GSM1900(Global System For Mobile Communications 1900) 방식과, 일본에서 주로 사용되는 PDC(Personal Digital Cellular) 방식 등이 있다. 그러나, 최근의 휴대전화기의 급격한 보급에 수반하여, 특히 선진국의 주요 대도시에 있어서 각 시스템에 할당된 주파수 대역에서는 시스템 이용자를 만족시키지 못하고 있다. 예컨대, 접속이 곤란하거나 통화 도중에 접속이 끊어지는 등의 문제가 발생하고 있다.
따라서, 이에 대한 대책으로 이용자가 복수의 시스템을 이용할 수 있도록 하여, 실질적으로 이용 가능한 주파수의 증가를 도모하고, 또한 서버　사용자 구역의 확충이나 각 시스템의 통신 인프라를 유효하게 활용하는 방안이 제시되고 있다.
한편, 무선통신 산업의 발전으로 인해 이동전화, 무선 랜 등 각종 응용분야에서 집적회로 기술에 의해 제조된 저잡음 증폭기, 발진기, 고출력 증폭기, 스위치 등과 같은 RF 부품들이 개발되고 있다. 이러한 무선통신 산업의 발전과 더불어 사용 주파수 대역 또한 점점 높아지는 추세에 있으며, X 대역 이상의 주파수에서 동작되는 RF 부품이 요구되고 있다.
마이크로파 등과 같은 고주파 대역에서 동작하는 스위치로서, 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Through) 스위치가 있다. 일반적인 SPDT 스위치는 FET 계열의 소자를 사용한다. SPDT 스위치의 설계시에, 직렬 스위칭 소자로서는 삽입손실을 줄이기 위해 보통 면적이 큰 FET 소자가 사용되고, 직렬 스위칭 소자와 병렬로 연결되는 스위칭 소자로서는 격리도 특성을 향상시키기 위해 상대적으로 작은 면적의 FET 소자가 사용된다.
SPDT 스위치의 성능을 개선하기 위한 연구는 적용분야에 따라 다양하게 이루어지고 있다. 예를 들어, 기생성분을 제거하여 격리도 및 반사 손실을 개선하기 위해 병렬 공진기를 사용한 SPDT 스위치, 그리고, 스위칭 소자의 온 및 오프 상태에서의 임피던스를 확실하게 단락 및 개방하기 위하여 스위칭 소자 사이에 임피던스 변환회로를 추가한 SPDT 스위치 등이 있다. 특히, 후자의 경우는 높은 격리도 및 낮은 삽입손실을 얻을 수 있는 구조를 취하고 있으나, 기본적으로 필터 구조가 포함되어 있어 협대역 특성을 갖는다. 따라서, 적용분야가 제한적이며 보다 넓은 대역에서 사용이 곤란하다.
일본공개특허 제2007-143112호
본 발명은 상기와 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 다양한 무선통신 시스템에서 사용가능한, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는, 무선 통신기기의 안테나와 신호 송수신부 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서,
상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부;
상기 고속 스위치 회로부에 병렬로 접속되며, 상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및
상기 고속 스위치 회로부 및 저속 스위치 회로부와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하며,
적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부로부터 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부를 선택적으로 동작시키는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 고속 스위치 회로부는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 고속 스위치 회로부는 두 개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인상에는 저항이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자로는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다.
또한, 상기 저속 스위치 회로부는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 저속 스위치 회로부는 4개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인상에는 저항이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자로는 FET(field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다.
또한, 상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부와 상기 저속 스위칭 회로부만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성될 수도 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 고주파 대역 스위치의 NMOS 등가회로도.
도 2는 트랜지스터에서의 RC 시정수를 NMOSFET으로 구현한 회로도.
도 3은 도 2의 회로에 대한 RC 등가 회로도.
도 4는 시정수(T)에 대한 커패시터 충전 전압의 특성 곡선도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로가 무선 통신기기에 적용된 상태를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 고속 스위치 회로부의 등가 회로도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 저속 스위치 회로부의 등가 회로도.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
여기서, 본 발명에 대한 설명을 본격적으로 하기에 앞서 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 먼저 고주파 대역 스위치와 관련하여 설명해 보기로 한다.
도 1은 고주파 대역 스위치의 NMOS 등가회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 고주파 대역 스위치는 폴리실리콘 게이트 NMOS로 구현할 수 있으며, 그 NMOS의 등가회로는 다수의 커패시턴스와 저항의 직병렬 조합회로로 나타낼 수 있다. 도 1에서 Cox는 게이트 옥사이드(gate oxide) 커패시턴스이고, C1은 게이트 인버젼(gate inversion) 커패시턴스이며, CD는 게이트 디플리션 (gate depletion) 커패시턴스이고, Wd는 채널 폭이며, L은 채널 길이를 나타낸다.
도 1의 트랜지스터에서 채널 변이 시간(Channel Transit Time)은 채널의 RC 시정수(Time Constant)에 의해 정의할 수 있다. 이에 대한 회로를 구현할 때는 도 2와 같이 NMOS의 게이트(gate)에 저항(Rg)을 접속하여 구현하며, 이 회로는 다시 도 3에서와 같이 RC 등가회로로 나타낼 수 있다.
도 3에서 게이트 저항 Rg와 게이트 채널 커패시턴스(capacitance) C는 시정수(Time Constant)의 함수 관계로 나타낼 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 커패시터 충전 전압(Vc)은 5T 후에 완전히 충전되는 충전 특성을 보임을 알 수 있다.
그러면, 이제 이상과 같은 고주파 대역 스위치 및 그 등가회로와 시정수에 대한 사항을 바탕으로 본 발명의 스위칭 타임 제어회로에 대하여 설명해 보기로 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로를 나타낸 것으로서, 도 5는 본 발명의 스위칭 타임 제어회로가 무선 통신기기에 적용된 상태를 보여주는 도면이고, 도 6은 본 발명의 스위칭 타임 제어회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로(500)는 무선 통신기기의 안테나(501)와 신호 송수신부 (502)(503) 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서, 고속 스위치 회로부(510), 저속 스위치 회로부(520) 및 제어부(530)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 고속 스위치 회로부(510)는 상기 안테나(501)로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나(501)를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속으로(예를 들면, 400ns의 속도로) 스위칭 동작한다. 여기서, 이와 같은 고속 스위치 회로부(510)는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 고속 스위치 회로부(510)는 본 실시예에서와 같이, 두 개의 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트(G) 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속 라인상에는 저항(R1)이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다. 여기서, 물론 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)가 이와 같이 반드시 N형 MOSFET으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 P형 MOSFET 또는 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 등이 사용될 수도 있다.
상기 저속 스위치 회로부(520)는 상기 고속 스위치 회로부(510)에 병렬로 접속되며, 상기 안테나(501)로부터 수신된 신호 또는 안테나(501)를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속으로(예를 들면, 2㎲의 속도로) 스위칭 동작한다. 여기서, 이와 같은 저속 스위치 회로부(520)는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 저속 스위치 회로부(520)는 본 실시예에서와 같이, 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트(G) 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속 라인상에는 저항(R2)이 접속된 회로로 구성될 수 있다. 여기서, 본 실시예에서는 저속 스위치 회로부(520)가 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)의 직렬 접속 회로로 구성된 것을 예시하고 있으나, 이는 반드시 이와 같이 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로 구성되는 것으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 3개 또는 5개, 6개의 반도체 스위칭 소자로 구성될 수도 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 FET(field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다. 여기서, 물론 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)가 이와 같이 반드시 N형 MOSFET으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 P형 MOSFET 또는 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 등이 사용될 수도 있다.
상기 제어부(530)는 상기 고속 스위치 회로부(510) 및 저속 스위치 회로부(520)와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 저속 스위치 회로부(520)에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가한다. 여기서, 이와 같은 제어부(530)는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부(미도시)로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부(510)와 저속 스위칭 회로부(520)만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제어부(530)는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성될 수도 있다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 있어서, 적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부(530)로부터 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 상기 저속 스위치 회로부(520)로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 상기 저속 스위치 회로부(520)를 선택적으로 동작시킨다.
또한, 이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는, 전술한 바와 같이, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응하여 다양한 무선통신 시스템에 사용할 수 있도록 하고자 한다. 따라서, 이를 위해 본 발명에서는 RC 시정수(Time Constant)를 도입한다.
본 발명에 도입된 RC 시정수(Time Constant)는 T = R * C로 표현할 수 있으며, 따라서 NMOS의 채널 커패시턴스(C)의 값을 줄이면 시정수(T)를 작게 만들 수 있어 송수신 신호의 스위칭 타임을 빠르게 조절할 수 있다.
또한, NMOS의 채널 커패시턴스(C)의 값을 크게 하면 시정수(T)를 크게 만들 수 있어 송수신 신호의 스위칭 타임을 느리게 조절할 수 있다.
따라서, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위치 회로(즉, 고속 스위치 회로부(510) 또는 저속 스위치 회로부(520))를 동작시킬 수 있게 된다.
도 6의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어 회로(500)에 있어서, 고속 스위칭이 필요한 경우에는 고속 스위치 회로부(510)에서와 같이 NMOS의 적층 수를 줄이고, 저속 스위칭이 필요한 경우에는 저속 스위치 회로부(520)와 같이 NMOS의 적층 수를 증가시킬 수 있다.
한편, 도 7은 고속 스위치 회로부(510)의 등가 회로도이고, 도 8은 저속 스위치 회로부(520)의 등가 회로도이다.
도 7을 참조하면, A 노드(node)에 제어부(530)로부터의 제어 신호가 인가되면, NMOS의 스위치 적층 수를 2단으로 사용하였으므로 2개의 커패시턴스(C1,C2)가 병렬로 연결된 회로가 구동될 수 있다. 따라서 이때의 총 커패시턴스 값은 C1+C2가 되고, 이에 따른 시정수 T = R *(C1+C2)가 된다. 이와 같이 채널 커패시턴스(C)의 값을 작게 하면, 시정수(T)도 또한 작게 만들 수 있고, 그 결과 송수신 신호의 스위칭 타임을 빠르게 조절할 수 있게 된다.
도 8을 참조하면, 위의 도 7과 동일한 방식으로 B 노드에 제어부(530)로부터의 제어 신호가 인가되면, NMOS의 스위치 적층 수를 4단으로 사용하였으므로 4개의 커패시턴스(Ca,Cb,Cc,Cd)가 병렬로 연결된 회로가 구동될 수 있다. 따라서 이때의 총 커패시턴스 값은 C1+C2+C3+C4가 되고, 이에 따른 시정수 T = R *(C1+C2+C3+C4)가 된다. 이와 같이 채널 커패시턴스(C)의 값을 크게 하면, 시정수(T)도 마찬가지로 크게 만들 수 있고, 그 결과 송수신 신호의 스위칭 타임을 느리게 조절할 수 있게 된다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는 GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수 (Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
500...(본 발명)스위칭 타임 제어회로
501...안테나 502...송신부
503...수신부 510...고속 스위치 회로부
520...저속 스위치 회로부 530...제어부

Claims (13)

  1. 무선 통신기기의 안테나와 신호 송수신부 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서,
    상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부;
    상기 고속 스위치 회로부에 병렬로 접속되며, 상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및
    상기 고속 스위치 회로부 및 저속 스위치 회로부와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하며,
    적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부로부터 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부를 선택적으로 동작시키는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고속 스위치 회로부는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고속 스위치 회로부는 두 개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인 상에는 저항이 접속된 회로로 구성되는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 N형 MOSFET인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 저속 스위치 회로부는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 저속 스위치 회로부는 4개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인 상에는 저항이 접속된 회로로 구성되는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 FET(field effect transistor)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 N형 MOSFET인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부와 상기 저속 스위칭 회로부만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150049948A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 삼성전기주식회사 선형특성이 개선된 고주파 스위치 회로

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080076371A1 (en) * 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
KR20130141527A (ko) 2010-10-15 2013-12-26 시리트 엘엘씨 표면 산란 안테나
US10063105B2 (en) 2013-07-11 2018-08-28 Energous Corporation Proximity transmitters for wireless power charging systems
US9876394B1 (en) 2014-05-07 2018-01-23 Energous Corporation Boost-charger-boost system for enhanced power delivery
US9871398B1 (en) 2013-07-01 2018-01-16 Energous Corporation Hybrid charging method for wireless power transmission based on pocket-forming
US9806564B2 (en) 2014-05-07 2017-10-31 Energous Corporation Integrated rectifier and boost converter for wireless power transmission
US10256657B2 (en) 2015-12-24 2019-04-09 Energous Corporation Antenna having coaxial structure for near field wireless power charging
US10439448B2 (en) 2014-08-21 2019-10-08 Energous Corporation Systems and methods for automatically testing the communication between wireless power transmitter and wireless power receiver
US9812890B1 (en) 2013-07-11 2017-11-07 Energous Corporation Portable wireless charging pad
US10124754B1 (en) 2013-07-19 2018-11-13 Energous Corporation Wireless charging and powering of electronic sensors in a vehicle
US9787103B1 (en) 2013-08-06 2017-10-10 Energous Corporation Systems and methods for wirelessly delivering power to electronic devices that are unable to communicate with a transmitter
US11502551B2 (en) 2012-07-06 2022-11-15 Energous Corporation Wirelessly charging multiple wireless-power receivers using different subsets of an antenna array to focus energy at different locations
US10381880B2 (en) 2014-07-21 2019-08-13 Energous Corporation Integrated antenna structure arrays for wireless power transmission
US10965164B2 (en) 2012-07-06 2021-03-30 Energous Corporation Systems and methods of wirelessly delivering power to a receiver device
US9887584B1 (en) 2014-08-21 2018-02-06 Energous Corporation Systems and methods for a configuration web service to provide configuration of a wireless power transmitter within a wireless power transmission system
US10992185B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation Systems and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to game controllers
US10992187B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation System and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to electronic devices
US9867062B1 (en) 2014-07-21 2018-01-09 Energous Corporation System and methods for using a remote server to authorize a receiving device that has requested wireless power and to determine whether another receiving device should request wireless power in a wireless power transmission system
US9853458B1 (en) 2014-05-07 2017-12-26 Energous Corporation Systems and methods for device and power receiver pairing
US9385435B2 (en) 2013-03-15 2016-07-05 The Invention Science Fund I, Llc Surface scattering antenna improvements
US9923271B2 (en) 2013-10-21 2018-03-20 Elwha Llc Antenna system having at least two apertures facilitating reduction of interfering signals
US9935375B2 (en) 2013-12-10 2018-04-03 Elwha Llc Surface scattering reflector antenna
US20150171512A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Elwha Llc Sub-nyquist holographic aperture antenna configured to define selectable, arbitrary complex electromagnetic fields
JP2015171220A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社東芝 スイッチ制御回路および無線通信装置
US9843103B2 (en) 2014-03-26 2017-12-12 Elwha Llc Methods and apparatus for controlling a surface scattering antenna array
US9882288B2 (en) 2014-05-02 2018-01-30 The Invention Science Fund I Llc Slotted surface scattering antennas
US10446903B2 (en) 2014-05-02 2019-10-15 The Invention Science Fund I, Llc Curved surface scattering antennas
US9853361B2 (en) 2014-05-02 2017-12-26 The Invention Science Fund I Llc Surface scattering antennas with lumped elements
US10068703B1 (en) 2014-07-21 2018-09-04 Energous Corporation Integrated miniature PIFA with artificial magnetic conductor metamaterials
US10116143B1 (en) * 2014-07-21 2018-10-30 Energous Corporation Integrated antenna arrays for wireless power transmission
KR101724342B1 (ko) * 2015-03-20 2017-04-10 주식회사 와이젯 인터페이스 규격에 상관없는 무선 인터페이스 장치
US10178560B2 (en) 2015-06-15 2019-01-08 The Invention Science Fund I Llc Methods and systems for communication with beamforming antennas
US10523033B2 (en) 2015-09-15 2019-12-31 Energous Corporation Receiver devices configured to determine location within a transmission field
US10186893B2 (en) 2015-09-16 2019-01-22 Energous Corporation Systems and methods for real time or near real time wireless communications between a wireless power transmitter and a wireless power receiver
US10199850B2 (en) 2015-09-16 2019-02-05 Energous Corporation Systems and methods for wirelessly transmitting power from a transmitter to a receiver by determining refined locations of the receiver in a segmented transmission field associated with the transmitter
US10211685B2 (en) 2015-09-16 2019-02-19 Energous Corporation Systems and methods for real or near real time wireless communications between a wireless power transmitter and a wireless power receiver
US9871387B1 (en) 2015-09-16 2018-01-16 Energous Corporation Systems and methods of object detection using one or more video cameras in wireless power charging systems
US10778041B2 (en) 2015-09-16 2020-09-15 Energous Corporation Systems and methods for generating power waves in a wireless power transmission system
US10734717B2 (en) 2015-10-13 2020-08-04 Energous Corporation 3D ceramic mold antenna
US9853485B2 (en) 2015-10-28 2017-12-26 Energous Corporation Antenna for wireless charging systems
US10063108B1 (en) 2015-11-02 2018-08-28 Energous Corporation Stamped three-dimensional antenna
US10027180B1 (en) 2015-11-02 2018-07-17 Energous Corporation 3D triple linear antenna that acts as heat sink
US10027159B2 (en) 2015-12-24 2018-07-17 Energous Corporation Antenna for transmitting wireless power signals
US10038332B1 (en) 2015-12-24 2018-07-31 Energous Corporation Systems and methods of wireless power charging through multiple receiving devices
US10027158B2 (en) 2015-12-24 2018-07-17 Energous Corporation Near field transmitters for wireless power charging of an electronic device by leaking RF energy through an aperture
US10320446B2 (en) 2015-12-24 2019-06-11 Energous Corporation Miniaturized highly-efficient designs for near-field power transfer system
US10079515B2 (en) 2016-12-12 2018-09-18 Energous Corporation Near-field RF charging pad with multi-band antenna element with adaptive loading to efficiently charge an electronic device at any position on the pad
US11863001B2 (en) 2015-12-24 2024-01-02 Energous Corporation Near-field antenna for wireless power transmission with antenna elements that follow meandering patterns
US10008886B2 (en) 2015-12-29 2018-06-26 Energous Corporation Modular antennas with heat sinks in wireless power transmission systems
DE102016108231A1 (de) * 2016-05-03 2017-11-09 Infineon Technologies Ag Schalter
US10361481B2 (en) 2016-10-31 2019-07-23 The Invention Science Fund I, Llc Surface scattering antennas with frequency shifting for mutual coupling mitigation
US10923954B2 (en) 2016-11-03 2021-02-16 Energous Corporation Wireless power receiver with a synchronous rectifier
CN110535252A (zh) 2016-12-12 2019-12-03 艾诺格思公司 用于管理发射设备的操作的集成电路和射频发射设备
US10680319B2 (en) 2017-01-06 2020-06-09 Energous Corporation Devices and methods for reducing mutual coupling effects in wireless power transmission systems
US10389161B2 (en) 2017-03-15 2019-08-20 Energous Corporation Surface mount dielectric antennas for wireless power transmitters
US10439442B2 (en) 2017-01-24 2019-10-08 Energous Corporation Microstrip antennas for wireless power transmitters
US11011942B2 (en) 2017-03-30 2021-05-18 Energous Corporation Flat antennas having two or more resonant frequencies for use in wireless power transmission systems
US10511097B2 (en) 2017-05-12 2019-12-17 Energous Corporation Near-field antennas for accumulating energy at a near-field distance with minimal far-field gain
US11462949B2 (en) 2017-05-16 2022-10-04 Wireless electrical Grid LAN, WiGL Inc Wireless charging method and system
US10848853B2 (en) 2017-06-23 2020-11-24 Energous Corporation Systems, methods, and devices for utilizing a wire of a sound-producing device as an antenna for receipt of wirelessly delivered power
US10122219B1 (en) 2017-10-10 2018-11-06 Energous Corporation Systems, methods, and devices for using a battery as a antenna for receiving wirelessly delivered power from radio frequency power waves
US11342798B2 (en) 2017-10-30 2022-05-24 Energous Corporation Systems and methods for managing coexistence of wireless-power signals and data signals operating in a same frequency band
US10615647B2 (en) 2018-02-02 2020-04-07 Energous Corporation Systems and methods for detecting wireless power receivers and other objects at a near-field charging pad
US11159057B2 (en) 2018-03-14 2021-10-26 Energous Corporation Loop antennas with selectively-activated feeds to control propagation patterns of wireless power signals
US11515732B2 (en) 2018-06-25 2022-11-29 Energous Corporation Power wave transmission techniques to focus wirelessly delivered power at a receiving device
US11437735B2 (en) 2018-11-14 2022-09-06 Energous Corporation Systems for receiving electromagnetic energy using antennas that are minimally affected by the presence of the human body
KR20210117283A (ko) 2019-01-28 2021-09-28 에너저스 코포레이션 무선 전력 전송을 위한 소형 안테나에 대한 시스템들 및 방법들
CN113661660B (zh) 2019-02-06 2023-01-24 艾诺格思公司 估计最佳相位的方法、无线电力发射设备及存储介质
CN115104234A (zh) 2019-09-20 2022-09-23 艾诺格思公司 使用多个整流器保护无线电力接收器以及使用多个整流器建立带内通信的系统和方法
WO2021055900A1 (en) 2019-09-20 2021-03-25 Energous Corporation Classifying and detecting foreign objects using a power amplifier controller integrated circuit in wireless power transmission systems
WO2021055898A1 (en) 2019-09-20 2021-03-25 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
US11381118B2 (en) 2019-09-20 2022-07-05 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
US10972091B1 (en) 2019-12-03 2021-04-06 Nxp Usa, Inc. Radio frequency switches with voltage equalization
EP4073905A4 (en) 2019-12-13 2024-01-03 Energous Corp CHARGING PAD WITH GUIDING CONTOURS FOR ALIGNING AN ELECTRONIC DEVICE ON THE CHARGING PAD AND FOR EFFICIENTLY TRANSMITTING NEAR FIELD HIGH FREQUENCY ENERGY TO THE ELECTRONIC DEVICE
US10985617B1 (en) 2019-12-31 2021-04-20 Energous Corporation System for wirelessly transmitting energy at a near-field distance without using beam-forming control
US11799324B2 (en) 2020-04-13 2023-10-24 Energous Corporation Wireless-power transmitting device for creating a uniform near-field charging area
US11368180B2 (en) * 2020-07-31 2022-06-21 Nxp Usa, Inc. Switch circuits with parallel transistor stacks and methods of their operation
US11683028B2 (en) 2021-03-03 2023-06-20 Nxp Usa, Inc. Radio frequency switches with voltage equalization
US11916398B2 (en) 2021-12-29 2024-02-27 Energous Corporation Small form-factor devices with integrated and modular harvesting receivers, and shelving-mounted wireless-power transmitters for use therewith

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010017046A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 Ｒｆ스위치를 이용한 ｃｄｍａ, ａｍｐｓ 모드별 로컬 스위칭장치
KR20080027849A (ko) * 2005-08-09 2008-03-28 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 고주파 스위치 회로
KR20090103043A (ko) * 2008-03-27 2009-10-01 광주과학기술원 Ｒｆ 스위칭 장치 및 방법
KR20100097342A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 주식회사 티앤피솔루션 고속 ｒｆ신호 스위칭 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61224548A (ja) * 1985-03-28 1986-10-06 Toshiba Corp 電話機
DE69515979T2 (de) * 1994-12-29 2000-10-05 Koninkl Philips Electronics Nv Mobilfunkendgerät mit einem Schaltkreis
US7167687B2 (en) 2002-01-31 2007-01-23 Hitachi Metals, Ltd. Switch circuit and composite high-frequency part
WO2005122417A1 (ja) * 2004-06-07 2005-12-22 Hitachi Metals, Ltd. 高周波スイッチモジュール及びその制御方法
KR100875369B1 (ko) * 2005-08-26 2008-12-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 스위치
JP2007143112A (ja) 2005-10-17 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路、半導体装置および通信端末装置
JP4630922B2 (ja) * 2008-09-25 2011-02-09 株式会社東芝 高周波スイッチ回路
KR101301213B1 (ko) 2009-12-16 2013-08-28 한국전자통신연구원 고주파 대역 스위칭용 에스피디티 스위치
JP2012049962A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Toshiba Corp 半導体スイッチ回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010017046A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 Ｒｆ스위치를 이용한 ｃｄｍａ, ａｍｐｓ 모드별 로컬 스위칭장치
KR20080027849A (ko) * 2005-08-09 2008-03-28 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 고주파 스위치 회로
KR20090103043A (ko) * 2008-03-27 2009-10-01 광주과학기술원 Ｒｆ 스위칭 장치 및 방법
KR20100097342A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 주식회사 티앤피솔루션 고속 ｒｆ신호 스위칭 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150049948A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 삼성전기주식회사 선형특성이 개선된 고주파 스위치 회로
KR101588933B1 (ko) * 2013-10-31 2016-01-26 삼성전기주식회사 선형특성이 개선된 고주파 스위치 회로

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Publication number Publication date
US20130288617A1 (en) 2013-10-31
US9037097B2 (en) 2015-05-19

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