KR20160066312A - 고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법에 관한 것으로서, 신호 송수신을 위한 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제1게이트 신호에 의해 동작되는 제1스위치 회로부; 신호 포트와 접지와의 사이에 연결되어, 제2게이트 신호에 의해 동작되는 제2스위치 회로부; 공통 접속 노드와 접지와의 사이에 연결되어, 제3게이트 신호에 의해 동작되는 제3스위치 회로부; 및 게이트 신호를 생성하여 스위치 회로부를 제어하는 제어부; 를 포함하고, 제3스위치 회로부는 동작기준 전압이 제1스위치 회로부의 동작기준 전압보다 낮음으로써, 유입되는 간섭 신호에 의한 간섭 발생이 줄어들 수 있다.

Description

고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법{Radio frequency switch circuit and control method thereof}
본 발명은 고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.
무선통신 기술의 발달에 따라, 다양한 통신규격이 하나의 기기에 통합되고 있다. 예를 들어, GSM(Global System/Standard for Mobile Communication), CDMA(Code Division Multiple Access), UMTS(Universal Mobile Telecommunications System), LTE(Long Term Evolution) 등의 통신규격을 지원하는 최신 이동통신 단말기는 이용자의 많은 데이터 트래픽을 제공하기 위해 점점 더 많은 밴드를 지원하고 있다.
많은 밴드의 지원을 위해 고주파 스위치(RF Switch)가 이용될 수 있다. 고주파 스위치는 구현된 여러 밴드 중에 사용하려는 주파수 밴드로 입출력 신호의 경로를 변경해 줄 수 있다.
통신규격을 만족시키기 위해, 복수의 고주파 스위치는 상호간의 간섭이 줄어들 필요가 있다. 예를 들어 복수의 고주파 스위치가 서로 인접한 경우, 하나의 고주파 스위치를 통과하여 방사되는 신호는 인접한 다른 고주파 스위치에 들어가서 간섭을 일으킬 수 있다. 따라서, 간섭을 줄일 수 있는 고주파 스위치가 요구되고 있다.
하기의 특허문헌 1은 고주파 스위치 회로에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예인 고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법에 관한 내용을 개시하지 못하고 있다.
일본 공개특허공보 특개2009-194891호
본 발명의 일 실시예는, 고주파 스위치 회로 및 이의 제어 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로는, 신호 송수신을 위한 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제1게이트 신호에 의해 동작되는 제1스위치 회로부; 신호 포트와 접지와의 사이에 연결되어, 제2게이트 신호에 의해 동작되는 제2스위치 회로부; 공통 접속 노드와 접지와의 사이에 연결되어, 제3게이트 신호에 의해 동작되는 제3스위치 회로부; 및 게이트 신호를 생성하여 스위치 회로부를 제어하는 제어부; 를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제3스위치 회로부는 디플리션 타입(depletion type)의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)를 포함하고, 동작기준 전압은 음 전압(negative voltage)일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법은, 고주파 스위치 회로가 제1모드로 동작할 경우, 신호 송수신을 위한 복수의 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계; 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 도통시키는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법은, 고주파 스위치 회로가 제2모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 도통시키고, 나머지 신호 포트와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계; 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 접지와의 사이를 차단시키고, 나머지 신호 포트와 접지와의 사이를 도통시키는 단계; 및 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 차단시키는 단계; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 유입되는 간섭 신호에 의한 간섭 발생이 줄어들 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예는, 안정적으로 저전력 모드 상태에서 동작할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로를 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 9는 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로의 동작을 나타낸 도면이다.
도 10은 복수의 고주파 스위치 회로가 포함된 장치에서 복수의 고주파 스위치 회로간의 간섭을 나타낸 도면이다.
도 11은 도 1 및 도 2에 포함된 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제1모드 및 제2모드 동작을 나타낸 순서도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제3모드를 나타낸 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로(100)는, 제1스위치 회로부(110), 제2스위치 회로부(120), 제3스위치 회로부(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.
제1스위치 회로부(110)는, 신호 송수신을 위한 신호 포트(PORT1)와 안테나 포트(ANT)에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제1게이트 신호(SW1)에 의해 동작될 수 있다.
상기 제1스위치 회로부(110)는 송수신 모드일 경우 온상태가 되고 절연 모드(isolation mode)일 경우 오프상태가 될 수 있다. 여기서, 송수신 모드는 고주파 신호가 신호 포트(PORT1) 및 안테나 포트(ANT)를 통해 송수신되는 상태를 의미한다. 또한, 절연 모드는 고주파 신호가 신호 포트(PORT1) 및 안테나 포트(ANT)를 통해 송수신되지 않는 상태를 의미한다.
제2스위치 회로부(120)는, 신호 포트(PORT1)와 접지(GND)와의 사이에 연결되어, 제2게이트 신호(SW2)에 의해 동작될 수 있다.
상기 제2스위치 회로부(120)는 송수신 모드일 경우 오프상태가 되고 절연 모드일 경우 온상태가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2스위치 회로부(120)는 송수신 모드일 경우 송수신되는 고주파 신호가 접지로 흘러 신호손실이 되지 않도록 오프상태가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2스위치 회로부(120)는 절연 모드일 경우 각각의 포트간 격리도(isolation)가 강화되도록 온상태가 될 수 있다.
제3스위치 회로부(130)는, 안테나 포트(ANT)에 접속된 공통 접속 노드와 접지와의 사이에 연결되어, 제3게이트 신호(SW3)에 의해 동작될 수 있다.
또한, 상기 제3스위치 회로부(130)는 동작기준 전압이 제1스위치 회로부(110)의 동작기준 전압보다 낮을 수 있다. 여기서, 동작기준 전압은 스위치의 도통과 차단의 기준이 되는 전압을 의미한다.
예를 들어, 제1스위치 회로부(110)는 인핸스먼트 타입(enhancement type)의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)를 포함할 수 있고, 상기 제3스위치 회로부(130)는 디플리션 타입(depletion type)의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)(131)를 포함할 수 있다. 여기서, 인핸스먼트 타입의 전계 효과 트랜지스터의 동작기준 전압은 문턱 전압(threshold voltage)일 수 있다. 또한, 디플리션 타입 전계 효과 트랜지스터의 동작기준 전압은 음 전압(negative voltage)일 수 있다. 음 전압은 문턱 전압보다 낮으므로, 상기 제3스위치 회로부(130)는 동작기준 전압이 제1스위치 회로부(110)의 동작기준 전압보다 낮을 수 있다.
상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터(131)는 접지와 연결된 풀다운(pull down) 저항(132)이 게이트 단자와 연결될 수 있다. 상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터(131)의 게이트 단자가 접지와 풀다운 저항을 통해 연결됨으로써, 상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터(131)는 제어부(140)가 동작하지 않더라도 항상 온 상태일 수 있다. 이를 통해, 외부에서 들어와서 간섭을 일으키는 신호는 제3스위치 회로부(130)를 통해 접지로 흐를 수 있다. 따라서, 고주파 스위치 회로(100)의 간섭은 억제될 수 있다.
한편, 상기 제1스위치 회로부(110), 제2스위치 회로부(120) 및 제3스위치 회로부(130)는 각각 복수의 트랜지스터(TR)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 스위치 회로부는 소스 단자와 드레인 단자가 시리즈로 연결된 복수의 전계 효과 트랜지스터(FET)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 트랜지스터(TR)의 개수는 송신되는 고주파 신호의 크기 및 상기 트랜지스터(TR)의 항복전압(breakdown voltage)에 따라 달라질 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 트랜지스터(TR)는 하나의 단자에 게이트 신호(SW)가 인가될 수 있다. 상기 복수의 트랜지스터(TR)는 상기 게이트 신호(SW)의 전압이 동작기준 전압보다 클 경우 온상태가 될 수 있다.
제어부(140)는, 제1게이트 신호(SW1), 제2게이트 신호(SW2) 및 제3게이트 신호(SW3)를 생성하여 상기 제1스위치 회로부(110), 제2스위치 회로부(120) 및 제3스위치 회로부(130)를 제어할 수 있다. 여기서, 게이트 신호(SW)는 DC전압의 형태일 수 있다.
예를 들어, 상기 제어부(140)는 안테나 포트(ANT)와 신호 포트(PORT1)간 신호전달을 위해 제1스위치 회로부(110)의 온-오프를 제어할 수 있다. 상기 제어부(140)는 누설신호 및 노이즈가 포트를 통해 입출력되는 것을 막기 위해 제2스위치 회로부(120)의 온-오프를 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부(140)는 저전력 모드일 경우 게이트 신호를 생성하지 않을 수 있다. 여기서, 저전력 모드는 고주파 신호가 신호 포트(PORT) 및 안테나 포트(ANT)를 통해 송수신되지 않고, 전력 소비가 줄어든 상태를 의미한다. 예를 들어 저전력 모드일 경우, 상기 제어부(140)는 주요 동작을 수행하지 않음으로써, 전력 소비를 최소화할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(140)는 전력을 거의 공급받지 않을 수 있다.
예를 들어, 제1스위치 회로부(110) 및 제2스위치 회로부(120)에 포함된 인핸스먼트 타입의 전계 효과 트랜지스터는 게이트를 통해 게이트 신호가 인가되지 않을 경우 오프상태가 될 수 있다. 즉, 트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압(Vgs)는 문턱 전압보다 낮아지므로, 트랜지스터의 소스 단자와 드레인 단자 사이는 차단될 수 있다.
반면, 상기 제3스위치 회로부(130)에 포함된 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터는 게이트를 통해 게이트 신호가 인가되지 않을 경우 온상태가 될 수 있다. 즉, 트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압(Vgs)는 음 전압인 동작기준 전압보다 높아지므로, 트랜지스터의 소스 단자와 드레인 단자 사이는 도통될 수 있다. 따라서 상기 제어부(140)가 동작하지 않더라도, 외부에서 들어와서 간섭을 일으키는 신호는 제3스위치 회로부(130)를 통해 접지로 흐를 수 있다.
도 2을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로(100)는, 제4스위치 회로부(111) 및 제5스위치 회로부(121)를 더 포함할 수 있다.
고주파 스위치 회로(100)는 1개 이상의 신호 포트와 연결되어, 각각의 신호 포트(PORT)로부터 고주파 신호를 송수신시킬 수 있다. 따라서, 고주파 스위치 회로(100)에 포함되는 스위치 회로부는 5개 이상일 수 있다.
한편, 제3스위치 회로부(130)는 신호 포트(PORT)의 개수에 상관없이 1개를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나의 제3스위치 회로부(130)는 다수의 스위치 회로부의 간섭을 모두 억제할 수 있다.
제4스위치 회로부(111)는, 신호 송수신을 위한 제2신호 포트(PORT2)와 안테나 포트(ANT)에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제4게이트 신호(SW4)에 의해 동작될 수 있다. 여기서, 상기 제4스위치 회로부(111)는 제1스위치 회로부(110)와 동일한 역할을 수행할 수 있다.
또한, 상기 제4스위치 회로부(111)는 제2신호 포트(PORT2)가 송수신 모드일 경우 온상태가 되고 다른 신호 포트가 송수신 모드이거나 절연 모드일 경우 오프상태가 될 수 있다.
제5스위치 회로부(121)는, 상기 제2신호 포트(PORT2)와 접지와의 사이에 연결되어, 제5게이트 신호에 의해 동작될 수 있다. 여기서, 상기 제5스위치 회로부(121)는 제2스위치 회로부(120)와 동일한 역할을 수행할 수 있다.
상기 제5스위치 회로부(121)는 제2신호 포트(PORT2)가 송수신 모드일 경우 오프상태가 되고 다른 신호 포트가 송수신 모드이거나 절연 모드일 경우 온상태가 될 수 있다.
도 3 내지 도 9는 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로의 동작을 나타낸 도면이다.
도 3은 송수신 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 하나의 포트에서의 동작을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 제1스위치 회로부(110)는 온 상태이고, 제2스위치 회로부(120) 및 제3스위치 회로부(130)는 오프 상태이다. 신호 포트(PORT?)를 통해 입력되는 고주파 신호는 상기 제1스위치 회로부(110)를 통과하여 안테나 포트(ANT)로 방사될 수 있다.
도 4 및 도5는 송수신 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 동작을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 제1스위치 회로부(110) 및 제5스위치 회로부(121)는 온 상태이고, 제2스위치 회로부(120), 제3스위치 회로부(130) 및 제4스위치 회로부(111)는 오프 상태이다. 제1신호 포트(PORT1)를 통해 입력되는 고주파 신호는 상기 제1스위치 회로부(110)를 통과하여 안테나 포트(ANT)로 방사될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2스위치 회로부(120) 및 제4스위치 회로부(111)는 온 상태이고, 제1스위치 회로부(110), 제3스위치 회로부(130) 및 제5스위치 회로부(121)는 오프 상태이다. 제2신호 포트(PORT2)를 통해 입력되는 고주파 신호는 상기 제4스위치 회로부(111)를 통과하여 안테나 포트(ANT)로 방사될 수 있다.
도 6은 절연 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 하나의 포트에서의 동작을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 제2스위치 회로부(120)는 온 상태이고, 제1스위치 회로부(110) 및 제3스위치 회로부(130)는 오프 상태이다. 신호 포트(PORT)를 통해 입력되는 누설 신호 및 노이즈는 상기 제2스위치 회로부(120)를 통과하여 접지(GND)로 흐를 수 있다.
도 7은 절연 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 동작을 나타낸다.
도 7을 참조하면, 제2스위치 회로부(120) 및 제5스위치 회로부(121)는 온 상태이고, 제1스위치 회로부(110), 제3스위치 회로부(130) 및 제4스위치 회로부(111)는 오프 상태이다. 각각의 신호 포트(PORT)를 통해 입력되는 누설 신호 및 노이즈는 상기 제2스위치 회로부(120) 또는 제5스위치 회로부(121)를 통과하여 접지(GND)로 흐를 수 있다.
도 8은 저전력 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 하나의 포트에서의 동작을 나타낸다.
도 8을 참조하면, 제3스위치 회로부(130)는 온 상태이고, 제1스위치 회로부(110) 및 제2스위치 회로부(120)는 오프 상태이다. 안테나 포트(ANT)를 통해 입력되는 간섭 신호 및 노이즈는 상기 제3스위치 회로부(130)를 통과하여 접지(GND)로 흐를 수 있다.
도 9는 저전력 모드일 경우 고주파 스위치 회로(100)의 동작을 나타낸다.
도 9를 참조하면, 제3스위치 회로부(130)는 온 상태이고, 제1스위치 회로부(110), 제2스위치 회로부(120), 제4스위치 회로부(111) 및 제5스위치 회로부(121)는 오프 상태이다. 안테나 포트(ANT)를 통해 입력되는 간섭 신호 및 노이즈는 상기 제3스위치 회로부(130)를 통과하여 접지(GND)로 흐를 수 있다.
도 10은 복수의 고주파 스위치 회로가 포함된 장치에서 복수의 고주파 스위치 회로간의 간섭을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 복수의 고주파 스위치 회로(100) 및 복수의 안테나(ANT)는 하나의 기기에 포함될 수 있다. 예를 들어, 하나의 고주파 스위치 회로(100)를 통해 고주파 신호가 송수신되고, 나머지 고주파 스위치 회로(100)는 대기상태일 수 있다. 30dBm의 고주파 신호가 제3안테나 포트(ANT3)을 통해 출력될 경우, 제1안테나 포트(ANT1) 또는 제2안테나 포트(ANT2)에 큰 파워의 신호가 수신될 수 있다.
예를 들어, 안테나 포트(ANT)간의 격리도(isolation)가 15~20dB라고 가정되면, 10~15dBm의 큰 파워의 신호가 제1안테나 포트(ANT1) 또는 제2안테나 포트(ANT2)로 유입될 수 있다.
만약 제1안테나 포트(ANT1) 또는 제2안테나 포트(ANT2)와 연결된 고주파 스위치 회로(100)에 제3스위치 회로부(130)가 포함되지 않을 경우, 상기 고주파 스위치 회로(100)에 -30dBm이상의 고조파가 생성될 수 있다. 상기 고주파 스위치 회로(100)의 RSE(Radiated Spurious Emission) 스펙 제한치는 -30dBm이며 이를 초과하게 되면 CE 및 FCC의 인증 규격을 만족하지 못할 수 있다.
만약 제3스위치 회로부(130)가 포함되지 않은 고주파 스위치 회로(100)에 15dBm의 입력파워가 유입될 경우, 안테나 포트(ANT)와 연결된 스위치 회로부는 불안정한 온 상태(slightly on)가 되어 비 정상적으로 동작할 수 있다. 스위치 회로부가 불안정한 온 상태로 동작할 경우, 상기 스위치 회로부는 선형영역이 아닌 비선형영역에서 동작되어 많은 스퓨리어스(spurious)들을 유발할 수 있다.
따라서, 상기 고주파 스위치 회로(100)가 제3스위치 회로부(130)를 포함함으로써, RSE(Radiated Spurious Emission) 스펙 제한치를 만족시킬 수 있다. 예를 들어 제3스위치 회로부(130)가 포함된 고주파 스위치 회로(100)에 15dBm의 신호가 유입될 경우, 생성되는 고조파의 크기는 -80dBm일 수 있다.
도 11은 도 1 및 도 2에 포함된 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 11을 참조하면, (a)그래프는 전계 효과 트랜지스터(FET)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전압에 따른 전류값을 나타낸다. (b)그래프는 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압에 따른 전류값을 나타낸다. 상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터는 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압 OV인 상태에서도 전류가 흐를 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법을 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법은 도 1 내지 도 2를 참조하여 상술한 고주파 스위치(100)에서 수행될 수 있으므로, 상술한 설명과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 설명하지 아니한다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제1모드 및 제2모드 동작을 나타낸 순서도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제1모드 동작은, 신호 송수신을 위한 복수의 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이 및 상기 복수의 신호 포트와 접지와의 사이를 차단시키는 단계(S10) 및 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 도통시키는 단계(S20)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1모드는 전술한 저전력 모드일 수 있다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제2모드 동작은, 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 도통시키고, 나머지 신호 포트와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계(S30), 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 접지와의 사이를 차단시키고, 나머지 신호 포트와 접지와의 사이를 도통시키는 단계(S40) 및 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 차단시키는 단계(S50)를 포함할 수 있다. 여기서, 제2모드는 전술한 송신 모드일 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제3모드를 나타낸 순서도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법의 제3모드 동작은, 상기 복수의 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계(S60), 상기 복수의 신호 포트와 접지와의 사이를 도통시키는 단계(S70) 및 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 차단시키는 단계(S80)를 포함할 수 있다. 여기서, 제3모드는 전술한 절연 모드일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 고주파 스위치 회로 제어 방법은, 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 도통시킴으로써, 고주파 스위치 회로(100)에서 발생되는 간섭을 억제할 수 있다. 또한, 고주파 스위치 회로(100)가 저전력 모드로 동작할 경우에 발생되는 간섭이 억제됨으로써, 상기 고주파 스위치 회로(100)가 안정적으로 저전력 모드 상태에서 동작할 수 있다. 또한, 고주파 스위치 회로(100)에 포함된 다수의 스위치 회로부에서 발생되는 간섭이 하나의 스위치 회로부를 통해 억제됨으로써, 상기 간섭이 효율적으로 억제될 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100: 고주파 스위치 회로 110: 제1스위치 회로부
111: 제4스위치 회로부 120: 제2스위치 회로부
121: 제5스위치 회로부 130: 제3스위치 회로부
131: 디플리션 타입 전계 효과 트랜지스터 132: 풀다운 저항
140: 제어부 TR: 트랜지스터
ANT: 안테나 포트 PORT: 신호 포트
SW: 게이트 신호

Claims (13)

  1. 신호 송수신을 위한 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제1게이트 신호에 의해 동작되는 제1스위치 회로부;
    상기 신호 포트와 접지와의 사이에 연결되어, 제2게이트 신호에 의해 동작되는 제2스위치 회로부;
    상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이에 연결되어, 제3게이트 신호에 의해 동작되는 제3스위치 회로부; 및
    상기 제1게이트 신호, 제2게이트 신호 및 제3게이트 신호를 생성하여 상기 제1스위치 회로부, 제2스위치 회로부 및 제3스위치 회로부를 제어하는 제어부; 를 포함하고,
    상기 제3스위치 회로부의 동작기준 전압은 상기 제1스위치 회로부의 동작기준 전압보다 낮은 고주파 스위치 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1스위치 회로부, 제2스위치 회로부 및 제3스위치 회로부는 각각 복수의 트랜지스터를 포함하고,
    상기 복수의 트랜지스터는 하나의 단자에 게이트 신호가 인가되고, 상기 게이트 신호의 전압이 동작기준 전압보다 클 경우 온상태가 되는 고주파 스위치 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1스위치 회로부는 송수신 모드일 경우 온상태가 되고 절연 모드일 경우 오프상태가 되며,
    상기 제2스위치 회로부는 송수신 모드일 경우 오프상태가 되고 절연 모드일 경우 온상태가 되는 고주파 스위치 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3스위치 회로부는 디플리션 타입(depletion type)의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)를 포함하고,
    동작기준 전압은 음 전압(negative voltage)인 고주파 스위치 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터는 접지와 연결된 풀다운(pull down) 저항이 게이트 단자와 연결되는 고주파 스위치 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 저전력 모드일 경우 제1게이트 신호, 제2게이트 신호 및 제3게이트 신호를 생성하지 않는 고주파 스위치 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1스위치 회로부는 상기 제1게이트 신호가 생성되지 않을 경우 오프상태가 되고,
    상기 제2스위치 회로부는 상기 제2게이트 신호가 생성되지 않을 경우 오프상태가 되고,
    상기 제3스위치 회로부는 상기 제3게이트 신호가 생성되지 않을 경우 온상태가 되는 고주파 스위치 회로.
  8. 신호 송수신을 위한 제1신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제1게이트 신호에 의해 동작되는 제1스위치 회로부;
    상기 제1신호 포트와 접지와의 사이에 연결되어, 제2게이트 신호에 의해 동작되는 제2스위치 회로부;
    상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이에 연결되어, 제3게이트 신호에 의해 동작되는 제3스위치 회로부;
    신호 송수신을 위한 제2신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이에 연결되어, 제4게이트 신호에 의해 동작되는 제4스위치 회로부;
    상기 제2신호 포트와 접지와의 사이에 연결되어, 제5게이트 신호에 의해 동작되는 제5스위치 회로부; 및
    게이트 신호를 생성하여 복수의 스위치 회로부를 제어하는 제어부; 를 포함하고,
    상기 제3스위치 회로부의 동작기준 전압은 상기 제1스위치 회로부의 동작기준 전압 및 상기 제4스위치 회로부의 동작기준 전압보다 낮은 고주파 스위치 회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1스위치 회로부는 제1신호 포트가 송수신 모드일 경우 온상태가 되고 다른 신호 포트가 송수신 모드이거나 절연 모드일 경우 오프상태가 되며,
    상기 제2스위치 회로부는 제1신호 포트가 송수신 모드일 경우 오프상태가 되고 다른 신호 포트가 송수신 모드이거나 절연 모드일 경우 온상태가 되는 고주파 스위치 회로.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제3스위치 회로부는 디플리션 타입(depletion type)의 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)를 포함하고,
    동작기준 전압은 음 전압(negative voltage)이며,
    상기 디플리션 타입의 전계 효과 트랜지스터는 접지와 연결된 풀다운(pull down) 저항이 게이트 단자와 연결되는 고주파 스위치 회로.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제3스위치 회로부는 저전력 모드일 경우 온상태가 되고,
    상기 제어부는 저전력 모드일 경우 게이트 신호를 생성하지 않는 고주파 스위치 회로.
  12. 고주파 스위치 회로가 제1모드로 동작할 경우, 신호 송수신을 위한 복수의 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계;
    상기 고주파 스위치 회로가 제1모드로 동작할 경우, 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 도통시키는 단계;
    상기 고주파 스위치 회로가 제2모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 도통시키고, 나머지 신호 포트와 상기 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계;
    상기 고주파 스위치 회로가 제2모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트 중 하나와 접지와의 사이를 차단시키고, 나머지 신호 포트와 접지와의 사이를 도통시키는 단계; 및
    상기 고주파 스위치 회로가 제2모드로 동작할 경우, 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 차단시키는 단계; 를 포함하는 고주파 스위치 회로 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 고주파 스위치 회로가 제1모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트와 접지와의 사이를 차단시키는 단계;
    상기 고주파 스위치 회로가 제3모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트와 안테나 포트에 접속된 공통 접속 노드와의 사이를 차단시키는 단계;
    상기 고주파 스위치 회로가 제3모드로 동작할 경우, 상기 복수의 신호 포트와 접지와의 사이를 도통시키는 단계; 및
    상기 고주파 스위치 회로가 제3모드로 동작할 경우, 상기 공통 접속 노드와 접지와의 사이를 차단시키는 단계; 를 더 포함하는 고주파 스위치 회로 제어 방법.
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