JP2009124653A - 高周波スイッチ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波スイッチ回路は、受信用の受信側トランスファ回路(11)と、送信用の送信側トランスファ回路(12)と、受信端子(1)への高周波信号の漏洩を防止する受信側シャント回路(13a)と、送信端子(2)への高周波信号の漏洩を防止する送信側シャント回路(14a)とを備える。受信側トランスファ回路を構成するSOI構造のMOSFET(101−104)として、蓄積型で動作するトランジスタを用いる。また、アンテナ端子(3)に対して、送信側シャント回路と同一のトランジスタ構成を有するESD保護回路(15)を接続する。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1に従う高周波スイッチ回路の構成を示す図である。この図1に示す高周波スイッチ回路は、一例として、SPDT型スイッチ回路である。また、この図1において、回路の接続構成を明確に示すために、受信側および送信側を区別して示す。
図8は、この発明の実施の形態1に従う高周波スイッチ回路の静電サージ放電経路DCP1−DCP3を示す図である。図8においては、静電サージを放電する構成要素についてのみ参照番号を付す。抵抗素子および配線には参照番号は省略する。
図9は、この発明の実施の形態2に従う高周波スイッチ回路の構成を示す図である。図9に示す高周波スイッチ回路は、以下の点で、図1に示す実施の形態1に従う高周波スイッチ回路とその構成が異なる。すなわち、アンテナ端子3と接地4の間に接続されるESD保護回路16aにおいて、SOI−MOSFET141−144のゲートに、ゲートバイアス抵抗として、抵抗素子の直列体が配置される。すなわち、SOI−MOSFET141−144のそれぞれのゲートに、ゲートバイアス抵抗素子441a−444aが接続され、これらのゲートバイアス抵抗素子441a−444aそれぞれと直列に、ゲートバイアス抵抗素子441b−444bが接続される。これらのゲートバイアス抵抗素子441b−444bそれぞれの他方端は、共通に、制御端子7に結合される。
図10は、この発明の実施の形態3に従う高周波スイッチ回路の構成を示す図である。この図10に示す高周波スイッチ回路は、図9に示す実施の形態2に従う高周波スイッチ回路と、以下の点で、その構成が異なる。すなわち、受信側シャント回路13bのSOI−MOSFET221、送信側シャント回路14bにおけるSOI−MOSFET231−234、ESD保護回路16bにおけるSOI−MOSFET241−244において、それぞれ、ソース/ドレイン不純物領域の拡散抵抗を、電流集中を抑制する、言い換えれば、電流を均一に流すためのバラスト抵抗として利用する。この図10に示す高周波スイッチ回路の他の構成は、図9に示す高周波スイッチ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
Claims (3)
- 絶縁層と前記絶縁層上に形成された半導体薄膜層とを少なくとも有するSOI構造の基板の前記半導体薄膜層上に形成され、高周波信号を入力する少なくとも1個の入力端子と、高周波信号を出力する少なくとも1個の出力端子と、高周波信号を入出力する少なくとも1個の入出力端子とを有し、前記高周波信号の入出力を動作モードに応じて切換える高周波スイッチ回路であって、
前記1個の入力端子と前記1個の入出力端子との間に互いに直列に接続される複数の反転型のSOI構造絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含み、導通時、前記1個の入力端子の高周波信号を前記1個の入出力端子に転送する送信側トランスファ回路、
前記1個の出力端子と前記1個の入出力端子との間に互いに直列に接続される複数の蓄積型のSOI構造絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含み、導通時、前記1個の入出力端子の高周波信号を前記1個の出力端子に転送する受信側トランスファ回路、
前記1個の入力端子と接地との間に互いに直列に接続される複数の反転型のSOI構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含み、前記少なくとも1個の出力端子から前記1個の入力端子へ漏洩する高周波信号を放出する送信側シャント回路、
前記1個の出力端子と接地との間に互いに直列に接続される複数の反転型のSOI構造絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含み、前記少なくとも1個の入力端子から前記1個の出力端子へ漏洩する高周波信号を放出する受信側シャント回路、および
前記1個の入出力端子と接地との間に配置され、トランジスタについては前記送信側シャント回路と同一構成を有し、前記高周波スイッチ回路の入出力の動作モードに応じた切換動作時、該構成要素のトランジスタがオフ状態に維持されるESD保護回路を備える、高周波スイッチ回路。 - 前記ESD保護回路は、さらに、
構成要素のトランジスタ各々のゲートに接続される複数の第1のバイアス抵抗と、
前記複数の第1のバイアス抵抗それぞれと制御信号入力端子との間に直列に接続され、各々が前記第1のバイアス抵抗よりも抵抗値の大きな複数の第2のバイアス抵抗と、
各前記第1のバイアス抵抗と対応の第2のバイアス抵抗との間の接続ノードと各前記第1のバイアス抵抗に対応するトランジスタの前記1個の入出力端子に近いソースまたはドレイン電極との間に接続される帰還容量素子とを備える、請求項1記載の高周波スイッチ回路。 - 前記受信側シャント回路、前記送信側シャント回路および前記ESD保護回路を構成するトランジスタは、各々、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記ソース電極およびドレイン電極の各々は、
前記半導体薄膜層に形成される不純物領域と、
前記不純物領域表面に、前記不純物領域の少なくとも一部を残して前記不純物領域表面を覆うように形成されるシリサイド層とを含む、請求項1または2記載の高周波スイッチ回路。
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