CN111065967B - 正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜形成方法及层叠体的制造方法 - Google Patents

正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜形成方法及层叠体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种正型抗蚀剂组合物等,该正型抗蚀剂组合物能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。本发明的正型抗蚀剂组合物包含聚合物和溶剂,上述聚合物具有下述通式(I)所示的单体单元(A)和下述通式(II)所示的单体单元(B),上述溶剂为选自乙酸异戊酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯中的至少1种。
Figure DDA0002405838410000011

Description

正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜形成方法及层叠体的制造方法
技术领域
本发明涉及正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜形成方法及层叠体的制造方法,特别涉及正型抗蚀剂组合物、使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法以及使用该抗蚀剂膜形成方法的层叠体制造方法。
背景技术
一直以来,在半导体制造等领域中,将下述聚合物用作主链切断型的正型抗蚀剂,即,通过照射电子束等电离放射线、紫外线等短波长的光(以下,有时将电离放射线和短波长的光合称为“电离放射线等”)来切断主链,由此在显影液中的溶解性增大的聚合物。
而且,例如在专利文献1中,作为高敏感度的主链切断型的正型抗蚀剂,公开了包含含有α-甲基苯乙烯单元和α-氯丙烯酸甲酯单元的α-甲基苯乙烯·α-氯丙烯酸甲酯共聚物的正型抗蚀剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特公平8-3636号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在此,在使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜的形成工艺中,在被加工物上涂布抗蚀剂组合物后,经由将涂布的抗蚀剂组合物进行加热的前烘工序形成抗蚀剂膜时,有时抗蚀剂膜与被加工物的密合性不足,或抗蚀剂膜中的聚合物的分子量降低。在此,当抗蚀剂膜与被加工物的密合性不足时,抗蚀剂膜有时会剥离,此外,当聚合物的分子量降低时,不能形成期望形状的图案。因此,抗蚀剂膜的形成要求经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物具有足够的密合性,进而,要求抑制前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
然而,在使用专利文献1所记载的包含α-甲基苯乙烯·α-氯丙烯酸甲酯共聚物的正型抗蚀剂的抗蚀剂膜形成方法中,存在经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性不足、不能充分地抑制前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量变化的问题。
为了解决上述问题,正在研究将乙酸正己酯等用作溶剂,提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中的聚合物分子量的变化等,但在使用这些溶剂的情况下,虽然可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化,但是可以提高密合性和降低分子量变化的前烘工序中的加热温度和加热时间的范围狭窄。
因此,本发明的目的在于提供一种正型抗蚀剂组合物,其能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,本发明的目的在于提供一种抗蚀剂膜形成方法,能够提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,本发明的目的在于提供一种层叠体的制造方法,在该层叠体中,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与遮光层的密合性高、会抑制抗蚀剂膜中聚合物分子量的降低。
用于解决问题的方案
本发明人为了实现上述目的进行了深入研究。然后,本发明人发现,包含具有规定的单体单元的规定的聚合物、和规定的溶剂的主链切断型的正型抗蚀剂组合物能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化,从而完成了本发明。
即,本发明的目的在于有利地解决上述问题,本发明的正型抗蚀剂组合物的特征在于包含聚合物和溶剂,上述聚合物具有下述通式(I)所示的单体单元(A)和下述通式(II)所示的单体单元(B),
[化学式1]
Figure BDA0002405838390000031
(式(I)中,R1为氯原子、氟原子或氟原子取代的烷基,R2为非取代的烷基或氟原子取代的烷基,R3和R4为氢原子、氟原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,彼此可以相同也可以不同。)
[化学式2]
Figure BDA0002405838390000032
(式(II)中,R5、R6、R8及R9为氢原子、氟原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,彼此可以相同也可以不同,R7为氢原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,p和q为0以上、5以下的整数,p+q=5。)
上述单体单元(A)和上述单体单元(B)中的至少一者具有一个以上的氟原子,
上述溶剂为选自乙酸异戊酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯中的至少1种。
包含具有规定的单体单元的规定的聚合物和规定的溶剂的主链切断型的正型抗蚀剂组合物能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
另外,在本发明中,在式(II)中的p为2以上的情况下,多个R6彼此可以相同也可以不同,此外,在式(II)中的q为2以上的情况下,多个R7彼此可以相同也可以不同。
此外,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述R1为氯原子。如果单体单元(A)的R1为氯原子,则可以提高在对聚合物照射电离放射线等时聚合物主链的切断性。因此,可以得到良好的正型抗蚀剂膜。此外,单体单元(A)的R1为氯原子的聚合物容易制备。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述R2为氟原子取代的烷基,上述R3和R4为氢原子或者非取代的烷基。如果单体单元(A)的R2为氟原子取代的烷基、R3和R4为氢原子或非取代的烷基,则可以提高在对聚合物照射电离放射线等时聚合物主链的切断性。因此,可以得到良好的正型抗蚀剂膜。另外,R3和R4彼此可以相同也可以不同。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述p为1以上、5以下的整数,R5和R7~R9为氢原子或者非取代的烷基,上述单体单元(A)具有一个以上的氟原子。如果单体单元(B)的p为1以上、5以下的整数,R5和R7~R9为氢原子或非取代的烷基,单体单元(A)具有一个以上的氟原子,则容易制备聚合物,此外可以提高在对聚合物照射电离放射线等时聚合物主链的切断性,得到良好的正型抗蚀剂膜。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选单体单元(B)中的氟原子数为0或1。如果单体单元(B)中的氟原子数为0或1,则可以得到良好的正型抗蚀剂膜。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述R2为五氟烷基。如果单体单元(A)的R2为五氟烷基,则可以充分地提高灵敏度、可以形成清晰度提高的图案。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述R2为2,2,3,3,3-五氟丙基。如果单体单元(A)的R2为2,2,3,3,3-五氟丙基,则可以充分地提高灵敏度、可以形成清晰度更进一步提高的图案。
进而,本发明的正型抗蚀剂组合物优选上述单体单元(B)为来自α-甲基苯乙烯的结构单元或来自4-氟-α-甲基苯乙烯的结构单元。如果单体单元(B)为来自α-甲基苯乙烯的结构单元,则可以提高制备聚合物的容易性,且可以得到良好的正型抗蚀剂膜。如果单体单元(B)为来自4-氟-α-甲基苯乙烯的结构单元,则可以形成抑制塌陷产生的图案。
此外,本发明的目的在于有利地解决上述课题,本发明的抗蚀剂膜形成方法的特征在于,是使用上述任一个正型抗蚀剂组合物来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成方法,包含:
涂布工序,在被加工物上涂布上述正型抗蚀剂组合物,
前烘工序,加热上述涂布的正型抗蚀剂组合物,
上述前烘工序中的加热以满足下述式(1)的温度T(℃)和时间t(分钟)来进行。
(-1/4)×T+32.5≤t≤(-1/4)×T+55···(1)
当将具有规定的单体单元的规定的聚合物用作主链切断型的正型抗蚀剂,在规定的条件下进行前烘工序时,可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性且可以充分地抑制前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
在此,本发明的抗蚀剂膜形成方法优选上述时间为1分钟以上、30分钟以下。如果在前烘工序的加热中,上述时间为1分钟以上、30分钟以下,则可以更可靠地提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以更可靠地降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,本发明的目的在于有利地解决上述课题,本发明的层叠体制造方法的特征在于,其为具有基板、在该基板上形成的遮光层、在该遮光层上形成的抗蚀剂膜的层叠体的制造方法,上述抗蚀剂膜为通过上述任一种抗蚀剂膜形成方法形成的膜。如果通过上述任一种抗蚀剂膜形成方法形成抗蚀剂膜,则可以得到经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与遮光层的密合性高、会抑制抗蚀剂膜中聚合物分子量降低的层叠体。
发明效果
根据本发明的正型抗蚀剂组合物,能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,根据本发明的抗蚀剂膜形成方法,可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,根据本发明的层叠体制造方法,可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与遮光层的密合性,且可以抑制抗蚀剂膜中聚合物分子量的降低。
附图说明
图1为表示使用本发明的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图2A中,上图为表示使用含有聚合物(F5)和乙酸异戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图2B中,上图为表示使用含有聚合物(F5)和甲酸正丁酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图2C中,上图为表示使用含有聚合物(F5)和甲酸异丁酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图2D中,上图为表示使用含有聚合物(F5)和甲酸正戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图2E中,上图为表示使用含有聚合物(F5)和甲酸异戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图3A中,上图为表示使用含有聚合物(F6)和乙酸异戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图3B中,上图为表示使用含有聚合物(F6)和甲酸正丁酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图3C中,上图为表示使用含有聚合物(F6)和甲酸异丁酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序中的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图3D中,上图为表示使用含有聚合物(F6)和甲酸正戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
图3E中,上图为表示使用含有聚合物(F6)和甲酸异戊酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序中的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图;下图为表示作为比较对象的、使用含有聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法中,前烘工序的温度T(℃)与时间t(分钟)的关系的图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行详细说明。
在此,本发明的抗蚀剂组合物可以在本发明的抗蚀剂膜形成方法中使用。本发明的抗蚀剂膜形成方法可以形成例如下述抗蚀剂膜:其在增层板等印制板的制造工艺中,在形成抗蚀剂图案时使用。而且,本发明的层叠体制造方法可以制造例如下述层叠体:其在增层板等印制板的制造工艺中,在形成抗蚀剂图案时使用。
另外,本发明的抗蚀剂组合物中的聚合物可以良好地用作主链切断型的正型抗蚀剂,该主链切断型的正型抗蚀剂是通过照射电子束、EUV(极紫外)激光等电离放射线、紫外线等短波长的光来切断聚合物的主链而进行低分子量化的。
(正型抗蚀剂组合物)
本发明的正型抗蚀剂组合物包含聚合物和溶剂,进而任选含有可在抗蚀剂组合物中配合的已知的添加剂。而且,本发明的正型抗蚀剂组合物含有后述聚合物作为正型抗蚀剂,因此在用于形成抗蚀剂图案时,可以充分地抑制抗蚀剂图案产生塌陷。此外,如果在后述条件下进行前烘,则可以提高密合性,且可以抑制聚合物的分子量降低。
作为上述正型抗蚀剂组合物的固体成分浓度,优选为1质量%以上、更优选为2质量%以上、特别优选为3质量%以上,优选为20质量%以下、更优选为15质量%以下、特别优选为5质量%以下。
<聚合物>
聚合物具有下述通式(I)所示的单体单元(A)和下述通式(II)所示的单体单元(B),
[化学式3]
Figure BDA0002405838390000091
(式(I)中,R1为氯原子、氟原子或氟原子取代的烷基,R2为非取代的烷基或氟原子取代的烷基,R3和R4为氢原子、氟原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,R3和R4彼此可以相同也可以不同)
[化学式4]
Figure BDA0002405838390000092
(式(II)中,R5、R6、R8及R9为氢原子、氟原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,彼此可以相同也可以不同,R7为氢原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,p和q为0以上、5以下的整数,p+q=5)。
此外,在上述聚合物中,单体单元(A)和单体单元(B)中的至少一者具有一个以上的氟原子。即,上述聚合物可以是单体单元(A)具有一个以上的氟原子而单体单元(B)不具有氟原子,也可以是单体单元(B)具有一个以上的氟原子而单体单元(A)不具有氟原子,也可以是单体单元(A)和单体单元(B)分别具有一个以上的氟原子。
另外,上述聚合物也可以包含除单体单元(A)和单体单元(B)之外的任选的单体单元,但单体单元(A)和单体单元(B)在构成聚合物的全部单体单元中所占的比例优选合计为90mol%以上,更优选实质上为100mol%,进一步优选为100mol%(即,聚合物仅包含单体单元(A)和单体单元(B))。
而且,上述聚合物包含规定的单体单元(A)和单体单元(B),因此当照射电离放射线等(例如,电子束、KrF激光、ArF激光、EUV(极紫外)激光等)时,可以切断聚合物的主链来进行低分子量化。此外,上述聚合物中的单体单元(A)和单体单元(B)中的至少一者具有一个以上的氟原子,因此在用作抗蚀剂时,前烘时的耐热性高、分解得以抑制,可以提高与被加工物的密合性,此外可以充分地抑制抗蚀剂图案产生塌陷。
另外,通过使单体单元(A)和单体单元(B)中的至少一者具有氟原子,可以抑制抗蚀剂图案产生塌陷,其原因尚不明确,可推测是由于聚合物的斥液性(liquid-repellent)提高,因此可以在形成抗蚀剂图案的过程中除去显影液、冲洗液时,抑制在图案间发生的互相拉拽。
<<单体单元(A)>>
在此,单体单元(A)为来自下述通式(III)所示的单体(a)的结构单元,
[化学式5]
Figure BDA0002405838390000101
(式(III)中,R1~R4与式(I)相同。)
而且,单体单元(A)在构成聚合物的全部单体单元中的比例没有特别限定,可以为例如30mol%以上、70mol%以下,优选为40mol%以上、60mol%以下。
在此,作为可以构成式(I)和式(III)中的R1~R4的、氟原子取代的烷基,没有特别限定,可举出具有烷基中的氢原子的一部分或全部被氟原子取代的结构的基团。
此外,作为可以构成式(I)和式(III)中的R2~R4的非取代的烷基,没有特别限定,可举出非取代的碳原子数为1以上、10以下的烷基。作为可以构成R2~R4的非取代的烷基,特别优选甲基或乙基。
而且,从提高聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,式(I)和式(III)中的R1优选为氯原子、氟原子或氟原子取代的碳原子数为1以上、5以下的烷基,更优选为氯原子、氟原子或者全氟甲基,进一步优选为氯原子或者氟原子,特别优选为氯原子。另外,式(III)中的R1为氯原子的单体(a)的聚合性优异,具有式(I)中的R1为氯原子的单体单元(A)的聚合物在容易制备的方面也优异。
此外,从提高聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,式(I)和式(III)中的R2优选为氟原子取代的烷基,更优选为氟原子取代的碳原子数为1以上、10以下的烷基。
作为氟原子取代的碳原子数为1以上、10以下的烷基,可举出例如2,2,2-三氟乙基、2,2,3,3,3-五氟丙基(氟原子数为5、碳原子数为3的下述结构式X)等五氟烷基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟己基)乙基、1H,1H,3H-四氟丙基、1H,1H,5H-八氟戊基、1H,1H,7H-十二氟庚基、1H-1-(三氟甲基)三氟乙基、1H,1H,3H-六氟丁基、1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基等。
在这些之中,优选五氟烷基,特别优选2,2,3,3,3-五氟丙基(氟原子数为5、碳原子数为3的下述结构式X)。
[化学式6]
Figure BDA0002405838390000111
进而,从提高聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,式(I)和式(III)中的R3和R4优选分别为氢原子或非取代的烷基,更优选为氢原子或非取代的碳原子数1以上、5以下的烷基,进一步优选为氢原子。
而且,作为可以形成上述式(I)所示的单体单元(A)的上述式(I)所示的单体(a),没有特别限定,可举出例如:α-氯丙烯酸-2,2,2-三氟乙酯、α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯、α-氯丙烯酸-2-(全氟丁基)乙酯、α-氯丙烯酸-2-(全氟己基)乙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,3H-四氟丙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,5H-八氟戊酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,7H-十二氟庚酯、α-氯丙烯酸-1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,3H-六氟丁酯、α-氯丙烯酸-1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙酯等α-氯丙烯酸氟烷基酯;α-氟代丙烯酸甲酯、α-氟代丙烯酸乙酯等α-氟丙烯酸烷基酯;α-三氟甲基丙烯酸甲酯、α-三氟甲基丙烯酸乙酯等α-氟烷基丙烯酸烷基酯;α-氟丙烯酸-2,2,2-三氟乙酯、α-氟丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯、α-氟丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、α-氟丙烯酸-2-(全氟己基)乙酯、α-氟丙烯酸1H,1H,3H-四氟丙酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,5H-八氟戊酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,7H-十二氟庚酯、α-氟丙烯酸-1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,3H-六氟丁酯、α-氟丙烯酸-1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙酯等α-氟丙烯酸氟烷基酯。
另外,从进一步提高聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,单体单元(A)优选为来自α-氯丙烯酸氟烷基酯的结构单元,特别优选为α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯。即,式(I)和式(III)中的R1~R4特别优选R1为氯原子、R2为氟原子取代的烷基、R3和R4为氢原子。
<<单体单元(B)>>
此外,单体单元(B)为来自下述通式(IV)所示的单体(b)的结构单元,
[化学式7]
Figure BDA0002405838390000121
(式(IV)中,R5~R9以及p和q与式(II)相同。)。
而且,单体单元(B)在构成聚合物的全部单体单元中的比例没有特别限定,可以为例如30mol%以上、70mol%以下,优选为40mol%以上、60mol%以下。
在此,作为可以构成式(II)和式(IV)中的R5~R9的氟原子取代的烷基,没有特别限定,可举出具有烷基中的氢原子的一部分或全部被氟原子取代的结构的基团。
此外,作为可以构成式(II)和式(IV)中的R5~R9的非取代的烷基,没有特别限定,可举出非取代的碳原子数为1以上、5以下的烷基。其中,作为可以构成R5~R9的非取代的烷基,优选甲基或乙基。
而且,从提高制备聚合物的容易性和聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,式(II)和式(IV)中的R5优选为氢原子或者非取代的烷基,更优选为非取代的碳原子数1以上、5以下的烷基,进一步优选为甲基。
式(II)和式(IV)中存在的多个R7,可以均为氢原子或非取代的烷基,也可以均为氢原子或非取代的碳原子数为1以上、5以下的烷基,还可以均为氢原子。由此,可以提高制备聚合物的容易性和聚合物在照射电离放射线等时主链的切断性。
式(II)和式(IV)中的p为5、q为0,5个R6可以均为氢原子或非取代的烷基,5个R6也可以均为氢原子或非取代的碳原子数为1以上、5以下的烷基,5个R6还可以均为氢原子。由此,可以提高制备聚合物的容易性和在对聚合物照射电离放射线等时聚合物主链的切断性。
另一方面,从在将聚合物用于形成抗蚀剂图案时,进一步抑制抗蚀剂图案产生塌陷的观点出发,式(II)和式(IV)中存在的多个R6和/或R7优选包含氟原子或氟原子取代的烷基,更优选包含氟原子或氟原子取代的碳原子数为1以上、5以下的烷基,特别优选R6和/或R7中的氟原子数为1。
进而,从提高制备聚合物的容易性和聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,式(II)和式(IV)中的R8和R9优选分别为氢原子或非取代的烷基,更优选为氢原子或非取代的碳原子数1以上、5以下的烷基,进一步优选为氢原子。
而且,作为可以形成上述式(II)所示的单体单元(B)的上述式(IV)所示的单体(b),没有特别限定,可举出例如以下的(b-1)~(b-11)等α-甲基苯乙烯及其衍生物。
此外,单体单元(B)中的氟原子数优选为0或者1。
[化学式8]
Figure BDA0002405838390000141
另外,从提高制备聚合物的容易性和聚合物在照射电离放射线等时主链切断性的观点出发,聚合物单元(B)优选不含有氟原子(即,仅单体单元(A)含有氟原子),更优选为来自α-甲基苯乙烯的结构单元。即,式(II)和式(IV)中的R5~R9以及p和q特别优选p=5、q=0,R5为甲基,5个R6均为氢原子,R8和R9为氢原子。
另一方面,从在将聚合物用于形成抗蚀剂图案时进一步抑制抗蚀剂图案产生塌陷的观点出发,单体单元(B)优选含有氟原子,更优选含有1个氟原子,特别优选为来自氟-α-甲基苯乙烯的结构单元,最优选为来自4-氟-α-甲基苯乙烯的结构单元,即,式(II)和式(IV)中的R5~R9以及p和q最优选p=5、q=0,R5为甲基,5个R6中仅对位为氟、余下4个均为氢原子,R8和R9为氢原子。
<<聚合物的性状>>
以下,对用于本发明的抗蚀剂膜形成方法的聚合物的性状,即,前烘工序中加热前的“重均分子量(Mw)”、“数均分子量(Mn)”以及“分子量分布(Mw/Mn)”进行说明。
另外,在本发明中,“重均分子量(Mw)”和“数均分子量(Mn)”可以使用凝胶渗透色谱法来测定。而且,在本发明中,“分子量分布(Mw/Mn)”是指重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)的比。
[重均分子量]
而且,具有上述单体单元(A)和单体单元(B)的聚合物的重均分子量(Mw)可以为例如20000以上、150000以下。进而,聚合物的重均分子量(Mw)优选为小于100000、更优选为小于60000,优选为30000以上。如果聚合物的重均分子量(Mw)为上述上限值以下(小于),则在用作正型抗蚀剂时,可以以较低的照射量来增大其在显影液中的溶解性,由此可以适当地提高用作正型抗蚀剂时的灵敏度。此外,如果聚合物的重均分子量(Mw)为上述下限值以上,则可以抑制以过低的照射量就会提高抗蚀剂膜在显影液中的溶解性、可以抑制γ值过低。
[数均分子量]
此外,上述聚合物的数均分子量(Mn)可以为例如10000以上、100000以下。进而,聚合物的数均分子量(Mn)优选小于80000、更优选小于50000。如果聚合物的数均分子量(Mn)为上述上限值以下(小于),则可以进一步提高将使用含有该聚合物的正型抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂用作正型抗蚀剂时的灵敏度。
[分子量分布]
而且,上述聚合物的分子量分布(Mw/Mn)可以为例如2.50以下。进而,聚合物的分子量分布(Mw/Mn)优选为1.20以上、更优选为1.30以上、特别优选为1.35以上,优选为2.40以下、更优选为1.75以下、进一步优选为1.60以下、更进一步优选为1.55以下。如果聚合物的分子量分布(Mw/Mn)为上述下限值以上,则可以提高制造聚合物的容易性。如果聚合物的分子量分布(Mw/Mn)为上述上限值以下,则可以提高用作正型抗蚀剂时的γ值、可以提高得到的抗蚀剂图案的清晰性。
<<聚合物的制备方法>>
而且,具有上述单体单元(A)和单体单元(B)的聚合物可以通过例如使包含单体(a)和单体(b)的单体组合物聚合后,任意地纯化得到的聚合物来进行制备。
另外,聚合物的组成、分子量分布、重均分子量及数均分子量可以通过变更聚合条件和纯化条件来进行调节。具体而言,例如聚合物的组成可以通过变更用于聚合的单体组合物中的各单体的含有比例来进行调节。此外,如果提高聚合温度,则可以减小重均分子量和数均分子量。进而,如果缩短聚合时间,则可以减小重均分子量和数均分子量。
[单体组合物的聚合]
在此,作为用于制备本发明的聚合物的单体组合物,可以使用包含单体(a)和单体(b)的单体成分、任选的溶剂、聚合引发剂及任选添加的添加剂的混合物。而且,单体组合物的聚合可以使用已知的方法进行。其中,作为溶剂,优选使用环戊酮等,作为聚合引发剂,优选使用偶氮二异丁腈等自由基聚合引发剂。
此外,聚合单体组合物所得到的聚合产物没有特别限定,可以在包含聚合物的溶液中添加四氢呋喃等良溶剂后,将添加良溶剂后的溶液滴加至甲醇等不良溶剂中使聚合产物凝固,由此进行回收。
<<聚合产物的纯化>>
另外,作为在纯化所得到的聚合产物时所使用的纯化方法,没有特别限定,可举出再沉淀法、柱色谱法等已知的纯化方法。作为纯化方法,特别优选使用再沉淀法。
另外,聚合产物的纯化也可以重复多次实施。
而且,通过再沉淀法纯化聚合产物优选通过例如以下方法进行:将得到的聚合产物溶于四氢呋喃等良溶剂后,将得到溶液滴加至四氢呋喃等良溶剂和甲醇等不良溶剂的混合溶剂中,使聚合产物部分析出。这样,如果将聚合产物的溶液滴加至良好溶剂和不良溶剂的混合溶剂中来进行聚合产物的纯化,则可以通过变更良溶剂和不良溶剂的种类、混合比率,来容易地调节得到的聚合物的分子量分布、重均分子量及数均分子量。具体而言,例如越提高混合溶剂中的良溶剂的比例,则越可以增大混合溶剂中析出的聚合物的分子量。
另外,在通过再沉淀法纯化聚合产物的情况下,作为上述聚合物,可以使用在良溶剂和不良溶剂的混合溶剂中析出的聚合产物,也可以使用未从混合溶剂中析出的聚合产物(即,溶于混合溶剂中的聚合产物)。在此,未从混合溶剂中析出的聚合产物可以使用浓缩干燥等已知的方法从混合溶剂中回收。
<溶剂>
作为溶剂,可以使用选自乙酸异戊酯(沸点:142℃,表面张力:24.6mN/m)、甲酸正丁酯(沸点:107℃,表面张力:25mN/m)、甲酸异丁酯(沸点:98.4℃,表面张力:23.7mN/m)、甲酸正戊酯(沸点:132℃,表面张力:26mN/m)及甲酸异戊酯(沸点:124℃,表面张力:24.6mN/m)中的至少1种。
通过使用上述溶剂,即使在将具有上述单体单元(A)和单体单元(B)的聚合物用作正型抗蚀剂的情况下,也能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
其中,从提高形成的抗蚀剂膜的膜厚精度的观点出发,作为溶剂,优选戊基系溶剂(乙酸异戊酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯)的单体或混合物,基于没有恶臭的方面,更优选异戊基系溶剂(乙酸异戊酯、甲酸异戊酯)的单体或混合物,基于容易获取的方面,特别优选乙酸异戊酯。
如上所述,溶剂可以是混合物,但从溶剂的回收和再利用的容易性的观点出发,优选为由单一的物质形成的单一溶剂。
<<溶剂的沸点>>
上述溶剂的沸点没有特别限制,可以根据目的适当地选择,从提高形成的抗蚀剂膜膜厚精度的观点出发,优选为110℃以上、160℃以下,更优选为120℃以上、150℃以下。
另外,上述沸点为1个大气压时的沸点,基于溶剂手册(KODANSHA LTD.发行)等记载的一般的文献值。
<<溶剂的表面张力>>
上述溶剂的表面张力没有特别限制,可以根据目的适当地选择,从提高抗蚀剂组合物对基板的润湿性、提高形成的抗蚀剂膜的膜厚精度的观点出发,优选为32mN/m以下,从获得适当粘度的正型抗蚀剂溶液、提高正型抗蚀剂溶液的涂覆性的观点出发,更优选为29mN/m以下。
另外,上述表面张力是基于悬滴法(pendant drop method),在温度23℃、使用Drop Master700(Kyowa Interface Science,Inc制)测定的数值。
(抗蚀剂膜形成方法)
本发明的抗蚀剂膜形成方法是使用本发明的正型抗蚀剂组合物来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成方法,包含在被加工物上涂布上述正型抗蚀剂组合物的涂布工序、及以满足下述式(1)(图1的图中直线P和直线U间的区域内)的温度T(℃)和时间t(分钟)加热上述涂布后的正型抗蚀剂组合物的前烘工序。
(-1/4)×T+32.5≤t≤(-1/4)×T+55···(1)
其中,t>0
<涂布工序>
在涂布工序中,利用抗蚀剂图案在所加工的基板等被加工物上涂布上述正型抗蚀剂组合物。涂布方法没有特别限定,可以用已知的涂布方法进行。
另外,作为涂布正型抗蚀剂组合物的被加工物,可以是基板,此外,也可以是在基板上形成遮光层的“掩模坯板(Mask Blanks)”。
<前烘工序>
在前烘工序中,加热(前烘)涂布的正型抗蚀剂组合物来形成抗蚀剂膜。
在此,以满足下述式(1)的温度T(℃)和时间t(分钟)进行加热(前烘)。在此,温度T(℃)和时间t(分钟)满足下述式(1)意为“在图1的图中,温度T(℃)和时间t(分钟)存在于直线P和直线U之间”。由此,可以提高抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
(-1/4)×T+32.5≤t≤(-1/4)×T+55···(1)
进而,温度T(℃)和时间t(分钟)优选满足下述式(2)、更优选满足下述式(3)、特别优选满足下述式(4),且优选满足下述式(5)、更优选满足下述式(5-2)、更进一步优选满足下述式(6)、特别优选满足下述式(7)。
(-1/4)T+35≤t···(2)
(-1/4)T+37.5≤t···(3)
(-1/4)T+40≤t···(4)
t≤(-7/30)T+142/3···(5)
t≤(-3/10)T+58···(5-2)
t<(-7/10)T+115···(6)
t<(-8/15)T+262/3···(7)
当以满足上述式(1)和(6)(在图1的图中,温度T(℃)和时间t(分钟)存在于直线P和直线C之间)的温度T(℃)和时间t(分钟)进行前烘(加热)时,通过在更低温侧进行加热,可以保持抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以可靠地降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
当以满足上述式(1)和上述式(7)(在图1的图中,温度T(℃)和时间t(分钟)存在于直线P和直线A之间)的温度T(℃)和时间t(分钟)进行前烘(加热)时,通过在更进一步低温侧进行加热,可以保持抗蚀剂膜与被加工物的密合性,可以更可靠地降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
另外,图1~3E中的直线A,C,P~U分别如下述式所示。
直线A:t=(-8/15)T+262/3
直线C:t=(-7/10)T+115
直线P:t=(-1/4)T+32.5
直线Q:t=(-1/4)T+35
直线R:t=(-1/4)T+37.5
直线S:t=(-1/4)T+40
直线T:t=(-3/10)T+58
直线T2:t=(-7/30)T+142/3
直线U:t=(-1/4)T+55
进而,从经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性的观点出发,温度T(℃)优选为110℃以上、更优选为115℃以上、进一步优选为120℃以上,此外,从降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量变化的观点出发,温度T(℃)优选为180℃以下、更优选为170℃以下。从经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性的观点出发,时间t(分钟)优选为1分钟以上、更优选为3分钟以上、更进一步优选为5分钟以上,从降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量变化的观点出发,时间t(分钟)优选为30分钟以下、更优选为10分钟以下。
以下,对前烘工序中加热后的聚合物的性状,即,聚合物的“重均分子量(Mw)”、“数均分子量(Mn)”及“分子量分布(Mw/Mn)”进行说明。
[重均分子量]
而且,通过使用本发明的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法形成的抗蚀剂膜(即,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜)中的聚合物的重均分子量(Mw)可以为例如45900以上、59000以下。进而,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量(Mw)优选为52000以下、且优选为46500以上。如果经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量(Mw)为上述上限值以下(小于),则可以提高抗蚀剂膜的灵敏度。此外,如果经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量(Mw)为上述下限值以上,则可以防止其溶于显影液。
[数均分子量]
此外,通过使用本发明的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法形成的抗蚀剂膜(即,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜)中的聚合物的数均分子量(Mn)可以为例如34400以上、43500以下。进而,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的数均分子量(Mn)优选为41600以下、优选为36500以上。如果经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的数均分子量(Mn)为上述上限值以下(小于),则可以提高抗蚀剂膜的灵敏度。此外,如果经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的数均分子量(Mn)为上述下限值以上,则可以防止其溶于显影液。
[分子量分布]
而且,通过使用本发明的正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法形成的抗蚀剂膜(即,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜)中的聚合物的分子量分布(Mw/Mn)可以为例如1.50以下。进而,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的分子量分布(Mw/Mn)优选为1.28以上、更优选为1.30以上,优选为1.45以下、更优选为1.40以下。如果经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的分子量分布(Mw/Mn)为上述下限值以上,则可以缩短前烘时间。如果聚合物的分子量分布(Mw/Mn)为上述上限值以下,则可以在形成图案时得到清晰的图案。
前烘工序中经由加热的聚合物的重均分子量的保持率(前烘工序中加热后的聚合物的重均分子量/前烘工序中加热前的聚合物的重均分子量)优选为95.7%以上、更优选为96.0%以上、特别优选为97.0%以上、最优选为99.0%以上。
<抗蚀剂图案形成方法>
抗蚀剂图案形成方法优选包含(1)使用上述抗蚀剂膜形成方法形成抗蚀剂膜的工序、(2)曝光抗蚀剂膜的工序及(3)将曝光的抗蚀剂膜进行显影的工序。
<<曝光工序>>
在上述工序(2)中,对抗蚀剂膜照射电离放射线、光来绘制期望的图案。另外,电离放射线、光的照射可以使用电子束描绘装置、激光描绘装置等已知的描绘装置。
<<显影工序>>
在上述工序(3)中,使绘制图案后的抗蚀剂膜与显影液接触来使抗蚀剂膜显影,在被加工物上形成抗蚀剂图案。在此,使抗蚀剂膜与显影液接触的方法没有特别限定,可以使用在显影液中浸渍抗蚀剂膜、向抗蚀剂膜涂布显影液等已知的方法。而且,任选使用冲洗液冲洗显影后的抗蚀剂膜。
特别是作为显影液及冲洗液,可以使用例如包含CF3CFHCFHCF2CF3、CF3CF2CHCl2、CClF2CF2CHClF、CF3CF2CF2CF2OCH3以及C8F18的碳氟化合物等氟系溶剂;甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(异丙醇)等醇;乙酸戊酯、乙酸己酯等具有烷基的乙酸酯;氟系溶剂与醇的混合物;氟系溶剂与具有烷基的乙酸酯的混合物;醇与具有烷基的乙酸酯的混合物;氟系溶剂、醇及具有烷基的乙酸酯的混合物等。考虑包含上述聚合物的抗蚀剂的溶解性等,显影液和冲洗液的组合可以为例如对抗蚀剂溶解性较高的溶剂为显影液,对抗蚀剂溶解性较低的溶剂为冲洗液。此外,在选择显影液时,优选选择不溶解上述工序(2)实施前的抗蚀剂膜的显影液。进而,在选择冲洗液时,优选选择容易与显影液混合的冲洗液,使与显影液的置换变得容易。
(层叠体的制造方法)
本发明的层叠体制造方法为制造具有基板、在该基板上形成的遮光层及在该遮光层上形成的抗蚀剂膜的层叠体的层叠体制造方法,上述抗蚀剂膜是通过本发明的抗蚀剂膜形成方法来形成的。
<基板>
作为基板,通常使用透明基板。作为基板的材质,可举出例如石英、玻璃等透明材料。这些可以单独使用1种,也可以并用2种以上。其中,从透明性和耐候性的观点出发,优选石英。
基板优选具有如下透明性,即,200nm以上、300nm以下的波长的光透过90%~95%左右。
基板的厚度优选为0.5mm以上、更优选为1.0mm以上,优选为20mm以下、更优选为15mm以下。
<遮光层>
作为遮光层,可以使用任选的遮光层。作为遮光层,特别优选使用具有金属层的单层结构或多层结构的遮光层。另外,作为可以构成遮光层中的除金属层之外的层的材质,可举出聚丙烯、环状聚烯烃、聚氯乙烯等。
作为金属层的材质,可举出例如铬、硅、氧化铁、硅化钼等。这些可以单独使用1种,也可以并用2种以上。其中,从遮光性的观点出发,优选铬。
遮光层的厚度优选为5nm以上、更优选为10nm以上,优选为200nm以下、更优选为100nm以下。
<抗蚀剂膜>
抗蚀剂膜是通过本发明的抗蚀剂膜形成方法形成的。由此,可以提高抗蚀剂膜与遮光层间的密合性,且可以抑制抗蚀剂膜中聚合物分子量的降低。
抗蚀剂膜的厚度优选为20nm以上、更优选为30nm以上,优选为200nm以下、更优选为100nm以下。
实施例
以下,基于实施例对本发明进行具体说明,但本发明并不限定于这些实施例。另外,在以下说明中,表示量的“%”和“份”,只要没有特别说明,为质量基准。
此外,在图2A~3E中,“圆圈标识”表示后述的(ii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量的保持率”和(iii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性”均良好;“叉标识”表示(ii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率”和(iii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性”中的任一个不良好;指向“圆圈标识”和“叉标识”的箭头标示的“数值”表示试验例编号。
而且,在试验例1-1~12-25中,分别使用下述方法测定和评价(i)“重均分子量、数均分子量及分子量分布”、(ii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率”以及(iii)“经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性”。
<重均分子量、数均分子量及分子量分布>
使用凝胶渗透色谱仪对作为测定对象的聚合物测定重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn),算出分子量分布(Mw/Mn)。
具体而言,使用凝胶渗透色谱仪(TOSOH CORPORATION制,HLC-8220),将四氢呋喃用作洗脱液,求出作为测定对象的聚合物的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)的标准聚苯乙烯换算值。然后,算出分子量分布(Mw/Mn)。
<经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量的保持率>
算出在制备正型抗蚀剂组合物时使用的聚合物的重均分子量为100%时,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量的比例(%),按照以下的基准,评价经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量的保持率。
A:在制备正型抗蚀剂组合物时使用的聚合物的重均分子量为100%时,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量的比例为95.7%以上(保持率大,良好)
B:在制备正型抗蚀剂组合物时使用的聚合物的重均分子量为100%时,经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量的比例小于95.7%(保持率小)
<经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性>
观察形成的抗蚀剂图案有无剥离,按照以下的基准,评价抗蚀剂膜与被加工物的密合性。
A:抗蚀剂图案无剥离(密合性良好)
B:抗蚀剂图案有剥离(密合性低)
实施例1
(试验例1-1)
<聚合物(F5)的制备>
将包含3.0g的作为单体(a)的α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯(ACAPFP)和3.4764g的作为单体(b)的α-甲基苯乙烯(AMS)、0.0055g的作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈、1.6205g的作为溶剂的环戊酮的单体组合物加入玻璃容器中,将玻璃容器进行密封及氮置换,在氮环境下,在78℃的恒温槽内搅拌6小时。之后,恢复至室温,将玻璃容器内部开放于大气后,在得到的溶液中加入10g的四氢呋喃(THF)。然后,将加入THF后的溶液滴加至300g的甲醇中,使聚合产物析出。然后,使用桐山漏斗过滤包含析出的聚合产物的溶液,得到白色的凝固物(聚合物)。接下来,将得到聚合物(粗产品)溶于100g的THF,将得到的溶液滴加到100g的THF和900g的甲醇(MeOH)的混合溶剂中,使白色的凝固物(含有α-甲基苯乙烯单元和α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯单元的聚合物)析出。然后,使用桐山漏斗过滤包含析出的聚合物的溶液,得到白色的聚合物。另外,得到的聚合物包含50mol%的α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯单元、50mol%的α-甲基苯乙烯单元。
然后,测定得到的聚合物的重均分子量、数均分子量及分子量分布。测定的重均分子量和分子量分布示于下文。
<正型抗蚀剂组合物的制备>
使得到的聚合物溶于作为溶剂的乙酸异戊酯中,制备聚合物的浓度为4质量%的抗蚀剂溶液(正型抗蚀剂组合物)。
<抗蚀剂图案的形成>
使用旋转涂布机(MIKASA CO.,LTD.制,MS-A150),在直径4英寸的掩模坯板(在石英基板(厚度:1.0mm)上形成铬层(厚度:10nm)的板)上涂布正型抗蚀剂组合物。接下来,使用温度120℃的加热板加热涂布的正型抗蚀剂组合物10分钟(前烘工序),在掩模坯板上形成厚度50nm的抗蚀剂膜。然后,使用凝胶渗透色谱仪测定得到的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn),算出分子量分布(Mw/Mn)。此外,使用电子束描绘装置(ELIONIX INC.制,ELS-S50)以最佳曝光量(Eop)对抗蚀剂膜进行曝光,绘制图案。之后,将氟系溶剂(Chemours-Mitsui Fluoroproducts Co.,Ltd.制,Vertrel XF(注册商标),CF3CFHCFHCF2CF3)用作抗蚀剂用显影液,在温度23℃进行1分钟的显影处理后,使用作为冲洗液的氟系溶剂(Chemours-Mitsui Fluoroproducts Co.,Ltd.制,Vertrel(CF3CFHCFHCF2CF3))冲洗10秒,形成抗蚀剂图案。然后,评价经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与掩模坯板的密合性。另外,适当设定最佳曝光量(Eop)。此外,抗蚀剂图案的线(未曝光区域)和空白(曝光区域)分别控制为20nm。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量的保持率的评价结果以及密合性的评价结果示于下文和图2A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51581,分子量分布:1.400
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例1-2~1-21)
代替试验例1-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在130℃加热7.5分钟(试验例1-2)、130℃加热10分钟(试验例1-3)、140℃加热5分钟(试验例1-4)、140℃加热7.5分钟(试验例1-5)、140℃加热10分钟(试验例1-6)、150℃加热3分钟(试验例1-7)、150℃加热5分钟(试验例1-8)、150℃加热7.5分钟(试验例1-9)、150℃加热10分钟(试验例1-10)、160℃加热1分钟(试验例1-11)、160℃加热3分钟(试验例1-12)、160℃加热5分钟(试验例1-13)、160℃加热7.5分钟(试验例1-14)、160℃加热10分钟(试验例1-15)、170℃加热1分钟(试验例1-16)、170℃加热3分钟(试验例1-17)、170℃加热5分钟(试验例1-18)、180℃加热1分钟(试验例1-19)、180℃加热3分钟(试验例1-20)、190℃加热1分钟(试验例1-21)的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例1-2~1-21)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:50877,分子量分布:1.406(试验例1-2)
重均分子量:50722,分子量分布:1.402(试验例1-3)
重均分子量:50810,分子量分布:1.404(试验例1-4)
重均分子量:50462,分子量分布:1.407(试验例1-5)
重均分子量:50411,分子量分布:1.410(试验例1-6)
重均分子量:50914,分子量分布:1.401(试验例1-7)
重均分子量:50974,分子量分布:1.412(试验例1-8)
重均分子量:50682,分子量分布:1.436(试验例1-9)
重均分子量:50509,分子量分布:1.432(试验例1-10)
重均分子量:51106,分子量分布:1.403(试验例1-11)
重均分子量:50679,分子量分布:1.413(试验例1-12)
重均分子量:50532,分子量分布:1.414(试验例1-13)
重均分子量:50279,分子量分布:1.417(试验例1-14)
重均分子量:50307,分子量分布:1.416(试验例1-15)
重均分子量:51106,分子量分布:1.403(试验例1-16)
重均分子量:49767,分子量分布:1.418(试验例1-17)
重均分子量:50448,分子量分布:1.415(试验例1-18)
重均分子量:51106,分子量分布:1.403(试验例1-19)
重均分子量:50246,分子量分布:1.417(试验例1-20)
重均分子量:51106,分子量分布:1.403(试验例1-21)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-2)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-3)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-4)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-5)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-6)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-7)
保持率:98.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-8)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-9)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-11)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-12)
保持率:98.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-13)
保持率:97.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-14)
保持率:97.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-16)
保持率:96.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-17)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-18)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-19)
保持率:97.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-21)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例1-2~1-21)
(试验例1-22~1-26)
代替试验例1-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在110℃加热10分钟(试验例1-22)、120℃加热7.5分钟(试验例1-23)、130℃加热5分钟(试验例1-24)、140℃加热3分钟(试验例1-25)、150℃加热1分钟(试验例1-26)的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例1-22~1-26)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51068,分子量分布:1.400(试验例1-22)
重均分子量:51584,分子量分布:1.400(试验例1-23)
重均分子量:50668,分子量分布:1.404(试验例1-24)
重均分子量:50120,分子量分布:1.400(试验例1-25)
重均分子量:51106,分子量分布:1.403(试验例1-26)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-22)
保持率:100.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-23)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-24)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-25)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例1-26)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例1-22~1-26)
(试验例1-27~1-30)
代替试验例1-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热7.5分钟(试验例1-27)、170℃加热10分钟(试验例1-28)、180℃加热5分钟(试验例1-29)、190℃加热3分钟(试验例1-30)的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例1-27~1-30)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48993,分子量分布:1.437(试验例1-27)
重均分子量:48632,分子量分布:1.452(试验例1-28)
重均分子量:48821,分子量分布:1.413(试验例1-29)
重均分子量:48400,分子量分布:1.437(试验例1-30)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.1%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例1-27)
保持率:94.4%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例1-28)
保持率:94.8%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例1-29)
保持率:93.9%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例1-30)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例1-27~1-30)
实施例2
(试验例2-1)
<聚合物(F6)的制备>
将包含3.0g的作为单体(a)的α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯(ACAPFP)和3.23483g的作为单体(b)的4-氟-α-甲基苯乙烯(4FAMS)、0.00521g的作为聚合引发剂的偶氮二异丁腈的单体组合物加入玻璃容器中,将玻璃容器进行密封及氮置换,在氮环境下,在78℃的恒温槽内搅拌6小时。之后,恢复至室温,将玻璃容器内部连通大气后,在得到的溶液中加入10g的四氢呋喃(THF)。然后,将加入THF后的溶液滴加至300g的甲醇中,使聚合产物析出。然后,使用桐山漏斗过滤包含析出的聚合产物的溶液,得到白色的凝固物(聚合物)。另外,将得到聚合物(粗产品)溶于100g的THF,将得到的溶液滴加到50g的THF和950g的甲醇(MeOH)的混合溶剂中,使白色的凝固物(含有4-氟-α-甲基苯乙烯单元和α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯单元的聚合物)析出。然后,使用桐山漏斗过滤包含析出的聚合物的溶液,得到白色的聚合物。另外,得到的聚合物包含50mol%的α-氯丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯单元、50mol%的4-氟-α-甲基苯乙烯单元。
然后,测定得到的聚合物的重均分子量、数均分子量及分子量分布。测定的重均分子量和分子量分布示于下文。
<正型抗蚀剂组合物的制备>
使得到的聚合物溶于作为溶剂的乙酸异戊酯中,制备聚合物的浓度为4质量%的抗蚀剂溶液(正型抗蚀剂组合物)。
<抗蚀剂图案的形成>
使用旋转涂布机(MIKASA CO.,LTD.制,MS-A150),在直径4英寸的掩模坯板(在石英基板(厚度:1.0mm)上形成铬层(厚度:10nm)的板)上涂布正型抗蚀剂组合物。接下来,使用温度120℃的加热板加热涂布的正型抗蚀剂组合物10分钟(前烘工序),在掩模坯板上形成厚度50nm的抗蚀剂膜。然后,使用凝胶渗透色谱仪测定得到的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn),算出分子量分布(Mw/Mn)。此外,使用电子束描绘装置(ELIONIX INC.制,ELS-S50)以最佳曝光量(Eop)对抗蚀剂膜进行曝光,绘制图案。之后,将氟系溶剂(Chemours-Mitsui Fluoroproducts Co.,Ltd.制,Vertrel XF(注册商标),CF3CFHCFHCF2CF3)用作抗蚀剂用显影液,在温度23℃进行1分钟的显影处理后,使用作为冲洗液的氟系溶剂(Chemours-Mitsui Fluoroproducts Co.,Ltd.制,Vertrel(CF3CFHCFHCF2CF3))冲洗10秒,形成抗蚀剂图案。然后,评价经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与掩模坯板的密合性。另外,适当设定最佳曝光量(Eop)。此外,抗蚀剂图案的线(未曝光区域)和空白(曝光区域)分别控制为20nm。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量的保持率的评价结果以及密合性的评价结果示于下文和图3A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48511,分子量分布:1.283
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例2-2~2-29)
代替试验例2-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在130℃加热7.5分钟(试验例2-2)、130℃加热10分钟(试验例2-3)、140℃加热5分钟(试验例2-4)、140℃加热7.5分钟(试验例2-5)、140℃加热10分钟(试验例2-6)、150℃加热3分钟(试验例2-7)、150℃加热5分钟(试验例2-8)、150℃加热7.5分钟(试验例2-9)、150℃加热10分钟(试验例2-10)、160℃加热1分钟(试验例2-11)、160℃加热3分钟(试验例2-12)、160℃加热5分钟(试验例2-13)、160℃加热7.5分钟(试验例2-14)、160℃加热10分钟(试验例2-15)、170℃加热1分钟(试验例2-16)、170℃加热3分钟(试验例2-17)、170℃加热5分钟(试验例2-18)、170℃加热7.5分钟(试验例2-19)、170℃加热10分钟(试验例2-20)、180℃加热1分钟(试验例2-21)、180℃加热3分钟(试验例2-22)、180℃加热5分钟(试验例2-23)、180℃加热7.5分钟(试验例2-24)、180℃加热10分钟(试验例2-25)、190℃加热1分钟(试验例2-26)、190℃加热3分钟(试验例2-27)、190℃加热5分钟(试验例2-28)、190℃加热7.5分钟(试验例2-29)的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例2-2~2-29)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48583,分子量分布:1.285(试验例2-2)
重均分子量:48511,分子量分布:1.282(试验例2-3)
重均分子量:48111,分子量分布:1.283(试验例2-4)
重均分子量:47610,分子量分布:1.285(试验例2-5)
重均分子量:47351,分子量分布:1.284(试验例2-6)
重均分子量:47974,分子量分布:1.288(试验例2-7)
重均分子量:48381,分子量分布:1.285(试验例2-8)
重均分子量:47692,分子量分布:1.288(试验例2-9)
重均分子量:47829,分子量分布:1.291(试验例2-10)
重均分子量:46929,分子量分布:1.284(试验例2-11)
重均分子量:47739,分子量分布:1.282(试验例2-12)
重均分子量:47968,分子量分布:1.288(试验例2-13)
重均分子量:47262,分子量分布:1.292(试验例2-14)
重均分子量:47068,分子量分布:1.300(试验例2-15)
重均分子量:46929,分子量分布:1.284(试验例2-16)
重均分子量:46900,分子量分布:1.284(试验例2-17)
重均分子量:47754,分子量分布:1.293(试验例2-18)
重均分子量:46746,分子量分布:1.302(试验例2-19)
重均分子量:47502,分子量分布:1.313(试验例2-20)
重均分子量:46929,分子量分布:1.284(试验例2-21)
重均分子量:47730,分子量分布:1.291(试验例2-22)
重均分子量:47275,分子量分布:1.301(试验例2-23)
重均分子量:45765,分子量分布:1.318(试验例2-24)
重均分子量:45769,分子量分布:1.317(试验例2-25)
重均分子量:46929,分子量分布:1.284(试验例2-26)
重均分子量:47656,分子量分布:1.299(试验例2-27)
重均分子量:46846,分子量分布:1.306(试验例2-28)
重均分子量:45478,分子量分布:1.318(试验例2-29)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量的保持率
保持率:102.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-2)
保持率:102.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-3)
保持率:101.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-4)
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-5)
保持率:100.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-6)
保持率:101.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-7)
保持率:102.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-8)
保持率:100.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-9)
保持率:101.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-11)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-12)
保持率:101.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-13)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-14)
保持率:99.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-16)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-17)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-18)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-19)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-21)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-22)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-23)
保持率:96.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-24)
保持率:96.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-25)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-26)
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-27)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-28)
保持率:96.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-29)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例2-2~2-29)
(试验例2-30~2-34)
代替试验例2-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在110℃加热10分钟(试验例2-30)、120℃加热7.5分钟(试验例2-31)、130℃加热5分钟(试验例2-32)、140℃加热3分钟(试验例2-33)、150℃加热1分钟(试验例2-34)的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例2-30~2-34)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48511,分子量分布:1.283(试验例2-30)
重均分子量:48564,分子量分布:1.286(试验例2-31)
重均分子量:47869,分子量分布:1.276(试验例2-32)
重均分子量:47271,分子量分布:1.285(试验例2-33)
重均分子量:46929,分子量分布:1.284(试验例2-34)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-30)
保持率:102.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-31)
保持率:101.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-32)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-33)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例2-34)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例2-30~2-34)
(试验例2-35)
代替试验例2-1中进行的在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:45087,分子量分布:1.323
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.3%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
实施例3
(试验例3-1)
代替试验例1-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸正丁酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在100℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51701,分子量分布:1.400
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例3-2~3-31)
代替试验例3-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在110℃加热7.5分钟(试验例3-2)、110℃加热10分钟(试验例3-3)、120℃加热5分钟(试验例3-4)、120℃加热7.5分钟(试验例3-5)、120℃加热10分钟(试验例3-6)、130℃加热3分钟(试验例3-7)、130℃加热5分钟(试验例3-8)、130℃加热7.5分钟(试验例3-9)、130℃加热10分钟(试验例3-10)、140℃加热1分钟(试验例3-11)、140℃加热3分钟(试验例3-12)、140℃加热5分钟(试验例3-13)、140℃加热7.5分钟(试验例3-14)、140℃加热10分钟(试验例3-15)、150℃加热1分钟(试验例3-16)、150℃加热3分钟(试验例3-17)、150℃加热5分钟(试验例3-18)、150℃加热7.5分钟(试验例3-19)、150℃加热10分钟(试验例3-20)、160℃加热1分钟(试验例3-21)、160℃加热3分钟(试验例3-22)、160℃加热5分钟(试验例3-23)、160℃加热7.5分钟(试验例3-24)、160℃加热10分钟(试验例3-25)、170℃加热1分钟(试验例3-26)、170℃加热3分钟(试验例3-27)、170℃加热5分钟(试验例3-28)、180℃加热1分钟(试验例3-29)、180℃加热3分钟(试验例3-30)、190℃加热1分钟(试验例3-31)的前烘工序,除此之外,与试验例3-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果如下文和图2B所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例3-2~3-31)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51693,分子量分布:1.400(试验例3-2)
重均分子量:51701,分子量分布:1.400(试验例3-3)
重均分子量:51352,分子量分布:1.400(试验例3-4)
重均分子量:51693,分子量分布:1.400(试验例3-5)
重均分子量:51701,分子量分布:1.400(试验例3-6)
重均分子量:50919,分子量分布:1.404(试验例3-7)
重均分子量:50621,分子量分布:1.406(试验例3-8)
重均分子量:50985,分子量分布:1.406(试验例3-9)
重均分子量:50839,分子量分布:1.403(试验例3-10)
重均分子量:51125,分子量分布:1.400(试验例3-11)
重均分子量:50125,分子量分布:1.404(试验例3-12)
重均分子量:50763,分子量分布:1.407(试验例3-13)
重均分子量:50569,分子量分布:1.407(试验例3-14)
重均分子量:50528,分子量分布:1.405(试验例3-15)
重均分子量:51125,分子量分布:1.401(试验例3-16)
重均分子量:50919,分子量分布:1.412(试验例3-17)
重均分子量:50926,分子量分布:1.436(试验例3-18)
重均分子量:50790,分子量分布:1.436(试验例3-19)
重均分子量:50626,分子量分布:1.416(试验例3-20)
重均分子量:51125,分子量分布:1.413(试验例3-21)
重均分子量:50684,分子量分布:1.414(试验例3-22)
重均分子量:50485,分子量分布:1.417(试验例3-23)
重均分子量:50386,分子量分布:1.417(试验例3-24)
重均分子量:50424,分子量分布:1.422(试验例3-25)
重均分子量:51125,分子量分布:1.418(试验例3-26)
重均分子量:49772,分子量分布:1.415(试验例3-27)
重均分子量:50400,分子量分布:1.437(试验例3-28)
重均分子量:51125,分子量分布:1.417(试验例3-29)
重均分子量:50251,分子量分布:1.448(试验例3-30)
重均分子量:51125,分子量分布:1.437(试验例3-31)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-2)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-3)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-4)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-5)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-6)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-7)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-8)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-9)
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-11)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-12)
保持率:98.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-13)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-14)
保持率:98.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-16)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-17)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-18)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-19)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-21)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-22)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-23)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-24)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-25)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-26)
保持率:96.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-27)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-28)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-29)
保持率:97.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-30)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-31)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例3-2~3-31)
(试验例3-32~3-36)
代替试验例3-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在90℃加热10分钟(试验例3-32)、100℃加热7.5分钟(试验例3-33)、110℃加热5分钟(试验例3-34)、120℃加热3分钟(试验例3-35)、130℃加热1分钟(试验例3-36)的前烘工序,除此之外,与试验例3-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例3-32~3-36)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51701,分子量分布:1.400(试验例3-32)
重均分子量:51693,分子量分布:1.400(试验例3-33)
重均分子量:51352,分子量分布:1.400(试验例3-34)
重均分子量:51185,分子量分布:1.402(试验例3-35)
重均分子量:51125,分子量分布:1.404(试验例3-36)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-32)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-33)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-34)
保持率:99.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-35)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例3-36)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例3-32~3-36)
(试验例3-37~3-40)
代替试验例3-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热7.5分钟(试验例3-37)、170℃加热10分钟(试验例3-38)、180℃加热5分钟(试验例3-39)、190℃加热3分钟(试验例3-40)的前烘工序,除此之外,与试验例3-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例3-37~3-40)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49097,分子量分布:1.437(试验例3-37)
重均分子量:48745,分子量分布:1.451(试验例3-38)
重均分子量:47836,分子量分布:1.456(试验例3-39)
重均分子量:48405,分子量分布:1.462(试验例3-40)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.3%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例3-37)
保持率:94.6%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例3-38)
保持率:92.8%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例3-39)
保持率:93.9%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例3-40)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例3-37~3-40)
实施例4
(试验例4-1)
代替试验例2-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸正丁酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在100℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3B。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果示于下文和图3B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48624,分子量分布:1.283
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例4-2~4-39)
代替试验例4-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在110℃加热7.5分钟(试验例4-2)、110℃加热10分钟(试验例4-3)、120℃加热5分钟(试验例4-4)、120℃加热7.5分钟(试验例4-5)、120℃加热10分钟(试验例4-6)、130℃加热3分钟(试验例4-7)、130℃加热5分钟(试验例4-8)、130℃加热7.5分钟(试验例4-9)、130℃加热10分钟(试验例4-10)、140℃加热1分钟(试验例4-11)、140℃加热3分钟(试验例4-12)、140℃加热5分钟(试验例4-13)、140℃加热7.5分钟(试验例4-14)、140℃加热10分钟(试验例4-15)、150℃加热1分钟(试验例4-16)、150℃加热3分钟(试验例4-17)、150℃加热5分钟(试验例4-18)、150℃加热7.5分钟(试验例4-19)、150℃加热10分钟(试验例4-20)、160℃加热1分钟(试验例4-21)、160℃加热3分钟(试验例4-22)、160℃加热5分钟(试验例4-23)、160℃加热7.5分钟(试验例4-24)、160℃加热10分钟(试验例4-25)、170℃加热1分钟(试验例4-26)、170℃加热3分钟(试验例4-27)、170℃加热5分钟(试验例4-28)、170℃加热7.5分钟(试验例4-29)、170℃加热10分钟(试验例4-30)、180℃加热1分钟(试验例4-31)、180℃加热3分钟(试验例4-32)、180℃加热5分钟(试验例4-33)、180℃加热7.5分钟(试验例4-34)、180℃加热10分钟(试验例4-35)、190℃加热1分钟(试验例4-36)、190℃加热3分钟(试验例4-37)、190℃加热5分钟(试验例4-38)、190℃加热7.5分钟(试验例4-39)的前烘工序,除此之外,与试验例4-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例4-2~4-39)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48667,分子量分布:1.286(试验例4-2)
重均分子量:48624,分子量分布:1.283(试验例4-3)
重均分子量:48622,分子量分布:1.288(试验例4-4)
重均分子量:48667,分子量分布:1.286(试验例4-5)
重均分子量:48624,分子量分布:1.283(试验例4-6)
重均分子量:47276,分子量分布:1.289(试验例4-7)
重均分子量:47824,分子量分布:1.276(试验例4-8)
重均分子量:48686,分子量分布:1.285(试验例4-9)
重均分子量:48624,分子量分布:1.282(试验例4-10)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-11)
重均分子量:47276,分子量分布:1.285(试验例4-12)
重均分子量:48066,分子量分布:1.283(试验例4-13)
重均分子量:47711,分子量分布:1.285(试验例4-14)
重均分子量:47461,分子量分布:1.284(试验例4-15)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-16)
重均分子量:47979,分子量分布:1.288(试验例4-17)
重均分子量:48335,分子量分布:1.285(试验例4-18)
重均分子量:47793,分子量分布:1.288(试验例4-19)
重均分子量:47940,分子量分布:1.291(试验例4-20)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-21)
重均分子量:47744,分子量分布:1.282(试验例4-22)
重均分子量:47923,分子量分布:1.288(试验例4-23)
重均分子量:47362,分子量分布:1.292(试验例4-24)
重均分子量:47177,分子量分布:1.300(试验例4-25)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-26)
重均分子量:46905,分子量分布:1.284(试验例4-27)
重均分子量:47709,分子量分布:1.293(试验例4-28)
重均分子量:46845,分子量分布:1.302(试验例4-29)
重均分子量:46610,分子量分布:1.313(试验例4-30)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-31)
重均分子量:47734,分子量分布:1.291(试验例4-32)
重均分子量:47231,分子量分布:1.301(试验例4-33)
重均分子量:45862,分子量分布:1.318(试验例4-34)
重均分子量:45875,分子量分布:1.317(试验例4-35)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-36)
重均分子量:47661,分子量分布:1.299(试验例4-37)
重均分子量:46802,分子量分布:1.306(试验例4-38)
重均分子量:45574,分子量分布:1.318(试验例4-39)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-2)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-3)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-4)
保持率:102.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-5)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-6)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-7)
保持率:101.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-8)
保持率:102.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-9)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-11)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-12)
保持率:101.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-13)
保持率:100.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-14)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-16)
保持率:101.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-17)
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-18)
保持率:101.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-19)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-21)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-22)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-23)
保持率:100.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-24)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-25)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-26)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-27)
保持率:100.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-28)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-29)
保持率:98.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-30)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-31)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-32)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-33)
保持率:96.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-34)
保持率:97.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-35)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-36)
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-37)
保持率:98.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-38)
保持率:96.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-39)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例4-2~4-39)
(试验例4-40~试验例4-44)
代替试验例4-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在90℃加热10分钟(试验例4-40)、100℃加热7.5分钟(试验例4-41)、110℃加热5分钟(试验例4-42)、120℃加热3分钟(试验例4-43)、130℃加热1分钟(试验例4-44)的前烘工序,除此之外,与试验例4-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48624,分子量分布:1.283(试验例4-40)
重均分子量:48667,分子量分布:1.286(试验例4-41)
重均分子量:48622,分子量分布:1.288(试验例4-42)
重均分子量:47044,分子量分布:1.285(试验例4-43)
重均分子量:46947,分子量分布:1.284(试验例4-44)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量的保持率
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-40)
保持率:102.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-41)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-42)
保持率:99.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-43)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例4-44)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例4-40~4-44)
(试验例4-45)
代替试验例4-1中进行的在100℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例4-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3B。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:45191,分子量分布:1.323
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.5%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
实施例5
(试验例5-1)
代替试验例1-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸异丁酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在90℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2C。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下文和图2C所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51685,分子量分布:1.400
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例5-2~试验例5-36)
代替试验例5-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热7.5分钟(试验例5-2)、100℃加热10分钟(试验例5-3)、110℃加热5分钟(试验例5-4)、110℃加热7.5分钟(试验例5-5)、110℃加热10分钟(试验例5-6)、120℃加热3分钟(试验例5-7)、120℃加热5分钟(试验例5-8)、120℃加热7.5分钟(试验例5-9)、120℃加热10分钟(试验例5-10)、130℃加热1分钟(试验例5-11)、130℃加热3分钟(试验例5-12)、130℃加热5分钟(试验例5-13)、130℃加热7.5分钟(试验例5-14)、130℃加热10分钟(试验例5-15)、140℃加热1分钟(试验例5-16)、140℃加热3分钟(试验例5-17)、140℃加热5分钟(试验例5-18)、140℃加热7.5分钟(试验例5-19)、140℃加热10分钟(试验例5-20)、150℃加热1分钟(试验例5-21)、150℃加热3分钟(试验例5-22)、150℃加热5分钟(试验例5-23)、150℃加热7.5分钟(试验例3-24)、150℃加热10分钟(试验例5-25)、160℃加热1分钟(试验例5-26)、160℃加热3分钟(试验例5-27)、160℃加热5分钟(试验例5-28)、160℃加热7.5分钟(试验例5-29)、160℃加热10分钟(试验例5-30)、170℃加热1分钟(试验例5-31)、170℃加热3分钟(试验例5-32)、170℃加热5分钟(试验例5-33)、180℃加热1分钟(试验例5-34)、180℃加热3分钟(试验例5-35)、190℃加热1分钟(试验例5-36)的前烘工序,除此之外,与试验例5-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例5-2~试验例5-36)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51745,分子量分布:1.400(试验例5-2)
重均分子量:51745,分子量分布:1.400(试验例5-3)
重均分子量:51284,分子量分布:1.402(试验例5-4)
重均分子量:51745,分子量分布:1.400(试验例5-5)
重均分子量:51685,分子量分布:1.400(试验例5-6)
重均分子量:51082,分子量分布:1.409(试验例5-7)
重均分子量:51284,分子量分布:1.402(试验例5-8)
重均分子量:51745,分子量分布:1.400(试验例5-9)
重均分子量:51685,分子量分布:1.400(试验例5-10)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-11)
重均分子量:50817,分子量分布:1.404(试验例5-12)
重均分子量:50554,分子量分布:1.404(试验例5-13)
重均分子量:51036,分子量分布:1.406(试验例5-14)
重均分子量:50824,分子量分布:1.402(试验例5-15)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-16)
重均分子量:50024,分子量分布:1.400(试验例5-17)
重均分子量:50696,分子量分布:1.404(试验例5-18)
重均分子量:50620,分子量分布:1.407(试验例5-19)
重均分子量:50513,分子量分布:1.410(试验例5-20)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-21)
重均分子量:50817,分子量分布:1.401(试验例5-22)
重均分子量:50859,分子量分布:1.412(试验例5-23)
重均分子量:50841,分子量分布:1.436(试验例5-24)
重均分子量:50611,分子量分布:1.432(试验例5-25)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-26)
重均分子量:50582,分子量分布:1.413(试验例5-27)
重均分子量:50418,分子量分布:1.414(试验例5-28)
重均分子量:50437,分子量分布:1.417(试验例5-29)
重均分子量:50408,分子量分布:1.416(试验例5-30)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-31)
重均分子量:49672,分子量分布:1.418(试验例5-32)
重均分子量:50334,分子量分布:1.415(试验例5-33)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-34)
重均分子量:50150,分子量分布:1.417(试验例5-35)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-36)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-2)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-3)
保持率:99.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-4)
保持率:100.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-5)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-6)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-7)
保持率:99.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-8)
保持率:100.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-9)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-10)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-11)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-12)
保持率:98.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-13)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-14)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-15)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-16)
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-17)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-18)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-19)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-20)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-21)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-22)
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-23)
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-24)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-25)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-26)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-27)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-28)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-29)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-30)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-31)
保持率:96.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-32)
保持率:97.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-33)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-34)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-35)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-36)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例5-2~试验例5-36)
(试验例5-37~5-40)
代替试验例5-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在90℃加热7.5分钟(试验例5-37)、100℃加热5分钟(试验例5-38)、110℃加热3分钟(试验例5-39)、120℃加热1分钟(试验例5-40)的前烘工序,除此之外,与试验例5-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例5-37~5-40)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51745,分子量分布:1.400(试验例5-37)
重均分子量:51284,分子量分布:1.402(试验例5-38)
重均分子量:51082,分子量分布:1.409(试验例5-39)
重均分子量:51007,分子量分布:1.403(试验例5-40)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-37)
保持率:99.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-38)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-39)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例5-40)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例5-37~5-40)
(试验例5-41~5-44)
代替试验例5-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热7.5分钟(试验例5-41)、170℃加热10分钟(试验例5-42)、180℃加热5分钟(试验例5-43)、190℃加热3分钟(试验例5-44)的前烘工序,除此之外,与试验例5-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例5-41~试验例5-44)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49012,分子量分布:1.441(试验例5-41)
重均分子量:48023,分子量分布:1.454(试验例5-42)
重均分子量:48121,分子量分布:1.435(试验例5-43)
重均分子量:48307,分子量分布:1.437(试验例5-44)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.1%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例5-41)
保持率:93.2%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例5-42)
保持率:93.4%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例5-43)
保持率:93.8%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例5-44)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例5-41~试验例5-44)
实施例6
(试验例6-1)
代替试验例2-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸异丁酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在90℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于文和图3C。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果示于下文和图3C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48980,分子量分布:1.283
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:103.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例6-2~6-44)
代替试验例6-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热7.5分钟(试验例6-2)、100℃加热10分钟(试验例6-3)、110℃加热5分钟(试验例6-4)、110℃加热7.5分钟(试验例6-5)、110℃加热10分钟(试验例6-6)、120℃加热3分钟(试验例6-7)、120℃加热5分钟(试验例6-8)、120℃加热7.5分钟(试验例6-9)、120℃加热10分钟(试验例6-10)、130℃加热1分钟(试验例6-11)、130℃加热3分钟(试验例6-12)、130℃加热5分钟(试验例6-13)、130℃加热7.5分钟(试验例6-14)、130℃加热10分钟(试验例6-15)、140℃加热1分钟(试验例6-16)、140℃加热3分钟(试验例6-17)、140℃加热5分钟(试验例6-18)、140℃加热7.5分钟(试验例6-19)、140℃加热10分钟(试验例6-20)、150℃加热1分钟(试验例6-21)、150℃加热3分钟(试验例6-22)、150℃加热5分钟(试验例6-23)、150℃加热7.5分钟(试验例6-24)、150℃加热10分钟(试验例6-25)、160℃加热1分钟(试验例6-26)、160℃加热3分钟(试验例6-27)、160℃加热5分钟(试验例6-28)、160℃加热7.5分钟(试验例6-29)、160℃加热10分钟(试验例6-30)、170℃加热1分钟(试验例6-31)、170℃加热3分钟(试验例6-32)、170℃加热5分钟(试验例6-33)、170℃加热7.5分钟(试验例6-34)、170℃加热10分钟(试验例6-35)、180℃加热1分钟(试验例6-36)、180℃加热3分钟(试验例6-37)、180℃加热5分钟(试验例6-38)、180℃加热7.5分钟(试验例6-39)、180℃加热10分钟(试验例6-40)、190℃加热1分钟(试验例6-41)、190℃加热3分钟(试验例6-42)、190℃加热5分钟(试验例6-43)、190℃加热7.5分钟(试验例6-44)的前烘工序,除此之外,与试验例6-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例6-2~6-44)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49001,分子量分布:1.283(试验例6-2)
重均分子量:48980,分子量分布:1.283(试验例6-3)
重均分子量:49055,分子量分布:1.286(试验例6-4)
重均分子量:49001,分子量分布:1.283(试验例6-5)
重均分子量:48980,分子量分布:1.283(试验例6-6)
重均分子量:48999,分子量分布:1.288(试验例6-7)
重均分子量:49055,分子量分布:1.286(试验例6-8)
重均分子量:49001,分子量分布:1.283(试验例6-9)
重均分子量:48980,分子量分布:1.283(试验例6-10)
重均分子量:47547,分子量分布:1.289(试验例6-11)
重均分子量:48195,分子量分布:1.276(试验例6-12)
重均分子量:49074,分子量分布:1.285(试验例6-13)
重均分子量:49001,分子量分布:1.282(试验例6-14)
重均分子量:48552,分子量分布:1.284(试验例6-15)
重均分子量:47547,分子量分布:1.285(试验例6-16)
重均分子量:48438,分子量分布:1.283(试验例6-17)
重均分子量:48091,分子量分布:1.285(试验例6-18)
重均分子量:47829,分子量分布:1.284(试验例6-19)
重均分子量:47664,分子量分布:1.285(试验例6-20)
重均分子量:48254,分子量分布:1.288(试验例6-21)
重均分子量:48710,分子量分布:1.285(试验例6-22)
重均分子量:48174,分子量分布:1.288(试验例6-23)
重均分子量:48312,分子量分布:1.291(试验例6-24)
重均分子量:48317,分子量分布:1.289(试验例6-25)
重均分子量:48018,分子量分布:1.282(试验例6-26)
重均分子量:48294,分子量分布:1.288(试验例6-27)
重均分子量:47739,分子量分布:1.292(试验例6-28)
重均分子量:47543,分子量分布:1.300(试验例6-29)
重均分子量:47127,分子量分布:1.299(试验例6-30)
重均分子量:47174,分子量分布:1.284(试验例6-31)
重均分子量:48079,分子量分布:1.293(试验例6-32)
重均分子量:47218,分子量分布:1.302(试验例6-33)
重均分子量:46972,分子量分布:1.313(试验例6-34)
重均分子量:46546,分子量分布:1.310(试验例6-35)
重均分子量:48008,分子量分布:1.291(试验例6-36)
重均分子量:47597,分子量分布:1.301(试验例6-37)
重均分子量:46227,分子量分布:1.318(试验例6-38)
重均分子量:46231,分子量分布:1.317(试验例6-39)
重均分子量:46266,分子量分布:1.322(试验例6-40)
重均分子量:47934,分子量分布:1.299(试验例6-41)
重均分子量:47165,分子量分布:1.306(试验例6-42)
重均分子量:45937,分子量分布:1.318(试验例6-43)
重均分子量:45743,分子量分布:1.329(试验例6-44)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-2)
保持率:103.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-3)
保持率:103.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-4)
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-5)
保持率:103.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-6)
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-7)
保持率:103.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-8)
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-9)
保持率:103.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-10)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-11)
保持率:101.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-12)
保持率:103.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-13)
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-14)
保持率:102.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-15)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-16)
保持率:102.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-17)
保持率:101.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-18)
保持率:101.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-19)
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-20)
保持率:102.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-21)
保持率:103.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-22)
保持率:101.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-23)
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-24)
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-25)
保持率:101.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-26)
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-27)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-28)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-29)
保持率:99.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-30)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-31)
保持率:101.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-32)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-33)
保持率:99.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-34)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-35)
保持率:101.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-36)
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-37)
保持率:97.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-38)
保持率:97.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-39)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-40)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-41)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-42)
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-43)
保持率:96.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-44)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例6-2~6-44)
(试验例6-45~6-48)
代替试验例6-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在90℃加热7.5分钟(试验例6-45)、100℃加热5分钟(试验例6-46)、110℃加热3分钟(试验例6-47)、120℃加热1分钟(试验例6-48)的前烘工序,除此之外,与试验例6-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例6-45~6-48)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49001,分子量分布:1.283(试验例6-45)
重均分子量:49055,分子量分布:1.286(试验例6-46)
重均分子量:48999,分子量分布:1.288(试验例6-47)
重均分子量:47314,分子量分布:1.285(试验例6-48)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-45)
保持率:103.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-46)
保持率:103.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-47)
保持率:100.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例6-48)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例6-45~6-48)
(试验例6-49)
代替试验例6-1中进行的在90℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例6-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3C。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:44504,分子量分布:1.347
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:94.1%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
实施例7
(试验例7-1)
代替试验例1-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸正戊酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在110℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2D。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下文和图2D所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51690,分子量分布:1.400
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例7-2~7-26)
代替试验例7-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在120℃加热7.5分钟(试验例7-2)、120℃加热10分钟(试验例7-3)、130℃加热5分钟(试验例7-4)、130℃加热7.5分钟(试验例7-5)、130℃加热10分钟(试验例7-6)、140℃加热3分钟(试验例7-7)、140℃加热5分钟(试验例7-8)、140℃加热7.5分钟(试验例7-9)、140℃加热10分钟(试验例7-10)、150℃加热1分钟(试验例7-11)、150℃加热3分钟(试验例7-12)、150℃加热5分钟(试验例7-13)、150℃加热7.5分钟(试验例7-14)、150℃加热10分钟(试验例7-15)、160℃加热1分钟(试验例7-16)、160℃加热3分钟(试验例7-17)、160℃加热5分钟(试验例7-18)、160℃加热7.5分钟(试验例7-19)、160℃加热10分钟(试验例7-20)、170℃加热1分钟(试验例7-21)、170℃加热3分钟(试验例7-22)、170℃加热5分钟(试验例7-23)、180℃加热1分钟(试验例7-24)、180℃加热3分钟(试验例7-25)、190℃加热1分钟(试验例7-26)的前烘工序,除此之外,与试验例7-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例7-2~7-26)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51808,分子量分布:1.400(试验例7-2)
重均分子量:51690,分子量分布:1.400(试验例7-3)
重均分子量:50620,分子量分布:1.404(试验例7-4)
重均分子量:51098,分子量分布:1.406(试验例7-5)
重均分子量:50829,分子量分布:1.402(试验例7-6)
重均分子量:50014,分子量分布:1.400(试验例7-7)
重均分子量:50762,分子量分布:1.404(试验例7-8)
重均分子量:50681,分子量分布:1.407(试验例7-9)
重均分子量:50518,分子量分布:1.410(试验例7-10)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-11)
重均分子量:50806,分子量分布:1.401(试验例7-12)
重均分子量:50926,分子量分布:1.412(试验例7-13)
重均分子量:50902,分子量分布:1.436(试验例7-14)
重均分子量:50616,分子量分布:1.432(试验例7-15)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-16)
重均分子量:50572,分子量分布:1.413(试验例7-17)
重均分子量:50484,分子量分布:1.414(试验例7-18)
重均分子量:50498,分子量分布:1.417(试验例7-19)
重均分子量:50414,分子量分布:1.416(试验例7-20)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-21)
重均分子量:49662,分子量分布:1.418(试验例7-22)
重均分子量:50400,分子量分布:1.415(试验例7-23)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-24)
重均分子量:50140,分子量分布:1.417(试验例7-25)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-26)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-2)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-3)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-4)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-5)
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-6)
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-7)
保持率:98.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-8)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-9)
保持率:98.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-10)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-11)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-12)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-13)
保持率:98.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-14)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-15)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-16)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-17)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-18)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-19)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-20)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-21)
保持率:96.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-22)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-23)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-24)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-25)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-26)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例7-2~7-26)
(试验例7-27~7-31)
代替试验例7-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热10分钟(试验例7-27)、110℃加热7.5分钟(试验例7-28)、120℃加热5分钟(试验例7-29)、130℃加热3分钟(试验例7-30)、140℃加热1分钟(试验例7-31)的前烘工序,除此之外,与试验例7-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例7-27~7-31)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51690,分子量分布:1.400(试验例7-27)
重均分子量:51808,分子量分布:1.400(试验例7-28)
重均分子量:51352,分子量分布:1.402(试验例7-29)
重均分子量:50806,分子量分布:1.404(试验例7-30)
重均分子量:51429,分子量分布:1.403(试验例7-31)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-27)
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-28)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-29)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-30)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例7-31)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例7-27~7-31)
(试验例7-32~7-35)
代替试验例7-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热7.5分钟(试验例7-32)、170℃加热10分钟(试验例7-33)、180℃加热5分钟(试验例7-34)、190℃加热3分钟(试验例7-35)的前烘工序,除此之外,与试验例7-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例7-32~7-35)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49206,分子量分布:1.437(试验例7-32)
重均分子量:48735,分子量分布:1.452(试验例7-33)
重均分子量:47836,分子量分布:1.448(试验例7-34)
重均分子量:48297,分子量分布:1.437(试验例7-35)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.5%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例7-32)
保持率:94.6%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例7-33)
保持率:92.8%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例7-34)
保持率:93.7%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例7-35)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例7-32~7-35)
实施例8
(试验例8-1)
代替试验例2-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸正戊酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在110℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3D。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下述和图3D所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48614,分子量分布:1.283
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例8-2~8-34)
代替试验例8-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在120℃加热7.5分钟(试验例8-2)、120℃加热10分钟(试验例8-3)、130℃加热5分钟(试验例8-4)、130℃加热7.5分钟(试验例8-5)、130℃加热10分钟(试验例8-6)、140℃加热3分钟(试验例8-7)、140℃加热5分钟(试验例8-8)、140℃加热7.5分钟(试验例8-9)、140℃加热10分钟(试验例8-10)、150℃加热1分钟(试验例8-11)、150℃加热3分钟(试验例8-12)、150℃加热5分钟(试验例8-13)、150℃加热7.5分钟(试验例8-14)、150℃加热10分钟(试验例8-15)、160℃加热1分钟(试验例8-16)、160℃加热3分钟(试验例8-17)、160℃加热5分钟(试验例8-18)、160℃加热7.5分钟(试验例8-19)、160℃加热10分钟(试验例8-20)、170℃加热1分钟(试验例8-21)、170℃加热3分钟(试验例8-22)、170℃加热5分钟(试验例8-23)、170℃加热7.5分钟(试验例8-24)、170℃加热10分钟(试验例8-25)、180℃加热1分钟(试验例8-26)、180℃加热3分钟(试验例8-27)、180℃加热5分钟(试验例8-28)、180℃加热7.5分钟(试验例8-29)、180℃加热10分钟(试验例8-30)、190℃加热1分钟(试验例8-31)、190℃加热3分钟(试验例8-32)、190℃加热5分钟(试验例8-33)、190℃加热7.5分钟(试验例8-34)的前烘工序,除此之外,与试验例8-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例8-2~8-34)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48775,分子量分布:1.286(试验例8-2)
重均分子量:48614,分子量分布:1.283(试验例8-3)
重均分子量:47824,分子量分布:1.285(试验例8-4)
重均分子量:48794,分子量分布:1.285(试验例8-5)
重均分子量:48614,分子量分布:1.284(试验例8-6)
重均分子量:47171,分子量分布:1.283(试验例8-7)
重均分子量:48065,分子量分布:1.285(试验例8-8)
重均分子量:47817,分子量分布:1.285(试验例8-9)
重均分子量:47451,分子量分布:1.285(试验例8-10)
重均分子量:47226,分子量分布:1.288(试验例8-11)
重均分子量:47873,分子量分布:1.285(试验例8-12)
重均分子量:48335,分子量分布:1.288(试验例8-13)
重均分子量:47899,分子量分布:1.288(试验例8-14)
重均分子量:47930,分子量分布:1.289(试验例8-15)
重均分子量:47226,分子量分布:1.282(试验例8-16)
重均分子量:47639,分子量分布:1.288(试验例8-17)
重均分子量:47922,分子量分布:1.292(试验例8-18)
重均分子量:47467,分子量分布:1.292(试验例8-19)
重均分子量:47167,分子量分布:1.299(试验例8-20)
重均分子量:47226,分子量分布:1.284(试验例8-21)
重均分子量:46801,分子量分布:1.293(试验例8-22)
重均分子量:47709,分子量分布:1.302(试验例8-23)
重均分子量:46949,分子量分布:1.302(试验例8-24)
重均分子量:46601,分子量分布:1.310(试验例8-25)
重均分子量:47226,分子量分布:1.291(试验例8-26)
重均分子量:47629,分子量分布:1.301(试验例8-27)
重均分子量:47231,分子量分布:1.318(试验例8-28)
重均分子量:45964,分子量分布:1.318(试验例8-29)
重均分子量:45866,分子量分布:1.314(试验例8-30)
重均分子量:47226,分子量分布:1.299(试验例8-31)
重均分子量:47555,分子量分布:1.306(试验例8-32)
重均分子量:46802,分子量分布:1.318(试验例8-33)
重均分子量:45675,分子量分布:1.318(试验例8-34)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:103.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-2)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-3)
保持率:101.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-4)
保持率:103.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-5)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-6)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-7)
保持率:101.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-8)
保持率:101.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-9)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-10)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-11)
保持率:101.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-12)
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-13)
保持率:101.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-14)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-15)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-16)
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-17)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-18)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-19)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-20)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-21)
保持率:98.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-22)
保持率:100.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-23)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-24)
保持率:98.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-25)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-26)
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-27)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-28)
保持率:97.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-29)
保持率:96.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-30)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-31)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-32)
保持率:98.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-33)
保持率:96.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-34)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例8-2~8-34)
(试验例8-35~8-39)
代替试验例8-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热10分钟(试验例8-35)、110℃加热7.5分钟(试验例8-36)、120℃加热5分钟(试验例8-37)、130℃加热3分钟(试验例8-38)、140℃加热1分钟(试验例8-39)的前烘工序,除此之外,与试验例8-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例8-35~8-39)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48614,分子量分布:1.283(试验例8-35)
重均分子量:48775,分子量分布:1.286(试验例8-36)
重均分子量:48622,分子量分布:1.286(试验例8-37)
重均分子量:47171,分子量分布:1.276(试验例8-38)
重均分子量:47226,分子量分布:1.285(试验例8-39)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-35)
保持率:103.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-36)
保持率:102.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-37)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-38)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例8-39)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例8-35~8-39)
(试验例8-40)
代替试验例8-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例8-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3D。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:45182,分子量分布:1.323
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.5%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
实施例9
(试验例9-1)
代替试验例1-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸异戊酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在110℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2E。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下文和图2E所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51347,分子量分布:1.400
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例9-2~9-29)
代替试验例9-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在120℃加热7.5分钟(试验例9-2)、120℃加热10分钟(试验例9-3)、130℃加热5分钟(试验例9-4)、130℃加热7.5分钟(试验例9-5)、130℃加热10分钟(试验例9-6)、140℃加热3分钟(试验例9-7)、140℃加热5分钟(试验例9-8)、140℃加热7.5分钟(试验例9-9)、140℃加热10分钟(试验例9-10)、150℃加热1分钟(试验例9-11)、150℃加热3分钟(试验例9-12)、150℃加热5分钟(试验例9-13)、150℃加热7.5分钟(试验例9-14)、150℃加热10分钟(试验例9-15)、160℃加热1分钟(试验例9-16)、160℃加热3分钟(试验例9-17)、160℃加热5分钟(试验例9-18)、160℃加热7.5分钟(试验例9-19)、160℃加热10分钟(试验例9-20)、170℃加热1分钟(试验例9-21)、170℃加热3分钟(试验例9-22)、170℃加热5分钟(试验例9-23)、170℃加热7.5分钟(试验例9-24)、180℃加热1分钟(试验例9-25)、180℃加热3分钟(试验例9-26)、180℃加热5分钟(试验例9-27)、190℃加热1分钟(试验例9-28)、190℃加热3分钟(试验例9-29)的前烘工序,除此之外,与试验例9-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2E。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例9-2~9-29)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51002,分子量分布:1.402(试验例9-2)
重均分子量:51347,分子量分布:1.400(试验例9-3)
重均分子量:50471,分子量分布:1.404(试验例9-4)
重均分子量:50276,分子量分布:1.404(试验例9-5)
重均分子量:50643,分子量分布:1.406(试验例9-6)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-7)
重均分子量:49684,分子量分布:1.400(试验例9-8)
重均分子量:50417,分子量分布:1.404(试验例9-9)
重均分子量:50230,分子量分布:1.407(试验例9-10)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-11)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-12)
重均分子量:50471,分子量分布:1.401(试验例9-13)
重均分子量:50580,分子量分布:1.412(试验例9-14)
重均分子量:50449,分子量分布:1.436(试验例9-15)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-16)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-17)
重均分子量:50239,分子量分布:1.413(试验例9-18)
重均分子量:50141,分子量分布:1.414(试验例9-19)
重均分子量:50048,分子量分布:1.417(试验例9-20)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-21)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-22)
重均分子量:49334,分子量分布:1.418(试验例9-23)
重均分子量:50057,分子量分布:1.415(试验例9-24)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-25)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-26)
重均分子量:49809,分子量分布:1.417(试验例9-27)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-28)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-29)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-2)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-3)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-4)
保持率:97.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-5)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-6)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-7)
保持率:96.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-8)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-9)
保持率:97.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-11)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-12)
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-13)
保持率:98.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-14)
保持率:97.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-16)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-17)
保持率:97.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-18)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-19)
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-21)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-22)
保持率:95.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-23)
保持率:97.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-24)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-25)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-26)
保持率:96.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-27)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-28)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-29)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例9-2~9-29)
(试验例9-30~9-34)
代替试验例9-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热10分钟(试验例9-30)、110℃加热7.5分钟(试验例9-31)、120℃加热5分钟(试验例9-32)、130℃加热3分钟(试验例9-33)、140℃加热1分钟(试验例9-34)的前烘工序,除此之外,与试验例9-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2E。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例9-30~9-34)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51347,分子量分布:1.400(试验例9-30)
重均分子量:51002,分子量分布:1.402(试验例9-31)
重均分子量:50734,分子量分布:1.409(试验例9-32)
重均分子量:51033,分子量分布:1.403(试验例9-33)
重均分子量:51115,分子量分布:1.403(试验例9-34)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-30)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-31)
保持率:98.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-32)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-33)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例9-34)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例9-30~9-34)
(试验例9-35~9-37)
代替试验例9-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热10分钟(试验例9-35)、180℃加热7.5分钟(试验例9-36)、190℃加热5分钟(试验例9-37)的前烘工序,除此之外,与试验例9-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2E。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48768,分子量分布:1.437(试验例9-35)
重均分子量:47511,分子量分布:1.448(试验例9-36)
重均分子量:47979,分子量分布:1.437(试验例9-37)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:94.7%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例9-35)
保持率:92.2%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例9-36)
保持率:93.1%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例9-37)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例9-35~9-37)
实施例10
(试验例10-1)
代替试验例2-1中使用的乙酸异戊酯而使用甲酸异戊酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在110℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3E。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下文和图3E所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48341,分子量分布:1.283
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例10-2~10-34)
代替试验例10-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在120℃加热7.5分钟(试验例10-2)、120℃加热10分钟(试验例10-3)、130℃加热5分钟(试验例10-4)、130℃加热7.5分钟(试验例10-5)、130℃加热10分钟(试验例10-6)、140℃加热3分钟(试验例10-7)、140℃加热5分钟(试验例10-8)、140℃加热7.5分钟(试验例10-9)、140℃加热10分钟(试验例10-10)、150℃加热1分钟(试验例10-11)、150℃加热3分钟(试验例10-12)、150℃加热5分钟(试验例10-13)、150℃加热7.5分钟(试验例10-14)、150℃加热10分钟(试验例10-15)、160℃加热1分钟(试验例10-16)、160℃加热3分钟(试验例10-17)、160℃加热5分钟(试验例10-18)、160℃加热7.5分钟(试验例10-19)、160℃加热10分钟(试验例10-20)、170℃加热1分钟(试验例10-21)、170℃加热3分钟(试验例10-22)、170℃加热5分钟(试验例10-23)、170℃加热7.5分钟(试验例10-24)、170℃加热10分钟(试验例10-25)、180℃加热1分钟(试验例10-26)、180℃加热3分钟(试验例10-27)、180℃加热5分钟(试验例10-28)、180℃加热7.5分钟(试验例10-29)、180℃加热10分钟(试验例10-30)、190℃加热1分钟(试验例10-31)、190℃加热3分钟(试验例10-32)、190℃加热5分钟(试验例10-33)、190℃加热7.5分钟(试验例10-34)而进行前烘工序,除此之外,与试验例10-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果如下文和图3E所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例10-2~10-34)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48291,分子量分布:1.288(试验例10-2)
重均分子量:48341,分子量分布:1.283(试验例10-3)
重均分子量:46860,分子量分布:1.285(试验例10-4)
重均分子量:47499,分子量分布:1.276(试验例10-5)
重均分子量:48360,分子量分布:1.284(试验例10-6)
重均分子量:46862,分子量分布:1.283(试验例10-7)
重均分子量:46860,分子量分布:1.285(试验例10-8)
重均分子量:47738,分子量分布:1.283(试验例10-9)
重均分子量:47391,分子量分布:1.285(试验例10-10)
重均分子量:46937,分子量分布:1.288(试验例10-11)
重均分子量:46862,分子量分布:1.285(试验例10-12)
重均分子量:47557,分子量分布:1.288(试验例10-13)
重均分子量:48006,分子量分布:1.285(试验例10-14)
重均分子量:47473,分子量分布:1.289(试验例10-15)
重均分子量:46937,分子量分布:1.282(试验例10-16)
重均分子量:46862,分子量分布:1.288(试验例10-17)
重均分子量:47324,分子量分布:1.292(试验例10-18)
重均分子量:47596,分子量分布:1.288(试验例10-19)
重均分子量:47044,分子量分布:1.299(试验例10-20)
重均分子量:46937,分子量分布:1.284(试验例10-21)
重均分子量:46862,分子量分布:1.293(试验例10-22)
重均分子量:46492,分子量分布:1.302(试验例10-23)
重均分子量:47384,分子量分布:1.293(试验例10-24)
重均分子量:46531,分子量分布:1.310(试验例10-25)
重均分子量:46937,分子量分布:1.291(试验例10-26)
重均分子量:46862,分子量分布:1.301(试验例10-27)
重均分子量:47314,分子量分布:1.318(试验例10-28)
重均分子量:46909,分子量分布:1.301(试验例10-29)
重均分子量:45554,分子量分布:1.314(试验例10-30)
重均分子量:46937,分子量分布:1.299(试验例10-31)
重均分子量:46862,分子量分布:1.306(试验例10-32)
重均分子量:47241,分子量分布:1.318(试验例10-33)
重均分子量:46943,分子量分布:1.319(试验例10-34)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-2)
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-3)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-4)
保持率:100.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-5)
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-6)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-7)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-8)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-9)
保持率:100.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-10)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-11)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-12)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-13)
保持率:101.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-14)
保持率:100.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-15)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-16)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-17)
保持率:100.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-18)
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-19)
保持率:99.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-20)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-21)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-22)
保持率:98.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-23)
保持率:100.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-24)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-25)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-26)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-27)
保持率:100.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-28)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-29)
保持率:96.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-30)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-31)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-32)
保持率:99.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-33)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-34)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例10-2~10-34)
(试验例10-35~10-39)
代替试验例10-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在100℃加热10分钟(试验例10-35)、110℃加热7.5分钟(试验例10-36)、120℃加热5分钟(试验例10-37)、130℃加热3分钟(试验例10-38)、140℃加热1分钟(试验例10-39)的前烘工序,除此之外,与试验例10-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3E。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例10-35~10-39)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48341,分子量分布:1.283(试验例10-35)
重均分子量:48291,分子量分布:1.288(试验例10-36)
重均分子量:46630,分子量分布:1.286(试验例10-37)
重均分子量:46862,分子量分布:1.276(试验例10-38)
重均分子量:46937,分子量分布:1.285(试验例10-39)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-35)
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-36)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-37)
保持率:99.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-38)
保持率:99.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例10-39)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例10-35~10-39)
(试验例10-40)
代替试验例10-1中进行的在110℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例10-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3E。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:45269,分子量分布:1.323
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.7%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
实施例11
(试验例11-1)
代替试验例1-1中使用的乙酸异戊酯而使用乙酸正己酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在150℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例1-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A~图2E的下图。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果如下文和图2A~图2E的下图所示。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:50473,分子量分布:1.416
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:98.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例11-2~11-9)
代替试验例11-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在160℃加热3分钟(试验例11-2)、160℃加热5分钟(试验例11-3)、160℃加热7.5分钟(试验例11-4)、160℃加热10分钟(试验例11-5)、170℃加热1分钟(试验例11-6)、170℃加热3分钟(试验例11-7)、170℃加热5分钟(试验例11-8)、180℃加热1分钟(试验例11-9)的前烘工序,除此之外,与试验例11-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A~E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例11-2~11-9)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:50876,分子量分布:1.414(试验例11-2)
重均分子量:50787,分子量分布:1.417(试验例11-3)
重均分子量:50815,分子量分布:1.416(试验例11-4)
重均分子量:50146,分子量分布:1.422(试验例11-5)
重均分子量:50057,分子量分布:1.418(试验例11-6)
重均分子量:50791,分子量分布:1.415(试验例11-7)
重均分子量:49488,分子量分布:1.437(试验例11-8)
重均分子量:50539,分子量分布:1.417(试验例11-9)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:98.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-2)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-3)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-4)
保持率:97.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-5)
保持率:97.2%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-6)
保持率:98.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-7)
保持率:96.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-8)
保持率:98.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-9)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例11-2~11-9)
(试验例11-10~11-14)
代替试验例11-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在140℃加热10分钟(试验例11-10)、150℃加热3分钟(试验例11-11)、150℃加热5分钟(试验例11-12)、150℃加热7.5分钟(试验例11-13)、160℃加热1分钟(试验例11-14)的前烘工序,除此之外,与试验例11-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A~E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例11-10~11-14)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:50032,分子量分布:1.405(试验例11-10)
重均分子量:51321,分子量分布:1.412(试验例11-11)
重均分子量:51194,分子量分布:1.436(试验例11-12)
重均分子量:51019,分子量分布:1.432(试验例11-13)
重均分子量:50975,分子量分布:1.413(试验例11-14)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-10)
保持率:99.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-11)
保持率:99.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-12)
保持率:99.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-13)
保持率:98.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例11-14)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例11-10~11-14)
(试验例11-15~11-21)
代替试验例11-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在170℃加热7.5分钟(试验例11-15)、170℃加热10分钟(试验例11-16)、180℃加热3分钟(试验例11-17)、180℃加热5分钟(试验例11-18)、180℃加热7.5分钟(试验例11-19)、180℃加热10分钟(试验例11-20)、190℃加热1分钟(试验例11-21)的前烘工序,除此之外,与试验例11-1同样地进行“聚合物(F5)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图2A~E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:51522,分子量分布:1.403(试验例11-15~11-21)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:49123,分子量分布:1.452(试验例11-15)
重均分子量:47611,分子量分布:1.451(试验例11-16)
重均分子量:48207,分子量分布:1.448(试验例11-17)
重均分子量:47986,分子量分布:1.456(试验例11-18)
重均分子量:47234,分子量分布:1.451(试验例11-19)
重均分子量:46987,分子量分布:1.463(试验例11-20)
重均分子量:48682,分子量分布:1.437(试验例11-21)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.3%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-15)
保持率:92.4%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-16)
保持率:93.6%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-17)
保持率:93.1%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-18)
保持率:91.7%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-19)
保持率:91.2%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-20)
保持率:94.5%,保持率评价结果:B(保持率小)(试验例11-21)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例11-15~11-21)
实施例12
(试验例12-1)
代替试验例2-1中使用的乙酸异戊酯而使用乙酸正己酯,此外,代替在120℃加热10分钟的前烘工序,进行在150℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例2-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A~图3E的下图。
<测定评价结果>
测定的重均分子量和分子量分布、重均分子量保持率的评价结果以及密合性的评价结果示于下文和图3A~图3E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48317,分子量分布:1.289
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
(试验例12-2~试验例12-19)
代替试验例12-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在160℃加热3分钟(试验例12-2)、160℃加热5分钟(试验例12-3)、160℃加热7.5分钟(试验例12-4)、160℃加热10分钟(试验例12-5)、170℃加热1分钟(试验例12-6)、170℃加热3分钟(试验例12-7)、170℃加热5分钟(试验例12-8)、170℃加热7.5分钟(试验例12-9)、170℃加热10分钟(试验例12-10)、180℃加热1分钟(试验例12-11)、180℃加热3分钟(试验例12-12)、180℃加热5分钟(试验例12-13)、180℃加热7.5分钟(试验例12-14)、180℃加热10分钟(试验例12-15)、190℃加热1分钟(试验例12-16)、190℃加热3分钟(试验例12-17)、190℃加热5分钟(试验例12-18)、190℃加热7.5分钟(试验例12-19)的前烘工序,除此之外,与试验例12-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A~图3E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284(试验例12-2~试验例12-19)
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:48294,分子量分布:1.288(试验例12-2)
重均分子量:47739,分子量分布:1.292(试验例12-3)
重均分子量:47543,分子量分布:1.300(试验例12-4)
重均分子量:47127,分子量分布:1.299(试验例12-5)
重均分子量:47174,分子量分布:1.284(试验例12-6)
重均分子量:48079,分子量分布:1.293(试验例12-7)
重均分子量:47218,分子量分布:1.302(试验例12-8)
重均分子量:46972,分子量分布:1.313(试验例12-9)
重均分子量:46546,分子量分布:1.310(试验例12-10)
重均分子量:48008,分子量分布:1.291(试验例12-11)
重均分子量:47597,分子量分布:1.301(试验例12-12)
重均分子量:46227,分子量分布:1.318(试验例12-13)
重均分子量:46231,分子量分布:1.317(试验例12-14)
重均分子量:46266,分子量分布:1.314(试验例12-15)
重均分子量:47934,分子量分布:1.299(试验例12-16)
重均分子量:47165,分子量分布:1.306(试验例12-17)
重均分子量:45937,分子量分布:1.318(试验例12-18)
重均分子量:45542,分子量分布:1.323(试验例12-19)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-2)
保持率:100.9%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-3)
保持率:100.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-4)
保持率:99.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-5)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-6)
保持率:101.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-7)
保持率:99.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-8)
保持率:99.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-9)
保持率:98.4%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-10)
保持率:101.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-11)
保持率:100.6%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-12)
保持率:97.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-13)
保持率:97.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-14)
保持率:97.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-15)
保持率:101.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-16)
保持率:99.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-17)
保持率:97.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-18)
保持率:96.3%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-19)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)(试验例12-2~试验例12-19)
(试验例12-20~试验例12-24)
代替试验例12-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,分别进行在140℃加热10分钟(试验例12-20)、150℃加热3分钟(试验例12-21)、150℃加热5分钟(试验例12-22)、150℃加热7.5分钟(试验例12-23)、160℃加热1分钟(试验例12-24)的前烘工序,除此之外,与试验例12-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A~图3E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47664,分子量分布:1.285(试验例12-20)
重均分子量:48710,分子量分布:1.285(试验例12-21)
重均分子量:48174,分子量分布:1.288(试验例12-22)
重均分子量:48312,分子量分布:1.291(试验例12-23)
重均分子量:48018,分子量分布:1.282(试验例12-24)
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:100.7%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-20)
保持率:103.0%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-21)
保持率:101.8%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-22)
保持率:102.1%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-23)
保持率:101.5%,保持率评价结果:A(保持率大,良好)(试验例12-24)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:B(密合性低)(试验例12-20~12-24)
(试验例12-25)
代替试验例12-1中进行的在150℃加热10分钟的前烘工序,进行在190℃加热10分钟的前烘工序,除此之外,与试验例12-1同样地进行“聚合物(F6)的制备”、“正型抗蚀剂组合物的制备”、“抗蚀剂图案的形成”,进行同样的测定或评价。结果示于下文和图3A~图3E的下图。
(i)制备的聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:47311,分子量分布:1.284
(ii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物的重均分子量和分子量分布
重均分子量:45219,分子量分布:1.323
(iii)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜中聚合物重均分子量的保持率
保持率:95.6%,保持率评价结果:B(保持率小)
(iv)经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性
密合性评价结果:A(密合性良好)
由图2A~E可知,包含具有规定的单体单元的规定的聚合物(F5)和选自乙酸异戊酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯中的至少一种作为溶剂的正型抗蚀剂组合物(图2A~E的上图:实施例1、3、5、7、9),相比于包含具有规定的单体单元的规定的聚合物(F5)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物(图2A~E的下图:比较例1),能够以更广范围的前烘温度T和前烘时间t(更低温侧的范围的前烘温度T),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
由图3A~E可知,包含具有规定的单体单元的规定的聚合物(F6)和选自乙酸异戊酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯中的至少一种作为溶剂的正型抗蚀剂组合物(图3A~E的上图:实施例2、4、6、8、10),相比于包含具有规定的单体单元的规定的聚合物(F6)和乙酸正己酯的正型抗蚀剂组合物(图3A~E的下图:比较例2),能够以更广范围的前烘温度T和前烘时间t(更低温侧的范围的前烘温度T),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且可以降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
产业上的可利用性
根据本发明的正型抗蚀剂组合物,能够以更广范围的、前烘工序中的加热温度和加热时间(更低温侧的范围的加热温度),提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,根据本发明的抗蚀剂膜形成方法,可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与被加工物的密合性,且降低前烘工序前后抗蚀剂膜中聚合物分子量的变化。
此外,根据本发明的层叠体的制造方法,可以提高经由前烘工序形成的抗蚀剂膜与遮光层的密合性,且抑制抗蚀剂膜中聚合物分子量的降低。

Claims (8)

1.一种正型抗蚀剂组合物,其包含聚合物和溶剂,
所述聚合物具有下述通式(I)所示的单体单元A以及下述通式(II)所示的单体单元B,
Figure FDA0004220986400000011
式I中,R1为氯原子,R2为氟原子取代的烷基,R3和R4为氢原子或非取代的烷基,彼此可以相同也可以不同,
Figure FDA0004220986400000012
式II中,R5和R8~R9为氢原子或非取代的烷基,彼此可以相同也可以不同,R6为氢原子、氟原子、非取代的烷基或氟原子取代的烷基,R7为氢原子或非取代的烷基,p为1以上、5以下的整数,q为0以上、5以下的整数,p+q=5,
所述单体单元A具有一个以上的氟原子,
所述溶剂为选自乙酸异戊酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯及甲酸异戊酯中的至少1种。
2.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂组合物,其中,所述单体单元B中的氟原子数为0或1。
3.根据权利要求1或2所述的正型抗蚀剂组合物,其中,所述R2为五氟烷基。
4.根据权利要求3所述的正型抗蚀剂组合物,其中,所述R2为2,2,3,3,3-五氟丙基。
5.根据权利要求1或2所述的正型抗蚀剂组合物,其中,所述单体单元B为来自α-甲基苯乙烯的结构单元或来自4-氟-α-甲基苯乙烯的结构单元。
6.一种抗蚀剂膜形成方法,其为使用权利要求1~5中任一项所述的正型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成方法,包含:
涂布工序,在被加工物上涂布所述正型抗蚀剂组合物;和
前烘工序,加热所述涂布的正型抗蚀剂组合物,
所述前烘工序中的加热以满足下述式(1)的温度T和时间t来进行,所述温度的单位是℃,所述时间的单位是分钟,
(-1/4)×T+32.5≤t≤(-1/4)×T+55···(1)。
7.根据权利要求6所述的抗蚀剂膜形成方法,其中,所述时间为1分钟以上、30分钟以下。
8.一种层叠体制造方法,为制造具有基板、在所述基板上形成的遮光层、及在所述遮光层上形成的抗蚀剂膜的层叠体的层叠体制造方法,所述抗蚀剂膜通过权利要求6或7所述的抗蚀剂膜形成方法来形成。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018202603A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118243A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Toshiba Corp Formation of fine resist pattern
JPS5949536A (ja) * 1982-09-14 1984-03-22 Toshiba Corp 微細パタ−ン形成方法
JPS61170735A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 Toray Ind Inc ポリ(フルオロアルキルα−クロロアクリラ−ト)ないしそのコポリマの製造法
JPS6446748A (en) * 1987-08-17 1989-02-21 Fujitsu Ltd Method for applying and forming chloromethylated polystyrene resist
JPH05249684A (ja) * 1991-12-26 1993-09-28 Toppan Printing Co Ltd ポジ型電子線レジスト組成物
JPH0798502A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Tosoh Corp ポジ型熱硬化感光材料
WO1999062964A1 (en) * 1998-06-04 1999-12-09 Nippon Zeon Co., Ltd. PURIFIED METHYL α-CHLOROACRYLATE/α-METHYLSTYRENE COPOLYMER AND ELECTRON BEAM RESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME
US6451512B1 (en) * 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
WO2008087840A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Jsr Corporation 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びフォトレジストパターン形成方法
WO2017130873A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 日本ゼオン株式会社 レジストパターン形成方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1164261A (en) * 1981-04-21 1984-03-27 Tsukasa Tada PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS
JPH083636B2 (ja) 1986-11-29 1996-01-17 富士通株式会社 電子線ポジレジスト
JPH02115852A (ja) * 1988-10-26 1990-04-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
TWI237162B (en) * 2000-08-15 2005-08-01 Fuji Photo Film Co Ltd Electron radiation- or X ray-resist composition
US6645695B2 (en) * 2000-09-11 2003-11-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
JP5249684B2 (ja) 2008-09-04 2013-07-31 三菱重工業株式会社 風車翼
US20100203450A1 (en) 2009-02-11 2010-08-12 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and methods of use
WO2011125690A1 (ja) 2010-04-01 2011-10-13 住友化学株式会社 フッ素系有機化合物溶媒を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物
JP5618625B2 (ja) * 2010-05-25 2014-11-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
WO2014017144A1 (ja) 2012-07-27 2014-01-30 Jsr株式会社 ネガ型レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
KR102025581B1 (ko) 2014-12-26 2019-09-26 후지필름 가부시키가이샤 유기계 처리액 및 패턴 형성 방법
WO2016132722A1 (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 日本ゼオン株式会社 重合体およびポジ型レジスト組成物
JP6477270B2 (ja) * 2015-06-09 2019-03-06 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6579044B2 (ja) * 2015-06-30 2019-09-25 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
KR20180107093A (ko) * 2016-01-29 2018-10-01 니폰 제온 가부시키가이샤 중합체, 포지티브형 레지스트 조성물, 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP5938536B1 (ja) * 2016-03-25 2016-06-22 日本ゼオン株式会社 共重合体の製造方法
KR102298153B1 (ko) * 2016-10-12 2021-09-08 리지필드 액퀴지션 화학 증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이를 사용하는 패턴 형성 방법
US11644752B2 (en) * 2016-12-27 2023-05-09 Zeon Corporation Polymer, positive resist composition, and method of forming resist pattern
US11215925B2 (en) * 2018-02-05 2022-01-04 Zeon Corporation Method of forming resist pattern
KR20210005570A (ko) * 2018-04-27 2021-01-14 니폰 제온 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR20210064190A (ko) * 2018-09-25 2021-06-02 니폰 제온 가부시키가이샤 공중합체 및 포지티브형 레지스트 조성물
JP7098502B2 (ja) 2018-10-16 2022-07-11 株式会社東芝 報告書作成装置、方法、およびプログラム

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118243A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Toshiba Corp Formation of fine resist pattern
JPS5949536A (ja) * 1982-09-14 1984-03-22 Toshiba Corp 微細パタ−ン形成方法
JPS61170735A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 Toray Ind Inc ポリ(フルオロアルキルα−クロロアクリラ−ト)ないしそのコポリマの製造法
JPS6446748A (en) * 1987-08-17 1989-02-21 Fujitsu Ltd Method for applying and forming chloromethylated polystyrene resist
JPH05249684A (ja) * 1991-12-26 1993-09-28 Toppan Printing Co Ltd ポジ型電子線レジスト組成物
JPH0798502A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Tosoh Corp ポジ型熱硬化感光材料
WO1999062964A1 (en) * 1998-06-04 1999-12-09 Nippon Zeon Co., Ltd. PURIFIED METHYL α-CHLOROACRYLATE/α-METHYLSTYRENE COPOLYMER AND ELECTRON BEAM RESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME
US6451512B1 (en) * 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
WO2008087840A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Jsr Corporation 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びフォトレジストパターン形成方法
WO2017130873A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 日本ゼオン株式会社 レジストパターン形成方法

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Publication number Publication date
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