JPWO2019065017A1 - ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 391
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 57
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 claims abstract description 27
- NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N butyl formate Chemical compound CCCCOC=O NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N Pentyl formate Chemical compound CCCCCOC=O DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl formate Chemical compound CC(C)COC=O AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- XKYICAQFSCFURC-UHFFFAOYSA-N isoamyl formate Chemical compound CC(C)CCOC=O XKYICAQFSCFURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 66
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 62
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- -1 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 14
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VIXHMBLBLJSGIB-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(F)C=C1 VIXHMBLBLJSGIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 125000006339 pentafluoro alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1389
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 621
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 567
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 101
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 39
- AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N hexyl acetate Chemical compound CCCCCCOC(C)=O AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 19
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XXZCIYUJYUESMD-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(morpholin-4-ylmethyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CN1CCOCC1 XXZCIYUJYUESMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FYELSNVLZVIGTI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-5-ethylpyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1CC)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 FYELSNVLZVIGTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroacrylic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)=C TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- KNDAEDDIIQYRHY-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(piperazin-1-ylmethyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CN1CCNCC1 KNDAEDDIIQYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNEMGFATAVGQSF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-amino-6,7-dihydro-4H-[1,3]thiazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound NC=1SC2=C(CN(CC2)C(CC=2OC(=NN=2)C=2C=NC(=NC=2)NC2CC3=CC=CC=C3C2)=O)N=1 ZNEMGFATAVGQSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]acetyl]-3,6-dihydro-2H-pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CCC(=CC1)C(=O)O DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HHCLNZBCCQDVOQ-UHFFFAOYSA-N 1-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazol-3-yl]methyl]piperazin-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)CN1C(CNCC1)=O HHCLNZBCCQDVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IIEJGTQVBJHMDL-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-5-[2-oxo-2-[3-(sulfamoylamino)pyrrolidin-1-yl]ethyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1CN(CC1NS(=O)(=O)N)C(=O)CC2=NN=C(O2)C3=CN=C(N=C3)NC4CC5=CC=CC=C5C4 IIEJGTQVBJHMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JXDXANRCLTZYDP-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(1,4-diazepan-1-ylmethyl)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound N1(CCNCCC1)CC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 JXDXANRCLTZYDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(azetidin-3-yloxy)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(OC2CNC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXWYQEYFYNAZOD-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[(4,4-difluoropiperidin-1-yl)methyl]-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound FC1(F)CCN(CC2=NN(CC(=O)N3CCC4=C(C3)N=NN4)C=C2C2=CN=C(NC3CC4=C(C3)C=CC=C4)N=C2)CC1 VXWYQEYFYNAZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[1-(2,2-difluoroethyl)piperidin-4-yl]oxy-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound FC(CN1CCC(CC1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)F SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBMYBOVJMOVVQW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[[4-(2,2-difluoroethyl)piperazin-1-yl]methyl]-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound FC(CN1CCN(CC1)CC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)F SBMYBOVJMOVVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FARHYDJOXLCMRP-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazol-3-yl]oxyacetic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)OCC(=O)O FARHYDJOXLCMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AETVBWZVKDOWHH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(1-ethylazetidin-3-yl)oxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OC1CN(C1)CC AETVBWZVKDOWHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VPSXHKGJZJCWLV-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(1-ethylpiperidin-4-yl)oxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OC1CCN(CC1)CC VPSXHKGJZJCWLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NPHULPIAPWNOOH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2,3-dihydroindol-1-ylmethyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CN1CCC2=CC=CC=C12 NPHULPIAPWNOOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2-morpholin-4-ylethoxy)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCCN1CCOCC1 IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUTDXQJNNJYAEG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(dimethylamino)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)N(C)C MUTDXQJNNJYAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYLOFRFPOPXJOQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(piperazine-1-carbonyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(Cn1cc(c(n1)C(=O)N1CCNCC1)-c1cnc(NC2Cc3ccccc3C2)nc1)N1CCc2n[nH]nc2C1 XYLOFRFPOPXJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DXCXWVLIDGPHEA-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-[(4-ethylpiperazin-1-yl)methyl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CN1CCN(CC1)CC DXCXWVLIDGPHEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LPZOCVVDSHQFST-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethylpyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CC LPZOCVVDSHQFST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-phenylmethoxypyrazol-1-yl]-1-morpholin-4-ylethanone Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CCOCC1 HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZYPDJSJJXZWZJJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-piperidin-4-yloxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OC1CCNCC1 ZYPDJSJJXZWZJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[5-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrazin-2-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC=1N=CC(=NC=1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKVCYCWBUNNQH-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(1,4,5,7-tetrahydropyrazolo[3,4-c]pyridin-6-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)C=NN2 DHKVCYCWBUNNQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(1,4,6,7-tetrahydropyrazolo[4,3-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=C2 AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APLNAFMUEHKRLM-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(3,4,6,7-tetrahydroimidazo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)N=CN2 APLNAFMUEHKRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)C(=O)O PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-2-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-1H-pyrazol-5-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)O MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JJPWJEGNCRGGGA-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]acetyl]amino]benzoic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)NC1=CC=C(C(=O)O)C=C1 JJPWJEGNCRGGGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DCVGCQPXTOSWEA-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazol-3-yl]methyl]-1-methylpiperazin-2-one Chemical compound CN1CCN(CC2=NN(CC(=O)N3CCC4=C(C3)N=NN4)C=C2C2=CN=C(NC3CC4=C(C3)C=CC=C4)N=C2)CC1=O DCVGCQPXTOSWEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 3
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 6-[5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-4,5-dihydro-1,2-oxazol-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC1CC(=NO1)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 3
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 3
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLHWNGXLXZPNOO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2-morpholin-4-ylethyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)CCN1CCOCC1 VLHWNGXLXZPNOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNPMDUDIDCXVCH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(3-piperazin-1-ylpropyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(CCCN2CCNCC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VNPMDUDIDCXVCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEZGRWSAUJTDEZ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(piperidine-1-carbonyl)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)C(=O)N1CCCCC1 QEZGRWSAUJTDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N N-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethyl]-2-oxo-3H-1,3-benzoxazole-6-carboxamide Chemical compound C1CN(CCN1CCNC(=O)C2=CC3=C(C=C2)NC(=O)O3)C4=CN=C(N=C4)NC5CC6=CC=CC=C6C5 NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4-nonafluoro-4-methoxybutane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFNVYTIQEOXHEW-UHFFFAOYSA-N 1-fluoroprop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound FC=C(C)C1=CC=CC=C1 LFNVYTIQEOXHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-M 2-chloroacrylate Chemical compound [O-]C(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000003784 fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-chloroprop-2-enoate Chemical group COC(=O)C(Cl)=C AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N n-[5-[9-[4-(methanesulfonamido)phenyl]-2-oxobenzo[h][1,6]naphthyridin-1-yl]-2-methylphenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=C(NC(=O)C=C)C(C)=CC=C1N1C(=O)C=CC2=C1C1=CC(C=3C=CC(NS(C)(=O)=O)=CC=3)=CC=C1N=C2 SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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Abstract
より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物等を提供する。本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記重合体は、下記一般式(I)で表される単量体単位(A)と、下記一般式(II)で表される単量体単位(B)とを有し、前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である。
Description
本発明は、ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法および積層体の製造方法に関し、特には、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法、および該レジスト膜形成方法を用いた積層体の製造方法に関するものである。
従来、半導体製造等の分野において、電子線などの電離放射線や紫外線などの短波長の光(以下、電離放射線と短波長の光とを合わせて「電離放射線等」と称することがある。)の照射により主鎖が切断されて現像液に対する溶解性が増大する重合体が、主鎖切断型のポジ型レジストとして使用されている。
そして、例えば特許文献1には、高感度な主鎖切断型のポジ型レジストとして、α−メチルスチレン単位とα−クロロアクリル酸メチル単位とを含有するα−メチルスチレン・α−クロロアクリル酸メチル共重合体よりなるポジ型レジストが開示されている。
ここで、レジスト組成物を用いたレジスト膜の形成プロセスでは、レジスト組成物を被加工物に塗布した後、塗布したレジスト組成物を加熱するプリベークを経てレジスト膜を形成した際に、レジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られなかったり、レジスト膜における重合体の分子量が低下したりすることがある。ここで、レジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られないと、レジスト膜が剥離することがあり、また、重合体の分子量が低下すると、パターンを所望の形状に形成できないことがある。そのため、レジスト膜の形成では、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を十分に得ることが求められ、さらに、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を抑制することが求められている。
しかし、特許文献1に記載のα−メチルスチレン・α−クロロアクリル酸メチル共重合体よりなるポジ型レジストを用いたレジスト膜形成方法では、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られなかったり、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を十分に抑制することができないという問題があった。
上記問題を解決するために、溶媒として、酢酸n−ヘキシル、などを用いて、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減すること、などが検討されているが、これらの溶媒を用いた場合は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるものの、密着性向上および分子量変化低減が可能なプリベーク工程における加熱温度および加熱時間の範囲が狭かった。
そこで、本発明は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるレジスト膜形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性が高く、レジスト膜における重合体の分子量の低減が抑制された積層体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるレジスト膜形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性が高く、レジスト膜における重合体の分子量の低減が抑制された積層体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。そして、本発明者は、所定の単量体単位を有する所定の重合体と、所定の溶剤とを含む主鎖切断型のポジ型レジスト組成物は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、
前記重合体は、
下記一般式(I):
(式(I)中、R1は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R2は、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3およびR4は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。)
で表される単量体単位(A)と、
下記一般式(II):
(式(II)中、R5、R6、R8およびR9は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、R7は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、pおよびqは、0以上5以下の整数であり、p+q=5である。)
で表される単量体単位(B)とを有し、
前記単量体単位(A)および前記単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有し、
前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である、ことを特徴とする。
所定の単量体単位を有する所定の重合体と、所定の溶剤とを含む主鎖切断型のポジ型レジスト組成物は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
なお、本発明において、式(II)中のpが2以上の場合には、複数あるR6は互いに同一でも異なっていてもよく、また、式(II)中のqが2以上の場合には、複数あるR7は互いに同一でも異なっていてもよい。
前記重合体は、
下記一般式(I):
で表される単量体単位(A)と、
下記一般式(II):
で表される単量体単位(B)とを有し、
前記単量体単位(A)および前記単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有し、
前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である、ことを特徴とする。
所定の単量体単位を有する所定の重合体と、所定の溶剤とを含む主鎖切断型のポジ型レジスト組成物は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
なお、本発明において、式(II)中のpが2以上の場合には、複数あるR6は互いに同一でも異なっていてもよく、また、式(II)中のqが2以上の場合には、複数あるR7は互いに同一でも異なっていてもよい。
また、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記R1が塩素原子であることが好ましい。単量体単位(A)のR1が塩素原子であれば、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。従って、良好なポジ型レジスト膜が得られる。また、単量体単位(A)のR1が塩素原子の重合体は調製し易い。
更に、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記R2がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、前記R3およびR4が、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましい。単量体単位(A)のR2がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3およびR4が水素原子または非置換のアルキル基であれば、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。従って、良好なポジ型レジスト膜が得られる。なお、R3およびR4は、互いに同一でも異なっていてもよい。
更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記pが1以上5以下の整数であり、R5およびR7〜R9が水素原子または非置換のアルキル基であり、前記単量体単位(A)がフッ素原子を一つ以上有することが好ましい。単量体単位(B)のpが1以上5以下の整数であり、R5およびR7〜R9が水素原子または非置換のアルキル基であり、単量体単位(A)がフッ素原子を一つ以上有していれば、重合体が調製し易く、また、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができ、良好なポジ型レジスト膜が得られる。
更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、単量体単位(B)におけるフッ素の数が0または1であることが好ましい。単量体単位(B)におけるフッ素の数が0または1であれば、良好なポジ型レジスト膜が得られる。
更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記R2がペンタフルオロアルキル基であることが好ましい。単量体単位(A)のR2がペンタフルオロアルキル基であれば、感度を十分に向上させつつ、明瞭性が向上したパターン形成が可能である。
更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記R2が2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基であることが好ましい。単量体単位(A)のR2が2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基であれば、感度を十分に向上させつつ、明瞭性がより一層向上したパターン形成が可能である。
更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記単量体単位(B)が、α−メチルスチレンに由来する構造単位または4−フルオロ−α−メチルスチレンに由来する構造単位であることが好ましい。単量体単位(B)がα−メチルスチレンに由来する構造単位であれば、重合体の調製の容易性を向上させることができると共に、良好なポジ型レジスト膜を得ることができる。単量体単位(B)が4−フルオロ−α−メチルスチレンに由来する構造単位であれば、倒れの発生を抑制したパターン形成が可能である。
また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のレジスト膜形成方法は、上述したポジ型レジスト組成物の何れかを用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、
前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、
前記塗布されたポジ型レジスト組成物を加熱するプリベーク工程と、
を含み、
前記プリベーク工程における加熱を、下記式(1)を満たす温度T(℃)および時間t(分間)で行う、ことを特徴とする。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
所定の単量体単位を有する所定の重合体を主鎖切断型のポジ型レジストとして用いて、所定条件でプリベーク工程を行うと、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を十分に抑制することができる。
前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、
前記塗布されたポジ型レジスト組成物を加熱するプリベーク工程と、
を含み、
前記プリベーク工程における加熱を、下記式(1)を満たす温度T(℃)および時間t(分間)で行う、ことを特徴とする。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
所定の単量体単位を有する所定の重合体を主鎖切断型のポジ型レジストとして用いて、所定条件でプリベーク工程を行うと、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を十分に抑制することができる。
ここで、本発明のレジスト膜形成方法は、前記時間が1分間以上30分間以下であることが好ましい。プリベーク工程における加熱において、前記時間が1分間以上30分間以下であれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性をより確実に向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化をより確実に低減することができる。
また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明の積層体の製造方法は、基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体の製造方法であって、前記レジスト膜が上述したレジスト膜形成方法の何れかにより形成されることを特徴とする。上述したレジスト膜形成方法の何れかによりレジスト膜を形成すれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性が高く、レジスト膜における重合体の分子量の低減が抑制された積層体を得ることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物によれば、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
ここで、本発明のレジスト組成物は、本発明のレジスト膜形成方法に用いることができる。本発明のレジスト膜形成方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられるレジスト膜を形成することができる。そして、本発明の積層体の製造方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられる積層体を製造することができる。
なお、本発明のレジスト組成物における重合体は、電子線やEUV(Extreme ultraviolet)レーザーなどの電離放射線や紫外線などの短波長の光の照射により重合体の主鎖が切断されて低分子量化する、主鎖切断型のポジ型レジストとして良好に使用することができる。
ここで、本発明のレジスト組成物は、本発明のレジスト膜形成方法に用いることができる。本発明のレジスト膜形成方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられるレジスト膜を形成することができる。そして、本発明の積層体の製造方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられる積層体を製造することができる。
なお、本発明のレジスト組成物における重合体は、電子線やEUV(Extreme ultraviolet)レーザーなどの電離放射線や紫外線などの短波長の光の照射により重合体の主鎖が切断されて低分子量化する、主鎖切断型のポジ型レジストとして良好に使用することができる。
(ポジ型レジスト組成物)
本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と、溶剤とを含み、任意に、レジスト組成物に配合され得る既知の添加剤を更に含有する。そして、本発明のポジ型レジスト組成物は、後述の重合体をポジ型レジストとして含有しているので、レジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。また、後述の条件でプリベークすれば、密着性を向上させることができ、重合体の分子量低下を抑制することができる。
前記ポジレジスト組成物の固形分濃度としては、1質量%以上が好ましく、2質量%以上がより好ましく、3質量%以上が特に好ましく、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、5質量%以下が特に好ましい。
本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と、溶剤とを含み、任意に、レジスト組成物に配合され得る既知の添加剤を更に含有する。そして、本発明のポジ型レジスト組成物は、後述の重合体をポジ型レジストとして含有しているので、レジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。また、後述の条件でプリベークすれば、密着性を向上させることができ、重合体の分子量低下を抑制することができる。
前記ポジレジスト組成物の固形分濃度としては、1質量%以上が好ましく、2質量%以上がより好ましく、3質量%以上が特に好ましく、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、5質量%以下が特に好ましい。
<重合体>
重合体は、
下記の一般式(I):
(式(I)中、R1は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R2は、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3およびR4は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3およびR4は互いに同一でも異なっていてもよい。)で表される単量体単位(A)と、
下記の一般式(II):
(式(II)中、R5、R6、R8およびR9は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、R7は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、pおよびqは、0以上5以下の整数であり、p+q=5である。)で表される単量体単位(B)とを有する。
また、前記重合体は、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有する。即ち、前記重合体は、単量体単位(A)がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位(B)がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位(B)がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位(A)がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位(A)および単量体単位(B)のそれぞれがフッ素原子を一つ以上有していてもよい。
なお、前記重合体は、単量体単位(A)および単量体単位(B)以外の任意の単量体単位を含んでいてもよいが、重合体を構成する全単量体単位中で単量体単位(A)および単量体単位(B)が占める割合は、合計で90mol%以上であることが好ましく、実質的に100mol%であることがより好ましく、100mol%(即ち、重合体は単量体単位(A)および単量体単位(B)のみを含む)であることがさらに好ましい。
重合体は、
下記の一般式(I):
下記の一般式(II):
また、前記重合体は、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有する。即ち、前記重合体は、単量体単位(A)がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位(B)がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位(B)がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位(A)がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位(A)および単量体単位(B)のそれぞれがフッ素原子を一つ以上有していてもよい。
なお、前記重合体は、単量体単位(A)および単量体単位(B)以外の任意の単量体単位を含んでいてもよいが、重合体を構成する全単量体単位中で単量体単位(A)および単量体単位(B)が占める割合は、合計で90mol%以上であることが好ましく、実質的に100mol%であることがより好ましく、100mol%(即ち、重合体は単量体単位(A)および単量体単位(B)のみを含む)であることがさらに好ましい。
そして、前記重合体は、所定の単量体単位(A)および単量体単位(B)を含んでいるので、電離放射線等(例えば、電子線、KrFレーザー、ArFレーザー、EUV(Extreme Ultraviolet)レーザーなど)が照射されると、重合体の主鎖が切断されて低分子量化する。また、前記重合体は、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有しているので、レジストとして使用した際に、
プリベーク時に耐熱性が高く、分解することが抑止されて、被加工物との密着性を向上させることができ、また、レジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。
なお、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方にフッ素原子を含有させることでレジストパターンの倒れの発生を抑制することができる理由は、明らかではないが、重合体の撥液性が向上するため、レジストパターンの形成過程において現像液やリンス液を除去する際にパターン間で引っ張り合いが起こるのを抑制することができるからであると推察される。
プリベーク時に耐熱性が高く、分解することが抑止されて、被加工物との密着性を向上させることができ、また、レジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。
なお、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方にフッ素原子を含有させることでレジストパターンの倒れの発生を抑制することができる理由は、明らかではないが、重合体の撥液性が向上するため、レジストパターンの形成過程において現像液やリンス液を除去する際にパターン間で引っ張り合いが起こるのを抑制することができるからであると推察される。
そして、重合体を構成する全単量体単位中の単量体単位(A)の割合は、特に限定されることなく、例えば30mol%以上70mol%以下とすることができ、40mol%以上60mol%以下とすることが好ましい。
ここで、式(I)および式(III)中のR1〜R4を構成し得る、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、特に限定されることなく、アルキル基中の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置換した構造を有する基が挙げられる。
また、式(I)および式(III)中のR2〜R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R2〜R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
また、式(I)および式(III)中のR2〜R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R2〜R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
そして、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式(I)および式(III)中のR1は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換された炭素数1以上5以下のアルキル基であることが好ましく、塩素原子、フッ素原子またはパーフルオロメチル基であることがより好ましく、塩素原子またはフッ素原子であることが更に好ましく、塩素原子であることが特に好ましい。なお、式(III)中のR1が塩素原子である単量体(a)は、重合性に優れており、式(I)中のR1が塩素原子である単量体単位(A)を有する重合体は、調製が容易であるという点においても優れている。
また、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式(I)および式(III)中のR2は、フッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましく、フッ素原子で置換された炭素数1以上10以下のアルキル基であることがより好ましい。
フッ素原子で置換された炭素数1以上10以下のアルキル基としては、例えば、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3、下記構造式X)等のペンタフルオロアルキル基、2−(パーフルオロブチル)エチル基、2−(パーフルオロヘキシル)エチル基、1H,1H,3H−テトラフルオロプロピル基、1H,1H,5H−オクタフルオロペンチル基、1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチル基、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル基、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル基、1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル基、などが挙げられる。
これらの中でも、ペンタフルオロアルキル基が好ましく、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3、下記構造式X)が特に好ましい。
フッ素原子で置換された炭素数1以上10以下のアルキル基としては、例えば、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3、下記構造式X)等のペンタフルオロアルキル基、2−(パーフルオロブチル)エチル基、2−(パーフルオロヘキシル)エチル基、1H,1H,3H−テトラフルオロプロピル基、1H,1H,5H−オクタフルオロペンチル基、1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチル基、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル基、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル基、1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル基、などが挙げられる。
これらの中でも、ペンタフルオロアルキル基が好ましく、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3、下記構造式X)が特に好ましい。
更に、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式(I)および式(III)中のR3およびR4は、それぞれ、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
そして、上述した式(I)で表される単量体単位(A)を形成し得る、上述した式(I)で表される単量体(a)としては、特に限定されることなく、例えば、α−クロロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル、α−クロロアクリル酸2−(パーフルオロブチル)エチル、α−クロロアクリル酸2−(パーフルオロヘキシル)エチル、α−クロロアクリル酸1H,1H,3H−テトラフルオロプロピル、α−クロロアクリル酸1H,1H,5H−オクタフルオロペンチル、α−クロロアクリル酸1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチル、α−クロロアクリル酸1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル、α−クロロアクリル酸1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル、α−クロロアクリル酸1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチルなどのα−クロロアクリル酸フルオロアルキルエステル;α−フルオロアクリル酸メチル、α−フルオロアクリル酸エチルなどのα−フルオロアクリル酸アルキルエステル;α−トリフルオロメチルアクリル酸メチル、α−トリフルオロメチルアクリル酸エチルなどのα−フルオロアルキルアクリル酸アルキルエステル;α−フルオロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル、α−フルオロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル、α−フルオロアクリル酸2−(パーフルオロブチル)エチル、α−フルオロアクリル酸2−(パーフルオロヘキシル)エチル、α−フルオロアクリル酸1H,1H,3H−テトラフルオロプロピル、α−フルオロアクリル酸1H,1H,5H−オクタフルオロペンチル、α−フルオロアクリル酸1H,1H,7H−ドデカフルオロヘプチル、α−フルオロアクリル酸1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル、α−フルオロアクリル酸1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル、α−フルオロアクリル酸1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチルなどのα−フルオロアクリル酸フルオロアルキルエステル;が挙げられる。
なお、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を更に向上させる観点からは、単量体単位(A)は、α−クロロアクリル酸フルオロアルキルエステルに由来する構造単位であることが好ましく、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルであることが特に好ましい。即ち、式(I)および式(III)中のR1〜R4は、R1が塩素原子であり、R2がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3およびR4が水素原子であることが特に好ましい。
<<単量体単位(B)>>
また、単量体単位(B)は、下記の一般式(IV):
(式(IV)中、R5〜R9、並びに、pおよびqは、式(II)と同様である。)で表される単量体(b)に由来する構造単位である。
そして、重合体を構成する全単量体単位中の単量体単位(B)の割合は、特に限定されることなく、例えば30mol%以上70mol%以下とすることができ、40mol%以上60mol%以下とすることが好ましい。
また、単量体単位(B)は、下記の一般式(IV):
そして、重合体を構成する全単量体単位中の単量体単位(B)の割合は、特に限定されることなく、例えば30mol%以上70mol%以下とすることができ、40mol%以上60mol%以下とすることが好ましい。
ここで、式(II)および式(IV)中のR5〜R9を構成し得る、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、特に限定されることなく、アルキル基中の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置換した構造を有する基が挙げられる。
また、式(II)および式(IV)中のR5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
また、式(II)および式(IV)中のR5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
そして、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式(II)および式(IV)中のR5は、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。
式(II)および式(IV)中に複数存在するR7は、全て、水素原子または非置換のアルキル基であってもよく、水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であってもよく、水素原子であってもよい。これにより、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。
式(II)および式(IV)中のpが5であり、qが0であり、5つあるR6の全てが水素原子または非置換のアルキル基であってもよく、5つあるR6の全てが水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であってもよく、5つあるR6の全てが水素原子であってもよい。これにより、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。
式(II)および式(IV)中のpが5であり、qが0であり、5つあるR6の全てが水素原子または非置換のアルキル基であってもよく、5つあるR6の全てが水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であってもよく、5つあるR6の全てが水素原子であってもよい。これにより、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。
一方、重合体をレジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を更に抑制する観点からは、式(II)および式(IV)中に複数存在するR6および/またはR7は、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基を含むことが好ましく、フッ素原子またはフッ素原子で置換された炭素数1以上5以下のアルキル基を含むことがより好ましく、R6および/またはR7におけるフッ素原子の数が1であることが特に好ましい。
更に、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式(II)および式(IV)中のR8およびR9は、それぞれ、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
そして、上述した式(II)で表される単量体単位(B)を形成し得る、上述した式(IV)で表される単量体(b)としては、特に限定されることなく、例えば、以下の(b−1)〜(b−11)等のα−メチルスチレンおよびその誘導体が挙げられる。
また、単量体単位(B)におけるフッ素原子の数は、0または1であることが好ましい。
また、単量体単位(B)におけるフッ素原子の数は、0または1であることが好ましい。
なお、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、単量体単位(B)は、フッ素原子を含有しない(即ち、単量体単位(A)のみがフッ素原子を含有する)ことが好ましく、α−メチルスチレンに由来する構造単位であることがより好ましい。即ち、式(II)および式(IV)中のR5〜R9、並びに、pおよびqは、p=5、q=0であり、R5がメチル基であり、5つあるR6が全て水素原子であり、R8およびR9が水素原子であることが特に好ましい。
一方、重合体をレジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を更に抑制する観点からは、単量体単位(B)は、フッ素原子を含有することが好ましく、フッ素原子を1個含有することがより好ましく、フルオロ−α−メチルスチレンに由来する構造単位であることが特に好ましく、4−フルオロ−α−メチルスチレンに由来する構造単位であること、即ち、式(II)および式(IV)中のR5〜R9、並びに、pおよびqは、p=5、q=0であり、R5がメチル基であり、5つあるR6のうちパラ位のみがフッ素であり、残りの4つ全てが水素原子であり、R8およびR9が水素原子であることが、最も好ましい。
<<重合体の性状>>
以下、本発明のレジスト膜形成方法に用いられる重合体の性状、即ち、プリベーク工程における加熱前の「重量平均分子量(Mw)」、「数平均分子量(Mn)」および「分子量分布(Mw/Mn)」について説明する。
なお、本発明において、「重量平均分子量(Mw)」および「数平均分子量(Mn)」は、ゲル浸透クロマトグラフィーを用いて測定することができる。そして、本発明において、「分子量分布(Mw/Mn)」とは、数平均分子量(Mn)に対する重量平均分子量(Mw)の比を指す。
以下、本発明のレジスト膜形成方法に用いられる重合体の性状、即ち、プリベーク工程における加熱前の「重量平均分子量(Mw)」、「数平均分子量(Mn)」および「分子量分布(Mw/Mn)」について説明する。
なお、本発明において、「重量平均分子量(Mw)」および「数平均分子量(Mn)」は、ゲル浸透クロマトグラフィーを用いて測定することができる。そして、本発明において、「分子量分布(Mw/Mn)」とは、数平均分子量(Mn)に対する重量平均分子量(Mw)の比を指す。
[重量平均分子量]
そして、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、20000以上150000以下とすることができる。さらに、重合体の重量平均分子量(Mw)は、100000未満であることが好ましく、60000未満であることがより好ましく、30000以上であることが好ましい。重合体の重量平均分子量(Mw)が上記上限値以下(未満)であれば、ポジ型レジストとして使用した際に、比較的低い照射量で現像液に対する溶解性を増大させることができるので、ポジ型レジストとして使用した際の感度を適度に向上させることができる。また、重合体の重量平均分子量(Mw)が上記下限値以上であれば、過剰に低い照射量でレジスト膜の現像液に対する溶解性を高まることを抑制することができ、γ値が過度に低下することを抑制することができる。
そして、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、20000以上150000以下とすることができる。さらに、重合体の重量平均分子量(Mw)は、100000未満であることが好ましく、60000未満であることがより好ましく、30000以上であることが好ましい。重合体の重量平均分子量(Mw)が上記上限値以下(未満)であれば、ポジ型レジストとして使用した際に、比較的低い照射量で現像液に対する溶解性を増大させることができるので、ポジ型レジストとして使用した際の感度を適度に向上させることができる。また、重合体の重量平均分子量(Mw)が上記下限値以上であれば、過剰に低い照射量でレジスト膜の現像液に対する溶解性を高まることを抑制することができ、γ値が過度に低下することを抑制することができる。
[数平均分子量]
また、上述した重合体の数平均分子量(Mn)は、例えば10000以上100000以下とすることができる。さらに、重合体の数平均分子量(Mn)は、80000未満であることが好ましく、50000未満であることがより好ましい。重合体の数平均分子量(Mn)が上記上限値以下(未満)であれば、かかる重合体を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストをポジ型レジストとして使用した際の感度を更に高めることができる。
また、上述した重合体の数平均分子量(Mn)は、例えば10000以上100000以下とすることができる。さらに、重合体の数平均分子量(Mn)は、80000未満であることが好ましく、50000未満であることがより好ましい。重合体の数平均分子量(Mn)が上記上限値以下(未満)であれば、かかる重合体を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストをポジ型レジストとして使用した際の感度を更に高めることができる。
[分子量分布]
そして、上述した重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、例えば2.50以下とすることができる。さらに、重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、1.20以上であることが好ましく、1.30以上であることがより好ましく、1.35以上であることが特に好ましく、2.40以下であることが好ましく、1.75以下であることがより好ましく、1.60以下であることがさらに好ましく、1.55以下であることがさらにより好ましい。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記下限値以上であれば、重合体の製造容易性を高めることができる。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記上限値以下であれば、ポジ型レジストとして使用した際のγ値を高めることができ、得られるレジストパターンの明瞭性を高めることができる。
そして、上述した重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、例えば2.50以下とすることができる。さらに、重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、1.20以上であることが好ましく、1.30以上であることがより好ましく、1.35以上であることが特に好ましく、2.40以下であることが好ましく、1.75以下であることがより好ましく、1.60以下であることがさらに好ましく、1.55以下であることがさらにより好ましい。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記下限値以上であれば、重合体の製造容易性を高めることができる。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記上限値以下であれば、ポジ型レジストとして使用した際のγ値を高めることができ、得られるレジストパターンの明瞭性を高めることができる。
<<重合体の調製方法>>
そして、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体は、例えば、単量体(a)と単量体(b)とを含む単量体組成物を重合させた後、任意に得られた重合物を精製することにより調製することができる。
なお、重合体の組成、分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量は、重合条件および精製条件を変更することにより調整することができる。具体的には、例えば、重合体の組成は、重合に使用する単量体組成物中の各単量体の含有割合を変更することにより調整することができる。また、重量平均分子量および数平均分子量は、重合温度を高くすれば、小さくすることができる。更に、重量平均分子量および数平均分子量は、重合時間を短くすれば、小さくすることができる。
そして、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体は、例えば、単量体(a)と単量体(b)とを含む単量体組成物を重合させた後、任意に得られた重合物を精製することにより調製することができる。
なお、重合体の組成、分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量は、重合条件および精製条件を変更することにより調整することができる。具体的には、例えば、重合体の組成は、重合に使用する単量体組成物中の各単量体の含有割合を変更することにより調整することができる。また、重量平均分子量および数平均分子量は、重合温度を高くすれば、小さくすることができる。更に、重量平均分子量および数平均分子量は、重合時間を短くすれば、小さくすることができる。
[単量体組成物の重合]
ここで、本発明の重合体の調製に用いる単量体組成物としては、単量体(a)および単量体(b)を含む単量体成分と、任意の溶媒と、重合開始剤と、任意に添加される添加剤との混合物を用いることができる。そして、単量体組成物の重合は、既知の方法を用いて行うことができる。中でも、溶媒としては、シクロペンタノンなどを用いることが好ましく、重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。
ここで、本発明の重合体の調製に用いる単量体組成物としては、単量体(a)および単量体(b)を含む単量体成分と、任意の溶媒と、重合開始剤と、任意に添加される添加剤との混合物を用いることができる。そして、単量体組成物の重合は、既知の方法を用いて行うことができる。中でも、溶媒としては、シクロペンタノンなどを用いることが好ましく、重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。
また、単量体組成物を重合して得られた重合物は、特に限定されることなく、重合物を含む溶液にテトラヒドロフラン等の良溶媒を添加した後、良溶媒を添加した溶液をメタノール等の貧溶媒中に滴下して重合物を凝固させることにより回収することができる。
<<重合物の精製>>
なお、得られた重合物を精製する場合に用いる精製方法としては、特に限定されることなく、再沈殿法やカラムクロマトグラフィー法などの既知の精製方法が挙げられる。中でも、精製方法としては、再沈殿法を用いることが好ましい。
なお、重合物の精製は、複数回繰り返して実施してもよい。
なお、得られた重合物を精製する場合に用いる精製方法としては、特に限定されることなく、再沈殿法やカラムクロマトグラフィー法などの既知の精製方法が挙げられる。中でも、精製方法としては、再沈殿法を用いることが好ましい。
なお、重合物の精製は、複数回繰り返して実施してもよい。
そして、再沈殿法による重合物の精製は、例えば、得られた重合物をテトラヒドロフラン等の良溶媒に溶解した後、得られた溶液を、テトラヒドロフラン等の良溶媒とメタノール等の貧溶媒との混合溶媒に滴下し、重合物の一部を析出させることにより行うことが好ましい。このように、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒中に重合物の溶液を滴下して重合物の精製を行えば、良溶媒および貧溶媒の種類や混合比率を変更することにより、得られる重合体の分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量を容易に調整することができる。具体的には、例えば、混合溶媒中の良溶媒の割合を高めるほど、混合溶媒中で析出する重合体の分子量を大きくすることができる。
なお、再沈殿法により重合物を精製する場合、前記重合体としては、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒中で析出した重合物を用いてもよいし、混合溶媒中で析出しなかった重合物(即ち、混合溶媒中に溶解している重合物)を用いてもよい。ここで、混合溶媒中で析出しなかった重合物は、濃縮乾固などの既知の手法を用いて混合溶媒中から回収することができる。
<溶剤>
溶剤としては、酢酸イソアミル(沸点:142℃、表面張力:24.6mN/m)、ギ酸n−ブチル(沸点:107℃、表面張力:25mN/m)、ギ酸イソブチル(沸点:98.4℃、表面張力:23.7mN/m)、ギ酸n−アミル(沸点:132℃、表面張力:26mN/m)、およびギ酸イソアミル(沸点:124℃、表面張力:24.6mN/m)からなる群より選択される少なくとも1種を用いることができる。
上記溶剤を使用することにより、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体をポジ型レジストとして用いる場合であっても、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
中でも、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点からは、溶剤としては、アミル系溶剤(酢酸イソアミル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミル)の単体または混合物が好ましく、悪臭が無い点で、イソアミル系溶剤(酢酸イソアミル、ギ酸イソアミル)の単体または混合物がより好ましく、入手容易な点で、酢酸イソアミルが特に好ましい。
上述したように、溶剤は、混合物でもよいが、溶剤の回収および再利用の容易性の観点から、単一の物質からなる単一溶剤であることが好ましい。
溶剤としては、酢酸イソアミル(沸点:142℃、表面張力:24.6mN/m)、ギ酸n−ブチル(沸点:107℃、表面張力:25mN/m)、ギ酸イソブチル(沸点:98.4℃、表面張力:23.7mN/m)、ギ酸n−アミル(沸点:132℃、表面張力:26mN/m)、およびギ酸イソアミル(沸点:124℃、表面張力:24.6mN/m)からなる群より選択される少なくとも1種を用いることができる。
上記溶剤を使用することにより、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体をポジ型レジストとして用いる場合であっても、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
中でも、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点からは、溶剤としては、アミル系溶剤(酢酸イソアミル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミル)の単体または混合物が好ましく、悪臭が無い点で、イソアミル系溶剤(酢酸イソアミル、ギ酸イソアミル)の単体または混合物がより好ましく、入手容易な点で、酢酸イソアミルが特に好ましい。
上述したように、溶剤は、混合物でもよいが、溶剤の回収および再利用の容易性の観点から、単一の物質からなる単一溶剤であることが好ましい。
<<溶剤の沸点>>
上述の溶剤の沸点は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、110℃以上160℃以下であることが好ましく、120℃以上150℃以下であることがより好ましい。
なお、前記沸点は、1気圧における沸点であり、溶剤ハンドブック(株式会社講談社発行)等に記載された一般的な文献値に基づくものである。
上述の溶剤の沸点は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、110℃以上160℃以下であることが好ましく、120℃以上150℃以下であることがより好ましい。
なお、前記沸点は、1気圧における沸点であり、溶剤ハンドブック(株式会社講談社発行)等に記載された一般的な文献値に基づくものである。
<<溶剤の表面張力>>
上述の溶剤の表面張力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、レジスト組成物の基板に対する濡れ性を向上させて、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、32mN/m以下であることが好ましく、適度な粘度のポジ型レジスト溶液を得てポジ型レジスト溶液の塗工性を向上させる観点から、29mN/m以下であることがより好ましい。
なお、前記表面張力は、ペンダントドロップ法に基づき、温度23℃で、Drop Master700(協和界面科学株式会社製)を使用して測定した値である。
上述の溶剤の表面張力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、レジスト組成物の基板に対する濡れ性を向上させて、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、32mN/m以下であることが好ましく、適度な粘度のポジ型レジスト溶液を得てポジ型レジスト溶液の塗工性を向上させる観点から、29mN/m以下であることがより好ましい。
なお、前記表面張力は、ペンダントドロップ法に基づき、温度23℃で、Drop Master700(協和界面科学株式会社製)を使用して測定した値である。
(レジスト膜形成方法)
本発明のレジスト膜形成方法は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、前記塗布されたポジ型レジスト組成物を下記式(1)を満たす(図1のグラフにおける直線Pと直線Uとの間の領域内にある)温度T(℃)および時間t(分間)で加熱するプリベーク工程と、を含む。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
但し、t>0
本発明のレジスト膜形成方法は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、前記塗布されたポジ型レジスト組成物を下記式(1)を満たす(図1のグラフにおける直線Pと直線Uとの間の領域内にある)温度T(℃)および時間t(分間)で加熱するプリベーク工程と、を含む。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
但し、t>0
<塗布工程>
塗布工程では、レジストパターンを利用して加工される基板などの被加工物の上に、上述したポジ型レジスト組成物を塗布する。塗布方法は特に限定されることなく、既知の塗布方法にて行うことができる。
なお、ポジ型レジスト組成物が塗布される被加工物としては、基板であってもよく、また、基板上に遮光層が形成された「マスクブランクス」であってもよい。
塗布工程では、レジストパターンを利用して加工される基板などの被加工物の上に、上述したポジ型レジスト組成物を塗布する。塗布方法は特に限定されることなく、既知の塗布方法にて行うことができる。
なお、ポジ型レジスト組成物が塗布される被加工物としては、基板であってもよく、また、基板上に遮光層が形成された「マスクブランクス」であってもよい。
<プリベーク工程>
プリベーク工程では、塗布したポジ型レジスト組成物を加熱(プリベーク)してレジスト膜を形成する。
ここで、加熱(プリベーク)は、下記式(1)を満たす温度T(℃)および時間t(分間)で行う。ここで、温度T(℃)および時間t(分間)が下記式(1)を満たすとは、「図1のグラフにおいて、温度T(℃)および時間t(分間)が直線Pと直線Uとの間に存在すること」を意味する。これにより、レジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
プリベーク工程では、塗布したポジ型レジスト組成物を加熱(プリベーク)してレジスト膜を形成する。
ここで、加熱(プリベーク)は、下記式(1)を満たす温度T(℃)および時間t(分間)で行う。ここで、温度T(℃)および時間t(分間)が下記式(1)を満たすとは、「図1のグラフにおいて、温度T(℃)および時間t(分間)が直線Pと直線Uとの間に存在すること」を意味する。これにより、レジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1)
さらに、温度T(℃)および時間t(分間)は、下記式(2)を満たすことが好ましく、下記式(3)を満たすことがより好ましく、下記式(4)を満たすことが特に好ましく、下記式(5)を満たすことが好ましく、下記式(5−2)を満たすことがより好ましく、下記式(6)を満たすことがさらにより好ましく、下記式(7)を満たすことが特に好ましい。
(−1/4)T+35≦t・・・(2)
(−1/4)T+37.5≦t・・・(3)
(−1/4)T+40≦t・・・(4)
t≦(−7/30)T+142/3・・・(5)
t≦(−3/10)T+58・・・(5−2)
t<(−7/10)T+115・・・(6)
t<(−8/15)T+262/3・・・(7)
(−1/4)T+35≦t・・・(2)
(−1/4)T+37.5≦t・・・(3)
(−1/4)T+40≦t・・・(4)
t≦(−7/30)T+142/3・・・(5)
t≦(−3/10)T+58・・・(5−2)
t<(−7/10)T+115・・・(6)
t<(−8/15)T+262/3・・・(7)
上記式(1)および(6)を満たす(図1のグラフにおいて、温度T(℃)および時間t(分間)が直線Pと直線Cとの間に存在する)温度T(℃)および時間t(分間)でプリベーク(加熱)を行うと、より低温側で加熱することにより、レジスト膜と被加工物との密着性を維持しつつ、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を確実に低減することができる。
上記式(1)および上記式(7)を満たす(図1のグラフにおいて、温度T(℃)および時間t(分間)が直線Pと直線Aとの間に存在する)温度T(℃)および時間t(分間)でプリベーク(加熱)を行うと、さらにより低温側で加熱することにより、レジスト膜と被加工物との密着性を維持しつつ、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化をより確実に低減することができる。
なお、図1〜3Eにおける直線A,C,P〜Uは、それぞれ、下記式を示す。
直線A:t=(−8/15)T+262/3
直線C:t=(−7/10)T+115
直線P:t=(−1/4)T+32.5
直線Q:t=(−1/4)T+35
直線R:t=(−1/4)T+37.5
直線S:t=(−1/4)T+40
直線T:t=(−3/10)T+58
直線T2:t=(−7/30)T+142/3
直線U:t=(−1/4)T+55
直線A:t=(−8/15)T+262/3
直線C:t=(−7/10)T+115
直線P:t=(−1/4)T+32.5
直線Q:t=(−1/4)T+35
直線R:t=(−1/4)T+37.5
直線S:t=(−1/4)T+40
直線T:t=(−3/10)T+58
直線T2:t=(−7/30)T+142/3
直線U:t=(−1/4)T+55
さらに、温度T(℃)は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性の観点から、110℃以上であることが好ましく、115℃以上であることがより好ましく、120℃以上であることがさらにより好ましく、また、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化の低減の観点から、180℃以下であることが好ましく、170℃以下であることがより好ましい。時間t(分間)は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性の観点から、1分間以上であることが好ましく、3分間以上であることがより好ましく、5分間以上であることがさらにより好ましく、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化の低減の観点から、30分間以下であることが好ましく、10分間以下であることがより好ましい。
以下、プリベーク工程における加熱後の重合体の性状、即ち、重合体の「重量平均分子量(Mw)」、「数平均分子量(Mn)」および「分子量分布(Mw/Mn)」について説明する。
[重量平均分子量]
そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、45900以上59000以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)は、52000以下であることが好ましく、46500以上であることが好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)が上記上限値以下(未満)であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、45900以上59000以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)は、52000以下であることが好ましく、46500以上であることが好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)が上記上限値以下(未満)であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量(Mw)が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
[数平均分子量]
また、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の数平均分子量(Mn)は、例えば、34400以上43500以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)は、41600以下であることが好ましく、36500以上であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)が上記上限値以下(未満)であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
また、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の数平均分子量(Mn)は、例えば、34400以上43500以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)は、41600以下であることが好ましく、36500以上であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)が上記上限値以下(未満)であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量(Mn)が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
[分子量分布]
そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、例えば、1.50以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、1.28以上であることが好ましく、1.30以上であることがより好ましく、1.45以下であることが好ましく、1.40以下であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記下限値以上であれば、プリベーク時間を短くすることができる。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記上限値以下であれば、パターニング時に明瞭なパターンを得ることができる。
そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜(即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜)における重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、例えば、1.50以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、1.28以上であることが好ましく、1.30以上であることがより好ましく、1.45以下であることが好ましく、1.40以下であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記下限値以上であれば、プリベーク時間を短くすることができる。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が上記上限値以下であれば、パターニング時に明瞭なパターンを得ることができる。
プリベーク工程における加熱による重合体の重量平均分子量の維持率(プリベーク工程における加熱後の重合体の重量平均分子量/プリベーク工程における加熱前の重合体の重量平均分子量)は、95.7%以上であることが好ましく、96.0%以上であることがより好ましく、97.0%以上であることが特に好ましく、99.0%以上とすることが最も好ましい。
<レジストパターン形成方法>
レジストパターン形成方法は、(1)上述したレジスト膜形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、(2)レジスト膜を露光する工程と、(3)露光されたレジスト膜を現像する工程と、を含むことが好ましい。
レジストパターン形成方法は、(1)上述したレジスト膜形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、(2)レジスト膜を露光する工程と、(3)露光されたレジスト膜を現像する工程と、を含むことが好ましい。
<<露光工程>>
上記工程(2)では、レジスト膜に対して電離放射線や光を照射して所望のパターンを描画する。なお、電離放射線や光の照射には、電子線描画装置やレーザー描画装置などの既知の描画装置を用いることができる。
上記工程(2)では、レジスト膜に対して電離放射線や光を照射して所望のパターンを描画する。なお、電離放射線や光の照射には、電子線描画装置やレーザー描画装置などの既知の描画装置を用いることができる。
<<現像工程>>
上記工程(3)では、パターンを描写したレジスト膜を現像液と接触させてレジスト膜を現像し、被加工物上にレジストパターンを形成する。ここで、レジスト膜と現像液とを接触させる方法は、特に限定されることなく、現像液中へのレジスト膜の浸漬やレジスト膜への現像液の塗布等の既知の手法を用いることができる。そして、任意に、現像したレジスト膜をリンス液でリンスする。
特に、現像液およびリンス液としては、例えば、CF3CFHCFHCF2CF3、CF3CF2CHCl2、CClF2CF2CHClF、CF3CF2CF2CF2OCH3、およびC8F18を含むフルオロカーボン等のフッ素系溶剤;メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール(イソプロピルアルコール)等のアルコール;酢酸アミル、酢酸ヘキシルなどのアルキル基を有する酢酸エステル;フッ素系溶剤とアルコールとの混合物;フッ素系溶剤とアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;アルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;フッ素系溶剤とアルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;などを用いることができる。現像液およびリンス液の組合せは、上述した重合体よりなるレジストの溶解性などを考慮し、例えば、レジスト溶解性のより高い溶剤を現像液とし、レジスト溶解性のより低い溶剤をリンス液とすることができる。また、現像液の選定にあたり、上記工程(2)を実施する前のレジスト膜を溶解しない現像液を選択することが好ましい。さらに、リンス液の選定にあたり、現像液と混ざり易いリンス液を選択し、現像液との置換が容易となるようにすることが好ましい。
上記工程(3)では、パターンを描写したレジスト膜を現像液と接触させてレジスト膜を現像し、被加工物上にレジストパターンを形成する。ここで、レジスト膜と現像液とを接触させる方法は、特に限定されることなく、現像液中へのレジスト膜の浸漬やレジスト膜への現像液の塗布等の既知の手法を用いることができる。そして、任意に、現像したレジスト膜をリンス液でリンスする。
特に、現像液およびリンス液としては、例えば、CF3CFHCFHCF2CF3、CF3CF2CHCl2、CClF2CF2CHClF、CF3CF2CF2CF2OCH3、およびC8F18を含むフルオロカーボン等のフッ素系溶剤;メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール(イソプロピルアルコール)等のアルコール;酢酸アミル、酢酸ヘキシルなどのアルキル基を有する酢酸エステル;フッ素系溶剤とアルコールとの混合物;フッ素系溶剤とアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;アルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;フッ素系溶剤とアルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物;などを用いることができる。現像液およびリンス液の組合せは、上述した重合体よりなるレジストの溶解性などを考慮し、例えば、レジスト溶解性のより高い溶剤を現像液とし、レジスト溶解性のより低い溶剤をリンス液とすることができる。また、現像液の選定にあたり、上記工程(2)を実施する前のレジスト膜を溶解しない現像液を選択することが好ましい。さらに、リンス液の選定にあたり、現像液と混ざり易いリンス液を選択し、現像液との置換が容易となるようにすることが好ましい。
(積層体の製造方法)
本発明の積層体の製造方法は、基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体を製造する積層体の製造方法であって、前記レジスト膜を本発明のレジスト膜形成方法により形成する。
本発明の積層体の製造方法は、基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体を製造する積層体の製造方法であって、前記レジスト膜を本発明のレジスト膜形成方法により形成する。
<基板>
基板としては、通常、透明基板を用いる。基板の材質としては、例えば、石英、ガラスなどの透明材料が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性および耐候性の観点から、石英が好ましい。
基板は、200nm以上300nm以下の波長の光を90%〜95%透過する程度の透明性を有することが好ましい。
基板の厚みは、0.5mm以上であることが好ましく、1.0mm以上であることがより好ましく、20mm以下であることが好ましく、15mm以下であることがより好ましい。
基板としては、通常、透明基板を用いる。基板の材質としては、例えば、石英、ガラスなどの透明材料が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性および耐候性の観点から、石英が好ましい。
基板は、200nm以上300nm以下の波長の光を90%〜95%透過する程度の透明性を有することが好ましい。
基板の厚みは、0.5mm以上であることが好ましく、1.0mm以上であることがより好ましく、20mm以下であることが好ましく、15mm以下であることがより好ましい。
<遮光層>
遮光層としては、任意の遮光層を用いることができる。中でも、遮光層としては、金属層を備える単層構造または多層構造の遮光層を用いることが好ましい。なお、遮光層を構成し得る金属層以外の層の材質としては、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなどが挙げられる。
金属層の材質としては、例えば、クロム、シリコン、酸化鉄、モリブデンシリサイドなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、遮光性の観点から、クロムが好ましい。
遮光層の厚みは、5nm以上であることが好ましく、10nm以上であることがより好ましく、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。
遮光層としては、任意の遮光層を用いることができる。中でも、遮光層としては、金属層を備える単層構造または多層構造の遮光層を用いることが好ましい。なお、遮光層を構成し得る金属層以外の層の材質としては、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなどが挙げられる。
金属層の材質としては、例えば、クロム、シリコン、酸化鉄、モリブデンシリサイドなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、遮光性の観点から、クロムが好ましい。
遮光層の厚みは、5nm以上であることが好ましく、10nm以上であることがより好ましく、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。
<レジスト膜>
レジスト膜は、本発明のレジスト膜形成方法により形成される。これにより、レジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
レジスト膜の厚みは、20nm以上であることが好ましく、30nm以上であることがより好ましく、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。
レジスト膜は、本発明のレジスト膜形成方法により形成される。これにより、レジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
レジスト膜の厚みは、20nm以上であることが好ましく、30nm以上であることがより好ましく、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。
以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、量を表す「%」および「部」は、特に断らない限り、質量基準である。
また、図2A〜3Eにおいて、「丸印」は、後述する(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれも良好であることを示し、「ばつ印」は、(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれかが良好でないことを示し、「丸印」および「ばつ印」への矢印に付された「数値」は実験例番号を示す。
そして、実験例1−1〜12−25において、(i)「重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布」、(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」を、それぞれ下記の方法で測定および評価した。
また、図2A〜3Eにおいて、「丸印」は、後述する(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれも良好であることを示し、「ばつ印」は、(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれかが良好でないことを示し、「丸印」および「ばつ印」への矢印に付された「数値」は実験例番号を示す。
そして、実験例1−1〜12−25において、(i)「重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布」、(ii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および(iii)「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」を、それぞれ下記の方法で測定および評価した。
<重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布>
測定対象の重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。
具体的には、ゲル浸透クロマトグラフ(東ソー製、HLC−8220)を使用し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて、測定対象の重合体の重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を標準ポリスチレン換算値として求めた。そして、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。
測定対象の重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。
具体的には、ゲル浸透クロマトグラフ(東ソー製、HLC−8220)を使用し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて、測定対象の重合体の重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を標準ポリスチレン換算値として求めた。そして、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。
<プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率>
ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合(%)を算出し、以下の基準に従って、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率を評価した。
A:ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が95.7%以上(維持率大で良好)
B:ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が95.7%未満(維持率小)
ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合(%)を算出し、以下の基準に従って、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率を評価した。
A:ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が95.7%以上(維持率大で良好)
B:ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を100%としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が95.7%未満(維持率小)
<プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性>
形成したレジストパターンの剥がれの有無を観察して、以下の基準に従って、レジスト膜と被加工物との密着性を評価した。
A:レジストパターンの剥がれ無し(密着性良好)
B:レジストパターンの剥がれ有り(密着性低)
形成したレジストパターンの剥がれの有無を観察して、以下の基準に従って、レジスト膜と被加工物との密着性を評価した。
A:レジストパターンの剥がれ無し(密着性良好)
B:レジストパターンの剥がれ有り(密着性低)
(実験例1−1)
<重合体(F5)の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(ACAPFP)3.0gおよび単量体(b)としてのα−メチルスチレン(AMS)3.4764gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.0055gと、溶媒としてのシクロペンタノン1.6205gを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合体)を得た。次いで、得られた重合体(crude)を100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF100gとメタノール(MeOH)900gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(α−メチルスチレン単位およびα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
<重合体(F5)の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(ACAPFP)3.0gおよび単量体(b)としてのα−メチルスチレン(AMS)3.4764gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.0055gと、溶媒としてのシクロペンタノン1.6205gを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合体)を得た。次いで、得られた重合体(crude)を100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF100gとメタノール(MeOH)900gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(α−メチルスチレン単位およびα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
<ポジ型レジスト組成物の調製>
得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が4質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。
得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が4質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。
<レジストパターンの形成>
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径4インチのマスクブランクス(石英基板(厚み:1.0mm)上にクロム層(厚み:10nm)が形成されたもの)上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度120℃のホットプレートで10分間加熱して(プリベーク工程)、マスクブランクス上に厚さ50nmのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。また、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いてレジスト膜を最適露光量(Eop)で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて温度23℃で1分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル(CF3CFHCFHCF2CF3)で10秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量(Eop)は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン(未露光領域)とスペース(露光領域)は、それぞれ20nmとした。
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径4インチのマスクブランクス(石英基板(厚み:1.0mm)上にクロム層(厚み:10nm)が形成されたもの)上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度120℃のホットプレートで10分間加熱して(プリベーク工程)、マスクブランクス上に厚さ50nmのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。また、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いてレジスト膜を最適露光量(Eop)で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて温度23℃で1分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル(CF3CFHCFHCF2CF3)で10秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量(Eop)は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン(未露光領域)とスペース(露光領域)は、それぞれ20nmとした。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51581、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51581、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例1−2〜1−21)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、130℃で7.5分間(実験例1−2)、130℃で10分間(実験例1−3)、140℃で5分間(実験例1−4)、140℃で7.5分間(実験例1−5)、140℃で10分間(実験例1−6)、150℃で3分間(実験例1−7)、150℃で5分間(実験例1−8)、150℃で7.5分間(実験例1−9)、150℃で10分間(実験例1−10)、160℃で1分間(実験例1−11)、160℃で3分間(実験例1−12)、160℃で5分間(実験例1−13)、160℃で7.5分間(実験例1−14)、160℃で10分間(実験例1−15)、170℃で1分間(実験例1−16)、170℃で3分間(実験例1−17)、170℃で5分間(実験例1−18)、180℃で1分間(実験例1−19)、180℃で3分間(実験例1−20)、190℃で1分間(実験例1−21)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−2〜1−21)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50877、分子量分布:1.406(実験例1−2)
重量平均分子量:50722、分子量分布:1.402(実験例1−3)
重量平均分子量:50810、分子量分布:1.404(実験例1−4)
重量平均分子量:50462、分子量分布:1.407(実験例1−5)
重量平均分子量:50411、分子量分布:1.410(実験例1−6)
重量平均分子量:50914、分子量分布:1.401(実験例1−7)
重量平均分子量:50974、分子量分布:1.412(実験例1−8)
重量平均分子量:50682、分子量分布:1.436(実験例1−9)
重量平均分子量:50509、分子量分布:1.432(実験例1−10)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−11)
重量平均分子量:50679、分子量分布:1.413(実験例1−12)
重量平均分子量:50532、分子量分布:1.414(実験例1−13)
重量平均分子量:50279、分子量分布:1.417(実験例1−14)
重量平均分子量:50307、分子量分布:1.416(実験例1−15)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−16)
重量平均分子量:49767、分子量分布:1.418(実験例1−17)
重量平均分子量:50448、分子量分布:1.415(実験例1−18)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−19)
重量平均分子量:50246、分子量分布:1.417(実験例1−20)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−21)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−2)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−3)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−4)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−5)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−6)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−7)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−8)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−9)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−11)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−12)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−13)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−14)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−16)
維持率:96.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−17)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−18)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−19)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−21)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例1−2〜1−21)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、130℃で7.5分間(実験例1−2)、130℃で10分間(実験例1−3)、140℃で5分間(実験例1−4)、140℃で7.5分間(実験例1−5)、140℃で10分間(実験例1−6)、150℃で3分間(実験例1−7)、150℃で5分間(実験例1−8)、150℃で7.5分間(実験例1−9)、150℃で10分間(実験例1−10)、160℃で1分間(実験例1−11)、160℃で3分間(実験例1−12)、160℃で5分間(実験例1−13)、160℃で7.5分間(実験例1−14)、160℃で10分間(実験例1−15)、170℃で1分間(実験例1−16)、170℃で3分間(実験例1−17)、170℃で5分間(実験例1−18)、180℃で1分間(実験例1−19)、180℃で3分間(実験例1−20)、190℃で1分間(実験例1−21)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−2〜1−21)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50877、分子量分布:1.406(実験例1−2)
重量平均分子量:50722、分子量分布:1.402(実験例1−3)
重量平均分子量:50810、分子量分布:1.404(実験例1−4)
重量平均分子量:50462、分子量分布:1.407(実験例1−5)
重量平均分子量:50411、分子量分布:1.410(実験例1−6)
重量平均分子量:50914、分子量分布:1.401(実験例1−7)
重量平均分子量:50974、分子量分布:1.412(実験例1−8)
重量平均分子量:50682、分子量分布:1.436(実験例1−9)
重量平均分子量:50509、分子量分布:1.432(実験例1−10)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−11)
重量平均分子量:50679、分子量分布:1.413(実験例1−12)
重量平均分子量:50532、分子量分布:1.414(実験例1−13)
重量平均分子量:50279、分子量分布:1.417(実験例1−14)
重量平均分子量:50307、分子量分布:1.416(実験例1−15)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−16)
重量平均分子量:49767、分子量分布:1.418(実験例1−17)
重量平均分子量:50448、分子量分布:1.415(実験例1−18)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−19)
重量平均分子量:50246、分子量分布:1.417(実験例1−20)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−21)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−2)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−3)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−4)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−5)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−6)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−7)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−8)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−9)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−11)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−12)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−13)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−14)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−16)
維持率:96.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−17)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−18)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−19)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−21)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例1−2〜1−21)
(実験例1−22〜1−26)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で10分間(実験例1−22)、120℃で7.5分間(実験例1−23)、130℃で5分間(実験例1−24)、140℃で3分間(実験例1−25)、150℃で1分間(実験例1−26)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−22〜1−26)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51068、分子量分布:1.400(実験例1−22)
重量平均分子量:51584、分子量分布:1.400(実験例1−23)
重量平均分子量:50668、分子量分布:1.404(実験例1−24)
重量平均分子量:50120、分子量分布:1.400(実験例1−25)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−26)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−22)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−23)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−24)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−26)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例1−22〜1−26)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で10分間(実験例1−22)、120℃で7.5分間(実験例1−23)、130℃で5分間(実験例1−24)、140℃で3分間(実験例1−25)、150℃で1分間(実験例1−26)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−22〜1−26)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51068、分子量分布:1.400(実験例1−22)
重量平均分子量:51584、分子量分布:1.400(実験例1−23)
重量平均分子量:50668、分子量分布:1.404(実験例1−24)
重量平均分子量:50120、分子量分布:1.400(実験例1−25)
重量平均分子量:51106、分子量分布:1.403(実験例1−26)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−22)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−23)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−24)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例1−26)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例1−22〜1−26)
(実験例1−27〜1−30)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例1−27)、170℃で10分間(実験例1−28)、180℃で5分間(実験例1−29)、190℃で3分間(実験例1−30)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−27〜1−30)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48993、分子量分布:1.437(実験例1−27)
重量平均分子量:48632、分子量分布:1.452(実験例1−28)
重量平均分子量:48821、分子量分布:1.413(実験例1−29)
重量平均分子量:48400、分子量分布:1.437(実験例1−30)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−27)
維持率:94.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−28)
維持率:94.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−29)
維持率:93.9%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−30)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例1−27〜1−30)
実験例1−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例1−27)、170℃で10分間(実験例1−28)、180℃で5分間(実験例1−29)、190℃で3分間(実験例1−30)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例1−27〜1−30)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48993、分子量分布:1.437(実験例1−27)
重量平均分子量:48632、分子量分布:1.452(実験例1−28)
重量平均分子量:48821、分子量分布:1.413(実験例1−29)
重量平均分子量:48400、分子量分布:1.437(実験例1−30)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−27)
維持率:94.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−28)
維持率:94.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−29)
維持率:93.9%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例1−30)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例1−27〜1−30)
(実験例2−1)
<重合体(F6)の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(ACAPFP)3.0gおよび単量体(b)としての4−フルオロ−α−メチルスチレン(4FAMS)3.23483gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.00521gとを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合体)を得た。次いで、得られた重合体(crude)を100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF50gとメタノール(MeOH)950gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(4−フルオロ−α−メチルスチレン単位およびα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を50mol%、4−フルオロ−α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
<重合体(F6)の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(ACAPFP)3.0gおよび単量体(b)としての4−フルオロ−α−メチルスチレン(4FAMS)3.23483gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.00521gとを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合体)を得た。次いで、得られた重合体(crude)を100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF50gとメタノール(MeOH)950gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(4−フルオロ−α−メチルスチレン単位およびα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を50mol%、4−フルオロ−α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
<ポジ型レジスト組成物の調製>
得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が4質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。
得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が4質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。
<レジストパターンの形成>
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径4インチのマスクブランクス(石英基板(厚み:1.0mm)上にクロム層(厚み:10nm)が形成されたもの)上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度120℃のホットプレートで10分間加熱して(プリベーク工程)、マスクブランクス上に厚さ50nmのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。また、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いてレジスト膜を最適露光量(Eop)で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて温度23℃で1分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル(CF3CFHCFHCF2CF3)で10秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量(Eop)は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン(未露光領域)とスペース(露光領域)は、それぞれ20nmとした。
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径4インチのマスクブランクス(石英基板(厚み:1.0mm)上にクロム層(厚み:10nm)が形成されたもの)上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度120℃のホットプレートで10分間加熱して(プリベーク工程)、マスクブランクス上に厚さ50nmのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。また、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いてレジスト膜を最適露光量(Eop)で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて温度23℃で1分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル(CF3CFHCFHCF2CF3)で10秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量(Eop)は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン(未露光領域)とスペース(露光領域)は、それぞれ20nmとした。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例2−2〜2−29)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、130℃で7.5分間(実験例2−2)、130℃で10分間(実験例2−3)、140℃で5分間(実験例2−4)、140℃で7.5分間(実験例2−5)、140℃で10分間(実験例2−6)、150℃で3分間(実験例2−7)、150℃で5分間(実験例2−8)、150℃で7.5分間(実験例2−9)、150℃で10分間(実験例2−10)、160℃で1分間(実験例2−11)、160℃で3分間(実験例2−12)、160℃で5分間(実験例2−13)、160℃で7.5分間(実験例2−14)、160℃で10分間(実験例2−15)、170℃で1分間(実験例2−16)、170℃で3分間(実験例2−17)、170℃で5分間(実験例2−18)、170℃で7.5分間(実験例2−19)、170℃で10分間(実験例2−20)、180℃で1分間(実験例2−21)、180℃で3分間(実験例2−22)、180℃で5分間(実験例2−23)、180℃で7.5分間(実験例2−24)、180℃で10分間(実験例2−25)、190℃で1分間(実験例2−26)、190℃で3分間(実験例2−27)、190℃で5分間(実験例2−28)、190℃で7.5分間(実験例2−29)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例2−2〜2−29)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48583、分子量分布:1.285(実験例2−2)
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.282(実験例2−3)
重量平均分子量:48111、分子量分布:1.283(実験例2−4)
重量平均分子量:47610、分子量分布:1.285(実験例2−5)
重量平均分子量:47351、分子量分布:1.284(実験例2−6)
重量平均分子量:47974、分子量分布:1.288(実験例2−7)
重量平均分子量:48381、分子量分布:1.285(実験例2−8)
重量平均分子量:47692、分子量分布:1.288(実験例2−9)
重量平均分子量:47829、分子量分布:1.291(実験例2−10)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−11)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.282(実験例2−12)
重量平均分子量:47968、分子量分布:1.288(実験例2−13)
重量平均分子量:47262、分子量分布:1.292(実験例2−14)
重量平均分子量:47068、分子量分布:1.300(実験例2−15)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−16)
重量平均分子量:46900、分子量分布:1.284(実験例2−17)
重量平均分子量:47754、分子量分布:1.293(実験例2−18)
重量平均分子量:46746、分子量分布:1.302(実験例2−19)
重量平均分子量:47502、分子量分布:1.313(実験例2−20)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−21)
重量平均分子量:47730、分子量分布:1.291(実験例2−22)
重量平均分子量:47275、分子量分布:1.301(実験例2−23)
重量平均分子量:45765、分子量分布:1.318(実験例2−24)
重量平均分子量:45769、分子量分布:1.317(実験例2−25)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−26)
重量平均分子量:47656、分子量分布:1.299(実験例2−27)
重量平均分子量:46846、分子量分布:1.306(実験例2−28)
重量平均分子量:45478、分子量分布:1.318(実験例2−29)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−2)
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−3)
維持率:101.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−4)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−5)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−6)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−7)
維持率:102.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−8)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−9)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−11)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−12)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−13)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−14)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−17)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−18)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−19)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−21)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−22)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−23)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−24)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−26)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−27)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−28)
維持率:96.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−29)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例2−2〜2−29)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、130℃で7.5分間(実験例2−2)、130℃で10分間(実験例2−3)、140℃で5分間(実験例2−4)、140℃で7.5分間(実験例2−5)、140℃で10分間(実験例2−6)、150℃で3分間(実験例2−7)、150℃で5分間(実験例2−8)、150℃で7.5分間(実験例2−9)、150℃で10分間(実験例2−10)、160℃で1分間(実験例2−11)、160℃で3分間(実験例2−12)、160℃で5分間(実験例2−13)、160℃で7.5分間(実験例2−14)、160℃で10分間(実験例2−15)、170℃で1分間(実験例2−16)、170℃で3分間(実験例2−17)、170℃で5分間(実験例2−18)、170℃で7.5分間(実験例2−19)、170℃で10分間(実験例2−20)、180℃で1分間(実験例2−21)、180℃で3分間(実験例2−22)、180℃で5分間(実験例2−23)、180℃で7.5分間(実験例2−24)、180℃で10分間(実験例2−25)、190℃で1分間(実験例2−26)、190℃で3分間(実験例2−27)、190℃で5分間(実験例2−28)、190℃で7.5分間(実験例2−29)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例2−2〜2−29)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48583、分子量分布:1.285(実験例2−2)
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.282(実験例2−3)
重量平均分子量:48111、分子量分布:1.283(実験例2−4)
重量平均分子量:47610、分子量分布:1.285(実験例2−5)
重量平均分子量:47351、分子量分布:1.284(実験例2−6)
重量平均分子量:47974、分子量分布:1.288(実験例2−7)
重量平均分子量:48381、分子量分布:1.285(実験例2−8)
重量平均分子量:47692、分子量分布:1.288(実験例2−9)
重量平均分子量:47829、分子量分布:1.291(実験例2−10)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−11)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.282(実験例2−12)
重量平均分子量:47968、分子量分布:1.288(実験例2−13)
重量平均分子量:47262、分子量分布:1.292(実験例2−14)
重量平均分子量:47068、分子量分布:1.300(実験例2−15)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−16)
重量平均分子量:46900、分子量分布:1.284(実験例2−17)
重量平均分子量:47754、分子量分布:1.293(実験例2−18)
重量平均分子量:46746、分子量分布:1.302(実験例2−19)
重量平均分子量:47502、分子量分布:1.313(実験例2−20)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−21)
重量平均分子量:47730、分子量分布:1.291(実験例2−22)
重量平均分子量:47275、分子量分布:1.301(実験例2−23)
重量平均分子量:45765、分子量分布:1.318(実験例2−24)
重量平均分子量:45769、分子量分布:1.317(実験例2−25)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−26)
重量平均分子量:47656、分子量分布:1.299(実験例2−27)
重量平均分子量:46846、分子量分布:1.306(実験例2−28)
重量平均分子量:45478、分子量分布:1.318(実験例2−29)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−2)
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−3)
維持率:101.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−4)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−5)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−6)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−7)
維持率:102.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−8)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−9)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−11)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−12)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−13)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−14)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−17)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−18)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−19)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−21)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−22)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−23)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−24)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−26)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−27)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−28)
維持率:96.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−29)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例2−2〜2−29)
(実験例2−30〜2−34)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で10分間(実験例2−30)、120℃で7.5分間(実験例2−31)、130℃で5分間(実験例2−32)、140℃で3分間(実験例2−33)、150℃で1分間(実験例2−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例2−30〜2−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.283(実験例2−30)
重量平均分子量:48564、分子量分布:1.286(実験例2−31)
重量平均分子量:47869、分子量分布:1.276(実験例2−32)
重量平均分子量:47271、分子量分布:1.285(実験例2−33)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−30)
維持率:102.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−31)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−32)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例2−30〜2−34)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で10分間(実験例2−30)、120℃で7.5分間(実験例2−31)、130℃で5分間(実験例2−32)、140℃で3分間(実験例2−33)、150℃で1分間(実験例2−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例2−30〜2−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48511、分子量分布:1.283(実験例2−30)
重量平均分子量:48564、分子量分布:1.286(実験例2−31)
重量平均分子量:47869、分子量分布:1.276(実験例2−32)
重量平均分子量:47271、分子量分布:1.285(実験例2−33)
重量平均分子量:46929、分子量分布:1.284(実験例2−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−30)
維持率:102.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−31)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−32)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例2−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例2−30〜2−34)
(実験例2−35)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45087、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例2−1において、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Aに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45087、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例3−1)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−ブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−ブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例3−2〜3−31)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で7.5分間(実験例3−2)、110℃で10分間(実験例3−3)、120℃で5分間(実験例3−4)、120℃で7.5分間(実験例3−5)、120℃で10分間(実験例3−6)、130℃で3分間(実験例3−7)、130℃で5分間(実験例3−8)、130℃で7.5分間(実験例3−9)、130℃で10分間(実験例3−10)、140℃で1分間(実験例3−11)、140℃で3分間(実験例3−12)、140℃で5分間(実験例3−13)、140℃で7.5分間(実験例3−14)、140℃で10分間(実験例3−15)、150℃で1分間(実験例3−16)、150℃で3分間(実験例3−17)、150℃で5分間(実験例3−18)、150℃で7.5分間(実験例3−19)、150℃で10分間(実験例3−20)、160℃で1分間(実験例3−21)、160℃で3分間(実験例3−22)、160℃で5分間(実験例3−23)、160℃で7.5分間(実験例3−24)、160℃で10分間(実験例3−25)、170℃で1分間(実験例3−26)、170℃で3分間(実験例3−27)、170℃で5分間(実験例3−28)、180℃で1分間(実験例3−29)、180℃で3分間(実験例3−30)、190℃で1分間(実験例3−31)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−2〜3−31)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−2)
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−3)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.400(実験例3−4)
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−5)
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−6)
重量平均分子量:50919、分子量分布:1.404(実験例3−7)
重量平均分子量:50621、分子量分布:1.406(実験例3−8)
重量平均分子量:50985、分子量分布:1.406(実験例3−9)
重量平均分子量:50839、分子量分布:1.403(実験例3−10)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.400(実験例3−11)
重量平均分子量:50125、分子量分布:1.404(実験例3−12)
重量平均分子量:50763、分子量分布:1.407(実験例3−13)
重量平均分子量:50569、分子量分布:1.407(実験例3−14)
重量平均分子量:50528、分子量分布:1.405(実験例3−15)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.401(実験例3−16)
重量平均分子量:50919、分子量分布:1.412(実験例3−17)
重量平均分子量:50926、分子量分布:1.436(実験例3−18)
重量平均分子量:50790、分子量分布:1.436(実験例3−19)
重量平均分子量:50626、分子量分布:1.416(実験例3−20)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.413(実験例3−21)
重量平均分子量:50684、分子量分布:1.414(実験例3−22)
重量平均分子量:50485、分子量分布:1.417(実験例3−23)
重量平均分子量:50386、分子量分布:1.417(実験例3−24)
重量平均分子量:50424、分子量分布:1.422(実験例3−25)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.418(実験例3−26)
重量平均分子量:49772、分子量分布:1.415(実験例3−27)
重量平均分子量:50400、分子量分布:1.437(実験例3−28)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.417(実験例3−29)
重量平均分子量:50251、分子量分布:1.448(実験例3−30)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.437(実験例3−31)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−3)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−4)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−5)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−6)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−7)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−8)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−9)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−11)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−12)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−13)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−14)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−16)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−17)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−18)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−19)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−21)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−22)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−23)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−24)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−26)
維持率:96.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−27)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−28)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−29)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−31)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例3−2〜3−31)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で7.5分間(実験例3−2)、110℃で10分間(実験例3−3)、120℃で5分間(実験例3−4)、120℃で7.5分間(実験例3−5)、120℃で10分間(実験例3−6)、130℃で3分間(実験例3−7)、130℃で5分間(実験例3−8)、130℃で7.5分間(実験例3−9)、130℃で10分間(実験例3−10)、140℃で1分間(実験例3−11)、140℃で3分間(実験例3−12)、140℃で5分間(実験例3−13)、140℃で7.5分間(実験例3−14)、140℃で10分間(実験例3−15)、150℃で1分間(実験例3−16)、150℃で3分間(実験例3−17)、150℃で5分間(実験例3−18)、150℃で7.5分間(実験例3−19)、150℃で10分間(実験例3−20)、160℃で1分間(実験例3−21)、160℃で3分間(実験例3−22)、160℃で5分間(実験例3−23)、160℃で7.5分間(実験例3−24)、160℃で10分間(実験例3−25)、170℃で1分間(実験例3−26)、170℃で3分間(実験例3−27)、170℃で5分間(実験例3−28)、180℃で1分間(実験例3−29)、180℃で3分間(実験例3−30)、190℃で1分間(実験例3−31)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−2〜3−31)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−2)
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−3)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.400(実験例3−4)
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−5)
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−6)
重量平均分子量:50919、分子量分布:1.404(実験例3−7)
重量平均分子量:50621、分子量分布:1.406(実験例3−8)
重量平均分子量:50985、分子量分布:1.406(実験例3−9)
重量平均分子量:50839、分子量分布:1.403(実験例3−10)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.400(実験例3−11)
重量平均分子量:50125、分子量分布:1.404(実験例3−12)
重量平均分子量:50763、分子量分布:1.407(実験例3−13)
重量平均分子量:50569、分子量分布:1.407(実験例3−14)
重量平均分子量:50528、分子量分布:1.405(実験例3−15)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.401(実験例3−16)
重量平均分子量:50919、分子量分布:1.412(実験例3−17)
重量平均分子量:50926、分子量分布:1.436(実験例3−18)
重量平均分子量:50790、分子量分布:1.436(実験例3−19)
重量平均分子量:50626、分子量分布:1.416(実験例3−20)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.413(実験例3−21)
重量平均分子量:50684、分子量分布:1.414(実験例3−22)
重量平均分子量:50485、分子量分布:1.417(実験例3−23)
重量平均分子量:50386、分子量分布:1.417(実験例3−24)
重量平均分子量:50424、分子量分布:1.422(実験例3−25)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.418(実験例3−26)
重量平均分子量:49772、分子量分布:1.415(実験例3−27)
重量平均分子量:50400、分子量分布:1.437(実験例3−28)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.417(実験例3−29)
重量平均分子量:50251、分子量分布:1.448(実験例3−30)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.437(実験例3−31)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−3)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−4)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−5)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−6)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−7)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−8)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−9)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−11)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−12)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−13)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−14)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−16)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−17)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−18)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−19)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−21)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−22)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−23)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−24)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−26)
維持率:96.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−27)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−28)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−29)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−31)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例3−2〜3−31)
(実験例3−32〜3−36)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で10分間(実験例3−32)、100℃で7.5分間(実験例3−33)、110℃で5分間(実験例3−34)、120℃で3分間(実験例3−35)、130℃で1分間(実験例3−36)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−32〜3−36)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−32)
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−33)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.400(実験例3−34)
重量平均分子量:51185、分子量分布:1.402(実験例3−35)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.404(実験例3−36)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−32)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−33)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−34)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−35)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−36)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例3−32〜3−36)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で10分間(実験例3−32)、100℃で7.5分間(実験例3−33)、110℃で5分間(実験例3−34)、120℃で3分間(実験例3−35)、130℃で1分間(実験例3−36)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−32〜3−36)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51701、分子量分布:1.400(実験例3−32)
重量平均分子量:51693、分子量分布:1.400(実験例3−33)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.400(実験例3−34)
重量平均分子量:51185、分子量分布:1.402(実験例3−35)
重量平均分子量:51125、分子量分布:1.404(実験例3−36)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−32)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−33)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−34)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−35)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例3−36)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例3−32〜3−36)
(実験例3−37〜3−40)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例3−37)、170℃で10分間(実験例3−38)、180℃で5分間(実験例3−39)、190℃で3分間(実験例3−40)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−37〜3−40)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49097、分子量分布:1.437(実験例3−37)
重量平均分子量:48745、分子量分布:1.451(実験例3−38)
重量平均分子量:47836、分子量分布:1.456(実験例3−39)
重量平均分子量:48405、分子量分布:1.462(実験例3−40)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−37)
維持率:94.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−38)
維持率:92.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−39)
維持率:93.9%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−40)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例3−37〜3−40)
実験例3−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例3−37)、170℃で10分間(実験例3−38)、180℃で5分間(実験例3−39)、190℃で3分間(実験例3−40)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例3−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例3−37〜3−40)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49097、分子量分布:1.437(実験例3−37)
重量平均分子量:48745、分子量分布:1.451(実験例3−38)
重量平均分子量:47836、分子量分布:1.456(実験例3−39)
重量平均分子量:48405、分子量分布:1.462(実験例3−40)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−37)
維持率:94.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−38)
維持率:92.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−39)
維持率:93.9%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例3−40)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例3−37〜3−40)
(実験例4−1)
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−ブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−ブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例4−2〜4−39)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で7.5分間(実験例4−2)、110℃で10分間(実験例4−3)、120℃で5分間(実験例4−4)、120℃で7.5分間(実験例4−5)、120℃で10分間(実験例4−6)、130℃で3分間(実験例4−7)、130℃で5分間(実験例4−8)、130℃で7.5分間(実験例4−9)、130℃で10分間(実験例4−10)、140℃で1分間(実験例4−11)、140℃で3分間(実験例4−12)、140℃で5分間(実験例4−13)、140℃で7.5分間(実験例4−14)、140℃で10分間(実験例4−15)、150℃で1分間(実験例4−16)、150℃で3分間(実験例4−17)、150℃で5分間(実験例4−18)、150℃で7.5分間(実験例4−19)、150℃で10分間(実験例4−20)、160℃で1分間(実験例4−21)、160℃で3分間(実験例4−22)、160℃で5分間(実験例4−23)、160℃で7.5分間(実験例4−24)、160℃で10分間(実験例4−25)、170℃で1分間(実験例4−26)、170℃で3分間(実験例4−27)、170℃で5分間(実験例4−28)、170℃で7.5分間(実験例4−29)、170℃で10分間(実験例4−30)、180℃で1分間(実験例4−31)、180℃で3分間(実験例4−32)、180℃で5分間(実験例4−33)、180℃で7.5分間(実験例4−34)、180℃で10分間(実験例4−35)、190℃で1分間(実験例4−36)、190℃で3分間(実験例4−37)、190℃で5分間(実験例4−38)、190℃で7.5分間(実験例4−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例4−2〜4−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−2)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−3)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.288(実験例4−4)
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−5)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−6)
重量平均分子量:47276、分子量分布:1.289(実験例4−7)
重量平均分子量:47824、分子量分布:1.276(実験例4−8)
重量平均分子量:48686、分子量分布:1.285(実験例4−9)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.282(実験例4−10)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−11)
重量平均分子量:47276、分子量分布:1.285(実験例4−12)
重量平均分子量:48066、分子量分布:1.283(実験例4−13)
重量平均分子量:47711、分子量分布:1.285(実験例4−14)
重量平均分子量:47461、分子量分布:1.284(実験例4−15)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−16)
重量平均分子量:47979、分子量分布:1.288(実験例4−17)
重量平均分子量:48335、分子量分布:1.285(実験例4−18)
重量平均分子量:47793、分子量分布:1.288(実験例4−19)
重量平均分子量:47940、分子量分布:1.291(実験例4−20)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−21)
重量平均分子量:47744、分子量分布:1.282(実験例4−22)
重量平均分子量:47923、分子量分布:1.288(実験例4−23)
重量平均分子量:47362、分子量分布:1.292(実験例4−24)
重量平均分子量:47177、分子量分布:1.300(実験例4−25)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−26)
重量平均分子量:46905、分子量分布:1.284(実験例4−27)
重量平均分子量:47709、分子量分布:1.293(実験例4−28)
重量平均分子量:46845、分子量分布:1.302(実験例4−29)
重量平均分子量:46610、分子量分布:1.313(実験例4−30)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−31)
重量平均分子量:47734、分子量分布:1.291(実験例4−32)
重量平均分子量:47231、分子量分布:1.301(実験例4−33)
重量平均分子量:45862、分子量分布:1.318(実験例4−34)
重量平均分子量:45875、分子量分布:1.317(実験例4−35)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−36)
重量平均分子量:47661、分子量分布:1.299(実験例4−37)
重量平均分子量:46802、分子量分布:1.306(実験例4−38)
重量平均分子量:45574、分子量分布:1.318(実験例4−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−2)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−3)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−4)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−5)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−6)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−7)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−8)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−9)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−11)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−12)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−13)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−14)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−16)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−17)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−18)
維持率:101.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−19)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−21)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−22)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−23)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−24)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−26)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−27)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−28)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−29)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−31)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−32)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−33)
維持率:96.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−34)
維持率:97.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−35)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−36)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−37)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−38)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例4−2〜4−39)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、110℃で7.5分間(実験例4−2)、110℃で10分間(実験例4−3)、120℃で5分間(実験例4−4)、120℃で7.5分間(実験例4−5)、120℃で10分間(実験例4−6)、130℃で3分間(実験例4−7)、130℃で5分間(実験例4−8)、130℃で7.5分間(実験例4−9)、130℃で10分間(実験例4−10)、140℃で1分間(実験例4−11)、140℃で3分間(実験例4−12)、140℃で5分間(実験例4−13)、140℃で7.5分間(実験例4−14)、140℃で10分間(実験例4−15)、150℃で1分間(実験例4−16)、150℃で3分間(実験例4−17)、150℃で5分間(実験例4−18)、150℃で7.5分間(実験例4−19)、150℃で10分間(実験例4−20)、160℃で1分間(実験例4−21)、160℃で3分間(実験例4−22)、160℃で5分間(実験例4−23)、160℃で7.5分間(実験例4−24)、160℃で10分間(実験例4−25)、170℃で1分間(実験例4−26)、170℃で3分間(実験例4−27)、170℃で5分間(実験例4−28)、170℃で7.5分間(実験例4−29)、170℃で10分間(実験例4−30)、180℃で1分間(実験例4−31)、180℃で3分間(実験例4−32)、180℃で5分間(実験例4−33)、180℃で7.5分間(実験例4−34)、180℃で10分間(実験例4−35)、190℃で1分間(実験例4−36)、190℃で3分間(実験例4−37)、190℃で5分間(実験例4−38)、190℃で7.5分間(実験例4−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例4−2〜4−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−2)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−3)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.288(実験例4−4)
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−5)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−6)
重量平均分子量:47276、分子量分布:1.289(実験例4−7)
重量平均分子量:47824、分子量分布:1.276(実験例4−8)
重量平均分子量:48686、分子量分布:1.285(実験例4−9)
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.282(実験例4−10)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−11)
重量平均分子量:47276、分子量分布:1.285(実験例4−12)
重量平均分子量:48066、分子量分布:1.283(実験例4−13)
重量平均分子量:47711、分子量分布:1.285(実験例4−14)
重量平均分子量:47461、分子量分布:1.284(実験例4−15)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−16)
重量平均分子量:47979、分子量分布:1.288(実験例4−17)
重量平均分子量:48335、分子量分布:1.285(実験例4−18)
重量平均分子量:47793、分子量分布:1.288(実験例4−19)
重量平均分子量:47940、分子量分布:1.291(実験例4−20)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−21)
重量平均分子量:47744、分子量分布:1.282(実験例4−22)
重量平均分子量:47923、分子量分布:1.288(実験例4−23)
重量平均分子量:47362、分子量分布:1.292(実験例4−24)
重量平均分子量:47177、分子量分布:1.300(実験例4−25)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−26)
重量平均分子量:46905、分子量分布:1.284(実験例4−27)
重量平均分子量:47709、分子量分布:1.293(実験例4−28)
重量平均分子量:46845、分子量分布:1.302(実験例4−29)
重量平均分子量:46610、分子量分布:1.313(実験例4−30)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−31)
重量平均分子量:47734、分子量分布:1.291(実験例4−32)
重量平均分子量:47231、分子量分布:1.301(実験例4−33)
重量平均分子量:45862、分子量分布:1.318(実験例4−34)
重量平均分子量:45875、分子量分布:1.317(実験例4−35)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−36)
重量平均分子量:47661、分子量分布:1.299(実験例4−37)
重量平均分子量:46802、分子量分布:1.306(実験例4−38)
重量平均分子量:45574、分子量分布:1.318(実験例4−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−2)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−3)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−4)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−5)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−6)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−7)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−8)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−9)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−11)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−12)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−13)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−14)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−16)
維持率:101.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−17)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−18)
維持率:101.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−19)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−21)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−22)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−23)
維持率:100.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−24)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−26)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−27)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−28)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−29)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−31)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−32)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−33)
維持率:96.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−34)
維持率:97.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−35)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−36)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−37)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−38)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例4−2〜4−39)
(実験例4−40〜実験例4−44)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で10分間(実験例4−40)、100℃で7.5分間(実験例4−41)、110℃で5分間(実験例4−42)、120℃で3分間(実験例4−43)、130℃で1分間(実験例4−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−40)
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−41)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.288(実験例4−42)
重量平均分子量:47044、分子量分布:1.285(実験例4−43)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−40)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−41)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−42)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−43)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例4−40〜4−44)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で10分間(実験例4−40)、100℃で7.5分間(実験例4−41)、110℃で5分間(実験例4−42)、120℃で3分間(実験例4−43)、130℃で1分間(実験例4−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48624、分子量分布:1.283(実験例4−40)
重量平均分子量:48667、分子量分布:1.286(実験例4−41)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.288(実験例4−42)
重量平均分子量:47044、分子量分布:1.285(実験例4−43)
重量平均分子量:46947、分子量分布:1.284(実験例4−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−40)
維持率:102.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−41)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−42)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−43)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例4−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例4−40〜4−44)
(実験例4−45)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45191、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例4−1において、100℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例4−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Bに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45191、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例5−1)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例5−2〜実験例5−36)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で7.5分間(実験例5−2)、100℃で10分間(実験例5−3)、110℃で5分間(実験例5−4)、110℃で7.5分間(実験例5−5)、110℃で10分間(実験例5−6)、120℃で3分間(実験例5−7)、120℃で5分間(実験例5−8)、120℃で7.5分間(実験例5−9)、120℃で10分間(実験例5−10)、130℃で1分間(実験例5−11)、130℃で3分間(実験例5−12)、130℃で5分間(実験例5−13)、130℃で7.5分間(実験例5−14)、130℃で10分間(実験例5−15)、140℃で1分間(実験例5−16)、140℃で3分間(実験例5−17)、140℃で5分間(実験例5−18)、140℃で7.5分間(実験例5−19)、140℃で10分間(実験例5−20)、150℃で1分間(実験例5−21)、150℃で3分間(実験例5−22)、150℃で5分間(実験例5−23)、150℃で7.5分間(実験例3−24)、150℃で10分間(実験例5−25)、160℃で1分間(実験例5−26)、160℃で3分間(実験例5−27)、160℃で5分間(実験例5−28)、160℃で7.5分間(実験例5−29)、160℃で10分間(実験例5−30)、170℃で1分間(実験例5−31)、170℃で3分間(実験例5−32)、170℃で5分間(実験例5−33)、180℃で1分間(実験例5−34)、180℃で3分間(実験例5−35)、190℃で1分間(実験例5−36)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−2〜実験例5−36)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−2)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−3)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−4)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−5)
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400(実験例5−6)
重量平均分子量:51082、分子量分布:1.409(実験例5−7)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−8)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−9)
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400(実験例5−10)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−11)
重量平均分子量:50817、分子量分布:1.404(実験例5−12)
重量平均分子量:50554、分子量分布:1.404(実験例5−13)
重量平均分子量:51036、分子量分布:1.406(実験例5−14)
重量平均分子量:50824、分子量分布:1.402(実験例5−15)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−16)
重量平均分子量:50024、分子量分布:1.400(実験例5−17)
重量平均分子量:50696、分子量分布:1.404(実験例5−18)
重量平均分子量:50620、分子量分布:1.407(実験例5−19)
重量平均分子量:50513、分子量分布:1.410(実験例5−20)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−21)
重量平均分子量:50817、分子量分布:1.401(実験例5−22)
重量平均分子量:50859、分子量分布:1.412(実験例5−23)
重量平均分子量:50841、分子量分布:1.436(実験例5−24)
重量平均分子量:50611、分子量分布:1.432(実験例5−25)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−26)
重量平均分子量:50582、分子量分布:1.413(実験例5−27)
重量平均分子量:50418、分子量分布:1.414(実験例5−28)
重量平均分子量:50437、分子量分布:1.417(実験例5−29)
重量平均分子量:50408、分子量分布:1.416(実験例5−30)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−31)
重量平均分子量:49672、分子量分布:1.418(実験例5−32)
重量平均分子量:50334、分子量分布:1.415(実験例5−33)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−34)
重量平均分子量:50150、分子量分布:1.417(実験例5−35)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−36)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−3)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−4)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−5)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−7)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−8)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−9)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−10)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−11)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−12)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−13)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−14)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−15)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−16)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−17)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−18)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−19)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−20)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−21)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−22)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−23)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−24)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−25)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−26)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−27)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−28)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−29)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−30)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−31)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−32)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−33)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−34)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−35)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−36)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例5−2〜実験例5−36)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で7.5分間(実験例5−2)、100℃で10分間(実験例5−3)、110℃で5分間(実験例5−4)、110℃で7.5分間(実験例5−5)、110℃で10分間(実験例5−6)、120℃で3分間(実験例5−7)、120℃で5分間(実験例5−8)、120℃で7.5分間(実験例5−9)、120℃で10分間(実験例5−10)、130℃で1分間(実験例5−11)、130℃で3分間(実験例5−12)、130℃で5分間(実験例5−13)、130℃で7.5分間(実験例5−14)、130℃で10分間(実験例5−15)、140℃で1分間(実験例5−16)、140℃で3分間(実験例5−17)、140℃で5分間(実験例5−18)、140℃で7.5分間(実験例5−19)、140℃で10分間(実験例5−20)、150℃で1分間(実験例5−21)、150℃で3分間(実験例5−22)、150℃で5分間(実験例5−23)、150℃で7.5分間(実験例3−24)、150℃で10分間(実験例5−25)、160℃で1分間(実験例5−26)、160℃で3分間(実験例5−27)、160℃で5分間(実験例5−28)、160℃で7.5分間(実験例5−29)、160℃で10分間(実験例5−30)、170℃で1分間(実験例5−31)、170℃で3分間(実験例5−32)、170℃で5分間(実験例5−33)、180℃で1分間(実験例5−34)、180℃で3分間(実験例5−35)、190℃で1分間(実験例5−36)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−2〜実験例5−36)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−2)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−3)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−4)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−5)
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400(実験例5−6)
重量平均分子量:51082、分子量分布:1.409(実験例5−7)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−8)
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−9)
重量平均分子量:51685、分子量分布:1.400(実験例5−10)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−11)
重量平均分子量:50817、分子量分布:1.404(実験例5−12)
重量平均分子量:50554、分子量分布:1.404(実験例5−13)
重量平均分子量:51036、分子量分布:1.406(実験例5−14)
重量平均分子量:50824、分子量分布:1.402(実験例5−15)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−16)
重量平均分子量:50024、分子量分布:1.400(実験例5−17)
重量平均分子量:50696、分子量分布:1.404(実験例5−18)
重量平均分子量:50620、分子量分布:1.407(実験例5−19)
重量平均分子量:50513、分子量分布:1.410(実験例5−20)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−21)
重量平均分子量:50817、分子量分布:1.401(実験例5−22)
重量平均分子量:50859、分子量分布:1.412(実験例5−23)
重量平均分子量:50841、分子量分布:1.436(実験例5−24)
重量平均分子量:50611、分子量分布:1.432(実験例5−25)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−26)
重量平均分子量:50582、分子量分布:1.413(実験例5−27)
重量平均分子量:50418、分子量分布:1.414(実験例5−28)
重量平均分子量:50437、分子量分布:1.417(実験例5−29)
重量平均分子量:50408、分子量分布:1.416(実験例5−30)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−31)
重量平均分子量:49672、分子量分布:1.418(実験例5−32)
重量平均分子量:50334、分子量分布:1.415(実験例5−33)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−34)
重量平均分子量:50150、分子量分布:1.417(実験例5−35)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−36)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−3)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−4)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−5)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−7)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−8)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−9)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−10)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−11)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−12)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−13)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−14)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−15)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−16)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−17)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−18)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−19)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−20)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−21)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−22)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−23)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−24)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−25)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−26)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−27)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−28)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−29)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−30)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−31)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−32)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−33)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−34)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−35)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−36)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例5−2〜実験例5−36)
(実験例5−37〜5−40)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で7.5分間(実験例5−37)、100℃で5分間(実験例5−38)、110℃で3分間(実験例5−39)、120℃で1分間(実験例5−40)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−37〜5−40)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−37)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−38)
重量平均分子量:51082、分子量分布:1.409(実験例5−39)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−40)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−37)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−38)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−39)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−40)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例5−37〜5−40)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で7.5分間(実験例5−37)、100℃で5分間(実験例5−38)、110℃で3分間(実験例5−39)、120℃で1分間(実験例5−40)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−37〜5−40)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51745、分子量分布:1.400(実験例5−37)
重量平均分子量:51284、分子量分布:1.402(実験例5−38)
重量平均分子量:51082、分子量分布:1.409(実験例5−39)
重量平均分子量:51007、分子量分布:1.403(実験例5−40)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−37)
維持率:99.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−38)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−39)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例5−40)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例5−37〜5−40)
(実験例5−41〜5−44)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例5−41)、170℃で10分間(実験例5−42)、180℃で5分間(実験例5−43)、190℃で3分間(実験例5−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−41〜実験例5−44)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49012、分子量分布:1.441(実験例5−41)
重量平均分子量:48023、分子量分布:1.454(実験例5−42)
重量平均分子量:48121、分子量分布:1.435(実験例5−43)
重量平均分子量:48307、分子量分布:1.437(実験例5−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−41)
維持率:93.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−42)
維持率:93.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−43)
維持率:93.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例5−41〜実験例5−44)
実験例5−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例5−41)、170℃で10分間(実験例5−42)、180℃で5分間(実験例5−43)、190℃で3分間(実験例5−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例5−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例5−41〜実験例5−44)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49012、分子量分布:1.441(実験例5−41)
重量平均分子量:48023、分子量分布:1.454(実験例5−42)
重量平均分子量:48121、分子量分布:1.435(実験例5−43)
重量平均分子量:48307、分子量分布:1.437(実験例5−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−41)
維持率:93.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−42)
維持率:93.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−43)
維持率:93.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例5−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例5−41〜実験例5−44)
(実験例6−1)
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例6−2〜6−44)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で7.5分間(実験例6−2)、100℃で10分間(実験例6−3)、110℃で5分間(実験例6−4)、110℃で7.5分間(実験例6−5)、110℃で10分間(実験例6−6)、120℃で3分間(実験例6−7)、120℃で5分間(実験例6−8)、120℃で7.5分間(実験例6−9)、120℃で10分間(実験例6−10)、130℃で1分間(実験例6−11)、130℃で3分間(実験例6−12)、130℃で5分間(実験例6−13)、130℃で7.5分間(実験例6−14)、130℃で10分間(実験例6−15)、140℃で1分間(実験例6−16)、140℃で3分間(実験例6−17)、140℃で5分間(実験例6−18)、140℃で7.5分間(実験例6−19)、140℃で10分間(実験例6−20)、150℃で1分間(実験例6−21)、150℃で3分間(実験例6−22)、150℃で5分間(実験例6−23)、150℃で7.5分間(実験例6−24)、150℃で10分間(実験例6−25)、160℃で1分間(実験例6−26)、160℃で3分間(実験例6−27)、160℃で5分間(実験例6−28)、160℃で7.5分間(実験例6−29)、160℃で10分間(実験例6−30)、170℃で1分間(実験例6−31)、170℃で3分間(実験例6−32)、170℃で5分間(実験例6−33)、170℃で7.5分間(実験例6−34)、170℃で10分間(実験例6−35)、180℃で1分間(実験例6−36)、180℃で3分間(実験例6−37)、180℃で5分間(実験例6−38)、180℃で7.5分間(実験例6−39)、180℃で10分間(実験例6−40)、190℃で1分間(実験例6−41)、190℃で3分間(実験例6−42)、190℃で5分間(実験例6−43)、190℃で7.5分間(実験例6−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例6−2〜6−44)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−2)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−3)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−4)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−5)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−6)
重量平均分子量:48999、分子量分布:1.288(実験例6−7)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−8)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−9)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−10)
重量平均分子量:47547、分子量分布:1.289(実験例6−11)
重量平均分子量:48195、分子量分布:1.276(実験例6−12)
重量平均分子量:49074、分子量分布:1.285(実験例6−13)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.282(実験例6−14)
重量平均分子量:48552、分子量分布:1.284(実験例6−15)
重量平均分子量:47547、分子量分布:1.285(実験例6−16)
重量平均分子量:48438、分子量分布:1.283(実験例6−17)
重量平均分子量:48091、分子量分布:1.285(実験例6−18)
重量平均分子量:47829、分子量分布:1.284(実験例6−19)
重量平均分子量:47664、分子量分布:1.285(実験例6−20)
重量平均分子量:48254、分子量分布:1.288(実験例6−21)
重量平均分子量:48710、分子量分布:1.285(実験例6−22)
重量平均分子量:48174、分子量分布:1.288(実験例6−23)
重量平均分子量:48312、分子量分布:1.291(実験例6−24)
重量平均分子量:48317、分子量分布:1.289(実験例6−25)
重量平均分子量:48018、分子量分布:1.282(実験例6−26)
重量平均分子量:48294、分子量分布:1.288(実験例6−27)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.292(実験例6−28)
重量平均分子量:47543、分子量分布:1.300(実験例6−29)
重量平均分子量:47127、分子量分布:1.299(実験例6−30)
重量平均分子量:47174、分子量分布:1.284(実験例6−31)
重量平均分子量:48079、分子量分布:1.293(実験例6−32)
重量平均分子量:47218、分子量分布:1.302(実験例6−33)
重量平均分子量:46972、分子量分布:1.313(実験例6−34)
重量平均分子量:46546、分子量分布:1.310(実験例6−35)
重量平均分子量:48008、分子量分布:1.291(実験例6−36)
重量平均分子量:47597、分子量分布:1.301(実験例6−37)
重量平均分子量:46227、分子量分布:1.318(実験例6−38)
重量平均分子量:46231、分子量分布:1.317(実験例6−39)
重量平均分子量:46266、分子量分布:1.322(実験例6−40)
重量平均分子量:47934、分子量分布:1.299(実験例6−41)
重量平均分子量:47165、分子量分布:1.306(実験例6−42)
重量平均分子量:45937、分子量分布:1.318(実験例6−43)
重量平均分子量:45743、分子量分布:1.329(実験例6−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−2)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−3)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−4)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−5)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−6)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−7)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−8)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−9)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−10)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−11)
維持率:101.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−12)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−13)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−14)
維持率:102.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−15)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−16)
維持率:102.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−17)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−18)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−19)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−20)
維持率:102.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−21)
維持率:103.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−22)
維持率:101.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−23)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−24)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−25)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−26)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−27)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−28)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−29)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−30)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−31)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−32)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−33)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−34)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−35)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−36)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−37)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−38)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−39)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−40)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−41)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−42)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−43)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例6−2〜6−44)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で7.5分間(実験例6−2)、100℃で10分間(実験例6−3)、110℃で5分間(実験例6−4)、110℃で7.5分間(実験例6−5)、110℃で10分間(実験例6−6)、120℃で3分間(実験例6−7)、120℃で5分間(実験例6−8)、120℃で7.5分間(実験例6−9)、120℃で10分間(実験例6−10)、130℃で1分間(実験例6−11)、130℃で3分間(実験例6−12)、130℃で5分間(実験例6−13)、130℃で7.5分間(実験例6−14)、130℃で10分間(実験例6−15)、140℃で1分間(実験例6−16)、140℃で3分間(実験例6−17)、140℃で5分間(実験例6−18)、140℃で7.5分間(実験例6−19)、140℃で10分間(実験例6−20)、150℃で1分間(実験例6−21)、150℃で3分間(実験例6−22)、150℃で5分間(実験例6−23)、150℃で7.5分間(実験例6−24)、150℃で10分間(実験例6−25)、160℃で1分間(実験例6−26)、160℃で3分間(実験例6−27)、160℃で5分間(実験例6−28)、160℃で7.5分間(実験例6−29)、160℃で10分間(実験例6−30)、170℃で1分間(実験例6−31)、170℃で3分間(実験例6−32)、170℃で5分間(実験例6−33)、170℃で7.5分間(実験例6−34)、170℃で10分間(実験例6−35)、180℃で1分間(実験例6−36)、180℃で3分間(実験例6−37)、180℃で5分間(実験例6−38)、180℃で7.5分間(実験例6−39)、180℃で10分間(実験例6−40)、190℃で1分間(実験例6−41)、190℃で3分間(実験例6−42)、190℃で5分間(実験例6−43)、190℃で7.5分間(実験例6−44)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例6−2〜6−44)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−2)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−3)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−4)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−5)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−6)
重量平均分子量:48999、分子量分布:1.288(実験例6−7)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−8)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−9)
重量平均分子量:48980、分子量分布:1.283(実験例6−10)
重量平均分子量:47547、分子量分布:1.289(実験例6−11)
重量平均分子量:48195、分子量分布:1.276(実験例6−12)
重量平均分子量:49074、分子量分布:1.285(実験例6−13)
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.282(実験例6−14)
重量平均分子量:48552、分子量分布:1.284(実験例6−15)
重量平均分子量:47547、分子量分布:1.285(実験例6−16)
重量平均分子量:48438、分子量分布:1.283(実験例6−17)
重量平均分子量:48091、分子量分布:1.285(実験例6−18)
重量平均分子量:47829、分子量分布:1.284(実験例6−19)
重量平均分子量:47664、分子量分布:1.285(実験例6−20)
重量平均分子量:48254、分子量分布:1.288(実験例6−21)
重量平均分子量:48710、分子量分布:1.285(実験例6−22)
重量平均分子量:48174、分子量分布:1.288(実験例6−23)
重量平均分子量:48312、分子量分布:1.291(実験例6−24)
重量平均分子量:48317、分子量分布:1.289(実験例6−25)
重量平均分子量:48018、分子量分布:1.282(実験例6−26)
重量平均分子量:48294、分子量分布:1.288(実験例6−27)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.292(実験例6−28)
重量平均分子量:47543、分子量分布:1.300(実験例6−29)
重量平均分子量:47127、分子量分布:1.299(実験例6−30)
重量平均分子量:47174、分子量分布:1.284(実験例6−31)
重量平均分子量:48079、分子量分布:1.293(実験例6−32)
重量平均分子量:47218、分子量分布:1.302(実験例6−33)
重量平均分子量:46972、分子量分布:1.313(実験例6−34)
重量平均分子量:46546、分子量分布:1.310(実験例6−35)
重量平均分子量:48008、分子量分布:1.291(実験例6−36)
重量平均分子量:47597、分子量分布:1.301(実験例6−37)
重量平均分子量:46227、分子量分布:1.318(実験例6−38)
重量平均分子量:46231、分子量分布:1.317(実験例6−39)
重量平均分子量:46266、分子量分布:1.322(実験例6−40)
重量平均分子量:47934、分子量分布:1.299(実験例6−41)
重量平均分子量:47165、分子量分布:1.306(実験例6−42)
重量平均分子量:45937、分子量分布:1.318(実験例6−43)
重量平均分子量:45743、分子量分布:1.329(実験例6−44)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−2)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−3)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−4)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−5)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−6)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−7)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−8)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−9)
維持率:103.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−10)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−11)
維持率:101.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−12)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−13)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−14)
維持率:102.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−15)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−16)
維持率:102.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−17)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−18)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−19)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−20)
維持率:102.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−21)
維持率:103.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−22)
維持率:101.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−23)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−24)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−25)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−26)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−27)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−28)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−29)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−30)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−31)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−32)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−33)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−34)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−35)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−36)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−37)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−38)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−39)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−40)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−41)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−42)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−43)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−44)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例6−2〜6−44)
(実験例6−45〜6−48)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で7.5分間(実験例6−45)、100℃で5分間(実験例6−46)、110℃で3分間(実験例6−47)、120℃で1分間(実験例6−48)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例6−45〜6−48)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−45)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−46)
重量平均分子量:48999、分子量分布:1.288(実験例6−47)
重量平均分子量:47314、分子量分布:1.285(実験例6−48)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−45)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−46)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−47)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−48)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例6−45〜6−48)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、90℃で7.5分間(実験例6−45)、100℃で5分間(実験例6−46)、110℃で3分間(実験例6−47)、120℃で1分間(実験例6−48)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例6−45〜6−48)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49001、分子量分布:1.283(実験例6−45)
重量平均分子量:49055、分子量分布:1.286(実験例6−46)
重量平均分子量:48999、分子量分布:1.288(実験例6−47)
重量平均分子量:47314、分子量分布:1.285(実験例6−48)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−45)
維持率:103.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−46)
維持率:103.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−47)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例6−48)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例6−45〜6−48)
(実験例6−49)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:44504、分子量分布:1.347
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:94.1%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例6−1において、90℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例6−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Cに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:44504、分子量分布:1.347
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:94.1%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例7−1)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−アミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−アミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例7−2〜7−26)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例7−2)、120℃で10分間(実験例7−3)、130℃で5分間(実験例7−4)、130℃で7.5分間(実験例7−5)、130℃で10分間(実験例7−6)、140℃で3分間(実験例7−7)、140℃で5分間(実験例7−8)、140℃で7.5分間(実験例7−9)、140℃で10分間(実験例7−10)、150℃で1分間(実験例7−11)、150℃で3分間(実験例7−12)、150℃で5分間(実験例7−13)、150℃で7.5分間(実験例7−14)、150℃で10分間(実験例7−15)、160℃で1分間(実験例7−16)、160℃で3分間(実験例7−17)、160℃で5分間(実験例7−18)、160℃で7.5分間(実験例7−19)、160℃で10分間(実験例7−20)、170℃で1分間(実験例7−21)、170℃で3分間(実験例7−22)、170℃で5分間(実験例7−23)、180℃で1分間(実験例7−24)、180℃で3分間(実験例7−25)、190℃で1分間(実験例7−26)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−2〜7−26)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51808、分子量分布:1.400(実験例7−2)
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400(実験例7−3)
重量平均分子量:50620、分子量分布:1.404(実験例7−4)
重量平均分子量:51098、分子量分布:1.406(実験例7−5)
重量平均分子量:50829、分子量分布:1.402(実験例7−6)
重量平均分子量:50014、分子量分布:1.400(実験例7−7)
重量平均分子量:50762、分子量分布:1.404(実験例7−8)
重量平均分子量:50681、分子量分布:1.407(実験例7−9)
重量平均分子量:50518、分子量分布:1.410(実験例7−10)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−11)
重量平均分子量:50806、分子量分布:1.401(実験例7−12)
重量平均分子量:50926、分子量分布:1.412(実験例7−13)
重量平均分子量:50902、分子量分布:1.436(実験例7−14)
重量平均分子量:50616、分子量分布:1.432(実験例7−15)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−16)
重量平均分子量:50572、分子量分布:1.413(実験例7−17)
重量平均分子量:50484、分子量分布:1.414(実験例7−18)
重量平均分子量:50498、分子量分布:1.417(実験例7−19)
重量平均分子量:50414、分子量分布:1.416(実験例7−20)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−21)
重量平均分子量:49662、分子量分布:1.418(実験例7−22)
重量平均分子量:50400、分子量分布:1.415(実験例7−23)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−24)
重量平均分子量:50140、分子量分布:1.417(実験例7−25)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−26)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−3)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−4)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−5)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−6)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−7)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−8)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−9)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−10)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−11)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−12)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−13)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−14)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−15)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−16)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−17)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−18)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−19)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−20)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−21)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−22)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−23)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−24)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−25)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−26)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例7−2〜7−26)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例7−2)、120℃で10分間(実験例7−3)、130℃で5分間(実験例7−4)、130℃で7.5分間(実験例7−5)、130℃で10分間(実験例7−6)、140℃で3分間(実験例7−7)、140℃で5分間(実験例7−8)、140℃で7.5分間(実験例7−9)、140℃で10分間(実験例7−10)、150℃で1分間(実験例7−11)、150℃で3分間(実験例7−12)、150℃で5分間(実験例7−13)、150℃で7.5分間(実験例7−14)、150℃で10分間(実験例7−15)、160℃で1分間(実験例7−16)、160℃で3分間(実験例7−17)、160℃で5分間(実験例7−18)、160℃で7.5分間(実験例7−19)、160℃で10分間(実験例7−20)、170℃で1分間(実験例7−21)、170℃で3分間(実験例7−22)、170℃で5分間(実験例7−23)、180℃で1分間(実験例7−24)、180℃で3分間(実験例7−25)、190℃で1分間(実験例7−26)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−2〜7−26)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51808、分子量分布:1.400(実験例7−2)
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400(実験例7−3)
重量平均分子量:50620、分子量分布:1.404(実験例7−4)
重量平均分子量:51098、分子量分布:1.406(実験例7−5)
重量平均分子量:50829、分子量分布:1.402(実験例7−6)
重量平均分子量:50014、分子量分布:1.400(実験例7−7)
重量平均分子量:50762、分子量分布:1.404(実験例7−8)
重量平均分子量:50681、分子量分布:1.407(実験例7−9)
重量平均分子量:50518、分子量分布:1.410(実験例7−10)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−11)
重量平均分子量:50806、分子量分布:1.401(実験例7−12)
重量平均分子量:50926、分子量分布:1.412(実験例7−13)
重量平均分子量:50902、分子量分布:1.436(実験例7−14)
重量平均分子量:50616、分子量分布:1.432(実験例7−15)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−16)
重量平均分子量:50572、分子量分布:1.413(実験例7−17)
重量平均分子量:50484、分子量分布:1.414(実験例7−18)
重量平均分子量:50498、分子量分布:1.417(実験例7−19)
重量平均分子量:50414、分子量分布:1.416(実験例7−20)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−21)
重量平均分子量:49662、分子量分布:1.418(実験例7−22)
重量平均分子量:50400、分子量分布:1.415(実験例7−23)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−24)
重量平均分子量:50140、分子量分布:1.417(実験例7−25)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−26)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−2)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−3)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−4)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−5)
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−6)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−7)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−8)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−9)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−10)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−11)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−12)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−13)
維持率:98.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−14)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−15)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−16)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−17)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−18)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−19)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−20)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−21)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−22)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−23)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−24)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−25)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−26)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例7−2〜7−26)
(実験例7−27〜7−31)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例7−27)、110℃で7.5分間(実験例7−28)、120℃で5分間(実験例7−29)、130℃で3分間(実験例7−30)、140℃で1分間(実験例7−31)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−27〜7−31)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400(実験例7−27)
重量平均分子量:51808、分子量分布:1.400(実験例7−28)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.402(実験例7−29)
重量平均分子量:50806、分子量分布:1.404(実験例7−30)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−31)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−27)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−28)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−29)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−30)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−31)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例7−27〜7−31)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例7−27)、110℃で7.5分間(実験例7−28)、120℃で5分間(実験例7−29)、130℃で3分間(実験例7−30)、140℃で1分間(実験例7−31)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−27〜7−31)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51690、分子量分布:1.400(実験例7−27)
重量平均分子量:51808、分子量分布:1.400(実験例7−28)
重量平均分子量:51352、分子量分布:1.402(実験例7−29)
重量平均分子量:50806、分子量分布:1.404(実験例7−30)
重量平均分子量:51429、分子量分布:1.403(実験例7−31)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−27)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−28)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−29)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−30)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例7−31)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例7−27〜7−31)
(実験例7−32〜7−35)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例7−32)、170℃で10分間(実験例7−33)、180℃で5分間(実験例7−34)、190℃で3分間(実験例7−35)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−32〜7−35)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49206、分子量分布:1.437(実験例7−32)
重量平均分子量:48735、分子量分布:1.452(実験例7−33)
重量平均分子量:47836、分子量分布:1.448(実験例7−34)
重量平均分子量:48297、分子量分布:1.437(実験例7−35)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−32)
維持率:94.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−33)
維持率:92.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−34)
維持率:93.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−35)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例7−32〜7−35)
実験例7−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例7−32)、170℃で10分間(実験例7−33)、180℃で5分間(実験例7−34)、190℃で3分間(実験例7−35)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例7−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例7−32〜7−35)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49206、分子量分布:1.437(実験例7−32)
重量平均分子量:48735、分子量分布:1.452(実験例7−33)
重量平均分子量:47836、分子量分布:1.448(実験例7−34)
重量平均分子量:48297、分子量分布:1.437(実験例7−35)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−32)
維持率:94.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−33)
維持率:92.8%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−34)
維持率:93.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例7−35)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例7−32〜7−35)
(実験例8−1)
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−アミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸n−アミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例8−2〜8−34)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例8−2)、120℃で10分間(実験例8−3)、130℃で5分間(実験例8−4)、130℃で7.5分間(実験例8−5)、130℃で10分間(実験例8−6)、140℃で3分間(実験例8−7)、140℃で5分間(実験例8−8)、140℃で7.5分間(実験例8−9)、140℃で10分間(実験例8−10)、150℃で1分間(実験例8−11)、150℃で3分間(実験例8−12)、150℃で5分間(実験例8−13)、150℃で7.5分間(実験例8−14)、150℃で10分間(実験例8−15)、160℃で1分間(実験例8−16)、160℃で3分間(実験例8−17)、160℃で5分間(実験例8−18)、160℃で7.5分間(実験例8−19)、160℃で10分間(実験例8−20)、170℃で1分間(実験例8−21)、170℃で3分間(実験例8−22)、170℃で5分間(実験例8−23)、170℃で7.5分間(実験例8−24)、170℃で10分間(実験例8−25)、180℃で1分間(実験例8−26)、180℃で3分間(実験例8−27)、180℃で5分間(実験例8−28)、180℃で7.5分間(実験例8−29)、180℃で10分間(実験例8−30)、190℃で1分間(実験例8−31)、190℃で3分間(実験例8−32)、190℃で5分間(実験例8−33)、190℃で7.5分間(実験例8−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例8−2〜8−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48775、分子量分布:1.286(実験例8−2)
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283(実験例8−3)
重量平均分子量:47824、分子量分布:1.285(実験例8−4)
重量平均分子量:48794、分子量分布:1.285(実験例8−5)
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.284(実験例8−6)
重量平均分子量:47171、分子量分布:1.283(実験例8−7)
重量平均分子量:48065、分子量分布:1.285(実験例8−8)
重量平均分子量:47817、分子量分布:1.285(実験例8−9)
重量平均分子量:47451、分子量分布:1.285(実験例8−10)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.288(実験例8−11)
重量平均分子量:47873、分子量分布:1.285(実験例8−12)
重量平均分子量:48335、分子量分布:1.288(実験例8−13)
重量平均分子量:47899、分子量分布:1.288(実験例8−14)
重量平均分子量:47930、分子量分布:1.289(実験例8−15)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.282(実験例8−16)
重量平均分子量:47639、分子量分布:1.288(実験例8−17)
重量平均分子量:47922、分子量分布:1.292(実験例8−18)
重量平均分子量:47467、分子量分布:1.292(実験例8−19)
重量平均分子量:47167、分子量分布:1.299(実験例8−20)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.284(実験例8−21)
重量平均分子量:46801、分子量分布:1.293(実験例8−22)
重量平均分子量:47709、分子量分布:1.302(実験例8−23)
重量平均分子量:46949、分子量分布:1.302(実験例8−24)
重量平均分子量:46601、分子量分布:1.310(実験例8−25)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.291(実験例8−26)
重量平均分子量:47629、分子量分布:1.301(実験例8−27)
重量平均分子量:47231、分子量分布:1.318(実験例8−28)
重量平均分子量:45964、分子量分布:1.318(実験例8−29)
重量平均分子量:45866、分子量分布:1.314(実験例8−30)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.299(実験例8−31)
重量平均分子量:47555、分子量分布:1.306(実験例8−32)
重量平均分子量:46802、分子量分布:1.318(実験例8−33)
重量平均分子量:45675、分子量分布:1.318(実験例8−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−2)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−3)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−4)
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−5)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−6)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−7)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−8)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−9)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−10)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−11)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−12)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−13)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−14)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−15)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−16)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−17)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−18)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−19)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−20)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−21)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−22)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−23)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−24)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−25)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−26)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−27)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−28)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−29)
維持率:96.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−30)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−31)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−32)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−33)
維持率:96.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例8−2〜8−34)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例8−2)、120℃で10分間(実験例8−3)、130℃で5分間(実験例8−4)、130℃で7.5分間(実験例8−5)、130℃で10分間(実験例8−6)、140℃で3分間(実験例8−7)、140℃で5分間(実験例8−8)、140℃で7.5分間(実験例8−9)、140℃で10分間(実験例8−10)、150℃で1分間(実験例8−11)、150℃で3分間(実験例8−12)、150℃で5分間(実験例8−13)、150℃で7.5分間(実験例8−14)、150℃で10分間(実験例8−15)、160℃で1分間(実験例8−16)、160℃で3分間(実験例8−17)、160℃で5分間(実験例8−18)、160℃で7.5分間(実験例8−19)、160℃で10分間(実験例8−20)、170℃で1分間(実験例8−21)、170℃で3分間(実験例8−22)、170℃で5分間(実験例8−23)、170℃で7.5分間(実験例8−24)、170℃で10分間(実験例8−25)、180℃で1分間(実験例8−26)、180℃で3分間(実験例8−27)、180℃で5分間(実験例8−28)、180℃で7.5分間(実験例8−29)、180℃で10分間(実験例8−30)、190℃で1分間(実験例8−31)、190℃で3分間(実験例8−32)、190℃で5分間(実験例8−33)、190℃で7.5分間(実験例8−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例8−2〜8−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48775、分子量分布:1.286(実験例8−2)
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283(実験例8−3)
重量平均分子量:47824、分子量分布:1.285(実験例8−4)
重量平均分子量:48794、分子量分布:1.285(実験例8−5)
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.284(実験例8−6)
重量平均分子量:47171、分子量分布:1.283(実験例8−7)
重量平均分子量:48065、分子量分布:1.285(実験例8−8)
重量平均分子量:47817、分子量分布:1.285(実験例8−9)
重量平均分子量:47451、分子量分布:1.285(実験例8−10)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.288(実験例8−11)
重量平均分子量:47873、分子量分布:1.285(実験例8−12)
重量平均分子量:48335、分子量分布:1.288(実験例8−13)
重量平均分子量:47899、分子量分布:1.288(実験例8−14)
重量平均分子量:47930、分子量分布:1.289(実験例8−15)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.282(実験例8−16)
重量平均分子量:47639、分子量分布:1.288(実験例8−17)
重量平均分子量:47922、分子量分布:1.292(実験例8−18)
重量平均分子量:47467、分子量分布:1.292(実験例8−19)
重量平均分子量:47167、分子量分布:1.299(実験例8−20)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.284(実験例8−21)
重量平均分子量:46801、分子量分布:1.293(実験例8−22)
重量平均分子量:47709、分子量分布:1.302(実験例8−23)
重量平均分子量:46949、分子量分布:1.302(実験例8−24)
重量平均分子量:46601、分子量分布:1.310(実験例8−25)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.291(実験例8−26)
重量平均分子量:47629、分子量分布:1.301(実験例8−27)
重量平均分子量:47231、分子量分布:1.318(実験例8−28)
重量平均分子量:45964、分子量分布:1.318(実験例8−29)
重量平均分子量:45866、分子量分布:1.314(実験例8−30)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.299(実験例8−31)
重量平均分子量:47555、分子量分布:1.306(実験例8−32)
重量平均分子量:46802、分子量分布:1.318(実験例8−33)
重量平均分子量:45675、分子量分布:1.318(実験例8−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−2)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−3)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−4)
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−5)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−6)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−7)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−8)
維持率:101.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−9)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−10)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−11)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−12)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−13)
維持率:101.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−14)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−15)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−16)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−17)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−18)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−19)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−20)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−21)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−22)
維持率:100.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−23)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−24)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−25)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−26)
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−27)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−28)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−29)
維持率:96.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−30)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−31)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−32)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−33)
維持率:96.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例8−2〜8−34)
(実験例8−35〜8−39)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例8−35)、110℃で7.5分間(実験例8−36)、120℃で5分間(実験例8−37)、130℃で3分間(実験例8−38)、140℃で1分間(実験例8−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例8−35〜8−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283(実験例8−35)
重量平均分子量:48775、分子量分布:1.286(実験例8−36)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.286(実験例8−37)
重量平均分子量:47171、分子量分布:1.276(実験例8−38)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.285(実験例8−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−35)
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−36)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−37)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−38)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例8−35〜8−39)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例8−35)、110℃で7.5分間(実験例8−36)、120℃で5分間(実験例8−37)、130℃で3分間(実験例8−38)、140℃で1分間(実験例8−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例8−35〜8−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48614、分子量分布:1.283(実験例8−35)
重量平均分子量:48775、分子量分布:1.286(実験例8−36)
重量平均分子量:48622、分子量分布:1.286(実験例8−37)
重量平均分子量:47171、分子量分布:1.276(実験例8−38)
重量平均分子量:47226、分子量分布:1.285(実験例8−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−35)
維持率:103.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−36)
維持率:102.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−37)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−38)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例8−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例8−35〜8−39)
(実験例8−40)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45182、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例8−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例8−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Dに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45182、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.5%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例9−1)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例9−2〜9−29)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例9−2)、120℃で10分間(実験例9−3)、130℃で5分間(実験例9−4)、130℃で7.5分間(実験例9−5)、130℃で10分間(実験例9−6)、140℃で3分間(実験例9−7)、140℃で5分間(実験例9−8)、140℃で7.5分間(実験例9−9)、140℃で10分間(実験例9−10)、150℃で1分間(実験例9−11)、150℃で3分間(実験例9−12)、150℃で5分間(実験例9−13)、150℃で7.5分間(実験例9−14)、150℃で10分間(実験例9−15)、160℃で1分間(実験例9−16)、160℃で3分間(実験例9−17)、160℃で5分間(実験例9−18)、160℃で7.5分間(実験例9−19)、160℃で10分間(実験例9−20)、170℃で1分間(実験例9−21)、170℃で3分間(実験例9−22)、170℃で5分間(実験例9−23)、170℃で7.5分間(実験例9−24)、180℃で1分間(実験例9−25)、180℃で3分間(実験例9−26)、180℃で5分間(実験例9−27)、190℃で1分間(実験例9−28)、190℃で3分間(実験例9−29)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例9−2〜9−29)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51002、分子量分布:1.402(実験例9−2)
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400(実験例9−3)
重量平均分子量:50471、分子量分布:1.404(実験例9−4)
重量平均分子量:50276、分子量分布:1.404(実験例9−5)
重量平均分子量:50643、分子量分布:1.406(実験例9−6)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−7)
重量平均分子量:49684、分子量分布:1.400(実験例9−8)
重量平均分子量:50417、分子量分布:1.404(実験例9−9)
重量平均分子量:50230、分子量分布:1.407(実験例9−10)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−11)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−12)
重量平均分子量:50471、分子量分布:1.401(実験例9−13)
重量平均分子量:50580、分子量分布:1.412(実験例9−14)
重量平均分子量:50449、分子量分布:1.436(実験例9−15)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−16)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−17)
重量平均分子量:50239、分子量分布:1.413(実験例9−18)
重量平均分子量:50141、分子量分布:1.414(実験例9−19)
重量平均分子量:50048、分子量分布:1.417(実験例9−20)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−21)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−22)
重量平均分子量:49334、分子量分布:1.418(実験例9−23)
重量平均分子量:50057、分子量分布:1.415(実験例9−24)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−25)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−26)
重量平均分子量:49809、分子量分布:1.417(実験例9−27)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−28)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−29)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−2)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−3)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−4)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−5)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−7)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−8)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−9)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−11)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−12)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−13)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−14)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−17)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−18)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−19)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−21)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−22)
維持率:95.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−23)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−24)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−25)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−26)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−27)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−28)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−29)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例9−2〜9−29)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例9−2)、120℃で10分間(実験例9−3)、130℃で5分間(実験例9−4)、130℃で7.5分間(実験例9−5)、130℃で10分間(実験例9−6)、140℃で3分間(実験例9−7)、140℃で5分間(実験例9−8)、140℃で7.5分間(実験例9−9)、140℃で10分間(実験例9−10)、150℃で1分間(実験例9−11)、150℃で3分間(実験例9−12)、150℃で5分間(実験例9−13)、150℃で7.5分間(実験例9−14)、150℃で10分間(実験例9−15)、160℃で1分間(実験例9−16)、160℃で3分間(実験例9−17)、160℃で5分間(実験例9−18)、160℃で7.5分間(実験例9−19)、160℃で10分間(実験例9−20)、170℃で1分間(実験例9−21)、170℃で3分間(実験例9−22)、170℃で5分間(実験例9−23)、170℃で7.5分間(実験例9−24)、180℃で1分間(実験例9−25)、180℃で3分間(実験例9−26)、180℃で5分間(実験例9−27)、190℃で1分間(実験例9−28)、190℃で3分間(実験例9−29)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例9−2〜9−29)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51002、分子量分布:1.402(実験例9−2)
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400(実験例9−3)
重量平均分子量:50471、分子量分布:1.404(実験例9−4)
重量平均分子量:50276、分子量分布:1.404(実験例9−5)
重量平均分子量:50643、分子量分布:1.406(実験例9−6)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−7)
重量平均分子量:49684、分子量分布:1.400(実験例9−8)
重量平均分子量:50417、分子量分布:1.404(実験例9−9)
重量平均分子量:50230、分子量分布:1.407(実験例9−10)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−11)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−12)
重量平均分子量:50471、分子量分布:1.401(実験例9−13)
重量平均分子量:50580、分子量分布:1.412(実験例9−14)
重量平均分子量:50449、分子量分布:1.436(実験例9−15)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−16)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−17)
重量平均分子量:50239、分子量分布:1.413(実験例9−18)
重量平均分子量:50141、分子量分布:1.414(実験例9−19)
重量平均分子量:50048、分子量分布:1.417(実験例9−20)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−21)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−22)
重量平均分子量:49334、分子量分布:1.418(実験例9−23)
重量平均分子量:50057、分子量分布:1.415(実験例9−24)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−25)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−26)
重量平均分子量:49809、分子量分布:1.417(実験例9−27)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−28)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−29)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−2)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−3)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−4)
維持率:97.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−5)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−7)
維持率:96.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−8)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−9)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−11)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−12)
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−13)
維持率:98.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−14)
維持率:97.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−17)
維持率:97.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−18)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−19)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−21)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−22)
維持率:95.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−23)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−24)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−25)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−26)
維持率:96.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−27)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−28)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−29)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例9−2〜9−29)
(実験例9−30〜9−34)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例9−30)、110℃で7.5分間(実験例9−31)、120℃で5分間(実験例9−32)、130℃で3分間(実験例9−33)、140℃で1分間(実験例9−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例9−30〜9−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400(実験例9−30)
重量平均分子量:51002、分子量分布:1.402(実験例9−31)
重量平均分子量:50734、分子量分布:1.409(実験例9−32)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−33)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−30)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−31)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−32)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例9−30〜9−34)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例9−30)、110℃で7.5分間(実験例9−31)、120℃で5分間(実験例9−32)、130℃で3分間(実験例9−33)、140℃で1分間(実験例9−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例9−30〜9−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51347、分子量分布:1.400(実験例9−30)
重量平均分子量:51002、分子量分布:1.402(実験例9−31)
重量平均分子量:50734、分子量分布:1.409(実験例9−32)
重量平均分子量:51033、分子量分布:1.403(実験例9−33)
重量平均分子量:51115、分子量分布:1.403(実験例9−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−30)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−31)
維持率:98.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−32)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例9−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例9−30〜9−34)
(実験例9−35〜9−37)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で10分間(実験例9−35)、180℃で7.5分間(実験例9−36)、190℃で5分間(実験例9−37)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48768、分子量分布:1.437(実験例9−35)
重量平均分子量:47511、分子量分布:1.448(実験例9−36)
重量平均分子量:47979、分子量分布:1.437(実験例9−37)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:94.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−35)
維持率:92.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−36)
維持率:93.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−37)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例9−35〜9−37)
実験例9−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で10分間(実験例9−35)、180℃で7.5分間(実験例9−36)、190℃で5分間(実験例9−37)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例9−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48768、分子量分布:1.437(実験例9−35)
重量平均分子量:47511、分子量分布:1.448(実験例9−36)
重量平均分子量:47979、分子量分布:1.437(実験例9−37)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:94.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−35)
維持率:92.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−36)
維持率:93.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例9−37)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例9−35〜9−37)
(実験例10−1)
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例10−2〜10−34)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例10−2)、120℃で10分間(実験例10−3)、130℃で5分間(実験例10−4)、130℃で7.5分間(実験例10−5)、130℃で10分間(実験例10−6)、140℃で3分間(実験例10−7)、140℃で5分間(実験例10−8)、140℃で7.5分間(実験例10−9)、140℃で10分間(実験例10−10)、150℃で1分間(実験例10−11)、150℃で3分間(実験例10−12)、150℃で5分間(実験例10−13)、150℃で7.5分間(実験例10−14)、150℃で10分間(実験例10−15)、160℃で1分間(実験例10−16)、160℃で3分間(実験例10−17)、160℃で5分間(実験例10−18)、160℃で7.5分間(実験例10−19)、160℃で10分間(実験例10−20)、170℃で1分間(実験例10−21)、170℃で3分間(実験例10−22)、170℃で5分間(実験例10−23)、170℃で7.5分間(実験例10−24)、170℃で10分間(実験例10−25)、180℃で1分間(実験例10−26)、180℃で3分間(実験例10−27)、180℃で5分間(実験例10−28)、180℃で7.5分間(実験例10−29)、180℃で10分間(実験例10−30)、190℃で1分間(実験例10−31)、190℃で3分間(実験例10−32)、190℃で5分間(実験例10−33)、190℃で7.5分間(実験例10−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例10−2〜10−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48291、分子量分布:1.288(実験例10−2)
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283(実験例10−3)
重量平均分子量:46860、分子量分布:1.285(実験例10−4)
重量平均分子量:47499、分子量分布:1.276(実験例10−5)
重量平均分子量:48360、分子量分布:1.284(実験例10−6)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.283(実験例10−7)
重量平均分子量:46860、分子量分布:1.285(実験例10−8)
重量平均分子量:47738、分子量分布:1.283(実験例10−9)
重量平均分子量:47391、分子量分布:1.285(実験例10−10)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.288(実験例10−11)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.285(実験例10−12)
重量平均分子量:47557、分子量分布:1.288(実験例10−13)
重量平均分子量:48006、分子量分布:1.285(実験例10−14)
重量平均分子量:47473、分子量分布:1.289(実験例10−15)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.282(実験例10−16)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.288(実験例10−17)
重量平均分子量:47324、分子量分布:1.292(実験例10−18)
重量平均分子量:47596、分子量分布:1.288(実験例10−19)
重量平均分子量:47044、分子量分布:1.299(実験例10−20)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.284(実験例10−21)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.293(実験例10−22)
重量平均分子量:46492、分子量分布:1.302(実験例10−23)
重量平均分子量:47384、分子量分布:1.293(実験例10−24)
重量平均分子量:46531、分子量分布:1.310(実験例10−25)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.291(実験例10−26)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.301(実験例10−27)
重量平均分子量:47314、分子量分布:1.318(実験例10−28)
重量平均分子量:46909、分子量分布:1.301(実験例10−29)
重量平均分子量:45554、分子量分布:1.314(実験例10−30)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.299(実験例10−31)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.306(実験例10−32)
重量平均分子量:47241、分子量分布:1.318(実験例10−33)
重量平均分子量:46943、分子量分布:1.319(実験例10−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−2)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−3)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−4)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−5)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−7)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−8)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−9)
維持率:100.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−11)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−12)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−13)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−14)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−17)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−18)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−19)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−21)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−22)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−23)
維持率:100.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−24)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−26)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−27)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−28)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−29)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−31)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−32)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例10−2〜10−34)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、120℃で7.5分間(実験例10−2)、120℃で10分間(実験例10−3)、130℃で5分間(実験例10−4)、130℃で7.5分間(実験例10−5)、130℃で10分間(実験例10−6)、140℃で3分間(実験例10−7)、140℃で5分間(実験例10−8)、140℃で7.5分間(実験例10−9)、140℃で10分間(実験例10−10)、150℃で1分間(実験例10−11)、150℃で3分間(実験例10−12)、150℃で5分間(実験例10−13)、150℃で7.5分間(実験例10−14)、150℃で10分間(実験例10−15)、160℃で1分間(実験例10−16)、160℃で3分間(実験例10−17)、160℃で5分間(実験例10−18)、160℃で7.5分間(実験例10−19)、160℃で10分間(実験例10−20)、170℃で1分間(実験例10−21)、170℃で3分間(実験例10−22)、170℃で5分間(実験例10−23)、170℃で7.5分間(実験例10−24)、170℃で10分間(実験例10−25)、180℃で1分間(実験例10−26)、180℃で3分間(実験例10−27)、180℃で5分間(実験例10−28)、180℃で7.5分間(実験例10−29)、180℃で10分間(実験例10−30)、190℃で1分間(実験例10−31)、190℃で3分間(実験例10−32)、190℃で5分間(実験例10−33)、190℃で7.5分間(実験例10−34)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例10−2〜10−34)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48291、分子量分布:1.288(実験例10−2)
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283(実験例10−3)
重量平均分子量:46860、分子量分布:1.285(実験例10−4)
重量平均分子量:47499、分子量分布:1.276(実験例10−5)
重量平均分子量:48360、分子量分布:1.284(実験例10−6)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.283(実験例10−7)
重量平均分子量:46860、分子量分布:1.285(実験例10−8)
重量平均分子量:47738、分子量分布:1.283(実験例10−9)
重量平均分子量:47391、分子量分布:1.285(実験例10−10)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.288(実験例10−11)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.285(実験例10−12)
重量平均分子量:47557、分子量分布:1.288(実験例10−13)
重量平均分子量:48006、分子量分布:1.285(実験例10−14)
重量平均分子量:47473、分子量分布:1.289(実験例10−15)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.282(実験例10−16)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.288(実験例10−17)
重量平均分子量:47324、分子量分布:1.292(実験例10−18)
重量平均分子量:47596、分子量分布:1.288(実験例10−19)
重量平均分子量:47044、分子量分布:1.299(実験例10−20)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.284(実験例10−21)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.293(実験例10−22)
重量平均分子量:46492、分子量分布:1.302(実験例10−23)
重量平均分子量:47384、分子量分布:1.293(実験例10−24)
重量平均分子量:46531、分子量分布:1.310(実験例10−25)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.291(実験例10−26)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.301(実験例10−27)
重量平均分子量:47314、分子量分布:1.318(実験例10−28)
重量平均分子量:46909、分子量分布:1.301(実験例10−29)
重量平均分子量:45554、分子量分布:1.314(実験例10−30)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.299(実験例10−31)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.306(実験例10−32)
重量平均分子量:47241、分子量分布:1.318(実験例10−33)
重量平均分子量:46943、分子量分布:1.319(実験例10−34)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−2)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−3)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−4)
維持率:100.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−5)
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−6)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−7)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−8)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−9)
維持率:100.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−10)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−11)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−12)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−13)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−14)
維持率:100.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−15)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−16)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−17)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−18)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−19)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−20)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−21)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−22)
維持率:98.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−23)
維持率:100.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−24)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−25)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−26)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−27)
維持率:100.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−28)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−29)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−30)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−31)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−32)
維持率:99.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−33)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−34)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例10−2〜10−34)
(実験例10−35〜10−39)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例10−35)、110℃で7.5分間(実験例10−36)、120℃で5分間(実験例10−37)、130℃で3分間(実験例10−38)、140℃で1分間(実験例10−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例10−35〜10−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283(実験例10−35)
重量平均分子量:48291、分子量分布:1.288(実験例10−36)
重量平均分子量:46630、分子量分布:1.286(実験例10−37)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.276(実験例10−38)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.285(実験例10−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−35)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−36)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−37)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−38)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例10−35〜10−39)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、100℃で10分間(実験例10−35)、110℃で7.5分間(実験例10−36)、120℃で5分間(実験例10−37)、130℃で3分間(実験例10−38)、140℃で1分間(実験例10−39)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例10−35〜10−39)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48341、分子量分布:1.283(実験例10−35)
重量平均分子量:48291、分子量分布:1.288(実験例10−36)
重量平均分子量:46630、分子量分布:1.286(実験例10−37)
重量平均分子量:46862、分子量分布:1.276(実験例10−38)
重量平均分子量:46937、分子量分布:1.285(実験例10−39)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−35)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−36)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−37)
維持率:99.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−38)
維持率:99.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例10−39)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例10−35〜10−39)
(実験例10−40)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45269、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.7%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例10−1において、110℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例10−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3Eに示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45269、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.7%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例11−1)
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸n−ヘキシルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜図2Eの下図に示す。
実験例1−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸n−ヘキシルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例1−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜図2Eの下図に示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2A〜図2Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50473、分子量分布:1.416
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図2A〜図2Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50473、分子量分布:1.416
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例11−2〜11−9)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、160℃で3分間(実験例11−2)、160℃で5分間(実験例11−3)、160℃で7.5分間(実験例11−4)、160℃で10分間(実験例11−5)、170℃で1分間(実験例11−6)、170℃で3分間(実験例11−7)、170℃で5分間(実験例11−8)、180℃で1分間(実験例11−9)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−2〜11−9)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50876、分子量分布:1.414(実験例11−2)
重量平均分子量:50787、分子量分布:1.417(実験例11−3)
重量平均分子量:50815、分子量分布:1.416(実験例11−4)
重量平均分子量:50146、分子量分布:1.422(実験例11−5)
重量平均分子量:50057、分子量分布:1.418(実験例11−6)
重量平均分子量:50791、分子量分布:1.415(実験例11−7)
重量平均分子量:49488、分子量分布:1.437(実験例11−8)
重量平均分子量:50539、分子量分布:1.417(実験例11−9)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−2)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−3)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−4)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−5)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−6)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−7)
維持率:96.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−8)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−9)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例11−2〜11−9)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、160℃で3分間(実験例11−2)、160℃で5分間(実験例11−3)、160℃で7.5分間(実験例11−4)、160℃で10分間(実験例11−5)、170℃で1分間(実験例11−6)、170℃で3分間(実験例11−7)、170℃で5分間(実験例11−8)、180℃で1分間(実験例11−9)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−2〜11−9)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50876、分子量分布:1.414(実験例11−2)
重量平均分子量:50787、分子量分布:1.417(実験例11−3)
重量平均分子量:50815、分子量分布:1.416(実験例11−4)
重量平均分子量:50146、分子量分布:1.422(実験例11−5)
重量平均分子量:50057、分子量分布:1.418(実験例11−6)
重量平均分子量:50791、分子量分布:1.415(実験例11−7)
重量平均分子量:49488、分子量分布:1.437(実験例11−8)
重量平均分子量:50539、分子量分布:1.417(実験例11−9)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:98.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−2)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−3)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−4)
維持率:97.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−5)
維持率:97.2%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−6)
維持率:98.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−7)
維持率:96.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−8)
維持率:98.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−9)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例11−2〜11−9)
(実験例11−10〜11−14)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、140℃で10分間(実験例11−10)、150℃で3分間(実験例11−11)、150℃で5分間(実験例11−12)、150℃で7.5分間(実験例11−13)、160℃で1分間(実験例11−14)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−10〜11−14)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50032、分子量分布:1.405(実験例11−10)
重量平均分子量:51321、分子量分布:1.412(実験例11−11)
重量平均分子量:51194、分子量分布:1.436(実験例11−12)
重量平均分子量:51019、分子量分布:1.432(実験例11−13)
重量平均分子量:50975、分子量分布:1.413(実験例11−14)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−10)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−11)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−12)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−13)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−14)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例11−10〜11−14)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、140℃で10分間(実験例11−10)、150℃で3分間(実験例11−11)、150℃で5分間(実験例11−12)、150℃で7.5分間(実験例11−13)、160℃で1分間(実験例11−14)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−10〜11−14)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:50032、分子量分布:1.405(実験例11−10)
重量平均分子量:51321、分子量分布:1.412(実験例11−11)
重量平均分子量:51194、分子量分布:1.436(実験例11−12)
重量平均分子量:51019、分子量分布:1.432(実験例11−13)
重量平均分子量:50975、分子量分布:1.413(実験例11−14)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−10)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−11)
維持率:99.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−12)
維持率:99.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−13)
維持率:98.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例11−14)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例11−10〜11−14)
(実験例11−15〜11−21)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例11−15)、170℃で10分間(実験例11−16)、180℃で3分間(実験例11−17)、180℃で5分間(実験例11−18)、180℃で7.5分間(実験例11−19)、180℃で10分間(実験例11−20)、190℃で1分間(実験例11−21)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−15〜11−21)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49123、分子量分布:1.452(実験例11−15)
重量平均分子量:47611、分子量分布:1.451(実験例11−16)
重量平均分子量:48207、分子量分布:1.448(実験例11−17)
重量平均分子量:47986、分子量分布:1.456(実験例11−18)
重量平均分子量:47234、分子量分布:1.451(実験例11−19)
重量平均分子量:46987、分子量分布:1.463(実験例11−20)
重量平均分子量:48682、分子量分布:1.437(実験例11−21)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−15)
維持率:92.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−16)
維持率:93.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−17)
維持率:93.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−18)
維持率:91.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−19)
維持率:91.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−20)
維持率:94.5%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−21)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例11−15〜11−21)
実験例11−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、170℃で7.5分間(実験例11−15)、170℃で10分間(実験例11−16)、180℃で3分間(実験例11−17)、180℃で5分間(実験例11−18)、180℃で7.5分間(実験例11−19)、180℃で10分間(実験例11−20)、190℃で1分間(実験例11−21)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例11−1と同様に、「重合体(F5)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図2A〜Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:51522、分子量分布:1.403(実験例11−15〜11−21)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:49123、分子量分布:1.452(実験例11−15)
重量平均分子量:47611、分子量分布:1.451(実験例11−16)
重量平均分子量:48207、分子量分布:1.448(実験例11−17)
重量平均分子量:47986、分子量分布:1.456(実験例11−18)
重量平均分子量:47234、分子量分布:1.451(実験例11−19)
重量平均分子量:46987、分子量分布:1.463(実験例11−20)
重量平均分子量:48682、分子量分布:1.437(実験例11−21)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.3%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−15)
維持率:92.4%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−16)
維持率:93.6%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−17)
維持率:93.1%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−18)
維持率:91.7%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−19)
維持率:91.2%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−20)
維持率:94.5%、維持率評価結果:B(維持率小)(実験例11−21)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例11−15〜11−21)
(実験例12−1)
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸n−ヘキシルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
実験例2−1において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸n−ヘキシルを用い、また、120℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例2−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
<測定評価結果>
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48317、分子量分布:1.289
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48317、分子量分布:1.289
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
(実験例12−2〜実験例12−19)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、160℃で3分間(実験例12−2)、160℃で5分間(実験例12−3)、160℃で7.5分間(実験例12−4)、160℃で10分間(実験例12−5)、170℃で1分間(実験例12−6)、170℃で3分間(実験例12−7)、170℃で5分間(実験例12−8)、170℃で7.5分間(実験例12−9)、170℃で10分間(実験例12−10)、180℃で1分間(実験例12−11)、180℃で3分間(実験例12−12、180℃で5分間(実験例12−13)、180℃で7.5分間(実験例12−14)、180℃で10分間(実験例12−15)、190℃で1分間(実験例12−16)、190℃で3分間(実験例12−17)、190℃で5分間(実験例12−18)、190℃で7.5分間(実験例12−19)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例12−2〜実験例12−19)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48294、分子量分布:1.288(実験例12−2)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.292(実験例12−3)
重量平均分子量:47543、分子量分布:1.300(実験例12−4)
重量平均分子量:47127、分子量分布:1.299(実験例12−5)
重量平均分子量:47174、分子量分布:1.284(実験例12−6)
重量平均分子量:48079、分子量分布:1.293(実験例12−7)
重量平均分子量:47218、分子量分布:1.302(実験例12−8)
重量平均分子量:46972、分子量分布:1.313(実験例12−9)
重量平均分子量:46546、分子量分布:1.310(実験例12−10)
重量平均分子量:48008、分子量分布:1.291(実験例12−11)
重量平均分子量:47597、分子量分布:1.301(実験例12−12)
重量平均分子量:46227、分子量分布:1.318(実験例12−13)
重量平均分子量:46231、分子量分布:1.317(実験例12−14)
重量平均分子量:46266、分子量分布:1.314(実験例12−15)
重量平均分子量:47934、分子量分布:1.299(実験例12−16)
重量平均分子量:47165、分子量分布:1.306(実験例12−17)
重量平均分子量:45937、分子量分布:1.318(実験例12−18)
重量平均分子量:45542、分子量分布:1.323(実験例12−19)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−2)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−3)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−4)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−5)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−6)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−7)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−8)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−9)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−10)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−11)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−12)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−13)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−14)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−15)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−16)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−17)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−18)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−19)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例12−2〜実験例12−19)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、160℃で3分間(実験例12−2)、160℃で5分間(実験例12−3)、160℃で7.5分間(実験例12−4)、160℃で10分間(実験例12−5)、170℃で1分間(実験例12−6)、170℃で3分間(実験例12−7)、170℃で5分間(実験例12−8)、170℃で7.5分間(実験例12−9)、170℃で10分間(実験例12−10)、180℃で1分間(実験例12−11)、180℃で3分間(実験例12−12、180℃で5分間(実験例12−13)、180℃で7.5分間(実験例12−14)、180℃で10分間(実験例12−15)、190℃で1分間(実験例12−16)、190℃で3分間(実験例12−17)、190℃で5分間(実験例12−18)、190℃で7.5分間(実験例12−19)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284(実験例12−2〜実験例12−19)
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:48294、分子量分布:1.288(実験例12−2)
重量平均分子量:47739、分子量分布:1.292(実験例12−3)
重量平均分子量:47543、分子量分布:1.300(実験例12−4)
重量平均分子量:47127、分子量分布:1.299(実験例12−5)
重量平均分子量:47174、分子量分布:1.284(実験例12−6)
重量平均分子量:48079、分子量分布:1.293(実験例12−7)
重量平均分子量:47218、分子量分布:1.302(実験例12−8)
重量平均分子量:46972、分子量分布:1.313(実験例12−9)
重量平均分子量:46546、分子量分布:1.310(実験例12−10)
重量平均分子量:48008、分子量分布:1.291(実験例12−11)
重量平均分子量:47597、分子量分布:1.301(実験例12−12)
重量平均分子量:46227、分子量分布:1.318(実験例12−13)
重量平均分子量:46231、分子量分布:1.317(実験例12−14)
重量平均分子量:46266、分子量分布:1.314(実験例12−15)
重量平均分子量:47934、分子量分布:1.299(実験例12−16)
重量平均分子量:47165、分子量分布:1.306(実験例12−17)
重量平均分子量:45937、分子量分布:1.318(実験例12−18)
重量平均分子量:45542、分子量分布:1.323(実験例12−19)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−2)
維持率:100.9%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−3)
維持率:100.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−4)
維持率:99.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−5)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−6)
維持率:101.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−7)
維持率:99.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−8)
維持率:99.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−9)
維持率:98.4%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−10)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−11)
維持率:100.6%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−12)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−13)
維持率:97.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−14)
維持率:97.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−15)
維持率:101.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−16)
維持率:99.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−17)
維持率:97.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−18)
維持率:96.3%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−19)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)(実験例12−2〜実験例12−19)
(実験例12−20〜実験例12−24)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、140℃で10分間(実験例12−20)、150℃で3分間(実験例12−21)、150℃で5分間(実験例12−22)、150℃で7.5分間(実験例12−23)、160℃で1分間(実験例12−24)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47664、分子量分布:1.285(実験例12−20)
重量平均分子量:48710、分子量分布:1.285(実験例12−21)
重量平均分子量:48174、分子量分布:1.288(実験例12−22)
重量平均分子量:48312、分子量分布:1.291(実験例12−23)
重量平均分子量:48018、分子量分布:1.282(実験例12−24)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−20)
維持率:103.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−21)
維持率:101.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−22)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−23)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−24)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例12−20〜12−24)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、140℃で10分間(実験例12−20)、150℃で3分間(実験例12−21)、150℃で5分間(実験例12−22)、150℃で7.5分間(実験例12−23)、160℃で1分間(実験例12−24)加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47664、分子量分布:1.285(実験例12−20)
重量平均分子量:48710、分子量分布:1.285(実験例12−21)
重量平均分子量:48174、分子量分布:1.288(実験例12−22)
重量平均分子量:48312、分子量分布:1.291(実験例12−23)
重量平均分子量:48018、分子量分布:1.282(実験例12−24)
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:100.7%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−20)
維持率:103.0%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−21)
維持率:101.8%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−22)
維持率:102.1%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−23)
維持率:101.5%、維持率評価結果:A(維持率大で良好)(実験例12−24)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:B(密着性低)(実験例12−20〜12−24)
(実験例12−25)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45219、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.6%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
実験例12−1において、150℃で10分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、190℃で10分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例12−1と同様に、「重合体(F6)の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図3A〜図3Eの下図に示す。
(i)調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:47311、分子量分布:1.284
(ii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
重量平均分子量:45219、分子量分布:1.323
(iii)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
維持率:95.6%、維持率評価結果:B(維持率小)
(iv)プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
密着性評価結果:A(密着性良好)
図2A〜Eより、所定の単量体単位を有する所定の重合体(F5)と、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である溶剤とを含むポジ型レジスト組成物(図2A〜Eの上図:実施例1、3、5,7,9)は、所定の単量体単位を有する所定の重合体(F5)と、酢酸n−ヘキシルとを含むポジ型レジスト組成物(図2A〜Eの下図:比較例1)よりも、より幅広い範囲のプリベーク温度Tおよびプリベーク時間t(より低温側の範囲のプリベーク温度T)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることが分かる。
図3A〜Eより、所定の単量体単位を有する所定の重合体(F6)と、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である溶剤とを含むポジ型レジスト組成物(図3A〜Eの上図:実施例2、4、6、8、10)は、所定の単量体単位を有する所定の重合体(F6)と、酢酸n−ヘキシルとを含むポジ型レジスト組成物(図3A〜Eの下図:比較例2)よりも、より幅広い範囲のプリベーク温度Tおよびプリベーク時間t(より低温側の範囲のプリベーク温度T)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることが分かる。
本発明のポジ型レジスト組成物によれば、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
Claims (11)
- 重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、
前記重合体は、
下記一般式(I):
で表される単量体単位(A)と、
下記一般式(II):
で表される単量体単位(B)とを有し、
前記単量体単位(A)および前記単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有し、
前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n−ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である、ポジ型レジスト組成物。 - 前記R1が塩素原子である、請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
- 前記R2がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、
前記R3およびR4が、水素原子または非置換のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい、請求項2に記載のポジ型レジスト組成物。 - 前記pが1以上5以下の整数であり、R5およびR7〜R9が水素原子または非置換のアルキル基であり、
前記単量体単位(A)がフッ素原子を一つ以上有する、請求項1〜3の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。 - 前記単量体単位(B)におけるフッ素原子の数が0または1である、請求項4に記載のポジ型レジスト組成物。
- 前記R2がペンタフルオロアルキル基である、請求項1〜5の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 前記R2が2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基である、請求項6の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 前記単量体単位(B)が、α−メチルスチレンに由来する構造単位または4−フルオロ−α−メチルスチレンに由来する構造単位である、請求項1〜7の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1〜8の何れかに記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、
前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、
前記塗布されたポジ型レジスト組成物を加熱するプリベーク工程と、
を含み、
前記プリベーク工程における加熱を、下記式(1)を満たす温度T(℃)および時間t(分間)で行う、レジスト膜形成方法。
(−1/4)×T+32.5≦t≦(−1/4)×T+55・・・(1) - 前記時間が1分間以上30分間以下である、請求項9に記載のレジスト膜形成方法。
- 基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体を製造する積層体の製造方法であって、前記レジスト膜を請求項9または10に記載のレジスト膜形成方法により形成する、積層体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017191620 | 2017-09-29 | ||
JP2017191620 | 2017-09-29 | ||
PCT/JP2018/031212 WO2019065017A1 (ja) | 2017-09-29 | 2018-08-23 | ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019065017A1 true JPWO2019065017A1 (ja) | 2020-09-10 |
JP7131560B2 JP7131560B2 (ja) | 2022-09-06 |
Family
ID=65901706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019544426A Active JP7131560B2 (ja) | 2017-09-29 | 2018-08-23 | ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11402753B2 (ja) |
JP (1) | JP7131560B2 (ja) |
KR (1) | KR102656151B1 (ja) |
CN (1) | CN111065967B (ja) |
TW (1) | TWI782092B (ja) |
WO (1) | WO2019065017A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2018-08-23 US US16/643,846 patent/US11402753B2/en active Active
- 2018-08-23 CN CN201880058649.5A patent/CN111065967B/zh active Active
- 2018-08-23 KR KR1020207007841A patent/KR102656151B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-23 WO PCT/JP2018/031212 patent/WO2019065017A1/ja active Application Filing
- 2018-08-23 JP JP2019544426A patent/JP7131560B2/ja active Active
- 2018-09-19 TW TW107132937A patent/TWI782092B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019065017A1 (ja) | 2019-04-04 |
TW201915035A (zh) | 2019-04-16 |
JP7131560B2 (ja) | 2022-09-06 |
KR20200054208A (ko) | 2020-05-19 |
US20200257198A1 (en) | 2020-08-13 |
CN111065967A (zh) | 2020-04-24 |
US11402753B2 (en) | 2022-08-02 |
CN111065967B (zh) | 2023-06-23 |
KR102656151B1 (ko) | 2024-04-08 |
TWI782092B (zh) | 2022-11-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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