WO2019065017A1 - ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the R 2 is preferably a pentafluoroalkyl group. If R 2 of the monomer unit (A) is a pentafluoroalkyl group, it is possible to form a pattern with improved clarity while sufficiently improving the sensitivity.
  • the above-mentioned time is 1 minute or more and 30 minutes or less.
  • the time is 1 minute or more and 30 minutes or less, adhesion between the resist film formed through the pre-baking step and the workpiece can be more reliably improved, and before and after the pre-baking step Changes in the molecular weight of the polymer in the resist film of the present invention can be more reliably reduced.
  • the positive resist composition of the present invention a resist film and a workpiece formed through the prebaking step at a heating temperature and heating time (heating temperature in the lower temperature range) in a wider range of prebaking steps
  • the adhesion property of the resist film can be improved, and the change in molecular weight of the polymer in the resist film before and after the pre-baking step can be reduced.
  • the adhesion between the resist film formed through the prebaking step and the workpiece can be improved, and the molecular weight of the polymer in the resist film before and after the prebaking step Change can be reduced.
  • Is a graph showing the relationship of The upper graph is a graph showing the relationship between temperature T (° C.) and time t (minutes) in the pre-baking step in a resist film forming method using a positive resist composition containing a polymer (F5) and isobutyl formate. is there.
  • the figure below shows the temperature T (° C) and time t (minutes) in the pre-baking step in the resist film formation method using a positive resist composition containing a polymer (F5) and n-hexyl acetate as comparative objects.
  • fluorine atom-substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms examples include, for example, 2,2,2-trifluoroethyl group and 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group (the number of fluorine atoms Pentafluoroalkyl group such as the following structural formula X), 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 2- (perfluorohexyl) ethyl group, 1H, 1H, 3H-tetrafluoropropyl group 1H, 1H, 5H-octafluoropentyl group, 1H, 1H, 7H-dodecafluoroheptyl group, 1H-1- (trifluoromethyl) trifluoroethyl group, 1H, 1H, 3H-hexafluorobutyl group, 1, 1 And 2,2,2-tetrafluoro-1- (trifluoromethyl) ethyl group.
  • isoamyl solvent (isoamyl acetate, isoamyl formate) alone or a mixture thereof is more preferable, and in view of easy availability, isoamyl acetate is particularly preferable.
  • the solvent may be a mixture, but is preferably a single solvent consisting of a single substance from the viewpoint of ease of recovery and reuse of the solvent.
  • the resist film is irradiated with ionizing radiation or light to draw a desired pattern.
  • known irradiation apparatuses such as an electron beam drawing apparatus and a laser drawing apparatus, can be used for irradiation of ionizing radiation and light.
  • the method of producing a laminate according to the present invention is a method of producing a laminate comprising a substrate, a light shielding layer formed on the substrate, and a resist film formed on the light shielding layer.
  • the resist film is formed by the resist film forming method of the present invention.
  • Example 6-32 At 170 ° C. for 5 minutes (Experimental Example 6-33), at 170 ° C. for 7.5 minutes (Experimental Example 6-34), and at 170 ° C. for 10 minutes (Experimental Example 6) 35), 1 minute at 180 ° C. (Experimental Example 6-36), 3 minutes at 180 ° C. (Experimental Example 6-37), 5 minutes at 180 ° C. (Experimental Example 6-38), 7.5 minutes at 180 ° C. Experimental Example 6-39), 10 minutes at 180 ° C. (Experimental Example 6-40), 1 minute at 190 ° C. (Experimental Example 6-41), 3 minutes at 190 ° C.
  • Example 10-35 to 10-39 In Experimental Example 10-1, instead of performing the pre-baking step of heating at 110 ° C. for 10 minutes, respectively at 100 ° C. for 10 minutes (Experimental Example 10-35) and at 110 ° C. for 7.5 minutes (Experimental Example 10-36) C., for 5 minutes at 120.degree. C. (Experimental Example 10-37), 130.degree. C. for 3 minutes (Experimental Example 10-38), and 140.degree. C. for 1 minute (Experimental Example 10-39); In the same manner as in Experimental Example 10-1, “Preparation of polymer (F6)”, “Preparation of positive resist composition”, and “Formation of resist pattern” were performed, and the same measurement or evaluation was performed. The results are shown below and in FIG.

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Abstract

より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物等を提供する。本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記重合体は、下記一般式（Ｉ）で表される単量体単位（Ａ）と、下記一般式（ＩＩ）で表される単量体単位（Ｂ）とを有し、前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも１種である。

Description

ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法
　本発明は、ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法および積層体の製造方法に関し、特には、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法、および該レジスト膜形成方法を用いた積層体の製造方法に関するものである。
　従来、半導体製造等の分野において、電子線などの電離放射線や紫外線などの短波長の光（以下、電離放射線と短波長の光とを合わせて「電離放射線等」と称することがある。）の照射により主鎖が切断されて現像液に対する溶解性が増大する重合体が、主鎖切断型のポジ型レジストとして使用されている。
　そして、例えば特許文献１には、高感度な主鎖切断型のポジ型レジストとして、α－メチルスチレン単位とα－クロロアクリル酸メチル単位とを含有するα－メチルスチレン・α－クロロアクリル酸メチル共重合体よりなるポジ型レジストが開示されている。
特公平８－３６３６号公報
　ここで、レジスト組成物を用いたレジスト膜の形成プロセスでは、レジスト組成物を被加工物に塗布した後、塗布したレジスト組成物を加熱するプリベークを経てレジスト膜を形成した際に、レジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られなかったり、レジスト膜における重合体の分子量が低下したりすることがある。ここで、レジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られないと、レジスト膜が剥離することがあり、また、重合体の分子量が低下すると、パターンを所望の形状に形成できないことがある。そのため、レジスト膜の形成では、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を十分に得ることが求められ、さらに、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を抑制することが求められている。
　しかし、特許文献１に記載のα－メチルスチレン・α－クロロアクリル酸メチル共重合体よりなるポジ型レジストを用いたレジスト膜形成方法では、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性が十分に得られなかったり、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を十分に抑制することができないという問題があった。
　上記問題を解決するために、溶媒として、酢酸ｎ－ヘキシル、などを用いて、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減すること、などが検討されているが、これらの溶媒を用いた場合は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるものの、密着性向上および分子量変化低減が可能なプリベーク工程における加熱温度および加熱時間の範囲が狭かった。
　そこで、本発明は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるレジスト膜形成方法を提供することを目的とする。
　また、本発明は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性が高く、レジスト膜における重合体の分子量の低減が抑制された積層体の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。そして、本発明者は、所定の単量体単位を有する所定の重合体と、所定の溶剤とを含む主鎖切断型のポジ型レジスト組成物は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることを見出し、本発明を完成させた。
　即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、
　前記重合体は、
　下記一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式（Ｉ）中、Ｒ１は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ２は、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表される単量体単位（Ａ）と、
　下記一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（ＩＩ）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８およびＲ９は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ７は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、ｐおよびｑは、０以上５以下の整数であり、ｐ＋ｑ＝５である。）
で表される単量体単位（Ｂ）とを有し、
　前記単量体単位（Ａ）および前記単量体単位（Ｂ）の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有し、
　前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも１種である、ことを特徴とする。
　所定の単量体単位を有する所定の重合体と、所定の溶剤とを含む主鎖切断型のポジ型レジスト組成物は、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　なお、本発明において、式（ＩＩ）中のｐが２以上の場合には、複数あるＲ６は互いに同一でも異なっていてもよく、また、式（ＩＩ）中のｑが２以上の場合には、複数あるＲ７は互いに同一でも異なっていてもよい。
　また、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記Ｒ１が塩素原子であることが好ましい。単量体単位（Ａ）のＲ１が塩素原子であれば、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。従って、良好なポジ型レジスト膜が得られる。また、単量体単位（Ａ）のＲ１が塩素原子の重合体は調製し易い。
　更に、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記Ｒ２がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、前記Ｒ３およびＲ４が、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましい。単量体単位（Ａ）のＲ２がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４が水素原子または非置換のアルキル基であれば、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。従って、良好なポジ型レジスト膜が得られる。なお、Ｒ３およびＲ４は、互いに同一でも異なっていてもよい。
　更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記ｐが１以上５以下の整数であり、Ｒ５およびＲ７～Ｒ９が水素原子または非置換のアルキル基であり、前記単量体単位（Ａ）がフッ素原子を一つ以上有することが好ましい。単量体単位（Ｂ）のｐが１以上５以下の整数であり、Ｒ５およびＲ７～Ｒ９が水素原子または非置換のアルキル基であり、単量体単位（Ａ）がフッ素原子を一つ以上有していれば、重合体が調製し易く、また、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができ、良好なポジ型レジスト膜が得られる。
　更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、単量体単位（Ｂ）におけるフッ素の数が０または１であることが好ましい。単量体単位（Ｂ）におけるフッ素の数が０または１であれば、良好なポジ型レジスト膜が得られる。
　更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記Ｒ２がペンタフルオロアルキル基であることが好ましい。単量体単位（Ａ）のＲ２がペンタフルオロアルキル基であれば、感度を十分に向上させつつ、明瞭性が向上したパターン形成が可能である。
　更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記Ｒ２が２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基であることが好ましい。単量体単位（Ａ）のＲ２が２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基であれば、感度を十分に向上させつつ、明瞭性がより一層向上したパターン形成が可能である。
　更にまた、本発明のポジ型レジスト組成物は、前記単量体単位（Ｂ）が、α－メチルスチレンに由来する構造単位または４－フルオロ－α－メチルスチレンに由来する構造単位であることが好ましい。単量体単位（Ｂ）がα－メチルスチレンに由来する構造単位であれば、重合体の調製の容易性を向上させることができると共に、良好なポジ型レジスト膜を得ることができる。単量体単位（Ｂ）が４－フルオロ－α－メチルスチレンに由来する構造単位であれば、倒れの発生を抑制したパターン形成が可能である。
　また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のレジスト膜形成方法は、上述したポジ型レジスト組成物の何れかを用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、
　前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、
　前記塗布されたポジ型レジスト組成物を加熱するプリベーク工程と、
を含み、
　前記プリベーク工程における加熱を、下記式（１）を満たす温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）で行う、ことを特徴とする。
（－１／４）×Ｔ＋３２．５≦ｔ≦（－１／４）×Ｔ＋５５・・・（１）
　所定の単量体単位を有する所定の重合体を主鎖切断型のポジ型レジストとして用いて、所定条件でプリベーク工程を行うと、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を十分に抑制することができる。
　ここで、本発明のレジスト膜形成方法は、前記時間が１分間以上３０分間以下であることが好ましい。プリベーク工程における加熱において、前記時間が１分間以上３０分間以下であれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性をより確実に向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化をより確実に低減することができる。
　また、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明の積層体の製造方法は、基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体の製造方法であって、前記レジスト膜が上述したレジスト膜形成方法の何れかにより形成されることを特徴とする。上述したレジスト膜形成方法の何れかによりレジスト膜を形成すれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性が高く、レジスト膜における重合体の分子量の低減が抑制された積層体を得ることができる。
　本発明のポジ型レジスト組成物によれば、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ５）と酢酸イソアミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ５）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ５）とギ酸ｎ－ブチルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ５）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ５）とギ酸イソブチルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ５）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ５）とギ酸ｎ－アミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ５）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ５）とギ酸イソアミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ５）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ６）と酢酸イソアミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ６）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ６）とギ酸ｎ－ブチルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ６）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ６）とギ酸イソブチルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ６）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ６）とギ酸ｎ－アミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ６）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。 上図は、重合体（Ｆ６）とギ酸イソアミルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。下図は、比較対象としての、重合体（Ｆ６）と酢酸ｎ－ヘキシルを含有するポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法におけるプリベーク工程での温度Ｔ（℃）と時間ｔ（分間）との関係を示すグラフである。
　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
　ここで、本発明のレジスト組成物は、本発明のレジスト膜形成方法に用いることができる。本発明のレジスト膜形成方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられるレジスト膜を形成することができる。そして、本発明の積層体の製造方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いられる積層体を製造することができる。
　なお、本発明のレジスト組成物における重合体は、電子線やＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）レーザーなどの電離放射線や紫外線などの短波長の光の照射により重合体の主鎖が切断されて低分子量化する、主鎖切断型のポジ型レジストとして良好に使用することができる。
（ポジ型レジスト組成物）
　本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と、溶剤とを含み、任意に、レジスト組成物に配合され得る既知の添加剤を更に含有する。そして、本発明のポジ型レジスト組成物は、後述の重合体をポジ型レジストとして含有しているので、レジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。また、後述の条件でプリベークすれば、密着性を向上させることができ、重合体の分子量低下を抑制することができる。
　前記ポジレジスト組成物の固形分濃度としては、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上が特に好ましく、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、５質量％以下が特に好ましい。
＜重合体＞
　重合体は、
　下記の一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（Ｉ）中、Ｒ１は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ２は、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４は互いに同一でも異なっていてもよい。）で表される単量体単位（Ａ）と、
　下記の一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（ＩＩ）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８およびＲ９は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ７は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、ｐおよびｑは、０以上５以下の整数であり、ｐ＋ｑ＝５である。）で表される単量体単位（Ｂ）とを有する。
　また、前記重合体は、単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有する。即ち、前記重合体は、単量体単位（Ａ）がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位（Ｂ）がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位（Ｂ）がフッ素原子を一つ以上有し、単量体単位（Ａ）がフッ素原子を有していなくてもよいし、単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）のそれぞれがフッ素原子を一つ以上有していてもよい。
　なお、前記重合体は、単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）以外の任意の単量体単位を含んでいてもよいが、重合体を構成する全単量体単位中で単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）が占める割合は、合計で９０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、実質的に１００ｍｏｌ％であることがより好ましく、１００ｍｏｌ％（即ち、重合体は単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）のみを含む）であることがさらに好ましい。
　そして、前記重合体は、所定の単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）を含んでいるので、電離放射線等（例えば、電子線、ＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）レーザーなど）が照射されると、重合体の主鎖が切断されて低分子量化する。また、前記重合体は、単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有しているので、レジストとして使用した際に、
プリベーク時に耐熱性が高く、分解することが抑止されて、被加工物との密着性を向上させることができ、また、レジストパターンの倒れの発生を十分に抑制することができる。
　なお、単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）の少なくとも一方にフッ素原子を含有させることでレジストパターンの倒れの発生を抑制することができる理由は、明らかではないが、重合体の撥液性が向上するため、レジストパターンの形成過程において現像液やリンス液を除去する際にパターン間で引っ張り合いが起こるのを抑制することができるからであると推察される。
＜＜単量体単位（Ａ）＞＞
　ここで、単量体単位（Ａ）は、下記の一般式（ＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式（ＩＩＩ）中、Ｒ１～Ｒ４は、式（Ｉ）と同様である。）で表される単量体（ａ）に由来する構造単位である。
　そして、重合体を構成する全単量体単位中の単量体単位（Ａ）の割合は、特に限定されることなく、例えば３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とすることができ、４０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
　ここで、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ１～Ｒ４を構成し得る、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、特に限定されることなく、アルキル基中の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置換した構造を有する基が挙げられる。
　また、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ２～Ｒ４を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ２～Ｒ４を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
　そして、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ１は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換された炭素数１以上５以下のアルキル基であることが好ましく、塩素原子、フッ素原子またはパーフルオロメチル基であることがより好ましく、塩素原子またはフッ素原子であることが更に好ましく、塩素原子であることが特に好ましい。なお、式（ＩＩＩ）中のＲ１が塩素原子である単量体（ａ）は、重合性に優れており、式（Ｉ）中のＲ１が塩素原子である単量体単位（Ａ）を有する重合体は、調製が容易であるという点においても優れている。
　また、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ２は、フッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましく、フッ素原子で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基であることがより好ましい。
　フッ素原子で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、例えば、２，２，２－トリフルオロエチル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基（フッ素原子の数が５、炭素数が３、下記構造式Ｘ）等のペンタフルオロアルキル基、２－（パーフルオロブチル）エチル基、２－（パーフルオロヘキシル）エチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチル基、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチル基、１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチル基、１，２，２，２－テトラフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチル基、などが挙げられる。
　これらの中でも、ペンタフルオロアルキル基が好ましく、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基（フッ素原子の数が５、炭素数が３、下記構造式Ｘ）が特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　更に、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ３およびＲ４は、それぞれ、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子または非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
　そして、上述した式（Ｉ）で表される単量体単位（Ａ）を形成し得る、上述した式（Ｉ）で表される単量体（ａ）としては、特に限定されることなく、例えば、α－クロロアクリル酸２，２，２－トリフルオロエチル、α－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル、α－クロロアクリル酸２－（パーフルオロブチル）エチル、α－クロロアクリル酸２－（パーフルオロヘキシル）エチル、α－クロロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピル、α－クロロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチル、α－クロロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチル、α－クロロアクリル酸１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチル、α－クロロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチル、α－クロロアクリル酸１，２，２，２－テトラフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチルなどのα－クロロアクリル酸フルオロアルキルエステル；α－フルオロアクリル酸メチル、α－フルオロアクリル酸エチルなどのα－フルオロアクリル酸アルキルエステル；α－トリフルオロメチルアクリル酸メチル、α－トリフルオロメチルアクリル酸エチルなどのα－フルオロアルキルアクリル酸アルキルエステル；α－フルオロアクリル酸２，２，２－トリフルオロエチル、α－フルオロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル、α－フルオロアクリル酸２－（パーフルオロブチル）エチル、α－フルオロアクリル酸２－（パーフルオロヘキシル）エチル、α－フルオロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピル、α－フルオロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチル、α－フルオロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチル、α－フルオロアクリル酸１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチル、α－フルオロアクリル酸１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチル、α－フルオロアクリル酸１，２，２，２－テトラフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチルなどのα－フルオロアクリル酸フルオロアルキルエステル；が挙げられる。
　なお、電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を更に向上させる観点からは、単量体単位（Ａ）は、α－クロロアクリル酸フルオロアルキルエステルに由来する構造単位であることが好ましく、α－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルであることが特に好ましい。即ち、式（Ｉ）および式（ＩＩＩ）中のＲ１～Ｒ４は、Ｒ１が塩素原子であり、Ｒ２がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４が水素原子であることが特に好ましい。
＜＜単量体単位（Ｂ）＞＞
　また、単量体単位（Ｂ）は、下記の一般式（ＩＶ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式（ＩＶ）中、Ｒ５～Ｒ９、並びに、ｐおよびｑは、式（ＩＩ）と同様である。）で表される単量体（ｂ）に由来する構造単位である。
　そして、重合体を構成する全単量体単位中の単量体単位（Ｂ）の割合は、特に限定されることなく、例えば３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とすることができ、４０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
　ここで、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ５～Ｒ９を構成し得る、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、特に限定されることなく、アルキル基中の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置換した構造を有する基が挙げられる。
　また、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ５～Ｒ９を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ５～Ｒ９を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
　そして、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ５は、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。
　式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中に複数存在するＲ７は、全て、水素原子または非置換のアルキル基であってもよく、水素原子または非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基であってもよく、水素原子であってもよい。これにより、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。
　式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のｐが５であり、ｑが０であり、５つあるＲ６の全てが水素原子または非置換のアルキル基であってもよく、５つあるＲ６の全てが水素原子または非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基であってもよく、５つあるＲ６の全てが水素原子であってもよい。これにより、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させることができる。
　一方、重合体をレジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を更に抑制する観点からは、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中に複数存在するＲ６および／またはＲ７は、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基を含むことが好ましく、フッ素原子またはフッ素原子で置換された炭素数１以上５以下のアルキル基を含むことがより好ましく、Ｒ６および／またはＲ７におけるフッ素原子の数が１であることが特に好ましい。
　更に、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ８およびＲ９は、それぞれ、水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子または非置換の炭素数１以上５以下のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
　そして、上述した式（ＩＩ）で表される単量体単位（Ｂ）を形成し得る、上述した式（ＩＶ）で表される単量体（ｂ）としては、特に限定されることなく、例えば、以下の（ｂ－１）～（ｂ－１１）等のα－メチルスチレンおよびその誘導体が挙げられる。
　また、単量体単位（Ｂ）におけるフッ素原子の数は、０または１であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　なお、重合体の調製の容易性および電離放射線等を照射した際の重合体の主鎖の切断性を向上させる観点からは、単量体単位（Ｂ）は、フッ素原子を含有しない（即ち、単量体単位（Ａ）のみがフッ素原子を含有する）ことが好ましく、α－メチルスチレンに由来する構造単位であることがより好ましい。即ち、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ５～Ｒ９、並びに、ｐおよびｑは、ｐ＝５、ｑ＝０であり、Ｒ５がメチル基であり、５つあるＲ６が全て水素原子であり、Ｒ８およびＲ９が水素原子であることが特に好ましい。
　一方、重合体をレジストパターンの形成に使用した際にレジストパターンの倒れの発生を更に抑制する観点からは、単量体単位（Ｂ）は、フッ素原子を含有することが好ましく、フッ素原子を１個含有することがより好ましく、フルオロ－α－メチルスチレンに由来する構造単位であることが特に好ましく、４－フルオロ－α－メチルスチレンに由来する構造単位であること、即ち、式（ＩＩ）および式（ＩＶ）中のＲ５～Ｒ９、並びに、ｐおよびｑは、ｐ＝５、ｑ＝０であり、Ｒ５がメチル基であり、５つあるＲ６のうちパラ位のみがフッ素であり、残りの４つ全てが水素原子であり、Ｒ８およびＲ９が水素原子であることが、最も好ましい。
＜＜重合体の性状＞＞
　以下、本発明のレジスト膜形成方法に用いられる重合体の性状、即ち、プリベーク工程における加熱前の「重量平均分子量（Ｍｗ）」、「数平均分子量（Ｍｎ）」および「分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）」について説明する。
　なお、本発明において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」および「数平均分子量（Ｍｎ）」は、ゲル浸透クロマトグラフィーを用いて測定することができる。そして、本発明において、「分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）」とは、数平均分子量（Ｍｎ）に対する重量平均分子量（Ｍｗ）の比を指す。
［重量平均分子量］
　そして、上述した単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）を有する重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、２００００以上１５００００以下とすることができる。さらに、重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００００未満であることが好ましく、６００００未満であることがより好ましく、３００００以上であることが好ましい。重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記上限値以下（未満）であれば、ポジ型レジストとして使用した際に、比較的低い照射量で現像液に対する溶解性を増大させることができるので、ポジ型レジストとして使用した際の感度を適度に向上させることができる。また、重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記下限値以上であれば、過剰に低い照射量でレジスト膜の現像液に対する溶解性を高まることを抑制することができ、γ値が過度に低下することを抑制することができる。
［数平均分子量］
　また、上述した重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば１００００以上１０００００以下とすることができる。さらに、重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、８００００未満であることが好ましく、５００００未満であることがより好ましい。重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が上記上限値以下（未満）であれば、かかる重合体を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストをポジ型レジストとして使用した際の感度を更に高めることができる。
［分子量分布］
　そして、上述した重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、例えば２．５０以下とすることができる。さらに、重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．２０以上であることが好ましく、１．３０以上であることがより好ましく、１．３５以上であることが特に好ましく、２．４０以下であることが好ましく、１．７５以下であることがより好ましく、１．６０以下であることがさらに好ましく、１．５５以下であることがさらにより好ましい。重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記下限値以上であれば、重合体の製造容易性を高めることができる。重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記上限値以下であれば、ポジ型レジストとして使用した際のγ値を高めることができ、得られるレジストパターンの明瞭性を高めることができる。
＜＜重合体の調製方法＞＞
　そして、上述した単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）を有する重合体は、例えば、単量体（ａ）と単量体（ｂ）とを含む単量体組成物を重合させた後、任意に得られた重合物を精製することにより調製することができる。
　なお、重合体の組成、分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量は、重合条件および精製条件を変更することにより調整することができる。具体的には、例えば、重合体の組成は、重合に使用する単量体組成物中の各単量体の含有割合を変更することにより調整することができる。また、重量平均分子量および数平均分子量は、重合温度を高くすれば、小さくすることができる。更に、重量平均分子量および数平均分子量は、重合時間を短くすれば、小さくすることができる。
［単量体組成物の重合］
　ここで、本発明の重合体の調製に用いる単量体組成物としては、単量体（ａ）および単量体（ｂ）を含む単量体成分と、任意の溶媒と、重合開始剤と、任意に添加される添加剤との混合物を用いることができる。そして、単量体組成物の重合は、既知の方法を用いて行うことができる。中でも、溶媒としては、シクロペンタノンなどを用いることが好ましく、重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。
　また、単量体組成物を重合して得られた重合物は、特に限定されることなく、重合物を含む溶液にテトラヒドロフラン等の良溶媒を添加した後、良溶媒を添加した溶液をメタノール等の貧溶媒中に滴下して重合物を凝固させることにより回収することができる。
＜＜重合物の精製＞＞
　なお、得られた重合物を精製する場合に用いる精製方法としては、特に限定されることなく、再沈殿法やカラムクロマトグラフィー法などの既知の精製方法が挙げられる。中でも、精製方法としては、再沈殿法を用いることが好ましい。
　なお、重合物の精製は、複数回繰り返して実施してもよい。
　そして、再沈殿法による重合物の精製は、例えば、得られた重合物をテトラヒドロフラン等の良溶媒に溶解した後、得られた溶液を、テトラヒドロフラン等の良溶媒とメタノール等の貧溶媒との混合溶媒に滴下し、重合物の一部を析出させることにより行うことが好ましい。このように、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒中に重合物の溶液を滴下して重合物の精製を行えば、良溶媒および貧溶媒の種類や混合比率を変更することにより、得られる重合体の分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量を容易に調整することができる。具体的には、例えば、混合溶媒中の良溶媒の割合を高めるほど、混合溶媒中で析出する重合体の分子量を大きくすることができる。
　なお、再沈殿法により重合物を精製する場合、前記重合体としては、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒中で析出した重合物を用いてもよいし、混合溶媒中で析出しなかった重合物（即ち、混合溶媒中に溶解している重合物）を用いてもよい。ここで、混合溶媒中で析出しなかった重合物は、濃縮乾固などの既知の手法を用いて混合溶媒中から回収することができる。
＜溶剤＞
　溶剤としては、酢酸イソアミル（沸点：１４２℃、表面張力：２４．６ｍＮ／ｍ）、ギ酸ｎ－ブチル（沸点：１０７℃、表面張力：２５ｍＮ／ｍ）、ギ酸イソブチル（沸点：９８．４℃、表面張力：２３．７ｍＮ／ｍ）、ギ酸ｎ－アミル（沸点：１３２℃、表面張力：２６ｍＮ／ｍ）、およびギ酸イソアミル（沸点：１２４℃、表面張力：２４．６ｍＮ／ｍ）からなる群より選択される少なくとも１種を用いることができる。
　上記溶剤を使用することにより、上述した単量体単位（Ａ）および単量体単位（Ｂ）を有する重合体をポジ型レジストとして用いる場合であっても、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　中でも、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点からは、溶剤としては、アミル系溶剤（酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミル）の単体または混合物が好ましく、悪臭が無い点で、イソアミル系溶剤（酢酸イソアミル、ギ酸イソアミル）の単体または混合物がより好ましく、入手容易な点で、酢酸イソアミルが特に好ましい。
　上述したように、溶剤は、混合物でもよいが、溶剤の回収および再利用の容易性の観点から、単一の物質からなる単一溶剤であることが好ましい。
＜＜溶剤の沸点＞＞
　上述の溶剤の沸点は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、１１０℃以上１６０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１５０℃以下であることがより好ましい。
　なお、前記沸点は、１気圧における沸点であり、溶剤ハンドブック（株式会社講談社発行）等に記載された一般的な文献値に基づくものである。
＜＜溶剤の表面張力＞＞
　上述の溶剤の表面張力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、レジスト組成物の基板に対する濡れ性を向上させて、形成されるレジスト膜の膜厚精度を向上させる観点から、３２ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、適度な粘度のポジ型レジスト溶液を得てポジ型レジスト溶液の塗工性を向上させる観点から、２９ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。
　なお、前記表面張力は、ペンダントドロップ法に基づき、温度２３℃で、Ｄｒｏｐ　Ｍａｓｔｅｒ７００（協和界面科学株式会社製）を使用して測定した値である。
（レジスト膜形成方法）
　本発明のレジスト膜形成方法は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、前記塗布されたポジ型レジスト組成物を下記式（１）を満たす（図１のグラフにおける直線Ｐと直線Ｕとの間の領域内にある）温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）で加熱するプリベーク工程と、を含む。
（－１／４）×Ｔ＋３２．５≦ｔ≦（－１／４）×Ｔ＋５５・・・（１）
但し、ｔ＞０
＜塗布工程＞
　塗布工程では、レジストパターンを利用して加工される基板などの被加工物の上に、上述したポジ型レジスト組成物を塗布する。塗布方法は特に限定されることなく、既知の塗布方法にて行うことができる。
　なお、ポジ型レジスト組成物が塗布される被加工物としては、基板であってもよく、また、基板上に遮光層が形成された「マスクブランクス」であってもよい。
＜プリベーク工程＞
　プリベーク工程では、塗布したポジ型レジスト組成物を加熱（プリベーク）してレジスト膜を形成する。
　ここで、加熱（プリベーク）は、下記式（１）を満たす温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）で行う。ここで、温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）が下記式（１）を満たすとは、「図１のグラフにおいて、温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）が直線Ｐと直線Ｕとの間に存在すること」を意味する。これにより、レジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
（－１／４）×Ｔ＋３２．５≦ｔ≦（－１／４）×Ｔ＋５５・・・（１）
　さらに、温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）は、下記式（２）を満たすことが好ましく、下記式（３）を満たすことがより好ましく、下記式（４）を満たすことが特に好ましく、下記式（５）を満たすことが好ましく、下記式（５－２）を満たすことがより好ましく、下記式（６）を満たすことがさらにより好ましく、下記式（７）を満たすことが特に好ましい。
（－１／４）Ｔ＋３５≦ｔ・・・（２）
（－１／４）Ｔ＋３７．５≦ｔ・・・（３）
（－１／４）Ｔ＋４０≦ｔ・・・（４）
ｔ≦（－７／３０）Ｔ＋１４２／３・・・（５）
ｔ≦（－３／１０）Ｔ＋５８・・・（５－２）
ｔ＜（－７／１０）Ｔ＋１１５・・・（６）
ｔ＜（－８／１５）Ｔ＋２６２／３・・・（７）
　上記式（１）および（６）を満たす（図１のグラフにおいて、温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）が直線Ｐと直線Ｃとの間に存在する）温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）でプリベーク（加熱）を行うと、より低温側で加熱することにより、レジスト膜と被加工物との密着性を維持しつつ、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を確実に低減することができる。
　上記式（１）および上記式（７）を満たす（図１のグラフにおいて、温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）が直線Ｐと直線Ａとの間に存在する）温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）でプリベーク（加熱）を行うと、さらにより低温側で加熱することにより、レジスト膜と被加工物との密着性を維持しつつ、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化をより確実に低減することができる。
　なお、図１～３Ｅにおける直線Ａ，Ｃ，Ｐ～Ｕは、それぞれ、下記式を示す。
　直線Ａ：ｔ＝（－８／１５）Ｔ＋２６２／３
　直線Ｃ：ｔ＝（－７／１０）Ｔ＋１１５
　直線Ｐ：ｔ＝（－１／４）Ｔ＋３２．５
　直線Ｑ：ｔ＝（－１／４）Ｔ＋３５
　直線Ｒ：ｔ＝（－１／４）Ｔ＋３７．５
　直線Ｓ：ｔ＝（－１／４）Ｔ＋４０
　直線Ｔ：ｔ＝（－３／１０）Ｔ＋５８
　直線Ｔ２：ｔ＝（－７／３０）Ｔ＋１４２／３
　直線Ｕ：ｔ＝（－１／４）Ｔ＋５５
　さらに、温度Ｔ（℃）は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性の観点から、１１０℃以上であることが好ましく、１１５℃以上であることがより好ましく、１２０℃以上であることがさらにより好ましく、また、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化の低減の観点から、１８０℃以下であることが好ましく、１７０℃以下であることがより好ましい。時間ｔ（分間）は、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性の観点から、１分間以上であることが好ましく、３分間以上であることがより好ましく、５分間以上であることがさらにより好ましく、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化の低減の観点から、３０分間以下であることが好ましく、１０分間以下であることがより好ましい。
　以下、プリベーク工程における加熱後の重合体の性状、即ち、重合体の「重量平均分子量（Ｍｗ）」、「数平均分子量（Ｍｎ）」および「分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）」について説明する。
［重量平均分子量］
　そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜（即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜）における重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、４５９００以上５９０００以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５２０００以下であることが好ましく、４６５００以上であることが好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記上限値以下（未満）であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
［数平均分子量］
　また、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜（即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜）における重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、３４４００以上４３５００以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、４１６００以下であることが好ましく、３６５００以上であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が上記上限値以下（未満）であれば、レジスト膜の感度を向上させることができる。また、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が上記下限値以上であれば、現像液への溶解を防止することができる。
［分子量分布］
　そして、本発明のポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜（即ち、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜）における重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、例えば、１．５０以下とすることができる。さらに、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．２８以上であることが好ましく、１．３０以上であることがより好ましく、１．４５以下であることが好ましく、１．４０以下であることがより好ましい。プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記下限値以上であれば、プリベーク時間を短くすることができる。重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記上限値以下であれば、パターニング時に明瞭なパターンを得ることができる。
　プリベーク工程における加熱による重合体の重量平均分子量の維持率（プリベーク工程における加熱後の重合体の重量平均分子量／プリベーク工程における加熱前の重合体の重量平均分子量）は、９５．７％以上であることが好ましく、９６．０％以上であることがより好ましく、９７．０％以上であることが特に好ましく、９９．０％以上とすることが最も好ましい。
＜レジストパターン形成方法＞
　レジストパターン形成方法は、（１）上述したレジスト膜形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、（２）レジスト膜を露光する工程と、（３）露光されたレジスト膜を現像する工程と、を含むことが好ましい。
＜＜露光工程＞＞
　上記工程（２）では、レジスト膜に対して電離放射線や光を照射して所望のパターンを描画する。なお、電離放射線や光の照射には、電子線描画装置やレーザー描画装置などの既知の描画装置を用いることができる。
＜＜現像工程＞＞
　上記工程（３）では、パターンを描写したレジスト膜を現像液と接触させてレジスト膜を現像し、被加工物上にレジストパターンを形成する。ここで、レジスト膜と現像液とを接触させる方法は、特に限定されることなく、現像液中へのレジスト膜の浸漬やレジスト膜への現像液の塗布等の既知の手法を用いることができる。そして、任意に、現像したレジスト膜をリンス液でリンスする。
　特に、現像液およびリンス液としては、例えば、ＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨＣｌ２、ＣＣｌＦ２ＣＦ２ＣＨＣｌＦ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３、およびＣ８Ｆ１８を含むフルオロカーボン等のフッ素系溶剤；メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール（イソプロピルアルコール）等のアルコール；酢酸アミル、酢酸ヘキシルなどのアルキル基を有する酢酸エステル；フッ素系溶剤とアルコールとの混合物；フッ素系溶剤とアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物；アルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物；フッ素系溶剤とアルコールとアルキル基を有する酢酸エステルとの混合物；などを用いることができる。現像液およびリンス液の組合せは、上述した重合体よりなるレジストの溶解性などを考慮し、例えば、レジスト溶解性のより高い溶剤を現像液とし、レジスト溶解性のより低い溶剤をリンス液とすることができる。また、現像液の選定にあたり、上記工程（２）を実施する前のレジスト膜を溶解しない現像液を選択することが好ましい。さらに、リンス液の選定にあたり、現像液と混ざり易いリンス液を選択し、現像液との置換が容易となるようにすることが好ましい。
（積層体の製造方法）
　本発明の積層体の製造方法は、基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体を製造する積層体の製造方法であって、前記レジスト膜を本発明のレジスト膜形成方法により形成する。
＜基板＞
　基板としては、通常、透明基板を用いる。基板の材質としては、例えば、石英、ガラスなどの透明材料が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性および耐候性の観点から、石英が好ましい。
　基板は、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長の光を９０％～９５％透過する程度の透明性を有することが好ましい。
　基板の厚みは、０．５ｍｍ以上であることが好ましく、１．０ｍｍ以上であることがより好ましく、２０ｍｍ以下であることが好ましく、１５ｍｍ以下であることがより好ましい。
＜遮光層＞
　遮光層としては、任意の遮光層を用いることができる。中でも、遮光層としては、金属層を備える単層構造または多層構造の遮光層を用いることが好ましい。なお、遮光層を構成し得る金属層以外の層の材質としては、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなどが挙げられる。
　金属層の材質としては、例えば、クロム、シリコン、酸化鉄、モリブデンシリサイドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、遮光性の観点から、クロムが好ましい。
　遮光層の厚みは、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
＜レジスト膜＞
　レジスト膜は、本発明のレジスト膜形成方法により形成される。これにより、レジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。
　レジスト膜の厚みは、２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
　以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、量を表す「％」および「部」は、特に断らない限り、質量基準である。
　また、図２Ａ～３Ｅにおいて、「丸印」は、後述する（ｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および（ｉｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれも良好であることを示し、「ばつ印」は、（ｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および（ｉｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」のいずれかが良好でないことを示し、「丸印」および「ばつ印」への矢印に付された「数値」は実験例番号を示す。
　そして、実験例１－１～１２－２５において、（ｉ）「重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布」、（ｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率」および（ｉｉｉ）「プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性」を、それぞれ下記の方法で測定および評価した。
＜重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布＞
　測定対象の重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
　具体的には、ゲル浸透クロマトグラフ（東ソー製、ＨＬＣ－８２２０）を使用し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて、測定対象の重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を標準ポリスチレン換算値として求めた。そして、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
＜プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率＞
　ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を１００％としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合（％）を算出し、以下の基準に従って、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率を評価した。
　Ａ：ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を１００％としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が９５．７％以上（維持率大で良好）
　Ｂ：ポジ型レジスト組成物の調製に用いた重合体の重量平均分子量を１００％としたときのプリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の割合が９５．７％未満（維持率小）
＜プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性＞
　形成したレジストパターンの剥がれの有無を観察して、以下の基準に従って、レジスト膜と被加工物との密着性を評価した。
　Ａ：レジストパターンの剥がれ無し（密着性良好）
　Ｂ：レジストパターンの剥がれ有り（密着性低）
（実験例１－１）
＜重合体（Ｆ５）の調製＞
　単量体（ａ）としてのα－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル（ＡＣＡＰＦＰ）３．０ｇおよび単量体（ｂ）としてのα－メチルスチレン（ＡＭＳ）３．４７６４ｇと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル０．００５５ｇと、溶媒としてのシクロペンタノン１．６２０５ｇを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、７８℃の恒温槽内で６時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｇを加えた。そして、ＴＨＦを加えた溶液を、メタノール３００ｇ中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物（重合体）を得た。次いで、得られた重合体（ｃｒｕｄｅ）を１００ｇのＴＨＦに溶解させ、得られた溶液をＴＨＦ１００ｇとメタノール（ＭｅＯＨ）９００ｇとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物（α－メチルスチレン単位およびα－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体）を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル単位を５０ｍｏｌ％、α－メチルスチレン単位を５０ｍｏｌ％含んでいた。
　そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
＜ポジ型レジスト組成物の調製＞
　得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が４質量％であるレジスト溶液（ポジ型レジスト組成物）を調製した。
＜レジストパターンの形成＞
　スピンコーター（ミカサ製、ＭＳ－Ａ１５０）を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径４インチのマスクブランクス（石英基板（厚み：１．０ｍｍ）上にクロム層（厚み：１０ｎｍ）が形成されたもの）上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度１２０℃のホットプレートで１０分間加熱して（プリベーク工程）、マスクブランクス上に厚さ５０ｎｍのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。また、電子線描画装置（エリオニクス社製、ＥＬＳ－Ｓ５０）を用いてレジスト膜を最適露光量（Ｅｏｐ）で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤（三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルＸＦ（登録商標）、ＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３）を用いて温度２３℃で１分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤（三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル（ＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３）で１０秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量（Ｅｏｐ）は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン（未露光領域）とスペース（露光領域）は、それぞれ２０ｎｍとした。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図２Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５８１、分子量分布：１．４００
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例１－２～１－２１）
　実験例１－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１３０℃で７．５分間（実験例１－２）、１３０℃で１０分間（実験例１－３）、１４０℃で５分間（実験例１－４）、１４０℃で７．５分間（実験例１－５）、１４０℃で１０分間（実験例１－６）、１５０℃で３分間（実験例１－７）、１５０℃で５分間（実験例１－８）、１５０℃で７．５分間（実験例１－９）、１５０℃で１０分間（実験例１－１０）、１６０℃で１分間（実験例１－１１）、１６０℃で３分間（実験例１－１２）、１６０℃で５分間（実験例１－１３）、１６０℃で７．５分間（実験例１－１４）、１６０℃で１０分間（実験例１－１５）、１７０℃で１分間（実験例１－１６）、１７０℃で３分間（実験例１－１７）、１７０℃で５分間（実験例１－１８）、１８０℃で１分間（実験例１－１９）、１８０℃で３分間（実験例１－２０）、１９０℃で１分間（実験例１－２１）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１－２～１－２１）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５０８７７、分子量分布：１．４０６（実験例１－２）
　重量平均分子量：５０７２２、分子量分布：１．４０２（実験例１－３）
　重量平均分子量：５０８１０、分子量分布：１．４０４（実験例１－４）
　重量平均分子量：５０４６２、分子量分布：１．４０７（実験例１－５）
　重量平均分子量：５０４１１、分子量分布：１．４１０（実験例１－６）
　重量平均分子量：５０９１４、分子量分布：１．４０１（実験例１－７）
　重量平均分子量：５０９７４、分子量分布：１．４１２（実験例１－８）
　重量平均分子量：５０６８２、分子量分布：１．４３６（実験例１－９）
　重量平均分子量：５０５０９、分子量分布：１．４３２（実験例１－１０）
　重量平均分子量：５１１０６、分子量分布：１．４０３（実験例１－１１）
　重量平均分子量：５０６７９、分子量分布：１．４１３（実験例１－１２）
　重量平均分子量：５０５３２、分子量分布：１．４１４（実験例１－１３）
　重量平均分子量：５０２７９、分子量分布：１．４１７（実験例１－１４）
　重量平均分子量：５０３０７、分子量分布：１．４１６（実験例１－１５）
　重量平均分子量：５１１０６、分子量分布：１．４０３（実験例１－１６）
　重量平均分子量：４９７６７、分子量分布：１．４１８（実験例１－１７）
　重量平均分子量：５０４４８、分子量分布：１．４１５（実験例１－１８）
　重量平均分子量：５１１０６、分子量分布：１．４０３（実験例１－１９）
　重量平均分子量：５０２４６、分子量分布：１．４１７（実験例１－２０）
　重量平均分子量：５１１０６、分子量分布：１．４０３（実験例１－２１）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－３）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－４）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－５）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－６）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－７）
　維持率：９８．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－８）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－９）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１１）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１２）
　維持率：９８．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１３）
　維持率：９７．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１４）
　維持率：９７．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１６）
　維持率：９６．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１７）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１８）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－１９）
　維持率：９７．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２１）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１－２～１－２１）
（実験例１－２２～１－２６）
　実験例１－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１１０℃で１０分間（実験例１－２２）、１２０℃で７．５分間（実験例１－２３）、１３０℃で５分間（実験例１－２４）、１４０℃で３分間（実験例１－２５）、１５０℃で１分間（実験例１－２６）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１－２２～１－２６）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１０６８、分子量分布：１．４００（実験例１－２２）
　重量平均分子量：５１５８４、分子量分布：１．４００（実験例１－２３）
　重量平均分子量：５０６６８、分子量分布：１．４０４（実験例１－２４）
　重量平均分子量：５０１２０、分子量分布：１．４００（実験例１－２５）
　重量平均分子量：５１１０６、分子量分布：１．４０３（実験例１－２６）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２２）
　維持率：１００．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２３）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２４）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１－２６）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例１－２２～１－２６）
（実験例１－２７～１－３０）
　実験例１－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で７．５分間（実験例１－２７）、１７０℃で１０分間（実験例１－２８）、１８０℃で５分間（実験例１－２９）、１９０℃で３分間（実験例１－３０）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１－２７～１－３０）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８９９３、分子量分布：１．４３７（実験例１－２７）
　重量平均分子量：４８６３２、分子量分布：１．４５２（実験例１－２８）
　重量平均分子量：４８８２１、分子量分布：１．４１３（実験例１－２９）
　重量平均分子量：４８４００、分子量分布：１．４３７（実験例１－３０）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．１％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１－２７）
　維持率：９４．４％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１－２８）
　維持率：９４．８％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１－２９）
　維持率：９３．９％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１－３０）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１－２７～１－３０）
（実験例２－１）
＜重合体（Ｆ６）の調製＞
　単量体（ａ）としてのα－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル（ＡＣＡＰＦＰ）３．０ｇおよび単量体（ｂ）としての４－フルオロ－α－メチルスチレン（４ＦＡＭＳ）３．２３４８３ｇと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル０．００５２１ｇとを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、７８℃の恒温槽内で６時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｇを加えた。そして、ＴＨＦを加えた溶液を、メタノール３００ｇ中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物（重合体）を得た。次いで、得られた重合体（ｃｒｕｄｅ）を１００ｇのＴＨＦに溶解させ、得られた溶液をＴＨＦ５０ｇとメタノール（ＭｅＯＨ）９５０ｇとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物（４－フルオロ－α－メチルスチレン単位およびα－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル単位を含有する重合体）を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。なお、得られた重合体は、α－クロロアクリル酸２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル単位を５０ｍｏｌ％、４－フルオロ－α－メチルスチレン単位を５０ｍｏｌ％含んでいた。
　そして、得られた重合体について、重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布を測定した。測定した重量平均分子量および分子量分布を下記に示す。
＜ポジ型レジスト組成物の調製＞
　得られた重合体を溶剤としての酢酸イソアミルに溶解させ、重合体の濃度が４質量％であるレジスト溶液（ポジ型レジスト組成物）を調製した。
＜レジストパターンの形成＞
　スピンコーター（ミカサ製、ＭＳ－Ａ１５０）を使用し、ポジ型レジスト組成物を、直径４インチのマスクブランクス（石英基板（厚み：１．０ｍｍ）上にクロム層（厚み：１０ｎｍ）が形成されたもの）上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度１２０℃のホットプレートで１０分間加熱して（プリベーク工程）、マスクブランクス上に厚さ５０ｎｍのレジスト膜を形成した。そして、得られたレジスト膜における重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。また、電子線描画装置（エリオニクス社製、ＥＬＳ－Ｓ５０）を用いてレジスト膜を最適露光量（Ｅｏｐ）で露光して、パターンを描画した。その後、レジスト用現像液として、フッ素系溶剤（三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルＸＦ（登録商標）、ＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３）を用いて温度２３℃で１分間の現像処理を行った後、リンス液としてのフッ素系溶剤（三井・デュポンフロロケミカル社製、バートレル（ＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３）で１０秒間リンスして、レジストパターンを形成した。そして、プリベーク工程を経て形成したレジスト膜とマスクブランクスとの密着性を評価した。なお、最適露光量（Ｅｏｐ）は、適宜設定した。また、レジストパターンのライン（未露光領域）とスペース（露光領域）は、それぞれ２０ｎｍとした。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８５１１、分子量分布：１．２８３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例２－２～２－２９）
　実験例２－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１３０℃で７．５分間（実験例２－２）、１３０℃で１０分間（実験例２－３）、１４０℃で５分間（実験例２－４）、１４０℃で７．５分間（実験例２－５）、１４０℃で１０分間（実験例２－６）、１５０℃で３分間（実験例２－７）、１５０℃で５分間（実験例２－８）、１５０℃で７．５分間（実験例２－９）、１５０℃で１０分間（実験例２－１０）、１６０℃で１分間（実験例２－１１）、１６０℃で３分間（実験例２－１２）、１６０℃で５分間（実験例２－１３）、１６０℃で７．５分間（実験例２－１４）、１６０℃で１０分間（実験例２－１５）、１７０℃で１分間（実験例２－１６）、１７０℃で３分間（実験例２－１７）、１７０℃で５分間（実験例２－１８）、１７０℃で７．５分間（実験例２－１９）、１７０℃で１０分間（実験例２－２０）、１８０℃で１分間（実験例２－２１）、１８０℃で３分間（実験例２－２２）、１８０℃で５分間（実験例２－２３）、１８０℃で７．５分間（実験例２－２４）、１８０℃で１０分間（実験例２－２５）、１９０℃で１分間（実験例２－２６）、１９０℃で３分間（実験例２－２７）、１９０℃で５分間（実験例２－２８）、１９０℃で７．５分間（実験例２－２９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例２－２～２－２９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８５８３、分子量分布：１．２８５（実験例２－２）
　重量平均分子量：４８５１１、分子量分布：１．２８２（実験例２－３）
　重量平均分子量：４８１１１、分子量分布：１．２８３（実験例２－４）
　重量平均分子量：４７６１０、分子量分布：１．２８５（実験例２－５）
　重量平均分子量：４７３５１、分子量分布：１．２８４（実験例２－６）
　重量平均分子量：４７９７４、分子量分布：１．２８８（実験例２－７）
　重量平均分子量：４８３８１、分子量分布：１．２８５（実験例２－８）
　重量平均分子量：４７６９２、分子量分布：１．２８８（実験例２－９）
　重量平均分子量：４７８２９、分子量分布：１．２９１（実験例２－１０）
　重量平均分子量：４６９２９、分子量分布：１．２８４（実験例２－１１）
　重量平均分子量：４７７３９、分子量分布：１．２８２（実験例２－１２）
　重量平均分子量：４７９６８、分子量分布：１．２８８（実験例２－１３）
　重量平均分子量：４７２６２、分子量分布：１．２９２（実験例２－１４）
　重量平均分子量：４７０６８、分子量分布：１．３００（実験例２－１５）
　重量平均分子量：４６９２９、分子量分布：１．２８４（実験例２－１６）
　重量平均分子量：４６９００、分子量分布：１．２８４（実験例２－１７）
　重量平均分子量：４７７５４、分子量分布：１．２９３（実験例２－１８）
　重量平均分子量：４６７４６、分子量分布：１．３０２（実験例２－１９）
　重量平均分子量：４７５０２、分子量分布：１．３１３（実験例２－２０）
　重量平均分子量：４６９２９、分子量分布：１．２８４（実験例２－２１）
　重量平均分子量：４７７３０、分子量分布：１．２９１（実験例２－２２）
　重量平均分子量：４７２７５、分子量分布：１．３０１（実験例２－２３）
　重量平均分子量：４５７６５、分子量分布：１．３１８（実験例２－２４）
　重量平均分子量：４５７６９、分子量分布：１．３１７（実験例２－２５）
　重量平均分子量：４６９２９、分子量分布：１．２８４（実験例２－２６）
　重量平均分子量：４７６５６、分子量分布：１．２９９（実験例２－２７）
　重量平均分子量：４６８４６、分子量分布：１．３０６（実験例２－２８）
　重量平均分子量：４５４７８、分子量分布：１．３１８（実験例２－２９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２）
　維持率：１０２．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３）
　維持率：１０１．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－４）
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－５）
　維持率：１００．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－６）
　維持率：１０１．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－７）
　維持率：１０２．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－８）
　維持率：１００．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－９）
　維持率：１０１．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１１）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１２）
　維持率：１０１．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１３）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１４）
　維持率：９９．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１７）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１８）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－１９）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２１）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２２）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２３）
　維持率：９６．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２４）
　維持率：９６．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２６）
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２７）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２８）
　維持率：９６．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－２９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例２－２～２－２９）
（実験例２－３０～２－３４）
　実験例２－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１１０℃で１０分間（実験例２－３０）、１２０℃で７．５分間（実験例２－３１）、１３０℃で５分間（実験例２－３２）、１４０℃で３分間（実験例２－３３）、１５０℃で１分間（実験例２－３４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例２－３０～２－３４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８５１１、分子量分布：１．２８３（実験例２－３０）
　重量平均分子量：４８５６４、分子量分布：１．２８６（実験例２－３１）
　重量平均分子量：４７８６９、分子量分布：１．２７６（実験例２－３２）
　重量平均分子量：４７２７１、分子量分布：１．２８５（実験例２－３３）
　重量平均分子量：４６９２９、分子量分布：１．２８４（実験例２－３４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３０）
　維持率：１０２．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３１）
　維持率：１０１．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３２）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３３）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例２－３４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例２－３０～２－３４）
（実験例２－３５）
　実験例２－１において、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４５０８７、分子量分布：１．３２３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．３％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例３－１）
　実験例１－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸ｎ－ブチルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１７０１、分子量分布：１．４００
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例３－２～３－３１）
　実験例３－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１１０℃で７．５分間（実験例３－２）、１１０℃で１０分間（実験例３－３）、１２０℃で５分間（実験例３－４）、１２０℃で７．５分間（実験例３－５）、１２０℃で１０分間（実験例３－６）、１３０℃で３分間（実験例３－７）、１３０℃で５分間（実験例３－８）、１３０℃で７．５分間（実験例３－９）、１３０℃で１０分間（実験例３－１０）、１４０℃で１分間（実験例３－１１）、１４０℃で３分間（実験例３－１２）、１４０℃で５分間（実験例３－１３）、１４０℃で７．５分間（実験例３－１４）、１４０℃で１０分間（実験例３－１５）、１５０℃で１分間（実験例３－１６）、１５０℃で３分間（実験例３－１７）、１５０℃で５分間（実験例３－１８）、１５０℃で７．５分間（実験例３－１９）、１５０℃で１０分間（実験例３－２０）、１６０℃で１分間（実験例３－２１）、１６０℃で３分間（実験例３－２２）、１６０℃で５分間（実験例３－２３）、１６０℃で７．５分間（実験例３－２４）、１６０℃で１０分間（実験例３－２５）、１７０℃で１分間（実験例３－２６）、１７０℃で３分間（実験例３－２７）、１７０℃で５分間（実験例３－２８）、１８０℃で１分間（実験例３－２９）、１８０℃で３分間（実験例３－３０）、１９０℃で１分間（実験例３－３１）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例３－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例３－２～３－３１）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１６９３、分子量分布：１．４００（実験例３－２）
　重量平均分子量：５１７０１、分子量分布：１．４００（実験例３－３）
　重量平均分子量：５１３５２、分子量分布：１．４００（実験例３－４）
　重量平均分子量：５１６９３、分子量分布：１．４００（実験例３－５）
　重量平均分子量：５１７０１、分子量分布：１．４００（実験例３－６）
　重量平均分子量：５０９１９、分子量分布：１．４０４（実験例３－７）
　重量平均分子量：５０６２１、分子量分布：１．４０６（実験例３－８）
　重量平均分子量：５０９８５、分子量分布：１．４０６（実験例３－９）
　重量平均分子量：５０８３９、分子量分布：１．４０３（実験例３－１０）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４００（実験例３－１１）
　重量平均分子量：５０１２５、分子量分布：１．４０４（実験例３－１２）
　重量平均分子量：５０７６３、分子量分布：１．４０７（実験例３－１３）
　重量平均分子量：５０５６９、分子量分布：１．４０７（実験例３－１４）
　重量平均分子量：５０５２８、分子量分布：１．４０５（実験例３－１５）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４０１（実験例３－１６）
　重量平均分子量：５０９１９、分子量分布：１．４１２（実験例３－１７）
　重量平均分子量：５０９２６、分子量分布：１．４３６（実験例３－１８）
　重量平均分子量：５０７９０、分子量分布：１．４３６（実験例３－１９）
　重量平均分子量：５０６２６、分子量分布：１．４１６（実験例３－２０）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４１３（実験例３－２１）
　重量平均分子量：５０６８４、分子量分布：１．４１４（実験例３－２２）
　重量平均分子量：５０４８５、分子量分布：１．４１７（実験例３－２３）
　重量平均分子量：５０３８６、分子量分布：１．４１７（実験例３－２４）
　重量平均分子量：５０４２４、分子量分布：１．４２２（実験例３－２５）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４１８（実験例３－２６）
　重量平均分子量：４９７７２、分子量分布：１．４１５（実験例３－２７）
　重量平均分子量：５０４００、分子量分布：１．４３７（実験例３－２８）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４１７（実験例３－２９）
　重量平均分子量：５０２５１、分子量分布：１．４４８（実験例３－３０）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４３７（実験例３－３１）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－４）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－５）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－６）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－７）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－８）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－９）
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１１）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１２）
　維持率：９８．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１３）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１４）
　維持率：９８．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１６）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１７）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１８）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－１９）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２１）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２２）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２３）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２４）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２６）
　維持率：９６．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２７）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２８）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－２９）
　維持率：９７．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３１）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例３－２～３－３１）
（実験例３－３２～３－３６）
　実験例３－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、９０℃で１０分間（実験例３－３２）、１００℃で７．５分間（実験例３－３３）、１１０℃で５分間（実験例３－３４）、１２０℃で３分間（実験例３－３５）、１３０℃で１分間（実験例３－３６）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例３－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例３－３２～３－３６）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１７０１、分子量分布：１．４００（実験例３－３２）
　重量平均分子量：５１６９３、分子量分布：１．４００（実験例３－３３）
　重量平均分子量：５１３５２、分子量分布：１．４００（実験例３－３４）
　重量平均分子量：５１１８５、分子量分布：１．４０２（実験例３－３５）
　重量平均分子量：５１１２５、分子量分布：１．４０４（実験例３－３６）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３２）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３３）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３４）
　維持率：９９．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例３－３６）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例３－３２～３－３６）
（実験例３－３７～３－４０）
　実験例３－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で７．５分間（実験例３－３７）、１７０℃で１０分間（実験例３－３８）、１８０℃で５分間（実験例３－３９）、１９０℃で３分間（実験例３－４０）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例３－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例３－３７～３－４０）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９０９７、分子量分布：１．４３７（実験例３－３７）
　重量平均分子量：４８７４５、分子量分布：１．４５１（実験例３－３８）
　重量平均分子量：４７８３６、分子量分布：１．４５６（実験例３－３９）
　重量平均分子量：４８４０５、分子量分布：１．４６２（実験例３－４０）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．３％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例３－３７）
　維持率：９４．６％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例３－３８）
　維持率：９２．８％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例３－３９）
　維持率：９３．９％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例３－４０）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例３－３７～３－４０）
（実験例４－１）
　実験例２－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸ｎ－ブチルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｂに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８６２４、分子量分布：１．２８３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例４－２～４－３９）
　実験例４－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１１０℃で７．５分間（実験例４－２）、１１０℃で１０分間（実験例４－３）、１２０℃で５分間（実験例４－４）、１２０℃で７．５分間（実験例４－５）、１２０℃で１０分間（実験例４－６）、１３０℃で３分間（実験例４－７）、１３０℃で５分間（実験例４－８）、１３０℃で７．５分間（実験例４－９）、１３０℃で１０分間（実験例４－１０）、１４０℃で１分間（実験例４－１１）、１４０℃で３分間（実験例４－１２）、１４０℃で５分間（実験例４－１３）、１４０℃で７．５分間（実験例４－１４）、１４０℃で１０分間（実験例４－１５）、１５０℃で１分間（実験例４－１６）、１５０℃で３分間（実験例４－１７）、１５０℃で５分間（実験例４－１８）、１５０℃で７．５分間（実験例４－１９）、１５０℃で１０分間（実験例４－２０）、１６０℃で１分間（実験例４－２１）、１６０℃で３分間（実験例４－２２）、１６０℃で５分間（実験例４－２３）、１６０℃で７．５分間（実験例４－２４）、１６０℃で１０分間（実験例４－２５）、１７０℃で１分間（実験例４－２６）、１７０℃で３分間（実験例４－２７）、１７０℃で５分間（実験例４－２８）、１７０℃で７．５分間（実験例４－２９）、１７０℃で１０分間（実験例４－３０）、１８０℃で１分間（実験例４－３１）、１８０℃で３分間（実験例４－３２）、１８０℃で５分間（実験例４－３３）、１８０℃で７．５分間（実験例４－３４）、１８０℃で１０分間（実験例４－３５）、１９０℃で１分間（実験例４－３６）、１９０℃で３分間（実験例４－３７）、１９０℃で５分間（実験例４－３８）、１９０℃で７．５分間（実験例４－３９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例４－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例４－２～４－３９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８６６７、分子量分布：１．２８６（実験例４－２）
　重量平均分子量：４８６２４、分子量分布：１．２８３（実験例４－３）
　重量平均分子量：４８６２２、分子量分布：１．２８８（実験例４－４）
　重量平均分子量：４８６６７、分子量分布：１．２８６（実験例４－５）
　重量平均分子量：４８６２４、分子量分布：１．２８３（実験例４－６）
　重量平均分子量：４７２７６、分子量分布：１．２８９（実験例４－７）
　重量平均分子量：４７８２４、分子量分布：１．２７６（実験例４－８）
　重量平均分子量：４８６８６、分子量分布：１．２８５（実験例４－９）
　重量平均分子量：４８６２４、分子量分布：１．２８２（実験例４－１０）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－１１）
　重量平均分子量：４７２７６、分子量分布：１．２８５（実験例４－１２）
　重量平均分子量：４８０６６、分子量分布：１．２８３（実験例４－１３）
　重量平均分子量：４７７１１、分子量分布：１．２８５（実験例４－１４）
　重量平均分子量：４７４６１、分子量分布：１．２８４（実験例４－１５）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－１６）
　重量平均分子量：４７９７９、分子量分布：１．２８８（実験例４－１７）
　重量平均分子量：４８３３５、分子量分布：１．２８５（実験例４－１８）
　重量平均分子量：４７７９３、分子量分布：１．２８８（実験例４－１９）
　重量平均分子量：４７９４０、分子量分布：１．２９１（実験例４－２０）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－２１）
　重量平均分子量：４７７４４、分子量分布：１．２８２（実験例４－２２）
　重量平均分子量：４７９２３、分子量分布：１．２８８（実験例４－２３）
　重量平均分子量：４７３６２、分子量分布：１．２９２（実験例４－２４）
　重量平均分子量：４７１７７、分子量分布：１．３００（実験例４－２５）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－２６）
　重量平均分子量：４６９０５、分子量分布：１．２８４（実験例４－２７）
　重量平均分子量：４７７０９、分子量分布：１．２９３（実験例４－２８）
　重量平均分子量：４６８４５、分子量分布：１．３０２（実験例４－２９）
　重量平均分子量：４６６１０、分子量分布：１．３１３（実験例４－３０）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－３１）
　重量平均分子量：４７７３４、分子量分布：１．２９１（実験例４－３２）
　重量平均分子量：４７２３１、分子量分布：１．３０１（実験例４－３３）
　重量平均分子量：４５８６２、分子量分布：１．３１８（実験例４－３４）
　重量平均分子量：４５８７５、分子量分布：１．３１７（実験例４－３５）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－３６）
　重量平均分子量：４７６６１、分子量分布：１．２９９（実験例４－３７）
　重量平均分子量：４６８０２、分子量分布：１．３０６（実験例４－３８）
　重量平均分子量：４５５７４、分子量分布：１．３１８（実験例４－３９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４）
　維持率：１０２．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－５）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－６）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－７）
　維持率：１０１．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－８）
　維持率：１０２．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－９）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１１）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１２）
　維持率：１０１．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１３）
　維持率：１００．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１４）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１６）
　維持率：１０１．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１７）
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１８）
　維持率：１０１．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－１９）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２１）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２２）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２３）
　維持率：１００．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２４）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２７）
　維持率：１００．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２８）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－２９）
　維持率：９８．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３１）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３２）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３３）
　維持率：９６．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３４）
　維持率：９７．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３６）
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３７）
　維持率：９８．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３８）
　維持率：９６．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－３９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例４－２～４－３９）
（実験例４－４０～実験例４－４４）
　実験例４－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、９０℃で１０分間（実験例４－４０）、１００℃で７．５分間（実験例４－４１）、１１０℃で５分間（実験例４－４２）、１２０℃で３分間（実験例４－４３）、１３０℃で１分間（実験例４－４４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例４－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８６２４、分子量分布：１．２８３（実験例４－４０）
　重量平均分子量：４８６６７、分子量分布：１．２８６（実験例４－４１）
　重量平均分子量：４８６２２、分子量分布：１．２８８（実験例４－４２）
　重量平均分子量：４７０４４、分子量分布：１．２８５（実験例４－４３）
　重量平均分子量：４６９４７、分子量分布：１．２８４（実験例４－４４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４０）
　維持率：１０２．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４１）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４２）
　維持率：９９．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４３）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例４－４４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例４－４０～４－４４）
（実験例４－４５）
　実験例４－１において、１００℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例４－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｂに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４５１９１、分子量分布：１．３２３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．５％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例５－１）
　実験例１－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｃに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図２Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１６８５、分子量分布：１．４００
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例５－２～実験例５－３６）
　実験例５－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で７．５分間（実験例５－２）、１００℃で１０分間（実験例５－３）、１１０℃で５分間（実験例５－４）、１１０℃で７．５分間（実験例５－５）、１１０℃で１０分間（実験例５－６）、１２０℃で３分間（実験例５－７）、１２０℃で５分間（実験例５－８）、１２０℃で７．５分間（実験例５－９）、１２０℃で１０分間（実験例５－１０）、１３０℃で１分間（実験例５－１１）、１３０℃で３分間（実験例５－１２）、１３０℃で５分間（実験例５－１３）、１３０℃で７．５分間（実験例５－１４）、１３０℃で１０分間（実験例５－１５）、１４０℃で１分間（実験例５－１６）、１４０℃で３分間（実験例５－１７）、１４０℃で５分間（実験例５－１８）、１４０℃で７．５分間（実験例５－１９）、１４０℃で１０分間（実験例５－２０）、１５０℃で１分間（実験例５－２１）、１５０℃で３分間（実験例５－２２）、１５０℃で５分間（実験例５－２３）、１５０℃で７．５分間（実験例３－２４）、１５０℃で１０分間（実験例５－２５）、１６０℃で１分間（実験例５－２６）、１６０℃で３分間（実験例５－２７）、１６０℃で５分間（実験例５－２８）、１６０℃で７．５分間（実験例５－２９）、１６０℃で１０分間（実験例５－３０）、１７０℃で１分間（実験例５－３１）、１７０℃で３分間（実験例５－３２）、１７０℃で５分間（実験例５－３３）、１８０℃で１分間（実験例５－３４）、１８０℃で３分間（実験例５－３５）、１９０℃で１分間（実験例５－３６）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例５－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例５－２～実験例５－３６）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１７４５、分子量分布：１．４００（実験例５－２）
　重量平均分子量：５１７４５、分子量分布：１．４００（実験例５－３）
　重量平均分子量：５１２８４、分子量分布：１．４０２（実験例５－４）
　重量平均分子量：５１７４５、分子量分布：１．４００（実験例５－５）
　重量平均分子量：５１６８５、分子量分布：１．４００（実験例５－６）
　重量平均分子量：５１０８２、分子量分布：１．４０９（実験例５－７）
　重量平均分子量：５１２８４、分子量分布：１．４０２（実験例５－８）
　重量平均分子量：５１７４５、分子量分布：１．４００（実験例５－９）
　重量平均分子量：５１６８５、分子量分布：１．４００（実験例５－１０）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－１１）
　重量平均分子量：５０８１７、分子量分布：１．４０４（実験例５－１２）
　重量平均分子量：５０５５４、分子量分布：１．４０４（実験例５－１３）
　重量平均分子量：５１０３６、分子量分布：１．４０６（実験例５－１４）
　重量平均分子量：５０８２４、分子量分布：１．４０２（実験例５－１５）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－１６）
　重量平均分子量：５００２４、分子量分布：１．４００（実験例５－１７）
　重量平均分子量：５０６９６、分子量分布：１．４０４（実験例５－１８）
　重量平均分子量：５０６２０、分子量分布：１．４０７（実験例５－１９）
　重量平均分子量：５０５１３、分子量分布：１．４１０（実験例５－２０）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－２１）
　重量平均分子量：５０８１７、分子量分布：１．４０１（実験例５－２２）
　重量平均分子量：５０８５９、分子量分布：１．４１２（実験例５－２３）
　重量平均分子量：５０８４１、分子量分布：１．４３６（実験例５－２４）
　重量平均分子量：５０６１１、分子量分布：１．４３２（実験例５－２５）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－２６）
　重量平均分子量：５０５８２、分子量分布：１．４１３（実験例５－２７）
　重量平均分子量：５０４１８、分子量分布：１．４１４（実験例５－２８）
　重量平均分子量：５０４３７、分子量分布：１．４１７（実験例５－２９）
　重量平均分子量：５０４０８、分子量分布：１．４１６（実験例５－３０）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－３１）
　重量平均分子量：４９６７２、分子量分布：１．４１８（実験例５－３２）
　重量平均分子量：５０３３４、分子量分布：１．４１５（実験例５－３３）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－３４）
　重量平均分子量：５０１５０、分子量分布：１．４１７（実験例５－３５）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－３６）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３）
　維持率：９９．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－４）
　維持率：１００．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－５）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－７）
　維持率：９９．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－８）
　維持率：１００．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－９）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１０）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１１）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１２）
　維持率：９８．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１３）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１４）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１５）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１６）
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１７）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１８）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－１９）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２０）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２１）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２２）
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２３）
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２４）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２５）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２６）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２７）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２８）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－２９）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３０）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３１）
　維持率：９６．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３２）
　維持率：９７．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３３）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３４）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３５）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３６）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例５－２～実験例５－３６）
（実験例５－３７～５－４０）
　実験例５－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、９０℃で７．５分間（実験例５－３７）、１００℃で５分間（実験例５－３８）、１１０℃で３分間（実験例５－３９）、１２０℃で１分間（実験例５－４０）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例５－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例５－３７～５－４０）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１７４５、分子量分布：１．４００（実験例５－３７）
　重量平均分子量：５１２８４、分子量分布：１．４０２（実験例５－３８）
　重量平均分子量：５１０８２、分子量分布：１．４０９（実験例５－３９）
　重量平均分子量：５１００７、分子量分布：１．４０３（実験例５－４０）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３７）
　維持率：９９．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３８）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－３９）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例５－４０）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例５－３７～５－４０）
（実験例５－４１～５－４４）
　実験例５－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で７．５分間（実験例５－４１）、１７０℃で１０分間（実験例５－４２）、１８０℃で５分間（実験例５－４３）、１９０℃で３分間（実験例５－４４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例５－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例５－４１～実験例５－４４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９０１２、分子量分布：１．４４１（実験例５－４１）
　重量平均分子量：４８０２３、分子量分布：１．４５４（実験例５－４２）
　重量平均分子量：４８１２１、分子量分布：１．４３５（実験例５－４３）
　重量平均分子量：４８３０７、分子量分布：１．４３７（実験例５－４４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．１％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例５－４１）
　維持率：９３．２％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例５－４２）
　維持率：９３．４％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例５－４３）
　維持率：９３．８％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例５－４４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例５－４１～実験例５－４４）
（実験例６－１）
　実験例２－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソブチルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｃに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８９８０、分子量分布：１．２８３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０３．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例６－２～６－４４）
　実験例６－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で７．５分間（実験例６－２）、１００℃で１０分間（実験例６－３）、１１０℃で５分間（実験例６－４）、１１０℃で７．５分間（実験例６－５）、１１０℃で１０分間（実験例６－６）、１２０℃で３分間（実験例６－７）、１２０℃で５分間（実験例６－８）、１２０℃で７．５分間（実験例６－９）、１２０℃で１０分間（実験例６－１０）、１３０℃で１分間（実験例６－１１）、１３０℃で３分間（実験例６－１２）、１３０℃で５分間（実験例６－１３）、１３０℃で７．５分間（実験例６－１４）、１３０℃で１０分間（実験例６－１５）、１４０℃で１分間（実験例６－１６）、１４０℃で３分間（実験例６－１７）、１４０℃で５分間（実験例６－１８）、１４０℃で７．５分間（実験例６－１９）、１４０℃で１０分間（実験例６－２０）、１５０℃で１分間（実験例６－２１）、１５０℃で３分間（実験例６－２２）、１５０℃で５分間（実験例６－２３）、１５０℃で７．５分間（実験例６－２４）、１５０℃で１０分間（実験例６－２５）、１６０℃で１分間（実験例６－２６）、１６０℃で３分間（実験例６－２７）、１６０℃で５分間（実験例６－２８）、１６０℃で７．５分間（実験例６－２９）、１６０℃で１０分間（実験例６－３０）、１７０℃で１分間（実験例６－３１）、１７０℃で３分間（実験例６－３２）、１７０℃で５分間（実験例６－３３）、１７０℃で７．５分間（実験例６－３４）、１７０℃で１０分間（実験例６－３５）、１８０℃で１分間（実験例６－３６）、１８０℃で３分間（実験例６－３７）、１８０℃で５分間（実験例６－３８）、１８０℃で７．５分間（実験例６－３９）、１８０℃で１０分間（実験例６－４０）、１９０℃で１分間（実験例６－４１）、１９０℃で３分間（実験例６－４２）、１９０℃で５分間（実験例６－４３）、１９０℃で７．５分間（実験例６－４４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例６－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例６－２～６－４４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９００１、分子量分布：１．２８３（実験例６－２）
　重量平均分子量：４８９８０、分子量分布：１．２８３（実験例６－３）
　重量平均分子量：４９０５５、分子量分布：１．２８６（実験例６－４）
　重量平均分子量：４９００１、分子量分布：１．２８３（実験例６－５）
　重量平均分子量：４８９８０、分子量分布：１．２８３（実験例６－６）
　重量平均分子量：４８９９９、分子量分布：１．２８８（実験例６－７）
　重量平均分子量：４９０５５、分子量分布：１．２８６（実験例６－８）
　重量平均分子量：４９００１、分子量分布：１．２８３（実験例６－９）
　重量平均分子量：４８９８０、分子量分布：１．２８３（実験例６－１０）
　重量平均分子量：４７５４７、分子量分布：１．２８９（実験例６－１１）
　重量平均分子量：４８１９５、分子量分布：１．２７６（実験例６－１２）
　重量平均分子量：４９０７４、分子量分布：１．２８５（実験例６－１３）
　重量平均分子量：４９００１、分子量分布：１．２８２（実験例６－１４）
　重量平均分子量：４８５５２、分子量分布：１．２８４（実験例６－１５）
　重量平均分子量：４７５４７、分子量分布：１．２８５（実験例６－１６）
　重量平均分子量：４８４３８、分子量分布：１．２８３（実験例６－１７）
　重量平均分子量：４８０９１、分子量分布：１．２８５（実験例６－１８）
　重量平均分子量：４７８２９、分子量分布：１．２８４（実験例６－１９）
　重量平均分子量：４７６６４、分子量分布：１．２８５（実験例６－２０）
　重量平均分子量：４８２５４、分子量分布：１．２８８（実験例６－２１）
　重量平均分子量：４８７１０、分子量分布：１．２８５（実験例６－２２）
　重量平均分子量：４８１７４、分子量分布：１．２８８（実験例６－２３）
　重量平均分子量：４８３１２、分子量分布：１．２９１（実験例６－２４）
　重量平均分子量：４８３１７、分子量分布：１．２８９（実験例６－２５）
　重量平均分子量：４８０１８、分子量分布：１．２８２（実験例６－２６）
　重量平均分子量：４８２９４、分子量分布：１．２８８（実験例６－２７）
　重量平均分子量：４７７３９、分子量分布：１．２９２（実験例６－２８）
　重量平均分子量：４７５４３、分子量分布：１．３００（実験例６－２９）
　重量平均分子量：４７１２７、分子量分布：１．２９９（実験例６－３０）
　重量平均分子量：４７１７４、分子量分布：１．２８４（実験例６－３１）
　重量平均分子量：４８０７９、分子量分布：１．２９３（実験例６－３２）
　重量平均分子量：４７２１８、分子量分布：１．３０２（実験例６－３３）
　重量平均分子量：４６９７２、分子量分布：１．３１３（実験例６－３４）
　重量平均分子量：４６５４６、分子量分布：１．３１０（実験例６－３５）
　重量平均分子量：４８００８、分子量分布：１．２９１（実験例６－３６）
　重量平均分子量：４７５９７、分子量分布：１．３０１（実験例６－３７）
　重量平均分子量：４６２２７、分子量分布：１．３１８（実験例６－３８）
　重量平均分子量：４６２３１、分子量分布：１．３１７（実験例６－３９）
　重量平均分子量：４６２６６、分子量分布：１．３２２（実験例６－４０）
　重量平均分子量：４７９３４、分子量分布：１．２９９（実験例６－４１）
　重量平均分子量：４７１６５、分子量分布：１．３０６（実験例６－４２）
　重量平均分子量：４５９３７、分子量分布：１．３１８（実験例６－４３）
　重量平均分子量：４５７４３、分子量分布：１．３２９（実験例６－４４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２）
　維持率：１０３．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３）
　維持率：１０３．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４）
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－５）
　維持率：１０３．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－６）
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－７）
　維持率：１０３．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－８）
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－９）
　維持率：１０３．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１０）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１１）
　維持率：１０１．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１２）
　維持率：１０３．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１３）
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１４）
　維持率：１０２．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１５）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１６）
　維持率：１０２．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１７）
　維持率：１０１．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１８）
　維持率：１０１．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－１９）
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２０）
　維持率：１０２．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２１）
　維持率：１０３．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２２）
　維持率：１０１．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２３）
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２４）
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２５）
　維持率：１０１．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２６）
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２７）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２８）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－２９）
　維持率：９９．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３０）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３１）
　維持率：１０１．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３２）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３３）
　維持率：９９．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３４）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３５）
　維持率：１０１．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３６）
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３７）
　維持率：９７．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３８）
　維持率：９７．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－３９）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４０）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４１）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４２）
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４３）
　維持率：９６．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例６－２～６－４４）
（実験例６－４５～６－４８）
　実験例６－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、９０℃で７．５分間（実験例６－４５）、１００℃で５分間（実験例６－４６）、１１０℃で３分間（実験例６－４７）、１２０℃で１分間（実験例６－４８）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例６－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例６－４５～６－４８）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９００１、分子量分布：１．２８３（実験例６－４５）
　重量平均分子量：４９０５５、分子量分布：１．２８６（実験例６－４６）
　重量平均分子量：４８９９９、分子量分布：１．２８８（実験例６－４７）
　重量平均分子量：４７３１４、分子量分布：１．２８５（実験例６－４８）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４５）
　維持率：１０３．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４６）
　維持率：１０３．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４７）
　維持率：１００．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例６－４８）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例６－４５～６－４８）
（実験例６－４９）
　実験例６－１において、９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例６－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｃに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４４５０４、分子量分布：１．３４７
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９４．１％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例７－１）
　実験例１－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸ｎ－アミルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｄに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図２Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１６９０、分子量分布：１．４００
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例７－２～７－２６）
　実験例７－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１２０℃で７．５分間（実験例７－２）、１２０℃で１０分間（実験例７－３）、１３０℃で５分間（実験例７－４）、１３０℃で７．５分間（実験例７－５）、１３０℃で１０分間（実験例７－６）、１４０℃で３分間（実験例７－７）、１４０℃で５分間（実験例７－８）、１４０℃で７．５分間（実験例７－９）、１４０℃で１０分間（実験例７－１０）、１５０℃で１分間（実験例７－１１）、１５０℃で３分間（実験例７－１２）、１５０℃で５分間（実験例７－１３）、１５０℃で７．５分間（実験例７－１４）、１５０℃で１０分間（実験例７－１５）、１６０℃で１分間（実験例７－１６）、１６０℃で３分間（実験例７－１７）、１６０℃で５分間（実験例７－１８）、１６０℃で７．５分間（実験例７－１９）、１６０℃で１０分間（実験例７－２０）、１７０℃で１分間（実験例７－２１）、１７０℃で３分間（実験例７－２２）、１７０℃で５分間（実験例７－２３）、１８０℃で１分間（実験例７－２４）、１８０℃で３分間（実験例７－２５）、１９０℃で１分間（実験例７－２６）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例７－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例７－２～７－２６）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１８０８、分子量分布：１．４００（実験例７－２）
　重量平均分子量：５１６９０、分子量分布：１．４００（実験例７－３）
　重量平均分子量：５０６２０、分子量分布：１．４０４（実験例７－４）
　重量平均分子量：５１０９８、分子量分布：１．４０６（実験例７－５）
　重量平均分子量：５０８２９、分子量分布：１．４０２（実験例７－６）
　重量平均分子量：５００１４、分子量分布：１．４００（実験例７－７）
　重量平均分子量：５０７６２、分子量分布：１．４０４（実験例７－８）
　重量平均分子量：５０６８１、分子量分布：１．４０７（実験例７－９）
　重量平均分子量：５０５１８、分子量分布：１．４１０（実験例７－１０）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－１１）
　重量平均分子量：５０８０６、分子量分布：１．４０１（実験例７－１２）
　重量平均分子量：５０９２６、分子量分布：１．４１２（実験例７－１３）
　重量平均分子量：５０９０２、分子量分布：１．４３６（実験例７－１４）
　重量平均分子量：５０６１６、分子量分布：１．４３２（実験例７－１５）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－１６）
　重量平均分子量：５０５７２、分子量分布：１．４１３（実験例７－１７）
　重量平均分子量：５０４８４、分子量分布：１．４１４（実験例７－１８）
　重量平均分子量：５０４９８、分子量分布：１．４１７（実験例７－１９）
　重量平均分子量：５０４１４、分子量分布：１．４１６（実験例７－２０）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－２１）
　重量平均分子量：４９６６２、分子量分布：１．４１８（実験例７－２２）
　重量平均分子量：５０４００、分子量分布：１．４１５（実験例７－２３）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－２４）
　重量平均分子量：５０１４０、分子量分布：１．４１７（実験例７－２５）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－２６）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－３）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－４）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－５）
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－６）
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－７）
　維持率：９８．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－８）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－９）
　維持率：９８．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１１）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１２）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１３）
　維持率：９８．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１４）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１５）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１６）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１７）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１８）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－１９）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２１）
　維持率：９６．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２２）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２３）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２４）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２５）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２６）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例７－２～７－２６）
（実験例７－２７～７－３１）
　実験例７－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で１０分間（実験例７－２７）、１１０℃で７．５分間（実験例７－２８）、１２０℃で５分間（実験例７－２９）、１３０℃で３分間（実験例７－３０）、１４０℃で１分間（実験例７－３１）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例７－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例７－２７～７－３１）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１６９０、分子量分布：１．４００（実験例７－２７）
　重量平均分子量：５１８０８、分子量分布：１．４００（実験例７－２８）
　重量平均分子量：５１３５２、分子量分布：１．４０２（実験例７－２９）
　重量平均分子量：５０８０６、分子量分布：１．４０４（実験例７－３０）
　重量平均分子量：５１４２９、分子量分布：１．４０３（実験例７－３１）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２７）
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２８）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－２９）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－３０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例７－３１）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例７－２７～７－３１）
（実験例７－３２～７－３５）
　実験例７－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で７．５分間（実験例７－３２）、１７０℃で１０分間（実験例７－３３）、１８０℃で５分間（実験例７－３４）、１９０℃で３分間（実験例７－３５）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例７－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例７－３２～７－３５）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９２０６、分子量分布：１．４３７（実験例７－３２）
　重量平均分子量：４８７３５、分子量分布：１．４５２（実験例７－３３）
　重量平均分子量：４７８３６、分子量分布：１．４４８（実験例７－３４）
　重量平均分子量：４８２９７、分子量分布：１．４３７（実験例７－３５）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．５％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例７－３２）
　維持率：９４．６％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例７－３３）
　維持率：９２．８％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例７－３４）
　維持率：９３．７％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例７－３５）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例７－３２～７－３５）
（実験例８－１）
　実験例２－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸ｎ－アミルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｄに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８６１４、分子量分布：１．２８３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例８－２～８－３４）
　実験例８－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１２０℃で７．５分間（実験例８－２）、１２０℃で１０分間（実験例８－３）、１３０℃で５分間（実験例８－４）、１３０℃で７．５分間（実験例８－５）、１３０℃で１０分間（実験例８－６）、１４０℃で３分間（実験例８－７）、１４０℃で５分間（実験例８－８）、１４０℃で７．５分間（実験例８－９）、１４０℃で１０分間（実験例８－１０）、１５０℃で１分間（実験例８－１１）、１５０℃で３分間（実験例８－１２）、１５０℃で５分間（実験例８－１３）、１５０℃で７．５分間（実験例８－１４）、１５０℃で１０分間（実験例８－１５）、１６０℃で１分間（実験例８－１６）、１６０℃で３分間（実験例８－１７）、１６０℃で５分間（実験例８－１８）、１６０℃で７．５分間（実験例８－１９）、１６０℃で１０分間（実験例８－２０）、１７０℃で１分間（実験例８－２１）、１７０℃で３分間（実験例８－２２）、１７０℃で５分間（実験例８－２３）、１７０℃で７．５分間（実験例８－２４）、１７０℃で１０分間（実験例８－２５）、１８０℃で１分間（実験例８－２６）、１８０℃で３分間（実験例８－２７）、１８０℃で５分間（実験例８－２８）、１８０℃で７．５分間（実験例８－２９）、１８０℃で１０分間（実験例８－３０）、１９０℃で１分間（実験例８－３１）、１９０℃で３分間（実験例８－３２）、１９０℃で５分間（実験例８－３３）、１９０℃で７．５分間（実験例８－３４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例８－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例８－２～８－３４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８７７５、分子量分布：１．２８６（実験例８－２）
　重量平均分子量：４８６１４、分子量分布：１．２８３（実験例８－３）
　重量平均分子量：４７８２４、分子量分布：１．２８５（実験例８－４）
　重量平均分子量：４８７９４、分子量分布：１．２８５（実験例８－５）
　重量平均分子量：４８６１４、分子量分布：１．２８４（実験例８－６）
　重量平均分子量：４７１７１、分子量分布：１．２８３（実験例８－７）
　重量平均分子量：４８０６５、分子量分布：１．２８５（実験例８－８）
　重量平均分子量：４７８１７、分子量分布：１．２８５（実験例８－９）
　重量平均分子量：４７４５１、分子量分布：１．２８５（実験例８－１０）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２８８（実験例８－１１）
　重量平均分子量：４７８７３、分子量分布：１．２８５（実験例８－１２）
　重量平均分子量：４８３３５、分子量分布：１．２８８（実験例８－１３）
　重量平均分子量：４７８９９、分子量分布：１．２８８（実験例８－１４）
　重量平均分子量：４７９３０、分子量分布：１．２８９（実験例８－１５）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２８２（実験例８－１６）
　重量平均分子量：４７６３９、分子量分布：１．２８８（実験例８－１７）
　重量平均分子量：４７９２２、分子量分布：１．２９２（実験例８－１８）
　重量平均分子量：４７４６７、分子量分布：１．２９２（実験例８－１９）
　重量平均分子量：４７１６７、分子量分布：１．２９９（実験例８－２０）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２８４（実験例８－２１）
　重量平均分子量：４６８０１、分子量分布：１．２９３（実験例８－２２）
　重量平均分子量：４７７０９、分子量分布：１．３０２（実験例８－２３）
　重量平均分子量：４６９４９、分子量分布：１．３０２（実験例８－２４）
　重量平均分子量：４６６０１、分子量分布：１．３１０（実験例８－２５）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２９１（実験例８－２６）
　重量平均分子量：４７６２９、分子量分布：１．３０１（実験例８－２７）
　重量平均分子量：４７２３１、分子量分布：１．３１８（実験例８－２８）
　重量平均分子量：４５９６４、分子量分布：１．３１８（実験例８－２９）
　重量平均分子量：４５８６６、分子量分布：１．３１４（実験例８－３０）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２９９（実験例８－３１）
　重量平均分子量：４７５５５、分子量分布：１．３０６（実験例８－３２）
　重量平均分子量：４６８０２、分子量分布：１．３１８（実験例８－３３）
　重量平均分子量：４５６７５、分子量分布：１．３１８（実験例８－３４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０３．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３）
　維持率：１０１．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－４）
　維持率：１０３．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－５）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－６）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－７）
　維持率：１０１．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－８）
　維持率：１０１．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－９）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１１）
　維持率：１０１．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１２）
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１３）
　維持率：１０１．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１４）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１５）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１６）
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１７）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１８）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－１９）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２１）
　維持率：９８．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２２）
　維持率：１００．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２３）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２４）
　維持率：９８．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２５）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２６）
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２７）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２８）
　維持率：９７．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－２９）
　維持率：９６．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３０）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３１）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３２）
　維持率：９８．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３３）
　維持率：９６．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例８－２～８－３４）
（実験例８－３５～８－３９）
　実験例８－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で１０分間（実験例８－３５）、１１０℃で７．５分間（実験例８－３６）、１２０℃で５分間（実験例８－３７）、１３０℃で３分間（実験例８－３８）、１４０℃で１分間（実験例８－３９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例８－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例８－３５～８－３９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８６１４、分子量分布：１．２８３（実験例８－３５）
　重量平均分子量：４８７７５、分子量分布：１．２８６（実験例８－３６）
　重量平均分子量：４８６２２、分子量分布：１．２８６（実験例８－３７）
　重量平均分子量：４７１７１、分子量分布：１．２７６（実験例８－３８）
　重量平均分子量：４７２２６、分子量分布：１．２８５（実験例８－３９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３５）
　維持率：１０３．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３６）
　維持率：１０２．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３７）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３８）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例８－３９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例８－３５～８－３９）
（実験例８－４０）
　実験例８－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例８－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｄに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４５１８２、分子量分布：１．３２３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．５％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例９－１）
　実験例１－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｅに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図２Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１３４７、分子量分布：１．４００
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例９－２～９－２９）
　実験例９－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１２０℃で７．５分間（実験例９－２）、１２０℃で１０分間（実験例９－３）、１３０℃で５分間（実験例９－４）、１３０℃で７．５分間（実験例９－５）、１３０℃で１０分間（実験例９－６）、１４０℃で３分間（実験例９－７）、１４０℃で５分間（実験例９－８）、１４０℃で７．５分間（実験例９－９）、１４０℃で１０分間（実験例９－１０）、１５０℃で１分間（実験例９－１１）、１５０℃で３分間（実験例９－１２）、１５０℃で５分間（実験例９－１３）、１５０℃で７．５分間（実験例９－１４）、１５０℃で１０分間（実験例９－１５）、１６０℃で１分間（実験例９－１６）、１６０℃で３分間（実験例９－１７）、１６０℃で５分間（実験例９－１８）、１６０℃で７．５分間（実験例９－１９）、１６０℃で１０分間（実験例９－２０）、１７０℃で１分間（実験例９－２１）、１７０℃で３分間（実験例９－２２）、１７０℃で５分間（実験例９－２３）、１７０℃で７．５分間（実験例９－２４）、１８０℃で１分間（実験例９－２５）、１８０℃で３分間（実験例９－２６）、１８０℃で５分間（実験例９－２７）、１９０℃で１分間（実験例９－２８）、１９０℃で３分間（実験例９－２９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例９－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例９－２～９－２９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１００２、分子量分布：１．４０２（実験例９－２）
　重量平均分子量：５１３４７、分子量分布：１．４００（実験例９－３）
　重量平均分子量：５０４７１、分子量分布：１．４０４（実験例９－４）
　重量平均分子量：５０２７６、分子量分布：１．４０４（実験例９－５）
　重量平均分子量：５０６４３、分子量分布：１．４０６（実験例９－６）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－７）
　重量平均分子量：４９６８４、分子量分布：１．４００（実験例９－８）
　重量平均分子量：５０４１７、分子量分布：１．４０４（実験例９－９）
　重量平均分子量：５０２３０、分子量分布：１．４０７（実験例９－１０）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－１１）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－１２）
　重量平均分子量：５０４７１、分子量分布：１．４０１（実験例９－１３）
　重量平均分子量：５０５８０、分子量分布：１．４１２（実験例９－１４）
　重量平均分子量：５０４４９、分子量分布：１．４３６（実験例９－１５）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－１６）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－１７）
　重量平均分子量：５０２３９、分子量分布：１．４１３（実験例９－１８）
　重量平均分子量：５０１４１、分子量分布：１．４１４（実験例９－１９）
　重量平均分子量：５００４８、分子量分布：１．４１７（実験例９－２０）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－２１）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－２２）
　重量平均分子量：４９３３４、分子量分布：１．４１８（実験例９－２３）
　重量平均分子量：５００５７、分子量分布：１．４１５（実験例９－２４）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－２５）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－２６）
　重量平均分子量：４９８０９、分子量分布：１．４１７（実験例９－２７）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－２８）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－２９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－４）
　維持率：９７．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－５）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－７）
　維持率：９６．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－８）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－９）
　維持率：９７．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１１）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１２）
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１３）
　維持率：９８．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１４）
　維持率：９７．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１７）
　維持率：９７．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１８）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－１９）
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２１）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２２）
　維持率：９５．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２３）
　維持率：９７．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２４）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２５）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２６）
　維持率：９６．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２７）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２８）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－２９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例９－２～９－２９）
（実験例９－３０～９－３４）
　実験例９－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で１０分間（実験例９－３０）、１１０℃で７．５分間（実験例９－３１）、１２０℃で５分間（実験例９－３２）、１３０℃で３分間（実験例９－３３）、１４０℃で１分間（実験例９－３４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例９－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例９－３０～９－３４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１３４７、分子量分布：１．４００（実験例９－３０）
　重量平均分子量：５１００２、分子量分布：１．４０２（実験例９－３１）
　重量平均分子量：５０７３４、分子量分布：１．４０９（実験例９－３２）
　重量平均分子量：５１０３３、分子量分布：１．４０３（実験例９－３３）
　重量平均分子量：５１１１５、分子量分布：１．４０３（実験例９－３４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３０）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３１）
　維持率：９８．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３２）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３３）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例９－３４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例９－３０～９－３４）
（実験例９－３５～９－３７）
　実験例９－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で１０分間（実験例９－３５）、１８０℃で７．５分間（実験例９－３６）、１９０℃で５分間（実験例９－３７）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例９－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８７６８、分子量分布：１．４３７（実験例９－３５）
　重量平均分子量：４７５１１、分子量分布：１．４４８（実験例９－３６）
　重量平均分子量：４７９７９、分子量分布：１．４３７（実験例９－３７）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９４．７％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例９－３５）
　維持率：９２．２％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例９－３６）
　維持率：９３．１％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例９－３７）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例９－３５～９－３７）
（実験例１０－１）
　実験例２－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、ギ酸イソアミルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｅに示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８３４１、分子量分布：１．２８３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例１０－２～１０－３４）
　実験例１０－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１２０℃で７．５分間（実験例１０－２）、１２０℃で１０分間（実験例１０－３）、１３０℃で５分間（実験例１０－４）、１３０℃で７．５分間（実験例１０－５）、１３０℃で１０分間（実験例１０－６）、１４０℃で３分間（実験例１０－７）、１４０℃で５分間（実験例１０－８）、１４０℃で７．５分間（実験例１０－９）、１４０℃で１０分間（実験例１０－１０）、１５０℃で１分間（実験例１０－１１）、１５０℃で３分間（実験例１０－１２）、１５０℃で５分間（実験例１０－１３）、１５０℃で７．５分間（実験例１０－１４）、１５０℃で１０分間（実験例１０－１５）、１６０℃で１分間（実験例１０－１６）、１６０℃で３分間（実験例１０－１７）、１６０℃で５分間（実験例１０－１８）、１６０℃で７．５分間（実験例１０－１９）、１６０℃で１０分間（実験例１０－２０）、１７０℃で１分間（実験例１０－２１）、１７０℃で３分間（実験例１０－２２）、１７０℃で５分間（実験例１０－２３）、１７０℃で７．５分間（実験例１０－２４）、１７０℃で１０分間（実験例１０－２５）、１８０℃で１分間（実験例１０－２６）、１８０℃で３分間（実験例１０－２７）、１８０℃で５分間（実験例１０－２８）、１８０℃で７．５分間（実験例１０－２９）、１８０℃で１０分間（実験例１０－３０）、１９０℃で１分間（実験例１０－３１）、１９０℃で３分間（実験例１０－３２）、１９０℃で５分間（実験例１０－３３）、１９０℃で７．５分間（実験例１０－３４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１０－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例１０－２～１０－３４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８２９１、分子量分布：１．２８８（実験例１０－２）
　重量平均分子量：４８３４１、分子量分布：１．２８３（実験例１０－３）
　重量平均分子量：４６８６０、分子量分布：１．２８５（実験例１０－４）
　重量平均分子量：４７４９９、分子量分布：１．２７６（実験例１０－５）
　重量平均分子量：４８３６０、分子量分布：１．２８４（実験例１０－６）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．２８３（実験例１０－７）
　重量平均分子量：４６８６０、分子量分布：１．２８５（実験例１０－８）
　重量平均分子量：４７７３８、分子量分布：１．２８３（実験例１０－９）
　重量平均分子量：４７３９１、分子量分布：１．２８５（実験例１０－１０）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２８８（実験例１０－１１）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．２８５（実験例１０－１２）
　重量平均分子量：４７５５７、分子量分布：１．２８８（実験例１０－１３）
　重量平均分子量：４８００６、分子量分布：１．２８５（実験例１０－１４）
　重量平均分子量：４７４７３、分子量分布：１．２８９（実験例１０－１５）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２８２（実験例１０－１６）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．２８８（実験例１０－１７）
　重量平均分子量：４７３２４、分子量分布：１．２９２（実験例１０－１８）
　重量平均分子量：４７５９６、分子量分布：１．２８８（実験例１０－１９）
　重量平均分子量：４７０４４、分子量分布：１．２９９（実験例１０－２０）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２８４（実験例１０－２１）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．２９３（実験例１０－２２）
　重量平均分子量：４６４９２、分子量分布：１．３０２（実験例１０－２３）
　重量平均分子量：４７３８４、分子量分布：１．２９３（実験例１０－２４）
　重量平均分子量：４６５３１、分子量分布：１．３１０（実験例１０－２５）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２９１（実験例１０－２６）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．３０１（実験例１０－２７）
　重量平均分子量：４７３１４、分子量分布：１．３１８（実験例１０－２８）
　重量平均分子量：４６９０９、分子量分布：１．３０１（実験例１０－２９）
　重量平均分子量：４５５５４、分子量分布：１．３１４（実験例１０－３０）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２９９（実験例１０－３１）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．３０６（実験例１０－３２）
　重量平均分子量：４７２４１、分子量分布：１．３１８（実験例１０－３３）
　重量平均分子量：４６９４３、分子量分布：１．３１９（実験例１０－３４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２）
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－４）
　維持率：１００．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－５）
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－７）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－８）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－９）
　維持率：１００．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１１）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１２）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１３）
　維持率：１０１．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１４）
　維持率：１００．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１７）
　維持率：１００．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１８）
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－１９）
　維持率：９９．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２１）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２２）
　維持率：９８．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２３）
　維持率：１００．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２４）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２５）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２６）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２７）
　維持率：１００．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２８）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－２９）
　維持率：９６．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３０）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３１）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３２）
　維持率：９９．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３３）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１０－２～１０－３４）
（実験例１０－３５～１０－３９）
　実験例１０－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１００℃で１０分間（実験例１０－３５）、１１０℃で７．５分間（実験例１０－３６）、１２０℃で５分間（実験例１０－３７）、１３０℃で３分間（実験例１０－３８）、１４０℃で１分間（実験例１０－３９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１０－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例１０－３５～１０－３９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８３４１、分子量分布：１．２８３（実験例１０－３５）
　重量平均分子量：４８２９１、分子量分布：１．２８８（実験例１０－３６）
　重量平均分子量：４６６３０、分子量分布：１．２８６（実験例１０－３７）
　重量平均分子量：４６８６２、分子量分布：１．２７６（実験例１０－３８）
　重量平均分子量：４６９３７、分子量分布：１．２８５（実験例１０－３９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３５）
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３６）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３７）
　維持率：９９．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３８）
　維持率：９９．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１０－３９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例１０－３５～１０－３９）
（実験例１０－４０）
　実験例１０－１において、１１０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１０－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ｅに示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４５２６９、分子量分布：１．３２３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．７％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例１１－１）
　実験例１－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸ｎ－ヘキシルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａ～図２Ｅの下図に示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図２Ａ～図２Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５０４７３、分子量分布：１．４１６
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９８．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例１１－２～１１－９）
　実験例１１－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１６０℃で３分間（実験例１１－２）、１６０℃で５分間（実験例１１－３）、１６０℃で７．５分間（実験例１１－４）、１６０℃で１０分間（実験例１１－５）、１７０℃で１分間（実験例１１－６）、１７０℃で３分間（実験例１１－７）、１７０℃で５分間（実験例１１－８）、１８０℃で１分間（実験例１１－９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａ～Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１１－２～１１－９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５０８７６、分子量分布：１．４１４（実験例１１－２）
　重量平均分子量：５０７８７、分子量分布：１．４１７（実験例１１－３）
　重量平均分子量：５０８１５、分子量分布：１．４１６（実験例１１－４）
　重量平均分子量：５０１４６、分子量分布：１．４２２（実験例１１－５）
　重量平均分子量：５００５７、分子量分布：１．４１８（実験例１１－６）
　重量平均分子量：５０７９１、分子量分布：１．４１５（実験例１１－７）
　重量平均分子量：４９４８８、分子量分布：１．４３７（実験例１１－８）
　重量平均分子量：５０５３９、分子量分布：１．４１７（実験例１１－９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９８．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－２）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－３）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－４）
　維持率：９７．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－５）
　維持率：９７．２％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－６）
　維持率：９８．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－７）
　維持率：９６．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－８）
　維持率：９８．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１１－２～１１－９）
（実験例１１－１０～１１－１４）
　実験例１１－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１４０℃で１０分間（実験例１１－１０）、１５０℃で３分間（実験例１１－１１）、１５０℃で５分間（実験例１１－１２）、１５０℃で７．５分間（実験例１１－１３）、１６０℃で１分間（実験例１１－１４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａ～Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１１－１０～１１－１４）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５００３２、分子量分布：１．４０５（実験例１１－１０）
　重量平均分子量：５１３２１、分子量分布：１．４１２（実験例１１－１１）
　重量平均分子量：５１１９４、分子量分布：１．４３６（実験例１１－１２）
　重量平均分子量：５１０１９、分子量分布：１．４３２（実験例１１－１３）
　重量平均分子量：５０９７５、分子量分布：１．４１３（実験例１１－１４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－１０）
　維持率：９９．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－１１）
　維持率：９９．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－１２）
　維持率：９９．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－１３）
　維持率：９８．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１１－１４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例１１－１０～１１－１４）
（実験例１１－１５～１１－２１）
　実験例１１－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１７０℃で７．５分間（実験例１１－１５）、１７０℃で１０分間（実験例１１－１６）、１８０℃で３分間（実験例１１－１７）、１８０℃で５分間（実験例１１－１８）、１８０℃で７．５分間（実験例１１－１９）、１８０℃で１０分間（実験例１１－２０）、１９０℃で１分間（実験例１１－２１）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１１－１と同様に、「重合体（Ｆ５）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図２Ａ～Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：５１５２２、分子量分布：１．４０３（実験例１１－１５～１１－２１）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４９１２３、分子量分布：１．４５２（実験例１１－１５）
　重量平均分子量：４７６１１、分子量分布：１．４５１（実験例１１－１６）
　重量平均分子量：４８２０７、分子量分布：１．４４８（実験例１１－１７）
　重量平均分子量：４７９８６、分子量分布：１．４５６（実験例１１－１８）
　重量平均分子量：４７２３４、分子量分布：１．４５１（実験例１１－１９）
　重量平均分子量：４６９８７、分子量分布：１．４６３（実験例１１－２０）
　重量平均分子量：４８６８２、分子量分布：１．４３７（実験例１１－２１）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．３％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－１５）
　維持率：９２．４％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－１６）
　維持率：９３．６％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－１７）
　維持率：９３．１％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－１８）
　維持率：９１．７％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－１９）
　維持率：９１．２％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－２０）
　維持率：９４．５％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）（実験例１１－２１）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１１－１５～１１－２１）
（実験例１２－１）
　実験例２－１において、酢酸イソアミルを用いる代わりに、酢酸ｎ－ヘキシルを用い、また、１２０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａ～図３Ｅの下図に示す。
＜測定評価結果＞
　測定した重量平均分子量および分子量分布、重量平均分子量の維持率の評価結果、並びに、密着性の評価結果を下記および図３Ａ～図３Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８３１７、分子量分布：１．２８９
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
（実験例１２－２～実験例１２－１９）
　実験例１２－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１６０℃で３分間（実験例１２－２）、１６０℃で５分間（実験例１２－３）、１６０℃で７．５分間（実験例１２－４）、１６０℃で１０分間（実験例１２－５）、１７０℃で１分間（実験例１２－６）、１７０℃で３分間（実験例１２－７）、１７０℃で５分間（実験例１２－８）、１７０℃で７．５分間（実験例１２－９）、１７０℃で１０分間（実験例１２－１０）、１８０℃で１分間（実験例１２－１１）、１８０℃で３分間（実験例１２－１２、１８０℃で５分間（実験例１２－１３）、１８０℃で７．５分間（実験例１２－１４）、１８０℃で１０分間（実験例１２－１５）、１９０℃で１分間（実験例１２－１６）、１９０℃で３分間（実験例１２－１７）、１９０℃で５分間（実験例１２－１８）、１９０℃で７．５分間（実験例１２－１９）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａ～図３Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４（実験例１２－２～実験例１２－１９）
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４８２９４、分子量分布：１．２８８（実験例１２－２）
　重量平均分子量：４７７３９、分子量分布：１．２９２（実験例１２－３）
　重量平均分子量：４７５４３、分子量分布：１．３００（実験例１２－４）
　重量平均分子量：４７１２７、分子量分布：１．２９９（実験例１２－５）
　重量平均分子量：４７１７４、分子量分布：１．２８４（実験例１２－６）
　重量平均分子量：４８０７９、分子量分布：１．２９３（実験例１２－７）
　重量平均分子量：４７２１８、分子量分布：１．３０２（実験例１２－８）
　重量平均分子量：４６９７２、分子量分布：１．３１３（実験例１２－９）
　重量平均分子量：４６５４６、分子量分布：１．３１０（実験例１２－１０）
　重量平均分子量：４８００８、分子量分布：１．２９１（実験例１２－１１）
　重量平均分子量：４７５９７、分子量分布：１．３０１（実験例１２－１２）
　重量平均分子量：４６２２７、分子量分布：１．３１８（実験例１２－１３）
　重量平均分子量：４６２３１、分子量分布：１．３１７（実験例１２－１４）
　重量平均分子量：４６２６６、分子量分布：１．３１４（実験例１２－１５）
　重量平均分子量：４７９３４、分子量分布：１．２９９（実験例１２－１６）
　重量平均分子量：４７１６５、分子量分布：１．３０６（実験例１２－１７）
　重量平均分子量：４５９３７、分子量分布：１．３１８（実験例１２－１８）
　重量平均分子量：４５５４２、分子量分布：１．３２３（実験例１２－１９）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２）
　維持率：１００．９％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－３）
　維持率：１００．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－４）
　維持率：９９．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－５）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－６）
　維持率：１０１．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－７）
　維持率：９９．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－８）
　維持率：９９．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－９）
　維持率：９８．４％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１０）
　維持率：１０１．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１１）
　維持率：１００．６％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１２）
　維持率：９７．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１３）
　維持率：９７．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１４）
　維持率：９７．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１５）
　維持率：１０１．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１６）
　維持率：９９．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１７）
　維持率：９７．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１８）
　維持率：９６．３％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－１９）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）（実験例１２－２～実験例１２－１９）
（実験例１２－２０～実験例１２－２４）
　実験例１２－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、それぞれ、１４０℃で１０分間（実験例１２－２０）、１５０℃で３分間（実験例１２－２１）、１５０℃で５分間（実験例１２－２２）、１５０℃で７．５分間（実験例１２－２３）、１６０℃で１分間（実験例１２－２４）加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａ～図３Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７６６４、分子量分布：１．２８５（実験例１２－２０）
　重量平均分子量：４８７１０、分子量分布：１．２８５（実験例１２－２１）
　重量平均分子量：４８１７４、分子量分布：１．２８８（実験例１２－２２）
　重量平均分子量：４８３１２、分子量分布：１．２９１（実験例１２－２３）
　重量平均分子量：４８０１８、分子量分布：１．２８２（実験例１２－２４）
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：１００．７％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２０）
　維持率：１０３．０％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２１）
　維持率：１０１．８％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２２）
　維持率：１０２．１％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２３）
　維持率：１０１．５％、維持率評価結果：Ａ（維持率大で良好）（実験例１２－２４）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ｂ（密着性低）（実験例１２－２０～１２－２４）
（実験例１２－２５）
　実験例１２－１において、１５０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行う代わりに、１９０℃で１０分間加熱するプリベーク工程を行ったこと以外は、実験例１２－１と同様に、「重合体（Ｆ６）の調製」、「ポジ型レジスト組成物の調製」、「レジストパターンの形成」を行い、同様の測定乃至評価を行った。結果を下記および図３Ａ～図３Ｅの下図に示す。
（ｉ）調製した重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４７３１１、分子量分布：１．２８４
（ｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量および分子量分布
　重量平均分子量：４５２１９、分子量分布：１．３２３
（ｉｉｉ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜における重合体の重量平均分子量の維持率
　維持率：９５．６％、維持率評価結果：Ｂ（維持率小）
（ｉｖ）プリベーク工程を経て形成したレジスト膜と被加工物との密着性
　密着性評価結果：Ａ（密着性良好）
　図２Ａ～Ｅより、所定の単量体単位を有する所定の重合体（Ｆ５）と、酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも１種である溶剤とを含むポジ型レジスト組成物（図２Ａ～Ｅの上図：実施例１、３、５，７，９）は、所定の単量体単位を有する所定の重合体（Ｆ５）と、酢酸ｎ－ヘキシルとを含むポジ型レジスト組成物（図２Ａ～Ｅの下図：比較例１）よりも、より幅広い範囲のプリベーク温度Ｔおよびプリベーク時間ｔ（より低温側の範囲のプリベーク温度Ｔ）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることが分かる。
　図３Ａ～Ｅより、所定の単量体単位を有する所定の重合体（Ｆ６）と、酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも１種である溶剤とを含むポジ型レジスト組成物（図３Ａ～Ｅの上図：実施例２、４、６、８、１０）は、所定の単量体単位を有する所定の重合体（Ｆ６）と、酢酸ｎ－ヘキシルとを含むポジ型レジスト組成物（図３Ａ～Ｅの下図：比較例２）よりも、より幅広い範囲のプリベーク温度Ｔおよびプリベーク時間ｔ（より低温側の範囲のプリベーク温度Ｔ）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができることが分かる。
　本発明のポジ型レジスト組成物によれば、より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間（より低温側の範囲の加熱温度）で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　また、本発明のレジスト膜形成方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができる。
　また、本発明の積層体の製造方法によれば、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と遮光層との密着性を向上させることができると共に、レジスト膜における重合体の分子量の低減を抑制することができる。

Claims (11)

  1. 　重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、
    　前記重合体は、
    　下記一般式（Ｉ）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（Ｉ）中、Ｒ１は、塩素原子、フッ素原子またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ２は、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、Ｒ３およびＲ４は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。）
    で表される単量体単位（Ａ）と、
    　下記一般式（ＩＩ）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（ＩＩ）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８およびＲ９は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ７は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、ｐおよびｑは、０以上５以下の整数であり、ｐ＋ｑ＝５である。）
    で表される単量体単位（Ｂ）とを有し、
    　前記単量体単位（Ａ）および前記単量体単位（Ｂ）の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有し、
    　前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ｎ－アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも１種である、ポジ型レジスト組成物。
  2. 　前記Ｒ１が塩素原子である、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
  3. 　前記Ｒ２がフッ素原子で置換されたアルキル基であり、
    　前記Ｒ３およびＲ４が、水素原子または非置換のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい、請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
  4. 　前記ｐが１以上５以下の整数であり、Ｒ５およびＲ７～Ｒ９が水素原子または非置換のアルキル基であり、
    　前記単量体単位（Ａ）がフッ素原子を一つ以上有する、請求項１～３の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
  5. 　前記単量体単位（Ｂ）におけるフッ素原子の数が０または１である、請求項４に記載のポジ型レジスト組成物。
  6. 　前記Ｒ２がペンタフルオロアルキル基である、請求項１～５の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
  7. 　前記Ｒ２が２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基である、請求項６の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
  8. 　前記単量体単位（Ｂ）が、α－メチルスチレンに由来する構造単位または４－フルオロ－α－メチルスチレンに由来する構造単位である、請求項１～７の何れかに記載のポジ型レジスト組成物。
  9. 　請求項１～８の何れかに記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法であって、
    　前記ポジ型レジスト組成物を被加工物上に塗布する塗布工程と、
    　前記塗布されたポジ型レジスト組成物を加熱するプリベーク工程と、
    を含み、
    　前記プリベーク工程における加熱を、下記式（１）を満たす温度Ｔ（℃）および時間ｔ（分間）で行う、レジスト膜形成方法。
    （－１／４）×Ｔ＋３２．５≦ｔ≦（－１／４）×Ｔ＋５５・・・（１）
  10. 　前記時間が１分間以上３０分間以下である、請求項９に記載のレジスト膜形成方法。
  11. 　基板と、該基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたレジスト膜とを備える積層体を製造する積層体の製造方法であって、前記レジスト膜を請求項９または１０に記載のレジスト膜形成方法により形成する、積層体の製造方法。
PCT/JP2018/031212 2017-09-29 2018-08-23 ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法 WO2019065017A1 (ja)

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