TW201915035A - 正型光阻組成物、光阻膜形成方法及堆疊體的製造方法 - Google Patents

正型光阻組成物、光阻膜形成方法及堆疊體的製造方法 Download PDF

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Abstract

提供可在較寬廣範圍之預烘烤工序中的加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化的正型光阻組成物等。本發明之正型光阻組成物係包含聚合物與溶劑的正型光阻組成物，前述聚合物具有由下述通式（I）所表示之單體單元（A）與由下述通式（II）所表示之單體單元（B），前述溶劑選自由乙酸異戊酯、甲酸正丁酯、甲酸異丁酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯而成之群組之至少1種。

Description

正型光阻組成物、光阻膜形成方法及堆疊體的製造方法
本發明係關於正型光阻組成物、光阻膜形成方法及堆疊體的製造方法，尤其係關於正型光阻組成物、使用該正型光阻組成物的光阻膜形成方法，以及使用該光阻膜形成方法之堆疊體的製造方法者。
以往在半導體製造等領域中，將藉由電子束等游離輻射或紫外線等短波長的光線（以下有時將游離輻射與短波長的光線合稱為「游離輻射等」。）之照射切斷主鏈而對顯影液之溶解性增加的聚合物，作為主鏈切斷型的正型光阻使用。
而且，舉例而言，在專利文獻1中已揭示由含有α-甲基苯乙烯單元與α-氯丙烯酸甲酯單元之α-甲基苯乙烯／α-氯丙烯酸甲酯共聚物而成的正型光阻作為高靈敏度之主鏈切斷型的正型光阻。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公告第H8-3636號公報
於此，在使用光阻組成物之光阻膜的形成過程中，在將光阻組成物塗布於被加工物後，經過將已塗布之光阻組成物加熱的預烘烤而形成光阻膜時，有無法充分獲得光阻膜與被加工物的密合性，或者在光阻膜中之聚合物分子量下降之情形。於此，若無法充分獲得光阻膜與被加工物的密合性，則有光阻膜剝離之情形，並且，若聚合物分子量下降，則有無法將圖案形成為期望之形狀的情形。因此，在光阻膜的形成中，要求要充分獲得經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，再者，要求要抑制在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
然而，在使用由專利文獻1所記載之α-甲基苯乙烯／α-氯丙烯酸甲酯共聚物而成之正型光阻的光阻膜形成方法中，有無法充分獲得經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，或者無法充分抑制在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化的問題。
為了解決上述問題，已研究使用乙酸正己酯等作為溶劑，以提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化等，不過在使用此等溶劑的情況下，雖可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化，但在能提升密合性及減低分子量變化的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間的範圍較為狹窄。
於是，本發明之目的在於提供可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化的正型光阻組成物。
並且，本發明之目的在於提供可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化的光阻膜形成方法。
並且，本發明之目的在於提供經預烘烤工序而形成之光阻膜與遮光層的密合性高，在光阻膜中之聚合物分子量之減低受到抑制的堆疊體的製造方法。
本發明人為達成上述目的而專心致志進行研究。然後，本發明人發現包含具有指定單體單元的指定聚合物與指定溶劑之主鏈切斷型的正型光阻組成物，可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化，進而完成本發明。
亦即，此發明係以順利解決上述問題為目的者，本發明之正型光阻組成物係包含聚合物與溶劑的正型光阻組成物，其特徵在於： 前述聚合物具有： 由下述通式（I）所表示之單體單元（A）： 『化1』（式（I）中，R1 係氯原子、氟原子或經氟原子取代的烷基，R2 係無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，R3 及R4 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，可彼此相同亦可相異。）與 由下述通式（II）所表示之單體單元（B）： 『化2』（式（II）中，R5 、R6 、R8 及R9 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，可彼此相同亦可相異，R7 係氫原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，p及q為0以上且5以下的整數，p＋q＝5。） 前述單體單元（A）及前述單體單元（B）之至少一者具有一個以上的氟原子， 前述溶劑係選自由乙酸異戊酯、甲酸正丁酯、甲酸異丁酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯而成之群組之至少1種。
包含具有指定單體單元的指定聚合物與指定溶劑之主鏈切斷型的正型光阻組成物，可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
此外，在本發明中，在式（II）中的p為2以上的情形中，多個R6 可彼此相同亦可相異，並且，在式（II）中的q為2以上的情形中，多個R7 可彼此相同亦可相異。
並且，本發明之正型光阻組成物以前述R1 為氯原子為佳。若單體單元（A）的R1 為氯原子，則可提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性。因此，可獲得良好的正型光阻膜。並且，單體單元（A）的R1 為氯原子的聚合物易於製備。
再者，本發明之正型光阻組成物，以前述R2 為經氟原子取代的烷基，且前述R3 及R4 為氫原子或無取代的烷基為佳。若單體單元（A）的R2 為經氟原子取代的烷基，且R3 及R4 為氫原子或無取代的烷基，則可提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性。因此，可獲得良好的正型光阻膜。此外，R3 及R4 可彼此相同亦可相異。
甚者，本發明之正型光阻組成物，以前述p為1以上且5以下的整數，R5 及R7 ～R9 為氫原子或無取代的烷基，且前述單體單元（A）具有一個以上的氟原子為佳。若單體單元（B）的p為1以上且5以下的整數，R5 及R7 ～R9 為氫原子或無取代的烷基，且單體單元（A）具有一個以上的氟原子，則可輕易製備聚合物，並且，可提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性，可獲得良好的正型光阻膜。
甚者，本發明之正型光阻組成物，以在單體單元（B）中之氟的數量為0或1為佳。若在單體單元（B）中之氟的數量為0或1，則可獲得良好的正型光阻膜。
甚者，本發明之正型光阻組成物，以前述R2 為五氟烷基為佳。若單體單元（A）的R2 為五氟烷基，則能充分提升靈敏度，同時形成清晰度提升的圖案。
甚者，本發明之正型光阻組成物，以前述R2 為2,2,3,3,3-五氟丙基為佳。若單體單元（A）的R2 為2,2,3,3,3-五氟丙基，則能充分提升靈敏度，同時形成清晰度更為提升的圖案。
甚者，本發明之正型光阻組成物，以前述單體單元（B）為源自α-甲基苯乙烯的結構單元或源自4-氟-α-甲基苯乙烯的結構單元為佳。若單體單元（B）為源自α-甲基苯乙烯的結構單元，則可提升聚合物之製備的容易性，同時可獲得良好的正型光阻膜。若單體單元（B）為源自4-氟-α-甲基苯乙烯的結構單元，則能形成抑制倒塌之發生的圖案。
並且，此發明係以順利解決上述問題為目的者，本發明之光阻膜形成方法係使用上述正型光阻組成物之任一項以形成光阻膜的光阻膜形成方法，其特徵在於： 其包含： 將前述正型光阻組成物塗布於被加工物上的塗布工序，與 將經前述塗布之正型光阻組成物加熱的預烘烤工序， 並以滿足下述式（1）的溫度T（℃）及時間t（分鐘），進行在前述預烘烤工序中的加熱。 （－1／4）×T＋32.5≦t≦（－1／4）×T＋55 ・・・（1）
若將具有指定單體單元之指定聚合物作為主鏈切斷型正型光阻使用，並以指定條件進行預烘烤工序，則可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可充分抑制在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
於此，本發明之光阻膜形成方法，以前述時間為1分鐘以上且30分鐘以下為佳。在於預烘烤工序中的加熱中，若前述時間為1分鐘以上且30分鐘以下，則可更確實提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可更確實減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
並且，此發明係以順利解決上述問題為目的者，本發明之堆疊體的製造方法係具備基板、於該基板上形成的遮光層與於該遮光層上形成的光阻膜之堆疊體的製造方法，其特徵在於前述光阻膜為藉由上述光阻膜形成方法之任一項所形成。若藉由上述光阻膜形成方法之任一項形成光阻膜，則可獲得經預烘烤工序而形成之光阻膜與遮光層的密合性高，在光阻膜中之聚合物分子量之減低受到抑制的堆疊體。
根據本發明之正型光阻組成物，可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
並且，根據本發明之光阻膜形成方法，可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
並且，根據本發明之堆疊體的製造方法，可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與遮光層的密合性，同時可抑制在光阻膜中之聚合物分子量的減低。
以下詳細說明本發明之實施型態。
於此，本發明之光阻組成物可使用於本發明之光阻膜形成方法。本發明之光阻膜形成方法，舉例而言，可形成在增層式基板等印刷基板的製造過程中，使用於形成光阻圖案時的光阻膜。而且，本發明之堆疊體的製造方法，舉例而言，可製造在增層式基板等印刷基板的製造過程中，使用於形成光阻圖案時的堆疊體。
此外，在本發明之光阻組成物中的聚合物，可良好使用作為藉由電子束或EUV（Extreme ultraviolet）雷射等游離輻射，或者紫外線等短波長的光線之照射，聚合物的主鏈被切斷而低分子量化之主鏈切斷型的正型光阻。
（正型光阻組成物）
本發明之正型光阻組成物包含聚合物與溶劑，更任意含有得摻合於光阻組成物之已知的添加劑。而且，本發明之正型光阻組成物由於含有後述聚合物作為正型光阻，故可在使用於光阻圖案之形成時，充分抑制光阻圖案之倒塌的發生。並且，若在後述條件下預烘烤，則可提升密合性，並可抑制聚合物分子量下降。
作為前述正型光阻組成物的固體成分濃度，以1質量%以上為佳，以2質量%以上為較佳，以3質量%以上為尤佳，且以20質量%以下為佳，以15質量%以下為較佳，以5質量%以下為尤佳。
〈聚合物〉
聚合物具有由下述通式（I）所表示之單體單元（A）： 『化3』（式（I）中，R1 係氯原子、氟原子或經氟原子取代的烷基，R2 係無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，R3 及R4 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，R3 及R4 可彼此相同亦可相異。）與 由下述通式（II）所表示之單體單元（B）：（式（II）中，R5 、R6 、R8 及R9 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，可彼此相同亦可相異，R7 係氫原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，p及q為0以上且5以下的整數，p＋q＝5。）
並且，前述聚合物的單體單元（A）及單體單元（B）之至少一者具有一個以上的氟原子。亦即，前述聚合物，可為「單體單元（A）具有一個以上的氟原子，而單體單元（B）不具有氟原子」，亦可為「單體單元（B）具有一個以上的氟原子，而單體單元（A）不具有氟原子」，還可為「單體單元（A）及單體單元（B）分別具有一個以上的氟原子」。
此外，前述聚合物亦可包含單體單元（A）及單體單元（B）以外的任意單體單元，但在構成聚合物之所有單體單元中，單體單元（A）及單體單元（B）所佔的比例，以合計為90 mol%以上為佳，以實質上為100 mol%為較佳，以100 mol%（亦即，聚合物僅包含單體單元（A）及單體單元（B））為更佳。
而且，前述聚合物包含指定單體單元（A）及單體單元（B），故若受到游離輻射等（例如：電子束、KrF雷射、ArF雷射、EUV（Extreme Ultraviolet）雷射等）照射，則聚合物的主鏈會被切斷而低分子量化。並且，前述聚合物，單體單元（A）及單體單元（B）之至少一者具有一個以上的氟原子，故在作為光阻使用時，預烘烤時耐熱性高，分解受到抑止，可提升與被加工物的密合性，並且，可充分抑制光阻圖案之倒塌的發生。
此外，藉由使單體單元（A）及單體單元（B）之至少一者含有氟原子而可抑制光阻圖案之倒塌的發生之理由並未明朗，但推測係由於聚合物的撥液性提升，故可在光阻圖案的形成過程中，抑制在去除顯影液及淋洗液（rinse agent）時，於圖案間彼此拉扯發生的現象。
《單體單元（A）》
於此，單體單元（A）係源自由下述通式（III）所表示之單體（a）的結構單元： 『化5』（式（III）中，R1 ～R4 與式（I）相同。）。
而且，構成聚合物的所有單體單元中之單體單元（A）的比例，並無特別受限，可定為例如：30 mol%以上且70 mol%以下，以40 mol%以上且60 mol%以下為佳。
於此，作為得構成式（I）及式（III）中之R1 ～R4 之經氟原子取代的烷基，並無特別受限，可舉出具有以氟原子取代烷基中之一部分或全部的氫原子之構造的基。
並且，作為得構成式（I）及式（III）中之R2 ～R4 之無取代的烷基，並無特別受限，可舉出無取代之碳數1以上且10以下的烷基。其中，作為得構成R2 ～R4 之無取代的烷基，以甲基或乙基為佳。
而且，就提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，式（I）及式（III）中的R1 ，以氯原子、氟原子或經氟原子取代之碳數1以上且5以下的烷基為佳，以氯原子、氟原子或全氟甲基為較佳，以氯原子或氟原子為更佳，以氯原子為尤佳。此外，式（III）中之R1 為氯原子的單體（a）聚合性優異，而具有式（I）中之R1 為氯原子的單體單元（A）的聚合物在輕易製備這點上亦優異。
並且，就提升照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，式（I）及式（III）中的R2 ，以經氟原子取代的烷基為佳，以經氟原子取代之碳數1以上且10以下的烷基為較佳。
作為經氟原子取代之碳數1以上且10以下的烷基，可列舉例如：2,2,2-三氟乙基、2,2,3,3,3-五氟丙基（氟原子的數量為5，碳數為3，下述結構式X）等五氟烷基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟己基)乙基、1H,1H,3H-四氟丙基、1H,1H,5H-八氟戊基、1H,1H,7H-十二氟庚基、1H-1-(三氟甲基)三氟乙基、1H,1H,3H-六氟丁基、1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙基等。
此等之中，以五氟烷基為佳，以2,2,3,3,3-五氟丙基（氟原子的數量為5，碳數為3，下述結構式X）為尤佳。 『化6』‧‧‧結構式X
再者，就提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，式（I）及式（III）中的R3 及R4 ，分別以氫原子或無取代的烷基為佳，以氫原子或無取代之碳數1以上且5以下的烷基為較佳，以氫原子為更佳。
而且，作為得形成上述由式（I）所表示之單體單元（A）的上述由式（I）所表示之單體（a），並無特別受限，可列舉例如：α-氯丙烯酸-2,2,2-三氟乙酯、α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯、α-氯丙烯酸-2-(全氟丁基)乙酯、α-氯丙烯酸-2-(全氟己基)乙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,3H-四氟丙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,5H-八氟戊酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,7H-十二氟庚酯、α-氯丙烯酸-1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、α-氯丙烯酸-1H,1H,3H-六氟丁酯、α-氯丙烯酸-1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙酯等α-氯丙烯酸氟烷酯；α-氟丙烯酸甲酯、α-氟丙烯酸乙酯等α-氟丙烯酸烷酯；α-三氟甲基丙烯酸甲酯、α-三氟甲基丙烯酸乙酯等α-氟烷基丙烯酸烷酯；α-氟丙烯酸-2,2,2-三氟乙酯、α-氟丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯、α-氟丙烯酸-2-(全氟丁基)乙酯、α-氟丙烯酸-2-(全氟己基)乙酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,3H-四氟丙酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,5H-八氟戊酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,7H-十二氟庚酯、α-氟丙烯酸-1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、α-氟丙烯酸-1H,1H,3H-六氟丁酯、α-氟丙烯酸-1,2,2,2-四氟-1-(三氟甲基)乙酯等α-氟丙烯酸氟烷酯。
此外，就更提升在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，單體單元（A）以源自α-氯丙烯酸氟烷酯的結構單元為佳，以α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯為尤佳。亦即，式（I）及式（III）中的R1 ～R4 ，以R1 為氯原子，R2 為經氟原子取代的烷基，且R3 及R4 為氫原子為尤佳。
《單體單元（B）》
並且，單體單元（B）係源自由下述通式（IV）所表示之單體（b）的結構單元： 『化7』（式（IV）中，R5 ～R9 以及p及q與式（II）相同。）。
而且，構成聚合物的所有單體單元中之單體單元（B）的比例，並無特別受限，可定為例如：30 mol%以上且70 mol%以下，以40 mol%以上且60 mol%以下為佳。
於此，作為得構成式（II）及式（IV）中之R5 ～R9 之經氟原子取代的烷基，並無特別受限，可舉出具有以氟原子取代烷基中之一部分或全部的氫原子之構造的基。
並且，作為得構成式（II）及式（IV）中之R5 ～R9 之無取代的烷基，並無特別受限，可舉出無取代之碳數1以上且5以下的烷基。其中，作為得構成R5 ～R9 之無取代的烷基，以甲基或乙基為佳。
而且，就提升聚合物之製備的容易性及在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，式（II）及式（IV）中的R5 以氫原子或無取代的烷基為佳，以無取代之碳數1以上且5以下的烷基為較佳，以甲基為更佳。
於式（II）及式（IV）中存有多個的R7 ，可皆為氫原子或無取代的烷基，亦可皆為氫原子或無取代之碳數1以上且5以下的烷基，還可皆為氫原子。藉此，可提升聚合物之製備的容易性及在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性。
式（II）及式（IV）中的p為5且q為0，5個R6 可皆為氫原子或無取代的烷基，5個R6 亦可皆為氫原子或無取代之碳數1以上且5以下的烷基，5個R6 還可皆為氫原子。藉此，可提升聚合物之製備的容易性及在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性。
另一方面，就進一步抑制在將聚合物使用於光阻圖案的形成時，光阻圖案之倒塌的發生之觀點而言，於式（II）及式（IV）中存有多個的R6 及／或R7 ，以包含氟原子或經氟原子取代的烷基為佳，以包含氟原子或經氟原子取代之碳數1以上且5以下的烷基為較佳，以在R6 及／或R7 中之氟原子的數量為1為尤佳。
再者，就提升聚合物之製備的容易性及在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，式（II）及式（IV）中的R8 及R9 分別以氫原子或無取代的烷基為佳，以氫原子或無取代之碳數1以上且5以下的烷基為較佳，以氫原子為更佳。
而且，作為得形成上述由式（II）所表示之單體單元（B）的上述由式（IV）所表示之單體（b），並無特別受限，可列舉例如：以下（b-1）～（b-11）等α-甲基苯乙烯及其衍生物。
並且，在單體單元（B）中之氟原子的數量以0或1為佳。 『化8』
此外，就提升聚合物之製備的容易性及在照射游離輻射等時之聚合物主鏈的斷裂性之觀點而言，單體單元（B），以不含氟原子（亦即，僅單體單元（A）含有氟原子）為佳，以源自α-甲基苯乙烯的結構單元為較佳。亦即，式（II）及式（IV）中的R5 ～R9 以及p及q，以p＝5且q＝0，R5 為甲基，5個R6 皆為氫原子，R8 及R9 為氫原子為尤佳。
另一方面，就進一步抑制在將聚合物使用於光阻圖案的形成時，光阻圖案之倒塌的發生之觀點而言，單體單元（B）以含有氟原子為佳，以含有1個氟原子為較佳，以源自氟-α-甲基苯乙烯的結構單元為尤佳，以源自4-氟-α-甲基苯乙烯的結構單元，亦即，式（II）及式（IV）中的R5 ～R9 以及p及q，為p＝5且q＝0，R5 為甲基，5個R6 之中僅對位為氟，剩餘的4個皆為氫原子，R8 及R9 為氫原子為最佳。
《聚合物的性狀》
以下說明使用於本發明之光阻膜形成方法之聚合物的性狀，亦即，在預烘烤工序中之加熱前的「重量平均分子量（Mw）」、「數量平均分子量（Mn）」及「分子量分布（Mw／Mn）」。
此外，在本發明中，「重量平均分子量（Mw）」及「數量平均分子量（Mn）」可使用凝膠滲透層析法量測。而且，在本發明中，所謂「分子量分布（Mw／Mn）」，係指相對於數量平均分子量（Mn）之重量平均分子量（Mw）的比。
［重量平均分子量］
而且，具有上述單體單元（A）及單體單元（B）之聚合物的重量平均分子量（Mw），可定為例如：20000以上且150000以下。進言之，聚合物的重量平均分子量（Mw），以未達100000為佳，以未達60000為較佳，且以30000以上為佳。若聚合物的重量平均分子量（Mw）為上述上限值以下（未達），則在作為正型光阻使用時，可藉由較低的照射量增加對顯影液的溶解性，故可適度提升作為正型光阻時的靈敏度。並且，若聚合物的重量平均分子量（Mw）為上述下限值以上，則可抑制因過低的照射量而光阻膜之對顯影液的溶解性提高，可抑制γ值過度降低。
［數量平均分子量］
並且，上述聚合物的數量平均分子量（Mn）可定為例如：10000以上且100000以下。進言之，聚合物的數量平均分子量（Mn），以未達80000為佳，以未達50000為較佳。若聚合物的數量平均分子量（Mn）為上述上限值以下（未達），可更提高在將使用含有此種聚合物之正型光阻組成物所形成的光阻作為正型光阻使用時的靈敏度。
［分子量分布］
而且，上述聚合物分子量分布（Mw／Mn）可定為例如：2.50以下。進言之，聚合物分子量分布（Mw／Mn），以1.20以上為佳，以1.30以上為較佳，以1.35以上為尤佳，且以2.40以下為佳，以1.75以下為較佳，以1.60以下為更佳，以1.55以下更為較佳。若聚合物分子量分布（Mw／Mn）為上述下限值以上，則可提高聚合物的製造容易性。若聚合物分子量分布（Mw／Mn）為上述上限值以下，則可提高在作為正型光阻使用時的γ值，可提高所獲得之光阻圖案的清晰度。
《聚合物的製備方法》
而且，具有上述單體單元（A）及單體單元（B）的聚合物，舉例而言，可藉由在使包含單體（a）與單體（b）的單體組成物聚合後，任意純化獲得之聚合物而製備。
此外，聚合物的組成、分子量分布、重量平均分子量及數量平均分子量，可藉由變更聚合條件及純化條件而調整。具體舉例而言，聚合物的組成，可藉由變更使用於聚合之單體組成物中的各單體之含有比例而調整。並且，若提高聚合溫度，則可減小重量平均分子量及數量平均分子量。再者，若縮短聚合時間，則可減小重量平均分子量及數量平均分子量。
［單體組成物的聚合］
於此，作為使用於本發明之聚合物之製備的單體組成物，可使用「包含單體（a）及單體（b）的單體成分、任意溶劑、聚合起始劑與任意添加的添加劑」的混合物。而且，單體組成物的聚合可使用已知的方法進行。其中，作為溶劑，以使用環戊酮等為佳，作為聚合起始劑，以使用偶氮雙異丁腈等自由基聚合起始劑為佳。
並且，聚合單體組成物而獲得的聚合物，並無特別受限，可藉由在將四氫呋喃等良溶劑添加於包含聚合物的溶液之後，將已添加良溶劑之溶液滴入甲醇等不良溶劑中使聚合物凝固而回收。
《聚合物的純化》
此外，作為於純化所獲得之聚合物之情形中所使用的純化方法，並無特別受限，可列舉：再沉澱法或管柱層析法等已知的純化方法。其中，作為純化方法，以使用再沉澱法為佳。
此外，聚合物的純化亦可多次重覆實施。
而且，藉由再沉澱法之聚合物的純化，舉例而言，以藉由在將所獲得之聚合物溶解於四氫呋喃等良溶劑之後，將所獲得之溶液滴入「四氫呋喃等良溶劑與甲醇等不良溶劑」的混合溶劑，使聚合物之一部分析出而進行為佳。若如此將聚合物的溶液滴入良溶劑與不良溶劑的混合溶劑中進行聚合物的純化，即可藉由變更良溶劑及不良溶劑的種類或混合比例，輕易調整所獲得之聚合物分子量分布、重量平均分子量及數量平均分子量。具體舉例而言，愈提高混合溶劑中之良溶劑的比例，則愈可增大於混合溶劑中析出之聚合物分子量。
此外，在藉由再沉澱法純化聚合物的情形中，作為前述聚合物，可使用於良溶劑與不良溶劑的混合溶劑中析出的聚合物，亦可使用不於混合溶劑中析出的聚合物（亦即，溶解於混合溶劑中的聚合物）。於此，不於混合溶劑中析出的聚合物，可使用濃縮乾燥等已知的手法自混合溶劑中回收。
〈溶劑〉
作為溶劑，可使用選自乙酸異戊酯（沸點：142℃，表面張力：24.6 mN／m）、甲酸正丁酯（沸點：107℃，表面張力：25 mN／m）、甲酸異丁酯（沸點：98.4℃，表面張力：23.7 mN／m）、甲酸正戊酯（沸點：132℃，表面張力：26 mN／m）及甲酸異戊酯（沸點：124℃，表面張力：24.6 mN／m）而成之群組之至少1種。
藉由使用上述溶劑，即使在使用上述具有單體單元（A）及單體單元（B）的聚合物作為正型光阻的情況下，仍可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
其中，就提升所形成之光阻膜的膜厚精確度之觀點而言，作為溶劑，以戊酯系溶劑（乙酸異戊酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯）的單純物或混合物為佳，就無惡臭這點而言，以異戊酯系溶劑（乙酸異戊酯、甲酸異戊酯）的單純物或混合物為較佳，就取得容易這點而言，以乙酸異戊酯為尤佳。
如上所述，溶劑亦可為混合物，但就溶劑的回收及再利用之容易性的觀點而言，以由單一之物質而成的單一溶劑為佳。
《溶劑的沸點》
上述溶劑的沸點，並無特別限制，可視目的適當選擇，但就提升所形成之光阻膜的膜厚精確度之觀點而言，以110℃以上且160℃以下為佳，以120℃以上且150℃以下為較佳。
此外，前述沸點係在1大氣壓下的沸點，係基於溶劑手冊（講談社股份有限公司發行）等所記載之一般文獻值者。
《溶劑的表面張力》
上述溶劑的表面張力，並無特別限制，可視目的適當選擇，但就提升光阻組成物之對基板的可濕性，以及提升所形成之光阻膜的膜厚精確度之觀點而言，以32 mN／m以下為佳，就獲得適當之黏度的正型光阻溶液而提升正型光阻溶液的塗布性之觀點而言，以29 mN／m以下為較佳。
此外，前述表面張力係依循懸滴法，在溫度23℃下，使用Drop Master700（協和界面科學股份有限公司製）而量測之值。
（光阻膜形成方法）
本發明之光阻膜形成方法，係使用本發明之正型光阻組成物以形成光阻膜的光阻膜形成方法，包含：將前述正型光阻組成物塗布於被加工物上的塗布工序，與以滿足下述式（1）（在於圖1圖表中之直線P與直線U之間的區域內）之溫度T（℃）及時間t（分鐘），將前述經塗布之正型光阻組成物加熱的預烘烤工序。 （－1／4）×T＋32.5≦t≦（－1／4）×T＋55 ・・・（1） 其中，t＞0
〈塗布工序〉
在塗布工序中，於利用光阻圖案加工的基板等被加工物之上，塗布上述正型光阻組成物。塗布方法並無特別受限，可藉由已知的塗布方法進行。
此外，作為正型光阻組成物所塗布之被加工物，可為基板，或者，亦可為於基板上形成遮光層的「空白光罩」。
〈預烘烤工序〉
在預烘烤工序中，加熱已塗布之正型光阻組成物（預烘烤）以形成光阻膜。
於此，加熱（預烘烤）係以滿足下述式（1）之溫度T（℃）及時間t（分鐘）進行。於此，所謂溫度T（℃）及時間t（分鐘）滿足下述式（1），意謂「在圖1之圖表中，溫度T（℃）及時間t（分鐘）存於直線P與直線U之間」。藉此，可提升光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。 （－1／4）×T＋32.5≦t≦（－1／4）×T＋55 ・・・（1）
再者，溫度T（℃）及時間t（分鐘）以滿足下述式（2）為佳，以滿足下述式（3）為較佳，以滿足下述式（4）為尤佳，且以滿足下述式（5）為佳，以滿足下述式（5-2）為較佳，以滿足下述式（6）更為較佳，以滿足下述式（7）為尤佳。 （－1／4）T＋35≦t ・・・（2） （－1／4）T＋37.5≦t ・・・（3） （－1／4）T＋40≦t ・・・（4） t≦（－7／30）T＋142／3 ・・・（5） t≦（－3／10）T＋58 ・・・（5-2） t＜（－7／10）T＋115 ・・・（6） t＜（－8／15）T＋262／3 ・・・（7）
若以滿足上述式（1）及（6）（在圖1之圖表中，溫度T（℃）及時間t（分鐘）存於直線P與直線C之間）的溫度T（℃）及時間t（分鐘）進行預烘烤（加熱），則可藉由在較為低溫側加熱，維持光阻膜與被加工物的密合性，同時確實減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
若以滿足上述式（1）及上述式（7）（在圖1之圖表中，溫度T（℃）及時間t（分鐘）存於直線P與直線A之間）的溫度T（℃）及時間t（分鐘）進行預烘烤（加熱），則可藉由在更較為低溫側加熱，維持光阻膜與被加工物的密合性，同時確實減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
此外，在圖1～3E中的直線A、C、P～U分別揭示於下述式。 直線A：t＝（－8／15）T＋262／3 直線C：t＝（－7／10）T＋115 直線P：t＝（－1／4）T＋32.5 直線Q：t＝（－1／4）T＋35 直線R：t＝（－1／4）T＋37.5 直線S：t＝（－1／4）T＋40 直線T：t＝（－3／10）T＋58 直線T2：t＝（－7／30）T＋142／3 直線U：t＝（－1／4）T＋55
再者，溫度T（℃），就經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性之觀點而言，以110℃以上為佳，以115℃以上為較佳，以120℃以上更為較佳，並且，就減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化之觀點而言，以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。時間t（分鐘），就經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性之觀點而言，以1分鐘以上為佳，以3分鐘以上為較佳，以5分鐘以上更為較佳，且就減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化之觀點而言，以30分鐘以下為佳，以10分鐘以下為較佳。
以下說明關於在預烘烤工序中之加熱後之聚合物的性狀，亦即，聚合物的「重量平均分子量（Mw）」、「數量平均分子量（Mn）」及「分子量分布（Mw／Mn）」。
［重量平均分子量］
而且，在藉由使用本發明之正型光阻組成物的光阻膜形成方法所形成之光阻膜（亦即，經預烘烤工序而形成之光阻膜）中之聚合物的重量平均分子量（Mw），可定為例如45900以上且59000以下。進言之，在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的重量平均分子量（Mw），以52000以下為佳，且以46500以上為佳。若在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的重量平均分子量（Mw）為上述上限值以下（未達），則可提升光阻膜的靈敏度。並且，若在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的重量平均分子量（Mw）為上述下限值以上，則可防止對顯影液的溶解。
［數量平均分子量］
並且，在藉由使用本發明之正型光阻組成物的光阻膜形成方法所形成之光阻膜（亦即，經預烘烤工序而形成之光阻膜）中之聚合物的數量平均分子量（Mn），可定為例如34400以上且43500以下。進言之，在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的數量平均分子量（Mn），以41600以下為佳，且以36500以上為較佳。若在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的數量平均分子量（Mn）為上述上限值以下（未達），則可提升光阻膜的靈敏度。並且，若在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物的數量平均分子量（Mn）為上述下限值以上，則可防止對顯影液的溶解。
［分子量分布］
而且，在藉由使用本發明之正型光阻組成物的光阻膜形成方法所形成之光阻膜（亦即，經預烘烤工序而形成之光阻膜）中之聚合物分子量分布（Mw／Mn）可定為例如1.50以下。進言之，在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物分子量分布（Mw／Mn），以1.28以上為佳，以1.30以上為較佳，且以1.45以下為佳，以1.40以下為較佳。若在經預烘烤工序而形成之光阻膜中之聚合物分子量分布（Mw／Mn）為上述下限值以上，則可縮短預烘烤時間。若聚合物分子量分布（Mw／Mn）為上述上限值以下，則可在圖案化時獲得清晰的圖案。
因在預烘烤工序中的加熱所致之聚合物之重量平均分子量的維持率（在預烘烤工序中的加熱後之聚合物的重量平均分子量／在預烘烤工序中的加熱前之聚合物的重量平均分子量），以95.7%以上為佳，以96.0%以上為較佳，以97.0%以上為尤佳，以做成99.0%以上為最佳。
〈光阻圖案形成方法〉
光阻圖案形成方法以包含：（1）使用上述光阻膜形成方法形成光阻膜的工序、（2）將光阻膜曝光的工序與（3）將經曝光之光阻膜顯影的工序為佳。
《曝光工序》
在上述工序（2）中，對光阻膜照射游離輻射或光線描繪期望的圖案。此外，在游離輻射或光線之照射方面，可使用電子束描繪裝置或雷射描繪裝置等已知的描繪裝置。
《顯影工序》
在上述工序（3）中，使已描寫上圖案之光阻膜與顯影液接觸以將光阻膜顯影，而於被加工物上形成光阻圖案。於此，使光阻膜與顯影液接觸的方法，並無特別受限，可使用將光阻膜浸漬於顯影液中或將顯影液塗布於光阻膜等已知的手法。然後，以淋洗液任意淋洗已顯影之光阻膜。
尤其，作為顯影液及淋洗液，可使用例如：包含CF3 CFHCFHCF2 CF3 、CF3 CF2 CHCl2 、CClF2 CF2 CHClF、CF3 CF2 CF2 CF2 OCH3 及C8 F18 之氟碳化物等氟系溶劑；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇（異丙醇）等醇類；乙酸戊酯、乙酸己酯等具有烷基的乙酸酯；氟系溶劑與醇類的混合物；氟系溶劑與具有烷基之乙酸酯的混合物；醇類與具有烷基之乙酸酯的混合物；氟系溶劑與醇類與具有烷基之乙酸酯的混合物；等。顯影液及淋洗液之組合，考慮由上述聚合物而成之光阻的溶解性等，舉例而言，可將光阻溶解性較高的溶劑作為顯影液，將光阻溶解性較低的溶劑作為淋洗液。並且，在選定顯影液時，以選擇不會溶解實施上述工序（2）前之光阻膜的顯影液為佳。再者，在選定淋洗液時，以選擇易與顯影液混合的淋洗液，而使其與顯影液之取代變得容易為佳。
（堆疊體的製造方法）
本發明之堆疊體的製造方法係製造具備基板、於該基板上形成之遮光層與於該遮光層上形成之光阻膜的堆疊體之堆疊體的製造方法，其中藉由本發明之光阻膜形成方法形成前述光阻膜。
〈基板〉
作為基板，通常使用透明基板。作為基板的材質，可列舉例如：石英、玻璃等透明材料。此等可使用單獨1種，亦可併用2種以上。此等之中，就透明性及耐候性的觀點而言以石英為佳。
基板以具有穿透90%～95%之200 nm以上且300 nm以下之波長的光線之程度的透明性為佳。
基板的厚度以0.5 mm以上為佳，以1.0 mm以上為較佳，且以20 mm以下為佳，以15 mm以下為較佳。
〈遮光層〉
作為遮光層，可使用任意遮光層。其中，作為遮光層，以具備金屬層之單層結構或多層結構的遮光層為佳。此外，作為得構成遮光層之金屬層以外之層體的材質，可列舉：聚丙烯、聚環烯烴、聚氯乙烯等。
作為金屬層的材質，可列舉例如：鉻、矽、氧化鐵、矽化鉬等。此等可使用單獨1種，亦可併用2種以上。此等之中，就遮光性的觀點而言以鉻為佳。
遮光層的厚度以5 nm以上為佳，以10 nm以上為較佳，且以200 nm以下為佳，以100 nm以下為較佳。
〈光阻膜〉
光阻膜係藉由本發明之光阻膜形成方法所形成。藉此，可提升光阻膜與遮光層的密合性，同時可抑制在光阻膜中之聚合物分子量的減低。
光阻膜的厚度，以20 nm以上為佳，以30 nm以上為較佳，且以200 nm以下為佳，以100 nm以下為較佳。
『實施例』
以下基於實施例以具體說明本發明，但本發明並非受限於此等實施例者。此外，於以下之說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係為質量基準。
並且，在圖2A～3E中，「圈記號」表示後述（ii）「在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率」及（iii）「經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性」皆為良好，「叉記號」表示（ii）「在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率」及（iii）「經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性」之任一者不良，「圈記號」及「叉記號」之箭號所附帶的「數值」表示實驗例編號。
而且，在實驗例1-1～12-25中，（i）「重量平均分子量、數量平均分子量及分子量分布」、（ii）「在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率」及（iii）「經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性」分別以下述方法量測及評價。
〈重量平均分子量、數量平均分子量及分子量分布〉
關於量測對象之聚合物，使用凝膠滲透層析法量測重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn），並算出分子量分布（Mw／Mn）。
具體而言，使用凝膠滲透層析法（TOSOH製，HLC-8220），並使用四氫呋喃作為展開溶劑，求出量測對象之聚合物的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）作為聚苯乙烯換算值。然後，算出分子量分布（Mw／Mn）。
〈在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率〉
算出在將使用於正型光阻組成物之製備的聚合物之重量平均分子量定為100%時，在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的比例（%），並遵循以下基準，評價在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率。 A：在將使用於正型光阻組成物之製備的聚合物之重量平均分子量定為100%時，於經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的比例為95.7%以上（維持率大故良好） B：在將使用於正型光阻組成物之製備的聚合物之重量平均分子量定為100%時，於經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的比例為未達95.7%（維持率小）
〈經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性〉
觀察有無已形成之光阻圖案的剝離，並遵循以下基準，評價光阻膜與被加工物的密合性。 A：無光阻圖案的剝離（密合性良好） B：有光阻圖案的剝離（密合性低）
『實施例1』
（實驗例1-1）
〈聚合物（F5）的製備〉
將包含作為單體（a）之α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯（ACAPFP）3.0 g及作為單體（b）之α-甲基苯乙烯（AMS）3.4764 g、作為聚合起始劑之偶氮雙異丁腈0.0055 g，與作為溶劑之環戊酮1.6205 g的單體組成物置入玻璃容器，並將玻璃容器密閉及進行氮氣取代，在氮氣環境下、78℃的恆溫槽內攪拌6小時。之後，回到室溫，並在將玻璃容器內開放大氣後，於所獲得之溶液中加入四氫呋喃（THF）10 g。然後，將已加入THF的溶液滴入甲醇300 g中，使聚合物析出。之後，藉由桐山漏斗過濾包含已析出之聚合物的溶液，獲得白色固體（聚合物）。隨後，使所獲得之聚合物（crude）溶解於100 g的THF，並將所獲得之溶液滴入THF 100 g與甲醇（MeOH）900 g的混合溶劑，以使白色固體（含有α-甲基苯乙烯單元及α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯單元的聚合物）析出。之後，藉由桐山漏斗過濾包含已析出之聚合物的溶液，獲得白色聚合物。此外，所獲得之聚合物包含α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯單元50 mol%、α-甲基苯乙烯單元50 mol%。
然後，針對所獲得之聚合物，量測重量平均分子量、數量平均分子量及分子量分布。所量測之重量平均分子量及分子量分布揭示於下文。
〈正型光阻組成物的製備〉
使所獲得之聚合物溶解於作為溶劑的乙酸異戊酯，製備聚合物的濃度為4質量%的光阻溶液（正型光阻組成物）。
〈光阻圖案的形成〉
使用旋轉塗布機（MIKASA製，MS-A150），將正型光阻組成物塗布於直徑4吋的空白光罩（於石英基板（厚度：1.0 mm）上形成鉻層（厚度：10 nm）者）上。隨後，將已塗布之正型光阻組成物以溫度120℃的加熱板加熱10分鐘（預烘烤工序），於空白光罩上形成厚度50 nm的光阻膜。然後，針對在所獲得之光阻膜中的聚合物，使用凝膠滲透層析法量測重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn），並算出分子量分布（Mw／Mn）。並且，使用電子束描繪裝置（ELIONIX公司製，ELS-S50），將光阻膜以最佳曝光量（Eop ）曝光，描繪圖案。之後，使用氟系溶劑（Mitsui Dupont Fluorochemicals股份有限公司製，Vertrel XF（註冊商標），CF3 CFHCFHCF2 CF3 ）作為光阻用顯影液，在溫度23℃下進行1分鐘的顯影處理之後，以作為淋洗液的氟系溶劑（Mitsui Dupont Fluorochemicals公司製，Vertrel（CF3 CFHCFHCF2 CF3 ））淋洗10秒鐘，形成光阻圖案。然後，評價經預烘烤工序而形成之光阻膜與空白光罩的密合性。此外，適當設定最佳曝光量（Eop ）。並且，將光阻圖案的線寬（未曝光區域）與間距（曝光區域）分別做成20 nm。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖2A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51581、分子量分布：1.400 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例1-2～1-21）
除了在實驗例1-1中，分別以在130℃下7.5分鐘（實驗例1-2）、在130℃下10分鐘（實驗例1-3）、在140℃下5分鐘（實驗例1-4）、在140℃下7.5分鐘（實驗例1-5）、在140℃下10分鐘（實驗例1-6）、在150℃下3分鐘（實驗例1-7）、在150℃下5分鐘（實驗例1-8）、在150℃下7.5分鐘（實驗例1-9）、在150℃下10分鐘（實驗例1-10）、在160℃下1分鐘（實驗例1-11）、在160℃下3分鐘（實驗例1-12）、在160℃下5分鐘（實驗例1-13）、在160℃下7.5分鐘（實驗例1-14）、在160℃下10分鐘（實驗例1-15）、在170℃下1分鐘（實驗例1-16）、在170℃下3分鐘（實驗例1-17）、在170℃下5分鐘（實驗例1-18）、在180℃下1分鐘（實驗例1-19）、在180℃下3分鐘（實驗例1-20）、在190℃下1分鐘（實驗例1-21）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例1-2～1-21） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：50877、分子量分布：1.406（實驗例1-2） 重量平均分子量：50722、分子量分布：1.402（實驗例1-3） 重量平均分子量：50810、分子量分布：1.404（實驗例1-4） 重量平均分子量：50462、分子量分布：1.407（實驗例1-5） 重量平均分子量：50411、分子量分布：1.410（實驗例1-6） 重量平均分子量：50914、分子量分布：1.401（實驗例1-7） 重量平均分子量：50974、分子量分布：1.412（實驗例1-8） 重量平均分子量：50682、分子量分布：1.436（實驗例1-9） 重量平均分子量：50509、分子量分布：1.432（實驗例1-10） 重量平均分子量：51106、分子量分布：1.403（實驗例1-11） 重量平均分子量：50679、分子量分布：1.413（實驗例1-12） 重量平均分子量：50532、分子量分布：1.414（實驗例1-13） 重量平均分子量：50279、分子量分布：1.417（實驗例1-14） 重量平均分子量：50307、分子量分布：1.416（實驗例1-15） 重量平均分子量：51106、分子量分布：1.403（實驗例1-16） 重量平均分子量：49767、分子量分布：1.418（實驗例1-17） 重量平均分子量：50448、分子量分布：1.415（實驗例1-18） 重量平均分子量：51106、分子量分布：1.403（實驗例1-19） 重量平均分子量：50246、分子量分布：1.417（實驗例1-20） 重量平均分子量：51106、分子量分布：1.403（實驗例1-21） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-2） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-3） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-4） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-5） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-6） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-7） 維持率：98.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-8） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-9） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-11） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-12） 維持率：98.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-13） 維持率：97.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-14） 維持率：97.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-16） 維持率：96.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-17） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-18） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-19） 維持率：97.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-21） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例1-2～1-21）
（實驗例1-22～1-26）
除了在實驗例1-1中，分別以在110℃下10分鐘（實驗例1-22）、在120℃下7.5分鐘（實驗例1-23）、在130℃下5分鐘（實驗例1-24）、在140℃下3分鐘（實驗例1-25）、在150℃下1分鐘（實驗例1-26）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例1-22～1-26） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51068、分子量分布：1.400（實驗例1-22） 重量平均分子量：51584、分子量分布：1.400（實驗例1-23） 重量平均分子量：50668、分子量分布：1.404（實驗例1-24） 重量平均分子量：50120、分子量分布：1.400（實驗例1-25） 重量平均分子量：51106、分子量分布：1.403（實驗例1-26） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-22） 維持率：100.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-23） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-24） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-25） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例1-26） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例1-22～1-26）
（實驗例1-27～1-30）
除了在實驗例1-1中，分別以在170℃下7.5分鐘（實驗例1-27）、在170℃下10分鐘（實驗例1-28）、在180℃下5分鐘（實驗例1-29）、在190℃下3分鐘（實驗例1-30）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例1-27～1-30） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48993、分子量分布：1.437（實驗例1-27） 重量平均分子量：48632、分子量分布：1.452（實驗例1-28） 重量平均分子量：48821、分子量分布：1.413（實驗例1-29） 重量平均分子量：48400、分子量分布：1.437（實驗例1-30） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.1%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例1-27） 維持率：94.4%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例1-28） 維持率：94.8%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例1-29） 維持率：93.9%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例1-30） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例1-27～1-30）
『實施例2』
（實驗例2-1）
〈聚合物（F6）的製備〉
將包含作為單體（a）之α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙酯（ACAPFP）3.0 g及作為單體（b）之4-氟-α-甲基苯乙烯（4FAMS）3.23483 g與作為聚合起始劑之偶氮雙異丁腈0.00521 g的單體組成物置入玻璃容器，並將玻璃容器密閉及進行氮氣取代，在氮氣環境下、78℃的恆溫槽內攪拌6小時。之後，回到室溫，並在將玻璃容器內開放大氣後，於所獲得之溶液中加入四氫呋喃（THF）10 g。然後，將已加入THF的溶液，滴入甲醇300 g中，使聚合物析出。之後，藉由桐山漏斗過濾包含已析出之聚合物的溶液，獲得白色固體（聚合物）。隨後，使所獲得之聚合物（crude）溶解於100 g的THF，並將所獲得之溶液滴入THF 50 g與甲醇（MeOH）950 g的混合溶劑，以使白色固體（含有4-氟-α-甲基苯乙烯單元及α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙基單元的聚合物）析出。之後，藉由桐山漏斗過濾包含已析出之聚合物的溶液，獲得白色聚合物。此外，所獲得之聚合物包含α-氯丙烯酸-2,2,3,3,3-五氟丙基單元50 mol%、4-氟-α-甲基苯乙烯單元50 mol%。
然後，針對所獲得之聚合物，量測重量平均分子量、數量平均分子量及分子量分布。所量測之重量平均分子量及分子量分布揭示於下文。
〈正型光阻組成物的製備〉
使所獲得之聚合物溶解於作為溶劑的乙酸異戊酯，製備係為聚合物的濃度為4質量%的光阻溶液（正型光阻組成物）。
〈光阻圖案的形成〉
使用旋轉塗布機（MIKASA製，MS-A150），將正型光阻組成物塗布於直徑4吋的空白光罩（於石英基板（厚度：1.0 mm）上形成鉻層（厚度：10 nm）者）上。隨後，將已塗布之正型光阻組成物以溫度120℃的加熱板加熱10分鐘（預烘烤工序），於空白光罩上形成厚度50 nm的光阻膜。然後，針對在所獲得之光阻膜中的聚合物，使用凝膠滲透層析法量測重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn），並算出分子量分布（Mw／Mn）。並且，使用電子束描繪裝置（ELIONIX公司製，ELS-S50），將光阻膜以最佳曝光量（Eop ）曝光，描繪圖案。之後，使用氟系溶劑（Mitsui Dupont Fluorochemicals股份有限公司製，Vertrel XF（註冊商標），CF3 CFHCFHCF2 CF3 ）作為光阻用顯影液，在溫度23℃下進行1分鐘的顯影處理之後，以作為淋洗液的氟系溶劑（Mitsui Dupont Fluorochemicals公司製，Vertrel（CF3 CFHCFHCF2 CF3 ））淋洗10秒鐘，形成光阻圖案。然後，評價經預烘烤工序而形成之光阻膜與空白光罩的密合性。此外，適當設定最適曝光量（Eop ）。並且，將光阻圖案的線寬（未曝光區域）與間距（曝光區域）分別做成20 nm。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48511、分子量分布：1.283 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例2-2～2-29）
除了在實驗例2-1中，分別以在130℃下7.5分鐘（實驗例2-2）、在130℃下10分鐘（實驗例2-3）、在140℃下5分鐘（實驗例2-4）、在140℃下7.5分鐘（實驗例2-5）、在140℃下10分鐘（實驗例2-6）、在150℃下3分鐘（實驗例2-7）、在150℃下5分鐘（實驗例2-8）、在150℃下7.5分鐘（實驗例2-9）、在150℃下10分鐘（實驗例2-10）、在160℃下1分鐘（實驗例2-11）、在160℃下3分鐘（實驗例2-12）、在160℃下5分鐘（實驗例2-13）、在160℃下7.5分鐘（實驗例2-14）、在160℃下10分鐘（實驗例2-15）、在170℃下1分鐘（實驗例2-16）、在170℃下3分鐘（實驗例2-17）、在170℃下5分鐘（實驗例2-18）、在170℃下7.5分鐘（實驗例2-19）、在170℃下10分鐘（實驗例2-20）、在180℃下1分鐘（實驗例2-21）、在180℃下3分鐘（實驗例2-22）、在180℃下5分鐘（實驗例2-23）、在180℃下7.5分鐘（實驗例2-24）、在180℃下10分鐘（實驗例2-25）、在190℃下1分鐘（實驗例2-26）、在190℃下3分鐘（實驗例2-27）、在190℃下5分鐘（實驗例2-28）、在190℃下7.5分鐘（實驗例2-29）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例2-2～2-29） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48583、分子量分布：1.285（實驗例2-2） 重量平均分子量：48511、分子量分布：1.282（實驗例2-3） 重量平均分子量：48111、分子量分布：1.283（實驗例2-4） 重量平均分子量：47610、分子量分布：1.285（實驗例2-5） 重量平均分子量：47351、分子量分布：1.284（實驗例2-6） 重量平均分子量：47974、分子量分布：1.288（實驗例2-7） 重量平均分子量：48381、分子量分布：1.285（實驗例2-8） 重量平均分子量：47692、分子量分布：1.288（實驗例2-9） 重量平均分子量：47829、分子量分布：1.291（實驗例2-10） 重量平均分子量：46929、分子量分布：1.284（實驗例2-11） 重量平均分子量：47739、分子量分布：1.282（實驗例2-12） 重量平均分子量：47968、分子量分布：1.288（實驗例2-13） 重量平均分子量：47262、分子量分布：1.292（實驗例2-14） 重量平均分子量：47068、分子量分布：1.300（實驗例2-15） 重量平均分子量：46929、分子量分布：1.284（實驗例2-16） 重量平均分子量：46900、分子量分布：1.284（實驗例2-17） 重量平均分子量：47754、分子量分布：1.293（實驗例2-18） 重量平均分子量：46746、分子量分布：1.302（實驗例2-19） 重量平均分子量：47502、分子量分布：1.313（實驗例2-20） 重量平均分子量：46929、分子量分布：1.284（實驗例2-21） 重量平均分子量：47730、分子量分布：1.291（實驗例2-22） 重量平均分子量：47275、分子量分布：1.301（實驗例2-23） 重量平均分子量：45765、分子量分布：1.318（實驗例2-24） 重量平均分子量：45769、分子量分布：1.317（實驗例2-25） 重量平均分子量：46929、分子量分布：1.284（實驗例2-26） 重量平均分子量：47656、分子量分布：1.299（實驗例2-27） 重量平均分子量：46846、分子量分布：1.306（實驗例2-28） 重量平均分子量：45478、分子量分布：1.318（實驗例2-29） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-2） 維持率：102.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-3） 維持率：101.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-4） 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-5） 維持率：100.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-6） 維持率：101.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-7） 維持率：102.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-8） 維持率：100.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-9） 維持率：101.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-11） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-12） 維持率：101.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-13） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-14） 維持率：99.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-16） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-17） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-18） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-19） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-21） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-22） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-23） 維持率：96.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-24） 維持率：96.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-25） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-26） 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-27） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-28） 維持率：96.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-29） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例2-2～2-29）
（實驗例2-30～2-34）
除了在實驗例2-1中，分別以在110℃下10分鐘（實驗例2-30）、在120℃下7.5分鐘（實驗例2-31）、在130℃下5分鐘（實驗例2-32）、在140℃下3分鐘（實驗例2-33）、在150℃下1分鐘（實驗例2-34）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例2-30～2-34） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48511、分子量分布：1.283（實驗例2-30） 重量平均分子量：48564、分子量分布：1.286（實驗例2-31） 重量平均分子量：47869、分子量分布：1.276（實驗例2-32） 重量平均分子量：47271、分子量分布：1.285（實驗例2-33） 重量平均分子量：46929、分子量分布：1.284（實驗例2-34） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-30） 維持率：102.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-31） 維持率：101.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-32） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-33） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例2-34） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例2-30～2-34）
（實驗例2-35）
除了在實驗例2-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：45087、分子量分布：1.323 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.3%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
『實施例3』
（實驗例3-1）
除了在實驗例1-1中，使用甲酸正丁酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51701、分子量分布：1.400 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例3-2～3-31）
除了在實驗例3-1中，分別以在110℃下7.5分鐘（實驗例3-2）、在110℃下10分鐘（實驗例3-3）、在120℃下5分鐘（實驗例3-4）、在120℃下7.5分鐘（實驗例3-5）、在120℃下10分鐘（實驗例3-6）、在130℃下3分鐘（實驗例3-7）、在130℃下5分鐘（實驗例3-8）、在130℃下7.5分鐘（實驗例3-9）、在130℃下10分鐘（實驗例3-10）、在140℃下1分鐘（實驗例3-11）、在140℃下3分鐘（實驗例3-12）、在140℃下5分鐘（實驗例3-13）、在140℃下7.5分鐘（實驗例3-14）、在140℃下10分鐘（實驗例3-15）、在150℃下1分鐘（實驗例3-16）、在150℃下3分鐘（實驗例3-17）、在150℃下5分鐘（實驗例3-18）、在150℃下7.5分鐘（實驗例3-19）、在150℃下10分鐘（實驗例3-20）、在160℃下1分鐘（實驗例3-21）、在160℃下3分鐘（實驗例3-22）、在160℃下5分鐘（實驗例3-23）、在160℃下7.5分鐘（實驗例3-24）、在160℃下10分鐘（實驗例3-25）、在170℃下1分鐘（實驗例3-26）、在170℃下3分鐘（實驗例3-27）、在170℃下5分鐘（實驗例3-28）、在180℃下1分鐘（實驗例3-29）、在180℃下3分鐘（實驗例3-30）、在190℃下1分鐘（實驗例3-31）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例3-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例3-2～3-31） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51693、分子量分布：1.400（實驗例3-2） 重量平均分子量：51701、分子量分布：1.400（實驗例3-3） 重量平均分子量：51352、分子量分布：1.400（實驗例3-4） 重量平均分子量：51693、分子量分布：1.400（實驗例3-5） 重量平均分子量：51701、分子量分布：1.400（實驗例3-6） 重量平均分子量：50919、分子量分布：1.404（實驗例3-7） 重量平均分子量：50621、分子量分布：1.406（實驗例3-8） 重量平均分子量：50985、分子量分布：1.406（實驗例3-9） 重量平均分子量：50839、分子量分布：1.403（實驗例3-10） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.400（實驗例3-11） 重量平均分子量：50125、分子量分布：1.404（實驗例3-12） 重量平均分子量：50763、分子量分布：1.407（實驗例3-13） 重量平均分子量：50569、分子量分布：1.407（實驗例3-14） 重量平均分子量：50528、分子量分布：1.405（實驗例3-15） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.401（實驗例3-16） 重量平均分子量：50919、分子量分布：1.412（實驗例3-17） 重量平均分子量：50926、分子量分布：1.436（實驗例3-18） 重量平均分子量：50790、分子量分布：1.436（實驗例3-19） 重量平均分子量：50626、分子量分布：1.416（實驗例3-20） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.413（實驗例3-21） 重量平均分子量：50684、分子量分布：1.414（實驗例3-22） 重量平均分子量：50485、分子量分布：1.417（實驗例3-23） 重量平均分子量：50386、分子量分布：1.417（實驗例3-24） 重量平均分子量：50424、分子量分布：1.422（實驗例3-25） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.418（實驗例3-26） 重量平均分子量：49772、分子量分布：1.415（實驗例3-27） 重量平均分子量：50400、分子量分布：1.437（實驗例3-28） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.417（實驗例3-29） 重量平均分子量：50251、分子量分布：1.448（實驗例3-30） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.437（實驗例3-31） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-2） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-3） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-4） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-5） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-6） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-7） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-8） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-9） 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-11） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-12） 維持率：98.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-13） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-14） 維持率：98.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-16） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-17） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-18） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-19） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-21） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-22） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-23） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-24） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-25） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-26） 維持率：96.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-27） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-28） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-29） 維持率：97.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-30） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-31） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例3-2～3-31）
（實驗例3-32～3-36）
除了在實驗例3-1中，分別以在90℃下10分鐘（實驗例3-32）、在100℃下7.5分鐘（實驗例3-33）、在110℃下5分鐘（實驗例3-34）、在120℃下3分鐘（實驗例3-35）、在130℃下1分鐘（實驗例3-36）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例3-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例3-32～3-36） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51701、分子量分布：1.400（實驗例3-32） 重量平均分子量：51693、分子量分布：1.400（實驗例3-33） 重量平均分子量：51352、分子量分布：1.400（實驗例3-34） 重量平均分子量：51185、分子量分布：1.402（實驗例3-35） 重量平均分子量：51125、分子量分布：1.404（實驗例3-36） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-32） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-33） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-34） 維持率：99.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-35） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例3-36） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例3-32～3-36）
（實驗例3-37～3-40）
除了在實驗例3-1中，分別以在170℃下7.5分鐘（實驗例3-37）、在170℃下10分鐘（實驗例3-38）、在180℃下5分鐘（實驗例3-39）、在190℃下3分鐘（實驗例3-40）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例3-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例3-37～3-40） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49097、分子量分布：1.437（實驗例3-37） 重量平均分子量：48745、分子量分布：1.451（實驗例3-38） 重量平均分子量：47836、分子量分布：1.456（實驗例3-39） 重量平均分子量：48405、分子量分布：1.462（實驗例3-40） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.3%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例3-37） 維持率：94.6%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例3-38） 維持率：92.8%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例3-39） 維持率：93.9%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例3-40） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例3-37～3-40）
『實施例4』
（實驗例4-1）
除了在實驗例2-1中，使用甲酸正丁酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3B。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48624、分子量分布：1.283 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例4-2～4-39）
除了在實驗例4-1中，分別以在110℃下7.5分鐘（實驗例4-2）、在110℃下10分鐘（實驗例4-3）、在120℃下5分鐘（實驗例4-4）、在120℃下7.5分鐘（實驗例4-5）、在120℃下10分鐘（實驗例4-6）、在130℃下3分鐘（實驗例4-7）、在130℃下5分鐘（實驗例4-8）、在130℃下7.5分鐘（實驗例4-9）、在130℃下10分鐘（實驗例4-10）、在140℃下1分鐘（實驗例4-11）、在140℃下3分鐘（實驗例4-12）、在140℃下5分鐘（實驗例4-13）、在140℃下7.5分鐘（實驗例4-14）、在140℃下10分鐘（實驗例4-15）、在150℃下1分鐘（實驗例4-16）、在150℃下3分鐘（實驗例4-17）、在150℃下5分鐘（實驗例4-18）、在150℃下7.5分鐘（實驗例4-19）、在150℃下10分鐘（實驗例4-20）、在160℃下1分鐘（實驗例4-21）、在160℃下3分鐘（實驗例4-22）、在160℃下5分鐘（實驗例4-23）、在160℃下7.5分鐘（實驗例4-24）、在160℃下10分鐘（實驗例4-25）、在170℃下1分鐘（實驗例4-26）、在170℃下3分鐘（實驗例4-27）、在170℃下5分鐘（實驗例4-28）、在170℃下7.5分鐘（實驗例4-29）、在170℃下10分鐘（實驗例4-30）、在180℃下1分鐘（實驗例4-31）、在180℃下3分鐘（實驗例4-32）、在180℃下5分鐘（實驗例4-33）、在180℃下7.5分鐘（實驗例4-34）、在180℃下10分鐘（實驗例4-35）、在190℃下1分鐘（實驗例4-36）、在190℃下3分鐘（實驗例4-37）、在190℃下5分鐘（實驗例4-38）、在190℃下7.5分鐘（實驗例4-39）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例4-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例4-2～4-39） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48667、分子量分布：1.286（實驗例4-2） 重量平均分子量：48624、分子量分布：1.283（實驗例4-3） 重量平均分子量：48622、分子量分布：1.288（實驗例4-4） 重量平均分子量：48667、分子量分布：1.286（實驗例4-5） 重量平均分子量：48624、分子量分布：1.283（實驗例4-6） 重量平均分子量：47276、分子量分布：1.289（實驗例4-7） 重量平均分子量：47824、分子量分布：1.276（實驗例4-8） 重量平均分子量：48686、分子量分布：1.285（實驗例4-9） 重量平均分子量：48624、分子量分布：1.282（實驗例4-10） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-11） 重量平均分子量：47276、分子量分布：1.285（實驗例4-12） 重量平均分子量：48066、分子量分布：1.283（實驗例4-13） 重量平均分子量：47711、分子量分布：1.285（實驗例4-14） 重量平均分子量：47461、分子量分布：1.284（實驗例4-15） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-16） 重量平均分子量：47979、分子量分布：1.288（實驗例4-17） 重量平均分子量：48335、分子量分布：1.285（實驗例4-18） 重量平均分子量：47793、分子量分布：1.288（實驗例4-19） 重量平均分子量：47940、分子量分布：1.291（實驗例4-20） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-21） 重量平均分子量：47744、分子量分布：1.282（實驗例4-22） 重量平均分子量：47923、分子量分布：1.288（實驗例4-23） 重量平均分子量：47362、分子量分布：1.292（實驗例4-24） 重量平均分子量：47177、分子量分布：1.300（實驗例4-25） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-26） 重量平均分子量：46905、分子量分布：1.284（實驗例4-27） 重量平均分子量：47709、分子量分布：1.293（實驗例4-28） 重量平均分子量：46845、分子量分布：1.302（實驗例4-29） 重量平均分子量：46610、分子量分布：1.313（實驗例4-30） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-31） 重量平均分子量：47734、分子量分布：1.291（實驗例4-32） 重量平均分子量：47231、分子量分布：1.301（實驗例4-33） 重量平均分子量：45862、分子量分布：1.318（實驗例4-34） 重量平均分子量：45875、分子量分布：1.317（實驗例4-35） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-36） 重量平均分子量：47661、分子量分布：1.299（實驗例4-37） 重量平均分子量：46802、分子量分布：1.306（實驗例4-38） 重量平均分子量：45574、分子量分布：1.318（實驗例4-39） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-2） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-3） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-4） 維持率：102.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-5） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-6） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-7） 維持率：101.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-8） 維持率：102.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-9） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-11） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-12） 維持率：101.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-13） 維持率：100.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-14） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-16） 維持率：101.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-17） 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-18） 維持率：101.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-19） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-21） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-22） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-23） 維持率：100.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-24） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-25） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-26） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-27） 維持率：100.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-28） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-29） 維持率：98.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-30） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-31） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-32） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-33） 維持率：96.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-34） 維持率：97.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-35） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-36） 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-37） 維持率：98.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-38） 維持率：96.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-39） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例4-2～4-39）
（實驗例4-40～實驗例4-44）
除了在實驗例4-1中，分別以在90℃下10分鐘（實驗例4-40）、在100℃下7.5分鐘（實驗例4-41）、在110℃下5分鐘（實驗例4-42）、在120℃下3分鐘（實驗例4-43）、在130℃下1分鐘（實驗例4-44）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例4-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48624、分子量分布：1.283（實驗例4-40） 重量平均分子量：48667、分子量分布：1.286（實驗例4-41） 重量平均分子量：48622、分子量分布：1.288（實驗例4-42） 重量平均分子量：47044、分子量分布：1.285（實驗例4-43） 重量平均分子量：46947、分子量分布：1.284（實驗例4-44） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-40） 維持率：102.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-41） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-42） 維持率：99.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-43） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例4-44） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例4-40～4-44）
（實驗例4-45）
除了在實驗例4-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在100℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例4-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3B。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：45191、分子量分布：1.323 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.5%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
『實施例5』
（實驗例5-1）
除了在實驗例1-1中，使用甲酸異丁酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2C。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖2C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51685、分子量分布：1.400 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例5-2～實驗例5-36）
除了在實驗例5-1中，分別以在100℃下7.5分鐘（實驗例5-2）、在100℃下10分鐘（實驗例5-3）、在110℃下5分鐘（實驗例5-4）、在110℃下7.5分鐘（實驗例5-5）、在110℃下10分鐘（實驗例5-6）、在120℃下3分鐘（實驗例5-7）、在120℃下5分鐘（實驗例5-8）、在120℃下7.5分鐘（實驗例5-9）、在120℃下10分鐘（實驗例5-10）、在130℃下1分鐘（實驗例5-11）、在130℃下3分鐘（實驗例5-12）、在130℃下5分鐘（實驗例5-13）、在130℃下7.5分鐘（實驗例5-14）、在130℃下10分鐘（實驗例5-15）、在140℃下1分鐘（實驗例5-16）、在140℃下3分鐘（實驗例5-17）、在140℃下5分鐘（實驗例5-18）、在140℃下7.5分鐘（實驗例5-19）、在140℃下10分鐘（實驗例5-20）、在150℃下1分鐘（實驗例5-21）、在150℃下3分鐘（實驗例5-22）、在150℃下5分鐘（實驗例5-23）、在150℃下7.5分鐘（實驗例3-24）、在150℃下10分鐘（實驗例5-25）、在160℃下1分鐘（實驗例5-26）、在160℃下3分鐘（實驗例5-27）、在160℃下5分鐘（實驗例5-28）、在160℃下7.5分鐘（實驗例5-29）、在160℃下10分鐘（實驗例5-30）、在170℃下1分鐘（實驗例5-31）、在170℃下3分鐘（實驗例5-32）、在170℃下5分鐘（實驗例5-33）、在180℃下1分鐘（實驗例5-34）、在180℃下3分鐘（實驗例5-35）、在190℃下1分鐘（實驗例5-36）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例5-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例5-2～實驗例5-36） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51745、分子量分布：1.400（實驗例5-2） 重量平均分子量：51745、分子量分布：1.400（實驗例5-3） 重量平均分子量：51284、分子量分布：1.402（實驗例5-4） 重量平均分子量：51745、分子量分布：1.400（實驗例5-5） 重量平均分子量：51685、分子量分布：1.400（實驗例5-6） 重量平均分子量：51082、分子量分布：1.409（實驗例5-7） 重量平均分子量：51284、分子量分布：1.402（實驗例5-8） 重量平均分子量：51745、分子量分布：1.400（實驗例5-9） 重量平均分子量：51685、分子量分布：1.400（實驗例5-10） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-11） 重量平均分子量：50817、分子量分布：1.404（實驗例5-12） 重量平均分子量：50554、分子量分布：1.404（實驗例5-13） 重量平均分子量：51036、分子量分布：1.406（實驗例5-14） 重量平均分子量：50824、分子量分布：1.402（實驗例5-15） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-16） 重量平均分子量：50024、分子量分布：1.400（實驗例5-17） 重量平均分子量：50696、分子量分布：1.404（實驗例5-18） 重量平均分子量：50620、分子量分布：1.407（實驗例5-19） 重量平均分子量：50513、分子量分布：1.410（實驗例5-20） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-21） 重量平均分子量：50817、分子量分布：1.401（實驗例5-22） 重量平均分子量：50859、分子量分布：1.412（實驗例5-23） 重量平均分子量：50841、分子量分布：1.436（實驗例5-24） 重量平均分子量：50611、分子量分布：1.432（實驗例5-25） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-26） 重量平均分子量：50582、分子量分布：1.413（實驗例5-27） 重量平均分子量：50418、分子量分布：1.414（實驗例5-28） 重量平均分子量：50437、分子量分布：1.417（實驗例5-29） 重量平均分子量：50408、分子量分布：1.416（實驗例5-30） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-31） 重量平均分子量：49672、分子量分布：1.418（實驗例5-32） 重量平均分子量：50334、分子量分布：1.415（實驗例5-33） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-34） 重量平均分子量：50150、分子量分布：1.417（實驗例5-35） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-36） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-2） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-3） 維持率：99.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-4） 維持率：100.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-5） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-6） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-7） 維持率：99.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-8） 維持率：100.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-9） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-10） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-11） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-12） 維持率：98.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-13） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-14） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-15） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-16） 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-17） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-18） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-19） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-20） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-21） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-22） 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-23） 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-24） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-25） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-26） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-27） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-28） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-29） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-30） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-31） 維持率：96.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-32） 維持率：97.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-33） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-34） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-35） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-36） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例5-2～實驗例5-36）
（實驗例5-37～5-40）
除了在實驗例5-1中，分別以在90℃下7.5分鐘（實驗例5-37）、在100℃下5分鐘（實驗例5-38）、在110℃下3分鐘（實驗例5-39）、在120℃下1分鐘（實驗例5-40）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例5-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例5-37～5-40） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51745、分子量分布：1.400（實驗例5-37） 重量平均分子量：51284、分子量分布：1.402（實驗例5-38） 重量平均分子量：51082、分子量分布：1.409（實驗例5-39） 重量平均分子量：51007、分子量分布：1.403（實驗例5-40） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-37） 維持率：99.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-38） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-39） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例5-40） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例5-37～5-40）
（實驗例5-41～5-44）
除了在實驗例5-1中，分別以在170℃下7.5分鐘（實驗例5-41）、在170℃下10分鐘（實驗例5-42）、在180℃下5分鐘（實驗例5-43）、在190℃下3分鐘（實驗例5-44）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例5-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例5-41～實驗例5-44） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49012、分子量分布：1.441（實驗例5-41） 重量平均分子量：48023、分子量分布：1.454（實驗例5-42） 重量平均分子量：48121、分子量分布：1.435（實驗例5-43） 重量平均分子量：48307、分子量分布：1.437（實驗例5-44） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.1%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例5-41） 維持率：93.2%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例5-42） 維持率：93.4%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例5-43） 維持率：93.8%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例5-44） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例5-41～實驗例5-44）
『實施例6』
（實驗例6-1）
除了在實驗例2-1中，使用甲酸異丁酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3C。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48980、分子量分布：1.283 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：103.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例6-2～6-44）
除了在實驗例6-1中，分別以在100℃下7.5分鐘（實驗例6-2）、在100℃下10分鐘（實驗例6-3）、在110℃下5分鐘（實驗例6-4）、在110℃下7.5分鐘（實驗例6-5）、在110℃下10分鐘（實驗例6-6）、在120℃下3分鐘（實驗例6-7）、在120℃下5分鐘（實驗例6-8）、在120℃下7.5分鐘（實驗例6-9）、在120℃下10分鐘（實驗例6-10）、在130℃下1分鐘（實驗例6-11）、在130℃下3分鐘（實驗例6-12）、在130℃下5分鐘（實驗例6-13）、在130℃下7.5分鐘（實驗例6-14）、在130℃下10分鐘（實驗例6-15）、在140℃下1分鐘（實驗例6-16）、在140℃下3分鐘（實驗例6-17）、在140℃下5分鐘（實驗例6-18）、在140℃下7.5分鐘（實驗例6-19）、在140℃下10分鐘（實驗例6-20）、在150℃下1分鐘（實驗例6-21）、在150℃下3分鐘（實驗例6-22）、在150℃下5分鐘（實驗例6-23）、在150℃下7.5分鐘（實驗例6-24）、在150℃下10分鐘（實驗例6-25）、在160℃下1分鐘（實驗例6-26）、在160℃下3分鐘（實驗例6-27）、在160℃下5分鐘（實驗例6-28）、在160℃下7.5分鐘（實驗例6-29）、在160℃下10分鐘（實驗例6-30）、在170℃下1分鐘（實驗例6-31）、在170℃下3分鐘（實驗例6-32）、在170℃下5分鐘（實驗例6-33）、在170℃下7.5分鐘（實驗例6-34）、在170℃下10分鐘（實驗例6-35）、在180℃下1分鐘（實驗例6-36）、在180℃下3分鐘（實驗例6-37）、在180℃下5分鐘（實驗例6-38）、在180℃下7.5分鐘（實驗例6-39）、在180℃下10分鐘（實驗例6-40）、在190℃下1分鐘（實驗例6-41）、在190℃下3分鐘（實驗例6-42）、在190℃下5分鐘（實驗例6-43）、在190℃下7.5分鐘（實驗例6-44）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例6-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例6-2～6-44） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49001、分子量分布：1.283（實驗例6-2） 重量平均分子量：48980、分子量分布：1.283（實驗例6-3） 重量平均分子量：49055、分子量分布：1.286（實驗例6-4） 重量平均分子量：49001、分子量分布：1.283（實驗例6-5） 重量平均分子量：48980、分子量分布：1.283（實驗例6-6） 重量平均分子量：48999、分子量分布：1.288（實驗例6-7） 重量平均分子量：49055、分子量分布：1.286（實驗例6-8） 重量平均分子量：49001、分子量分布：1.283（實驗例6-9） 重量平均分子量：48980、分子量分布：1.283（實驗例6-10） 重量平均分子量：47547、分子量分布：1.289（實驗例6-11） 重量平均分子量：48195、分子量分布：1.276（實驗例6-12） 重量平均分子量：49074、分子量分布：1.285（實驗例6-13） 重量平均分子量：49001、分子量分布：1.282（實驗例6-14） 重量平均分子量：48552、分子量分布：1.284（實驗例6-15） 重量平均分子量：47547、分子量分布：1.285（實驗例6-16） 重量平均分子量：48438、分子量分布：1.283（實驗例6-17） 重量平均分子量：48091、分子量分布：1.285（實驗例6-18） 重量平均分子量：47829、分子量分布：1.284（實驗例6-19） 重量平均分子量：47664、分子量分布：1.285（實驗例6-20） 重量平均分子量：48254、分子量分布：1.288（實驗例6-21） 重量平均分子量：48710、分子量分布：1.285（實驗例6-22） 重量平均分子量：48174、分子量分布：1.288（實驗例6-23） 重量平均分子量：48312、分子量分布：1.291（實驗例6-24） 重量平均分子量：48317、分子量分布：1.289（實驗例6-25） 重量平均分子量：48018、分子量分布：1.282（實驗例6-26） 重量平均分子量：48294、分子量分布：1.288（實驗例6-27） 重量平均分子量：47739、分子量分布：1.292（實驗例6-28） 重量平均分子量：47543、分子量分布：1.300（實驗例6-29） 重量平均分子量：47127、分子量分布：1.299（實驗例6-30） 重量平均分子量：47174、分子量分布：1.284（實驗例6-31） 重量平均分子量：48079、分子量分布：1.293（實驗例6-32） 重量平均分子量：47218、分子量分布：1.302（實驗例6-33） 重量平均分子量：46972、分子量分布：1.313（實驗例6-34） 重量平均分子量：46546、分子量分布：1.310（實驗例6-35） 重量平均分子量：48008、分子量分布：1.291（實驗例6-36） 重量平均分子量：47597、分子量分布：1.301（實驗例6-37） 重量平均分子量：46227、分子量分布：1.318（實驗例6-38） 重量平均分子量：46231、分子量分布：1.317（實驗例6-39） 重量平均分子量：46266、分子量分布：1.322（實驗例6-40） 重量平均分子量：47934、分子量分布：1.299（實驗例6-41） 重量平均分子量：47165、分子量分布：1.306（實驗例6-42） 重量平均分子量：45937、分子量分布：1.318（實驗例6-43） 重量平均分子量：45743、分子量分布：1.329（實驗例6-44） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-2） 維持率：103.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-3） 維持率：103.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-4） 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-5） 維持率：103.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-6） 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-7） 維持率：103.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-8） 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-9） 維持率：103.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-10） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-11） 維持率：101.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-12） 維持率：103.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-13） 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-14） 維持率：102.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-15） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-16） 維持率：102.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-17） 維持率：101.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-18） 維持率：101.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-19） 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-20） 維持率：102.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-21） 維持率：103.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-22） 維持率：101.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-23） 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-24） 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-25） 維持率：101.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-26） 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-27） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-28） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-29） 維持率：99.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-30） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-31） 維持率：101.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-32） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-33） 維持率：99.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-34） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-35） 維持率：101.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-36） 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-37） 維持率：97.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-38） 維持率：97.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-39） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-40） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-41） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-42） 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-43） 維持率：96.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-44） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例6-2～6-44）
（實驗例6-45～6-48）
除了在實驗例6-1中，分別以在90℃下7.5分鐘（實驗例6-45）、在100℃下5分鐘（實驗例6-46）、在110℃下3分鐘（實驗例6-47）、在120℃下1分鐘（實驗例6-48）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例6-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例6-45～6-48） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49001、分子量分布：1.283（實驗例6-45） 重量平均分子量：49055、分子量分布：1.286（實驗例6-46） 重量平均分子量：48999、分子量分布：1.288（實驗例6-47） 重量平均分子量：47314、分子量分布：1.285（實驗例6-48） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-45） 維持率：103.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-46） 維持率：103.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-47） 維持率：100.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例6-48） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例6-45～6-48）
（實驗例6-49）
除了在實驗例6-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在90℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例6-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3C。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：44504、分子量分布：1.347 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：94.1%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
『實施例7』
（實驗例7-1）
除了在實驗例1-1中，使用甲酸正戊酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2D。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖2D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51690、分子量分布：1.400 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例7-2～7-26）
除了在實驗例7-1中，分別以在120℃下7.5分鐘（實驗例7-2）、在120℃下10分鐘（實驗例7-3）、在130℃下5分鐘（實驗例7-4）、在130℃下7.5分鐘（實驗例7-5）、在130℃下10分鐘（實驗例7-6）、在140℃下3分鐘（實驗例7-7）、在140℃下5分鐘（實驗例7-8）、在140℃下7.5分鐘（實驗例7-9）、在140℃下10分鐘（實驗例7-10）、在150℃下1分鐘（實驗例7-11）、在150℃下3分鐘（實驗例7-12）、在150℃下5分鐘（實驗例7-13）、在150℃下7.5分鐘（實驗例7-14）、在150℃下10分鐘（實驗例7-15）、在160℃下1分鐘（實驗例7-16）、在160℃下3分鐘（實驗例7-17）、在160℃下5分鐘（實驗例7-18）、在160℃下7.5分鐘（實驗例7-19）、在160℃下10分鐘（實驗例7-20）、在170℃下1分鐘（實驗例7-21）、在170℃下3分鐘（實驗例7-22）、在170℃下5分鐘（實驗例7-23）、在180℃下1分鐘（實驗例7-24）、在180℃下3分鐘（實驗例7-25）、在190℃下1分鐘（實驗例7-26）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例7-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例7-2～7-26） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51808、分子量分布：1.400（實驗例7-2） 重量平均分子量：51690、分子量分布：1.400（實驗例7-3） 重量平均分子量：50620、分子量分布：1.404（實驗例7-4） 重量平均分子量：51098、分子量分布：1.406（實驗例7-5） 重量平均分子量：50829、分子量分布：1.402（實驗例7-6） 重量平均分子量：50014、分子量分布：1.400（實驗例7-7） 重量平均分子量：50762、分子量分布：1.404（實驗例7-8） 重量平均分子量：50681、分子量分布：1.407（實驗例7-9） 重量平均分子量：50518、分子量分布：1.410（實驗例7-10） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-11） 重量平均分子量：50806、分子量分布：1.401（實驗例7-12） 重量平均分子量：50926、分子量分布：1.412（實驗例7-13） 重量平均分子量：50902、分子量分布：1.436（實驗例7-14） 重量平均分子量：50616、分子量分布：1.432（實驗例7-15） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-16） 重量平均分子量：50572、分子量分布：1.413（實驗例7-17） 重量平均分子量：50484、分子量分布：1.414（實驗例7-18） 重量平均分子量：50498、分子量分布：1.417（實驗例7-19） 重量平均分子量：50414、分子量分布：1.416（實驗例7-20） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-21） 重量平均分子量：49662、分子量分布：1.418（實驗例7-22） 重量平均分子量：50400、分子量分布：1.415（實驗例7-23） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-24） 重量平均分子量：50140、分子量分布：1.417（實驗例7-25） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-26） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-2） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-3） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-4） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-5） 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-6） 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-7） 維持率：98.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-8） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-9） 維持率：98.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-10） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-11） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-12） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-13） 維持率：98.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-14） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-15） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-16） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-17） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-18） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-19） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-20） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-21） 維持率：96.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-22） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-23） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-24） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-25） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-26） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例7-2～7-26）
（實驗例7-27～7-31）
除了在實驗例7-1中，分別以在100℃下10分鐘（實驗例7-27）、在110℃下7.5分鐘（實驗例7-28）、在120℃下5分鐘（實驗例7-29）、在130℃下3分鐘（實驗例7-30）、在140℃下1分鐘（實驗例7-31）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例7-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例7-27～7-31） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51690、分子量分布：1.400（實驗例7-27） 重量平均分子量：51808、分子量分布：1.400（實驗例7-28） 重量平均分子量：51352、分子量分布：1.402（實驗例7-29） 重量平均分子量：50806、分子量分布：1.404（實驗例7-30） 重量平均分子量：51429、分子量分布：1.403（實驗例7-31） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-27） 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-28） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-29） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-30） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例7-31） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例7-27～7-31）
（實驗例7-32～7-35）
除了在實驗例7-1中，分別以在170℃下7.5分鐘（實驗例7-32）、在170℃下10分鐘（實驗例7-33）、在180℃下5分鐘（實驗例7-34）、在190℃下3分鐘（實驗例7-35）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例7-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例7-32～7-35） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49206、分子量分布：1.437（實驗例7-32） 重量平均分子量：48735、分子量分布：1.452（實驗例7-33） 重量平均分子量：47836、分子量分布：1.448（實驗例7-34） 重量平均分子量：48297、分子量分布：1.437（實驗例7-35） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.5%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例7-32） 維持率：94.6%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例7-33） 維持率：92.8%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例7-34） 維持率：93.7%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例7-35） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例7-32～7-35）
『實施例8』
（實驗例8-1）
除了在實驗例2-1中，使用甲酸正戊酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3D。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48614、分子量分布：1.283 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例8-2～8-34）
除了在實驗例8-1中，分別以在120℃下7.5分鐘（實驗例8-2）、在120℃下10分鐘（實驗例8-3）、在130℃下5分鐘（實驗例8-4）、在130℃下7.5分鐘（實驗例8-5）、在130℃下10分鐘（實驗例8-6）、在140℃下3分鐘（實驗例8-7）、在140℃下5分鐘（實驗例8-8）、在140℃下7.5分鐘（實驗例8-9）、在140℃下10分鐘（實驗例8-10）、在150℃下1分鐘（實驗例8-11）、在150℃下3分鐘（實驗例8-12）、在150℃下5分鐘（實驗例8-13）、在150℃下7.5分鐘（實驗例8-14）、在150℃下10分鐘（實驗例8-15）、在160℃下1分鐘（實驗例8-16）、在160℃下3分鐘（實驗例8-17）、在160℃下5分鐘（實驗例8-18）、在160℃下7.5分鐘（實驗例8-19）、在160℃下10分鐘（實驗例8-20）、在170℃下1分鐘（實驗例8-21）、在170℃下3分鐘（實驗例8-22）、在170℃下5分鐘（實驗例8-23）、在170℃下7.5分鐘（實驗例8-24）、在170℃下10分鐘（實驗例8-25）、在180℃下1分鐘（實驗例8-26）、在180℃下3分鐘（實驗例8-27）、在180℃下5分鐘（實驗例8-28）、在180℃下7.5分鐘（實驗例8-29）、在180℃下10分鐘（實驗例8-30）、在190℃下1分鐘（實驗例8-31）、在190℃下3分鐘（實驗例8-32）、在190℃下5分鐘（實驗例8-33）、在190℃下7.5分鐘（實驗例8-34）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例8-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例8-2～8-34） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48775、分子量分布：1.286（實驗例8-2） 重量平均分子量：48614、分子量分布：1.283（實驗例8-3） 重量平均分子量：47824、分子量分布：1.285（實驗例8-4） 重量平均分子量：48794、分子量分布：1.285（實驗例8-5） 重量平均分子量：48614、分子量分布：1.284（實驗例8-6） 重量平均分子量：47171、分子量分布：1.283（實驗例8-7） 重量平均分子量：48065、分子量分布：1.285（實驗例8-8） 重量平均分子量：47817、分子量分布：1.285（實驗例8-9） 重量平均分子量：47451、分子量分布：1.285（實驗例8-10） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.288（實驗例8-11） 重量平均分子量：47873、分子量分布：1.285（實驗例8-12） 重量平均分子量：48335、分子量分布：1.288（實驗例8-13） 重量平均分子量：47899、分子量分布：1.288（實驗例8-14） 重量平均分子量：47930、分子量分布：1.289（實驗例8-15） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.282（實驗例8-16） 重量平均分子量：47639、分子量分布：1.288（實驗例8-17） 重量平均分子量：47922、分子量分布：1.292（實驗例8-18） 重量平均分子量：47467、分子量分布：1.292（實驗例8-19） 重量平均分子量：47167、分子量分布：1.299（實驗例8-20） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.284（實驗例8-21） 重量平均分子量：46801、分子量分布：1.293（實驗例8-22） 重量平均分子量：47709、分子量分布：1.302（實驗例8-23） 重量平均分子量：46949、分子量分布：1.302（實驗例8-24） 重量平均分子量：46601、分子量分布：1.310（實驗例8-25） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.291（實驗例8-26） 重量平均分子量：47629、分子量分布：1.301（實驗例8-27） 重量平均分子量：47231、分子量分布：1.318（實驗例8-28） 重量平均分子量：45964、分子量分布：1.318（實驗例8-29） 重量平均分子量：45866、分子量分布：1.314（實驗例8-30） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.299（實驗例8-31） 重量平均分子量：47555、分子量分布：1.306（實驗例8-32） 重量平均分子量：46802、分子量分布：1.318（實驗例8-33） 重量平均分子量：45675、分子量分布：1.318（實驗例8-34） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：103.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-2） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-3） 維持率：101.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-4） 維持率：103.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-5） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-6） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-7） 維持率：101.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-8） 維持率：101.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-9） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-10） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-11） 維持率：101.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-12） 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-13） 維持率：101.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-14） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-15） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-16） 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-17） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-18） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-19） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-20） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-21） 維持率：98.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-22） 維持率：100.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-23） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-24） 維持率：98.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-25） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-26） 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-27） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-28） 維持率：97.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-29） 維持率：96.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-30） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-31） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-32） 維持率：98.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-33） 維持率：96.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-34） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例8-2～8-34）
（實驗例8-35～8-39）
除了在實驗例8-1中，分別以在100℃下10分鐘（實驗例8-35）、在110℃下7.5分鐘（實驗例8-36）、在120℃下5分鐘（實驗例8-37）、在130℃下3分鐘（實驗例8-38）、在140℃下1分鐘（實驗例8-39）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例8-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例8-35～8-39） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48614、分子量分布：1.283（實驗例8-35） 重量平均分子量：48775、分子量分布：1.286（實驗例8-36） 重量平均分子量：48622、分子量分布：1.286（實驗例8-37） 重量平均分子量：47171、分子量分布：1.276（實驗例8-38） 重量平均分子量：47226、分子量分布：1.285（實驗例8-39） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-35） 維持率：103.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-36） 維持率：102.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-37） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-38） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例8-39） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例8-35～8-39）
（實驗例8-40）
除了在實驗例8-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例8-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3D。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：45182、分子量分布：1.323 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.5%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
『實施例9』
（實驗例9-1）
除了在實驗例1-1中，使用甲酸異戊酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2E。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖2E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51347、分子量分布：1.400 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例9-2～9-29）
除了在實驗例9-1中，分別以在120℃下7.5分鐘（實驗例9-2）、在120℃下10分鐘（實驗例9-3）、在130℃下5分鐘（實驗例9-4）、在130℃下7.5分鐘（實驗例9-5）、在130℃下10分鐘（實驗例9-6）、在140℃下3分鐘（實驗例9-7）、在140℃下5分鐘（實驗例9-8）、在140℃下7.5分鐘（實驗例9-9）、在140℃下10分鐘（實驗例9-10）、在150℃下1分鐘（實驗例9-11）、在150℃下3分鐘（實驗例9-12）、在150℃下5分鐘（實驗例9-13）、在150℃下7.5分鐘（實驗例9-14）、在150℃下10分鐘（實驗例9-15）、在160℃下1分鐘（實驗例9-16）、在160℃下3分鐘（實驗例9-17）、在160℃下5分鐘（實驗例9-18）、在160℃下7.5分鐘（實驗例9-19）、在160℃下10分鐘（實驗例9-20）、在170℃下1分鐘（實驗例9-21）、在170℃下3分鐘（實驗例9-22）、在170℃下5分鐘（實驗例9-23）、在170℃下7.5分鐘（實驗例9-24）、在180℃下1分鐘（實驗例9-25）、在180℃下3分鐘（實驗例9-26）、在180℃下5分鐘（實驗例9-27）、在190℃下1分鐘（實驗例9-28）、在190℃下3分鐘（實驗例9-29）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例9-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例9-2～9-29） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51002、分子量分布：1.402（實驗例9-2） 重量平均分子量：51347、分子量分布：1.400（實驗例9-3） 重量平均分子量：50471、分子量分布：1.404（實驗例9-4） 重量平均分子量：50276、分子量分布：1.404（實驗例9-5） 重量平均分子量：50643、分子量分布：1.406（實驗例9-6） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-7） 重量平均分子量：49684、分子量分布：1.400（實驗例9-8） 重量平均分子量：50417、分子量分布：1.404（實驗例9-9） 重量平均分子量：50230、分子量分布：1.407（實驗例9-10） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-11） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-12） 重量平均分子量：50471、分子量分布：1.401（實驗例9-13） 重量平均分子量：50580、分子量分布：1.412（實驗例9-14） 重量平均分子量：50449、分子量分布：1.436（實驗例9-15） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-16） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-17） 重量平均分子量：50239、分子量分布：1.413（實驗例9-18） 重量平均分子量：50141、分子量分布：1.414（實驗例9-19） 重量平均分子量：50048、分子量分布：1.417（實驗例9-20） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-21） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-22） 重量平均分子量：49334、分子量分布：1.418（實驗例9-23） 重量平均分子量：50057、分子量分布：1.415（實驗例9-24） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-25） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-26） 重量平均分子量：49809、分子量分布：1.417（實驗例9-27） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-28） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-29） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-2） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-3） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-4） 維持率：97.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-5） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-6） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-7） 維持率：96.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-8） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-9） 維持率：97.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-11） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-12） 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-13） 維持率：98.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-14） 維持率：97.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-16） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-17） 維持率：97.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-18） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-19） 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-21） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-22） 維持率：95.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-23） 維持率：97.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-24） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-25） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-26） 維持率：96.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-27） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-28） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-29） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例9-2～9-29）
（實驗例9-30～9-34）
除了在實驗例9-1中，分別以在100℃下10分鐘（實驗例9-30）、在110℃下7.5分鐘（實驗例9-31）、在120℃下5分鐘（實驗例9-32）、在130℃下3分鐘（實驗例9-33）、在140℃下1分鐘（實驗例9-34）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例9-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例9-30～9-34） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51347、分子量分布：1.400（實驗例9-30） 重量平均分子量：51002、分子量分布：1.402（實驗例9-31） 重量平均分子量：50734、分子量分布：1.409（實驗例9-32） 重量平均分子量：51033、分子量分布：1.403（實驗例9-33） 重量平均分子量：51115、分子量分布：1.403（實驗例9-34） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-30） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-31） 維持率：98.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-32） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-33） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例9-34） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例9-30～9-34）
（實驗例9-35～9-37）
除了在實驗例9-1中，分別以在170℃下10分鐘（實驗例9-35）、在180℃下7.5分鐘（實驗例9-36）、在190℃下5分鐘（實驗例9-37）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例9-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48768、分子量分布：1.437（實驗例9-35） 重量平均分子量：47511、分子量分布：1.448（實驗例9-36） 重量平均分子量：47979、分子量分布：1.437（實驗例9-37） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：94.7%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例9-35） 維持率：92.2%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例9-36） 維持率：93.1%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例9-37） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例9-35～9-37）
『實施例10』
（實驗例10-1）
除了在實驗例2-1中，使用甲酸異戊酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3E。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48341、分子量分布：1.283 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例10-2～10-34）
除了在實驗例10-1中，分別以在120℃下7.5分鐘（實驗例10-2）、在120℃下10分鐘（實驗例10-3）、在130℃下5分鐘（實驗例10-4）、在130℃下7.5分鐘（實驗例10-5）、在130℃下10分鐘（實驗例10-6）、在140℃下3分鐘（實驗例10-7）、在140℃下5分鐘（實驗例10-8）、在140℃下7.5分鐘（實驗例10-9）、在140℃下10分鐘（實驗例10-10）、在150℃下1分鐘（實驗例10-11）、在150℃下3分鐘（實驗例10-12）、在150℃下5分鐘（實驗例10-13）、在150℃下7.5分鐘（實驗例10-14）、在150℃下10分鐘（實驗例10-15）、在160℃下1分鐘（實驗例10-16）、在160℃下3分鐘（實驗例10-17）、在160℃下5分鐘（實驗例10-18）、在160℃下7.5分鐘（實驗例10-19）、在160℃下10分鐘（實驗例10-20）、在170℃下1分鐘（實驗例10-21）、在170℃下3分鐘（實驗例10-22）、在170℃下5分鐘（實驗例10-23）、在170℃下7.5分鐘（實驗例10-24）、在170℃下10分鐘（實驗例10-25）、在180℃下1分鐘（實驗例10-26）、在180℃下3分鐘（實驗例10-27）、在180℃下5分鐘（實驗例10-28）、在180℃下7.5分鐘（實驗例10-29）、在180℃下10分鐘（實驗例10-30）、在190℃下1分鐘（實驗例10-31）、在190℃下3分鐘（實驗例10-32）、在190℃下5分鐘（實驗例10-33）、在190℃下7.5分鐘（實驗例10-34）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例10-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例10-2～10-34） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48291、分子量分布：1.288（實驗例10-2） 重量平均分子量：48341、分子量分布：1.283（實驗例10-3） 重量平均分子量：46860、分子量分布：1.285（實驗例10-4） 重量平均分子量：47499、分子量分布：1.276（實驗例10-5） 重量平均分子量：48360、分子量分布：1.284（實驗例10-6） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.283（實驗例10-7） 重量平均分子量：46860、分子量分布：1.285（實驗例10-8） 重量平均分子量：47738、分子量分布：1.283（實驗例10-9） 重量平均分子量：47391、分子量分布：1.285（實驗例10-10） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.288（實驗例10-11） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.285（實驗例10-12） 重量平均分子量：47557、分子量分布：1.288（實驗例10-13） 重量平均分子量：48006、分子量分布：1.285（實驗例10-14） 重量平均分子量：47473、分子量分布：1.289（實驗例10-15） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.282（實驗例10-16） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.288（實驗例10-17） 重量平均分子量：47324、分子量分布：1.292（實驗例10-18） 重量平均分子量：47596、分子量分布：1.288（實驗例10-19） 重量平均分子量：47044、分子量分布：1.299（實驗例10-20） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.284（實驗例10-21） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.293（實驗例10-22） 重量平均分子量：46492、分子量分布：1.302（實驗例10-23） 重量平均分子量：47384、分子量分布：1.293（實驗例10-24） 重量平均分子量：46531、分子量分布：1.310（實驗例10-25） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.291（實驗例10-26） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.301（實驗例10-27） 重量平均分子量：47314、分子量分布：1.318（實驗例10-28） 重量平均分子量：46909、分子量分布：1.301（實驗例10-29） 重量平均分子量：45554、分子量分布：1.314（實驗例10-30） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.299（實驗例10-31） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.306（實驗例10-32） 重量平均分子量：47241、分子量分布：1.318（實驗例10-33） 重量平均分子量：46943、分子量分布：1.319（實驗例10-34） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-2） 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-3） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-4） 維持率：100.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-5） 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-6） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-7） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-8） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-9） 維持率：100.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-10） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-11） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-12） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-13） 維持率：101.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-14） 維持率：100.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-15） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-16） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-17） 維持率：100.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-18） 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-19） 維持率：99.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-20） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-21） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-22） 維持率：98.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-23） 維持率：100.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-24） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-25） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-26） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-27） 維持率：100.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-28） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-29） 維持率：96.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-30） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-31） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-32） 維持率：99.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-33） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-34） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例10-2～10-34）
（實驗例10-35～10-39）
除了在實驗例10-1中，分別以在100℃下10分鐘（實驗例10-35）、在110℃下7.5分鐘（實驗例10-36）、在120℃下5分鐘（實驗例10-37）、在130℃下3分鐘（實驗例10-38）、在140℃下1分鐘（實驗例10-39）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例10-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例10-35～10-39） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48341、分子量分布：1.283（實驗例10-35） 重量平均分子量：48291、分子量分布：1.288（實驗例10-36） 重量平均分子量：46630、分子量分布：1.286（實驗例10-37） 重量平均分子量：46862、分子量分布：1.276（實驗例10-38） 重量平均分子量：46937、分子量分布：1.285（實驗例10-39） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-35） 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-36） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-37） 維持率：99.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-38） 維持率：99.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例10-39） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例10-35～10-39）
（實驗例10-40）
除了在實驗例10-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在110℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例10-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3E。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：45269、分子量分布：1.323 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.7%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
『實施例11』
（實驗例11-1）
除了在實驗例1-1中，使用乙酸正己酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例1-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A～圖2E的下圖。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖2A～圖2E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：50473、分子量分布：1.416 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：98.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例11-2～11-9）
除了在實驗例11-1中，分別以在160℃下3分鐘（實驗例11-2）、在160℃下5分鐘（實驗例11-3）、在160℃下7.5分鐘（實驗例11-4）、在160℃下10分鐘（實驗例11-5）、在170℃下1分鐘（實驗例11-6）、在170℃下3分鐘（實驗例11-7）、在170℃下5分鐘（實驗例11-8）、在180℃下1分鐘（實驗例11-9）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例11-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A～E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例11-2～11-9） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：50876、分子量分布：1.414（實驗例11-2） 重量平均分子量：50787、分子量分布：1.417（實驗例11-3） 重量平均分子量：50815、分子量分布：1.416（實驗例11-4） 重量平均分子量：50146、分子量分布：1.422（實驗例11-5） 重量平均分子量：50057、分子量分布：1.418（實驗例11-6） 重量平均分子量：50791、分子量分布：1.415（實驗例11-7） 重量平均分子量：49488、分子量分布：1.437（實驗例11-8） 重量平均分子量：50539、分子量分布：1.417（實驗例11-9） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：98.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-2） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-3） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-4） 維持率：97.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-5） 維持率：97.2%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-6） 維持率：98.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-7） 維持率：96.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-8） 維持率：98.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-9） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例11-2～11-9）
（實驗例11-10～11-14）
除了在實驗例11-1中，分別以在140℃下10分鐘（實驗例11-10）、在150℃下3分鐘（實驗例11-11）、在150℃下5分鐘（實驗例11-12）、在150℃下7.5分鐘（實驗例11-13）、在160℃下1分鐘（實驗例11-14）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例11-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A～E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例11-10～11-14） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：50032、分子量分布：1.405（實驗例11-10） 重量平均分子量：51321、分子量分布：1.412（實驗例11-11） 重量平均分子量：51194、分子量分布：1.436（實驗例11-12） 重量平均分子量：51019、分子量分布：1.432（實驗例11-13） 重量平均分子量：50975、分子量分布：1.413（實驗例11-14） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-10） 維持率：99.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-11） 維持率：99.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-12） 維持率：99.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-13） 維持率：98.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例11-14） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例11-10～11-14）
（實驗例11-15～11-21）
除了在實驗例11-1中，分別以在170℃下7.5分鐘（實驗例11-15）、在170℃下10分鐘（實驗例11-16）、在180℃下3分鐘（實驗例11-17）、在180℃下5分鐘（實驗例11-18）、在180℃下7.5分鐘（實驗例11-19）、在180℃下10分鐘（實驗例11-20）、在190℃下1分鐘（實驗例11-21）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例11-1，進行「聚合物（F5）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖2A～E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：51522、分子量分布：1.403（實驗例11-15～11-21） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：49123、分子量分布：1.452（實驗例11-15） 重量平均分子量：47611、分子量分布：1.451（實驗例11-16） 重量平均分子量：48207、分子量分布：1.448（實驗例11-17） 重量平均分子量：47986、分子量分布：1.456（實驗例11-18） 重量平均分子量：47234、分子量分布：1.451（實驗例11-19） 重量平均分子量：46987、分子量分布：1.463（實驗例11-20） 重量平均分子量：48682、分子量分布：1.437（實驗例11-21） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.3%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-15） 維持率：92.4%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-16） 維持率：93.6%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-17） 維持率：93.1%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-18） 維持率：91.7%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-19） 維持率：91.2%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-20） 維持率：94.5%、維持率評價結果：B（維持率小）（實驗例11-21） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例11-15～11-21）
『實施例12』
（實驗例12-1）
除了在實驗例2-1中，使用乙酸正己酯，代替使用乙酸異戊酯，並且，以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在120℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例2-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A～圖3E的下圖。
〈量測評價結果〉
所量測之重量平均分子量及分子量分布、重量平均分子量的維持率的評價結果以及密合性的評價結果揭示於下文及圖3A～圖3E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48317、分子量分布：1.289 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
（實驗例12-2～實驗例12-19）
除了在實驗例12-1，分別以在160℃下3分鐘（實驗例12-2）、在160℃下5分鐘（實驗例12-3）、在160℃下7.5分鐘（實驗例12-4）、在160℃下10分鐘（實驗例12-5）、在170℃下1分鐘（實驗例12-6）、在170℃下3分鐘（實驗例12-7）、在170℃下5分鐘（實驗例12-8）、在170℃下7.5分鐘（實驗例12-9）、在170℃下10分鐘（實驗例12-10）、在180℃下1分鐘（實驗例12-11）、在180℃下3分鐘（實驗例12-12）、在180℃下5分鐘（實驗例12-13）、在180℃下7.5分鐘（實驗例12-14）、在180℃下10分鐘（實驗例12-15）、在190℃下1分鐘（實驗例12-16）、在190℃下3分鐘（實驗例12-17）、在190℃下5分鐘（實驗例12-18）、在190℃下7.5分鐘（實驗例12-19）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例12-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A～圖3E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284（實驗例12-2～實驗例12-19） （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：48294、分子量分布：1.288（實驗例12-2） 重量平均分子量：47739、分子量分布：1.292（實驗例12-3） 重量平均分子量：47543、分子量分布：1.300（實驗例12-4） 重量平均分子量：47127、分子量分布：1.299（實驗例12-5） 重量平均分子量：47174、分子量分布：1.284（實驗例12-6） 重量平均分子量：48079、分子量分布：1.293（實驗例12-7） 重量平均分子量：47218、分子量分布：1.302（實驗例12-8） 重量平均分子量：46972、分子量分布：1.313（實驗例12-9） 重量平均分子量：46546、分子量分布：1.310（實驗例12-10） 重量平均分子量：48008、分子量分布：1.291（實驗例12-11） 重量平均分子量：47597、分子量分布：1.301（實驗例12-12） 重量平均分子量：46227、分子量分布：1.318（實驗例12-13） 重量平均分子量：46231、分子量分布：1.317（實驗例12-14） 重量平均分子量：46266、分子量分布：1.314（實驗例12-15） 重量平均分子量：47934、分子量分布：1.299（實驗例12-16） 重量平均分子量：47165、分子量分布：1.306（實驗例12-17） 重量平均分子量：45937、分子量分布：1.318（實驗例12-18） 重量平均分子量：45542、分子量分布：1.323（實驗例12-19） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-2） 維持率：100.9%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-3） 維持率：100.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-4） 維持率：99.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-5） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-6） 維持率：101.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-7） 維持率：99.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-8） 維持率：99.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-9） 維持率：98.4%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-10） 維持率：101.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-11） 維持率：100.6%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-12） 維持率：97.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-13） 維持率：97.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-14） 維持率：97.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-15） 維持率：101.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-16） 維持率：99.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-17） 維持率：97.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-18） 維持率：96.3%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-19） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）（實驗例12-2～實驗例12-19）
（實驗例12-20～實驗例12-24）
除了在實驗例12-1中，分別以在140℃下10分鐘（實驗例12-20）、在150℃下3分鐘（實驗例12-21）、在150℃下5分鐘（實驗例12-22）、在150℃下7.5分鐘（實驗例12-23）、在160℃下1分鐘（實驗例12-24）的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例12-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A～圖3E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47664、分子量分布：1.285（實驗例12-20） 重量平均分子量：48710、分子量分布：1.285（實驗例12-21） 重量平均分子量：48174、分子量分布：1.288（實驗例12-22） 重量平均分子量：48312、分子量分布：1.291（實驗例12-23） 重量平均分子量：48018、分子量分布：1.282（實驗例12-24） （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：100.7%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-20） 維持率：103.0%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-21） 維持率：101.8%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-22） 維持率：102.1%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-23） 維持率：101.5%、維持率評價結果：A（維持率大故良好）（實驗例12-24） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：B（密合性低）（實驗例12-20～12-24）
（實驗例12-25）
除了在實驗例12-1中，以在190℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序，代替以在150℃下10分鐘的加熱條件進行預烘烤工序以外，比照實驗例12-1，進行「聚合物（F6）的製備」、「正型光阻組成物的製備」、「光阻圖案的形成」，並進行同樣的量測乃至於評價。結果揭示於下文及圖3A～圖3E的下圖。 （i）所製備之聚合物的重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：47311、分子量分布：1.284 （ii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量及分子量分布 重量平均分子量：45219、分子量分布：1.323 （iii）在經預烘烤工序而形成之光阻膜中的聚合物之重量平均分子量的維持率 維持率：95.6%、維持率評價結果：B（維持率小） （iv）經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性 密合性評價結果：A（密合性良好）
根據圖2A～E可知，包含「具有指定單體單元之指定聚合物（F5），與選自由乙酸異戊酯、甲酸正丁酯、甲酸異丁酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯而成之群組之至少1種之溶劑」的正型光阻組成物（圖2A～E的上圖：實施例1、3、5、7、9），相較於包含具有指定單體單元之指定聚合物（F5）與乙酸正己酯的正型光阻組成物（圖2A～E的下圖：比較例1），可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度T及加熱時間t（較為低溫側之範圍的加熱溫度T）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
根據圖3A～E可知，包含「具有指定單體單元之指定聚合物（F6），與選自由乙酸異戊酯、甲酸正丁酯、甲酸異丁酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯而成之群組之至少1種之溶劑」的正型光阻組成物（圖3A～E的上圖：實施例2、4、6、8、10），相較於包含具有指定單體單元之指定聚合物（F6）與乙酸正己酯的正型光阻組成物（圖3A～E的下圖：比較例2），可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度T及加熱時間t（較為低溫側之範圍的加熱溫度T）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
根據本發明之正型光阻組成物，可在較寬廣範圍的預烘烤工序中之加熱溫度及加熱時間（較為低溫側之範圍的加熱溫度）下，提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
並且，根據本發明之光阻膜形成方法，可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與被加工物的密合性，同時可減低在預烘烤工序前後之光阻膜中之聚合物分子量的變化。
並且，根據本發明之堆疊體的製造方法，可提升經預烘烤工序而形成之光阻膜與遮光層的密合性，同時可抑制在光阻膜中之聚合物分子量的減低。
無。
〈圖1〉係繪示在使用本發明之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖2A〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F5）與乙酸異戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F5）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖2B〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F5）與甲酸正丁酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F5）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖2C〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F5）與甲酸異丁酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F5）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖2D〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F5）與甲酸正戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F5）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖2E〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F5）與甲酸異戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F5）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖3A〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F6）與乙酸異戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F6）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖3B〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F6）與甲酸正丁酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F6）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖3C〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F6）與甲酸異丁酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F6）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖3D〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F6）與甲酸正戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F6）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。
〈圖3E〉上圖係繪示在使用含有聚合物（F6）與甲酸異戊酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。下圖係繪示作為比較對象之在使用含有聚合物（F6）與乙酸正己酯之正型光阻組成物的光阻膜形成方法中，預烘烤工序中的溫度T（℃）與時間t（分鐘）之關係的圖表。

Claims (11)

  1. 一種正型光阻組成物，其係包含聚合物與溶劑的正型光阻組成物，前述聚合物具有：由下述通式（I）所表示之單體單元（A）：『化1』（式（I）中，R1 係氯原子、氟原子或經氟原子取代的烷基，R2 係無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，R3 及R4 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，可彼此相同亦可相異），與由下述通式（II）所表示之單體單元（B）：『化2』（式（II）中，R5 、R6 、R8 及R9 係氫原子、氟原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，可彼此相同亦可相異，R7 係氫原子、無取代的烷基或經氟原子取代的烷基，p及q為0以上且5以下的整數，p＋q＝5），前述單體單元（A）及前述單體單元（B）之至少一者具有一個以上的氟原子，前述溶劑係選自由乙酸異戊酯、甲酸正丁酯、甲酸異丁酯、甲酸正戊酯及甲酸異戊酯而成之群組之至少1種。
  2. 如請求項1所述之正型光阻組成物，其中前述R1 為氯原子。
  3. 如請求項2所述之正型光阻組成物，其中前述R2 為經氟原子取代的烷基，前述R3 及R4 為氫原子或無取代的烷基，可彼此相同亦可相異。
  4. 如請求項1至3之任一項所述之正型光阻組成物，其中前述p為1以上且5以下的整數，R5 及R7 ～R9 為氫原子或無取代的烷基，前述單體單元（A）具有一個以上的氟原子。
  5. 如請求項4所述之正型光阻組成物，其中在前述單體單元（B）中之氟原子的數量為0或1。
  6. 如請求項1至3之任一項所述之正型光阻組成物，其中前述R2 為五氟烷基。
  7. 如請求項6所述之正型光阻組成物，其中前述R2 為2,2,3,3,3-五氟丙基。
  8. 如請求項1至3之任一項所述之正型光阻組成物，其中前述單體單元（B）為源自α-甲基苯乙烯的結構單元或源自4-氟-α-甲基苯乙烯的結構單元。
  9. 一種光阻膜形成方法，其係使用如請求項1至8之任一項所述之正型光阻組成物以形成光阻膜的光阻膜形成方法，其包含：將前述正型光阻組成物塗布於被加工物上的塗布工序，與將經前述塗布之正型光阻組成物加熱的預烘烤工序， 並以滿足下述式（1）的溫度T（℃）及時間t（分鐘），進行在前述預烘烤工序中的加熱， （－1／4）×T＋32.5≦t≦（－1／4）×T＋55・・・（1）。
  10. 如請求項9所述之光阻膜形成方法，其中前述時間為1分鐘以上且30分鐘以下。
  11. 一種堆疊體的製造方法，其係製造具備基板、於該基板上形成之遮光層與於該遮光層上形成之光阻膜的堆疊體之堆疊體的製造方法，其中藉由如請求項9所述之光阻膜形成方法形成前述光阻膜。
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