CN110016655B - 用于供应载气和干燥气体的喷淋板结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于等离子体沉积设备的喷淋板，该喷淋板包括：多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从喷淋板的后表面延伸到前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口到达反应室；多个第一孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分以用于使气体沿此方向通过该第一孔口到达反应室；以及多个第二孔口，所述多个第二孔口中的每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分以用于使气体沿此方向通过该第二孔口到达反应室，其中第一连接孔口将第一孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，第二连接孔口将第二孔口连接到从侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。

Description

用于供应载气和干燥气体的喷淋板结构
技术领域
本发明总体涉及一种包括沉积设备，所述沉积设备包括在半导体制造工艺中使用的等离子体沉积设备，尤其涉及一种设置在这种设备中的喷淋板结构。
背景技术
等离子体增强CVD(PECVD)和等离子体增强ALD(PEALD)工艺通常用于将膜沉积在工件(例如，半导体衬底)的图案化表面上。这些工艺通常通过将前体气体引入到容纳工件的腔室中来完成。前体气体通常借助于载气经由位于腔室顶部处的喷淋板的多个孔口被向下引导。干燥气体(例如，反应气体或吹扫气体)也经由位于腔室顶部处的喷淋板的相同的多个孔口被向下引导。
发明内容
处理气体通常由喷淋头提供。图1示出了传统喷淋头1的概况，所述喷淋头1具有用于将气体供应到喷淋板结构2的气体通道3，其中气体通道3经由紧固件5连接到喷淋板结构2并且由密封件4(例如，O型圈)密封。在气体通道中供应的前体气体借助于载气经由喷淋板结构的多个孔被引入到腔室中。在进气空间中供应的干燥气体也经由同一喷淋板结构的所述多个孔被引入到腔室中。
为了提高膜的质量，包括但不限于膜的均匀性，期望能够根据腔室的面积最佳地控制将要提供的气体的量。然而，传统上，当气体通常均匀地通过喷淋板的多个孔时，实际上难以在逐个区域的基础上(例如，喷淋板的内部部分和外部部分)改变来自喷淋板的多个孔的气体的流量以使得可以控制前体气体或反应气体在工件表面周围的停留时间。
一方面，提供了一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，所述等离子体沉积设备包括进气口、喷淋头、工件支撑件和反应室，所述喷淋板适于附接到喷淋头并包括：适于面向工件支撑件的前表面；与前表面相反的后表面；和限定喷淋板的宽度的侧壁，其中喷淋板具有多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从后表面延伸到前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口；其中喷淋板还具有多个第一孔口和多个第二孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第一孔口到达反应室，所述多个第二孔口中的每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第二孔口到达反应室；以及其中第一连接孔口将多个第一孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，并且第二连接孔口将多个第二孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
在一些实施例中，喷淋板的前表面的内部部分具有圆形形状的区域，所述圆形形状的直径约为50-300mm，并且喷淋板的前表面的外部部分为前表面的直径达到约50-350mm的其余区域。
在一些实施例中，喷淋板还具有在喷淋板的后表面侧的至少一个台阶部，后表面的周边被所述至少一个台阶部围绕，并且从喷淋板的侧壁侧延伸的所述至少一个第一孔口和所述至少一个第二孔口从喷淋板的至少一个台阶部的表面延伸。
出于概述本发明的各方面和相对于现有技术实现的一个或多个优点的目的，在本公开中描述了一些非限制性目的和优点。当然，应该理解，根据任何特定实施例，不一定可以实现所有或任何这样的目的或优点。因此，例如，本领域技术人员将认识到，在不必实现如本文中所教导或建议的一个或多个其它目的或优点的情况下，本发明可以以实现或优化本文所教导的一个优点或一组优点的方式被实现或实施。本发明的其它方面、特征和优点将从以下具体实施方式变得显而易见。
本文公开的系统和/或方法的这些及其它目的、特征和特性、以及结构的相关元件的操作方法和功能以及部件的组合和制造经济将在参考附图考虑以下具体实施方式和所附权利要求时变得更加清楚，所有这些都构成本说明书的一部分，其中相同的附图标记表示各个图中相对应的部件。然而，应该清楚地理解，附图仅用于图示和描述的目的，并不旨在作为本发明的限制的定义。当在说明书和权利要求书中使用时，单数形式的“一”，“一个”和“所述”包括复数指示物，除非上下文另有明确规定。
附图说明
以下将参考实施例的附图来描述本发明的特征，所述实施例旨在说明而不是限制本发明。出于说明目的，附图被过度简化，并且不一定按比例绘制。
图1是具有喷淋板结构和气体通道的传统喷淋头的示意图；
图2是根据一个实施例的用于通过PEALD沉积膜的一个循环的时序图；
图3是PEALD设备的示意图，其中示出了根据一个实施例的基本结构；
图4是根据一个实施例的喷淋板在图6所示的位置处的剖视图；
图5是根据一个实施例的喷淋板在图6所示的位置处的剖视图；
图6是根据一个实施例的喷淋板的俯视图；
图7是根据一个实施例的喷淋板的仰视图；
图8是根据一个实施例的喷淋板的多个第一孔口和多个第二孔口的透视图；
图9是根据一个实施例的喷淋板在图11所示的位置处的剖视图；
图10是根据一个实施例的喷淋板在图11所示的位置处的剖视图；
图11是根据一个实施例的喷淋板的俯视图；
图12是根据一个实施例的喷淋板的仰视图；
图13是根据一个实施例的喷淋板的多个第一孔口和多个第二孔口的透视图；
图14是显示载气流量和干燥气体流量(内部和外部)之间的关系的曲线图；
图15是显示前体气体或反应气体的停留时间与这种气体在衬底上的吸收(反应)量之间的关系的曲线图；
图16是在根据示例1的衬底上的每个位置处的反应量增加的图；
图17是在根据示例1的衬底上的每个位置处的反应量减少的图；
图18是显示前体气体或反应气体的停留时间与这种气体在衬底上的吸收(反应)量之间的关系的曲线图；
图19是在根据示例2的衬底上的每个位置处的反应量增加的图；
图20是在根据示例2的衬底上的每个位置处的反应量减少的图；
图21是显示根据示例1的载气流量、干燥气体(内部)流量、干燥气体(外部)流量和相关停留时间的表格；以及
图22是显示根据示例2的载气流量、干燥气体(内部)流量、干燥气体(外部)流量和相关停留时间的表格。
具体实施方式
本发明包括但不限于以下实施例。
作为工艺的示例，解释等离子体增强ALD(PEALD)工艺以更好地理解喷淋板何时以及如何用于沉积膜。当然，喷淋板可以可选地或另外地用在PECVD工艺中。然而，本发明的实施例不限于仅用在PEALD和PECVD工艺中。
如上所述，喷淋板可用在PECVD和PEALD工艺中。在PEALD工艺中，将工件(例如，诸如半导体晶片的衬底)放置在反应室中并进行交替重复的表面反应。作为示例，通过自限制ALD循环的重复可形成薄SiO膜。理想地，为了形成SiO膜，每一个ALD循环都包括至少两个不同的阶段。从反应空间提供和除去反应物可以被认为是一个阶段。在第一阶段中，包括硅的第一反应物被提供并在工件表面上形成不超过约一个单层。该反应物在本文中也称为“硅前体”、“含硅前体”、“含卤素的硅前体”或“硅反应物”，并且可以选自由BDEAS(双二乙基氨基硅烷)、BEMAS(二乙基甲基氨基硅烷)、3DMAS(三二甲基氨基硅烷)和HEAD(六乙基氨基硅烷)构成的组。含硅前体可以包括HSil3，H2Sil2，H3Sil，H2Si2l4，H4Sil2l2，H5Si2l等。前体也可以是含金属的前体，例如TDMAT(四(二甲基氨基)钛)、TDEAT(四(二乙基氨基)钛)和三(二甲基氨基)环戊二烯基锆。在第二阶段中，含有活性反应物质的第二反应物被提供并可以将吸附的硅转化为氧化硅。第二反应物可以包括氧前体。活性反应物质可以包括受激发物质。来自诸如惰性气体的活性反应物质不一定有助于沉积膜的材料，但在某些情况下可以有助于膜生长以及有助于等离子体的形成和点燃。在一些实施例中，用于形成等离子体的气体可在整个沉积过程中不断流动，但仅间歇地被激活。
可以根据需要添加额外的阶段并且可以除去阶段以调节最终膜的组成。可借助于载气(例如，Ar或He或N2)提供一种或多种反应物。借助载气提供前体和第二反应物。阶段中的两个阶段可以重叠或组合。例如，前体和第二反应物可以在部分或完全重叠的脉冲中被同时提供。另外，尽管被称为第一阶段和第二阶段以及第一反应物和第二反应物，但是阶段的顺序可以改变，并且ALD循环可以从任何一个阶段开始。也就是说，除非另有说明，否则反应物可以任何顺序提供，并且该过程可以以反应物中的任一种开始。
在图2中示出了一个PEALD循环的时序图的一个示例。在该示例，借助于以恒定速率被连续引入到反应器的载气以单个脉冲供应硅前体，同时干燥气体(例如，氧反应气体)以恒定速率被连续地引入到反应器。如图2所示，干燥气体(内部)和干燥气体(外部)可以分开且独立地被控制，这将结合图3和图4-13更详细地说明。当硅前体脉冲停止时，在吹扫循环期间吹扫硅前体之后，以单个脉冲施加RF电力。硅前体脉冲和RF电力脉冲彼此不重叠。反应器总是被抽空并且基本上保持恒定压力。即使当硅前体脉冲停止时，载气和干燥气体(例如，氧反应气体)也将连续地流入，并因此实际上所有硅前体都可以从衬底表面被吹扫。载气可以选自N2、Ar、He、Xe、稀有气体等。干燥气体可以选自N2、Ar、He、Xe、稀有气体、O2，NH3，H2，CO2，N2O等。
接下来，以下详细说明等离子体沉积设备的结构。
作为等离子体沉积设备的示例，图3示出了PEALD设备的一个实施例的示意图。如上所述，喷淋板可以另外或可选地用在PECVD工艺中，或者用在除PEALD或PECVD工艺之外的完全不同的工艺中。如图3所示，PEALD设备100包括真空(反应)室10、和设置在真空室10的顶部处并与真空室10隔离的喷淋头11。基座50设置在真空室10内部，基本上平行于真空室10。RF电源7连接到附接到喷淋头11的气体管。真空室10在其侧部具有设有排气阀(未示出)的开口，并包括连接到排气泵(未示出)的排气管(未示出)，其中所述开口。另外，真空室10被接地。真空室10在内侧壁上还具有设有用于工件传送的闸阀(未示出)的开口。
喷淋头11具有中空结构，并且上管状部分包括连接到气体管线(未示出)的进气口32(进气口空间)。另外，喷淋板结构12(喷淋板)可拆卸地附接在喷淋头11的底部表面处。在喷淋板结构12中，多个出气孔口21(孔或孔隙)形成在喷淋板结构12中，以使得从进气口32引入的一股载气(和前体气体)从孔口21朝向基座50射出。虽然在图3中未示出，但是至少一个孔口22(理想地，多个孔口或孔)和至少一个孔口23(理想地，多个孔口或孔)也被形成在喷淋板中以用于使干燥气体通过该至少一个孔口22和该至少一个孔口23到达真空室中。基座50可以包括在基座50下端处的加热器51。基座50的表面基本上平行于喷淋板结构12设置并保持放置在其上表面上的工件(例如，衬底)16。
如图3所示，喷淋板12还具有在喷淋板结构12的后表面侧上的至少一个台阶部30，并且后表面区域20(前表面)的周边被至少一个台阶部30(例如，周向地)围绕。台阶部被30支撑在结构34上。
虽然在图3中未示出，除了至少一个孔口21之外，图4还示出了至少一个第一孔口22(理想地，多个第一孔口或孔(例如437个孔口)被形成)被形成，以使得所述至少一个第一孔口22从至少一个第一连接孔口27(理想地，多个第一连接孔口)延伸到喷淋板12的前表面(前表面区域40)的内部区域41以使干燥气体沿此方向通过该至少一个第一孔口(至少一个第二孔口23仅被部分地显示)。所述至少一个第一连接孔口27连接到第一孔口26(至少一个第一孔口)，以使得干燥气体被引入到第一孔口26、至少一个第一连接孔口27，然后到达至少一个第一孔口22。
在图4中，第一孔口26从喷淋板12的后表面侧的至少一个台阶部30的表面延伸。第一孔口26可以从喷淋板12的侧壁的表面延伸。内部区域41可以形成直径约为50-300mm的圆形二维形状。然而，内部区域41可以具有不同的二维形状和/或尺寸。如图2所示的干燥气体(内部)通过至少一个第一孔口22被引入到真空室。
接下来，除了至少一个孔口21之外，图5还显示了至少一个第二孔口23(理想地，多个第二孔口或孔(例如，504个孔口)被形成)被形成，以使得所述至少一个第二孔口23从至少一个第二连接孔口29(理想地，多个第二连接孔口)延伸到喷淋板12的前表面(前表面区域40)的外部区域42以使干燥气体沿此方向上通过该至少一个第二孔口(至少一个第一孔口22仅被部分地显示)。至少一个第二连接孔口29连接到第二孔口28(至少一个第二孔口)，以使得干燥气体被引入到第二孔口28、至少一个第二连接孔口29，然后到达至少一个第二孔口23。
在图5中，第二孔口28从喷淋板12的后表面侧的至少一个台阶部30的表面延伸。第二孔口28可以从喷淋板12的侧壁的表面延伸。外部区域42是前表面(前表面区域40)中除了内部区域41之外的其余区域。如图2所示的干燥气体(外部)通过至少一个第二孔口23被引入到真空室。
图6示出了喷淋板12(喷淋板12的后表面侧)的俯视图。如图6所示，存在用于使载气(和前体气体)在喷淋板12的另一侧通过到达真空室10的多个孔口21(例如，928个孔口被形成)。在图6中，第一孔口26的一端和第二孔口28的一端也被显示在至少一个台阶部的表面处。
图7示出了喷淋板12(喷淋板12的前表面侧)的仰视图。如图7所示，存在用于使载气(和前体气体)在喷淋板12的另一侧通向真空室10的多个孔口21(例如，928个孔口被形成)。此外，存在用于使干燥气体(内部)通过到达真空室10的多个第一孔口22(例如，437个孔口被形成)和用于使干燥气体(外部)通过到达真空室10的多个第二孔口23(例如，504个孔口被形成)。出于说明的目的，这些孔口21、22和23在图7中以不同的形状、尺寸等被示出。然而，这些孔口21、22和23可以具有相同的尺寸和形状。通常，多个孔口21中的每一个、多个第一孔口22中的每一个以及多个第二孔口22中的每一个的横截面宽度(例如，直径)约为0.5mm。
图8示出了形成在喷淋板12中的多个第一孔口22和多个第二孔口23的透视图的示意图(出于说明的目的，省略了孔口21的三维形状)。如图8所示，多个第一孔口22形成在前表面区域40的内部区域中并经由多个第一连接孔口27(例如，连接管线或管道)连接到至少一个第一孔口26(至少一个主管线或管道)。至少一个第一孔口26从台阶部(至少一个台阶部30)的表面延伸到喷淋板12的内侧，并且该至少一个第一孔口26进一步平行于喷淋板12延伸到喷淋板12的中心区域，然后连接到第一连接孔口27。第一连接孔口27由多个连接孔口构成，所述多个连接孔口将所述至少一个第一孔口26连接到所述多个第一孔口22中的每一个。
如图8所示，多个第二孔口23形成在前表面区域40的外部区域中并经由多个第二连接孔口29(例如，连接管线或管道)连接到至少一个第二孔口28(至少一个主管线或管道)。至少一个第二孔口28从台阶部(至少一个台阶部30)的表面延伸到喷淋板12的内侧，并且该至少一个第二孔口28进一步平行于喷淋板12延伸到喷淋板12的中心区域，然后连接到第二连接孔口29。第二连接孔口29由多个连接孔口构成，所述多个连接孔口将所述至少一个第二孔口28连接到所述多个第二孔口23中的每一个。
图9-13示出了喷淋板结构12的另一个实施例。除了至少一个孔口21之外，图9还示出了至少一个第一孔口22(理想地，多个第一孔口或孔口(例如，437个孔口)被形成)被形成，以使得该至少一个第一孔口22从至少一个第一连接孔口27(理想地，多个第一连接孔口)延伸到喷淋板12的前表面(前表面区域40)的内部区域41以使干燥气体沿此方向通过该至少一个第一孔口。至少一个第一连接孔口27连接到第一孔口26(至少一个第一孔口)，以使得干燥气体被引入到第一孔口26、至少一个第一连接孔口27，然后到达少一个第一孔口22。
在图9中，第一孔口26从喷淋板12的后表面侧的至少一个台阶部30的表面延伸。第一孔口26可以从喷淋板12的侧壁的表面延伸。内部区域41可以形成直径约为50-300mm的圆形二维形状。然而，内部区域41可以具有不同的二维形状和/或尺寸。如图2所示的干燥气体(内部)通过至少一个第一孔口22被引入到真空室。
接下来，除了至少一个孔口21之外，图10还显示了至少一个第二孔口23(理想地，多个第二孔口或孔(例如，504个孔口)被形成)被形成，以使得该至少一个第二孔口从至少一个第二连接孔口29延伸到喷淋板12的前表面(前表面区域40)的外部区域42以使干燥气体沿此方向通过该至少一个第二孔口。至少一个第二连接孔口29连接到第二孔口28(至少一个第二孔口)，以使得干燥气体被引入到第二孔口28、至少一个第二连接孔口29，然后到达至少一种第二孔口23。
在图10中，第二孔口28从喷淋板12的后表面侧的至少一个台阶部30的表面延伸。第二孔口28可以从喷淋板12的侧壁的表面延伸。外部区域42是前表面(前表面区域40)中除了内部区域41之外的其余区域。如图2所示的干燥气体(外部)通过至少一个第二孔口23将引入到真空室。
图11示出了喷淋板12(喷淋板12的后表面侧)的俯视图。如图11所示，存在用于使载气(和前体气体)在喷淋板12的另一侧通过到达真空室10的多个孔口21(例如，928个孔口)。如图11所示，第一孔口26的一端和第二孔口28的一端也被显示在至少一个台阶部的表面处。
图12示出了喷淋板12(喷淋板12的前表面侧(前表面区域40))的仰视图。如图12所示，存在用于使载气(和前体气体)在喷淋板12的另一侧通过到达真空室10的多个孔口21(例如，928个孔口)。此外，存在用于使干燥气体(内部)穿过到达真空室10的多个第一孔口22(例如，437个孔口)和用于使干燥气体(外部)通过到达真空室10的多个第二孔口23(例如，504个孔口)。出于说明的目的，这些孔口21、22和23在图12中以不同的形状、尺寸等被示出。然而，这些孔口21、22和23可以具有相同的尺寸和形状。通常，多个孔口21中的每一个、多个第一孔口22中的每一个以及多个第二孔口22中的每一个的横截面宽度(例如，直径)约为0.5mm。
图13示出了形成在喷淋板12中的多个第一孔口22和多个第二孔口23的透视图的示意图(出于说明的目的，省略了孔口21的三维形状)。如图13所示，多个第一孔口22形成在前表面区域40的内部区域中并经由多个第一连接孔口27(例如，连接管线或管道)连接到至少一个第一孔口26(至少一个主管线或管道)。至少一个第一孔口26从台阶部(至少一个台阶部30)的表面延伸到喷淋板12的内侧，并且该至少一个第一孔口26进一步平行于喷淋板12延伸到喷淋板12的中心区域，然后连接到第一连接孔口27。第一连接孔口27由多个连接孔口构成，所述多个连接孔口将所述至少一个第一孔口26连接到所述多个第一孔口22中的每一个。
如图13所示，多个第二孔口23形成在前表面区域40的外部区域中并经由多个第二连接孔口29(例如，连接管线或管道)连接到至少一个第二孔口28(至少一个主管线或管道)。至少一个第二孔口28从台阶部(至少一个台阶部30)的表面延伸到喷淋板12的内侧，并且该至少一个第二孔口28进一步平行于喷淋板12延伸以连接到第二连接孔口29。第二连接孔口29由多个连接孔口构成，所述多个连接孔口将所述至少一个第二孔口28连接到所述多个第二孔口23中的每一个。
在一个实施例中，提供了一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，该等离子体沉积设备包括进气口、喷淋头、工件支撑件和反应室，该喷淋板适于附接到喷淋头并包括：后表面，所述后表面适于面向进气口；与后表面相反的前表面；和限定喷淋板的宽度的侧壁，其中喷淋板具有多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从后表面延伸到前表面以使载气沿此方向通过该孔口，并且其中喷淋板还具有多个第一孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分以使干燥气体沿此方向通过该第一孔口到达反应室，喷淋板还具有多个第二孔口，所述多个第二孔口中的每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分以使干燥气体沿此方向通过该第二孔口到达反应室，并且其中第一连接孔口将多个第一孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，并且第二连接孔口将多个第二孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
在一个实施例中，前表面的内部部分或区域具有直径约为50-300mm的圆形形状的区域，并且前表面的外部部分或区域是前表面的其余区域。
喷淋板的侧壁侧可以包括喷淋板的至少一个台阶部(在后表面侧)或喷淋板的侧壁。在一个实施例中，喷淋板还具有在喷淋板的后表面侧的至少一个台阶部，且该后表面的周边被至少一个台阶部围绕，并且从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口和至少一个第二孔口从喷淋板的至少一个台阶部的表面延伸。
在一个实施例中，从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口和至少一个第二孔口从喷淋板的侧壁的表面延伸。
在一个实施例中，喷淋板具有约5-3000个第一孔口和约40-4000个第二孔口，且每一个第一孔口都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分，而每一个第二孔口都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分。
在一个实施例中，喷淋板还具有多个第三孔口，且所述多个第三孔口中的每一个都从至少一个第三连接孔口延伸到前表面的内部部分或外部部分以使干燥气体沿该方向通过该第三孔口到达反应室。另外，可以设置多个第四孔口、多个第五孔口或更多，所述孔口中的每一个连接孔口都延伸到前表面的内部部分或外部部分以使干燥气体沿该方向通过该到达反应室。
在一个实施例中，喷淋板还具有多个第三孔口，所述第三孔口中的每一个都从至少一个第三连接孔口延伸到前表面的内部部分和外部部分以使干燥气体沿此方向通过该第三孔口到达反应室。另外，可以设置多个第四孔口、多个第五孔口或更多孔口，所述孔口从每一个连接孔口延伸到前表面的内部部分和外部部分以使干燥气体该方向通过该孔口到达反应室。
图14示出了载气流和干燥气流(内部和外部)之间的关系。图14示出了载气的流量可以在0-10.0slm之间，但是，在典型的情况下，载气从每一个都从后表面延伸到前表面的多个孔口到反应室的流量可以被设定在0.2-10.0slm之间。
干燥气体从每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分的多个第一孔口到反应室的流量可以被设定在0.1-10.0slm之间。此外，干燥气体从每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的内部部分的多个第二孔口到反应室的流量被设定在0.1-10.0slm之间。当干燥气体(内部)和干燥气体(外部)的流量被分别设定为0.1slm时，干燥气体(内部和外部)的流量被计算为0.2slm。为了控制前体气体或反应气体的停留时间，干燥气体(内部)和干燥气体(外部)的最小流量分别为0.1slm。
在一个实施例中，如图14所示，当载气从多个孔口到反应室的流量设定为约2.0slm或更小时，干燥气体从多个第一孔口和多个第二孔口到反应室的流量被设定为约0.2slm或更大。
在一个实施例中，当载气从多个孔口到反应室的流量被设定为大于2.0slm时，干燥气体从多个第一孔口和多个第二孔口到反应室的流量被设定为载气的流量的十分之一或更多。为了控制前体气体或反应气体的停留时间，如果将干燥气体(内部)和干燥气体(外部)的流量设定为小于载气流量的十分之一，则发现变得难以控制前体气体或反应气体中心区域处或衬底周围的停留时间，这是因为载气流的影响变得更加显著。
在一个实施例中，干燥气体从多个第一孔口到反应室的流量与干燥气体从多个第二孔口到反应室的流量的比率在整个循环中可以被设定在0.05-20之间。当需要增加前体气体或反应气体的停留时间时，可以将干燥气体(内部)的流量设定为小于干燥气体(外部)的流量。另一方面，当需要减少前体气体或反应气体的停留时间时，可以将干燥气体(内部)的流量设定为大于干燥气体(外部)的流量。
在一个实施例中，干燥气体从多个第一孔口到反应室的流量与干燥气体从多个第二孔口到反应室的流量的比率在引入前体气体时的循环期间可以被控制在0.05-20之间。在引入前体气体时的循环期间，流量的比率可以被改变。
在一个实施例中，干燥气体从多个第一孔口到反应室的流量与干燥气体从多个第二孔口到反应室的流量的比率可以在RF电源开启时的循环期间被控制在0.05-20之间。在RF电源开启的循环期间，流量的比率可以被改变。
在一个实施例中，干燥气体从多个第一孔口到反应室的流量与干燥气体从多个第二孔口到反应室的流量的比率在未引入前体气体和RF电源被切断时的循环期间可以被控制在0.05-20之间。在这种循环期间，流量的比率可以被改变。该循环可包括吹扫循环或其它循环。
现在返回参考图2，在引入前体气体时的循环与吹扫循环之间以及在吹扫与RF电源开启时的循环之间，或在RF电源开启时的循环与吹扫之间可以存在过渡循环或阶段，这是因为气体的目标流量可能无法立即实现。在过渡循环或阶段中，载气的流量可以从其初始流量变为目标流量。在过渡循环或阶段中，干燥气体(内部)和/或干燥气体(外部)的流量可以从其初始流量变为目标流量。以这种方式，可以从下一循环的开始获得载气和/或干燥气体(内部)和/或干燥气体(外部)的目标流量。该过渡循环或阶段也可以合并在吹扫循环或任何其它循环中，包括但不限于引入前体气体时的循环和RF电源开启时的循环。
将参考不旨在限制本发明的具体示例来详细说明本发明的实施例。在具体示例中应用的数字可以以至少±50％的范围被修改，其中可以包括或不包括范围的端点。
示例
以下将参考以下示例说明本发明的一个实施例，其中该实施例不旨在限制本发明的范围。
示例1
具有用于向反应室提供干燥气体的多个第一孔口和多个第二孔口的喷淋板
在图3中显示了具有气体通道(喷淋头)的喷淋板结构的一个实施例的示意图。喷淋头11具有喷淋板结构12和气体通道13，所述喷淋板结构12和气体通道13部分地限定进气空间。喷淋板12具有在喷淋板12的后表面侧的台阶部30，并且后表面区域20(后表面)的周边被台阶部30围绕。虽然未在图3中示出，但是至少一个第一孔口22和至少一个第二孔口23被形成用于向反应室提供干燥气体(图4-8示出了喷淋板结构12的一个示例)。
孔口21的配置：
孔口的数量：928
孔口直径：0.5mm
长度：25mm
孔口的位置：从喷淋板的后表面的整个区域到前表面的整个区域
前表面的直径：310mm
孔口22的配置：
孔口的数量：437
孔口直径：0.5mm
孔口的位置：从第一连接孔口到喷淋板的前表面的内部区域
内部区域的直径：220mm
孔口23的配置：
孔口的数量：504
孔口直径：0.5mm
孔口的位置：从第二连接孔口到喷淋板的前表面的外部区域
外部区域的尺寸：100mm
载气(包括载气混合物)经由喷淋板结构的多个孔口(孔)21被引入到反应室中。干燥气体经由喷淋板的多个第一孔口(孔)22被引入到反应室的内部区域中。干燥气体还经由喷淋板的多个第二孔口(孔)23被引入到反应室的外部区域中。载气管线和两条干燥气体管线都是单独的管线。孔口21从喷淋板的后表面20延伸到喷淋板的前表面40以提供载气和前体气体(包括前体气体混合物)。
主孔口(第一孔口26)从喷淋板12的台阶部30的表面延伸到第一连接孔口27，并且多个第一孔口22从第一连接孔口27延伸到前表面40的内部区域41以向反应室的内部提供干燥气体。喷淋板的前表面40的内部区域41可以具有约50-300mm的直径。主孔口(第二孔口28)从喷淋板12的台阶部30的表面延伸到第二连接孔口29，并且多个第二孔口23从第二连接孔口29延伸到前表面40的外部区域42以向反应室的外部提供干燥气体。以此方式，可以分别独立地控制干燥气体流(内部)和干燥气体流(外部)，这使得具有喷淋板的处理设备能够控制前体气体或反应气体在反应室中在衬底的内部上或表面周围的停留时间。
图21显示了载气和干燥气体(内部)以及干燥气体(外部)的每一个流量与前体气体或反应气体的相对停留时间之间的关系。如图21所示，当载气流量为2.00[slm]且干燥气体流量(内部)和干燥气体流量(外部)分别为1.00[slm]时(条件1)，对于衬底上的中心点和衬底上距离中心点约300mm的边缘区域两者来说，相对停留时间均被描述为1.00。但当干燥气体流量(内部)变为0.47[slm]且干燥气体流量(外部)变为1.53[slm]时，而载气流量仍为2.00[slm]时，则发现对于条件1来说相对停留时间在衬底上的中心点处变为1.36，而在衬底上的距离中心点约300mm的边缘区域处变为1.00(条件2)。另一方面，如图21所示，当干燥气体流量(内部)变为1.35[slm]且干燥气体流量(外部)变为0.65[slm]，而载气流量保持为2.00[slm]时，发现对于条件1来说相对停留时间在衬底上的中心点处变为0.85，而在衬底上距离中心点约300mm的边缘区域处变为1.00(条件3)。注意，反应室内的衬底上或周围的压力和其它条件基本相同，但不用说，所述压力和其它调节可以根据反应室内的面积而变化，在这种情况下，上述气体的流量可以被相应地调节。
图15显示前体气体或反应气体的停留时间与这种气体在衬底上的吸附(反应)量之间的关系。当停留时间为A-1时，这种气体的反应量等于B-1。当这种气体的停留时间变长时，这种气体的反应量变大。发现当停留时间比A-1长1.04倍变成A-2时，反应量比B-1大2％变成B-2。另一方面，还发现当停留时间比A-1长0.97倍变成A-3时，反应量变为比B-1小2％变成B-3。如图15所示，反应量不会相对于停留时间线性增加。停留时间变得越长，反应的增加量变得越少。在该示例中，A-1、A-2和A-3处于非饱和阶段并且发生在反应曲线的后期阶段，并且下一个示例中的C-1、C-2和C-3是也在非饱和阶段内，但发生在反应曲线的早期阶段。
条件2的实验结果显示在图16中。图16显示了被引入在衬底的表面上或周围的前体气体或反应气体的每一个位置的反应比率图。如图16中可见，衬底上的中心点上的反应量变大2％，而衬底上距离中心点约300mm的边缘区域的反应量不变。结果表明，发现通过控制相对停留时间(或停留时间)可以增加衬底的中心区域处的反应量，其中相对停留时间的控制可以通过最佳地控制干燥气体(内部)与干燥气体(外部)的流量的比率以及干燥气体(内部)和干燥气体(外部)相对于载气的流量的流量来进行。
条件3的实验结果显示在图17中。图17显示了被引入在衬底的表面上或周围的前体气体或反应气体的每一个位置的反应比率图。如图17中可见，衬底上的中心点上的反应量变小2％，而衬底上的距离中心点约300mm的边缘区域的反应量不变。结果表明，发现通过控制相对停留时间(或停留时间)可以减小衬底的中心区域处的反应量，其中相对停留时间的控制可以通过最佳地控制干燥气体(内部)与干燥气体(外部)的流量的比率以及干燥气体(内部)和干燥气体(外部)相对于载气的流量的流量来进行。
示例2
具有用于向反应室提供干燥气体的多个第一孔口和多个第二孔口的喷淋板
在图3中显示了具有气体通道(喷淋头)的喷淋板结构的一个实施例的示意图。喷淋头11具有喷淋板结构12和气体通道13，所述喷淋板结构12和气体通道13部分地限定进气空间。喷淋板12具有在喷淋板12的后表面侧的台阶部30，并且后表面区域20(后表面)的周边被台阶部30围绕。虽然未在图3中示出，但是至少一个第一孔口22和至少一个第二孔口23被形成用于向反应室提供干燥气体(图4-8示出了喷淋板结构12的一个示例)。
孔口21的配置：
孔口的数量：928
孔口直径：0.5mm
长度：25mm
孔口的位置：从喷淋板的后表面的整个区域到前表面的整个区域
前表面的直径：310mm
孔口22的配置：
孔口的数量：437
孔口直径：0.5mm
孔口的位置：从第一连接孔口到喷淋板的前表面的内部区域
内部区域的直径：220mm
孔口23的配置：
孔口的数量：504
孔口直径：0.5mm
孔口的位置：从第二连接孔口到喷淋板的前表面的外部区域
外部区域的尺寸：100mm
进气空间中的载气经由喷淋板结构的多个孔口(孔)21被引入到反应室中。干燥气体经由喷淋板的多个第一孔口(孔)22被引入到反应室的内部区域中。干燥气体还经由喷淋板的多个第二孔口(孔)23被引入到反应室的外部区域中。载气管线和两条干燥气体管线都是单独的管线。孔口21从喷淋板的后表面20延伸到喷淋板的前表面40以提供载气和前体气体。
主孔口(第一孔口26)从喷淋板12的台阶部30的表面延伸到第一连接孔口27，并且多个第一孔口22从第一连接孔口27延伸到前表面40的内部区域41以向反应室的内部提供干燥气体。喷淋板的前表面40的内部区域41可以具有约50-300mm的直径。主孔口(第二孔口28)从喷淋板12的台阶部30的表面延伸到第二连接孔口29，并且多个第二孔口23从第二连接孔口29延伸到前表面40的外部区域42以向反应室的外部提供干燥气体。以此方式，可以分别独立地控制干燥气体流(内部)和干燥气体流(外部)，这使得具有喷淋板的处理设备能够控制前体气体或反应气体在反应室中的衬底的内部上或表面周围的停留时间。
图22显示了载气和干燥气体(内部)以及干燥气体(外部)的每一个流量与前体气体或反应气体的相对停留时间之间的关系。如图22所示，当载气流量为2.00[slm]且干燥气体流量(内部)和干燥气体流量(外部)分别为1.00[slm]时(条件1)，对于衬底上的中心点和衬底上距离中心点约300mm的边缘区域两者来说，相对停留时间均被描述为1.00。但当干燥气体流量(内部)变为0.92[slm]且干燥气体流量(外部)变为1.08[slm]时，而载气流量仍为2.00[slm]时，则发现对于条件1来说相对停留时间在衬底上的中心点处变为1.04，而在衬底上的距离中心点约300mm的边缘区域处变为1.00(条件2)。另一方面，如图22所示，当干燥气体流量(内部)变为1.07[slm]且干燥气体流量(外部)变为0.93[sim]，而载气流量保持为2.00[sim]时，发现对于条件1来说相对停留时间在衬底上的中心点处变为0.97，而在衬底上距离中心点约300mm的边缘区域处变为1.00(条件3)。注意，反应室内的衬底上或周围的压力和其它条件基本相同，但不用说，所述压力和其它调节可以根据反应室内的面积而变化，在这种情况下，上述气体的流量可以被相应地调节。
图18显示前体气体或反应气体的停留时间与这种气体在衬底上的吸附(反应)量之间的关系。当停留时间为C-1时，这种气体的反应量等于D-1。当这种气体的停留时间变长时，这种气体的反应量变大。发现当停留时间比C-1长1.04倍变成C-2时，反应量比D-1大2％变成D-2。另一方面，还发现当停留时间比C-1长0.97倍变成C-3时，反应量变为比D-1小2％变成D-3。在该示例中，停留时间处于在反应曲线的早期阶段(或反应曲线的生长阶段)。如可以看到的，反应量不会相对于停留时间线性增加。停留时间变得越长，反应的增加量变得越少。
条件2的实验结果显示在图19中。图19显示了被引入在衬底的表面上或周围的前体气体或反应气体的每一个位置的反应比率图。如图19中可见，衬底上的中心点上的反应量变大2％，而衬底上距离中心点约300mm的边缘区域的反应量不变。结果表明，发现通过控制相对停留时间(或停留时间)可以增加衬底的中心区域处的反应量，其中相对停留时间的控制可以通过最佳地控制干燥气体(内部)与干燥气体(外部)的流量的比率以及干燥气体(内部)和干燥气体(外部)相对于载气的流量的流量来进行。
条件3的实验结果显示在图20中。图20显示了被引入在衬底的表面上或周围的前体气体或反应气体的每一个位置的反应比率图。如图20中可见，衬底上的中心点上的反应量变小2％，而衬底上的距离中心点约300mm的边缘区域的反应量不变。结果表明，发现通过控制相对停留时间(或停留时间)可以减小衬底的中心区域处的反应量，其中相对停留时间的控制可以通过最佳地控制干燥气体(内部)与干燥气体(外部)的流量的比率以及干燥气体(内部)和干燥气体(外部)相对于载气的流量的流量来进行。
关于本文中的基本上任何复数和/或单数术语的使用，本领域技术人员可以根据上下文从复数转换为单数和/或从单数转换为复数。本文中对气体的提及包括该术语范围内的气体混合物。可行的是，任何实施例或示例的任何特征或方面可以被替换(例如，从另一个实施例或示例)、添加(例如，从另一个实施例或示例)、或者被移除。
已经包括在本公开中的对背景技术的任何讨论仅仅是为了提供本发明的背景，并且不应被视为承认所述讨论中的任何或所有构成在完成本发明时的现有技术或为本领域所公知。
尽管为了说明的目的已经基于当前被认为是最实际和优选的实施方式详细描述了本公开的系统(一个或多个)和/或方法(一个或多个)，但是应该理解，这些细节仅用于该目的，并且本公开不限于所公开的实施方式，相反，本公开旨在涵盖在所附权利要求的精神和保护范围内的修改和等同结构。例如，应该理解，本公开在可能的范围内预期任何实施方式的一个或多个特征可以与任何其它实施方式的一个或多个特征组合。

Claims (20)

1.一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，所述等离子体沉积设备包括进气口、喷淋头、工件支撑件和反应室，所述喷淋板适于附接到所述喷淋头并包括：
适于面向所述工件支撑件的前表面，所述前表面具有内部部分和外部部分，所述外部部分位于所述内部部分的径向外侧；
与所述前表面相反的后表面；和
限定所述喷淋板的宽度的侧壁，
其中所述喷淋板具有多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从所述后表面延伸到所述前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口；
其中所述喷淋板还具有多个第一孔口和多个第二孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从至少一个第一连接孔口延伸到所述前表面的内部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第一孔口到达所述反应室，所述多个第二孔口中的每一个都从至少一个第二连接孔口延伸到所述前表面的外部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第二孔口到达所述反应室；以及
其中所述至少一个第一连接孔口将所述多个第一孔口连接到从所述喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，并且所述至少一个第二连接孔口将所述多个第二孔口连接到从所述喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
2.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述前表面的内部部分具有圆形形状的区域，所述圆形形状的直径为50-300mm，而所述前表面的外部部分为所述前表面的直径达到50-350mm的其余区域。
3.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述喷淋板还具有在所述喷淋板的后表面侧的至少一个台阶部，所述后表面的周边被所述至少一个台阶部围绕，并且从所述喷淋板的侧壁侧延伸的所述至少一个第一孔口和所述至少一个第二孔口从所述喷淋板的所述至少一个台阶部的表面延伸。
4.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，从所述喷淋板的侧壁侧延伸的所述至少一个第一孔口和所述至少一个第二孔口从所述喷淋板的侧壁的表面延伸。
5.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述喷淋板具有437个所述多个第一孔口和504个所述多个第二孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从所述第一连接孔口延伸到所述前表面的内部部分，所述多个第二孔口中的每一个都从所述第二连接孔口延伸到所述前表面的外部部分。
6.根据权利要求1所述的喷淋板，其中所述喷淋板还具有多个第三孔口，所述多个第三孔口中的每一个都从至少一个第三连接孔口延伸到所述前表面的内部部分或外部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第三孔口到达所述反应室。
7.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述喷淋板还具有多个第三孔口，所述多个第三孔口中的每一个都从第三连接孔口延伸到所述前表面的内部部分和外部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第三孔口到达所述反应室。
8.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述载气从每一个都从所述后表面延伸到所述前表面的所述多个孔口到所述反应室的流量被设定为在0.2-10.0slm之间。
9.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量被设定为在0.1-10.0slm之间。
10.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量被设定为在0.1-10.0slm之间。
11.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，当所述载气从每一个都从所述后表面延伸到所述前表面的所述多个孔口到所述反应室的流量被设定为2.0slm或更小时，所述干燥气体从所述多个第一孔口和所述多个第二孔口到所述反应室的流量被设定为0.2slm或更大。
12.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，当所述载气从每一个都从所述后表面延伸到所述前表面的所述多个孔口到所述反应室的流量被设定为大于2.0slm时，所述干燥气体从所述多个第一孔口和所述多个第二孔口到所述反应室的流量被设定为所述载气的流量的十分之一或更大。
13.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量与所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量的比率被设定为在0.05-20之间。
14.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量与所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量的比率在前体气体被引入时的循环期间被设定为在0.05-20之间。
15.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量与所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量的比率在RF电力开启时的循环期间被设定为在0.05-20之间。
16.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量与所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量的比率在前体气体未被引入并且RF电力被切断时的循环期间被设定为在0.05-20之间。
17.一种衬底处理设备，包括根据权利要求1所述的喷淋板。
18.一种处理设备，包括：
进气口；
喷淋头；
工件支撑件；
反应室；和
喷淋板，所述喷淋板附接到所述喷淋头，所述喷淋板包括：
适于面向所述工件支撑件的前表面，所述前表面具有内部部分和外部部分，所述外部部分位于所述内部部分的径向外侧；
与所述前表面相反的后表面；和
限定所述喷淋板的宽度的侧壁，
其中所述喷淋板具有多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从所述后表面延伸到所述前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口；
其中所述喷淋板还具有多个第一孔口和多个第二孔口，所述多个第一孔口中每一个都从至少一个第一连接孔口延伸到所述前表面的内部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第一孔口到达所述反应室，所述多个第二孔口中的每一个都从至少一个第二连接孔口延伸到所述前表面的外部部分以用于使干燥气体沿此方向通过该第二孔口到达所述反应室；以及
其中所述至少一个第一连接孔口将所述多个第一孔口连接到从所述喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，并且所述至少一个第二连接孔口将所述多个第二孔口连接到从所述喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
19.根据权利要求18所述的处理设备，其中，所述喷淋板还具有在所述喷淋板的后表面侧的至少一个台阶部，所述后表面的周边被所述至少一个台阶部围绕，并且从所述喷淋板的侧壁侧延伸的所述至少一个第一孔口和所述至少一个第二孔口从所述喷淋板的所述至少一个台阶部的表面延伸。
20.根据权利要求18所述的处理设备，其中，所述干燥气体从所述多个第一孔口到所述反应室的流量与所述干燥气体从所述多个第二孔口到所述反应室的流量的比率被设定为在0.05-20之间。
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Families Citing this family (201)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US11149350B2 (en) * 2018-01-10 2021-10-19 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for supplying carrier and dry gas
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US10734219B2 (en) 2018-09-26 2020-08-04 Asm Ip Holdings B.V. Plasma film forming method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) * 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) * 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) * 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112802737A (zh) * 2019-11-13 2021-05-14 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210150978A (ko) * 2020-06-03 2021-12-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워 플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113818005A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 拓荆科技股份有限公司 一种薄膜制备设备及方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
USD967351S1 (en) * 2020-10-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Showerhead reflector
USD969980S1 (en) * 2020-10-20 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Deposition chamber showerhead
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101849280A (zh) * 2007-09-04 2010-09-29 株式会社Eugene科技 喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法
CN103531448A (zh) * 2008-07-03 2014-01-22 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
CN105779972A (zh) * 2016-05-19 2016-07-20 沈阳拓荆科技有限公司 一种喷淋头及其等离子体处理装置
CN105839079A (zh) * 2016-06-07 2016-08-10 江苏微导纳米装备科技有限公司 真空镀膜装置
CN106167895A (zh) * 2015-05-22 2016-11-30 朗姆研究公司 用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL177946C (nl) 1974-10-01 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het identificeren van voertuigen.
US4209357A (en) 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
US4263088A (en) * 1979-06-25 1981-04-21 Motorola, Inc. Method for process control of a plasma reaction
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US6537418B1 (en) * 1997-09-19 2003-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Spatially uniform gas supply and pump configuration for large wafer diameters
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
TW200537695A (en) * 2004-03-19 2005-11-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Insulating film forming method, insulating film forming apparatus, and plasma film forming apparatus
JP4517935B2 (ja) * 2005-05-19 2010-08-04 株式会社島津製作所 シャワープレートおよび表面波励起プラズマ処理装置
US8231799B2 (en) * 2006-04-28 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone
JP2008186865A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8197913B2 (en) * 2007-07-25 2012-06-12 Tokyo Electron Limited Film forming method for a semiconductor
JP5444599B2 (ja) 2007-09-28 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び成膜装置
JP5179389B2 (ja) * 2008-03-19 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP5248370B2 (ja) * 2009-03-10 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
JP5221421B2 (ja) * 2009-03-10 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
WO2011062286A1 (ja) * 2009-11-20 2011-05-26 京セラ株式会社 堆積膜形成装置
JP5444044B2 (ja) * 2010-03-02 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワーヘッド
US9324576B2 (en) * 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US8845806B2 (en) * 2010-10-22 2014-09-30 Asm Japan K.K. Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions
US9064815B2 (en) * 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9017481B1 (en) * 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP6038618B2 (ja) * 2011-12-15 2016-12-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP6134522B2 (ja) * 2013-01-30 2017-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
JP6096547B2 (ja) * 2013-03-21 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワープレート
JP6199619B2 (ja) * 2013-06-13 2017-09-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
CN111790529B (zh) * 2013-06-13 2024-06-11 洁碧有限公司 具有引擎释放的花洒
JP6157942B2 (ja) * 2013-06-13 2017-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
KR102215965B1 (ko) * 2014-04-11 2021-02-18 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US9885112B2 (en) * 2014-12-02 2018-02-06 Asm Ip Holdings B.V. Film forming apparatus
US10053774B2 (en) * 2015-06-12 2018-08-21 Asm Ip Holding B.V. Reactor system for sublimation of pre-clean byproducts and method thereof
US9349605B1 (en) * 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10546729B2 (en) * 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10418246B2 (en) * 2016-11-03 2019-09-17 Applied Materials, Inc. Remote hydrogen plasma titanium deposition to enhance selectivity and film uniformity
US10923328B2 (en) * 2017-06-21 2021-02-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus
US10907252B2 (en) * 2017-10-23 2021-02-02 Applied Materials, Inc. Horizontal heat choke faceplate design
US11149350B2 (en) * 2018-01-10 2021-10-19 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for supplying carrier and dry gas

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101849280A (zh) * 2007-09-04 2010-09-29 株式会社Eugene科技 喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法
CN103531448A (zh) * 2008-07-03 2014-01-22 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
CN106167895A (zh) * 2015-05-22 2016-11-30 朗姆研究公司 用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头
CN105779972A (zh) * 2016-05-19 2016-07-20 沈阳拓荆科技有限公司 一种喷淋头及其等离子体处理装置
CN105839079A (zh) * 2016-06-07 2016-08-10 江苏微导纳米装备科技有限公司 真空镀膜装置

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