CN113818005A - 一种薄膜制备设备及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种薄膜制备设备及方法，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接，衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔体内。这样，通过固定的气体筛板和可替换的孔板调节气体混合腔内的气体流向晶圆的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种薄膜制备设备及方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，晶圆的面积不断增大，提高晶圆表面薄膜的均匀性的难度较大，而且晶圆表面薄膜的均匀性对晶圆良率十分关键。
目前，在晶圆上形成薄膜的方法主要是，将晶圆置于反应腔体内，向反应腔体内通入反应气体，以在晶圆表面形成薄膜。
但是，现有的方法在晶圆表面形成的无定形碳膜的均匀性较差，导致器件的稳定性较差。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜制备设备及方法，提高晶圆表面薄膜的均匀性。
为实现上述目的，本发明有如下技术方案：
一种薄膜制备设备，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；所述腔体和所述盖板密封偶接；所述衬底支撑装置固定于所述腔体底部，所述衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；所述给气装置偶接于所述盖板上且与所述衬底支撑装置彼此相对，所述给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，所述孔板调整装置是由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成的，所述气体筛板固定于所述气体混合腔中。
可选的，所述给气装置偶接于所述盖板上具体为：
所述给气装置自靠近所述衬底支撑装置的偶接槽向远离所述衬底支撑装置的偶接槽偶接。
可选的，所述腔体内包括至少两个工艺站点。
一种薄膜制备方法，包括：
根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板；
将所述晶圆置于所述反应腔体内，所述晶圆与所述孔板调整装置平行相对；
利用所述调整后的所述可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。
可选的，所述根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板，包括：
根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板喷气孔孔径；
和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔深；
和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置上可替换孔板的喷气孔分布。
可选的，所述可替换孔板包括多个喷气孔，调整后的至少两个喷气孔的孔径和/或孔深不相同。
可选的，所述多个喷气孔均匀分布于所述可替换孔板上。
可选的，所述利用所述调整后的可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜，具体为：
向所述反应腔体内通入反应气体和惰性气体；
对所述反应气体和所述惰性气体进行射频处理；
射频处理后的气体通过所述调整后的可替换孔板的喷气孔，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。
可选的，所述反应腔体包括衬底支撑装置，所述衬底支撑装置表面形成有至少3个可移除支件，所述可移除支件与衬底相接触；
则，所述将所述晶圆置于所述反应腔体内，具体为：
将所述晶圆置于所述衬底支撑装置表面的所述可移除支件上。
可选的，所述可移除支件为陶瓷或绝缘材料。
可选的，至少两个所述可移除支件具有不同的形貌。
可选的，在所述将所述晶圆置于所述反应腔体内之后，还包括：
对所述晶圆进行预热。
可选的，所述对所述晶圆进行预热，具体为：
采用Ar、He、C3H6以及C2H2中的至少一种气体对所述晶圆进行预热，预热时间不少于10s。
可选的，所述薄膜为无定型碳膜。
可选的，所述反应气体为第一不饱和烃或第二不饱和烃中的至少一种，所述惰性气体为氦气或氩气。
本发明实施例提供的一种薄膜制备设备，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接，衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔体内。这样，通过调整反应腔体内的给气设施调整流向晶圆的气体流量，即通过固定的气体筛板和可替换的孔板调节气体混合腔内的气体流向晶圆的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本发明实施例一种薄膜制备方法的流程示意图；
图2示出了根据本发明实施例一种薄膜厚度均匀性的柱状图；
图3示出了根据本发明实施例一种薄膜厚度的曲线图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术的描述，目前在晶圆上形成薄膜的方法主要是，将晶圆置于反应腔体内，向反应腔体内通入反应气体，以在晶圆表面形成薄膜。但是，现有的方法在晶圆表面形成的无定形碳膜的均匀性较差，导致器件的稳定性较差。
为此，本申请提供一种薄膜制备设备，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接，衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔体内。这样，通过调整反应腔体内的给气设施调整流向晶圆的气体流量，即通过固定的气体筛板和可替换的孔板调节气体混合腔内的气体流向晶圆的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。
为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。
本申请实施例提供一种薄膜制备设备，包括：腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接；衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置是由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成的，气体筛板固定于气体混合腔中。
本实施例中，腔体和盖板密封偶接形成密封的环境，进而可以在密封环境中进行等离子体刻蚀、等离子体薄膜沉积等工艺。衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置可以用于支撑衬底，还可以作为一端电极，例如可以作为下电极，同时与上电极相对，产生电场，上电极激发反应气体形成的等离子体在电场的作用下向衬底支撑座上固定的衬底表面一端，从而在衬底表面沉积薄膜或进行刻蚀工艺。衬底支撑装置还可以作为加热装置，用于对衬底进行加热，以使衬底达到在衬底上形成薄膜所需的温度。衬底支撑装置可以为金属盘，例如可以为铝制金属盘。
衬底支撑装置上表面形成有用于支撑衬底的可移除支件，即在衬底支撑装置与衬底接触的表面形成可移除支件，可移除支件用于支撑衬底，将衬底与衬底支撑装置隔离开，避免衬底支撑装置中的离子扩散至衬底中，对衬底造成污染，同时可移除支件还可以防止衬底和衬底支撑装置之间产生静电吸附。可移除部件可以为陶瓷柱或绝缘材料，绝缘材料例如可以为氧化硅。
给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置。给气装置用于提供工艺气体，工艺气体通过给气装置进入反应腔体的气体混合腔，工艺气体在气体混合腔内混合均匀，而后对混合均匀后的工艺气体进行射频处理形成等离子体，等离子体在孔板调整装置与衬底支撑座之间的电场作用下，对衬底支撑装置上的衬底进行沉积、刻蚀等工艺。在具体的应用中，给气装置可以自靠近所述衬底支撑装置的偶接槽向远离所述衬底支撑装置的偶接槽偶接。给气装置与靠近衬底支撑装置的偶接槽偶接时，给气装置中的气体混合腔的空间较大，能够容纳更大的工艺气体，给气装置与远离衬底支撑装置的偶接槽偶接时，给气装置中的气体混合腔的空间较小，容纳的工艺气体的含量较小。
孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔中，气体筛板能够过滤部分气体，使得等离子体能够较为均匀的达到衬底表面，气体筛板与可替换的孔板配合形成调节到达衬底不同位置的气体的流量，例如可以通过控制可替换的孔板上的喷气孔的孔深、孔深以及孔分布等控制到达衬底不同位置的气体的流量，进而控制在衬底不同位置处形成的薄膜的厚度。本实施例中，腔体内至少包括两个工艺站点，每个工艺站点可以进行相同的工艺，也可以进行不同的工艺。
以上对本申请实施例提供的一种薄膜制备设备进行了描述，本申请实施例还提供一种薄膜制备方法，包括：
参考图1所示，在步骤S01中，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔调整装置中的可替换孔板。
通常在晶圆表面形成薄膜的方法是，将晶圆置于反应腔体内，向反应腔体内通入反应气体和惰性气体，而后对反应气体和惰性气体进行射频处理，以在晶圆表面形成薄膜。但是在晶圆上形成的薄膜的厚度均匀性较差。因此，需要获取晶圆表面薄膜的厚度分布，例如可以获取晶圆各个位置的厚度，根据晶圆各个位置的厚度可以得知晶圆表面薄膜的均匀性。例如，晶圆各个位置的厚度相差较大，晶圆表面薄膜的均匀性较差，晶圆各个位置的厚度较大，晶圆表面薄膜的均匀性较高。而后根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔调整装置中的可替换孔板。可替换孔板包括固定的筛板和可替换的孔板，可替换的孔板上形成有喷气孔，经过射频处理之后的反应气体经过筛板的过滤后，通过可替换的孔板，到达晶圆表面，在晶圆表面形成薄膜。
本实施例中，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔调整装置中的可替换孔板，可以为，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔径，和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔深，和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔分布。。具体的，晶圆表面某一位置薄膜的厚度较小时，可以增大该位置对应的喷气孔的孔径，使得后续经过该喷气孔的气体量增多，从而在该位置沉积较厚的薄膜。也可以增大该位置对应的喷气孔的孔深，喷气孔的孔深较大时，使得经过该喷气孔的喷射在晶圆表面的位置的范围较小，即更为集中的喷射在晶圆的某个区域，从而增大该区域的薄膜厚度。也可以增大该位置对应的喷气孔的孔密度，即增多该位置对应的喷气孔，从而增大该位置对应的气体量，进而增大该位置的薄膜厚度。也可以同时增大喷气孔的孔径和孔深和孔密度，以使得气体更为有效的喷射至晶圆表面的某个位置，提高薄膜沉积的效率，缩短薄膜沉积的时间。
本实施例中，可替换孔板包括多个喷气孔，调整后的至少两个喷气孔的孔径和/或孔深不相同。具体的，调整后的至少两个喷气孔的孔径不相同，或者调整后的至少两个喷气孔的孔深不相同，或者调整后的至少两个喷气孔的孔径和孔深均不相同。调整后的喷气孔的孔径不相同的数量越多，表明晶圆表面初始薄膜的厚度越不均匀，调整后的喷气孔的孔深不相同的数量越多，表明晶圆表面初始薄膜的厚度越不均匀，因而根据调整后的喷气孔孔径和/或孔深，可以判断晶圆表面初始薄膜的厚度的均匀性。
本实施例中，可替换孔板包括多个喷气孔，多个喷气孔可以均匀的分布于可替换孔板上，使得气体通过均匀分布的喷气孔后，均匀到达晶圆表面，从而在晶圆表面形成较为均匀的薄膜。在具体的应用中，多个喷气孔可以以三角形阵列排布，圆形阵列排布或矩形阵列排布等。可替换孔板可以为铝制孔板。
在步骤S02中，将晶圆置于反应腔体内，晶圆与孔板调整装置平行相对。
本实施例中，反应腔体包括衬底支撑装置，衬底支撑装置用于对晶圆进行加热同时作为一端电极。根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板之后，将晶圆置于反应腔体内的衬底支撑装置上，孔板调整装置位于晶圆的上方且与晶圆平行相对，即晶圆位于孔板调整装置和衬底支撑座之间，孔板调整装置中的可替换孔板上的每一个喷气孔对应晶圆的一个区域。气体通过可替换孔板上的喷气孔喷射至对应的各个区域，在多个喷气孔的作用下，气体能够喷施至晶圆的整个表面，从而在晶圆表面形成薄膜。
本实施例中，衬底支撑装置表面形成有至少3个可移除支件，可移除支件与衬底相接触，即在衬底支撑装置表面形成可移除支件，而后将晶圆置于可移除支件上，可移除支件不仅可以支撑晶圆还可以将晶圆和衬底支撑装置隔离开。可移除支件可以为陶瓷柱或其他绝缘材料，陶瓷柱的数量可以为9，陶瓷柱的数量越多，陶瓷柱对晶圆的支撑度越高，但是陶瓷柱的数量过多，使得晶圆和衬底支撑装置之间被陶瓷柱阻隔，加热盘无法对晶圆进行有效加热。而且，将晶圆置于衬底支撑装置表面上的陶瓷柱上，陶瓷柱将晶圆与衬底支撑装置隔离开，避免衬底支撑装置中的离子扩散至晶圆表面。陶瓷柱的高度可以为0.06～0.14mm，陶瓷柱的高度即衬底支撑装置与晶圆之间的间距。
本实施例中，至少两个可移除支件具有不同的形貌，可移除支件不仅可以将晶圆和衬底支撑装置隔离开，还可以防止晶圆和衬底支撑装置之间产生静电粘附，可移除支件可以为陶瓷柱、蓝宝石球或者蓝宝石柱等。在具体的实施例中，可以通过调整陶瓷柱的高度，提高薄膜厚度的均匀性，参考图2所示。图2给出了三个示例，示例一、示例二和示例三，三个示例分别表示调整前和调整后的薄膜均匀度(thickness uniformity，THK Nu％)，THKNu％越大，薄膜的均匀性越差，THK Nu％，薄膜的均匀性越高。示例一中调整陶瓷柱的高度之前，薄膜均匀度为5.3％左右，调整陶瓷柱的高度之后，薄膜均匀度为2.5％左右。示例二中调整陶瓷柱的高度之前，薄膜均匀度为4.98％左右，调整陶瓷柱的高度之后，薄膜均匀度为2.4％左右。示例三中调整陶瓷柱的高度之前，薄膜均匀度为5.3％左右，调整陶瓷柱的高度之前，薄膜均匀度为2.9％左右。因而，可以通过调整陶瓷柱的高度，提高薄膜的均匀性，而且根据图2可以明显看出，调整陶瓷柱的高度之后，薄膜的均匀性明显提高，具体的，薄膜厚度较厚的位置，陶瓷柱的高度需要增高，薄膜厚度较薄的位置，陶瓷柱的高度需要降低。。
本实施例中，将晶圆置于反应腔体内之后，可以对晶圆进行预热，以使气体充分反应，在晶圆表面形成薄膜。对晶圆进行预热，具体可以为，向反应腔体内通入氩气(Ar)、氦气(He)、丙烯(C3H6)以及乙炔(C2H2)中的至少一种，例如可以向反应腔体内通入两种惰性气体Ar和He，也可以向反应腔体内通入C3H6和He。预热时间可以为不少于10s，例如可以为10s～100s。
在步骤S03中，利用调整后的可替换孔板，调整晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。
本实施例中，根据晶圆表面薄膜的厚度分布调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板之后，将晶圆置于反应腔体内，置于反应腔体内的晶圆与可替换孔板相对应，例如晶圆表面薄膜厚度较薄的位置对应的可替换孔板上的喷气孔的孔径较大和/或孔深较大，晶圆表面薄膜厚度较厚的位置对应的可替换孔板上的喷气孔的孔径较小和/或孔深较小。而后向反应腔体内通入反应气体和惰性气体，反应腔体内的压力范围可以为1～10torr，而后对反应气体和惰性气体进行射频处理。射频处理时较高频可以为13.56MHz或者28.5MHz，功率可以为100W～2500W，例如可以为1000W～2200W。射频处理后的气体生成离子，离子经过喷气孔到达晶圆表面，在晶圆表面生成薄膜，由于喷气孔的孔径和/或孔深不同，使得经过喷气孔的离子量不同，在晶圆表面不同位置生成不同厚度的薄膜，在晶圆表面薄膜厚度较小的位置生成较厚的薄膜，弥补晶圆表面厚度较薄位置的薄膜，从而提高晶圆表面薄膜的厚度均匀性。
参考图3所示，图3示出了利用调整后的可替换孔板中的喷气孔，调整晶圆表面薄膜厚度之后，晶圆表面薄膜的厚度曲线以及调整晶圆表面薄膜厚度之前，晶圆表面薄膜的厚度曲线。调整之前，晶圆中心位置薄膜的厚度较厚，薄膜厚度的标准方差与平均值的比(Nu％)为2.47％。调整之后，晶圆薄膜厚度的标准方差与平均值的比(Nu％)小于1％。显然，根据本申请实施例提供的方法对晶圆表面薄膜的厚度调整之后，晶圆中心薄膜的厚度与晶圆两侧厚度基本一致，对晶圆表面进行调整之后修整晶圆表面薄膜存在的不平整或缺陷，使得晶圆表面薄膜的均匀性明显提高。
本实施例中，薄膜为无定型碳膜，向反应腔内通入的反应气体可以为第一不饱和烃或第二不饱和烃，例如可以为C3H6或C2H2中的至少一种，惰性气体可以为Ar或He。在具体的应用中，可以向反应腔体内通入C3H6和He。而后对C3H6和He进行射频处理，以在晶圆表面生成非晶碳膜。
以上对本申请实施例提供的薄膜制备方法进行了详细的描述，获得晶圆表面薄膜的厚度分布之后，根据厚度的不同调整喷淋板的喷气孔，对喷气孔进行调整之后，能够调整喷气孔的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (15)
1.一种薄膜制备设备，包括：腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；所述腔体和所述盖板密封偶接；所述衬底支撑装置固定于所述腔体底部，所述衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；所述给气装置偶接于所述盖板上且与所述衬底支撑装置彼此相对，所述给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，其特征在于，所述孔板调整装置是由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成的，所述气体筛板固定于所述气体混合腔中。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述给气装置偶接于所述盖板上具体为：
所述给气装置自靠近所述衬底支撑装置的偶接槽向远离所述衬底支撑装置的偶接槽偶接。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述腔体内包括至少两个工艺站点。
4.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：
根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板；
将所述晶圆置于所述反应腔体内，所述晶圆与所述孔板调整装置平行相对；
利用所述调整后的所述可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板，包括：
根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板喷气孔孔径；
和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔深；
和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔分布。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述可替换孔板包括多个喷气孔，调整后的至少两个喷气孔的孔径和/或孔深不相同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个喷气孔均匀分布于所述可替换孔板上。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述调整后的可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜，具体为：
向所述反应腔体内通入反应气体和惰性气体；
对所述反应气体和所述惰性气体进行射频处理；
射频处理后的气体通过所述调整后的可替换孔板的喷气孔，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。
9.根据权利要求4-8任意一项所述的方法，其特征在于，所述反应腔体包括衬底支撑装置，所述衬底支撑装置表面形成有至少3个可移除支件，所述可移除支件与衬底相接触；
则，所述将所述晶圆置于所述反应腔体内，具体为：
将所述晶圆置于所述衬底支撑装置表面的所述可移除支件上。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述可移除支件为陶瓷或绝缘材料。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少两个所述可移除支件具有不同的形貌。
12.根据权利要求4-8任意一项所述的方法，其特征在于，在所述将所述晶圆置于所述反应腔体内之后，还包括：
对所述晶圆进行预热。
13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行预热，具体为：
采用Ar、He、C3H6以及C2H2中的至少一种气体对所述晶圆进行预热，预热时间不少于10s。
14.根据权利要求5-8任意一项所述的方法，其特征在于，所述薄膜为无定型碳膜。
15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述反应气体为第一不饱和烃或第二不饱和烃中的至少一种，所述惰性气体为氦气或氩气。
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