CN112384642B - 用于均匀流量分布和有效净化的气流引导件设计 - Google Patents
用于均匀流量分布和有效净化的气流引导件设计 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112384642B CN112384642B CN201980044401.8A CN201980044401A CN112384642B CN 112384642 B CN112384642 B CN 112384642B CN 201980044401 A CN201980044401 A CN 201980044401A CN 112384642 B CN112384642 B CN 112384642B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sidewall
- outlet
- guide
- channel
- inlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 title abstract description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 113
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 40
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- YUOZJPJAFVBZCJ-UHFFFAOYSA-N C[Zr]N Chemical compound C[Zr]N YUOZJPJAFVBZCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式总体涉及原子层沉积(ALD)腔室。更具体地，本公开内容的实施方式涉及用于均匀地输送处理气体和有效地净化处理气体的ALD腔室。
背景技术
ALD基于原子层外延(ALE)并且采用化学吸附技术以连续循环在表面上输送前驱物分子。基板设置在ALD腔室的处理区域中。第一前驱物跨越基板流入处理区域中并且从处理区域排放。随后，第二前驱物跨越基板流入处理区域中，并且从处理区域排放。视情况，净化气体可以在前驱物的引入操作之间引入。第一前驱物和第二前驱物反应以形成产物化合物作为基板表面上的膜。重复循环来将层形成到期望厚度。
然而，前驱物和净化气体(也称为处理气体)可能在整个处理区域上不均匀地分布，并且因此可能在整个基板上不均匀地分布。由此，基板的膜厚度分布可能是不均匀的。此外，处理区域中的处理气体可能未有效地从处理区域排放，使得残留气体余留在处理区域中。余留在腔室中的残留处理气体影响膜的品质。此外，净化处理气体以确保残留处理气体不余留在处理区域中所需的时间降低产量。
由此，在本领域中需要具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。
发明内容
在一个实施方式中，提供了一种气流入口引导件。气流入口引导件包括：流引导件主体，所述流引导件主体具有顶部、底部、主体侧壁、流引导件入口、和流引导件出口；和流调节器，所述流调节器设置在流引导件主体内，包括具有一直径的至少一个开口和至少一个第一通道。至少一个第一通道包括第一侧壁和第二侧壁、第一通道面积、第一通道体积、在流调节器处从第一侧壁到第二侧壁的第一入口宽度、在第一通道出口处从第一侧壁到第二侧壁的第一出口宽度、以及由第一出口宽度和侧壁高度界定的第一截面面积。气室存在于流调节器与流引导件入口之间。第一侧壁和第二侧壁从流调节器到设置在流引导件出口中的第一通道出口具有不同长度。第一侧壁和第二侧壁具有侧壁宽度和侧壁高度。第一通道面积由流调节器、第一侧壁、第二侧壁和第一通道出口界定。第一通道体积由流调节器、第一侧壁、第二侧壁、第一通道出口、流引导件主体的底部和流引导件主体的顶部界定。第一截面面积由第一出口宽度和侧壁高度界定，其中气室存在于流调节器与流引导件入口之间。
在另一实施方式中，提供了一种气流出口引导件。气流出口引导件包括：流引导件主体，所述流引导件主体具有顶部、底部、主体侧壁、流引导件入口和被配置为耦接至泵的流引导件出口。至少一个第一通道包括第一侧壁和第二侧壁、第一通道面积、第一通道体积、在第一通道入口处从第一侧壁到第二侧壁的第一入口宽度、在第一通道出口处从第一侧壁到第二侧壁的第一出口宽度、以及由第一出口宽度和侧壁高度界定的第一截面面积。第一侧壁和第二侧壁从第一通道出口到第一通道入口具有不同长度。第一侧壁和第二侧壁具有侧壁宽度和侧壁高度。第一通道面积由第一通道入口、第一侧壁、第二侧壁、和第一通道出口界定。第一通道体积由第一通道入口、第一侧壁、第二侧壁、第一通道出口、流引导件主体的底部和流引导件主体的顶部界定。第一截面面积由第一入口宽度和侧壁高度界定。
在又一实施方式中，提供了一种原子层沉积(ALD)腔室。腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件，所述盖组件设置在腔室主体的上端处；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在处理气体出口中。气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所述第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
附图说明
因此，为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要地概述的本公开内容的更具体的描述可以参考实施方式进行，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应注意，附图仅示出示例性实施方式并由此不被认为是限制其范围，并且可允许其他等效实施方式。
图1是根据一个实施方式的原子层沉积腔室的示意性截面图。
图2A是根据一个实施方式的气流入口引导件的示意性俯视图。
图2B是根据一个实施方式的气流出口引导件的示意性俯视图。
图2C是根据一个实施方式的气流入口引导件的示意性侧视图。
图2D是根据一个实施方式的气流出口引导件的示意性侧视图。
图2E是根据一个实施方式的流调节器的示意性平面图。
图3是根据一个实施方式的原子层沉积腔室的处理区域的示意性俯视图。
为了便于理解，在可能情况下，已经使用相同的元件符号表示图中共有的相同元件。设想的是，一个实施方式的元件和特征可有利地结合在其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文描述的实施方式提供了具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在处理气体出口中。气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所述第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
图1是根据一个实施方式的ALD腔室100的示意性截面图。适当的ALD腔室可从位于Calif(加利福尼亚)州Santa Clara(圣克拉拉)市的Applied Materials，Inc.(应用材料公司)获得。将理解，下文描述的系统是示例性腔室，并且其他腔室(包括来自其他制造商的腔室)可以一起使用或修改以实现本公开内容的方面。ALD腔室100包括腔室主体102、盖组件104、处理配件106、基板支撑组件108、处理气体入口110、和处理气体出口112。
盖组件104设置在腔室主体102的上端处，并且基板支撑组件108至少部分设置在腔室主体102内。处理配件106耦接至盖组件104。基板支撑组件108包括通过杆118可移动地设置在腔室主体102中的基座116。基座116包括被配置为支撑基板101的基板支撑表面132。杆118延伸穿过腔室主体102，其中所述杆连接到升降系统(未示出)，所述升降系统在处理位置(如图所示)与传输位置之间移动基座116。传输位置便于穿过在腔室主体102的侧壁中形成的狭缝阀开口114传输基板101，以提供通到ALD腔室100的内部体积的入口。
在处理位置，基板支撑组件108接触处理配件106以形成由基板支撑表面132、处理配件106、和盖组件104的下表面界定的处理区域120。当处理位置中的基板支撑组件108接触处理配件106以形成处理区域120时，处理配件106的气体入口122和气体出口124分别耦接至处理气体入口110和处理气体出口112，被定位为与处理区域120流体连通。以这种方式，将处理气体提供到处理气体入口110并穿过气体入口122提供到处理区域120。处理气体出口112连接到泵126。处理气体在处理区域120中跨越基板101流动并且通过泵126穿过气体出口124和处理气体出口112排放。RF(射频)源128耦接盖组件104的电极130。RF源128为电极130供电以便于由处理区域120中的处理气体产生等离子体。基座116接地，或者当连接到RF源128时基座116可以用作阴极，以在盖组件104的下表面与基座116之间产生用于朝向基板101加速等离子体物质的电容电场。
用于ALD的一种或多种特定气体取决于要执行的一种或多种工艺。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，气体可包括三甲基铝(CH3)3Al(TMA)、四乙基甲基氨基锆Zr[N(CH3)(C2H5)]4(TEMAZ)、氮(N2)、和氧(O2)，然而，气体并不如此限制并且可包括一种或多种前驱物、还原剂、催化剂、载体、净化气体、清洁气体、或者其任何混合物或组合。将气体从一侧引入ALD腔室100中并且跨越基板101流动。例如，气体穿过处理气体入口110、气体入口122并跨越处理区域120流动，并且穿过气体出口124和处理气体出口112排放。在示例性氧化铝(Al2O3)膜形成工艺中，将TMA流输送到处理区域120。跨越处理区域120流动的TMA跨越基板101流动并且在基板101上形成TMA层。将含氧气体流输送到处理区域120。跨越处理区域120流动的含氧气体跨越基板101流动并且被活化为等离子体以提供用于与TMA层反应的氧自由基。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，含氧气体是O2或臭氧(O3)。氧自由基与基板101上的TMA层反应，形成Al2O3层。继续重复流动TMA、流动含氧气体、和将含氧气体活化为等离子体以在基板101上形成额外层，直到形成具有期望厚度的Al2O3膜。
在示例性二氧化锆(ZrO2)膜形成工艺中，将TEMAZ流输送到处理区域120。跨越处理区域120流动的TEMAZ跨越基板101流动并且在基板101上形成TEMAZ层。将含氧气体流输送到处理区域120。跨越处理区域120流动的含氧气体跨越基板101流动并且被活化为等离子体以提供用于与TEMAZ层反应的氧自由基。氧自由基与基板101上的TEMAZ层反应，在基板101上形成ZrO2层。继续重复流动TEMAZ、流动O2、和将含氧气体活化为等离子体，直到形成具有期望厚度的ZrO2膜。
然而，在示例性Al2O3膜形成工艺和示例性二氧化锆ZrO2膜形成工艺中，处理气体流可能不均匀地跨越处理区域120分布，并且因此可能不均匀地跨越基板101分布。由此，基板101的膜厚度分布可能并非均匀的，应当优选地防止这种情况。此外，在处理区域120、处理气体入口110、和气体入口122中的处理气体可能未有效地从处理区域120排放，使得残留气体余留在处理区域120、处理气体入口110、和气体入口122中。余留在腔室中的残留处理气体影响膜的品质。例如，在示例性ZrO2膜形成工艺中，在将O2活化为等离子体期间，在处理区域120中的残留TEMAZ可能导致在ZrO2层上沉积残留颗粒。残留颗粒影响ZrO2膜的品质和均匀性。此外，用于排放处理气体(本文描述为净化处理气体)以确保残留处理气体不会余留在处理区域120、处理气体入口110、和气体入口122中所需的时间降低膜处理的产量。由此，提供气流入口引导件202以均匀地输送处理气体流，并且提供气流出口引导件203以有效地净化处理气体并减少净化时间。
图2A是气流入口引导件202的示意性俯视图并且图2C是示意性侧视图。图2E是流调节器220的示意性平面图。气流入口引导件202设置在处理气体入口110(在图1中示出)中。气流入口引导件202包括具有流引导件入口208和流引导件出口210的流引导件主体206。流引导件主体206包括顶部212、底部214和主体侧壁216。在流引导件主体206中设置了至少一个第一通道218和包括至少一个开口222的流调节器220。气室224形成在流调节器220与流引导件入口208之间。流引导件出口210包括至少一个第一通道出口226。
第一通道218由第一侧壁228和第二侧壁230界定。第一侧壁228和第二侧壁230从流调节器220到第一通道出口226具有不同长度232。第一侧壁228和第二侧壁230具有侧壁宽度234和侧壁高度236。至少一个第二通道238设置在流引导件主体206内。第二通道238由第一侧壁228和主体侧壁216中的一个界定。主体侧壁216从流调节器220到第一通道出口226具有与长度232不同的长度240。主体侧壁216具有主体侧壁高度242和主体侧壁宽度244。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一些实施方式中，中心通道246设置在流引导件主体206内。中心通道具有第一侧壁228和第二侧壁230。第一侧壁228和第二侧壁230从流调节器220到第一通道出口226具有相同长度248。
至少一个第一通道218和中心通道246具有由流调节器220、第一侧壁228、第二侧壁230、和第一通道出口226界定的第一通道面积250。至少两个第一通道218的第一通道面积250是不同的。至少一个第一通道218和中心通道246具有由流调节器220、第一侧壁228、第二侧壁230、第一通道出口226、流引导件主体206的底部214、和流引导件主体206的顶部212界定的第一通道体积252。至少两个第一通道218的第一通道体积252是不同的。至少一个第二通道238具有由流调节器220、第一侧壁228、主体侧壁216中的一个、和第二通道出口256界定的第二通道面积254。至少一个第二通道238具有由流调节器220、第一侧壁228、主体侧壁216中的一个、第二通道出口256、流引导件主体206的底部214、和流引导件主体206的顶部212界定的第二通道体积258。
至少一个第一通道218和中心通道246具有在流调节器220处从第一侧壁228到第二侧壁230的第一入口宽度260。至少一个第一通道218和中心通道246具有在第一通道出口226处从第一侧壁228到第二侧壁230的第一出口宽度262。至少一个第二通道具有在流调节器220处从第一侧壁228到主体侧壁216中的一个的第二入口宽度264。至少一个第二通道具有在第二通道出口256处从第一侧壁228到主体侧壁216中的一个的第二出口宽度266。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，每个第一入口宽度260和每个第二入口宽度264实质上相同。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，至少两个第一通道218的第一入口宽度260是不同的。至少一个第一通道出口226具有由第一出口宽度262和侧壁高度236界定的第一截面面积268。至少一个第二通道出口256具有由第二出口宽度266和主体侧壁高度242界定的第二截面面积270。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，每个第一截面面积268和每个第二截面面积270实质上相同。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，至少两个第一通道出口226的第一截面面积268是不同的。
气流入口引导件202允许处理气体在气室224中分布并且在至少一个第一通道218中分离为多个独立流。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，气流入口引导件202允许处理气体在气室224中分布并且在至少一个第一通道218、中心通道246、和至少一个第二通道238中分离为多个独立流。气流调节器220的至少一个开口222具有直径272。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，每个开口222的直径272被选择为考虑至少两个第一通道218的第一通道体积252和第一通道面积250的差异以及至少两个第一通道出口226的第一截面面积268的差异，使得每个独立流具有实质上相同的速度和体积，以跨越处理区域120实质上均匀地分布处理气体。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，选择每个开口222的直径272为进一步考虑到第一通道体积252和第二通道体积258的差异、以及第一通道面积250和第二通道面积254的差异，使得每个独立流具有实质上相同的速度和体积，以跨越处理区域120实质上均匀地分布处理气体。如图3所示，图3为处理区域120的示意性俯视图，气流入口引导件202的气流调节器220提供了跨越处理区域120的实质上均匀的压力改变，也称为处理轮廓300。
图2B是气流出口引导件203的示意性俯视图并且图2D是示意性侧视图。气流出口引导件203设置在处理气体出口112(在图1中示出)或气体出口124中。气流出口引导件203包括流引导件主体205，所述流引导件主体具有流引导件入口207和流引导件出口209。流引导件主体205包括顶部211、底部213、和主体侧壁215。流引导件入口207包括至少一个第一通道入口225。
流引导件主体205中设置了至少一个第一通道217。第一通道217由第一侧壁227和第二侧壁229界定。第一侧壁227和第二侧壁229从第一通道入口225到第一通道出口219具有不同长度231。第一侧壁227和第二侧壁229具有侧壁宽度233和侧壁高度235。至少一个第二通道237设置在流引导件主体205内。第二通道237由第一侧壁227和主体侧壁215中的一个界定。主体侧壁215从第二通道入口255到第二通道出口221具有与长度231不同的长度239。主体侧壁215具有主体侧壁高度241和主体侧壁宽度243。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，中心通道245设置在流引导件主体205内。中心通道具有第一侧壁227和第二侧壁229。第一侧壁227和第二侧壁229从第一通道入口225到第一通道出口219具有相同长度247。
至少一个第一通道217和中心通道245具有由第一通道出口219、第一侧壁227、第二侧壁229、和第一通道入口225界定的第一通道面积249。至少两个第一通道217的第一通道面积249是不同的。至少一个第一通道217和中心通道具有由第一通道出口219、第一侧壁227、第二侧壁229、第一通道入口225、流引导件主体205的底部213、和流引导件主体205的顶部211界定的第一通道体积251。至少两个第一通道217的第一通道体积251是不同的。至少一个第二通道237具有由第二通道出口221、第一侧壁227、主体侧壁215中的一个、和第二通道入口255界定的第二通道面积253。至少一个第二通道237具有由第二通道出口221、第一侧壁227、主体侧壁215中的一个、第二通道入口255、流引导件主体205的底部213、和流引导件主体205的顶部211界定的第二通道体积257。
至少一个第一通道217和中心通道245具有在第一通道出口219处从第一侧壁227到第二侧壁229的第一出口宽度259。至少一个第一通道217和中心通道245具有在第一通道入口225处从第一侧壁227到第二侧壁229的第一入口宽度261。至少一个第二通道具有在第二通道入口255处从第一侧壁227到主体侧壁215中的一个的第二入口宽度265。至少一个第二通道237具有在第二通道出口221处从第一侧壁227到主体侧壁215中的一个的第二出口宽度263。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，每个第一入口宽度261和每个第二入口宽度265实质上相同。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，至少两个第一通道217的第一入口宽度261是不同的。至少一个第一通道入口225具有由第一入口宽度261和侧壁高度235界定的第一截面面积267。至少第二通道入口255具有由第二入口宽度265和主体侧壁高度241界定的第二截面面积269。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的一个实施方式中，每个第一截面面积267和每个第二截面面积269实质上相同。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，至少两个第一通道入口225的第一截面面积267是不同的。
气流出口引导件203允许有效净化处理气体并且减少净化时间。在处理区域120和泵126中分布的处理气体通过气体出口124和处理气体出口112排放气体，从而导致在处理容积中中心到边缘的压力改变。至少一个第一通道217和中心通道允许在处理区域120中分布的处理气体在至少一个第一通道217中分离为多个独立流，以控制处理区域120中的中心到边缘的压力改变来实质上均匀地净化来自处理区域120的处理气体。在可以与本文描述的其他实施方式相结合的另一实施方式中，至少一个第一通道217、中心通道245和至少一个第二通道237允许在处理区域120中分布的处理气体在至少一个第一通道217和中心通道245中分离为多个独立流，以控制中心到边缘的压力改变来实质上均匀地净化来自处理区域120的处理气体。
总而言之，本文描述的实施方式提供了用于将处理气体流均匀地输送到原子层沉积(ALD)腔室的处理区域的气流入口引导件和提供有效净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件。对于气流入口引导件来说，利用至少一个第一通道允许处理气体分离为多个独立流。气流调节器的至少一个开口具有一直径，所述直径被选择为考虑到至少两个第一通道出口的差异，使得每个独立流具有实质上相同的速度和体积，以跨越处理区域实质上均匀地分布处理气体。对于气流出口引导件来说，至少一个第一通道将处理容积中分布的处理气体分离为多个独立流以控制处理区域中的中心到边缘的压力改变，以实质上均匀地净化来自处理区域的处理气体。实质上均匀地净化处理气体允许有效排放处理气体，使得残留的处理气体不余留在处理区域中。由于需要较少时间来确保残留的处理气体不余留在处理区域中，因此有效排放减少了净化时间。
虽然上述内容针对本公开内容的示例，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设计出本公开内容的其他和另外的示例，并且本公开内容的范围是由随附权利要求书确定的。
Claims (19)
1.一种气流入口引导件，包括：
流引导件主体，所述流引导件主体具有顶部、底部、主体侧壁、流引导件入口和流引导件出口；和
流调节器，所述流调节器设置在所述流引导件主体内，包括具有一直径的至少一个开口和至少一个第一通道，所述至少一个第一通道包括：
第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁沿着以所述流调节器为中心的半径延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁从所述流调节器到设置在所述流引导件出口中的第一通道出口具有不同长度，所述第一侧壁和所述第二侧壁具有侧壁宽度和侧壁高度；
第一通道面积，所述第一通道面积由所述流调节器、所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第一通道出口界定；
第一通道体积，所述第一通道体积由所述流调节器、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第一通道出口、所述流引导件主体的所述底部和所述流引导件主体的所述顶部界定；
第一入口宽度，所述第一入口宽度在所述流调节器处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；
第一出口宽度，所述第一出口宽度在所述第一通道出口处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；和
第一截面面积，所述第一截面面积由所述第一出口宽度和所述侧壁高度界定，其中气室存在于所述流调节器与所述流引导件入口之间。
2.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中所述气流入口引导件被配置为设置在原子层沉积(ALD)腔室内的处理气体入口中。
3.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中每个第一入口宽度实质上相同。
4.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一截面面积实质上相同。
5.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中每个开口的所述直径被选择为考虑到至少两个第一通道的所述第一通道体积和所述第一通道面积的差异。
6.一种气流出口引导件，包括：
流引导件主体，所述流引导件主体具有顶部、底部、主体侧壁、流引导件入口和被配置为耦接至泵的流引导件出口，其中所述流引导件主体中形成有至少一个第一通道，其中所述至少一个第一通道包括：
第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁沿着以所述流引导件主体为中心的半径延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁从第一通道出口到第一通道入口具有不同长度，所述第一侧壁和所述第二侧壁具有侧壁宽度和侧壁高度；
第一通道面积，所述第一通道面积由所述第一通道入口、所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第一通道出口界定；
第一通道体积，所述第一通道体积由所述第一通道入口、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第一通道出口、所述流引导件主体的所述底部和所述流引导件主体的所述顶部界定；
第一入口宽度，所述第一入口宽度在所述第一通道入口处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；
第一出口宽度，所述第一出口宽度在所述第一通道出口处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；和
第一截面面积，所述第一截面面积由所述第一入口宽度和所述侧壁高度界定。
7.如权利要求6所述的气流出口引导件，其中所述气流出口引导件被配置为设置在原子层沉积(ALD)腔室内的处理气体出口中。
8.如权利要求6所述的气流出口引导件，其中每个第一出口宽度实质上相同。
9.如权利要求6所述的气流出口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一截面面积实质上相同。
10.一种原子层沉积(ALD)腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；
盖组件，所述盖组件设置在所述腔室主体的上端处；
气流入口引导件，所述气流入口引导件包括：
流引导件主体，所述流引导件主体具有顶部、底部、主体侧壁、流引导件入口和流引导件出口；和
流调节器，所述流调节器设置在所述流引导件主体内，包括具有一直径的至少一个开口和至少一个第一通道，所述至少一个第一通道包括：
第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁沿着以所述流调节器为中心的半径延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁从所述流调节器到设置在所述流引导件出口中的第一通道出口具有不同长度，所述第一侧壁和所述第二侧壁具有侧壁宽度和侧壁高度；
第一通道面积，所述第一通道面积由所述流调节器、所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第一通道出口界定；
第一通道体积，所述第一通道体积由所述流调节器、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第一通道出口、所述流引导件主体的所述底部和所述流引导件主体的所述顶部界定；
第一入口宽度，所述第一入口宽度在所述流调节器处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；
第一出口宽度，所述第一出口宽度在所述第一通道出口处从所述第一侧壁到所述第二侧壁；和
第一截面面积，所述第一截面面积由所述第一出口宽度和所述侧壁高度界定，其中气室存在于设置在所述处理气体入口中的所述流引导件入口与所述流调节器之间；和
气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中，所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
11.如权利要求10所述的腔室，其中至少两个第一通道的所述第一通道体积是不同的并且所述至少两个第一通道的所述第一截面面积实质上相同。
12.如权利要求11所述的腔室，其中每个开口的所述直径被选择为考虑到所述至少两个第一通道的所述第一通道体积和所述第一通道面积的差异。
13.如权利要求10所述的腔室，其中至少两个第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道体积。
14.如权利要求10所述的腔室，其中至少两个第一出口引导通道具有实质上相同的第一出口引导件截面面积。
15.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一通道面积是不同的。
16.如权利要求1所述的气流入口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一通道体积是不同的。
17.如权利要求16所述的气流入口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一出口宽度是不同的。
18.如权利要求6所述的气流出口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一通道面积是不同的。
19.如权利要求18所述的气流出口引导件，其中至少两个第一通道的所述第一通道体积是不同的。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/032,854 | 2018-07-11 | ||
| US16/032,854 US10697062B2 (en) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Gas flow guide design for uniform flow distribution and efficient purge |
| PCT/US2019/038267 WO2020013972A1 (en) | 2018-07-11 | 2019-06-20 | Gas flow guide design for uniform flow distribution and efficient purge |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112384642A CN112384642A (zh) | 2021-02-19 |
| CN112384642B true CN112384642B (zh) | 2023-02-17 |
Family
ID=69140126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980044401.8A Active CN112384642B (zh) | 2018-07-11 | 2019-06-20 | 用于均匀流量分布和有效净化的气流引导件设计 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10697062B2 (zh) |
| JP (1) | JP7150128B2 (zh) |
| KR (2) | KR20210018550A (zh) |
| CN (1) | CN112384642B (zh) |
| WO (1) | WO2020013972A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10964533B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | ALD process and hardware with improved purge efficiency |
| US11032945B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
| US20230077652A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-16 | Applied Materials, Inc. | Gas flow guide design for plasma suppression |
| CN114231948B (zh) * | 2021-12-22 | 2024-05-10 | 南京原磊纳米材料有限公司 | 一种用于ald设备的喷射装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5551982A (en) * | 1994-03-31 | 1996-09-03 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating |
| JP2007324285A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110556A (en) | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
| US6302965B1 (en) | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
| JP3893615B2 (ja) | 2002-12-20 | 2007-03-14 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20090084317A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
| JP2010027868A (ja) | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP5268766B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-21 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置及び成膜基板製造方法 |
| EP2553144B1 (en) | 2010-03-29 | 2016-11-23 | Koolerheadz | Gas injection device with uniform gas velocity |
| KR101165326B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2012-07-18 | 주식회사 유진테크 | 대칭형 유입구 및 유출구를 통해 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
| KR102127715B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2020-06-29 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피텍셜 반응기 |
| KR101525210B1 (ko) | 2013-12-20 | 2015-06-05 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리장치 |
| KR102330725B1 (ko) | 2014-01-21 | 2021-11-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 저압 툴 교체를 허용하는 얇은 필름 캡슐화 프로세싱 시스템 및 프로세스 키트 |
| CN109964331B (zh) | 2016-12-02 | 2021-09-03 | 应用材料公司 | 薄膜封装处理系统和工艺配件 |
-
2018
- 2018-07-11 US US16/032,854 patent/US10697062B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-20 CN CN201980044401.8A patent/CN112384642B/zh active Active
- 2019-06-20 JP JP2021500416A patent/JP7150128B2/ja active Active
- 2019-06-20 WO PCT/US2019/038267 patent/WO2020013972A1/en active Application Filing
- 2019-06-20 KR KR1020217003888A patent/KR20210018550A/ko active Application Filing
- 2019-06-20 KR KR1020237032983A patent/KR20230141942A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5551982A (en) * | 1994-03-31 | 1996-09-03 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating |
| JP2007324285A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230141942A (ko) | 2023-10-10 |
| WO2020013972A1 (en) | 2020-01-16 |
| CN112384642A (zh) | 2021-02-19 |
| US10697062B2 (en) | 2020-06-30 |
| JP2021532572A (ja) | 2021-11-25 |
| KR20210018550A (ko) | 2021-02-17 |
| JP7150128B2 (ja) | 2022-10-07 |
| US20200017971A1 (en) | 2020-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112384642B (zh) | 用于均匀流量分布和有效净化的气流引导件设计 | |
| CN110016655B (zh) | 用于供应载气和干燥气体的喷淋板结构 | |
| US20200149166A1 (en) | Flow control features of cvd chambers | |
| CN108070846B (zh) | 气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理装置 | |
| US20130306758A1 (en) | Precursor distribution features for improved deposition uniformity | |
| US8545940B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| CN112951697A (zh) | 基板处理设备 | |
| CN101736320B (zh) | 成膜装置和成膜装置的清洁方法 | |
| US20100272895A1 (en) | Film deposition apparatus, film deposition method, storage medium, and gas supply apparatus | |
| US11664216B2 (en) | ALD process and hardware with improved purge efficiency | |
| US20100279008A1 (en) | Film deposition apparatus and film deposition method | |
| US20100119727A1 (en) | Film forming apparatus, film forming method and storage medium | |
| CN113994024A (zh) | 用于基板处理腔室的隔离器设备和方法 | |
| US10217642B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and substrate holding member | |
| US11222771B2 (en) | Chemical control features in wafer process equipment | |
| US11339472B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US20230077652A1 (en) | Gas flow guide design for plasma suppression |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |