CN108220919B - 用于排出沉积抑制气体的喷淋板结构 - Google Patents

用于排出沉积抑制气体的喷淋板结构 Download PDF

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Abstract

一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，该等离子体沉积设备包括气体入口，喷淋头，反应腔室和排放管，喷淋板适于附接到所述喷淋头并且具有：前表面，所述前表面适于面对所述气体入口；以及与前表面相反的后表面，其中所述喷淋板具有分别从前表面延伸到后表面的多个孔，并且其中所述喷淋板还具有从所述喷淋板的前表面侧延伸到排放管的至少一个孔。

Description

用于排出沉积抑制气体的喷淋板结构
技术领域
本发明总体上涉及在半导体制造工艺中使用的等离子体沉积设备，特别涉及设置在该设备中的喷淋板结构。
背景技术
等离子体增强CVD(PECVD)和等离子体增强ALD(PEALD)工艺通常用于在诸如半导体晶片的衬底的图案化表面上沉积薄膜。这些工艺通常通过将前体气体或气体混合物引入到包含衬底的腔室中来实现。前体气体或气体混合物通常通过位于腔室顶部附近的喷淋板向下引导。
然后，通过从连接到反应腔室的一个或多个RF源向腔室施加射频(RF)功率，设置在腔室中的前体气体或气体混合物被激励或激发成等离子体。激发的气体或气体混合物在衬底表面上形成一层材料，该表面位于温度受控的衬底支架上。在反应期间产生的副产物(例如，沉积抑制气体)通过排放系统从腔室泵送。
图1示出了具有限定气体入口空间的喷淋板结构2和防护板3的常规喷淋头1的概况图。喷淋板结构2和防护板3通过螺钉5彼此固定。O形环4附接在喷淋板结构2和防护板3之间。气体入口空间中的前体气体或气体混合物通过喷淋板结构的多个孔引入腔室中。
已经包括在本公开中的背景技术的任何讨论仅仅是为了提供本发明的背景，并且不应被认为承认任何或所有讨论构成现有技术的部分或在本发明形成时在本领域中是已知的。
发明内容
近年来，通过改善喷淋板的结构，提出了在图案化表面上沉积薄膜的方法。在图案化表面上更均匀地形成膜的需求不断增加。然而，用传统的喷淋头形成薄膜可能是困难的。一个原因是残留在喷淋板结构和防护板之间(例如，气体入口空间的两个端部和O形环4周围的区域)的副产物的问题，这对薄膜在衬底的表面的均匀沉积产生负面影响。因此，能够将副产物排出喷淋头和腔室外的喷淋头的研发是重要的，这有助于提高在衬底表面上形成的薄膜的均匀性。
在一方面，本发明的实施例提供一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，该等离子体沉积设备包括气体入口，喷淋头，基座，反应腔室和排放管，喷淋板适于附接到所述喷淋头并且包括：前表面，所述前表面适于面对所述气体入口；以及与前表面相反的后表面，并且所述喷淋板具有从前表面延伸到后表面的多个孔，并且所述喷淋板还具有从所述喷淋板的前表面侧延伸到排放管的至少一个孔。
在一些实施例中，喷淋板还在喷淋板的前表面侧上具有台阶形部段，前表面被台阶形部段沿外周(例如，沿圆周)包围，并且至少一个孔从台阶形部段延伸到排放管。在一些实施例中，喷淋板具有从前表面延伸到排放管的至少一个孔。
为了总结本发明的方面和相对于现有技术实现的一个或多个优点，本公开描述了本发明的某些目的和优点。当然，应当理解，根据本发明的任何特定实施例，不一定可以实现所有或任何此类目的或优点。因此，例如，本领域技术人员将认识到，本发明可以以实现或优化本文教导的一个优点或一组优点的方式来实现或实施，而不一定实现在这里教导或建议的一个或多个其它目的或优点。从下面的详细描述中，本发明的其它方面，特征和优点将变得显而易见。
考虑到参照附图的如下描述和随附权利要求，本文中公开的系统和/或方法的这些和其它目的，特征和特性以及操作方法和结构的相关元件的功能以及部件的组合和制造的经济性将变得更加明显，所有这些描述都构成本说明书的一部分，其中相同的附图标记表示各图中的对应的部件。然而，应当明确地理解，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在作为本发明的限制的限定。如在说明书和权利要求书中所使用的，除非上下文另有明确规定，单数形式的“a”，“an”和“the”包括复数指代。
附图说明
现在将参考优选实施例的附图来描述本发明的这些和其它特征，附图旨在说明而不是限制本发明。附图过于简化而用于说明性目的，并且不一定按比例绘制。
图1是具有喷淋板结构和防护板的常规喷淋头的图解示意图。
图2是表示根据实施例的基本结构的PEALD设备的图解示意图。
图3是具有位于台阶形部段处的多个孔的喷淋板结构的实施例的图解示意图。
图4是在示例1的情况下，在衬底的表面上形成的薄膜的每个位置的厚度比的图。
图5是具有位于台阶形部段处的多个孔的喷淋板结构的实施例的图解示意图。
图6是具有位于台阶形部段处的多个孔的喷淋板结构的实施例的图解示意图。
图7是在示例3的情况下，在衬底的表面上形成的薄膜的每个位置的厚度比的图。
图8是前侧的喷淋板的透视图。
具体实施方式
本发明包括，但是不限于如下实施例：
作为工艺的示例，解释了等离子体增强ALD(PEALD)工艺，以更好地理解喷淋板何时以及如何用于沉积薄膜。不用说，喷淋板可以替代地或另外地用于PECVD工艺中。然而，本发明的实施例不限于仅在PEALD和PECVD工艺中使用。
如上所述，喷淋板可用于PECVD和PEALD工艺。在PEALD工艺中，将衬底或工件放置在反应腔室中并进行交替重复的表面反应。通过重复自限制ALD循环形成SiN薄膜。期望地，为了形成SiN薄膜，每个ALD循环包括至少两个不同的阶段。从反应空间中提供和除去反应物可以被认为是一个阶段。在第一阶段中，提供包含硅的第一反应物，并在衬底表面上形成不超过约一个单层。该反应物在本文中也称为“硅前体”，“含硅前体”，“含卤素硅前体”或“硅反应物”，并且可以是例如H2SiI2，(SiI2)(NH2)2，(SiI2)(NHMe)2，(SiI2)(NHEt)2，(SiI2)(NHiPr)2，(SiI2)(NHtBu)2，(SiI2)(NMe2)2，(SiI2)(NMeEt)2，(SiI2)(NMeiPr)2，(SiI2)(NMetBu)2，(SiI2)(NEt2)2，(SiI2)(NEtiPr)2，(SiI2)(NEttBu)2，(SiI2)(NiPr2)2，(SiI2)(NiPrtBu)2，and(SiI2)(NtBu)2。
在第二阶段中，提供了包含活性物质的第二反应物，并且第二反应物可以将吸附的硅转化成氮化硅。第二反应物可以包含氮前体。活性物质可以包括被激发的物质。来自惰性气体的这些活性物质不一定对沉积薄膜贡献材料，但在某些情况下可能有助于薄膜生长以及有助于等离子体的形成和点燃。在一些实施例中，用于形成等离子体的气体可以在整个沉积工艺中不断地流动，但是仅间歇地激活。
可以添加另外的阶段，并根据需要除去阶段，以调节最终薄膜的组成。一种或多种反应物可以借助载气，例如Ar或He，来提供。硅前体和第二反应物借助载气提供。两个阶段可能重叠或组合。例如，硅前体和第二反应物可以以部分或完全重叠的脉冲的方式被同时提供。此外，尽管被称为第一和第二阶段以及第一和第二反应物，但是阶段的顺序可以改变，并且ALD循环可以从任一阶段开始。也就是说，除非另有说明，反应物可以以任何顺序提供，并且该工艺可以以任何反应物开始。
接下来，详细说明等离子体沉积设备的构造。
作为等离子体沉积设备的实例，图2示出了PEALD设备的实施例的示意图。如上所述，喷淋板可以额外地或替代地在PECVD工艺中使用，或者在除了PEALD或PECVD工艺的完全不同的工艺中使用。如图2所示，PEALD设备100包括真空(反应)腔室10，设置在真空腔室10的顶部并与真空腔室10绝缘的喷淋头11，基本上平行于喷淋头11设置在真空腔室10内的基座50，以及连接到附接到喷淋头11的气体管的RF电源7和8。真空腔室10在其侧部具有包括排放阀49的开口，并且包括连接到排放泵(未示出)的排放管34。喷淋头11具有中空结构，并且上管状部分包括连接到气体管线(未示出)的气体入口32(气体入口空间)。此外，在喷淋头11的底面，可移除地安装喷淋板结构体12(喷淋板)。在喷淋板结构12中，如图1和2所示的许多气体出口孔21(孔或孔)如图3，5和7所示，从喷孔板结构12和防护板13至少部分地限定的气体入口32引入的源气体的射流从孔向基座50发射通过可拆卸地安装喷淋板结构12，维护变得更容易，并且可以减少部件更换阶段关的成本。基座50在基座50的下端附接到加热器51.基座50大致平行于喷淋板结构12设置，并且保持放置在其上表面上的衬底(衬底)16。此外，真空腔室10接地。真空腔室10还具有如下开口，所述开口在内侧壁上具有用于衬底传输的闸阀(未示出)。
喷淋头11具有中空结构，并且上管状部分包括连接到气体管线(未示出)的气体入口32(气体入口空间)。此外，在喷淋头11的下表面处，可移除地附接喷淋板结构12(喷淋板)。在喷淋板结构12中，形成如图3，5和7所示的许多气体出口孔21(孔穴或孔隙)，使得从喷淋板结构12和防护板13所至少部分地限定的气体入口32引入的源气体的射流从孔向基座50发射。通过可移除地附接喷淋板结构12，维护变得更容易，并且可以减少部件更换相关的成本。基座50在基座50的下端部处附接到加热器51。基座50大致平行于喷淋板结构12设置，并且保持放置在其上表面上的衬底(基板)16。
在图2中，喷淋板结构12和防护板13通过螺钉5彼此固定，并且O形环14附接在喷淋板结构12和防护板13之间。在一个实施例中，喷淋板12在喷淋板结构12的前表面侧还具有台阶形部段18，并且前表面区域20(前表面)被台阶形部段18外围地(例如，圆周地)包围，并且至少一个孔22(期望地多个孔(孔穴))从台阶形部段18的表面延伸到排放管34，以使副产物气体沿该方向传输通过其中。图8示出了喷淋板结构12的顶部透视图的示意图，其中图示了多个气体出口孔21，多个孔22，台阶形部段18和喷淋板结构12的前表面区域20。
在沉积工艺中形成并且泄漏到(有时称为“微泄漏”)气体入口端部周围并且围绕O形环14的区域的副产物气体对沉积在衬底的表面上的薄膜的厚度的均匀性具有负面影响。然而，如图2所示，通过另外形成至少一个从台阶形部段18的表面至排放管34的孔22，可以直接从O形环14周围的区域向排放管34有效地发出这种有问题的副产物气体，O形环14位于台阶形部段18的顶部。在一个实施例中，为了排出这种副产物气体，至少一个孔形成为从喷淋板12的台阶形部段18的边缘到喷淋板12的后侧的排放管34。在一个实施例中，至少一个孔22可以形成为从台阶形部段18的侧壁的表面延伸到排放管，并且也有效地使副产物气体通过其中。
在一个实施例中，从台阶形部段的表面延伸到排放管的至少一个孔可以相对于垂直于台阶形部段的表面的方向倾斜。在一个实施例中，所述至少一个孔可以从喷淋板的前表面延伸到排放管。从喷淋板的前表面延伸到排放管的至少一个孔可以相对于垂直于喷淋板的前表面的方向倾斜。
在一个实施例中，喷淋板可以具有从前表面的边缘延伸或在前表面的边缘向内5毫米内的位置处的至少一个孔。在另一个实施例中，喷淋板具有从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到排放气体的至少一个孔。
在一个实施例中，喷淋板可以具有，可选地或另外地，从前表面的边缘延伸或从喷淋板的前表面的边缘向内地到其后表面的5毫米内的位置处的至少一个孔，以将副产物气体间接地从喷淋板的前表面侧传送到排气管。在另一实施例中，喷淋板具有从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的至少一个孔，以将副产物气体间接地从喷淋板的前表面侧传送到排气管。
在一个实施例中，从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的至少一个孔的方向与分别从前表面延伸到后表面的多个孔的方向大致地相同。在另一实施例中，从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的至少一个孔其相对于垂直于喷淋板的前表面的方向倾斜。
将参考不旨在限制本发明的具体示例来详细描述本发明的实施例。
在特定示例中应用的数字可以被修改至少±50％的范围，其中可以包括或排除范围的端点。
示例
现在将参照不旨在限制本发明的范围的以下示例来描述本发明的实施例。
示例1
具有从台阶形部段的表面延伸到排放管的多个孔的喷淋板。
具有防护板(喷淋头)的喷淋板结构的实施例的示意图如图3所示。喷淋头11具有部分限定气体入口空间的喷淋板结构12和防护板13。喷淋板结构12和防护板13用螺钉5固定。O形环14附接在喷淋板结构12和防护板13之间。喷淋板12在喷淋板12的前表面侧具有台阶形部段18，并且前表面区域20(前表面)由台阶形部段18外围地包围。至少一个孔22从台阶形部段18的表面延伸到排放管，以在这个方向上使副产物气体通过其中。
孔22的构造
孔的数量：96
直径：1mm
长度：33.88mm
孔相对于垂直于喷淋板的前表面的方向的倾斜角度：51.5°
孔的位置：台阶形部段的边缘
气体入口空间中的前体气体或气体混合物通过喷淋板结构的多个孔(孔穴)21引入腔室中。在沉积工艺中形成并且泄漏到(有时称为“微泄漏”)气体入口端部周围并且围绕O形环14的区域的副产物气体对沉积在衬底的表面上的薄膜的厚度的均匀性具有负面影响。
已经发现，通过将这种副产物气体从O形环14周围的区域排出到排放管34，可以基本上避免或减少该问题。为了排出这种副产物气体，多个孔22(例如，96个孔)形成为从喷淋板12的台阶形部段18的边缘到喷淋板12的后侧的排放管34。发现从台阶形部段18的侧壁的表面延伸到排放管的至少一个孔22也有效地使副产物气体通过。
实验结果示于图4中。图4示出了在衬底的表面上形成的薄膜的每个位置的厚度比的图。灰度的变化显示了薄膜厚度的变化。所得到的图显示了在每个点处的薄膜的相对于薄膜的平均厚度的厚度，其范围为薄膜的平均厚度的-3.0％至薄膜的平均厚度的+3.0％。在薄膜的49个位置处测量薄膜的厚度，并且基于这种测量计算平均厚度。
根据该图，在该示例中，薄膜厚度的标准偏差值被计算为1.0[1sigma％]，具有27.6[nm]的平均薄膜厚度。标准偏差值越小，薄膜均匀性越好。为了比较的目的，在图1所示的常规喷淋板中，除了在该示例中采用的孔22之外，在条件相同的情况下，薄膜厚度的标准偏差值被计算为28.1[1sigma％]。发现如果薄膜厚度的标准偏差值为15.0[1sigma％]或更小，则可以得出结论，与常规的薄膜沉积方法相比，薄膜具有良好的薄膜沉积质量(薄膜厚均匀性)。发现如果薄膜厚度的标准偏差值为10.0[1sigma％]或更小，则可以得出结论，薄膜表现出更优良的薄膜沉积质量。
示例2
具有从前表面的边缘延伸到排放管的多个孔的喷淋板。
具有防护板(喷淋头)的喷淋板结构的实施例的示意图如图5所示。喷淋头11具有限定气体入口空间的喷淋板结构12和防护板13。喷淋板结构12和防护板13用螺钉5固定。O形环14附接在喷淋板结构12和防护板13之间。喷淋板12在喷淋板12的前表面侧具有台阶形部段18，并且前表面区域20(前表面)由台阶形部段18外围地包围。至少一个孔23从喷淋板结构12的前表面20的边缘延伸到排放管，以在这个方向上使副产物气体通过其中。
孔23的构造
孔的数量：96
直径：1mm
长度：31.93mm
孔相对于垂直于喷淋板的前表面的方向的倾斜角度：47.5°
孔的位置：喷淋板的前表面的边缘
气体入口空间中的前体气体或气体混合物通过喷淋板结构的多个孔(孔穴)21引入腔室中。在沉积工艺中形成并且泄漏到(有时称为“微泄漏”)气体入口端部周围并且围绕O形环14的区域的副产物气体对沉积在衬底的表面上的薄膜的厚度的均匀性具有负面影响。
已经发现，通过将这种副产物气体从那些区域排出到排放管34，可以基本上避免或减少该问题。为了排出这种副产物气体，多个孔23(例如，96个孔)形成为从喷淋板12的前表面20的边缘到喷淋板12的后侧30的排放管。
尽管未示出，但是获得了该实施例的实验结果。结果还以形成在衬底表面上的薄膜的每个位置的厚度比的图的形式得出。
从因而产生的图(未示出)中，在该示例中，薄膜厚度的标准偏差值被计算为5[1sigma％]，具有25[nm]的平均薄膜厚度。还发现，具有从前表面的在其边缘向内2毫米内的位置延伸的孔的喷淋板12呈现出类似的薄膜厚度标准偏差值。如上所述，标准偏差值越低，薄膜均匀性越好。为了比较的目的，在图1所示的常规喷淋板中，除了在该示例中采用的孔23之外，在条件相同的情况下，薄膜厚度的标准偏差值被计算为28.1[1sigma％]。发现如果薄膜厚度的标准偏差值为15.0[1sigma％]或更小，则可以得出结论，与常规的薄膜沉积方法相比，薄膜具有良好的薄膜沉积质量(薄膜厚均匀性)。发现如果薄膜厚度的标准偏差值为10.0[1sigma％]或更小，则可以得出结论，薄膜表现出更优良的薄膜沉积质量。
示例3
具有从喷淋板的前表面的边缘延伸到其后表面的多个孔的喷淋板。
具有防护板(喷淋头)的喷淋板结构的实施例的示意图如图6所示。喷淋头11具有限定气体入口空间的喷淋板结构12和防护板13。喷淋板结构12和防护板13用螺钉5固定。O形环14附接在喷淋板结构12和防护板13之间。喷淋板12在喷淋板12的前表面侧具有台阶形部段18，并且前表面区域20(前表面)由台阶形部段18外围地包围。至少一个孔24从喷淋板12的前表面20的边缘延伸到喷淋板12的后表面30。
孔24的构造
孔的数量：102
直径：1mm
长度：25mm
孔的位置：喷淋板的前表面的边缘
气体入口空间中的前体气体或气体混合物通过喷淋板结构的多个孔(孔穴)21引入腔室中。在沉积工艺中形成并且泄漏到(有时称为“微泄漏”)气体入口端部周围并且围绕O形环14的区域的副产物气体对沉积在衬底的表面上的薄膜的厚度的均匀性具有负面影响。
已经发现，虽然在较小的程度上，通过将这种副产物气体间接地从那些区域排出到排放管34，可以基本上避免或减少该问题。为了排出这种副产物气体，多个孔24(例如，102个孔)形成为从喷淋板12的前表面20的边缘到喷淋板12的后表面30。在该示例中，尽管排放效果在从喷淋板12的前表面20的边缘直接地排出到排放管34时是更有效的，但是发现副产物气体也可以通过反应腔室10排出到排放管34(间接排放)。
该实施例的实验结果示于图7中。图7示出了在衬底的表面上形成的薄膜的每个位置的厚度比的图。灰度的变化显示了薄膜厚度的变化。所得到的图显示了在每个点处的薄膜的相对于薄膜的平均厚度的厚度，其范围为薄膜的平均厚度的-3.0％至薄膜的平均厚度的+3.0％。在薄膜的49个位置处测量薄膜的厚度，并且基于这种测量计算平均厚度。
根据该图，在该示例中，薄膜厚度的标准偏差值被计算为13.7[1sigma％]，具有31.2[nm]的平均薄膜厚度。还发现，具有从前表面的在从其边缘向内2毫米内的位置延伸的孔的喷淋板12呈现出类似的薄膜厚度标准偏差值。如上所述，标准偏差越低，薄膜均匀性越好。为了比较的目的，在图1所示的常规喷淋板中，除了在该示例中采用的孔24之外，在条件相同的情况下，薄膜厚度的标准偏差值被计算为28.1[1sigma％]。发现如果薄膜厚度的标准偏差值为15.0[1sigma％]或更小，则可以得出结论，与常规的薄膜沉积方法相比，薄膜具有良好的薄膜沉积质量(薄膜厚均匀性)。
对于本文中基本上任何复数和/或单数术语的使用，本领域技术人员可以根据适于上下文的方式将复数形式转换为单数形式和/或从单数形式转换为复数形式。
尽管为了说明的目的已经基于目前被认为是最实际和优选的实施方式，详细描述了本公开的系统和/或方法，但是应当理解，这样的细节仅仅是为了这个目的，并且本发明不限于所公开的实现方式，而是相反，旨在覆盖在随附权利要求的精神和范围内的修改的和等同的装置。例如，应当理解，本发明考虑到，尽可能地，任何实现方式的一个或多个特征可以与任何其他实现方式的一个或多个特征组合。

Claims (14)

1.一种适于安装在等离子体沉积设备中的喷淋板，该等离子体沉积设备包括气体入口、喷淋头、工件支架、反应腔室和排放管，喷淋板适于附接到所述喷淋头并且包括：
前表面，所述前表面适于面对所述气体入口；以及
后表面，所述后表面与前表面相反，
其中所述喷淋板具有多个孔，每个孔从所述前表面延伸到所述后表面，以使气体在该方向上通过，
其中所述喷淋板还具有从所述喷淋板的前表面侧延伸到所述排放管的至少一个孔，以用于使副产物气体沿该方向通过，
其中所述喷淋板还在所述喷淋板的所述前表面侧处具有台阶形部段，所述前表面被所述台阶形部段沿外周包围，所述台阶形部段具有第一表面和第二表面，所述第一表面相对于所述前表面成一角度延伸，所述第二表面在所述第一表面上方、相对于所述第一表面以一角度延伸，并且所述至少一个孔从所述台阶形部段的所述第二表面延伸到所述排放管，并且
其中所述第二表面处的至少一个孔高于所述前表面处的所述多个孔。
2.根据权利要求1所述的喷淋板，其中：
从台阶形部段的表面延伸到排放管的所述至少一个孔相对于垂直于台阶形部段的表面的方向倾斜。
3.根据权利要求2所述的喷淋板，其中：
所述至少一个孔的相对于喷淋板的前表面的倾斜角度在0°-90°之间。
4.根据权利要求1所述的喷淋板，其中：
所述喷淋板具有从所述喷淋板的前表面侧延伸到所述排放管的多个孔，所述多个孔大致均匀地沿外周分布。
5.根据权利要求1所述的喷淋板，其中：
喷淋板具有从喷淋板的前表面侧延伸到排放管的90个到120个的范围中的孔。
6.根据权利要求1所述的喷淋板，其中：
喷淋板还具有从前表面的边缘或从喷淋板的前表面的边缘向内2毫米内的位置延伸到其后表面的至少一个孔，以将副产物气体间接地从喷淋板的前表面侧传送到排气管。
7.根据权利要求1所述的喷淋板，其中：
喷淋板还具有从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的至少一个孔，以将副产物气体间接地从喷淋板的前表面侧传送到排气管。
8.根据权利要求7所述的喷淋板，其中：
从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的所述至少一个孔的方向与分别从前表面延伸到后表面的所述多个孔的方向大致地相同。
9.根据权利要求7所述的喷淋板，其中：
从喷淋板的前表面的边缘附近延伸到其后表面的所述至少一个孔相对于垂直于喷淋板的前表面的方向倾斜。
10.根据权利要求9所述的喷淋板，其中：
所述至少一个孔的相对于喷淋板的前表面的倾斜角度在0°-90°之间。
11.一种衬底处理设备，包括根据权利要求1所述的喷淋板。
12.一种处理设备，包括:
气体入口；
喷淋头；
工件支架；
反应腔室；
排放管；和
附接到喷淋头的喷淋板，所述喷淋板包括：
前表面，所述前表面适于面对所述气体入口，以及
后表面，所述后表面与前表面相反，
其中所述喷淋板具有多个气体供应孔，每个气体供应孔从所述前表面延伸到所述后表面，以使气体在该方向上通过，并且
其中所述喷淋板还具有从所述喷淋板的前表面侧延伸到所述排放管的至少一个气体排放孔，以使副产物气体沿该方向通过所述至少一个气体排放孔，所述至少一个气体排放孔在所述排放管的端口的下游位置处连接到排放管中。
13.根据权利要求12所述的处理设备，其中：
喷淋板还在喷淋板的前表面侧上具有台阶形部段，前表面被台阶形部段沿外周包围，并且所述至少一个孔从台阶形部段的表面延伸到排放管。
14.根据权利要求12所述的处理设备，其中：
处理设备被构造成在工件上沉积材料。
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