KR20180069686A - 퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물 - Google Patents

퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물 Download PDF

Info

Publication number
KR20180069686A
KR20180069686A KR1020170146075A KR20170146075A KR20180069686A KR 20180069686 A KR20180069686 A KR 20180069686A KR 1020170146075 A KR1020170146075 A KR 1020170146075A KR 20170146075 A KR20170146075 A KR 20170146075A KR 20180069686 A KR20180069686 A KR 20180069686A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shower plate
front surface
exhaust duct
hole
shower
Prior art date
Application number
KR1020170146075A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102403103B1 (ko
Inventor
료코 야마다
준 카와하라
카즈오 사토
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20180069686A publication Critical patent/KR20180069686A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102403103B1 publication Critical patent/KR102403103B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B16/00—Spray booths
    • B05B16/60—Ventilation arrangements specially adapted therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Abstract

가스 입구 포트, 샤워 헤드, 반응 챔버 및 배기 덕트를 포함하는 플라즈마 퇴적 장치에 설치되도록 맞추어진 샤워 플레이트로서, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 헤드에 부착되도록 맞추어져 있으며, 상기 샤워 플레이트는, 상기 가스 입구 포트를 대면하도록 맞추어진 전면 및 상기 전면에 반대되는 배면을 포함하며, 상기 샤워 플레이트는 상기 전면으로부터 상기 배면으로 각기 연장된 복수의 구멍들을 가지며, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함한다.

Description

퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물{Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas}
본 발명은 일반적으로 반도체 제조 공정에서 사용된 플라즈마 퇴적 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 장치에 제공된 샤워 플레이트 구조물에 관한 것이다.
플라즈마 강화 CVD(PECVD) 및 플라즈마 강화 ALD(PEALD) 공정들은 일반적으로 예를 들어 반도체 웨이퍼와 같은, 기판의 패턴화된 표면 상에 막들을 퇴적하기 위해 사용된다. 이들 공정들은 전형적으로 전구체 가스 또는 가스 혼합물을 기판을 포함하는 챔버 속으로 유입시킴으로써 달성된다. 상기 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 통상적으로 상기 챔의의 상부 주위에 위치한 샤워 플레이트를 통해 하향적으로 안내된다.
이어서 상기 챔버 내에 제공된 상기 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 상기 반응 챔버에 결합된 하나 이상의 RF 소오스들로부터 상기 챔버로 라디오 주파수(RF) 전력을 인가함으로써 플라즈마로 에너지화되거나 여기된다. 상기 여기된 가스 또는 가스 혼합물은 온도 제어된 기판 지지대 상에 위치하는 상기 기판의 표면 상에 하나의 물질 층을 형성하도록 반응한다. 상기 반응 동안에 생성된 부산물(예를 들어, 퇴적 억제 가스)는 배기 시스템을 통하여 상기 챔버로부터 배출된다.
도 1은 가스 입구 공간을 정의하는 샤워 플레이트 구조물(2)과 쉴드 플레이트(3)를 갖는 종래의 샤워 헤드(1)의 개요도를 보여준다. 상기 샤워 플레이트 구조물(2)과 상기 쉴드 플레이트(3)는 스크류(5)로 서로에게 고정된다. 오-링(4)이 상기 샤워 플레이트 구조물(2)과 상기 쉴드 플레이트(3) 사이에 부착된다. 상기 가스 입구 공간에서 상기 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 상기 샤워 플레이트 구조물의 수많은 홀들을 통해 상기 챔버 내로 유입된다.
본 개시물에 포함되어 있는 종래 기술에 대한 어떠한 논의도 단지 본 발명을 위한 맥락을 제공하기 위한 목적이며, 상기 논의의 어떠한 것 또는 모든 것은 본 발명이 이루어진 시기에 종래 기술의 일부를 형성하거나 또는 종래 기술에서 알려진 것이라는 것을 시인하는 것으로 취급되어서는 아니된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 개선된 플라즈마 퇴적 장치를 제공하는 데 있다.
최근에, 샤워 플레이트의 구조를 개선함으로써 패턴화된 표면 상에 막을 퇴적하는 방법이 제안되었다. 패턴화된 표면 상에 더욱 균일하게 막을 형성하기 위한 요구가 증가하고 있다. 그러나, 종래의 샤워 헤드로 막을 형성하는 것은 어려울 수있다. 하나의 이유는 샤워 플레이트 구조와 쉴드 플레이트 사이에, 예를 들어, 가스 입구 공간의 양 단부들과 O-링(4) 주위의 영역들에 부산물이 잔류하는 문제로, 이는 기판의 표면 상에 막을 균일하게 퇴적하는데 부정적인 영향을 미친다. 따라서, 샤워 헤드 및 챔버의 외측으로 이러한 부산물을 배기할 수 있는 샤워 헤드의 개발은 기판의 표면 상에 형성된 막의 균일성을 증가시키는데 중요하게 되었다.
하나의 양태에서, 본 발명의 일 실시예는 가스 입구 포트, 샤워 헤드, 서셉터, 반응 챔버 및 배기 덕트를 포함하는 플라즈마 퇴적 장치에 설치되도록 맞추어진 샤워 플레이트를 제공하며, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 헤드에 부착되도록맞추어져 있으며, 상기 샤워 플레이트는 상기 가스 입구 포트와 대면하도록 맞추어져 있는 전면; 및 상기 전면에 반대되는 배면을 포함하며, 상기 샤워 플레이트는 상기 전면으로부터 상기 배면으로 연장된 복수의 구멍들을 포함하며, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함한다.
일부 실시 예들에서, 샤워 플레이트는 샤워 플레이트의 전면 측에 단차 부분을 더 구비하며, 상기 전면은 주변으로(예를 들어, 원주 방향으로) 단차 부분에 의해 둘러싸이고, 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 단차 부분으로부터 상기 배기 덕트로 연장된다. 일부 실시 예들에서, 상기 샤워 플레이트는 전면으로부터 배기 덕트로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 갖는다.
본 발명의 양상들 및 관련 기술을 넘어 달성된 하나 이상의 장점들을 요약하기 위해, 본 발명의 특정 목적들 및 장점들이 본 명세서에서 설명된다. 물론, 모든 또는 어떠한 이러한 목적들 또는 장점들이 본 발명의 임의의 특정 실시 예에 따라 반드시 달성될 수 있는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 따라서, 예를 들어, 당업자라면, 본 명세서에서 교시될 수 있는 바와 같은 하나 이상의 다른 목적들 또는 장점들을 반드시 달성함이 없이, 본 발명이 본 명세서에서 교시된 하나의 장점 또는 한 그룹의 장점들을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구체화되거나 수행될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 본 발명의 다른 양태들, 특징들 및 장점들은 하기 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 명세서에 개시된 시스템 및/또는 방법의 이들 및 다른 목적들, 특징들 및 특성들 뿐만 아니라 동작의 방법들 그리고 관련된 구조의 구성요소들의 기능들 그리고 부품들의 조합 그리고 제조의 경제성이 첨부되는 도면들을 참조하여 이하의 설명 및 첨부된 청구항들을 고려하여 더욱 명백해 질 것이며, 이러한 모든 것은 본 명세서의 일부를 형성하며, 여기서 동일한 참조 번호들은 다양한 도면들에서 대응하는 부분을 나타낸다. 그러나, 도면은 단지 예시 및 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 제한들의 정의를 의도하지 않는다는 것이 명백히 이해될 것이다. 명세서 및 청구항들에서 사용된 바와 같이, 단수 형태의 "a", "an" 및 "the"는 문맥상 다르게 지시하지 않는 한 복수의 대상을 포함한다.
본 발명의 이들 그리고 다른 특징들이 설명을 하기 위해 의도되었지만 본 발명을 제한하는 것이 아닌, 바람직한 실시예들의 도면들을 참조하여 기술될 것이다. 상기 도면들은 설명적인 목적들을 위해 상당히 단순화되었으며, 반드시 축적화할 필요가 있는 것은 아니다.
도 1은 샤워 플레이트 구조물과 쉴드 플레이트를 갖는 종래의 샤워 헤드의 개략도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기본 구조를 보여주는 PEALD 장치의 개략도이다.
도 3은 단차 부분에서 복수 개의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트 구조물의 실시예의 개략도이다.
도 4는 예시1의 경우에 기판의 표면 상에 형성된 막의 각 위치의 두께 비의 맵(map)이다.
도 5는 단차 부분에서 복수 개의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트 구조물의 실시예의 개략도이다.
도 6은 단차 부분에서 복수 개의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트 구조물의 실시예의 개략도이다.
도 7은 예시3의 경우에 기판의 표면 상에 형성된 막의 각 위치의 두께 비의 맵이다.
도 8은 정면 측에서 샤워 플레이트의 사시도에 대한 개략도이다.
본 발명은 아래의 실시예들을 포함하고 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
공정의 예로서, 플라즈마 강화 ALD(PEALD) 공정들이 상기 샤워 플레이트가 막들을 퇴적하기 위해 언제 사용되고 어떻게 사용되는지 더 잘 이해할 수 있도록 설명된다. 말할 필요도 없이, 상기 샤워 플레이트는 PECVD 공정에서 대안적으로 또는 부가적으로 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 단지 PEALD 및 PECVD 공정들에서만 사용되도록 제한되지 않는다.
전술한 바와 같이, 상기 샤워 플레이트는 PECVD 및 PEALD 공정들에서 사용될 수 있다. PEALD 공정들에서, 기판 또는 작업물이 반응 챔버 내에 놓여지고, 교대로 반복된 기판 반응들에 부속된다. 얇은 SiN 막들은 자기-제한적(self-limiting) ALD 사이클의 반복에 의해 형성된다. 바람직하게는, SiN 막들을 형성하기 위해 각 ALD 사이클은 적어도 두 개의 구별되는 단계들을 포함한다. 상기 반응 공간으로의 반응물의 공급 및 제거가 하나의 단계로 고려될 수 있다. 제1 단계에서, 실리콘을 포함하는 제1 반응물이 제공되고, 상기 기판 표면 상에 약 하나보다 많지 않은 단층을 형성한다. 이 반응물은 또한 본 명세서에서 "실리콘 전구체", "실리콘-함유 전구체", "할로겐-함유 실리콘 전구체", 또는 "실리콘 반응물"로서 지칭되며, 예를 들어 H2Sil2, (Sil2)(NH2)2, (Sil2)(NHMe)2, (Sil2)(NHEt)2, (Sil2)(NHiPr)2, (Sil2)(NHtBu)2, (Sil2)(NMe2)2, (Sil2)(NMeEt)2, (Sil2)(NMeiPr)2, (Sil2)(NMetBu)2, (Sil2)(NEt2)2, (Sil2)(NEtiPr)2, (Sil2)(NEttBu)2, (Sil2)(NiPr2)2, (Sil2)(NiPrtBu)2, 및 (Sil2)(NtBu)2 일 수 있다.
제2 단계에서, 반응성 종들(reactive species)을 포함하는 제2 반응물이 제공되며, 흡착된 실리콘을 실리콘 나이트라이드로 변환시킬 수 있다. 상기 제2 반응물은 질소 전구체를 포함할 수 있다. 상기 반응성 종들은 여기된(excited) 종들을 포함할 수 있다. 불활성 가스들로부터의 이들 반응성 종들은 상기 퇴적된 막에 물질을 반드시 기부할 필요는 없지만, 일부의 상황들에서는 플라즈마의 형성 및 점화에서의 도움 뿐만 아니라 막 형성에 기여할 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마를 형성하기 위해 사용된 가스는 상기 퇴적 공정을 통하여 일정하게 흐를 수 있지만, 간헐적으로 활성화 될 수 있다.
부가적인 단계들(phases)이 부가될 수 있으며, 그리고 단계들이 최종 막의 조성을 조정하기 위해 원하는 바에 따라 제거될 수 있다. 상기 반응물들의 하나 이상이 예를 들어 아르곤 또는 헬륨과 같은 캐리어 가스의 지원과 함께 제공될 수 있다. 상기 실리콘 전구체 및 상기 제2 반응물은 캐리어 가스의 지원과 함께 제공된다. 상기 단계들의 두 개가 중첩될 수 있거나 또는 조합될 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘 전구체 및 상기 제2 반응물은 부분적으로 또는 완전히 중첩하는 펄스들로 동시에 제공될 수 있다. 부가적으로, 비록 상기 제1 및 제2 단계들, 그리고 상기 제1 및 제2 반응물들로서 지칭되지만, 상기 단계들의 순서는 변경될 수 있으며, 그리고 ALD 사이클은 상기 단계들의 어떠한 하나와 함께 시작될 수 있다. 즉, 그렇지 않다고 특정하지 않는다면, 상기 반응물들은 어떠한 순서로 제공될 수 있으며, 그리고 상기 공정은 상기 반응물들 중의 어떠한 것과 함께 시작될 수 있다.
이어서, 플라즈마 퇴적 장치의 구성이 아래에서 상세하게 설명된다.
상기 플라즈마 퇴적 장치의 예로써, 도 2는 PEALD 장치의 하나의 실시예의 개략도를 보여준다. 전술한 바와 같이, 상기 샤워 플레이트는 PECVD 공정에서 부가적으로 또는 대안적으로 사용될 수 있거나, 또는 PEALD 또는 PECVD 공정 이외의 완전히 다른 공정에서 사용될 수 있다. 도 2에서 보여지는 바와 같이, 상기 PEALD 장치(100)는 진공(반응) 챔버(10), 상기 진공 챔버(10)의 탑(top)에 제공되고 상기 진공 챔버(10)와 절연된 샤워헤드(11), 상기 샤워헤드(11)에 실질적으로 평행하게 상기 진공 챔버(10) 내측에 제공된 서셉터(50), 및 상기 샤워헤드(11)에 부착된 가스 덕트에 연결된 RF 전력 소오스들(7 및 8)을 포함한다. 상기 진공 챔버(10)는 그것의 측 부분에 배기 밸부(49)를 갖는 개구부를 가지며, 배기 펌프(도시 안됨)에 연결된 배기 덕트(34)(배기구)를 포함한다. 부가적으로, 상기 진공 펌프(10)는 접지된다. 상기 진공 챔버(10)는 또한 기판 전달을 위해 내부 측벽 상에 게이트 밸브(도시 안됨)을 갖는 개구부를 포함한다.
상기 샤워 헤드(11)는 중공(hollow) 구조를 가지며, 상부 관상 부분(upper tubular portion)은 가스 라인(도시 안됨)에 연결된 입구 포트(32)(가스 입구 공간)을 포함한다. 부가적으로, 상기 샤워 헤드(11)의 바닥 면에서, 샤워 플레이트 구조(12)(샤워 플레이트)는 제거 가능하게 부착된다. 상기 샤워 플레이트 구조(12)에서, 도 3, 5 및 7에 도시된 바와 같은 많은 가스 출구 구멍들(21)이, 상기 샤워 플레이트 구조(12) 및 쉴드 플레이트(13)에 의해 적어도 부분적으로 정의된 상기 가스 입구 포트(32)로부터 유입된 소오스 가스의 분출이 상기 구멍들로부터 상기 서셉터(50)를 향하여 방출되도록 형성된다. 상기 샤워 플레이트 구조(12)를 제거 가능하게 부착함으로써, 유지보수가 용이해지며, 부품 교체-관련 비용들이 축소될 수 있다. 상기 서셉터(50)는 상기 샤워 플레이트 구조(12)에 실질적으로 평행하게 배치되며, 그 상부 표면 상에 위치한 기판(16)을 고정한다.
도 2에서, 상기 샤워 플레이트 구조(12) 및 상기 쉴드 플레이트(13)는 스크류(5)로 서로 고정되며, O-링(14)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)와 상기 쉴드 플레이트(13) 사이에 부착된다. 하나의 실시예에서, 상기 샤워 플레이트(12)는 또한 상기 샤워 플레이트 구조(12)의 전면 측 상에 단차 부분(18)을 가지며, 전면 영역(20)(전면)은 상기 단차 부분(18)에 의해 주변적으로(예를 들어, 둘레를 따라) 둘러싸이며, 상기 적어도 하나의 구멍(22)(바람직하게는 복수의 구멍들(홀들))은 상기 단차 부분(18)의 상기 표면으로부터 부산물 가스를 이 방향을 통하여 통과시키기 위한 상기 배기 덕트(34)로 연장된다. 도 8은 복수 개의 가스 출구 구멍들(21), 복수 개의 구멍들(22), 상기 샤워 플레이트 구조(12)의 상기 단차 부분(18) 및 상기 전면 영역(20)이 묘사된 상기 샤워 플레이트 구조(12)의 상부 사시도의 개략적 도해를 보여준다.
상기 퇴적 공정 동안에 형성된 그리고 상기 가스 입구 포트의 상기 단부들 주위 및 상기 O-링(14)(때때로 "마이크로리크(microleak)"로 지칭되는) 주위 영역들로 누출된 부산물 가스는 기판의 표면 상에 퇴적된 막의 두께 균일도에 부정적인 영향을 끼친다. 그러나, 도 2에서와 같이, 상기 단차 부분(18)에서 상기 배기 덕트(34)까지 적어도 하나의 구멍(22)을 부가적으로 형성함으로써, 상기 단차 부분(18)의 탑에 위치한 상기 O-링(14) 주위의 영역들로부터 직접적으로 상기 배기 덕트(34)로 이러한 문제가 있는 부산물 가스를 효과적으로 방출하는 것이 가능하다. 하나의 실시예에서, 이러한 부산물 가스를 배출하기 위해, 적어도 하나의 구멍이 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 단차 부분(18)의 가장자리로부터 상기 샤워 플레이트(12)의 후면 측 상의 상기 배기 턱트(34)로 형성된다. 하나의 실시예에서, 적어도 하나의 구멍(22)이 상기 단차 부분(18)의 측벽의 표면으로부터 상기 배기 덕트까지 연장되게 형성될 수 있으며, 또한 이것은 부산물 가스를 이것을 통하여 통과시키는 데 효과적이다.
하나의 실시예에서, 상기 단차 부분의 표면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍이 상기 단차 부분의 상기 표면에 수직하는 방향에 대하여 경사질 수 있다. 하나의 실시예에서, 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 샤워 플레이트의 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장될 수도 있다. 상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 수직하는 방향에 대하여 경사질 수도 있다.
하나의 실시예에서, 상기 샤워 플레이트는 상기 전면의 가장자리로부터 또는 상기 전면의 가장자리의 내측으로 5 밀리미터 내의 위치에서 연장하는 적어도 하나의 구멍을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리의 주위로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 가진다.
하나의 실시예에서, 상기 샤워 플레이트는 상기 전면의 가장자리로부터 또는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 상기 가장자리의 내측으로 5 밀리미터 내의 위치로부터, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 부산물 가스를 간접적으로 통과시키기 위하여 그것의 상기 후면 표면으로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리의 주위로부터, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 부산물 가스를 간접적으로 통과시키기 위하여 그것의 상기 후면 표면으로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 가진다.
하나의 실시예에서, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리로부터 그것의 상기 후면 표면으로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍의 방향은 상기 전면으로부터 상기 후면 표면으로 각각 연장되는 복수의 구멍들의 방향들과 실질적으로 동일하다. 다른 실시예에서, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리로부터 그것의 상기 후면 표면으로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 수직하는 방향에 대하여 경사진다.
본 발명의 실시예들은 본 발명을 제한하려고 의도되지 않는 특정의 예시들과 관련하여 상세히 설명될 것이다. 특정의 예시들에서 적용된 수치들은 적어도 ±50%의 범위까지 수정될 수 있으며, 여기서 상기 범위의 종점들은 포함되거나 또는 배제될 수 있다.
[예시들]
본 발명의 실시예는 다음의 예시들과 관련하여 이제 설명될 것이며, 이것은 본 발명의 범위를 제한하려고 의도되지 않는다.
<예시1>
상기 단차 부분의 표면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 복수의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트.
쉴드 플레이트(상기 샤워 플레이트)를 갖는 샤워 플레이트 구조의 하나의 실시예의 개략적 도면이 도 3에 보여진다.
상기 샤워 헤드(11)는 가스 입구 공간을 부분적으로 정의하는 샤워 플레이트 구조(12) 및 쉴드 플레이트(13)를 가진다. 상기 샤워 플레이트 구조(12) 및 상기 쉴드 플레이트(13)는 스크류(5)로 고정된다. O-링(14)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)와 상기 쉴드 플레이트(13) 사이에 부착된다. 상기 샤워 플레이트(12)는 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면 측 상에 단차 부분(18)을 가지며, 그리고 전면 영역(20)(전면)은 주변으로 상기 단차 부분(18)에 의해 둘러싸인다. 적어도 하나의 구멍(22)이 상기 단차 부분(18)의 상기 표면으로부터 이 방향을 통하여 부산물 가스를 통과시키기 위해 상기 배기 덕트로 연장된다.
상기 구멍(22)의 구성
구멍의 수 : 96
직경 : 1 mm
길이 : 33.88 mm
상기 샤워 플레이트의 전면에 수직하는 방향과 관련한 상기 구멍의 경사각도 : 51.5°
구멍의 위치 : 단차 부분의 가장자리
상기 가스 입구 공간 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물이 상기 샤워 플레이트 구조의 복수의 구멍들(홀들)(21)을 통하여 상기 챔버 내부로 유입된다. 상기 퇴적 공정 동안에 형성된, 그리고 상기 가스 입구 포트의 말단들 주위 및 상기 O-링(14) 주의의 영역들로 누설된(때때로 "마이크로리크(microleak)"로 지칭됨) 부산물 가스는 기판의 표면 상에 퇴적된 막의 두깨의 균일성에 부정적인 영향을 끼친다.
이러한 부산물 가스를 O-링 (14) 주위의 영역들로부터 배기 덕트(34)로 배출함으로써 이러한 문제가 실질적으로 회피되거나 감소될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이러한 부산물 가스를 배출하기 위해, 다수의 구멍들(22)(예를 들어, 96개의 구멍들)이 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 단차 부분(18)의 가장자리로부터 상기 샤워 플레이트(12)의 배면 측 상의 배기 덕트(34)까지 형성되어 있다. 상기 단차 부분(18)의 측벽의 표면으로부터 상기 배기 덕트까지 연장되는 적어도 하나의 구멍(22)이 또한 부산물 가스를 그것을 통하여 통과시키는데 효과적이라는 것이 밝혀졌다.
실험 결과는 도 4에 나타내었다. 도 4는 기판 표면에 형성된 막의 각 위치의 두께 비의 맵을 보여준다. 그레이 스케일의 변화는 막 두께의 변화를 나타낸다. 결과 맵은 상기 막의 평균 두께의 -3.0 %에서 막의 평균 두께의 + 3.0 %까지의 범위에서 상기 막의 평균 두께에 대한 각 지점에서의 막 두께를 보여준다. 막의 두께는 막의 49개 위치에서 측정하였고, 평균 두께는 이러한 측정들에 기초하여 계산되었다.
상기 맵으로부터, 막 두께의 표준 편차 값은 27.6 [nm]의 평균 막 두께를 갖는 본 예시에서 1.0 [1 시그마%]가 되도록 계산되었다. 표준 편차 값이 낮아질수록 막 균일성이 좋아진다. 비교를 위해, 도 1에 기술된 종래의 샤워 플레이트에서, 본 예시에서 채택된 구멍(22)을 제외하고 동일한 조건 하에서, 막 두께의 표준 편차 값은 28.1 [1 시그마 %]로 계산되었다. 막 두께의 표준 편차가 15.0 [1 시그마 %] 이하이면, 종래의 막 퇴적 방법에 비해 양호한 막 퇴적 품질(막 두께 균일성)을 나타내는 것으로 판명될 수 있다. 막 두께의 표준 편차가 10.0 [1 시그마%] 이하이면, 상기 막은 더욱 양호한 막 퇴적 품질을 나타내는 것으로 판명될 수 있다.
<예시 2>
상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 복수의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트.
쉴드 플레이트(상기 샤워 헤드)를 갖는 샤워 플레이트 구조의 하나의 실시예의 개략적 도면이 도 5에 보여진다. 상기 샤워 헤드(11)는 가스 입구 공간을 정의하는 샤워 플레이트 구조(12) 및 쉴드 플레이트(13)를 가진다. 상기 샤워 플레이트 구조(12) 및 상기 쉴드 플레이트(13)는 스크류(5)로 고정된다. O-링(14)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)와 상기 쉴드 플레이트(13) 사이에 부착된다. 상기 샤워 플레이트(12)는 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면 측 상에 단차 부분(18)을 가지며, 그리고 전면 영역(20)(전면)은 주변으로 상기 단차 부분(18)에 의해 둘러싸인다. 적어도 하나의 구멍(23)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)의 상기 전면(20)의 가장자리로부터 이 방향을 통하여 부산물 가스를 통과시키기 위해 상기 배기 덕트로 연장된다.
상기 구멍(23)의 구성
구멍의 수 : 96
직경 : 1 mm
길이 : 31.93 mm
상기 샤워 플레이트의 전면에 수직하는 방향과 관련한 상기 구멍의 경사각도 : 47.5°
구멍의 위치 : 상기 샤워 플레이트의 전면의 가장자리
상기 가스 입구 공간 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물이 상기 샤워 플레이트 구조의 복수의 구멍들(홀들)(21)을 통하여 상기 챔버 내부로 유입된다. 상기 퇴적 공정 동안에 형성된, 그리고 상기 가스 입구 포트의 말단들 주위 및 상기 O-링(14) 주의의 영역들로 누설된(때때로 "마이크로리크(microleak)"로 지칭됨) 부산물 가스는 기판의 표면 상에 퇴적된 막의 두깨의 균일성에 부정적인 영향을 끼친다.
이러한 부산물 가스를 그들 영역들로부터 배기 덕트(34)로 배출함으로써 이러한 문제가 실질적으로 회피되거나 감소될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이러한 부산물 가스를 배출하기 위해, 다수의 구멍들(23)(예를 들어, 96개의 구멍들)이 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면(20)의 가장자리로부터 상기 샤워 플레이트(12)의 배면 측 상의 배기 덕트(34)까지 형성되어 있다.
비록 도시되지 않았지만, 본 예시의 실험 결과가 얻어졌다. 상기 결과는 또한 상기 기판의 표면 상에 형성된 막의 각 위치의 두께 비의 맵의 형태로 얻어질 수 있었다.
상기 결과 맵(도시 안됨)으로부터, 막 두께의 표준 편차 값은 25 [nm]의 평균 막 두께를 갖는 본 예시에서 5.0 [1 시그마%]가 되도록 계산되었다. 또한 그 가장자리의 내측으로 2 밀리미터 내의 상기 전면의 위치로부터 연장되는 구멍들을 갖는 상기 샤워 플레이트(12)는 유사한 막 두께 표준 편차 값을 나타낸다는 것으로 밝혀졌다. 위와 같이 상기 표준 편차 값이 낮아질수록 막 균일성이 좋아진다. 비교를 위해, 도 1에 기술된 종래의 샤워 플레이트에서, 본 예시에서 채택된 구멍(23)을 제외하고 동일한 조건 하에서, 막 두께의 표준 편차 값은 28.1 [1 시그마 %]로 계산되었다. 막 두께의 표준 편차가 15.0 [1 시그마 %] 이하이면, 종래의 막 퇴적 방법에 비해 양호한 막 퇴적 품질(막 두께 균일성)을 나타내는 것으로 판명될 수 있다. 막 두께의 표준 편차가 10.0 [1 시그마%] 이하이면, 상기 막은 더욱 양호한 막 퇴적 품질을 나타내는 것으로 판명될 수 있다.
<예시 3>
상기 샤워 플레이트의 전면의 가장자리로부터 그것의 배면으로 연장되는 복수의 구멍들을 갖는 샤워 플레이트.
쉴드 플레이트(상기 샤워 헤드)를 갖는 샤워 플레이트 구조의 하나의 실시예의 개략적 도면이 도 6에 보여진다. 상기 샤워 헤드(11)는 가스 입구 공간을 정의하는 샤워 플레이트 구조(12) 및 쉴드 플레이트(13)를 가진다. 상기 샤워 플레이트 구조(12) 및 상기 쉴드 플레이트(13)는 스크류(5)로 고정된다. O-링(14)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)와 상기 쉴드 플레이트(13) 사이에 부착된다. 상기 샤워 플레이트(12)는 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면 측 상에 단차 부분(18)을 가지며, 그리고 전면 영역(20)(전면)은 주변으로 상기 단차 부분(18)에 의해 둘러싸인다. 적어도 하나의 구멍(24)이 상기 샤워 플레이트 구조(12)의 상기 전면(20)의 가장자리로부터 상기 샤워 플레이트(12)의 배면(30)으로 연장된다.
상기 구멍(24)의 구성
구멍의 수 : 102
직경 : 1 mm
길이 : 25 mm
구멍의 위치 : 상기 샤워 플레이트의 전면의 가장자리
상기 가스 입구 공간 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물이 상기 샤워 플레이트 구조의 복수의 구멍들(홀들)(21)을 통하여 상기 챔버 내부로 유입된다. 상기 퇴적 공정 동안에 형성된, 그리고 상기 가스 입구 포트의 말단들 주위 및 상기 O-링(14) 주의의 영역들로 누설된(때때로 "마이크로리크(microleak)"로 지칭됨) 부산물 가스는 기판의 표면 상에 퇴적된 막의 두께의 균일성에 부정적인 영향을 끼친다.
이러한 부산물 가스를 그들 영역들로부터 배기 덕트(34)로 배출함으로써, 비록 적은 정도일지라도 이러한 문제가 실질적으로 회피되거나 감소될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이러한 부산물 가스를 배출하기 위해, 다수의 구멍들(24)(예를 들어, 102개의 구멍들)이 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면(20)의 가장자리로부터 상기 샤워 플레이트(12)의 배면(30)까지 형성되어 있다. 본 예시에서, 비록 배기 효과는 상기 샤워 플레이트(12)의 상기 전면(20)의 가장자리로부터 상기 배기 덕트(34)로 직접 배기할 때 더욱 탁월하지만, 부산물 가스가 또한 상기 반응 챔버(10)을 통하여 상기 배기 덕트(34)로 배기될 수 있다는 것(간접 배기)이 밝혀졌다.
본 예시의 실험 결과는 도 7에 나타내었다. 도 7은 기판 표면에 형성된 막의 각 위치의 두께 비의 맵을 보여준다. 그레이 스케일의 변화는 막 두께의 변화를 나타낸다. 결과 맵은 상기 막의 평균 두께의 -3.0 %에서 막의 평균 두께의 + 3.0 %까지의 범위에서 상기 막의 평균 두께에 대한 각 지점에서의 막 두께를 보여준다. 막의 두께는 막의 49개 위치에서 측정하였고, 평균 두께는 이러한 측정들에 기초하여 계산되었다.
상기 맵으로부터, 막 두께의 표준 편차 값은 31.2 [nm]의 평균 막 두께를 갖는 본 예시에서 13.7 [1 시그마%]가 되도록 계산되었다. 또한 그 가장자리의 내측으로 2 밀리미터 내의 상기 전면의 위치로부터 연장되는 구멍들을 갖는 상기 샤워 플레이트(12)는 유사한 막 두께 표준 편차 값을 나타낸다는 것으로 밝혀졌다. 위와 같이 상기 표준 편차 값이 낮아질수록 막 균일성이 좋아진다. 비교를 위해, 도 1에 기술된 종래의 샤워 플레이트에서, 본 예시에서 채택된 구멍(24)을 제외하고 동일한 조건 하에서, 막 두께의 표준 편차 값은 28.1 [1 시그마 %]로 계산되었다. 막 두께의 표준 편차가 15.0 [1 시그마 %] 이하이면, 종래의 막 퇴적 방법에 비해 양호한 막 퇴적 품질(막 두께 균일성)을 나타내는 것으로 판명될 수 있다.
본 명세서에서 실질적으로 어떠한 복수 및/또는 단수 용어들의 사용에 대하여, 통상의 기술자는 맥락에 적합한 대로 복수를 단수로 및/또는 단수를 복수로 해석할 수 있다.
비록 본 개시의 시스템(들) 및/또는 방법(들)이 가장 실제적이고 바람직한 구현들이라고 현재 생각되는 것에 기초하여 설명의 목적으로 상세하게 설명되었지만, 이러한 상세한 설명은 단지 이러한 목적을 위한 것이고, 그리고 상기 개시는 개시된 구현들로 제한되지 않지만, 그와는 반대로 첨부된 청구항들의 정신 및 범위 내에서의 수정들 및 등가적인 배열들을 커버하는 것으로 의도된다는 것임을 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 개시는 가능한 한 어떠한 구현의 하나 이상의 특징들이 어떠한 다른 구현의 하나 이상의 특징들과 조합될 수 있다는 것을 고려하고 있다는 것으로 이해될 수 있다.

Claims (20)

  1. 가스 입구 포트, 샤워 헤드, 작업물 지지대, 반응 챔버 및 배기 덕트를 포함하는 플라즈마 퇴적 장치에 설치되도록 맞추어진 샤워 플레이트로서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 헤드에 부착되도록 맞추어져 있으며, 상기 샤워 플레이트는,
    상기 가스 입구 포트를 대면하도록 맞추어진 전면; 및
    상기 전면에 반대되는 배면;을 포함하며,
    상기 샤워 플레이트는 상기 전면으로부터 상기 배면으로 이 방향을 통하여 가스를 통과시키도록 각기 연장된 복수의 구멍들을 가지며, 그리고
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 이 방향을 통하여 부산물 가스를 통과시키도록 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측 상에 단차 부분을 더 포함하며, 상기 전면은 주변으로 상기 단차 부분에 의해 둘러싸이며, 그리고 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 단차 부분의 표면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 단차 부분의 상기 표면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 단차 부분의 상기 표면에 수직하는 방향에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 대하여 상기 적어도 하나의 구멍의 경사 각도는 0 내지 90°인 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 수직하는 방향에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 대하여 상기 적어도 하나의 구멍의 경사 각도는 0 내지 90°인 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 전면의 가장자리로부터 또는 상기 전면의 가장자리로부터 내측으로 2 밀리미터 내의 위치에서 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리 주위로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 복수의 구멍을 포함하며, 상기 복수의 구멍은 실질적으로 주변으로 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 90 내지 120개의 구멍들을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 부산물 가스를 간접적으로 통과시키기 위하여, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리로부터, 또는 상기 전면의 가장자리로부터 내측으로 2 밀리미터 내의 위치로부터 그 배면으로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 부산물 가스를 간접적으로 통과시키기 위하여, 상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리로부터 그 배면으로 연장되는 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리 주위로부터 그의 배면으로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍의 방향은 상기 전면으로부터 상기 배면으로 각기 연장되는 복수의 구멍들의 방향들과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면의 가장자리 주위로부터 그의 배면으로 연장되는 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 수직하는 방향에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 샤워 플레이트의 상기 전면에 대하여 상기 적어도 하나의 구멍의 경사 각도는 0 내지 90°인 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  17. 청구항 1에 따른 샤워 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 가스 입구 포트;
    샤워 헤드;
    작업물 지지대;
    반응 챔버;
    배기 덕트; 및
    상기 샤워 헤드에 부착된 샤워 플레이트를 포함하는 처리 장치로서,
    상기 샤워 플레이트는,
    상기 가스 입구 포트를 대면하도록 맞추어진 전면; 및
    상기 전면에 반대되는 배면;을 포함하며,
    상기 샤워 플레이트는 상기 전면으로부터 상기 배면으로 이 방향을 통하여 가스를 통과시키도록 각기 연장된 복수의 구멍들을 가지며, 그리고
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측으로부터 상기 배기 덕트로 이 방향을 통하여 부산물 가스를 통과시키도록 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 상기 샤워 플레이트의 상기 전면 측 상에 단차 부분을 더 포함하며, 상기 전면은 주변으로 상기 단차 부분에 의해 둘러싸이며, 그리고 상기 적어도 하나의 구멍은 상기 단차 부분의 표면으로부터 상기 배기 덕트로 연장되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 처리 장치는 작업물 상에 물질을 퇴적하도록 구성된 것을 특징으로 하는 처리 장치.
KR1020170146075A 2016-12-15 2017-11-03 퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물 KR102403103B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/380,557 US10801106B2 (en) 2016-12-15 2016-12-15 Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas
US15/380,557 2016-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180069686A true KR20180069686A (ko) 2018-06-25
KR102403103B1 KR102403103B1 (ko) 2022-05-27

Family

ID=62556838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170146075A KR102403103B1 (ko) 2016-12-15 2017-11-03 퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10801106B2 (ko)
JP (1) JP7062378B2 (ko)
KR (1) KR102403103B1 (ko)
CN (1) CN108220919B (ko)
TW (1) TWI741066B (ko)

Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US11732075B2 (en) 2017-11-29 2023-08-22 Mitsui Chemicals, Inc. Cyclic olefin-based copolymer, cyclic olefin-based copolymer composition, molded article, and medical container
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
WO2020023409A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Optically transparent pedestal for fluidly supporting a substrate
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
DE102018130859A1 (de) 2018-12-04 2020-06-04 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem von einer Schirmplatten-Anordnung abgedeckten Gaseinlassorgan
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11335591B2 (en) * 2019-05-28 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Thermal process chamber lid with backside pumping
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD931978S1 (en) * 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN117916846A (zh) * 2021-08-25 2024-04-19 应用材料公司 夹式双通道喷淋头
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005256172A (ja) * 2004-02-24 2005-09-22 Applied Materials Inc 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
KR20060047153A (ko) * 2004-04-15 2006-05-18 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 박막증착 장치
KR20140047558A (ko) * 2012-10-12 2014-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 반응 챔버 샤워헤드
JP2015105405A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP2016039356A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 ピーエスケー・インコーポレーテッド バッフル及びこれを含む基板処理装置
JP2016072360A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2763222B2 (ja) * 1991-12-13 1998-06-11 三菱電機株式会社 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
IT1396495B1 (it) 2009-02-24 2012-12-14 Nikles Tec Italia Srl Dispositivo di erogazione di un getto d'acqua areato
US8402918B2 (en) 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
KR101234594B1 (ko) * 2011-07-25 2013-02-19 피에스케이 주식회사 배플 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
USD665055S1 (en) 2012-01-24 2012-08-07 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR101375742B1 (ko) * 2012-12-18 2014-03-19 주식회사 유진테크 기판처리장치
US9824881B2 (en) 2013-03-14 2017-11-21 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
USD732145S1 (en) 2014-02-04 2015-06-16 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD732644S1 (en) 2014-02-04 2015-06-23 Asm Ip Holding B.V. Top plate
USD724701S1 (en) 2014-02-04 2015-03-17 ASM IP Holding, B.V. Shower plate
USD720838S1 (en) 2014-02-04 2015-01-06 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD733257S1 (en) 2014-02-14 2015-06-30 Hansgrohe Se Overhead shower
USD751176S1 (en) 2014-08-07 2016-03-08 Hansgrohe Se Overhead shower
US9493933B2 (en) 2014-08-07 2016-11-15 Brasscraft Manufacturing Company Pedestal strainer for a sink drain
JP5808472B1 (ja) * 2014-09-24 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
TWD177995S (zh) 2015-11-18 2016-09-01 ＡＳＭ知識產權私人控股有&#x9 用於半導體製造設備之氣體供應板
TWD178425S (zh) 2016-01-08 2016-09-21 ＡＳＭ知識產權私人控股有&#x9 用於半導體製造設備的電極板
USD793526S1 (en) 2016-04-08 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Showerhead for a semiconductor processing chamber
USD794753S1 (en) 2016-04-08 2017-08-15 Applied Materials, Inc. Showerhead for a semiconductor processing chamber
USD785766S1 (en) 2016-06-15 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Shower plate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005256172A (ja) * 2004-02-24 2005-09-22 Applied Materials Inc 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
KR20060047153A (ko) * 2004-04-15 2006-05-18 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 박막증착 장치
KR20140047558A (ko) * 2012-10-12 2014-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 반응 챔버 샤워헤드
JP2015105405A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP2016039356A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 ピーエスケー・インコーポレーテッド バッフル及びこれを含む基板処理装置
JP2016072360A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP7062378B2 (ja) 2022-05-06
TW201833372A (zh) 2018-09-16
CN108220919A (zh) 2018-06-29
TWI741066B (zh) 2021-10-01
KR102403103B1 (ko) 2022-05-27
US10801106B2 (en) 2020-10-13
JP2018138691A (ja) 2018-09-06
CN108220919B (zh) 2021-04-20
US20180171472A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102403103B1 (ko) 퇴적 억제 가스를 배출하기 위한 샤워 플레이트 구조물
US11149350B2 (en) Shower plate structure for supplying carrier and dry gas
KR102501472B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102592699B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102493324B1 (ko) 필름 스택들의 형성을 위한 이중-채널 샤워헤드
US7498057B2 (en) Deposition methods
US20070218701A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070218702A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
TW201324663A (zh) 用於改良之沉積均勻性的前驅物分配特性
KR20050041582A (ko) 화학기상증착 반응기
CN108642474A (zh) 一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统
JP6629248B2 (ja) エピタキシャルチャンバへのガス注入装置
US7763551B2 (en) RLSA CVD deposition control using halogen gas for hydrogen scavenging
KR102525049B1 (ko) 비정상적인 전기 방전 및 플라즈마 집중을 방지하기 위한 절연 구조물
KR101596329B1 (ko) Vhf를 이용한 pe-ald 장치 및 방법
TW202212623A (zh) 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
KR20130085905A (ko) Ｃｖｄ 균일 흡출/펌핑 안내 구조
TW202015115A (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置
US20220319833A1 (en) Method and system for mitigating underlayer damage during formation of patterned structures
US20230395372A1 (en) Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US20220068639A1 (en) Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US20230084552A1 (en) Topology-selective nitride deposition method and structure formed using same
KR20180003826A (ko) 박막 증착 방법
TW202229625A (zh) 形成圖案化特徵之方法、半導體結構、半導體裝置、及處理系統
KR20230081649A (ko) 처리 어셈블리, 챔버 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant